JP2012222237A - 液処理方法及び液処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面上に疎水性領域を有する基板を第1の回転速度で回転し、前記基板の表面中央部に対して、前記基板に供給された薬液をリンスするリンス液を第1の流量で供給し、前記基板の表面全面に前記リンス液の液膜を形成するステップと、前記基板の表面全面に形成された液膜を壊し、前記基板の表面上に前記リンス液の筋状の流れを形成するステップと、前記リンス液の筋状の流れが前記基板の表面上から外へ出るまで前記リンス液を供給する供給部を前記基板の外縁に向かって移動するステップとを含む液処理方法が提供される。
【選択図】図3
Description
また、基板処理装置100には、各種の部品及び部材を制御する制御部17が設けられ、制御部17の制御の下、基板処理装置100が動作し、例えば後述の基板処理方法が実施される。
供給ライン20aはウエハWをリンス液に対して撥水処理するための撥水処理液の供給源2Aに接続され、したがって、撥水処理液吐出部22aからウエハWの表面に対して撥水処理液が供給される。供給ライン20aにはニードル弁2AN、流量計2AF、及び開閉弁2AVが設けられており、これらにより、撥水処理液が流量制御されて撥水処理液吐出部22aへ供給される。撥水処理液としては、これらに限定されないが、例えば、トリメチルシリルジメチルアミン(TMSDMA)、ジメチルシリルジメチルアミン(DMSDMA)、トリメチルシリルジエチルアミン(TMSDEA)、ヘキサメチルジンラザン(HMDS)、1,1,3,3-テトラメチルジシラザン(TMDS)などのシリル化剤や、界面活性剤、フッ素ポリマー液などを用いることができる。
供給ライン20bは処理液の供給源2B及び20Bに接続されている。本実施形態においては、供給源2Bは、処理液としての洗浄液及びエッチング液のいずれかを供給することができる。洗浄液としては、SC1(NH4OH+H2O2+H2O)、又はSC2(HCl+H2O2+H2O)などを用いることができ、エッチング液としては、フッ酸(HF)、バッファードフッ酸(BHF)、又はHNO3などを用いることができる。また、供給源20Bは処理液として純水を供給することができる。供給源20Bから供給する純水は、例えばウエハWの表面上のパーティクル等を洗い流す洗浄液として用いても良く、洗浄液及びエッチング液などを洗い流すリンス液として使用しても良い。
また、液処理装置1におけるモータMの起動/停止や回転速度、ノズルブロック22の移動、開閉弁2AV〜2DVの開閉などは、制御部17により制御される。
次に、処理液吐出部22bがウエハWの中央部の上方に位置するようにノズルブロック22を移動する。ウエハ支持回転部21によってウエハWが所定の回転速度で回転されるとともに、開閉弁20BVを閉じたまま開閉弁2BVを開くことにより、ウエハWの表面に対して処理液吐出部22bから処理液を供給する。供給された処理液は、ウエハWの回転によりウエハWの表面全体に液膜として広がり、液処理がウエハWの表面に対して行われる。
所定の期間が経過した後、開閉弁2BVを閉じて処理液の供給を停止するとともに、開閉弁20BVを開くことにより、ウエハWの中央部の上方においてウエハWの表面に対して処理液吐出部22bから純水を供給する。供給された純水は、ウエハWの回転によりウエハWの表面全体を液膜となって流れ、これにより、ウエハWの表面上に残る処理液がリンスされる。
純水により処理液が十分にリンスされた後、開閉弁20BVを閉じて純水の供給を停止するとともに、IPA吐出部22eがウエハWの中央部の上方に位置するようにノズルブロック22を移動する。開閉弁2EVを開くことにより、ウエハWの表面に対してIPA吐出部22eからIPAを供給する。供給されたIPAは、ウエハWの表面全体を液膜となって流れ、ウエハWの表面上に残る純水がIPAに置換される。
次に、開閉弁2EVを閉じてIPAの供給を停止するとともに、撥水処理液吐出部22aがウエハWの中央部の上方に位置するようにノズルブロック22を移動する。次いで、開閉弁2AVを開くことにより、ウエハWの表面に対して撥水処理液吐出部22aから撥水処理液を供給する。撥水処理液は、IPAに対する可溶性を有するため、ウエハWの表面上に残るIPAに混ざりつつもウエハWの回転によってIPAをウエハW外周方向に押し流し、ウエハWの表面全体に液膜となって広がる。これにより、ウエハWの表面が撥水処理される。
次いで、開閉弁2AVを閉じて撥水処理液の供給を停止するとともに、IPA吐出部22eがウエハWの中央部の上方に位置するようにノズルブロック22を移動する。開閉弁2EVを開くことにより、ウエハWの表面に対しIPA吐出部22eからIPAを供給する。供給されたIPAは、ウエハWの表面全体を液膜となって流れ、ウエハWの表面上の撥水処理液がIPAに置換される。
