KR102598146B1 - 웨이퍼 세정 장치 - Google Patents

웨이퍼 세정 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102598146B1
KR102598146B1 KR1020220152334A KR20220152334A KR102598146B1 KR 102598146 B1 KR102598146 B1 KR 102598146B1 KR 1020220152334 A KR1020220152334 A KR 1020220152334A KR 20220152334 A KR20220152334 A KR 20220152334A KR 102598146 B1 KR102598146 B1 KR 102598146B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
wafers
center
combs
cleaning tank
Prior art date
Application number
KR1020220152334A
Other languages
English (en)
Inventor
김태욱
Original Assignee
에스케이실트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이실트론 주식회사 filed Critical 에스케이실트론 주식회사
Priority to KR1020220152334A priority Critical patent/KR102598146B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102598146B1 publication Critical patent/KR102598146B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/044—Cleaning involving contact with liquid using agitated containers in which the liquid and articles or material are placed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/048—Overflow-type cleaning, e.g. tanks in which the liquid flows over the tank in which the articles are placed
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/10—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration
    • B08B3/12—Cleaning involving contact with liquid with additional treatment of the liquid or of the object being cleaned, e.g. by heat, by electricity or by vibration by sonic or ultrasonic vibrations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber vertical transfer of a batch of workpieces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68771—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by supporting more than one semiconductor substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

실시예에 의하면, 웨이퍼들이 세정조 내부에서 센터 암에 구비된 센터 콤들 또는 제1,2 사이드 암에 구비된 제1,2 사이드 콤들에 지지된 상태에서 좌우 방향으로 스윙될 수 있고, 분사 노즐들이 세정조 내부에 세정조의 흐름을 형성시킴으로서, 웨이퍼들을 회전시키지 않더라도 웨이퍼들의 위치 변경 및 세정액의 흐름을 형성하여 웨이퍼들을 균일하게 세정할 수 있고, 웨이퍼들의 에지 접촉 지점이 연속적으로 변경되지 않아 오염 소스의 재흡착을 개선시킬 수 있다.
또한, 세정조 내부의 구성을 간소화할 수 있으므로, 오염 소스를 줄이는 동시에 메가소닉의 데드 존(dead zone) 없이 초음파가 전체에 걸쳐 골고루 조사되도록 하여 세정 성능을 향상시킬 수 있다.

Description

웨이퍼 세정 장치 {Wafer cleaning apparatus}
실시예는 웨이퍼들을 회전시키지 않더라도 웨이퍼들의 위치 변경과 세정액의 흐름을 개선하여 웨이퍼들을 균일하게 세정할 수 있는 웨이퍼 세정 장치에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼는 슬라이싱(slicing) 공정, 그라인딩(grinding) 공정, 랩핑(lapping) 공정, 에칭(etching) 공정, 폴리싱(polishing) 공정 등의 일련의 공정을 거쳐 반도체 소자 제조용 웨이퍼로 생산된다.
웨이퍼 제작 공정이 진행되는 동안, 웨이퍼의 표면은 미세 파티클, 금속 오염물, 유기 오염물 등에 의해 오염될 수 있다. 이러한 오염물은 웨이퍼의 품질을 저하시킬 뿐만 아니라, 반도체 소자의 물리적 결함 및 특성 저하를 일으키는 원인으로 작용하여, 궁극적으로 반도체 소자의 생산 수율을 저하시키는 원인이 된다. 따라서, 웨이퍼 표면에 묻은 오염물들을 제거하기 위해서 산 또는 알칼리 등의 에칭액이나 순수(Deionized water)를 이용하는 습식 세정 공정을 진행한다.
습식 세정 공정은 웨이퍼를 하나씩 세정하는 매엽식과, 웨이퍼들을 한꺼번에 세정하는 배치식으로 나뉘어진다.
배치식 웨이퍼 세정 장치는 세정액으로 채워진 세정조에 복수개의 웨이퍼를 일정 시간 담그고, 세정액에 초음파를 발생시켜 웨이퍼의 표면을 세정할 수 있다.
웨이퍼 표면에 존재하는 파티클(particle), 유기물, 메탈 오염물 등과 같은 오염 물질을 SC1(standard cleaning-1), SC2(standard cleaning-2), 인산(phosphoric acid) 등과 같은 적절한 세정액을 사용하여 화학 반응으로 제거할 수 있다.
또한, 세정액을 통하여 전달된 초음파 진동에 의해 웨이퍼 표면의 오염물을 더 효율적으로 제거할 수 있고, 웨이퍼 표면에 형성된 산화막이나 질화막 등을 제거하는 습식 식각(wet etching)이 진행될 수 있다.
한국공개특허 제2005-0055195호(2003.12.05.출원)에 개시된 웨이퍼 세정장치에 따르면, 웨이퍼를 세정조의 세정액 내에서 지지하고, 웨이퍼를 상하좌우전후로 자유롭게 회전 또는 이동시킬 수 있는 웨이퍼 요동기구와, 요동기구가 회전 또는 요동하도록 동력을 가하는 동력전달기구를 포함하여 이루어진다.
한국공개특허 제2007-0069921호(2005.12.28.출원)에 개시된 습식세정장치용 습식 배스내에서의 웨이퍼 가이드 교반장치에 따르면, 세정설비의 배스는 화학약품용액이 내부에 저장되며 상부를 통해 반도체 웨이퍼가 로봇에 의 해 진입되어 웨이퍼 가이드로 적재될 수 있도록 되어 있고, 저부에는 화학약품용액을 공급하기 위한 공급라인과 화학약품용액을 고온으로 가열하기 위한 히터가 설치된 구조로 되어 있으며; 웨이퍼 가이드는 세정설비의 배스에 위치하며 반도체 웨이퍼를 적재하여 배스 내에서 반도체 웨이퍼를 지지하는 역할을 수행하도록 함에 있어서, 배스 내의 웨이퍼 가이드를 한 원형방향으로 회전하도록 구동시키는 구동수단을 포함한다.
