KR101760306B1 - 액처리 방법 및 액처리 장치 - Google Patents

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Abstract

기판 표면을 액처리한 후에, 기판 표면을 청정하게 건조시키는 것이 가능한 액처리 방법 및 액처리 장치를 제공한다. 표면 상에 소수성 영역을 가지는 기판을 제 1 회전 속도로 회전시키고, 상기 기판의 표면 중앙부에 대하여, 상기 기판으로 공급된 약액을 린스하는 린스액을 제 1 유량으로 공급하고, 상기 기판의 표면 전체 면에 상기 린스액의 액막을 형성하는 단계와, 상기 기판의 표면 전체 면에 형성된 상기 액막을 깨뜨리고, 상기 기판의 표면 상에 상기 린스액의 줄무늬 형상의 흐름을 형성하는 단계와, 상기 린스액의 줄무늬 형상의 흐름이 상기 기판의 표면 상으로부터 밖으로 나올 때까지 상기 린스액을 공급하는 공급부를 상기 기판의 외연부를 향해 이동시키는 단계를 포함하는 액처리 방법이 제공된다.

Description

액처리 방법 및 액처리 장치{LIQUID PROCESSING METHOD AND LIQUID PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 반도체 웨이퍼 또는 플랫 패널 디스플레이용의 글라스 기판 등의 기판에 대하여 액처리를 행하는 액처리 방법 및 액처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스 또는 플랫 패널 디스플레이(FPD)의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼 또는 글라스 기판 등의 기판에 부착된 파티클 및 컨태미네이션 등을 제거하는 세정 처리가 행해진다. 세정 처리에 사용되는 액처리 장치로서, 반도체 웨이퍼 등의 기판을 스핀 척으로 보지(保持)하여 기판을 회전하고, 기판으로 처리액을 공급하여 기판을 처리하는 매엽식의 것이 알려져 있다.
그런데, 기판에 대하여 순수를 공급하는 순수 노즐과 함께 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 노즐을 이용하는 방법이 제안되고 있다(특허 문헌 1 참조).
일본특허공개공보 2001-53051호
특허 문헌 1에 기재되는 발명에서는, 순수 노즐로부터 기판 표면으로 순수를 공급하고, 또한 순수 노즐보다 기판의 중앙부측에 위치하는 불활성 가스 노즐로부터 기판 표면으로 불활성 가스를 분사하면서, 순수 노즐 및 불활성 가스 노즐을 기판 중앙부로부터 외주를 향해 이동시킨다. 이에 의해, 순수 노즐로부터 공급되고 기판의 회전에 의해 기판 표면에 형성되는 순수 수막이 불활성 가스 노즐로부터의 불활성 가스에 의해 제거되고, 기판의 중앙부로부터 외주를 향해 대략 동심원 형상으로 건조 영역이 확산된다.
그러나, 순수 수막이 원환(圓環) 형상으로 확산될 시에 기판 표면에 미소한 물방울이 남으면, 불활성 가스에 의해서도 제거되지 않고 그대로 건조되기 때문에, 워터 마크의 발생을 충분히 저감하는 것은 어렵다. 이러한 워터 마크는, 반도체 집적회로의 고집적화에 수반하여, 기판 상에 형성되는 패턴이 미세화됨으로써 문제시되게 되었다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어지고, 액처리된 기판 표면을 청정하게 건조시키는 것이 가능한 액처리 방법 및 액처리 장치를 제공한다.
본 발명의 제 1 태양에 따르면, 표면 상에 소수성 영역을 가지는 기판을 제 1 회전 속도로 회전시키고, 상기 기판의 표면 중앙부에 대하여, 상기 기판으로 공급된 약액을 린스하는 린스액을 제 1 유량으로 공급하고, 상기 기판의 표면 전체 면에 상기 린스액의 액막을 형성하는 단계와, 상기 기판의 표면 전체 면에 형성된 상기 액막을 깨뜨리고, 상기 기판의 표면 상에 상기 린스액의 줄무늬 형상의 흐름을 형성하는 단계와, 상기 린스액의 줄무늬 형상의 흐름이 상기 기판의 표면 상으로부터 밖으로 나올 때까지 상기 린스액을 공급하는 공급부를 상기 기판의 외연부를 향해 이동시키는 단계를 포함하는 액처리 방법이 제공된다.
본 발명의 제 2 태양에 따르면, 표면 상에 소수성 영역을 가지는 기판을 보지하여 회전시키는 기판 보지 회전부와, 상기 기판 보지 회전부에 의해 보지되는 상기 기판에 대하여, 상기 기판으로 공급된 약액을 린스하는 린스액을 공급하는 린스액 공급부와, 상기 기판 보지 회전부에 의해 상기 기판을 제 1 회전 속도로 회전시키고, 상기 린스액 공급부로부터 상기 기판의 표면 중앙부에 대하여 제 1 유량으로 상기 린스액을 공급하고, 상기 기판 보지 회전부에 의해 상기 제 1 회전 속도보다 느린 제 2 회전 속도로 상기 기판을 회전시키고, 상기 린스액 공급부로부터 상기 제 1 유량보다 적은 제 2 유량으로 상기 린스액을 공급하고, 상기 기판의 표면 상으로부터 밖으로 나올 때까지 상기 린스액 공급부를 상기 기판의 외연부를 향해 이동하도록, 상기 기판 보지 회전부 및 상기 린스액 공급부를 제어하는 제어부를 구비하는 액처리 장치가 제공된다.
본 발명의 실시예에 따르면, 액처리된 기판 표면을 청정하게 건조시킬 수 있는 액처리 방법 및 액처리 장치가 제공된다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 개략 상면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치에 탑재될 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 액처리 장치를 도시한 개략 측면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 액처리 방법을 설명하는 모식도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 액처리 방법에서의 기판 회전 속도 및 린스액 공급량을 나타낸 타임 차트이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 액처리 방법의 변형예를 설명하는 모식도이다.
도 6은 도 2의 액처리 장치의 노즐 블록의 변형예를 도시한 도이다.
