KR102283587B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 처리공간을 제공하는 컵, 상기 처리공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛,
상기 기판 지지 유닛에 제공되는 상기 기판의 상면에 제 1 액을 분사하는 상부 노즐, 상기 기판 지지 유닛에 제공되는 상기 기판의 하면에 제 2 액을 분사하는 하부 노즐 및 상기 상부 노즐 및 하부 노즐을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 기판 처리시 상기 상부 노즐과 상기 하부 노즐로부터 동시에 상기 제 1 액과 상기 제 2 액을 분사하되, 상기 제 2 액이 상기 제 1 액보다 먼저 상기 기판에 분사되도록 상기 상부 노즐과 상기 하부 노즐을 제어한다.
본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은 패턴면이 하부를 향하도록 제공된 기판을 회전시키고, 상기 기판의 상면에 제 1 액을 공급하고 이와 동시에 상기 기판의 하면에 제 2 액을 공급하여 상기 기판을 처리하되, 상기 제 2 액의 공급이 상기 제 1 액의 공급보다 먼저 이루어진다.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Apparatus and method for processing substrate}

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로, 구체적으로 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미칼을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미칼을 제거하는 린스 공정, 그리고 유기 용제, 초임계 유체, 또는 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다.

기판의 패턴면이 하부로 향하게 하여 기판을 처리함에 있어서, 기판의 패턴면에 오염물에 노출된다. 기판 세정시 기판의 상면만 세정을 하는 경우 기판 하면이 오염된다. 또한, 기판의 상면을 세정한 세정액이 기판 하면으로 흘러들어가 기판의 패턴면이 오염된다.

본 발명의 기술적 과제는 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 기술적 과제는 기판의 패턴면을 효율적으로 세정하는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 기판을 처리하는 처리공간을 제공하는 컵, 상기 처리공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛,

상기 기판 지지 유닛에 제공되는 상기 기판의 상면에 제 1 액을 분사하는 상부 노즐, 상기 기판 지지 유닛에 제공되는 상기 기판의 하면에 제 2 액을 분사하는 하부 노즐 및 상기 상부 노즐 및 하부 노즐을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는 기판 처리시 상기 상부 노즐과 상기 하부 노즐로부터 동시에 상기 제 1 액과 상기 제 2 액을 분사하되, 상기 제 2 액이 상기 제 1 액보다 먼저 상기 기판에 분사되도록 상기 상부 노즐과 상기 하부 노즐을 제어한다.

일 예에 의하여, 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판의 패턴면이 아래를 향하도록 상기 기판을 반전시키는 반전 유닛을 더 포함한다.

일 예에 의하여, 상기 제 1 액과 상기 제 2 액은 동일한 액이다.

일 예에 의하여, 상기 제 1 액 및 상기 제 2 액은 순수이다.

일 예에 의하여, 상기 상부 노즐은 상기 기판의 상면의 중심과 상기 기판의 가장자리 사이에 제 1 액을 분사하는 미들 노즐을 포함한다.

일 예에 의하여, 상기 상부 노즐은 상기 기판의 상면의 중심을 향해 제 1 액을 분사하는 중심 노즐을 포함한다.

일 예에 의하여, 상기 하부 노즐은 상기 기판의 하면의 중심을 향해 제 2 액을 분사한다.

본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 방법은 패턴면이 하부를 향하도록 제공된 기판을 회전시키고, 상기 기판의 상면에 제 1 액을 공급하고 이와 동시에 상기 기판의 하면에 제 2 액을 공급하여 상기 기판을 처리하되, 상기 제 2 액의 공급이 상기 제 1 액의 공급보다 먼저 이루어진다.

일 예에 의하여, 상기 제 1 액과 상기 제 2 액은 동일한 액이다.

일 예에 의하여, 상기 제 1 액 및 상기 제 2 액은 순수이다.

일 예에 의하여, 상기 기판 상면의 중심에 제 1 액을 분사한다.

