KR20110077705A - 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법 - Google Patents

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이재환
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주식회사 엘지실트론
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Abstract

본 발명은 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 세정 장치는, 세정 대상인 웨이퍼가 수용되어 세정되는 세정 챔버; 상기 세정 챔버의 내부에서 웨이퍼를 원주 방향으로 회전시키는 웨이퍼 회전 구동부; 및 복수의 세정액 분사구를 통해 세정액 분사 면적이 웨이퍼에 가까워질수록 점점 더 넓어지도록 상기 회전하는 웨이퍼로 세정액을 분사하는 세정액 분사노즐;을 포함한다.
매엽식 세정, 웨이퍼, 복수, 분사구

Description

매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법{The apparatus and method for cleaning single wafer}
본 발명은 웨이퍼 세정 장치 및 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 세정액 분사노즐의 개선된 분사 방법을 통해 세정 효율을 향상시키도록 한 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로 웨이퍼는 슬라이싱(slicing) 공정, 랩핑(lapping) 공정, 에칭(etching) 공정, 그라인딩(grinding) 공정, 폴리싱(polishing) 공정 등의 일련의 공정을 거쳐 반도체 소자 제조용 웨이퍼로 생산된다. 이때, 웨이퍼는 공정이 진행되는 과정에서 각종 오염물에 의해 표면이 오염되는데, 대표적인 오염물로는 미세 파티클, 금속 오염물, 유기 오염물 등을 들 수 있다. 이러한 오염물은 웨이퍼의 품질을 저하시킬 뿐만 아니라, 반도체 소자의 물리적 결함 및 특성 저하를 일으키는 원인으로 작용하여, 궁극적으로 반도체 소자의 생산 수율을 저하시키는 원인이 된다. 따라서 이러한 오염물들을 제거하기 위해서는 일반적으로 산 또는 알칼리 등의 에칭액이나 순수(Deionized water)를 이용하는 습식 세정공정을 거치게 된다.
웨이퍼의 습식 세정 방법은, 대표적으로 배치식 웨이퍼 세정 방법과 매엽식 웨이퍼 세정 방법으로 구분된다. 배치식 웨이퍼 세정 방법은 한번에 여러 장의 웨이퍼를 세정하기 때문에 세정시간이 짧고 높은 처리율을 갖고 있어 생산 효율이 크다. 그러나, 웨이퍼 간의 크로스(cross) 오염으로 인해 세정 효율이 떨어지며, 다량의 세정액을 사용함으로써 비용이 많이 들고 환경 오염을 유발한다는 문제점이 있다. 한편, 공개특허 제1999-005888호에서는 밀폐된 한 개의 세정조만을 사용하여 세정액 소비를 줄일 수 있는 배치식 세정방법을 소개하고 있는데, 후술하는 매엽식 세정 방법에 비해서는 여전히 세정액 소비가 많다. 이에 반해, 매엽식 웨이퍼 세정 방법은 단일 웨이퍼에 대해 소량의 세정액을 사용하여 세정하는 방법으로써, 생산 효율이 낮은 대신 크로스 오염이 없고 고 청정도 분위기에서 세정이 진행되므로 세정 효율이 높다는 장점을 갖는다. 특히, 웨이퍼의 대구경화로 인해 배치식 세정 방법에는 한계가 있고, 고집적화되어 가는 반도체 소자에 있어서는 세정 효율이 더욱 중요하므로 매엽식 세정 방법의 이용이 점차 증가하고 있다.
이러한 매엽식 세정 방법으로 대표적인 것이 스핀(spin)식 세정, 또는 회전식 세정이라 불리는 세정 방법이다. 이러한 회전식 세정은 회전하는 웨이퍼의 상면에 각종 세정액을 공급하여 세정을 수행한다.
