KR100695233B1 - 기판 세정 장치 및 방법 - Google Patents

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KR100695233B1
KR100695233B1 KR1020050112502A KR20050112502A KR100695233B1 KR 100695233 B1 KR100695233 B1 KR 100695233B1 KR 1020050112502 A KR1020050112502 A KR 1020050112502A KR 20050112502 A KR20050112502 A KR 20050112502A KR 100695233 B1 KR100695233 B1 KR 100695233B1
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윤창로
최혜정
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명은 기판을 세정하는 장치를 제공한다. 세정 장치는 내부에 세정액이 채워지는 처리조를 가진다. 처리조 내에는 하나의 기판이 수용되며, 기판은 처리조에 수평상태로 놓여지고, 처리조 내에서 세정액에 잠긴 상태에서 공정이 수행된다.
세정, 처리조, 세정 장치

Description

기판 세정 장치 및 방법{APPARATUS AND METHOD FOR CLEANING A SUBSTRATE}
도 1은 일반적인 세정 장치의 일 예를 보여주는 도면;
도 2는 일반적인 세정 장치의 다른 예를 보여주는 도면;
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 세정 장치를 개략적으로 보여주는 도면;
도 4는 도 3의 처리조의 분해 사시도;
도 5는 처리조 내에서 세정액에 공정이 수행되는 상태를 보여주는 도면;
도 6은 척킹 핀의 사시도;
도 7은 2세트의 척킹 핀들이 제공된 처리조의 평면도;
도 8은 도 3과는 상이한 구조의 기판 지지 부재가 제공된 기판 세정 장치를 개략적으로 보여주는 도면;
도 9는 복수의 처리조들을 구비한 세정 장치를 보여주는 도면;
도 10과 도 11은 각각 다른 실시예에 따른 기판 세정 장치를 개략적으로 보여주는 도면들; 그리고
도 12a와 도 12b는 또 다른 실시예에 따른 기판 세정 장치를 개략적으로 보여주는 도면들이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
100 : 처리조 200 : 지지 부재
220 : 리프트 핀 어셈블리 240 : 척킹 핀
300 : 세정액 공급관 400 : 세정액 배출관
500 : 초음파 인가 부재 600 : 온도 조절 부재
700 : 경사 조절 부재
본 발명은 기판을 제조하는 장치 및 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판을 세정하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자는 증착, 사진, 식각, 그리고 연마 등과 같은 다양한 단위 공정들의 반복적인 수행에 의해 제조된다. 세정 공정은 이들 단위 공정들을 수행할 때 반도체 웨이퍼의 표면에 잔류하는 잔류 물질(residual chemicals), 작은 파티클(small particles), 오염물(contaminants), 또는 불필요한 막을 제거하는 공정이다. 최근에 웨이퍼에 형성되는 패턴이 미세화됨에 따라 세정 공정의 중요도는 더욱 커지고 있다.
반도체 웨이퍼의 세정 공정은 반도체 웨이퍼 상의 오염물질을 화학적 반응에 의해 식각 또는 박리시키는 화학 용액 처리 공정(약액 처리 공정), 약액 처리된 반도체 웨이퍼를 탈이온수로 세척하는 린스 공정, 그리고 린스 처리된 반도체 웨이퍼를 건조하는 건조 공정으로 이루어진다.
상술한 세정 공정을 수행하는 장치로는 패턴면이 상부를 향하도록 웨이퍼를 위치시키고 웨이퍼의 중심으로 약액과 세척액을 순차적으로 공급하면서 웨이퍼를 세정하는 매엽식 장치와 패턴면이 측방향을 향하도록 복수의 웨이퍼들을 처리조 내에 위치시키고 웨이퍼들이 약액 및 세척액에 잠기도록 함으로써 웨이퍼들을 세정하는 배치식 장치가 사용되고 있다.