상기와 같은 종래 기술들에 의하면, 초음파 세정 중 웨이퍼들을 회전시킬 수 있으나, 웨이퍼들을 회전시키기 위하여 웨이퍼들의 에지 접촉 지점이 연속적으로 변경되기 때문에 웨이퍼들의 접촉 지점에서 오염 소스가 재부착되기 쉽고, 이로 인하여 웨이퍼들을 균일하게 세정하기 어려운 문제점이 있다.
또한, 웨이퍼들을 지지하기 위한 구성이 세정조 내부에 복잡하게 구비되기 때문에 오염 소스가 많아지고, 초음파가 전달되지 못하는 데드 존의 영역이 넓어지며, 이로 인하여 세정 성능을 저하시키는 문제점이 있다.
실시예는 전술한 문제 및 다른 문제를 해결하는 것을 목적으로 한다.
실시예의 다른 목적은 웨이퍼들을 회전시키지 않더라도 웨이퍼들의 위치 변경과 세정액의 흐름을 개선하여 웨이퍼들을 균일하게 세정할 수 있는 웨이퍼 세정 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
실시예의 또 다른 목적은 세정조 내부의 구성을 간소화할 수 있는 웨이퍼 세정 장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
실시예의 일 측면에 따르면, 복수의 웨이퍼와 세정액이 담기는 세정조; 상기 세정조 하부에 구비되고, 세정 시간(t) 동안 상기 웨이퍼들을 향하여 초음파를 조사하는 메가소닉(megasonic); 상기 세정조 내부 중심에 스윙과 승강 가능하게 구비되는 센터 암(center arm); 상기 센터 암의 하부에 구비되고 상기 웨이퍼들의 하부 중심을 지지하는 복수의 센터 콤들(center comb); 및 상기 세정조 내부의 하부 양측에 구비되고 상기 웨이퍼들을 향하여 세정액을 분사하는 복수의 분사 노즐;을 포함하고, 상기 분사 노즐들은, 선택적으로 세정액을 분사하여 상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 형성하는 웨이퍼 세정 장치를 제공한다.
실시예의 일 측면에 따르면, 상기 센터 암은, 상기 웨이퍼들의 중심을 가로지르도록 수직하게 배치되고, 상기 웨이퍼들의 중심과 일치하는 구동 지점을 기준으로 상기 세정조의 좌우로 스윙 구동될 수 있다.
실시예의 일 측면에 따르면, 상기 센터 콤들은, 적어도 두 개 이상 구비될 수 있다.
실시예의 일 측면에 따르면, 상기 분사 노즐들은, 상기 센터 콤들의 좌측에 이격되게 구비되고 상기 센터 콤들을 향하여 세정액을 분사하는 상부 좌측 분사 노즐과, 상기 센터 콤들의 우측에 이격되게 구비되고 상기 센터 콤들을 향하여 세정액을 분사하는 상부 우측 분사 노즐과, 상기 센터 콤들의 좌측 하부에 이격되게 구비되고 중앙을 향하여 세정액을 분사하는 하부 좌측 분사 노즐과, 상기 센터 콤들의 우측 하부에 이격되게 구비되고 중앙을 향하여 세정액을 분사하는 하부 우측 분사 노즐을 포함하는 포함할 수 있다.
실시예의 일 측면에 따르면, 상기 센터 암은, 상기 센터 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부를 지지한 상태에서 상기 세정조의 우측 방향으로 스윙되고, 상기 분사 노즐들은, 상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 반시계 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 좌측에서 세정액을 분사할 수 있다.
실시예의 일 측면에 따르면, 상기 센터 암은, 상기 센터 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부를 지지한 상태에서 상기 세정조의 좌측 방향으로 스윙되고, 상기 분사 노즐들은, 상기 세정조 내부에서 세정액의 흐름을 시계 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 우측에서 세정액을 분사할 수 있다.
실시예의 일 측면에 따르면, 상기 센터 암은, 상기 센터 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부를 지지한 상태에서 상기 세정조의 중심에 정위치되고, 상기 분사 노즐들은, 상기 세정조 내부에서 세정액의 흐름을 중심에서 상승하는 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 양측에서 세정액을 분사할 수 있다.
실시예의 일 측면에 따르면, 상기 세정조 내부 양측에 승강과 스윙 가능하게 구비되는 제1,2 사이드 암(side arm); 및 상기 제1,2 사이드 암의 하부에 구비되고 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지하는 복수의 제1,2 사이드 콤들(side comb);을 더 포함할 수 있다.
실시예의 일 측면에 따르면, 상기 제1,2 사이드 암은, 상기 제1,2 사이드 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지한 상태에서 상기 세정조의 우측 방향으로 스윙되고, 상기 분사 노즐들은, 상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 반시계 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 좌측에서 세정액을 분사할 수 있다.
실시예의 일 측면에 따르면, 상기 제1,2 사이드 암은, 상기 제1,2 사이드 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지한 상태에서 상기 세정조의 좌측 방향으로 스윙되고, 상기 분사 노즐들은, 상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 시계 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 우측에서 세정액을 분사할 수 있다.
실시예의 일 측면에 따르면, 상기 제1,2 사이드 암은, 상기 제1,2 사이드 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지한 상태에서 상기 센터 콤의 양측에 나란히 정위치되고, 상기 분사 노즐들은, 상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 중심에서 상승하는 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 양측에서 세정액을 분사할 수 있다.
실시예의 일 측면에 따르면, 상기 센터 암은, 상기 센터 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부와 비접촉하도록 상기 세정조의 중심에서 하강할 수 있다.
