KR102648888B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR102648888B1
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송시내
김경민
나승은
정호진
박정은
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세메스 주식회사
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    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect

Abstract

본 발명의 기술적 사상은, 기판 지지 유닛 상에 안착된 기판 상에 유체를 분사하도록 구성된 제1 공급 유닛 및 제2 공급 유닛을 포함하고, 상기 제1 공급 유닛은, 회전하도록 구성된 제1 지지축에 연결되어, 상기 제1 지지축과 일체로 회전하는 제1 지지대; 상기 제1 지지대와 연결되고, 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 제1 각도만큼 꺾인 연결부재; 상기 연결부재와 연결되고, 상기 기판을 향해서 소정의 각도로 꺾인 제1 노즐을 포함하고, 상기 제1 지지대는 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 제2 각도만큼 회전하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 특히 기판을 세정하는 장치에 관한 것이다.
기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제, 초임계 유체, 또는 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 파티클에 의한 기판의 오염을 방지할 수 있는 장치를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은, 기판 지지 유닛 상에 안착된 기판 상에 유체를 분사하도록 구성된 제1 공급 유닛 및 제2 공급 유닛을 포함하고, 상기 제1 공급 유닛은, 회전하도록 구성된 제1 지지축에 연결되어, 상기 제1 지지축과 일체로 회전하는 제1 지지대; 상기 제1 지지대와 연결되고, 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 제1 각도만큼 꺾인 연결부재; 상기 연결부재와 연결되고, 상기 기판을 향해서 소정의 각도로 꺾인 제1 노즐을 포함하고, 상기 제1 지지대는 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 제2 각도만큼 회전하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 공급 유닛은, 회전하도록 구성된 제2 지지축에 연결되어, 상기 제2 지지축과 일체로 회전하는 제2 지지대; 상기 제2 지지대와 연결되고, 상기 기판을 향해서 소정의 각도로 꺾인 제2 노즐을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 노즐은 상기 기판 상에 IPA(이소프로필알코올), 크실렌, 또는 IPA와 HFE(하이드로플루오로에테르)의 혼합물을 공급하도록 구성된다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 지지대는 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 제3 각도만큼 회전하도록 구성되고, 상기 제3 각도는 상기 제2 각도보다 크다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 각도는, 0도보다 크고 90도보다 작다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 각도는, 0도보다 크고 90도보다 작다.
일 실시예에 따르면, 기판 지지 유닛은, 일 방향으로 회전 하도록 구성되고, 상기 제1 노즐은, 상기 기판 지지 유닛의 회전 방향과 동일한 방향으로 유체를 분사하도록 배치된다.
일 실시예에 따르면, 상기 유체는 DIW(Deionized water)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 노즐은, 상기 기판의 타겟 영역 상에 배치되고, 상기 타겟 영역은, 제1 반지름을 가지는 원판 형상인 상기 기판의 상면에서 제2 반지름을 가지는 원 모양의 영역이다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 반지름은 100mm 내지 500mm의 범위에 있고, 상기 제2 반지름은 50mm 내지 300mm 범위에 있으며, 상기 제2 반지름은 상기 제1 반지름보다 작다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은, 기판 지지 유닛 상에 안착된 기판 상에 유체를 분사하도록 구성된 제1 공급 유닛 및 제2 공급 유닛을 포함하고, 상기 제1 공급 유닛은, 회전하도록 구성된 제1 지지축에 연결되어, 상기 제1 지지축과 일체로 회전하는 제1 지지대; 상기 제1 지지대와 연결되고, 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 제1 각도만큼 꺾인 제1 연결부재; 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 제2 각도만큼 꺾인 제2 연결부재; 상기 제1 연결부재와 상기 제2 연결부재 사이에 배치되어 상기 제1 연결부재와 상기 제2 연결부재를 연결하는 제2 지지대; 및 상기 제2 연결부재와 연결되고, 상기 기판을 향해서 소정의 각도만큼 꺾인 제1 노즐을 포함하고, 상기 제1 지지대는 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 제3 각도만큼 회전하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 공급 유닛은, 회전하도록 구성된 제2 지지축에 연결되어, 상기 제2 지지축과 일체로 회전하는 제3 지지대; 상기 제3 지지대와 연결되고, 상기 기판을 향해서 소정의 각도로 꺾인 제2 노즐을 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제3 지지대는 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 제4 각도만큼 회전하도록 구성되고, 상기 제4 각도는 상기 제3 각도보다 크다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 노즐은 상기 기판 상에 IPA(이소프로필알코올), 크실렌, 또는 IPA와 HFE(하이드로플루오로에테르)의 혼합물을 공급하도록 구성된다.
일 실시예에 따르면, 상기 기판 지지 유닛은, 일 방향으로 회전 하도록 구성되고, 상기 제1 노즐은, 상기 기판 지지 유닛의 회전 방향과 동일한 방향으로 유체를 분사하도록 배치된다.
