WO2022044874A1 - 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 - Google Patents

基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 Download PDF

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WO2022044874A1
WO2022044874A1 PCT/JP2021/029968 JP2021029968W WO2022044874A1 WO 2022044874 A1 WO2022044874 A1 WO 2022044874A1 JP 2021029968 W JP2021029968 W JP 2021029968W WO 2022044874 A1 WO2022044874 A1 WO 2022044874A1
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liquid
flow rate
substrate
wafer
rotation speed
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PCT/JP2021/029968
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English (en)
French (fr)
Inventor
周平 ▲高▼橋
一樹 小佐井
隆憲 小原
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the disclosed embodiments relate to a substrate processing method, a substrate processing apparatus, and a storage medium.
  • Patent Document 1 a technique for performing various substrate treatments such as rinsing treatment and drying treatment on a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter, also referred to as a wafer) (see Patent Document 1).
  • the present disclosure provides a technique capable of suppressing the remaining of particles on the surface of a substrate.
  • the substrate processing method includes a first step, a second step, and a third step.
  • the first step the first liquid is supplied at the first flow rate to the central portion of the substrate rotating at the first rotation speed.
  • the supply position of the first liquid is moved to the first supply position on the outer peripheral side of the center of the substrate, and the second liquid is transferred to the substrate at a second flow rate. Supply to the center.
  • the supply position of the first liquid is moved to the second supply position on the outer peripheral side of the first supply position, and the second liquid is moved from the second flow rate. It is supplied to the center of the substrate with a large third flow rate.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a specific configuration example of the processing unit according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the first process of the substrate process according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining both nozzle movement processes of the substrate process according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a second liquid supply process of the substrate process according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a second process of the substrate process according to the embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining a third process of the substrate process according to the embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram showing the states of the first liquid and the second liquid in the third treatment of the substrate treatment according to the embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining a fourth process of the substrate process according to the embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram for explaining the second process according to the first modification of the embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram for explaining a third process according to the first modification of the embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining the fourth process according to the first modification of the embodiment.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining the second process according to the second modification of the embodiment.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining a third process according to the second modification of the embodiment.
  • FIG. 15 is a diagram for explaining the fourth process according to the second modification of the embodiment.
  • FIG. 16 is a perspective view showing a specific configuration example of the processing unit according to the third modification of the embodiment.
  • FIG. 17 is a top view showing a specific configuration example of the processing unit according to the third modification of the embodiment.
  • FIG. 18 is a bottom view showing a configuration example of the gas nozzle according to the third modification of the embodiment.
  • FIG. 19 is a flowchart showing a substrate processing procedure executed by the substrate processing system according to the embodiment.
  • the liquid film on the wafer may be interrupted, so that there is a possibility that particles may remain on the surface of the wafer after the liquid treatment due to insufficient coating. ..
  • FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system 1 according to an embodiment.
  • the substrate processing system 1 is an example of a substrate processing apparatus.
  • the X-axis, Y-axis, and Z-axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is defined as the vertical upward direction.
  • the board processing system 1 includes an loading / unloading station 2 and a processing station 3.
  • the loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.
  • the loading / unloading station 2 includes a carrier mounting section 11 and a transport section 12.
  • a plurality of substrates, in the embodiment, a plurality of carriers C for accommodating a semiconductor wafer W (hereinafter, referred to as a wafer W) in a horizontal state are mounted on the carrier mounting portion 11.
  • the transport section 12 is provided adjacent to the carrier mounting section 11, and includes a substrate transport device 13 and a delivery section 14 inside.
  • the substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and swivel around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery portion 14 by using the wafer holding mechanism. conduct.
  • the processing station 3 is provided adjacent to the transport unit 12.
  • the processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16.
  • the plurality of processing units 16 are provided side by side on both sides of the transport unit 15.
  • the transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside.
  • the substrate transfer device 17 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and swivel around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 by using the wafer holding mechanism. I do.
  • the processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W conveyed by the substrate transfer device 17.
  • the board processing system 1 includes a control device 4.
  • the control device 4 is, for example, a computer, and includes a control unit 18 and a storage unit 19.
  • the storage unit 19 stores programs that control various processes executed in the board processing system 1.
  • the control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.
  • the program may be recorded on a storage medium readable by a computer, and may be installed from the storage medium in the storage unit 19 of the control device 4.
  • Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnetic optical disk (MO), and a memory card.
  • the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C mounted on the carrier mounting portion 11 and receives the taken out wafer W. Placed on Watanabe 14. The wafer W placed on the delivery section 14 is taken out from the delivery section 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.
  • the wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then carried out from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17, and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W mounted on the delivery section 14 is returned to the carrier C of the carrier mounting section 11 by the substrate transfer device 13.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a specific configuration example of the processing unit 16.
  • the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate rotating unit 30, a processing liquid supply unit 40, and a recovery cup 50.
  • the chamber 20 accommodates the substrate rotating unit 30, the processing liquid supply unit 40, and the recovery cup 50.
  • An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling of the chamber 20.
  • the FFU 21 forms a downflow in the chamber 20.
  • the substrate rotating portion 30 includes a holding portion 31, a strut portion 32, and a driving portion 33, and holds and rotates the wafer W.
  • the holding unit 31 attracts the bottom surface of the wafer W and holds the wafer W horizontally.
  • the holding portion 31 is not limited to holding the bottom surface of the wafer W, and may hold the end portion of the wafer W.
  • the strut portion 32 is a member extending in the vertical direction, the base end portion is rotatably supported by the drive portion 33, and the holding portion 31 is horizontally supported at the tip portion.
  • the drive unit 33 rotates the strut unit 32 around a vertical axis.
  • the substrate rotating portion 30 rotates the holding portion 31 supported by the supporting portion 32 by rotating the supporting portion 32 by using the driving unit 33, thereby rotating the wafer W held by the holding portion 31. ..
  • the processing liquid supply unit 40 supplies the first liquid L1 (see FIG. 3) and the second liquid L2 (see FIG. 5) to the surface of the wafer W.
  • the processing liquid supply unit 40 swivels and raises and lowers the first nozzle 41a and the second nozzle 41b, the arms 42a and 42b that horizontally support the first nozzle 41a and the second nozzle 41b, respectively, and the arms 42a and 42b, respectively. It is provided with a swivel elevating mechanism 43a and 43b.
  • the first nozzle 41a is an example of the first supply unit
  • the second nozzle 41b is an example of the second supply unit.
  • the swivel elevating mechanism 43a is an example of the first moving mechanism
  • the swivel elevating mechanism 43b is an example of the second moving mechanism.
  • the first nozzle 41a is connected to the first liquid supply source 46a via a valve 44a and a flow rate regulator 45a. Further, the second nozzle 41b is connected to the second liquid supply source 46b via the valve 44b and the flow rate regulator 45b.
  • the first liquid L1 supplied from the first liquid supply source 46a is a rinsing liquid used for rinsing the wafer W, and is, for example, DIW (DeIonized Water).
  • the first nozzle 41a discharges the first liquid L1 supplied from the first liquid supply source 46a to a position designated by the control unit 5.
  • the second liquid L2 supplied from the second liquid supply source 46b is a highly volatile drying liquid used for the drying treatment of the wafer W, and is, for example, IPA (Isopropyl Alcohol).
  • the second nozzle 41b discharges the second liquid L2 supplied from the second liquid supply source 46b to a position designated by the control unit 5.
  • the recovery cup 50 is arranged so as to surround the holding portion 31, and collects the first liquid L1 and the second liquid L2 scattered from the wafer W by the rotation of the holding portion 31.
  • a drainage port 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50, and the first liquid L1 and the second liquid L2 collected by the recovery cup 50 are discharged from the drainage port 51 to the outside of the processing unit 16. Will be done.
  • an exhaust port 52 for discharging the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 is formed.
  • the treatment liquid supply unit 40 of the treatment unit 16 according to the embodiment has a treatment liquid different from the first liquid L1 and the second liquid L2 (for example, BHF (mixed liquid of hydrofluoric acid and ammonium fluoride solution)). May be provided on the surface of the wafer W.
  • BHF mixed liquid of hydrofluoric acid and ammonium fluoride solution
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the first process of the substrate process according to the embodiment.
  • the surface of the wafer W Prior to the first treatment shown in FIG. 3, the surface of the wafer W is liquid-treated with a treatment liquid such as BHF. As a result, the surface of the wafer W shown in FIG. 3 is in a state of being largely hydrophobic.
  • the control unit 18 controls the substrate rotating unit 30 to rotate the wafer W, and controls the processing liquid supply unit 40 to control the wafer W.
  • the first liquid L1 is supplied from the first nozzle 41a toward the central Wa.
  • the first nozzle 41a supplies the first liquid L1 to the wafer W at a predetermined flow rate A1 (for example, 1500 ml / min).
  • the flow rate A1 is an example of the first flow rate.
  • the drive unit 33 rotates the wafer W at a predetermined rotation speed R1 (for example, 1200 rpm).
  • the rotation speed R1 is an example of the first rotation speed, and is, for example, 1000 rpm to 1400 rpm.
  • the liquid film of the first liquid L1 is formed on the entire surface of the wafer W.
  • the second nozzle 41b is in the standby position.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining both nozzle movement processes of the substrate process according to the embodiment.
  • the control unit 18 causes the first nozzle 41a for discharging the first liquid L1 from above the central portion Wa of the wafer W to the intermediate portion of the wafer W. It is moved above the inner peripheral side (for example, the outer peripheral side by about 20 mm with respect to the central Wa).
  • the intermediate portion of the wafer W is a region between the central portion Wa and the peripheral portion of the wafer W. Further, “the inner peripheral side in the middle portion of the wafer W" is an example of the first supply position.
  • control unit 18 moves the second nozzle 41b above the inner peripheral side (for example, the outer peripheral side by about 20 mm with respect to the central Wa) in the middle portion of the wafer W in parallel with the movement of the first nozzle 41a.
  • the second liquid L2 (see FIG. 5) is not discharged from the second nozzle 41b. Further, in the process of FIG. 4, the first nozzle 41a and the second nozzle 41b are arranged so as to face each other via the central portion Wa of the wafer W.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining a second liquid supply process of the substrate process according to the embodiment.
  • the control unit 18 is located above the inner peripheral side (for example, the outer peripheral side by about 20 mm with respect to the central Wa) in the intermediate portion of the wafer W.
  • the second liquid L2 is supplied toward the wafer W from the second nozzle 41b.
