CN114695171A - 后喷嘴单元及包括后喷嘴单元的基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

基板处理装置可具有包括对基板执行所需工程的至少一个工程腔室的处理模块及将所述基板从外部移送到所述处理模块的转位模块。所述至少一个工程腔室可包括上部被放置基板的支撑单元及配置在所述基板的底面下方的后喷嘴单元。所述后喷嘴单元可包括裙座、向所述基板的底面上供应清洗液的至少一个后喷嘴及向所述基板的底面上供应气体的气体喷嘴。所述裙座可包括本体及形成于所述本体内且向所述基板的底面供应气体的多个第一流道及多个第二流道。

Description

后喷嘴单元及包括后喷嘴单元的基板处理装置
本申请要求于2020年12月30日向韩国特许厅申请的韩国发明申请第10-2020-0187302号的优先权。
技术领域
本发明的例示性的实施例涉及后喷嘴单元及包括后喷嘴单元的基板处理装置。更具体来讲，本发明的例示性的实施例涉及能够提高基板的清洗效果及干燥效果的后喷嘴单元及包括这种后喷嘴单元的基板处理装置。
背景技术
集成电路装置或显示装置可使用包括沉积腔室、蚀刻腔室、涂布腔室、清洗腔室、干燥腔室等多种工程腔室的基板处理装置制成。在用于制造所述集成电路装置或所述显示装置的工程中，对基板执行预定的工程期间，例如，可发生颗粒物、有机污染物质或金属杂质等各种杂质。所述杂质残留在基板的上面或底面上的情况下，这种残留的杂质可导致所述基板的缺陷，进而可降低利用所述基板制造的集成电路装置或显示装置的性能及可靠性。
大体上现有的基板处理装置为了通过清洗工程及干燥工程去除残留在所述基板的底面上的颗粒物而具有包括后喷嘴及气体喷嘴的后喷嘴单元。然而，现有的后喷嘴与气体喷嘴只能向与所述基板的底面正交的方向喷射清洗液与气体，因此为了清洗所述基板的底面而利用这种后喷嘴与气体喷嘴的清洗工程的效率可能会下降。并且，现有的气体喷嘴能够只能向相对于所述基板的底面正交的方向供应所述气体，因此还可能降低用于干燥所述基板的底面的干燥工程的效率。
发明内容
技术问题
本发明的一个方面提供能够提高基板的清洗效果及干燥效果的后喷嘴单元。
本发明的另一方面提供一种包括能够提高基板的清洗效果及干燥效果的后喷嘴单元的工程腔室。
本发明的又一方面提供包括能够提高基板的清洗效果及干燥效果的后喷嘴单元的基板处理装置。
技术方案
根据本发明的一个方面，提供一种包括裙座、至少一个后喷嘴及气体喷嘴的后喷嘴单元。所述裙座可配置在基板的底面下方。所述至少一个后喷嘴从所述裙座凸出，能够向所述基板的底面上供应清洗液。所述气体喷嘴可从所述裙座凸出，能够向所述基板的底面上供应气体。所述裙座可包括本体及多个流道。所述多个流道可形成于所述本体内，能够向所述基板的底面供应气体。
在例示性的实施例中，所述气体喷嘴可向相对于所述基板的底面实质上正交的方向供应所述气体，所述多个流道可向相对于所述基板的底面实质上平行的方向及相对于所述基板的底面倾斜预定的倾斜角度的方向供应所述气体。
在例示性的实施例中，所述气体喷嘴及所述多个流道可在从所述至少一个后喷嘴向所述基板的底面上供应清洗液期间向所述基板的底面供应所述气体。
在例示性的实施例中，所述裙座可包括向相对于所述基板的底面实质上平行的方向供应所述气体的多个第一流道。
在例示性的实施例中，所述多个第一流道可沿着所述裙座的周部实质上相隔配置。
在例示性的实施例中，所述多个第一流道分别能够防止所述清洗液流入所述本体内。
在例示性的实施例中，所述多个第一流道在所述本体内分别向上方形成，在所述本体内向下方弯折，可向相对于所述基板的底面实质上平行的方向延伸。
