JP3837017B2 - 基板処理装置及び基板処理方法ならびに基板処理装置の洗浄方法 - Google Patents

基板処理装置及び基板処理方法ならびに基板処理装置の洗浄方法 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶表示器用のガラス基板や半導体ウェハなどの基板を保持した状態で洗浄処理や薬液処理などの所要の処理を施す基板処理装置及び処理方法ならびにこのような基板処理装置の洗浄方法に係り、特に処理液飛散防止用の基板周囲部材を備えた装置及び方法ならびにこのような装置の洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来のこの種の基板処理装置として、例えば特開平9−330904号公報に開示された装置を図9を参照して説明する。
この基板処理装置は、半導体ウェハなどの基板Wを水平面内で回転させながら、基板Wの表裏面に薬液処理、洗浄処理、乾燥処理をその順に施す装置である。この基板処理装置は、基板Wを水平姿勢で保持する回転支持板1を備えている。回転支持板1は平面視で円形状の平板であって、その上面に基板Wの外周縁に係合して基板Wを支持する複数個の駆動ピン2が立設されている。この駆動ピン2は、基板Wを支える大径の円柱状のピン下部2aと小径のピン上部2bが一体に連結した段付き構造となっている。
【0003】
回転支持板1の回転中心部に開口1aがあり、この開口1aに筒軸3が連結固定されている。この筒軸3はベルト機構4を介してモータ5に連結されている。筒軸3の中心に沿って液ノズル6が配設されており、この液ノズル6の先端が基板Wの下面中心部に臨んでいる。液ノズル6は薬液供給源および洗浄液供給源に選択的に接続されるようになっている。また、筒軸3と液ノズル6との間隙は窒素ガスなどの不活性ガス供給源に連通接続されている。
【0004】
基板Wを挟んで回転支持板1に平行に対向するように上部回転板7が配設されている。この上部回転板7も回転支持板1と同様に平面視で円形状の平板である。回転支持板1と同様に、上部回転板7の回転中心部に開口7aがあり、この開口7aに筒軸8が連結固定されている。この筒軸8はモータ9の出力軸に連結されている。筒軸8の中心に沿って液ノズル10が配設されており、この液ノズル10の先端が基板Wの上面中心部に臨んでいる。液ノズル6の場合と同様に、液ノズル10も薬液供給源および洗浄液供給源に選択的に接続されており、また、筒軸8と液ノズル10との間隙は不活性ガス供給源に連通接続されている。
【0005】
そして、上下に平行に配置された回転支持板1と上部回転板7を囲むように処理室を形成するカップ11が配設されており、このカップ11の底部に排気管12が連通接続されている。このカップ11の内壁面は、処理中に、回転される基板Wから飛散される薬液および洗浄液を受け止めて排気管12に案内する。
【0006】
以上のように構成された基板処理装置においては、次にように基板処理が行われる。
まず、上部回転板7が上方に退避した状態で、回転支持板1に基板Wが載置される。この基板Wは駆動ピン2によって支持される。続いて、上部回転板7が回転支持板1に対向する位置(図9の状態)にまで下降する。この状態でモータ5および9が始動して、回転支持板1および上部回転板7をそれぞれ同期して回転する。回転支持板1の回転に伴って、その回転力が駆動ピン2を介して基板Wに伝達され、基板Wも回転支持板1および上部回転板7と同期して回転する。基板Wの回転数が所定値に達すると、上下の開口1a、7aから不活性ガスを導入しながら、上下の液ノズル6、10から薬液および洗浄液をその順に供給して、基板Wの表裏面の処理を行う。基板Wの薬液処理および洗浄処理が終わると、基板Wを回転させながら不活性ガスだけを導入して、基板Wの乾燥処理を行う。
【0007】
このように薬液処理から乾燥処理までの間、回転支持板1と上部回転板7とで区画された偏平な処理空間S内で基板Wが処理される。基板Wに供給された薬液や洗浄液は不活性ガスとともに、回転支持板1および上部回転板7の回転による遠心力によって外方に追いやられて処理空間Sの外周端から排出され、カップ11の底部に連通する排気管12から排出される。
【0008】
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。飛散する処理液のミストの大部分は基板を取り囲むように設けられたカップ11によって捕らえられ、装置の周囲には及ばないようになっている。さらに、処理中の基板Wの端縁から振り切られた液滴がカップ11などで跳ね返えるのを少なくするために、基板Wからカップ11の内壁までの距離を、飛翔する液滴が減衰して落下する大きさに形成されていた。
【0009】
しかしながら、近年の半導体ウェハなどの基板の大径化に伴い、回転支持板1や上部回転板7が大型化している。そのため、装置全体を小型化する上でカップ11を小さくする要求がある。一方、基板の大径化は、例えば洗浄処理後の回転乾燥処理の初期において、基板上に付着している液滴を多くすることとなった。その分、カップ11から跳ね返る液滴が多くなり、その防止策としてカップ11を更に大きくする必要があり、装置の小型化を阻害する要因であった。
【0010】
更に、処理中に、回転される基板Wから飛散される処理液は、カップ11の内壁面に当たり、その一部が霧状のミストとなって、処理空間S内で浮遊する。この処理液のミストは、本来、排気管12から排気されるべきものであるが、回転支持板1の下方領域での気流の対流によって基板W側に逆流されていた。そのうち、カップ11の外部に飛散した処理液のミストはカップ11の外周面のみならず、カップ11の周囲の他の機構部に付着し、パーティクル発生の原因となっていた。特にカップ11の外周面の洗浄処理は通常行われず、しかも付着した処理液がレジストのような薬液の場合は、その粘度の高さのために容易に取り除くことが難しいために、それらに付着したパーティクルについてはほとんどを除去することができない。
【0011】
また、薬液を使わない場合であっても、基板処理装置が配置される空間の雰囲気中の有機物がカップ11に付着することを防止することはできず、反応生成物や高粘度の薬液以外の汚染物質もカップ11に付着することになる。この付着物が汚染源となり、基板乾燥処理時に巻き込み基板W上のパーティクルが増加する原因となる。結果、基板Wを汚染して、半導体装置の歩留まりを低下させる。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
このような不具合を防止するために、従来から、処理カップ外壁面を洗浄する装置を備えることにより、処理カップの洗浄が図られている。従来のこの種の基板処理装置として、例えば特開平11−219881号公報に開示された装置がある。この基板処理装置は、カップの外壁面に処理液供給手段により供給される処理液が付着した場合には、カップの外壁面が洗浄手段により洗浄される。したがって、カップに付着した処理液によるパーティクルの発生が防止される。
【0013】
しかしながら、上記構成を有する従来装置で、さらに装置の小型化を図る場合に以下のような問題があった。従来装置ではカップの外周部に洗浄手段を配置するためのスペースを必要とした。また、付帯して洗浄液を供給する必要から、洗浄液の消費量が多くなり経済的でなかった。
【0014】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板を回転させながら基板に処理液を供給して処理を行う基板処理装置及び処理方法ならびにこのような基板処理装置の洗浄方法に関し、特に基板へのパーティクルの付着を抑制し、基板処理の仕上がり精度を向上させることができる基板処理装置及び処理方法、ならびに基板処理装置の洗浄方法を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
