JP2002314053A

JP2002314053A - チップ部品の転写方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法

Info

Publication number: JP2002314053A
Application number: JP2001120570A
Authority: JP
Inventors: Toyoji Ohata; 豊治大畑; Yoshiyuki Yanagisawa; 喜行柳澤; Toshiaki Iwabuchi; 寿章岩渕; Kunihiko Hayashi; 邦彦林
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 2001-04-19
Filing date: 2001-04-19
Publication date: 2002-10-25

Abstract

(57)【要約】【課題】基板を密着させる必要のない新規な素子の転
写方法を提供する。【解決手段】第１の基板と第２の基板を離間して配置
し、第１の基板の裏面側からレーザを照射し、レーザア
ブレーションによりチップ部品を飛ばして第２の基板上
に転写する。このとき、チップ部品の第１の基板側の面
に凹部を形成し、飛ぶ時の方向や向きを制御するように
すれば、供給基板と実装基板とで部品ピッチや部品の方
向を変えることができる。また、この転写方法を応用し
て、素子を拡大転写する。さらには、画像表示装置を製
造する。第１の基板と第２の基板とが離間した状態で転
写を行えば、基板を密着させることにより発生する問題
点が解消される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チップ部品の転写
方法に関するものであり、さらには、この転写方法を応
用して微細加工された素子をより広い領域に転写する素
子の配列方法および画像表示装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】発光素子をマトリクス状に配列して画像
表示装置に組み上げる場合には、従来、液晶表示装置
（ＬＣＤ：Liquid Crystal Display）やプラズマディス
プレイパネル（ＰＤＰ：Plasma Display Panel）のよう
に基板上に直接素子を形成するか、あるいは発光ダイオ
ードディスプレイ（ＬＥＤディスプレイ）のように単体
のＬＥＤパッケージを配列することが行われている。例
えば、ＬＣＤ、ＰＤＰの如き画像表示装置においては、
素子分離ができないために、製造プロセスの当初から各
素子はその画像表示装置の画素ピッチだけ間隔を空けて
形成することが通常行われている。

【０００３】一方、ＬＥＤディスプレイの場合には、Ｌ
ＥＤチップをダイシング後に取り出し、個別にワイヤー
ボンドもしくはフリップチップによるバンプ接続により
外部電極に接続し、パッケージ化されることが行われて
いる。この場合、パッケージ化の前もしくは後に画像表
示装置としての画素ピッチに配列されるが、この画素ピ
ッチは素子形成時の素子のピッチとは無関係とされる。

【０００４】発光素子であるＬＥＤ（発光ダイオード）
は高価である為、１枚のウエハから数多くのＬＥＤチッ
プを製造することによりＬＥＤを用いた画像表示装置を
低コストにできる。すなわち、ＬＥＤチップの大きさを
従来約３００μｍ角のものを数十μｍ角のＬＥＤチップ
にして、それを接続して画像表示装置を製造すれば画像
表示装置の価格を下げることができる。

【０００５】そこで各素子を集積度高く形成し、各素子
を広い領域に転写などによって離間させながら移動さ
せ、画像表示装置などの比較的大きな表示装置を構成す
る技術が有り、例えば米国特許第5438241号に記載され
る薄膜転写法や、特開平１１-１４２８７８号に記載さ
れる表示用トランジスタアレイパネルの形成方法などの
技術が知られている。米国特許第5438241号では基板上
に密に形成した素子が粗に配置し直される転写方法が開
示されており、接着剤付きの伸縮性基板に素子を転写し
た後、各素子の間隔と位置をモニターしながら伸縮性基
板がＸ方向とＹ方向に伸張される。そして伸張された基
板上の各素子が所要のディスプレイパネル上に転写され
る。また、特開平１１-１４２８７８号に記載される技
術では、第１の基板上の液晶表示部を構成する薄膜トラ
ンジスタが第２の基板上に全体転写され、次にその第２
の基板から選択的に画素ピッチに対応する第３の基板に
転写する技術が開示されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上述のような転写技術
により画像表示装置を製造する場合、転写対象となる素
子のみが選択的に、且つ確実に転写される必要がある。
また、効率的な転写、精度の良い転写も要求される。従
来、例えばマイクロチップ部品を供給基板から接着剤が
塗布された実装基板に転写実装する方法としては、直接
供給基板と実装基板とを貼り付け、供給基板の裏面側か
ら選択的にレーザを照射して供給基板側の保持力を無く
し、実装基板側に転写する方法がある。

【０００７】しかしながら、この方法では、チップ部品
のサイズが小さいと均一な力で実装基板に押し付けるこ
とが難しく、供給基板側の保持力を無くしたときに、一
部のチップ部品が動いてしまったり、貼り付けが不完全
になるなどの問題が生ずる。また、基本的に、供給基板
と実装基板とを精度良く貼り合せる必要があり、アライ
メントの問題も生ずる。さらには、供給基板と実装基板
を一度貼り合せるということは余分なところにまで接着
剤が付着してしまう可能性が高く、逆に、供給基板と実
装基板を貼り合せる力が強すぎると剥離がうまくいかな
い場合があるなどの不都合が生ずる。また、特に供給基
板と実装基板とで部品ピッチが相違する場合、位置をず
らしながら転写する必要が生じ、きわめて煩雑である。

【０００８】本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案
されたものであり、供給基板と実装基板とを密着させる
必要のない全く新規なチップ部品の転写方法を提供する
ことを目的とし、さらには、チップ部品の配列方法、画
像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。ま
た、本発明は、供給基板と実装基板とで部品ピッチが相
違する場合にも、簡単に転写を実現することが可能なチ
ップ部品の転写方法、素子の配列方法、画像表示装置の
製造方法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明のチップ部品の転写方法は、第１の基板上
に配列されたチップ部品を第２の基板上に転写するチッ
プ部品の転写方法において、上記第１の基板と第２の基
板を離間して配置し、上記第１の基板の裏面側からレー
ザを照射し、チップ部品を飛ばして第２の基板上に転写
することを特徴とするものである。