실시예의 다른 일 측면에 따르면, 복수의 웨이퍼와 세정액이 담기는 세정조;
상기 세정조 하부에 구비되고, 세정 시간(t) 동안 상기 웨이퍼들을 향하여 초음파를 조사하는 메가소닉(megasonic); 상기 세정조 내부의 양측에 승강과 스윙 가능하게 구비되는 제1,2 사이드 암(side arm); 상기 제1,2 사이드 암의 하부에 구비되고 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지하는 복수의 제1,2 사이드 콤들(side comb); 및 상기 세정조 내부의 하부 양측에 구비되고 상기 웨이퍼들을 향하여 세정액을 분사하는 복수의 분사 노즐;을 포함하고, 상기 분사 노즐들은, 선택적으로 세정액을 분사하여 상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 형성하는 웨이퍼 세정 장치를 제공한다.
실시예의 다른 일 측면에 따르면, 상기 분사 노즐들은, 상기 제1,2 사이드 콤들의 좌측에 이격되게 구비되고 상기 제1,2 사이드 콤들을 향하여 세정액을 분사하는 상부 좌측 분사 노즐과, 상기 제1,2 사이드 콤들의 우측에 이격되게 구비되고 상기 제1,2 사이드 콤들을 향하여 세정액을 분사하는 상부 우측 분사 노즐과, 상기 제1,2 사이드 콤들의 좌측 하부에 이격되게 구비되고 중앙을 향하여 세정액을 분사하는 하부 좌측 분사 노즐과, 상기 제1,2 사이드 콤들의 우측 하부에 이격되게 구비되고 중앙을 향하여 세정액을 분사하는 하부 우측 분사 노즐을 포함할 수 있다.
실시예의 다른 일 측면에 따르면, 상기 제1,2 사이드 암은, 상기 제1,2 사이드 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지한 상태에서 상기 세정조의 우측 방향으로 스윙되고, 상기 분사 노즐들은, 상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 반시계 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 좌측에서 세정액을 분사할 수 있다.
실시예의 다른 일 측면에 따르면, 상기 제1,2 사이드 암은, 상기 제1,2 사이드 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지한 상태에서 상기 세정조의 좌측 방향으로 스윙되고, 상기 분사 노즐들은, 상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 시계 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 우측에서 세정액을 분사할 수 있다.
실시예의 다른 일 측면에 따르면, 상기 제1,2 사이드 암은, 상기 제1,2 사이드 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지한 상태에서 상기 센터 콤의 양측에 나란히 정위치되고, 상기 분사 노즐들은, 상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 중심에서 상승하는 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 양측에서 세정액을 분사할 수 있다.
실시예에 의하면, 웨이퍼들이 세정조 내부에서 센터 암에 구비된 센터 콤들 또는 제1,2 사이드 암에 구비된 제1,2 사이드 콤들에 지지된 상태에서 좌우 방향으로 스윙될 수 있고, 분사 노즐들이 세정조 내부에 세정조의 흐름을 형성시킴으로서, 웨이퍼들을 회전시키지 않더라도 웨이퍼들의 위치 변경 및 세정액의 흐름을 형성하여 웨이퍼들을 균일하게 세정할 수 있고, 웨이퍼들의 에지 접촉 지점이 연속적으로 변경되지 않아 오염 소스의 재흡착을 개선시킬 수 있다.
또한, 세정조 내부의 구성을 간소화할 수 있으므로, 오염 소스를 줄이는 동시에 메가소닉의 데드 존(dead zone) 없이 초음파가 전체에 걸쳐 골고루 조사되도록 하여 세정 성능을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시예의 웨이퍼 세정 장치가 개략적으로 도시된 도면.
도 2는 실시예의 웨이퍼 세정 장치에 적용된 세정액의 흐름이 도시된 도면.
도 3a 내지 도 3b는 실시예의 웨이퍼 세정 장치에 적용된 제1실시예의 웨이퍼 세정 방법이 순차적으로 도시된 도면.
도 4는 실시예의 웨이퍼 세정 장치에 적용된 제2실시예의 웨이퍼 세정 방법이 일부 도시된 도면.
도 5는 실시예의 웨이퍼 세정 장치에 적용된 제3실시예의 웨이퍼 세정 방법이 일부 도시된 도면.
도 6a 내지 도 6b는 실시예의 웨이퍼 세정 장치에 적용된 제4실시예의 웨이퍼 세정 방법이 순차적으로 도시된 도면.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다.
도 1은 실시예의 웨이퍼 세정 장치가 개략적으로 도시된 도면이다.
실시예의 웨이퍼 세정 장치는 내조(B1)와 외조(B2)로 이루어진 세정조와, 내조(B1) 하부에 구비된 메가소닉(M)과, 내조(B1) 내측에 승강 및 스윙 가능하게 구비된 제1,2 사이드 암(110,120)과, 제1,2 사이드 암(110,120) 하부에 구비된 복수의 제1,2 사이드 콤들(130,140)과, 제1,2 사이드 암(110,120) 사이에 승강 및 스윙 가능하게 구비된 센터 암(150)과, 센터 암(150) 하부에 구비된 센터 콤들(160)과, 내조(B1) 내부에 세정액을 분사하여 세정액의 흐름을 형성시키는 분사 노즐들(171~174)을 포함한다.
세정조는 상면이 개방된 수조 형상의 내조(B1)와, 내조(B1)의 상부 외측에 구비된 외조(B2)로 구성될 수 있다. 내조(B1)는 웨이퍼들(W)을 세정하기 위한 세정액을 수용할 수 있다. 외조(B2)는 내조(B1) 상측으로 오버 플로우(over flow)되는 세정액이 담길 수 있고, 외조(B2)에 오버 플로우된 세정액에 포함된 파티클을 비롯하여 오염 물질을 제거한 다음, 내조(B1)로 다시 공급될 수 있다.
세정액은 산이나 알칼리 등의 에칭액 또는 각종 불순물들이 제거된 초순수(DIW, DeIonized Water)이거나, SC1(DIW + H2O2 + NH4OH)일 수 있으나, 한정되지 아니한다. 내조(B1)와 외조(B2)는 세정액에 대한 내식성을 가질 뿐 아니라 하기에서 설명될 메가소닉(M)에서 발생되는 초음파를 전달할 수 있는 석영, 사파이어 등의 재질로 이루어질 수 있다.
