CN112439737A - 用于处理基板的装置和方法 - Google Patents
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Abstract
一种用于处理基板的方法,包括:液体处理步骤,其通过将处理液分配到旋转的基板上而对所述基板执行液体处理;以及清洁步骤,其停止分配所述处理液并将清洁溶液分配到所述基板上。在所述清洁步骤中,将第一液体从旋转的基板上方的第一喷嘴分配到在第一方向上与所述基板的中心隔开的点,并且将第二液体从旋转的基板上方的第二喷嘴分配到在第二方向上与所述基板的中心隔开的点。当从上方观察时,所述第一液体在分配到所述基板上后朝向所述第二喷嘴流动,并且所述第二液体在分配到所述基板上后朝向所述第一喷嘴流动。
Description
技术领域
本文描述的发明构思的实施例涉及用于处理基板的装置和方法,并且更具体地涉及用于通过将液体分配到基板上来对基板进行液体处理的基板处理装置和方法。
背景技术
执行诸如光刻、沉积、灰化、蚀刻、离子注入等的各种工序以制造半导体元件。在这些工序之前和之后,执行清洁工序以去除残留在基板上的颗粒。
清洁工序包括如下工序:将化学制品分配到支撑在旋转头上的旋转基板上;通过将清洁溶液(例如去离子水(DIW))分配到基板上而去除基板上的化学制品;通过将有机溶剂(例如异丙醇(IPA))分配到基板上来将基板上的清洁溶液替换为有机溶剂,其中,有机溶剂的表面张力低于清洁溶液的表面张力;以及从基板去除有机溶剂。在清洁工序中,为了防止基板被干燥,在分配化学制品之前和之后,将去离子水分配到基板上。
清洁工序是通过将各种液体通过喷嘴分配到基板上来进行的,该基板在其中处理基板的杯状件中旋转。喷嘴在处理位置和备用位置之间移动。处理位置是喷嘴位于基板上方以在基板上进行液体处理的位置。备用位置是不对基板进行液体处理的喷嘴待机以不妨碍对基板进行液体处理的喷嘴的位置。
当已经分配液体的喷嘴从处理位置移动到备用位置,然后用于分配另一液体的喷嘴从备用位置移动到处理位置时,固定在杯状件上的喷嘴将去离子水分配到基板W上,以防止基板W被自然干燥。替选地,固定在杯状件上的喷嘴将去离子水分配到基板上,以在用化学制品处理基板之后去除基板上的化学制品。
在现有技术中,如图1所示,两个喷嘴21和23将去离子水分配到旋转的基板W的中心区域P1和中间区域P2上。由于分配到中心区域P1上的去离子水和分配到中间区域P2上的去离子水通过基板W的旋转而沿同一方向流动,因此分配到中心区域P1上的去离子水与分配到中间区域P2上的去离子水在流向基板W的边缘区域的同时碰撞。随着分配到中心区域P1的去离子水流向基板W的边缘区域,分配到中心区域P1的去离子水的旋转动能增加,因此,分配到中间区域P2上的去离子水通过碰撞被抛向基板W的外侧。
因此,基板W的部分区域可以被干燥而没有被润湿。此外,可以提高由于碰撞而抛出的去离子水的水平,并且如图2所示,去离子水在与支撑基板W的侧面的卡盘销10碰撞之后可以散布到基板W的外部。
因为去离子水在替换化学制品的过程中包含化学制品,所以散布的去离子水可能污染腔室内部,并且从碗状件反弹的去离子水可能再次粘附到基板W上。
发明内容
本发明构思的实施例提供了用于提高基板清洁效率的基板处理装置和方法。
本发明构思的实施例提供了用于防止分配到基板上的不同位置的去离子水碰撞的基板处理装置和方法。
本发明构思的实施例提供了用于防止腔室或腔室中的部件被分配到基板上的清洁溶液污染的基板处理装置和方法。
本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题,并且本发明构思所属领域的技术人员从以下描述中将清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。
根据示例性实施例,一种用于处理基板的方法,包括:液体处理步骤,其通过将处理液分配到旋转的基板上而对所述基板执行液体处理;以及清洁步骤,其停止分配所述处理液并将清洁溶液分配到所述基板上。在所述清洁步骤中,将第一液体从旋转的基板上方的第一喷嘴分配到在第一方向上与所述基板的中心隔开的点,并且将第二液体从旋转的基板上方的第二喷嘴分配到在第二方向上与所述基板的中心隔开的点。当从上方观察时,所述第一液体在分配到所述基板上后朝向所述第二喷嘴流动,并且所述第二液体在分配到所述基板上后朝向所述第一喷嘴流动。
