KR102331356B1 - 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 바울과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛과; 상기 노즐을 세정하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 세정 유닛은, 상기 바울의 상면 외측에 설치되고, 세정액이 수용되는 수용 공간을 형성하는 세정 브라켓을 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법{Apparatus for treating substrate, and nozzle cleaning method}
본 발명은 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법에 관한 것이다.
반도체 소자가 고밀도, 고집적화, 고성능화됨에 따라 회로 패턴의 미세화가 급속히 진행됨으로써, 기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미치게 된다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하게 대두되고 있으며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 포토레지스트를 제거하기 위해 다양한 약액이 사용되며 약액은 분사 노즐을 통해 기판으로 공급된다. 이와 같이 약액을 공급하여 기판을 처리하는 공정을 하는 경우, 분사 노즐의 토출단이 오염된다. 그 원인으로 분사 노즐의 토출단은 약액의 비산, 약액 흄(Fume)의 누적 등이 있다.
이러한 분사 노즐의 토출단을 세정하기 위해서는 유지 보수 단계에서 분사 노즐을 세정하는 방법이 있다. 그러나, 유지 보수 단계가 수행되기 전 분사 노즐의 토출단에 부착된 오염 물질은 기판 처리의 불량을 야기한다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 노즐 세정 후 이동되면서 노즐에 파티클 등의 오염물질이 부착되는 것을 최소화 할 수 있는 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 노즐 세정 시간을 단축할 수 있는 기판 처리 장치, 그리고 노즐 세정 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명의 목적은 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 바울과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛과; 상기 노즐을 세정하는 세정 유닛을 포함하되, 상기 세정 유닛은, 상기 바울의 상면 외측에 설치되고, 세정액이 수용되는 수용 공간을 형성하는 세정 브라켓을 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 세정 유닛은, 상기 수용 공간으로 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인을 포함하고, 상기 바울에는 상기 수용 공간에 수용된 세정액이 회수되는 회수홀이 형성될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 세정 유닛은, 상기 수용 공간으로 건조 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 노즐은 기판에 대해 처리액을 토출하는 공정 위치와 기판에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 상기 노즐이 대기하는 대기 위치 간에 이동되고, 상기 세정 브라켓은, 상기 노즐이 상기 공정 위치에서 상기 대기 위치로 이동되는 경로 상에 설치되고, 상기 수용 공간은 그 상부가 개방될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치는, 상기 액 공급 유닛과 상기 세정 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 노즐이 상기 공정 위치에서 상기 대기 위치 사이를 도중에 상기 수용 공간에서 상기 노즐의 토출단이 세정되도록 상기 액 공급 유닛과 상기 세정 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 바울은, 상기 지지 유닛을 감싸는 내부 회수통과; 상기 내부 회수통을 감싸는 외부 회수통을 포함하되, 상기 세정 브라켓은 상기 외부 회수통의 외측 상부에 제공되고, 상기 회수홀은 상기 내부 회수통과 상기 외부 회수통의 사이 공간과 연통될 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 장치는, 상기 세정 유닛과 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 수용 공간에서 상기 세정액이 설정 높이까지 차오르도록 상기 세정액 공급 라인이 상기 세정액을 공급하고, 상기 노즐이 이동 중에 상기 수용 공간에 수용된 세정액에 상기 노즐의 토출단이 잠기도록 상기 세정 유닛과 상기 액 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 수용 공간 내 세정액은 상기 회수홀을 통해 상기 바울의 상면을 관통하여 상기 상면의 아래로 흐르고, 상기 제어기는, 상기 세정액이 상기 설정 높이까지 차오른 이후, 상기 세정액 공급 라인이 공급하는 상기 세정액의 단위 시간당 공급 유량과 상기 회수홀로 유출되는 세정액의 단위 시간당 유출 유량이 같도록 상기 세정 유닛을 제어할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판에 처리액을 공급하는 노즐을 세정하는 방법을 제공한다. 노즐을 세정하는 방법은, 기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 바울의 외측 상면에 설치되는 세정 브라켓이 형성하는 수용 공간에 세정액을 공급하고, 상기 노즐의 토출단을 상기 수용 공간에 공급된 세정액에 잠겨 상기 노즐을 세정할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 바울에는 상기 수용 공간에 수용된 세정액이 회수되는 회수홀이 형성되고, 상기 수용 공간에 상기 세정액이 설정 높이까지 차오르도록 상기 세정액을 공급하고, 상기 세정액이 상기 설정 높이까지 차오른 이후 상기 수용 공간으로 공급되는 상기 세정액의 단위 시간당 공급 유량과 상기 회수홀로 유출되는 상기 세정액의 단위 시간당 유출 유량이 같을 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 수용 공간에 상기 세정액의 공급을 중단하고 설정된 시간이 경과한 이후 상기 노즐의 토출단에 건조 가스를 분사할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 노즐은 기판에 대해 처리액을 토출하는 공정 위치와 기판에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 상기 노즐이 대기하는 대기 위치 간에 이동되고, 상기 노즐이 상기 공정 위치와 상기 대기 위치 간에 이동되는 도중에 상기 노즐의 세정이 이루어질 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 노즐이 상기 공정 위치와 상기 대기 위치 간에 이동되는 도중에 아래로 이동되어 상기 수용 공간 내의 세정액에 상기 토출단이 잠길 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 