KR101229775B1 - 기판 세정장치 - Google Patents
기판 세정장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR101229775B1 KR101229775B1 KR1020080134995A KR20080134995A KR101229775B1 KR 101229775 B1 KR101229775 B1 KR 101229775B1 KR 1020080134995 A KR1020080134995 A KR 1020080134995A KR 20080134995 A KR20080134995 A KR 20080134995A KR 101229775 B1 KR101229775 B1 KR 101229775B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- unit
- manifold
- holes
- foreign
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
Abstract
본 발명은 기판 세정장치에 관한 것으로서, 그 구성은 외부로부터의 기판을 올바른 방향으로 진입시키기 위한 기판 진입안내부; 상기 기판 진입안내부로부터 기판을 공급받아 상기 기판에 형성된 이물질을 제거하는 이물질 제거부; 상기 이물질 제거부로부터 상기 기판을 공급받아 상기 기판에 남아 있는 이물질을 세정하여 제거하는 이물질세정부; 및 상기 이물질세정부로부터 반출되는 기판의 위치를 제어하기 위한 위치제어부를 포함하여 구성되며, 상기 이물질세정부는 다수의 탈이온수홀, 흡입홀 및 에어홀이 형성된 메니폴드와; 상기 다수의 탈이온수홀 및 흡입홀과 연통되는 관통구멍이 형성된 상부체결나사에 의해 상기 메니폴드와 결합되는 다공성 세정판을 구비하는 것을 특징으로 한다.
다공성 세정판, 상부체결나사, 관통구멍, 흡입홀, 탈이온수홀
Description
본 발명은 기판 세정장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 이물질세정부를 구성하는 다공성 세정판과 메니폴드간 체결면 및 대응 홀부분의 누설을 방지할 수 있는 기판 세정장치에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치는 비디오신호에 따라 액정셀들의 광투과율을 조절하여 화상을 표시하게 된다. 액티브 매트릭스 타입의 액정표시장치는 화소셀마다 스위칭소자가 형성되어 동영상을 표시하기에 유리하다. 스위칭 소자로는 주로 박막트랜지스터가 이용되고 있다.
이러한 액정표시장치는 서로 마주 보는 두개의 기판과, 이 기판사이에 형성된 액정층을 포함한다. 어느 하나의 기판에는 상술된 스위칭소자와 같은 박막트랜지스터들이 형성되며, 다른 하나의 기판에는 컬러필터가 형성되는데, 이러한 공정전후에 각 기판은 세정공정을 거치게 된다.
이러한 기판 세정공정에는 여러 세정장치가 사용되는데, 그중에서 다공성의 그접 세정장치는 에어 플로팅 유닛(Air floating unit)으로 유리기판을 부상시켜, 세정기내로 유리기판을 진입시키고, 세정영역에서는 유리기판상하로 100um이하의 갭을 에어플로팅유닛으로 형성하고, 탈이온수 및 에어를 공급하여 탈이온수 흐름(Deionized Water flow)과 버블흐름(bubble flow)을 동시에 발생시켜 파티클 및 흡착물을 제거하는 세정방법이다.
이 다공성 세정유닛은 다공성 세정판과, 메니폴드, 상부 프레임으로 구성되어 있으며, 다공성 세정판과 메니폴드간의 결합은 유기 접착제 등으로 이루어진다.
그러나, 이러한 종래기술에 따른 다공성 세정유닛에 의하면 다음과 같은 문제점이 있다.
종래기술에 따른 다공성 세정유닛은 다공성 세정판과 메니폴드간의 결합시에 유기접착제 사용은 홀이 많은 세정기에는 적합하지 않다. 특히, 다공성 세정판과 메니폴드간 유기접착제로 체결시 전영역에 고르게 코팅되지 않아 에어 누설이 발생하게 된다.
