JP5701465B2 - フリップチップボンダ及びボンディングステージの平坦度並びに変形量補正方法 - Google Patents

フリップチップボンダ及びボンディングステージの平坦度並びに変形量補正方法 Download PDF

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Description

本発明は、フリップチップボンダの構造及びボンディングステージの平坦度並びに変形量補正方法に関する。
半導体チップの電極上にレジスト等によって形成したピラーの先端にはんだの皮膜を形成した後、半導体チップを反転させて、ピラーの先端に形成したはんだの皮膜を基板の電極に押し当て、加熱してはんだを溶融させて半導体チップを基板の上に実装するフリップチップボンディング方法が多く用いられている。このように、半導体チップを反転させて基板上に実装する装置は、フリップチップボンダと呼ばれている。また、近年は、基板ではなく、ウェハ上の半導体チップの上に他の半導体チップをフリップチップボンディング方法でボンディングし、半導体チップを積層した電子部品が製造されるようになってきている。
フリップチップボンディング方法では、半導体チップの複数の電極と基板上の複数の電極を同時に接続することから、半導体チップの電極上のピラーの先端に形成したはんだ皮膜の面が同時に基板の電極に接触するように、基板と半導体チップとを平行に保つことが重要となる。そこで、基板を吸着保持するボンディングステージを上下方向に移動可能な3つの支持機構によって支持し、ボンディングステージとボンディングツールとの平行度を保つようにボンディングステージ表面の傾きを調整する方法が提案されている(例えば、特許文献1,2参照)。
特開2010−114102号公報 特開2010−114103号公報
ところで、近年、半導体チップが大型となってきており、同時に接続する電極の数が1000以上となることも珍しくなくなってきている上、電極上のピラーに先端に形成されるはんだ皮膜の厚さが5〜10μm程度と非常に薄くなってきている。そして、1000以上のピラーを同時に基板の電極にボンディングするためには、各ピラーの先端面と基板電極面とをはんだ皮膜の厚さの中に同時に収めることが要求されるようになってきている。更に、半導体チップの電極の数が多くなるにつれ、半導体チップを押し付ける荷重も大きくなってきており、近年は、ボンディングの際の押圧荷重は、500N程度になることもある。つまり、人間の体重程度の大きな押圧荷重が半導体チップ、ボンディングステージに加えられることとなる。この場合、荷重によるボンディングステージの変形により、半導体チップ、ウェハ、基板などに加わる力に分布が生じてしまい、電極あるいはピラーの部分接触が発生し、ボンディング品質が低下するという問題があった。
また、フリップチップボンディング方法では、はんだを溶融させるためにボンディングツールとともにボンディングステージの加熱も行っている。ところが、この加熱による温度上昇によって、ボンディングステージ自体にゆがみが生じると上記と同様、電極あるいはピラーの部分接触が発生し、ボンディング品質が低下するという問題があった。
更に、フリップチップボンダにおいては、ボンディングステージはXYテーブル上に固定され、ボンディング中には高速でXY方向に移動する。このため、特許文献1に記載された従来技術のように、単に120度ずつ方向をずらしたV型の溝に先端が球面のシャフトを嵌めただけの支持構造では、高速でボンディングステージが移動した際の横方向の荷重に耐えられず、ボンディングステージの位置に狂いが生じたり、ボンディングステージに振動が発生したりして良好な高速ボンディングを行うことができないという問題があった。
そこで、本発明は、フリップチップボンダにおいて、ボンディング品質の向上と高速化を図ることを目的とする。
本発明のフリップチップボンダは、基体部と、ボンディング対象物を吸着固定するボンディングステージと、基体部に取り付けられ、ボンディングステージのボンディング対象物を吸着固定する表面と反対側の面に設けられた複数の支持点をそれぞれ上下方向に支持すると共に、各支持点の上下方向位置を調整する複数の上下方向位置調整支持機構と、基体部とボンディングステージとを接続する接続部材と、を備えるフリップチップボンダであって、接続部材は、第一の辺と第二の辺とが平行な略台形形状で、第一の辺に隣接し、第一の辺に沿った第一の可撓性部と、第二の辺に隣接し、第二の辺に沿った第二の可撓性部と、第一の可撓性部と第二の可撓性部との間の剛体部とを有する板ばね機構であり、第一の辺と第二の辺とが、基体部とボンディングステージとの間に配置されていること、を特徴とする。
本発明のフリップチップボンダにおいて、接続部材は、
前記ボンディングステージの表面に沿った第一軸の方向と、前記ボンディングステージの表面に沿って前記第一軸と直交する第二軸の方向と、についての基体部に対するボンディングステージの相対移動を拘束し、且つ、基体部に対するボンディングステージの第一軸周りの第一の振りと、第二軸周りの第二の振りと、基体部に対するボンディングステージの上下方向の移動とを許容すること、としても好適である。
本発明のフリップチップボンダにおいて、板ばね機構の第一の辺は第二の辺よりも短く、板ばね機構の第一の辺は、ボンディングステージの表面と反対側の面で、ボンディングステージの重心位置よりも第一の距離だけずれた第一の位置に取り付けられ、板ばね機構の第二の辺は、基体部のボンディングステージと対向する面で、第一の位置と重心の反対側であって重心から第一の距離よりも長い第二の距離だけずれた第二の位置に取り付けられていること、としても好適である。
本発明のフリップチップボンダにおいて、ボンディングステージの各支持点を各上下方向位置調整支持機構の上に押し付ける複数の与圧ばねを含み、各上下方向位置調整支持機構は、各支持点に接するカム機構を含むこと、としても好適である。
本発明のフリップチップボンダにおいて、上下方向位置調整支持機構を動作させる制御部を含み、制御部は、ボンディングステージ各部の平坦度を示す平坦度マップを備え、ボンディング位置に応じて平坦度マップに基づいてボンディングステージの高さと傾斜とを補正する平坦度補正手段を備えていること、としても好適である。
本発明のフリップチップボンダにおいて、上下方向位置調整支持機構を動作させる制御部を含み、制御部は、ボンディングツールをボンディングステージに押し当てた際の押圧荷重によるボンディングステージ各部の予想変形量を示す変形量マップを備え、ボンディングの際の押圧位置と押圧荷重に応じてボンディングステージの予想変形量だけボンディングステージの高さと傾斜とを補正する変形量補正手段を備えていること、としても好適である。
本発明のフリップチップボンダにおいて、ボンディングステージは、熱伝導率が低い第一の層と、熱伝導率が第一の層よりも大きく、熱膨張率が第一の層と略同様な第二の層と、第二の層と同様の材料で構成されている第三の層と、第二の層と第三の層との間に挟みこまれたヒータと、を備え、各層が、ボンディングステージの表面から第一の層、第二の層、第三の層の順に構成することにより、ヒータの加熱からボンディングステージが反り返ることを抑制すること、としても好適である。