메가소닉(M)은 내조(B1) 하부에 외측에 배치되고, 내조(B1) 내부에 배치된 웨이퍼들(W)을 향하여 초음파를 발생시킬 수 있다. 메가소닉(M)에서 발생된 초음파는 내조(B1) 내부의 세정액을 통하여 진동을 발생시키고, 세정액의 진동에 의해 웨이퍼들(W)의 표면에 묻은 파티클 등의 오염 소스를 제거할 수 있다.
물론, 메가소닉(M)에서 발생된 초음파의 진동은 제1,2 사이드 콤들(130,140)과 센터 콤들(160)에 의해 웨이퍼들(W)의 표면 일부에 전달되지 못한다. 하지만, 하기에서 설명될 제1,2 사이드 암(110,120)과 센터 암(150)이 승강 또는 스윙됨에 따라 웨이퍼들(W)을 소정 각도 회전시키고, 분사 노즐들(171~174)이 내조(B1) 내부에 세정력을 높이기 위한 세정액의 흐름을 형성시키므로, 웨이퍼들(W)의 표면 전체를 골고루 세정시킬 수 있다. 하기에서 자세히 설명하기로 한다.
웨이퍼들(W)은 세워진 상태로 전후 방향으로 소정 간격을 두고 배치되는데, 제1,2 사이드 콤들(130,140) 또는 센터 콤들(160)이 웨이퍼들(W)을 지지할 수 있다.
제1,2 사이드 암(110,120)은 세정조(B) 내부 양측에 배치되는 일종의 암 형태로서, 웨이퍼들(W)의 전방과 후방에 각각 구비될 수 있다. 제1,2 사이드 암(110,120)은 양측에 서로 대칭되게 구비되고, 제1,2 사이드 암(110,120)의 상부가 서로 수평하게 연결될 수 있다. 제1,2 사이드 암(110,120)의 연결부 중심은 사이드 암 구동 유닛(미도시)과 연결되는 구동 포인트로서, 제1,2 사이드 암(110,120)의 연결부 중심을 기준으로 제1,2 사이드 암(110,120)을 승강 또는 스윙시킬 수 있다.
한편, 제1,2 사이드 암(110,120)의 하부는 제1,2사이드 콤들(130,140)이 장착될 수 있도록 서로 내측 방향으로 갈수록 하향 경사지게 구비될 수 있으나, 한정되지 아니한다.
제1,2 사이드 콤들(130,140)은 제1,2 사이드 암(110,120)의 경사진 하부에 웨이퍼(W)의 원주 방향으로 소정 간격을 두고 각각 구비되고, 웨이퍼들(W)의 전후 방향을 가로지르고록 구비될 수 있다. 제1,2 사이드 콤들(130,140)은 상면에 웨이퍼들(W)의 하부 양측이 안착될 수 있는 복수의 슬릿이 전후 방향으로 소정 간격을 두고 구비될 수 있다. 웨이퍼들(W)을 안정적으로 지지하기 위하여 제1,2 사이드 콤들(130,140)은 제1,2 사이드 암(110,120)에 각각 적어도 두 개 이상씩 구비되는 것이 바람직하다.
센터 암(150)은 내조(B1) 내부 중심 즉, 제1,2 사이드 암(110,120) 사이에 배치되고, 웨이퍼들(W)의 전방과 후방에 각각 구비될 수 있다. 센터 암(150)은 웨이퍼들(W)의 중심을 가로지르도록 수직하게 배치될 수 있고, 웨이퍼들(W)의 중심과 일치하는 구동축(151)을 구비할 수 있다. 센터 암의 구동축(151)은 센터 암 구동 유닛(미도시)과 연결되는 구동 포인트로서, 센터 암의 구동축(151)을 기준으로 센터 암(150)을 승강 또는 스윙시킬 수 있다.
센터 콤들(160)은 센터 암(150)의 하부에 웨이퍼(W)의 원주 방향으로 소정 간격을 두고 구비되고, 웨이퍼들(W)의 전후 방향을 가로지르도록 구비될 수 있다. 센터 콤들(160)도 제1,2 사이드 콤들(130,140)과 마찬가지로 상면에 웨이퍼들(W)의 하부 중심이 안착될 수 있는 복수의 슬릿이 전후 방향으로 소정 간격을 두고 구비될 수 있다. 웨이퍼들(W)을 안정적으로 지지하더라도 접촉 면적을 최소화하기 위하여 센터 콤들(160)은 센터 암(150)에 적어도 두 개 이상 구비되는 것이 바람직하지만, 한정되지 아니한다.
분사 노즐들(171~174)은 내조(B1) 내부의 하부 양측에 구비될 수 있고, 선택적으로 세정액을 분사함에 따라 시계 방향, 반시계 방향, 중심에서 상승하는 방향 등으로 세정액의 흐름을 형성시킬 수 있다. 상부 좌측 분사 노즐(171)과, 상부 우측 분사 노즐(172)과, 하부 좌측 분사 노즐(173)과, 하부 우측 분사 노즐(174)을 포함할 수 있으나, 한정되지 아니한다. 물론, 상부 좌측 분사 노즐(171)과, 상부 우측 분사 노즐(172)과, 하부 좌측 분사 노즐(173)과, 하부 우측 분사 노즐(174)은 모두 내조(B1)의 전후 방향 즉, 웨이퍼들(W)이 나열된 방향으로 일정 간격을 두고 복수개가 구비되어야 한다.
상부 좌측 분사 노즐(171)은 제1,2 사이드 콤들(130,140) 또는 센터 콤들(160)의 좌측에 이격되게 구비되고, 제1,2 사이드 콤들(130,140) 또는 센터 콤들(160)을 향하여 우측으로 세정액을 분사할 수 있다. 상부 우측 분사 노즐(172)은 상부 좌측 분사 노즐(171)과 좌우 대칭되는 위치 즉, 제1,2 사이드 콤들(130,140) 또는 센터 콤들(160)의 우측에 이격되게 구비되고, 제1,2 사이드 콤들(130,140) 또는 센터 콤들(160)을 향하여 좌측으로 세정액을 분사할 수 있다.