이하에, 첨부의 도면을 참조하여 본 발명의 한정적이지 않은 예시의 실시예에 대하여 설명한다. 첨부한 전체 도면 중, 동일 또는 대응하는 부재 또는 부품에 대해서는, 동일 또는 대응하는 참조 부호를 부여하여 중복되는 설명을 생략한다. 또한, 이하에 기재하는 수치는 예시를 목적으로 하는 것으로, 본 발명을 실시할 시에 적절히 조정되어야 한다.
우선 도 1을 참조하여, 본 발명의 실시예에 따른 액처리 장치를 포함하는 기판 처리 장치에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 모식적으로 도시한 상면도이다. 도시한 바와 같이, 기판 처리 장치(100)는, 복수의 웨이퍼(W)를 수용하는 복수의(도시의 예에서는 4 개의) 웨이퍼 캐리어(C)가 재치(載置)되는 캐리어 스테이션(S1)과, 캐리어 스테이션(S1)과 후술하는 액처리 스테이션(S3)의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달하는 반입출 스테이션(S2)과, 본 발명의 실시예에 따른 액처리 장치(1)가 배치되는 액처리 스테이션(S3)을 구비한다.
반입출 스테이션(S2)에는, 웨이퍼 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 반출하여 스테이지(13)에 재치하고, 또한 스테이지(13)의 웨이퍼(W)를 들어올려 웨이퍼 캐리어(C)로 반입하는 반송 기구(11)를 가지고 있다. 반송 기구(11)는, 웨이퍼(W)를 보지하는 보지 암(11a)을 가지고 있다. 반송 기구(11)는, 웨이퍼 캐리어(C)의 배열 방향(도면 중의 X 방향)으로 연장되는 가이드(12)를 따라 이동할 수 있다. 또한 반송 기구(11)는, X 방향에 수직인 방향(도면 중의 Y 방향) 및 상하 방향으로 보지 암(11a)을 이동시킬 수 있고, 수평면 내에서 보지 암(11a)을 회전시킬 수 있다.
액처리 스테이션(S3)은, Y 방향으로 연장되는 반송실(16)과, 반송실(16)의 양측에 설치된 복수의 액처리 장치(1)를 가지고 있다. 반송실(16)에는 반송 기구(14)가 설치되고, 반송 기구(14)는 웨이퍼(W)를 보지하는 보지 암(14a)을 가지고 있다. 반송 기구(14)는, 반송실(16)에 설치되고 Y 방향으로 연장되는 가이드(15)를 따라 이동할 수 있다. 또한 반송 기구(14)는, 보지 암(14a)을 X 방향으로 이동시킬 수 있고, 수평면 내에서 회전시킬 수 있다. 반송 기구(14)는, 반입출 스테이션(S2)의 전달 스테이지(13)와 각 액처리 장치(1)의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송한다.
또한, 기판 처리 장치(100)에는 각종의 부품 및 부재를 제어하는 제어부(17)가 설치되고, 제어부(17)의 제어하에 기판 처리 장치(100)가 동작하고, 예를 들면 후술하는 기판 처리 방법이 실시된다.
이상의 구성을 가지는 기판 처리 장치(100)에서는, 캐리어 스테이션(S1)에 재치되는 웨이퍼 캐리어(C)로부터 반송 기구(11)에 의해 웨이퍼(W)가 취출되어 스테이지(13)에 재치된다. 스테이지(13) 상의 웨이퍼(W)는, 액처리 스테이션(S3) 내의 반송 기구(14)에 의해 액처리 장치(1)로 반입되고, 웨이퍼(W)의 표면이 소정의 세정액으로 세정되고, 예를 들면 순수에 의해 세정액이 세정되고, 웨이퍼(W)의 표면이 건조된다. 웨이퍼(W)의 표면이 건조된 후, 웨이퍼(W)는 반입 시와 반대의 경로(순서)에 의해 웨이퍼 캐리어(C)로 되돌려진다. 또한, 하나의 웨이퍼(W)가 세정되는 동안, 다른 웨이퍼(W)가 다른 액처리 장치(1)로 순차적으로 반송되고, 세정된다.
이어서, 상술한 액처리 장치(1)에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는, 액처리 장치(1)를 모식적으로 도시한 측면도이다. 도시한 바와 같이, 액처리 장치(1)는, 웨이퍼(W)를 지지하고 회전시키는 웨이퍼 지지 회전부(21)와, 웨이퍼 지지 회전부(21)에 의해 지지되는 웨이퍼(W) 상으로 유체를 공급하는 복수의 토출부를 보지하는 노즐 블록(22)과, 노즐 블록(22)에 보지된 토출부로부터 웨이퍼(W) 상으로 공급되고, 웨이퍼 지지 회전부(21)에 의해 회전되는 웨이퍼(W) 상으로부터 비산하는 약액 및 린스액을 받는 컵부(23)를 가진다. 웨이퍼 지지 회전부(21), 노즐 블록(22) 및 컵부(23)는 하우징(24) 내에 배치되어 있다. 또한, 하우징(24)에는 청정 기체의 유입구(24a)가 형성되고, 도시하지 않은 공조(空調) 설비로부터 청정 기체가 유입된다. 하우징(24) 내로 유입된 청정 기체는, 하우징(24) 내의 상부에 배치된 펀치 그릴(24b)을 통하여, 컵부(23)를 향해 흐른다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 세정 및 건조는 청정 분위기 중에서 행해지게 된다.
웨이퍼 지지 회전부(21) 상에는 복수의 웨이퍼 지지 부재(21a)가 설치되고, 이들에 의해 웨이퍼(W)가 지지된다. 또한, 웨이퍼 지지 회전부(21)의 하면 중앙부에는 회전 샤프트(21s)가 결합되고, 회전 샤프트(21s)는 모터(M)에 접속되어 있다. 이러한 구성에 의해, 웨이퍼 지지 회전부(21)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)가 회전된다.