本発明のボンディングステージ平坦度補正方法は、フリップチップボンダのボンディングステージ平坦度補正方法であって、基体部と、ボンディング対象物を吸着固定するボンディングステージと、基体部に取り付けられ、ボンディングステージのボンディング対象物を吸着固定する表面と反対側の面に設けられた複数の支持点をそれぞれ上下方向に支持すると共に、各支持点の上下方向位置を調整する複数の上下方向位置調整支持機構と、基体部とボンディングステージとを接続する接続部材と、上下方向位置調整支持機構を動作させる制御部と、を備えるフリップチップボンダを用意する工程と、ボンディングステージの各部の平坦度を示す平坦度マップを制御部内に用意する工程と、制御部によって複数の上下方向位置調整支持機構を動作させ、ボンディング位置に応じて平坦度マップに基づいてボンディングステージの高さと傾斜とを補正する工程と、を備えることを特徴とする。また、本発明のボンディングステージ平坦度補正方法において、接続部材は、第一の辺と第二の辺とが平行な略台形形状で、第一の辺に隣接し、第一の辺に沿った第一の可撓性部と、第二の辺に隣接し、第二の辺に沿った第二の可撓性部と、第一の可撓性部と第二の可撓性部との間の剛体部とを有する板ばね機構であり、第一の辺と第二の辺とが、基体部とボンディングステージとの間に配置されていること、としても好適である。
本発明のボンディングステージ変形量補正方法は、フリップチップボンダのボンディングステージ変形量補正方法であって、基体部と、ボンディング対象物を吸着固定するボンディングステージと、基体部に取り付けられ、ボンディングステージのボンディング対象物を吸着固定する表面と反対側の面に設けられた複数の支持点をそれぞれ上下方向に支持すると共に、各支持点の上下方向位置を調整する複数の上下方向位置調整支持機構と、基体部とボンディングステージとを接続する接続部材と、上下方向位置調整支持機構を動作させる制御部と、を備えるフリップチップボンダを用意する工程と、ボンディングツールをボンディングステージに押し当てた際の押圧荷重によるボンディングステージ各部の予想変形量を示す予想変形量マップを制御部内に用意する工程と、制御部によって複数の上下方向位置調整支持機構を動作させ、ボンディングの際の押圧位置と押圧荷重に応じてボンディングステージの予想変形量だけボンディングステージの高さと傾斜とを補正する工程と、を備えることを特徴とする。また、本発明のボンディングステージ変形量補正方法において、接続部材は、第一の辺と第二の辺とが平行な略台形形状で、第一の辺に隣接し、第一の辺に沿った第一の可撓性部と、第二の辺に隣接し、第二の辺に沿った第二の可撓性部と、第一の可撓性部と第二の可撓性部との間の剛体部とを有する板ばね機構であり、第一の辺と第二の辺とが、基体部とボンディングステージとの間に配置されていること、としても好適である。
本発明は、フリップチップボンダにおいて、ボンディング品質の向上と高速化を図ることができるという効果を奏する。
本発明の実施形態におけるフリップチップボンダの構造を示す斜視図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップボンダの構造を示す側面図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップボンダの構造を示す平面図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップボンダの上下方向位置調整支持機構の構成と制御系統を示す説明図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップボンダの接続部材(板ばね機構)の動作を示す説明図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップボンダのボンディングステージの構造を示す断面図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップボンダのボンディングステージと、ボンディングステージの平面度マップを示す説明図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップボンダのボンディングステージの平坦度補正動作を示すフローチャートである。 本発明の実施形態におけるフリップチップボンダのボンディングステージの変形量補正動作を示すフローチャートである。 本発明の実施形態におけるフリップチップボンダのボンディングステージと、ボンディングステージの予想変形量マップを示す説明図である。 本発明の実施形態におけるフリップチップボンダのボンディングの際の押圧荷重F,ボンディングツール高さH、および、ボンディングステージの高さと傾斜の調整量の変化を示すグラフである。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。図1に示すように、本実施形態のフリップチップボンダ100は、XYテーブル11の上面に取り付けられた基体部であるベース12と、基板やウェハ等のボンディング対象物を吸着固定する円板状のボンディングステージ20と、ベース12に取り付けられ、ボンディングステージ20を上下方向に支持すると共に、ボンディングステージ20の上下方向位置を調整する複数の上下方向位置調整支持機構30と、ベース12とボンディングステージ20とを接続する接続部材である板ばね機構40と、ボンディングステージ20を上下方向位置調整支持機構30に押し付ける与圧を与える与圧ばね50と、を備えている。なお、図1は、ボンディングステージ20を取り除いた状態のフリップチップボンダ100を示している。
図1、図3に示すように、3つの上下方向位置調整支持機構30は、円板状のボンディングステージ20の外周部を120°間隔で支持するように配置されている。図1、図4に示すように、各上下方向位置調整支持機構30は、ベース12の上面に固定されたフレーム31にモータ32と、カム36とが取り付けられたものである。フレーム31は、共通の平板31dと、平板31dから突出した3つのブラケット31a,31b,31cによって構成されている。ブラケット31aの一方の垂直面には、モータ32の端面が固定され、モータ32の回転軸33は、ブラケット31aを貫通してモータ32と反対側の垂直面より突出している。一方、ブラケット31b,31cは、カム36の回転軸35を支持している。カム36の回転軸35は、ブラケット31b,31cをそれぞれ貫通し、ブラケット31bのモータ32側の垂直面よりもモータ32側に突出している。そして、ブラケット31bのモータ32側の垂直面より突出したカム36の回転軸35の端面と、モータ32の回転軸33の端面とは対向し、対向している各回転軸33,35の各端面部分は、カップリング34によって接続されている。したがって、モータ32が回転すると、回転軸33,35が回転し、それによってカム36が回転する。ここで、フレーム31とカム36と回転軸35とはカム機構を構成する。