도 1은 일반적으로 사용되고 있는 매엽식 장치(800)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1과 같은 매엽식 장치(800)는 웨이퍼(W)를 지지하며 공정 진행시 회전가능한 지지부재(820)를 수용하는 용기(810)와, 용기(810)의 외측에 배치되며 웨이퍼(W)의 중심부로 세정액을 공급하는 다수의 노즐들(840)을 가진다. 도 1의 장치의 경우, 공정 진행시 지지부재(820)를 회전시키는 장치(830)가 반드시 필요하며, 회전 장치의 제공으로 인해 장치(800)가 대형화된다. 또한, 노즐(840)을 용기(810)의 외측과 지지부재(820)의 상부간 이동시키는 노즐 이동 장치(850)가 제공되어야 하므로 설비가 대형화된다.
도 2는 일반적으로 사용되고 있는 배치식 장치(900)를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 2와 같은 배치식 장치(900)는 웨이퍼(W)의 패턴면이 측부를 향하도록 웨이퍼(W)가 처리조(920) 내에 세워진 상태에서 공정이 수행된다. 따라서 처리조(920)가 매우 높다. 또한, 이송 로봇(900)이 웨이퍼들(W)을 세워진 상태로 지지하여 처리조(920) 상부로 이동하고, 이 후 수직 하강하여 웨이퍼들(W)을 처리조(920) 내로 제공한다. 따라서 도 2와 같은 배치식 장치(900)의 경우, 상하 방향으로 매우 높은 공간을 요구한다.
본 발명은 공정 수행에 필요한 공간을 줄일 수 있는 새로운 구조의 세정 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 장치 구조를 단순화할 수 있는 새로운 구조의 세정 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 세정 효율을 향상시킬 수 있는 새로운 구조의 세정 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 기판을 세정하는 장치를 제공한다. 본 발명의 일 특징에 의하면, 기판 세정 장치는 처리조, 상기 처리조 내에 기판이 수평상태로 놓여지도록 기판을 지지하는 지지부재, 상기 처리조 내로 세정 유체를 공급하는 공급 부재, 그리고 상기 처리조 내 세정 유체가 배출되도록 상기 처리조에 결합되는 배출 부재를 가진다.
본 발명의 다른 특징에 의하면, 상기 세정 유체는 세정액을 포함하고, 상기 배출 부재는 상기 처리조의 바닥면 중 일측 가장자리에 형성된 유출구와 연결되는 배출관을 포함하며, 상기 장치에는 상기 처리조의 바닥면 중 상기 유출구가 형성된 부분이 아래쪽에 위치되도록 상기 처리조를 경사지게 이동시키는 경사 조절 부재가 제공될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 지지부재는 공정 진행 중 기판의 가장자리를 삽입하여 기판을 지지하는 척킹 핀들을 포함하며, 상기 척킹 핀들은 제 1 세트의 척킹 핀들과 제 2세트의 척킹 핀들을 포함한다. 상기 제 1세트의 척킹 핀들과 상기 제 2세트의 척킹 핀들은 서로다른 위치에서 상기 기판을 지지하도록 배치되며, 공정 진행 중 상기 기판은 상기 제 1세트의 척킹 핀들 및 상기 제 2세트의 척킹 핀들에 의해 교대로 지지된다.
상기 각각의 척킹 핀은 기판의 가장자리가 삽입되는 삽입부를 가지고, 기판이 상기 삽입부와 대응되는 높이에 위치되면, 회전 또는 직선 이동에 의해 상기 삽입부가 상기 기판의 가장자리를 삽입하는 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 세정 유체는 세정액을 포함하고 상기 장치에는 상기 처리조 내로 유입된 세정액에 초음파를 인가하는 초음파 인가 부재가 제공될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 장치에는 상기 처리조 내로 유입된 세정 유체를 가열 또는 냉각하는 온도 조절 부재가 제공될 수 있다.