하부 좌측 분사 노즐(173)은 상부 좌측 분사 노즐(171) 보다 하측 즉, 제1,2 사이드 콤들(130,140) 또는 센터 콤들(160)의 좌측 하부에 이격되게 구비되고, 내조(B1)의 중심축을 향하여 우측으로 세정액을 분사할 수 있다. 하부 우측 분사 노즐(174)은 하부 좌측 분사 노즐(173)과 좌우 대칭되는 위치 및 상부 우측 분사 노즐(172) 보다 하측 즉, 제1,2 사이드 콤들(130,140) 또는 센터 콤들(160)의 우측 하부에 이격되게 구비되고, 내조(B1)의 중심축을 향하여 좌측으로 세정액을 분사할 수 있다.
상부 좌측 분사 노즐(171)과 상부 우측 분사 노즐(172)과 하부 좌측 분사 노즐(173)과 하부 우측 분사 노즐(174)은 선택적으로 두 개만 작동시킬 수 있으나, 한정되지 아니한다. 분사 노즐들(171~174)의 선택적인 세정액 분사는 제1,2 사이드 암(110,120)과 센터 암(150)의 승강 및 스윙 구동과 함께 연동될 수 있고, 웨이퍼들(W)을 회전시키지 않더라도 세정액의 흐름과 웨이퍼들(W)의 위치를 변경하여 세정 성능을 더욱 높일 수 있으며, 하기에서 자세히 설명하기로 한다.
도 2는 실시예의 웨이퍼 세정 장치에 적용된 세정액의 흐름이 도시된 도면이다.
(a)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)이 센터 콤들(160)에 안착되고, 센터 암(150)이 우측으로 스윙되며, 상부 좌측 분사 노즐(171)과 하부 좌측 분사 노즐(173)만 선택적으로 세정액을 분사하면, 내조(B1) 내부의 하부에서 우측 상부 방향 즉, 반시계 방향으로 세정액의 흐름을 형성시킬 수 있다. 따라서, 웨이퍼들(W)의 좌측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(b)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)이 센터 콤들(160)에 안착되고, 센터 암(150)이 내조(B1)의 중심에 수직하게 즉, 정위치에 위치되며, 하부 좌측 분사 노즐(173)과 하부 우측 분사 노즐(174)만 선택적으로 세정액을 분사하면, 내조(B1) 내부의 하부 중심에서 상부 방향으로 세정액의 흐름을 형성시킬 수 있다. 따라서, 웨이퍼들(W)의 상하측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(c)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)이 센터 콤들(160)에 안착되고, 센터 암(150)이 좌측으로 스윙되며, 상부 우측 분사 노즐(172)과 하부 우측 분사 노즐(174)만 선택적으로 세정액을 분사하면, 내조(B1) 내부의 하부에서 좌측 상부 방향 즉, 시계 방향으로 세정액의 흐름을 형성시킬 수 있다. 따라서, 웨이퍼들(W)의 우측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(d)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 안착되고, 웨이퍼들(W)이 센터 콤들(160)에 비접촉하도록 센터 암(150)이 하향 이동되며, 하부 좌측 분사 노즐(173)과 하부 우측 분사 노즐(174)만 선택적으로 세정액을 분사하면, 내조(B1) 내부의 하부 중심에서 상부 방향으로 세정액의 흐름을 형성시킬 수 있다. 따라서, 센터 콤들(160)에 지지된 웨이퍼들(W)의 일부분도 추가로 세정할 수 있다.
도 3a 내지 도 3b는 실시예의 웨이퍼 세정 장치에 적용된 제1실시예의 웨이퍼 세정 방법이 순차적으로 도시된 도면이다.
제1실시예의 웨이퍼 세정 방법에 따르면, (a)에 도시된 바와 같이 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 제1,2 사이드 암(110,120)이 내조(B1) 내부로 하강하고, 하부 좌측 분사 노즐(173)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사한다.
웨이퍼들(W)의 하측이 내조(B1)의 중심축에 위치하는 센터 암(150)에 구비된 센터 콤들(160)에 지지되면, 제1,2 사이드 암(110,120)이 벌어지면서 웨이퍼들(W)의 하측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)과 비접촉되고, 제1,2 사이드 암(110,120)이 내조(B1) 외부로 상승한다.
이와 같이, 웨이퍼들(W)이 완전히 내조(B1) 내부에 담겨지면, 메가소닉(M)이 초음파를 발생시키고, 내조(B1) 내부의 세정액이 초음파에 의해 진동됨에 따라 웨이퍼들(W)의 표면에 묻은 파티클 등의 오염 소스를 떨어져 나오게 하며, 세정액에 부유하는 오염 소스는 세정액과 함께 내조(B1)에서 외조(B2)로 오버 플로우되면서 제거될 수 있다.
(b)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 하측이 센터 콤들(160)에 지지된 상태에서 센터 암(150)이 우측 방향으로 스윙되고, 상부 좌측 분사 노즐(171)과 하부 좌측 분사 노즐(173)이 세정액을 분사한다. 따라서, 웨이퍼들(W)이 우측으로 스윙되어 있고, 세정액의 흐름이 내조(B1) 내부의 하부에서 반시계 방향으로 형성되므로, 센터 콤들(160)에 지지된 부분을 제외한 웨이퍼들(W)의 좌측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(c)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 하측이 센터 콤들(160)에 지지된 상태에서 센터 암(150)이 내조(B1)의 중심축으로 복귀되고, 하부 좌측 분사 노즐(173)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사한다. 따라서, 웨이퍼들(W)이 정위치에 있고, 세정액의 흐름이 내조(B1) 내부의 하부 중심에서 상부 방향으로 형성되므로, 센터 콤들(160)에 지지된 부분을 제외한 웨이퍼들(W)의 상하측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(d)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 하측이 센터 콤들(160)에 지지된 상태에서 센터 암(150)이 좌측 방향으로 스윙되고, 상부 우측 분사 노즐(172)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사한다. 따라서, 웨이퍼들(W)이 좌측으로 스윙되어 있고, 세정액의 흐름이 내조(B1) 내부의 하부에서 시계 방향으로 형성되므로, 센터 콤들(160)에 지지된 부분을 제외한 웨이퍼들(W)의 우측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(e)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 하측이 센터 콤들(160)에 지지된 상태에서 센터 암(150)이 내조(B1)의 중심축으로 복귀되고, 하부 좌측 분사 노즐(173)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사한다. 또한, 제1,2 사이드 암(110,120)이 내조(B1) 내부로 하강하고, 제1,2 사이드 암(110,120)이 오므려지면서 웨이퍼들(W)의 양측을 지지한다.
