JP2003218392A

JP2003218392A - 画像表示装置及びその製造方法

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Publication number: JP2003218392A
Application number: JP2002009279A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Yanagisawa; 喜行柳澤
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2002-01-17
Filing date: 2002-01-17
Publication date: 2003-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、樹脂を用いて被覆してなる発光素子
に形成される電極や配線を光透過性を有する材料を用い
て形成することにより、発光素子から発生する光の損失
を低減しながら光を取出すことができ、更に高効率で光
を取出すことにより省電力化を図ることが可能となる画
像表示装置及びその製造方法を提供することを目的とす
る。【解決手段】本発明の画像表示装置は、樹脂を用いて発
光素子を被覆してなるチップが配列されて形成される画
像表示装置において、前記チップは実装用基板上に配列
され、前記チップの光取出し領域側に形成されると共に
前記発光素子と電気的に接続される導電部が光透過性を
有することを特徴とする。従って、当該発光素子から発
生する光が遮られることなく、当該光の損失を低減する
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画像表示装置及び
その製造方法に関する。更に詳しくは、発光素子が樹脂
に被覆されてなるチップが実装されて形成される画像表
示装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】発光素子をマトリクス状に配列して画像
表示装置に組み上げる場合には、従来、液晶表示装置
（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）やプラズマディス
プレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）のよう
に基板上に直接素子を形成するか、あるいは発光ダイオ
ードディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）のように単体
のＬＥＤパッケージを配列することが行われている。

【０００３】発光素子であるＬＥＤ（発光ダイオード）
は高価である為、１枚のウエハから数多くのＬＥＤチッ
プを製造することによりＬＥＤを用いた画像表示装置を
低コストにできる。すなわち、ＬＥＤチップの大きさを
従来約３００μｍ角のものを数十μｍ角のＬＥＤチップ
にして、それを接続して画像表示装置を製造すれば画像
表示装置の価格を下げることができる。

【０００４】ここで、ＬＥＤディスプレイの場合には、
ＬＥＤチップをダイシング後に取り出し、個別にワイヤ
ーボンドもしくはフリップチップによるバンプ接続によ
り外部電極に接続し、パッケージ化されることが行われ
ている。この場合、パッケージ化の前もしくは後に画像
表示装置としての画素ピッチに配列された後、当該画像
表示装置を構成し配線などが形成された実装用基板に実
装され、これらチップ部品と実装用基板の電気的な接続
がＣｕなどの金属材料を用いて行われている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、当該配線に
発光素子から発生する光を透過しない材料を用いた場
合、当該発光素子から発生する光の一部が当該配線によ
り遮蔽され、画像表示に寄与しないことになる。また、
当該配線に限らず、当該発光素子の光取出し領域側に形
成される電極が光を透過しない材料で形成されている場
合においても、発光素子から発生する光が遮られ、画像
表示面に光を十分に取り出すことが困難となる。

【０００６】更に、発光素子の周囲に配置される記憶素
子や当該発光素子の駆動を制御するアクティブ素子に、
金属材料などの光を反射する材料により形成された電極
や配線により当該発光素子から発生する光が反射されて
照射された場合には、これら記憶素子やアクティブ素子
を形成する半導体材料に電位ずれが生じ、当該記憶素子
や当該アクティブ素子が正常に動作しない場合もある。
特に、発光素子から発生する光が青色などの比較的短波
長の光である場合には、電位ずれが大きなものになるこ
とがある。

【０００７】また、当該チップ部品に予め形成される電
極や電極パッドなどの導電部を光取出し領域側を避ける
ように形成しておく場合においても、これらチップ部品
を実装する際にチップ部品の光取出し領域側が画像表示
面側になるように当該チップ部品の向きを揃えて実装す
ることが必要になる。

【０００８】よって、本発明は、樹脂を用いて被覆して
なる発光素子に形成される電極や配線を光透過性を有す
る材料を用いて形成することにより、発光素子から発生
する光の損失を低減しながら光を取出すことができ、更
に高効率で光を取出すことにより省電力化を図ることが
可能となる画像表示装置及びその製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【０００９】また、これら発光素子の周囲に配置される
素子の誤動作を防止することができ、チップ部品を容易
に実装することができる画像表示装置及びその製造方法
を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の画像表示装置
は、発光素子が樹脂により被覆されてチップ部品とされ
るとともに、これらチップ部品が実装用基板上に配列さ
れてなり、前記チップ部品の光取出し領域側には、前記
発光素子と電気的に接続される導電部が形成され、当該
導電部が光透過性とされていることを特徴とする。従っ
て、当該発光素子から発生する光が遮られることなく、
当該光の損失を低減することができる。更に、当該導電
部が延設された領域で当該光を反射し、当該発光素子の
周囲に配置される素子の誤動作を防止することができ
る。また、導電部が光透過性を有することにより、当該
チップ部品に向きを揃えることなく実装することが可能
となる。

【００１１】また、本発明の画像表示装置の製造方法
は、発光素子を樹脂により被覆してチップ部品とすると
共にこれらチップ部品を実装用基板上に配列し、前記チ
ップ部品の光取出し領域側に前記発光素子と電気的に接
続される導電部を形成し、前記導電部を光透過性を有す
る材料により形成することを特徴とする。従って、発光
素子を樹脂を用いて被覆されたチップ部品とし、更に導
電部を光透過性を有する材料により形成することにより
当該チップ部品の実装時の取り扱いが容易となる上、当
該発光素子から高い効率で光を取り出すことができる画
像表示装置を製造することができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】先ず、本発明の画像表示装置及び
その製造方法について図１乃至図４を参照しながら説明
する。

【００１３】図１は樹脂を用いて発光素子が被覆された
チップを実装用基板に実装した状態を示す図である。発
光素子２、８をそれぞれ樹脂で被覆して形成される樹脂
形成チップ１、７が実装用基板２０に実装される。樹脂
形成チップ１、７は、離間した状態で実装用基板２０上
に配列されることにより実装される。このとき、樹脂形
成チップ１、７の素子間隔は、発光素子２、８がそれぞ
れの素子形成基板において複数形成された場合の素子間
隔よりは広がった素子間隔とされる。従って、実装用基
板２０上に、別々の素子形成基板で形成された発光素子
２、８を順次実装することにより、一枚の実装用基板２
０にこれら樹脂形成チップ１、７を配列させて実装する
ことが可能となる。更に、実装用基板２０における素子
間隔より高い集積度で発光素子２、８をそれぞれの素子
形成基板に形成することにより、当該画像表示装置のコ
ストを下げることができる。また、これら樹脂形成チッ
プ１、７を覆うように絶縁膜として絶縁層１４が形成さ
れ、樹脂形成チップ１、７は互いに絶縁される。ここ
で、絶縁層１４は発光素子２、８から発生する光を遮ら
ないように光透過性を有する絶縁材料を用いて形成さ
れ、例えば透明エポキシ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤及び
ポリイミド等を用いることができる。