노즐 블록(22)은, 웨이퍼 지지 회전부(21)에 의해 지지되는 웨이퍼(W)와 컵부(23)의 상방에 암(도 3 참조)에 의해 지지되고, 도시하지 않은 구동 기구에 의해 컵부(23)의 외측의 위치(홈 위치)와, 웨이퍼(W)의 중앙 상방 위치(공급 위치)로 이동할 수 있다. 도 2에서는, 홈 위치에 있는 노즐 블록(22)을 실선으로 나타내고, 공급 위치에 있는 노즐 블록(22)을 파선으로 나타내고 있다.
또한 노즐 블록(22)에는, 도시의 예에서는 5 개의 토출부, 구체적으로 발수(撥水) 처리액 토출부(22a), 처리액 토출부(22b), 소유량(小流量) 린스액 토출부(22c), 기체 토출부(22d) 및 IPA 토출부(22e)가 설치되고, 이들에 대응하는 공급 라인(20a, 20b, 20c, 20d, 및 20e)이 접속되어 있다. 또한, 상술한 공급 위치에서는 사용하는 토출부(22a~22e)가 웨이퍼(W)의 중앙부의 상방에 위치한다.
공급 라인(20a)은 웨이퍼(W)를 린스액에 대하여 발수 처리하기 위한 발수 처리액의 공급원(2A)에 접속되고, 따라서 발수 처리액 토출부(22a)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 발수 처리액이 공급된다. 공급 라인(20a)에는 니들 밸브(2AN), 유량계(2AF) 및 개폐 밸브(2AV)가 설치되어 있고, 이들에 의해 발수 처리액이 유량 제어되어 발수 처리액 토출부(22a)로 공급된다. 발수 처리액으로서는, 이들에 한정되지 않지만, 예를 들면 트리메틸시릴 디메틸아민(TMSDMA), 디메틸시릴 디메틸아민(DMSDMA), 트리메틸시릴 디에틸아민(TMSDEA), 헥사메틸실라잔(HMDS), 1, 1, 3, 3-테트라메틸디실라잔(TMDS) 등의 실릴화제, 및 계면 활성제, 불소 폴리머액 등을 이용할 수 있다.
공급 라인(20b)은 처리액의 공급원(2B 및 20B)에 접속되어 있다. 본 실시예에서는, 공급원(2B)은, 처리액으로서의 세정액 및 에칭액 중 어느 하나를 공급할 수 있다. 세정액으로서는, SC1(NH4OH＋H2O2＋H2O), 또는 SC2(HCl＋H2O2＋H2O) 등을 이용할 수 있고, 에칭액으로서는 불산(HF), 버퍼드 불산(BHF), 또는 HNO3 등을 이용할 수 있다. 또한, 공급원(20B)은 처리액으로서 순수를 공급할 수 있다. 공급원(20B)으로부터 공급하는 순수는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 표면 상의 파티클 등을 세정하는 세정액으로서 이용해도 좋고, 세정액 및 에칭액 등을 세정하는 린스액으로서 사용해도 좋다.
공급원(2B)의 하류측에는 개폐 밸브(2BV)가 설치되고, 공급원(20B)의 하류측에는 개폐 밸브(20BV)가 설치되어 있다. 이들 중 일방을 열어, 처리액 또는 순수가 처리액 토출부(22b)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 공급될 수 있다. 또한, 공급 라인(20b)에는 니들 밸브(2BN) 및 유량계(2BF)가 설치되어 있고, 이들에 의해 처리액 또는 순수가 유량 제어되어 처리액 토출부(22b)로 공급된다.
공급 라인(20c)은 순수(또는 탈이온수, 이하 동일함)의 공급원(2C)에 접속되고, 따라서 소유량 린스액 토출부(22c)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 순수를 린스액으로서 공급할 수 있다. 또한 공급 라인(20c)에는, 니들 밸브(2CN), 유량계(2CF) 및 개폐 밸브(2CV)가 설치되어 있다. 개폐 밸브(2CV)를 열어, 공급원(2C)으로부터의 순수가 니들 밸브(2CN)에 의해 유량 조정되어 소유량 린스액 토출부(22c)로부터 웨이퍼(W)의 표면 상으로 공급되고, 개폐 밸브(2CV)를 닫음으로써, 순수의 공급이 정지된다.
또한 본 실시예에서는, 공급 라인(20c)을 흐르는 순수의 유량이 공급 라인(20b)을 흐르는 순수의 유량보다 작아지도록 니들 밸브(2BN 및 2CN)가 조정되고 있다. 또한, 유량의 대소에 맞추어 소유량 린스액 토출부(22c)의 구경이 처리액 토출부(22b)의 구경보다 작게 형성되어 있다.
공급 라인(20d)은 불활성 가스의 공급원(2D)에 접속되고, 따라서 기체 토출부(22d)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 불활성 가스가 공급된다. 공급 라인(20d)에도 니들 밸브(2DN), 유량계(2DF) 및 개폐 밸브(2DV)가 설치되어 있고, 이들에 의해 불활성 가스가 유량 제어되어 기체 토출부(22d)로 공급된다. 불활성 가스는, 질소 가스 또는 아르곤(Ar) 등의 희가스여도 좋다. 이하의 설명에서는, 질소 가스가 사용되는 것으로 한다.
공급 라인(20e)은 IPA의 공급원(2E)에 접속되고, 따라서 IPA 토출부(22e)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 IPA를 공급할 수 있다. 공급 라인(20e)에도 니들 밸브(2EN), 유량계(2EF) 및 개폐 밸브(2EV)가 설치되고, 이들에 의해, IPA가 유량 제어되어 IPA 토출부(22e)로 공급된다.
또한, 액처리 장치(1)에서의 모터(M)의 기동 / 정지 및 회전 속도, 노즐 블록(22)의 이동, 개폐 밸브(2AV ~ 2EV)의 개폐 등은 제어부(17)에 의해 제어된다.
이하에, 액처리 장치(1)를 이용하여 실시되는 본 발명의 실시예에 따른 액처리 방법에 대하여, 지금까지 참조한 도면 그리고 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. 먼저, 액처리 장치(1)의 하우징(24)에 형성된 웨이퍼 반송구(도시하지 않음)를 통하여 웨이퍼(W)가 하우징(24) 내로 반입되고, 도시하지 않은 리프트 핀에 의해 웨이퍼 지지 회전부(21)로 전달된다.