在部分例示性的实施例中，所述裙座可包括能够相对于所述基板的底面以预定的倾斜角度供应所述气体的多个第二流道。例如，所述倾斜角度可相对于与所述基板实质上正交的方向大于约0度且小于等于约90度。
在部分例示性的实施例中，从所述多个第一流道及所述多个第二流道供应的所述气体能够将沿着所述本体流动的清洗液重新供应到所述基板的底面。
在部分例示性的实施例中，所述多个第二流道可分别从所述多个第一流道分支，在所述本体内向上方延伸。
在部分例示性的实施例中，所述裙座可包括与所述多个第二流道分别相邻的多个引导部件。所述多个引导部件可向所述基板的底面引导所述气体。例如，所述引导部件可分别以相对于与所述基板实质上正交的方向大于约0度且可小于等于约90度的角度从所述本体凸出。
根据本发明的另一方面，提供包括支撑单元及后喷嘴单元的工程腔室。基板可位于所述支撑单元上，所述后喷嘴单元可配置在所述基板的底面下方。所述后喷嘴单元可包括裙座、至少一个后喷嘴及气体喷嘴。所述至少一个后喷嘴能够向所述基板的底面上供应清洗液，所述气体喷嘴能够向所述基板的底面上供应气体。所述裙座可包括本体及多个流道。所述多个流道可设于所述本体内，能够向所述基板的底面供应气体。
在例示性的实施例中，所述气体喷嘴可向相对于所述基板的底面实质上正交的方向供应所述气体，所述多个流道可向相对于所述基板的底面实质上平行的方向及相对于所述基板的底面倾斜预定的倾斜角度的方向供应所述气体。
在例示性的实施例中，所述气体喷嘴及所述多个流道能够在所述至少一个后喷嘴向所述基板的底面上供应清洗液期间向所述基板的底面供应所述气体。
在部分例示性的实施例中，所述裙座可包括能够向相对于所述基板的底面实质上平行的方向供应所述气体的多个第一流道及能够向相对于所述基板的底面以预定的倾斜角度供应所述气体的多个第二流道。例如，所述预定的倾斜角度可相对于与所述基板的底面实质上正交的方向大于约0度且小于等于约90度。
根据本发明的又一侧面，提供一种包括具有对基板执行所需工程的至少一个工程腔室的处理模块及将所述基板从外部移送到所述处理模块内的转位模块的基板处理装置。所述至少一个工程腔室可包括上部用于放置基板的支撑单元及配置在所述基板的底面下方的后喷嘴单元。所述后喷嘴单元可包括裙座、向所述基板的底面上供应清洗液的至少一个后喷嘴及向所述基板的底面上供应气体的气体喷嘴。所述裙座可包括本体及形成于所述本体内且向所述基板的底面供应气体的多个第一流道及多个第二流道。
在例示性的实施例中，所述多个第一流道能够向相对于所述基板的底面实质上平行的方向供应所述气体，所述多个第二流道能够以相对于所述基板的底面大于约0度且小于等于约90度的倾斜角度供应所述气体。
技术效果
根据本发明的例示性的实施例，所述后喷嘴单元可包括具有能够向相对于所述基板的底面实质上平行的方向及相对于所述基板的底面倾斜预定的倾斜角度的方向供应所述气体的多个流道的裙座，因此能够从所述气体喷嘴及所述多个流道向与所述基板的底面实质上正交的方向、实质上与所述基板的底面平行的方向及相对于所述基板的底面倾斜预定的倾斜角度的方向在内的多种方向朝着所述基板的底面供应清洗液及/或气体，因此能够大幅提高对所述基板的清洗工程的效率及干燥工程的效率。进而能够使得利用所述基板处理装置制造的包括半导体装置的集成电路装置或包括平板显示装置的显示装置的性能得到改善且提高可靠性。
本发明的技术效果不限于上述技术效果，可在不超出本发明的思想及领域的范围内进行多种变形及扩张。
附图说明
图1为用于说明本发明的例示性的实施例的基板处理装置的平面图；
图2为用于说明本发明的例示性的实施例的基板处理装置的工程腔室的平面图；
图3为用于说明本发明的例示性的实施例的基板处理装置的工程腔室的剖面图；
图4为用于说明本发明的例示性的实施例的基板处理装置的后喷嘴单元的剖面图；