이에 본 발명은 상기 종래기술의 제반 문제점을 해결하기 위하여 안출한 것으로서, 본 발명의 목적은 이물질 세정부를 구성하는 다공성 세정판과 메니폴드간 체결면 및 대응 홀부분에 누설(leak)을 방지할 수 있는 기판 세정장치를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 세정장치는, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 세정장치는 외부로부터의 기판을 올바른 방향으로 진입시키기 위한 기판 진입안내부; 상기 기판 진입안내부로부터 기판을 공급받아 상기 기판에 형성된 이물질을 제거하는 이물질 제거부; 상기 이물질 제거부로부터 상기 기판을 공급받아 상기 기판에 남아 있는 이물질을 세정하여 제거하는 이물질세정부; 및 상기 이물질세정부로부터 반출되는 기판의 위치를 제어하기 위한 위치제어부를 포함하여 구성되며, 상기 이물질세정부는 다수의 탈이온수홀, 흡입홀 및 에어홀이 형성된 메니폴드와; 상기 다수의 탈이온수홀 및 흡입홀과 연통되는 관통구멍이 형성된 상부체결나사에 의해 상기 메니폴드와 결합되는 다공성 세정판을 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 기판 세정장치에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 따른 기판 세정장치는 이물질세정부의 다공성 세정판과 메니폴드간 체결시에 하부체결나사와 더불어 탈이온수 및 흡입홀(DI&suction hole)과 연통하는 관통구멍이 형성된 상부체결나사를 이용하여 체결하므로써 탈이온수 및 흡입홀로 발생하는 에어 누설을 방지하며, 금속 다공성판과 메니폴드간 체결력을 강화시킬 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 기판 세정장치에 대해 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 세장장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 세정장치를 구성하는 이물세정부를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
본 발명에 따른 기판 세정장치는, 도 1에 도시된 바와 같이, 외부로부터의 기판(10)을 올바른 방향으로 진입시키기 위한 기판 진입 안내부(100)와, 상기 기판 진입 안내부(100)로부터 기판(10)을 공급받아 상기 기판(10)에 형성된 이물질을 제거하는 이물질 제거부(200)와, 상기 이물질 제거부(200)로부터 상기 기판(10)을 공급받아 상기 기판(10)에 남아있는 이물질을 세정하여 제거하는 이물질 세정부(300)와, 그리고 상기 이물질 세정부(300)로부터 반출되는 기판(10)의 위치를 제어하기 위한 위치 제어부(400)를 포함한다.
상기 기판 진입 안내부(100), 이물질 제거부(200), 이물질 세정부(300) 및 위치 제어부(400)가 금속 재질의 다공성 소재로 이루어진다. 예를 들어, 상기 기판 진입 안내부(100), 이물질 제거부(200), 및 이물질 세정부(300)는 스테인리스 스 틸(Stainless Steel), 알루미늄, 알루미늄 합금, 황동, 하스탈로이(hastelloy) 및 지르코늄 중 어느 하나의 재질을 갖는 다공성 소재로 이루어 질 수 있다.
특히, 상기 기판 진입 안내부(100), 이물질 제거부(200), 및 이물질 세정부(300) 및 위치 제어부(400)는 서로 다른 금속 재질의 다공성 소재로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 기판 진입 안내부(100)는 스테인리스 스틸 재질로 이루어지고, 상기 이물질 제거부(200)는 알루미늄으로 이루어지고, 상기 이물질 세정부(300)는 알루미늄 합금으로 이루어지고, 그리고 상기 위치 제어부(400)는 황동으로 이루어질 수 있다.
여기서, 상기 스테인리스 스틸(Stainless Steel), 알루미늄, 알루미늄 합금, 황동, 하스탈로이(hastelloy) 및 지르코늄은 경도가 높은 금속으로서, 이를 사용하여 기판 진입 안내부(100), 이물질 제거부(200), 이물질 세정부(300) 및 위치 제어부(400)를 형성하면 세정 장치의 내화학성을 높일 수 있다.
또한, 상기 나열된 금속의 경도는 세정하고자 하는 피세정물, 즉 기판의 경도보다는 낮기 때문에, 이를 사용하여 세정 장치를 형성하면 세정 공정 중 기판과 세정 장치가 서로 접촉하더라도 기판의 손상을 방지할 수 있다.
