KR102138383B1 - 웨이퍼 세정장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명에 따른 웨이퍼 세정장치는 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액을 수용할 수 있는 세정조; 상기 세정조의 내부에 구비되어, 상기 복수 개의 웨이퍼의 일부를 각각 수용할 수 있는 홈이 일렬로 형성된 복수 개의 스탠드 암; 상기 스탠드 암의 양단에 결합된 가이드; 및 상기 웨이퍼를 향해 초음파를 조사하는 초음파 발생부;를 포함하고, 상기 복수 개의 스탠드 암은 적어도 2 세트 이상으로 구성되고, 각 세트는 주기에 따라서 교대로 상기 웨이퍼를 지지할 수 있는 것을 특징으로 한다.
이러한 본 발명의 웨이퍼 세정장치에 따르면 초음파가 전달되지 않는 데드 존 발생의 억제하여, 데드 존에 파티클이 집중적으로 잔존하여 발생하는 파티클 패턴의 형성을 방지할 수 있어, 결과적으로, 웨이퍼 전반에 걸웨이퍼 표면에 흡착된 불순물들을 제거할 수 있는 장점이 있다.

Description

웨이퍼 세정장치{Wafer cleaning apparatus}
본 발명은 웨이퍼 지지장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 세정장치에 관한 것으로서, 웨이퍼에 접촉하여 지지하는 스탠드 암(stand arm)을 개선하여 웨이퍼 세정력을 향상시킬 수 있는 웨이퍼 지지장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 세정장치에 관한 것이다.
전자 제품들에서 사용하는 대부분의 반도체 칩이나, 태양 전지 등을 대량으로 생산하기 위해서 일반적으로 웨이퍼를 기판으로 사용한다.
이러한 실리콘 웨이퍼(wafer)는 일반적으로 고순도 다결정 실리콘을 제조한 후, 쵸크랄스키(Czochralski: CZ) 결정성장법에 따라 다결정 실리콘으로부터 단결정을 성장시켜 단결정 실리콘 봉을 생산하고 이를 얇게 절단함으로써 생산되며, 웨이퍼의 일면을 경면 연마(polishing)하고 세정한 후 최종 검사하여 제조한다.
이와 같이 제조되는 웨이퍼는 제조공정을 거치는 동안 각종 파티클, 불순물 등의 오염물질이 웨이퍼에 흡착되어 잔존할 수 있는데, 이러한 오염 물질은 반도체 소자의 수율 및 신뢰성에 악영향을 미칠 수 있다.
그렇게 때문에, 공정 중간 및 공정이 완료된 후에는 이러한 잔존 물질을 제거하기 위한 세정공정이 수행된다.
웨이퍼를 세정하기 위한 세정 방식으로는 건식 세정방식과 습식 세정방식으로 구분될 수 있다.
이 중 습식 세정 방식은 여러 가지 약액을 이용한 세정 방식으로서, 복수의 웨이퍼를 동시에 세정하는 배치타입(batch type)과 낱장 단위로 웨이퍼를 세정하는 매엽식(single wafer type)으로 구분될 수 있다.
먼저, 매엽식 세정장치는 낱장의 웨이퍼 단위로 세정하는 장치로, 고속으로 회전시킨 웨이퍼 표면에 세정액을 분사함으로써 웨이퍼의 회전에 의한 원심력과 세정액의 분사에 따른 압력을 이용하여 오염원을 제거하는 스핀 방식(spinning method)으로 세정이 진행된다.
한편, 통상적으로 웨트 스테이션(wet station)이라 지칭되는 배치타입 세정장치는 웨이퍼가 세정처리부의 처리 경로를 따라 이송되면서 일련의 처리 과정을 거치게 되는 방식으로 세정을 진행한다.
이와 같은 세정처리부에는 여러 가지 약액이 일정 비율로 혼합된 세정액이 수용되어 웨이퍼에 대한 세정공정이 수행되는 복수의 세정 유닛이 구비되고, 약액 세정공정이 완료된 웨이퍼에서 약액을 제거하기 위해 순수를 이용하여 린스 공정이 수행되는 린스 유닛이 구비된다.