图5为用于说明本发明的例示性的实施例的后喷嘴单元的裙座的局部放大剖面图；
图6为用于说明本发明的部分例示性的实施例的后喷嘴单元的裙座的局部放大剖面图；
图7为示出利用本发明的部分例示性的实施例的后喷嘴单元的裙座的去除腔室内的颗粒物的效率的坐标图。
具体实施方式
本发明可实施多种变更，可以具有多种形态，通过本发明的多种实施例对本发明进行详细说明。但这并非旨在将本发明限定于特定的公开形态，应该理解为包括本发明的思想及技术范围内的所有变更、等同物及替代物。在说明各附图时对类似的构成要素使用类似的附图标记。第一、第二等术语可用于说明多种构成要素，但所述构成要素不得受限于所述术语。所述术语只是用于区分一个构成要素与其他构成要素。本申请中使用的术语只是用于说明特定实施例，目的并非限定本发明。单数的表现形式在文中无其他明确说明的情况下还包括复数的表现形式。应该将本申请中所述的“包括”、“具备”或“具有”等术语理解为存在说明书上记载的特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或其组合，而不应理解为预先排除一个或多个其他特征、数字、步骤、动作、构成要素、部件或其组合的存在或附加可能性。
若无另行定义，包括技术或科学术语在内的此处使用的所有术语均表示与本发明所属技术领域的普通技术人员通常理解相同的意思。通常使用的词典中定义过的术语应解释为与相关技术的文章脉络的意思相一致的意思，本申请中没有明确定义的情况下不得解释为理想或过度形式性的意思。
以下参见附图详细地说明本发明的例示性的实施例。在附图中相同的构成要素可用相同的附图标记表示，可能会省略对相同构成要素的重复说明。
图1为用于说明本发明的例示性的实施例的基板处理装置的平面图。
参见图1，例示性的实施例的基板处理装置可包括转位模块(index modul e)20及处理模块(processing module)55。
所述转位模块20能够将基板从外部移送到处理模块55内，所述处理模块55可对所述基板执行所需的工程。该情况下，所述基板可用于制造包括半导体装置的集成电路装置或包括平板显示装置的显示装置。例如，所述基板可包括硅晶圆、玻璃基板、有机基板、陶瓷基板等。
所述转位模块20可包括装载腔室10及移送框架15。可在所述装载腔室10内装载能够收容所述基板的载体25。例如，作为所述载体25可采用前端开启式一体晶圆传送盒(FOUP：front opening unified pod)。所述载体25可通过架空传输装置(OHT：overheadtransfer)从外部被移送到所述装载腔室10内，可从所述装载腔室10被移送到外部。
所述移送框架15可在装载于所述装载腔室10内的所述载体25与所述处理模块55之间移送所述基板。所述移送框架15可包括转位机器人30及转位导轨35。
所述转位机器人30可沿着所述转位导轨35移动，可在所述转位模块20与所述处理模块55之间移送所述基板。例如，所述转位机器人30可在所述转位导轨35上移动的过程中在所述载体25与缓冲槽60之间移送所述基板。
如图1例示，所述处理模块55不限于此，但可对所述基板执行包括沉积工程、蚀刻工程、涂布工程、曝光工程、显影工程、清洗工程及干燥工程在内的所需的工程。所述处理模块55可包括缓冲腔室40、移送腔室45、工程腔室50、控制单元(未示出)等。
在所述转位模块20及所述处理模块55之间被移送的所述基板可临时放在所述缓冲腔室40。所述缓冲腔室40内可配置有用于放置所述基板的所述缓冲槽60。在例示性的实施例中，可在所述缓冲腔室40内提供多个缓冲槽60，进而多个基板可配置于所述缓冲腔室40内。
