JP2006339464A - 素子転写装置、素子の転写方法および表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】素子が転写される第２基板側に第１基板上の素子を接近もしくは一部を接触させて第１基板を浮上させることで、第１、第２基板を平行に保持し、第１基板上の素子を第２基板側に接着させることを可能とする。
【解決手段】第１基板５１に接着された素子５５を第２基板５２に接着させて、第２基板側に接着された素子５５から第１基板５１を離間させる素子転写装置１であって、第１基板５１を載置して該第１基板５１裏面側を流体圧で押し圧することで該第１基板５１を浮上させて第２基板５２側に押し圧する第１基板支持部１１と、前記第１基板５１に対向するように配置される第２基板５２を支持する第２基板支持部１２と、前記第１基板支持部１１に載置された前記第１基板５１を前記第２基板支持部１２に支持された第２基板５２直下の所定の位置に搬送する基板搬送部４１とを備えたものである。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板に形成された複数の素子を別の基板に転写（移設）することが容易な素子転写装置、素子転写方法および表示装置の製造方法に関するものである。

従来の埋め込み転写技術では、複数の素子が形成されている第１基板と、上記複数の素子が転写（移設）される第２基板とを、位置センサと各第１、第２基板を支持するステージの機械的精度によって、極力平行にし、その平行を保持した状態で第１基板と第２基板とを接触させ、上記複数の素子を第２基板に転写（移設）する必要があった（例えば、特許文献１、２参照。）。

そのため、図１３（１）に示すように、第１基板５１と第２基板５２との平行出しの精度が悪くなるほど、転写不良を生じていた。また図１３（２）に示すように、素子５５の高さが低くなるほど、転写不良を生じていた。また図１３（３）に示すように、第１基板５１が大きくなるほど、転写不良を生じていた。さらに図１４（４）に示すように、第２基板５２の平坦性、平行度、うねりなどが悪くなるほど、転写不良を生じていた。この不良は第１基板５１でも同様に起こる。また、図１４（５）に示すように、この転写不良を防止するためにステージ１００ごとあおり調整をする場合、その回転中心Ｏが素子５５から離れるほど、大きな位置ずれを生じてしまう。それを防止するには複雑で高価かつ低スループットなステージ機構を要していた。例えば、２枚の基板の間に、寸法精度の非常に高い球形のスペーサーをはさんで、基板を押し当てて行う方法が採用されていた（例えば、非特許文献１、２参照。）。しかし、球形のスペーサーを挟んで押し当てる方法は、第１基板に対して第２基板の転写エリアのほうが大きい場合には、スペーサーを挿入する場所が無く、不適当である。

特開２００４−２７３５９６号公報 特開２００４−２８１６３０号公報 ボンドアライナＢＡ６、［online］、２００２年、ズースマイクロテック株式会社、ホームページ、サイトマップ、製品紹介、基板ボンダ／アライナ、ＢＡ６ボンドアライナ、［平成１７年３月３１日検索］、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.suss.jp/html/ba6.html＞ ズースマイクロテック株式会社（旧カールズースジャパン株式会社）「基板ボンダ／アライナ、ＢＡ６ボンドアライナ パンフレット」２００２年

解決しようとする問題点は、第１基板に形成された接着層に貼り付けられた素子を、第２基板に形成された接着層（例えば未硬化樹脂層）中に埋没させることで、上記素子を第１基板側から第２基板側に転写する技術において、第１基板の素子を第２基板に倣わせた状態に接触させて、埋め込むことができない点である。

本発明の素子転写装置は、第１基板に接着された素子を第２基板に接着させて、第２基板側に接着された素子から第１基板を離間させる素子転写装置であって、第１基板を載置して該第１基板裏面側を流体圧で押し圧することで該第１基板を浮上させて前記第２基板側に押し圧する第１基板支持部と、前記第１基板に対向するように配置される第２基板を支持する第２基板支持部と、前記第１基板支持部に載置された前記第１基板を前記第２基板支持部に支持された第２基板直下の所定の位置に搬送する基板搬送部とを備えたことを特徴とする。

上記素子転写装置では、第１基板支持部は、その上に載置されている第１基板の裏面側を流体圧で押し圧することで、第１基板支持部より第１基板を浮上させて第２基板側に押し圧する。これにより、第１基板は流体の圧力によって均等に押し圧されるので、第１基板上の素子が第２基板側に接触した際に、その素子が第１基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第２基板の接着層に押し付けられ、接着される。

また、第１基板支持部と第２基板支持部との平行出しが不十分であっても、第１基板は流体圧によって浮上されるので、第１基板上の素子が第２基板側に接触するときには、第１基板は素子を介して第２基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第１基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第２基板の接着層に押し付けられ、接着される。

また、素子の高さが低い場合であっても、第１基板は流体圧によって浮上されるので、第１基板上の素子の一部が第２基板側に接触すると、その点を支点にして、第１基板が浮上されて残りの素子が接着層に接触される。このため、第１基板は素子を介して第２基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第１基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第２基板の接着層に押し付けられ、接着される。

また、第１基板の面積が第２基板と同等近くに大きく、第１基板の広範囲にわたって素子がある場合であっても、第１基板は流体圧によって浮上されるので、第１基板上の素子の一部が第２基板側に接触すると、その点を支点にして、第１基板が浮上されて残りの素子が接着層に接触される。このため、第１基板は素子を介して第２基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第１基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第２基板の接着層に押し付けられ、接着される。

また、第２基板が例えば反りやうねりを生じている場合であっても、第１基板裏面を流体の圧力によって均等に押し圧することから、第１基板上の素子の一部が第２基板側に接触すると、その点を支点にして、第２基板の表面形状に倣った状態に第１基板が傾いて第１基板上の素子を第２基板側に押し付ける。このため、第１基板は素子を介して第２基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第１基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第２基板の接着層に押し付けられ、接着される。

本発明の素子転写方法は、第１基板上の素子を第２基板に形成された接着層に接着させて、第２基板側に接着された素子から第１基板を離間させる素子転写方法において、前記第１基板上の素子を前記第２基板に接近もしくは前記接着層の一部に接触させた状態にする素子接近・接触工程と、前記第１基板を流体による圧力によって前記第２基板側に押し圧して、前記素子を前記接着層に接着させる素子接着工程と、前記素子を前記接着層に接着した状態で前記第１基板を前記素子から引き離す基板離間工程とを備えたことを特徴とする。

上記素子転写方法では、素子接近・接触工程によって、第１基板上の素子を第２基板に接近もしくは接着層の一部に接触させた状態にした後、素子接着工程によって、流体の圧力により第１基板を第２基板側に押し上げるため、第１基板上に複数の素子がある場合には各素子は均等な力を受けて接着層に接着される。すなわち、第２基板に対して第１基板を平行にした状態で第１基板の素子を第２基板側に接着することができる。しかも、素子接近・接触工程によって、第１基板上の素子を第２基板に接近もしくは第２基板側の接着層の一部に接触させた状態にすることで、素子は第２基板側の接着位置に正確に導かれる。

また、上記素子転写方法は、第１基板は流体の圧力により浮上されて第２基板側に押し圧されるので、以下のような場合にも対応することができる。

第１基板支持部と第２基板支持部との平行出しが不十分な場合であっても、第１基板裏面を流体の圧力によって均等に押し圧することから、第１基板上の素子が第２基板側に接触するときには、第１基板は素子を介して第２基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第１基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第２基板の接着層に押し付けられ、接着される。

また、素子の高さが低い場合であっても、第１基板裏面を流体の圧力によって均等に押し圧することから、第１基板上の素子の一部が第２基板側に接触すると、その点を支点にして、第１基板が浮上されて残りの素子が接着層に接触される。このため、第１基板は素子を介して第２基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第１基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第２基板の接着層に押し付けられ、接着される。

また、第１基板の面積が第２基板と同等近くに大きく、第１基板の広範囲にわたって素子がある場合であっても、第１基板裏面を流体の圧力によって均等に押し圧することから、第１基板上の素子の一部が第２基板側に接触すると、その点を支点にして、第１基板が浮上されて残りの素子が接着層に接触される。このため、第１基板は素子を介して第２基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第１基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第２基板の接着層に押し付けられ、接着される。

また、第２基板が例えば反りやうねりを生じている場合であっても、第１基板裏面を流体の圧力によって均等に押し圧することから、第１基板上の素子の一部が第２基板側に接触すると、その点を支点にして、第２基板の表面形状に倣った状態に第１基板が傾いて第１基板上の素子を第２基板側に押し付ける。このため、第１基板は素子を介して第２基板の接着層を均一な力で押し圧する。よって、素子が第１基板の面内に複数分布していても、各素子は均等な圧力で第２基板の接着層に押し付けられ、接着される。

このため、第２基板の接着層に素子が均一に接着されるとともに、素子が接着される際に第１基板が第２基板側に接触することがないので、第２基板側の接着層を第１基板によって損傷することがなくなる。

本発明の表示装置の製造方法は、第１基板上の発光素子を第２基板に形成された接着層に接着させて、第２基板側に接着された素子から第１基板を離間させる素子転写方法を用いて、複数の発光素子を配列実装する表示装置の製造方法において、前記素子転写方法は、前記第１基板上の素子を前記第２基板に接近もしくは前記接着層の一部に接触させた状態にする素子接近・接触工程と、前記第１基板を流体による圧力によって前記第２基板側に押し圧して、前記発光素子を前記接着層に接着させる素子接着工程と、前記発光素子を前記接着層に接着した状態で前記第１基板を前記発光素子から引き離す基板離間工程とを備えたことを特徴とする。