一方、図2、図4に示すように、ボンディングステージ20は、ボンディング対象物である基板やウェハなどを吸着固定する表面21と反対側の面である下面22の外周部に、120°間隔でブラケット23と、ブラケット23に接続されたピン25と、ピン25に回転自在に取り付けられた円筒形のカムフォロワ24とが設けられている。上下方向位置調整支持機構30を構成するカム36の上面と、カムフォロワ24の外面との接点27は、ボンディングステージ20の支持点となる。したがって、3つの上下方向位置調整支持機構30はそれぞれ3つの支持点である接点27を上下方向に支持している。カム36は、回転角度と接点27の上下方向位置(Z方向位置)とが直線的に変化するような形状となっているので、カム36の回転角度を制御することによって各接点27の上下方向(Z方向)の位置を調整することができる。また、後で説明するように、ボンディングステージ20には、ヒータが組み込まれており、ボンディングの際には、ボンディングステージ20は全体的に加熱される。この際、温度の上昇によってボンディングステージ20は、外周側に向かって熱膨張し、各ブラケット23の位置もボンディングステージ20の外周側に移動する。この熱膨張によるボンディングステージ20の移動量は、カムフォロワ24がカム36に対して水平方向に移動することによって吸収されるので、ボンディングステージ20が熱膨張しても、ボンディングステージ20は、3つの上下方向位置調整支持機構30により3つの接点27を上下方向に支持してもよく、または、ピン25に固定され、カム36と接する面が平面となっているようにしてもよい。
図1に示すように、3つの上下方向位置調整支持機構30の各カム36に隣接して与圧ばね50が設けられている。与圧ばね50は、上下方向位置調整支持機構30のフレーム31の平板31dに取り付けられた2つの円筒状のばねケース51と、各ばねケース51の内部に取り付けられた各コイルばね52とによって構成されている。各コイルばね52の一端は、ボンディングステージ20に接続され、ボンディングステージ20をベース12に向かって引っ張り、図2、図4に示すカムフォロワ24と、カム36との間に押しつけ力が働くように構成されている。なお、図2、図4では、与圧ばね50は、スプリングの記号として簡略表示としている。
図1、図3に示すように、板ばね機構40は、ボンディングステージ20の下面22に固定される剛体の帯板である第一固定部材41(第一の辺)と、ベース12に固定される剛体の帯板である第二固定部材45(第二の辺)と、第一、第二固定部材41,45の間に配置される略台形の剛体部43と、第一固定部材41と剛体部43との間を接続する第一の可撓性部である帯状の第一板ばね42と、第二固定部材45と剛体部43との間を接続する第二の可撓性部である帯状の第二板ばね44と、を含んでいる。つまり、第一、第二の板ばね42,44はそれぞれ、第一、第二固定部材41,45に隣接している。また、図2、図3に示すように、第一固定部材41は、第二固定部材45よりも短く、各長さは、剛体部43の第一固定部材41側の長さおよび剛体部43の第二固定部材45側の各長さと略同様の長さとなっているので、板ばね機構40は、全体として略台形となっている。
図2、図3に示すように、第一固定部材41と第二固定部材45とは第一軸であるボンディングステージの重心位置26を通るX軸91と平行で、且つ、第二軸であるボンディングステージの重心位置26を通るY軸92と直交し、第一固定部材41と第二固定部材45のX軸91方向の中心がY軸92上に来るように、ベース12とボンディングステージ20との間に配置されている。そして、図2、図3に示すように第一固定部材41は、ボンディングステージ20の重心位置26よりもY軸92のマイナス方向に第一距離Lだけずれた位置のボンディングステージ20の下面22に固定され、第二固定部材45は、ベース12の上面で、第一固定部材41の固定位置と重心位置26の反対側であって重心位置26から第一距離Lよりも長い第二距離LだけY軸92のプラス方向にずれた位置に固定されている。また、図2に示す重心位置26を通る上下方向の軸がZ軸93である。
以上説明したように、第一板ばね42、第二板ばね44は、それぞれ第一固定部材41と剛体部43の間、および、第二固定部材45と剛体部43との間に設けられ、第一、第二固定部材41,45と隣接した帯状の板ばねであることから、第一、第二固定部材41,45と平行な方向、および、第一、第二固定部材41,45と直交する方向、すなわち、X軸91の方向およびY軸92の方向については、略剛体として機能するので、ベース12とボンディングステージ20との間のX軸91の方向、および、Y軸92の方向の相対移動を拘束する。
一方、図5に示すように、第一板ばね42、第二板ばね44は、厚みが薄いので厚み方向には容易に屈曲し、ボンディングステージ20が図5(a)に示す状態から図5(b)に示すように上下方向(Z方向)に移動すると、第一板ばね42、第二板ばね44が厚さ方向、すなわちX軸周りに曲げ変形し、第一固定部材41と第二固定部材45とが平行リンクとなるように作用し、ベース12とボンディングステージ20との間の上下方向(Z方向)の相対移動を許容する。また、同様に、第一板ばね42と第二板ばね44のX軸周りの曲げにより、ベース12とボンディングステージ20の間の図3に示すX軸91の周りの捩り94(第一の捩り)を許容する。更に、板ばね機構40の第一板ばね42は、その長さが短いので、第一固定部材41と剛体部43との間のY軸92周りの捩り95(第二の捩り)を許容する。つまり、板ばね機構40は、X軸91の方向とY軸92の方向とについてのベース12に対するボンディングステージ20の相対移動を拘束し、ベース12に対するボンディングステージ20のX軸91周りの捩り94(第一の捩り)と、Y軸92周りの捩り95(第二の捩り)と、ベース12に対するボンディングステージ20の上下方向(Z方向)の移動とを許容する。
そして、ボンディングステージ20は与圧ばね50によって3つの上下方向位置調整支持機構30のカム36に押し付けられているので、ボンディングステージ20の上下方向位置、および、X軸91周りの傾き、Y軸92周りの傾きは、3つの上下方向位置調整支持機構30によって調整される。更に、ボンディングステージ20は、リンク等のようなガタを含む可能性のある接続手法ではなく、可撓性のある第一、第二の板ばね42,44を用い、XY方向の剛性の大きい板ばね機構40によってベース12と接続されているので、高速ボンディングの際にボンディングステージ20が上下方向に移動あるいは振動したり、XY方向に移動あるいは振動したりすることを抑制することが可能であり、高速ボンディングに効果的に適用することができる。
以上説明した実施形態では、第一固定部材41と第二固定部材45とはX軸91と平行で、Y軸92と直交するように配置されていることとして説明したが、第一固定部材41と第二固定部材45とがY軸92と平行で、X軸91と直交するように配置することとしてもよい。さらに、X軸91,Y軸92は、フリップチップボンダ100における基板の搬送方向およびその直交方向でなくともよく、ボンディングステージ20の表面21に沿って互いに直交してればよい。
本実施形態のボンディングステージ20の構成を図6に示す。図6(a)に示すように、本実施形態のボンディングステージ20は、例えば、セラミックス等の熱伝導率が低い第一層20aと、熱伝導率が第一層20aよりも大きく、熱膨張率が第一層20aと略同様である、例えば、オーステナイト系のステンレス鋼等で構成された第二層20bと、第二層20bと同様の材料で構成されている第三層20cと、第二層20bと第三層20cとの間に挟みこまれたヒータ28と、を備えている。本実施形態のボンディングステージ20は、第一層20a、第二層20b、第三層20cはそれぞれ熱膨張率が同様の材料を積層した構成となっているので、ヒータ28によってボンディングステージ20を加熱した場合にもボンディングステージ20が熱によって反り返る等の変形を抑制することができ、ボンディングステージ20の表面21の平坦度を確保できるという効果を奏する。
