JP2004241433A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Sekibun Asa
籍文 麻
Kenji Fujii
健二 藤井
Kaoru Niihara
薫 新原
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Dainippon Screen Mfg Co Ltd
大日本スクリーン製造株式会社
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Abstract

【課題】複数種の処理液をそれぞれ他種の処理液を混入させることなく分別回収する。
【解決手段】スピンチャック1を収容した処理カップ5の底面には、4つの円筒状仕切壁5A,5B,5C,5Dがスピンチャック1の周囲を取り囲んで立設されている。最も内側の円筒状仕切壁5Aは、スピンチャック1に保持されたウエハWの下面側周縁よりも少しだけ低い高さまで形成されている。この円筒状仕切壁5Aの上方には、円筒状仕切壁5Aの上端縁と所定の隙間Sを空けて、円筒状仕切壁5Aとほぼ同じ内径を有する円筒状部材6が配置されている。処理カップ5の上方には、開口部74,75を有するスプラッシュガード7が設けられている。スプラッシュガード7には、昇降駆動機構8が結合されており、この昇降駆動機構8によってスプラッシュガード7を昇降させて、開口部74,75を隙間Sに対向させることができる。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、複数種の処理液を用いて基板を処理するための基板処理装置および基板処理方法に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等が含まれる。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハや液晶表示パネル用ガラス基板等の基板の表面に処理液による処理を施すために、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が用いられることがある。この種の基板処理装置の中には、処理液の消費量の低減を図るために、基板の処理に用いた後の処理液を回収して、その回収した処理液(回収液)を以降の処理に再利用できるように構成されたものがある。
【0003】
処理液を再利用可能な構成の基板処理装置は、たとえば、下記特許文献1(実開昭63−111960号公報)に開示されている。下記特許文献1に開示された装置は、図5に示すように、基板の一例としての半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」という。)Wをほぼ水平に保持して、鉛直方向に沿う回転軸線まわりに回転する回転台91と、この回転台91を収容した3つの処理カップ92,93,94とを備えている。回転台91は、処理カップ92,93,94に対して昇降可能に構成されている。3つの処理カップ92,93,94は、ほぼ円形な底面およびその底面の周縁から立ち上がった側面を有する容器状で互いに容積を異ならせて形成されていて、処理カップ92内に処理カップ93が収容され、この処理カップ93内に処理カップ94が収容されることにより、いわゆる3重構造をなしている。処理カップ92,93,94の側面の上端部は、それぞれ内方に向けて傾斜しており、各側面の上端縁は、回転台91の回転軸線を中心軸線とする円筒面上に上下に適当な間隔を空けて位置している。また、処理カップ92,93の底面には、それぞれ図示しない第1および第2の回収液処理設備へと延びた回収ライン95,96が接続され、処理カップ94の底面には、図示しない廃液処理設備へと延びた廃液ライン97が接続されている。
【0004】
このような構成の基板処理装置では、ウエハWの表面に複数種の処理液を順次に供給して、そのウエハWの表面に対して複数種の処理液による処理を順次に施すことができ、また、処理に用いた複数種の処理液を分別して回収することができる。すなわち、回転台91を上昇させて、ウエハWの端面を処理カップ92の上端縁と処理カップ93の上端縁との間に対向させ、この状態で回転台91(ウエハW)を回転させつつ、その回転しているウエハWの表面に第1の処理液を供給することにより、ウエハWの表面に第1の処理液による処理を施すことができる。ウエハWの表面に供給されて処理に用いられた第1の処理液は、ウエハWの周縁から外方(側方)へと飛散する。