上記表示装置の製造方法では、本発明の素子転写方法により第１基板上の発光素子を表示装置の基板となる第２基板に接着させることから、上記説明した素子転写方法と同様なる作用が得られる。すなわち、第２基板の接着層に対して第１基板上の発光素子が均一な力で押し圧されるので、第１基板と第２基板とが非接触状態で、第１基板上の発光素子は第２基板に形成された接着層に均等に接着される。

本発明の素子転写装置は、第１基板を載置して該第１基板裏面側を流体圧で押し圧することで該第１基板を浮上させて第２基板側に押し圧する第１基板支持部を備えたことから、第１基板を第２基板の素子が接着される側の表面状態に倣って第１基板上の素子が第２基板側に押し圧できるので、第１基板上の複数の素子を均等に第２基板側に接着させることができる。また、第１基板と第２基板とが平行になるので、基板同士が接触することがないため、第２基板を損傷することなく、第１基板側の素子を第２基板側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子の転写技術における歩留りの向上が図れる。

本発明の素子転写方法は、第１基板上の素子を第２基板に接近もしくは接着層の一部に接触させた状態にした後、流体の圧力により第１基板を第２基板側に押し上げるため、第２基板と第１基板とを平行にすることができ、第１基板上の複数の素子を接着層に均等に接着することができる。しかも、第１基板上の素子を第２基板に接近もしくは第２基板側の接着層の一部に接触させた状態にするので、第２基板側の接着位置に位置ずれをほとんど起こすことなく素子を導くことができる。したがって、複数の素子の全てを第２基板に対して平行で接着層に対して例えば均一な深さに接着させることが可能になる。その際、第１基板と第２基板とが平行になっているので、基板同士が接触することがない。このため、第２基板を損傷することなく、第１基板側の素子を第２基板側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子の転写技術における歩留りの向上が図れる。

本発明の表示装置の製造方法は、第１基板側の素子を第２基板側に転写する際に、第１基板と第２基板とが平行に保持されているので、基板同士が接触することがない。このため、第２基板を損傷することなく、第１基板側の素子を第２基板側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子の転写技術を用いて表示装置を製造する際の歩留りの向上が図れる。

素子を搭載している第１基板と素子が転写される側の第２基板とを平行に保持して、第１基板上の素子を第２基板に形成された接着層（例えば未硬化樹脂層）に埋め込むという目的を、第１基板裏面側を流体圧で押し圧することで該第１基板を浮上させて第２基板側に押し圧することで、第２基板に対して第１基板を平行にすることで実現したものである。その詳細を以下に説明する。

本発明の素子転写装置に係る一実施の形態の一例を、図１の概略構成図および要部拡大断面図によって説明する。

図１（１）に示すように、素子転写装置１は、第１基板５１を載置して該第１基板５１裏面側を流体圧で押し圧することで該第１基板５１を浮上させて第２基板５２側に押し圧する第１基板支持部１１と、上記第１基板５１に対向するように配置される第２基板５２を支持する第２基板支持部１２と、第１基板支持部１１に載置された第１基板５１を第２基板支持部１２に支持された第２基板５２直下の所定の位置に搬送する基板搬送部４１とを備えたものである。

図１（２）は、（１）図中の第１基板支持部１１の拡大断面図であり、第１基板支持部１１に形成されるもので給気および真空引きを行う孔１４を多数形成したものの一例である。上記給気は第１基板５１を浮上させるための気体を供給するものであり、上記真空引きは第１基板５１を第１基板支持部１１に真空吸着させるための真空引きである。

上記孔１４は、第１基板支持部１１の第１基板載置面全面に均等に分布させる。例えば、第１基板支持部１１の基板載置面中心から放射状かつ同心円上に分布させる、第１基板支持部１１の基板載置面に碁盤の目状に分布させる、等、種々の分布状態を採用することができる。要するに、各孔１４より流体（例えば気体）を第１基板５１側に吹き付けた際に、第１基板支持部１１の基板載置面と第１基板５１の裏面との距離がどの位置においても等距離になるように、第１基板５１を浮上させることができるような孔形成となっている。

また、第１基板支持部１１の第１基板載置面は、平坦に形成されている必要はあるが、その面は鏡面である必要はない。むしろ鏡面でないほうが好ましい。それは、鏡面に形成されていると、第１基板５１の裏面が鏡面に形成されている場合には、第１基板支持部１１の基板載置面と第１基板５１裏面とが鏡面であるが故に吸着してしまい、孔１４より流体（例えば気体）を吹き出そうとしても、容易に第１基板５１を浮上させることができなくなる可能性があるためである。したがって、第１基板支持部１１の基板載置面は第１基板５１が自然吸着しにくく、しかも真空吸着が可能で、かつ第１基板５１裏面が傷つき難い面粗さを有することが好ましい。

また、第１基板支持部１１の第１基板載置面は高さのそろった多数のピン（図示せず）を配置し、その多数のピン上に第１基板５１を載置する構成としてもよい。ピンの高さは数十μｍ〜数１００μｍあればよい。これによって、孔１４より流体（気体）を吹き出した際に、第１基板支持部１１の基板載置面より第１基板５１が容易に浮上し易くなる。この場合、ピン先端を平面に形成し、ピン先端面に孔１４を形成することが好ましい。

上記第１基板支持部１１より吹き出させる流体は気体が好ましく、例えば、空気や窒素もしくは不活性な気体を用いる。例えば、不活性な気体としては希ガスがあげられる。

上記第１基板５１には直径が４０ｍｍ〜２００ｍｍ（８インチ）程度の平坦度、基板表示と基板裏面の平行度に優れた基板を用いる。基板材料としては、ガラス基板、シリコン基板、セラミック基板等を用いることができる。上記第２基板５２には、直径もしくは矩形の一辺の長さが７５ｍｍ（３インチ）〜２ｍ程度もしくはそれ以上の、平坦度、基板表示と基板裏面の平行度に優れた基板を用いる。この基板材料としては、用途に応じて、ガラス基板、半導体基板、プラスチック基板、セラミック基板等を用いることができる。

上記第１基板５１の表面には第２基板５２側に転写する素子５５が接着される接着層５３が形成されている。この接着層５３は、樹脂塗布膜、樹脂フィルム等で形成されたもので、表面側が素子５５を接着するような接着性を有する。また第２基板５２の表面（第１基板５１と対向する面）には素子５５を接着する接着層５４が形成されている。この接着層５４は上記接着層５２より素子５５を接着する力が強いもので、例えば、未硬化樹脂層からなる。この未硬化樹脂層としては、ＬＥＤモールド用の素子５５を留める力の強いレジスト樹脂をスピンコート、印刷もしくはラミネートにて形成したものを用いることができる。一方、上記接着層５３は、例えば、両面粘着材を介して微粘着性を有するシリコーンゴムフィルムをラミネートしたものを用いることができる。または、シリコーン系フィルムの代わりにアクリル系粘着材や樹脂膜など、接着層５４よりも弱い接着力を有するものであれば材料は問わない。また形成方法も、フィルムのラミネートに限らず、回転塗布やスタンプ（印刷）による形成方法であっても構わない。

上記基板搬送部４１は、主として、粗動ステージ４２と微動ステージ４３とからなる。上記粗動ステージ４２は、基本的には、例えばｘ、ｙ、ｚ、θ方向に素早く長い距離（例えば数十ｃｍ〜２ｍ程度）を移動可能なステージが用いられている。これによって、第１基板５１のロード、アンロードおよびタイリング箇所への移動を高速に行うことが可能となっている。また上記微動ステージ４３は、基本的には、例えばｘ、ｙ、ｚ、θ方向に短い距離（例えば数μｍ〜数百μｍ程度）を微動可能なステージが用いられている。これによって、アライメント時における高い分解能と高い停止位置精度が実現されている。また、上記粗動ステージ４２の動作の一部を上記微動ステージ４３の動作に兼ねさせることもできる。例えば上記粗動ステージ４２のθ方向の動作を上記微動ステージ４３のθ方向の動作に兼ねさせることができる。また、上記微動ステージ４３のｚ方向の動作を後に詳細に説明するあおり部２１のＺ方向の動作に兼ねさせることもできる。なお、本明細書におけるｘ方向およびｙ方向およびｚ方向は３次元直交座標系における各軸であり、θ方向はｘ−ｙ面内におけるｚ軸周りの回転方向である。

また、上記基板搬送部４１は、上記第２基板５２に形成された接着層５４に上記素子５５を接着させた状態にして上記素子５５から上記第１基板５１は引き離す動作を有するものであってもよい。この動作は基板搬送部４１のｚ軸の動作において降下動作を行えばよい。

上記基板搬送部４１は、上記第１基板支持部１１を介して第１基板５１を第２基板５２直下の所定の位置まで移動させることが可能になる。したがって、基板搬送部４１によって、第１基板５１は第２基板５２に対して所望の位置に移動することが可能となっている。

上記基板搬送部４１と上記第１基板支持部１１との間には、第１基板５１に接着されている素子５５が第２基板５２側に接触した状態を感知するセンサ部１５が備えられている。このセンサ部１５は、例えば、第１基板５１に接着した素子５５を第２基板５２側に押し当てたときにかかる荷重を測定することができる荷重センサを用いることができる。

上記第１基板支持部１１の基板支持方法は、機械的な支持、真空吸着による支持もしくはその他の支持手段であってもよい。要するに、第１基板５１を浮上させるまで第１基板支持部１１に第１基板５１が支持固定されるものであればよい。また、第２基板支持部１２の基板支持方法は、機械的な支持、真空吸着による支持もしくはその他の支持手段であってもよい。要するに、第２基板支持部１２は第２基板５２が支持固定されるものであればよい。

