KR20240102605A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20240102605A
KR20240102605A KR1020220184799A KR20220184799A KR20240102605A KR 20240102605 A KR20240102605 A KR 20240102605A KR 1020220184799 A KR1020220184799 A KR 1020220184799A KR 20220184799 A KR20220184799 A KR 20220184799A KR 20240102605 A KR20240102605 A KR 20240102605A
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나승은
장은우
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세메스 주식회사
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Abstract

본 발명의 일 관점에 기판 처리 장치는, 기판을 처리할 수 있는 내부 공간이 형성된 챔버와, 상기 내부 공간에 회전 가능하게 설치되어, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판에 공정 처리를 위한 약액을 공급하는 약액 토출부와, 상기 기판 지지부를 둘러싸도록 상기 내부 공간에 설치되고, 비산되는 약액을 회수하기 위한 회수 용기부와, 상기 내부 공간에 설치되고, 상기 챔버의 내부를 세정하기 위한 세정 매체를 분사하기 위한 세정 매체 분사부를 포함한다.

Description

기판 처리 장치{Substrate processing apparatus}
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조를 위해서 기판에 포토리소그래피, 식각, 애싱, 이온주입, 증착, 세정 등의 다양한 공정들이 수행되며, 이를 위한 다양한 기판 처리 장치가 사용되고 있다. 반도체 소자가 고성능화 됨에 따라 회로 패턴은 더욱 미세화, 고밀도화 되며, 기판 표면에 잔류하는 미세 입자, 유기물, 금속물 등의 오염 물질들은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 중요한 영향을 미칠 수 있다.
이에 따라, 기판 표면의 각종 공정 물질, 오염 물질을 제거하는 약액 처리 공정, 예컨대 세정 공정이 필수이며, 반도체 제조 과정에서 각각의 단위 공정마다 기판의 세정 공정이 수행될 수 있다. 약액 처리 공정을 수행하는 과정에서 기판 처리 장치 내로 공급된 약액들은 대부분 회수되어 재사용될 수 있으나, 일부 회수되지 못하고 비산된 물질들, 예컨대 약액, 증기(fume) 등이 확산되어 챔버 내부에 부착되어 남을 수 있다.
이러한 이물질은 다음 기판 처리 공정 시 기판이나 다른 장비에 이동할 수 있어 공정 불량을 야기할 수 있다. 이러한 이물질은 기판 처리 장치에 대한 전체적인 세정 작업이 수행되기 전까지는 챔버 내에 누적될 수 있다. 따라서, 약액 처리 공정 후 챔버 내부에 남아 있는 이물질 등을 주기적으로 제거할 필요성이 있다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 약액 토출 후 챔버 내 이물질 등을 제거하여 공정 신뢰성을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 일 관점에 기판 처리 장치는, 기판을 처리할 수 있는 내부 공간이 형성된 챔버와, 상기 내부 공간에 회전 가능하게 설치되어, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판에 공정 처리를 위한 약액을 공급하는 약액 토출부와, 상기 기판 지지부를 둘러싸도록 상기 내부 공간에 설치되고, 비산되는 약액을 회수하기 위한 회수 용기부와, 상기 내부 공간에 설치되고, 상기 챔버의 내부를 세정하기 위한 세정 매체를 분사하기 위한 세정 매체 분사부를 포함한다.
상기 기판 처리 장치에 따르면, 상기 세정 매체 분사부는 상기 회수 용기부에서 상기 챔버의 벽면 방향으로 상기 세정 매체를 분사하도록 상기 회수 용기부의 외면에 설치될 수 있다.
상기 기판 처리 장치에 따르면, 상기 회수 용기부는 상하로 승강되고,
상기 세정 매체 분사부는 상기 회수 용기부의 상하 승강에 연동되어 상하로 승강되면서 상기 세정 매체를 분사할 수 있다.
상기 기판 처리 장치에 따르면, 상기 세정 매체 분사부는 상기 회수 용기부의 외면에 설치된 복수의 세정 노즐들을 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 장치에 따르면, 상기 세정 매체는 세정액 또는 세정 가스를 포함하고, 상기 복수의 세정 노즐들은 세정액 또는 세정 가스를 분사할 수 있다.
상기 기판 처리 장치에 따르면, 상기 세정액은 증류수를 포함하고, 상기 세정 가스는 불활성 가스를 포함할 수 있다.
