JP6663805B2 - 実装装置および実装方法 - Google Patents
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Description
基板に半導体チップを熱圧着する実装装置であって、
半導体チップを基板に加圧する押圧面を有するボンディングヘッドと、前記押圧面によって加圧される領域を、前記基板の裏面から支持するバックアップステージと、前記基板の周縁部を保持部を用いて部分的に把持する基板把持手段とを備え、
前記基板把持手段が前記基板を把持する前記保持部の位置を変更する機能を有する実装装置である。
前記基板把持手段が前記保持部の位置を周縁に沿って移動させて、前記基板を把持する位置を変える機能を有した実装装置である。
前記基板把持手段が、前記保持部を複数有し、複数の保持部の一部のみに前記基板の周縁部を把持させ、他の保持部は前記基板の周縁部から退避させる機能を有する実装装置である。
基板に仮固定された半導体チップを熱圧着する実装方法であって、
前記半導体チップを加熱圧着するボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドと一対となって前記基板を裏面から支持するバックアップステージを用い、
前記基板の周縁部を部分的に把持する基板把持手段によって前記基板を移動させながら、前記基板上に半導体チップを順次熱圧着する過程において、
前記基板把持手段が基板を把持する位置の変更を少なくとも1回行う実装方法である。
まず、図1に示した本発明に係わる一実施形態である実装装置1について説明する。図1の説明において、図の左右方向をX軸方向、これに直交する奥行き方向をY軸方向、上下方向をZ軸方向、Z軸を中心として回転する方向をθ方向として説明する。
図6(b)は、基板Wが水平移動可能な状態を示したものであり、高さ調整機構82が「高」で、高さ調整機構81が「高」となっており、リング8Rを高さ調整機構82がピン83Pを介してが支え、保持部80Aおよび保持部80Bが基板Wを把持した状態である。この状態では基板Wの裏面は、バックアップステージ4上面より高くなる。このため、ボンディングヘッド7が上昇した状態であるならば、保持部80Aおよび保持部80Bに基板Wは把持されているので、Y方向可動部3aとX方向可動部3bによる水平移動に伴って、保持部80Aおよび保持部80Bに把持された基板Wを水平移動させることができる。なお、図6(a)の状態でバックアップステージ4が基板Wを吸着保持している場合は、吸着を解除してから、図6(b)の状態に移行する必要がある。また、図6(b)では高さ調整機構81が「高」となっているが、高さ調整機構82が「高」の状態であれば、高さ調整機構81は「低」でもよい。
2 基台
3 XYθ可動機構
3a Y方向可動部
3b X方向可動部
3θ θ方向可動部
4 バックアップステージ
5 フレーム
6 圧着ユニット
7 ボンディングヘッド
8 基板把持手段
8R リング
9 吸気手段
80、80A、80B、80a、80b、80c、80d、80X1、80X2、80Y1、80Y2 保持部
81 高さ調整機構
81P ピン
82 高さ調整機構
82P ピン
83P ピン
C 半導体チップ
W 基板
Claims (4)
- 基板に半導体チップを熱圧着する実装装置であって、
半導体チップを基板に加圧する押圧面を有するボンディングヘッドと、
前記押圧面によって加圧される領域を、前記基板の裏面から支持するバックアップステージと、
前記基板の周縁部を保持部を用いて部分的に把持する基板把持手段とを備え、
前記基板把持手段が前記基板を把持する前記保持部の位置を変更する機能を有する実装装置。 - 請求項1に記載の実装装置であって、
前記基板把持手段が前記保持部の位置を基板の周縁に沿って移動させて、前記基板を把持する位置を変える機能を有した実装装置。 - 請求項1に記載の実装装置であって、
前記基板把持手段が、前記保持部を複数有し、
複数の保持部の一部のみに前記基板の周縁部を把持させ、
他の保持部は前記基板の周縁部から退避させる機能を有する実装装置。 - 基板に仮固定された半導体チップを熱圧着する実装方法であって、
前記半導体チップを加熱圧着するボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドと一対となって前記基板を裏面から支持するバックアップステージを用い、
前記基板の周縁部を部分的に把持する基板把持手段によって前記基板を移動させながら、前記基板上に半導体チップを順次熱圧着する過程において、
前記基板把持手段が基板を把持する位置の変更を少なくとも1回行う実装方法。
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