ウエハWの端面が処理カップ92の上端縁と処理カップ93の上端縁との間に対向していることにより、そのウエハWから飛散する第1の処理液を、処理カップ92の上端縁と処理カップ93の上端縁との間を通して処理カップ92で受けることができ、処理カップ92に接続された回収ライン95を通して第1の回収液処理設備に回収することができる。また、ウエハWの端面を処理カップ93の上端縁と処理カップ94の上端縁との間に対向させ、この状態で回転台91を回転させつつ、その回転しているウエハWの表面に第2の処理液を供給することにより、ウエハWの表面に第2の処理液による処理を施すことができる。そして、その処理に用いられた第2の処理液を、処理カップ93の上端縁と処理カップ94の上端縁との間を通して処理カップ93で受け、処理カップ93に接続された回収ライン96を通して第2の回収液処理設備に回収することができる。
【0005】
さらに、第1または第2の処理液による処理の後にウエハWの表面をリンス液(純水)で水洗する場合には、ウエハWの端面を処理カップ94の内面に対向させた状態で、この状態で回転台91を回転させつつ、その回転しているウエハWの表面にリンス液を供給する。このとき、ウエハWから飛散するリンス液は第1または第2の処理液含むので、処理カップ94で受けられて、その処理カップ94に接続された廃液ライン97を通して廃液処理設備へと廃液される。
【0006】
【特許文献1】
実開昭63−111960号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、上記のような構成では、第1の処理液による処理時に、第1の処理液の飛沫の一部が、処理カップ93の上端縁と処理カップ94の上端縁との間を通して処理カップ93内に進入し、この結果、処理カップ92に回収される第1の処理液(回収液)に第2の処理液が混入してしまう。また、第2の処理液による処理時には、第2の処理液の飛沫の一部が、処理カップ92の上端縁と処理カップ93の上端縁との間を通して処理カップ92内に進入し、この結果、処理カップ93に回収される第2の処理液(回収液)に第1の処理液が混入してしまう。
【0008】
他種の処理液が混入した回収液は、予定された処理能力を発揮できないので、そのような回収液をウエハWの処理に再利用すると、処理不足などの処理不良を生じるおそれがある。
そこで、この発明の目的は、複数種の処理液をそれぞれ他種の処理液を混入させることなく分別回収することができる基板処理装置を提供することである。
また、この発明の他の目的は、複数種の処理液をそれぞれ他種の処理液を混入させることなく分別回収し、その回収された複数種の処理液を再利用して基板に良好な処理を施すことができる基板処理方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
上記の目的を達成するための請求項1記載の発明は、複数種の処理液を用いて基板(W)を処理する基板処理装置であって、基板を保持しつつ回転させる基板保持手段(1)と、この基板保持手段に保持されて回転している基板の表面に第1の処理液を供給する第1処理液供給手段(2)と、上記基板保持手段に保持されて回転している基板の表面に第2の処理液を供給する第2処理液供給手段(3)と、上記基板保持手段の周囲をそれぞれ取り囲むように形成されて、上記基板保持手段に保持されて回転している基板から飛散する処理液を受け取るための複数の開口部(74,75)と、この複数の開口部と上記基板保持手段との間において、上記基板保持手段の周囲を取り囲むように配置されており、上記複数の開口部のそれぞれに選択的に対向可能なスリット孔(S)が形成された筒状シャッタ部材(5A,6)と、この筒状シャッタ部材と上記複数の開口部とを相対的に昇降移動させて、上記スリット孔が対向する開口部を切り替えるための相対昇降移動手段(8)とを含むことを特徴とする基板処理装置である。
【0010】
なお、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。
上記の構成によれば、スリット孔を所定の開口部に対向させることにより、第1の処理液による処理時に基板から飛散する第1の処理液を、スリット孔を通して当該開口部に進入させることができる。したがって、当該開口部に進入した第1の処理液を回収すれば、その回収した第1の処理液を以降の処理に再利用することができる。一方、第2の処理液による処理時には、第1の処理液による処理時にスリット孔が対向する開口部とは別の開口部にスリット孔を対向させることにより、基板から飛散する第2の処理液を、スリット孔を通して当該別の開口部に進入させることができる。したがって、当該別の開口部に進入した第2の処理液を回収すれば、その回収した第2の処理液を以降の処理に再利用することができる。