所述移送腔室45可在所述缓冲腔室40与所述工程腔室50之间移送所述基板。所述移送腔室45可包括移送机器人65及移送导轨70。所述移送机器人65可沿着所述移送导轨70移动，可在所述缓冲腔室40与所述工程腔室50之间移送所述基板。例如，所述移送机器人65可在所述移送导轨70上移动的过程中将位于所述缓冲槽60上的所述基板移送到所述工程腔室50内。
在例示性的实施例中，所述基板处理装置可包括多个工程腔室50。在所述工程腔室50内，虽然不限于此，但可执行包括所述沉积工程、所述蚀刻工程、所述涂布工程、所述曝光工程、所述显影工程、所述清洗工程及所述干燥工程在内的所述所需的工程。进而，所述多个工程腔室50虽不限于此，但可包括沉积腔室、蚀刻腔室、涂布腔室、曝光腔室、显影腔室、清洗腔室、干燥腔室等。该情况下，各工程腔室50为了装载及卸载所述基板而可包括能够开闭的门。
图2为用于说明本发明的例示性的实施例的基板处理装置的工程腔室的平面图，图3为用于说明本发明的例示性的实施例的所述基板处理装置的工程腔室的剖面图。
参见图2及图3，所述基板处理装置的工程腔室50可包括支撑单元100、液体供应单元200、气体供应单元300、后喷嘴单元400、回收单元500、控制单元600等。该情况下，工程腔室50可包括清洗腔室或干燥腔室。
基板可被放在配置于所述工程腔室50的处理空间内的支撑单元100上。所述支撑单元100可在对所述基板执行所需的工程期间旋转所述基板。所述支撑单元100可包括旋转卡盘(Spin chuck)105、支撑销110、卡盘销115、旋转轴120、第一驱动部件125等。
所述旋转卡盘105实质上可具有圆板形状，但这种旋转卡盘105的形状与尺寸可根据所述基板的形状与尺寸改变。所述旋转卡盘105可具有所述支撑销110及所述卡盘销115。在例示性的实施例中，所述旋转卡盘105为了提高所述基板的稳定性而可包括多个支撑销110及多个卡盘销115。其中，所述多个支撑销110可与所述基板的底面接触，所述多个卡盘销115可与所述基板的侧面接触。在所述工程腔室50内对所述基板执行所需的工程时所述支撑销110可支撑所述基板，所述卡盘销115能够将所述基板保持在原位置。
如图3例示，所述旋转轴120可连接于所述旋转卡盘105的下部，所述第一驱动部件125可结合于所述旋转轴120。所述第一驱动部件125可旋转所述旋转轴120，进而所述旋转卡盘105及配置于所述旋转卡盘105上的所述基板可旋转。
所述液体供应单元200能够根据对所述基板执行的工程向所述基板上供应预定的液体。例如，所述预定的液体虽不限于此，但可包括药液(chemical liquid)、有机溶剂、去离子水(deionized water)、清洗液、冲洗液等。所述液体供应单元200可包括喷嘴205、喷嘴臂210、第一移动轴215、第二驱动部件220等。
所述液体供应单元200的喷嘴205可向位于所述旋转卡盘105上的所述基板上供应所述预定的液体。例如，可在所述旋转卡盘105上旋转所述基板的过程中从所述喷嘴205向所述基板上喷射所述预定的液体。在例示性的实施例中，所述液体供应单元200可包括能够实质上配置在所述基板的中心部分上部的多个喷嘴205。其中，所述多个喷嘴205可设于所述喷嘴臂210的一侧，所述喷嘴臂210的另一侧可结合于第一移动轴215。所述第二驱动部件220能够上下移动所述第一移动轴215，并且能够旋转所述第一移动轴215。进而，能够适当调整位于所述基板上部的所述喷嘴205的位置。
如图2例示，所述气体供应单元300能够向所述基板上供应预定的气体。例如，所述气体供应单元300可向放在所述旋转卡盘105上的基板上供应氮气(N2)之类的惰性气体。所述气体供应单元300可包括第一气体供应部件310及第二气体供应部件315。