세정액의 수면의 상단은 상기 세정 브라켓의 상단보다 높게 위치되고, 상기 노즐은 그 토출단이 상기 세정 브라켓의 상단보다 높고 상기 세정액의 수면의 상단보다 낮은 높이에 위치된 상태로 이동되면서 상기 세정액에 잠길 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 노즐을 세정한 이후 이동하면서 노즐에 파티클 등의 오염 물질이 재부착되는 것을 최소화 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 노즐을 세정하는데 소요되는 시간을 최소화 할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 않은 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 일부분을 확대한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 세정 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 6은 도 5의 세정액 공급 단계에서 세정 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 7은 도 5의 유지 단계에서 세정 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 8은 도 5의 노즐 세정 단계에서 세정 유닛의 일 예을 보여주는 도면이다.
도 9는 도 5의 세정액 배출 단계에서 세정 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 10은 도 5의 건조 단계에서 세정 유닛의 모습을 보여주는 도면이다.
도 11은 도 5의 노즐 세정 단계에서 세정 유닛의 다른 예를 보여주는 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
이하, 도 1 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 설비(10)는 인덱스 모듈(100)과 공정 처리 모듈(200)을 가진다. 인덱스 모듈(100)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(130)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(200)의 공정효율 및 풋 프린트조건 등에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(130)에는 기판들(W)을 지면에 대해 수평하게 배치한 상태로 수납하기 위한 다수의 슬롯(미도시)이 형성된다. 캐리어(130)로는 전면개방일체형포드(Front Opening Unifed Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(200)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 그리고 공정 챔버(260)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제 1 방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 양측에는 각각 공정 챔버(260)들이 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에서 공정 챔버(260)들은 이송 챔버(240)를 기준으로 대칭되도록 제공된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 복수 개의 공정챔버(260)들이 제공된다. 공정 챔버(260)들 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 공정 챔버(260)들 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 공정 챔버(260)들이 A X B의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 공정 챔버(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 공정 챔버(260)가 4개 또는 6개 제공되는 경우, 공정 챔버(260)들은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 공정 챔버(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 상술한 바와 달리, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(260)는 이송 챔버(240)의 일측 및 양측에 단층으로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)의 내부에는 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공된다. 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개가 제공된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 마주보는 면 및 이송 챔버(240)와 마주보는 면이 개방된다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(130)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스 레일(142)과 인덱스 로봇(144)이 제공된다. 인덱스 레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스 로봇(144)은 인덱스 레일(142) 상에 설치되며, 인덱스 레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스 로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스 레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(200)에서 캐리어(130)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 이의 다른 일부는 캐리어(130)에서 공정 처리 모듈(200)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스 로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220)과 공정 챔버(260) 간에, 그리고 공정 챔버(260)들 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다. 메인 로봇(244)은 베이스(244a), 몸체(244b), 그리고 메인암(244c)을 가진다. 베이스(244a)는 가이드 레일(242)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(244b)는 베이스(244a)에 결합된다. 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(244b)는 베이스(244a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 몸체(244b)에 결합되고, 이는 몸체(244b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 메인암(244c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 메인암(244c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다.