上記目的を達成するために、本発明は、基板に洗浄液を供給して洗浄液による基板処理を行う基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄液供給手段から供給された洗浄液を回収する回収路と、前記保持手段に保持された基板の周囲を取り囲むように配設され、基板から飛散される洗浄液を前記保持手段に保持された基板の側方で受け止めて前記回収路に導く周囲案内部材と、前記周囲案内部材に対して基板周縁が、上方に位置するか、または下方に位置するように、前記保持手段と前記周囲案内部材とを相対的に昇降させる昇降手段と、前記昇降手段を制御して、基板周縁前記周囲案内部材より上方に位置させ、前記洗浄液供給手段より洗浄液を基板上に供給し、基板の周縁から流出した洗浄液で周囲案内部材の外壁面を洗浄する制御手段と、を具備したことを特徴とする基板処理装置である。
【0016】
請求項2に係る発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、予め指定されたタイミングで昇降手段を制御して、基板周縁を前記周囲案内部材より上方に位置させ、同時に洗浄液供給手段より洗浄液を供給するものである。
【0017】
請求項3に係る発明は、請求項1に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、洗浄液の供給中に、昇降手段を制御して、基板周縁の位置を前記周囲案内部材より下方の位置から上方の位置へ切替えることを特徴とする。
【0018】
請求項4に係る発明は、請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置において、前記昇降手段は前記周囲案内部材を昇降させるものである。
【0019】
請求項5に係る発明は、請求項1乃至4のいずれかに記載の基板処理装置において、前記保持手段は、保持した基板を回転させる回転駆動手段を具備し、周囲案内部材の外壁面を洗浄する時に、洗浄液が供給された基板を前記回転駆動手段により回転させ、基板から洗浄液を振り切って洗浄液の基板周縁からの流出を行うことを特徴とする。
【0020】
請求項6に係る発明は、基板に薬液および洗浄液を順に供給して基板の処理を行う基板処理装置において、基板を保持して回転させる回転保持手段と、前記回転保持手段に保持された基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記回転保持手段に保持された基板に薬液を供給する薬液供給手段と、前記洗浄液および薬液を回収する回収路と、前記回転保持手段に保持された基板の周囲を取り囲むように配設され、基板周縁から振り切られた洗浄液および薬液を前記回転保持手段に保持された基板の側方で受け止めて前記回収路に導く周囲案内部材と、基板周縁と前記周囲部材とが対向する第一高さ位置と、基板周縁が周囲部材より上方に位置する第二高さ位置とを切替えるように、前記回転保持手段と前記周囲部材とを相対的に昇降させる昇降手段と、前記昇降手段を制御して、基板上に前記洗浄液供給手段より洗浄液を供給する洗浄処理時中に、第一高さ位置と第二高さ位置とを切り替える制御手段と、を具備したことを特徴とする基板処理装置である。
【0021】
請求項7に係る発明は、請求項6に記載の基板処理装置において、前記制御手段は、洗浄液処理時中に、第一高さ位置に引き続き第二高さ位置に切り替えることを特徴とする。
【0022】
請求項8に係る発明は、基板単位で行われる一連の処理を、同一の処理カップ内で連続的に行う基板処理方法であって、前記一連の処理は、基板を回転させながら基板に洗浄液を供給して基板に洗浄処理を行うとともに、基板の周囲を取り囲むように配設された周囲案内部材で、基板の周縁から振り切られた洗浄液の飛散を防止する洗浄処理過程、を含み、前記洗浄処理過程中に基板を周囲案内部材より上方に位置させ、基板から振り切った洗浄液を周囲案内部材の外壁面に供給させて周囲案内部材の外壁面の洗浄処理を行うことを特徴とする基板処理方法である。
【0023】
請求項9に係る発明は、請求項8に記載の基板処理方法において、前記一連の処理は、基板を回転させながら基板に薬液を供給して基板に薬液処理を行う薬液処理過程を含むことを特徴とする。
請求項10に係る発明は、基板単位で行われる一連の処理を、同一の処理カップ内で連続的に行う基板処理方法であって、基板を回転させながら基板に洗浄液を供給して基板に洗浄処理を行うとともに、基板の周囲を取り囲むように配設された周囲案内部材で、基板の周縁から振り切られた洗浄液の飛散を防止する洗浄処理過程と、基板を周囲案内部材より上方に位置させ、基板を回転させながら基板に洗浄液を供給して、基板から振り切った洗浄液を周囲案内部材の外壁面に供給させて周囲案内部材の外壁面を洗浄する外壁面洗浄処理過程と、を具備することを特徴とする基板処理方法である。
請求項11に係る発明は、基板に洗浄液を供給して洗浄液による基板処理を行う基板処理装置であって、基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記洗浄液供給手段から供給された洗浄液を回収する回収路と、前記保持手段に保持された基板の周囲を取り囲むように配設され、基板から飛散される洗浄液を前記保持手段に保持された基板の側方で受け止めて前記回収路に導く周囲案内部材と、前記周囲案内部材に対して基板周縁が、上方に位置するか、または下方に位置するように、前記保持手段と前記周囲案内部材とを相対的に昇降させる昇降手段と、前記保持手段によって保持する基板としてダミー基板を用いた状態でユーザからの所定の操作入力を受け付ける操作スイッチと、前記操作入力に応答して前記昇降手段を制御することにより前記ダミー基板の基板周縁を前記周囲案内部材より上方に位置させるとともに、前記洗浄液供給手段より洗浄液を基板上に供給し、ダミー基板の周縁から流出した洗浄液で周囲案内部材の外壁面を洗浄する制御手段と、を具備することを特徴とする基板処理装置である。
請求項12に係る発明は、保持手段に保持された基板に洗浄液供給手段から洗浄液を供給し、前記基板から飛散する洗浄液を、前記基板の周囲を取り囲むように配設された周囲案内部材によって前記基板の側方で受け止めて回収路に導く基板処理装置において、前記周囲案内部材の外壁面を洗浄する方法であって、ダミー基板を前記保持手段に保持させる過程と、ユーザからの所定の操作入力を受け付ける過程と、前記操作入力に応答して、前記周囲案内部材よりも上方に基板周縁が位置するようにダミー基板と前記周囲案内部材とを相対的に昇降させる昇降過程と、前記洗浄液供給手段から洗浄液をダミー基板上に供給し、ダミー基板の周縁から流出した洗浄液で前記周囲案内部材の外壁面を洗浄する外壁面洗浄過程と、を具備することを特徴とする基板処理装置の洗浄方法である。
【0024】
本発明の作用は次のとおりである。請求項1に係る発明の基板処理装置においては、保持手段に保持されて基板が処理される。昇降手段が保持手段と周囲案内部材を相対的に昇降させる。周囲案内部材の外壁面を洗浄する時は、基板周縁を周囲案内部材よりも上方位置に上昇させ、基板上に洗浄液供給手段より洗浄液を供給する。供給された洗浄液は、基板周縁より流れ落ち周囲案内部材に降り注ぐ。その結果、周囲案内部材はその外壁面が洗浄液により洗浄され、パーティクルの発生が防止される。
【0025】
請求項2に係る発明の基板処理装置においては、昇降手段は予め指定されたタイミングで昇降される。その結果、洗浄液による周囲案内部材の外壁面の洗浄が自動的に行われる。例えば、基板処理のレシピに昇降手段の昇降タイミングを設定しておくことで、達成される。
【0026】
請求項3に係る発明の基板処理装置においては、基板の洗浄処理中に基板周縁が周囲案内部材より上方の位置へ切り替えられる。すなわち基板の洗浄処理に使用される洗浄液をそのまま利用して、周囲案内部材の外壁面をも洗浄することで、洗浄液の別途、必要としない。また、洗浄処理中の時間を利用して周囲案内部材も洗浄するため効率的である。
【0027】