【００１４】また、樹脂形成チップ１は、発光素子２を
樹脂部５と接着剤部６に被覆された後、所要のサイズに
切り出されることにより形成される。ここで、電極パッ
ド４が発光素子２のアノード電極（ｐ電極）若しくはカ
ソード側電極（ｎ電極）と接続されるように樹脂部５か
ら発光素子２の上面に亘って形成される。また、電極パ
ッド４は、発光素子２の電極パッド４が接続される側の
極性と逆の極性の電極と接続されるように形成されるよ
うに、発光素子２の電極パッド４との接続領域を予め露
出させておけば良い。ここで、発光素子２に形成される
電極パッド４は、発光素子２を駆動させるために駆動回
路と接続される導電部であり、電極パッド４を、例えば
酸化インジウム錫（ＩＴＯ：ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯ
ｘｉｄｅ）などの光透過性を有する導電材料を用いて形
成することにより、発光素子２から発生する光が電極パ
ッド４により遮られることが殆どない。

【００１５】ここで、図中の実装用基板２０側に形成さ
れる電極パッド３も光透過性を有する導電材料を用いて
形成しておいても良い。更に、電極パッド３、４の両方
が光透過性を有する場合に、樹脂部５と接着剤部６の両
方を光透過性を有する絶縁材料で形成しておくことによ
り、樹脂形成チップ１の上面と下面の何れかを樹脂形成
チップ１の光取出し領域とすることができる。従って、
樹脂形成チップ１を実装用基板２０に実装する際に、光
取出し領域を揃えて実装する手間を省略することができ
るだけでなく、実装用基板２０を構成する各部について
光透過性を有する材料により形成しておくことにより、
実装用基板２０の裏面からも光を取り出すことが可能と
なり、樹脂形成チップ１の実装される際の向きに規制さ
れることなく、樹脂形成チップ１の上面と下面の両側を
光取出し領域とすることもできる。

【００１６】樹脂形成チップ７は、発光素子８を樹脂部
１１と接着剤部１２に被覆された後、所要のサイズに切
り出されることにより形成される。更に、電極パッド
９、１０が発光素子８のアノード電極（ｐ電極）若しく
はカソード側電極（ｎ電極）とそれぞれ接続されるよう
に樹脂部１１から発光素子８の上面に亘って形成されて
いる。ここで、発光素子８に形成される電極パッド９、
１０は、発光素子８を駆動させるために駆動回路と接続
される導電部であり、これら電極パッド９、１０を、例
えばＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形
成することにより、発光素子８から発生する光がこれら
電極パッド９、１０により殆ど遮られることなく、樹脂
形成チップ７の外部に取り出される。

【００１７】発光素子８は樹脂形成チップ７を形成する
過程において、一旦樹脂により被覆された後、発光素子
のサイズに合わせて切り出されて樹脂部１３上に発光素
子８が接着された状態で接着剤部１２上に配置され、樹
脂部１１で被覆された状態で切り出されて樹脂形成チッ
プ７とされる。電極パッド９、１０は発光素子８から発
生する光を遮らないように光透過性を有する導電材料に
より形成される。ここで、電極パッド９、１０は発光素
子８の片側にのみ形成されるに限定されず、発光素子の
素子構造に合わせてアノード側とカソード側に形成され
ていれば良い。また、発光素子８を被覆する樹脂部１
１、１３、及び接着剤部１２は光透過性を有する絶縁材
料により形成される。

【００１８】上述の発光素子２、８は赤色、緑色及び青
色などの光の三原色をそれぞれ発色する発光素子とする
ことができ、発色させる色に合わせて適用な構造の発光
素子が用いられる。例えば、赤色発光素子としては、Ｇ
ａＡｓ系化合物を用いて形成されたプレーナ型の発光ダ
イオードを用いることができ、青色発光素子としてＧａ
Ｎ系化合物を用いた発光ダイオードを用いることができ
る。特に、ＧａＮ系化合物を用いて素子形成基板の主面
に対して傾斜した傾斜結晶面を有する結晶層からなる発
光ダイオードでは、当該傾斜結晶面がＳ面（（１−１０
１）面）となるように結晶成長を行うことにより、輝度
の高い発光ダイオードを安定して形成することができ
る。また、赤色、緑色及び青色にそれぞれ発色する発光
素子に限定されず、所要の色に発色する発光素子を樹脂
により被覆して樹脂形成チップ１、７とすることもでき
る。更に素子形状やサイズの異なる発光素子を樹脂によ
り被覆して同一形状、同一サイズの樹脂形成チップとし
ておけば、実装時の取り扱いも容易となる。

【００１９】また、実装用基板２０は、樹脂形成チップ
１、７と電気的に接続される配線層１６、１８と、これ
ら配線層１６，１８を互いに絶縁するように形成される
絶縁層１７、及び樹脂形成チップ１、７が実装される接
着剤層１５からなる多層構造を有する。ここで、配線層
１６、１８は異なる配線層を形成していることになる
が、平面上互いに直交するように形成されても良く、配
線層１６、１８を介して実装用基板２０に複数配列され
た樹脂形成チップのそれぞれに駆動信号が送信されて画
像表示を行われる。また、接着剤層１５は、ＵＶ硬化型
接着剤、熱硬化性接着剤及び熱可塑性接着剤などを塗布
して形成することができる。接着剤層１５を形成する樹
脂を硬化させるエネルギーは基板１９の裏面から供給さ
れる。ＵＶ硬化型接着剤の場合はＵＶ照射装置からＵＶ
光が照射されて接着剤層１５は硬化される。また、熱硬
化型接着剤の場合は、赤外線加熱などにより樹脂形成チ
ップ１、７の下側の接着剤層１５のみを硬化させること
もできる。更に、熱可塑性接着剤の場合には、赤外線や
レーザー光の照射により接着剤を溶融させて接着を行
う。

【００２０】次に、図２に示すように、配線層１６、１
８と発光素子２、８を電気的に接続する配線を形成する
ための開口部としてビアホールを形成する。このとき、
ビアホール２５、２６、２７、２８、２９及び３０は絶
縁層１４の上側からそれぞれレーザー光を照射すること
により所要の位置に形成される。ここで、各ビアホール
を形成するために照射されるレーザー光は、各ビアホー
ルの所要の深さに合わせて照射時間やエネルギーが設定
されて照射されることになる。また、各ビアホールに
は、後述するように配線を形成する導電性材料をスパッ
タリングなどにより形成するため、各ビアホールの内壁
は、若干傾斜を有するように形成されていれば当該導電
性材料を均一にビアホールの内壁に被着させることもで
き、接続不良を低減することもできる。

