TW202224793A - 後噴嘴單元及包括後噴嘴單元之處理腔室與用以處理一基板的設備 - Google Patents

後噴嘴單元及包括後噴嘴單元之處理腔室與用以處理一基板的設備 Download PDF

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Abstract

一種用以處理一基板的設備，可包括：一處理模組，包括至少一處理腔室，於一基板上執行一所需處理；以及一定位模組，從一外側傳送基板至處理模組中。此至少一處理腔室可包括一支撐單元，基板係置放於支撐單元上；及一後噴嘴單元，設置於基板的一底面的下方。後噴嘴單元可包括一裙部、至少一後噴嘴及一氣體噴嘴。此至少一後噴嘴提供一清洗溶液至基板的底面上。氣體噴嘴提供一氣體至基板的底面上。裙部可包括一主體以及數個第一流動路徑及數個第二流動路徑。此些第一流動路徑及此些第二流動路徑係形成於主體中且朝向基板的底面提供一氣體。

Description

後噴嘴單元及包括後噴嘴單元之處理腔室與用以處理一基板的設備
本發明之範例實施例是有關於一種後噴嘴單元及一種包括一後噴嘴單元之用以處理一基板的設備。本發明之範例實施例更特別是有關於一種能夠加強一基板之清洗效果及乾燥效果的後噴嘴單元，及一種包括此後噴嘴單元的用以處理一基板的設備。
積體電路裝置或顯示裝置可利用用以處理基板的設備來製造。此設備包括數種處理腔室，例如是沈積腔室、蝕刻腔室、塗佈腔室、清洗腔室、乾燥腔室等。在用以製造積體電路裝置或顯示裝置的處理中，數種雜質可能在於基板上執行預定處理時產生。雜質舉例為粒子、有機汙染物、或金屬雜質。當雜質殘留在基板的頂表面或底表面上時，此些殘留的雜質可能導致基板產生缺陷，使得利用此基板所製造出來的積體電路裝置及顯示裝置的表現及可靠度可能惡化。
一般來說，用以處理基板的傳統設備可包括後噴嘴單元，後噴嘴單元具有後噴嘴及氣體噴嘴，用以透過清洗製程及乾燥製程來移除殘留在基板的底表面上之粒子。然而，傳統的後噴嘴及氣體噴嘴可能僅在垂直於基板的底表面的方向中噴灑清洗溶液及氣體，使得利用此種後噴嘴及氣體噴嘴來執行清洗基板的底表面的清洗製程的效率可能減少。此外，乾燥製程的效率可能減少，因為傳統的氣體噴嘴可能僅在垂直於基板的底表面的方向中噴灑氣體。
本發明之一方面係提供一種後噴嘴單元，能夠加強一基板的清洗效果及乾燥效果。
本發明之另一方面係提供一種包括一後噴嘴單元的處理腔室，後噴嘴單元能夠加強一基板的清洗效果及乾燥效果。
本發明之再另一方面係提供一種用以處理一基板的設備，此設備包括能夠加強一基板的清洗效果及乾燥效果的一後噴嘴單元。
根據本發明之一方面，提出一種後噴嘴單元，包括一裙部、至少一後噴嘴及一氣體噴嘴。裙部可設置於一基板的一底面的下方。此至少一後噴嘴可從裙部突出及可提供一清洗溶液至基板之底面上。氣體噴嘴可從裙部突出及可提供一氣體至基板之底面上。裙部可包括一主體及數個流動路徑。此些流動路徑可形成於主體中及可朝向基板的底面提供一氣體。
於範例實施例中，氣體噴嘴可在垂直於基板的底面的方向中提供氣體，及此些流動路徑可在實質上平行於基板的底面的方向中及相對於基板的底面傾斜一預定傾斜角的方向中提供氣體。
於範例實施例中，當此至少一後噴嘴提供清洗溶液至基板的底面上時，氣體噴嘴及此些流動路徑朝向基板的底面提供氣體。
於範例實施例中，裙部可包括數個第一流動路徑，在實質上平行於基板的底面的方向中提供氣體。
於範例實施例中，此些第一流動路徑可沿著裙部的一周邊相隔數個固定間隔設置。
於範例實施例中，此些第一流動路徑之各者可避免清洗溶液流到主體中。
於範例實施例中，此些第一流動路徑之各者可於主體中向上形成、於主體中向下彎折及接著可在實質上平行於基板的底面的方向中延伸。
於一些範例實施例中，裙部更可包括數個第二流動路徑，以一預定傾斜角提供氣體至基板的底面上。舉例來說，預定傾斜角相對於垂直於基板的底面的方向可大於約0度及等於或小於約90度。