공정 챔버(260)에는 기판(W)에 대해 액 처리하는 공정을 수행하는 기판 처리 장치(300)가 제공된다. 기판 처리 장치(300)는 수행하는 세정 공정의 종류에 따라 상이한 구조를 가질 수 있다. 이와 달리 각각의 공정 챔버(260) 내의 기판 처리 장치(300)는 동일한 구조를 가질 수 있다. 선택적으로 공정 챔버(260)들은 복수 개의 그룹으로 구분되어, 동일한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 기판 처리 장치(300)들은 서로 동일하고, 서로 상이한 그룹에 속하는 공정 챔버(260) 내에 제공된 기판 처리 장치(300)의 구조는 서로 상이하게 제공될 수 있다.
기판 처리 장치(300)는 기판(W)을 액 처리한다. 본 실시예에는 기판의 액 처리 공정을 세정 공정으로 설명한다. 이러한 액 처리 공정은 세정 공정에 한정되지 않으며, 사진, 애싱, 그리고 식각 등 다양하게 적용 가능하다.
도 2는 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이고, 도 3은 도 1의 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 2와 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 바울(320), 지지 유닛(340), 승강 유닛(360), 액 공급 유닛(380), 세정 유닛(400), 그리고 제어기(600)를 포함한다.
바울(320)은 내부에 기판이 처리되는 처리 공간을 제공한다. 바울(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가진다. 바울(320)은 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액들 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 기판 지지 유닛(340)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(326)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 내부 회수통(322)은 내부 회수통(322)으로 처리액이 유입되는 제1유입구(322a)로서 기능한다. 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이공간(326a)은 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 제2유입구(326a)로서 기능한다. 일 예에 의하면, 각각의 유입구(322a,326a)는 서로 상이한 높이에 위치될 수 있다. 각각의 회수통(322,326)의 저면 아래에는 회수 라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수통(322,326)에 유입된 처리액들은 회수 라인(322b,326b)을 통해 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)으로 제공되어 재사용될 수 있다.
지지 유닛(340)은 처리 공간에서 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지 및 회전시킨다. 지지 유닛(340)은 지지판(342), 지지핀(344), 척핀(346), 그리고 회전 구동 부재(348,349)를 가진다. 지지판(342)은 대체로 원형의 판 형상으로 제공되며, 상면 및 저면을 가진다. 하부면은 상부면에 비해 작은 직경을 가진다. 상면 및 저면은 그 중심축이 서로 일치하도록 위치된다.
지지핀(344)은 복수 개 제공된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 지지판(342)에서 상부로 돌출된다. 지지 핀(344)들은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(344)은 지지판(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판(W)의 후면 가장자리를 지지한다.
척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 중심에서 지지핀(344)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 지지판(342)의 상면으로부터 위로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 지지판(342)이 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 지지판(342)의 반경 방향을 따라 외측 위치와 내측 위치 간에 직선 이동이 가능하도록 제공된다. 외측 위치는 내측 위치에 비해 지지판(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 지지판(342)에 로딩 또는 언로딩 시 척핀(346)은 외측 위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행 시 척 핀(346)은 내측 위치에 위치된다. 내측 위치는 척핀(346)과 기판(W)의 측부가 서로 접촉되는 위치이고, 외측 위치는 척핀(346)과 기판(W)이 서로 이격되는 위치이다.
회전 구동 부재(348,349)는 지지판(342)을 회전시킨다. 지지판(342)은 회전 구동 부재(348,349)에 의해 자기 중심축을 중심으로 회전 가능하다. 회전 구동 부재(348,349)는 지지축(348) 및 구동부(349)를 포함한다. 지지축(348)은 제3방향(16)을 향하는 통 형상을 가진다. 지지축(348)의 상단은 지지판(342)의 저면에 고정 결합된다. 일 예에 의하면, 지지축(348)은 지지판(342)의 저면 중심에 고정 결합될 수 있다. 구동부(349)는 지지축(348)이 회전되도록 구동력을 제공한다. 지지축(348)은 구동부(349)에 의해 회전되고, 지지판(342)은 지지축(348)과 함께 회전 가능하다.