상기 기판 처리 장치에 따르면, 상기 복수의 세정 노즐들 중 일부는 세정액을 분사하고, 다른 일부는 세정 가스를 분사할 수 있다.
상기 기판 처리 장치에 따르면, 상기 회수 용기부는 복수의 보울들을 포함하고, 상기 세정 매체 분사부는 상기 복수의 보울들 중 최외측에 배치된 보울의 외면에 설치될 수 있다.
상기 기판 처리 장치에 따르면, 상기 챔버의 바닥면에는 상기 세정 매체를 배기하기 위한 드레인부가 형성될 수 있다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명의 다른 관점에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 처리할 수 있는 내부 공간이 형성된 챔버와, 상기 내부 공간에 회전 가능하게 설치되어, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부와, 상기 기판에 공정 처리를 위한 약액을 공급하는 약액 토출부와, 상기 기판 지지부를 둘러싸도록 상기 내부 공간에 설치되고, 비산되는 약액을 회수하기 위한 회수 용기부와, 상기 회수 용기부에서 상기 챔버의 벽면 방향으로 상기 세정 매체를 분사하도록 상기 회수 용기부의 외면에 설치되는 설치되고, 상기 챔버의 내부를 세정하기 위한 세정 매체를 분사하기 위한 세정 매체 분사부를 포함하고, 상기 세정 매체 분사부는 상기 회수 용기부의 외면에 설치된 복수의 세정 노즐들을 포함하고, 상기 세정 매체는 세정액 또는 세정 가스를 포함하고, 상기 복수의 세정 노즐들은 세정액 또는 세정 가스를 분사하고, 상기 챔버의 바닥면에는 상기 세정 매체를 배기하기 위한 드레인부가 형성될 수 있다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일부 실시예에 따른 기판 처리 장치에 따르면, 약액 토출 후 챔버 내 이물질 등을 주기적으로 세정하여 공정 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치에서 회수 용기부의 승강 동작을 보여주는 개략적인 부분 단면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따른 기판 처리 장치에서 세정 매체 분사부의 토출 각을 보여주는 개략도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 여러 실시예들을 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려 이들 실시예들은 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
또한, 도면에서 각 층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장된 것이다. 도면들에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차(tolerance)에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명 사상의 실시예는 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니 되며, 예를 들면 제조상 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비(10)를 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(10)는 인덱스 모듈(100) 및 공정 처리 모듈(200)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)은 일렬로 배치될 수 있다. 인덱스 모듈(100)은 기판(W)을 로딩/언로딩 하고, 이송하기 위한 모듈일 수 있고, 공정 처리 모듈(200)은 기판(W)에 대한 공정 처리를 수행하기 위한 모듈일 수 있다.
보다 구체적으로 보면, 인덱스 모듈(100)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 포함할 수 있다. 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)은 이 순서로 일렬로 배열되고, 이송 프레임(140) 옆에 공정 처리 모듈(200)이 배치될 수 있다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140) 및 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제 1 방향(12)(예컨대, x축 방향), 평면상에서 제 1 방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)(예컨대, y축 방향), 제 1, 2 방향(12, 14)을 포함한 평면(예컨대, xy 평면)과 수직한 방향을 제 3 방향(16)(예컨대, z축 방향)이라 지칭한다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착될 수 있다. 로드 포트(120)는 복수개가 제 2 방향(14)을 따라 배치될 수 있다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정 효율, 생산 효율 등에 따라 증감될 수 있다. 예를 들어, 캐리어(130)는 FOUP(Front Opening Unified Pod)이 사용될 수 있고, 캐리어(130) 내부에는 복수의 기판(W)들을 수평하게 수납하기 위한 슬롯이 형성될 수 있다.
공정 처리 모듈(200)은 버퍼 유닛(220), 이송 유닛(240), 공정 유닛(260)을 포함할 수 있다. 이송 유닛(240)은 제 1 방향(12)에 평행하게 연장되게 형성되고, 이송 유닛(240)의 일측 또는 양측에 공정 유닛(260)들이 배치될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 유닛(240) 사이에 배치되고, 이송 프레임(140)과 이송 유닛(240) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220) 내부에는 기판(W)이 배치되는 슬롯이 형성된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140) 및 이송 유닛(240)와 개방되거나, 개폐가 가능하도록 형성될 수 있다.