  • the second nozzle 41b supplies the second liquid L2 to the wafer W at a predetermined flow rate B1 (for example, 75 ml / min). Further, at this time, the rotation speed of the wafer W is maintained at the rotation speed R1 up to this point, and the supply flow rate of the first liquid L1 is maintained at the flow rate A1 up to this point.
  • a predetermined flow rate B1 for example, 75 ml / min.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining a second process of the substrate process according to the embodiment.
  • the control unit 18 sets the first nozzle 41a for discharging the first liquid L1 to the outer peripheral side (for example, the central portion Wa) in the intermediate portion of the wafer W. Move it upward by about 40 mm (on the outer peripheral side).
  • the “outer peripheral side in the middle portion of the wafer W” is an example of the second supply position.
  • control unit 18 changes the supply flow rate of the first liquid L1 to a flow rate A2 (for example, 1000 ml / min) smaller than the flow rate A1 up to this point.
  • the flow rate A2 is an example of the fourth flow rate.
  • the rotation speed of the wafer W is maintained at the rotation speed R1 up to this point.
  • control unit 18 moves the second nozzle 41b, which discharges the second liquid L2, above the central portion Wa of the wafer W in parallel with the movement of the first nozzle 41a. At this time, the control unit 18 changes the supply flow rate of the second liquid L2 to a flow rate B2 (for example, 125 ml / min) larger than the flow rate B1 up to this point.
  • the flow rate B2 is an example of the second flow rate, and is, for example, 75 ml / min to 125 ml / min.
  • the first liquid L1 and The second liquid L2 is supplied respectively.
  • the supply position of the first liquid L1 is gradually moved away from the central Wa while keeping the distance between the first nozzle 41a and the second nozzle 41b substantially constant, and the second liquid is used.
  • the supply position of L2 is gradually brought closer to the central Wa.
  • the supply flow rate of the first liquid L1 is reduced from the flow rate A1 to the flow rate A2, so that the first liquid L1 and the second liquid L2 collide with each other on the wafer W. Liquid splashing at P2 (see FIG. 8) can be suppressed.
  • FIG. 7 is a diagram for explaining a third process of the substrate process according to the embodiment.
  • the control unit 18 controls the processing liquid supply unit 40 to discharge the first liquid L1 to the first nozzle 41a on the peripheral portion of the wafer W. Gradually move it upwards.
  • the control unit 18 changes the rotation speed of the wafer W to a rotation speed R2 (for example, 700 rpm) smaller than the rotation speed R1 up to this point.
  • the rotation speed R2 is an example of the second rotation speed, and is, for example, 500 rpm to 900 rpm.
  • control unit 18 changes the supply flow rate of the second liquid L2 supplied to the central portion Wa of the wafer W to a flow rate B3 (for example, 150 ml / min) larger than the flow rate B2 up to this point.
  • the flow rate B3 is an example of the third flow rate, and is, for example, 125 ml / min to 150 ml / min.
  • FIG. 8 is a diagram showing the states of the first liquid L1 and the second liquid L2 in the third treatment of the substrate treatment according to the embodiment.
  • the first liquid L1 is supplied to the intermediate portion of the rotating wafer W, and the second liquid L2 is supplied to the central portion Wa of the wafer W. Will be done.
  • the first liquid L1 does not sufficiently reach the peripheral edge P1 on the side opposite to the supply position of the first liquid L1, and the peripheral edge on the opposite side is not sufficiently reached.
  • the coverage of the first liquid L1 in P1 may be insufficient.
  • the supply flow rate of the second liquid L2 supplied to the central Wa of the wafer W is increased from the flow rate B2 to the flow rate B3.
  • the second liquid L2 can be sufficiently supplied to the peripheral portion P1 on the opposite side, so that the liquid film on the peripheral portion P1 on the opposite side can be prevented from being interrupted.
  • the rotation speed of the wafer W from the rotation speed R1 to the rotation speed R2 in the third process.
  • the speed at which the second liquid L2 spreads to the outer periphery can be suppressed, so that the first liquid L1 and the second liquid L2 collide with each other on the wafer W even when the supply flow rate of the second liquid L2 is increased. It is possible to suppress liquid splashing at the matching interference portion P2.
  • FIG. 9 is a diagram for explaining the fourth process of the substrate process according to the embodiment. As shown in FIG. 9, the fourth process according to the embodiment is performed when the first nozzle 41a reaches above the peripheral edge portion of the wafer W.
  • control unit 18 controls the processing liquid supply unit 40 to stop the supply of the first liquid L1 from the first nozzle 41a that has reached the peripheral edge portion of the wafer W.
  • the rotation speed of the wafer W is maintained at the rotation speed R2 up to this point.
  • the control unit 18 changes the supply flow rate of the second liquid L2 supplied to the central portion Wa of the wafer W to a flow rate B4 (for example, 300 ml / min) larger than the flow rate B3 up to this point.
  • the flow rate B4 is an example of the seventh flow rate, and is, for example, 150 ml / min to 300 ml / min.
  • the second liquid L2 can be sufficiently supplied to the peripheral edge portion of the wafer W where the supply of the first liquid L1 is stopped, so that the liquid film on the peripheral edge portion of the wafer W can be suppressed from being interrupted. Therefore, according to the embodiment, it is possible to prevent particles from remaining on the peripheral edge of the wafer W due to insufficient coating.
  • various treatments are further carried out on the wafer W on which the fourth treatment shown in FIG. 9 is completed and the liquid film of the second liquid L2 is formed. ..
  • FIG. 10 is a diagram for explaining a second process of the substrate process according to the first modification of the embodiment.
  • this modification 1 since the first process, the movement process of both nozzles, and the second liquid supply process are the same processes as those of the above-described embodiment (see FIGS. 3 to 5), detailed description thereof will be omitted. do.
  • the control unit 18 controls the processing liquid supply unit 40, and the first nozzle 41a for discharging the first liquid L1 is used as an intermediate portion of the wafer W. (For example, about 40 mm on the outer peripheral side with respect to the central Wa).
  • control unit 18 changes the supply flow rate of the first liquid L1 to a flow rate A2 (for example, 1000 ml / min) smaller than the flow rate A1 up to this point. Further, the control unit 18 changes the rotation speed of the wafer W to a rotation speed R2 (for example, 700 rpm) smaller than the rotation speed R1 up to this point.
  • control unit 18 moves the second nozzle 41b, which discharges the second liquid L2, above the central portion Wa of the wafer W in parallel with the movement of the first nozzle 41a.
  • control unit 18 changes the supply flow rate of the second liquid L2 to a flow rate B5 (for example, 150 ml / min) larger than the flow rate B1 up to this point and the above-mentioned flow rate B2.
  • the flow rate B5 is an example of the fifth flow rate, and is, for example, 125 ml / min to 150 ml / min.
  • the supply position of the first liquid L1 is gradually changed to the central portion Wa while keeping the distance between the first nozzle 41a and the second nozzle 41b substantially constant.
  • the supply position of the second liquid L2 is gradually brought closer to the central Wa while moving away from the center Wa.
  • the rotation speed of the wafer W is reduced to the rotation speed R2 (for example, 700 rpm) and the supply flow rate of the second liquid L2 is increased to the flow rate B5 as compared with the embodiment. ..
  • FIG. 11 is a diagram for explaining a third process of the substrate process according to the first modification of the embodiment.
  • the control unit 18 controls the processing liquid supply unit 40 to discharge the first liquid L1 to the first nozzle 41a, which is the peripheral portion of the wafer W. Gradually move it upwards.
  • the flow rate A2 up to this point is maintained as the supply flow rate of the first liquid L1. Further, the rotation speed of the wafer W is maintained at the rotation speed R2 up to this point. Further, the flow rate of the second liquid L2 supplied to the central portion Wa of the wafer W is maintained at the flow rate B5 up to this point.
  • the third process in the third process, the supply flow rates of the first liquid L1 and the second liquid L2 and the rotation speed of the wafer W are not changed from the second process, and the supply position of the first liquid L1 is not changed. Only changing. As a result, in the first modification, the third process can be stably performed with a desired parameter.
  • FIG. 12 is a diagram for explaining the fourth process of the substrate process according to the first modification of the embodiment. As shown in FIG. 12, the fourth process according to the first modification is performed when the first nozzle 41a reaches above the peripheral edge portion of the wafer W.
  • control unit 18 controls the processing liquid supply unit 40 to stop the supply of the first liquid L1 from the first nozzle 41a that has reached the peripheral edge portion of the wafer W.
  • the rotation speed of the wafer W is maintained at the rotation speed R2 up to this point.
  • control unit 18 changes the supply flow rate of the second liquid L2 supplied to the central Wa of the wafer W to a flow rate B4 (for example, 300 ml / min) larger than the flow rate B5 up to this point.
  • the second liquid L2 can be sufficiently supplied to the peripheral edge portion of the wafer W where the supply of the first liquid L1 is stopped, so that the liquid film on the peripheral edge portion of the wafer W can be suppressed from being interrupted. Therefore, according to the first modification, it is possible to prevent particles from remaining on the peripheral edge of the wafer W due to insufficient coating.
  • various treatments for example, transfer treatment and drying treatment are further performed on the wafer W on which the fourth treatment shown in FIG. 12 is completed and the liquid film of the second liquid L2 is formed.
  • FIG. 13 is a diagram for explaining a second process of the substrate process according to the second modification of the embodiment.
  • this modification 2 since the first treatment, the movement of both nozzles, and the second liquid supply treatment are the same treatments as those in the above-described embodiment (see FIGS. 3 to 5), detailed description thereof will be omitted. do.
  • the control unit 18 controls the processing liquid supply unit 40, and the first nozzle 41a for discharging the first liquid L1 is used as an intermediate portion of the wafer W. (For example, about 40 mm on the outer peripheral side with respect to the central Wa).
  • control unit 18 changes the supply flow rate of the first liquid L1 to a flow rate A3 (for example, 800 ml / min) smaller than the flow rate A1 up to this point and the above-mentioned flow rate A2.
  • the flow rate A3 is an example of the sixth flow rate. Further, the rotation speed of the wafer W is maintained at the rotation speed R1 up to this point.
  • control unit 18 moves the second nozzle 41b, which discharges the second liquid L2, above the central portion Wa of the wafer W in parallel with the movement of the first nozzle 41a. At this time, the control unit 18 changes the supply flow rate of the second liquid L2 to a flow rate B5 (for example, 150 ml / min) larger than the flow rate B1 up to this point and the above-mentioned flow rate B2.