【００１０】上記のように、本発明の転写方法において
は、供給基板（第１の基板）と実装基板（第２の基板）
とが離間した状態で転写が行われる。したがって、これ
ら基板を密着させることによる問題点、例えば押し付け
力の不均一さによる問題やアライメントの問題などがい
ずれも解消される。当然、余分なところに接着剤が付着
したり、剥離がうまくいかないなどの問題が生ずること
もない。また、チップ部品の第１の基板側の面に凹部を
形成し、飛ぶ時の方向や向きを制御するようにすれば、
供給基板と実装基板とで部品ピッチや部品の方向が相違
する場合にも極めて簡便に対応可能である。

【００１１】一方、本発明の素子の配列方法は、第一基
板上に配列された複数の素子を第二基板上に再配列する
素子の配列方法において、前記第一基板上に保持された
前記素子を樹脂で固めた後、前記樹脂をダイシングによ
り素子毎に分離して樹脂形成チップとする工程と、前記
第一基板上で前記素子が配列された状態よりは離間した
状態となるように前記樹脂形成チップを転写して第二基
板に該樹脂形成チップを保持させる転写工程とを有し、
上記転写工程では、上記第一基板と第二基板を離間して
配置し、上記第一基板の裏面側からレーザを照射し、樹
脂形成チップを飛ばして第二基板上に転写することを特
徴とするものである。上記方法においては、上記各転写
方法の利点をそのままに、素子の転写が効率的且つ確実
に行われるので、素子間の距離を大きくする拡大転写を
円滑に実施することができる。

【００１２】さらに、本発明の画像表示装置の製造方法
は、発光素子をマトリクス状に配置した画像表示装置の
製造方法において、前記第一基板上に保持された前記発
光素子を樹脂で固めた後、前記樹脂をダイシングにより
発光素子毎に分離して樹脂形成チップとする工程と、前
記第一基板上で前記発光素子が配列された状態よりは離
間した状態となるように前記樹脂形成チップを転写して
第二基板に該樹脂形成チップを保持させる転写工程とを
有し、上記転写工程では、上記第一基板と第二基板を離
間して配置し、上記第一基板の裏面側からレーザを照射
し、樹脂形成チップを飛ばして第二基板上に転写するこ
とを特徴とするものである。

【００１３】上記画像表示装置の製造方法によれば、上
記転写方法、配列方法によって発光素子がマトリクス状
に配置され、画像表示部分が構成される。したがって、
密な状態すなわち集積度を高くして微細加工を施して作
成された発光素子を、効率よく離間して再配置すること
ができ、生産性が大幅に改善される。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明を適用したチップ部
品の転写方法、配列方法、及び画像表示装置の製造方法
について、図面を参照しながら詳細に説明する。先ず、
基本となる素子の転写方法について説明する。

【００１５】本発明において転写対象となるのは、マイ
クロチップ部品など、各種チップ部品である。例えば、
絶縁性物質、例えば樹脂に素子が埋め込まれた樹脂形成
チップなどにも適用可能である。図１は、基本的な転写
工程を示すものであるが、ここで、転写に際して供給基
板（第１の基板）１と実装基板（第２の基板）２とを離
間して配置し、チップ部品３を飛ばして転写することが
大きな特徴である。

【００１６】供給基板１上には、接着剤層４が塗布形成
されており、その上にチップ部品３が配列されている。
チップ部品３は、各種マイクロチップ部品など、任意の
ものを用いることができ、絶縁性物質、例えば樹脂など
の中に素子を埋め込んでなる樹脂形成チップも使用可能
である。ここで、埋め込まれる素子としては、任意の素
子に適用することができ、例示するならば、発光素子、
液晶制御素子、光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジ
スタ素子、薄膜ダイオード素子、抵抗素子、スイッチン
グ素子、微小磁気素子、微小光学素子などを挙げること
ができる。一方、実装基板２上にも接着剤層５が塗布形
成されており、この上にチップ部品３が転写されたとき
に、これを固定する役割を果たす。

【００１７】転写に際しては、供給基板１と実装基板２
とを密着させるのではなく、図１（ａ）にも示したよう
に、所定の距離ｄをもって離間して対向配置する。な
お、このとき当然のことながら、上記供給基板１のチッ
プ部品３と実装基板２の接着剤層５とが向かい合うよう
にこれら基板を対向させる。次いで、この状態で供給基
板１の裏面側から転写対象となるチップ部品３にレーザ
光を照射する。すると、チップ部品３と接着剤層４の界
面で、いわゆるレーザアブレーションが起こり、供給基
板１側の粘着力が無くなって樹脂形成チップ３は接着剤
層４との界面で剥離されるとともに、レーザアブレーシ
ョンで発生するガスにより実装基板２側に向かって飛び
出す。

【００１８】レーザアブレーションは、レーザ光を吸収
した物質の急激な体積増加を利用して剥離する方法であ
る。一般に、高分子物質は紫外光の吸収効率が高く、紫
外線レーザを照射することで効率的にアブレーションを
起こすことが知られている。絶縁性物質として用いられ
る樹脂もレーザアブレーションが可能である。このと
き、樹脂が分解してガス化し、チップ部品３が接着剤層
４から分離されるとともに、ガスの圧力によって実装基
板２側へと飛ばされる。実装基板２上に到達したチップ
部品３は、図１（ｂ）に示すように接着剤層５によって
固定され、転写が完了する。

【００１９】上記の転写方法によれば、供給基板と実装
基板とを貼り合せる必要がなく、樹脂形成チップ３が不
用意に動いて位置ずれが生じたり、貼り付けの際のアラ
イメントの問題などが生ずることはなく、簡単に精度良
く供給基板１から実装基板２へとチップ部品３を転写す
ることが可能である。また、上記の転写方法では、供給
基板１と実装基板２とが直接接することがないので、接
着剤が余分なところ、例えば供給基板１上の転写対象で
はないチップ部品３上などに付着したり、剥離がうまく
いかなかったりという問題が生ずることもない。さら
に、密着させる必要がないことから、実装基板２側の接
着剤層５の平坦度が多少悪くても、良好な転写を実現す
ることが可能である。

【００２０】ただし、チップ部品３の表面が平坦である
と、当該チップ部品３が供給基板１から飛散したとき
に、その方向に均一性がなく、これをコントロールする
ことは難しいので、実装基板２の所望の位置にマウント
することが難しい。そこで、チップ部品３の供給基板１
側の面、すなわちレーザ光の照射側の面を予め加工して
おき、発生したガスの圧力が加わる方向を規制し、チッ
プ部品３の飛散方向を制御することが好ましい。