일 예에 의하여, 상기 기판 상면의 중심 및 상기 기판 상면의 중심과 상기 기판의 가장자리 사이에 제 1 액을 분사한다.

일 예에 의하여, 상기 기판의 하면의 중심을 향해 제 2 액을 분사한다.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 하부 노즐로 기판을 향해 액을 분사하여 기판의 패턴면의 오염을 방지할 수 있다.

본 발명의 일 실시 예에 따르면, 하부 노즐로 먼저 기판의 패턴면을 세정하여 기판의 상면을 세정한 오염물이 기판의 패턴면으로 흐르는 것을 방지할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 예에 따른 기판 처리 설비의 일 예를 개략적으로 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 설비에 제공된 기판 처리 장치의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 3a 내지 도 3c는 상부 노즐 및 하부 노즐을 이용하여 기판을 세정하는 것을 보여주는 도면이다.
도 4는 상부 노즐 및 하부 노즐의 분사 순서를 나타낸 그래프이다.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.

도 1은 본 발명의 일 예에 따른 기판 처리 설비(1)의 일 예를 개략적으로 나타낸 평면도이다.

도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스모듈(10)과 공정처리모듈(20)을 가지고, 인덱스모듈(10)은 로드포트(120) 및 이송프레임(140)을 가진다. 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드포트(120), 이송프레임(140), 그리고 공정처리모듈(20)이 배열된 방향을 제 1 방향(12)이라 한다. 그리고 상부에서 바라볼 때 제1방향(12)과 수직한 방향을 제 2 방향(14)이라 하고, 제 1 방향(12)과 제 2 방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제 3 방향(16)이라 한다.

로드포트(140)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제 2 방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드포트(120)의 개수는 공정처리모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제 3 방향(16)을 복수 개가 제공되고, 기판은 제 3 방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어 내에 위치된다. 캐리어(130)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.

공정처리모듈(20)은 버퍼유닛(220), 이송챔버(240), 그리고 공정챔버(260)를 가진다. 이송챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 제 2 방향(14)를 따라 이송챔버(240)의 일측 및 타측에는 각각 공정챔버들(260)이 배치된다. 이송챔버(240)의 일측에 위치한 공정챔버들(260)과 이송챔버(240)의 타측에 위치한 공정챔버들(260)은 이송챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공된다. 공정챔버(260)들 중 일부는 이송챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송챔버(240)의 일측에는 공정챔버(260)들이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제 1 방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이고, B는 제 3 방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정챔버(260)의 수이다. 이송챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 공정챔버(260)는 이송챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.

버퍼유닛(220)은 이송프레임(140)과 이송챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송챔버(240)와 이송프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제 3 방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼유닛(220)에서 이송프레임(140)과 마주보는 면과 이송챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.

이송프레임(140)은 로드포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제 2 방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정처리모듈(20)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정처리모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.

이송챔버(240)는 버퍼유닛(220)과 공정챔버(260) 간에, 그리고 공정챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송챔버(240)에는 가이드레일(242)과 메인로봇(244)이 제공된다. 가이드레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인로봇(244)은 가이드레일(242) 상에 설치되고, 가이드레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 버퍼유닛(220)에서 공정챔버(260)로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)과 공정챔버(260)에서 버퍼유닛(220)으로 기판을 반송할 때 사용되는 메인암(244c)은 서로 상이할 수 있다.