일 실시예에 따르면, 상기 유체는 DIW(Deionized water)를 포함한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 노즐은, 상기 기판의 타겟 영역 상에 배치되고, 상기 타겟 영역은, 제1 반지름을 가지는 원판 형상인 상기 기판의 상면에서 제2 반지름을 가지는 원 모양의 영역이다.
일 실시예에 따르면, 상기 제1 반지름은 100mm 내지 500mm의 범위에 있고, 상기 제2 반지름은 50mm 내지 300mm 범위에 있으며, 상기 제2 반지름은 상기 제1 반지름보다 작다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 기술적 사상은, 기판 지지 유닛 상에 안착된 기판 상에 유체를 분사하도록 구성된 제1 공급 유닛 및 제2 공급 유닛을 포함하고, 상기 제1 공급 유닛은, 회전하도록 구성된 제1 지지축에 연결되어, 상기 제1 지지축과 일체로 회전하는 제1 지지대; 상기 제1 지지대와 연결되고, 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 0도보다 크고 90도보다 작은 제1 각도만큼 꺾인 연결부재; 상기 연결부재와 연결되고, 상기 기판을 향해서 소정의 각도로 꺾인 제1 노즐을 포함하고, 상기 기판 지지 유닛은 일 방향으로 회전 하도록 구성되고, 상기 제1 노즐은 상기 기판 지지 유닛의 회전 방향과 동일한 방향으로 DIW를 분사하도록 배치되고, 상기 제1 노즐은, 상기 기판의 타겟 영역 상에 배치되고, 상기 타겟 영역은 100mm 내지 500mm 의 범위에 있는 제1 반지름을 가지는 원판 형상인 상기 기판의 상면에서, 50mm 내지 300mm 의 범위에 있고 상기 제1 반지름보다 작은 제2 반지름을 가지는 원 모양의 영역이고, 상기 제1 지지대는 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 0도보다 크고 90도보다 작은 제2 각도만큼 회전하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.
일 실시예에 따르면, 상기 제2 공급 유닛은, 회전하도록 구성된 제2 지지축에 연결되어, 상기 제2 지지축과 일체로 회전하는 제2 지지대; 및 상기 제2 지지대와 연결되고, 상기 기판을 향해서 소정의 각도로 꺾인 제2 노즐을 포함하고, 상기 제2 지지대는 상기 기판의 상면과 평행한 방향으로 상기 제2 각도보다 큰 제3 각도만큼 회전하도록 구성되고, 상기 제2 노즐은 상기 기판 상에 IPA(이소프로필알코올), 크실렌, 또는 IPA와 HFE(하이드로플루오로에테르)의 혼합물을 공급하도록 구성된다.
본 발명의 기술적 사상에 따른 기판 처리 장치는, 소정의 각도로 꺾인 연결부재를 가지는 공급 유닛을 포함한다. 기판의 세정 공정은 유체를 공급하는 복수개의 공급 유닛에 의해 수행될 수 있다. 공급 유닛이 소정의 각도로 꺾인 연결부재를 포함하므로, 복수개의 공급 유닛은 각각 회전할 때 서로 충돌하지 않을 수 있다. 따라서, 세정 공정에서 충돌을 방지하기 위한 추가적인 회전을 요구하지 않으므로, 지속적인 세정 공정을 수행할 수 있다. 이러한 지속적인 세정 공정으로 기판 상의 파티클의 발생을 더욱 최소화 할 수 있다.
본 발명을 통해 이뤄지는 기술적 효과들은 이상에서 언급한 기술적 효과들로 제한되지 않으며, 언급하지 않은 또 다른 기술적 효과들은 아래의 기재로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 설비를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 일반적인 기판 처리 장치의 작동 과정을 도시한 평면도들이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 공급 유닛을 도시한 사시도이다.
도 5a 내지 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 작동 과정을 도시한 평면도들이다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치의 효과를 나타내는 도면들이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 공급 유닛을 도시한 사시도이다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 작동 과정을 도시한 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 참조하여 상세하게 설명된다. 그러나, 본 발명은 하기에서 설명되는 실시예들에 한정된 바와 같이 구성되어야만 하는 것은 아니며 이와 다른 여러 가지 형태로 구체화될 수 있을 것이다. 하기의 실시예들은 본 발명이 온전히 완성될 수 있도록 하기 위하여 제공된다기보다는 본 발명의 기술 분야에서 숙련된 당업자들에게 본 발명의 범위를 충분히 전달하기 위하여 제공된다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 설비(1)를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가지고, 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가질 수 있다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열될 수 있다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제1 방향(x 방향)이라 한다. 상부에서 바라볼 때 제1 방향(x 방향)과 수직한 방향을 제2 방향(y 방향)이라 하고, 제1 방향(x 방향)과 제2 방향(y 방향)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제2 방향(y 방향)이라 한다.