그리고, 이러한 배치타입 세정장치는 규격에 따라 웨이퍼를 수용하는 케리어/카세트에 의해 이송되는 다수의 웨이퍼를 받아서 동시에 세정할 수 있다.
이를 위해, 종래의 배치타입 세정장치는 25매 또는 50매 정도의 복수의 웨이퍼를 지지수단에 안착한 상태에서 세정조에 침지하여 세정공정을 수행한다.
도 1은 일반적인 웨이퍼 세정장치 내에서 웨이퍼가 세정되는 모습을 나타내는 모식도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 웨이퍼 세정장치는 세정액을 수용하는 세정조와, 웨이퍼의 일부에 접촉하여 지지하는 지지수단과, 웨이퍼의 표면 전체를 균일하게 세정하기 위하여 초음파(mega sonic wave)를 조사하는 진동자로 구성된다.
그런데, 진동자가 초음파를 조사할 때, 웨이퍼 세정장치의 구조물(지지부, 세정조 등)에 의해 초음파가 부분적으로 차단되어, 웨이퍼의 일부에 직접적으로 조사되지 못하는 영역인 데드 존(mega sonic dead zone)이 발생하는 문제가 있다.
도 2는 웨이퍼 세정공정 후 웨이퍼에 데드 존이 발생한 모습을 나타내는 도면이다.
도 2를 보면, 불순물들이 특정 영역에 밀집하여 있는 것을 확인할 수 있으며, 이를 데드 존(50)이라 한다.
이러한 데드 존(50)은 웨이퍼 세정장치의 구조물들에 의해 초음파가 부분적으로 조사되지 않는 영역에서 발생하며, 이 영역에 밀집된 불순물들은 파티클 패턴(particle pattern)을 형성하여, 반도체 수율에 악영향을 미치는 문제점이 있다.
본 발명은 위와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 웨이퍼 지지수단의 구조를 개선하여 웨이퍼의 세정력을 향상시키는 웨이퍼 세정장치를 제공하고자 한다.
본 실시예에 따른 웨이퍼 세정장치는 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액을 수용할 수 있는 세정조; 상기 세정조의 내부에 구비되어, 상기 복수 개의 웨이퍼의 일부를 각각 수용할 수 있는 홈이 일렬로 형성된 복수 개의 스탠드 암; 상기 스탠드 암의 양단에 결합된 가이드; 및 상기 웨이퍼를 향해 초음파를 조사하는 초음파 발생부;를 포함하고, 상기 복수 개의 스탠드 암은 적어도 2 세트 이상으로 구성되고, 각 세트는 주기에 따라서 교대로 상기 웨이퍼를 지지할 수 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 웨이퍼 세정 장치에 의하면, 웨이퍼 전반에 걸쳐 원활하게 초음파를 전달하는 것이 가능하여, 웨이퍼에 대한 세정력을 높일 수 있는 장점이 있다.
좀더 상세히, 상기 웨이퍼 지지를 위한 접촉점을 주기적으로 변경하여, 웨이퍼에 초음파가 전달되지 않은 영역인 데드 존을 주기적으로 변경할 수 있으므로, 데드 존의 발생이 억제할 수 있다.
상기 데드 존 발생이 억제됨에 따라서, 데드 존에 파티클이 집중적으로 잔존하여 발생하는 파티클 패턴의 형성을 방지할 수 있다.
결과적으로, 웨이퍼 전반에 걸쳐 웨이퍼 표면에 흡착된 불순물들을 전체적으로 제거할 수 있다.
도 1은 일반적인 웨이퍼 세정장치 내에서 웨이퍼가 세정되는 모습을 나타내는 모식도이다.
도 2는 웨이퍼 세정공정 후 웨이퍼에 데드 존이 발생한 모습을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른, 웨이퍼 세정장치의 사시도를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른, 웨이퍼 지지수단의 동작을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도 5와 도 6은 본 발명의 실시예에 따른, 시소 방식으로 웨이퍼 지지수단의 각 세트가 교대로 웨이퍼를 지지하는 모습을 나타내는 도면이다.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른, 웨이퍼 세정장치의 사시도를 나타낸다.