【００２１】続いて、図３に示すように、これら発光ダ
イオード２、８をそれぞれ含む樹脂形成チップ１、７と
これら樹脂形成チップを覆うように形成された絶縁層１
４の一部を除去して形成された開口部であるビアホール
に配線を形成する。それぞれ所要の深さになるまで絶縁
層１４、樹脂部５、接着剤層１５及び絶縁層１７の一部
を除去して形成された開口部即ちビアホールには、発光
ダイオード２、８のアノード、カソードの電極パッドと
実装用基板２０に形成された配線層１６、１８を電気的
に接続するように配線３１、３２、３３が形成される。
ここで、配線３１、３２、３３は、例えば、スパタリン
グなどの配線形成方法などにより形成されることにな
る。従って、発光素子２、８に直接形成される電極及び
電極パッドから延設され、光透過性を有する導電部が形
成されることになる。また、発光素子２、８の上部であ
る光取出し領域側を避けた領域であって、配線３１、３
３のうちビアホール２５、３０に形成された領域のみを
Ａｌなどの金属材料を用いて形成することにより、これ
ら発光素子２、８から発生する光が反射され、発光素子
２、８の周囲に配置されるメモリ素子や駆動素子に当該
光が照射されることがない。従って、これらメモリ素子
や駆動素子の電位ずれによる誤動作を防止することがで
きる。特に、発光素子２、８が青色発光のように比較的
短波長の光を発光する場合には有効である。

【００２２】このとき、配線３１、３２、３３のうち、
図３の断面図中において発光素子２、８に対して実装用
基板２０と反対側であって、樹脂形成チップ１、７の光
取出し領域側に配線が形成されることになる。従って、
配線３１、３２、３３を形成する導電性材料として、例
えばＩＴＯなどの光透過性を有する材料を用いることに
より、樹脂形成チップ１、７の光取出し領域を避けるよ
うな配線パターンを形成することなく、光取出し領域に
臨む領域にも配線を形成することが可能となり、配線パ
ターンの選択枝が増えることになる。特に、画像表示装
置の画素密度が増大するに従い、これら画素を形成する
発光素子をそれぞれ駆動させるための配線数も増大する
ことになり、光取出し領域を避けるように配線を形成す
るよりはこれら配線を光透過性を有する材料で形成すれ
ば画素密度の増大にも容易に追従することが可能とな
る。また、開口部２５、３０のように、樹脂形成チップ
１、７の周辺部における開口部に形成する配線を形成す
る材料として光を反射するＡｌなどの金属薄膜を用いる
ことにより、発光素子２、８から発せられ発光素子２、
８の上方に取り出すことが難しい光を当該ビアホール２
５、３０に延設された配線３１、３３により反射し、発
光素子２、８の上方である画像表示面側に取り出すこと
が可能となり、発光素子２、８から発生する光を効率良
く画像表示に用いることができる。また、これら光を反
射する金属材料を用いて、発光素子２、８の周囲に配置
されるメモリや素子に対して乱反射された光が及ばない
ように遮蔽することにより、これら素子の電位ずれなど
に起因する動作不良を防止することもできる。

【００２３】続いて、図４に示すように、電極パッド３
１、３２、３３と絶縁層１４上に保護膜３５を形成し、
その上にブラックマスク３６を形成することにより本発
明の画像表示装置が形成される。保護膜３５は、光透過
性を有する材料を用いて、電極パッド３１、３２、３３
及び発光素子２、８上の絶縁層１４の上面全体を覆うよ
うに形成され、その上面は平坦とされる。保護膜３５を
形成する材料としては、例えば絶縁層１４に用いられる
材料と同様に透明エポキシ接着剤などを用いることがで
き、加熱硬化されることにより、電極パッド３１、３
２、３３、これら電極パッド間などを電気的に接続する
配線及び絶縁層１４を完全に覆う。

【００２４】保護膜３５の上面には、遮光膜としてブラ
ックマスク３６が形成される。ブラックマスク３６は、
複数配置された発光素子の素子間隔に合わせてこれら発
光素子から発生する光を外部に取り出せるように、発光
素子２、８の上方には形成されない。従って、発光素子
２、８の上方であって、ブラックマスク３６が形成され
ていない領域は発光面３７となる。ここで、ブラックマ
スク３６は発光素子２、８の素子間隔に合わせて形成さ
れた発光面３７とともに画像表示面を形成することにな
る。このとき、発光面３７がそれぞれの発光素子に対応
する画素となるが、ブラックマスク３６は、画像表示面
の外部から画像表示面に入射する外光を吸収し、これら
発光面３７から出射される光により表示される画像を高
いコントラストで表示することが可能となる。

【００２５】上述のように発光素子を被覆してなる樹脂
形成チップの光取出し領域側の電極や電極パッドを光透
過性を有する材料を用いて形成することにより、発光素
子から発せられ、画像表示に用いられる光の損失を低減
することができる。従って、高い輝度の画像表示を省電
力により行うことが可能となる。

【００２６】以上、本発明の画像表示装置とその製造方
法について説明したが、別の例について、図面を参照し
ながら更に詳細に説明する。なお、以下においては、二
段階拡大転写法による素子の配列方法及び画像表示装置
の製造方法を例にして、本発明の画像表示装置及び画像
表示装置の製造方法について説明する。

【００２７】最初に、二段階拡大転写法による素子の配
列方法及び画像表示装置の製造方法の基本的な構成につ
いて説明する。二段階拡大転写法による素子の配列方法
および画像表示装置の製造方法は、高集積度をもって第
一基板上に作成された素子を第一基板上で素子が配列さ
れた状態よりは離間した状態となるように一時保持用部
材に転写し、次いで一時保持用部材に保持された前記素
子をさらに離間して第二基板上に転写する二段階の拡大
転写を行う。なお、本例では転写を２段階としている
が、素子を離間して配置する拡大度に応じて転写を三段
階やそれ以上の多段階とすることもできる。また、当該
二段階拡大転写法は、素子形状によらず如何なる形状に
も用いることができ、複数の素子を一括して実装用基板
上に配列して画像表示装置を形成する場合には、特に適
用な素子の転写法である。

【００２８】図５はそれぞれ二段階拡大転写法の基本的
な工程を示す図である。まず、図５（ａ）に示すよう
に、素子形成基板である第一基板５０上に、発光素子５
２を密に形成する。素子を密に形成することで、各基板
当たりに生成される素子の数を多くすることができ、製
品コストを下げることができる。第一基板５０は例えば
半導体ウエハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイ
ア基板、プラスチック基板などの種々素子形成可能な基
板であるが、各素子５２は第一基板５０上に直接形成し
たものであっても良く、他の基板上で形成されたものを
配列したものであっても良い。