(처리액의 공급)
이어서, 처리액 토출부(22b)가 웨이퍼(W)의 중앙부의 상방에 위치하도록 노즐 블록(22)을 이동시킨다. 웨이퍼 지지 회전부(21)에 의해 웨이퍼(W)가 소정의 회전 속도로 회전되고, 또한 개폐 밸브(20BV)를 닫은 채로 개폐 밸브(2BV)를 열어, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 처리액 토출부(22b)로부터 처리액을 공급한다. 공급된 처리액은, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체에 액막으로서 확산되고, 액처리가 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 행해진다.
(순수에 의한 처리액의 린스)
소정의 기간이 경과한 후, 개폐 밸브(2BV)를 닫아 처리액의 공급을 정지하고, 또한 개폐 밸브(20BV)를 열어, 웨이퍼(W)의 중앙부의 상방에서 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 처리액 토출부(22b)로부터 순수를 공급한다. 공급된 순수는, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체를 액막이 되어 흐르고, 이에 의해 웨이퍼(W)의 표면 상에 남은 처리액이 린스된다.
(순수와 IPA의 치환)
순수에 의해 처리액이 충분히 린스된 후, 개폐 밸브(20BV)를 닫아 순수의 공급을 정지하고, 또한 IPA 토출부(22e)가 웨이퍼(W)의 중앙부의 상방에 위치하도록 노즐 블록(22)을 이동시킨다. 개폐 밸브(2EV)를 열어, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 IPA 토출부(22e)로부터 IPA를 공급한다. 공급된 IPA는, 웨이퍼(W)의 표면 전체를 액막이 되어 흐르고, 웨이퍼(W)의 표면 상에 남은 순수가 IPA로 치환된다.
(발수 처리)
이어서, 개폐 밸브(2EV)를 닫아 IPA의 공급을 정지하고, 또한 발수 처리액 토출부(22a)가 웨이퍼(W)의 중앙부의 상방에 위치하도록 노즐 블록(22)을 이동시킨다. 이어서, 개폐 밸브(2AV)를 열어, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 발수 처리액 토출부(22a)로부터 발수 처리액을 공급한다. 발수 처리액은 IPA에 대한 가용성을 가지기 때문에, 웨이퍼(W)의 표면 상에 남은 IPA에 혼합되면서도 웨이퍼(W)의 회전에 의해 IPA를 웨이퍼(W) 외주(外周) 방향으로 흘려 보내, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 액막이 되어 확산된다. 이에 의해, 웨이퍼(W)의 표면이 발수 처리된다.
(발수 처리액과 IPA의 치환)
이어서, 개폐 밸브(2AV)를 닫아 발수 처리액의 공급을 정지하고, 또한 IPA 토출부(22e)가 웨이퍼(W)의 중앙부의 상방에 위치하도록 노즐 블록(22)을 이동시킨다. 개폐 밸브(2EV)를 열어, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 IPA 토출부(22e)로부터 IPA를 공급한다. 공급된 IPA는, 웨이퍼(W)의 표면 전체를 액막이 되어 흐르고, 웨이퍼(W)의 표면 상의 발수 처리액이 IPA로 치환된다.
(순수에 의한 IPA의 린스)
이어서, 개폐 밸브(2EV)를 닫아 IPA의 공급을 정지하고, 또한 개폐 밸브(20BV)를 열어, 처리액 토출부(22b)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 순수를 공급한다. 공급된 순수는, 도 3의 (a)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체를 액막이 되어 흐르고, 웨이퍼(W)의 표면 상의 IPA가 순수에 의해 린스된다. 이 때, 순수를 웨이퍼(W) 외주로 빨리 흘려 IPA의 린스를 효율적으로 행하기 위하여, 웨이퍼(W)를 고속으로 회전시킬 필요가 있다. 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 예를 들면 약 1500 회전/분(rpm)이면 좋다. 한편, 미소한 물방울이 원인인 워터 마크의 발생을 방지하기 위해서는, 처리 공정의 도중에 웨이퍼(W)의 표면을 건조시키지 않고, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 순수에 의한 액막을 형성할 필요가 있다. 따라서, 고속으로 회전하는 웨이퍼(W)의 표면 전체에 액막을 형성하기 위하여, 처리액 토출부(22b)로부터는 대유량(大流量)으로 순수를 공급한다. 웨이퍼(W)의 표면 상으로 공급되는 순수의 유량은, 예를 들면 약 2 리터/분(L/min)이면 좋다.
(건조 프로세스)
이어서, 모터(M)의 회전 속도를 감속한다. 이에 의해, 도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전 속도도 또한 감속한다. 이에 맞추어, 개폐 밸브(2BV)를 닫아 처리액 토출부(22b)로부터의 순수의 공급을 정지하고, 또한 소유량 린스액 토출부(22c)가 웨이퍼(W)의 중앙부의 상방에 위치하도록 노즐 블록(22)을 이동시키고, 개폐 밸브(2CV)를 연다. 공급 라인(20c)을 흐르는 순수의 유량은 니들 밸브(2CN)에 의해 공급 라인(20b)을 흐르는 순수의 유량보다 작아지도록 제어되고 있기 때문에, 상술한 처리액 토출부(22b)로부터 토출되는 순수의 유량보다 작은 유량으로, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 소유량 린스액 토출부(22c)로부터 린스액으로서 순수가 공급된다(도 3의 (b) 참조). 이 때, 웨이퍼(W)의 표면 전체 면에 형성되어 있는 액막은 유지되지 못하고 깨지고, 소유량 린스액 토출부(22c)로부터 웨이퍼(W)의 표면 상으로 공급된 순수가, 웨이퍼(W)의 표면 상을 국소적으로, 구체적으로는 웨이퍼(W)의 중심부로부터 외주를 향해 줄무늬 형상 (또는, 물줄기 형상)으로 흐르도록, 웨이퍼(W)의 회전 속도와 소유량 린스액 토출부(22c) 순수의 유량을 제어한다. 웨이퍼(W)의 회전 속도를 감속할 시의 회전 속도는, 예를 들면 약 50 rpm 이하가 바람직하고, 보다 바람직하게는 20 rpm 정도이면 좋다. 또한, 순수의 유량은 예를 들면 약 350 cm3/분이면 좋다.