예를 들어, 상기 기판의 경도는 6~7 mohs이고, 상기 스테인리스 스틸의 경도는 5.5~6.3 mohs이고, 상기 알루미늄 합금의 경도는 2.4~2.8 mohs 가 될 수 있다. 상술된 각 구성요소를 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 1을 참조하면, 상기 기판 진입 안내부(100)는 외부로부터 롤러에 의해 인입되는 기판(10)이 상기 이물질 제거부(200)에 정확하게 진입되도록 안내하는 진입 안내로(미도시)를 포함한다.
상기 진입 안내로(미도시)는 외부로부터 상기 이물질 제거부(200)를 향해 갈수록 그 폭이 점차로 좁아지는 형태를 갖는다. 이와 같은 형태의 진입 안내로(미도시)에 의해, 기판(10)이 진입 안내로(미도시)의 정 중앙에 정확히 정렬된 상태로 공급되지 않더라도 기판(10)이 자동적으로 진입 안내로의 정 중앙을 향해 이동하게 된다.
기판 진입 안내부(100)는 서로 마주보는 상부 구조물(100a)과 하부 구조물(100b)을 포함한다. 상기 상부 구조물(100a)과 하부 구조물(100b)은 서로 소정 간격 이격되어 있으며, 이 이격된 두 구조물(100a, 100b) 사이의 공간에 상술된 진입 안내로가 형성된다.
상부 구조물(100a)은 상기 진입 안내로(미도시)를 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입한다. 마찬가지로, 상기 하부 구조물(100b)도 상기 진입 안내로를 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입한다. 이에 따라, 상기 진입 안내로에 진입한 기판(10)이 진입 안내로의 공간상에 떠 있는 상태가 된다.
다시 말해, 상기 상부 구조물(100a)은 상기 진입 안내로에 진입된 기판(10)의 상부면을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입하고, 상기 하부 구조물(100b)은 상기 진입 안내로에 진입된 기판(10)의 하부면을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입함으로써 상기 기판(10)을 공중에 떠 있는 플로팅(floating) 상태로 유지시킨다. 이때, 분사력이 흡입력보다 더 강하게 작 용한다.
상부 구조물(100a)과 하부 구조물(100b)간의 서로 마주보는 두 면은 소정 각도의 경사도를 갖는 경사면이다. 구체적으로, 상기 상부 구조물(100a)의 경사면은 상기 기판(10)의 상부면에 대하여 소정 각도로 기울어진 경사면이고, 상기 하부 구조물(100b)의 경사면은 상기 기판(10)의 하부면에 대하여 소정 각도로 기울어진 경사면이다. 이 두 경사면 사이의 공간이 바로 진입 안내로이다. 이 진입 안내로의 간격은 상기 상부 구조물(100a)과 하부 구조물(100b)간의 간격을 조절함으로써 변화시킬 수 있다.
외부로부터 공급된 공기가 상기 상부 구조물(100a) 및 하부 구조물(100b) 자체를 통과하여 상기 기판(10)에 분사될 수 있도록, 상기 상부 구조물(100a) 및 하부 구조물(100b) 자체는 금속 재질의 다공성 소재로 이루어진다. 즉, 외부로부터 상기 상부 구조물(100a)의 상부를 향해 분사된 공기는 상기 상부 구조물(100a)을 통과하여 상기 진입 안내로에 공급되며, 그리고 외부로부터 상기 하부 구조물(100b)의 하부를 향해 분사된 공기는 상기 하부 구조물(100b)을 통과하여 상기 진입 안내로에 공급된다.
상부 구조물(100a) 및 하부 구조물(100b) 각각에는 상기 공기를 흡입하기 위한 다수의 흡입홀(미도시)들이 형성되어 있다. 상기 상부 구조물(100a)에 형성된 흡입홀들은 상기 상부 구조물(100a)을 관통하여 상기 진입 안내로를 향해 있으며, 그리고 상기 하부 구조물(100b)에 형성된 흡입홀(미도시)들은 상기 하부 구조물(100b)을 관통하여 상기 진입 안내로를 향해 있다.