於一些範例實施例中，從此些第一流動路徑與此些第二流動路徑提供的氣體可朝向基板的底面再提供沿著主體流動的清洗溶液。
於一些範例實施例中，此些第二流動路徑可分別從此些第一流動路徑分出，及可在主體中向上延伸。
於一些範例實施例中，裙部可額外地包括數個導引件，分別相鄰於此些第二流動路徑。此些導引件可朝向基板的底面導引氣體。舉例來說，此些導引件之各者可從主體在相對於垂直於基板的底面的方向之大於約0度及等於或小於約90度的一角度突出。
根據本發明之另一方面，提出一種處理腔室，包括一支撐單元及一後噴嘴單元。一基板可置放於支撐單元上，以及後噴嘴單元可設置於基板的一底面的下方。後噴嘴單元包括一裙部、至少一後噴嘴及一氣體噴嘴。此至少一後噴嘴可提供一清洗溶液至基板的底面上，及氣體噴嘴可提供一氣體至基板的底面上。裙部可包括一主體及數個流動路徑。此些流動路徑可形成於主體中及可提供朝向基板的底面的一氣體。
於範例實施例中，氣體噴嘴可在實質上垂直於基板的底面的方向中提供氣體，及此些流動路徑可在實質上平行於基板的底面的方向中及相對於基板的底面傾斜一預定傾斜角的方向中提供氣體。
於範例實施例中，當此至少一後噴嘴提供清洗溶液至基板的底面上時，氣體噴嘴及此些流動路徑可朝向基板的底面提供氣體。
於一些範例實施例中，裙部可包括數個第一流動路徑及數個第二流動路徑，此些第一流動路徑在實質上平行於基板的底面的方向中提供氣體，此些第二流動路徑相對於基板的底面傾斜一預定傾斜角的方向中提供氣體。舉例來說，預定傾斜角相對於垂直於基板的底面的方向可大於約0度及等於或小於約90度。
根據本發明之再另一方面，提出一種用以處理一基板的設備，包括一處理模組，包括至少一處理腔室，於一基板上執行一所需處理；以及一定位模組，從一外側傳送基板至處理模組中。此至少一處理腔室可包括一支撐單元，基板係置放於支撐單元上；及一後噴嘴單元，設置於基板的一底面的下方。後噴嘴單元可包括一裙部、至少一後噴嘴及一氣體噴嘴。此至少一後噴嘴提供一清洗溶液至基板的底面上。氣體噴嘴提供一氣體至基板的底面上。裙部可包括一主體以及數個第一流動路徑及數個第二流動路徑。此些第一流動路徑及此些第二流動路徑係形成於主體中且朝向基板的底面提供一氣體。
於範例實施例中，此些第一流動路徑在實質上平行於基板的底面的方向中提供氣體，以及此些第二流動路徑可相對於基板的底面以一傾斜角提供氣體，傾斜角係大於約0度及等於或小於約90度。
根據本發明之範例實施例，後噴嘴單元可包括裙部，裙部具有此些流動路徑，能夠在實質上平行於基板的底面的方向中及傾斜預定傾斜角的方向中提供氣體。清洗液體可利用後噴嘴單元有效地提供至基板的底面上，使得執行於基板上的清洗製程的效率可大大地增加。再者，裙部的此些流動路徑可沿著數種方向朝向基板的底面提供氣體，使得執行於基板上的乾燥製程的效率可顯著地提升。此些方向包括實質上平行於基板的底面的方向、實質上垂直於基板的底面的方向、以及傾斜預定傾斜角的方向。因此，利用用以處理一基板之設備所製造的包括一半導體裝置之一積體電路裝置及包括一平面顯示裝置的一顯示裝置可具有改善的表現及提升之可靠度。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
數種實施例將於下文中參照所附之繪示有一些範例實施例的圖式更充分的說明。然而，本發明可以許多不同的形式實現，及應不解釋成受限於此處所提供的實施例。此些實施例係提供，使得此說明將更為仔細及完整，及將完整傳達本發明的範圍給此技術領域中具有通常知識者。在圖式中，層及區域的尺寸及相對尺寸可能基於清楚表示之目的而誇大。