所述第一气体供应部件310可固定于所述旋转卡盘105的一侧上部，可向位于所述旋转卡盘105上的所述基板上供应所述气体。所述第二气体供应部件315能够向所述旋转卡盘105的中心部分上部移动，可向放在所述旋转卡盘105上的所述基板上供应所述气体。
图4为用于说明本发明的例示性的实施例的基板处理装置的后喷嘴单元的剖面图。
参见图2至图4，所述后喷嘴单元400可包括支撑轴425、后喷嘴410、气体喷嘴415、裙座420等。在例示性的实施例中，所述后喷嘴单元400可对基板W执行清洗工程或干燥工程。例如，所述后喷嘴单元400可用于清洗所述基板的底面，或者用于干燥所述基板W的底面。
所述后喷嘴单元400的支撑轴410可插入形成于所述支撑单元100的旋转卡盘110的中央部的轴孔。所述支撑轴410可不接触所述旋转卡盘110，进而在所述旋转卡盘110旋转期间所述支撑轴410可不旋转。
在例示性的实施例中，所述后喷嘴单元400可包括多个后喷嘴410。各个所述多个后喷嘴410可向所述基板W的底面上喷射所述清洗液。例如，所述清洗液可含有药液或去离子水。在例示性的实施例中，所述多个后喷嘴410中的一部分可向所述基板W的底面上喷射所述去离子水，所述多个后喷嘴410中其他的可向所述基板W的底面上供应所述药液。选择性地，所述多个后喷嘴410可以全部向所述基板W的底面上选择性地喷射所述药液及所述去离子水。所述多个后喷嘴410可分别连接于通过支撑轴425的后喷嘴线路430。
所述后喷嘴单元400可包括至少一个气体喷嘴415。所述至少一个气体喷嘴415可连接于气体供应线路435，可向所述基板W的底面上喷射气体。例如，所述至少一个气体喷嘴415可向与所述基板W的底面实质上正交的方向供应所述气体。其中，所述气体可包括氮气(N2)之类的惰性气体。在例示性的实施例中，所述至少一个气体喷嘴415可去除残留于所述基板W的后面上的清洗液。选择性地，所述至少一个气体喷嘴415可在执行完对所述基板W的清洗工程后还用于干燥所述基板W的工程。
在例示性的实施例中，所述后喷嘴410及所述气体喷嘴415可通过所述裙座420且朝着所述基板W的底面从所述裙座420的表面凸出。尤其，气体喷嘴415可通过所述裙座420的中央部，所述后喷嘴410可通过与所述裙座420的中央部相邻的部分。该情况下，所述气体喷嘴415可具有实质上比所述后喷嘴410的高度高的高度。换而言之，所述气体喷嘴415可比所述后喷嘴410接近所述基板W的底面。进而，能够使得从所述后喷嘴410向所述基板W的底面喷射所述清洗液期间所述清洗液不流入所述气体喷嘴415内。
图5为用于说明本发明的例示性的实施例的后喷嘴单元的裙座的局部放大剖面图。
参见图4及图5，所述裙座420可结合于所述支撑轴425。所述裙座420可具有大致倒圆的表面结构，进而向所述基板W的底面供应的所述清洗液可沿着所述裙座420的表面流下来。
在例示性的实施例中，所述裙座420可包括本体450及形成于本体450内的多个流道455。例如，所述裙座420可包括沿着所述裙座420的周部以预定间隔配置的两个、四个、六个或八个流道455。如图4例示，所述多个流道455及所述气体喷嘴415可连接于所述气体供应线路435。所述多个流道455如箭头所示，所述清洗液从所述后喷嘴410向所述基板W的底面上供应期间及/或所述清洗液供应到所述基板W的底面上之后可向相对于所述基板W的底面实质上平行的方向供应。该情况下，从所述多个流道455供应的气体可与从所述气体喷嘴415供应的所述气体相同。并且，所述流道455可重新向所述基板W的底面供应所述清洗液从所述后喷嘴410供应到所述基板W的底面上之后沿着所述裙座420的本体450的表面流下来的所述清洗液。进而能够通过所述流道455大幅提高所述基板W的清洗效果。