한편, 상기 이물질 제거부(200)는 서로 마주보는 상부 이물질 제거부(200a)와 하부 이물질 제거부(200b)를 포함한다. 상기 상부 이물질 제거부(200a)와 하부 이물질 제거부(200b)는 서로 소정 간격 이격되어 있으며, 이 이 격된 두 구조물 사이의 공간에 기판(10)이 이동할 수 있는 이동 공간(미도시)이 형성된다.
상부 이물질 제거부(200a)는 상기 기판(10)의 상부면에 형성된 이물질과 물리적인 접촉을 통해 상기 이물질을 제거하며, 그리고 상기 하부 이물질 제거부(200b)는 상기 기판(10)의 하부면에 형성된 이물질과 물리적인 접촉을 통해 상기 이물질을 제거한다.
상부 이물질 제거부(200a)와 하부 이물질 제거부(200b) 사이의 이동 공간상에 기판(10)이 위치할 때, 상기 상부 이물질 제거부(200a)와 상기 기판(10)의 상부면간의 간격은 약 20um이고, 상기 하부 이물질 제거부(200b)와 상기 기판(10)의 하부면간의 간격도 약 20um이다. 이와 같이 기판(10)과 상부 및 하부 이물질 제거부(200a, 200b)가 상당히 근접하여 위치하고 있기 때문에, 이 기판(10)이 이동 공간(미도시)을 통해 이동할 때 상기 기판(10)의 상부면에 형성되어 상측으로 돌출된 이물질은 상기 상부 이물질 제거부(200a)에 충돌하면서 제거되고, 상기 기판(10)의 하부면에 형성되어 하측으로 돌출된 이물질은 상기 하부 이물질 제거부(200b)에 충돌하면서 제거된다. 상기 상부 이물질 제거부(200a)와 하부 이물질 제거부(200b)간의 간격은 기판(10) 두께에 따라 조절될 수 있다.
상부 이물질 제거부(200a) 및 하부 이물질 제거부(200b)는 금속 재질의 다공성 소재로 이루어지거나, 또는 금속 소재로 형성될 수 도 있다.
도면에는 도시하지 않았지만, 하부 이물질 제거부(200b)도, 도 1에 도시된 바와 같은 상부 이물질 제거부(200a)와 동일한 구성을 가질 수 있다. 즉, 상기 하부 이물질 제거부(200b)도 몸체, 제거부 및 다수의 흡입홀들을 포함한다.
상부 이물질 제거부(200a) 및 하부 이물질 제거부(200b)의 흡입홀들은 상술된 바와 같이 기판(10)을 플로팅 상태로 유지시키는 역할을 한다.
이와 같은 상부 이물질 제거부(200a) 및 하부 이물질 제거부(200b)는 진동할 수 있다. 이 진동에 의해 기판(10)에 형성된 이물질이 더 효과적으로 제거된다.
상부 이물질 제거부(200a) 및 하부 이물질 제거부(200b)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 상하로 반복 운동한다. 이때, 상기 상부 이물질 제거부(200a)가 상기 기판(10)의 상부면과 닿지 않을 정도로 상기 기판(10)의 상부면을 향해 상하로 반복운동하며, 그리고 상기 하부 이물질 제거부(200b)가 상기 기판(10)의 하부면과 닿지 않을 정도로 상기 기판(10)의 하부면을 향해 상하로 반복 운동한다.
또한, 상기 상부 이물질 제거부(200a)가 상기 기판(10)의 상부면에 대하여 평행하게 앞뒤 또는 좌우로 반복 운동할 수 도 있으며, 그리고 상기 하부 이물질 제거부(200b)가 상기 기판(10)의 하부면에 대하여 평행하게 앞뒤 또는 좌우로 반복 운동할 수 있다.
한편, 이물질 세정부(300)는, 도 2 및 3에 도시된 바와 같이, 서로 마주 보는 상부 이물질 세정부(300a)와 하부 이물질세정부(300b)를 포함한다. 상기 상부 이물질 세정부(300a)와 하부 이물질세정부(300b)는 서로 소정간격 이격되어 있으며, 이 이격된 두 구조물(300a, 300b)사이의 공간에 기판(10)이 이동할 수 있는 이동공간 (미도시)이 형성된다.