ボンディングの際には、ヒータ28によってボンディングステージ20全体が所定の温度まで加熱される。そして、図6(b)に示すように、ボンディングステージ20の表面21の上に吸着固定された基板61に設けられている電極62の位置と、ボンディングツール70に吸着された半導体チップ65の電極65aの上に形成されたピラー66の位置とを合わせ、ボンディングツール70で半導体チップ65を加熱しながらピラー66を基板61の電極62に押し付け、ピラー66の先端に形成されているはんだ皮膜67を溶融させ、基板61の電極62の先端のメッキ層63とピラー66とをはんだで溶着し、半導体チップ65を基板61の上に実装する。この際、ボンディングステージ20の表面21の側の第一層20aは熱伝導率が低く、熱が水平方向に伝達しにくいので、ボンディングツール70の加熱による熱がボンディングしている半導体チップ65に隣接する他の半導体チップ65を加熱することが少なく、隣接領域のすでにボンディングの終了した半導体チップ65に熱が回ることを効果的に抑制して、ボンディングの終了した半導体チップ65のはんだが再溶融してしまうことを効果的に抑制することができる。
以上に述べたような構造のフリップチップボンダ100の3つの上下方向位置調整支持機構30の制御系統について説明する。図4に示すように、3つの上下方向位置調整支持機構30の各モータ32は、制御部80に接続され、制御部80の指令によって回転角度が制御される。制御部80は、内部にCPU81を含むコンピュータであり、内部に記憶部89とモータ32との間の制御信号の授受を行うモータインターフェース86とを含んでいる。記憶部89の中には、後で説明する平坦度補正プログラム82、平坦度マップ83、変形量補正プログラム84、予想変形量マップ85が格納されている。CPU81と、記憶部89と、モータインターフェース86とはデータバス87で接続されている。また、CPU81にはフリップチップボンダ100のボンディング動作を制御する主制御部110から、ボンディングツールのXY方向の位置、Z方向の位置(高さ)の指令信号と、ボンディングツールの押圧荷重の指令信号とがデータリンク88を介して入力される。
平坦度マップ83は、例えば、ボンディングステージ20の表面21を図7(a)に示すような碁盤目の細かなセクション71に分割し、各セクション71の高さを、たとえば、基準高さを0、基準高さよりも低い場合にはマイナス、基準高さよりも高い場合にはプラスとし、基準値から離れるほどその絶対値が大きくなるように図7(b)に示すような表面21のうねりを基準化したものである。そして、例えば、図7(a)および図7(b)に示すような、各セクション71のXY位置と基準化した高さ(Z方向位置)および、各セクション71の表面の傾斜角度、傾斜方向とをテーブルとしたものが図4に示す記憶部89に格納されている平坦度マップ83である。
また、予想変形量マップ85は、ボンディングステージ20の表面21を図10(a)に示すような碁盤目の細かなセクション72に分割し、図10(a)、図10(b)に示すように、あるセクション73に基準押圧荷重Fが加わった場合に、そのセクション73に発生する予想変形量である基準たわみ量dを基準化した値をテーブルとしたものである。したがって、テーブルは、押圧される1つのセクション73毎に各セクション73の基準たわみ量dが記憶されたものとなる。例えば、セクション数が100の場合には、予想変形量マップ85は、100のデータを含むものとなる。予想変形量である基準たわみ量dは、例えば、図10(a)に示すように、3つの上下方向位置調整支持機構30によって支持されている図2に示すブラケット23が設けられている付近(図10(a)において、破線で示した領域A,B,C)は、押圧荷重Fが加わってもボンディングステージ20はたわまないので基準たわみ量dは、0となり、中央部や領域A,B,Cの中間部部分などは基準押圧荷重Fによってボンディングステージ20がたわむので、図10(a)に示すように、基準たわみ量dは大きくなる。
次に、以上のように構成されたフリップチップボンダ100において、ボンディングステージ20の全体の表面の傾きを調整する場合の動作について説明する。例えば、図6(a)に示すボンディングツール70の先端をボンディングステージ20の表面21に接するまで降下させ、ボンディングツール70がボンディングステージ20の表面21に接触したボンディングツール70の先端の高さを検出することによってボンディングステージ20の表面21の高さを測定する。この測定は、表面21の任意の異なる3点、例えば、外周近傍で周方向に120°おきに位置する3つの点などにおいて行う。そして、測定した3つのボンディングステージ20の表面21の高さに基づいて、ボンディングステージ20の表面21の水平面に対する傾きを計算し、その計算結果に基づいて3つの上下方向位置調整支持機構30を動作させてボンディングステージ20の表面21の傾きを調整する。この動作は、マニュアルで行ってもよいし、制御部80と、フリップチップボンダ100の主制御部110とを連動させるようにして自動的に行うようにしてもよい。
次に、図7(b)に示すように、ボンディングステージ20の表面21にうねりがあって、表面21の平坦度がよくない場合には、図8に示すように、平坦度補正プログラム82を実行させてボンディングを行う。まず、制御部80のCPU81は、図8のステップS101に示すように、フリップチップボンダ100の主制御部110からデータリンク88を介して図6に示すボンディングツール70のXY方向の位置およびZ方向の高さの指令信号を取得し、ボンディングしようとしているセクション71を特定する。CPU81は図8のステップS102に示すように、平坦度マップ83から特定されたセクション71の基準押圧荷重Fに対する基準たわみ量dを読み出す。そして、制御部80のCPU81は、図8のステップS103に示すように、特定されたセクション71の表面を水平とするために必要な3つの上下方向位置調整支持機構30の各モータ32の回転角度を計算し、図8のステップS104に示すように、各モータ32を計算した回転角度だけ回転させて、ボンディングしようとしているセクション71の表面21を水平と平行となるように調整する。そして、制御部80は、図8のステップS105に示すように、全ボンディング位置へのボンディングが終了したかを判断し、全ボンディング位置へのボンディングが終了していない場合には、図8のステップS106に示すように、ボンディングツール70を次のボンディング位置まで移動させて、図8のステップS101に戻り、先に説明したのと同様の方法で次のボンディング位置に移動し、平坦度マップ83を参照しながら、その位置にあるセクション71の表面が水平となるように3つの上下方向位置調整支持機構30の各モータ32を回転させる。
このように、平坦度マップ83と平坦度補正プログラム82を用いてボンディングを行った場合には、ボンディングステージ20の表面21に図7(b)に示すようなうねりがある場合でも、各セクション71の表面を水平面と平行とすることにより、高い平坦度を備えているボンディングステージ20と同様、図6(b)に示す半導体チップ65の複数のピラー66と、基板61の複数の電極62とを略同時に接触させることができるので、複数のピラー66と複数の電極62の一部が接触することを抑制し、ボンディング品質を向上させることができる。