【００２９】次に、図５（ｂ）に示すように、第一基板
５０から各素子５２が一時保持用部材に転写され、この
一時保持用部材の上に各素子５２が保持される。このと
き、同時に素子５２毎に素子周りの樹脂の被覆を行う。
素子周りの樹脂の被覆は電極パッドを形成し易くし、転
写工程での取り扱いを容易にするなどのために形成され
る。なお、隣接する素子５２は例えば複数の一時保持用
部材間での転写などにより選択分離を行うことにより、
最終的には一時保持用部材上で離間され、図示のように
マトリクス状に配される。すなわち素子５２はｘ方向に
もそれぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方
向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように
転写される。このとき離間される距離は、特に限定され
ず、一例として後続の工程での樹脂部形成や電極パッド
の形成を考慮した距離とすることができる。

【００３０】このような第一転写工程の後、図５（ｃ）
に示すように、一時保持用部材５１上に存在する素子５
２は離間されていることから、各素子５２毎に電極パッ
ドの形成が行われる。電極パッドの形成は、後述するよ
うに、最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われる
ため、その際に配線不良が生じないように比較的大き目
のサイズに形成されるものである。なお、図５（ｃ）に
は電極パッドは図示していない。ここで、各素子５２に
形成される電極パッドはこれら素子から発せられる光を
遮らないように光透過性を有する材料を用いて形成さ
れ、る。樹脂５３で固められた各素子１２に電極パッド
を形成することで樹脂形成チップ５４が形成される。素
子５２は平面上、樹脂形成チップ５４の略中央に位置す
るが、一方の辺や角側に偏った位置に存在するものであ
っても良い。

【００３１】次に、図５（ｄ）に示すように、第二転写
工程が行われる。この第二転写工程では一時保持用部材
５１上でマトリクス状に配される素子５２が樹脂形成チ
ップ５４ごと更に離間するように第二基板５５上に転写
される。第二転写工程においても、隣接する素子５２は
樹脂形成チップ５４ごと離間され、図示のようにマトリ
クス状に配される。すなわち素子５２はｘ方向にもそれ
ぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向に垂
直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写さ
れる。第二転写工程によって配置された素子の位置が画
像表示装置などの最終製品の画素に対応する位置である
とすると、当初の素子５２間のピッチの略整数倍が第二
転写工程によって配置された素子５２のピッチとなる。
ここで第一基板５０から一時保持用部材５１での離間し
たピッチの拡大率をｎとし、一時保持用部材５１から第
二基板１５での離間したピッチの拡大率をｍとすると、
略整数倍の値ＥはＥ＝ｎ×ｍで表される。

【００３２】第二基板５５上に樹脂形成チップ５４ごと
離間された各素子５２には、配線が施される。ここで、
先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑
えながらの配線がなされる。この配線は例えば素子５２
が発光ダイオードなどの発光素子の場合には、ｐ電極、
ｎ電極への配線を含み、液晶制御素子の場合は、選択信
号線、電圧線や、配向電極膜などの配線等を含む。この
とき、素子５２が発光素子であって、樹脂形成チップ５
４の光取出し領域側に形成される配線は、光透過性を有
する材料を用いて形成される。

【００３３】図５に示した二段階拡大転写法において
は、第一転写後の離間したスペースを利用して電極パッ
ドの形成などを行うことができ、そして第二転写後に配
線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用して
接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。従って、
画像表示装置の歩留まりを向上させることができる。ま
た、本例の二段階拡大転写法においては、素子間の距離
を離間する工程が２工程であり、このような素子間の距
離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、実際は
転写回数が減ることになる。すなわち、例えば、ここで
第一基板５０から一時保持用部材５１での離間したピッ
チの拡大率を２（ｎ＝２）とし、一時保持用部材５１か
ら第二基板５５での離間したピッチの拡大率を２（ｍ＝
２）とすると、仮に一度の転写で拡大した範囲に転写し
ようとしたときでは、最終拡大率が２×２の４倍で、そ
の二乗の１６回の転写すなわち第一基板のアライメント
を１６回行う必要が生ずるが、本例の二段階拡大転写法
では、アライメントの回数は第一転写工程での拡大率２
の二乗の４回と第二転写工程での拡大率２の二乗の４回
を単純に加えただけの計８回で済むことになる。即ち、
同じ転写倍率を意図する場合においては、（ｎ＋ｍ）^２
＝ｎ^２＋２ｎｍ＋ｍ^２であることから、必ず２ｎｍ回だ
け転写回数を減らすことができることになる。従って、
製造工程も回数分だけ時間や経費の節約となり、特に拡
大率の大きい場合に有益となる。

【００３４】上記第二転写工程においては、発光素子は
樹脂形成チップとして取り扱われ、一時保持用部材上か
ら第二基板にそれぞれ転写されるが、この樹脂形成チッ
プについて図６及び図７を参照して説明する。樹脂形成
チップ５４は、離間して配置されている素子５２の周り
を樹脂５３で固めたものであり、このような樹脂形成チ
ップ５４は、一時保持用部材から第二基板に素子５２を
転写する場合に使用できるものである。樹脂形成チップ
５４は略平板上でその主たる面が略正方形状とされる。
この樹脂形成チップ５４の形状は樹脂５３を固めて形成
された形状であり、具体的には未硬化の樹脂を各素子５
２を含むように全面に塗布し、これを硬化した後で縁の
部分をダイシング等で切断することで得られる形状であ
る。

【００３５】略平板状の樹脂５３の表面側と裏面側には
それぞれ電極パッド５６、５７が形成される。これら電
極パッド５６、５７の形成は全面に光透過性を有する材
料をスパッタリングなどにより導電層を形成し、フォト
リソグラフィー技術により所要の電極形状にパターンニ
ングすることで形成される。これら電極パッド５６、５
７は発光素子である素子５２のｐ電極とｎ電極にそれぞ
れ接続するように形成されており、必要な場合には樹脂
５３にビアホールなどが形成される。

【００３６】ここで電極パッド５６、５７は樹脂形成チ
ップ５４の表面側と裏面側にそれぞれ形成されている
が、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能
である。電極パッド５６、５７の位置が平板上ずれてい
るのは、最終的な配線形成時に上側からコンタクトをと
っても重ならないようにするためである。電極パッド５
６、５７の形状も正方形に限定されず他の形状としても
良い。

【００３７】このような樹脂形成チップ５４を構成する
ことで、素子５２の周りが樹脂５３で被覆され平坦化に
よって精度良く電極パッド５６、５７を形成できるとと
もに素子５２に比べて広い領域に電極パッド５６、５７
を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進
める場合には取り扱いが容易になる。後述するように、
最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、
比較的大き目のサイズの電極パッド５６、５７を利用し
た配線を行うことで、配線不良が未然に防止される。ま
た、電極パッド５６、５７を比較的大き目のサイズで形
成した場合でも、電極パッド５６、５７は光透過性を有
する材料により形成されるため、当該素子５２から発せ
られる光を遮ることはない。