  • a flow rate B5 for example, 150 ml / min
  • the supply position of the first liquid L1 is gradually set to the center while keeping the distance between the first nozzle 41a and the second nozzle 41b substantially constant. While moving away from Wa, the supply position of the second liquid L2 is gradually brought closer to the central Wa.
  • the supply flow rate of the second liquid L2 is increased to the flow rate B5 as compared with the embodiment.
  • the supply flow rate of the first liquid L1 is reduced to the flow rate A3 as compared with the embodiment.
  • the supply flow rate of the second liquid L2 is increased, it is possible to suppress liquid splashing at the interference portion P2 where the first liquid L1 and the second liquid L2 collide with each other on the wafer W.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining a third process of the substrate process according to the second modification of the embodiment.
  • the control unit 18 controls the processing liquid supply unit 40 to discharge the first liquid L1 to the first nozzle 41a, which is the peripheral portion of the wafer W. Gradually move it upwards.
  • control unit 18 changes the rotation speed of the wafer W to the rotation speed R2 (for example, 700 rpm) smaller than the rotation speed R1 up to this point. Further, the flow rate A3 up to this point is maintained as the supply flow rate of the first liquid L1. Further, the flow rate of the second liquid L2 supplied to the central portion Wa of the wafer W is maintained at the flow rate B5 up to this point.
  • FIG. 15 is a diagram for explaining the fourth process of the substrate process according to the second modification of the embodiment. As shown in FIG. 15, the fourth process according to the second modification is performed when the first nozzle 41a reaches above the peripheral edge portion of the wafer W.
  • control unit 18 controls the processing liquid supply unit 40 to stop the supply of the first liquid L1 from the first nozzle 41a that has reached the peripheral edge portion of the wafer W.
  • the rotation speed of the wafer W is maintained at the rotation speed R2 up to this point.
  • control unit 18 changes the supply flow rate of the second liquid L2 supplied to the central Wa of the wafer W to a flow rate B4 (for example, 300 ml / min) larger than the flow rate B5 up to this point.
  • the second liquid L2 can be sufficiently supplied to the peripheral edge portion of the wafer W where the supply of the first liquid L1 is stopped, so that the liquid film on the peripheral edge portion of the wafer W can be suppressed from being interrupted. Therefore, according to the second modification, it is possible to prevent particles from remaining on the peripheral edge of the wafer W due to insufficient coating.
  • various treatments for example, transfer treatment and drying treatment are further performed on the wafer W on which the fourth treatment shown in FIG. 15 is completed and the liquid film of the second liquid L2 is formed.
  • the supply flow rate of the second liquid L2 is increased when the first nozzle 41a reaches the peripheral edge of the wafer W.
  • the embodiments and various modifications are not limited to these examples, and for example, the supply flow rate of the second liquid L2 may be gradually increased as the first nozzle 41a approaches the peripheral edge of the wafer W.
  • FIG. 16 is a perspective view showing a specific configuration example of the processing unit 16 according to the modified example 3 of the embodiment
  • FIG. 17 is a specific configuration example of the processing unit 16 according to the modified example 3 of the embodiment. It is a top view which shows.
  • FIG. 18 is a bottom view showing a configuration example of the gas nozzle 47 according to the modified example 3 of the embodiment.
  • the configuration of the first nozzle 41a and the types of the first liquid L1 and the second liquid L2 supplied to the wafer W are different from the embodiments.
  • the first nozzle 41a of the third modification makes the DIW mist by merging the DIW with the flow of the nitrogen gas, and supplies the two fluids containing the mistized DIW and the nitrogen gas to the wafer W. That is, the first liquid L1 of the modified example 3 is a two-fluid containing mist-ized DIW and nitrogen gas.
  • the second nozzle 41b of the modification 3 supplies the rinsing liquid (for example, DIW) to the wafer W. That is, the second liquid L2 of the modified example 3 is a rinsing liquid such as DIW.
  • the processing liquid supply unit 40 of the modification 3 has a gas nozzle 47 arranged adjacent to the first nozzle 41a.
  • the gas nozzle 47 is configured to be movable above the wafer W in synchronization with the first nozzle 41a, and is directly attached to, for example, the first nozzle 41a.
  • the gas nozzle 47 discharges a gas G such as air or nitrogen gas toward the surface of the wafer W.
  • FIG. 16 shows a third process of the substrate process according to the modified example 3.
  • control unit 18 uses the gas nozzle 47 to bring the gas G to the liquid surface of the interference unit P2 where the first liquid L1 and the second liquid L2 collide with each other on the wafer W in the third process. Is discharged.
  • the flow rate of the DIW of the two fluids from the first nozzle 41a is 100 to 200 ml / min and the flow rate of the nitrogen gas of the two fluids is 100 to 200 L / min
  • the flow rate of the gas G from the gas nozzle 47 is 50 to. It can be 150 L / min.
  • the flow rate of the gas G may be smaller than the flow rate of the nitrogen gas of the two fluids.
  • the liquid films of the first liquid L1 and the second liquid L2 in the interference portion P2 can be thinned, so that the liquid splash in the interference portion P2 can be suppressed. Therefore, according to the third modification, it is possible to suppress the generation of particles due to the splash of the liquid.
  • the discharge port 47a (see FIG. 18) of the gas nozzle 47 is provided at a higher position than the discharge port of the first nozzle 41a. That is, in the third modification, the discharge port 47a of the gas nozzle 47 may be provided farther from the wafer W than the discharge port of the first nozzle 41a.
  • the gas nozzle 47 is formed in a substantially fan shape in a plan view. Then, in the modified example 3, the second liquid L2 flowing in a spiral shape along the rotation direction of the wafer W collides with the first liquid L1 spreading substantially concentrically, and has a fan shape with respect to the arcuate portion (interference portion P2). It is preferable that the gas G is discharged from the gas nozzle 47 of the above.
  • the gas G can be efficiently discharged to the arcuate portion where the first liquid L1 and the second liquid L2 vigorously collide with each other on the wafer W. Therefore, according to the modification 3, the amount of gas G used can be reduced.
  • a plurality of arcuate discharge ports 47a are formed on the lower surface of the gas nozzle 47. Then, in the modified example 3, it is preferable that the discharge port 47a on the outer peripheral side is formed larger (for example, longer) than the discharge port 47a on the inner peripheral side.
  • the case where the first liquid L1 which is a rinsing liquid and the second liquid L2 which is a drying liquid are discharged from the first nozzle 41a and the second nozzle 41b.
  • the gas nozzle 47 shown in the modified example 3 may be used.
  • the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment includes a substrate rotating unit 30, a first supply unit (first nozzle 41a), a first moving mechanism (swivel lift mechanism 43a), and a second supply unit (swivel lift mechanism 43a).
  • a second nozzle 41b), a second moving mechanism (swivel elevating mechanism 43b), and a control unit 18 are provided.
  • the substrate rotating portion 30 holds and rotates the substrate (wafer W).
  • the first supply unit (first nozzle 41a) supplies the first liquid L1 to the substrate (wafer W).
  • the first moving mechanism (swivel elevating mechanism 43a) moves the first supply unit (first nozzle 41a).
  • the second supply unit (second nozzle 41b) supplies the second liquid L2 to the substrate (wafer W).
  • the second moving mechanism moves the second supply unit (second nozzle 41b).
  • the control unit 18 controls each unit. Further, the control unit 18 executes the first process, the second process, and the third process.
  • the first liquid L1 is supplied to the central portion Wa of the substrate (wafer W) rotating at the first rotation speed (rotation speed R1) at the first flow rate (flow rate A1).
  • the second treatment after the first treatment, the supply position of the first liquid L1 is moved to the first supply position on the outer peripheral side of the central portion Wa of the substrate (wafer W), and the second liquid L2 is flowed to the second flow rate.
  • Flow rate B2 is supplied to the central Wa of the substrate (wafer W).
  • the supply position of the first liquid L1 is moved to the second supply position on the outer peripheral side of the first supply position, and the second liquid L2 is moved from the second flow rate (flow rate B2). It is supplied to the central Wa of the substrate (wafer W) with a large third flow rate (flow rate B3). As a result, it is possible to prevent particles from remaining on the surface of the wafer W.
  • the substrate processing apparatus (board processing system 1) according to the embodiment is provided adjacent to the first supply unit (first nozzle 41a), and further includes a gas nozzle 47 for discharging gas G. Then, in the third process, the control unit 18 discharges the gas G to the liquid surface of the interference portion P2 where the first liquid L1 and the second liquid L2 collide with each other on the substrate (wafer W) by the gas nozzle 47. As a result, it is possible to suppress the generation of particles due to the liquid splash in the interference portion P2.
  • FIG. 19 is a flowchart showing a procedure of substrate processing executed by the substrate processing system 1 according to the embodiment.
  • control unit 18 performs the first process on the wafer W (step S101).
  • the control unit 18 controls the substrate rotating unit 30 to rotate the wafer W, and also controls the processing liquid supply unit 40 to direct the first nozzle 41a toward the center Wa of the wafer W.
  • the first liquid L1 is supplied from.
  • the surface of the wafer W Prior to the first treatment, the surface of the wafer W is liquid-treated with a treatment liquid such as BHF to be hydrophobic.
  • control unit 18 performs both nozzle movement processes on the wafer W (step S102).
  • control unit 18 controls the processing liquid supply unit 40 to discharge the first liquid L1 from above the central portion Wa of the wafer W to the intermediate portion of the wafer W. Move it upward on the inner circumference side.
  • control unit 18 moves the second nozzle 41b upward on the inner peripheral side in the middle portion of the wafer W in parallel with the movement of the first nozzle 41a.
  • the second liquid L2 is not discharged from the second nozzle 41b, and the first nozzle 41a and the second nozzle 41b face each other via the central portion Wa of the wafer W. Be placed.
  • control unit 18 performs a second liquid supply process on the wafer W (step S103).
  • control unit 18 controls the process liquid supply unit 40 from the second nozzle 41b located above the inner peripheral side in the middle portion of the wafer W toward the wafer W. Liquid L2 is supplied.
  • control unit 18 performs a second process on the wafer W (step S104).
  • control unit 18 controls the processing liquid supply unit 40 to move the first nozzle 41a for discharging the first liquid L1 upward on the outer peripheral side in the intermediate portion of the wafer W.
  • control unit 18 changes the supply flow rate of the first liquid L1 to a flow rate A2 smaller than the flow rate A1 up to this point. Further, the rotation speed of the wafer W is maintained at the rotation speed R1 up to this point.
  • control unit 18 moves the second nozzle 41b, which discharges the second liquid L2, above the central portion Wa of the wafer W in parallel with the movement of the first nozzle 41a. At this time, the control unit 18 changes the supply flow rate of the second liquid L2 to a flow rate B2 larger than the flow rate B1 up to this point.