【0011】
スリット孔(筒状シャッタ部材)の機能により、第2の処理液による処理時に、第1の処理液を進入させるべき開口部に第2の処理液が進入することはないから、その開口部を通して回収される第1の処理液に第2の処理液が混入することがない。よって、第1の処理液による処理時に回収した第1の処理液を再利用しても、基板の表面に第1の処理液による良好な処理を施すことができる。また同様に、第1の処理液による処理時に、第2の処理液を進入させるべき開口部に第1の処理液が進入することはないから、その開口部を通して回収される第2の処理液に第1の処理液が混入することがない。よって、第2の処理液による処理時に回収した第2の処理液を再利用しても、基板の表面に第2の処理液による良好な処理を施すことができる。
【0012】
なお、請求項2に記載のように、上記筒状シャッタ部材は、上記スリット孔が上記基板保持手段の周囲の空間と上記複数の開口部のうちの1の開口部内の空間とを連通させている状態で、上記基板保持手段の周囲の空間と残りの開口部内の空間とを隔絶させるものであることが好ましい。この構成により、第1の処理液を進入させるべき開口部に第2の処理液が進入したり、第2の処理液を進入させるべき開口部に第1の処理液が進入したりすることを確実に防止することができる。また、第1の処理液による処理時に、第2の処理液を進入させるべき開口部から基板の周囲に第2の処理液を含む雰囲気が流入(逆流)したり、第2の処理液による処理時に、第1の処理液を進入させるべき開口部から基板の周囲に第1の処理液を含む雰囲気が流入したりすることを防止できる。
【0013】
請求項3記載の発明は、複数種の処理液をそれぞれ繰り返し用いて基板(W)を処理する基板処理方法であって、基板保持手段(1)に保持されて回転している基板の表面に第1の処理液を供給する第1処理液供給工程と、上記基板保持手段に保持されて回転している基板の表面に第2の処理液を供給する第2処理液供給工程と、上記基板保持手段の周囲をそれぞれ取り囲むように形成されて、上記基板保持手段に保持されて回転している基板から飛散する処理液を受け取るための複数の開口部(74,75)と、この複数の開口部と上記基板保持手段との間において、上記基板保持手段の周囲を取り囲むように配置された筒状シャッタ部材(5A,6)とを相対的に昇降移動させて、上記第1処理液供給工程と上記第2処理液供給工程とで、上記筒状シャッタ部材に形成されたスリット孔(S)が対向する開口部を切り替える工程とを含むことを特徴とする基板処理方法である。
【0014】
この方法によれば、請求項1に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。この基板処理装置は、基板の一例であるウエハWの表面に第1および第2の処理液を順次に供給して、そのウエハWの表面に対して洗浄処理を施すための装置であって、ウエハWをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック1と、このスピンチャック1に保持されたウエハWの表面に第1の処理液を供給するための第1処理液ノズル2と、スピンチャック1に保持されたウエハWの表面に第2の処理液を供給するための第2処理液ノズル3と、スピンチャック1に保持されたウエハWの表面にリンス液を供給するためのリンス液ノズル4とを備えている。
【0016】
ウエハWの表面に対する洗浄処理が、ウエハWの表面から主に有機物汚染を除去するための処理である場合、第1および第2の処理液として、たとえば、それぞれSC1(NHOH+H+HOの混合液)およびSC2(HCl+HO2+HOの混合液)を用いることができる。また、ウエハWの表面から主に金属汚染を除去するための処理である場合、第1および第2の処理液には、たとえば、それぞれHF(フッ酸)+HNO(硝酸)の混合液およびBHF(Buffered hydrofluoric acid)を用いることができる。さらに、リンス液は、第1または第2の処理液による処理後のウエハWの表面を洗い流すための液であり、このリンス液には、たとえば、純水を用いることができる。
【0017】
スピンチャック1としては、たとえば、ウエハWのデバイス形成面を上方に向けた状態で、そのウエハWの非デバイス形成面(下面)を真空吸着することにより、ウエハWをほぼ水平に保持することができる真空吸着式のもの(バキュームチャック)が用いられている。この真空吸着式のスピンチャック1は、たとえば、ウエハWを保持した状態で、鉛直な軸線まわりに回転することにより、その保持したウエハWをほぼ水平な面内で回転させることができる。