【００２１】例えば、図２に示すように、チップ部品３
の供給基板１側表面に、斜めに傾斜する凹部３ａを形成
しておけば、この凹部３ａ内で発生するガスによる圧力
は、凹部３ａの傾斜方向（図中、矢印方向）となり、チ
ップ部品３を斜めに飛ばすことが可能である。同様に、
図３に示すように、チップ部品３の供給基板１側表面を
傾斜面３ｃを有するように斜めに削り、断面直角三角形
状の凹部３ｂとしても、この傾斜面３ｃに沿って発生す
るガスの圧力が加わり、やはりチップ部品３を斜めに飛
ばすことができる。

【００２２】上記チップ部品３の凹部３ａ，３ｂは、チ
ップ部品３作成後に簡単に形成することができる。例え
ば、凹部３ａは異方性エッチングなどの手法により、ま
た凹部３ｂはプレスなどの手法により形成することがで
きる。特に、樹脂により固められた樹脂形成チップを用
いた場合、上記加工は簡単である。また、樹脂形成チッ
プの場合、例えば樹脂形成チップ作成後の凹部の形成が
困難な場合には、樹脂形成チップ形成時に同時に形成す
ることも可能である。具体的には、供給基板１の表面に
上記凹部３ａ，３ｂの反転パターンとなる凸部を形成し
ておき、この上に樹脂層を形成して素子を転写すればよ
い。

【００２３】図４は、上記凹部３ａや凹部３ｂを形成し
たチップ部品３の転写の様子を示すものである。凹部３
ａや凹部３ｂを形成することにより、供給基板１上のチ
ップ部品３を斜めに飛ばすことができ、供給基板１上で
のチップ部品３の配列間隔ｗ _１よりも狭い配列間隔ｗ_２
で実装基板２上に配列することができる。チップ部品３
の飛ばし方によっては、逆に、実装基板２上での配列間
隔を供給基板１上での配列間隔よりも広げることも可能
である。

【００２４】なお、上記の例においては、チップ部品３
の表面に形成する凹部の形状を傾斜面を有する斜めの溝
とし、チップ部品３が供給基板１から斜めに飛ぶように
したが、図５に示すように、螺旋状の溝３ｄとし、チッ
プ部品３の向きが変わるようにすることも可能である。
上記螺旋状の溝３ｄは、対称な２つの扇形の溝からな
り、各溝は図中矢印方向で次第に深さが深くなるような
溝である。かかる溝３ｄ内にレーザアブレーションによ
るガス圧が加わると、回転方向の力が加わり、チップ部
品３の向きが変わる。

【００２５】上述のように、チップ部品３の供給基板１
側の表面に凹部を形成しておくことにより、剥離後のチ
ップ部品３の飛散方向をコントロールすることが可能で
あり、供給基板１と実装基板２を離間させて転写を行っ
ても、十分に転写位置精度を確保することが可能とな
る。また、上記凹部の形状などを変更することにより、
供給基板１から剥離後のチップ部品３の飛散方向、向き
を変更することができ、マウントの自由度を増すことが
できる。さらには、上記凹部によってガスの飛散も抑え
ることができ、ガスが周囲に再付着することを抑制する
ことができる。

【００２６】上記転写方法は、二段階拡大転写法による
素子の配列方法及び画像表示装置の製造方法に応用する
ことができる。以下、この二段階拡大転写法による素子
の配列方法及び画像表示装置の製造方法について説明す
る。

【００２７】本例の素子の配列方法および画像表示装置
の製造方法は、高集積度をもって第一基板上に作成され
た素子を第一基板上で素子が配列された状態よりは離間
した状態となるように一時保持用部材に転写し、次いで
一時保持用部材に保持された前記素子をさらに離間して
第二基板上に転写する二段階の拡大転写を行う。なお、
本例では転写を２段階としているが、素子を離間して配
置する拡大度に応じて転写を三段階やそれ以上の多段階
とすることもできる。

【００２８】図６はそれぞれ二段階拡大転写法の基本的
な工程を示す図である。まず、図６の(a)に示す第一基
板１０上に、例えば発光素子のような素子１２を密に形
成する。素子を密に形成することで、各基板当たりに生
成される素子の数を多くすることができ、製品コストを
下げることができる。第一基板１０は例えば半導体ウエ
ハ、ガラス基板、石英ガラス基板、サファイア基板、プ
ラスチック基板などの種々素子形成可能な基板である
が、各素子１２は第一基板１０上に直接形成したもので
あっても良く、他の基板上で形成されたものを配列した
ものであっても良い。

【００２９】次に図６の(b)に示すように、第一基板１
０から各素子１２が図中破線で示す一時保持用部材１１
に転写され、この一時保持用部材１１の上に各素子１２
が保持される。ここで隣接する素子１２は離間され、図
示のようにマトリクス状に配される。すなわち素子１２
はｘ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転写され
るが、ｘ方向に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広
げるように転写される。このとき離間される距離は、特
に限定されず、一例として後続の工程での樹脂部形成や
電極パッドの形成を考慮した距離とすることができる。
一時保持用部材１１上に第一基板１０から転写した際に
第一基板１０上の全部の素子が離間されて転写されるよ
うにすることができる。この場合には、一時保持用部材
１１のサイズはマトリクス状に配された素子１２の数
（ｘ方向、ｙ方向にそれぞれ）に離間した距離を乗じた
サイズ以上であれば良い。また、一時保持用部材１１上
に第一基板１０上の一部の素子が離間されて転写される
ようにすることも可能である。

【００３０】このような第一転写工程の後、図６の(c)
に示すように、一時保持用部材１１上に存在する素子１
２は離間されていることから、各素子１２毎に素子周り
の樹脂の被覆と電極パッドの形成が行われる。素子周り
の樹脂の被覆は電極パッドを形成し易くし、次の第二転
写工程での取り扱いを容易にするなどのために形成され
る。電極パッドの形成は、後述するように、最終的な配
線が続く第二転写工程の後に行われるため、その際に配
線不良が生じないように比較的大き目のサイズに形成さ
れるものである。なお、図６の(c)には電極パッドは図
示していない。各素子１２の周りを樹脂１３が覆うこと
で樹脂形成チップ１４が形成される。素子１２は平面
上、樹脂形成チップ１４の略中央に位置するが、一方の
辺や角側に偏った位置に存在するものであっても良い。