  • control unit 18 performs a third process on the wafer W (step S105).
  • control unit 18 controls the processing liquid supply unit 40 to gradually move the first nozzle 41a for discharging the first liquid L1 toward the upper side of the peripheral portion of the wafer W.
  • the flow rate A2 up to this point is maintained as the supply flow rate of the first liquid L1. Further, the control unit 18 changes the rotation speed of the wafer W to a rotation speed R2 smaller than the rotation speed R1 up to this point. Further, the control unit 18 changes the supply flow rate of the second liquid L2 supplied to the central portion Wa of the wafer W to a flow rate B3 larger than the flow rate B2 up to this point.
  • control unit 18 performs the fourth process on the wafer W (step S106).
  • the fourth process is performed when the first nozzle 41a reaches above the peripheral edge of the wafer W.
  • control unit 18 controls the process liquid supply unit 40 to stop the supply of the first liquid L1 from the first nozzle 41a that has reached the peripheral edge of the wafer W.
  • the rotation speed of the wafer W is maintained at the rotation speed R2 up to this point.
  • control unit 18 changes the supply flow rate of the second liquid L2 supplied to the central portion Wa of the wafer W to a flow rate B4 larger than the flow rate B3 up to this point.
  • a series of substrate processes is completed.
  • the substrate processing method includes a first step (step S101), a second step (step S104), and a third step (step S105).
  • the first step (step S101) the first liquid L1 is supplied to the central portion Wa of the substrate (wafer W) rotating at the first rotation speed (rotation speed R1) at the first flow rate (flow rate A1).
  • the second step (step S104) after the first step, the supply position of the first liquid L1 is moved to the first supply position on the outer peripheral side of the central Wa of the substrate (wafer W), and the second liquid L2 is used. Is supplied to the central Wa of the substrate (wafer W) at the second flow rate (flow rate B2).
  • step S105 after the second step, the supply position of the first liquid L1 is moved to the second supply position on the outer peripheral side of the first supply position, and the second liquid L2 is transferred to the second flow rate (step S105).
  • a third flow rate (flow rate B3) larger than the flow rate B2) is supplied to the central Wa of the substrate (wafer W). As a result, it is possible to prevent particles from remaining on the surface of the wafer W.
  • the first liquid L1 is supplied to the substrate (wafer W) at a fourth flow rate (flow rate A2) smaller than the first flow rate (flow rate A1). do.
  • flow rate A2 the fourth flow rate
  • the rotation speed of the substrate (wafer W) is smaller than the first rotation speed (rotation speed R1) in the second rotation speed (rotation speed R2). Change to. As a result, it is possible to suppress the generation of particles due to the liquid splash in the interference portion P2.
  • the rotation speed of the substrate (wafer W) is smaller than the first rotation speed (rotation speed R1) in the second rotation speed (rotation speed R2).
  • the second liquid L2 is supplied to the substrate (wafer W) at a fifth flow rate (flow rate B5) larger than the second flow rate (flow rate B2).
  • the first liquid L1 has a sixth flow rate (flow rate A3) smaller than the first flow rate (flow rate A1) and the fourth flow rate (flow rate A2).
  • the second liquid L2 is supplied to the substrate (wafer W) at a fifth flow rate (flow rate B5) larger than the second flow rate (flow rate B2).
  • the substrate processing method according to the embodiment further includes a fourth step (step S106).
  • step S106 the substrate processing method according to the embodiment.
  • the fourth step after the third step, the supply position of the first liquid L1 is moved to the third supply position on the outer peripheral side of the second supply position, and the second liquid L2 is moved to the second flow rate (flow rate B2) and.
  • a seventh flow rate (flow rate B4) larger than the third flow rate (flow rate B3) is supplied to the central Wa of the substrate (wafer W). As a result, it is possible to prevent particles from remaining on the peripheral edge of the wafer W.
  • the gas G is placed on the liquid surface of the interference portion P2 where the first liquid L1 and the second liquid L2 collide with each other on the substrate (wafer W). Is discharged. As a result, it is possible to suppress the generation of particles due to the liquid splash in the interference portion P2.
  • W wafer (example of substrate) Wa center 1 Board processing system (an example of board processing equipment) 16 Processing unit 18 Control unit 30 Board rotating unit 40 Processing liquid supply unit 41a 1st nozzle (an example of the 1st supply unit) 41b 2nd nozzle (example of 2nd supply unit) 43a Swivel lift mechanism (an example of the first movement mechanism) 43b Swivel lift mechanism (an example of the second movement mechanism) 47 Gas nozzle L1 1st liquid L2 2nd liquid

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Abstract