로드포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2 방향(y 방향)을 따라 일렬로 배치될 수 있다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판(W)의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제2 방향(y 방향)을 복수 개가 제공될 수 있고, 기판은 제2 방향(y 방향)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치될 수 있다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가질 수 있다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제1 방향(x 방향)과 평행하게 배치될 수 있다. 제2 방향(y 방향)을 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버(260)들이 배치될 수 있다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버(260)들과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버(260)들은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치될 수 있다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치될 수 있다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들 이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1 방향(x 방향)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제2 방향(y 방향)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치될 수 있다. 버퍼유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판이 반송되기 전에 기판이 머무르는 공간을 제공할 수 있다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제2방향(y 방향)을 따라 이격되도록 복수 개 제공될 수 있다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방될 수 있다.
이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼유닛(220) 간에 기판을 반송할 수 있다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공될 수 있다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2 방향(y 방향)과 나란하게 제공될 수 있다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2 방향(y 방향)으로 직선 이동될 수 있다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가질 수 있다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치될 수 있다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합될 수 있다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제2 방향(y 방향)을 따라 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공될 수 있다. 인덱스암(144c)들은 제2 방향(y 방향)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정처리모듈(20)로 기판을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1 방향(x 방향)과 나란하도록 배치될 수 있다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1 방향(x 방향)을 따라 직선 이동될 수 있다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가질 수 있다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치될 수 있다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합될 수 있다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제2 방향(y 방향)을 따라 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공될 수 있다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공될 수 있다. 메인암(244c)들은 제2 방향(y 방향)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치될 수 있다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1 그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2 그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1 그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2 그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1 그룹의 공정챔버(260)와 제2 그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.
아래에서는 처리액을 이용하여 기판을 세정하는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 설명한다. 도 2는 기판 처리 장치(300)의 일 예를 보여주는 단면도이다. 도 2를 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 하우징(320), 지지 유닛(340), 승강유닛(360), 제 1 공급 유닛(380), 제 2 공급 유닛(390) 그리고 제어기(400)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 하우징(320)은 내부에 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방될 수 있다. 하우징(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)을 가질 수 있다. 각각의 회수통(322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수할 수 있다. 내부회수통(322)은 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공될 수 있다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능할 수 있다. 각각의 회수통(322, 324, 326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b, 324b, 326b)이 연결될 수 있다. 각각의 회수라인(322b, 324b, 326b)은 각각의 회수통(322, 324, 326)을 통해 유입된 처리액을 배출할 수 있다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 지지 유닛(340)은 하우징(320) 내에 제공될 수 있다. 지지 유닛(340)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(340)은 지지된 기판(W)을 회전시키는 기판 지지 유닛(340)로 제공될 수 있다. 일 실시 예에 따르면, 기판 지지 유닛(340)은 하우징(320) 내에 배치될 수 있다. 기판 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킬 수 있다. 기판 지지 유닛(340)은 몸체(342), 지지 핀(334), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 가질 수 있다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가질 수 있다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합될 수 있다. 지지 핀(334)은 복수 개 제공될 수 있다. 지지 핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출될 수 있다. 지지 핀(334)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치될 수 있다. 지지 핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지할 수 있다. 척 핀(346)은 복수 개 제공될 수 있다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지 핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치될 수 있다. 척 핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공될 수 있다. 척 핀(346)은 기판 지지 유닛(340)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지할 수 있다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공될 수 있다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치될 수 있다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉될 수 있다.
일 실시예에 따르면, 승강유닛(360)은 하우징(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킬 수 있다. 하우징(320) 이 상하로 이동됨에 따라 기판 지지 유닛(340)에 대한 하우징(320)의 상대 높이가 변경될 수 있다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가질 수 있다. 브라켓(362)은 하우징(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합될 수 있다. 기판(W)이 기판 지지 유닛(340)에 놓이거나, 기판 지지 유닛(340)로부터 들어올려 질 때 기판 지지 유닛(340)이 하우징(320)의 상부로 돌출되도록 하우징(320)은 하강될 수 있다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통으로 유입될 수 있도록 하우징(320)의 높이가 조절될 수 있다. 예컨대, 제1 처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 또한, 제2 처리액, 그리고 제3 처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 하우징(320) 대신 기판 지지 유닛(340)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 공급 유닛(380)은 기판 지지 유닛(340)에 놓인 기판(W) 상에 유체를 공급하는 제1 노즐(384)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 공급 유닛(380)은 제1 지지대(382), 제1 노즐(384), 제1 지지축(386), 및 제1 구동기(388)를 포함할 수 있다. 제2 공급 유닛(390)은 기판(W) 상에 유체를 공급하는 제2 노즐(394), 제2 지지대(392), 제2 지지축(386), 및 제2 구동기(398)를 포함할 수 있다. 제1 노즐(384) 및 제2 노즐(394)에는 처리액을 저장하는 저장 용기(371)가 공급라인을 통해 연결될 수 있다. 공급 라인에는 복수의 밸브(372,373)가 설치될 수 있다. 제2 공급 유닛(390)의 구성 및 구조는 제1 공급 유닛(380)의 구성 및 구조와 유사할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제어기(400)는 제1 노즐(384), 및 제2 노즐(394)의 액 토출 여부 및 제1 노즐(384) 및 제2 노즐(394)의 기판(W) 상의 공급 지점을 조절하도록 제1 노즐(384) 및 제2 노즐(394) 각각에 연결된 밸브(372, 373)와 구동기(388, 398)를 제어할 수 있다. 제어기(400)에 의해 제1 노즐(384) 및 제2 노즐(394)을 제어하여 기판 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)에 처리액을 공급하여 기판(W)을 처리하는 방법은 이후에 설명하도록 한다.