공정챔버(260) 내에는 기판(W)에 대해 세정 공정을 수행하는 기판처리장치(300)가 제공된다. 각각의 공정챔버(260) 내에 제공된 기판처리장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 각각의 공정챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판처리장치(300)들은 서로 동일한 구조를 가지고, 상이한 그룹에 속하는 공정챔버(260)에 제공된 기판처리장치(300)들은 서로 상이한 구조를 가질 수 있다. 예컨대, 공정챔버(260)가 2개의 그룹으로 나누어지는 경우, 이송챔버(240)의 일측에는 제1그룹의 공정챔버들(260)이 제공되고, 이송챔버(240)의 타측에는 제2그룹의 공정 챔버들(260)이 제공될 수 있다. 선택적으로 이송챔버(240)의 일측 및 타측 각각에서 하층에는 제1그룹의 공정챔버(260)들이 제공되고, 상층에는 제2그룹의 공정챔버(260)들이 제공될 수 있다. 제1그룹의 공정챔버(260)와 제2그룹의 공정챔버(260)는 각각 사용되는 케미컬의 종류나, 세정 방식의 종류에 따라 구분될 수 있다.

도 2는 도 1의 기판 처리 설비(1)에 제공된 기판 처리 장치(300)의 일 예를 보여주는 단면도이다.

도 2를 참조하면, 기판처리장치(300)는 컵(320), 스핀헤드(340), 승강유닛(360), 분사부재(380), 반전 유닛(370) 및 제어기(미도시)를 가진다. 컵(320)은 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 컵(320)은 내부회수통(322), 중간회수통(324) 및 외부회수통(326)을 포함한다. 각각의 회수통 (322,324,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부회수통(322)은 스핀헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 중간회수통(324)은 내부회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부회수통(326)은 중간회수통(324)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부회수통(322)의 내측공간(322a), 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a) 그리고 중간회수통 (324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)은 각각 내부회수통(322), 중간회수통(324), 그리고 외부회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,324,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,324b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인 (322b,324b,326b)은 각각의 회수통(322,324,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.

상부 노즐(328,329)은 기판(W) 상에 제 1 액을 분사한다. 예를 들어, 제 1 액은 순수일 수 있다. 상부 노즐(328)은 컵(320) 상에 고정결합된다. 상부 노즐(328,329)은 기판 지지 유닛(340) 보다 높은 위치에 배치된다. 상부 노즐(328,329)는 미들 노즐(328) 및 중심 노즐(329)을 포함한다. 중심 노즐(329)은 기판(W)의 중심을 향해 제 1 액을 분사한다. 미들 노즐(328)은 기판(W)의 상면의 중심과 기판(W)의 가장자리 사이에 제 1 액을 분사한다.

스핀헤드(340)는 컵(320) 내에 배치된다. 스핀헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀헤드(340)는 몸체(342), 지지 핀(334), 척 핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지 핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지 핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지 핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척 핀(346)은 복수 개 제공된다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지 핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척 핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척 핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판의 측부를 지지한다. 척 핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기 위치와 지지 위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기 위치는 지지 위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척 핀(346)은 대기 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척 핀(346)은 지지 위치에 위치된다. 지지 위치에서 척 핀(346)은 기판의 측부와 접촉된다.

하부 노즐(347)은 기판(W)의 하면을 향해 제 2 액 분사한다. 예를 들어, 제 1 액과 제 2 액은 동일한 액일 수 있다. 예를 들어, 제 2 액은 순수일 수 있다. 하부 노즐(347)은 몸체(342)의 중심축에 제공된다. 하부 노즐(347)은 몸체(342)에서 상부를 향해 돌출되어 있다. 하부 노즐(347)은 기판 하면의 중심을 향해 제 2 액을 분사한다.

승강유닛(360)은 컵(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 컵(320)이 상하로 이동됨에 따라 스핀헤드(340)에 대한 컵(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 컵(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀헤드(340)에 놓이거나, 스핀헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀헤드(340)가 컵(320)의 상부로 돌출되도록 컵(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 컵(320)의 높이가 조절한다. 예컨대, 제1처리액으로 기판(W)을 처리하고 있는 동안에 기판(W)은 내부회수통(322)의 내측공간(322a)과 대응되는 높이에 위치된다. 또한, 제2처리액, 그리고 제3처리액으로 기판(W)을 처리하는 동안에 각각 기판(W)은 내부회수통(322)과 중간회수통(324)의 사이 공간(324a), 그리고 중간회수통(324)과 외부회수통(326)의 사이 공간(326a)에 대응되는 높이에 위치될 수 있다. 상술한 바와 달리 승강유닛(360)은 컵(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.