승강 유닛(360)은 바울(320)을 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 바울(320)이 상하로 이동됨에 따라 지지판(342)에 대한 바울(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 기판(W)이 지지판(342)에 로딩되거나, 언로딩될 때 지지판(342)이 바울(320)의 상부로 돌출되도록 바울(320)은 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(322,326)으로 유입될 수 있도록 바울(320)의 높이가 조절한다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 바울(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 선택적으로, 승강 유닛(360)은 지지판(342)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
액 공급 유닛(380)은 기판(W)으로 처리액을 공급한다. 처리 유닛(380)은 복수 개로 제공되며, 각각은 서로 상이한 종류의 처리액들을 공급할 수 있다. 처리액은 케미칼, 린스액, 그리고 유기용제일 수 있다. 케미칼은 산 또는 염기 성질을 가지는 액일 수 있다. 케미칼은 황산(H2SO4), 인산(P2O5), 불산(HF) 그리고 수산화 암모늄(NH4OH)을 포함할 수 있다. 케미칼은 DSP(Diluted Sulfuric acid Peroxide) 혼합액일 수 있다. 린스액은 순수(H20)일 수 있다. 유기용제는 이소프로필알코올(IPA) 액일 수 있다. 액 공급 유닛(380)은 이동 부재(381), 그리고 노즐(389)을 포함할 수 있다.
이동 부재(381)는 노즐(389)을 공정 위치 및 대기 위치로 이동시킨다. 공정 위치는 노즐(389)이 지지 유닛(340)에 지지된 기판(W)과 대향되는 위치이다. 일 예에 의하면, 공정 위치는 기판(W)에 대해 처리액을 토출하는 위치이다. 또한 공정 위치는 전처리 위치 및 후처리 위치를 포함한다. 전처리 위치는 노즐(389)이 제1공급 위치에 처리액을 공급하는 위치이고, 후처리 위치는 노즐(389)이 제2공급 위치에 처리액을 공급하는 위치로 제공된다. 제1공급 위치는 제2공급 위치보다 기판(W)의 중심에 더 가까운 위치이고, 제2공급 위치는 기판의 단부를 포함하는 위치일 수 있다. 선택적으로 제2공급 위치는 기판의 단부에 인접한 영역일 수 있다. 대기 위치는 노즐(390)이 공정 위치를 벗어난 위치로 정의한다. 일 예에 의하면, 대기 위치는 기판(W)에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 노즐(389)이 대기하는 위치일 수 있다.
이동 부재(381)는 지지축(386), 아암(382), 그리고 구동기(388)를 포함한다. 지지축(386)은 바울(320)의 일측에 위치된다. 지지축(386)은 그 길이방향이 제3방향을 향하는 로드 형상을 가진다. 지지축(386)은 구동기(388)에 의해 회전 가능하도록 제공된다. 지지축(386)은 승강 이동이 가능하도록 제공된다. 아암(382)은 지지축(386)의 상단에 결합된다. 아암(382)은 지지축(386)으로부터 수직하게 연장된다. 아암(382)의 끝단에는 노즐(390)이 고정 결합된다. 지지축(386)이 회전됨에 따라 노즐(390)은 아암(382)과 함께 스윙 이동 가능하다. 노즐(390)은 스윙 이동되어 공정 위치 및 대기 위치로 이동될 수 있다. 선택적으로 아암(382)은 그 길이방향을 향해 전진 및 후진 이동이 가능하도록 제공될 수 있다. 상부에서 바라볼 때 노즐(389)이 이동되는 경로는 공정 위치에서 기판(W)의 중심축과 일치될 수 있다.
세정 유닛(400)은 노즐(389)을 세정한다. 세정 유닛(400)은 세정액으로 노즐(389)을 세정하고, 이후 건조 가스를 공급하여 노즐(389)을 건조할 수 있다. 세정 유닛(400)은 바울(320)의 상면 외측에 설치될 수 있다. 세정 유닛(400)은 상부에서 바라 볼 때, 노즐(389)이 공정 위치에서 대기 위치로 이동되는 경로 상에 설치될 수 있다.
도 4는 도 2의 기판 처리 장치의 일부분을 확대한 도면이다. 도 4를 참조하면, 세정 유닛(400)은 세정 브라켓(410), 세정액 공급 라인(420), 그리고 가스 공급 라인(430)을 포함할 수 있다.
세정 브라켓(410)은 바울(320)의 상면 외측에 설치된다. 일 예로, 세정 브라켓(410)은 바울(320)의 외부 회수통(326)의 상면 외측에 설치될 수 있다. 세정 브라켓(410)은 외부 회수통(326)이 지지 유닛(340)을 향하는 방향으로 상향 경사지게 절곡되는 부분에 설치될 수 있다. 세정 브라켓(410)은 상부에서 바라볼 때, 액 공급 유닛(380)의 노즐(389)이 공정 위치에서 대기 위치로 이동되는 경로 상에 설치될 수 있다. 세정 브라켓(410)은 바울(320)의 상면과 서로 조합되어 수용 공간(412)을 형성할 수 있다. 예컨대, 세정 브라켓(410)은 외부 회수통(326)의 상면과 서로 조합되어 수용 공간(412)을 형성할 수 있다. 세정 브라켓(410)이 형성하는 수용 공간(412)은 그 상부가 개방되어 제공될 수 있다.