根据一实施例,可以相对于所述基板沿倾斜方向分配所述第一液体和所述第二液体。
根据一实施例,当从上方观察时,可以沿相反的方向朝向彼此分配所述第一液体和所述第二液体。
根据一实施例,被分配以所述第一液体的点和被分配以所述第二液体的点在以所述基板的中心起始的相反方向上彼此隔开预定距离。
根据一实施例,所述基板的直径可以为300mm,并且被分配以所述第一液体的点和被分配以所述第二液体的点可以彼此间隔开5mm至30mm的距离。
根据一实施例,所述第一喷嘴和所述第二喷嘴可以固定到杯状件,该杯状件围绕在其中处理基板的处理空间。
根据一实施例,可以同时分配所述第一液体和所述第二液体。
根据一实施例,所述第一液体和所述第二液体可以具有相同类型。
根据示例性实施例,一种用于处理基板的装置,包括:壳体,在所述壳体中具有处理空间;支撑单元,其在所述处理空间中支撑所述基板;第一喷嘴,其将第一液体分配到支撑在所述支撑单元上的所述基板的目标表面上的第一点;以及第二喷嘴,其将第二液体分配到支撑在所述支撑单元上的所述基板的所述目标表面上的第二点。当从上方观察时,所述第一点位于连接所述第一喷嘴的分配端和所述第二喷嘴的分配端的虚拟线的一侧,以及所述第二点位于所述虚拟线的另一侧。
根据一实施例,所述基板的中心可以位于所述第一点和所述第二点之间。
根据一实施例,所述第一点与所述基板的中心之间的距离可以等于所述第二点与所述基板的中心之间的距离。
根据一实施例,当从上方观察时,所述第一喷嘴和所述第二喷嘴可以在相反的方向上朝向彼此设置。
根据一实施例,所述第一喷嘴可以将所述第一液体分配到与所述基板的中心间隔开第一距离的所述第一点,并且所述第二喷嘴可以将所述第二液体分配到在相对于所述基板的中心而背离所述第一点的方向上与所述基板的中心间隔开第二距离的所述第二点。
根据一实施例,所述第一距离可以等于所述第二距离。
根据一实施例,所述基板的直径可以为300mm,并且被分配以所述第一液体的点和被分配以所述第二液体的点可以彼此间隔开5mm至30mm的距离。
根据一实施例,所述装置可以还包括围绕所述处理空间的杯状件,并且所述第一喷嘴和所述第二喷嘴可以被固定到所述杯状件。
根据一实施例,所述第一液体和所述第二液体可以彼此相同。
根据示例性实施例,一种用于处理基板的方法,包括:从旋转的基板上方沿倾斜方向同时将第一液体和第二液体从第一喷嘴和第二喷嘴分配到所述基板上,其中,从所述第一喷嘴分配所述第一液体的方向和从所述第二喷嘴分配所述第二液体的方向彼此不同,使得从所述第一喷嘴分配的所述第一液体和从所述第二喷嘴分配的所述第二液体通过所述基板的旋转而沿不同方向扩散。
根据一实施例,当从上方观察时,分配所述第一液体的方向和分配所述第二液体的方向可以在它们之间形成180度。
根据一实施例,被分配以所述第一液体的点和被分配以所述第二液体的点可以在以所述基板的中心起始的相反方向上彼此隔开预定距离。
根据一实施例,所述第一喷嘴和所述第二喷嘴可以固定到杯状件,该杯状件围绕在其中处理基板的处理空间。
根据一实施例,所述第一液体和所述第二液体可以具有相同类型。
根据一实施例,第三喷嘴可以从旋转的基板上方沿倾斜方向将第三液体分配到所述基板上。
根据一个实施例,分配所述第一液体的方向、分配所述第二液体的方向以及分配所述第三液体的方向可以在其之间形成120度。
附图说明
通过参考附图的以下描述,上述及其他目的和特征将变得显而易见,其中,除非另有说明,否则在各个附图中,相同的附图标记表示相同的部分,在附图中:
图1是示出在现有技术的基板处理装置中将清洁溶液分配到基板上的状态的图;
图2是示出在现有技术的基板处理装置中清洁溶液与卡盘销碰撞并飞散到基板外部的状态的图;
图3是示出根据本发明构思的实施例的基板处理装置的示意性平面图;
图4是示出图3的液体处理腔室的一个实施例的示意图;
图5是示出根据本发明构思的实施例的第一喷嘴和第二喷嘴的顶视图;
图6是示出将第一液体和第二液体分配到旋转的基板上的状态的图;以及