본 발명의 또 다른 특징에 의하면, 상기 처리조의 측벽에는 상기 기판이 유출입되며 도어에 의해 개폐 가능한 개구가 형성되고, 상기 장치는 상기 처리조를 복수개 구비하며, 상기 처리조들은 서로 적층되도록 배치될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 세정하는 방법을 제공한다. 본 발명의 일 특징에 의하면, 세정 방법은 기판을 처리조 내에 수용하고, 상기 처리조 내로 처리용 유체를 공급하여 기판을 세정하는 공정을 수행한다. 상기 처리조 내에는 하나의 기판만을 수용하며, 상기 기판은 상기 처리조 내에서 수평상태로 놓여지고, 상기 기판은 상기 처리조에 채워진 상기 세정 유체에 잠긴 상태에서 공정이 수행된다.
일 예에 의하면, 공정 진행시 처음에 상기 기판은 제 1세트의 척킹 핀들에 의해 지지되고, 이후에는 상기 제 1세트의 척킹 핀들에 의해 지지되는 위치와는 다른 위치에서 제 2세트의 척킹 핀들에 의해 지지된다.
이하, 첨부된 도면 도 3 내지 도 12를 참조하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 위해 과장된 것이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 세정 장치(10)를 개략적으로 보여주는 도면이고, 도 4는 도 3의 처리조(100)의 사시도이다. 도 3과 도 4를 참조하면, 기판 세정 장치는 처리조(100), 지지 부재(200), 공급 부재, 그리고 배출 부재를 포함한다. 처리조(100)는 하우징(120)과 덮개(140)를 가지며, 내부에 웨이퍼(W)를 수용하여 공정을 수행하는 공간을 가진다. 하우징(120)의 일측벽에는 웨이퍼(W)가 유출입되며 도어(도시되지 않음)에 의해 개폐가능한 개구(도시되지 않음)가 형성된다.
처리조(100)에는 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 부재(200)가 설치된다. 처리조(100) 내에는 하나의 웨이퍼(W)가 수용된다. 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)는 처리조(100) 내에 수평 상태로 놓여지도록 지지되고, 웨이퍼(W)가 처리조(100) 내 에 채워진 세정 유체에 잠긴 상태에서 공정이 수행된다. 웨이퍼(W)는 패턴이 형성된 면이 상부를 향하거나 하부를 향하도록 놓여질 수 있다.
일 예에 의하면, 지지 부재(200)는 척킹 핀(240)들과 리프트 핀 어셈블리(220)를 가진다. 척킹 핀(240)은 도 6에 도시된 바와 같이 웨이퍼(W)의 가장자리 일부를 삽입하는 'ㄷ' 자 형상의 삽입부(242)를 가진다. 척킹 핀(240)은 대략 3 내지 4개가 제공되며, 이들은 서로 균등한 간격으로 배치된다. 척킹 핀(240)들은 자신의 축(244)을 중심으로 회전가능하게 제공된다.
도 7과 같이 세정 장치는 2 세트의 척킹 핀(240a, 240b)들을 가질 수 있다. 각 세트에는 3개의 척킹 핀들이 제공될 수 있다. 각 세트의 척킹 핀(240a, 240b)들은 서로 다른 부분에서 웨이퍼(W)와 접촉되도록 배치된다. 공정 진행시 처음에는 제 1세트의 척킹 핀들(240a)에 의해 웨이퍼(W)가 지지된 상태에서 공정이 수행되고, 다음에는 제 2세트의 척킹핀들(240b)에 의해 웨이퍼(W)가 지지된 상태에서 공정이 수행될 수 있다. 이는 공정이 진행되는 동안 척킹 핀(240)과 웨이퍼(W)가 접촉되는 부분에서 세정 효율이 저하되는 것을 방지한다.
리프트 핀 어셈블리(220)는 수직방향으로 상하로 이동가능하며, 처리조(100) 내로 이송된 웨이퍼(W)의 하부면을 지지하는 리프트 핀(222)들과, 이들 리프트 핀(222)들의 하단을 지지하는 받침대(224) 및 받침대(224)에 연결되어 받침대(224)를 상하로 구동하는 구동기(226)를 가진다. 리프트 핀(222)들은 3개가 제공되며, 이들은 정삼각형을 이루도록 배치될 수 있다.