上記素子転写装置１には、第１基板支持部１１によって第２基板支持部１２に支持されている第２基板５２に対して第１基板５１を所定の位置に位置決めするためのアライメント部６５が、例えば第１基板支持部１１側に設置されている。このアライメント部６５は、例えば第２基板５２側に形成されたアライメントマークに第１基板５１側に形成されたアライメントマークを一致させるように、上記基板搬送部４１を動作させて第２基板５２に対して第１基板５１をアライメントするものである。

次に、前記図１を用いて上記素子転写装置１の動作の説明をする。

第１基板５１を第１基板支持部１１上の所定の位置に載置し、第２基板５２を第２基板支持部１２の所定の位置に支持する。

そして、基板搬送部４１の粗動ステージ４２および微動ステージ４３によって、第１基板５１が第２基板５２の所定の領域直下に位置するように、移動させる。そして、第２基板５２裏面より１００μｍ程度の距離に第１基板５１上の素子５５を近づけ、精密アライメントを行う。この精密アライメントは、例えば微動ステージ４３によって、ｘ方向、ｙ方向、θ方向のアライメントを行い、第２基板５２の接着層５４の埋め込み位置直下に素子５５を導く。

さらに、微動ステージ４３をｚ軸方向に駆動して、第１基板５１と第２基板５２との間隔を詰める。そして、第１基板５１上の素子５５が第２基板５２側に接触すると、センサ部１５がその接触圧力を感知する。このとき、微動ステージ４３のｚ軸方向の駆動を停止する。

次に、第１基板５１の真空吸着を解放し、孔１４に流体（例えば気体）を供給する給気を行い、上記第１基板支持部１１の基板載置面より流体を吹き出して、第１基板支持部１１より第１基板５１を浮上させる。このときの流体としては、空気もしくは窒素（Ｎ₂）もしくはアルゴン（Ａｒ）のような希ガスなどを用いる。

気体の吹き出しにより浮上させられた第１基板５１上の素子５５は、先に第２基板５２側に接触した点を支点として、第２基板５２の表面形状に倣うように押し圧される。これにより第１基板５１上の全ての素子５５が第２基板５２に形成された接着層５４に転写される。

第２基板５２側に素子５５の接着が完了した後、孔１４への流体の供給を停止し、今度は真空引きすることにより、再度第１基板支持部１１によって基板５１を真空吸着して、第２基板５２の接着層５４に接着された素子５５から第１基板５１を引き離し、さらに第１基板支持部１１を降下させて、埋め込み転写が完了する。

上記素子転写装置１では、第１基板支持部１１は、その上に載置されている第１基板５１の裏面側を流体圧で押し圧することで、第１基板支持部１１より第１基板５１を浮上させて第２基板５２側に押し圧する。これにより、第１基板５１は流体の圧力によって均等に押し圧されるので、第１基板５１上の素子５５が第２基板５２側に接触した際に、その素子５５が第１基板５１の面内に複数分布していても、各素子５５は均等な圧力で第２基板５２の接着層５４に押し付けられ、接着される。

基板搬送部４１によって、第２基板５２に対して第１基板５１が平行な状態に、第２基板５２の所定の位置直下に移動された場合には、図２（１）に示すように、第１基板支持部１１の第1基板５１に対する真空吸着を解放し、孔１４から気体を吹き出させることで、吹き出させた流体の圧力によって第１基板５１の裏面側を押し圧する。これにより、第１基板支持部１１より第１基板５１が浮上されて、第１基板５１上の素子５５は第２基板５２側に押し圧される。このように、第１基板５１は流体（気体）の圧力によって均等に押し圧されるので、第１基板５１上の素子５５が第２基板５２側（接着層５４）に接触した際に、その素子５５が第１基板５１の面内に複数分布していても、各素子５５は均等な圧力で第２基板５２の接着層５４に押し付けられ、接着される。なお、図２、図３では、第１基板支持部１１に形成される孔１４は、一箇所のみの記載であるが、図面では簡略化して示したのであって実際には、前記説明したように、複数箇所に形成されている。

また、図２（２）に示すように、第１基板支持部１１と第２基板支持部１２との平行出しが不十分であっても、第１基板支持部１１の第1基板５１に対する真空吸着を解放し、孔１４から気体を吹き出させることで、第１基板５１は流体圧（気体の圧力）によって浮上されるので、第１基板５１上の素子５５が第２基板５２側（接着層５４）に接触するときには、第１基板５１は素子５５を介して第２基板５２の接着層５４を均一な力で押し圧する。よって、素子５５が第１基板５１の面内に複数分布していても、各素子５５は均等な圧力で第２基板５２の接着層５４に押し付けられ、接着される。

また、図２（３）に示すように、素子５５の高さが低い場合であっても、第１基板支持部１１の第1基板５１に対する真空吸着を解放し、孔１４から気体を吹き出させることで、第１基板５１は流体圧（気体の圧力）によって浮上されるので、第１基板５１上の素子５５の一部が第２基板５２側に接触すると、その点を支点にして、第１基板５１が浮上されて残りの素子５５が接着層５４に接触される。このため、第１基板５１は素子５５を介して第２基板５２の接着層５４を均一な力で押し圧する。よって、素子５５が第１基板５１の面内に複数分布していても、各素子５５は均等な圧力で第２基板５２の接着層５４に押し付けられ、接着される。

また、図３（４）に示すように、第１基板５１の面積が第２基板５２と同等近くに大きく、第１基板５１の広範囲にわたって素子５５がある場合であっても、第１基板支持部１１の第1基板５１に対する真空吸着を解放し、孔１４から気体を吹き出させることで、第１基板５１は流体圧（気体の圧力）によって浮上されるので、第１基板５１上の素子５５の一部が第２基板５２側に接触すると、その点を支点にして、第１基板５１が浮上されて残りの素子５５が接着層５４に接触される。このため、第１基板５１は素子５５を介して第２基板５２の接着層５４を均一な力で押し圧する。よって、素子５５が第１基板５１の面内に複数分布していても、各素子５５は均等な圧力で第２基板５２の接着層５４に押し付けられ、接着される。

また、図３（５）に示すように、第２基板５２が例えば反りやうねりを生じている場合であっても、第１基板支持部１１の第1基板５１に対する真空吸着を解放し、孔１４から気体を吹き出させることで、第１基板５１裏面を流体の圧力（気体の圧力）によって均等に押し圧することから、第１基板５１上の素子５５の一部が第２基板５２側に接触すると、その点を支点にして、第２基板５２の表面形状に倣った状態に第１基板５１が傾いて第１基板５１上の素子５５を第２基板５２側に押し付ける。このため、第１基板５１は素子５５を介して第２基板５２の接着層５４を均一な力で押し圧する。よって、素子５５が第１基板５１の面内に複数分布していても、各素子５５は均等な圧力で第２基板５２の接着層５４に押し付けられ、接着される。

また、図３（６）に示すように、本発明の素子転写方法では、第１基板５１上の素子５５の一部が第２基板５２の接着層５４に接触し、その状態で、第１基板を流体圧で浮上させることから、第１基板５１は素子５５が接着層５４に接触した点を回転中心Ｏとして回動して、第１基板５１は第２基板５２に対して平行になる。今、素子５５が接着層５４に接触したときの第２基板５２に対する第１基板５１の傾きをθ、回転中心Ｏから素子までの距離をｒとする。また、第２基板５２に対して第１基板５１が平行な状態で第１基板５１を浮上させた場合の素子５５の接着位置（転写位置）と、第２基板５２に対して第１基板５１がθだけ傾いた状態で第１基板５１を浮上させた時の接着位置（転写位置）との差をｄとすると、ｄ＝ｒ（１−ｃｏｓθ）となるので、θが例えば１度程度であればｄ＝０．０００１ｒであり、θが例えば３度であってもｄ＝０．００１ｒであり、ｄ≒０と見なせる。したがって、上記素子転写装置１による第１基板５１から第２基板５２への素子５５の転写は、正確な位置に行うことができるといえる。

次に、上記第１基板５１の形状の変形例について図４の概略構成図により説明する。

図４（１）に示すように、第１基板５１の基本形は、平板である。その変形例として、図４（２）に示すように、基板周辺部が基板中央部より低くなっている凸型基板がある。この凸型基板の凸部の側面は図示したように傾斜面とすることが好ましい。傾斜面とすることにより、接着層５４を形成し易くなる。特に、接着層５４を第１基板５１に貼り付け手形成する場合には有効となる。そして、上記凸型基板を用いた場合には、第１基板５１が第２基板５２に対して傾いた状態で第１基板上の素子５５が第２基板５２の接着層５４に接触した場合、第１基板５１のエッジ部分が第２基板５４側に接触しにくくなるという利点がある。特に、素子５５の高さが低い場合に有効である。

次に、上記第１基板５１と第１基板支持部１１との支持関係の変形例について図５の概略構成図により説明する。

図５（１）に示すように、第１基板５１の周囲に、第１基板５１表面よりも低い位置に表面が位置するもので、第１基板支持部１１に固着されたガイドリング５７を備えてもよい。また、素子５５が接着されるもので第１基板５１に形成される接着層５３は上記ガイドリング５７表面に延長されて接着されている。また、上記ガイドリング５７は、例えば、第１基板支持部１１に設けた吸着孔１６により真空吸着させることで、第１基板支持部１１に固着させることができる。