图7是示出根据本发明构思的实施例的第一喷嘴、第二喷嘴和第三喷嘴的顶视图。
具体实施方式
在下文中,将参考附图更详细地描述本发明构思的实施例。然而,本发明构思可以以不同的形式体现,并且不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反,提供这些实施例使得本公开将是透彻和完整的,并将向本领域技术人员充分传达本发明构思的范围。在附图中,为了图示清楚,部件的尺寸被放大。
图3是示出根据本发明构思的实施例的基板处理装置的示意性平面图。
参照图3,基板处理装置包括转位模块10和处理模块20。根据实施例,转位模块10和处理模块20沿一个方向设置。在下文中,将布置转位模块10和处理模块20的方向称为第一方向92,从上方观察时垂直于第一方向92的方向称为第二方向94,垂直于第一方向92和第二方向94两者的方向称为第三方向96。
转位模块10将基板W从载体80传送到处理模块20,并将在处理模块20中完全处理过的基板W放置在载体80中。转位模块10的长度方向平行于第二方向94。转位模块10具有装载端口12和转位框架14。装载端口12相对于转位框架14位于处理模块20的相反侧。载体80放置在装载端口12上,每个载体80中都容纳有基板W。装载端口12可以沿着第二方向94设置。
可以使用诸如前开式晶圆传送盒(FOUP)之类的气密性载体作为载体80。载体80可以通过诸如高架传送、高架传送带、或自动引导车辆的传送单元或通过操作员而放置在装载端口12上。
在转位框架14中设置转位机械手120。在转位框架14中设置有其长度方向平行于第二方向94的导轨140。转位机械手120在导轨140上可移动。转位机械人120包括放置有基板W的手部122。手部122可前后移动,可绕着面向第三方向96的轴线旋转,并可沿第三方向96移动。手部122可在竖直方向上彼此间隔开。手部122可以独立地向前和向后移动。
处理模块20包括缓冲单元200、传送腔室300和液体处理腔室400。缓冲单元200提供空间,装载到处理模块20中的基板W和要从处理模块20中卸载的基板W暂时停留在该空间中。每个液体处理腔室400通过将液体分配到基板W上来对基板W执行液体处理。传送腔室300在缓冲单元200和液体处理腔室400之间传送基板W。
传送腔室300可以被布置成使其长度方向平行于第一方向92。缓冲单元200可以被布置在转位模块10和传送腔室300之间。液体处理腔室400可以被布置在传送腔室300的相对两侧上。液体处理腔室400和传送腔室300可沿第二方向94设置。缓冲单元200可位于传送腔室300的端部。
根据一个实施例,在传送腔室300的一侧上,液体处理腔室400可以沿第一方向92和第三方向96布置成A×B阵列(A和B为1以上的自然数)。
传送腔室300具有传送机械手320。可以在传送腔室300中设置其长度方向平行于第一方向92的导轨340,并且传送机械手320可沿着导轨340移动。传送机械手320包括放置有基板W的手部322。手部322可向前和向后移动,可绕着面向第三方向96的轴线旋转,并可沿第三方向96移动。手部322可在竖直方向上彼此间隔开。手部322可以独立地向前和向后移动。
缓冲单元200包括其中放置基板W的多个缓冲器220。缓冲器220可以沿着第三方向96彼此间隔开。缓冲单元200的前面和后面是敞开的。前面是面向转位模块10的面,后面是面向传送腔室300的面。转位机械手120可以通过前面接近缓冲单元200,而传送机械手320可以通过后面接近缓冲单元200。
图4是示出图3的液体处理腔室400的一个实施例的示意图。参照图4,液体处理腔室400可具有壳体410、杯状件420、支撑单元440、液体分配单元460和提升单元480。
壳体410具有大致长方体的形状。杯状件420、支撑单元440和液体分配单元460设置在壳体410中。
杯状件420具有在顶部开放的处理空间,并且在处理空间中用液体处理基板W。支撑单元440在处理空间中支撑基板W。液体分配单元460将液体分配到支撑在支撑单元440上的基板W上。液体可以顺序地分配到基板W上。提升单元480调节杯状件420和支撑单元440之间的相对高度。