請求項4に係る発明の基板処理装置においては、周囲案内部材が昇降することで基板周縁が周囲案内部材の上方の位置に配置される。保持手段が昇降するのに比して、周囲案内部材が昇降することで、基板上に供給された洗浄液の降り注ぎが常に安定して行われる。
【0028】
請求項5に係る発明の基板処理装置においては、基板周縁からの洗浄液の流出する際に、保持手段と基板が回転される。すなわち、洗浄液は基板から遠心力で振り切って、周囲案内部材に降り注ぐ。その結果、周囲案内部材には十分に洗浄液が降り注ぎ、より十分に洗浄される。
【0029】
請求項6に係る発明の基板処理装置においては、基板は薬液、洗浄液の順に処理される。基板はその高さ位置が、昇降手段により基板周縁が周囲案内部材と対向する第一高さ位置と、上方に位置する第二高さ位置に切り替えられる。そして、制御手段によりその切り替えは、基板を洗浄処理中に行われる。即ち、基板の洗浄処理中に周囲案内部材の上方に基板周縁を位置することで、基板に供給されその周縁より流出する洗浄液が、周囲案内部材の外壁面に降り注がれる。その結果、周囲案内部材の外壁面は洗浄液により洗浄され、パーティクルの発生が防止される。また、基板の洗浄液をそそまま利用することで、別途、洗浄液を供給する必要がない。
【0030】
請求項7に係る発明の基板処理装置においては、基板周縁と周囲案内部材の高さ位置の切り替えが、基板の洗浄処理中に行われる。そして、洗浄処理中に周囲案内部材が基板周縁に対向する状態から、上方に位置する高さの順に制御される。すなわち、基板洗浄処理の初期の汚染物をより多く含む洗浄液は周囲案内部材により飛散が防止され、それに続く基板洗浄済みの洗浄液を利用して周囲案内部材の洗浄が行われる。その結果、周囲案内部材の外壁面の洗浄が良好に行われる。
【0031】
請求項8に係る発明の基板処理方法においては、基板は回転させながら洗浄液を供給して処理される。その際、周囲案内部材は基板の周囲を取り囲むように配設され、基板から振り切られる洗浄液の飛散が防止される。この洗浄処理工程中に基板が周囲案内部材より上方に位置する。それにより、基板より振り切られる洗浄液は、周囲案内部材の外壁面に降り注ぎ、周囲案内部材の外壁面が洗浄される。その結果、周囲案内部材の外壁面の付着物によるパーティクルの発生が防止される。
【0032】
請求項9に係る発明の基板処理方法においては、基板は薬液処理も行われる。すなわち、薬液の飛散が周囲案内部材の外壁面に付着しても、洗浄工程中に基板周囲部材の外壁面が、洗浄液により洗浄されるので、周囲案内部材の外壁面は常に清浄である。
また、請求項11および請求項12に係る発明においては、ダミー基板を用いることにより、操作スイッチの操作によって任意のタイミングで周囲案内部材の外壁面の洗浄を実行できる。
【0033】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
<第1実施例>
図1は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。この装置は、処理対象の半導体ウエハ(基板)Wに薬液や純水を用いた回転処理を施すためのものである。
【0034】
基板Wは、基板保持手段としてのスピンチャック1に水平姿勢で保持される。このスピンチャック1は、回転軸2の上端に一体回転可能に取り付けられた回転支持板としてのスピンベース3を有している。スピンベース3の上面には、基板Wの外周端縁を3箇所以上で保持する基板保持部材4が、スピンベース3の周縁に沿って等間隔で立設されている。なお、図1以下では、図面が煩雑になることを避けるために、2個の基板保持部材4のみを示している。
【0035】
各基板保持部材4は、基板Wの外周端縁を下方から支持する支持面4aと支持面4aに支持された基板Wの外周端面に当接して基板Wの移動を規制する案内立ち上がり面4bとを備えている。
【0036】
回転軸2の下端付近には、ベルト伝動機構5などによって回転駆動手段としての電動モーター6が連動連結されていて、電動モーター6を駆動することによって、回転軸2、スピンチャック1とともに、スピンチャック1に保持された基板Wを鉛直方向の軸芯J周りで回転させる。
【0037】
また、回転軸2は中空を有する筒状の部材で構成され、この中空部に洗浄液供給管7が貫通され、その上端部の洗浄液供給部7aからスピンチャック1に保持された基板Wの下面の回転中心付近に洗浄液を供給できるように構成されている。洗浄液供給管7は配管8に連通接続されている。この配管8の基端部は分岐されていて、一方の分岐配管8aには薬液供給源9が連通接続され、他方の分岐配管8bには純水供給源10が連通接続されている。各分岐配管8a、8bには開閉バルブ11a、11bが設けられていて、これら開閉バルブ11a、11bの開閉を切り換えることで、洗浄液供給部7aから薬液と純水とを選択的に切り換えて供給できるようになっている。
【0038】
また、回転軸2の中空部の内壁面と洗浄液供給管7の外壁面との間の隙間は、気体供給路12となっている。この気体供給路12は、開閉バルブ13が設けられた配管14を介して気体供給源15に連通接続されていて、気体供給路12の上端部の気体供給部12aからスピンベース3と基板Wの下面との間の空間に、清浄な空気や清浄な不活性ガス(窒素ガスなど)などの清浄な気体を供給できるように構成されている。
【0039】
回転軸2やベルト伝動機構5、電動モーター6などは、この基板処理装置の底板としてのベース部材20上に設けられた円筒状のケーシング16内に収容されている。
【0040】
ベース部材20は略円盤状で、その上面でケーシング16の周囲には受け部材21が固定的に取り付けられている。受け部材21には、円筒状の仕切り部材22a、22bが立設されていて、これら仕切り部材22a、22bとケーシング16の外壁面とによって、各々平面視でドーナツ形状の第1の排液槽24a、第2の排液槽24bが形成されている。ケーシング16の外壁面と内側の仕切り部材22aの内壁面との間の空間が排気を兼ねる第1の排液槽24aであり、内側の仕切り部材22aの外壁面と外側の仕切り部材22bの内壁面との間の空間が第2の排液槽24bである。
【0041】
第1の排液槽24aの底部には回収ドレイン27に連通接続された第1の排液口28aが設けらている。この第1の排液口28aは、排気ダクトにも連通接続され排気口としても機能し、第1の排液口28aから第1の排液槽24a内の気体も吸引されるように構成されている。また、第2の排液槽24bの底部には廃棄ドレイン29に連通接続された第2の排液口28bが設けられている。
【0042】
なお、図1以下では、図面が煩雑になることを避けるために、各仕切り部材22a、22b、及び、後述する周囲案内部材30(スプラッシュガード)は、断面形状のみを示している。そして、このベース部材20の構造が、この基板処理装置の処理カップに相当する。
【0043】
第1、第2の排液槽24a、24bの上方には、スピンチャック1及びそれによって保持された基板Wの周縁の周囲を包囲するように、軸芯Jに対して略回転対称な形状を有する筒状の周囲案内部材30が昇降自在に設けられている。次に図2も参照して、周囲案内部材30について説明する。図2は、周囲案内部材30の全体斜視図である。周囲案内部材30は、その外壁面で支持部材41を介して昇降機構40に支持されている。この昇降機構40は、図示しないモーターを駆動することにより昇降され、これに伴って周囲案内部材30がスピンチャック1に対して昇降されるようになっている。そして、図3に示すように、この昇降制御は、制御部50によって行われるように構成されている。
【0044】
周囲案内部材30は、軸芯Jに対して回転対称な形状を有する内壁面を有している。この内壁面には、上部の2箇所に形成された傾斜面31a、31bにより、断面がくの字状の回収案内部31が形成されている。さらに、回収案内部31の下端部には垂直部33a、33bが連なっている。各垂直部33a、33bは、その上端で連結されており、この連結部分には円周方向に、垂直部33aと垂直部33bの間に円環状の溝36が形成されていている。この溝36が仕切り部材22aに嵌入されるとともに、垂直部33aが第1の排液槽24a内に、垂直部33bが、第2の排液槽24b内に嵌入されるように、周囲案内部材30が配置されている。