여기서, 상기 상부 이물질세정부(300a)는 흡입홀(115)을 통해 상기 이동공간으로 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입한다. 마찬가지로, 상기 하부 이물질세정부(300b)는 흡입홀(115)을 통해 상기 이동공간으로 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입한다.
이에 따라 상기 이동공간에 진입한 기판(10)이 이동공간상에 떠 있는 상태가 된다. 다시말해, 상기 상부 이물질 세정부(300a)는 상기 이동 공간에 진입된 기판(10)의 상부면을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입하고, 상기 하부 이물질세정부(300b)는 상기 이동공간에 진입된 기판(10)의 하부면을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입하므로써 상기 기판(10)을 이동공간상에 떠 있는 플로팅(floating) 상태로 유지시킨다. 이때, 분사력이 흡입력보다 더 강하게 작용한다.
또한, 상기 상부 이물질세정부(300a)는 상기 이동공간을 향해 탈이온수홀(113)을 통해 세정액(탈이온수)을 분사하여 이 세정액과 상기 분사된 공기를 이용하여 거품을 발생시키므로써 상기 이동공간을 지나는 기판의 상부면에 형성된 이물질을 제거하며,
그리고, 상기 하부 이물질 세정부(300b)는 탈이온수홀(113)을 통해 상기 이동공간으로 세정액을 분사하여 이 세정액과 상기 분사된 공기를 이용하여 거품을 발생시키므로써 상기 이동 공간으로 지나는 기판(10)의 하부면에 형성된 이물질을 제거한다.
또한, 상기 상부 이물질세정부(300a)와 하부 이물질세정부(300b)는 상기 흡입되는 공기를 이용하여 상기 세정액을 외부로 배출시킨다. 상기 세정액은 탈이온수(Deionized Water) 또는 케미칼(chemical)용액 또는 탈이온수와 케미칼의 혼합용액이 사용될 수 있다.
외부로부터 공급된 공기가 상기 상부 이물질 세정부(300a)와 하부 이물질 세정부(300b) 자체를 통과하여 상기 이동공간에 분사될 수 있도록, 상기 상부 이물질 세정부(300a) 및 하부 이물질 세정부(300b) 자체는 금속재질의 다공성 소재로 이루어진다. 즉, 외부로부터 상기 상부 이물질세정부(300a)의 상부를 향해 분사도니 공기는 상기 상부 이물질 세정부(300a)를 통과하여 상기 이동공간에 공급되며, 그리고 외부로부터 상기 하부 이물질세정부(300b)를 통과하여 상기 이동공간에 공급된다.
상기 상부 이물질 세정부(300a) 및 하부 이물질 세정부(300b) 각각에는 세정액을 분사시켜 주기 위한 다수의 탈이온수홀(113)과 상기 공기를 흡입하기 위한 다수의 흡입홀(115)들이 형성되어 있다. 상기 다수의 탈이온수홀(113)과 흡입홀(115)들은 메니폴드(101)에 형성되어 있으며, 상기 탈이온수홀(113)과 흡입홀(115)들은 상기 메니폴드(101)상에 결합되는 다공성 세정판(131)에 체결되는 상부체결나사(111)에 마련된 관통구멍(111a)과 연통하도록 구성되어 있다. 이때, 상기 메니폴드(101)와 다공성 세정판(131)의 접촉부위에는 다공성 세정판(131)과 각 유틸리티(utility)영역이 격리 설계된 메니폴드(101)가 각 유틸리티간에 상호 누설이 없도록 하기 위해 관통구멍(111a)이 형성된 상부체결나사(111)가 끼워져 있어 누설방 지는 물론 이들 간의 밀착력을 더욱 견고히 하게 된다.