도 3을 참조하면, 본 실시예의 웨이퍼 세정장치는 세정액이 수용되는 세정조(10)와, 상기 세정조(10)의 내부에서 웨이퍼를 지지하는 웨이퍼 지지수단(100)과, 상기 웨이퍼 지지수단(100)의 가이드(300)와, 웨이퍼를 향해 초음파를 조사하는 초음파 발생부(미도시)를 포함한다.
좀더 상세히, 상기 세정조(10)는 반도체 등의 전자부품 소재로 사용되는 웨이퍼(W)를 세정하기 위한 소정의 공간을 제공하며, 웨이퍼의 세정을 위한 세정액이 수용될 수 있다.
이러한 세정조(10)의 내부에는 웨이퍼를 지지하기 위한 웨이퍼 지지수단(100)과, 상기 웨이퍼 지지수단(100)을 지지하는 가이드(300)가 구비된다. 일반적으로, 이러한 웨이퍼 지지수단(100)과 가이드(300)는 상기 세정조(10)의 하부면에 인접하도록 형성된다.
그리고, 이러한 웨이퍼 지지수단(100)은 복수 개의 슬롯이 일렬로 형성된 복수 개의 스탠드 암(101, 102, 103, 104, 105, 106)으로 구성된다. 더 자세히, 상기 스탠드 암(101, 102, 103, 104, 105, 106)에는 웨이퍼의 일부를 수용하여 지지하기 위한 홈인 복수 개의 슬롯이 일렬로 형성된다.
이러한 슬롯은 케리어/카세트에 수용되어 있는 복수 개의 웨이퍼에 대응되도록 형성될 수 있으며, 상기 수용된 웨이퍼를 각각 수용할 수 있도록 상기 웨이퍼의 두께에 대응되는 폭으로 형성될 수 있다.
그리고, 이와 같은 스탠드 암(101, 102, 103, 104, 105, 106)은 웨이퍼를 안정적으로 지지하기 위하여, 복수 개의 스탠드 암(101, 102, 103, 104, 105, 106)이 세정조(10) 내에 소정의 간격으로 이격되어 배치될 수 있다.
예를 들어, 웨이퍼를 안정적으로 지지하기 위하여, 웨이퍼의 직경방향으로 중앙을 지지하기 위한 센터 스탠드 암(103, 104)과, 상기 중앙을 기준으로 웨이퍼의 양 끝을 지지하기 위한 사이드 스탠드 암(101, 102, 105, 106)으로 구성될 수 있다.
또한, 상기 스탠드 암의 재질은 PCTFE 또는 PEEK로 이루어질 수 있다.
이와 같은 웨이퍼 지지수단(100)의 양단에는 가이드(300)가 결합될 수 있는데, 상기 가이드(300)에 구비된 결합 홀(320)에 웨이퍼 지지수단(100)의 연장부(110)가 장착됨으로써 결합될 수 있다.
한편, 상기 세정조(10)의 내부에는 상기 웨이퍼 지지수단(100)에 의해 지지되는 웨이퍼에 초음파를 조사하는 초음파 발생부가 구비된다.
일반적으로 상기 초음파 발생부는 상기 세정조(10)의 하부에 배치되어, 진동자를 통해 초음파 진동을 웨이퍼 지지수단(100)에 의해 지지되는 웨이퍼를 향해 초음파를 세정액에 조사함으로써 웨이퍼를 세정할 수 있다.
그런데, 상기 초음파 발생부가 웨이퍼를 향해 초음파를 조사할 때, 세정조(10) 내의 구조물에 의하여 초음파가 굴절되어 웨이퍼에 초음파가 전달되지 않는 영역인 데드 존(dead zone)이 발생할 수 있다.
그리고, 상기 웨이퍼의 데드 존은 초음파가 전달되지 않음으로 세정이 원활하게 이루어지지 않아서, 세정되지 않은 파티클이 집중되는 파티클 패턴(particle pattern)의 원인이 된다.
특히, 상기 데드 존은 도 1에 도시되어 있듯이, 웨이퍼를 지지하는 지지수단(100)에 의하여 발생하는 것이 일반적이다.
본 실시예에서는 이러한 문제점을 극복하기 위하여, 웨이퍼를 지지하는 접촉 점을 시간적 간격을 두고 변경할 수 있도록 구성하여, 데드 존 발생을 억제할 수 있다.