將理解的是，當一元件或層係表示成在另一元件或層「上(on)」、「連接於(connected to)」另一元件或層、或「耦接於(coupled to)」另一元件或層時，它可直接地位於此另一元件或層上、直接地連接於此另一元件或層或耦接於此另一元件或層，或者可存有中間元件或層。相較之下，當一元件係表示成「直接(directly)」在另一元件或層「上」、「直接地連接於」另一元件或層、或「直接地耦接於」另一元件或層時，中間元件或層係不存在。相似的編號係通篇使用以意指相似的元件。如此處所使用，用詞「及/或」包括一或多個相關所列項目的一或多者的任何及全部組合。
將理解的是，雖然用詞第一、第二、第三等可於此處使用以說明數種元件、成份、區域、層及/或部，此些元件、成份、區域、層及/或部應不受限於此些用詞。此些用詞僅使用以區分一元件、成份、區域、層或部及另一區域、層或部。因此，在不脫離本發明之教示下，下方討論的第一元件、成份、區域、層或部可表示第二元件、成份、區域、層或部。
為了便於說明，例如是「下面(beneath)」、「下方(below)」、「下部(lower)」、「上方(above)」、「上部(upper)」及類似者之空間相關用詞可於此處使用，以描述圖式中所繪示之一元件或特徵與另一元件或特徵的關係。將理解的是，空間相關用詞係意欲包含除了圖式中所繪示之方向外的所使用或操作的裝置的不同方向。舉例來說，如果在圖式中的裝置係翻轉，說明成在其他元件或特徵「下方(below)」或「下面(beneath)」之元件會接著定向在此其他元件或特徵的「上方(above)」。因此，範例用語「下方(below)」可包含上方及下方兩者的方向。裝置可能以其他方式定向(舉例來說，旋轉90度或位在其他方向)，及使用於此處的空間相關描述因此對應地詮釋。
此處所使用之術語係僅以說明特定實施例為目的，及不意欲限制本發明。如此處所使用，除非另有清楚指出其他情況，單數形式「一(a)」、「一(an)」及「該(the)」也欲包括複數形式。將進一步理解的是，用詞「包括(comprises)」及/或「包括(comprising)」在使用於此說明書中時係界定所述之特徵、整數、步驟、操作、元件、及/或成份之存在，但並非排除一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、成份、及/或其之群組的存在或增加。
數個實施例係參照為理想化實施例(及中間結構)之示意圖的剖面圖而於此處說明。就此而言，因舉例為製造技術及/或公差所造成之與圖式形狀的差異係可預期的。因此，數個實施例應不解釋為受限於此處所繪示之區域的特定形狀，但包括因舉例為製造所產生之形狀上的偏差。舉例來說，繪示成矩形的植入區域一般將具有圓角(rounded)或彎曲特徵，及/或具有於其邊緣之植入濃度梯度而不是從植入至非植入區域的二元變化(binary change)。同樣地，藉由植入所形成的埋區(buried region)可在埋區及植入發生所通過的面之間的區域中產生一些植入。因此，繪示於圖式中的區域係本質上為示意之用，及它們的形狀並非意欲表示裝置之區域的實際形狀且非意欲限制本發明之範圍。
除非另有定義，此處所使用之所有的用語(包括技術及科學用語)具有相同於本發明所屬技術領域中具有通常知識者所普遍理解的意義。將進一步理解的是，例如是該些定義於普遍使用之字典中的用語應解釋成具有與相關領域之內容中一致的意義，及除非於此明確地定義，將不詮釋成理想或過度正式的含意。
本發明之範例實施例將於下文參照所附的圖式更詳細地說明。相同元件或成份可藉由相同的參考編號通用於圖式中，及可能省略相同元件或成份之重複說明。
第1圖繪示根據本發明範例實施例之用以處理基板之設備的平面圖。
參照第1圖，根據範例實施例，用以處理基板的設備可包括定位模組(index module)20及處理模組55。
定位模組20可從外側傳送基板至處理模組55中，及處理模組55可於基板上執行預處理。於此情況中，基板可使用來製造包括半導體裝置之積體電路裝置或包括平面顯示裝置之顯示裝置。舉例來說，基板可包括矽晶圓、玻璃基板、有機基板、陶瓷基板等。