또한, 상기 메니폴드(101)에는 에어홀(103)이 형성되어 있어, 상기 다공성 세정판(131)과 메니폴드(101)의 결합으로 인해 이들 사이에 에어통로(105)가 마련된다. 따라서, 공기가 상기 에어통로(105)를 통해 상기 상부 이물질세정부(300a) 및 하부 이물질 세정부(300b)의 다공성 세정판(131) 전 표면을 통해 기판(10)을 향해 공기를 분사하게 된다.
또한, 상기 상부 이물질세정부(300a)와 하부 이물질세정부(300b)의 각 다공성 세정판(131)에는 메니폴드(101)와 체결되어 결합시켜 주는 다수의 상부체결나사(111)가 일정 간격 이격되어 장착되도록 일정 깊이의 트랜치(133)가 형성되어 있다.
상기 다수의 탈이온수홀(113)과 흡입홀(115) 들은 상기 트랜치(133)들에 장착된 상부체결나사(111)의 관통구멍(111a)과 연통되어 있다. 상기 다수의 흡입홀(115)들은 상기 트랜치(133)를 통해 상기 공기를 흡입하거나 또는 세정액을 흡입하며, 상기 탈이온수홀(113)은 상기 상부체결나사(111)의 관통구멍(111a)을 통해 세정액을 분사한다. 이때, 상기 상부체결나사(111)는 체결시에 상기 트랜치(133) 높이보다 낮아야 하며, 나사 직경은 상기 트랜치(133)보다는 작아야 한다.
상기 트랜치(133)는 기판(10)의 진행방향에 대하여 수직한 방향으로 일정간격 이격되어 형성되어 있으며, 이 트랜치(133)들에는 세정액이 채워지는데, 이로 인해 기판(10)의 세정효과를 높일 수 있다.
또한, 상기 메니폴드(101)와 다공성 세정판(131)은 상기 상부체결나사(111)와 더불어 하부체결나사(121)에 의해 결합되는데, 상기 하부체결나사(121)는 상기 메니폴드(101)하면에서 삽입되어 상기 다공성 세정판(131)에 체결되므로써 이들 메니폴드(101)와 다공성 세정판(131)이 이중으로 견고하게 결합되게 된다. 이때, 하부체결나사(121)의 체결로 인해 상, 하부 힘 균형으로 평탄도를 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 메니폴드(101)와 다공성 세정판(131)의 접촉부위에는 다공성 세정판(131)과 각 유틸리티(utility)영역이 격리 설계된 메니폴드(101)가 각 유틸리티간에 상호 누설이 없도록 하기 위해 패킹(107)이 끼워져 있어 이들 간의 밀착력을 더욱 견고히 하게 된다.
이때, 상기 패킹(107)은 물리적, 화학적 변형이 적은 재질, 예를 들어 테프론 계열, 불소 계열의 재질을 사용한다.
한편, 상기 위치제어부(400)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 반출되는 기판(10)의 하부면을 향해 공기를 분사함과 아울러 상기 분사된 공기를 흡입함으로써 상기 기판(10)을 플로팅(floating) 상태로 유지한다. 이 위치제어부(400)로부터의 기판(10)은 롤러(60)를 통해 다음 공정 장비로 이동하게 된다.
상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 기판 세정장치는 다공성 세정판과 메니폴드간 체결시에 하부체결나사와 더불어 탈이온수 및 흡입홀(DI&suction hole)과 연통하는 관통구멍이 형성된 상부체결나사를 이용하여 체결하므로써 탈이온수 및 흡입홀로 발생하는 에어 누설을 방지하며, 금속 다공성판과 메니폴드간 체결력을 강화시킬 수 있다.
한편, 상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 기판 세장장치를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 세정장치를 구성하는 이물세정부를 개략적으로 나타낸 사시도이다.