次に、予想変形量マップ85を用いて変形量補正プログラム84を実行し、ボンディングを行う場合について説明する。まず、制御部80のCPU81は、図9のステップS201に示すように、フリップチップボンダ100の主制御部110からデータリンク88を介して図6に示すボンディングツール70のXY方向の位置およびZ方向の高さHの指令信号を取得し、ボンディングしようとしているセクション73を特定する。そして、CPU81は図9のステップS202に示すように、予想変形量マップ85から特定されたセクション73の高さと表面の傾斜角度、傾斜方向のデータを読み出す。次に、制御部80は、図9のステップS203に示すように、フリップチップボンダ100の主制御部110からデータリンク88を介して押圧荷重Fの指令値を取得する。一方、フリップチップボンダ100の主制御部110は、図11(a)の時刻tから時刻tまでの間、特定されたセクション73に向かって、図11(a)に示す線aのようにボンディングツール70の高さHの指令値を低下させ、ボンディングツール70を降下させていく。そして、時刻tに図6(b)に示すボンディングツール70の先端に吸着された半導体チップ65が基板61に接する。この時点で、主制御部110から出力される押圧荷重Fの指令値はゼロとなっている。そして、主制御部110は時刻tに押圧荷重Fの指令値をゼロから上昇させ、半導体チップ65のピラー66を基板61の電極62に押し付けていく。制御部80のCPU81は、データリンク88を介して押圧荷重Fの指令値を取得する。そして、図9のステップS204に示すように、押圧荷重Fの指令値と基準押圧荷重Fとを比較し、その割合に応じて特定されたセクション73がたわむものと判断して基準たわみ量dに押圧荷重Fの指令値と基準押圧荷重Fの比率を掛けて予想たわみ量dを計算する。そして、CPU81は、その予想たわみ量dを補正するために必要な3つの上下方向位置調整支持機構30の各モータ32の必要回転角度を計算する。そして、制御部80は、図9のステップS205に示すように、計算角度だけ各モータ32を回転させ、セクション73の予想たわみ量d分だけボンディングステージ20の表面21を押し上げ、押圧荷重Fが加わっても表面21が所定の高さに保持される。この際、図11(b)に示す上下方向位置調整支持機構30によって補正されるたわみ補正量eは、予想たわみ量dと絶対値が同一で方向が逆となっているものである。
予想たわみ量dの補正が終了したら、制御部80は、図9のステップS206に示すように、ボンディングツール70による押圧が終了したかどうかを判断する。そして、制御部80は、主制御部110からデータリンク88を介して取得した押圧荷重Fの指令値がゼロとなっていなければ、押圧は終了していないと判断し、図9のステップS203に戻って、再度、主制御部110からデータリンク88を介して押圧荷重Fの指令値を取得し、図9のステップS204〜S205に示すように、押圧荷重Fの指令値に応じて発生する予想たわみ量dを計算し、その予想たわみ量dを補正するように各モータ32を回転させる。図11(a)の一点鎖線bで示すように、時刻tから時刻tにかけて押圧荷重Fが増加していくと、図11(b)に線cで、たわみ補正量eも増加していく。そして、図11(a)の時刻tに押圧荷重Fの指令値が例えば、500N等、一定となると、図11(b)に線cで示すよう、たわみ補正量eも一定の大きさとなる。この後、押圧荷重Fの指令値がゼロとなるまで(押圧終了するまで)、制御部80は、図9のステップS203〜S206を繰り返し、押圧荷重Fの指令値の変化に応じて予想たわみ量d、たわみ補正量eを変化させ、各モータ32の回転角度位置を調整し、セクション73の表面が一定の高さを保つように制御する。
時刻tになったら主制御部110は、図6に示すボンディングツール70に内蔵されているヒータ28をオンにして半導体チップ65のピラー66の先端のはんだ皮膜67を溶融させ、溶融させたはんだによってピラー66と基板61の電極62の表面のメッキ層63とを接合する。そして、主制御部110は、図11(a)に示す時刻tに押圧、加熱を停止し、図11(a)の一点鎖線bに示すように、押圧荷重Fを低下させる。制御部80は、時刻tに主制御部110から取得する押圧荷重の指令値がゼロとなったら、図9のステップS206で押圧が終了したものと判断し、図9のステップS207に示すように、全ボンディングが終了したかどうかを判断する。そして、全ボンディングが終了していない場合には、図9のステップS208に示すように次のボンディング位置に移動する。
一方、主制御部110は、図11(a)の時刻tにおいて押圧荷重Fの指令値を低減させ始めると共に、図6に示すボンディングツール70に内蔵されているヒータ28をオフとして、溶融したはんだ皮膜67を冷却して固化させ、ピラー66とメッキ層63とを接続する。そして、図11(a)の時刻tにはんだが完全に固化したら、主制御部110は図6に示すボンディングツール70を上昇させ、次のボンディング点に移動する。
以上説明したように、予想変形量マップ85を用いて変形量補正プログラム84を実行し、ボンディングを行うと、押圧荷重Fによって変形(たわみ)が発生するような剛性の低いボンディングステージ20であっても、ボンディングの際の押圧荷重Fが掛かっても、たわみ変形が発生しないのと同様の状態でボンディングを行うことができるので、高い剛性を備えているボンディングステージ20と同様、図6(b)に示す半導体チップ65の複数のピラー66と、基板61の複数の電極62とを略同時に接触させることができ、複数のピラー66と複数の電極62の一部が接触することを抑制し、ボンディング品質を向上させることができる。
以上説明した実施形態においては、予想変形量マップ85は、各セクション73に基準押圧荷重Fが掛かった際の基準たわみ量dのテーブルであるとして説明したが、基準たわみ量dの他に基準傾斜量のデータを一緒に格納し、たわみ量と共に、傾斜を補正するようにしてもよい。また、以上説明した実施形態では、3つの上下方向位置調整支持機構30によってボンディングステージ20を支持することとして説明したが、4つ或いはそれ以上の上下方向位置調整支持機構30によってボンディングステージ20を支持するようにしてもよい。また、ボンディングステージ20は円板状にかぎらず、四角い平板状であってもよい。
本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲により規定されている本発明の技術的範囲ないし本質から逸脱することない全ての変更及び修正を包含するものである。