【００３８】次に、図８に本例の二段階拡大転写法で使
用される素子の一例としての発光素子の構造を示す。図
８（ａ）が素子断面図であり、図８（ｂ）が平面図であ
る。この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオードであり、
たとえばサファイア基板上に結晶成長される素子であ
る。このようなＧａＮ系の発光ダイオードでは、基板を
透過するレーザ照射によってレーザアブレーションが生
じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなってサファイ
ア基板とＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥がれが生
じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有している。

【００３９】まず、その構造については、ＧａＮ系半導
体層からなる下地成長層６１上に選択成長された六角錐
形状のＧａＮ層６２が形成されている。なお、下地成長
層６１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状の
ＧａＮ層６２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ
法などによって形成される。このＧａＮ層６２は、成長
時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合
にＳ面（（１−１０１）面）で覆われたピラミッド型の
成長層であり、シリコンをドープさせた領域である。こ
のＧａＮ層６２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構
造のクラッドとして機能する。ＧａＮ層６２の傾斜した
Ｓ面を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層６３が形成
されており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層
６４が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層
６４もクラッドとして機能する。

【００４０】このような発光ダイオードには、ｐ電極６
５とｎ電極６６が形成されている。ｐ電極６５はマグネ
シウムドープのＧａＮ層６４上に形成されるＩＴＯなど
の光透過性を有する材料を蒸着して形成される。ｎ電極
６６は前述の図示しない絶縁膜を開口した部分でＩＴＯ
などの光透過性を有する材料を蒸着して形成される。な
お、下地成長層６１の裏面側からｎ電極取り出しを行う
場合は、ｎ電極６６の形成は下地成長層６１の表面側に
は不要となる。

【００４１】このような構造のＧａＮ系の発光ダイオー
ドは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブ
レーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥離
することができ、レーザビームを選択的に照射すること
で選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダ
イオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される
構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構
造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子
や化合物半導体素子などであっても良い。

【００４２】次に、図５に示す発光素子の配列方法を応
用した画像表示装置の製造方法の具体的手法について説
明する。発光素子は図８に示したＧａＮ系の発光ダイオ
ードを用いている。先ず、図９に示すように、第一基板
７１の主面上には複数の発光ダイオード７２が密な状態
で形成されている。発光ダイオード７２の大きさは微小
なものとすることができ、例えば一辺約２０μｍ程度と
することができる。第一基板７１の構成材料としてはサ
ファイア基板などのように発光ダイオード７２に照射す
るレーザー光の波長に対して透過率の高い材料が用いら
れる。発光ダイオード７２にはｐ電極などまでは形成さ
れているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間
分離の溝７２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオー
ド７２は分離できる状態にある。この溝７２ｇの形成は
例えば反応性イオンエッチングで行う。

【００４３】次いで、第一基板７１上の発光ダイオード
７２を第１の一時保持用部材７３上に転写する。ここで
第１の一時保持用部材７３の例としては、ガラス基板、
石英ガラス基板、プラスチック基板などを用いることが
でき、本例では石英ガラス基板を用いた。また、第１の
一時保持用部材７３の表面には、離型層として機能する
剥離層７４が形成されている。剥離層７４には、光透過
性を有するポリイミドなどを用いることができる。

【００４４】転写に際しては、図９に示すように、第一
基板７１上に発光ダイオード７２を覆うに足る接着剤
（例えば紫外線硬化型の接着剤）７５を塗布し、発光ダ
イオード７２で支持されるように第１の一時保持用部材
７３を重ね合わせる。この状態で、図１０に示すように
第１の一時保持用部材７３の裏面側から接着剤７５に紫
外線（ＵＶ）を照射し、これを硬化する。第１の一時保
持用部材７３は石英ガラス基板であり、上記紫外線はこ
れを透過して接着剤７５を速やかに硬化する。ここで、
接着剤７５には光透過性を有する材料を用いることによ
り、発光素子７２を当該接着剤７５で被覆した場合にお
いても、発光素子７２から発せられる光が遮られること
が殆どない。

【００４５】このとき、第１の一時保持用部材７３は、
発光ダイオード７２によって支持されていることから、
第一基板７１と第１の一時保持用部材７３との間隔は、
発光ダイオード７２の高さによって決まることになる。
図１０に示すように発光ダイオード４２で支持されるよ
うに第１の一時保持用部材７３を重ね合わせた状態で接
着剤７５を硬化すれば、当該接着剤７５の厚さｔは、第
一基板４１と第１の一時保持用部材４３との間隔によっ
て規制されることになり、発光ダイオード７２の高さに
よって規制される。すなわち、第一基板７１上の発光ダ
イオード７２がスペーサとしての役割を果たし、一定の
厚さの接着剤層が第一基板７１と第１の一時保持用部材
７３の間に形成されることになる。このように、上記の
方法では、発光ダイオード７２の高さにより接着剤層の
厚みが決まるため、厳密に圧力を制御しなくとも一定の
厚みの接着剤層を形成することが可能である。

【００４６】接着剤７５を硬化した後、図１１に示すよ
うに、発光ダイオード７２に対しレーザー光を第一基板
７１の裏面から照射し、当該発光ダイオード７２を第一
基板７１からレーザアブレーションを利用して剥離す
る。ＧａＮ系の発光ダイオード７２はサファイアとの界
面で金属のＧａと窒素することから、比較的簡単に剥離
できる。照射するレーザとしてはエキシマレーザー光、
高調波ＹＡＧレーザー光などが用いられる。このレーザ
アブレーションを利用した剥離によって、発光ダイオー
ド７２は第一基板７１の界面で分離し、一時保持用部材
７３上に接着剤７５に埋め込まれた状態で転写される。

【００４７】図１２は、上記剥離により第一基板７１を
取り除いた状態を示すものである。このとき、レーザー
光を用いてＧａＮ系発光ダイオードをサファイア基板か
らなる第一基板７１から剥離しており、その剥離面にＧ
ａ７６が析出しているため、これをエッチングすること
が必要である。そこで、ＮａＯＨ水溶液もしくは希硝酸
などによりウエットエッチングを行い、図１３に示すよ
うに、Ｇａ７６を除去する。さらに、図１４に示すよう
に、酸素プラズマ（Ｏ_２プラズマ）により表面を清浄化
し、ダイシングにより接着剤７５をダイシング溝７７に
よって切断し、発光ダイオード７２毎にダイシングした
後、発光ダイオード７２の選択分離を行なう。ダイシン
グプロセスは通常のブレードを用いたダイシング、２０
μｍ以下の幅の狭い切り込みが必要なときには上記レー
ザー光を用いた加工を行う。その切り込み幅は画像表示
装置の画素内の接着剤７５で覆われた発光ダイオード７
２の大きさに依存するが、一例として、エキシマレーザ
ー光を用いて溝加工を行い、チップの形状を形成する。