根据一实施例,杯状件420具有多个回收碗状件422、424和426。回收碗状件422、424和426具有用于回收用于处理基板W的液体的回收空间。回收碗状件422、424和426具有围绕支撑单元440的环形。在液体处理过程中通过基板W的旋转而分散的处理液可以通过各个回收碗状件422、424和426的入口422a、424a和426a引入到回收空间中。
根据一实施例,杯状件420具有第一回收碗状件422、第二回收碗状件424和第三回收碗状件426。第一回收碗状件422设置为围绕支撑单元440,第二回收碗状件424设置为围绕第一回收碗状件422,并且第三回收碗状件426设置为围绕第二回收碗状件424。通过其将液体引入第二回收碗状件424的第二入口424a可以位于比通过其将液体引入第一回收碗状件422的第一入口422a高的位置,并且通过其将液体引入第三回收碗状件426的第二入口426a可以位于比第二入口424a高的位置
支撑单元440具有支撑板442和驱动轴444。支撑板442的上表面可以具有大致圆形的形状并且可以具有比基板W更大的直径。支撑销442a设置在支撑板的中央部分,以支撑基板W的后表面。支撑销442a从支撑板442向上突出,以使基板W与支撑板442间隔开预定距离。
卡盘销442b设置在支撑板442的边缘部分上。卡盘销442b从支撑板442向上突出并支撑基板W的侧面,以防止旋转时基板W从支撑单元440逸出。驱动轴444由致动器446驱动。驱动轴444连接至支撑板442的底面的中心,并使支撑板442绕其中心轴旋转。
提升单元480在竖直方向上移动杯状件420。杯状件420和基板W之间的相对高度通过杯状件420的竖直移动而改变。因此,用于回收处理液的回收碗状件422、424和426可以根据分配到基板W上的液体的类型而改变,因此可以分别回收液体。替选地,杯状件420可以被固定,并且提升单元480可以在竖直方向上移动支撑单元440。
液体分配单元460将各种类型的处理液分配到基板W上。液体分配单元460具有化学制品分配构件461、有机溶剂分配构件463和清洁溶液分配构件470。化学制品分配构件461将化学制品分配到基板W上以去除残留在基板W上的薄膜或颗粒。该化学制品可以是具有酸或碱性质的液体。例如,化学制品可以包括稀硫酸(H2SO4)、磷酸(H3PO4)、氢氟酸(HF)和氢氧化铵(NH4OH)。
化学制品分配构件461具有化学制品喷嘴462、支撑臂464和臂致动器(未示出)。在附图中,化学制品分配构件461包括单个化学制品喷嘴462。然而,在另一实施例中,化学制品分配构件461可以包括多个化学制品喷嘴,并且化学制品可以通过不同的喷嘴被分配到基板W上。多个化学制品喷嘴可以由不同的臂支撑,并且臂可以被独立地驱动。
清洁溶液分配构件470将清洁溶液分配到基板W上以去除基板W上的化学制品。替选地,当已经分配液体的喷嘴从处理位置移动到备用位置,然后用于分配另一种液体的喷嘴从备用位置移动到处理位置时,固定在杯状件420上的喷嘴471和472将去离子水分配到基板W上,以防止基板W自然干燥。
清洁溶液分配构件470包括第一喷嘴471和第二喷嘴472。在一实施例中,第一喷嘴471和第二喷嘴472固定至杯状件420。清洁溶液可以是用于去除残留在基板W上的薄膜或异物的液体。例如,清洁溶液可以是去离子水。
有机溶剂分配构件463将表面张力低于清洁溶液的表面张力的有机溶剂分配到基板W上,以用有机溶剂代替基板W上的清洁溶液。与化学制品分配构件461类似,有机溶剂分配构件463具有在图中未示出的溶剂分配喷嘴、支撑臂和臂致动器。在一实施例中,有机溶剂可以是异丙醇(IPA)。
图5是示出根据本发明构思的实施例的第一喷嘴471和第二喷嘴472的顶视图。参照图5,第一喷嘴471和第二喷嘴472沿相反方向朝向彼此分配第一液体和第二液体。这里,相反的方向可以包括第一喷嘴471面向第二喷嘴472附近的方向和第二喷嘴472面向第一喷嘴471附近的方向、以及第一喷嘴471和第二喷嘴472正好彼此面对的方向。
第一喷嘴471将第一液体分配到支撑在支撑单元440上的基板W的目标表面上的第一点P1。第二喷嘴472将第二液体分配到支撑在支撑单元440上的基板W的目标表面上的第二点P2。