처리조(100) 내로 웨이퍼(W)가 이송되면, 리프트 핀(222)들은 승강에 의해 이송로봇으로부터 웨이퍼(W)를 인계받는다. 이 때, 척킹 핀(240)들은 삽입부(242)가 형성된 면이 바깥쪽을 향하도록 위치된다. 이후, 리프트 핀(222)들이 하강된다. 웨이퍼(W)가 삽입부(242)에 대응되는 높이로 이송되면, 웨이퍼(W)의 가장자리가 삽입부(242)에 삽입되도록 척킹 핀(240)들이 회전된다. 웨이퍼(W)가 척킹 핀(240)들에 의해 지지된 상태에서 공정이 수행된다.
처음에 제 1세트의 척킹 핀(240a)들에 의해 웨이퍼(W)가 지지된 상태에서 공정이 수행되고, 일정 시간이 경과되면, 제 2세트의 척킹 핀(240b)들이 회전되어 웨이퍼(W)를 지지한다. 이후, 제 1세트의 척킹 핀(240a)들이 회전되어 웨이퍼(W)가 제 1세트의 척킹 핀(240)들로부터 자유롭도록 한다.
다른 예에 의하면, 도 8에 도시된 바와 같이 지지 부재(200)는 척킹 핀(240) 대신 덮개(140)로부터 아래 방향으로 돌출되며, 웨이퍼(W) 가장자리 영역(비 패턴면)과 접촉되도록 배치되는 고정체(260)를 가진다. 고정체(260)는 복수개가 서로 이격되도록 제공될 수 있다.
처리조(100) 내로 웨이퍼(W)가 이송되면, 리프트 핀(222)들은 승강에 의해 이송로봇(도시되지 않음)으로부터 웨이퍼(W)를 인계받는다. 이후 웨이퍼(W) 가장자리가 고정체(260)에 접촉될 때까지 리프트 핀(222)들은 더 승강한다. 웨이퍼(W)의 상부면이 고정체(260)에 접촉되고, 하부면이 리프트 핀(222)들에 의해 지지된 상태에서 세정 공정이 진행된다.
하나의 리프트 핀 어셈블리가 사용되는 경우, 공정 진행시 리프트 핀과 접촉되는 부분은 세정이 잘 이루어지지 않는다. 따라서 리프트 핀 어셈블리는 2 세트의 리프트 핀들을 구비한다. 각 세트의 리프트 핀들은 각각의 구동기에 의해 구동된다. 처음에 제 1세트의 리프트 핀들에 의해 웨이퍼(W)들이 지지된 상태에서 공정이 수행되고, 이후에 제 2세트의 리프트 핀들에 의해 웨이퍼(W)들이 지지된 상태에서 공정이 수행된다.
상술한 예에서는 처리조(100) 내에 웨이퍼(W)를 지지하는 구조를 2가지 예를 들어 설명하였다. 그러나 상술한 바와 다른 다양한 기계적 메카니즘에 의해 공정 진행 중 처리조(100) 내에서 웨이퍼(W)를 지지할 수 있다.
공급 부재는 처리조(100) 내로 세정액을 공급하고, 배출 부재는 처리조(100) 내 세정 액을 외부로 배출한다. 세정액은 약액과 세척액을 가진다. 처리조(100)의 바닥면에는 유입구(122) 및 유출구(124)가 형성된다. 공급 부재는 처리조(100) 내 유입구(122)에 연결되는 세정액 공급관(300)을 가진다. 세정액 공급관(300)은 약액을 공급하는 약액 공급관(340), 세척액을 공급하는 세척액 공급관(360), 그리고, 일단이 유입구(122)와 연결되고 타단이 약액 공급관(340) 및 세척액 공급관(360)과 연결되는 연결관(320)을 가진다. 배출 부재는 유출구(124)와 연결되는 세정액 배출관(400)을 가진다. 약액 공급관(340), 세척액 공급관(360), 세정액 배출관(400) 각각에는 내부 통로를 개폐하거나 내부를 흐르는 유체의 량을 조절하는 밸브(342, 362, 422)가 설치된다.