本開示の一態様による基板処理方法は、第１工程と、第２工程と、第３工程と、を含む。第１工程は、第１回転数で回転する基板の中心部（Ｗａ）に第１液（Ｌ１）を第１流量で供給する。第２工程は、第１工程の後に、第１液（Ｌ１）の供給位置を基板の中心部（Ｗａ）よりも外周側の第１供給位置へと移動させ、第２液（Ｌ２）を第２流量で基板の中心部（Ｗａ）に供給する。第３工程は、第２工程の後に、第１液（Ｌ１）の供給位置を第１供給位置よりも外周側の第２供給位置へと移動させ、第２液（Ｌ２）を第２流量よりも大きい第３流量で基板の中心部（Ｗａ）に供給する。

Description

基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
　開示の実施形態は、基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体に関する。
　従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板に対してリンス処理や乾燥処理などの各種の基板処理を実施する技術が知られている（特許文献１参照）。
特許第６１１８７５８号公報
　本開示は、基板の表面にパーティクルが残存することを抑制できる技術を提供する。
　本開示の一態様による基板処理方法は、第１工程と、第２工程と、第３工程と、を含む。第１工程は、第１回転数で回転する基板の中心部に第１液を第１流量で供給する。第２工程は、前記第１工程の後に、前記第１液の供給位置を前記基板の中心部よりも外周側の第１供給位置へと移動させ、第２液を第２流量で前記基板の中心部に供給する。第３工程は、前記第２工程の後に、前記第１液の供給位置を前記第１供給位置よりも外周側の第２供給位置へと移動させ、前記第２液を前記第２流量よりも大きい第３流量で前記基板の中心部に供給する。
　本開示によれば、基板の表面にパーティクルが残存することを抑制できる。
図１は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す模式図である。 図２は、実施形態に係る処理ユニットの具体的な構成例を示す模式図である。 図３は、実施形態に係る基板処理の第１処理を説明するための図である。 図４は、実施形態に係る基板処理の両ノズル移動処理を説明するための図である。 図５は、実施形態に係る基板処理の第２液供給処理を説明するための図である。 図６は、実施形態に係る基板処理の第２処理を説明するための図である。 図７は、実施形態に係る基板処理の第３処理を説明するための図である。 図８は、実施形態に係る基板処理の第３処理における第１液および第２液の状態を示す図である。 図９は、実施形態に係る基板処理の第４処理を説明するための図である。 図１０は、実施形態の変形例１に係る第２処理を説明するための図である。 図１１は、実施形態の変形例１に係る第３処理を説明するための図である。 図１２は、実施形態の変形例１に係る第４処理を説明するための図である。 図１３は、実施形態の変形例２に係る第２処理を説明するための図である。 図１４は、実施形態の変形例２に係る第３処理を説明するための図である。 図１５は、実施形態の変形例２に係る第４処理を説明するための図である。 図１６は、実施形態の変形例３に係る処理ユニットの具体的な構成例を示す斜視図である。 図１７は、実施形態の変形例３に係る処理ユニットの具体的な構成例を示す上面図である。 図１８は、実施形態の変形例３に係るガスノズルの構成例を示す下面図である。 図１９は、実施形態に係る基板処理システムが実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。
　以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態により本開示が限定されるものではない。また、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係、各要素の比率などは、現実と異なる場合があることに留意する必要がある。さらに、図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
　従来、半導体ウェハ（以下、ウェハとも呼称する。）などの基板に対して洗浄やエッチングなどの各種の液処理を実施する技術が知られている。この従来技術では、疎水化されたウェハ表面の液膜が途切れることを抑制できることから、液処理後にウェハの表面にパーティクルが残存することを抑制できる。
　しかしながら、上記の従来技術では、ウェハの表面が大きく疎水化された場合、ウェハ上の液膜が途切れる場合があることから、被覆不足により液処理後にウェハの表面にパーティクルが残存する恐れがあった。
　そこで、上述の問題点を克服し、基板の表面にパーティクルが残存することを抑制できる技術の実現が期待されている。
＜基板処理システムの概要＞
　最初に、図１を参照しながら、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成について説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。なお、基板処理システム１は、基板処理装置の一例である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
　図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
　搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、実施形態では半導体ウェハＷ（以下、ウェハＷと呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
　搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
　処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
　搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
　処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
　また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
　なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
　上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
　処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
＜処理ユニットの構成＞
　次に、処理ユニット１６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、処理ユニット１６の具体的な構成例を示す模式図である。図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板回転部３０と、処理液供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
　チャンバ２０は、基板回転部３０と、処理液供給部４０と、回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan　Filter　Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
　基板回転部３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備え、ウェハＷを保持して回転させる。保持部３１は、ウェハＷの底面を吸着して、かかるウェハＷを水平に保持する。なお、保持部３１は、ウェハＷの底面を保持する場合に限られず、ウェハＷの端部を保持してもよい。
　支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。
　かかる基板回転部３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
　処理液供給部４０は、ウェハＷの表面に対して第１液Ｌ１（図３参照）および第２液Ｌ２（図５参照）を供給する。処理液供給部４０は、第１ノズル４１ａおよび第２ノズル４１ｂと、かかる第１ノズル４１ａおよび第２ノズル４１ｂをそれぞれ水平に支持するアーム４２ａ、４２ｂと、アーム４２ａ、４２ｂをそれぞれ旋回および昇降させる旋回昇降機構４３ａ、４３ｂとを備える。
　第１ノズル４１ａは第１供給部の一例であり、第２ノズル４１ｂは第２供給部の一例である。また、旋回昇降機構４３ａは第１移動機構の一例であり、旋回昇降機構４３ｂは第２移動機構の一例である。
　第１ノズル４１ａは、バルブ４４ａおよび流量調整器４５ａを介して第１液供給源４６ａに接続される。また、第２ノズル４１ｂは、バルブ４４ｂおよび流量調整器４５ｂを介して第２液供給源４６ｂに接続される。
　第１液供給源４６ａから供給される第１液Ｌ１は、ウェハＷのリンス処理に用いられるリンス液であり、たとえば、ＤＩＷ（DeIonized　Water：脱イオン水）などである。第１ノズル４１ａは、第１液供給源４６ａより供給される第１液Ｌ１を、制御部５が指示する位置に吐出する。
　第２液供給源４６ｂから供給される第２液Ｌ２は、ウェハＷの乾燥処理に用いられる揮発性の高い乾燥用液体であり、たとえば、ＩＰＡ（Isopropyl　Alcohol）などである。第２ノズル４１ｂは、第２液供給源４６ｂより供給される第２液Ｌ２を、制御部５が指示する位置に吐出する。
　回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する第１液Ｌ１および第２液Ｌ２を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された第１液Ｌ１および第２液Ｌ２は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。
　また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
　なお、実施形態に係る処理ユニット１６の処理液供給部４０には、第１液Ｌ１および第２液Ｌ２とは異なる処理液（たとえば、ＢＨＦ（フッ酸とフッ化アンモニウム溶液との混合液））をウェハＷの表面に供給する機構が設けられていてもよい。
＜基板処理の詳細＞
　次に、実施形態に係る処理ユニット１６で実施される基板処理の詳細について、図３～図９を参照しながら説明する。図３は、実施形態に係る基板処理の第１処理を説明するための図である。
　なお、図３に示す第１処理に先だって、ウェハＷの表面は、ＢＨＦなどの処理液で液処理されている。これにより、図３に示すウェハＷの表面は、大きく疎水化された状態となっている。
　図３に示すように、実施形態に係る第１処理では、制御部１８が、基板回転部３０を制御して、ウェハＷを回転させるとともに、処理液供給部４０を制御して、ウェハＷの中心部Ｗａへ向けて第１ノズル４１ａから第１液Ｌ１を供給する。
　かかる第１処理において、第１ノズル４１ａは、第１液Ｌ１を所定の流量Ａ１（たとえば、１５００ｍｌ／ｍｉｎ）でウェハＷに供給する。流量Ａ１は、第１流量の一例である。また、駆動部３３は、ウェハＷを所定の回転数Ｒ１（たとえば、１２００ｒｐｍ）で回転させる。回転数Ｒ１は、第１回転数の一例であり、例えば、１０００ｒｐｍ～１４００ｒｐｍである。
　これにより、実施形態に係る第１処理では、ウェハＷの表面全体に第１液Ｌ１の液膜が形成される。なお、かかる第１処理において、第２ノズル４１ｂは待機位置にある。
　図４は、実施形態に係る基板処理の両ノズル移動処理を説明するための図である。図４に示すように、実施形態に係る両ノズル移動処理では、制御部１８が、第１液Ｌ１を吐出する第１ノズル４１ａをウェハＷの中心部Ｗａの上方から、ウェハＷの中間部における内周側（たとえば、中心部Ｗａに対して２０ｍｍ程度外周側）の上方に移動させる。