- 도면의 주요부분에 대한 부호설명
50, 60 : 롤러 100 : 기판진입 안내부
100a : 상부구조물 100b : 하부구조물
101 : 메니폴드 103 : 에어홀
105 : 에어통로 107 : 패킹
111 : 상부체결나사 111a : 관통구멍
113 : 탈이온수홀 115 : 흡입홀
121 : 하부체결나사 131 : 다공성 세정판
133 : 트랜치 200 : 이물질 제거부
200a : 상부 이물질 제거부 200b : 하부 이물질 제거부
300 : 이물질 세정부 300a : 상부 이물질 세정부
300b : 하부 이물질 세정부 400 : 위치 제어부
Claims (6)
- 외부로부터의 기판을 올바른 방향으로 진입시키기 위한 기판 진입안내부; 상기 기판 진입안내부로부터 기판을 공급받아 상기 기판에 형성된 이물질을 제거하는 이물질 제거부; 상기 이물질 제거부로부터 상기 기판을 공급받아 상기 기판에 남아 있는 이물질을 세정하여 제거하는 이물질세정부; 및 상기 이물질세정부로부터 반출되는 기판의 위치를 제어하기 위한 위치제어부를 포함하여 구성되며,상기 이물질세정부는 다수의 탈이온수홀, 흡입홀 및 에어홀이 형성된 메니폴드와; 상기 다수의 탈이온수홀 및 흡입홀과 연통되는 관통구멍이 형성된 상부체결나사에 의해 상기 메니폴드와 결합되는 다공성 세정판을 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
- 제1항에 있어서, 상기 메니폴드와 다공성 세정판의 접촉부위에 패킹이 끼워져 있는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
- 제2항에 있어서, 상기 패킹은 테프론 계열, 또는 불소계열의 재질인 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
- 제1항에 있어서, 상기 메니폴드 하면에는 상기 다공성 세정판과 결합시켜 주는 하부체결나사가 장착되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
- 제1항에 있어서, 상기 메니폴드와 다공성 세정판의 결합으로 이들사이에 상기 에어홀과 연통하는 에어통로가 마련되는 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
- 제1항에 있어서, 상기 상부체결나사가 장착되는 다공성 세정판의 영역에는 세정판의 길이방향으로 트랜치가 형성된 것을 특징으로 하는 기판 세정장치.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080134995A KR101229775B1 (ko) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 기판 세정장치 |
US12/654,162 US8555460B2 (en) | 2008-12-26 | 2009-12-11 | Apparatus for cleaning substrate |
TW098143906A TWI415693B (zh) | 2008-12-26 | 2009-12-21 | 清潔基板之裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020080134995A KR101229775B1 (ko) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 기판 세정장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100076820A KR20100076820A (ko) | 2010-07-06 |
KR101229775B1 true KR101229775B1 (ko) | 2013-02-06 |
Family
ID=42283207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020080134995A KR101229775B1 (ko) | 2008-12-26 | 2008-12-26 | 기판 세정장치 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8555460B2 (ko) |
KR (1) | KR101229775B1 (ko) |
TW (1) | TWI415693B (ko) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104190681A (zh) * | 2014-09-19 | 2014-12-10 | 一玻机电有限公司 | 一种玻璃清洗机上的上挡水斗 |
JP7065650B2 (ja) * | 2018-03-12 | 2022-05-12 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002170804A (ja) | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
US6564421B2 (en) | 2000-06-29 | 2003-05-20 | Yong Seok Park | Multi functional cleaning module of manufacturing apparatus for flat panel display and cleaning apparatus using the same |
KR20070003216A (ko) * | 2005-07-01 | 2007-01-05 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 세정장치 |
KR20080037839A (ko) * | 2006-10-27 | 2008-05-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 세정을 위한 브러쉬의 불순물 제거장치 및 그 방법 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US1923635A (en) * | 1928-09-27 | 1933-08-22 | Blaw Knox Co | Abrasive blasting nozzle |
US1947748A (en) * | 1931-11-12 | 1934-02-20 | George Van Wormer | Paper cleaning machine |
US5063951A (en) * | 1990-07-19 | 1991-11-12 | International Business Machines Corporation | Fluid treatment device |
JP3343013B2 (ja) * | 1995-12-28 | 2002-11-11 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板洗浄方法及びその装置 |