【００４８】発光ダイオード７２を選択分離するには、
先ず、図１５に示すように、清浄化した発光ダイオード
７２上に熱可塑性接着剤７８を塗布し、この上に第２の
一時保持用部材７９を重ねる。この第２の一時保持用部
材７９も、先の第１の一時保持用部材７３と同様、ガラ
ス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板などを用い
ることができ、本例では石英ガラス基板を用いた。ま
た、この第２の一時保持用部材７９の表面にもポリイミ
ドなどからなる剥離層８０を形成しておく。

【００４９】次いで、図１６に示すように、転写対象と
なる発光ダイオード７２ａに対応した位置にのみ第１の
一時保持用部材７３の裏面側からレーザー光を照射し、
レーザアブレーショによりこの発光ダイオード７２ａを
第１の一時保持用部材７３から剥離する。それと同時
に、やはり転写対象となる発光ダイオード７２ａに対応
した位置に、第２の一時保持用部材７９の裏面側から可
視または赤外レーザー光を照射して、この部分の熱可塑
性接着剤７８を一旦溶融し硬化させる。その後、第２の
一時保持用部材７９を第１の一時保持用部材７３から引
き剥がすと、図１７に示すように、上記転写対象となる
発光ダイオード７２ａのみが選択的に分離され、第２の
一時保持用部材７９上に転写される。

【００５０】上記選択分離後、図１８に示すように、転
写された発光ダイオード７２を覆って樹脂を塗布し、樹
脂層８１を形成する。更に、図１９に示すように、酸素
プラズマなどにより樹脂層８１の厚さを削減し、図２０
に示すように、発光ダイオード７２に対応した位置にレ
ーザー光を照射することによりビアホール８２を形成す
る。ビアホール８２の形成には、エキシマレーザー光、
高調波ＹＡＧレーザー光、炭酸ガスレーザー光などを用
いることができる。このとき、ビアホール８２は例えば
約３〜７μｍの径を開けることになる。

【００５１】次に、上記ビアホール８２を介して発光ダ
イオード８２のｐ電極と接続されるアノード側電極パッ
ド８３を形成する。このアノード側電極パッド８３は、
例えばＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成する。後述するよう
に、当該アノード側電極パッド８３が形成される側は光
取出し領域にならないが、当該発光素子７２の裏表の両
側から光を取り出す場合には、アノード側電極パッド８
３をＩＴＯなどの光透過性を有する導電材料を用いて形
成しておいても良い。尚、図２１は、発光ダイオード７
２を第２の一時保持用部材７９に転写して、アノード電
極（ｐ電極）側のビアホール８２を形成した後、アノー
ド側電極パッド８３を形成した状態を示している。

【００５２】上記アノード側電極パッド８３を形成した
後、反対側の面にカソード側電極を形成するため、第３
の一時保持用部材８４への転写を行う。第３の一時保持
用部材８４も、例えば石英ガラスなどからなる。転写に
際しては、図２２に示すように、アノード側電極パッド
８３を形成した発光ダイオード７２、さらには樹脂層８
１上に接着剤８５を塗布し、この上に第３の一時保持用
部材８４を貼り合せる。この状態で第２の一時保持用部
材７９の裏面側からレーザを照射すると、石英ガラスか
らなる第２の一時保持用部材７９と、当該第２の一時保
持用部材７９上に形成されたポリイミドからなる剥離層
８０の界面でレーザアブレーションによる剥離が起き、
剥離層８０上に形成されている発光ダイオード７２や樹
脂層８１は、第３の一時保持用部材８４上に転写され
る。図２３は、第２の一時保持用部材７９を分離した状
態を示す図である。

【００５３】カソード側電極の形成に際しては、上記の
転写工程を経た後、図２４に示すＯ _２プラズマ処理によ
り上記剥離層８０や余分な樹脂層８１を除去し、発光ダ
イオード７２のコンタクト半導体層（ｎ電極）を露出さ
せる。発光ダイオード７２は一時保持用部材８４の接着
剤８５によって保持された状態で、発光ダイオード７２
の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、図
２５に示すように電極パッド８６を形成すれば、電極パ
ッド８６は発光ダイオード７２の裏面と電気的に接続さ
れる。その後、電極パッド８６をパターニングする。こ
のときのカソード側の電極パッドは、例えば約６０μｍ
角とすることができる。電極パッド８６としては透明電
極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）など光透過性を有する導電
材料を用いる。透明電極の場合は発光ダイオード４２の
裏面を大きく覆っても発光をさえぎることがないので、
パターニング精度が粗く、大きな電極形成ができ、パタ
ーニングプロセスが容易になる。

【００５４】次に、上記樹脂層８１や接着剤８５によっ
て固められた発光ダイオード７２を個別に切り出し、上
記樹脂形成チップの状態にする。切り出しは、例えばレ
ーザダイシングにより行えばよい。図２６は、レーザダ
イシングによる切り出し工程を示すものである。レーザ
ダイシングは、レーザー光のラインビームを照射するこ
とにより行われ、上記樹脂層８１及び接着剤８５を第３
の一時保持用部材８４が露出するまで切断する。このレ
ーザダイシングにより各発光ダイオード７２は所定の大
きさの樹脂形成チップとして切り出され、後述の実装工
程へと移行される。

【００５５】実装工程では、機械的手段（真空吸引によ
る素子吸着）とレーザアブレーションの組み合わせによ
り発光ダイオード７２（樹脂形成チップ）が第３の一時
保持用部材８４から剥離される。図２７は、第３の一時
保持用部材８４上に配列している発光ダイオード７２を
吸着装置８７でピックアップするところを示した図であ
る。このときの吸着孔８８は画像表示装置の画素ピッチ
にマトリクス状に開口していて、発光ダイオード７２を
多数個、一括で吸着できるようになっている。このとき
の開口径は、例えば直径約１００μｍで６００μｍピッ
チのマトリクス状に開口されて、一括で約３００個を吸
着できる。このときの吸着孔８８の部材は例えば、Ｎｉ
電鋳により作製したもの、もしくはＳＵＳなどの金属板
をエッチングで穴加工したものが使用され、吸着孔８８
の奥には吸着チャンバ８９が形成されており、この吸着
チャンバ８９を負圧に制御することで発光ダイオード７
２の吸着が可能になる。発光ダイオード７２はこの段階
で樹脂層８１で覆われており、その上面は略平坦化され
ている。このために吸着装置８７による選択的な吸着を
容易に進めることができる。