次に、開閉弁2EVを閉じてIPAの供給を停止するとともに、開閉弁20BVを開くことにより、処理液吐出部22bからウエハWの表面に対して純水を供給する。供給された純水は、図3(a)に示すように、ウエハWの回転によりウエハWの表面全体を液膜となって流れ、ウエハWの表面上のIPAが純水によりリンスされる。このとき、純水をウエハW外周へ早く流してIPAのリンスを効率よく行うために、ウエハWを高速で回転させる必要がある。ウエハWの回転速度は、例えば約1500回転/分(rpm)であって良い。一方で、微小な水滴が原因であるウォータマークの発生を防止するためには、処理工程の途中でウエハWの表面を乾燥させることなく、ウエハWの表面全体に純水による液膜を形成する必要がある。よって、高速で回転するウエハWの表面全体に液膜を形成するために、処理液吐出部22bからは大流量で純水を供給する。ウエハWの表面上に供給される純水の流量は、例えば約2リットル/分(l/min)であって良い。
次に、モータMの回転速度を減速する。これにより、図4に示すように、ウエハWの回転速度もまた減速する。これに合わせて、開閉弁2BVを閉じて処理液吐出部22bからの純水の供給を停止するとともに、小流量リンス液吐出部22cがウエハWの中央部の上方に位置するようにノズルブロック22を移動し、開閉弁2CVを開く。供給ライン20cを流れる純水の流量はニードル弁2CNにより供給ライン20bを流れる純水の流量よりも小さくなるように制御されているため、上述の処理液吐出部22bから吐出される純水の流量よりも小さい流量で、ウエハWの表面に対して小流量リンス液吐出部22cから純水が供給される(図3(b)参照)。このとき、ウエハWの表面全面に形成されている液膜は維持できずに壊れ、小流量リンス液吐出部22cからウエハWの表面上に供給された純水が、ウエハWの表面上を局所的に、具体的には、ウエハWの中心部から外周に向かって筋状(又は川状)に流れるように、ウエハWの回転速度と小流量リンス液吐出部22c純水の流量とを制御する。ウエハWの回転速度を減速した際の回転速度は、例えば約50rpm以下が好ましく、より好ましくは20rpm程度であって良い。また、純水の流量は例えば約350cm3/分であってよい。
(高速回転乾燥)
この後、図3(d)に示すように、ウエハWの回転速度を上げて、ウエハWの裏面や端部(ベベル部)に残る純水を乾燥させる。また、回転速度の高速化により、ウエハWの表面上を流れる気流の流量及び流速が増大するため、これにより、ウエハWの表面がより確実に乾燥される。なお、このときのウエハWの回転速度は、小流量の純水を供給しているときの回転速度より速ければ良く、大流量の純水でIPAをリンスしているときの回転速度より速くても良い。
次に、図5(d)に示すように、ウエハWが高速回転され、ウエハWの裏面や端部が乾燥され、ウエハWの液処理が終了する。
また、ウエハWの回転速度の減速と純水流量の低減とは同時に行っても良く、また、回転速度の減速が流量の低減に先行しても良い。
また、半導体ウエハだけでなく、フラットパネルディスプレー製造用のガラス基板に対しても本発明の実施形態である液処理方法を適用することができる。
Claims (13)
- 表面上に疎水性領域を有する基板を第1の回転速度で回転し、前記基板の表面中央部に対して、前記基板に供給された薬液をリンスするリンス液を第1の流量で供給し、前記基板の表面全面に前記リンス液の液膜を形成するステップと、
前記基板の表面全面に形成された液膜を壊し、前記基板の表面上に前記リンス液の筋状の流れを形成するステップと、
前記リンス液の筋状の流れが前記基板の表面上から外へ出るまで前記リンス液を供給する供給部を前記基板の外縁に向かって移動するステップと
を含む液処理方法。 - 前記リンス液の筋状の流れを形成するステップにおいて供給される前記リンス液の流量は、前記第1の流量より少ない第2の流量である、請求項1に記載の液処理方法。
- 前記リンス液の筋状の流れを形成するステップにおける前記基板の回転速度は、前記第1の回転速度より遅い第2の回転速度である、請求項2に記載の液処理方法。
- 前記第1の流量よりも少ない前記第2の流量の前記リンス液は、前記第1の流量で前記リンス液を供給する第1リンス液供給部と異なる第2リンス液供給部から供給される、請求項2に記載の液処理方法。
- 前記第2の流量の前記リンス液は、前記基板の表面に対して、前記基板の回転方向から前記基板の外縁に向かう方向に供給される、請求項2又は4に記載の液処理方法。
- 前記リンス液の筋状の流れが前記基板の表面上から外へ出た後に、前記基板を前記第2の回転速度よりも速い第3の回転速度で回転するステップを更に含む、請求項3に記載の液処理方法。
- 前記リンス液を供給する前記供給部を前記基板の外縁に向かって移動するときに、前記供給部よりも前記基板の中心側において前記基板の表面に対してガスが吹き付けられる、請求項1から6のいずれか一項に記載の液処理方法。
- 表面上に疎水性領域を有する基板を保持して回転する基板保持回転部と、
前記基板保持回転部により保持される前記基板に対して、前記基板に供給された薬液をリンスするリンス液を供給するリンス液供給部と、
前記基板保持回転部により前記基板を第1の回転速度で回転し、前記リンス液供給部から前記基板の表面中央部に対して第1の流量で前記リンス液を供給し、