수용 공간(412)은 바울(320)에 형성된 회수홀(329)과 연통될 수 있다. 수용 공간(412) 내로 공급된 세정액은 회수홀(329)을 통해 바울(320)의 상면을 관통하여 바울(320)의 상면 아래로 흐를 수 있다. 일 예로, 회수홀(329)은 바울(320)의 외부 회수통(326)에 형성될 수 있다. 수용 공간(412)은 회수홀(329)과 연통되고, 회수홀(329)은 내부 회수통(322)과 외부 회수통(326)의 사이 공간과 연통될 수 있다. 이에, 수용 공간(412) 내로 공급된 세정액은 외부 회수통(326)에 형성된 회수홀(329)을 통해 외부 회수통(326)의 상면 아래로 흐를 수 있다.
세정액 공급 라인(420)은 수용 공간(412)으로 세정액을 공급할 수 있다. 세정액은 순수 또는 유기 용제일 수 있다. 세정액 공급 라인(420)은 세정액 공급 부재(422)로부터 세정액을 공급 받아 수용 공간(412)으로 세정액을 공급할 수 있다. 세정액 공급 라인(420)에는 세정액 공급 밸브(433)가 설치될 수 있다. 세정액 공급 밸브(423)는 유량 조절 밸브로 제공될 수 있다. 제어기(600)는 세정액 공급 라인(420)에서 수용 공간(412)으로 공급되는 세정액의 단위 시간당 공급 유량을 조절하기 위해 세정액 공급 밸브(423)의 개폐율을 조절할 수 있다.
가스 공급 라인(430)은 수용 공간(412)으로 건조 가스를 공급할 수 있다. 가스 공급 라인(430)은 세정액으로 세정된 노즐(389)의 토출단에 건조 가스를 공급할 수 있다. 건조 가스는 비활성 가스일 수 있다. 비활성 가스는 질소 가스, 아르곤 가스, 헬륨 가스 중 선택된 가스이거나 이들이 혼합된 가스일 수 있다. 가스 공급 라인(430)은 가스 공급 부재(432)로부터 건조 가스를 공급 받아 수용 공간(412)으로 건조 가스를 토출할 수 있다. 가스 공급 라인(430)에는 가스 공급 밸브(433)가 설치될 수 있다. 가스 공급 밸브(433)는 유량 조절 밸브로 제공될 수 있다. 제어기(600)는 가스 공급 라인(430)에서 수용 공간(412)으로 토출되는 건조 가스의 단위 시간당 공급 유량을 조절하기 위해 가스 공급 밸브(433)의 개폐율을 조절할 수 있다.
제어기(600)는 기판 처리 설비(10)에 구비된 구성들을 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(600)는 기판 처리 장치(300)에서 액 공급 유닛(380), 그리고 세정 유닛(400)을 제어할 수 있다. 제어기(600)는 액 공급 유닛(380), 그리고 세정 유닛(400)이 가지는 구성들을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(600)는 기판 처리 장치(300)가 후술하는 노즐 세정 방법을 수행할 수 있도록 액 공급 유닛(380), 그리고 세정 유닛(400)을 제어할 수 있다.
이하에는 도 5 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 노즐 세정 방법에 대하여 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 세정 방법을 보여주는 플로우 차트이다. 도 5를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 노즐 세정 방법은, 세정액 공급 단계(S01), 유지 단계(S02), 노즐 세정 단계(S03), 세정액 배출 단계(S04), 건조 단계(S05)를 포함할 수 있다.
세정액 공급 단계(S01)는 수용 공간(412)으로 세정액을 공급한다. 세정액 공급 단계(S01)에는 도 6에 도시된 바와 같이, 세정액 공급 단계(S01)에는 세정액 공급 라인(420)에 설치된 세정액 공급 밸브(423)를 개방하여 수용 공간(412)으로 세정액(L)을 공급한다. 세정액 공급 단계(S01)에는 수용 공간(412)에서 세정액(L)이 설정 높이까지 차오르도록 세정액(L)을 공급할 수 있다. 이때, 세정액 공급 라인(420)이 공급하는 세정액(L)의 단위 시간당 공급 유량은 회수홀(329)에서 유출되는 세정액(L)의 단위 시간당 유출 유량보다 클 수 있다.