【００３１】次に、図６の(d)に示すように、第二転写
工程が行われる。この第二転写工程では一時保持用部材
１１上でマトリクス状に配される素子１２が樹脂形成チ
ップ１４ごと更に離間するように第二基板１５上に転写
される。この第二転写工程に上記図１に示す転写方法を
応用するが、これについては後ほど詳述する。

【００３２】第二転写工程においても、隣接する素子１
２は樹脂形成チップ１４ごと離間され、図示のようにマ
トリクス状に配される。すなわち素子１２はｘ方向にも
それぞれ素子の間を広げるように転写されるが、ｘ方向
に垂直なｙ方向にもそれぞれ素子の間を広げるように転
写される。第二転写工程のよって配置された素子の位置
が画像表示装置などの最終製品の画素に対応する位置で
あるとすると、当初の素子１２間のピッチの略整数倍が
第二転写工程のよって配置された素子１２のピッチとな
る。ここで第一基板１０から一時保持用部材１１での離
間したピッチの拡大率をｎとし、一時保持用部材１１か
ら第二基板１５での離間したピッチの拡大率をｍとする
と、略整数倍の値ＥはＥ＝ｎｘｍであらわされる。拡大
率ｎ、ｍはそれぞれ整数であっても良く、整数でなくと
もＥが整数となる組み合わせ（例えばｎ＝2.4でｍ＝5）
であれば良い。

【００３３】第二基板１５上に樹脂形成チップ１４ごと
離間された各素子１２には、配線が施される。この時、
先に形成した電極パッド等を利用して接続不良を極力抑
えながらの配線がなされる。この配線は例えば素子１２
が発光ダイオードなどの発光素子の場合には、ｐ電極、
ｎ電極への配線を含み、液晶制御素子の場合は、選択信
号線、電圧線や、配向電極膜などの配線等を含む。

【００３４】図６に示した二段階拡大転写法において
は、第一転写後の離間したスペースを利用して電極パッ
ドや樹脂固めなどを行うことができ、そして第二転写後
に配線が施されるが、先に形成した電極パッド等を利用
して接続不良を極力抑えながらの配線がなされる。従っ
て、画像表示装置の歩留まりを向上させることができ
る。また、本例の二段階拡大転写法においては、素子間
の距離を離間する工程が２工程であり、このような素子
間の距離を離間する複数工程の拡大転写を行うことで、
実際は転写回数が減ることになる。すなわち、例えば、
ここで第一基板１０、１０ａから一時保持用部材１１、
１１ａでの離間したピッチの拡大率を２（ｎ＝２）と
し、一時保持用部材１１、１１ａから第二基板１５での
離間したピッチの拡大率を２（ｍ＝２）とすると、仮に
一度の転写で拡大した範囲に転写しようとしたときで
は、最終拡大率が２×２の４倍で、その二乗の１６回の
転写すなわち第一基板のアライメントを１６回行う必要
が生ずるが、本例の二段階拡大転写法では、アライメン
トの回数は第一転写工程での拡大率２の二乗の４回と第
二転写工程での拡大率２の二乗の４回を単純に加えただ
けの計８回で済むことになる。即ち、同じ転写倍率を意
図する場合においては、（ｎ＋ｍ）^２＝ｎ^２＋２ｎｍ＋
ｍ^２であることから、必ず２ｎｍ回だけ転写回数を減ら
すことができることになる。従って、製造工程も回数分
だけ時間や経費の節約となり、特に拡大率の大きい場合
に有益となる。

【００３５】なお、図６に示した二段階拡大転写法にお
いては、素子１２を例えば発光素子としているが、これ
に限定されず、他の素子例えば液晶制御素子、光電変換
素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜ダイオー
ド素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁気素子、
微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部分、これ
らの組み合わせなどであっても良い。

【００３６】上記転写工程においては、発光ダイオード
は樹脂形成チップとして取り扱われ、一時保持用部材上
から第二基板にそれぞれ転写されるが、この樹脂形成チ
ップについて図７及び図８を参照して説明する。

【００３７】樹脂形成チップ２０は、離間して配置され
ている素子２１の周りを樹脂２２で固めたものであり、
このような樹脂形成チップ２０は、一時保持用部材から
第二基板に素子２１を転写する場合に使用できるもので
ある。

【００３８】樹脂形成チップ２０は略平板上でその主た
る面が略正方形状とされる。この樹脂形成チップ２０の
形状は樹脂２２を固めて形成された形状であり、具体的
には未硬化の樹脂を各素子２１を含むように全面に塗布
し、これを硬化した後で縁の部分をダイシング等で切断
することで得られる形状である。なお、この樹脂形成チ
ップ２０の一時保持用部材側の面には、先に述べたよう
な凹部を形成し、後述の転写工程において飛散方向を制
御するようにしてもよい。

【００３９】略平板状の樹脂２２の表面側と裏面側には
それぞれ電極パッド２３，２４が形成される。これら電
極パッド２３，２４の形成は全面に電極パッド２３，２
４の材料となる金属層や多結晶シリコン層などの導電層
を形成し、フォトリソグラフィー技術により所要の電極
形状にパターンニングすることで形成される。これら電
極パッド２３，２４は発光素子である素子２１のｐ電極
とｎ電極にそれぞれ接続するように形成されており、必
要な場合には樹脂２２にビアホールなどが形成される。

【００４０】ここで電極パッド２３，２４は樹脂形成チ
ップ２０の表面側と裏面側にそれぞれ形成されている
が、一方の面に両方の電極パッドを形成することも可能
であり、例えば薄膜トランジスタの場合ではソース、ゲ
ート、ドレインの３つの電極があるため、電極パッドを
３つ或いはそれ以上形成しても良い。電極パッド２３，
２４の位置が平板上ずれているのは、最終的な配線形成
時に上側からコンタクトをとっても重ならないようにす
るためである。電極パッド２３，２４の形状も正方形に
限定されず他の形状としても良い。

【００４１】このような樹脂形成チップ２０を構成する
ことで、素子２１の周りが樹脂２２で被覆され平坦化に
よって精度良く電極パッド２３，２４を形成できるとと
もに素子２１に比べて広い領域に電極パッド２３，２４
を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進
める場合には取り扱いが容易になる。後述するように、
最終的な配線が続く第二転写工程の後に行われるため、
比較的大き目のサイズの電極パッド２３，２４を利用し
た配線を行うことで、配線不良が未然に防止される。