이송 프레임(140)은 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송할 수 있다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142) 및 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 제 2 방향(14)에 평행하게 연장 형성되고, 인덱스 로봇이(144)은 인덱스 레일(142)에 설치되어 제 2 방향(14)을 따라 이동될 수 있다.
인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b) 및 인덱스암(144c)을 포함할 수 있다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합되고, 베이스(144a) 상에서 제3 방향(16)을 따라 이동가능하고 회전가능하게 설치된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수개가 제공되어 각각 개별 구동될 수 있다. 각각의 인덱스암(144c)은 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로, 또는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송시 사용될 수 있다.
이송 유닛(240)은 버퍼 유닛(220)과 공정 유닛(260) 간에, 또는 공정 유닛(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 유닛(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 설치될 수 있다. 가이드 레일(242)은 제 1 방향(12)에 평행하게 연장 형성되고, 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242)에 설치되어 제 1 방향(12)을 따라 이동될 수 있다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b) 및 메인암(244c)을 포함할 수 있다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합되고, 베이스(244a) 상에서 제 3 방향(16)을 따라 이동가능하고 회전가능하게 설치된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 가능하도록 제공된다.
공정 유닛(260)은 기판들(W)을 처리하기 위한 기판 처리 장치들(300)을 포함할 수 있다. 기판 처리 장치들(300)은 단층 또는 복층으로 배치될 수 있다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 공정에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 일부 실시예들에서, 공정 유닛(260) 내의 기판 처리 장치들(300)은 동일한 공정을 수행하도록 동일한 구조를 가질 수 있다.
일부 실시예들에서, 기판 처리 장치(300)는 기판(W)을 약액 처리할 수 있다. 예를 들어, 기판(W)에 대한 약액 처리는 세정 공정을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 약액 처리는 세정 공정 외 식각 공정, 포토리소그래피 공정 등에도 적용될 수 있다.
이하에서는 기판 처리 장치(300)에 대해서 보다 구체적으로 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(300)를 보여주는 개략적인 단면도이고, 도 3은 도 2의 기판 처리 장치에서 회수 용기부의 승강 동작을 보여주는 개략적인 부분 단면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 챔버(310), 회수 용기부(320), 기판 지지부(340), 약액 토출부(370) 및 세정 매체 분사부(380)를 포함할 수 있다.
보다 구체적으로 보면, 챔버(310)에는 기판(W)을 처리할 수 있는 내부 공간(312)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 챔버(310) 내에서 기판(W)이 약액 처리될 수 있다. 챔버(310)의 일측에는 개구(미도시)가 형성될 수 있고, 이 개구를 통해서 기판(W)이 반출입될 수 있다. 개구에는 도어(미도시)가 설치되어 개구를 개폐할 수 있다.
기판 지지부(340)는 챔버(310)의 내부 공간(312)에 설치되어 기판(W)을 지지할 수 있다. 나아가, 기판 지지부(34)는 기판(W)을 회전시키기 위해서 내부 공간(312)에 회전 가능하게 설치될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지부(340)는 회전 지지판(341) 및 고정 지지판(342)을 포함할 수 있다.
회전 지지판(341)은 지지 구동부(350)에 의해 회전될 수 있다. 회전 지지판(341) 상에는 지지핀(346) 및 척핀(347)이 설치 될 수 있다. 예를 들어, 회전 지지판(341)은 상부에서 바라볼 때 대략 원형의 상부 테두리를 가질 수 있다. 지지핀(346)은 복수개가 제공되고, 회전 지지판(341) 상부면 가장자리 영역에 소정 간격으로 이격되게 배치될 수 있다. 지지핀(346)은 회전 지지판(341) 상부면에서 상부로 돌출되어, 기판(W)의 후면을 지지할 수 있다. 기판(W)은 지지핀(346)에 의해 회전 지지판(341)의 상부면으로부터 이격되게 지지되고, 기판(W)의 노출된 후면에 처리 액이 분사될 수 있는 공간이 제공될 수 있다.