처음에 웨이퍼(W)가 처리조(100) 내로 유입되면, 약액 공급관(340)으로부터 처리조(100) 내로 약액이 공급된다. 약액은 웨이퍼(W)로부터 파티클이나 유기물 등과 같은 오염물질을 제거한다. 약액은 처리조(100) 내에서 웨이퍼(W)가 충분히 잠 길 수 있을 정도로 공급된다. 약액은 황산, 불산, 질산 또는 암모니아 등을 포함할 수 있다. 약액 세정이 완료되면, 약액이 처리조(100)로부터 배출되고, 세척액이 공급된다. 세척액은 약액에 의해 제거되지 않은 오염물질 및 웨이퍼(W) 상에 묻어 있는 약액을 제거한다. 세척액으로는 탈이온수가 사용될 수 있다. 세척액은 약액의 배출이 완료된 이후에 공급될 수 있으며, 선택적으로 약액의 배출과 동시에 공급될 수 있다.
상술한 예에서는 세정 장치는 약액에 의한 세정과 세척액에 의한 세정을 수행할 수 있는 구조를 가지는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 세정 장치는 약액에 의한 세정과 세척액에 의한 세정 중 어느 하나의 공정만을 수행할 수 있는 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 세정 장치는 처리조(100)에 결합되는 건조가스 공급관을 구비하여, 약액에 의한 세정 및 세척액에 의한 세정 이외에도 건조가스에 의해 웨이퍼(W)를 건조하는 건조 공정을 더 수행할 수 있다. 이 경우, 건조가스로는 이소프로필 알코올 증기와 같은 유기 용제 또는 가열된 질소가스와 같은 비활성 가스가 사용될 수 있다.
세정 장치(10a)는 상술한 처리조(100)를 복수개 구비하며, 이들 처리조(100)들은 도 9와 같이 서로 적층되도록 배치될 수 있다. 각각의 처리조(100) 아래의 공간에는 리프트 핀 어셈블리나 척킹 핀들이 설치될 수 있다. 상술한 구조는 복수의 처리조(100)들을 작은 면적 내에 설치할 수 있으므로, 설비 공간을 줄일 수 있다.
도 10은 세정 장치(10b)의 다른 예를 보여준다. 도 10을 참조하면, 세정 장치(10b)는 처리조(100), 지지 부재(200), 공급 부재, 그리고 배출 부재 이외에 초 음파 인가 부재(500)를 더 포함한다. 초음파 인가 부재(500)는 약액 또는 세척액과 같은 세정액에 초음파를 인가하여 세정 효율을 향상한다. 일 예에 의하면, 초음파 인가 부재는 처리조(100) 내에 제공되어, 처리조(100) 내 세정액에 직접 초음파를 인가할 수 있다. 이와 달리 초음파 인가 부재(500)는 세정액 공급관(300)에 설치될 수 있다.
도 11은 세정 장치(10b)의 또 다른 예를 보여준다. 도 11을 참조하면, 세정 장치(10b)는 처리조(100), 지지 부재(200), 공급 부재, 그리고 배출 부재 이외에 온도 조절 부재(600)를 가진다. 온도 조절 부재(600)는 처리조(100) 내 세정액을 공정에 적합한 온도로 가열하거나 공정에 적합한 온도로 유지함으로써 세정 효율을 향상시킨다. 온도 조절 부재(600)는 냉각수가 흐르는 냉각라인을 가지거나, 발열을 위한 히터를 가질 수 있다.
도 12a와 도 12b는 도 3의 세정 장치의 또 다른 예를 보여준다. 도 12a와 도 12b를 참조하면, 세정 장치는 처리조(100), 지지 부재(200), 공급 부재, 그리고 배출 부재 이외에 처리조(100)를 경사 변환하는 경사 조절 부재(700)를 가진다. 경사 조절 부재(700)는 처리조(100)에서 유출구(124)가 형성된 부분이 아래쪽에 위치되도록 처리조(100)의 경사를 조절한다. 이는 처리조(100)로부터 세정액을 중력에 의해 배출할 때, 처리조(100) 내에 세정액이 잔존하지 않고 전체가 배출될 수 있도록 한다.