从上方观察时,第一点P1位于虚拟线X的一侧,第二点P2位于虚拟线X的另一侧。在此,虚拟线X是当从上方看时连接第一喷嘴471的分配端和第二喷嘴472的分配端的直线。
第一喷嘴471将第一液体分配到与基板W的中心R隔开第一距离的第一点P1。第二喷嘴472将第二液体分配到在相对于基板W的中心R背离第一点P1的方向上与基板W的中心R间隔第二距离的第二点P2。
基板W的中心R位于第一点P1与第二点P2之间。在一实施例中,第一点P1与基板W的中心R之间的距离等于第二点P2与基板W的中心R之间的距离。第一点P1、基板W的中心R、第二点P2可以顺序地位于一条直线上。第一液体和第二液体可以彼此相同。在一个实施例中,第一液体和第二液体可以是水。
图6是示出根据本发明构思的实施例的在清洁步骤中第一喷嘴471和第二喷嘴472将第一液体和第二液体分配到基板W上的状态。参照图6,在清洁步骤中,第一喷嘴471和第二喷嘴472从旋转的基板W的上方沿倾斜方向分配水。
同时从第一喷嘴471和第二喷嘴472分配水。第一喷嘴471分配水的时间可以与第二喷嘴472分配水的时间完全重叠。第一喷嘴471将水分配到在第一方向上与基板W的中心R间隔开的第一点P1。第二喷嘴472将水分配到在第二方向上与基板W的中心R间隔开的第二点P2。
从第一喷嘴471和第二喷嘴472分配水的方向彼此不同。因此,通过基板W的旋转,从第一喷嘴471分配的水和从第二喷嘴472分配的水可以在不同的方向上扩散。
当从上方观察时,从第一喷嘴471分配的水在分配到基板W上之后通过基板W的旋转在朝向第二喷嘴472的方向上流动,并且从第二喷嘴472分配的水在分配到基板W上之后通过基板W的旋转在朝向第一喷嘴471的方向上流动。
当分配到基板W上的第一液体和第二液体通过基板W的旋转而扩散时,第一点P1和第二点P2可以防止或最小化第一液体和第二液体之间的碰撞。
例如,在基板W是直径为300mm的晶片的情况下,第一点P1、基板W的中心R和第二点P2可以位于一条直线上,并且第一点P1和基板W的中心R之间的距离以及第二点P2和基板W的中心R之间的距离可以是5mm。
接下来,将描述使用图4的基板处理装置处理基板的方法的示例。
基板处理方法包括液体处理步骤、清洁步骤、溶剂分配步骤和干燥步骤。为了执行以下将描述的基板处理方法,控制器40控制液体分配单元460和清洁溶液分配构件470。
在液体处理步骤中,液体分配单元460将化学制品分配到旋转的基板W上以处理基板W。此后,停止分配化学制品,并执行清洁步骤。在清洁步骤中,停止分配化学制品,并且第一喷嘴471和第二喷嘴472将清洁溶液分配到旋转的基板W上。当清洁步骤完成时,执行溶剂分配步骤。在溶剂分配步骤中,用有机溶剂代替基板W上的清洁溶液。当溶剂分配步骤完成时,执行干燥步骤以干燥基板W。可以在高速旋转的同时干燥基板W。选择性地,在干燥步骤中,在旋转的基板W的同时,可以将诸如惰性气体的干燥气体分配到基板W上。可以以加热状态分配干燥气体。选择性地,在干燥步骤中执行干燥过程的腔室可以使用超临界流体来干燥基板W。
在上述实施例中,已经描述了清洁溶液分配构件470包括第一喷嘴471和第二喷嘴472。然而,清洁溶液分配构件470可以包括三个以上喷嘴。
图7是示出清洁溶液分配构件470包括第一喷嘴471a、第二喷嘴472a和第三喷嘴473的示例的示意图。参照图7,清洁溶液分配构件470还可包括第三喷嘴473,该第三喷嘴473从旋转的基板W的上方沿倾斜方向将第三液体分配到基板W上。从第一喷嘴471a分配的第一液体可被引导在第二喷嘴472a和第三喷嘴473之间,并且从第二喷嘴472a分配的第二液体可以被引导在第一喷嘴471a和第三喷嘴473之间。
根据本发明构思的实施例,水从相反两侧分配到基板W上以润湿基板W。因此,可以最小化分配到基板W上的水发生碰撞的部分,并且可以最小化水的飞散。另外,可以防止水在基板W的边缘区域中与卡盘销442b碰撞并飞散到基板W的外部的现象。
根据本发明构思的实施例,从第一喷嘴471分配水的第一点P1与从第二喷嘴472分配水的第二点P2间隔开。因此,即使当同时从第一喷嘴471和第二喷嘴472分配水时,也可以防止基板W上的水位快速升高。