도 3a 내지 도 3c는 일반적인 기판 처리 장치의 작동 과정을 도시한 평면도들이다.
도 3a를 참고하면, 제1 공급 유닛(380c)은 기판 지지 유닛 상에 안착된 기판(W) 상에 유체를 분사하도록 구성될 수 있다. 제1 공급 유닛(380c)은 기판(W)의 상면 상에 배치되어, 기판(W) 상에 유체를 공급하는 제1 노즐(384), 및 지지축과 연결되어 일체로 회전하는 지지대(382)를 포함할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 기판(W)은 제2 반지름(R2)을 가지는 원판의 형상을 할 수 있고, 상면에 제1 반지름(R1)을 가지는 타겟 영역(41)을 가질 수 있다. 일차적으로 제1 공급 유닛(380c)은 기판(W) 상의 타겟 영역(41)에 유체를 공급하기 위해 회전할 수 있다. 구체적으로, 제1 공급 유닛(380c)의 지지축을 기준으로 제1 각도(θa)만큼 회전하여, 제1 노즐(384)이 기판(W)의 타겟 영역(41) 상에 배치되도록 할 수 있다. 이후, 제1 노즐(384)은 타겟 영역(41)에 DIW(Deionized water)를 포함하는 유체를 기판(W)의 타겟 영역(41) 상에 공급할 수 있다.
도 3b 및 도 3c를 참조하면, 제1 노즐(384)이 기판(W)의 타겟 영역(41) 상에 유체를 공급한 이후, 제1 공급 유닛(380c)은 다시 원 위치로 복귀할 수 있다. 제1 노즐(384)이 유체를 공급한 이후, 제2 공급 유닛(390)이 기판(W)의 타겟 영역(41) 상에 유체를 공급해야한다. 다만, 제1 노즐(384)이 타겟 영역(41) 상에 배치된 상태에서, 제2 공급 유닛(390)이 기판(W)을 향해 제2 각도(θb)만큼 회전하는 경우, 제2 공급 유닛(390)은 제1 공급 유닛(380c)과 충돌할 수 있다. 따라서, 제1 공급 유닛(380c)은 제2 공급 유닛(390)의 회전을 위해, 도 3a에서 회전했던 방향과 반대 방향으로 제1 각도(θa)만큼 회전할 수 있다. 다만 이러한 경우, 제2 공급 유닛(390)이 기판(W) 상에 유체를 공급할 때, 제1 공급 유닛(380)은 기판(W) 상에 DIW(Deionized water)를 포함하는 유체를 공급하지 못할 수 있다. 이때, 기판(W) 상에 존재하는 파티클의 처리 효율이 떨어진다는 문제점이 있을 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 제1 공급 유닛(380a)을 도시한 사시도이고, 도 5a 내지 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(300)의 작동 과정을 도시한 평면도들이다.
도 4, 도 5a, 및 도 5b를 참조하면, 기판 처리 장치(300a)는 기판 지지 유닛 상에 안착된 기판(W) 상에 유체를 분사하도록 구성된 제1 공급 유닛(380a) 및 제2 공급 유닛(390)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 공급 유닛(380a)은 회전하도록 구성된 제1 지지축(386)과 연결되어, 제1 지지축(386)과 일체로 회전하는 제1 지지대(382)를 포함할 수 있다. 제1 지지대(382)는 기판(W) 의 상면과 평행한 일 방향으로 연장될 수 있다. 제2 공급 유닛(390)은 회전하도록 구성된 제2 지지축(396, 이하 도 2 참고)에 연결되어 제2 지지축(396)과 일체로 회전하는 제2 지지대(392), 및 제2 지지대(292)와 연결되고 기판을 향해서 소정의 각도로 꺾인 제2 노즐(394)을 포함할 수 있다.