척핀(347)은 복수개가 제공되고, 회전 지지판(341)의 중심 축으로부터 지지핀(346)보다 외측에 배치될 수 있다. 척핀(347)은 회전 지지판(341) 상부면에서 상부로 돌출될 수 잇다. 척핀(347)은 회전 지지판(341)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지할 수 있다. 척핀(347)은 회전 지지판(341)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 이동 가능하게 제공될 수 있다. 기판(W)이 기판 지지부(340)에 로딩/언로딩시, 척핀(347)은 지지 위치보다 외측의 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시, 척핀(347)은 지지 위치에 위치될 수 있다.
일부 실시예들에서, 고정 지지판(342)에는 후면 액 토출부(343)가 설치될 수 있다. 예를 들어, 고정 지지판(342)은 기판 지지부(340)의 중앙 영역에 위치되고, 상부에서 바라볼 때 대략 원형의 상부 테두리를 가질 수 있다.
후면 액 토출부(343)는 처리 액을 기판(W)의 후면으로 공급할 수 있다. 일 예로, 세정액인 증류수(DIW)가 후면 액 토출부(343)에서 토출되어 기판(W) 후면을 세정할 수 있다. 후면 액 토출부(343)의 노즐은 고정 지지판(342)을 관통하여 제공될 수 있다.
지지 구동부(350)는 기판 지지부(340)를 회전시키거나 승강시킬 수 있다. 예를 들어, 지지 구동부(350)는 회전 지지판(341)에 연결될 수 있다. 지지 구동부(350)는 구동축부(352) 및 구동기(354)를 포함할 수 있다. 구동축부(352)는 구동기(354)에 의해 회전되고, 이에 따라 회전 지지판(341)이 회전될 수 있다. 나아가, 구동기(354)에 의해 구동축부(352)가 상하 방향으로 이동되거나 신축되어 기판 지지부(340)의 높이가 조절될 수 있다.
약액 토출부(370)는 기판(W)에 공정 처리를 위한 약액을 공급할 수 있다. 예를 들어, 약액 토출부(370)는 기판(W)의 전면으로 약액을 공급할 수 있다. 예를 들어, 이소프로필알콜(IPA)과 같은 유기 용제가 약액 토출부(370)에서 토출되어 기판(W) 전면으로 공급될 수 있다.
약액 토출부(370)는 노즐 지지대(372), 노즐 구동부(376) 및 노즐(378)을 포함할 수 있다. 노즐 구동부(376)는 노즐 지지대(372)를 회전 및/또는 승강시킬 수 있다. 노즐 지지대(372)의 단부에는 노즐(378)이 설치될 수 있다. 노즐 구동 부(376)의 구동에 의해 노즐(378)은 공정 위치와 대기 위치로 이동될 수 있다. 공정 위치에서 노즐(378)은 기판(W)의 상부에 배치되고, 대기 위치에서 노즐(372)은 기판(W) 상부를 벗어나 배치될 수 있다. 노즐(378)에 의해서, 기판(W)의 전면에 약액이 공급될 수 있다. 노즐(378)은 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다.
회수 용기부(320)는 비산되는 약액을 회수하기 위해서 기판 지지부(340)를 둘러싸도록 내부 공간(312)에 설치될 수 있다. 예를 들어, 회수 용기부(320)는 기판(W) 또는 기판 지지부(340) 상에서 비산된 약액 또는 증기가 내부로 회수될 수 있도록 기판(W) 또는 기판 지지부(340) 상에 내측으로 경사를 가지면서 배치될 수 있다.
일부 실시예들에서, 회수 용기부(320)는 하나 또는 복수의 보울들(bowl, 324, 326)을 포함할 수 있다. 도 2에는 두 개의 보울들(324, 326)이 도시되었지만, 보울들(324, 326)의 개수는 적절하게 증감될 수 있다. 또한, 보울들(324, 326)의 형상은 도시된 형상에 제한되지 않고 다양하게 변형될 수 있다. 예를 들어, 보울들(324, 326)은 그 내에 약액이 모일 수 있도록 통 모양으로 절곡된 형상을 더 포함할 수도 있다.
보울들(324, 326)의 사이에는 약액이 유입될 수 있는 유입 공간(R1)이 한정될 수 있다. 나아가, 챔버(310)에는 유입 공간(R1)과 연통된 회수관(325)이 연결될 수 있다. 따라서, 이 회수관(325)을 통해서 약액을 따로 모으거나 또는 재생 시스템으로 연결하여 재사용될 수 있다.