【0045】
この回収案内部31は、スピンチャック1に保持された基板Wの高さ位置(第一高さ位置HW)に、回収案内部31が位置しているとき、回転される基板Wから振り切られる洗浄液が傾斜面31a、31bで受け止められ、回収案内部31、垂直部33aに沿って第1の排液槽24aに導かれ、第1の排液口28aから排液するための部位である。
【0046】
この装置では、回収案内部31、垂直部33a、第1の排液槽24a、第1の排液口28aは洗浄液の回収に用いられ、第1の排液口28aから回収ドレイン27を経て図示しない回収タンクへ回収され、再利用されるようになっている。そして、この実施例では、第1の排液槽24aと第1の排液口28aが本発明の洗浄液の回収路に相当する。
【0047】
一方、周囲案内部材30の上方側の部位には、上方に向かうほど径が小さくなるように形成された傾斜面からなる上面30aが形成されており、この上面30aの下端側には、垂直な円筒面30bが連なっている。円筒面30aの下端は、スピンチャック1側に傾斜する傾斜面30cが形成され、その下端で垂直部33bに連なっている。従って、上面30a、円筒面30b、傾斜面30cと垂直部33bの外周面とによって、周囲案内部材30の外壁面が形成されている。
【0048】
そして、後述する基板Wの周縁が周囲案内部材30の上方に位置する高さ位置(第二高さ位置LW)に、周囲案内部材30が位置しているとき、回転される基板Wから降り注ぐ洗浄液は上面30aで受け止められ、円筒面30bに沿い、第2の排液槽24bに導かれ、第2の排液口28bから排液されることになる。この装置では、第2の排液口28bから廃棄ドレイン29を経て廃液が廃棄されるようになっている。
【0049】
次に、この実施例装置においては、スピンチャック1の上下方向位置は常に一定に保たれる一方で、周囲案内部材30が必要に応じて昇降されるようになっている。具体的には、周囲案内部材30は、スピンチャック1に保持されて回転される基板Wから側方に振り切られる洗浄液を回収案内部31で受け止める第一高さ位置(HW)と、同じくスピンチャック1に保持された基板Wの周縁から流出して降り注ぐ洗浄液を上面30aで受け止める第二高さ位置(LW)との2段階の高さに選択的に昇降される。
【0050】
周囲案内部材30の上記昇降移動は、昇降機構40によって行われるようになっている。昇降機構40は、ボールネジなどの周知の1軸方向駆動機構(図示せず)を備えていて、この1軸方向駆動機構で支持部材41を昇降させることで、周囲案内部材30を上記第一高さ位置(HW)と第二高さ位置(LW)の間で昇降させるように構成している。また、周囲案内部材30の各々の高さ位置に対応する昇降機構40の高さ位置には、反射型の光センサ(いずれも図示せず)などで構成される昇降検出用のセンサが配設され、これらセンサからの検出信号に基づき、モーターが駆動制御され周囲案内部材30が各高さ位置に位置させるように構成されている。
【0051】
図1に戻って、スピンチャック1の上方には中心部に開口を有する雰囲気遮断部材60が配置されている。この雰囲気遮断部材60は、基板Wの径より若干大きく、かつ、周囲案内部材30の開口32の径Rよりも小さい径を有していて、中空を有する筒状の支持軸61の下端部に一体回転可能に取り付けられている。
【0052】
支持軸61は、支持アーム62に回転自在に支持されている。支持軸61には従動プーリ63が一体回転可能に取り付けられている。その従動プーリ63と、モーター64の駆動軸に連結された主動プーリ65との間に無端ベルト66が架け渡されていて、モーター64を駆動することにより支持軸61とともに雰囲気遮断部材60が鉛直方向の軸芯J周りに回転されるように構成されている。
【0053】
また、支持アーム62は、接離機構67によって昇降され、この支持アーム62の昇降によって、スピンチャック1に対して雰囲気遮断部材60が接離されるように構成されている。この装置では、雰囲気遮断部材60がスピンチャック1に保持された基板Wの上面に対して近接する近接位置と、雰囲気遮断部材60がスピンチャック1に保持された基板Wの上面から上方に離れた離間位置との間で昇降できるように構成されている。このような接離動を実現する接離機構67は、昇降機構40と同様に螺軸などを用いた機構や、あるいは、エアシリンダなどで構成されている。そして、図3に示すように、この接離制御も制御部50によって行われるように構成されている。
【0054】
図1に戻って、雰囲気遮断部材60の中心の開口及び支持軸61の中空部には、洗浄液供給管70が貫通され、その下端部の洗浄液供給部70aからスピンチャック1に保持された基板Wの上面の回転中心付近に洗浄液を供給できるように構成されている。洗浄液供給管70は配管71に連通接続されている。この配管71の基端部は分岐されていて、一方の分岐配管71aには薬液供給源9が連通接続され、他方の分岐配管71bには純水供給源10が連通接続されている。各分岐配管71a、71bには開閉バルブ72a、72bが設けられていて、これら開閉バルブ72a、72bの開閉を切り換えることで、洗浄液供給部70aから薬液と純水とを選択的に切り換えて供給できるようになっている。
【0055】
また、雰囲気遮断部材60の中心の開口の内壁面及び支持軸61の中空部の内壁面と、洗浄液供給管70の外壁面との間の隙間は、気体供給路73となっている。この気体供給路73は、開閉バルブ74が設けられた配管75を介して気体供給源15に連通接続されていて、気体供給路73の下端部の気体供給部73aから雰囲気遮断部材60と基板Wの上面との間の空間に清浄な気体を供給できるように構成されている。
【0056】
図3は、本装置の制御系の構成を示すブロック図であり、スピンチャック1を回転制御するための電動モーター6と、雰囲気遮断部材60の回転制御するためのモーター64と、洗浄液供給部7a、70aからの薬液、純水、気体の供給制御をするための開閉バルブ11a、11b、13、72a、72b、74と、周囲案内部材30の昇降制御をするための昇降機構40と、雰囲気処断部材60の接離制御をするための接離機構68とを制御するための構成が示されている。制御部50には、周囲案内部材30が各高さ(LW、HW)に位置したことを検出するセンサからの出力信号が与えられており、これらのセンサの出力に基づいて、制御部50は昇降機構40を制御して、周囲案内部材30を所望の高さ(LW、HW)に位置させるように制御している。そして、基板Wに応じた洗浄条件が、洗浄プログラム(レシピーとも呼ばれれる)として予め制御部50に格納されており、各基板Wごとの洗浄プログラムに準じて前記各部が制御されている。この制御部50が本発明の制御手段に相当する。なお、制御部50には、さらに洗浄プログラムの作成・変更や、複数の洗浄プログラムの中から所望のものを選択するために用いる指示部51が接続されている。
【0057】
次に、以上のような構成を有する装置の動作を図4(a)ないし図4(c)を参照して説明する。図4(a)はスピンチャック1に対する基板Wの受渡しを行う状態を示し、図4(b)は薬液処理及び洗浄処理の状態、図4(c)は基板と周囲案内部材の外壁面の洗浄処理及び基板乾燥処理の状態を示している。なお、一例として、基板Wはその上面にメッキ処理がされており、この装置にて上面の周辺部数mm程度をエッチングして除去する処理を施すことを目的としているものとして説明する。
【0058】
処理工程の全体の流れについて以下に概説する。