이어서 도 3의 (c)에 도시한 바와 같이, 소유량 린스액 토출부(22c)로부터 상기한 유량으로 순수를 공급하면서 노즐 블록(22)을 웨이퍼(W)의 외주를 향해 이동시킨다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 상의 순수의 줄무늬 형상의 흐름도 또한 웨이퍼(W)의 외주를 향해 이동한다. 이 때, 웨이퍼(W)의 표면 전체 면에 형성되어 있던 액막이 깨진 후의 웨이퍼(W)의 표면 상에 남아 있는 미소한 물방울을, 순수의 줄무늬 형상의 흐름에 흡수하면서 이동한다. 그리고, 노즐 블록(22)이 웨이퍼(W)의 외주의 외측까지 이동하면, 웨이퍼(W)의 표면 상으로부터 줄무늬 형상으로 흐르는 순수가 소실되고, 웨이퍼(W)의 표면이 건조된다. 이 후, 개폐 밸브(2CV)를 닫아, 소유량 린스액 토출부(22c)로부터의 순수의 공급을 정지한다.
(고속 회전 건조)
이 후, 도 3의 (d)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 올려, 웨이퍼(W)의 이면 및 단부(端部)(베벨부)에 남은 순수를 건조시킨다. 또한, 회전 속도의 고속화에 의해, 웨이퍼(W)의 표면 상을 흐르는 기류의 유량 및 유속이 증대하기 때문에, 이에 따라 웨이퍼(W)의 표면이 보다 확실히 건조된다. 또한 이 때의 웨이퍼(W)의 회전 속도는, 소유량의 순수를 공급하고 있을 시의 회전 속도보다 빠르면 되고, 대유량의 순수로 IPA를 린스하고 있을 때의 회전 속도보다 빨라도 된다.
이상 설명한 본 실시예에 따른 액처리 방법에 의하면, IPA를 순수에 의해 린스할 시에는, 고속도로 회전하는 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 대유량의 순수를 공급하고 있기 때문에, 효율적으로 린스를 행하면서, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 순수에 의한 액막을 형성할 수 있다. 이 후, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 공급하는 순수의 유량을 린스 시보다 적은 유량으로 하고 있기 때문에, 웨이퍼(W)의 표면 전체에 형성되어 있던 액막은 유지되지 못하고 깨지고, 공급된 순수는 웨이퍼(W)의 표면을 국소적으로 줄무늬 형상이 되어 흐른다. 이 때, 웨이퍼(W)를 저속도로 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)로부터 털어내진 순수가 컵부(23)에서 튀어 웨이퍼(W)에 재부착하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 순수가 흐르지 않는 영역에는, 미소한 물방울이 점재하고 있을 가능성이 있는데, 줄무늬 형상으로 흐르는 순수는, 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W)의 전체 면을 통과하기 때문에, 미소한 물방울을 흡수할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 외주를 향하는 방향으로 노즐 블록(22)이 이동하고 있기 때문에, 줄무늬 형상으로 흐르는 순수는, 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 외주를 향해 이동하면서 미소한 물방울을 흡수한다. 따라서, 웨이퍼(W)의 표면 상에는 미소한 물방울이 대부분 남지 않아, 워터 마크의 발생을 억제할 수 있다.
예를 들면, 고속 회전하는 웨이퍼에 대하여 순수를 공급하여 웨이퍼 표면 상에 액막을 형성한 다음, 순수의 공급을 정지하고, 웨이퍼의 회전에 의해 웨이퍼 표면을 건조시킬 경우에는, 웨이퍼 표면 상의 액막은, 웨이퍼의 중심부로부터 외주의 방향으로 균등하게(360°로) 확산되고, 웨이퍼의 중심부로부터 건조된다. 웨이퍼의 외주의 방향으로 순수가 확산될 시에는, 액막 중의 적은 양의 순수가 외주 방향으로의 흐름으로부터 남겨져, 웨이퍼 표면 상에 미소한 물방울이 남을 우려가 있다. 이러한 액적이 건조됨으로써 워터 마크가 발생한다.
그러나, 본 발명의 실시예에 따르면, 상술한 바와 같이, 웨이퍼 표면 상에 형성된 순수의 액막이 깨진 후에 웨이퍼(W)의 표면 상에 남은 미소한 물방울은, 줄무늬 형상으로 흐르는 순수에 흡수되어 제거되기 때문에, 워터 마크의 발생을 억제할 수 있다. 즉, 웨이퍼의 회전에 의해, 웨이퍼의 중앙부로부터 외주를 향해 건조 영역을 확산하는 건조 방법에 비해, 본 실시예에 따른 액처리 방법은 유의(有意)한 효과를 가지고 있다고 할 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 회전 속도와 순수의 유량은, 웨이퍼(W)의 표면 상에서 순수가 줄무늬 형상으로 흐르도록 적절히 조정해도 된다. 단, 줄무늬 형상의 흐름은, 노즐 블록(22)의 하방으로부터 웨이퍼(W)의 외주까지 이어져 있을 필요는 없고, 상술한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 회전하는 동안에 웨이퍼(W)의 표면 상에 남은 미소한 물방울을 흡수할 수 있는 한에서 도중에서 중단되어도 되고, 복수의 액 방울(또는, 부정형의 액의 덩어리)이 웨이퍼(W)의 표면 상을 연속하여 구르는 상태라도 상관없다.
또한, 웨이퍼(W)의 외주 방향으로 이동하는 순수의 줄무늬 형상의 흐름보다 웨이퍼(W)의 중심측에 순수가 남겨지면, 남겨진 순수가 건조됨으로써 워터 마크가 발생할 가능성이 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 외주 방향으로 이동하는 순수의 줄무늬 형상의 흐름보다 웨이퍼(W)의 중심측에 순수가 남겨지지 않도록, 웨이퍼(W)의 회전 속도와 순수의 유량을 설정하는 것이 바람직하다.
또한 동일한 관점으로부터, 노즐 블록(22)의 이동 속도는, 웨이퍼(W)의 표면 상에서 웨이퍼(W)의 외주 방향으로 이동하는 순수의 줄무늬 형상의 흐름보다 웨이퍼(W)의 중심측에 순수가 남지 않을 정도로 설정하는 것이 바람직하다. 구체적으로, 예를 들면 약 7.5 mm/초인 것이 바람직하다. 또한, 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 외주를 향해 노즐 블록(22)을 이동시키는 도중에 노즐 블록(22)의 이동 속도를 변화시켜도 된다. 예를 들면, 약 7.5 mm/초의 이동 속도를 도중에 약 5 mm/초로 저하시켜도 된다. 또한, 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 약 7.5 mm/초의 이동 속도로 이동하기 시작하여, 웨이퍼(W)의 외주에서의 이동 속도가 약 5 mm/초가 되도록 이동 속도를 서서히 감속해도 된다. 또한, 이들과는 반대로 노즐 블록(22)의 이동 속도를 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 외주를 향해 빠르게 해도 된다.
또한, 노즐 블록(22)의 이동에 맞추어 웨이퍼(W)의 회전 속도를 변화시켜도 된다. 예를 들면, 웨이퍼(W)의 중앙부로부터 외주를 향해 노즐 블록(22)이 이동할 시에, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 점차 늦추어도 된다. 회전하는 웨이퍼(W)의 선(線)속도는 웨이퍼(W)의 외주일수록 크기 때문에, 노즐 블록(22)이 외주에 가까워짐에 따라 회전 속도를 늦춤으로써, 줄무늬 형상으로 흐르는 순수의 웨이퍼(W)의 표면에 대한 속도를, 웨이퍼(W)의 중심측과 외주측에서 일정하게 할 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 표면에 남은 미소한 물방울은 일정하게 줄무늬 형상으로 흐르는 순수에 흡수될 수 있다.
이어서, 도 5를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 액처리 방법의 변형예를 설명한다. 이 변형예에서는, 우선 상술한 (처리액의 공급)으로부터 (순수에 의한 IPA의 린스)까지가 행해진다.
이어서, 웨이퍼(W)의 회전 속도를 감속하고, 처리액 토출부(22b)로부터의 순수의 공급을 정지하고, 또한 웨이퍼(W)의 중앙부의 상방으로부터 소유량 린스액 토출부(22c)에 의해 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 순수를 공급한다(도 3의 (b) 참조). 이 때의 웨이퍼(W)의 회전 속도 및 순수의 유량은 상술한 바와 같이 해도 좋다. 또한, 소유량 린스액 토출부(22c)로부터의 순수의 공급에 맞추어, 도 5의 (b)에 도시한 바와 같이, 노즐 블록(22)의 기체 토출부(22d)로부터 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 질소 가스가 공급된다.
이 후, 도 5의 (c)에 도시한 바와 같이, 소유량 린스액 토출부(22c)로부터 순수를 공급하고, 기체 토출부(22d)로부터 질소 가스를 공급하면서, 노즐 블록(22)이 웨이퍼(W)의 외주를 향해 이동한다. 노즐 블록(22)이 웨이퍼(W)의 외주로부터 밖으로 이동함으로써, 웨이퍼(W)의 표면으로부터 줄무늬 형상으로 흐르는 순수가 소실되고, 웨이퍼(W)의 표면이 건조된다. 노즐 블록(22)의 이동 속도 및 웨이퍼(W)의 회전 속도(의 변화) 등에 대해서는, 상술한 바와 같다.
이어서, 도 5의 (d)에 도시한 바와 같이, 웨이퍼(W)가 고속 회전되고, 웨이퍼(W)의 이면 및 단부가 건조되고, 웨이퍼(W)의 액처리가 종료된다.
이 변형예에서는, 저속 회전하는 웨이퍼(W)의 표면에 대하여, 소유량 린스액 토출부(22c)로부터 소유량의 순수가 공급될 시, 소유량 린스액 토출부(22c)보다 웨이퍼(W)의 중심측에 위치하는 기체 토출부(22d)로부터 질소 가스가 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 분사된다. 이 질소 가스에 의해, 소유량 린스액 토출부(22c)로부터의 순수는, 웨이퍼(W)의 중심측으로 확산되기 어려워진다. 따라서, 웨이퍼(W)의 중심측에 순수가 남겨져 워터 마크의 원인이 되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 표면에 질소 가스를 분사함으로써, 웨이퍼(W)의 표면이 보다 확실히 건조된다고 하는 효과도 나타난다.
또한, 소유량 린스액 토출부(22c)로부터의 순수의 공급을 개시한 다음, 기체 토출부(22d)가 웨이퍼(W)의 중앙부의 상방에 위치하도록 노즐 블록(22)을 이동시키고 나서, 질소 가스를 공급해도 된다. 이와 같이 해도, 웨이퍼(W)의 중심측으로 순수가 확산되는 것을 억제할 수 있다. 또한 이에 의하면, 고속 회전 시에 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 액막을 웨이퍼(W)의 중심부로부터 소실시킬 수 있다. 이 때문에, 웨이퍼(W)의 표면 상에서의 미소한 물방울의 편재를 억제할 수 있어, 미소한 물방울을 흡수하지 못할 가능성이 저감된다.
이어서, 도 6을 참조하여 노즐 블록(22)의 변형예를 설명한다. 도 6의 (a)는, 노즐 블록(22)(의 헤드부)의 정면도이며, 도 6의 (b)는 정면도에 대응하는 이면도이며, 도 6의 (c)는 측면도이다. 도시한 바와 같이, 발수 처리액 토출부(22a), 처리액 토출부(22b), 기체 토출부(22d) 및 IPA 토출부(22e)는, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 대략 직교하는 방향을 향하고 있지만, 소유량의 순수를 공급하는 소유량 린스액 토출부(22c)는 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 경사져 있다. 본 변형예에서는 구체적으로, 소유량 린스액 토출부(22c)는 도 6의 (d)에 파선(L)으로 나타낸 바와 같이, 위에서 봤을 경우 웨이퍼(W)의 반경 방향(RD)(웨이퍼(W)의 회전 방향(A)에 대하여 직교하는 방향)을 따라 외측을 향하고, 웨이퍼(W)의 회전 방향(A)의 하류측을 향하고 있다. 소유량 린스액 토출부(22c)로부터 웨이퍼(W)의 표면으로 공급된 순수는, 웨이퍼(W)의 회전력과 웨이퍼(W)의 회전에 의한 원심력을 받아, 웨이퍼(W)의 반경 방향(RD)과 직교하는 방향보다 웨이퍼(W)의 외주를 향해 흐르기 때문이다. 웨이퍼(W)의 반경 방향에서의 경사는, 순수가 웨이퍼(W) 중심측을 향해 토출되지 않으면 되고, 반경 방향(RD)에 직교하는 방향이어도 된다. 소유량 린스액 토출부(22c)가 상술한 바와 같이 경사져 있으면, 웨이퍼(W)의 표면 상을 흐르는 방향을 향해 순수를 공급할 수 있고, 따라서 웨이퍼(W)의 중앙측으로 순수가 확산되는 것을 억제할 수 있다.
이상, 몇 가지의 실시예 및 실험예를 참조하여 본 발명을 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시예 및 실험예에 한정되지 않고, 첨부한 특허 청구의 범위에 비추어, 다양하게 변형 또는 변경이 가능하다.
예를 들면 상기한 실시예에서는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리액을 공급하여 웨이퍼(W)를 처리한 다음, 발수 처리액을 공급하여 웨이퍼(W)의 표면을 발수 처리했지만, 발수 처리액을 공급하여 웨이퍼(W)의 표면을 발수 처리하는 것은 반드시 필요로 하지 않는다. 예를 들면, 웨이퍼(W)의 표면 중 적어도 일부가 이미 발수 처리되어 있는 기판에 대하여 처리액을 공급하고, 린스액으로 처리액을 린스하고 나서 건조시킬 경우에 본 발명의 실시예인 액처리 방법을 적용해도 된다. 또한, 표면 상에 발수 처리 영역을 가지는 기판에 포토레지스트막을 형성하고, 노광하고, 처리액으로서의 현상액을 공급하여 포토레지스트막을 현상한 다음, 린스액(예를 들면, 순수)으로 현상액을 린스하고, 웨이퍼(W)를 건조시킬 경우에도 본 발명의 실시예인 액처리 방법을 적용해도 된다. 환언하면, 처리액 및 발수 처리액 등의 약액에 의한 처리가 행해진 기판에 대하여, 린스액을 공급하고 나서 건조시킬 경우에 본 발명의 실시예인 액처리 방법을 적용할 수 있다.
또한, 니들 밸브(2CN) 대신에, 전기 신호의 입력에 의해 유량을 가변 가능한 유량 조정 밸브를 이용하여, 제어부(17)의 제어하에서 토출부(22c)로부터 대유량의 순수와 소유량의 순수를 전환하여 웨이퍼(W)의 표면으로 공급해도 된다. 또한, 니들 밸브(2BN) 대신에 유량 조정 밸브를 이용하여, 공급원(20B)으로부터의 순수의 유량을 변경해도 상관없다. 이들 경우에서, 순수의 유량을 스텝 형상으로 저감시키지 않고 서서히 저감시켜도 된다.
또한, 노즐 블록(22)에서의 소유량 린스액 토출부(22c)는, 도 6의 (d)에서 일점 쇄선으로 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(W)의 접선 방향(반경 방향에 직교하는 방향)을 따라 웨이퍼(W)의 회전 방향 하류측을 향해 기울어져 있어도 된다.
또한, 노즐 블록(22)에서의 불활성 가스를 공급하는 기체 토출부(22d)도 또한, 도 6에 도시한 소유량으로 순수를 공급하는 소유량 린스액 토출부(22c)와 마찬가지로, 웨이퍼(W)의 표면에 대하여 기울어져 있어도 된다. 구체적으로, 위에서 봤을 경우에 웨이퍼(W)의 반경 방향(RD)을 따라 외측을 향하고 있어도 되고, 웨이퍼(W)의 회전 방향(A)의 하류측을 향하고 있어도 된다. 반경 방향(RD)을 따라 외측을 향함으로써, 웨이퍼(W)의 표면 상의 순수를 확실히 외측으로 흘려 보낼 수 있어, 웨이퍼(W)의 표면을 보다 확실히 건조할 수 있다. 또한, 웨이퍼(W)의 회전 방향(A)의 하류측을 향함으로써, 순수가 웨이퍼(W)의 표면 상을 흐르는 방향을 향해 불활성 가스를 공급할 수 있어 순수의 흐름을 어지럽히지 않으므로, 웨이퍼(W)의 표면 상에 순수가 남겨지는 것을 방지할 수 있다.
상술한 실시예에서는, 린스액으로서 순수를 명시했지만, 예를 들면 희석한 염산 수용액(농도 0.1 wt% 정도)을 린스액으로서 이용해도 된다.
또한, 웨이퍼(W)의 회전 속도의 감속과 순수 유량의 저감은 동시에 행해도 되고, 또한 회전 속도의 감속이 유량의 저감에 선행되어도 된다.
또한, 반도체 웨이퍼뿐 아니라, 플랫 패널 디스플레이 제조용의 글라스 기판에 대해서도 본 발명의 실시예인 액처리 방법을 적용할 수 있다.