【0018】
スピンチャック1は、処理カップ5内に収容されている。処理カップ5の底面には、4つの円筒状仕切壁5A,5B,5C,5Dが、スピンチャック1(ウエハW)の回転軸線を中心とする同心円状に、スピンチャック1の周囲を取り囲んで立設されている。これにより、処理カップ5内には、最も内側の円筒状仕切壁5Aに囲まれたスピンチャック収容空間51、円筒状仕切壁5Aとこの円筒状仕切壁5Aに対向した円筒状仕切壁5Bとによって区画された廃液溝52、円筒状仕切壁5Bとこの円筒状仕切壁5Bに対向した円筒状仕切壁5Cとによって区画された第2処理液回収溝53、および円筒状仕切壁5Cとこの円筒状仕切壁5Cに対向した最も外側の円筒状仕切壁5Dとによって区画された第1処理液回収溝54が形成されている。スピンチャック収容空間51および廃液溝52には、それぞれ図示しない廃液処理設備へと延びた廃液ライン55,56が接続されている。また、第1処理液回収溝54には、図示しない第1回収液処理設備へと延びた第1回収ライン57が接続され、第2処理液回収溝53には、図示しない第2回収液処理設備へと延びた第2回収ライン58が接続されている。
【0019】
最も内側の円筒状仕切壁5Aは、スピンチャック1に保持されたウエハWの下面側周縁よりも少しだけ低い高さまで形成されている。この円筒状仕切壁5Aの上方には、円筒状仕切壁5Aの上端縁と所定の隙間Sを空けて、円筒状仕切壁5Aとほぼ同じ内径を有する円筒状部材6が配置されている。円筒状部材6は、たとえば、円筒状仕切壁5Aの上端縁に設けられた複数の支持部材(図示せず)によって支持されている。
【0020】
処理カップ5の上方であって、円筒状部材6の外側には、互いに大きさが異なる3つの傘状部材71,72,73を重ねて構成されたスプラッシュガード7が設けられている。スプラッシュガード7には、たとえば、ボールねじ機構などを含む昇降駆動機構8が結合されており、この昇降駆動機構8によって、スプラッシュガード7を処理カップ5に対して昇降(上下動)させることができる。
傘状部材71,72,73は、それぞれ、スピンチャック1の回転軸線に対してほぼ回転対称な形状を有しており、スピンチャック1の回転軸線を中心軸線とするほぼ円筒状の円筒面71A,72A,73Aと、この円筒面71A,72A,73Aの上端縁からスピンチャック1の回転軸線に近づくように斜め上方に傾斜した傾斜面71B,72B,73Bとを有している。
【0021】
円筒面71A,72A,73Aは、それぞれ内径が異なり、スピンチャック1の回転軸線を中心とする同軸円筒状に配置されている。円筒面71A,71Bは、スプラッシュガード7が最上方位置に上昇したときに、下端縁がそれぞれ円筒状仕切壁5D,5Cの上端縁の近傍で第1処理液回収溝54内に位置し、スプラッシュガード7が最下方位置に下降したときに、それぞれの下端縁が処理カップ5の底面に接触しないような長さを有している。また、円筒面73Aは、スプラッシュガード7が最上方位置に上昇したときに、下端縁が円筒状仕切壁5Bの上端縁の近傍で第2処理液回収溝53内に位置し、スプラッシュガード7が最下方位置に下降したときに、その下端縁が処理カップ5の底面に接触しないような長さを有している。
【0022】
傾斜面71B,72B,73Bの上端縁は、スピンチャック1の回転軸線を中心軸線とする円筒面上に上下に適当な間隔を空けて位置し、これにより、傾斜面71Bの上端縁と傾斜面72Bの上端縁との間には、ウエハWから飛散する第1の処理液を傾斜面71Bと傾斜面72Bとの間に進入させるための開口部74が形成され、傾斜面72Bの上端縁と傾斜面73Bの上端縁との間には、ウエハWから飛散する第2の処理液を傾斜面72Bと傾斜面73Bとの間に進入させるための開口部75が形成されている。また、傾斜面72B,73Bには、それぞれほぼ円筒状の円筒壁76,77が垂れ下がった状態に設けられている。円筒壁76は、スプラッシュガード7が最上方位置に上昇したときに、その下端縁が円筒状仕切壁5Cの上端縁の近傍で第2処理液回収溝53内に位置し、スプラッシュガード7が最下方位置に下降したときに、その下端縁が処理カップ5の底面に接触しないような長さを有している。また、円筒壁77は、スプラッシュガード7が最上方位置に上昇したときに、その下端縁が円筒状仕切壁5Bの上端縁の近傍で廃液溝52内に位置し、スプラッシュガード7が最下方位置に下降したときに、その下端縁が処理カップ5の底面に接触しないような長さを有している。さらにまた、スプラッシュガード7が最下方位置に下降しても、傾斜面72B,73Bはそれぞれ円筒状仕切壁5C,5Bに接触しない。