上記構成の第１基板支持部１１は、ガイドリング５７を設け、第１基板５１に形成される接着層５３をガイドリング５７表面に貼り付けたことによって、第１基板支持部１１に形成された孔１４より気体を第１基板５１側に吹き付けた際に、第１基板５１上とガイドリング５７上との間の接着層５３が伸ばされる。言い換えれば、接着層５３によって第１基板５１が急激に浮上するのを防止することができる。これは、先に説明したように、接着層５３が樹脂塗布膜、樹脂フィルム等で形成されるので、弾性を有しているからである。このようにして、第１基板５１が、第１基板５１上方に配置される第２基板（図示せず）に衝突するのを避けることができる。また、ガイドリング５７の表面が第１基板５１表面よりも低い位置に形成されていることから、第１基板支持部１１を第２基板側に上昇させた際に、ガイドリング５７が第２基板側に接触するのを防止することができる。これらによって、第２基板側の損傷を防ぎ、歩留りの向上が図れる。

図５（２）に示すように、第１基板５１の周囲に、第１基板５１表面よりも低い位置に表面が位置するもので、第１基板支持部１１に粘着層５８を介して固着されたガイドリング５７を備えてもよい。また、上記粘着層５８は、第１基板５１の裏面側およびガイドリング５７の裏面（第１基板支持部１１側の面）を粘着するもので、例えば１層の粘着層で形成されている。この粘着層５８は、裏面（第１基板５１とは反対側の面）は粘着性を有していない。また、第１基板５１上には素子（図示せず）を接着する接着層５３が形成されている。また、上記ガイドリング５７は、その裏面側に粘着されている粘着層５８を、例えば、第１基板支持部１１に設けた吸着孔１６により真空吸着させることで、第１基板支持部１１に固着させることができる。

上記構成の第１基板支持部１１は、ガイドリング５７を設け、第１基板５１の裏面（第１基板支持部１１側の面）に形成される粘着層５８をガイドリング５７裏面に貼り付けたことによって、第１基板支持部１１に形成された孔１４より気体を第１基板５１側に吹き付けた際に、粘着層５８によって第１基板５１が急激に浮上するのを防止することができる。これは、第１基板５１に粘着されている部分とガイドリング５７に粘着されている部分の間の粘着層５８が伸ばされるためである。これにより、第１基板５１が第１基板５１上方に配置される第２基板（図示せず）に衝突するのを避けることができる。また、ガイドリング５７の表面が第１基板５１表面よりも低い位置に形成されていることから、第１基板支持部１１を第２基板側に上昇させた際に、たとえ、第２基板に対して第１基板支持部１１が傾いても、ガイドリング５７が第２基板側に接触するのを防止することができる。これらによって、第２基板側の損傷を防ぎ、歩留りの向上が図れる。

図５（３）に示すように、第１基板５１の周囲に、第１基板５１表面よりも低い位置に表面が位置するもので、第１基板支持部１１に接着層５３を介して固着されたガイドリング５７を備えてもよい。また、素子５５が接着されるもので第１基板５１に形成される接着層５３は上記ガイドリング５７裏面に延長されて接着されている。したがって、接着層５３は第１基板５１表面よりガイドリング５７裏面に、１層で形成されている。また、上記ガイドリング５７は、接着層５３側を、例えば、第１基板支持部１１に設けた吸着孔１６により真空吸着させることで、第１基板支持部１１に固着させることができる。

上記構成の第１基板支持部１１は、ガイドリング５７を設け、第１基板５１に形成される接着層５３をガイドリング５７裏面に貼り付けたことによって、第１基板支持部１１に形成された孔１４より気体を第１基板５１側に吹き付けた際に、第１基板５１上とガイドリング５７下との間の接着層５３が伸ばされる。この接着層５３によって第１基板５１が急激に浮上するのを防止することができる。これは、先に説明したように、接着層５３が樹脂塗布膜、樹脂フィルム等で形成されるので、弾性を有しているからである。このようにして、第１基板５１が第１基板５１上方に配置される第２基板（図示せず）に衝突するのを避けることができる。また、ガイドリング５７の表面が第１基板５１表面よりも低い位置に形成されていることから、第１基板支持部１１を第２基板側に上昇させた際に、ガイドリング５７が第２基板側に接触するのを防止することができる。これらによって、第２基板側の損傷を防ぎ、歩留りの向上が図れる。

次に、上記素子転写装置１において、機械的に第１基板５１と第２基板５２との平行出し精度を向上させるあおり部を搭載した素子転写装置の一例を、図６の概略構成図、図７の平面レイアウト図によって説明する。

図６および図７に示すように、前記図１によって説明した素子転写装置１において、基板搬送部４１と第１基板支持部１１との間にあおり部２１、センサ支持部１３、センサ部１５を設けたものである。

このあおり部２１は、例えば前記図１によって説明した上記微動ステージ４３に支持されているものであって、上記粗動ステージ４２、微動ステージ４３によって第２基板５２直下の所定位置まで移動させられた第１基板５１と、第２基板支持部１２に支持されている第２基板５２とがほぼ平行になるように調整するものである。その機構の詳細を以下に説明する。

上記あおり部２１は、第２基板５２に対して第１基板５１を平行に位置させるためのものであって、上記微動ステージ４３上に設けられた３個の１軸方向（例えばｚ軸方向）に昇降可能なアクチュエータ２２を備えている。上記各アクチュエータ２２は、３角形の頂点となる位置に配置されている。通常、基板を支持してその傾きの調整を行うには、その基板を３点で支持することで行うことができる。よって、本実施の形態でも３個のアクチュエータ２２により第１基板支持部１１を３点で支持している。その支持点は、図７に示すように、第１基板支持部１１の中心と中心が一致する正三角形の頂点に位置させることが好ましい。なお、４点以上で支持することもできるが、第１基板支持部１１に３点が接触し、残りの１点は接触しない状態もあり得るので、支持点は３点で十分である。また、支持点を第１基板支持部１１の中心と中心が一致する正三角形の頂点に位置させることにより、第１基板支持部１１を介して第１基板５１の傾き調整が行い易くなる。また、微調整の精度を高めるために、図示したように、第１基板支持部１１の下面側（第１基板５１が支持される側とは反対側）に第１基板支持部１１よりも大きなセンサ支持部１３が設けられている。この場合には、下記に説明する球面軸受３０はセンサ支持部１３の裏面側（第１基板支持部１１が固定される側とは反対側）に設けられることになる。

上記各アクチュエータ２２の可動先端部は以下のような構成となっている。すなわち、アクチュエータ２２の駆動軸２３先端には回動軸受２４が設けられ、この回動軸受２４は基板搬送部４１上に固定された直動軸２５に昇降自在に支持されている直動軸受２６を備えている。上記回動軸受２４には回動軸２７が回動自在に支持されていて、この回動軸２６の中心には回動軸２７に直交する揺動軸２８が形成されている。したがって、回動軸２７と揺動軸２８はＴ字型に形成されている。上記揺動軸２８の先端部は球形に形成され、その球形部２９を受ける球面軸受３０が上記第１基板支持部１１の裏面（第１基板５１を支持する面とは反対側の面）に設けられている。図面では前述したようにセンサ支持部１３を設けているので、球面軸受３０はセンサ支持部１３に設置される。

また、上記各アクチュエータ２２の駆動軸となる上記揺動軸２８周りでかつ上記回動軸受２４と上記球面軸受３０との間には、弾性部３１が設けられている。この弾性部３１は、上記アクチュエータ２２の動作により上記第１基板５１に接着された素子５５が上記第２基板５３側に接触した後、さらに上記第１基板５１を上記第２基板５２側に押し付ける方向に上記アクチュエータ２２を動作させた際の上記第１基板５１に対する上記アクチュエータ２２の動作量を吸収するものである。この弾性部３１は、例えばコイルバネにより形成されている。

したがって、上記あおり部２１は、以下のように動作する。アクチュエータ２２の上昇動作によって回動軸受２４が直動軸受２６によって摺動支持されて上昇する。このとき回動軸２４および揺動軸２８も同時に上昇する。そして、揺動軸２８に設けられた球形部２９によって押し上げられた球面軸受３０が上層させられ、球面軸受３０が設置されているセンサ支持部１３も、当該アクチュエータ２２が動作する部分において押し上げられる。各アクチュエータ２２はセンサ支持部１３上にセンサ部１５、第１基板支持部１１を介して載置されている第１基板５１が第２基板５２に対して平行となるように、上昇動作が調整される。このため、各アクチュエータ２２の動作量に差が生じる場合がある。

例えば、第１アクチュエータ２２（２２a）の動作量と第２アクチュエータ２２（２２ｂ）の動作量とが同じでアクチュエータ２２（２２ｃ）よりも長いとした場合、アクチュエータ２２ｃに連結されている球面軸受３０を回動支点として、センサ支持部１３は傾斜する。そのため、第１アクチュエータ２２（２２a）に連結されている球面軸受３０と第２アクチュエータ２２（２２ｂ）に連結されている球面軸受３０は、各アクチュエータ２２の動作量が同一のときと比較して単に直上に上昇するのではなく、センサ支持部１３の傾きに応じて斜め方向に上昇する。この斜め方向の上昇は、アクチュエータ２２の動作端となる球形部２９の球面軸受３０に対する回転運動と、揺動軸２８を支持する回動軸２７の回動軸受２４に対する回動運動によって、追従するようになっている。

上記あおり部２１には、第２基板５１側に転写される素子５５が貼り付けられている第１基板５１を支持し、かつ第１基板５１を流体圧によって浮上させる第１基板支持部１１が搭載されている。

なお、上記あおり部２１ではアクチュエータ２２によってｚ軸方向に昇降可能となっているので、上記基板搬送部４１のｚ軸方向の動作を兼用することもできる。この場合には、上記基板搬送部４１においてｚ軸方向の動作機構を省略することができる。

上記センサ部１５は、上記第１基板５１に接着されている素子５５が上記第２基板５２側に接触した状態を感知するもので、上記第１基板支持部１１と上記あおり部２１の第１基板支持部１２側に形成されたセンサ支持部１３との間に設けられている。このセンサ部１５は、例えば、第１基板５１に接着した素子５５を第２基板５２側に押し当てたときにかかる荷重を測定する荷重センサを用いることができる。