도 1은 종래의 매엽식 세정 장치 중 회전식 세정 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 1을 참조하면, 종래의 매엽식 세정 장치는 웨이퍼(1)를 수용하는 세정 챔버(10), 웨이퍼(1)가 장착되어 회전하는 웨이퍼 회전 구동부(20), 웨이퍼(1)에 세정액을 분사하는 세정액 분사노즐(30), 세정액 분사노즐(30)을 이동시키는 분사노 즐 이동부(40), 세정액을 공급하는 세정액 공급배관(50) 등을 포함한다. 세정액 분사노즐(30)은 웨이퍼 회전 구동부(20)가 웨이퍼(1)를 회전시키고 있는 상태에서 전후 이동을 통해 웨이퍼(1)로 세정액을 분사한다.
도 2는 종래의 매엽식 세정 장치에서 세정액 분사노즐(30)의 형태를 도시하는 도면이다. 도 2를 참조하면, 종래의 세정액 분사노즐(30)은 웨이퍼(1)에 수직인 방향과 세정액 분사 방향의 각도(θ)가 일정 각도로 이루어져 있다. 따라서, 세정액 분사노즐(30)은 웨이퍼(1)에 대하여 세정액을 일정 방향으로만 분사하게 된다. 그리고, 분사노즐 이동부(40)가 세정액 분사노즐(30)을 회전하는 웨이퍼(1)의 중심부와 가장자리 사이에서 전후 이동시킴으로써 웨이퍼(1)의 전면에 대하여 세정이 이루어지게 된다.
그런데, 이와 같은 종래의 매엽식 회전 세정 방법에 의하면 세정액 분사노즐이 이동하는 중 노즐의 위치에 따라 웨이퍼 표면이 세정액 층으로 완전히 덮이지 않고 일부분이 드러나게 될 수 있다. 보통 공기 중에 존재하는 파티클 또는 웨이퍼 표면에 존재하는 파티클은 전기화학적인 특성이 제어된 세정액 층에 의해 웨이퍼로의 흡착이 방지될 것이나, 이와 같이 세정액 층으로 덮이지 않은 웨이퍼 표면에서는 파티클이 쉽게 흡착될 수 있다. 만일 최종 린스 단계에서 파티클이 흡착되었다면 흡착된 파티클은 더 이상 세정되지 않고 최종적으로 웨이퍼 표면에 존재하게 된다. 뿐만 아니라, 파티클이 흡착된 이후에 다시 세정이나 린스 단계가 수행되더라도, 웨이퍼 표면에 세정액 층이 존재하지 않은 건조한 상태에서 파티클이 흡착된 경우에는 세정액 층이 존재하는 상태에서 파티클이 흡착된 경우보다 파티클 세정 효율이 떨어진다. 따라서, 이러한 종래의 매엽식 회전 세정 방법에 의하면 세정 이후에도 웨이퍼 표면에 파티클이 존재할 수 있게 되어 반도체 공정의 수율 및 품질을 악화시키는 요인으로 작용할 수 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로서, 매엽식 회전 세정 방식에서 세정액의 분사 형태를 개선함으로써 웨이퍼로의 파티클 흡착을 방지하여 세정 효율을 향상시킬 수 있도록 하는 매엽식 웨이퍼 세정 장치 및 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있으며, 본 발명의 실시예에 의해 보다 분명하게 알게 될 것이다. 또한, 본 발명의 목적 및 장점들은 특허 청구 범위에 나타낸 수단 및 그 조합에 의해 실현될 수 있음을 쉽게 알 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 세정 장치는, 세정 대상인 웨이퍼가 수용되어 세정되는 세정 챔버; 상기 세정 챔버의 내부에서 웨이퍼를 원주 방향으로 회전시키는 웨이퍼 회전 구동부; 및 복수의 세정액 분사구를 통해 세정액 분사 면적이 웨이퍼에 가까워질수록 점점 더 넓어지도록 상기 회전하는 웨이퍼로 세정액을 분사하는 세정액 분사노즐;을 포함한다.