【0023】
なお、この実施形態では、傘状部材71,72,73がそれぞれ円筒面71A,72A,73Aと傾斜面71B,72B,73Bとを有する構成を取り上げているが、傘状部材71,72,73は、倒置した椀形状のものであってもよい。すなわち、傘状部材71,72,73は、上端縁がスピンチャック1の回転軸線を中心軸線とする円筒面上に上下に適当な間隔を空けて位置し、スプラッシュガード7が最上方位置に上昇したときに、それぞれ下端縁が円筒状仕切壁5D,5C,5Bの上端縁の近傍に位置し、スプラッシュガード7が最下方位置に下降したときに、それぞれ下端縁が処理カップ5の底面に接触しないような湾曲面を有するものであってもよい。
【0024】
図2は、ウエハWに対する第1の処理液を用いた処理が行われているときの様子を概念的に示す断面図である。第1の処理液による処理時には、スプラッシュガード7を最下方位置まで下降させて、開口部74を、円筒状仕切壁5Aと円筒状部材6との間に生じているスリット状の隙間Sに対向させる。そして、その状態でスピンチャック1を回転させつつ、その回転しているスピンチャック1上のウエハWの表面に、第1処理液ノズル2から第1の処理液を供給する。ウエハWの表面に供給された第1の処理液は、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの表面上に拡がり、ウエハWの周縁から側方へと飛散する。これにより、ウエハWの表面に第1の処理液が隈無く行き渡り、ウエハWの表面に対する第1の処理液による処理が達成される。
【0025】
開口部74が隙間Sに対向しているので、ウエハWの周縁から側方へと飛散した第1の処理液のほとんどは、隙間Sを通って、開口部74から傾斜面71Bと傾斜面72Bとの間に進入し、第1処理液回収溝54内に集められる。第1処理液回収溝54に集められた第1の処理液は、第1回収ライン57を通して第1回収液処理設備に回収され、これ以降に行われる第1の処理液による処理に再利用される。
【0026】
また、隙間Sを通過できず、円筒状仕切壁5Aよりも内部のスピンチャック収容空間51に留まった第1の処理液は、スピンチャック収容空間51の底面で受けられて、廃液ライン55を通して廃液処理設備へ廃液される。このとき、円筒状仕切壁5Aが開口部75に対向しているので、隙間Sを通過しなかった第1の処理液が、開口部75から傾斜面72Bと傾斜面73Bとの間に進入することはない。そのうえ、円筒状仕切壁5Aが開口部75に対向し、最内側の傘状部材73と廃液溝52との間の空間とスピンチャック収容空間51とが円筒状仕切壁5Aで隔絶されていることにより、廃液溝52や廃液ライン56内、および第2処理液回収溝53や第2回収ライン58内の雰囲気がスピンチャック収容空間51に流入することがないから、そのような雰囲気が洗浄後のウエハWを再汚染してしまうおそれもない。
【0027】
図3は、ウエハWに対する第2の処理液を用いた処理が行われているときの様子を概念的に示す断面図である。第2の処理液による処理時には、スプラッシュガード7を第1の処理液による処理時よりも上昇させて、開口部75を円筒状仕切壁5Aと円筒状部材6との間の隙間Sに対向させる。そして、その状態でスピンチャック1を回転させつつ、その回転しているスピンチャック1上のウエハWの表面に、第2処理液ノズル3から第2の処理液を供給する。ウエハWの表面に供給された第2の処理液は、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの表面上に拡がり、ウエハWの周縁から側方へと飛散する。これにより、ウエハWの表面に第2の処理液が隈無く行き渡り、ウエハWの表面に対する第2の処理液による処理が達成される。
【0028】
開口部75が隙間Sに対向しているので、ウエハWの周縁から側方へと飛散した第2の処理液のほとんどは、隙間Sを通って、開口部75から傾斜面72Bと傾斜面73Bとの間に進入し、第2処理液回収溝53内に集められる。第2処理液回収溝53に集められた第2の処理液は、第2回収ライン58を通して第2回収液処理設備に回収され、これ以降に行われる第2の処理液による処理に再利用される。
【0029】
また、隙間Sを通過しなかった第2の処理液は、スピンチャック収容空間51の底面で受けられて、廃液ライン55を通して廃液処理設備へ廃液される。このとき、円筒状部材6が開口部74に対向しているので、隙間Sを通過しなかった第2の処理液が、開口部74から傾斜面71Bと傾斜面72Bとの間に進入することはない。そのうえ、円筒状部材6が開口部74に対向し、さらに円筒状部材6によって最内側の傘状部材73と廃液溝52との間の空間とスピンチャック収容空間51とが隔絶されていることにより、廃液溝52や廃液ライン56内、および第1処理液回収溝54や第1回収ライン57内の雰囲気がスピンチャック収容空間51に流入することがないから、そのような雰囲気が洗浄後のウエハWを再汚染してしまうおそれもない。