(f)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 센터 암(150)이 하강하면, 웨이퍼들(W)의 하측이 센터 콤들(160)과 비접촉되고, 하부 좌측 분사 노즐(173)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사한다. 따라서, 센터 콤들(160)에 지지된 부분을 포함한 웨이퍼들(W)의 상하측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(g)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 제1,2사이드 암(110,120)이 내조(B1) 외부로 상승하고, 하부 좌측 분사 노즐(173)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사하면서 다음 세정 공정을 준비한다.
도 4는 실시예의 웨이퍼 세정 장치에 적용된 제2실시예의 웨이퍼 세정 방법이 일부 도시된 도면이다.
제2실시예의 웨이퍼 세정 방법에 따르면, 제1실시예의 웨이퍼 세정 방법과 동일하게 (a)~(f) 과정을 거친 다음, (g) 과정을 진행하기 전, 다음과 같은 과정이 추가된다.
(h)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 상부 좌측 분사 노즐(171)과 하부 좌측 분사 노즐(173)이 세정액을 분사한다. 따라서, 웨이퍼들(W)의 좌측 데드 존(dead zone) 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(i)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 상부 우측 분사 노즐(172)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사한다. 따라서, 웨이퍼들(W)의 우측 데드 존(dead zone) 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
도 5는 실시예의 웨이퍼 세정 장치에 적용된 제3실시예의 웨이퍼 세정 방법이 일부 도시된 도면이다.
제3실시예의 웨이퍼 세정 방법에 따르면, 제1실시예의 웨이퍼 세정 방법과 동일하게 (a)~(f) 과정을 거친 다음, (g) 과정을 진행하기 전, 다음과 같은 과정이 추가된다.
(j)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 제1,2 사이드 암(110,120)이 우측 방향으로 스윙되고, 상부 좌측 분사 노즐(171)과 하부 좌측 분사 노즐(173)이 세정액을 분사한다. 따라서, 웨이퍼들(W)이 우측으로 스윙되어 있고, 세정액의 흐름이 내조(B1) 내부의 하부에서 반시계 방향으로 형성되므로, 센터 콤들(160)에 지지된 부분을 포함한 웨이퍼들(W)의 좌측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(k)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 제1,2 사이드 암(110,120)이 내조(B1)의 중심축으로 복귀되고, 하부 좌측 분사 노즐(173)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사한다. 따라서, 웨이퍼들(W)이 정위치에 있고, 세정액의 흐름이 내조(B1) 내부의 하부 중심에서 상부 방향으로 형성되므로, 센터 콤들(160)에 지지된 부분을 포함한 웨이퍼들(W)의 상하측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(l)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 제1,2 사이드 암(110,120)이 좌측 방향으로 스윙되고, 상부 우측 분사 노즐(172)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사한다. 따라서, 웨이퍼들(W)이 좌측으로 스윙되어 있고, 세정액의 흐름이 내조(B1) 내부의 하부에서 시계 방향으로 형성되므로, 센터 콤들(160)에 지지된 부분을 포함한 웨이퍼들(W)의 우측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(m)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 제1,2 사이드 암(110,120)이 내조(B1)의 중심축으로 복귀되고, 하부 좌측 분사 노즐(173)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사한다. 따라서, 웨이퍼들(W)이 정위치에 있고, 세정액의 흐름이 내조(B1) 내부의 하부 중심에서 상부 방향으로 형성되므로, 센터 콤들(160)에 지지된 부분을 포함한 웨이퍼들(W)의 상하측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
도 6a 내지 도 6b는 실시예의 웨이퍼 세정 장치에 적용된 제4실시예의 웨이퍼 세정 방법이 순차적으로 도시된 도면이다.
제4실시예의 웨이퍼 세정 방법에 따르면, (a)에 도시된 바와 같이 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 제1,2 사이드 암(110,120)이 내조(B1) 내부로 하강하고, 하부 좌측 분사 노즐(173)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사한다.
(b)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)이 완전히 내조(B1) 내부에 담겨지면, 메가소닉(M)이 초음파를 발생시키고, 내조(B1) 내부의 세정액이 초음파에 의해 진동됨에 따라 웨이퍼들(W)의 표면에 묻은 파티클 등의 오염 소스를 떨어져 나오게 하며, 세정액에 부유하는 오염 소스는 세정액과 함께 내조(B1)에서 외조(B2)로 오버 플로우되면서 제거될 수 있다.