【００５６】なお、上記吸着装置８７には、真空吸引に
よる素子吸着の際に、発光ダイオード７２（樹脂形成チ
ップ）を一定の位置に安定して保持できるように、素子
位置ずれ防止手段を形成しておくことが好ましい。図２
８は、素子位置ずれ防止手段９０を設けた吸着装置８７
の一例を示すものである。本例では、素子位置ずれ防止
手段９０は、樹脂形成チップの周面に当接する位置決め
ピンとして形成されており、これが樹脂形成チップの周
面（具体的にはレーザダイシングにより切断された樹脂
層８１の切断面）に当接することにより、吸着装置８７
と樹脂形成チップ（すなわち発光ダイオード４２）とが
互いに正確に位置合わせされる。上記レーザダイシング
により切断された樹脂層８１の切断面は、完全な垂直面
ではなく、５°〜１０°程度のテーパ−を有する。した
がって、上記位置決めピン（素子位置ずれ防止手段６
０）にも同様のテーパ−を持たせておけば、吸着装置８
７と発光ダイオード７２間に若干の位置ずれがあったと
しても、速やかに矯正される。

【００５７】上記発光ダイオード７２の剥離に際して
は、上記吸着装置８７による素子吸着と、レーザアブレ
ーションによる樹脂形成チップの剥離を組み合わせ、剥
離が円滑に進むようにしている。レーザアブレーション
は、第３の一時保持用部材８４の裏面側からレーザを照
射することにより行う。このレーザアブレーションによ
って、第３の一時保持用部材８４と接着剤８５の界面で
剥離が生ずる。

【００５８】図２９は発光ダイオード７２を第二基板９
１に転写するところを示した図である。第二基板９１
は、配線層９２を有する実装用基板であり、発光ダイオ
ード７２を装着する際に第二基板９１にあらかじめ接着
剤層９３が塗布されており、その発光ダイオード７２下
面の接着剤層９３を硬化させ、発光ダイオード７２を第
二基板９１に固着して配列させることができる。この装
着時には、吸着装置８７の吸着チャンバ８９が圧力の高
い状態となり、吸着装置８７と発光ダイオード７２との
吸着による結合状態は解放される。接着剤層９３はＵＶ
硬化型接着剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤などに
よって構成することができる。第二基板９１上で発光ダ
イオード７２が配置される位置は、一時保持用部材８４
上での配列よりも離間したものとなる。接着剤層９３の
樹脂を硬化させるエネルギーは第二基板９１の裏面から
供給される。ＵＶ硬化型接着剤の場合はＵＶ照射装置に
て、熱硬化性接着剤の場合は赤外線加熱などによって発
光ダイオード７２の下面のみ硬化させ、熱可塑性接着剤
場合は、赤外線やレーザー光の照射によって接着剤を溶
融させ接着を行う。

【００５９】図３０は、他の色の発光ダイオード９４を
第二基板９１に配列させるプロセスを示す図である。図
２７あるいは図２８で用いた吸着装置８７をそのまま使
用して、第二基板９１にマウントする位置をその色の位
置にずらすだけでマウントすると、画素としてのピッチ
は一定のまま複数色からなる画素を形成できる。ここ
で、発光ダイオード７２と発光ダイオード９４は必ずし
も同じ形状でなくとも良い。図３０では、赤色の発光ダ
イオード９４が六角錐のＧａＮ層を有しない構造とさ
れ、他の発光ダイオード７２とその形状が異なっている
が、この段階では各発光ダイオード７２、９４は既に樹
脂形成チップとして樹脂層８１、接着剤８５で覆われて
おり、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱いが
実現される。

【００６０】次いで、図３１に示すように、これら発光
ダイオード７２，９４を含む樹脂形成チップを覆って絶
縁層９５を形成する。絶縁層９５としては、透明エポキ
シ接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどの光透過
性を有する絶縁材料を用いることができる。上記絶縁層
９５を形成した後、配線形成工程を行なう。図３２は配
線形成工程を示す図である。絶縁層９５に開口部９６、
９７、９８、９９、１００、１０１を形成し、発光ダイ
オード７２、９４のアノード、カソードの電極パッドと
第二基板９１の配線層９２を接続する配線１０２、１０
３、１０４を形成した図である。このときに形成する開
口部すなわちビアホールは発光ダイオード７２、９４の
電極パッドの面積を大きくしているので大きくすること
ができ、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直
接形成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。
例えば、このときのビアホールは、約６０μｍ角の電極
パッドに対し、直径約２０μｍのものを形成できる。ま
た、ビアホールの深さは実装用基板と接続するもの、ア
ノード電極と接続するもの、カソード電極と接続するも
のの３種類の深さがあるのでレーザのパルス数などで制
御し、最適な深さを開口する。

【００６１】その後、図３３に示すように、保護層１０
５を形成し、ブラックマスク１０６を形成して画像表示
装置のパネルは完成する。このときの保護層１０５は図
３０の絶縁層９５と同様に透明エポキシ接着剤などの材
料を使用できる。この保護層１０５は加熱硬化し配線を
完全に覆う。この後、パネル端部の配線からドライバー
ＩＣを接続して駆動パネルを製作することになる。

【００６２】上述のような発光素子の配列方法において
は、一時保持用部材７９、８４に発光ダイオード７２を
保持させた時点で既に、素子間の距離が大きくされ、そ
の広がった間隔を利用して比較的サイズの電極パッド８
３、８６などを設けることが可能となる。それら比較的
サイズの大きな電極パッド８３、８６を利用した配線が
行われるために、素子サイズに比較して最終的な装置の
サイズが著しく大きな場合であっても容易に導電部であ
る配線を形成できる。特に、これら導電部が樹脂形成チ
ップの光取出し領域側に形成される場合は、光透過性の
材料を用いて形成することにより、光取出し領域を避け
るような配線パターンに限定されずに電極、電極パッド
及び配線を形成することが可能となる。また、本例の発
光素子の配列方法では、発光ダイオード７２の周囲が硬
化した樹脂層８１で被覆され平坦化によって精度良く電
極パッド８３，８６を形成できるとともに素子に比べて
広い領域に電極パッド８３，８６を延在でき、次の第二
転写工程での転写を吸着治具で進める場合には取り扱い
が容易になる。

【００６３】

【発明の効果】以上のように本発明の画像表示装置は、
発光素子を樹脂で被覆して形成される樹脂形成チップが
配線を形成した実装用基板に実装され、これら樹脂形成
チップの光取出し領域側に形成される電極、電極パッド
及び配線などの導電部が光透過性を有する材料を用いて
形成されていることにより、発光素子から発せられる光
の損失を低減することができる。よって、発光素子によ
り駆動電力から変換された光を用いて高効率で画像表示
を行うことができ、画像表示装置の高輝度化と省電力化
を同時に実現することが可能となる。また、これら発光
素子の周囲に配置される素子の誤動作も抑制することが
できる。