또한, 제1 공급 유닛(380a)은 제1 지지대(382)와 연결되고, 기판(W)의 상면과 평행한 방향으로 제1 각도(θa)만큼 꺾인 연결부재(383), 및 연결부재(383)와 연결된 제1 노즐(384)을 포함할 수 있다. 제1 노즐(384)은 연결부재(383)와 연결되고, 기판(W)을 향해서 소정의 각도(θb)로 꺾일 수 있다. 이때, 제1 각도(θa)는 0도보다 크고 90도보다 작을 수 있다.
도 5a 및 도 5b에 도시된 것처럼, 제1 공급 유닛(380a) 및 제2 공급 유닛(390)은 기판 지지 유닛 상에 안착된 기판(W) 상에 유체를 분사하도록 구성될 수 있다. 구체적으로, 제1 공급 유닛(380a)과 제2 공급 유닛(390)은 기판(W) 상의 타겟 영역(41)에 유체를 공급하도록 구성될 수 있다. 이때, 제1 공급 유닛(380a)이 공급하는 유체는 DIW(Deionized water)일 수 있고, 제2 공급 유닛(390)이 공급하는 유체는 IPA(이소프로필알코올), 크실렌, 또는 IPA와 HFE(하이드로플루오로에테르)의 혼합물일 수 있다. 도 2에 도시된 것처럼, 기판 지지 유닛(340)은 일 방향으로 회전 하도록 구성될 수 있고, 제1 공급 유닛(380a)의 제1 노즐(384)은 기판(W)의 상면으로 유체를 분사 할 수 있다. 이때, 제1 노즐(384)은 기판 지지 유닛(340)의 회전 방향과 동일한 방향으로 유체를 분사하도록 배치될 수 있다. 제1 노즐(384)이 기판 지지 유닛(340)의 회전 방향과 동일한 방향으로 유체를 분사함으로써, 세정 과정에서 기판(W)에 손상이 가해질 확률이 줄어들 수 있다.
일차적으로 제1 공급 유닛(380a)은 기판(W)의 타겟 영역(41) 상에 유체를 공급하기 위해 소정의 각도로 회전할 수 있다. 구체적으로, 제1 지지대(382)는 제1 지지축(386)을 기준으로, 기판(W)의 상면과 평행한 방향으로 제2 각도(θc)만큼 회전할 수 있다. 제1 지지대(382)가 제1 각도(θa)만큼 회전하면서 제1 노즐(384)은 타겟 영역(41) 상에 배치될 수 있다. 이때, 제1 노즐(384)이 타겟 영역(41) 상에 배치되기 위해서 제2 각도(θc)는 0도보다 크고 90도보다 작을 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 노즐(384)은 기판(W)의 타겟 영역(41) 상에 배치될 수 있고, 타겟 영역(41)은 제1 반지름(R1)을 가지는 원판 형상의 기판(W)의 상면에서 제2 반지름(R2)을 가지는 원 모양의 영역일 수 있다. 이때 제1 반지름(R1)은 100mm 내지 500mm의 범위에 있고, 제2 반지름(R2)은 50mm 내지 300mm 범위에 있을 수 있다. 제2 반지름(R2)은 제1 반지름(R1)보다 작을 수 있다. 따라서, 타겟 영역(41)은 기판(W)의 상면 상에서 포함되는 영역일 수 있다.
이후 제2 공급 유닛(390)은 기판(W)의 타겟 영역(41)상에 유체를 공급하기 위해 제3 각도(θd)만큼 회전 할 수 있다. 이때, 제2 지지대(392)는 기판(W)의 상면과 평행한 방향으로 제3 각도(θd)만큼 회전하도록 구성될 수 있다. 제3 각도(θd)는 제2 각도(θc)보다 클 수 있다. 제1 공급 유닛(380a)의 연결부재(383)가 제1 각도(θa)로 꺾여 있으므로, 제1 지지대(382)가 보다 작은 각도로 회전하더라도 제1 노즐(384)이 타겟 영역(41) 상에 배치될 수 있다. 따라서 제2 공급 유닛(390)이 제3 각도(θd)만큼 회전할 때, 제1 공급 유닛(380)과 충돌하지 않을 수 있다. 제1 공급 유닛(380a)은 도 3a 내지 도 3c에 도시된 제1 공급 유닛(380c)과 달리 원위치로 회전하지 않을 수 있다. 이로 인해, 제1 공급 유닛(380a)이 타겟 영역(41)에 유체를 지속적으로 공급하는 동안, 제2 공급 유닛(390)도 타겟 영역(41)에 유체를 공급할 수 있다. 제1 공급 유닛(380a)이 타겟 영역(41)에 유체를 지속적으로 공급함으로써, 세정 공정 시 기판(W) 상의 파티클의 발생을 더욱 최소화 할 수 있다.