【００４２】次に、図９に本例の二段階拡大転写法で使
用される素子の一例としての発光素子の構造を示す。図
９の（ａ）が素子断面図であり、図９の（ｂ）が平面図
である。この発光素子はＧａＮ系の発光ダイオードであ
り、たとえばサファイア基板上に結晶成長される素子で
ある。このようなＧａＮ系の発光ダイオードでは、基板
を透過するレーザ照射によってレーザアブレーションが
生じ、ＧａＮの窒素が気化する現象にともなってサファ
イア基板とＧａＮ系の成長層の間の界面で膜剥がれが生
じ、素子分離を容易なものにできる特徴を有している。

【００４３】まず、その構造については、ＧａＮ系半導
体層からなる下地成長層３１上に選択成長された六角錐
形状のＧａＮ層３２が形成されている。なお、下地成長
層３１上には図示しない絶縁膜が存在し、六角錐形状の
ＧａＮ層３２はその絶縁膜を開口した部分にＭＯＣＶＤ
法などによって形成される。このＧａＮ層３２は、成長
時に使用されるサファイア基板の主面をＣ面とした場合
にＳ面（１−１０１面）で覆われたピラミッド型の成長
層であり、シリコンをドープさせた領域である。このＧ
ａＮ層３２の傾斜したＳ面の部分はダブルへテロ構造の
クラッドとして機能する。ＧａＮ層３２の傾斜したＳ面
を覆うように活性層であるＩｎＧａＮ層３３が形成され
ており、その外側にマグネシウムドープのＧａＮ層３４
が形成される。このマグネシウムドープのＧａＮ層３４
もクラッドとして機能する。

【００４４】このような発光ダイオードには、ｐ電極３
５とｎ電極３６が形成されている。ｐ電極３５はマグネ
シウムドープのＧａＮ層３４上に形成されるＮｉ／Ｐｔ
／ＡｕまたはＮｉ（Ｐｄ）／Ｐｔ／Ａｕなどの金属材料
を蒸着して形成される。ｎ電極３６は前述の図示しない
絶縁膜を開口した部分でＴｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの
金属材料を蒸着して形成される。なお、下地成長層３１
の裏面側からｎ電極取り出しを行う場合は、ｎ電極３６
の形成は下地成長層３１の表面側には不要となる。

【００４５】このような構造のＧａＮ系の発光ダイオー
ドは、青色発光も可能な素子であって、特にレーザアブ
レーションよって比較的簡単にサファイア基板から剥離
することができ、レーザビームを選択的に照射すること
で選択的な剥離が実現される。なお、ＧａＮ系の発光ダ
イオードとしては、平板上や帯状に活性層が形成される
構造であっても良く、上端部にＣ面が形成された角錐構
造のものであっても良い。また、他の窒化物系発光素子
や化合物半導体素子などであっても良い。

【００４６】次に、図１０から図１７までを参照しなが
ら、図６に示す発光素子の配列方法の具体的手法につい
て説明する。発光素子は図９に示したＧａＮ系の発光ダ
イオードを用いている。

【００４７】先ず、図１０に示すように、第一基板４１
の主面上には複数の発光ダイオード４２がマトリクス状
に形成されている。発光ダイオード４２の大きさは約２
０μｍ程度とすることができる。第一基板４１の構成材
料としてはサファイア基板などのように光ダイオード４
２に照射するレーザの波長の透過率の高い材料が用いら
れる。発光ダイオード４２にはｐ電極などまでは形成さ
れているが最終的な配線は未だなされておらず、素子間
分離の溝４２ｇが形成されていて、個々の発光ダイオー
ド４２は分離できる状態にある。この溝４２ｇの形成は
例えば反応性イオンエッチングで行う。このような第一
基板４１を一時保持用部材４３に対峙させて図１０に示
すように選択的な転写を行う。

【００４８】一時保持用部材４３の第一基板４１に対峙
する面には剥離層４４と接着剤層４５が２層になって形
成されている。ここで一時保持用部材４３の例として
は、ガラス基板、石英ガラス基板、プラスチック基板な
どを用いることができ、上記剥離層４４や接着剤層４５
が形成される面には、転写される各発光ダイオード４２
に対応した位置に、所定の形状の凸部４３ａが形成され
ている。一時保持用部材４３にかかる凸部４３ａを形成
しておくことで、接着剤層４５にこれが転写され、後述
の樹脂形成チップの一時保持用基板４３側の面に凹部が
形成されることになる。

【００４９】一時保持用部材４３上の剥離層４４の例と
しては、フッ素コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤
（例えばポリビニルアルコール：ＰＶＡ）、ポリイミド
などを用いることができる。また一時保持用部材４３の
接着剤層４５としては紫外線（ＵＶ）硬化型接着剤、熱
硬化性接着剤、熱可塑性接着剤のいずれかからなる層を
用いることができる。一例としては、一時保持用部材４
３として石英ガラス基板を用い、剥離層４４としてポリ
イミド膜４μｍを形成後、接着剤層４５としてのＵＶ硬
化型接着剤を約２０μｍ厚で塗布する。

【００５０】一時保持用部材４３の接着剤層４５は、硬
化した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するように
調整され、未硬化領域４５ｙに選択転写にかかる発光ダ
イオード４２が位置するように位置合わせされる。硬化
した領域４５ｓと未硬化領域４５ｙが混在するような調
整は、例えばＵＶ硬化型接着剤を露光機にて選択的に２
００μｍピッチでＵＶ露光し、発光ダイオード４２を転
写するところは未硬化でそれ以外は硬化させてある状態
にすればよい。このようなアライメントの後、転写対象
位置の発光ダイオード４２に対しレーザを第一基板４１
の裏面から照射し、当該発光ダイオード４２を第一基板
４１からレーザアブレーションを利用して剥離する。Ｇ
ａＮ系の発光ダイオード４２はサファイアとの界面で金
属のＧａと窒素に分解することから、比較的簡単に剥離
できる。照射するレーザとしてはエキシマレーザ、高調
波ＹＡＧレーザなどが用いられる。