좀더 자세히, 본 실시예의 웨이퍼 지지수단(100)은 복수 개의 스탠드 암(101, 102, 103, 104, 105, 106)이 주기적인 교대로 상기 웨이퍼를 지지하여, 데드 존 발생 영역을 주기적으로 변경함으로써, 최종적으로는 웨이퍼 전반에 걸쳐 원활한 세정을 가능하도록 할 수 있다.
이를 위하여, 상기 웨이퍼 지지수단(100)의 스탠드 암(101, 102, 103, 104, 105, 106)은 상하로 이동가능하고, 적어도 2 세트 이상으로 구성된다.
예를 들어, 상기 웨이퍼의 직경방향으로, 상기 웨이퍼의 중앙을 지지하기 위한 제 3, 4 스탠드 암(103, 104)과, 상기 중앙을 기준으로 웨이퍼의 좌측을 지지하기 위한 제 1, 2 스탠드암(101, 102)와, 상기 웨이퍼의 우측을 지지하기 위한 라이트 제 5, 6 스탠드 암(105, 106)으로 구성될 수 있다.
즉, 본 실시예의 웨이퍼 지지수단(100)은 2 세트로, 제 1 세트는 제 1, 3, 5 스탠드 암(101, 103, 105)으로 구성되고, 제 2 세트는 제 2, 4, 6 스탠드 암(102, 104, 106)으로 구성될 수 있다. 그리고, 이와 같은 각 세트들은 개별적으로 웨이퍼를 안정적으로 지지할 수 있다.
이를 통해, 상기 웨이퍼 지지수단(100)은 각 세트를 상하로 이동시켜 웨이퍼의 접촉점을 주기적으로 변경하여, 안정적으로 웨이퍼를 지지함과 동시에 웨이퍼 세정력을 높일 수 있다.
한편, 상기 스탠드 암(101, 102, 103, 104, 105, 106)을 관통하는 초음파 홀(150)을 형성하여, 데드 존의 발생을 억제할 수도 있다.
즉, 상기 초음파 홀(150)은 하부에서 발생된 초음파를 통과시킴으로써, 웨이퍼 측으로 좀더 초음파가 원활하게 전달되도록 할 수 있다.
이러한 웨이퍼 지지수단(100)의 동작에 대해 좀더 상세히 설명하기 위하여 도 4를 참조한다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른, 웨이퍼 지지수단의 동작을 모식적으로 나타낸 도면이다.
도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 지지수단(100)들은 상하 방향으로 이동할 수 있도록 구성된다.
즉, 상기 제 1 스탠드 암(101)을 기준으로 설명하면, 상기 제 1 스탠드 암(101)은 웨이퍼를 지지하기 위한 지지 위치(101a)와, 웨이퍼를 지지하지 않는 대기 위치(101b)로 이동할 수 있다.
그러므로, 상기 제 1 스탠드 암(101)에 의하여, 웨이퍼에 전달되지 못하는 데드 존 영역은 특정 주기 시간대에 한함으로, 웨이퍼에 데드 존 발생을 억제할 수 있다.
상기 제 1 스탠드 암(101)과 마찬가지로 나머지 스탠드 암도 주기에 따라 이동하기 때문에, 웨이퍼는 지지수단(100)에 의한 데드 존 발생이 억제될 수 있다
좀더 상세히, 상기 제 1 세트(101, 103, 105)가 웨이퍼를 세정 공정의 시간의 절반을 지지한 후 상기 제 2 세트(102, 104, 106)이 웨이퍼를 지지할 수 있다. 또는, 데드 존에 의한 파티클 패턴 제거를 최적화하기 위한 세정 공정 시간(process time)을 구한 후 상기 프로세스 타임의 절반씩 교대로 웨이퍼를 지지하도록 동작할 수도 있다.
이러한 웨에퍼 지지수단(100)의 동작은 제어부에 의하여 자동으로 수행될 수 있다.