尽管已经举例说明了第一喷嘴471分配水的时间与第二喷嘴472分配水的时间完全重叠,但是第一喷嘴471分配水的时间可以与第二喷嘴472分配水的时间部分重叠。
尽管已经描述了第一喷嘴471和第二喷嘴472固定到杯状件420,但是第一喷嘴471和第二喷嘴472可以固定到杯状件420之外的另一部件。
尽管已经描述了清洁溶液分配构件470包括固定到杯状件420的第一喷嘴471和第二喷嘴472,但是除了第一喷嘴471和第二喷嘴472,清洁溶液分配构件470可以进一步包括安装在可移动臂上并分配清洁溶液的喷嘴。
尽管已经描述了第一喷嘴471和第二喷嘴472分配诸如水的清洁溶液,但是本发明构思的精神可以应用于分配除水以外的不同类型的各种液体。
如上所述,根据本发明构思的实施例,基板处理装置和方法可以提高处理基板的效率。
根据本发明构思的实施例,基板处理装置和方法可以防止分配到基板上的不同位置的去离子水的碰撞。
根据本发明构思的实施例,基板处理装置和方法可以防止腔室或腔室中的部件被分配到基板上的清洁溶液污染。
本发明构思的效果不限于上述效果,并且本发明构思所属领域的技术人员从该说明书和附图可以清楚地理解本文中未提及的任何其他效果。
上面的描述例示了本发明构思。此外,上述内容描述了本发明构思的示例性实施例,并且本发明构思可以在各种其他组合、改变和环境中使用。即,在不脱离说明书中公开的发明构思的范围,与书面公开等同的范围和/或本领域技术人员的技术或知识范围的情况下,可以对发明构思进行变型或修改。书面实施例描述了用于实现发明构思的技术精神的最佳状态,并且可以进行发明构思的特定应用和目的中所需的各种改变。因此,本发明构思的详细描述不旨在将本发明构思限制在所公开的实施例状态下。另外,应解释为所附权利要求包括其他实施例。
尽管已经参考示例性实施例描述了本发明构思,但是对于本领域技术人员显而易见的是,在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下,可以进行各种改变和修改。因此,应当理解,以上实施例不是限制性的,而是说明性的。
Claims (20)
1.一种用于处理基板的方法,所述方法包括:
液体处理步骤,其通过将处理液分配到旋转的基板上而对所述基板执行液体处理;以及
清洁步骤,其停止分配所述处理液并将清洁溶液分配到所述基板上,
其中,在所述清洁步骤中,将第一液体从旋转的基板上方的第一喷嘴分配到在第一方向上与所述基板的中心隔开的点,并且将第二液体从旋转的基板上方的第二喷嘴分配到在第二方向上与所述基板的中心隔开的点,其中,当从上方观察时,所述第一液体在分配到所述基板上后朝向所述第二喷嘴流动,并且所述第二液体在分配到所述基板上后朝向所述第一喷嘴流动。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,相对于所述基板沿倾斜方向分配所述第一液体和所述第二液体。
3.根据权利要求1所述的方法,其中,当从上方观察时,沿相反的方向朝向彼此分配所述第一液体和所述第二液体。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,被分配以所述第一液体的点和被分配以所述第二液体的点在以所述基板的中心起始的相反方向上彼此隔开预定距离。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,同时分配所述第一液体和所述第二液体。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中,所述第一液体和所述第二液体具有相同类型。
7.一种用于处理基板的装置,所述装置包括:
壳体,在所述壳体中具有处理空间;
支撑单元,其配置成在所述处理空间中支撑所述基板;
第一喷嘴,其配置成将第一液体分配到支撑在所述支撑单元上的所述基板的目标表面上的第一点;以及
第二喷嘴,其配置成将第二液体分配到支撑在所述支撑单元上的所述基板的所述目标表面上的第二点,
其中,当从上方观察时,所述第一点位于连接所述第一喷嘴的分配端和所述第二喷嘴的分配端的虚拟线的一侧,以及
所述第二点位于所述虚拟线的另一侧。
8.根据权利要求7所述的装置,其中,所述基板的中心位于所述第一点和所述第二点之间。