また、上記測定部６１は、上記第１基板５１を上記第２基板５２に接近させたときに第１基板５１が第２基板５２と接触したことで第１基板５１の動作が停止した位置を測定するとともに、第１基板５１が停止した後の上記あおり部２１の動作量を測定するもので、それぞれのアクチュエータ２２について設けられている。この測定部６１は、例えば変位量を読み取ることができるリニアスケールを用いることができる。さらに、第２基板５２に対して第１基板５１の位置合わせを行うためのアライメント部６５が、例えば第１基板支持部１１に設けられている。

上記素子転写装置１では、基板搬送部４１によって第１基板５１を第２基板５２の直下の所定の位置に移動させるのをスムーズに行うため、予め、第２基板５２に対する第１基板５１の各移動位置において、第１マスター基板と第２マスター基板とを用いたプリレベリング動作を行って、基板搬送部４１の移動位置を予め設定しておくことが好ましい。このようなプリレベリング動作を行うことにより、第２基板５２に対する第１基板５１のアライメント動作を速く行うことができるようになる。

プリレベリング動作は以下のようにして行う。まず、第１マスター基板（図示せず）と第２マスター基板（図示せず）とを用意する。両基板ともに寸法精度（特に厚さおよび平坦度の寸法精度）の高い基板を用いる。そして第１基板支持部１１に第１マスター基板を載置する。また、第２基板支持部１２に第２マスター基板を載置する。

次いで基板搬送部４１を駆動して、第２マスター基板に対して、第１マスター基板を接触させる所定の位置の下方に第１マスター基板を移動する。このときのｘ、ｙ、ｚ、θ方向のアライメントはアライメント部により行うこともできる。

上記あおり部２１のアクチュエータ２２を上昇させる動作を行い、第１マスター基板を第２マスター基板に近づけて行く。このとき、各アクチュエータ２２の動作量と、各軸に取り付けたリニアスケールからなる測定部６１の測定値と、荷重センサからなるセンサ部１５の測定値を常に監視しておく。

やがて、第１マスター基板の少なくとも一部が第２マスター基板に接触する。例えば各アクチュエータ２２のうちの一つのアクチュエータ２２a（今、第１アクチュエータとする）に対応する第１マスター基板の位置で第２マスター基板に接触したとすると、第１マスター基板が第２マスター基板に接触した状態を感知するセンサ部１５が反応する。すなわち第１マスター基板にかかる荷重が増加方向になったことを検出する。

そのとき、第１アクチュエータ２２aとセンサ支持部１３との間に設けられた弾性部３１は縮み、その第１アクチュエータ２２aを上昇動作させてもその第１クチュエータ２２aが支持する第１マスター基板の部分は変動しなくなる。このようにマスター基板同士が接触すると、第１アクチュエータ２２aを動作させ続けても、弾性部３１が縮むだけで、第１マスター基板は上昇せず、測定部６１の値も変化しなくなり、第１アクチュエータ２２aの動作量と測定部６１の測定値に差ができはじめる。また、センサ部１５の値が増加しはじめる。

やがて、各アクチュエータ２２の全てが上記状態になる。このとき、第１マスター基板と第２マスター基板の全面が接触したと判断し、そのときの測定部６１の測定値を個別に記憶させる。

次に、第１マスター基板を下降させ、次の埋め込み位置に移動させ、再び上記の一連の動作を繰り返す。これを全ての埋め込み位置で行い、プリレベリングが完了する。このプリレベリングは、素子転写装置１が完成した時、素子転写装置１を設置した時、素子転写装置１の調整を行ったとき等、素子転写装置１に対して機械的、電気的もしくはソフト的に変更したときに行うことが好ましい。

次に、前記図６〜図７を用いて、あおり部２１を搭載した上記素子転写装置１の動作の説明をする。

第１基板５１を第１基板支持部１１上の所定の位置に載置し、第２基板５２を第２基板支持部１２の所定の位置に支持する。

そして、基板搬送部４１の粗動ステージ４２および微動ステージ４３によって、第１基板５１が第２基板５２の所定の領域直下に位置するように、移動させる。このとき、先にプリレベリング動作によって求めておいた測定位置に基づいて、第１基板５１の直下１００μｍ〜３００μｍの範囲内に第１基板５１を移動させる。

次に、各アクチュエータ２２を上昇動作させ、第１基板５１を第２基板５２側に接近させる。

このとき、各アクチュエータ２２のうち、例えば第１基板５１を第２基板５２側に近づけさせている各アクチュエータ２２のうちの一つのアクチュエータ２２（今、第１アクチュエータ２２ａとする）に対応する第１基板５１の位置で、第１基板５１に接着された素子５５の一部が第２基板５２側の接触層５４に接触したとすると、上記素子５５が上記第２基板５２側に接触した状態を感知する上記センサ部１５が反応する。すなわち第１基板５１にかかる荷重が増加方向になったことを検出する。このときの第１アクチュエータ２２ａの位置を測定部６１により測定しておく。

そのとき、第１アクチュエータ２２ａとセンサ支持部１３との間に設けられた弾性部３１は縮み、その第１アクチュエータ２２ａを上昇動作させてもその第１クチュエータ２２ａが支持する第１基板５１の部分は変動しなくなる。そして、第１アクチュエータ２２ａが上記上昇動作している際に、測定部６１により、先に測定しておいた第１基板５１と第２基板５２との接触位置における第１アクチュエータ２２ａの位置と、現在の第１アクチュエータ２２ａの位置とを比較し、所定の範囲内にあるならば、第１アクチュエータ２２ａの上昇動作を停止する。

一方、第１アクチュエータ２２ａ以外の第２アクチュエータ２２（２２ｂ）、第３アクチュエータ２２（２２ｃ）は、第１基板５１を第２基板５２側に接近させる動作を継続する。そして、例えば、残りの二つのアクチュエータ２２ｂ、２２ｃのうち、例えば一つのアクチュエータ（今、第２アクチュエータ２２ｂとする）に対応する第１基板５１の位置で第２基板５２側の接触層５４に接触したとすると、上記素子５５が第２基板５２側に接触した状態を感知する上記センサ部１５が反応する。すなわち第１基板にかかる荷重が増加方向になったことを検出する。このときの第２アクチュエータ２２ｂの位置を測定部６１により測定しておく。

そのとき、第２アクチュエータ２２ｂとセンサ支持部１３との間に設けられた弾性部３１は縮み、その第２アクチュエータ２２ｂを上昇動作させてもその第２クチュエータ２２ｂが支持する第１基板５１の部分は変動しなくなる。そして、第２アクチュエータ２２ｂが上記上昇動作している際に、測定部６１により、先に測定しておいた第１基板５１と第２基板５２との接触位置における第２アクチュエータ２２ｂの位置と、現在の第２アクチュエータ２２ｂの位置とを比較し、所定の範囲内にあるならば、第２アクチュエータ２２ｂの上昇動作を停止する。

そして、最後に、残りの第３アクチュエータ２２ｃの第１基板５１を第２基板５２側に接近させる動作を継続する。そしてこの第３アクチュエータ２２ｃに対応する第１基板５１の位置で第２基板５２に接触したとすると、上記素子５５が第２基板５２側に接触した状態を感知する上記センサ部１５が反応する。すなわち第１基板５１にかかる荷重が増加方向になったことを検出する。このときの第３アクチュエータ２２ｃの位置を測定部６１により測定しておく。

そのとき、第３アクチュエータ２２ｃとセンサ支持部１３との間に設けられた弾性部３１は縮み、その第３アクチュエータ２２ｃを上昇動作させてもその第３クチュエータ２２ｃが支持する第１基板５１の部分は変動しなくなる。そして、第３アクチュエータ２２ｃが上記上昇動作している際に、測定部６１により、先に測定しておいた第１基板５１と第２基板５２との接触位置における第３アクチュエータ２２ｃの位置と、現在の第３アクチュエータ２２ｃの位置とを比較し、所定の範囲内にあるならば、第３アクチュエータ２２ｃの上昇動作を停止する。

このようにして、３軸のアクチュエータ２２全てにおいて、第１基板５１に接着された素子５５の全域が第２基板５２側に接触し、各アクチュエータ２２を上昇動作させても弾性部３１が変形する（縮む）のみで、第１基板５１の位置の変動は起こらなくなる。このときの上記センサ部１５が測定する荷重は均一な値となっていることが好ましいが、所定の範囲内であればよい。また、上記測定部６１の値は、予め測定して求めた第１基板５１と第２基板５２との接触位置から所定の範囲内になっていれば、第１基板５１と第２基板５２とは平行になっていると見なすことができ、素子５５を第２基板５２側に接着することができると判断される。また、上記アクチュエータ２２の動作量が実質、あおり部２１の動作量となっている。

上記素子転写装置１では、あおり部２１を設けたことにより、第１基板５１の傾きを微調整することによって第２基板５２に対して第１基板５１を平行に配置することが可能になる。またあおり部２１を移動させる基板搬送部４１を設けたことにより、基板搬送部４１上にあおり部２１、第１基板支持部１１を介して支持される第１基板５１を第２基板５２直下の所望の位置に移動させることが可能になる。また第１基板５１と第２基板５２とに非接触で第１基板５１と第２基板５２との間隔を測定する測定部６１を備えたことにより、第１基板５１と第２基板５２とが対向する面に接着性の層（第１接着層５３、第２接着層５４）を形成してもその第１接着層５３、第２接着層５４に測定部６１が接触することはない。このような特徴を有する素子転写装置１では、第１基板５１に貼り付けられている素子５５を第２基板５２側に平行に押し付けることが可能になる。その際、第１基板５１と第２基板５２とが平行になっているので、基板同士が接触することがない。このため、第２基板５２を損傷することなく、第１基板５１側の素子５５を第２基板５２側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子５５の転写技術における歩留りの向上が図れる。

さらに、本発明の素子転写装置１では、第１基板５１と第２基板５２とのどちらも不透明な基板であっても差し支えなく、第１基板５１と第２基板５２との平行出しを行うことができるので、第１、第２基板基板材料を選択する自由度が高い特徴を有する。また、基板に素子、配線等形成されていても問題無く、第１基板５１と第２基板５２との平行出しが行えるという特徴を有している。したがって、基板の平行出しによる各基板に形成されるデバイスの設計自由度は影響を受けない。

また、各基板を支持する第１、第２基板支持部１１、１２も上記同様に、不透明な基板であっても差し支えなく、第１、第２基板支持部１１、１２の材料選択の自由度が高い特徴を有する。また、一枚の基板で形成することができるので、第１、第２基板支持部１１、１２の各基板支持面の平坦度を高精度に加工することができ、基板を支持した際の平行出し精度が高めることができる。

次に、本発明の素子転写方法に係る一実施の形態の一例を、図８の製造工程図により説明する。なお、本発明の素子転写方法は、上記本発明の素子転写装置１を用いて成される方法である。したがって、上記図１も参照していただきたい。また、以下の説明における各構成部品には上記素子転写装置の説明で示した構成部品の符号を付与した。

本発明の素子転写方法は、第１基板５１上の素子５５を第２基板５５に形成された接着層５４に接着させて、第２基板５２側に接着された素子５５から第１基板５１を離間させる素子転写方法において、前記図１、図４〜図７等によって説明した素子転写装置１を用いて行う方法であり、第１基板５１上の素子５５を第２基板５２に接近もしくは接着層５４の一部に接触させた状態にする素子接近・接触工程と、第１基板５１を流体による圧力によって第２基板５２側に押し圧して、素子５５を接着層５４に接着させる素子接着工程と、素子５５を接着層５４に接着した状態で第１基板５１を素子５５から引き離す基板離間工程とを備えている。以下、具体的に説明する。

図８（１）に示すように、「素子接近・接触工程」Ｓ１を行う。この工程では、上記第１基板５１を第１基板支持部１１に支持させる。この支持方法は、例えば、第１基板５１の表面（第１接着層５３側）を上にして、第１基板５１の裏面を第１基板支持部１１側にして、例えば孔１４からの真空引きによる真空吸着により支持される。また、上記第１基板５１には、例えば直径Φ＝４０ｍｍからΦ２００ｍｍ（８インチ）程度の基板が用いられる。また、第１基板５１表面に形成された第１接着層５３に接着された素子５５は、例えば５μｍ〜１００μｍ程度の大きさであり、その高さは５μｍ〜１００μｍ程度である。また、第１基板５１に接着されている個数は１０個〜１００万個程度である。

次に上記第２基板５２を第２基板支持部１２に支持させる。この支持方法は、例えば、第２基板５２の表面（第２接着層５４側）を下にして、第２基板５２の裏面を第２基板支持部１２側にして、真空吸着により支持される。なお、第１基板支持部１１に対する第１基板５１の支持は着脱自在にした機械的固定であってもよい。また、上記第２基板５２には、例えば直径Φ＝７５ｍｍ（３インチ）から２ｍ四方程度の基板が用いられる。なお、第２基板５２は２ｍシリコン法よりも大きな基板を用いることも可能である。また上記第２基板５２の表面には、第２接着層５４が形成されている。この第２接着層５４は、素子５５が接着されている第１接着層５３の接着力よりも上記素子５５に対して大きな接着力を有する。また、上記第２基板５２に形成される第２接着層５４は、例えば未硬化樹脂層からなり、この未硬化樹脂層は、例えば、いわゆるタックに強いレジスト膜を、回転塗布法、印刷法、ラミネート法等の成膜方法により形成したものである。なお、上記第１基板支持工程と上記第２基板支持工程とはどちらを先に行ってもよい。

次に、上記第１基板５１と上記第２基板５２とを所定の距離を保って対向させる。具体的には、上記アライメント部６５（前記図１参照）の測定に基づいて上記基板搬送部４１（前記図１参照）を例えばｘ−ｙ方向およびθ方向に移動させることにより、第１基板５１と第２基板５２直下の所定の位置に移動させる。このときの第１基板５１上の素子５５表面と第２基板５２の接着層５４表面との距離は例えば３０μｍ〜１００μｍ程度とする。

なお、第２基板５２に対して第１基板５１が傾いて第２基板５２側に接近した場合には、上記基板搬送部４１によって第１基板支持部１１をさらにｚ方向に徐々に移動させると、第１基板５１上の素子５５の一部が第２基板５２側、すなわち接着層５４に接触する。このとき、センサ部１５によって圧力上昇が検出されるので、素子５５の少なくとも一部が接着層５４に接触したことが検出される。

次に、図８（２）に示すように、上記「素子接着工程」Ｓ２を行う。この工程では、第１基板支持部１１の孔１４より気体を第１基板５１側に吹き付けて第１基板５１を気体の圧力によって浮上させ、第２基板５２側に押し圧して、第１基板５１上の素子５５を接着層５４に接着させる。図面では、簡略しているため、孔１４は一個しか描かれていないが、孔１４は多数設けられている。そのため、第１基板５１の裏面側全面に均等な圧力で気体が吹き付けられている。よって、接着層５４に押し圧された素子５５は、各素子５５の全域にわたって均等な圧力で接着層５４に押し圧される。第１基板５１の押圧力の調整は、上記気体の圧力（流量）を調整することにより行う。これにより、第１基板５１の素子５５を第２基板５２側に適度な圧力で押し圧力することができるので、素子５５を第２基板５２に形成された接着層５４に適切な深さで埋め込むことができる。よって、素子５５を確実に接着層５４に接着させることができる。

そして、上記接着層５４が硬化し、素子５５が接着層５４に十分接着するようになるまで、第１基板５１を気体によって押し圧する状態を保持する。

次に、図８（３）に示すように、上記「基板離間工程」Ｓ３を行う。この工程では、素子５５を接着層５４に接着した状態で第１基板５１を素子５５から引き離す。この引き離し動作は、例えば、孔１４からの気体の吹き出しを停止して、孔１４を真空引きすることで、再び孔１４からの真空引きにより第１基板５１を第１基板支持部１１に真空吸着させることにより行う。さらに上記基板搬送部４１（前記図１参照）によってｚ軸方向に沿って第１基板支持部１１を下降させる。

上記素子転写方法では、「素子接近・接触工程」Ｓ１によって、第１基板５１上の素子５５を第２基板５２に接近もしくは接着層５４の一部に接触させた状態にした後、「素子接着工程」Ｓ２によって、流体の圧力により第１基板５１を第２基板５２側に押し上げるため、第１基板５１上に複数の素子５５がある場合には各素子５５は均等な力を受けて接着層５４に接着される。すなわち、第２基板５２に対して第１基板５１を平行にした状態で第１基板５１の素子を第２基板５２側に接着することができる。しかも、「素子接近・接触工程」Ｓ１によって、第１基板５１上の素子５５を第２基板５２に接近もしくは第２基板５２側の接着層５４の一部に接触させた状態にすることで、素子５５は第２基板５２側の接着位置に正確に導かれる。

また、上記素子転写方法は、第１基板５１は流体の圧力により浮上されて第２基板５２側に押し圧されるので、上記第１基板５１を第２基板５２に接近させたとき、種々の要因によって、第２基板５２に対して第１基板５１が傾いて接近した場合にも対応することができる。その詳細について、前記図２〜図３によって説明する。

前記図２（２）に示すように、第１基板支持部１１と第２基板支持部１２との平行出しが不十分な場合には、本発明の素子転写方法では、第１基板５１上の素子５５の一部が先に第２基板５２の接着層５４に接触する。素子５５が接触したか否かの判断は、例えばセンサ部１５によって第１基板５１にかかる圧力を検出すると、圧力上昇が見られることで判定できる。その後、第１基板支持部１１の孔１４より気体を第１基板５１側に吹き付けて、接着層５４に接触した素子５５の接触点を支点として、第１基板５１を浮上させる。そして、気体の圧力によって第１基板５１を第２基板５２側に押し圧して、第１基板５１上の素子５５を接着層５４に接着させる。第１基板５１は気体の圧力によって浮上される方向に動作するので、第１基板５１上の素子５５が第２基板５２側に接触するときには、第１基板５１は素子５５を介して第２基板５２の接着層５４を均一な力で押し圧する。よって、素子５５が第１基板５１の面内に複数分布していても、各素子５５は均等な圧力で第２基板５２の接着層５４に押し付けられ、接着される。

また、前記図２（３）に示すように、素子５５の高さが低い場合には、従来の転写技術では、素子５５の一部が接着層５４に接触しないものが生じるが、本発明の素子転写方法では、第１基板５１は流体圧（気体の圧力）によって浮上されるので、第１基板５１上の素子５５の一部が第２基板５２側に接触すると、その点を支点にして、第１基板５１が浮上されて残りの素子５５が接着層５４に接触される。このため、第１基板５１は素子５５を介して第２基板５２の接着層５４を均一な力で押し圧する。よって、素子５５が第１基板５１の面内に複数分布していても、各素子５５は均等な圧力で第２基板５２の接着層５４に押し付けられ、接着される。