도 6a 및 도 6b는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(300)의 효과를 나타내는 도면들이다. 구체적으로 도 6a는 도 3a 내지 도 3c에 도시된 기판 처리 장치의 작동 후 기판 상의 파티클을 나타내는 도면이고, 도 6b는 도 5a 및 도 5b에 도시된 기판 처리 장치의 작동 후 기판 상의 파티클을 나타내는 도면이다.
도 3a 내지 도 3c, 및 도 6a를 참조하면, 제2 공급 유닛(390)이 기판(W) 상에 유체를 공급할 때, 제1 공급 유닛(380c)은 기판(W) 상에 DIW를 공급하지 않는다. 따라서, 기판(W) 상에는 DIW에 의해 세척되지 않는 파티클들이 발생할 수 있다.
반면, 도 5a, 도 5b, 및 도 6b를 참고하면, 제2 공급 유닛(390)이 기판(W) 상에 유체를 공급할 때, 제1 공급 유닛(380a)은 기판(W) 상에 DIW를 공급할 수 있다. 제1 공급 유닛(380a)은 제1 각도(θa)로 꺾인 연결부재(383)를 포함하기 때문에 제2 공급 유닛(390)의 회전 시 충돌의 가능성이 적어질 수 있다. 따라서, 도 6b에 도시된 것처럼, 제1 공급 유닛(380a)의 지속적인 DIW 공급으로 인해 기판(W) 상에 파티클 발생이 방지될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 제1 공급 유닛(380b)을 도시한 사시도이고, 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치의 작동 과정을 도시한 평면도이다.
구체적으로, 다른 실시예에 따른 기판 처리 장치(300b)는 도 2, 도 5a, 및 도 5b에 도시된 기판 처리 장치(300a)와 비교하여 볼 때, 제1 공급 유닛(300b)의 구조를 제외하고는 유사하거나 동일할 수 있다. 따라서, 도 2에 도시된 기판 처리 장치(300a)와 중복되는 구성에 대한 설명은 도 2를 참조하여 하거나, 생략하도록 한다.
도 2, 도 7, 및 도 8을 참조하면, 기판 처리 장치(300b)는 기판 지지 유닛(340) 상에 안착된 기판(W) 상에 유체를 분사하도록 구성된 제1 공급 유닛(380b) 및 제2 공급 유닛(390)을 포함할 수 있다. 이때, 제1 공급 유닛(380b)은 회전하도록 구성된 제1 지지축(386)과 연결되어, 제1 지지축(386)과 일체로 회전하는 제1 지지대(382)를 포함할 수 있다. 제1 지지대(382)는 기판(W) 의 상면과 평행한 일 방향으로 연장될 수 있다. 제2 공급 유닛(390)은 회전하도록 구성된 제2 지지축(396, 이하 도 2 참고)에 연결되어 제2 지지축(396)과 일체로 회전하는 제2 지지대(392), 및 제2 지지대(292)와 연결되고 기판을 향해서 소정의 각도로 꺾인 제2 노즐(394)을 포함할 수 있다.
또한, 제1 공급 유닛(380b)은 제1 지지대(382)와 연결되고, 기판(W)의 상면과 평행한 방향으로 제1 각도(θa)만큼 꺾인 제1 연결부재(383), 및 기판의 상면과 평행한 방향으로 제2 각도(θb)만큼 꺾인 제2 연결부재(385)를 포함할 수 있다. 또한, 제1 공급 유닛(380b)은 제1 연결부재(383)와 제2 연결부재(385) 사이에 배치되어 제1 연결부재(383)와 제2 연결부재(385)를 연결하는 제2 지지대(387)를 포함할 수 있다. 이때, 제1 각도(θa) 및 제2 각도(θb)는 0도보다 크고 90도보다 작을 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 공급 유닛(380b)은 제2 연결부재(385)와 연결되고 기판(W)을 향해서 소정의 각도(θc)만큼 꺾인 제1 노즐(384)을 포함할 수 있다. 제1 노즐(384)은 제1 유체를 기판(W) 상에 공급할 수 있다. 제1 유체는 DIW일 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제1 노즐(384)은 기판(W)의 타겟 영역(41) 상에 배치될 수 있고, 타겟 영역(41)은 제1 반지름(R1)을 가지는 원판 형상의 기판(W)의 상면에서 제2 반지름(R2)을 가지는 원 모양의 영역일 수 있다. 이때 제1 반지름(R1)은 100mm 내지 500mm의 범위에 있고, 제2 반지름(R2)은 50mm 내지 300mm 범위에 있을 수 있다. 제2 반지름(R2)은 제1 반지름(R1)보다 작을 수 있다. 따라서, 타겟 영역(41)은 기판(W)의 상면 상에서 포함되는 영역일 수 있다. 제1 지지대(382)는 제1 노즐(384)이 타겟 영역(41) 상에 배치되도록 제3 각도만큼 회전할 수 있다. 이때 제3 각도는 도 5a에 도시된 것처럼, 제1 공급 유닛(380a)이 회전하는 제3 각도(θc)와 유사할 수 있다.