또한, 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 세정 방법은, 웨이퍼를 원주 방향으로 회전시키는 단계; 및 세정액 분사 면적이 상기 웨이퍼에 가까워질수록 점점 더 넓어지도록 복수의 세정액 분사구를 통해 상기 회전하는 웨이퍼로 세정액을 분사하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 의하면, 매엽식 회전 세정 방식으로 웨이퍼를 세정하는 과정에서 종래 기술에 비해 웨이퍼에 대한 세정액 분사 면적을 확장시켜 보다 넓은 면적에서 세정액 층이 형성되도록 할 수 있다. 따라서, 종래 기술에 의하면 세정액 층으로 덮이지 않는 웨이퍼 표면 부분에 파티클이 부착되던 현상을 효율적으로 방지할 수 있다.
그러므로, 본 발명에 따르면 웨이퍼의 불량률을 낮추어 제조 수율을 높일 수 있다. 특히, 본 발명은 반도체 디바이스의 패턴 크기는 점점 미세화되는 반면, 공정 단계나 칩 면적 웨이퍼 크기는 점점 증가하고 있는 최근 웨이퍼 제조 경향에 비추어 효율적으로 이용될 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상에 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들 이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 3은, 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 웨이퍼 세정 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 세정 장치는 세정 챔버(110), 웨이퍼 회전 구동부(120), 세정액 분사노즐(130) 및 세정액 공급배관(180)을 포함한다.
상기 세정 챔버(110)는, 세정 대상인 웨이퍼(1)를 수용한다. 또한 웨이퍼(1)에 분사되는 세정액이 세정 챔버(110) 외부로 비산되는 것을 방지한다. 이때, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 세정 챔버(110)의 상부는 세정 챔버(110) 내부 방향으로 구부러져 있는 것이 좋다. 이러한 형태에 의해 세정 챔버(110) 외부로 세정액이 유출되는 것을 효율적으로 방지할 수 있다. 세정 챔버(110) 내부에서 비산된 세정액은 세정 챔버(110)의 내부면을 타고 아래로 흘러내려 드레인된다. 그러나, 본 발명이 세정 챔버(110)의 구체적인 형태에 의해 한정되는 것은 아니며, 세정 챔버(110)는 다양한 형태로 구현되는 것이 가능하다.
상기 웨이퍼 회전 구동부(120)는, 세정 챔버(110)의 내부에 구비되어 웨이퍼(1)가 장착되고 장착된 웨이퍼(1)를 원주 방향으로 회전시킨다. 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 웨이퍼 회전 구동부(120)는 웨이퍼 고정핀(121), 웨이퍼 지지핀(122), 스핀 헤드(123) 및 스핀축(124)으로 구성될 수 있다. 이러한 실시예에 의하면, 웨이퍼(1)는 웨이퍼 지지핀(122) 위에 놓여진 상태에서 웨이퍼 고정핀(121)에 의해 가장자리 부분이 조여져 고정된다. 그리고, 스핀축(124)은 구동 모터와 같 이 회전력을 인가하는 수단에 연결되어 있는데, 이에 의해 스핀축(124)이 회전하면 이 회전이 스핀 헤드(123)에 전달되어 웨이퍼(1)가 회전하게 된다.
상기 세정액 분사노즐(130)은 회전하는 웨이퍼(1)로 세정액을 분사한다. 여기서, 세정액 분사노즐(130)에는 복수의 세정액 분사구가 형성되어 있어 이러한 복수의 세정액 분사구를 통해 세정액이 샤워기와 같은 형태로 분사된다. 그리고, 세정액 분사노즐(130)에 의한 세정액 분사 면적은 웨이퍼(1)에 가까워질수록 점점 더 넓어지게 된다. 다시 말해, 세정액은 넓게 퍼지는 형태로 분사되어, 세정액 분사 직후보다 세정액이 웨이퍼(1)에 닿을 때의 면적이 더 넓게 된다. 따라서, 세정액 분사 면적은 세정액 분사구와 웨이퍼(1) 사이의 거리에 비례한다.
바람직하게는, 상기 세정액 분사노즐(130)은, 제1 세정액 분사노즐(131) 및 제2 세정액 분사노즐(132)을 포함할 수 있다. 제1 세정액 분사노즐(131)은 하나의 세정액 분사구가 형성되어 웨이퍼(1)에 대하여 일정 각도로 세정액을 분사한다. 반면, 제2 세정액 분사노즐(132)은 복수의 세정액 분사구가 형성되어 각 세정액 분사구마다 웨이퍼(1)에 대하여 여러 각도로 세정액을 분사한다.