【００６４】更に、樹脂形成チップの光取出し領域側に
形成される導電部を光透過性を有する材料を用いて形成
することにより、電極パッドの形状や配線パターンに制
約を受けることなく、所要の形状、配線パターンとなる
ように形成することができ、製造プロセスにおける制約
が緩和される。また、当該チップ部品の実装時における
制御も容易となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】樹脂形成チップが実装用基板に実装された後、
絶縁層により覆われた状態を示す断面図である。

【図２】絶縁層の一部を除去して開口部を形成した状態
を示す断面図である。

【図３】開口部に配線を形成した状態を示す断面図であ
る。

【図４】本発明の画像表示装置の構造の一例を示す断面
図である。

【図５】本発明の画像表示装置の製造方法における素子
の配列方法の工程を示す工程フロー図である。

【図６】樹脂形成チップの一例の構造を示す斜視図であ
る。

【図７】樹脂形成チップの一例の構造を示す平面図であ
る。

【図８】発光素子の一例の構造を示す図であって、
（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。

【図９】第１の一時保持用部材の接合工程を示す概略工
程図である。

【図１０】ＵＶ接着剤の硬化工程を示す概略工程図であ
る。

【図１１】レーザーアブレーション工程を示す概略工程
図である。

【図１２】第一基板の分離工程を示す概略工程図であ
る。

【図１３】Ｇａ除去工程を示す概略工程図である。

【図１４】素子分離溝形成工程を示す概略工程図であ
る。

【図１５】第２の一時保持用部材の接合工程を示す概略
工程図である。

【図１６】選択的なレーザーアブレーション及びＵＶ露
光工程を示す概略工程図である。

【図１７】発光ダイオードの選択分離工程を示す概略工
程図である。

【図１８】樹脂による埋め込み工程を示す概略工程図で
ある。

【図１９】樹脂層厚を削減する削減工程を示す概略工程
図である。

【図２０】開口部形成工程を示す概略工程図である。

【図２１】アノード側電極パッド形成工程を示す概略工
程図である。

【図２２】レーザーアブレーション工程を示す概略工程
図である。

【図２３】第２の一時保持用部材の分離工程を示す概略
工程図である。

【図２４】当該発光素子と電気的な接続を行うコンタク
ト層を露出させる工程を示す概略工程図である。

【図２５】カソード側電極パッド形成工程を示す概略工
程図である。

【図２６】レーザーダイシング工程を示す概略工程図で
ある。

【図２７】吸着装置による選択的ピックアップ工程を示
す概略工程図である。

【図２８】素子位置ずれ防止手段を設けた吸着装置の一
例を示す概略工程図である。

【図２９】実装用基板である第二基板への転写工程を示
す概略工程図である。

【図３０】他の発光ダイオードの転写工程を示す概略工
程図である。

【図３１】絶縁層形成工程を示す概略工程図である。

【図３２】配線形成工程を示す概略工程図である。

【図３３】保護層及びブラックマスク形成工程を示す概
略工程図である。

【符号の説明】

２、８、５２発光素子３、４、９電極パッド５、
１１、１３樹脂部６、１２接着剤部１、７、５４樹脂形成チップ１
４、１７絶縁層１５接着剤層１６、１８、９２配線層２０実装用
基板３１、１０２配線３５保護膜３６ブラックマスク３７発光面４１
第一基板４２発光ダイオード４３、５１、７３、７９、８４
一時保持用部材５０、７１第一基板５３樹脂５５、９１第二基板
５６、８６電極パッド６０防止手段６１下地成長層６５、６６電極７
２、９４発光ダイオード７４剥離層７５、８５接着剤７７ダイシング溝７
８熱可塑性接着剤８０剥離層８１樹脂層８２ビアホール８３アノ
ード側電極パッド８３、８６電極パッド８７吸着装置８８吸着孔８
９吸着チャンバ９０防止手段９３接着剤層９４発光ダイオード９
５絶縁層９６開口部１０５保護層１０６ブラックマスク

フロントページの続きＦターム(参考） 5C058 AA13 AB01 AB06 BA05 5C094 AA10 AA22 BA23 CA19 DA13 DB01 EA05 ED15 FA02 FA03 FB14 5F041 AA04 AA24 AA42 AA47 CA40 CA76 CA88 DA02 DA14 DA19 DA34 DA36 DA44 DB08 FF06

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】発光素子が樹脂により被覆されてチップ部
品とされるとともに、これらチップ部品が実装用基板上
に配列されてなり、前記チップ部品の光取出し領域側には、前記発光素子と
電気的に接続される導電部が形成され、当該導電部が光
透過性とされていることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】前記チップ部品を覆うように絶縁膜が形成
されることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項３】前記絶縁膜は光透過性を有することを特徴
とする請求項２記載の画像表示装置。
【請求項４】前記絶縁膜の一部が除去された領域に前記
導電部が延設されることを特徴とする請求項２記載の画
像表示装置。
【請求項５】前記導電部が延設された領域には光反射性
を有する材料により導電部が形成されることを特徴とす
る請求項４記載の画像表示装置。
【請求項６】前記絶縁膜上に保護膜が形成されることを
特徴とする請求項２記載の画像表示装置。
【請求項７】前記保護膜は光透過性を有する絶縁材料に
より形成されることを特徴とする請求項６記載の画像表
示装置。
【請求項８】前記光取出し領域上を避けるように遮光膜
が形成されて画像表示面が形成されることを特徴とする
請求項１記載の画像表示装置。
【請求項９】前記導電部は電極若しくは配線であること
を特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項１０】前記電極又は配線は酸化インジウム錫に
より形成されることを特徴とする請求項９記載の画像表
示装置。
【請求項１１】前記チップ部品は、前記発光素子が形成
された素子形成基板における素子間隔よりは離間した状
態となるように前記実装用基板に実装されることを特徴
とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項１２】前記実装用基板上で隣り合うチップ部品
のチップ間隔が前記素子間隔の整数倍であることを特徴
とする請求項１１記載の画像表示装置。
【請求項１３】前記発光素子は発光ダイオードであるこ
とを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項１４】前記発光素子はＧａＮ系化合物から形成
されることを特徴とする請求項１記載の画像表示装置。
【請求項１５】前記発光素子は前記素子形成基板の主面
に対して傾斜した傾斜結晶面を有する傾斜結晶層により
形成されることを特徴とする請求項１１記載の画像表示
装置。
【請求項１６】前記傾斜結晶面はＳ面（（１−１０１）
面）であることを特徴とする請求項１５記載の画像表示
装置。
【請求項１７】発光素子を樹脂により被覆してチップ部
品とすると共にこれらチップ部品を実装用基板上に配列
し、前記チップ部品の光取出し領域側に前記発光素子と電気
的に接続される導電部を形成し、前記導電部を光透過性を有する材料により形成すること
を特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１８】前記発光素子が形成された素子形成基板
における素子間隔よりは離間した状態となるように前記
実装用基板に前記チップ部品を実装することを特徴とす
る請求項１７記載の画像表示装置の製造方法。