　なお、本開示において、ウェハＷの中間部とは、ウェハＷの中心部Ｗａと周縁部との間の領域である。また、「ウェハＷの中間部における内周側」は、第１供給位置の一例である。
　またこの際、ウェハＷの回転数は、ここまでの回転数Ｒ１が維持されるとともに、第１液Ｌ１の供給流量は、ここまでの流量Ａ１が維持される。
　そして、制御部１８は、第１ノズル４１ａの移動と並行して、第２ノズル４１ｂをウェハＷの中間部における内周側（たとえば、中心部Ｗａに対して２０ｍｍ程度外周側）の上方に移動させる。
　なお、図４の処理では、第２ノズル４１ｂからは第２液Ｌ２（図５参照）は吐出されない。また、図４の処理において、第１ノズル４１ａと第２ノズル４１ｂとは、ウェハＷの中心部Ｗａを介して互いに向かい合うように配置される。
　図５は、実施形態に係る基板処理の第２液供給処理を説明するための図である。図５に示すように、実施形態に係る第２液供給処理では、制御部１８が、ウェハＷの中間部における内周側（たとえば、中心部Ｗａに対して２０ｍｍ程度外周側）の上方に位置する第２ノズル４１ｂから、ウェハＷに向けて第２液Ｌ２を供給する。
　かかる第２液供給処理において、第２ノズル４１ｂは、第２液Ｌ２を所定の流量Ｂ１（たとえば、７５ｍｌ／ｍｉｎ）でウェハＷに供給する。また、この際、ウェハＷの回転数は、ここまでの回転数Ｒ１が維持されるとともに、第１液Ｌ１の供給流量は、ここまでの流量Ａ１が維持される。
　図６は、実施形態に係る基板処理の第２処理を説明するための図である。図６に示すように、実施形態に係る第２処理では、制御部１８が、第１液Ｌ１を吐出する第１ノズル４１ａを、ウェハＷの中間部における外周側（たとえば、中心部Ｗａに対して４０ｍｍ程度外周側）の上方に移動させる。「ウェハＷの中間部における外周側」は、第２供給位置の一例である。
　この際、制御部１８は、第１液Ｌ１の供給流量を、ここまでの流量Ａ１よりも小さい流量Ａ２（たとえば、１０００ｍｌ／ｍｉｎ）に変更する。流量Ａ２は、第４流量の一例である。また、ウェハＷの回転数は、ここまでの回転数Ｒ１が維持される。
　さらに、制御部１８は、第１ノズル４１ａの移動と並行して、第２液Ｌ２を吐出する第２ノズル４１ｂを、ウェハＷの中心部Ｗａの上方に移動させる。この際、制御部１８は、第２液Ｌ２の供給流量を、ここまでの流量Ｂ１よりも大きい流量Ｂ２（たとえば、１２５ｍｌ／ｍｉｎ）に変更する。流量Ｂ２は、第２流量の一例であり、例えば、７５ｍｌ／ｍｉｎ～１２５ｍｌ／ｍｉｎである。
　ここまで説明したように、実施形態では、第２液供給処理において、中心部Ｗａに対して２０ｍｍ程度の略均等な距離に位置する第１ノズル４１ａおよび第２ノズル４１ｂから、第１液Ｌ１および第２液Ｌ２をそれぞれ供給する。
　そして、実施形態では、第２処理において、第１ノズル４１ａと第２ノズル４１ｂとの距離を略一定に保ちながら、第１液Ｌ１の供給位置を徐々に中心部Ｗａから遠ざけるとともに、第２液Ｌ２の供給位置を徐々に中心部Ｗａに近づける。
　これにより、ウェハＷの中心部Ｗａに供給される処理液を第１液Ｌ１から第２液Ｌ２に切り替える際に、ウェハＷの中心部Ｗａで液膜が途切れることを抑制できる。したがって、実施形態によれば、被覆不足によりウェハＷの中心部Ｗａにパーティクルが残存することを抑制できる。
　また、実施形態では、第２処理において、第１液Ｌ１の供給流量を流量Ａ１から流量Ａ２に減少させることにより、第１液Ｌ１と第２液Ｌ２とがウェハＷ上で互いにぶつかり合う干渉部Ｐ２（図８参照）での液はねを抑制することができる。
　したがって、実施形態によれば、かかる液はねに起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
　図７は、実施形態に係る基板処理の第３処理を説明するための図である。図７に示すように、実施形態に係る第３処理では、制御部１８が、処理液供給部４０を制御して、第１液Ｌ１を吐出する第１ノズル４１ａを、ウェハＷの周縁部の上方に向けて徐々に移動させる。
　この際、第１液Ｌ１の供給流量は、ここまでの流量Ａ２が維持される。また、制御部１８は、ウェハＷの回転数を、ここまでの回転数Ｒ１よりも小さい回転数Ｒ２（たとえば、７００ｒｐｍ）に変更する。回転数Ｒ２は、第２回転数の一例であり、例えば、５００ｒｐｍ～９００ｒｐｍである。
　さらに、制御部１８は、ウェハＷの中心部Ｗａに供給される第２液Ｌ２の供給流量を、ここまでの流量Ｂ２よりも大きい流量Ｂ３（たとえば、１５０ｍｌ／ｍｉｎ）に変更する。流量Ｂ３は、第３流量の一例であり、例えば１２５ｍｌ／ｍｉｎ～１５０ｍｌ／ｍｉｎである。
　この第３処理の効果について、図８を用いて説明する。図８は、実施形態に係る基板処理の第３処理における第１液Ｌ１および第２液Ｌ２の状態を示す図である。
　図８に示すように、実施形態に係る第３処理の際には、回転するウェハＷの中間部に第１液Ｌ１が供給されるとともに、ウェハＷの中心部Ｗａに第２液Ｌ２が供給される。一方で、ウェハＷの表面は大きく疎水化されていることから、第１液Ｌ１の供給位置とは反対側の周縁部Ｐ１までは第１液Ｌ１が十分に届かず、この反対側の周縁部Ｐ１における第１液Ｌ１の被覆性が不足する場合がある。
　そこで、実施形態では、第３処理において、ウェハＷの中心部Ｗａに供給される第２液Ｌ２の供給流量を、流量Ｂ２から流量Ｂ３に増加させる。これにより、反対側の周縁部Ｐ１に第２液Ｌ２を十分に供給することができるため、反対側の周縁部Ｐ１における液膜が途切れることを抑制できる。
　したがって、実施形態によれば、被覆不足によりウェハＷの周縁部にパーティクルが残存することを抑制できる。
　また、実施形態では、第３処理において、ウェハＷの回転数を回転数Ｒ１から回転数Ｒ２に減少させるとよい。これにより、第２液Ｌ２が外周に広がる速度を抑えることができることから、第２液Ｌ２の供給流量を増加させた場合でも、第１液Ｌ１と第２液Ｌ２とがウェハＷ上で互いにぶつかり合う干渉部Ｐ２での液はねを抑制することができる。
　したがって、実施形態によれば、かかる液はねに起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
　図９は、実施形態に係る基板処理の第４処理を説明するための図である。図９に示すように、実施形態に係る第４処理は、第１ノズル４１ａがウェハＷの周縁部の上方に到達した際に実施される。
　かかる第４処理において、制御部１８は、処理液供給部４０を制御して、ウェハＷの周縁部に到達した第１ノズル４１ａからの第１液Ｌ１の供給を停止させる。なお、ウェハＷの回転数は、ここまでの回転数Ｒ２が維持される。
　この際、制御部１８は、ウェハＷの中心部Ｗａに供給される第２液Ｌ２の供給流量を、ここまでの流量Ｂ３よりも大きい流量Ｂ４（たとえば、３００ｍｌ／ｍｉｎ）に変更する。流量Ｂ４は、第７流量の一例であり、例えば、１５０ｍｌ／ｍｉｎ～３００ｍｌ／ｍｉｎである。
　これにより、第１液Ｌ１の供給が停止されたウェハＷの周縁部に第２液Ｌ２を十分に供給することができるため、ウェハＷの周縁部における液膜が途切れることを抑制できる。したがって、実施形態によれば、被覆不足によりウェハＷの周縁部にパーティクルが残存することを抑制できる。
　実施形態では、図９に示した第４処理が完了し、第２液Ｌ２の液膜が形成されたウェハＷに対して、さらに各種の処理（たとえば、搬送処理や乾燥処理）が実施される。
＜変形例１＞
　つづいて、実施形態の変形例１について、図１０～図１２を参照しながら説明する。なお、以下の各種変形例において、実施形態と同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。
　図１０は、実施形態の変形例１に係る基板処理の第２処理を説明するための図である。なお、この変形例１において、第１処理、両ノズル移動処理および第２液供給処理は、上述の実施形態（図３～図５参照）と同様の処理であることから、詳細な説明は省略する。
　図１０に示すように、変形例１に係る第２処理では、制御部１８が、処理液供給部４０を制御して、第１液Ｌ１を吐出する第１ノズル４１ａを、ウェハＷの中間部における外周側（たとえば、中心部Ｗａに対して４０ｍｍ程度外周側）の上方に移動させる。
　この際、制御部１８は、第１液Ｌ１の供給流量を、ここまでの流量Ａ１よりも小さい流量Ａ２（たとえば、１０００ｍｌ／ｍｉｎ）に変更する。また、制御部１８は、ウェハＷの回転数を、ここまでの回転数Ｒ１よりも小さい回転数Ｒ２（たとえば、７００ｒｐｍ）に変更する。
　さらに、制御部１８は、第１ノズル４１ａの移動と並行して、第２液Ｌ２を吐出する第２ノズル４１ｂを、ウェハＷの中心部Ｗａの上方に移動させる。この際、制御部１８は、第２液Ｌ２の供給流量を、ここまでの流量Ｂ１および上述の流量Ｂ２よりも大きい流量Ｂ５（たとえば、１５０ｍｌ／ｍｉｎ）に変更する。流量Ｂ５は、第５流量の一例であり、例えば、１２５ｍｌ／ｍｉｎ～１５０ｍｌ／ｍｉｎである。
　このように、変形例１では実施形態と同様、第２処理において、第１ノズル４１ａと第２ノズル４１ｂとの距離を略一定に保ちながら、第１液Ｌ１の供給位置を徐々に中心部Ｗａから遠ざけるとともに、第２液Ｌ２の供給位置を徐々に中心部Ｗａに近づける。
　これにより、ウェハＷの中心部Ｗａに供給される処理液を第１液Ｌ１から第２液Ｌ２に切り替える際に、ウェハＷの中心部Ｗａで液膜が途切れることを抑制できる。したがって、変形例１によれば、被覆不足によりウェハＷの中心部Ｗａにパーティクルが残存することを抑制できる。
　また、変形例１に係る第２処理では、実施形態と比較して、ウェハＷの回転数を回転数Ｒ２（たとえば、７００ｒｐｍ）に下げるとともに、第２液Ｌ２の供給流量を流量Ｂ５に増加させる。
　これにより、ウェハＷの中心部Ｗａに供給される処理液を第１液Ｌ１から第２液Ｌ２に切り替える際に、ウェハＷの中心部Ｗａで液膜が途切れることをさらに抑制できる。したがって、変形例１によれば、被覆不足によりウェハＷの中心部Ｗａにパーティクルが残存することをさらに抑制できる。
　図１１は、実施形態の変形例１に係る基板処理の第３処理を説明するための図である。図１１に示すように、変形例１に係る第３処理では、制御部１８が、処理液供給部４０を制御して、第１液Ｌ１を吐出する第１ノズル４１ａを、ウェハＷの周縁部の上方に向けて徐々に移動させる。
　この際、第１液Ｌ１の供給流量は、ここまでの流量Ａ２が維持される。また、ウェハＷの回転数は、ここまでの回転数Ｒ２が維持される。さらに、ウェハＷの中心部Ｗａに供給される第２液Ｌ２の供給流量は、ここまでの流量Ｂ５が維持される。
　このように、変形例１では、第３処理において、第１液Ｌ１および第２液Ｌ２の供給流量と、ウェハＷの回転数とを第２処理から変更せず、第１液Ｌ１の供給位置のみを変更している。これにより、変形例１では、第３処理を所望のパラメータで安定して実施することができる。
　図１２は、実施形態の変形例１に係る基板処理の第４処理を説明するための図である。図１２に示すように、変形例１に係る第４処理は、第１ノズル４１ａがウェハＷの周縁部の上方に到達した際に実施される。
　かかる第４処理において、制御部１８は、処理液供給部４０を制御して、ウェハＷの周縁部に到達した第１ノズル４１ａからの第１液Ｌ１の供給を停止させる。なお、ウェハＷの回転数は、ここまでの回転数Ｒ２が維持される。
　この際、制御部１８は、ウェハＷの中心部Ｗａに供給される第２液Ｌ２の供給流量を、ここまでの流量Ｂ５よりも大きい流量Ｂ４（たとえば、３００ｍｌ／ｍｉｎ）に変更する。
　これにより、第１液Ｌ１の供給が停止されたウェハＷの周縁部に第２液Ｌ２を十分に供給することができるため、ウェハＷの周縁部における液膜が途切れることを抑制できる。したがって、変形例１によれば、被覆不足によりウェハＷの周縁部にパーティクルが残存することを抑制できる。
　変形例１では、図１２に示した第４処理が完了し、第２液Ｌ２の液膜が形成されたウェハＷに対して、さらに各種の処理（たとえば、搬送処理や乾燥処理）が実施される。
＜変形例２＞
　つづいて、実施形態の変形例２について、図１３～図１５を参照しながら説明する。図１３は、実施形態の変形例２に係る基板処理の第２処理を説明するための図である。なお、この変形例２において、第１処理、両ノズル移動処理および第２液供給処理は、上述の実施形態（図３～図５参照）と同様の処理であることから、詳細な説明は省略する。