换而言之，所述清洗液从所述后喷嘴410向所述基板W的底面上供应后，所述多个流道455可将沿着所述裙座450的本体450流动的所述清洗液向与所述基板W的底面实质上正交的方向，与所述基板W的底面实质上平行的方向及相对于所述基板W的底面倾斜预定的倾斜角度的方向重新供应，因此能够显著提高对所述基板W的所述清洗工程的效率。尤其，在所述工程腔室50内对所述基板W执行所述干燥工程时，所述裙座420的多个流道455及气体喷嘴415能够将所述气体向包括与所述基板W的底面实质上正交的方向、与所述基板W的底面实质上平行的方向及相对于所述基板W的底面倾斜预定的倾斜角度的方向在内的多种方向供应到所述基板W的底面上，因此能够大幅提高对所述基板W执行的所述干燥工程的效率。
在例示性的实施例中，所述多个流道455能够分别放置所述清洗液从所述后喷嘴410向所述基板W的底面上供应期间及/或从所述多个流道455供应所述气体之前所述清洗液流入所述裙座420内。为此，所述多个流道455分别在所述本体450内向上方形成，在所述本体450内向下方弯折，之后向相对于所述基板W的底面实质上平行的方向(即，相对于所述旋转卡盘105实质上平行的方向)延伸的结构。如上，所述多个流道455能够分别有效防止所述清洗液流入所述裙座420的本体450内，因此能够使得对所述基板W执行清洗工程期间所述清洗液不流入所述裙座420内。
图6为用于说明本发明的部分例示性的实施例的后喷嘴单元的裙座的局部放大剖面图。
参见图4及图6，部分例示性的实施例的裙座460可包括本体465与可形成于所述本体450内的多个第一流道470及多个第二流道475。在部分例示性的实施例中，所述裙座420可包括沿着所述裙座420的周部隔着预定间隔配置的两个、四个、六个或八个第一流道470，可包括从所述第一流道450分别分支的两个、四个、六个或八个第二流道475。所述第一流道470及第二流道475的数量可随着所述后喷嘴单元400的结构与尺寸及/或所述工程腔室50的结构及尺寸变化。所述多个第一流道470及所述多个第二流道475可以如箭头所示向述基板W的底面供应所述气体。
如图6例示，所述多个第一流道470可分别在所述本体450内向上方形成，在所述本体450内可向下方弯折，之后可向相对于所述基板W的底面实质上平行的方向延伸。所述第二流道475可分别在所述本体465内从向上方形成的所述第一流道470向相对于所述基板W的底面实质上正交的方向以预定的倾斜角度向上方延伸。例如，所述第二流道475可具有可大于约0度，可小于等于约90度的倾斜角度。
在部分例示性的实施例中，所述裙座460可包括分别配置在所述第二流道475的端部的多个引导部件480。该情况下，所述多个引导部件480可与所述本体465一体形成。例如，所述引导部件480可以从所述本体465以相对于所述基板W的底面实质上正交的方向可大于约0度且可小于等于约90度的倾斜角度凸出。所述多个引导部件480能够使得所述气体从所述第二流道475向所需方向准确地喷射，进而能够更加提高所述基板W的清洗效果及干燥效果。并且，所述引导部件480可从所述裙座460的本体465凸出，因此能够有效防止所述清洗液通过所述第二流道475流入所述裙座460内。
图7为利用本发明的部分例示性的实施例的后喷嘴单元去除裙座的清洗腔室内的颗粒物的效率的坐标图。在图7中，横轴表示相对于基板的底面的裙座的第二流道的倾斜角度，纵轴表示残留于基板的底面上的颗粒物的数量。
由图7可知，利用具有所述多个第一流道及所述多个第二流道的裙座清洗所述基板的底面时，所述基板的清洗效果因所述裙座的第二流道的倾斜角度而异。实质上，所述裙座的第二流道相对于所述基板的底面具有约60度及约90度的倾斜角度的情况下能够显著提高所述基板的清洗效率。