유지 단계(S02)는 수용 공간(412)에서 세정액(L)이 설정 높이까지 차오른 이후 수행될 수 있다. 유지 단계(S02)에는 세정액 공급 단계(S01)에서 수용 공간(412)으로 공급된 세정액(L)의 수면을 설정 높이로 유지시키는 단계이다. 유지 단계(S2)에는 도 7에 도시된 바와 같이 세정액 공급 라인(420)이 공급하는 세정액(L)의 단위 시간당 공급 유량이 회수홀(329)에서 유출되는 세정액(L)의 단위 시간당 유출 유량과 같을 수 있다. 유지 단계(S02)에서 수용 공간(412)으로 세정액(L)을 계속하여 공급하고, 회수홀(329)로 세정액(L)이 계속하여 유출됨으로써, 수용 공간(412)에 수용된 세정액(L)은 청정한 상태로 유지될 수 있다.
노즐 세정 단계(S03)는 노즐(389)을 세정하는 단계이다. 일 예로, 노즐 세정 단계(S03)는 유지 단계(S02) 이후에 수행될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고, 노즐 세정 단계(S03)는 세정액 공급 단계(S01)가 수행됨과 동시에 수행될 수 있다. 노즐 세정 단계(S03)는 노즐(389)이 공정 위치와 대기 위치 사이를 이동하는 도중에 수용 공간(412)에서 노즐(389)의 토출단이 세정될 수 있다. 일 예로, 노즐(389)이 공정 위치에서 기판(W)에 대해 처리액을 토출하고, 기판에 대한 공정 처리가 완료된 이후 대기 위치로 이동되는 도중에 노즐(389)의 세정이 이루어질 수 있다. 또한, 기판(W)에 대한 공정 처리가 수행되기 전 노즐(389)이 대기 위치에서 공정 위치로 이동하는 도중에 노즐(389)의 세정이 이루어질 수 있다.
노즐 세정 단계(S03)에는 수용 공간(412)에 수용된 세정액(L)에 노즐(389)의 토출단이 잠길 수 있다. 예컨대, 노즐 세정 단계(S03)에는 도 8에 도시된 바와 같이, 노즐(389)이 수용 공간(412)의 상부에 위치하고 이후 수용 공간(412)을 향해 노즐(389)이 아래 방향으로 이동하여 세정액(L)에 잠길 수 있다. 노즐(389)의 토출단이 세정액(L)에 잠기는 것은 1회 또는 노즐(389)이 상하 방향으로 반복하여 이동하면서 복수 회 잠길 수 있다. 또한, 노즐 세정 단계(S03)에는 유지 단계(S02)와 마찬 가지로 수용 공간(412)으로 공급되는 세정액(L)의 단위 시간당 공급 유량과 회수홀(329)을 통해 유출되는 세정액(L)의 단위 시간당 유출 유량이 서로 같을 수 있다.
세정액 배출 단계(S04)는 수용 공간(412)에 수용된 세정액(L)을 배출하는 단계이다. 세정액 배출 단계(S04)는 노즐 세정 단계(S03) 이후에 수행될 수 있다. 세정액 배출 단계(S04)에는 도 9에 도시된 바와 같이 세정액 공급 라인(420)에 설치된 세정액 공급 밸브(423)를 잠글 수 있다. 이에, 수용 공간(412)에 수용된 세정액(L)은 회수홀(329)을 통해 바울(320)의 상면을 관통하여 바울(320)의 상면 아래로 흐를 수 있다. 이에, 수용 공간(412)에 수용된 세정액(L)의 수면 높이는 점차 낮아진다.
건조 단계(S05)는 노즐(389)의 토출단을 향해 건조 가스를 토출하여 노즐(389)을 건조시키는 단계이다. 건조 단계(S05)는 세정액 배출 단계(S04) 이후에 수행될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니다. 일 예로, 건조 단계(S05)는 세정액 배출 단계(S04)가 수행되는 도중 실시될 수 있다. 구체적으로, 세정액 배출 단계(S04)를 수행하는 도중 세정액(L)에 잠긴 노즐(389)이 세정액(L)으로부터 드러나는 시점부터 수행될 수 있다. 다른 예로, 건조 단계(S05)는 수용 공간(412)에 세정액(L)의 공급을 중단하고 설정된 시간이 경과한 이후 수행될 수 있다.