도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따른 세정액 분사노즐(130) 및 그에 의한 세정액 분사 형태를 나타내는 도면이다.
도 4를 참조하면, 세정액 분사노즐(130)은 제1 세정액 분사노즐(131) 및 제2 세정액 분사노즐(132)로 구성될 수 있다. 제1 세정액 분사노즐(131)은 하나의 세정액 분사구를 통해 웨이퍼(1)에 대하여 일정 각도(θ)로 세정액을 분사한다. 이때, θ는 5도(°) 내지 30도 각도일 수 있다. 제2 세정액 분사노즐(132)은 복수의 세정 액 분사구를 통해 각 분사구마다 다양한 각도로 세정액을 분사한다. 따라서, 상기 제1 세정액 분사노즐(131) 및 제2 세정액 분사노즐(132)에 의해 세정액이 분사되면, 세정액의 분사 면적은 아래로 갈수록, 즉 웨이퍼(1)에 가까워질수록 점점 더 넓어지는 형태를 갖게 된다. 그러므로, 본 발명에 따른 세정액 분사노즐(130)에 의할 경우 종래의 세정액 분사노즐보다 넓은 면적의 웨이퍼(1) 면에 세정액을 분사할 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 세정액 분사노즐(130)을 위에서 바라본 일 실시 형태를 도시하는 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 세정액 분사노즐(130)을 아래에서 바라본 일 실시 형태를 도시하는 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 제1 세정액 분사노즐(131) 및 제2 세정액 분사노즐(132)이 세정액 분사노즐(130)을 구성한다. 그리고, 제2 세정액 분사노즐(132)은 부채꼴 모양을 갖고 제1 세정액 분사노즐(131)에 부착될 수 있다. 이와 같이 제2 세정액 분사노즐(132)이 부채꼴 모양을 가지게 되면, 보다 넓은 범위의 웨이퍼(1) 면적을 덮게 되어 세정액 분사 면적을 넓게 가질 수 있다. 특히, 도 6을 참조하면, 제1 세정액 분사노즐(131)에는 하나의 제1 세정액 분사구(131-1)가 형성되어 있는데 반해, 제2 세정액 분사노즐(132)에는 부채꼴 모양에 따라 넓게 퍼진 형태로 다수의 제2 세정액 분사구(132-1)가 형성되어 있다. 따라서, 제1 세정액 분사구(131-1)에 의해서는 집중적인 강한 세정력을 확보할 수 있고, 제2 세정액 분사구(132-1)에 의해서는 넓은 세정 범위를 확보할 수 있다.
도 7은, 본 발명의 일 실시예에 따른 세정액 분사노즐(130)에 형성된 세정액 유로의 형태를 도시하는 도면이다.
도 7을 참조하면, 세정액 분사노즐(130)의 내부에는 제1 세정액 분사노즐(131)과 제2 세정액 분사노즐(132)로 세정액을 분배 및 공급하기 위한 세정액 유로(131-2, 132-2)가 형성되어 있다. 이러한 세정액 유로(131-2, 132-2)는 제1 세정액 분사노즐(131)의 제1 세정액 분사구(131-1)로 세정액을 공급하기 위한 제1 세정액 유로(131-2) 및 제2 세정액 분사노즐(132)의 제2 세정액 분사구(132-1)로 세정액을 공급하기 위한 제2 세정액 유로(132-2)로 이루어져 있다. 따라서, 세정액 공급배관(180)을 통해 세정액이 세정액 분사노즐(130)로 공급되면, 일부 세정액이 상기 제1 세정액 유로(131-2)를 거쳐 제1 세정액 분사구(131-1)로 공급되고, 나머지 세정액이 상기 제2 세정액 유로(132-2)를 거쳐 제2 세정액 분사구(132-1)로 공급된다. 제1 세정액 분사구(131-1)는 제1 세정액 유로(131-2)를 통해 유입된 세정액을 하나의 분사구로 한꺼번에 분사한다. 반면, 제2 세정액 분사구(132-1)는 제2 세정액 유로(132-2)를 통해 유입된 세정액을 분사 방향이 서로 다른 다수의 분사구로 나뉘어 분사한다. 그러므로, 샤워기에서 물이 분사되는 형태와 같이 분사 면적이 아래로 갈수록 점점 넓게 퍼지는 형태로 세정액이 분사될 수 있다.