【0030】
図4は、第1または第2の処理液による処理後のウエハWの表面を洗い流すためのリンス処理が行われているときの様子を概念的に示す断面図である。第1または第2の処理液による処理の後にウエハWの表面をリンス液で水洗する場合には、スプラッシュガード7を第2の処理液による処理時よりもさらに上昇させて、最内側の傘状部材73に囲まれた空間に、円筒状仕切壁5Aと円筒状部材6との間の隙間Sを臨ませる。そして、その状態でスピンチャック1を回転させつつ、その回転しているスピンチャック1上のウエハWの表面に、リンス液ノズル4からリンス液を供給する。ウエハWの表面に供給されたリンス液は、ウエハWの回転による遠心力を受けて、ウエハWの表面上に拡がり、ウエハWの周縁から側方へと飛散する。これにより、ウエハWの表面にリンス液が隈無く行き渡り、ウエハWの表面がリンス液で洗い流される。
【0031】
隙間Sが傘状部材73に囲まれた空間に臨んでいるので、ウエハWの周縁から側方へと飛散したリンス液のほとんどは、隙間Sを通って傘状部材73内に進入し、廃液溝52内に集められる。廃液溝52内に集められたリンス液は、廃液ライン56を通して廃液処理設備へ廃液される。また、隙間Sを通過しないリンス液は、スピンチャック収容空間51の底面で受けられて、廃液ライン55を通して廃液処理設備へ廃液される。このとき、開口部74および開口部75には、円筒状部材6が対向しているので、隙間Sを通過しないリンス液が、開口部74から傾斜面71Bと傾斜面72Bとの間に進入したり、開口部75から傾斜面72Bと傾斜面73Bとの間に進入したりすることはない。
【0032】
以上のように、この実施形態によれば、第2の処理液による処理時に、第2の処理液が開口部74を通って傾斜面71Bと傾斜面72Bとの間に進入することはないから、その開口部74を通って回収される第1の処理液に第2の処理液が混入することがない。さらに、リンス液が開口部74を通って傾斜面71Bと傾斜面72Bとの間に進入することもないから、その開口部74を通って回収される第1の処理液にリンス液が混入することもない。よって、第1の処理液による処理時に回収した第1の処理液を再利用しても、ウエハWの表面に第1の処理液による良好な処理を施すことができる。
【0033】
また、第1の処理液による処理時に、第1の処理液が開口部75を通って傾斜面72Bと傾斜面73Bとの間に進入することはないから、その開口部75を通って回収される第2の処理液に第1の処理液が混入することがない。さらに、リンス液が開口部75を通って傾斜面72Bと傾斜面73Bとの間に進入することもないから、その開口部75を通って回収される第2の処理液にリンス液が混入することもない。よって、第2の処理液による処理時に回収した第2の処理液を再利用しても、ウエハWの表面に第2の処理液による良好な処理を施すことができる。
【0034】
以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することも可能である。たとえば、上記の実施形態では、第1および第2の処理液およびリンス液を用いてウエハWの表面を洗浄する場合の構成を例にとったが、回収溝および傘状部材を追加して、リンス液以外の3種以上の処理液を用いてウエハWの表面を洗浄し、その洗浄に用いた処理液を分別して回収可能な構成にしてもよい。なお、通常リンス液を回収することは少ないが、リンス液をも回収したい場合には、廃液溝52および廃液ライン56を、第1および第2の処理液を回収する構成と同様に、回収溝および回収ラインとしてもよい。
【0035】
また、上記の実施形態では、スプラッシュガード7を昇降させる構成を例にとったが、スピンチャック1とスプラッシュガード7との間に、ウエハWから振り切られた処理液が通過可能なスリット孔を有するシャッタ部材を設け、このシャッタ部材とスピンチャック1とを同時に(一体的に)昇降させることにより、スリット孔を開口部74,75または傘状部材73と廃液溝52との間の空間に選択的に対向させるようにしてもよい。なお、上記スリット孔は、スピンチャック1が保持するウエハWの側方に位置するように形成する。また、この場合に、スプラッシュガード7は、処理カップ5に対して固定配置されていてもよいし、シャッタ部材およびスピンチャック1の昇降に合わせて昇降(シャッタ部材およびスピンチャック1の昇降時には、スプラッシュガード7を下降させ、シャッタ部材およびスピンチャック1の下降時には、スプラッシュガード7を上昇)させてもよい。