9.根据权利要求7所述的装置,其中,所述第一点与所述基板的中心之间的距离等于所述第二点与所述基板的中心之间的距离。
10.根据权利要求7所述的装置,其中,当从上方观察时,所述第一喷嘴和所述第二喷嘴在相反的方向上朝向彼此设置。
11.根据权利要求7所述的装置,其中,所述第一喷嘴将所述第一液体分配到与所述基板的中心间隔开第一距离的所述第一点,以及
其中,所述第二喷嘴将所述第二液体分配到在相对于所述基板的中心而背离所述第一点的方向上与所述基板的中心间隔开第二距离的所述第二点。
12.根据权利要求11所述的装置,其中,所述第一距离等于所述第二距离。
13.根据权利要求7所述的装置,还包括:
杯状件,其配置成围绕所述处理空间,
其中,所述第一喷嘴和所述第二喷嘴被固定到所述杯状件。
14.根据权利要求7所述的装置,其中,所述第一液体和所述第二液体彼此相同。
15.一种用于处理基板的方法,所述方法包括:
从旋转的基板上方沿倾斜方向同时将第一液体和第二液体从第一喷嘴和第二喷嘴分配到所述基板上,
其中,从所述第一喷嘴分配所述第一液体的方向和从所述第二喷嘴分配所述第二液体的方向彼此不同,使得从所述第一喷嘴分配的所述第一液体和从所述第二喷嘴分配的所述第二液体通过所述基板的旋转而沿不同方向扩散。
16.根据权利要求15所述的方法,其中,当从上方观察时,在分配所述第一液体的方向和分配所述第二液体的方向之间形成180度。
17.根据权利要求15所述的方法,其中,被分配以所述第一液体的点和被分配以所述第二液体的点在以所述基板的中心起始的相反方向上彼此隔开预定距离。
18.根据权利要求15所述的方法,其中,所述第一液体和所述第二液体具有相同类型。
19.根据权利要求15所述的方法,其中,第三喷嘴从旋转的基板上方沿倾斜方向将第三液体分配到所述基板上。
20.根据权利要求19所述的方法,其中,在分配所述第一液体的方向、分配所述第二液体的方向以及分配所述第三液体的方向之间形成120度。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2019-0109579 | 2019-09-04 | ||
KR1020190109579A KR102265857B1 (ko) | 2019-09-04 | 2019-09-04 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN112439737A true CN112439737A (zh) | 2021-03-05 |
Family
ID=74681848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010925720.4A Pending CN112439737A (zh) | 2019-09-04 | 2020-09-04 | 用于处理基板的装置和方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210066099A1 (zh) |
JP (1) | JP7282722B2 (zh) |
KR (1) | KR102265857B1 (zh) |
CN (1) | CN112439737A (zh) |
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- 2019-09-04 KR KR1020190109579A patent/KR102265857B1/ko active IP Right Grant
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PB01 | Publication | ||
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SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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