まず、所定の基板Wに応じた洗浄プログラムを指示部51から選択して実行する。そうすると、図4(a)に示すように、未処理の基板Wをスピンチャック1に搬入するときには、制御部50は、接離機構67を制御して、雰囲気遮蔽部材60を上昇させ離間位置に位置させ、雰囲気遮断部材60とスピンチャック1との間の間隔を広げる。これに伴い、雰囲気遮蔽部材60とこれに関連して設けられている洗浄液供給管70や各種の配管71などが上昇する。そして、昇降機構40を制御して、周囲案内部材30を第二高さ位置(LW)に位置させて、スピンチャック1を周囲案内部材30の上方に位置させる。こうして、雰囲気遮蔽部材60とスピンベース3との間に、基板Wの搬入経路が確保される。
【0059】
この状態で、図示しない基板搬送ロボットが未処理の基板Wをスピンチャック1に引き渡す。スピンチャック1は受け取った基板Wを保持する。基板搬送ロボットの基板保持ハンドがスピンチャック1内に入り込み、基板保持部材4の上に未処理の基板Wをおき、その後、スピンチャック1外に退避する。この過程で、上述のように、基板Wは、基板支持部材4の案内立ち上がり面4bによって、支持面4aへと落とし込まれる。
【0060】
続いて、基板Wの受け取りが終わると、図4(b)に示すように、制御部50は、雰囲気遮断部材60を一点鎖線で示す離間位置のままで、周囲案内部材30を第一高さ位置(HW)に上昇し位置させて、スピンチャック1に保持された基板Wの周縁に対向する高さに周囲案内部材30の回収案内部31を位置させる。
【0061】
さらに、制御部50は、駆動制御信号を与え、モーター6を回転させる。これにより、回転軸2が回転され、回転軸2に固定されているスピンベース3がその中心を通る鉛直軸芯Jまわりに一体的に回転することになる。したがって、スピンベース3に保持されている基板Wは、水平に保持された状態で、そのほぼ中心を通る鉛直軸芯Jまわりに回転されることになる。
【0062】
次いで、この状態で、制御部50は、洗浄液供給部7aから薬液を基板Wの下面に供給して本発明の薬液処理過程を開始する。すなわち、開閉バルブ11aを開成することにより、洗浄液供給管7の洗浄液供給部7aから洗浄用薬液としてのエッチング液を吐出させる。これにより、基板Wの下面の中央に向けてエッチング液が至近距離から供給される。供給されたエッチング液は、基板Wの回転に伴う遠心力によって回転半径方向外方側へと導かれるので、結果として、基板Wの下面の全域に対して隈無く薬液洗浄を行うことができる。また、基板Wの下面を伝わって下面周辺部に向ったエッチング液が基板Wの上面に這い上がって上面の周辺部を処理する。
【0063】
この薬液処理の際に、回転される基板Wの周縁から振り切られて周囲に飛散する薬液は、回収案内部31で受け止められ、傾斜面31a、31b、垂直部33aに沿って第1の排液槽24aに導かれ、第1の排液口28aから排液され、回収ドレイン27を経て回収タンクに回収されることになる。また、この時、雰囲気遮断板60が基板Wより離間しているので、薬液が飛散して雰囲気遮断板60に付着することを防止する。
【0064】
なお、薬液供給源9から基板Wに供給されるエッチング液としては、たとえば、HF、BHF(希フッ酸)、HPO、HNO、HF+H(フッ酸過水)、HPO+H(リン酸過水)、HSO+ H(硫酸過水)、HCl+ H(アンモニア過水)、HPO+CHCOOH+HNO、ヨウ素+ヨウ化アンモニウム、しゅう酸系やクエン酸系の有機酸、TMAH(テトラ・メチル・アンモニウム・ハイドロオキサイド)やコリンなどの有機アルカリを例示することができる。
【0065】
また、基板Wから飛散され回収案内部31に当たった薬液の一部はミストとなって浮遊することになる。しかしながら、この装置では、基板Wの下面から所定間隔隔てて配置されたスピンベース3により、周囲案内部材30の中央部分が塞がれているので、周囲案内部材30の内壁面の内側の空間には、周囲案内部材30の内壁面とスピンベース3との間の円環状の狭い隙間80から気体が流入することになり、その隙間80から流入し、基板W及びスピンベース3の周囲を流下してスピンチャック1の下方の第1の排液口28aに流れる気体の流速は比較的速くなり、スピンチャック1の下方空間で気体の対流が起き難くなる。また、基板Wの周囲を流下する気流がエアーカーテンの役目を果たすことになるので、そのエアーカーテンの外部に浮遊する薬液のミストがそのエアーカーテンの内部の基板W側に流れるのを抑制することにもなる。さらに、気流が第1の排液槽24a内にも流れるので、その気流によって周囲案内部材30付近に浮遊する薬液のミストは第1の処理槽24a内に押し流される。従って、薬液のミストが基板Wに再付着するのを抑制することができる。
【0066】
また、周囲案内部材30の回収案内部31とスピンチャック1に保持された基板Wとは十分に離されるように周囲案内部材30が配置されているので、周囲案内部材30からの薬液の跳ね返りが基板Wに付着するような不都合も起き難い。従って、基板Wへの薬液の再付着を好適に抑制することができる。
【0067】
所定の薬液洗浄処理時間が経過すると、洗浄液供給部7aからのエッチング液の供給を停止する。続いて、図4(b)の実線で示すように、制御部50は接離機構67を制御して、雰囲気遮断部材60を下降させる。これにより、雰囲気遮断部材60がスピンベース3に近接する近接位置に導かれ、雰囲気遮断部材60が、基板Wと所定の隙間を有して対向することになる。この状態のまま開閉用バルブ11aを閉成して薬液処理過程を終了するとともに、開閉用バルブ11b、72bを開成する。
【0068】
これにより、洗浄液供給部7a、70aからは、洗浄液として純水が、基板Wの上下面の中央に向けて供給されることになる。よって、洗浄液供給部7a、70aから純水を基板Wの上下両面に供給して基板Wに付着している薬液を純水で洗い落とす洗浄処理過程を行う。こうして、薬液処理工程後の基板Wの上下面に存在するエッチング液を洗い流すための洗浄処理過程が行われる。なお、洗浄液としては、他に、オゾン水、電解イオン水などであってもよい。
【0069】
さらに、制御部50は、共通の駆動制御信号を与え、モーター6、64を同期回転させる。ただし、モーター6、64は互いに反対方向に回転する。これにより、上下の回転軸2、61が同じ方向に回転され、これらの回転軸2、61に固定されている雰囲気遮断部材60およびスピンベース3がそれぞれの中心を通る鉛直軸芯Jまわりに一体的に同期回転することになる。したがって、スピンベース3に保持されている基板Wは、水平に保持された状態で、そのほぼ中心を通る鉛直軸芯Jまわりに回転されることになる。
【0070】
この洗浄処理過程の際に、回転される基板Wの周縁から振り切られて周囲に飛散する廃液(薬液が混ざった純水)は、薬液処理過程と同様に回収案内部31で受け止められ、傾斜部31a、31b、垂直部33aに沿い、第1の排液槽24aに導かれ、第1の排液口28aから排液され、回収されることになる。また、基板Wから飛散され回収案内部に当たった廃液の一部はミストとなって浮遊するが、薬液処理の場合と同様の作用により、基板Wへの廃液の再付着を好適に抑制することができる。
【0071】
すなわち、基板Wの上面から所定間隔隔てて配置された雰囲気遮断部材60により、周囲案内部材30の開口32の中央部分が塞がれているので、周囲案内部材30の内壁面の内側の空間には、周囲案内部材30の内壁面と雰囲気遮断部材60との間の円環状の狭い隙間81から気体が流入することになり、その隙間81から流入し、基板W及びスピンベース3の周囲を流下してスピンチャック1の下方の第1の排液口28aに流れる気体の流速は比較的速くなり、スピンチャック1の下方空間で気体の対流が起き難くなる。従って、洗浄液のミストが基板Wに再付着することと、周囲案内部材30の外側に飛散するのを抑制することができる。
【0072】
洗浄処理中に所定の時間が経過すると、図4(c)に示すように、制御部50は、洗浄処理を継続しながら昇降機構40を制御して、周囲案内部材30を第二高さ位置(LW)に下降し位置させて、スピンチャック1に保持された基板Wを周囲案内部材30より上方に位置させる。このとき、基板W上面に供給される洗浄液は、基板Wの回転により振り切られ、基板W周縁より流出し、周囲案内部材30の上面30aに降り注ぐ。図5に示すように、基板Wはその下面が周囲案内部材30の上端縁よりも、わずからながら上方に位置し、基板Wの上下面から振り切られる純水は周囲案内部材30の上面30aへと導かれる。この降り注ぐ純水は、上面30aに沿って流下し第2の排液槽24bに導かれ、第2の排液口28bから排液され、廃棄ドレイン29を経て廃棄されることになる。この際、周囲案内部材30の外壁面に付着しているゴミやミストが、この洗浄処理過程の度に純水により洗い流されることとなり、清浄な状態が維持される。
【0073】
周囲案内部材30が第二高さ位置(LW)の状態で、予め定めた一定時間だけ純水が供給された後、制御部50は、開閉用バルブ11b、72bを閉成して洗浄過程を終了する。次に、モーター6、64を高速回転させるための制御信号を与える。これにより、基板Wの回転が加速され、その表面の液成分が遠心力によって振り切られる。こうして、乾燥工程が行われる。
【0074】
この乾燥工程の際、制御部50は、開閉用バルブ13、74を開成し、気体供給部12a、73aから基板Wの上下面に窒素ガスを供給させる。これにより、雰囲気遮断部材60とスピンベース3との間の制限された小容積の空間の空気は、すみやかに窒素ガスに置換されるので、洗浄処理後の基板Wの上下面に不所望な酸化膜が成長することはない。
【0075】
乾燥工程の終了後には、制御部50は、モーター6、64の回転を停止させ、さらに、図4(a)に示すように接離機構67によって雰囲気遮断部材60を上方の離間位置に上昇させる。この状態で、基板搬送ロボットが、洗浄および乾燥処理済みの基板Wを基板保持部材4から受け取って、スピンチャック1外に搬出することになる。従って、1枚の基板Wに対する回転処理を終了する。
【0076】
以上、上記実施例によれば、この基板処理装置は、半導体ウェハなどの基板Wを水平面内で回転させながら、基板Wの表裏面に処理を施す装置である。この基板処理装置は、昇降機構40がスピンベース3に対して周囲案内部材30を昇降させる。周囲案内部材30の外壁面を洗浄する時は、基板W周縁を周囲案内部材30よりも上方位置に上昇させ、基板W上に洗浄液供給部7aより純水を供給する。供給された純水は、基板W周縁より流出し周囲案内部材30の外壁面に降り注ぐ。その結果、周囲案内部材30はその外壁面が純水により洗浄され、パーティクルの発生が防止される。
【0077】
なお、純水を用いた処理の際に、必要に応じて、雰囲気遮断部材60を回転させてなくてもよいし、気体供給部12a、73aから気体を供給させてもよい。
【0078】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、本発明は周囲案内部材を他の形態で実施することもできる。
<第2実施例>
図6は、第2実施例に係る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。なお、第1実施例と同様の構成に関しては、同符号を付与し説明を省略する。第2実施例のこの装置は、処理対象の半導体ウエハ(基板)Wに薬液や純水を用いた回転処理を施すためのものであり、薬液と廃液とを分離して排液する機能を備えている。そのため周囲案内部材30として図1の実施例のものと異なる構造のものを備えた実施例である。
【0079】
具体的には、周囲案内部材300は、第1の実施例と同様の回収案内部310を備え、そして、下端部に垂直部330aと切替案内部370が連なっている。周囲案内部材300には、垂直部330aと切替案内部370の間に円環状の溝360が形成されていて、この溝360が仕切り部材22aに嵌入されるとともに、切替案内部370が、第2の排液槽24b内に嵌入されるように配置されている。
【0080】
周囲案内部材300の上方側の部位には、上方に向かうほど径が小さくなるように形成された傾斜面からなる上面300aが形成されており、この上面300aの下端側には、垂直な円筒面300bが連なっている。円筒面300bは、切替案内部370の外側の壁面を形成する。従って、上面300a、円筒面300bによって、周囲案内部材300の外壁面が形成されている。
【0081】
切替案内部370の内側は、上方に湾曲した斜面370aが形成され、この斜面370aが、薬液と廃液とを分離して回収する際に、廃液を受け止め、斜面370aに沿い、第2の排液槽24bに導くことになる。
【0082】
そして、後述する基板Wの周縁が周囲案内部材300の上方に位置する高さ位置(第二高さ位置LW)に、周囲案内部材300が位置しているとき、回転される基板Wから降り注ぐ廃液は上面300aで受け止められ、円筒面300bに沿い、第2の排液槽24bに導かれ、第2の排液口28bから排液されることになる。この装置では、第2の排液口28bから廃棄ドレイン29を経て廃液が廃棄されるようになっている。
【0083】
ベース部材20上のその他の構成、薬液と純水の供給路は、上述した実施例と同様であるので、図1と同一符号を付してその説明を省略する。
【0084】
この実施例装置においては、スピンチャック1の上下方向位置は常に一定に保たれる一方で、周囲案内部材300が必要に応じて昇降されるようになっている。具体的には、周囲案内部材300は、スピンチャック1に保持されて回転される基板Wから側方に振り切られる薬液を回収案内部310で受け止め第1の排液槽24aに導く第一高さ位置(HW)と、同じく基板Wから側方に振り切られる洗浄液を周囲案内部材300の切替案内部370で受け止め第2の排液槽24bに導く第一高さ位置(HW)よりも上方に位置する第三高さ位置(HW2)と、同じくスピンチャック1に保持された基板Wの周縁から流出して降り注ぐ洗浄液を上面300aで受け止める第二高さ位置(LW)と、の3段階の高さに選択的に昇降される。
【0085】
以上のような構成を有する装置の動作を図7(a)ないし図7(c)を参照して説明する。図7(a)は薬液処理の状態、図7(b)は洗浄処理の状態、図7(c)は基板と周囲案内部材の外壁面の洗浄処理及び基板乾燥処理の状態を示している。
【0086】
処理工程の全体の流れについて以下に概説する。
まず、未処理の基板Wをスピンチャック1に搬入する。次に、図7(a)に示すように、第1実施例と同様に、周囲案内部材300が第1高さ位置(HW)で薬液処理が行われる。
【0087】
この薬液処理の際に、回転される基板Wの周縁から振り切られて周囲に飛散する薬液は、回収案内部310で受け止められ、垂直部330aに沿って第1の排液槽24aに導かれ、第1の排液口28aから排液され、回収ドレイン27を経て回収タンクに回収されることになる。
【0088】
所定の薬液洗浄処理時間が経過すると、洗浄液供給部7aからのエッチング液の供給を停止する。次に、制御部50は、開閉用バルブ11aを閉成して薬液処理工程を終了するとともに、開閉用バルブ11b、72bを開成する。これにより、洗浄液供給部7a、70aからは、純水が基板Wの上下面の中央に向けて供給されることになる。
【0089】
同時に、図7(b)の実線で示すように、制御部50は昇降機構67を制御して、周囲案内部材300を上昇させる。これにより、周囲案内部材300が切替案内部370の斜面370aが、基板Wと所定の隙間を有して対向することになる。
【0090】
これにより、洗浄液供給部7a、70aからは、純水が、基板Wの上下面の中央に向けて供給されることになる。よって、洗浄液供給部7a、70aから洗浄液を基板Wの上下両面に供給して基板Wに付着している薬液を純水で洗い落とす洗浄処理過程を行う。
【0091】
この洗浄処理の際に、回転される基板Wの周縁から振り切られて周囲に飛散する廃液(薬液が混ざった純水)は、切替案内部370の斜面370aで受け止められ、この斜面370aに沿い第2の排液槽24bに導かれ、第2の排液口28bから排液され、廃棄ドレイン29を経て廃棄されることになる。
【0092】
洗浄処理中に所定の時間が経過すると、図7(c)に示すように、制御部50は、洗浄処理を継続しながら昇降機構40を制御して、周囲案内部材300を第二高さ位置(LW)に下降し位置させて、スピンチャック1に保持された基板Wを周囲案内部材300より上方に位置させる。このとき、基板W上面に供給される純水は、基板Wの回転により振り切られ、基板W周縁より流出し、周囲案内部材300の上面320aに降り注ぐ。この際、周囲案内部材300の外壁面に付着しているゴミやミストが、この洗浄処理過程の度に純水により洗い流されることとなり、清浄な状態が維持される。
【0093】
この降り注ぐ純水は上面30aに沿って流下し、前述の洗浄処理過程で切替案内部370の斜面370aで受け止められ分離回収される純水と同様に、第2の排液槽24bに導かれ、第2の排液口28bから排液され、廃棄ドレイン29を経て廃棄されることになる。
【0094】
周囲案内部材300が第二高さ位置(LW)の状態で、予め定めた一定時間だけ洗浄液が供給された後、制御部50は、開閉用バルブ11b、72bを閉成して洗浄過程を終了する。次に、モーター6、64を高速回転させるための制御信号を与える。これにより、基板Wの回転が加速され、その表面の液成分が遠心力によって振り切られる。こうして、乾燥工程が行われる。
【0095】
以上、上記実施例によれば、この基板処理装置は、周囲案内部材の外壁面が良好に清浄化される。さらに、薬液と廃液が分離回収されるとともに、その廃液を回収する排液槽を、周囲案内部材の洗浄に供される純水の回収として兼用される。よって、新たな回収用の構造を設置しなくとも、簡略な構成で上述の第1の実施形態の場合と同様な作用効果を達成できる。
【0096】
<第3実施例>
図8は、本発明の第3実施例に係る基板処理装置の動作をしめすフローチャートである。なお、基板処理装置は、第1実施例と同様の構成のものとして説明を省略する。第3実施例のこの装置は、周囲案内部材の洗浄を基板Wの洗浄処理中に行うのではなく、別個の処理として行うものである。
【0097】
すなわち、操作者が周囲案内部材30の洗浄のみを実施したい場合、スピンチャック1にダミー基板を載置して、指示部51の図示しない操作スイッチの入力により、任意のタイミングで周囲案内部材の洗浄を目的とする周囲洗浄過程が行われる。
【0098】
図8に示すように、まず、操作スイッチを入力すると(ステップS1)、周囲洗浄が開始される(ステップS2)。そして、周囲案内部材30がどのような位置にあろうとも、第二高さ位置(LW)に昇降移動される(ステップS3)。次に、電動モーター6を回転させることによりダミー基板を回転させる(ステップS4)。同時に開閉バルブ11b、72bを開成してダミー基板の上下面に純水を供給する(ステップS5)。この状態で所定時間が経過すると純水の供給、電動モーター6の回転が停止され周囲洗浄が終了する(ステップS6)。その後、操作者はダミー基板を取出せばよい。
【0099】
以上、この実施例によれば、ダミー基板を用いて、必要な時に周囲案内部材の外壁面を洗浄できるので、常に清浄な状態を容易に維持することができる。
【0100】
<第4実施例>
図9は、第4実施例に係る基板処理装置の構成を示す要部縦断面図である。なお、第1実施例と同様の構成に関しては、同符号を付与し説明を省略する。第4実施例のこの装置は、第2実施例装置と同様に、薬液と廃液とを分離して排液する機能を備えている。
【0101】
具体的には、周囲案内部材400は、第2実施例装置の周囲案内部材300と同様の構成を備え、さらに、受け部材21の仕切り部材22bの外周に垂直部440が形成されていている。この構成によって、周囲案内部材400に降り注ぐ純水は周囲案内部材400の外壁面に沿って流下し、分離回収される純水が導かれる第2の排液槽24bとは異なる受け部材21の外周に落下する。そして、この外周部位に図示しなし回収口を設けて落下する純水を回収するようにする。
【0102】
以上、上記実施例によれば、この基板処理装置は、周囲案内部材の外壁面が良好に清浄化される。さらに、薬液と廃液が分離回収されるとともに、さらに、周囲案内部材の洗浄に供される純水の回収を独立して行える。よって、上述の第1の実施形態の場合と同様な作用効果を達成できる。
【0103】
なお、本発明は、上述した実施例および変形例に限定されるものではなく、以下のように他の形態でも実施することができる。
【0104】
(1)上記の実施例においてはエッチング処理を施すことを目的としているが、本発明は、その他の処理液を基板Wに供給して所定の処理を基板Wに施す各種の基板処理装置にも同様に適用することができる。
【0105】
(2)上述の実施形態では、雰囲気遮断部材60とスピンベース3との回転駆動のためにモーター6、64をそれぞれ設けているが、基板支持部材4と押圧部材68によって基板Wを挟持した状態においては、雰囲気遮断部材60とスピンベース3とは互いにトルクを伝達し合うことができる。したがって、モーター6、64のうちの一方は設けられなくてもよい。
【0106】
(3)また、上述の実施形態では、周囲案内部材が昇降駆動される例を挙げたが、周囲案内部材を固定しておいてスピンベースを昇降可能に構成してもよい。少なくともいずれか一方が昇降可能であれば、周囲案内部材とスピンベースとの位置関係が設置できる。
【0107】
(4)また、上述の実施形態では、第2の排液槽を配置して周囲案内部材の外壁面を洗浄した純水を回収するようにしているが、第2の排液槽のかわりに、この基板処理装置を設置するチャンバーの底板に排液口を設けて、純水を底板で受けて排液口から回収するようにしてもよい。
【0108】
(5)さらに、上述の実施形態では、半導体ウエハを洗浄する装置を例にとったが、この発明は、洗浄以外の処理を行う装置にも適用でき、また、ウエハ以外にも液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板などの各種の基板に対して処理する装置にも同様に適用することができる。
【0109】
その他、特許請求の範囲に記載された技術的事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【0110】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、基板保持手段に保持されて基板が処理される。昇降手段が基板保持手段と基板周囲部材を相対的に昇降させる。基板周囲部材の外壁面を洗浄する時は、基板周縁を基板周囲部材よりも上方位置に上昇させ、基板上に洗浄液供給手段より洗浄液を供給する。供給された洗浄液は、基板周縁より流れ落ち基板周囲部材に降り注ぐ。その結果、基板周囲部材はその外壁面が洗浄液により洗浄され、パーティクルの発生が防止される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例に係る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。
【図2】基板処理装置の周囲案内部材の斜視図である。
【図3】第1実施形態に係る装置の制御系の構成を示すブロック図である。
【図4】第1実施形態に係る装置の動作を説明するための図であって、(a)はスピンチャックに対する基板の受渡しを行う状態を示す縦断面図、(b)は薬液処理及び洗浄処理の状態を示す縦断面図、(c)は洗浄処理及び乾燥処理の状態を示す縦断面図である。
【図5】第1実施形態に係る周囲案内部材の洗浄状態を示す説明図である。
【図6】本発明の第2実施例に係る基板処理装置の構成を示す縦断面図である。
【図7】第2実施形態に係る装置の動作を説明するための図であって、(a)は薬液処理の状態を示す縦断面図、(b)は洗浄処理の状態を示す縦断面図、(c)は洗浄処理及び乾燥処理の状態を示す縦断面図である。
【図8】本発明の第3実施例に係る動作を説明するフローチャートである。
【図9】本発明の第4実施例に係る基板処理装置の構成を示す要部縦断面図である。
【図10】従来装置の構成を示す縦断面図である。
【符号の説明】