【0036】
さらに、ウエハWに対して洗浄処理を行う装置を例にとったが、この発明は、ウエハWに対して複数の処理液を用いた処理を行うものであれば何でもよく、たとえば、ウエハWの表面から不要な薄膜をエッチング液を用いて除去するエッチング処理装置、ウエハWの表面から不要なポリマー残渣をポリマー除去液を用いて除去するポリマー除去装置、ウエハWの表面にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布装置、あるいはウエハWの表面に現像液を供給してレジスト膜を現像する現像装置などに適用することもできる。
【0037】
さらにまた、処理対象の基板は、ウエハWに限らず、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディプレイパネル用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などの他の種類の基板であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。
【図2】ウエハに対する第1の処理液を用いた処理が行われているときの様子を概念的に示す断面図である。
【図3】ウエハに対する第2の処理液を用いた処理が行われているときの様子を概念的に示す断面図である。
【図4】第1または第2の処理液による処理後のウエハの表面を洗い流すためのリンス処理が行われているときの様子を概念的に示す断面図である。
【図5】従来の基板処理装置の構成を概念的に示す断面図である。
【符号の説明】
1 スピンチャック
2 第1処理液ノズル
3 第2処理液ノズル
5 処理カップ
5A 円筒状仕切壁
5B 円筒状仕切壁
5C 円筒状仕切壁
5D 円筒状仕切壁
6 円筒状部材
7 スプラッシュガード
8 昇降駆動機構
53 第2処理液回収溝
54 第1処理液回収溝
74 開口部
75 開口部
S 隙間
W ウエハ

Claims (3)

  1. 複数種の処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、
    基板を保持しつつ回転させる基板保持手段と、
    この基板保持手段に保持されて回転している基板の表面に第1の処理液を供給する第1処理液供給手段と、
    上記基板保持手段に保持されて回転している基板の表面に第2の処理液を供給する第2処理液供給手段と、
    上記基板保持手段の周囲をそれぞれ取り囲むように形成されて、上記基板保持手段に保持されて回転している基板から飛散する処理液を受け取るための複数の開口部と、
    この複数の開口部と上記基板保持手段との間において、上記基板保持手段の周囲を取り囲むように配置されており、上記複数の開口部のそれぞれに選択的に対向可能なスリット孔が形成された筒状シャッタ部材と、
    この筒状シャッタ部材と上記複数の開口部とを相対的に昇降移動させて、上記スリット孔が対向する開口部を切り替えるための相対昇降移動手段と
    を含むことを特徴とする基板処理装置。
  2. 上記筒状シャッタ部材は、上記スリット孔が上記基板保持手段の周囲の空間と上記複数の開口部のうちの1の開口部内の空間とを連通させている状態で、上記基板保持手段の周囲の空間と残りの開口部内の空間とを隔絶させるものであることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。
  3. 複数種の処理液をそれぞれ繰り返し用いて基板を処理する基板処理方法であって、
    基板保持手段に保持されて回転している基板の表面に第1の処理液を供給する第1処理液供給工程と、
    上記基板保持手段に保持されて回転している基板の表面に第2の処理液を供給する第2処理液供給工程と、
    上記基板保持手段の周囲をそれぞれ取り囲むように形成されて、上記基板保持手段に保持されて回転している基板から飛散する処理液を受け取るための複数の開口部と、この複数の開口部と上記基板保持手段との間において、上記基板保持手段の周囲を取り囲むように配置された筒状シャッタ部材とを相対的に昇降移動させて、上記第1処理液供給工程と上記第2処理液供給工程とで、上記筒状シャッタ部材に形成されたスリット孔が対向する開口部を切り替える工程と
    を含むことを特徴とする基板処理方法。
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