　図１３に示すように、変形例２に係る第２処理では、制御部１８が、処理液供給部４０を制御して、第１液Ｌ１を吐出する第１ノズル４１ａを、ウェハＷの中間部における外周側（たとえば、中心部Ｗａに対して４０ｍｍ程度外周側）の上方に移動させる。
　この際、制御部１８は、第１液Ｌ１の供給流量を、ここまでの流量Ａ１および上述の流量Ａ２よりも小さい流量Ａ３（たとえば、８００ｍｌ／ｍｉｎ）に変更する。流量Ａ３は、第６流量の一例である。また、ウェハＷの回転数は、ここまでの回転数Ｒ１が維持される。
　さらに、制御部１８は、第１ノズル４１ａの移動と並行して、第２液Ｌ２を吐出する第２ノズル４１ｂを、ウェハＷの中心部Ｗａの上方に移動させる。この際、制御部１８は、第２液Ｌ２の供給流量を、ここまでの流量Ｂ１および上述の流量Ｂ２よりも大きい流量Ｂ５（たとえば、１５０ｍｌ／ｍｉｎ）に変更する。
　このように、変形例２では、実施形態と同様、第２処理において、第１ノズル４１ａと第２ノズル４１ｂとの距離を略一定に保ちながら、第１液Ｌ１の供給位置を徐々に中心部Ｗａから遠ざけるとともに、第２液Ｌ２の供給位置を徐々に中心部Ｗａに近づける。
　これにより、ウェハＷの中心部Ｗａに供給される処理液を第１液Ｌ１から第２液Ｌ２に切り替える際に、ウェハＷの中心部Ｗａで液膜が途切れることを抑制できる。したがって、変形例２によれば、被覆不足によりウェハＷの中心部Ｗａにパーティクルが残存することを抑制できる。
　また、変形例２に係る第２処理では、実施形態と比較して、第２液Ｌ２の供給流量を流量Ｂ５に増加させる。
　これにより、ウェハＷの中心部Ｗａに供給される処理液を第１液Ｌ１から第２液Ｌ２に切り替える際に、ウェハＷの中心部Ｗａで液膜が途切れることをさらに抑制できる。したがって、変形例２によれば、被覆不足によりウェハＷの中心部Ｗａにパーティクルが残存することをさらに抑制できる。
　また、変形例２に係る第２処理では、実施形態と比較して、第１液Ｌ１の供給流量を流量Ａ３に減少させる。これにより、第２液Ｌ２の供給流量を増加させた場合でも、第１液Ｌ１と第２液Ｌ２とがウェハＷ上で互いにぶつかり合う干渉部Ｐ２での液はねを抑制することができる。
　したがって、変形例２によれば、かかる液はねに起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
　図１４は、実施形態の変形例２に係る基板処理の第３処理を説明するための図である。図１４に示すように、変形例２に係る第３処理では、制御部１８が、処理液供給部４０を制御して、第１液Ｌ１を吐出する第１ノズル４１ａを、ウェハＷの周縁部の上方に向けて徐々に移動させる。
　この際、制御部１８は、ウェハＷの回転数を、ここまでの回転数Ｒ１よりも小さい回転数Ｒ２（たとえば、７００ｒｐｍ）に変更する。また、第１液Ｌ１の供給流量は、ここまでの流量Ａ３が維持される。さらに、ウェハＷの中心部Ｗａに供給される第２液Ｌ２の供給流量は、ここまでの流量Ｂ５が維持される。
　図１５は、実施形態の変形例２に係る基板処理の第４処理を説明するための図である。図１５に示すように、変形例２に係る第４処理は、第１ノズル４１ａがウェハＷの周縁部の上方に到達した際に実施される。
　かかる第４処理において、制御部１８は、処理液供給部４０を制御して、ウェハＷの周縁部に到達した第１ノズル４１ａからの第１液Ｌ１の供給を停止させる。なお、ウェハＷの回転数は、ここまでの回転数Ｒ２が維持される。
　この際、制御部１８は、ウェハＷの中心部Ｗａに供給される第２液Ｌ２の供給流量を、ここまでの流量Ｂ５よりも大きい流量Ｂ４（たとえば、３００ｍｌ／ｍｉｎ）に変更する。
　これにより、第１液Ｌ１の供給が停止されたウェハＷの周縁部に第２液Ｌ２を十分に供給することができるため、ウェハＷの周縁部における液膜が途切れることを抑制できる。したがって、変形例２によれば、被覆不足によりウェハＷの周縁部にパーティクルが残存することを抑制できる。
　変形例２では、図１５に示した第４処理が完了し、第２液Ｌ２の液膜が形成されたウェハＷに対して、さらに各種の処理（たとえば、搬送処理や乾燥処理）が実施される。
　なお、ここまで説明した実施形態および各種変形例では、第１ノズル４１ａがウェハＷの周縁部に到達した際に第２液Ｌ２の供給流量を増加させた例について示した。しかしながら、実施形態および各種変形例はかかる例に限られず、たとえば、第１ノズル４１ａがウェハＷの周縁部に近づくにしたがい、徐々に第２液Ｌ２の供給流量を増加させてもよい。
＜変形例３＞
　つづいて、実施形態の変形例３について、図１６～図１８を参照しながら説明する。図１６は、実施形態の変形例３に係る処理ユニット１６の具体的な構成例を示す斜視図であり、図１７は、実施形態の変形例３に係る処理ユニット１６の具体的な構成例を示す上面図である。
　また、図１８は、実施形態の変形例３に係るガスノズル４７の構成例を示す下面図である。この変形例３では、第１ノズル４１ａの構成と、ウェハＷに供給される第１液Ｌ１および第２液Ｌ２の種類とが実施形態と異なる。
　変形例３の第１ノズル４１ａは、窒素ガスの流れにＤＩＷを合流させることでＤＩＷをミスト化させ、このミスト化したＤＩＷと窒素ガスとを含む二流体をウェハＷに供給する。すなわち、変形例３の第１液Ｌ１は、ミスト化したＤＩＷと窒素ガスとを含む二流体である。
　また、変形例３の第２ノズル４１ｂは、リンス液（たとえば、ＤＩＷなど）をウェハＷに供給する。すなわち、変形例３の第２液Ｌ２は、ＤＩＷなどのリンス液である。
　さらに、変形例３の処理液供給部４０は、第１ノズル４１ａに隣接して配置されるガスノズル４７を有する。かかるガスノズル４７は、第１ノズル４１ａと同期してウェハＷの上方を移動可能に構成され、たとえば、第１ノズル４１ａに直接取り付けられる。かかるガスノズル４７は、空気や窒素ガスなどのガスＧをウェハＷの表面に向けて吐出する。
　そして、図１６に示すように、変形例３にかかる処理ユニット１６では、第２ノズル４１ｂがウェハＷの中心部Ｗａに第２液Ｌ２を吐出するとともに、第１液Ｌ１を吐出する第１ノズル４１ａが、ウェハＷの周縁部の上方に向けて徐々に移動する。すなわち、図１６は、変形例３に係る基板処理の第３処理を示している。
　ここで、かかる変形例３では、制御部１８が、第３処理において、ウェハＷ上で第１液Ｌ１と第２液Ｌ２とが互いにぶつかり合う干渉部Ｐ２の液面に、ガスノズル４７でガスＧを吐出する。
　例えば、第１ノズル４１ａからの二流体のＤＩＷの流量を１００～２００ｍｌ／ｍｉｎ、二流体の窒素ガスの流量を１００～２００Ｌ／ｍｉｎとする場合、ガスノズル４７からのガスＧの流量は、５０～１５０Ｌ／ｍｉｎとすることができる。このように、かかる変形例３では、二流体の窒素ガスの流量よりもガスＧの流量を少なくするとよい。
　これにより、干渉部Ｐ２における第１液Ｌ１および第２液Ｌ２の液膜を薄くすることができることから、かかる干渉部Ｐ２での液はねを抑制することができる。したがって、変形例３によれば、かかる液はねに起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
　また、変形例３では、図１６に示すように、第１ノズル４１ａの吐出口よりも、ガスノズル４７の吐出口４７ａ（図１８参照）のほうが高い位置に設けられるとよい。すなわち、変形例３では、第１ノズル４１ａの吐出口よりも、ガスノズル４７の吐出口４７ａのほうがウェハＷに対して離れて設けられるとよい。
　これにより、第１ノズル４１ａからウェハＷに吐出されるミスト化したＤＩＷが、ガスノズル４７に付着することを抑制することができる。したがって、変形例３によれば、ガスノズル４７に付着したＤＩＷがウェハＷに再付着することによるパーティクルの発生を抑制することができる。
　また、変形例３では、図１７および図１８に示すように、ガスノズル４７が平面視で略扇状に形成される。そして、変形例３では、ウェハＷの回転方向に沿って渦状に流れる第２液Ｌ２が、略同心円状に広がる第１液Ｌ１とぶつかり合う円弧状の部位（干渉部Ｐ２）に対して、扇状のガスノズル４７からガスＧが吐出されるとよい。
　これにより、ウェハＷ上で第１液Ｌ１と第２液Ｌ２とが勢いよくぶつかり合う円弧状の部位に対して効率よくガスＧを吐出することができる。したがって、変形例３によれば、ガスＧの使用量を削減することができる。
　また、変形例３では、図１８に示すように、ガスノズル４７の下面に円弧状の吐出口４７ａが複数形成される。そして、変形例３では、内周側の吐出口４７ａよりも外周側の吐出口４７ａのほうが大きく（たとえば、長く）形成されるとよい。
　これにより、干渉部Ｐ２に向けて勢いよく流れ込む第２液Ｌ２の液面に対して、より多くのガスＧをガスノズル４７で吐出することができる。したがって、変形例３によれば、干渉部Ｐ２での液はねに起因するパーティクルの発生をさらに抑制することができる。
　なお、本開示では、上記の実施形態に示したように、リンス液である第１液Ｌ１と乾燥液である第２液Ｌ２とが第１ノズル４１ａと第２ノズル４１ｂとから吐出される場合に、変形例３に示したガスノズル４７を用いてもよい。
　実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、基板回転部３０と、第１供給部（第１ノズル４１ａ）と、第１移動機構（旋回昇降機構４３ａ）と、第２供給部（第２ノズル４１ｂ）と、第２移動機構（旋回昇降機構４３ｂ）と、制御部１８とを備える。基板回転部３０は、基板（ウェハＷ）を保持して回転させる。第１供給部（第１ノズル４１ａ）は、基板（ウェハＷ）に第１液Ｌ１を供給する。第１移動機構（旋回昇降機構４３ａ）は、第１供給部（第１ノズル４１ａ）を移動させる。第２供給部（第２ノズル４１ｂ）は、基板（ウェハＷ）に第２液Ｌ２を供給する。第２移動機構（旋回昇降機構４３ｂ）は、２供給部（第２ノズル４１ｂ）を移動させる。制御部１８は、各部を制御する。また、制御部１８は、第１処理と、第２処理と、第３処理とを実行する。第１処理は、第１回転数（回転数Ｒ１）で回転する基板（ウェハＷ）の中心部Ｗａに第１液Ｌ１を第１流量（流量Ａ１）で供給する。第２処理は、第１処理の後に、第１液Ｌ１の供給位置を基板（ウェハＷ）の中心部Ｗａよりも外周側の第１供給位置へと移動させ、第２液Ｌ２を第２流量（流量Ｂ２）で基板（ウェハＷ）の中心部Ｗａに供給する。第３処理は、第２処理の後に、第１液Ｌ１の供給位置を第１供給位置よりも外周側の第２供給位置へと移動させ、第２液Ｌ２を第２流量（流量Ｂ２）よりも大きい第３流量（流量Ｂ３）で基板（ウェハＷ）の中心部Ｗａに供給する。これにより、ウェハＷの表面にパーティクルが残存することを抑制できる。
　また、実施形態に係る基板処理装置（基板処理システム１）は、第１供給部（第１ノズル４１ａ）に隣接して設けられ、ガスＧを吐出するガスノズル４７をさらに備える。そして、制御部１８は、第３処理において、基板（ウェハＷ）上で第１液Ｌ１と第２液Ｌ２とが互いにぶつかり合う干渉部Ｐ２の液面にガスノズル４７でガスＧを吐出する。これにより、干渉部Ｐ２での液はねに起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
＜処理の手順＞
　つづいて、実施形態に係る基板処理の手順について、図１９を参照しながら説明する。図１９は、実施形態に係る基板処理システム１が実行する基板処理の手順を示すフローチャートである。
　まず、制御部１８は、ウェハＷに対して第１処理を実施する（ステップＳ１０１）。かかる第１処理では、制御部１８が、基板回転部３０を制御して、ウェハＷを回転させるとともに、処理液供給部４０を制御して、ウェハＷの中心部Ｗａへ向けて第１ノズル４１ａから第１液Ｌ１を供給する。
　なお、かかる第１処理に先立って、ウェハＷの表面は、ＢＨＦなどの処理液で液処理されており、疎水性になっている。
　次に、制御部１８は、ウェハＷに対して両ノズル移動処理を実施する（ステップＳ１０２）。かかる両ノズル移動処理では、制御部１８が、処理液供給部４０を制御して、第１液Ｌ１を吐出する第１ノズル４１ａを、ウェハＷの中心部Ｗａの上方からウェハＷの中間部における内周側の上方に移動させる。