승강부(335)는 회수 용기부(320)에 결합되어 회수 용기부(320)를 승강시킬 수 있다. 예를 들어, 승강부(335)는 보울들(324, 326)에 각각 연결되어, 보울들(324, 326)을 개별적으로 승강시킬 수 있다.
세정 매체 분사부(380)는 내부 공간(312)에 설치되어 챔버(310)의 내부를 세정하기 위한 세정 매체를 분사할 수 있다. 예를 들어, 세정 매체 분사부(380)는 회수 용기부(320)에서 챔버(310)의 벽면 방향으로 세정 매체를 분사하도록 회수 용기부(320)의 외면에 설치될 수 있다.
나아가, 세정 매체 분사부(380)는 챔버(310)의 벽면 외에 약액 토출부(370)의 일부분, 예컨대 노출 지지대(372) 및/또는 노즐(378)을 더 세정할 수도 있다. 이에 따라, 약액 토출부(370)가 이물질 등으로 오염되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 세정 매체 분사부(380)는 도 3에 도시된 바와 같이, 회수 용기부(320)의 상하 승강에 연동되어 상하로 승강되면서 세정 매체를 분사할 수 있다. 이에 따라, 세정 매체 분사부(380)는 수직 이동을 통해서 챔버(310)의 벽면을 수직 방향으로 스캔하면서 세정 매체를 분사할 수 있고, 이에 따라서 분사 효율이 향상될 수 있다.
일부 실시예들에서, 세정 매체 분사부(380)는 회수 용기부(320)의 외면에 설치된 복수의 세정 노즐들(382)을 포함할 수 있다. 세정 노즐들(382)의 수는 챔버(310)의 벽면을 전체적으로 커버하도록 세정 노즐들(382)의 분사각을 고려하여 적절하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 세정 노즐들(382)은 약 130o 범위의 토출각을 가질 수 있다. 이 경우, 세정 노즐들(382)이 회수 용기부(32)의 외면을 따라서 2 ~ 4 개 배치되어, 챔버(310)의 벽면으로 세정 매체를 분사할 수 있다.
세정 매체는 세정액 및/또는 세정 가스를 포함할 수 있다. 세정 노즐들(382)은 세정액 및/또는 세정 가스를 분사할 수 있다. 예를 들어, 세정액은 증류수(DIW)를 포함하고, 세정 가스는 불활성 가스, 예컨대 N2 가스, Ar 가스 등을 포함할 수 있다.
예를 들어, 세정 노즐들(382) 중 일부는 세정액을 분사하고, 다른 일부는 세정 가스를 분사할 수 있다. 다른 예로, 세정 노즐들(382)은 시차를 두고, 세정액 또는 세정 가스를 분사할 수 있다. 예를 들어, 세정 초기에는 세정 노즐들(382)의 일부 또는 전부를 통해서 세정액을 분사하고, 세정 후기에는 세정 노즐들(382)의 일부 또는 전부를 통해서 세정 가스를 분사하여 세정 및 건조가 수행될 수 있다.
일부 실시예들에서, 챔버(310)의 바닥면에는 세정 매체를 배기하기 위한 드레인부(315)가 형성될 수 있다. 예를 들어, 드레인부(315)는 회수 용기부(320) 외측에, 회수 용기부(320)와 챔버(310)의 벽면 사이에 형성될 수 있다. 이에 따라, 세정 노즐들(382)에서 분사된 세정 매체와 이러한 세정 매체에 의해서 씻겨진 이물질, 증기 등이 드레인부(315)를 통해서 챔버(310) 외부로 배기될 수 있다.
일부 실시예들에서, 회수 용기부(320)가 복수의 보울들(324, 326)을 포함하는 경우, 세정 매체 분사부(380), 예컨대 세정 노즐들(382)은 보울들(324, 326) 중 최외측에 배치된 보울(326)의 외면 상에 형성될 수 있다. 나아가, 세정 노즐들(382)은 보울(326)의 상부의 경사부에 형성될 수 있다.
일부 실시예들에서, 세정 노즐들(382)은 회수 용기부(320)의 길이 방향을 따라서 수직으로 복수개가 배치될 수도 있다. 이 경우, 회수 용기부(320)의 승강 길이 범위를 벗어난 부분에 세정 노즐들(382)이 추가로 설치될 수 있다. 나아가, 세정 노즐들(382)의 분사각이 세정 목표물에 따라서 서로 다르게 설정될 수도 있다.