일 실시예에 따르면, 제2 공급 유닛(390)은 기판(W)의 타겟 영역(41)상에 유체를 공급하기 위해 제4 각도(θd)만큼 회전 할 수 있다. 이때, 제3 지지대(392)는 기판(W)의 상면과 평행한 방향으로 제4 각도(θd)만큼 회전하도록 구성될 수 있다. 제4 각도(θd)는 제1 공급 유닛(380b)이 회전하는 각도보다 클 수 있다. 제1 공급 유닛(380a)의 제1 연결부재(383)와 제2 연결부재(385)가 각각, 제1 각도(θa) 및 제2 각도(θb)로 꺾여 있으므로, 제1 지지대(382)가 보다 작은 각도로 회전하더라도 제1 노즐(384)이 타겟 영역(41) 상에 배치될 수 있다. 따라서 제2 공급 유닛(390)이 제4 각도(θd)만큼 회전할 때, 제1 공급 유닛(380b)과 충돌하지 않을 수 있다. 제1 공급 유닛(380b)은 도 3a 내지 도 3c에 도시된 제1 공급 유닛(380c)과 달리 원위치로 회전하지 않을 수 있다. 이로 인해, 제1 공급 유닛(380b)이 타겟 영역(41)에 유체를 지속적으로 공급하는 동안, 제2 공급 유닛(390)도 타겟 영역(41)에 유체를 공급할 수 있다. 제1 공급 유닛(380b)이 타겟 영역(41)에 유체를 지속적으로 공급함으로써, 세정 공정 시 기판(W) 상의 파티클의 발생을 더욱 최소화 할 수 있다.
이상에서와 같이 도면과 명세서에서 예시적인 실시예들이 개시되었다. 본 명세서에서 특정한 용어를 사용하여 실시예들을 설명되었으나, 이는 단지 본 개시의 기술적 사상을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 청구범위에 기재된 본 개시의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 개시의 진정한 기술적 보호범위는 첨부된 청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
W: 기판 41: 타겟 영역
300: 기판 처리 장치 380a, 380b, 380c: 제1 공급 유닛
382: 제1 지지대 383: 연결부재
384: 제1 노즐 386: 제1 지지축
390: 제2 공급 유닛 392: 제2 지지대
394: 제2 노즐 396: 제2 지지축

Claims (20)

  1. 기판 지지 유닛 상에 안착된 기판 상에 유체를 분사하도록 구성된 제1 공급 유닛 및 제2 공급 유닛을 포함하고,
    상기 제1 공급 유닛은,
    회전하도록 구성된 제1 지지축에 연결되어, 상기 제1 지지축과 일체로 회전하는 제1 지지대;
    상기 제1 지지대와 연결되고, 상기 기판을 평면도에서 보았을 때 상기 제1 지지대와 제1 각도를 이루도록 절곡된 연결부재; 및
    상기 연결부재와 연결된 제1 노즐을 포함하고,
    상기 제2 공급 유닛은,
    회전하도록 구성된 제2 지지축에 연결되어, 상기 제2 지지축과 일체로 회전하는 제2 지지대; 및
    상기 제2 지지대와 연결된 제2 노즐을 포함하고,
    상기 제1 지지대는 상기 기판을 평면도에서 보았을 때 상기 제1 지지축을 중심으로 제2 각도만큼 회전하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐은 상기 기판을 향해서 소정의 각도로 꺾인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 노즐은 상기 기판 상에 IPA(이소프로필알코올), 크실렌, 또는 IPA와 HFE(하이드로플루오로에테르)의 혼합물을 공급하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 지지대는 상기 기판을 평면도에서 보았을 때 상기 제2 지지축을 중심으로 제3 각도만큼 회전하도록 구성되고, 상기 제3 각도는 상기 제2 각도보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 각도는,
    0도보다 크고 90도보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 제2 각도는,
    0도보다 크고 90도보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛은, 일 방향으로 회전 하도록 구성되고,
    상기 제1 노즐은, 상기 기판 지지 유닛의 회전 방향과 동일한 방향으로 유체를 분사하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제7 항에 있어서,
    상기 유체는 DIW(Deionized water)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 제1 노즐은, 상기 기판의 타겟 영역 상에 배치되고,
    상기 타겟 영역은, 제1 반지름을 가지는 원판 형상인 상기 기판의 상면에서 제2 반지름을 가지는 원 모양의 영역인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 제1 반지름은 100mm 내지 500mm의 범위에 있고, 상기 제2 반지름은 50mm 내지 300mm 범위에 있으며,