　また、制御部１８は、第１ノズル４１ａの移動と並行して、第２ノズル４１ｂをウェハＷの中間部における内周側の上方に移動させる。
　なお、両ノズル移動処理では、第２ノズル４１ｂからは第２液Ｌ２は吐出されず、また、第１ノズル４１ａと第２ノズル４１ｂとは、ウェハＷの中心部Ｗａを介して互いに向かい合うように配置される。
　次に、制御部１８は、ウェハＷに対して第２液供給処理を実施する（ステップＳ１０３）。かかる第２液供給処理では、制御部１８が、処理液供給部４０を制御して、ウェハＷの中間部における内周側の上方に位置する第２ノズル４１ｂから、ウェハＷに向けて第２液Ｌ２を供給する。
　次に、制御部１８は、ウェハＷに対して第２処理を実施する（ステップＳ１０４）。かかる第２処理では、制御部１８が、処理液供給部４０を制御して、第１液Ｌ１を吐出する第１ノズル４１ａを、ウェハＷの中間部における外周側の上方に移動させる。
　この際、制御部１８は、第１液Ｌ１の供給流量を、ここまでの流量Ａ１よりも小さい流量Ａ２に変更する。また、ウェハＷの回転数は、ここまでの回転数Ｒ１が維持される。
　さらに、制御部１８は、第１ノズル４１ａの移動と並行して、第２液Ｌ２を吐出する第２ノズル４１ｂを、ウェハＷの中心部Ｗａの上方に移動させる。この際、制御部１８は、第２液Ｌ２の供給流量を、ここまでの流量Ｂ１よりも大きい流量Ｂ２に変更する。
　次に、制御部１８は、ウェハＷに対して第３処理を実施する（ステップＳ１０５）。かかる第３処理では、制御部１８が、処理液供給部４０を制御して、第１液Ｌ１を吐出する第１ノズル４１ａを、ウェハＷの周縁部の上方に向けて徐々に移動させる。
　この際、第１液Ｌ１の供給流量は、ここまでの流量Ａ２が維持される。また、制御部１８は、ウェハＷの回転数を、ここまでの回転数Ｒ１よりも小さい回転数Ｒ２に変更する。さらに、制御部１８は、ウェハＷの中心部Ｗａに供給される第２液Ｌ２の供給流量を、ここまでの流量Ｂ２よりも大きい流量Ｂ３に変更する。
　次に、制御部１８は、ウェハＷに対して第４処理を実施する（ステップＳ１０６）。かかる第４処理は、第１ノズル４１ａがウェハＷの周縁部の上方に到達した際に実施される。
　この第４処理において、制御部１８は、処理液供給部４０を制御して、ウェハＷの周縁部に到達した第１ノズル４１ａからの第１液Ｌ１の供給を停止させる。なお、ウェハＷの回転数は、ここまでの回転数Ｒ２が維持される。
　この際、制御部１８は、ウェハＷの中心部Ｗａに供給される第２液Ｌ２の供給流量を、ここまでの流量Ｂ３よりも大きい流量Ｂ４に変更する。実施形態では、この第４処理（ステップＳ１０６）が完了すると、一連の基板処理を完了する。
　実施形態に係る基板処理方法は、第１工程（ステップＳ１０１）と、第２工程（ステップＳ１０４）と、第３工程（ステップＳ１０５）とを含む。第１工程（ステップＳ１０１）は、第１回転数（回転数Ｒ１）で回転する基板（ウェハＷ）の中心部Ｗａに第１液Ｌ１を第１流量（流量Ａ１）で供給する。第２工程（ステップＳ１０４）は、第１工程の後に、第１液Ｌ１の供給位置を基板（ウェハＷ）の中心部Ｗａよりも外周側の第１供給位置へと移動させ、第２液Ｌ２を第２流量（流量Ｂ２）で基板（ウェハＷ）の中心部Ｗａに供給する。第３工程（ステップＳ１０５）は、第２工程の後に、第１液Ｌ１の供給位置を第１供給位置よりも外周側の第２供給位置へと移動させ、第２液Ｌ２を第２流量（流量Ｂ２）よりも大きい第３流量（流量Ｂ３）で基板（ウェハＷ）の中心部Ｗａに供給する。これにより、ウェハＷの表面にパーティクルが残存することを抑制できる。
　また、実施形態に係る基板処理方法において、第２工程（ステップＳ１０４）は、第１液Ｌ１を第１流量（流量Ａ１）よりも小さい第４流量（流量Ａ２）で基板（ウェハＷ）に供給する。これにより、干渉部Ｐ２での液はねに起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
　また、実施形態に係る基板処理方法において、第３工程（ステップＳ１０５）は、基板（ウェハＷ）の回転数を第１回転数（回転数Ｒ１）よりも小さい第２回転数（回転数Ｒ２）に変更する。これにより、干渉部Ｐ２での液はねに起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
　また、実施形態に係る基板処理方法において、第２工程（ステップＳ１０４）は、基板（ウェハＷ）の回転数を第１回転数（回転数Ｒ１）よりも小さい第２回転数（回転数Ｒ２）に変更する。また、第３工程（ステップＳ１０５）は、第２液Ｌ２を第２流量（流量Ｂ２）よりも大きい第５流量（流量Ｂ５）で基板（ウェハＷ）に供給する。これにより、ウェハＷの中心部Ｗａにパーティクルが残存することをさらに抑制できる。
　また、実施形態に係る基板処理方法において、第２工程（ステップＳ１０４）は、第１液Ｌ１を第１流量（流量Ａ１）および第４流量（流量Ａ２）よりも小さい第６流量（流量Ａ３）で基板（ウェハＷ）に供給する。また、第３工程（ステップＳ１０５）は、第２液Ｌ２を第２流量（流量Ｂ２）よりも大きい第５流量（流量Ｂ５）で基板（ウェハＷ）に供給する。これにより、干渉部Ｐ２での液はねに起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
　また、実施形態に係る基板処理方法は、第４工程（ステップＳ１０６）をさらに含む。第４工程は、第３工程の後に、第１液Ｌ１の供給位置を第２供給位置よりも外周側の第３供給位置へと移動させ、第２液Ｌ２を第２流量（流量Ｂ２）および第３流量（流量Ｂ３）よりも大きい第７流量（流量Ｂ４）で基板（ウェハＷ）の中心部Ｗａに供給する。これにより、ウェハＷの周縁部にパーティクルが残存することを抑制できる。
　また、実施形態に係る基板処理方法において、第３工程（ステップＳ１０５）は、基板（ウェハＷ）上で第１液Ｌ１と第２液Ｌ２とが互いにぶつかり合う干渉部Ｐ２の液面にガスＧを吐出する。これにより、干渉部Ｐ２での液はねに起因するパーティクルの発生を抑制することができる。
　以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
　今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
　Ｗ　　　ウェハ（基板の一例）
　Ｗａ　　中心部
　１　　　基板処理システム（基板処理装置の一例）
　１６　　処理ユニット
　１８　　制御部
　３０　　基板回転部
　４０　　処理液供給部
　４１ａ　第１ノズル（第１供給部の一例）
　４１ｂ　第２ノズル（第２供給部の一例）
　４３ａ　旋回昇降機構（第１移動機構の一例）
　４３ｂ　旋回昇降機構（第２移動機構の一例）
　４７　　ガスノズル
　Ｌ１　　第１液
　Ｌ２　　第２液

Claims (15)

  1. 　第１回転数で回転する基板の中心部に第１液を第１流量で供給する第１工程と、
    　前記第１工程の後に、前記第１液の供給位置を前記基板の中心部よりも外周側の第１供給位置へと移動させ、第２液を第２流量で前記基板の中心部に供給する第２工程と、
    　前記第２工程の後に、前記第１液の供給位置を前記第１供給位置よりも外周側の第２供給位置へと移動させ、前記第２液を前記第２流量よりも大きい第３流量で前記基板の中心部に供給する第３工程と、
    　を含む基板処理方法。
  2. 　前記第２工程は、前記第１液を前記第１流量よりも小さい第４流量で前記基板に供給する
    　請求項１に記載の基板処理方法。
  3. 　前記第３工程は、前記基板の回転数を前記第１回転数よりも小さい第２回転数に変更する
    　請求項１または２に記載の基板処理方法。
  4. 　前記第２工程は、前記基板の回転数を前記第１回転数よりも小さい第２回転数に変更し、
    　前記第３工程は、前記第２液を前記第２流量よりも大きい第５流量で前記基板に供給する
    　請求項１または２に記載の基板処理方法。
  5. 　前記第２工程は、前記第１液を前記第１流量および前記第４流量よりも小さい第６流量で前記基板に供給し、
    　前記第３工程は、前記第２液を前記第２流量よりも大きい第５流量で前記基板に供給する
    　請求項２に記載の基板処理方法。
  6. 　前記第３工程の後に、前記第１液の供給位置を前記第２供給位置よりも外周側の第３供給位置へと移動させ、前記第２液を前記第２流量および前記第３流量よりも大きい第７流量で前記基板の中心部に供給する第４工程、をさらに含む
    　請求項１～５のいずれか一つに記載の基板処理方法。
  7. 　前記第３工程は、前記基板上で前記第１液と前記第２液とが互いにぶつかり合う干渉部の液面にガスを吐出する
    　請求項１～６のいずれか一つに記載の基板処理方法。
  8. 　基板を保持して回転させる基板回転部と、
    　前記基板に第１液を供給する第１供給部と、
    　前記第１供給部を移動させる第１移動機構と、
    　前記基板に第２液を供給する第２供給部と、
    　前記第２供給部を移動させる第２移動機構と、
    　各部を制御する制御部と、
    　を備え、
    　前記制御部は、
    　第１回転数で回転する前記基板の中心部に第１液を第１流量で供給する第１処理と、
    　前記第１処理の後に、前記第１液の供給位置を前記基板の中心部よりも外周側の第１供給位置へと移動させ、第２液を第２流量で前記基板の中心部に供給する第２処理と、
    　前記第２処理の後に、前記第１液の供給位置を前記第１供給位置よりも外周側の第２供給位置へと移動させ、前記第２液を前記第２流量よりも大きい第３流量で前記基板の中心部に供給する第３処理と、
    　を実行する基板処理装置。
  9. 　前記制御部は、前記第２処理において、前記第１液を前記第１流量よりも小さい第４流量で前記基板に供給する
    　請求項８に記載の基板処理装置。
  10. 　前記制御部は、前記第３処理において、前記基板の回転数を前記第１回転数よりも小さい第２回転数に変更する
    　請求項８または９に記載の基板処理装置。
  11. 　前記制御部は、
    　前記第２処理において、前記基板の回転数を前記第１回転数よりも小さい第２回転数に変更し、
    　前記第３処理において、前記第２液を前記第２流量よりも大きい第５流量で前記基板に供給する
    　請求項８または９に記載の基板処理装置。
  12. 　前記制御部は、
    　前記第２処理において、前記第１液を前記第１流量および前記第４流量よりも小さい第６流量で前記基板に供給し、
    　前記第３処理において、前記第２液を前記第２流量よりも大きい第５流量で前記基板に供給する
    　請求項９に記載の基板処理装置。
  13. 　前記制御部は、
    　前記第３処理の後に、前記第１液の供給位置を前記第２供給位置よりも外周側の第３供給位置へと移動させ、前記第２液を前記第２流量および前記第３流量よりも大きい第７流量で前記基板の中心部に供給する第４処理、をさらに実行する
    　請求項８～１２のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  14. 　前記第１供給部に隣接して設けられ、ガスを吐出するガスノズルをさらに備え、
    　前記制御部は、
    　前記第３処理において、前記基板上で前記第１液と前記第２液とが互いにぶつかり合う干渉部の液面に前記ガスノズルでガスを吐出する
    　請求項８～１３のいずれか一つに記載の基板処理装置。
  15. 　コンピュータ上で動作し、基板処理装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
    　前記プログラムは、実行時に、請求項１～７のいずれか一つに記載の基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させる、記憶媒体。
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