즉, 사용자의 온/오프 스위치 조작에 따라 모터가 동작하여 상기 스탠드 암(101, 102, 103, 104, 105, 106)의 각 세트를 이동시키는 것도 가능하나, 상기 제어부가 기 설정된 프로세스 타임에 따라서 각 세트가 주기적으로 이동하여 웨이퍼를 지지하도록 동작시킬 수도 있다.
한편, 상기 스탠드 암의 각 세트의 이동이 정확하게 이루어지지 않는다면, 웨이퍼가 안정적으로 지지 되지 못할 수 있다.
이를 방지하기 위하여, 상기 웨이퍼 지지수단(100)의 일측에는 웨이퍼 지지수단(100)의 이동을 감지하기 위한 센서부(500)가 더 구비될 수 있다.
상기 센서부(500)는 웨이퍼 지지수단(100)의 양측에서 각 스탠드 암의 상기 지지 위치와 대기 위치에 대응되는 높이에 각각 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제 6 스탠드 암(106)이 지지 위치(106a)에 있는지 확인하는 제 1 센서부(501)와, 상기 제 5 및 6 스탠드 암(105, 106)이 대기 위치(105b, 106b)에 있는지 확인 및 제 3 및 4 스탠드 암(103, 104)가 지지 위치(103a, 104a)와 대기 위치(103b, 104b)에 있는지 확인하는 제 3 센서부(503)가 구성되고, 상기 제 1 내지 3 센서부(500)에 반대측에는 제 1 내지 4 스탠드 암(101, 102, 103, 104)의 위치를 감지하기 위한 센서부가 구성될 수 있다.
이러한 센서부(500)는 제어부로 웨이퍼 지지수단(100)의 위치를 신호로 전송할 수 있으며, 상기 제어부는 이러한 신호를 참고하여 상기 웨이퍼 지지수단(100)의 이동을 제어할 수 있다.
한편, 상기 웨이퍼 지지수단(100)을 상하로 이동시키기 위한 구동부(미도시)는 다양한 방식으로 구성될 수 있다.
예를 들어, 상기 스탠드 암(101, 102, 103, 104, 105, 106)의 일측에는 유압 실린더가 구비되어, 스탠드 암에 유압을 가함으로써, 각 세트가 교대로 웨이퍼를 지지할 수 있도록 이동시킬 수 있다.
좀더 상세히, 상기 스탠드 암의 제 1 세트(101, 103, 105)와 제 2 세트(102, 104, 106)에 별개의 유압 관을 연결하고, 교대로 각 세트마다 번갈아서 상기 유압 관을 통해 압력을 가함으로써 스탠드 암을 지지위치와 대기위치로 이동시킬 수 있다.
또는, 시소 방식으로 상기 웨이퍼 지지수단(100)을 이동시키는 것도 가능하다.
도 5와 도 6은 본 발명의 실시예에 따른, 시소 방식으로 웨이퍼 지지수단의 각 세트가 교대로 웨이퍼를 지지하는 모습을 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 제 1 세트(101, 103, 105)가 웨이퍼를 지지하고 있다.
그리고, 상기 제 1 스탠드 암(101)과, 제 2 스탠드 암(102)은 구동부(400)에 의하여 시소 연결되어 있다. 좀더 상세히, 상기 구동부(400)은 제 1 스탠드 암(101)을 지지하는 제 1 연결부(410)와, 제 2 스탠드 암(102)을 지지하는 제 2 연결부(420)와, 상기 제 1 연결부(410)와 제 2 연결부(420)과 연결된 균형점(430)과, 균형점(430)에 힘을 가할 수 있는 동작부(440)로 구성될 수 있다.
이러한 구성을 통해, 상기 구동부(400)는 상기 균형점(430)을 중심으로 상기 제 1 연결부(410)와 제 2 연결부(420)의 높이가 교차 되도록 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
예를 들어, 상기 동작부(440)가 균형점(430)에 형성된 톱니에 힘을 가하여 회전시키면, 이와 연결된 상기 제 1 연결부(410)는 상측으로 이동하고, 동시에 상기 제 2 연결부(420)는 하측으로 이동할 수 있다. 반대로, 상기 제 1 연결부(410)가 하측으로 이동하면 동시에 상기 제 2 연결부(420)가 상측으로 이동되도록 동작할 수 있다.