(c)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 제1,2 사이드 암(110,120)이 우측 방향으로 스윙되고, 상부 좌측 분사 노즐(171)과 하부 좌측 분사 노즐(173)이 세정액을 분사한다. 따라서, 웨이퍼들(W)이 우측으로 스윙되어 있고, 세정액의 흐름이 내조(B1) 내부의 하부에서 반시계 방향으로 형성되므로, 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 부분을 제외한 웨이퍼들(W)의 좌측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(d)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 제1,2 사이드 암(110,120)이 내조(B1)의 중심축과 평행하도록 복귀되고, 하부 좌측 분사 노즐(173)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사한다. 따라서, 웨이퍼들(W)이 정위치에 있고, 세정액의 흐름이 내조(B1) 내부의 하부 중심에서 상부 방향으로 형성되므로, 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 부분을 제외한 웨이퍼들(W)의 상하측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(e)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 제1,2 사이드 암(110,120)이 좌측 방향으로 스윙되고, 상부 우측 분사 노즐(172)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사한다. 따라서, 웨이퍼들(W)이 좌측으로 스윙되어 있고, 세정액의 흐름이 내조(B1) 내부의 하부에서 시계 방향으로 형성되므로, 제1,2사이드 콤들(130,140)에 지지된 부분을 제외한 웨이퍼들(W)의 우측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(f)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 제1,2 사이드 암(110,120)이 내조(B1)의 중심축과 평행하도록 복귀되고, 하부 좌측 분사 노즐(173)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사한다. 따라서, 웨이퍼들(W)이 정위치에 있고, 세정액의 흐름이 내조(B1) 내부의 하부 중심에서 상부 방향으로 형성되므로, 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 부분을 제외한 웨이퍼들(W)의 상하측 부분을 집중적으로 세정할 수 있다.
(g)에 도시된 바와 같이, 웨이퍼들(W)의 양측이 제1,2 사이드 콤들(130,140)에 지지된 상태에서 제1,2사이드 암(110,120)이 내조(B1) 외부로 상승하고, 하부 좌측 분사 노즐(173)과 하부 우측 분사 노즐(174)이 세정액을 분사하면서 다음 세정 공정을 준비한다.
이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다.
따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110,120 : 제1,2 사이드 암 130,140 : 제1,2 사이드 콤
150 : 센터 암 160 : 센터 콤
B1,B2 : 내/외조 M : 메가소닉

Claims (17)

  1. 복수의 웨이퍼와 세정액이 담기는 세정조;
    상기 세정조 하부에 구비되고, 세정 시간(t) 동안 상기 웨이퍼들을 향하여 초음파를 조사하는 메가소닉(megasonic);
    상기 세정조 내부 중심에 스윙과 승강 가능하게 구비되는 센터 암(center arm);
    상기 센터 암의 하부에 구비되고 상기 웨이퍼들의 하부 중심을 지지하는 복수의 센터 콤들(center comb);
    상기 세정조 내부 양측에 승강과 스윙 가능하게 구비되는 제1,2 사이드 암(side arm);
    상기 제1,2 사이드 암의 하부에 구비되고 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지하는 복수의 제1,2 사이드 콤들(side comb); 및
    상기 세정조 내부의 하부 양측에 구비되고 상기 웨이퍼들을 향하여 세정액을 분사하는 복수의 분사 노즐;을 포함하고,
    상기 분사 노즐들은,
    상기 제1,2 사이드 암의 스윙 방향 또는 위치에 따라 선택적으로 세정액을 분사하여 상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 형성하는 웨이퍼 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 센터 암은,
    상기 웨이퍼들의 중심을 가로지르도록 수직하게 배치되고,
    상기 웨이퍼들의 중심과 일치하는 구동 지점을 기준으로 상기 세정조의 좌우로 스윙 구동되는 웨이퍼 세정 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 센터 콤들은,
    적어도 두 개 이상 구비되는 웨이퍼 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 분사 노즐들은,
    상기 센터 콤들의 좌측에 이격되게 구비되고 상기 센터 콤들을 향하여 세정액을 분사하는 상부 좌측 분사 노즐과,
    상기 센터 콤들의 우측에 이격되게 구비되고 상기 센터 콤들을 향하여 세정액을 분사하는 상부 우측 분사 노즐과,
    상기 센터 콤들의 좌측 하부에 이격되게 구비되고 중앙을 향하여 세정액을 분사하는 하부 좌측 분사 노즐과,
    상기 센터 콤들의 우측 하부에 이격되게 구비되고 중앙을 향하여 세정액을 분사하는 하부 우측 분사 노즐을 포함하는 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 센터 암은,
    상기 센터 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부를 지지한 상태에서 상기 세정조의 우측 방향으로 스윙되고,
    상기 분사 노즐들은,
    상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 반시계 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 좌측에서 세정액을 분사하는 웨이퍼 세정 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 센터 암은,
    상기 센터 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부를 지지한 상태에서 상기 세정조의 좌측 방향으로 스윙되고,
    상기 분사 노즐들은,
    상기 세정조 내부에서 세정액의 흐름을 시계 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 우측에서 세정액을 분사하는 웨이퍼 세정 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 센터 암은,
    상기 센터 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부를 지지한 상태에서 상기 세정조의 중심에 정위치되고,
    상기 분사 노즐들은,
    상기 세정조 내부에서 세정액의 흐름을 중심에서 상승하는 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 양측에서 세정액을 분사하는 웨이퍼 세정 장치.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제1,2 사이드 암은,
    상기 제1,2 사이드 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지한 상태에서 상기 세정조의 우측 방향으로 스윙되고,
    상기 분사 노즐들은,
    상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 반시계 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 좌측에서 세정액을 분사하는 웨이퍼 세정 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1,2 사이드 암은,
    상기 제1,2 사이드 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지한 상태에서 상기 세정조의 좌측 방향으로 스윙되고,
    상기 분사 노즐들은,
    상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 시계 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 우측에서 세정액을 분사하는 웨이퍼 세정 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1,2 사이드 암은,
    상기 제1,2 사이드 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지한 상태에서 상기 센터 콤의 양측에 나란히 정위치되고,
    상기 분사 노즐들은,
    상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 중심에서 상승하는 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 양측에서 세정액을 분사하는 웨이퍼 세정 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 센터 암은,
    상기 센터 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부와 비접촉하도록 상기 세정조의 중심에서 하강하는 웨이퍼 세정 장치.