また、前記図３（４）に示すように、第１基板５１の面積が第２基板５２と同等近くに大きく、第１基板５１の広範囲にわたって素子５５がある場合には、従来の転写技術では、素子５５の一部が接着層５４に接触しないものが生じるが、本発明の素子転写方法では、第１基板５１は流体圧（気体の圧力）によって浮上されるので、第１基板５１上の素子５５の一部が第２基板５２側に接触すると、その点を支点にして、第１基板５１が浮上されて残りの素子５５が接着層５４に接触される。このため、第１基板５１は素子５５を介して第２基板５２の接着層５４を均一な力で押し圧する。よって、素子５５が第１基板５１の面内に複数分布していても、各素子５５は均等な圧力で第２基板５２の接着層５４に押し付けられ、接着される。

また、前記図３（５）に示すように、第２基板５２が例えば反りやうねりを生じている場合には、従来の転写技術では、素子５５の一部が接着層５４に接触しないものが生じるが、本発明の素子転写方法では、第１基板５１裏面を気体の圧力によって均等に押し圧することから、第１基板５１上の素子５５の一部が第２基板５２側に接触すると、その点を支点にして、第２基板５２の表面形状に倣った状態に第１基板５１が傾いて第１基板５１上の素子５５を第２基板５２側に押し付ける。このため、第１基板５１は素子５５を介して第２基板５２の接着層５４を均一な力で押し圧する。よって、素子５５が第１基板５１の面内に複数分布していても、各素子５５は均等な圧力で第２基板５２の接着層５４に押し付けられ、接着される。

また、前記図３（６）に示すように、本発明の素子転写方法では、第１基板５１上の素子５５の一部が第２基板５２の接着層５４に接触し、その状態で、第１基板を流体圧で浮上させる場合には、第１基板５１は素子５５が接着層５４に接触した点を支点Ｏとして回動して、第１基板５１は第２基板５２に対して平行になる。今、素子５５が接着層５４に接触したときの第２基板５２に対する第１基板５１の傾きをθ、支点Ｏから素子５５までの距離をｒとする。また、第２基板５２に対して第１基板５１が平行な状態で第１基板５１を浮上させた場合の素子５５の接着位置（転写位置）と、第２基板５２に対して第１基板５１がθだけ傾いた状態で第１基板５１を浮上させた時の接着位置（転写位置）との差をｄとすると、ｄ＝ｒ（１−ｃｏｓθ）となるので、θが例えば１度程度であればｄ＝０．０００１ｒであり、θが例えば３度であってもｄ＝０．００１ｒであり、ｄ≒０と見なせる。したがって、上記素子転写装置１による第１基板５１から第２基板５２への素子５５の転写は、正確な位置に行うことができる。

また、本発明の素子転写方法では、上記第１基板５１は前記図４の概略構成図により説明した基板を用いることができる。

前記図４（１）に示すように、第１基板５１は、両面が平坦度に優れ、両面の平行度に優れた平板を用いる。また、前記図４（２）に示すように、基板周辺部が基板中央部より低くなっている凸型基板を用いることができる。詳細は、前記説明した通りである。

次に、本発明の素子転写方法における上記第１基板５１の支持方法に関する変形例について、前記図５の概略構成図により説明する。

前記図５（１）に示すように、第１基板５１の周囲に、第１基板５１表面よりも低い位置に表面が位置するもので、第１基板支持部１１に固着されたガイドリング５７を備え、第１基板５１に形成される接着層５３は上記ガイドリング５７表面に延長されて接着されている構成を用いることができる。また、上記ガイドリング５７は、例えば、第１基板支持部１１に設けた吸着孔１６により真空吸着させることで、第１基板支持部１１に固着させる。

上記構成のガイドリング５７および接着層５３を用いることによって、第１基板支持部１１に形成された孔１４より気体を第１基板５１側に吹き付けた際に、第１基板５１上とガイドリング５７上との間の接着層５３が伸ばされる。言い換えれば、接着層５３によって第１基板５１が急激に浮上するのを防止することができる。これは、先に説明したように、接着層５３が樹脂塗布膜、樹脂フィルム等で形成されるので、弾性を有しているからである。このようにして、第１基板５１が第１基板５１上方に配置される第２基板（図示せず）に衝突するのを避けることができる。また、ガイドリング５７の表面が第１基板５１表面よりも低い位置に形成されていることから、第１基板支持部１１を第２基板側に上昇させた際に、ガイドリング５７が第２基板側に接触するのを防止することができる。これらによって、第２基板側の損傷を防ぎ、歩留りの向上が図れる。

前記図５（２）に示すように、第１基板５１の周囲に、第１基板５１表面よりも低い位置に表面が位置するもので、第１基板支持部１１に粘着層５８を介して固着されたガイドリング５７を備え、上記粘着層５８は、第１基板５１の裏面側およびガイドリング５７の裏面（第１基板支持部１１側の面）を粘着するもので、例えば１層の粘着層で形成されている構成を用いることができる。なお、粘着層５８は、裏面（第１基板５１とは反対側の面）は粘着性を有していない。また、第１基板５１上には素子（図示せず）を接着する接着層５３が形成されている。また、上記ガイドリング５７は、その裏面側に粘着されている粘着層５８を、例えば、第１基板支持部１１に設けた吸着孔１６により真空吸着させることで、第１基板支持部１１に固着させる。

上記構成のガイドリング５７および粘着層５８を用いることによって、第１基板支持部１１に形成された孔１４より気体を第１基板５１側に吹き付けた際に、粘着層５８によって第１基板５１が急激に浮上するのを防止することができる。これは、第１基板５１に粘着されている部分とガイドリング５７に粘着されている部分の間の粘着層５８が伸ばされるためである。これにより、第１基板５１が第２基板５２に衝突するのを避けることができる。また、ガイドリング５７の表面が第１基板５１表面よりも低い位置に形成されていることから、第１基板支持部１１を第２基板５２側に上昇させた際に、たとえ、第２基板５２に対して第１基板支持部１１が傾いても、ガイドリング５７が第２基板５２側に接触するのを防止することができる。これらによって、第２基板５２側の損傷を防ぎ、歩留りの向上が図れる。

前記図５（３）に示すように、第１基板５１の周囲に、第１基板５１表面よりも低い位置に表面が位置するもので、第１基板支持部１１に接着層５３を介して固着されたガイドリング５７を備え、素子５５が接着されるもので第１基板５１に形成される接着層５３を上記ガイドリング５７裏面に延長して接着したものを用いることができる。この接着層５３は第１基板５１表面よりガイドリング５７裏面に、例えば１層で形成されている。また、上記ガイドリング５７は、接着層５３側を、例えば、第１基板支持部１１に設けた吸着孔１６により真空吸着させることで、第１基板支持部１１に固着させる。

上記構成のガイドリング５７および接着層５３を用いることによって、第１基板支持部１１に形成された孔１４より気体を第１基板５１側に吹き付けた際に、第１基板５１上とガイドリング５７下との間の接着層５３が伸ばされる。この接着層５３によって第１基板５１が急激に浮上するのを防止することができる。これは、先に説明したように、接着層５３が樹脂塗布膜、樹脂フィルム等で形成されるので、弾性を有しているからである。このようにして、第１基板５１が第２基板５２に衝突するのを避けることができる。また、ガイドリング５７の表面が第１基板５１表面よりも低い位置に形成されていることから、第１基板支持部１１を第２基板５２側に上昇させた際に、ガイドリング５７が第２基板５２側に接触するのを防止することができる。これらによって、第２基板５２側の損傷を防ぎ、歩留りの向上が図れる。

上記素子転写方法は繰り返し行うことができる。次に、素子転写方法を繰り返し行う方法を図９、図１０のフローチャートおよび製造工程断面図によって説明する。

図９に示すように、上記「素子接近・接触工程」Ｓ１、上記「素子接着工程程」Ｓ２および上記「基板離間工程」Ｓ３を順に行った後、「第１基板の交換工程」Ｓ４（Ｓ４１）を行う。この工程では、素子転写に用いた第１基板５１を、新しい素子５５が接着された第１基板５１に交換し、上記「素子接近・接触工程」Ｓ１、上記「素子接着工程」Ｓ２および上記「基板離間工程」Ｓ３を順に行って、第２基板５２の第２接着層５４に先に接着した素子５５（５５１）の接着領域とは異なる領域に新たな素子５５（５５２）を接着する。

さらに、「第１基板の交換工程」Ｓ４（Ｓ４１）および上記「素子接近・接触工程」Ｓ１、上記「素子接着工程」Ｓ２および上記「基板離間工程」Ｓ３を繰り返し行うことで、第２基板５２の広い範囲に素子５５の転写を行うことができる。

また、図１０に示すように、上記「素子接近・接触工程」Ｓ１、上記「素子接着工程」Ｓ２および上記「基板離間工程」Ｓ３を順に行った後、「第１基板の交換工程」Ｓ４（Ｓ４０２）を行う。この工程では、先に素子転写に用いた第１基板５１に接着されていた素子の位置と異なる位置に新しい素子５５（５５２）が接着された第１基板５１に交換する。そして、この新たな第１基板５１を用いて、上記「素子接近・接触工程」Ｓ１、上記「素子接着工程」Ｓ２および上記「基板離間工程」Ｓ３を順に行う。これによって、第２基板５２の第２接着層５４に先に接着した素子５５（５５１）の接着領域において、先に接着した素子５５（５５１）の接着位置とは異なる位置に新たな素子５５（５５２）を接着することができる。すなわち、種類の異なる素子を所定の領域に転写させることができる。

さらに、「第１基板の交換工程」Ｓ４（Ｓ４２）および上記「素子接近・接触工程」Ｓ１、上記「素子接着工程」Ｓ２および上記「基板離間工程」Ｓ３を繰り返し行うことで、第２基板５２の所定の領域に複数種類の素子を転写することができる。