일 예에 의하면, 경사 조절 부재(700)은 처리조(100)의 하단에 결합된 브라켓(720)과 브라켓(720)에 고정결합되며 모터(도시되지 않음)에 의해 회전되는 회전 축(740)을 가진다.
도 12a는 공정 진행시 처리조(100)가 수평 상태로 놓여진 것을 보여주고, 도 12b는 공정 완료 후 처리조(100) 내 세정액 배출을 위해 처리조(100)가 경사 상태로 놓여진 것을 보여준다.
상술한 바와 달리 세정 장치는 경사 조절 부재를 구비하지 않고, 바닥면이 유출구(124)가 형성된 영역을 향해 하향 경사지도록 형성된 처리조(100)를 구비할 수 있다.
본 발명의 장치는 일반적으로 사용되고 있는 장치에 비해 설치 공간이 작고, 설비 구조가 간단하다.
또한, 본 발명의 장치는 일반적으로 사용되고 있는 장치에 비해 세정 효율을 향상시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. 기판 세정 장치에 있어서,
    처리조와;
    상기 처리조 내에 기판이 수평 상태로 놓이도록 기판을 지지하는 지지부재와;
    상기 처리조 내로 세정 유체를 공급하는 공급부재와;
    상기 처리조 바닥면의 일 측 가장자리에 형성된 유출구에 연결되어 상기 처리조 내 세정 유체를 배출하는 배출 부재와;
    상기 처리조의 바닥면 중 상기 유출구가 형성된 부분이 아래쪽에 위치되도록 상기 처리조를 경사지게 이동시키는 경사 조절 부재;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 지지부재는,
    공정 진행 중 기판의 가장자리를 삽입하여 기판을 지지하는 척킹 핀들을 포함하되,
    상기 척킹 핀들은,
    제 1세트의 척킹 핀들과;
    상기 제 1세트의 척킹 핀들과는 다른 위치에서 상기 기판을 지지하도록 배치되는 제 2세트의 척킹 핀들을 포함하여,
    공정 진행 중 상기 기판은 상기 제 1세트의 척킹 핀들 및 상기 제 2세트의 척킹 핀들에 의해 교대로 지지되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  4. 제 3항에 있어서,
    각각의 척킹 핀은 기판의 가장자리가 삽입되는 삽입부를 가지고, 기판이 상기 삽입부와 대응되는 높이에 위치되면, 회전 또는 직선 이동에 의해 상기 삽입부가 상기 기판의 가장자리를 삽입하는 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  5. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 세정 유체는 세정액을 포함하고,
    상기 장치는,
    상기 처리조 내로 유입된 세정액에 초음파를 인가하는 초음파 인가 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  6. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 처리조 내로 유입된 세정 유체를 가열 또는 냉각하는 온도 조절 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  7. 제 1항 또는 제 3항에 있어서,
    상기 처리조의 측벽에는 상기 기판이 유출입되며 도어에 의해 개폐 가능한 개구가 형성되고,
    상기 장치는 상기 처리조를 복수개 구비하며, 상기 처리조들은 서로 적층되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 장치.
  8. 기판 세정 방법에 있어서,
    기판을 처리조 내에 수용하고, 상기 처리조 내로 처리용 유체를 공급하여 기판을 세정하는 공정을 수행하되,
    상기 처리조 내에는 하나의 기판만이 수용되어 수평상태로 놓이고, 상기 기판은 상기 처리조에 채워진 상기 세정 유체에 잠긴 상태에서 공정이 수행되며, 공정 수행 후 상기 처리조의 바닥면에 형성된 유출구가 아래쪽에 위치하도록 상기 처리조를 경사지게 이동하여 상기 세정 유체를 배출하는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    공정 진행시 처음에 상기 기판은 제 1세트의 척킹 핀들에 의해 지지되고, 이후에는 상기 제 1세트의 척킹 핀들에 의해 지지되는 위치와는 다른 위치에서 제 2세트의 척킹 핀들에 의해 지지되는 것을 특징으로 하는 기판 세정 방법.
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