한편, 도 7에 도시된 바와 같이 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 세정 장치는, 메가소닉 발진기(150)를 더 포함하는 것이 좋다.
도면을 참조하면, 메가소닉 발진기(150)는 세정액 분사노즐(130)의 상부에 설치되어 메가소닉을 생성한다. 그리고 세정액 분사노즐(130), 특히 제1 세정액 분사노즐(131)에 의해 분사되는 세정액을 통해 웨이퍼(1)로 메가소닉을 인가한다. 이 와 같이 세정액을 통해 웨이퍼(1)로 메가소닉을 인가하면, 일반적으로 인가되는 메가소닉의 주파수에 따라서, 낮은 주파수 영역에서의 캐비테이션(cavitation) 효과와 높은 주파수 영역에서의 입자가속(Acoustic Streaming)에 의한 효과를 얻을 수 있다. 여기서, 캐비테이션은 큰 에너지를 가지는 증기성 기포로서 웨이퍼(1) 표면에 충돌하여 발생하는 큰 에너지가 웨이퍼(1) 표면의 오염물질을 제거하는 것이다. 그리고 입자가속은 일종의 가속화된 음파의 흐름으로서, 일반적으로 주파수가 높을수록 그 속도가 증가한다. 이러한 입자가속이 증가하면 웨이퍼(1) 표면의 경계층에서 유속이 빨라지므로 경계층의 두께가 얇아지며, 경계층의 두께가 얇아지면 웨이퍼(1) 표면의 미세한 파티클에도 메가소닉 에너지가 미치게 되어 미세 파티클을 쉽게 제거할 수 있다. 따라서, 메가소닉 인가를 통해 세정 효율을 크게 향상시킬 수 있게 된다.
또한, 상기 세정액 분사노즐(130)은 웨이퍼(1)에 대하여 전후 및 상하 이동이 가능하도록 구현되는 것이 좋다. 이에, 본 발명에 따른 매엽식 세정 장치는 세정액 분사노즐(130)을 이동시키는 분사노즐 이동부(170)를 포함할 수 있다. 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 매엽식 세정 장치의 분사노즐 이동부(170)는 암(171), 전후 실린더부(172), 상하축(173) 및 상하 실린더부(174)로 구성될 수 있다. 세정액 분사노즐(130)이 장착된 암(171)은 전후 실린더부(172)에 연결되어 전후 실린더부(172)의 전진 또는 후진 동작에 의해 세정액 분사노즐(130)을 앞뒤로 이동시킨다. 따라서, 세정액 분사노즐(130)이 회전하는 웨이퍼(1)의 중심부와 가장자리 사이를 한 차례 이상 이동하면서 세정액을 분사함으로써 웨이퍼(1) 전체 면을 세정할 수 있게 된다.
그리고, 도 3에 도시된 바와 같이 상기 전후 실린더부(172)를 지지하는 상하축(173)이 상하 실린더부(174)의 상승 또는 하강 동작에 의해 세정액 분사노즐(130)을 상하로 이동시킬 수 있다. 따라서, 세정액 분사노즐(130)과 웨이퍼(1) 사이의 거리를 변화시킬 수 있다. 본 발명에 따른 세정액 분사노즐(130)은 넓게 퍼지는 형태로 세정액을 분사하므로 상기 상하 실린더부(174)의 상승 또는 하강 동작에 의해 세정액 분사노즐(130)과 웨이퍼(1) 사이의 거리를 조절함으로써 웨이퍼(1)에 분사되는 세정 면적이나 세정 강도를 웨이퍼(1)의 크기나 세정 용도 등에 따라 높이거나 낮출 수 있다.