분사부재(380)는 기판처리공정 시 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 분사부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대 (382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 컵(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 컵(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치이다. 분사부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사부재(380)가 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 또는 유기용제는 서로 상이한 분사부재(380)를 통해 제공될 수 있다. 린스액은 순수일 수 있고, 유기용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.

반전 유닛(370)은 기판(W)의 패턴면이 아래를 향하도록 기판(W)을 반전해서 스핀 헤드(340)에 로딩시킨다. 반전 유닛(370)은 컵(320)의 외부에 위치된다. 반전 유닛(370)은 홀딩부(376), 반전부(374) 및 승강부(372)를 포함한다. 홀딩부(376)는 피처리체인 기판(W)을 로딩한다. 반전부(374)는 홀딩부(376)를 180도 반전시키기 위한 것으로 모터와 같은 구동 장치가 사용된다. 승강부(372)는 반전부(374)를 프레임상에서 수직방향으로 승강시키기 위한 것이다. 승강부 (372)에는 직선 구동 장치가 사용될 수 있다. 예를 들어, 직선 구동 장치는 실린더, 리니어 모터 및 모터를 이용한 리드스크류를 포함한다. 반전 유닛(370)의 홀딩부(376)에는 반전하고자 하는 기판(W)뿐만 아니라 일시적으로 대기하고자 하는 기판(W)이 놓여질 수 있는 버퍼 기능을 동시에 수행할 수 있다.

제어기(미도시)는 상부 노즐(328,329) 및 하부 노즐(347)을 제어한다. 제어기(미도시)는 기판(W) 처리시 상부 노즐(328)과 하부 노즐(347)로부터 동시에 제 1 액과 제 2 액을 분사하되, 제 2 액이 제 1 액보다 먼저 기판(W)에 분사되도록 상부 노즐(328,329)과 하부 노즐(347)을 제어한다. 일 예로, 하부 노즐(347)이 제 2 액을 분사한 후 상부 노즐(328,329)이 제 1 액을 분사한다. 다른 예로, 하부 노즐(347)이 제 2 액을 분사한 후 상부 노즐(328,329)중 중심 노즐(329)이 제 1 액을 분사하고, 미들 노즐(328)이 마지막으로 제 1 액을 분사한다. 이 때, 미들 노즐(328)은 기판(W)의 상면의 중심과 기판(W)의 가장자리 사이에 제 1 액을 분사한다. 중심 노즐(329)은 기판(W)의 중심을 향해 제 1 액을 분사한다. 하부 노즐(347)이 상부 노즐(328,239)보다 먼저 분사하여, 기판(W) 상면을 세정한 오염물이 기판(W)의 패턴면으로 흘러 들어오는 것을 방지한다.

도 3a 내지 도 3c는 상부 노즐(328,329) 및 하부 노즐(347)을 이용하여 기판(W)을 세정하는 것을 보여주는 도면이다.

도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 하부 노즐(347)이 기판(W) 하면의 중심을 향해 제 2 액을 분사한다. 제 2 액이 기판(W)의 하면에 분사되어 기판(W)의 하면상에 수막이 형성된다. 중심 노즐(329)이 먼저 기판의 상면을 향해 제 1 액을 분사한다. 그 후에, 미들 노즐(328)이 기판(W)의 상면의 중심과 기판(W)의 가장자리 사이에 제 1 액을 분사한다. 제 1 액에 의해 기판(W) 상면상에 수막이 형성된다. 하부 노즐(347)이 분사한 제 2 액에 의해 형성된 수막이 기판(W)의 패턴면이 오염되는 것을 방지한다. 도 4의 경우, 시간이 t1일 때, 하부 노즐(347)은 기판(W) 하면의 중심을 향해 제 2 액을 분사한다. 시간이 t2일 때, 중심 노즐(329)이 기판(W)의 상면을 향해 제 1 액을 분사한다. 시간이 t3일 때, 미들 노즐(328)이 기판(W)의 상면의 중심과 기판(W)의 가장자리 사이에 제 1 액을 분사한다. 기판(W)의 세정이 끝나면 상부 노즐(328,329) 및 하부 노즐(347)은 제 1 액 및 제 2 액 각각의 분사를 멈춘다.