11 XYテーブル、12 ベース、20 ボンディングステージ、20a 第一層、20b 第二層、20c 第三層、21 表面、22 下面、23 ブラケット、24 カムフォロワ、25 ピン、26 重心位置、27 接点、28 ヒータ、30 上下方向位置調整支持機構、31 フレーム、31a,31b,31c ブラケット、31d 平板、32 モータ、33,35 回転軸、34 カップリング、36 カム、40 板ばね機構、41 第一固定部材、42 第一板ばね、43 剛体部、44 第二板ばね、45 第二固定部材、50 与圧ばね、51 ばねケース、52 コイルばね、61 基板、62 電極、63 メッキ層、65 半導体チップ、65a,66 電極、66 ピラー、67 はんだ皮膜、70 ボンディングツール、71,72,73 セクション、80 制御部、81 CPU、82 平坦度補正プログラム、83 平坦度マップ、84 変形量補正プログラム、85 予想変形量マップ、86 モータインターフェース、87 データバス、88 データリンク、89 記憶部、91 X軸、92 Y軸、93 Z軸、94 X軸まわりの捩り、95 Y軸まわりの捩り、100 フリップチップボンダ、110 主制御部、d 基準たわみ量、d 予想たわみ量、e たわみ補正量、F 押圧荷重、F 基準押圧荷重、L 第一距離、L 第二距離。

Claims (11)

  1. フリップチップボンダであって、
    基体部と、
    ボンディング対象物を吸着固定するボンディングステージと、
    前記基体部に取り付けられ、前記ボンディングステージの前記ボンディング対象物を吸着固定する表面と反対側の面に設けられた複数の支持点をそれぞれ上下方向に支持すると共に、前記各支持点の上下方向位置を調整する複数の上下方向位置調整支持機構と、
    前記基体部と前記ボンディングステージとを接続する接続部材と、を備え、
    前記接続部材は、
    第一の辺と第二の辺とが平行な略台形形状で、前記第一の辺に隣接し、前記第一の辺に沿った第一の可撓性部と、前記第二の辺に隣接し、前記第二の辺に沿った第二の可撓性部と、前記第一の可撓性部と前記第二の可撓性部との間の剛体部とを有する板ばね機構であり、前記第一の辺と前記第二の辺とが、前記基体部と前記ボンディングステージとの間に配置されているフリップチップボンダ。
  2. 請求項1に記載のフリップチップボンダであって、
    前記接続部材は、
    前記ボンディングステージの表面に沿った第一軸の方向と、前記ボンディングステージの表面に沿って第一軸と直交する前記第二軸の方向と、についての前記基体部に対する前記ボンディングステージの相対移動を拘束し、且つ、前記基体部に対する前記ボンディングステージの前記第一軸周りの第一の振りと、前記第二軸周りの第二の振りと、前記基体部に対する前記ボンディングステージの上下方向の移動とを許容するフリップチップボンダ。
  3. 請求項2に記載のフリップチップボンダであって、
    前記板ばね機構の前記第一の辺は前記第二の辺よりも短く、前記板ばね機構の前記第一の辺は、前記ボンディングステージの表面と反対側の面で、前記ボンディングステージの重心位置よりも第一の距離だけずれた第一の位置に取り付けられ、
    前記板ばね機構の前記第二の辺は、前記基体部の前記ボンディングステージと対向する面で、前記第一の位置と前記重心の反対側であって前記重心から前記第一の距離よりも長い第二の距離だけずれた第二の位置に取り付けられているフリップチップボンダ。
  4. 請求項1から3のいずれか1項に記載のフリップチップボンダであって、
    前記ボンディングステージの前記各支持点を前記各上下方向位置調整支持機構の上に押し付ける複数の与圧ばねを含み、
    前記各上下方向位置調整支持機構は、前記各支持点に接するカム機構を含むフリップチップボンダ。
  5. 請求項1から4のいずれか1項に記載のフリップチップボンダであって、
    前記上下方向位置調整支持機構を動作させる制御部を含み、
    前記制御部は、
    前記ボンディングステージの各部の平坦度を示す平坦度マップを備え、
    ボンディング位置に応じて前記平坦度マップに基づいて前記ボンディングステージの高さと傾斜とを補正する平坦度補正手段を備えているフリップチップボンダ。
  6. 請求項1から5のいずれか1項に記載のフリップチップボンダであって、
    前記上下方向位置調整支持機構を動作させる制御部を含み、
    前記制御部は、
    ボンディングツールを前記ボンディングステージに押し当てた際の押圧荷重による前記ボンディングステージの各部の予想変形量を示す予想変形量マップを備え、
    ボンディングの際の押圧位置と押圧荷重に応じて前記ボンディングステージの予想変形量だけ前記ボンディングステージの高さと傾斜とを補正する変形量補正手段を備えているフリップチップボンダ。
  7. 請求項1から6のいずれか1項に記載のフリップチップボンダであって、
    前記ボンディングステージは、
    熱伝導率が低い第一の層と、
    熱伝導率が前記第一の層よりも大きく、熱膨張率が前記第一の層と略同様な第二の層と、
    前記第二の層と同様の材料で構成されている第三の層と、前記第二の層と前記第三の層との間に挟みこまれたヒータと、を備え、
    前記各層が、前記ボンディングステージの表面から前記第一の層、前記第二の層、前記第三の層の順に構成することにより、前記ヒータの加熱から前記ボンディングステージが反り返ることを抑制するフリップチップボンダ。
  8. フリップチップボンダのボンディングステージ平坦度補正方法であって、
    基体部と、ボンディング対象物を吸着固定するボンディングステージと、前記基体部に取り付けられ、前記ボンディングステージの前記ボンディング対象物を吸着固定する表面と反対側の面に設けられた複数の支持点をそれぞれ上下方向に支持すると共に、前記各支持点の上下方向位置を調整する複数の上下方向位置調整支持機構と、前記基体部と前記ボンディングステージとを接続する接続部材と、前記上下方向位置調整支持機構を動作させる制御部と、を備える前記フリップチップボンダを用意する工程と、
    前記ボンディングステージの各部の平坦度を示す平坦度マップを前記制御部内に用意する工程と、
    前記制御部によって複数の前記上下方向位置調整支持機構を動作させ、ボンディング位置に応じて前記平坦度マップに基づいて前記ボンディングステージの高さと傾斜とを補正する工程と、
    を備えるボンディングステージ平坦度補正方法。
  9. 請求項8に記載のボンディングステージ平坦度補正方法において、
    前記接続部材は、
    第一の辺と第二の辺とが平行な略台形形状で、前記第一の辺に隣接し、前記第一の辺に沿った第一の可撓性部と、前記第二の辺に隣接し、前記第二の辺に沿った第二の可撓性部と、前記第一の可撓性部と前記第二の可撓性部との間の剛体部とを有する板ばね機構であり、前記第一の辺と前記第二の辺とが、前記基体部と前記ボンディングステージとの間に配置されているボンディングステージ平坦度補正方法。
  10. フリップチップボンダのボンディングステージ変形量補正方法であって、
    基体部と、ボンディング対象物を吸着固定するボンディングステージと、前記基体部に取り付けられ、前記ボンディングステージの前記ボンディング対象物を吸着固定する表面と反対側の面に設けられた複数の支持点をそれぞれ上下方向に支持すると共に、各支持点の上下方向位置を調整する複数の上下方向位置調整支持機構と、前記基体部と前記ボンディングステージとを接続する接続部材と、前記上下方向位置調整支持機構を動作させる制御部と、を備えるフリップチップボンダを用意する工程と、
    ボンディングツールをボンディングステージに押し当てた際の押圧荷重による前記ボンディングステージの各部の予想変形量を示す予想変形量マップを前記制御部内に用意する工程と、