    상기 제2 반지름은 상기 제1 반지름보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  11. 기판 지지 유닛 상에 안착된 기판 상에 유체를 분사하도록 구성된 제1 공급 유닛 및 제2 공급 유닛을 포함하고,
    상기 제1 공급 유닛은,
    회전하도록 구성된 제1 지지축에 연결되어, 상기 제1 지지축과 일체로 회전하는 제1 지지대;
    상기 제1 지지대와 연결되고 상기 기판을 평면도에서 보았을 때 상기 제1 지지대와 제1 각도를 이루도록 절곡된 제1 연결부재;
    상기 제1 연결부재와 연결된 제2 지지대;
    상기 기판을 평면도에서 보았을 때 상기 제2 지지대와 제2 각도를 이루도록 절곡된 제2 연결부재; 및
    상기 제2 연결부재와 연결된 제1 노즐을 포함하고,
    상기 제2 공급 유닛은,
    회전하도록 구성된 제2 지지축에 연결되어, 상기 제2 지지축와 일체로 회전하는 제3 지지대; 및
    상기 제3 지지대와 연결된 제2 노즐을 포함하고,
    상기 제1 지지대는 상기 기판을 평면도에서 보았을 때 상기 제1 지지축을 중심으로 제3 각도만큼 회전하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제3 지지대는, 상기 기판을 평면도에서 보았을 때 상기 제2 지지축을 중심으로 방사 방향을 따라 연장되고, 상기 제2 노즐은 상기 방사 방향을 향해 조준된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 제3 지지대는 상기 기판을 평면도에서 보았을 때 상기 제2 지지축을 중심으로 제4 각도만큼 회전하도록 구성되고, 상기 제4 각도는 상기 제3 각도보다 큰 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐은 상기 기판을 향해서 소정의 각도로 꺾인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  15. 제11 항에 있어서,
    상기 기판 지지 유닛은, 일 방향으로 회전 하도록 구성되고,
    상기 제1 노즐은, 상기 기판 지지 유닛의 회전 방향과 동일한 방향으로 유체를 분사하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 유체는 DIW(Deionized water)를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  17. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 노즐은, 상기 기판의 타겟 영역 상에 배치되고,
    상기 타겟 영역은, 제1 반지름을 가지는 원판 형상인 상기 기판의 상면에서 제2 반지름을 가지는 원 모양의 영역인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 반지름은 100mm 내지 500mm의 범위에 있고, 상기 제2 반지름은 50mm 내지 300mm 범위에 있으며,
    상기 제2 반지름은 상기 제1 반지름보다 작은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  19. 기판 지지 유닛 상에 안착된 기판 상에 유체를 분사하도록 구성된 제1 공급 유닛 및 제2 공급 유닛을 포함하고,
    상기 제1 공급 유닛은,
    회전하도록 구성된 제1 지지축에 연결되어, 상기 제1 지지축과 일체로 회전하는 제1 지지대;
    상기 제1 지지대와 연결되고, 상기 기판을 평면도에서 보았을 때 상기 제1 지지대와 0도보다 크고 90도보다 작은 제1 각도를 이루도록 절곡된 연결부재; 및
    상기 연결부재와 연결된 제1 노즐을 포함하고,
    상기 제2 공급 유닛은,
    회전하도록 구성된 제2 지지축에 연결되어, 상기 제2 지지축과 일체로 회전하는 제2 지지대; 및
    상기 제2 지지대와 연결된 제2 노즐을 포함하고,
    상기 기판 지지 유닛은 일 방향으로 회전 하도록 구성되고, 상기 제1 노즐은 상기 기판 지지 유닛의 회전 방향과 동일한 방향으로 DIW를 포함하는 유체를 분사하도록 배치되고,
    상기 제1 노즐은, 상기 기판의 타겟 영역 상에 배치되고, 상기 타겟 영역은 100mm 내지 500mm 의 범위에 있는 제1 반지름을 가지는 원판 형상인 상기 기판의 상면에서, 50mm 내지 300mm 의 범위에 있고 상기 제1 반지름보다 작은 제2 반지름을 가지는 원 모양의 영역이고,
    상기 제1 지지대는 상기 기판을 평면도에서 보았을 때 상기 제1 지지축을 중심으로 0도보다 크고 90도보다 작은 제2 각도만큼 회전하도록 구성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 제1 노즐 및 상기 제2 노즐은 상기 기판을 향해서 소정의 각도로 꺾이고,
    상기 제2 지지대는, 상기 기판을 평면도에서 보았을 때 상기 제2 지지축을 중심으로 방사 방향을 따라 연장되고, 상기 제2 노즐은 상기 방사 방향을 향해 조준된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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