【００５１】このレーザアブレーションを利用した剥離
によって、選択照射にかかる発光ダイオード４２はＧａ
Ｎ層と第一基板４１の界面で分離し、反対側の接着剤層
４５にｐ電極部分を突き刺すようにして転写される。他
のレーザが照射されない領域の発光ダイオード４２につ
いては、対応する接着剤層４５の部分が硬化した領域ｓ
であり、レーザも照射されていないために、一時保持用
部材４３側に転写されることはない。なお、図１１では
１つの発光ダイオード４２だけが選択的にレーザ照射さ
れているが、ｎピッチ分だけ離間した領域においても同
様に発光ダイオード４２はレーザ照射されているものと
する。このような選択的な転写によっては発光ダイオー
ド４２第一基板４１上に配列されている時よりも離間し
て一時保持用部材４３上に配列される。

【００５２】発光ダイオード４２は一時保持用部材４３
の接着剤層４５に保持された状態で、発光ダイオード４
２の裏面がｎ電極側（カソード電極側）になっていて、
発光ダイオード４２の裏面には樹脂（接着剤）がないよ
うに除去、洗浄されているため、図１１に示すように電
極パッド４６を形成すれば、電極パッド４６は発光ダイ
オード４２の裏面と電気的に接続される。

【００５３】接着剤層４５の洗浄の例としては酸素プラ
ズマで接着剤用樹脂をエッチング、ＵＶオゾン照射にて
洗浄する。かつ、レーザにてＧａＮ系発光ダイオードを
サファイア基板からなる第一基板４１から剥離したとき
には、その剥離面にＧａが析出しているため、そのＧａ
をエッチングすることが必要であり、ＮａＯＨ水溶液も
しくは希硝酸で行うことになる。その後、電極パッド４
６をパターニングする。このときのカソード側の電極パ
ッドは約６０μｍ角とすることができる。電極パッド４
６としては透明電極（ＩＴＯ、ＺｎＯ系など）もしくは
Ｔｉ／Ａｌ／Ｐｔ／Ａｕなどの材料を用いる。透明電極
の場合は発光ダイオードの裏面を大きく覆っても発光を
さえぎることがないので、パターニング精度が粗く、大
きな電極形成ができ、パターニングプロセスが容易にな
る。

【００５４】上記電極パッド４６の形成の後、ダイシン
グプロセスにより発光ダイオード４２毎に硬化した接着
剤層４５を分断し、各発光ダイオード４２に対応した樹
脂形成チップとする。ダイシングプロセスは通常のブレ
ードを用いたダイシング、２０μｍ以下の幅の狭い切り
込みが必要なときにはレーザを用いたレーザによる加工
を行う。その切り込み幅は画像表示装置の画素内の接着
剤層４５で覆われた発光ダイオード４２の大きさに依存
する。一例として、エキシマレーザにて幅約４０μｍの
溝加工を行い、チップの形状を形成する。

【００５５】次に、この樹脂形成チップを第二の一時保
持用部材４７上に転写するが、ここで図１に示すような
転写方法を応用する。すなわち、図１２に示すように、
樹脂形成チップが配列された一時保持用部材４３と第二
の一時保持用部材４７とを離間した状態で対向配置し、
上記一時保持用部材４３の裏面側からレーザ光を照射す
る。これにより、樹脂形成チップ（剥離層４４）の界面
でレーザアブレーションが発生し、樹脂形成チップ（発
光ダイオード４２及び接着剤層４５）は剥離層４４との
界面で剥離し、第二の一時保持用部材４７上へと飛散す
る。このとき、上記樹脂形成チップの一時保持用部材４
３側の面に凹部が形成されているので、その方向が規制
され、確実に第二の一時保持用部材４７上の所定の位置
に転写される。第二の一時保持用部材４７上には、剥離
層４８ａ及び接着剤層４８ｂが形成されており、上記樹
脂形成チップはこの接着剤層４８ｂによって第二の一時
保持用部材４７上に固着される。

【００５６】このとき、上記樹脂形成チップに形成され
る凹部の形状（一時保持用部材４３に形成される凸部４
３ａの形状）などを変更することにより、一時保持用部
材４３から剥離後の樹脂形成チップの飛散方向、向きを
変更することができ、マウントの自由度を増すことがで
きる。

【００５７】図１３は一時保持用部材４３から発光ダイ
オード４２を第二の一時保持用部材４７に転写して、ア
ノード電極（ｐ電極）側のビアホール５０を形成した
後、アノード側電極パッド４９を形成した状態を示して
いる。

【００５８】また、第二の一時保持用部材４７上には剥
離層４８が形成される。この剥離層４８は例えばフッ素
コート、シリコーン樹脂、水溶性接着剤（例えばＰＶ
Ａ）、ポリイミドなどを用いて作成することができる。
第二の一時保持用部材４７は、一例としてプラスチック
基板にＵＶ粘着材が塗布してある、いわゆるダイシング
シートであり、ＵＶが照射されると粘着力が低下するも
のを利用できる。

【００５９】このプロセスの例として、第二の一時保持
用部材４７の表面を酸素プラズマで発光ダイオード４２
の表面が露出してくるまでエッチングする。まずビアホ
ール５０の形成はエキシマレーザ、高調波ＹＡＧレー
ザ、炭酸ガスレーザを用いることができる。このとき、
ビアホールは約３〜７μｍの径を開けることになる。ア
ノード側電極パッドはＮｉ／Ｐｔ／Ａｕなどで形成す
る。

【００６０】次に、機械的手段を用いて発光ダイオード
４２が第二の一時保持用部材４７から剥離される。図１
４は、第二の一時保持用部材４７上に配列している発光
ダイオード４２を吸着装置５３でピックアップするとこ
ろを示した図である。このときの吸着孔５５は画像表示
装置の画素ピッチにマトリクス状に開口していて、発光
ダイオード４２を多数個、一括で吸着できるようになっ
ている。このときの開口径は、例えば約φ１００μｍで
６００μｍピッチのマトリクス状に開口されて、一括で
約３００個を吸着できる。このときの吸着孔５５の部材
は例えば、Ｎｉ電鋳により作製したもの、もしくはステ
ンレス（ＳＵＳ）などの金属板５２をエッチングで穴加
工したものが使用され、金属板５２の吸着孔５５の奥に
は、吸着チャンバ５４が形成されており、この吸着チャ
ンバ５４を負圧に制御することで発光ダイオード４２の
吸着が可能になる。発光ダイオード４２はこの段階で樹
脂４３で覆われており、その上面は略平坦化されてお
り、このために吸着装置５３による選択的な吸着を容易
に進めることができる。