Claims (13)

1. 기판 처리 장치에 있어서,
   기판을 처리하는 처리공간을 제공하는 컵;
   상기 처리공간 내에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛;
   상기 컵에 제공되고 상기 기판의 상면에 제 1 액을 분사하는 상부 노즐;
   상기 기판 지지 유닛에 제공되고 상기 기판의 하면에 제 2 액을 분사하는 하부 노즐; 및
   상기 상부 노즐 및 하부 노즐을 제어하는 제어기를 포함하되,
   상기 제어기는 기판 처리시 상기 상부 노즐과 상기 하부 노즐로부터 상기 제 1 액과 상기 제 2 액을 분사하되, 상기 제 2 액이 상기 제 1 액보다 먼저 상기 기판에 분사되도록 상기 상부 노즐과 상기 하부 노즐을 제어하고,
   상기 상부 노즐은 상기 기판의 상면의 중심 영역과 상기 기판의 가장자리 영역 사이에 위치되는 미들 영역에 상기 제 1 액을 분사하는 미들 노즐과, 상기 기판의 상면의 중심 영역으로 상기 제 1 액을 분사하는 중심 노즐을 포함하고,
   상기 제어기는 기판 처리시 상기 중심 노즐로부터 상기 중심 영역으로 상기 제 1 액이 먼저 공급되고, 이후에 상기 미들 노즐로부터 상기 미들 영역에 상기 제 1 액이 공급되도록 상기 중심 노즐과 상기 미들 노즐을 제어하는 기판 처리 장치.
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 기판 처리 장치는,
   상기 기판의 패턴면이 아래를 향하도록 상기 기판을 반전시키는 반전 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치.
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 제 1 액과 상기 제 2 액은 동일한 액인 기판 처리 장치.
4. 제 3 항에 있어서,
   상기 제 1 액 및 상기 제 2 액은 순수인 기판 처리 장치.
5. 삭제
6. 삭제
7. 제 1 항에 있어서,
   상기 하부 노즐은 상기 기판의 하면의 중심을 향해 제 2 액을 분사하는 기판 처리 장치.
8. 기판 처리 방법에 있어서,
   패턴면이 하부를 향하도록 제공된 기판을 회전시키고, 상기 기판의 상면에 제 1 액을 공급하고, 상기 기판의 하면에 제 2 액을 공급하여 상기 기판을 처리하되, 상기 제 2 액의 공급이 상기 제 1 액의 공급보다 먼저 이루어지고,
   상기 기판의 상면에 상기 제 1 액을 공급하는 것은,
   상기 기판의 상면의 중심 영역에 상기 제 1 액이 공급되는 제1단계와,
   상기 기판의 상면의 중심 영역과 상기 기판의 상면의 가장자리 영역 사이에 위치되는 미들 영역에 상기 제 1 액이 공급되는 제2단계를 포함하고,
   상기 제2단계는 상기 제1단계 이후에 수행되는 기판 처리 방법.
9. 제 8 항에 있어서,
   상기 제 1 액과 상기 제 2 액은 동일한 액인 기판 처리 방법.
10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 액 및 상기 제 2 액은 순수인 기판 처리 방법.
11. 삭제
12. 삭제
13. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 2 액을 상기 기판의 하면의 중심을 향해 분사하는 기판 처리 방법.
    
    

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