전술한 기판 처리 장치(300) 및 이를 이용한 기판 처리 설비(10)에 따르면, 챔버(310) 내부의 이물질 또는 증기 등을 세정 매체 분사부(380)를 통해서 세정 매체를 분사하여 제거할 수 있다. 따라서, 기판 처리 장치(300)를 전체적으로 세정하기 전에도 수시로 또는 주기적으로 챔버(310) 내부의 이물질 또는 증기 등을 제거할 수 있다. 이에 따라, 기판 처리 장치(300) 및 이를 이용한 기판 처리 설비(10)의 운용 효율성이 향상되고, 기판(W)에 이물질 등이 낙하하는 것을 방지하여 공정 신뢰성이 향상될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 기판 처리 설비
100: 인덱스 모듈
200: 공정 처리 모듈
300: 기판 처리 장치
310: 챔버
320: 회수 용기부
340: 기판 지지부
370: 약액 토출부
380: 세정 매체 분사부

Claims (10)

  1. 기판을 처리할 수 있는 내부 공간이 형성된 챔버;
    상기 내부 공간에 회전 가능하게 설치되어, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부;
    상기 기판에 공정 처리를 위한 약액을 공급하는 약액 토출부;
    상기 기판 지지부를 둘러싸도록 상기 내부 공간에 설치되고, 비산되는 약액을 회수하기 위한 회수 용기부; 및
    상기 내부 공간에 설치되고, 상기 챔버의 내부를 세정하기 위한 세정 매체를 분사하기 위한 세정 매체 분사부를 포함하는,
    기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 매체 분사부는 상기 회수 용기부에서 상기 챔버의 벽면 방향으로 상기 세정 매체를 분사하도록 상기 회수 용기부의 외면에 설치되는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 회수 용기부는 상하로 승강되고,
    상기 세정 매체 분사부는 상기 회수 용기부의 상하 승강에 연동되어 상하로 승강되면서 상기 세정 매체를 분사할 수 있는,
    기판 처리 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 세정 매체 분사부는 상기 회수 용기부의 외면에 설치된 복수의 세정 노즐들을 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 세정 매체는 세정액 또는 세정 가스를 포함하고,
    상기 복수의 세정 노즐들은 세정액 또는 세정 가스를 분사하는,
    기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 세정액은 증류수를 포함하고,
    상기 세정 가스는 불활성 가스를 포함하는,
    기판 처리 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 복수의 세정 노즐들 중 일부는 세정액을 분사하고, 다른 일부는 세정 가스를 분사하는, 기판 처리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 회수 용기부는 복수의 보울들을 포함하고,
    상기 세정 매체 분사부는 상기 복수의 보울들 중 최외측에 배치된 보울의 외면에 설치되는, 기판 처리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 챔버의 바닥면에는 상기 세정 매체를 배기하기 위한 드레인부가 형성되는, 기판 처리 장치.
  10. 기판을 처리할 수 있는 내부 공간이 형성된 챔버;
    상기 내부 공간에 회전 가능하게 설치되어, 상기 기판을 지지하는 기판 지지부;
    상기 기판에 공정 처리를 위한 약액을 공급하는 약액 토출부;
    상기 기판 지지부를 둘러싸도록 상기 내부 공간에 설치되고, 비산되는 약액을 회수하기 위한 회수 용기부; 및
    상기 회수 용기부에서 상기 챔버의 벽면 방향으로 상기 세정 매체를 분사하도록 상기 회수 용기부의 외면에 설치되는 설치되고, 상기 챔버의 내부를 세정하기 위한 세정 매체를 분사하기 위한 세정 매체 분사부를 포함하고,
    상기 세정 매체 분사부는 상기 회수 용기부의 외면에 설치된 복수의 세정 노즐들을 포함하고,
    상기 세정 매체는 세정액 또는 세정 가스를 포함하고,
    상기 복수의 세정 노즐들은 세정액 또는 세정 가스를 분사하고,
    상기 챔버의 바닥면에는 상기 세정 매체를 배기하기 위한 드레인부가 형성되는,
    기판 처리 장치.


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