【００６１】図１５は発光ダイオード４２を第二基板６
０に転写するところを示した図である。第二基板６０に
装着する際に第二基板６０にあらかじめ接着剤層５６が
塗布されており、その発光ダイオード４２下面の接着剤
層５６を硬化させ、発光ダイオード４２を第二基板６０
に固着して配列させることができる。この装着時には、
吸着装置５３の吸着チャンバ５４が圧力の高い状態とな
り、吸着装置５３と発光ダイオード４２との吸着による
結合状態は解放される。接着剤層５６はＵＶ硬化型接着
剤、熱硬化性接着剤、熱可塑性接着剤などによって構成
することができる。発光ダイオード４２が配置される位
置は、一時保持用部材４３、４７上での配列よりも離間
したものとなる。そのとき接着剤層５６の樹脂を硬化さ
せるエネルギーは第二基板６０の裏面から供給される。
ＵＶ硬化型接着剤の場合はＵＶ照射装置にて、熱硬化性
接着剤の場合はレーザにて発光ダイオード４２の下面の
み硬化させ、熱可塑性接着剤場合は、同様にレーザ照射
にて接着剤を溶融させ接着を行う。

【００６２】また、第二基板６０上にシャドウマスクと
しても機能する電極層５７を配設し、特に電極層５７の
画面側の表面すなわち当該画像表示装置を見る人がいる
側の面に黒クロム層５８を形成する。このようにするこ
とで画像のコントラストを向上させることができると共
に、黒クロム層５８でのエネルギー吸収率を高くして、
選択的に照射されるビーム７３によって接着剤層５６が
早く硬化するようにすることができる。この転写時のＵ
Ｖ照射としては、ＵＶ硬化型接着剤の場合は約1000mJ/c
m²を照射する。

【００６３】図１６はＲＧＢの３色の発光ダイオード４
２、６１、６２を第二基板６０に配列させ絶縁層５９を
塗布した状態を示す図である。図１４および図１５で用
いた吸着装置５３をそのまま使用して、第二基板６０に
マウントする位置をその色の位置にずらすだけでマウン
トすると、画素としてのピッチは一定のまま３色からな
る画素を形成できる。絶縁層５９としては透明エポキシ
接着剤、ＵＶ硬化型接着剤、ポリイミドなどを用いるこ
とができる。３色の発光ダイオード４２、６１、６２は
必ずしも同じ形状でなくとも良い。図１６では赤色の発
光ダイオード６１が六角錐のＧａＮ層を有しない構造と
され、他の発光ダイオード４２、６２とその形状が異な
っているが、この段階では各発光ダイオード４２、６
１、６２は既に樹脂形成チップとして樹脂４３で覆われ
ており、素子構造の違いにもかかわらず同一の取り扱い
が実現される。

【００６４】図１７は配線形成工程を示す図である。絶
縁層５９に開口部６５、６６、６７、６８、６９、７０
を形成し、発光ダイオード４２、６１、６２のアノー
ド、カソードの電極パッドと第二基板６０の配線用の電
極層５７を接続する配線６３、６４、７１を形成した図
である。このときに形成する開口部すなわちビアホール
は発光ダイオード４２、６１、６２の電極パッド４６、
４９の面積を大きくしているのでビアホール形状は大き
く、ビアホールの位置精度も各発光ダイオードに直接形
成するビアホールに比べて粗い精度で形成できる。この
ときのビアホールは約６０μｍ角の電極パッド４６、４
９に対し、約φ２０μｍのものを形成できる。また、ビ
アホールの深さは配線基板と接続するもの、アノード電
極と接続するもの、カソード電極と接続するものの３種
類の深さがあるのでレーザのパルス数で制御し、最適な
深さを開口する。その後、保護層を配線上に形成し、画
像表示装置のパネルは完成する。このときの保護層は図
１６の絶縁層５９と同様。透明エポキシ接着剤などの材
料が使用できる。この保護層は加熱硬化し配線を完全に
覆う。この後、パネル端部の配線からドライバーＩＣを
接続して駆動パネルを製作することになる。

【００６５】上述のような発光素子の配列方法において
は、一時保持用部材４３に発光ダイオード４２を保持さ
せた時点で既に、素子間の距離が大きくされ、その広が
った間隔を利用して比較的サイズの電極パッド４６、４
９などを設けることが可能となる。それら比較的サイズ
の大きな電極パッド４６、４９を利用した配線が行われ
るために、素子サイズに比較して最終的な装置のサイズ
が著しく大きな場合であっても容易に配線を形成でき
る。また、本例の発光素子の配列方法では、発光ダイオ
ード４２の周囲が硬化した接着剤層４５で被覆され平坦
化によって精度良く電極パッド４６，４９を形成できる
とともに素子に比べて広い領域に電極パッド４６，４９
を延在でき、次の第二転写工程での転写を吸着治具で進
める場合には取り扱いが容易になる。

【００６６】

【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本願
発明のチップ部品の転写方法によれば、基板を密着させ
る必要がないので、転写基板側の接着面の平坦度が多少
悪くとも転写が可能であり、例えば押し付け力の不均一
さによる問題やアライメントの問題なども全て解消する
ことができる。また、余分なところに接着剤が付着した
り、剥離がうまくいかないなどの問題が生ずることもな
い。さらに、チップ部品の第１の基板側の面に凹部を形
成し、飛ぶ時の方向や向きを制御するようにすれば、供
給基板と実装基板とで部品ピッチや部品の方向が相違す
る場合にも極めて簡便に対応可能である。加えて、ガス
の飛散も抑えることが可能である。

【００６７】また、本発明の素子の配列方法によれば、
上記転写方法の利点をそのままに、素子の転写を効率
的、確実に行うことができ、素子間の距離を大きくする
拡大転写を円滑に実施することが可能である。同様に、
本発明の画像表示装置の製造方法によれば、密な状態す
なわち集積度を高くして微細加工を施して作成された発
光素子を、効率よく離間して再配置することができ、し
たがって精度の高い画像表示装置を生産性良く製造する
ことが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の転写方法による転写プロセスの一例を
示す概略断面図である。