再次参见图2及图3，所述回收单元500可包括回收容器520、第二移动轴525、第三驱动部件530等。所述回收单元500可收集向所述基板上供应的液体。从所述液体供应单元200向所述基板上供应所述液体期间所述支撑单元100可旋转所述基板，进而能够向所述基板的所有表面上实质上均匀地供应所述液体。该情况下，通过所述基板旋转发生的离心力，所述液体的液滴可向外侧方向飞散。所述回收单元500可回收所述液体的飞散的液滴。
所述回收容器520可包围所述旋转卡盘105，可具有开放的上部。例如，所述回收容器520可具有缸体形状。所述回收容器520可包括多个回收杯。在例示性的实施例中，所述回收容器520可包括第一回收杯505、第二回收杯510及第三回收杯515。该情况下，所述第一至所述第三回收杯505、510、515可配置成用于回收不同组成的液体的多种构成。例如，所述第一回收杯505可配置在比所述第二回收杯510实质上更高的位置，所述第二回收杯510可配置在比所述第三回收杯515实质上更高的位置。所述第一回收杯505、所述第二回收杯510及所述第三回收杯515可分别连接于第一回收线路535、第二回收线路540及第三回收线路545。通过所述第一回收线路至所述第三回收线路535、540、545回收的液体可通过再生装置(未示出)再利用。
如图3例示，所述第二移动轴525能够通过所述第三驱动部件530向上方及下方移动，因此所述第一回收杯至所述第三回收杯505、510、515能够向所述旋转卡盘105的上部及下部移动。该情况下，所述第二移动轴525与所述第三驱动部件530能够个别地向所述旋转卡盘105的上部及下部移动所述第一回收杯至所述第三回收杯505、510、515。
所述控制单元600可根据对所述基板执行的工程控制所述支撑单元100、所述液体供应单元200、所述气体供应单元300、所述后喷嘴单元400及所述回收单元500的动作。例如，所述控制单元600可调整所述旋转卡盘105的旋转速度、所述喷嘴205的喷射、所述后喷嘴单元400的动作、所述回收杯505、510、515的移动等。
根据本发明的例示性的实施例，基板处理装置的后喷嘴单元可包括具有能够向相对于所述基板的底面实质上平行的方向及倾斜预定的倾斜角度的方向供应气体的多个流道的裙座。能够利用所述后喷嘴单元向所述基板的底面上有效地提供清洗液，因此能够显著提高对所述基板执行的清洗工程的效率。并且，由于能够从所述裙座的多个流道向多个方向朝着所述基板的底面供应所述气体，因此能够大幅提高对所述基板执行的干燥工程的效率。因此，能够使得利用所述基板处理装置制造的包括半导体装置的集成电路装置或包括平板显示装置的显示装置的性能得到改善且提高可靠性。
以上说明了本发明的例示性实施例，但本技术领域的普通技术人员应理解可以在不超出所附权利要求记载的本发明的思想及领域的范围内对本发明进行多种修改及变更。

Claims (20)

1.一种后喷嘴单元，其特征在于，包括：
裙座，配置在基板的底面的下方；
至少一个后喷嘴，从所述裙座凸出，并且向所述基板的底面上供应清洗液；以及
气体喷嘴，从所述裙座凸出，向所述基板的底面上供应气体，
其中，所述裙座具有本体及形成于所述本体内且具有向所述基板的底面供应气体的多个流道。
2.根据权利要求1所述的后喷嘴单元，其特征在于，
所述气体喷嘴向相对于所述基板的底面正交的方向供应所述气体，所述多个流道向相对于所述基板的底面平行的方向及相对于所述基板的底面倾斜预定的倾斜角度的方向供应所述气体。
3.根据权利要求2所述的后喷嘴单元，其特征在于，
所述气体喷嘴及所述多个流道在所述至少一个后喷嘴向所述基板的底面上供应所述清洗液期间向所述基板的底面供应所述气体。