도 8은, 본 발명의 일 실시예에 따른 세정액 분사노즐(130)에 의한 세정액 분사 형태를 종래의 세정액 분사노즐(30)에 의한 세정액 분사 형태와 비교하여 나타내는 도면이다.
도 8(a)는 종래의 세정액 분사노즐(30)에 의한 비교예이고, 도 8(b)는 본 발명에 따른 세정액 분사노즐(130)에 의한 실시예이다. 도 8의 (a) 및 (b)에서 세정액 분사노즐(30, 130)이 정지한 상태에서 세정액을 분사할 때 웨이퍼(1) 표면 중 세정액이 분사되는 부분, 즉 세정액 층이 형성되는 부분은 음영으로 도시되고, 웨이퍼(1) 표면 중 세정액이 분사되지 않는 부분, 즉 세정액 층이 형성되지 않는 부분은 흰색으로 도시되었다. 도 8(a)를 참조하면, 종래의 세정액 분사노즐(30)은 회전하는 웨이퍼(1)의 원심력에 의해 웨이퍼(1)의 가장자리 부근에는 대체로 세정액 층이 형성되나, 세정액 분사노즐(30)의 위치에 따라 웨이퍼(1)의 중심 부근에는 세 정액 층이 형성되지 않을 수 있다. 따라서, 이와 같이 세정 과정 중 세정액 층이 형성되지 않는 웨이퍼(1) 표면(흰색으로 도시됨)에는 파티클이 흡착될 가능성이 높아지게 되고, 또한 파티클이 흡착되면 세정 과정에서 잘 떨어지지도 않게 된다. 반면, 도 8(b)를 참조하면, 세정액이 넓게 퍼지는 형태로 분사되기 때문에 도 8(a)와는 달리, 화살표 방향으로 세정액 분사노즐(130)을 이동시키더라도 어느 위치에서나 웨이퍼(1)의 전 면적에 세정액 층을 형성할 수 있다. 그러므로, 본 발명에 의하면, 웨이퍼(1) 전 면적에 항상 세정액 층이 형성되게 함으로써, 웨이퍼(1) 표면에 세정액 층이 형성되지 않아서 파티클이 흡착되는 문제를 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 세정 장치는 제3 세정액 분사노즐(140)을 더 포함하는 것이 좋다. 제3 세정액 분사노즐(140)은 상기 제1 세정액 분사노즐(131) 및 제2 세정액 분사노즐(132)에 의해 세정액이 분사되는 웨이퍼(1) 면의 반대 면에 세정액을 분사한다. 도 3을 참조하면, 웨이퍼(1)의 상부에 제1 세정액 분사노즐(131) 및 제2 세정액 분사노즐(132)이 존재하고, 웨이퍼(1)의 하부에 제3 세정액 분사노즐(140)이 존재한다. 따라서, 제1 세정액 분사노즐(131) 및 제2 세정액 분사노즐(132)에 의해 웨이퍼(1)의 상부면이 세정되고 제3 세정액 분사노즐(140)에 의해 웨이퍼(1)의 하부면이 세정된다. 이와 같이 제3 세정액 분사노즐(140)이 웨이퍼(1)의 하부면으로 세정액을 분사하면, 종래 회전식 세정 방법에서 웨이퍼(1)의 상면에 공급된 세정액이 웨이퍼(1)의 이면으로 돌아 들어가 하면을 오염시키는 문제를 방지할 수 있다. 한편, 제3 세정액 분사노즐(140)도 제2 세정액 분사노즐(132)과 같이 복수의 세정액 분사구가 형성되어 샤워 형태로 세정액을 분사할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 매엽식 웨이퍼 세정 장치는 불활성 가스 분사노즐(160)을 더 포함할 수 있다. 불활성 가스 분사노즐(160)은 세정액에 의한 웨이퍼(1) 세정 후 웨이퍼(1) 건조시 웨이퍼(1)로 질소나 아르곤 등의 불활성 가스를 분사한다. 이와 같이 웨이퍼(1)를 건조시킬 때 불활성 가스를 분사하게 되면 자연 건조시에 비해 세정 과정에서 세정액이나 초순수 등에 포함되어 웨이퍼(1) 표면으로 흡착된 파티클을 웨이퍼(1) 표면으로부터 쉽게 떼어낼 수 있다는 장점을 갖는다.