건조 단계(S05)에는 도 10에 도시된 바와 같이, 세정액 공급 밸브(423)를 닫고, 가스 공급 밸브(333)를 개방한다. 가스 공급 라인(430)은 노즐(389)의 토출단을 향해 건조 가스를 토출할 수 있다. 건조 가스는 비활성 가스 일 수 있다. 비활성 가스는 질소 가스, 아르곤 가스, 헬륨 가스 중 선택된 가스이거나 이들이 혼합된 가스일 수 있다.
종래에는 노즐의 토출단을 세정하기 위해서는 유지 보수 단계에서 노즐을 세정하였다. 그러나, 이러한 방법은 노즐을 세정하는데 있어서 많은 시간이 소요된다. 또한, 유지 보수 단계가 수행되기 이전에 노즐에 부착된 오염 물질들을 세정할 수 없는 문제점이 있었다. 이 경우, 노즐에 부착된 오염 물질은 지속적으로 기판에 공급되어, 기판의 처리가 적절히 이루어지지 못하도록 한다.
그러나, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 세정 유닛(300)이 바울(320)의 상면 외측에 설치되고, 노즐(389)이 공정 위치와 대기 위치 사이를 이동하면서 노즐(389)에 부착된 오염 물질 등을 세정할 수 있다. 즉, 별도의 유지 보수 단계를 거치지 않고, 노즐(389)을 세정할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 세정 유닛(300)이 바울(320)의 상면 외측에 설치되기 때문에, 노즐(389)이 세정되기 위해 이동하는 거리, 시간을 단축할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 유지 단계(S02)와 노즐 세정 단계(S03)에서 세정액의 공급이 지속하여 이루어지기 때문에, 수용 공간(412)에 공급된 세정액을 청정한 상태로 유지할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 의하면, 세정 유닛(300)이 바울(320)의 상면 외측에 설치되기 때문에, 노즐(389)이 세정된 이후 공정 위치까지 이동하는 거리를 단축할 수 있다. 즉, 노즐(389)이 세정된 이후에 이동하는 거리가 짧아져 세정된 노즐(389)에 파티클이 재부착되는 것을 최소화 할 수 있다.
상술한 예에서는, 노즐 세정 단계(S03)에서 노즐(389)이 상하 방향으로 이동하고, 이에 노즐(389)의 토출단이 세정액(L)에 잠기면서 세정되는 것을 예로 들어 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 도 11과 같이 수용 공간(412)에 공급된 세정액(L)은 표면장력 등을 이유로 그 수면이 위로 볼록한 형태를 가질 수 있다. 즉, 세정액(L)의 수면의 상단이 세정 브라켓(410)의 상단 보다 높게 위치될 수 있다. 이 경우 노즐(389)은 세정 브라켓(410)의 상단보다 높고 세정액(L)의 수면의 상단 보다 낮은 높이에 위치된 상태로 이동되면서 그 토출단이 세정액(L)에 잠길 수 있다. 이러한, 방법은 세정액(L)에 노즐(389)의 토출단이 잠기기 위하여 노즐(389)이 상하 방향으로 이동하는 동작이 요구 되지 않기 때문에, 더욱 신속히 노즐(389)의 토출단을 세정할 수 있다.