  13. 복수의 웨이퍼와 세정액이 담기는 세정조;
    상기 세정조 하부에 구비되고, 세정 시간(t) 동안 상기 웨이퍼들을 향하여 초음파를 조사하는 메가소닉(megasonic);
    상기 세정조 내부의 양측에 승강과 스윙 가능하게 구비되는 제1,2 사이드 암(side arm);
    상기 제1,2 사이드 암의 하부에 구비되고 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지하는 복수의 제1,2 사이드 콤들(side comb); 및
    상기 세정조 내부의 하부 양측에 구비되고 상기 웨이퍼들을 향하여 세정액을 분사하는 복수의 분사 노즐;을 포함하고,
    상기 분사 노즐들은,
    상기 제1,2 사이드 암의 스윙 방향 또는 위치에 따라 선택적으로 세정액을 분사하여 상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 형성하는 웨이퍼 세정 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 분사 노즐들은,
    상기 제1,2 사이드 콤들의 좌측에 이격되게 구비되고 상기 제1,2 사이드 콤들을 향하여 세정액을 분사하는 상부 좌측 분사 노즐과,
    상기 제1,2 사이드 콤들의 우측에 이격되게 구비되고 상기 제1,2 사이드 콤들을 향하여 세정액을 분사하는 상부 우측 분사 노즐과,
    상기 제1,2 사이드 콤들의 좌측 하부에 이격되게 구비되고 중앙을 향하여 세정액을 분사하는 하부 좌측 분사 노즐과,
    상기 제1,2 사이드 콤들의 우측 하부에 이격되게 구비되고 중앙을 향하여 세정액을 분사하는 하부 우측 분사 노즐을 포함하는 포함하는 웨이퍼 세정 장치.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 제1,2 사이드 암은,
    상기 제1,2 사이드 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지한 상태에서 상기 세정조의 우측 방향으로 스윙되고,
    상기 분사 노즐들은,
    상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 반시계 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 좌측에서 세정액을 분사하는 웨이퍼 세정 장치.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 제1,2 사이드 암은,
    상기 제1,2 사이드 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지한 상태에서 상기 세정조의 좌측 방향으로 스윙되고,
    상기 분사 노즐들은,
    상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 시계 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 우측에서 세정액을 분사하는 웨이퍼 세정 장치.
  17. 제13항에 있어서,
    상기 제1,2 사이드 암은,
    상기 제1,2 사이드 콤들이 상기 웨이퍼들의 하부 양측을 지지한 상태에서 상기 센터 콤의 양측에 나란히 정위치되고,
    상기 분사 노즐들은,
    상기 세정조 내부에 세정액의 흐름을 중심에서 상승하는 방향으로 형성시키기 위하여 상기 세정조 내부의 하부 양측에서 세정액을 분사하는 웨이퍼 세정 장치.
KR1020220152334A 2022-11-15 2022-11-15 웨이퍼 세정 장치 KR102598146B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220152334A KR102598146B1 (ko) 2022-11-15 2022-11-15 웨이퍼 세정 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020220152334A KR102598146B1 (ko) 2022-11-15 2022-11-15 웨이퍼 세정 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102598146B1 true KR102598146B1 (ko) 2023-11-06

Family

ID=88748200

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020220152334A KR102598146B1 (ko) 2022-11-15 2022-11-15 웨이퍼 세정 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102598146B1 (ko)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008288442A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Ses Co Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
KR20090049360A (ko) * 2007-11-13 2009-05-18 주식회사 실트론 웨이퍼 스윙유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 세정장치
KR20150082303A (ko) * 2012-11-02 2015-07-15 구라시키 보세키 가부시키가이샤 웨이퍼 회전 장치 및 웨이퍼 회전 방법
KR20180060059A (ko) * 2016-11-28 2018-06-07 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 세정 장치
KR20190019575A (ko) * 2017-08-18 2019-02-27 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 세정 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008288442A (ja) * 2007-05-18 2008-11-27 Ses Co Ltd 基板処理方法及び基板処理装置
KR20090049360A (ko) * 2007-11-13 2009-05-18 주식회사 실트론 웨이퍼 스윙유닛 및 이를 포함하는 웨이퍼 세정장치
KR20150082303A (ko) * 2012-11-02 2015-07-15 구라시키 보세키 가부시키가이샤 웨이퍼 회전 장치 및 웨이퍼 회전 방법
KR20180060059A (ko) * 2016-11-28 2018-06-07 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 세정 장치
KR20190019575A (ko) * 2017-08-18 2019-02-27 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼 세정 장치

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4902350A (en) Method for rinsing, cleaning and drying silicon wafers
KR102206730B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP3948960B2 (ja) 超音波洗浄装置
JP2010153888A (ja) 基板洗浄乾燥装置
KR920003879B1 (ko) 반도체기판의 표면처리방법
JPH10151422A (ja) 超音波振動子、超音波洗浄ノズル、超音波洗浄装置、基板洗浄装置、基板洗浄処理システムおよび超音波洗浄ノズル製造方法
JP5696491B2 (ja) ウェーハ洗浄装置及び洗浄方法
JP4291034B2 (ja) 洗浄装置および基板処理装置
KR20150082303A (ko) 웨이퍼 회전 장치 및 웨이퍼 회전 방법
CN214976106U (zh) 一种用于硅片的预清洗设备
WO2014184999A1 (ja) 超音波洗浄装置及び洗浄方法
KR102598146B1 (ko) 웨이퍼 세정 장치
KR20180060059A (ko) 웨이퍼 세정 장치
KR102138383B1 (ko) 웨이퍼 세정장치
KR20110077705A (ko) 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법
KR20230159179A (ko) 기판 세정 장치 및 세정 방법
JP2002009033A (ja) 半導体ウエハ用洗浄装置
JP6592351B2 (ja) 基板処理装置
KR102379163B1 (ko) 제1 세정 장치, 이를 포함하는 세정 장비 및 방법
KR100576823B1 (ko) 기판세정장치
CN110335835B (zh) 利用二段式石英喷嘴清洗硅片的装置及方法
KR20130015637A (ko) 기판처리장치
KR19980032941A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2005142309A (ja) 基板の洗浄方法、洗浄装置および洗浄システム
JP2008080291A (ja) 基板洗浄方法及び装置

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant