JP6484144B2 - 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 470
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 295
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 109
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 22
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 165
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 119
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 44
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 claims description 39
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 36
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 35
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 9
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- -1 silicon organic compound Chemical class 0.000 claims description 5
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 19
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)C KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N N-(trimethylsilyl)diethylamine Chemical compound CCN(CC)[Si](C)(C)C JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
Description
21 処理液供給部
22 リンス液供給部
23 乾燥液供給部
33 第1薬液供給部
34 第2薬液供給部
Claims (16)
- 基板を保持して回転させる基板保持部と、
前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板に純水を供給するリンス液供給部と、
前記基板に純水よりも揮発性の高い乾燥液を供給する乾燥液供給部と、
前記基板保持部、前記処理液供給部、前記リンス液供給部、前記乾燥液供給部とを制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、
前記処理液供給部から前記基板に処理液を供給する液処理工程を行った後に、
前記リンス液供給部から前記基板に純水を供給するリンス処理工程を行い、
その後、前記乾燥液供給部から前記揮発性の高い乾燥液の一部にシリコン系有機化合物を含有する乾燥液を前記基板に供給する乾燥液供給工程を行い、
前記乾燥液供給工程の直後に前記基板保持部によって前記基板を回転させることで前記乾燥液を前記基板から除去する乾燥液除去工程を行う
ことを特徴とする基板液処理装置。 - 前記乾燥液供給部は、シリコン系有機化合物からなる第1薬液を供給する第1薬液供給部と、その他の有機化合物からなる第2薬液を供給する第2薬液供給部とを有し、前記制御部は、前記乾燥液供給工程において前記第1薬液と第2薬液との混合液を前記基板に供給することを特徴とする請求項1に記載の基板液処理装置。
- 前記制御部は、前記乾燥液供給工程において前記乾燥液供給部から前記混合液を供給した後に、前記第2薬液供給部から前記第1薬液を含まない第2薬液を供給することを特徴とする請求項2に記載の基板液処理装置。
- 前記制御部は、前記乾燥液供給工程において前記乾燥液供給部から前記混合液を供給する前に、前記第2薬液供給部から前記第1薬液を含まない第2薬液を供給することを特徴とする請求項2又は請求項3に記載の基板液処理装置。
- 前記制御部は、前記乾燥液供給工程において前記乾燥液供給部から前記第1薬液供給部と第2薬液供給部から第1及び第2薬液を同時に供給することを特徴とする請求項2〜請求項4のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 前記制御部は、前記乾燥液供給工程において前記乾燥液供給部から前記第1薬液と第2薬液とを予め混合した混合液を供給することを特徴とする請求項2〜請求項4のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 基板に処理液を供給する液処理工程を行った後に、前記基板に純水を供給するリンス処理工程を行い、その後、前記基板に前記純水よりも揮発性の高い乾燥液であって一部にシリコン系有機化合物を含有する乾燥液を前記基板に供給する乾燥液供給工程を行い、前記乾燥液供給工程の直後に前記基板を回転させることで前記乾燥液を前記基板から除去する乾燥液除去工程を行うことを特徴とする基板液処理方法。
- 前記乾燥液は、シリコン系有機化合物からなる第1薬液と、その他の有機化合物からなる第2薬液と、からなる混合液であって、
前記乾燥液供給工程は、前記混合液を供給する混合液供給工程を含むことを特徴とする請求項7に記載の基板液処理方法。 - 前記混合液供給工程の後に、前記第1薬液を含まない前記第2薬液を供給する後処理工程を含むことを特徴とする請求項8に記載の基板液処理方法。
- 前記混合液供給工程の前に、前記第1薬液を含まない前記第2薬液を供給する前処理工程を含むことを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の基板液処理方法。
- 前記第1及び第2薬液を同時に供給することを特徴とする請求項8〜請求項10のいずれかに記載の基板液処理方法。
- 前記第1薬液と第2薬液とを予め混合した混合液を供給することを特徴とする請求項8〜請求項10のいずれかに記載の基板液処理方法。
- 前記第1薬液と第2薬液との混合液を供給する際に前記第1薬液と第2薬液との混合比率を段階的又は連続的に変更することを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の基板液処理方法。
- 前記第1薬液と第2薬液との混合液を供給する際に前記第1薬液に対する活性剤を添加することを特徴とする請求項9又は請求項10に記載の基板液処理方法。
- 前記第2薬液としてIPAを用い、前記前処理工程と前記混合液供給工程との間にペグミアを前記基板に供給する工程を有することを特徴とする請求項10に記載の基板液処理方法。
- 基板を保持して回転させる基板保持部と、基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板にリンス液を供給するリンス液供給部と、前記基板に乾燥液を供給する乾燥液供給部とを有する基板液処理装置を用いて前記基板を処理させる基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
前記処理液供給部から前記基板に処理液を供給する液処理工程を行った後に、
前記リンス液供給部から前記基板に純水を供給するリンス処理工程を行い、
その後、前記乾燥液供給部から前記揮発性の高い乾燥液の一部にシリコン系有機化合物を含有する乾燥液を前記基板に供給する乾燥液供給工程を行い、
前記乾燥液供給工程の直後に前記基板保持部によって前記基板を回転させることで前記乾燥液を前記基板から除去する乾燥液除去工程を行う
ことを特徴とする基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US14/880,462 US10026629B2 (en) | 2014-10-17 | 2015-10-12 | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program |
TW104133444A TWI697043B (zh) | 2014-10-17 | 2015-10-13 | 基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體 |
KR1020150143282A KR102434087B1 (ko) | 2014-10-17 | 2015-10-14 | 기판 액 처리 장치 및 기판 액 처리 방법 및 기판 액 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
CN201510672501.9A CN105529288B (zh) | 2014-10-17 | 2015-10-16 | 基板液处理装置和基板液处理方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014213012 | 2014-10-17 | ||
JP2014213012 | 2014-10-17 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016082223A JP2016082223A (ja) | 2016-05-16 |
JP6484144B2 true JP6484144B2 (ja) | 2019-03-13 |
Family
ID=55959142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015167418A Active JP6484144B2 (ja) | 2014-10-17 | 2015-08-27 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6484144B2 (ja) |
KR (1) | KR102434087B1 (ja) |
TW (1) | TWI697043B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6687486B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2020-04-22 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法 |
JP7136543B2 (ja) * | 2017-08-31 | 2022-09-13 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP7250566B2 (ja) * | 2019-02-26 | 2023-04-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7143465B2 (ja) * | 2021-03-15 | 2022-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI286353B (en) | 2004-10-12 | 2007-09-01 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
JP4767767B2 (ja) * | 2006-06-19 | 2011-09-07 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US7838425B2 (en) * | 2008-06-16 | 2010-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of treating surface of semiconductor substrate |
JP5404364B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-01-29 | 株式会社東芝 | 半導体基板の表面処理装置及び方法 |
JP5481366B2 (ja) * | 2010-12-22 | 2014-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法および液処理装置 |
JP5320383B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2013-10-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
JP5789400B2 (ja) * | 2011-04-12 | 2015-10-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法及び液処理装置 |
US8956465B2 (en) * | 2012-03-06 | 2015-02-17 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method, liquid processing device, and storage medium |
JP5743939B2 (ja) * | 2012-03-27 | 2015-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法 |
JP6148475B2 (ja) * | 2013-01-25 | 2017-06-14 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
-
2015
- 2015-08-27 JP JP2015167418A patent/JP6484144B2/ja active Active
- 2015-10-13 TW TW104133444A patent/TWI697043B/zh active
- 2015-10-14 KR KR1020150143282A patent/KR102434087B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160045591A (ko) | 2016-04-27 |
KR102434087B1 (ko) | 2022-08-18 |
JP2016082223A (ja) | 2016-05-16 |
TWI697043B (zh) | 2020-06-21 |
TW201637086A (zh) | 2016-10-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
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