상기 세정액 공급배관(180)은 세정액 공급 노즐로 세정액을 공급한다. 또한, 제3 세정액 분사노즐(140)이 존재하는 경우 이에 대하여 세정액을 공급하는 세정액 공급배관(190)도 존재할 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이 세정액 공급배관(180, 190)은 복수의 분기배관으로 구성되어 다양한 세정액을 필요에 따라 공급할 수 있다. 예를 들어, 암모니아수, 과산화수소, 및 초순수를 혼합한 SC1(Standard Cleaning 1) 용액, 염산, 과산화수소, 및 초순수를 혼합한 SC2(Standard Cleaning 2) 용액, 오존, 산소, 수소 가스 등을 용존시킨 가스 용존수, 가스 용존수에 산이나 염기성 용액을 첨가한 혼합액 및 희석 불산 등의 세정액을 공급할 수 있다. 그러나, 본 발명이 이러한 공급 세정액의 종류에 의해 제한되는 것은 아니다.
다음은 상기와 같은 구성을 가지는 본 실시예의 매엽식 웨이퍼 세정 장치를 이용한 세정 방법을 설명한다. 도 9는, 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 웨이퍼 세정 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.
도 9에 도시된 바와 같이, 먼저 웨이퍼를 웨이퍼 회전구동부에 장착한 후(S110), 웨이퍼 회전구동부가 회전하면서 웨이퍼를 회전시킨다(S120). 다음으로, 복수의 세정액 분사구를 통해 회전하는 웨이퍼에 세정액을 분사하는데, 이때 세정액의 분사 면적이 웨이퍼에 가까워질수록 점점 더 넓어지도록 세정액을 분사한다(S130). 여기서, 상기 S130 단계는 상기 세정액이 웨이퍼에 대하여 전후 및 상하로 이동하면서 분사되도록 하는 것이 좋다. 그리고 나서, 세정액에 의한 세정이 완료되면 웨이퍼를 건조시킨다(S160). 이때, 상기 S160 단계에서 웨이퍼에 불활성 가스를 분사하면서 웨이퍼를 건조시킬 수 있다.
바람직하게는, 상기 매엽식 웨이퍼 세정 방법은 도 9에 도시된 바와 같이 상기 S130 단계에서 분사되는 세정액을 통해 상기 웨이퍼에 메가소닉을 인가하는 단계(S140)를 더 포함할 수 있다.
또한, 상기 S130 단계에서 세정액이 분사되는 웨이퍼 면의 반대 면에 세정액을 분사하는 단계(S150)를 더 포함할 수 있다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
도 1은 종래의 매엽식 세정 장치 중 회전식 세정 장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 종래의 매엽식 세정 장치에서 세정액 분사노즐의 형태를 도시하는 도면이다.
도 3은, 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 웨이퍼 세정 장치의 구성을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 4는, 본 발명의 일 실시예에 따른 세정액 분사노즐 및 그에 의한 세정액 분사 형태를 나타내는 도면이다.
도 5는, 본 발명에 따른 세정액 분사노즐을 위에서 바라본 일 실시 형태를 도시하는 도면이다.
도 6은, 본 발명에 따른 세정액 분사노즐을 아래에서 바라본 일 실시 형태를 도시하는 도면이다.
도 7은, 본 발명의 일 실시예에 따른 세정액 분사노즐에 형성된 세정액 유로의 형태를 도시하는 도면이다.
도 8은, 본 발명의 일 실시예에 따른 세정액 분사노즐에 의한 세정액 분사 형태를 종래의 세정액 분사노즐에 의한 세정액 분사 형태와 비교하여 나타내는 도면이다.