前記基板保持回転部により前記第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度で前記基板を回転し、前記リンス液供給部から前記第1の流量よりも少ない第2の流量で前記リンス液を供給し、
前記基板の表面上から外へ出るまで前記リンス液供給部を前記基板の外縁に向かって移動するように、前記基板保持回転部及び前記リンス液供給部を制御する制御部と、
を備える液処理装置。 - 前記リンス液供給部は、
前記第1の流量で前記リンス液を供給する第1リンス液供給部と、
前記第2の流量で前記リンス液を供給する第2リンス液供給部と
を備える、請求項8に記載の液処理装置。 - 前記第2リンス液供給部は、前記基板の表面に対して、前記基板の回転方向から前記基板の外縁に向かう方向に傾いている、請求項9に記載の液処理装置。
- 前記制御部は、前記リンス液供給部が前記基板の表面上から外へ出た後に、前記基板を前記第2の回転速度よりも速い第3の回転速度で回転するよう前記基板回転保持部を制御する、請求項8から10のいずれか一項に記載の液処理装置。
- 前記第2リンス液供給部よりも前記基板の中心側に位置し、ガスを吐出するガス吐出部を有し、
前記制御部は、前記基板の外縁に向かって前記リンス液供給部を移動するときに、前記ガス吐出部から前記基板の表面に対して前記ガスを吹き付けるよう前記リンス液供給部を制御する、請求項8から11のいずれか一項に記載の液処理装置。 - 前記第2リンス液供給部は、前記基板の回転方向に対する接線方向よりも前記基板の外縁に向かう方向に傾くように延びる、請求項8から12のいずれか一項に記載の液処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011088370A JP5789400B2 (ja) | 2011-04-12 | 2011-04-12 | 液処理方法及び液処理装置 |
KR1020120037312A KR101760306B1 (ko) | 2011-04-12 | 2012-04-10 | 액처리 방법 및 액처리 장치 |
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TW101112776A TWI512873B (zh) | 2011-04-12 | 2012-04-11 | Liquid treatment method and liquid treatment device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011088370A JP5789400B2 (ja) | 2011-04-12 | 2011-04-12 | 液処理方法及び液処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012222237A true JP2012222237A (ja) | 2012-11-12 |
JP5789400B2 JP5789400B2 (ja) | 2015-10-07 |
Family
ID=47005473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011088370A Active JP5789400B2 (ja) | 2011-04-12 | 2011-04-12 | 液処理方法及び液処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9412627B2 (ja) |
JP (1) | JP5789400B2 (ja) |
KR (1) | KR101760306B1 (ja) |
TW (1) | TWI512873B (ja) |
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JP7326003B2 (ja) | 2019-04-09 | 2023-08-15 | 株式会社荏原製作所 | 液体供給装置、洗浄ユニット、基板処理装置 |
WO2022044874A1 (ja) * | 2020-08-28 | 2022-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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US9412627B2 (en) | 2016-08-09 |
KR101760306B1 (ko) | 2017-07-21 |
US20120260952A1 (en) | 2012-10-18 |
TWI512873B (zh) | 2015-12-11 |
TW201308470A (zh) | 2013-02-16 |
JP5789400B2 (ja) | 2015-10-07 |
KR20120116352A (ko) | 2012-10-22 |
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