W 基板
HW 第一高さ位置
LW 第二高さ位置
HW2 第三高さ位置
1 スピンチャック
3 スピンベース
4 基板保持部材
6 電動モーター
9 薬液供給源
10 純水供給源
21 受け部材
24a 第1の排液槽
24b 第2の排液槽
30、300、400 周囲案内部材
30a、300a 上面
31、310 回収案内部
40 昇降機構
50 制御部
51 指示部
60 雰囲気遮断部材
64 モーター
67 接離機構

Claims (12)

  1. 基板に洗浄液を供給して洗浄液による基板処理を行う基板処理装置であって、
    基板を保持する保持手段と、
    前記保持手段に保持された基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
    前記洗浄液供給手段から供給された洗浄液を回収する回収路と、
    前記保持手段に保持された基板の周囲を取り囲むように配設され、基板から飛散される洗浄液を前記保持手段に保持された基板の側方で受け止めて前記回収路に導く周囲案内部材と、
    前記周囲案内部材に対して基板周縁が、上方に位置するか、または下方に位置するように、前記保持手段と前記周囲案内部材とを相対的に昇降させる昇降手段と、
    前記昇降手段を制御して、基板周縁前記周囲案内部材より上方に位置させ、前記洗浄液供給手段より洗浄液を基板上に供給し、基板の周縁から流出した洗浄液で周囲案内部材の外壁面を洗浄する制御手段と、
    を具備したことを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項1に記載の基板処理装置において、
    前記制御手段は、予め指定されたタイミングで昇降手段を制御して、基板周縁を前記周囲案内部材より上方に位置させ、同時に洗浄液供給手段より洗浄液を供給するものである基板処理装置。
  3. 請求項1に記載の基板処理装置において、
    前記制御手段は、洗浄液の供給中に、昇降手段を制御して、基板周縁の位置を前記周囲案内部材より下方の位置から上方の位置へ切替えることを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記昇降手段は前記周囲案内部材を昇降させるものである基板処理装置。
  5. 請求項1乃至4のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記保持手段は、保持した基板を回転させる回転駆動手段
    を具備し、周囲案内部材の外壁面を洗浄する時に、洗浄液が供給された基板を前記回転駆動手段により回転させ、基板から洗浄液を振り切って洗浄液の基板周縁からの流出を行うことを特徴とする基板処理装置。
  6. 基板に薬液および洗浄液を順に供給して基板の処理を行う基板処理装置において、
    基板を保持して回転させる回転保持手段と、
    前記回転保持手段に保持された基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
    前記回転保持手段に保持された基板に薬液を供給する薬液供給手段と、
    前記洗浄液および薬液を回収する回収路と、
    前記回転保持手段に保持された基板の周囲を取り囲むように配設され、基板周縁から振り切られた洗浄液および薬液を前記回転保持手段に保持された基板の側方で受け止めて 前記回収路に導く周囲案内部材と、
    基板周縁と前記周囲部材とが対向する第一高さ位置と、基板周縁が周囲部材より上方に位置する第二高さ位置とを切替えるように、前記回転保持手段と前記周囲部材とを相対的に昇降させる昇降手段と、
    前記昇降手段を制御して、基板上に前記洗浄液供給手段より洗浄液を供給する洗浄処理時中に、第一高さ位置と第二高さ位置とを切り替える制御手段と、
    を具備したことを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項6に記載の基板処理装置において、
    前記制御手段は、洗浄液処理時中に、第一高さ位置に引き続き第二高さ位置に切り替えることを特徴とする基板処理装置。
  8. 基板単位で行われる一連の処理を、同一の処理カップ内で連続的に行う基板処理方法であって、
    前記一連の処理は、
    基板を回転させながら基板に洗浄液を供給して基板に洗浄処理を行うとともに、基板の周囲を取り囲むように配設された周囲案内部材で、基板の周縁から振り切られた洗浄液の飛散を防止する洗浄処理過程
    を含み、
    前記洗浄処理過程中に基板を周囲案内部材より上方に位置させ、基板から振り切った洗浄液を周囲案内部材の外壁面に供給させて周囲案内部材の外壁面の洗浄処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
  9. 請求項8に記載の基板処理方法において、
    前記一連の処理は、
    基板を回転させながら基板に薬液を供給して基板に薬液処理を行う薬液処理過程
    を含むことを特徴とする基板処理方法。
  10. 基板単位で行われる一連の処理を、同一の処理カップ内で連続的に行う基板処理方法であって、
    基板を回転させながら基板に洗浄液を供給して基板に洗浄処理を行うとともに、基板の周囲を取り囲むように配設された周囲案内部材で、基板の周縁から振り切られた洗浄液の飛散を防止する洗浄処理過程と、
    基板を周囲案内部材より上方に位置させ、基板を回転させながら基板に洗浄液を供給して、基板から振り切った洗浄液を周囲案内部材の外壁面に供給させて周囲案内部材の外壁面を洗浄する外壁面洗浄処理過程と、
    を具備することを特徴とする基板処理方法。
  11. 基板に洗浄液を供給して洗浄液による基板処理を行う基板処理装置であって、
    基板を保持する保持手段と、
    前記保持手段に保持された基板に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
    前記洗浄液供給手段から供給された洗浄液を回収する回収路と、
    前記保持手段に保持された基板の周囲を取り囲むように配設され、基板から飛散される洗浄液を前記保持手段に保持された基板の側方で受け止めて前記回収路に導く周囲案内部材と、
    前記周囲案内部材に対して基板周縁が、上方に位置するか、または下方に位置するように、前記保持手段と前記周囲案内部材とを相対的に昇降させる昇降手段と、
    前記保持手段によって保持する基板としてダミー基板を用いた状態でユーザからの所定の操作入力を受け付ける操作スイッチと、
    前記操作入力に応答して前記昇降手段を制御することにより前記ダミー基板の基板周縁を前記周囲案内部材より上方に位置させるとともに、前記洗浄液供給手段より洗浄液を基板上に供給し、ダミー基板の周縁から流出した洗浄液で周囲案内部材の外壁面を洗浄する制御手段と、
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  12. 保持手段に保持された基板に洗浄液供給手段から洗浄液を供給し、前記基板から飛散する洗浄液を、前記基板の周囲を取り囲むように配設された周囲案内部材によって前記基板の側方で受け止めて回収路に導く基板処理装置において、前記周囲案内部材の外壁面を洗浄する方法であって、
    ダミー基板を前記保持手段に保持させる過程と、
    ユーザからの所定の操作入力を受け付ける過程と、
    前記操作入力に応答して、前記周囲案内部材よりも上方に基板周縁が位置するようにダミー基板と前記周囲案内部材とを相対的に昇降させる昇降過程と、
    前記洗浄液供給手段から洗浄液をダミー基板上に供給し、ダミー基板の周縁から流出した洗浄液で前記周囲案内部材の外壁面を洗浄する外壁面洗浄過程と、
    を具備することを特徴とする基板処理装置の洗浄方法。
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