【図２】チップ部品に設けられる凹部の一例を示すもの
であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図であ
る。

【図３】チップ部品に設けられる凹部の他の例を示すも
のであり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断面図で
ある。

【図４】本発明の転写方法による転写プロセスの他の例
を示す概略断面図である。

【図５】チップ部品に設けられる凹部のさらに他の例を
示すものであり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略断
面図である。

【図６】素子の配列方法を示す模式図である。

【図７】樹脂形成チップの概略斜視図である。

【図８】樹脂形成チップの概略平面図である。

【図９】発光素子の一例を示す図であって、（ａ）は断
面図、（ｂ）は平面図である。

【図１０】発光ダイオード形成及び樹脂被覆工程を示す
概略断面図である。

【図１１】第一転写工程を示す概略断面図である。

【図１２】電極パッド形成工程を示す概略断面図であ
る。

【図１３】第二の一時保持用部材への転写後の電極パッ
ド形成工程を示す概略断面図である。

【図１４】吸着工程を示す概略断面図である。

【図１５】第二転写工程を示す概略断面図である。

【図１６】絶縁層の形成工程を示す概略断面図である。

【図１７】配線形成工程を示す概略断面図である。

【符号の説明】

１供給基板（第１の基板）２実装基板（第２の基板）３チップ部品３ａ，３ｂ，３ｄ凹部４１第一基板４２発光ダイオード４４一時保持用部材４５接着剤層４７第二の一時保持用部材

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 29/786 Ｈ０１Ｌ 33/00 Ｎ 33/00 29/78 ６２７Ｄ (72)発明者岩渕寿章東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (72)発明者林邦彦東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内Ｆターム(参考） 5C094 AA43 BA23 CA19 GB10 5F041 AA31 CA04 CA40 CA65 CA77 DA82 FF06 5F110 AA30 DD01 DD02 DD03 DD04 DD05 DD12 5G435 AA17 BB04 BB12 CC09 EE33 KK05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の基板上に配列されたチップ部品を
第２の基板上に転写するチップ部品の転写方法におい
て、上記第１の基板と第２の基板を離間して配置し、上
記第１の基板の裏面側からレーザを照射し、上記チップ
部品を飛ばして第２の基板上に転写することを特徴とす
るチップ部品の転写方法。
【請求項２】上記チップ部品は、素子を絶縁性物質に
埋め込んだ樹脂形成チップであることを特徴とする請求
項１記載のチップ部品の転写方法。
【請求項３】上記チップ部品の第１の基板側の面に凹
部を形成し、その移動方向を制御することを特徴とする
請求項１記載のチップ部品の転写方法。
【請求項４】上記凹部に傾斜面を設け、配列間隔を変
更して第２の基板上に転写することを特徴とする請求項
３記載のチップ部品の転写方法。
【請求項５】上記凹部を螺旋形状とし、向きを変更し
て第２の基板上に転写することを特徴とする請求項３記
載のチップ部品の転写方法。
【請求項６】第一基板上に配列された複数の素子を第
二基板上に再配列する素子の配列方法において、前記第
一基板上に保持された前記素子を樹脂で固めた後、前記
樹脂をダイシングにより素子毎に分離して樹脂形成チッ
プとする工程と、前記第一基板上で前記素子が配列され
た状態よりは離間した状態となるように前記樹脂形成チ
ップを転写して第二基板に該樹脂形成チップを保持させ
る転写工程とを有し、上記転写工程では、上記第一基板
と第二基板を離間して配置し、上記第一基板の裏面側か
らレーザを照射し、樹脂形成チップを飛ばして第二基板
上に転写することを特徴とする素子の配列方法。
【請求項７】前記転写工程は、前記第一基板上で前記
素子が配列された状態よりは離間した状態となるように
前期樹脂形成チップを転写して一時保持用部材に該樹脂
形成チップを保持させる第一転写工程と、前記一時保持
用部材に保持された前記樹脂形成チップをさらに離間し
て前記第二基板上に転写する第二転写工程を有し、上記
第一転写工程では、上記第一基板と一時保持用部材を離
間して配置し、上記第一基板の裏面側からレーザを照射
し、樹脂形成チップを飛ばして一時保持用部材上に転写
することを特徴とする請求項６記載の素子の配列方法。
【請求項８】前記第一転写工程で離間させる距離が前
記第一基板上に配列された素子のピッチの略整数倍にな
っており且つ前記第二転写工程で離間させる距離が前記
第一転写工程で前記一時保持用部材に配列させた素子の
ピッチの略整数倍になっていることを特徴とする請求項
７記載の素子の配列方法。
【請求項９】前記素子は窒化物半導体を用いた半導体
素子であることを特徴とする請求項６記載の素子の配列
方法。
【請求項１０】前記素子は発光素子、液晶制御素子、
光電変換素子、圧電素子、薄膜トランジスタ素子、薄膜
ダイオード素子、抵抗素子、スイッチング素子、微小磁
気素子、微小光学素子から選ばれた素子若しくはその部
分であることを特徴とする請求項６記載の素子の配列方
法。
【請求項１１】発光素子をマトリクス状に配置した画
像表示装置の製造方法において、前記第一基板上に保持
された前記発光素子を樹脂で固めた後、前記樹脂をダイ
シングにより発光素子毎に分離して樹脂形成チップとす
る工程と、前記第一基板上で前記発光素子が配列された
状態よりは離間した状態となるように前記樹脂形成チッ
プを転写して第二基板に該樹脂形成チップを保持させる
転写工程とを有し、上記転写工程では、上記第一基板と
第二基板を離間して配置し、上記第一基板の裏面側から
レーザを照射し、樹脂形成チップを飛ばして第二基板上
に転写することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項１２】前記転写工程は、前記第一基板上で前
記発光素子が配列された状態よりは離間した状態となる
ように前期樹脂形成チップを転写して一時保持用部材に
該樹脂形成チップを保持させる第一転写工程と、前記一
時保持用部材に保持された前記樹脂形成チップをさらに
離間して前記第二基板上に転写する第二転写工程を有
し、上記第一転写工程では、上記第一基板と一時保持用
部材を離間して配置し、上記第一基板の裏面側からレー
ザを照射し、樹脂形成チップを飛ばして一時保持用部材
上に転写することを特徴とする請求項１１記載の画像表
示装置の製造方法。