1 : 액처리 장치
21 : 웨이퍼 지지 회전부
22 : 노즐 블록
23 : 컵부
24 : 하우징
22a : 발수 처리액 토출부
22b : 처리액 토출부
22c : 소유량 린스액 토출부
22d : 기체 토출부
22e : IPA 토출부
20a ~ 20e : 공급 라인
2AF ~ 2EF : 유량계
2AN ~ 2EN : 니들 밸브
2AV ~ 2EV : 개폐 밸브
M : 모터
W : 웨이퍼

Claims (15)

  1. 표면 상에 소수성 영역을 가지는 기판을 제 1 회전 속도로 회전시키고, 상기 기판의 표면 중앙부에 대하여, 상기 기판으로 공급된 약액을 린스하는 린스액을 제 1 유량으로 공급하고, 상기 기판의 표면 전체 면에 상기 린스액의 액막을 형성하는 단계와,
    상기 기판을 상기 제 1 회전 속도보다 느린 제 2 회전 속도로 회전시키고, 상기 기판의 표면 전체 면에 형성된 상기 액막을 깨뜨리고, 상기 기판의 표면 상에 상기 린스액의 줄무늬 형상의 흐름을 형성하는 단계와,
    상기 린스액의 줄무늬 형상의 흐름을 유지하면서, 상기 린스액의 줄무늬 형상의 흐름이 상기 기판의 표면 상으로부터 밖으로 나올 때까지 상기 린스액을 공급하는 공급부를 상기 기판의 외연부를 향해 이동시키는 단계를 포함하고,
    상기 린스액을 공급하는 공급부를 상기 기판의 외연부를 향해 이동시키는 단계에서, 상기 기판의 회전 속도를 상기 제 2 회전 속도로 유지하는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 린스액의 줄무늬 형상의 흐름을 형성하는 단계에서, 공급되는 상기 린스액의 유량은 상기 제 1 유량보다 적은 제 2 유량이며, 상기 제 2 유량은 0이 아닌 것인 액처리 방법.
  3. 삭제
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 유량보다 적은 상기 제 2 유량의 상기 린스액은, 상기 제 1 유량으로 상기 린스액을 공급하는 제 1 린스액 공급부와 상이한 제 2 린스액 공급부로부터 공급되고,
    상기 린스액을 공급하는 공급부를 상기 기판의 외연부를 향해 이동시키는 단계에서, 상기 제 2 린스액 공급부로부터 린스액을 공급하고, 상기 제 1 린스액 공급부로부터 린스액을 공급하지 않으며,
    상기 제 2 린스액 공급부의 구경은 상기 제 1 린스액 공급부의 구경보다 작게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 2 유량의 상기 린스액은, 상기 기판의 표면에 대하여 상기 기판의 반경 방향을 따라 상기 기판의 외연부를 향하는 방향으로 공급되는 액처리 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 린스액의 줄무늬 형상의 흐름이 상기 기판의 표면 상으로부터 밖으로 나온 후에, 상기 기판을 상기 제 2 회전 속도보다 빠른 제 3 회전 속도로 회전시키는 단계를 더 포함하는 액처리 방법.
  7. 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 린스액을 공급하는 상기 공급부를 상기 기판의 외연부를 향해 이동할 시에, 상기 공급부보다 상기 기판의 중심측으로 상기 기판의 표면에 대하여 가스가 분사되는 액처리 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 가스는, 상기 기판의 표면에 대하여 상기 기판의 반경 방향을 따라 상기 기판의 외연부를 향하는 방향으로 공급되는 액처리 방법.
  9. 표면 상에 소수성 영역을 가지는 기판을 보지하여 회전시키는 기판 보지 회전부와,
    상기 기판 보지 회전부에 의해 보지되는 상기 기판에 대하여, 상기 기판으로 공급된 약액을 린스하는 린스액을 공급하며, 제 1 유량으로 상기 린스액을 공급하는 제 1 린스액 공급부와 제 2 유량으로 상기 린스액을 공급하는 제 2 린스액 공급부를 포함하는 린스액 공급부와,
    상기 기판 보지 회전부에 의해 상기 기판을 제 1 회전 속도로 회전시키고, 상기 제 1 린스액 공급부로부터 상기 기판의 표면 중앙부에 대하여 상기 제 1 유량으로 상기 린스액을 공급하고,
    상기 기판 보지 회전부에 의해 상기 제 1 회전 속도보다 느린 제 2 회전 속도로 상기 기판을 회전시키고, 상기 제 2 린스액 공급부로부터 상기 제 1 유량보다 적은 상기 제 2 유량으로 상기 린스액을 공급하여 상기 기판의 표면 상에 상기 린스액의 줄무늬 형상의 흐름을 형성하고,
    상기 제 2 린스액 공급부로부터 린스액을 공급하고, 상기 제 1 린스액 공급부로부터 린스액을 공급하지 않도록 함으로써, 상기 린스액의 줄무늬 형상의 흐름을 유지하면서, 상기 기판의 표면 상으로부터 밖으로 나올 때까지 상기 린스액 공급부를 상기 기판의 외연부를 향해 이동하도록, 상기 기판 보지 회전부 및 상기 린스액 공급부를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 제 2 린스액 공급부의 구경은 상기 제 1 린스액 공급부의 구경보다 작게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액처리 장치.
  10. 삭제
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 린스액 공급부는, 상기 기판의 표면에 대하여 상기 기판의 반경 방향을 따라 상기 기판의 외연부를 향하는 방향으로 경사져 있는 액처리 장치.
  12. 제 9 항 또는 제 11 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 린스액 공급부가 상기 기판의 표면 상으로부터 밖으로 나온 후에, 상기 기판을 상기 제 2 회전 속도보다 빠른 제 3 회전 속도로 회전하도록 상기 기판 보지 회전부를 제어하는 액처리 장치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 린스액 공급부보다 상기 기판의 중심측에 위치하고, 가스를 토출하는 가스 토출부를 가지고,
    상기 제어부는, 상기 기판의 외연부를 향해 상기 린스액 공급부를 이동시킬 시, 상기 가스 토출부로부터 상기 기판의 표면에 대하여 상기 가스를 분사하도록 상기 린스액 공급부를 제어하는 액처리 장치.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 2 린스액 공급부는, 상기 기판의 회전 방향에 대한 접선 방향보다 상기 기판의 외연부를 향하는 방향으로 기울도록 연장되는 액처리 장치.
  15. 제 13 항에 있어서,
    상기 가스 토출부는, 상기 기판의 회전 방향에 대한 접선 방향보다 상기 기판의 외연부를 향하는 방향으로 기울도록 연장되는 액처리 장치.
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