AU2003262953A1 (en) | 2002-08-27 | 2004-03-19 | Celerity Group, Inc. | Modular substrate gas panel having manifold connections in a common plane |
US6884145B2 (en) * | 2002-11-22 | 2005-04-26 | Samsung Austin Semiconductor, L.P. | High selectivity slurry delivery system |
TWI232492B (en) * | 2004-06-04 | 2005-05-11 | Au Optronics Corp | A process chamber equipped with a cleaning function |
JP4359580B2 (ja) | 2005-08-02 | 2009-11-04 | 株式会社フューチャービジョン | 処理液供給装置 |
JP4911984B2 (ja) | 2006-02-08 | 2012-04-04 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給装置,基板処理装置,ガス供給方法及びシャワーヘッド |
JP5010875B2 (ja) | 2006-08-28 | 2012-08-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置及び洗浄方法 |
JP4762098B2 (ja) | 2006-09-28 | 2011-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
KR100783763B1 (ko) | 2007-01-04 | 2007-12-07 | 주식회사 디엠에스 | 기판 세정장치 |
-
2008
- 2008-12-26 KR KR1020080134995A patent/KR101229775B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-12-11 US US12/654,162 patent/US8555460B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-12-21 TW TW098143906A patent/TWI415693B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6564421B2 (en) | 2000-06-29 | 2003-05-20 | Yong Seok Park | Multi functional cleaning module of manufacturing apparatus for flat panel display and cleaning apparatus using the same |
JP2002170804A (ja) | 2000-12-04 | 2002-06-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR20070003216A (ko) * | 2005-07-01 | 2007-01-05 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 세정장치 |
KR20080037839A (ko) * | 2006-10-27 | 2008-05-02 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 웨이퍼 세정을 위한 브러쉬의 불순물 제거장치 및 그 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20100076820A (ko) | 2010-07-06 |
TW201023984A (en) | 2010-07-01 |
US8555460B2 (en) | 2013-10-15 |
TWI415693B (zh) | 2013-11-21 |
US20100162514A1 (en) | 2010-07-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102011538B1 (ko) | 와이핑 패드 및 이 패드를 사용한 노즐 메인터넌스 장치와 도포 처리 장치 | |
KR101296659B1 (ko) | 세정 장치 | |
TW200803994A (en) | Syringe pump, substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP2003307740A (ja) | ノズル洗浄装置を具備した液晶滴下装置及びノズル洗浄方法 | |
JP2004055607A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010188286A (ja) | 洗浄装置、洗浄方法および被洗浄体 | |
KR101229775B1 (ko) | 기판 세정장치 | |
JP2013071033A (ja) | ノズル洗浄装置および該ノズル洗浄装置を備えた塗布装置 | |
KR101286545B1 (ko) | 세정 장치 | |
KR100886024B1 (ko) | 기판 식각 장치 | |
KR101068113B1 (ko) | 유리기판 에칭장치 | |
KR101341013B1 (ko) | 세정 장치 | |
TWI622431B (zh) | 塗布裝置及塗布方法 | |
KR101240959B1 (ko) | 에칭액 분사를 위한 노즐을 포함하는 에칭액 공급장치 및 유리기판 에칭 장치 | |
KR101077836B1 (ko) | 슬릿 노즐 세정기와 이를 구비한 부상식 기판 코터 장치 | |
JP2005152705A (ja) | 洗浄用スリットノズルおよびこれを備えた洗浄装置 | |
JP2012200679A (ja) | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 | |
KR101744531B1 (ko) | 이물질에 의한 도포 불량을 방지하는 부상식 기판 코터 장치 | |
TWI471964B (zh) | 基板清潔設備 | |
KR101026744B1 (ko) | 유리기판 에칭장치 | |
CN100542700C (zh) | 玻璃基板清洗用载具 | |
JP2000081628A (ja) | 液晶注入装置 | |
JP2004305930A (ja) | 洗浄用スリットノズルおよびこれを備えた洗浄装置 | |
KR20030004742A (ko) | 액정디스플레이의 습식 식각 장비 | |
JP2005033093A (ja) | 洗浄用スリットノズルおよびこれを備えた洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151228 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161214 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171218 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181226 Year of fee payment: 7 |