4.根据权利要求1所述的后喷嘴单元，其特征在于，
所述裙座包括向相对于所述基板的底面平行的方向供应所述气体的多个第一流道。
5.根据权利要求4所述的后喷嘴单元，其特征在于，
所述多个第一流道沿着所述裙座的周部相隔一定的间隔配置。
6.根据权利要求5所述的后喷嘴单元，其特征在于，
所述多个第一流道分别防止所述清洗液流入所述本体内。
7.根据权利要求5所述的后喷嘴单元，其特征在于，
所述多个第一流道分别在所述本体内向上方形成，在所述本体内向下方弯折，向相对于所述基板的底面平行的方向延伸。
8.根据权利要求4所述的后喷嘴单元，其特征在于，
所述裙座还包括以预定的倾斜角度向所述基板的底面上供应所述气体的多个第二流道。
9.根据权利要求8所述的后喷嘴单元，其特征在于，
从所述多个第一流道及所述多个第二流道供应的所述气体将沿着所述本体流动的清洗液重新供应到所述基板的底面。
10.根据权利要求8所述的后喷嘴单元，其特征在于，
所述多个第二流道分别从所述多个第一流道分支，在所述本体内向上方延伸。
11.根据权利要求8所述的后喷嘴单元，其特征在于，
所述倾斜角度相对于与所述基板的底面正交的方向大于0度且小于等于90度。
12.根据权利要求8所述的后喷嘴单元，其特征在于，
所述裙座还包括与所述多个第二流道分别相邻的多个引导部件，所述多个引导部件向所述基板的底面引导所述气体的供应。
13.根据权利要求12所述的后喷嘴单元，其特征在于，
所述引导部件分别以相对于与所述基板的底面正交的方向大于0度且小于等于90度的角度从所述本体凸出。
14.一种工程腔室，其特征在于，包括：
支撑单元，上部用于放置基板；以及
后喷嘴单元，配置在所述基板的底面下方，
其中，所述后喷嘴单元包括裙座、向所述基板的底面上供应清洗液的至少一个后喷嘴及向所述基板的底面上供应气体的气体喷嘴，
所述裙座具有本体及形成于所述本体内向所述基板的底面供应气体的多个流道。
15.根据权利要求14所述的工程腔室，其特征在于，
所述气体喷嘴向相对于所述基板的底面正交的方向供应所述气体，所述多个流道向相对于所述基板的底面平行的方向及相对于所述基板的底面倾斜的方向供应所述气体。
16.根据权利要求15所述的工程腔室，其特征在于，
所述气体喷嘴及所述多个流道在所述至少一个后喷嘴向所述基板的底面上供应所述清洗液期间向所述基板的底面供应所述气体。
17.根据权利要求14所述的工程腔室，其特征在于，
所述裙座包括向相对于所述基板的底面平行的方向供应所述气体的多个第一流道及向相对于所述基板的底面倾斜预定的倾斜角度的方向供应所述气体的多个第二流道。
18.根据权利要求17所述的工程腔室，其特征在于，
所述倾斜角度相对于与所述基板的底面正交的方向构成的角度大于0度且小于等于90度。
19.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
处理模块，包括对基板执行所需工程的至少一个工程腔室；以及
转位模块，将所述基板从外部移送到所述处理模块内，
所述至少一个工程腔室包括：
支撑单元，上部用于放置所述基板；以及
后喷嘴单元，配置在所述基板的底面下方，
所述后喷嘴单元包括裙座、向所述基板的底面上供应清洗液的至少一个后喷嘴及向所述基板的底面上供应气体的气体喷嘴，所述裙座包括本体及形成于所述本体且向所述基板的底面供应气体的多个第一流道及多个第二流道。
20.根据权利要求19所述的基板处理装置，其特征在于，
所述多个第一流道向相对于所述基板的底面平行的方向供应所述气体，所述多个第二流道以相对于所述基板的底面倾斜大于0度且小于等于90度的倾斜角度供应所述气体。
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