도 9는, 본 발명의 일 실시예에 따른 매엽식 웨이퍼 세정 방법을 개략적으로 나타내는 흐름도이다.

Claims (11)

  1. 매엽식 웨이퍼 세정 장치에 있어서,
    세정 대상인 웨이퍼가 수용되어 세정되는 세정 챔버;
    상기 세정 챔버의 내부에서 웨이퍼를 원주 방향으로 회전시키는 웨이퍼 회전 구동부; 및
    복수의 세정액 분사구를 통해 세정액 분사 면적이 웨이퍼에 가까워질수록 점점 더 넓어지도록 상기 회전하는 웨이퍼로 세정액을 분사하는 세정액 분사노즐;
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 세정 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 세정액 분사노즐은, 하나의 세정액 분사구를 통해 웨이퍼에 대하여 일정 각도로 세정액을 분사하는 제1 세정액 분사노즐; 및 복수의 세정액 분사구를 통해 웨이퍼에 대하여 여러 각도로 세정액을 분사하는 제2 세정액 분사노즐;을 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 세정 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 세정액 분사노즐 및 상기 제2 세정액 분사노즐에 의해 세정액이 분사되는 웨이퍼 면의 반대 면에 세정액을 분사하는 제3 세정액 분사노즐;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 세정 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 세정액 분사노즐의 상부에 설치되어 상기 세정액 분사노즐에 의해 분사되는 세정액을 통해 상기 웨이퍼로 메가소닉을 인가하는 메가소닉 발진기;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 세정 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 웨이퍼로 불활성 가스를 분사하는 불활성 가스 분사노즐;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 세정 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 세정액 분사노즐은 상기 웨이퍼에 대하여 전후 및 상하 이동이 가능한 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 세정 장치.
  7. 매엽식 웨이퍼 세정 방법에 있어서,
    웨이퍼를 원주 방향으로 회전시키는 단계; 및
    세정액 분사 면적이 상기 웨이퍼에 가까워질수록 점점 더 넓어지도록 복수의 세정액 분사구를 통해 상기 회전하는 웨이퍼로 세정액을 분사하는 단계;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 세정 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 세정액 분사 단계에서 세정액이 분사되는 웨이퍼 면의 반대 면에 세정액을 분사하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 세정 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 분사되는 세정액을 통해 상기 웨이퍼에 메가소닉을 인가하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 세정 방법.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 세정액 분사 단계 이후에, 상기 웨이퍼로 불활성 가스를 분사하면서 상기 웨이퍼를 건조시키는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 세정 방법.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 세정액 분사 단계는, 상기 세정액이 상기 웨이퍼에 대하여 전후 및 상하로 이동하면서 분사되도록 하는 것을 특징으로 하는 매엽식 웨이퍼 세정 방법.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101388111B1 (ko) * 2012-11-13 2014-04-25 주식회사 케이씨텍 기판 건조장치
KR20160033606A (ko) * 2014-09-18 2016-03-28 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2020041441A1 (en) * 2018-08-23 2020-02-27 Lam Research Ag Vapor delivery head for preventing stiction of high aspect ratio structures and/or repairing high aspect ratio structures
CN111341690A (zh) * 2018-12-19 2020-06-26 北京北方华创微电子装备有限公司 喷淋结构及反应腔室
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101388111B1 (ko) * 2012-11-13 2014-04-25 주식회사 케이씨텍 기판 건조장치
KR20160033606A (ko) * 2014-09-18 2016-03-28 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2020041441A1 (en) * 2018-08-23 2020-02-27 Lam Research Ag Vapor delivery head for preventing stiction of high aspect ratio structures and/or repairing high aspect ratio structures
US11823892B2 (en) 2018-10-03 2023-11-21 Lam Research Ag Gas mixture including hydrogen fluoride, alcohol and an additive for preventing stiction of and/or repairing high aspect ratio structures
CN111341690A (zh) * 2018-12-19 2020-06-26 北京北方华创微电子装备有限公司 喷淋结构及反应腔室
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