    前記制御部によって複数の前記上下方向位置調整支持機構を動作させ、ボンディングの際の押圧位置と押圧荷重に応じて前記ボンディングステージの予想変形量だけボンディングステージの高さと傾斜とを補正する工程と、
    を備えるボンディングステージ変形量補正方法。
  11. 請求項10に記載のフリップチップボンダのボンディングステージ変形量補正方法であって、
    前記接続部材は、
    第一の辺と第二の辺とが平行な略台形形状で、前記第一の辺に隣接し、前記第一の辺に沿った第一の可撓性部と、前記第二の辺に隣接し、前記第二の辺に沿った第二の可撓性部と、前記第一の可撓性部と前記第二の可撓性部との間の剛体部とを有する板ばね機構であり、前記第一の辺と前記第二の辺とが、前記基体部と前記ボンディングステージとの間に配置されているボンディングステージ変形量補正方法。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9093549B2 (en) * 2013-07-02 2015-07-28 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Bond heads for thermocompression bonders, thermocompression bonders, and methods of operating the same
US9136243B2 (en) * 2013-12-03 2015-09-15 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Systems and methods for determining and adjusting a level of parallelism related to bonding of semiconductor elements
US9929121B2 (en) * 2015-08-31 2018-03-27 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Bonding machines for bonding semiconductor elements, methods of operating bonding machines, and techniques for improving UPH on such bonding machines
KR102425309B1 (ko) * 2016-10-12 2022-07-26 삼성전자주식회사 본딩 헤드와 스테이지 사이의 평행도 보정 장치 및 이를 포함하는 칩 본더
JP6694404B2 (ja) * 2017-03-17 2020-05-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP6842404B2 (ja) 2017-12-08 2021-03-17 信越化学工業株式会社 粘着性基材の製造方法
JP6983123B2 (ja) 2018-07-24 2021-12-17 信越化学工業株式会社 粘着性基材、粘着性基材を有する転写装置及び粘着性基材の製造方法
WO2022024291A1 (ja) * 2020-07-30 2022-02-03 株式会社新川 実装装置及び実装装置における平行度検出方法
JP7433181B2 (ja) * 2020-09-23 2024-02-19 株式会社Screenホールディングス 描画装置
CN112571037A (zh) * 2020-11-30 2021-03-30 江苏汇成光电有限公司 一种顶针安装校正机构
WO2022130472A1 (ja) * 2020-12-14 2022-06-23 株式会社新川 半導体装置の製造装置および製造方法
US20240162062A1 (en) * 2021-03-16 2024-05-16 Vuereal Inc. A gimbal bonding tool and a method to correct surface non-uniformities using a bonding tool
USD990304S1 (en) * 2021-09-28 2023-06-27 Woodpeckers, Llc Clamping square
US11869792B2 (en) * 2021-11-02 2024-01-09 Sky Tech Inc. Alignment mechanism and alignment method of bonding machine
WO2023200659A1 (en) * 2022-04-12 2023-10-19 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Methods of adjusting a tilt between a bonding tool assembly and a support structure assembly of a bonding system, and related bonding systems
CN115651819B (zh) * 2022-09-20 2024-05-17 杭州准芯生物技术有限公司 一种试剂盒用自适应顶压组件及检测装置
CN118099297A (zh) * 2024-03-05 2024-05-28 瀚思科技发展(北京)有限公司 一种led的画面均一度提升方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05291354A (ja) * 1992-04-10 1993-11-05 Nippon Steel Corp ボンディング装置
JPH09129677A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品搭載装置
JP2000019361A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光通信ユニットの実装装置および実装方法
JP2006339464A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Sony Corp 素子転写装置、素子の転写方法および表示装置の製造方法
JP2010114102A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Alpha- Design Kk フリップチップボンダ装置の作業台板の水平化調整方法及びプログラム
JP2010114103A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Alpha- Design Kk フリップチップボンダ装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS51131274A (en) * 1975-05-10 1976-11-15 Fujitsu Ltd Tip bonding method
FR2365209A1 (fr) * 1976-09-20 1978-04-14 Cii Honeywell Bull Procede pour le montage de micro-plaquettes de circuits integres sur un substrat et installation pour sa mise en oeuvre