次に、本発明の表示装置の製造方法について図１１、図１２の製造工程図により説明する。図１１、図１２では、第１基板に接着された発光素子を第２基板に形成された接着層に接着させて、複数の発光素子を配列実装する表示装置の製造方法を説明する。具体的には、赤色発光素子５５Ｒ、緑色発光素子５５Ｇ、青色発光素子５５Ｂを搭載する表示装置の製造方法を説明する。例えば、このような表示装置としては、例えば直径もしくは矩形の１辺の長さが５μｍ〜１００μｍ程度、高さ５μｍ〜１００μｍ程度の微小なＬＥＤ（Light Emitting Diode）を多数（例えば１０個〜数百万個程度）配列したＬＥＤ表示装置がある。

図１１（１）に示すように、第１基板５１として、第１接着層５３の所定の位置に赤色発光素子５５Ｒが接着されている第１基板５１を用いる。次いで、図１１（２）に示すように、上記説明した本発明の素子転写方法によって、第１基板５１側に接着されている赤色発光素子５５Ｒを第２基板５２に形成された第２接着層５４に接着転写する。そして、図１１（３）に示すように、前記図９によって説明したように、第２基板５２の所定の領域全域に赤色発光素子５５Ｒを接着転写させる。

次に、図１１（４）に示すように、第１基板５１として、第１接着層５３の所定の位置に緑色発光素子５５Ｇが接着されている第１基板５１を用いる。次いで、図１１（５）に示すように、上記説明した本発明の素子転写方法によって、第１基板５１側に接着されている緑色発光素子５５Ｇを第２基板５２に形成された第２接着層５４に接着転写する。その際、図１１（５）に示すように、前記図１０によって説明した方法によって、先に接着した赤色発光素子５５Ｒの接着位置とは異なる所定の位置に新たな緑色発光素子５５Ｇを接着する。そして、図１１（６）に示すように、前記図９によって説明した方法によって、第２基板５２の所定の領域全域に緑色発光素子５５Ｇを接着転写させる。

次に、図１２（１）に示すように、第１基板５１として、第１接着層５３の所定の位置に青色発光素子５５Ｂが接着されている第１基板５１を用いる。次いで、図１２（２）に示すように、上記説明した本発明の素子転写方法によって、第１基板５１側に接着されている青色発光素子５５Ｂを第２基板５２に形成された第２接着層５４に接着転写する。その際、図１２（２）に示すように、前記図１０によって説明した方法によって、先に接着した赤色発光素子５５Ｒおよび緑色発光素子５５Ｇの接着位置とは異なる所定の位置に新たな青色発光素子５５Ｂを接着する。そして、図１２（３）に示すように、前記図９によって説明した方法によって、第２基板５２の所定の領域全域に青色発光素子５５Ｂを接着転写させる。

このようにして、表示装置に用いられる各色の発光素子（赤色発光素子５５Ｒ、緑色発光素子５５Ｇ、青色発光素子５５Ｂを第１基板５１から第２基板５２に転写することができた。

本発明の表示装置の製造方法は、第１基板５１側の素子５５を第２基板５２側に転写する際に、第１基板５１と第２基板５２とが平行に保持されているので、基板同士が接触することがない。このため、第２基板５２を損傷することなく、第１基板５１側の素子５５を第２基板５２側に押し付けることができるという利点がある。よって、素子５５の転写技術を用いて表示装置を製造する際の歩留りの向上が図れる。

なお、上記説明では、光の３原色である赤色、緑色、青色の発光素子を用いた表示装置の製造方法の一例を説明したが、他の色の発光素子を用いることもでき、また４色以上の発光素子を用いた表示装置の製造方法にも適用できる。

上記表示装置の製造方法では、微細なＬＥＤを埋め込んでパネル化することが容易に行えるようになる。また、上記図１１、図１２によって説明したように、各色の発光素子（例えばＬＥＤ）が各第１基板５１上に選択転写されて乗っており、多色（例えば３色）化および大画面化、タイリングをこの工程で行うことができる。

本発明の素子転写装置に係る一実施の形態の一例を示した概略構成図および要部拡大断面図である。 基板の各種状態における素子の埋め込み性の一例を示した概略構成断面図である。 基板の各種状態における素子の埋め込み性の一例を示した概略構成断面図である。 第１基板の形状の変形例を示した概略構成図である。 第１基板と第１基板支持部との支持関係の変形例の一例を示した概略構成図である。 機械的に第１基板と第２基板との平行出しを行うあおり部を搭載した素子転写装置の一例を示した概略構成図である。 機械的に第１基板と第２基板との平行出しを行うあおり部を搭載した素子転写装置の一例を示した平面レイアウト図である。 本発明の素子転写方法に係る実施の形態の一例を示した製造工程断面図である。 本発明の素子転写方法に係る実施の形態の一例を示したフローチャートおよび概略構成断面図である。 本発明の素子転写方法に係る一実施の形態の一例を示したフローチャート図および概略構成断面図である。 本発明の表示装置の製造方法に係る実施の形態の一例を示した製造工程図である。 本発明の表示装置の製造方法に係る実施の形態の一例を示した製造工程図である。 従来の素子転写方法に係る素子埋め込みの問題点を示した概略構成断面図である。 従来の素子転写方法に係る素子埋め込みの問題点を示した概略構成断面図である。

符号の説明

１…素子転写装置、１１…第１基板支持部、１２…第２基板支持部、４１…基板搬送部、５１…第１基板、５２…第２基板

Claims (12)

1. 第１基板に接着された素子を第２基板に接着させて、第２基板側に接着された素子から第１基板を離間させる素子転写装置であって、
   第１基板を載置して該第１基板裏面側を流体圧で押し圧することで該第１基板を浮上させて前記第２基板側に押し圧する第１基板支持部と、
   前記第１基板に対向するように配置される第２基板を支持する第２基板支持部と、
   前記第１基板支持部に載置された前記第１基板を前記第２基板支持部に支持された第２基板直下の所定の位置に搬送する基板搬送部と
   を備えたことを特徴とする素子転写装置。
2. 前記第１基板に接着されている素子が前記第２基板側に接触したことを感知するもので、前記第１基板支持部と前記基板搬送部との間に設けたセンサ部
   を備えたことを特徴とする請求項１記載の素子転写装置。
3. 前記第１基板は平板からなる
   ことを特徴とする請求項１記載の素子転写装置。
4. 前記第１基板は基板周辺部が基板中央部より低くなっている凸型基板からなる
   ことを特徴とする請求項１記載の素子転写装置。
5. 前記第１基板の周囲に、前記第１基板表面よりも低い位置に表面が位置するもので、前記第１基板支持部に固着されたガイドリングを有し、
   前記第１基板に形成される素子を接着する接着層が前記ガイドリング表面に延長されて接着されている
   ことを特徴とする請求項１記載の素子転写装置。
6. 前記第１基板の周囲に、前記第１基板表面よりも低い位置に表面が位置するもので、前記第１基板支持部に固着されたガイドリングを有し、
   前記第１基板の前記第１基板支持部側に貼り付けられた粘着層によって前記ガイドリングと前記第１基板支持部とが固着されている
   ことを特徴とする請求項１記載の素子転写装置。
7. 前記第１基板の周囲に、前記第１基板表面よりも低い位置に表面が位置するもので、前記第１基板支持部に固着されたガイドリングを有し、
   前記第１基板に形成される素子を接着する接着層が前記ガイドリング裏面に延長されて前記ガイドリングと前記第１基板支持部とを接着している
   ことを特徴とする請求項１記載の素子転写装置。
8. 第１基板上の素子を第２基板に形成された接着層に接着させて、第２基板側に接着された素子から第１基板を離間させる素子転写方法において、
   前記第１基板上の素子を前記第２基板に接近もしくは前記接着層の一部に接触させた状態にする素子接近・接触工程と、
   前記第１基板を流体による圧力によって前記第２基板側に押し圧して、前記素子を前記接着層に接着させる素子接着工程と、
   前記素子を前記接着層に接着した状態で前記第１基板を前記素子から引き離す基板離間工程と
   を備えたことを特徴とする素子転写方法。
9. 前記第１基板の周囲に、前記第１基板表面よりも低い位置に表面が位置するガイドリングを前記第１基板支持部に固着し、
   前記第１基板に形成される素子を接着する接着層を前記ガイドリング表面に延長して該接着層を前記ガイドリング表面に接着する
   ことを特徴とする請求項８記載の素子転写方法。
10. 前記第１基板の周囲に、前記第１基板表面よりも低い位置に表面が位置するガイドリングを用意し、
    前記第１基板の前記第１基板支持部側に貼り付けられた粘着層によって前記ガイドリングを前記第１基板支持部に固着する
    ことを特徴とする請求項８記載の素子転写方法。
11. 前記第１基板の周囲に、前記第１基板表面よりも低い位置に表面が位置するガイドリングを用意し、
    前記第１基板に形成される素子を接着する接着層を前記ガイドリング裏面に延長して、該接着層によって前記ガイドリングと前記第１基板支持部とを固着する
    ことを特徴とする請求項８記載の素子転写方法。
12. 第１基板上の発光素子を第２基板に形成された接着層に接着させて、第２基板側に接着された素子から第１基板を離間させる素子転写方法を用いて、複数の発光素子を配列実装する表示装置の製造方法において、
    前記素子転写方法は、
    前記第１基板上の素子を前記第２基板に接近もしくは前記接着層の一部に接触させた状態にする素子接近・接触工程と、
    前記第１基板を流体による圧力によって前記第２基板側に押し圧して、前記発光素子を前記接着層に接着させる素子接着工程と、
    前記発光素子を前記接着層に接着した状態で前記第１基板を前記発光素子から引き離す基板離間工程と
    を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
    
    
    
    

Images