상술한 예에서는, 기판 처리 장치(300)를 세정 공정을 수행하는 액 처리 장치인 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명에서 기재하고 있는 발명은 반도체 또는 액정표시패널 등의 기판을 처리하는 모든 장치에 적용될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
320: 바울 380: 액 공급 유닛
400: 세정 유닛 410: 세정 브라켓
420: 세정액 공급 라인 430: 가스 공급 라인
600: 제어기

Claims (12)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 상부가 개방된 처리 공간을 가지는 바울과;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 처리액을 공급하는 노즐을 가지는 액 공급 유닛과;
    상기 노즐을 세정하는 세정 유닛을 포함하되,
    상기 세정 유닛은,
    상기 바울의 상면 외측에 설치되고, 세정액이 수용되는 수용 공간을 형성하는 세정 브라켓을 포함하고,
    상기 세정액의 수면의 상단은 상기 세정 브라켓의 상단보다 높게 위치되도록 상기 세정 브라켓에 수용되고,
    상기 노즐은 그 토출단이 상기 세정 브라켓의 상단보다 높고 상기 세정액의 수면의 상단보다 낮은 높이에 위치된 상태로 이동되는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 세정 유닛은,
    상기 수용 공간으로 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급 라인을 포함하고,
    상기 바울에는 상기 수용 공간에 수용된 세정액이 회수되는 회수홀이 형성되는 기판 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 세정 유닛은,
    상기 수용 공간으로 건조 가스를 공급하는 가스 공급 라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 노즐은 기판에 대해 처리액을 토출하는 공정 위치와 기판에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 상기 노즐이 대기하는 대기 위치 간에 이동되고,
    상기 세정 브라켓은,
    상기 노즐이 상기 공정 위치에서 상기 대기 위치로 이동되는 경로 상에 설치되고,
    상기 수용 공간은 그 상부가 개방되는 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 액 공급 유닛과 상기 세정 유닛을 제어하는 제어기를 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 노즐이 상기 공정 위치에서 상기 대기 위치 사이를 이동하는 도중에 상기 수용 공간에서 상기 노즐의 토출단이 세정되도록 상기 액 공급 유닛과 상기 세정 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  6. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 바울은,
    상기 지지 유닛을 감싸는 내부 회수통과;
    상기 내부 회수통을 감싸는 외부 회수통을 포함하되,
    상기 세정 브라켓은 상기 외부 회수통의 외측 상부에 제공되고,
    상기 회수홀은 상기 내부 회수통과 상기 외부 회수통의 사이 공간과 연통되는 기판 처리 장치.
  7. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 세정 유닛과 상기 액 공급 유닛을 제어하는 제어기를 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 수용 공간에서 상기 세정액이 설정 높이까지 차오르도록 상기 세정액 공급 라인이 상기 세정액을 공급하고,
    상기 노즐이 이동 중에 상기 수용 공간에 수용된 세정액에 상기 노즐의 토출단이 잠기도록 상기 세정 유닛과 상기 액 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 수용 공간 내 세정액은 상기 회수홀을 통해 상기 바울의 상면을 관통하여 상기 상면의 아래로 흐르고,
    상기 제어기는,
    상기 세정액이 상기 설정 높이까지 차오른 이후, 상기 세정액 공급 라인이 공급하는 상기 세정액의 단위 시간당 공급 유량과 상기 회수홀로 유출되는 세정액의 단위 시간당 유출 유량이 같도록 상기 세정 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  9. 기판에 처리액을 공급하는 노즐을 세정하는 방법에 있어서,
    기판을 처리하는 처리 공간을 가지는 바울의 외측 상면에 설치되는 세정 브라켓이 형성하는 수용 공간에 세정액을 공급하고,
    상기 노즐의 토출단을 상기 수용 공간에 공급된 세정액에 잠겨 상기 노즐을 세정하고,
    상기 세정액의 수면의 상단은 상기 세정 브라켓의 상단보다 높게 위치되고,
    상기 노즐은 그 토출단이 상기 세정 브라켓의 상단보다 높고 상기 세정액의 수면의 상단보다 낮은 높이에 위치된 상태로 이동되면서 상기 세정액에 잠기는 노즐 세정 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 바울에는 상기 수용 공간에 수용된 세정액이 회수되는 회수홀이 형성되고,
    상기 수용 공간에 상기 세정액이 설정 높이까지 차오르도록 상기 세정액을 공급하고,
    상기 세정액이 상기 설정 높이까지 차오른 이후 상기 수용 공간으로 공급되는 상기 세정액의 단위 시간당 공급 유량과 상기 회수홀로 유출되는 상기 세정액의 단위 시간당 유출 유량이 같은 노즐 세정 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 수용 공간에 상기 세정액의 공급을 중단하고 설정된 시간이 경과한 이후 상기 노즐의 토출단에 건조 가스를 분사하는 노즐 세정 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 노즐은 기판에 대해 처리액을 토출하는 공정 위치와 기판에 공정 처리 전 또는 공정 처리가 완료된 이후에 상기 노즐이 대기하는 대기 위치 간에 이동되고,
    상기 노즐이 상기 공정 위치와 상기 대기 위치 간에 이동되는 도중에 상기 노즐의 세정이 이루어지는 노즐 세정 방법.
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