이를 통해, 상기 제 1 연결부(410)에 연결된 제 1 스탠드 암(101)과, 상기 제 2 연결부(420)에 연결된 제 2 스탠드 암(102)이 웨이퍼를 교대로 안정적으로 지지할 수 있다.
상기 제 1 및 2 스탠드 암(101, 102)과 마찬가지로, 상기 제 3 및 4 스탠드 암(103, 104)과, 상기 제 5 및 6 스탠드 암(105, 106)도 시소 연결된다.
그러므로, 상기 제어부는 구동부(400)를 시소 운동시켜 제 1 세트(101, 103, 105)가 지지위치에서 대기위치로 이동시킴과 동시에 제 2 세트(102, 104, 106)가 대기위치에서 지지위치로 이동되도록 할 수 있으며, 반대도 가능하다.
이러한 동작을 통하여, 상기 웨이퍼의 지지를 위한 접촉점은 변경될 수 있으며, 접촉점에 따른 데드 존 발생이 억제될 수 있다.
그리고, 이러한 데드 존 발생에 억제에 따라서 상기 웨이퍼의 전반적인 표면에 초음파가 골고루 전달될 수 있어서, 웨이퍼 표면에 흡착된 불순물들을 원활하게 세정할 수 있는 장점이 있다.
10: 세정조
100: 웨이퍼 지지수단
200: 초음파 발생부
300: 가이드
400: 구동부
500: 센서부

Claims (7)

  1. 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액을 수용할 수 있는 세정조;
    상기 세정조의 내부에 구비되어, 복수 개의 상기 웨이퍼의 일부를 각각 수용할 수 있는 홈이 일렬로 형성된 복수 개의 스탠드 암;
    상기 스탠드 암의 양단에 결합된 가이드; 및
    상기 웨이퍼를 향해 초음파를 조사하는 초음파 발생부;를 포함하고,
    상기 복수 개의 스탠드 암은 적어도 2 세트 이상으로 구성되고, 각 세트는 주기에 따라서 교대로 상기 웨이퍼를 지지할 수 있고,
    상기 스탠드 암을 상하로 이동시킬 수 있는 구동부를 더 포함하는 웨이퍼 세정장치.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동부를 주기에 따라서 동작시킬 수 있는 제어부를 더 포함하는 웨이퍼 세정장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 구동부는 유압 실린더이며,
    상기 유압 실린더는 상기 스탠드 암의 각 세트에 연결된 복수 개의 유압 관에 대해 선택적으로 유압을 가할 수 있는 웨이퍼 세정장치.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 구동부는 시소 운동을 통해 인접한 상기 스탠드 암을 교대로 상하 이동시킬 수 있는 웨이퍼 세정장치.
  6. 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액을 수용할 수 있는 세정조;
    상기 세정조의 내부에 구비되어, 복수 개의 상기 웨이퍼의 일부를 각각 수용할 수 있는 홈이 일렬로 형성된 복수 개의 스탠드 암;
    상기 스탠드 암의 양단에 결합된 가이드; 및
    상기 웨이퍼를 향해 초음파를 조사하는 초음파 발생부;를 포함하고,
    상기 복수 개의 스탠드 암은 적어도 2 세트 이상으로 구성되고, 각 세트는 주기에 따라서 교대로 상기 웨이퍼를 지지할 수 있고,
    상기 스탠드 암의 위치를 감지하는 센서부를 더 포함하는 웨이퍼 세정장치.
  7. 웨이퍼를 세정하기 위한 세정액을 수용할 수 있는 세정조;
    상기 세정조의 내부에 구비되어, 복수 개의 상기 웨이퍼의 일부를 각각 수용할 수 있는 홈이 일렬로 형성된 복수 개의 스탠드 암;
    상기 스탠드 암의 양단에 결합된 가이드; 및
    상기 웨이퍼를 향해 초음파를 조사하는 초음파 발생부;를 포함하고,
    상기 복수 개의 스탠드 암은 적어도 2 세트 이상으로 구성되고, 각 세트는 주기에 따라서 교대로 상기 웨이퍼를 지지할 수 있고,
    상기 스탠드 암에는 복수 개의 관통 홀이 형성된 웨이퍼 세정장치.
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