JPS59161040A (ja) * 1983-03-03 1984-09-11 Shinkawa Ltd インナ−リ−ドボンダ−
US4659004A (en) * 1984-02-24 1987-04-21 Pace, Incorporated Device for attaching modular electronic components to or removing them from an insulative device
JP2881743B2 (ja) * 1989-12-15 1999-04-12 株式会社東芝 電子部品の実装装置及び電子部品の実装方法、認識装置及び認識方法
US5113581A (en) * 1989-12-19 1992-05-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Outer lead bonding head and method of bonding outer lead
JP3330987B2 (ja) * 1992-11-10 2002-10-07 誠 西村 金属のろう付け方法およびその装置
JP2915350B2 (ja) * 1996-07-05 1999-07-05 株式会社アルテクス 超音波振動接合チップ実装装置
JP3255871B2 (ja) 1997-03-31 2002-02-12 住友大阪セメント株式会社 パルスヒーター及び半導体チップ実装ボードの製法
US5982132A (en) * 1997-10-09 1999-11-09 Electroglas, Inc. Rotary wafer positioning system and method
JP2001168146A (ja) 1999-12-09 2001-06-22 Sony Corp 部品装着装置及び部品装着方法
JP2002353081A (ja) * 2001-05-25 2002-12-06 Canon Inc 板部材の分離装置及び分離方法
JP2004039736A (ja) * 2002-07-01 2004-02-05 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体チップの搭載装置および搭載方法
WO2004038779A1 (ja) * 2002-10-28 2004-05-06 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. エキスパンド方法及びエキスパンド装置
JP4357189B2 (ja) * 2003-03-07 2009-11-04 株式会社リコー 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
JP4206320B2 (ja) * 2003-09-19 2009-01-07 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置の製造方法
US20050284915A1 (en) * 2004-06-15 2005-12-29 Beatson David T Apparatus and method for indexing of substrates and lead frames
JP2007214357A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Nitto Denko Corp ワーク貼付け支持方法およびこれを用いたワーク貼付け支持装置
JP4311582B1 (ja) * 2008-04-07 2009-08-12 株式会社アドウェルズ 共振器の支持装置
JP2010034423A (ja) * 2008-07-30 2010-02-12 Fujitsu Ltd 加圧加熱装置及び方法
KR20100108418A (ko) * 2008-11-14 2010-10-06 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 접합 장치 및 접합 방법
US8070039B1 (en) * 2010-08-25 2011-12-06 APCI, Inc. Linear friction welder
JP5890960B2 (ja) 2011-02-21 2016-03-22 積水化学工業株式会社 フリップチップ実装方法
JP5888927B2 (ja) * 2011-10-06 2016-03-22 株式会社ディスコ ダイアタッチフィルムのアブレーション加工方法
JP5478586B2 (ja) * 2011-11-16 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
KR20130107476A (ko) * 2012-03-22 2013-10-02 삼성전자주식회사 칩 본딩장치
JP2013248624A (ja) * 2012-05-30 2013-12-12 Disco Corp レーザー加工装置
JP6001934B2 (ja) * 2012-06-25 2016-10-05 東京応化工業株式会社 重ね合わせ装置および重ね合わせ方法
JP6014477B2 (ja) * 2012-12-04 2016-10-25 東京エレクトロン株式会社 剥離装置、剥離システムおよび剥離方法
TWI576196B (zh) * 2012-12-05 2017-04-01 Shinkawa Kk The cooling method of the joining tool cooling device and the joining tool

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05291354A (ja) * 1992-04-10 1993-11-05 Nippon Steel Corp ボンディング装置
JPH09129677A (ja) * 1995-10-27 1997-05-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品搭載装置
JP2000019361A (ja) * 1998-07-06 2000-01-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光通信ユニットの実装装置および実装方法
JP2006339464A (ja) * 2005-06-03 2006-12-14 Sony Corp 素子転写装置、素子の転写方法および表示装置の製造方法
JP2010114102A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Alpha- Design Kk フリップチップボンダ装置の作業台板の水平化調整方法及びプログラム
JP2010114103A (ja) * 2008-11-04 2010-05-20 Alpha- Design Kk フリップチップボンダ装置

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