定位模組20可包括道路腔室10及傳送架15。能夠接收基板之載體25可裝載至道路腔室10中。舉例來說，前開式晶圓傳送盒(front opening unified pod，FOUP)可使用來做為載體25。載體25可從外側傳送至道路腔室10中，及可亦藉由懸吊式搬運(overhead hoist transfer，OHT)從道路腔室10傳送至外側。
傳送架15可於處理模組55及裝載於道路腔室10中之載體25之間傳送基板。傳送架15可包括定位機器手臂(index robot)30及定位軌道35。
定位機器手臂30可沿著定位軌道35移動，及可於定位模組20及處理模組55之間傳送基板。舉例來說，定位機器手臂30可於定位軌道35上移動時在載體25及緩衝槽60之間傳送基板。
如第1圖中所示，處理模組55可於基板上執行預處理，包括沈積製程、蝕刻製程、濺鍍製程、塗佈製程、顯影製程、清洗製程、以及乾燥製程，但不以此些為限。處理模組55可包括緩衝腔室40、傳送腔室45、處理腔室50、控制單元(未繪示)等。
傳送於定位模組20及處理模組55之間的基板可備於緩衝腔室40中來用於預處理。基板擺置於其上的緩衝槽60可設置於緩衝腔室40中。在範例實施例中，數個緩衝槽60可提供於緩衝腔室40中，及數個基板可因而擺置於緩衝腔室40中。
傳送腔室45可於緩衝腔室40及處理腔室50之間傳送基板。傳送腔室45可包括傳送機器手臂65及傳送軌道70。傳送機器手臂65可在傳送軌道70上移動，及可於緩衝腔室40及處理腔室50之間傳送基板。舉例來說，傳送機器手臂65在傳送軌道70上移動時可傳送擺置於緩衝槽60上之基板至處理腔室50中。
在範例實施例中，用以處理基板之設備可包括數個處理腔室50。在處理腔室50中，於基板上的預定處理包括沈積製程、蝕刻製程、濺鍍製程、塗佈製程、顯影製程、清洗製程、及乾燥製程。因此，此些處理腔室50可包括蝕刻腔室、沈積腔室、濺鍍腔室、塗佈腔室、顯影腔室、清洗腔室及乾燥腔室，但不以此些為限。在此情況中，各處理腔室50可具有門，可開啟及關閉來用以裝載及卸載基板。
第2圖繪示根據本發明範例實施例之用以處理基板之設備的處理腔室的平面圖。第3圖繪示根據本發明範例實施例之用以處理基板之處理腔室的剖面圖。
參照第2及3圖，用以處理基板之設備的處理腔室50可包括支撐單元100、流體供應單元200、氣體供應單元300、後噴嘴單元400、收集單元500、控制單元600等。處理腔室50於此可包括清洗腔室或乾燥腔室。
基板可擺置於支撐單元100上，支撐單元100設置於處理腔室50的處理空間中。支撐單元100可在於基板上執行所需之處理時旋轉基板。支撐單元100可包括旋轉盤105、支撐銷110、夾盤銷115、旋轉軸120、第一驅動件125等。
旋轉盤105可具有實質上圓板狀，然而，旋轉盤105的形狀及尺寸可根據基板的形狀及尺寸改變。旋轉盤105可包括支撐銷110及夾盤銷115。在範例實施例中，旋轉盤105可包括數個支撐銷110及數個夾盤銷115，用以加強基板的穩定性。在此情況中，此些支撐銷110可接觸基板的底面，及此些夾盤銷115可接觸基板的側面。當在處理腔室50中於基板上執行所需之處理時，支撐銷110可支撐基板，及夾盤銷115可保持基板於其位置。
如第3圖中所示，旋轉軸120可連接於旋轉盤105的下部，及第一驅動件125可耦接於旋轉軸120。第一驅動件125可旋轉旋轉軸120，以藉此旋轉旋轉盤105及擺置於旋轉盤105上的基板。
液體供應單元200可根據於基板上執行的處理來提供預定液體於基板上。舉例來說，預定液體可包括化學液體、有機溶劑、去離子水、清洗溶液、沖洗液等，但不以此些為限。液體供應單元200可包括噴嘴、噴嘴臂210、第一移動軸215、第二驅動件220等。
液體供應單元200的噴嘴可提供預定溶液到擺置於旋轉盤105上的基板上。舉例來說，預定液體可在旋轉旋轉盤105上的基板時噴灑於基板上。於範例實施例中，液體供應單元200可包括數個噴嘴，此些噴嘴可實質上設置於基板的中央部之上方。在此情況中，此些噴嘴可設置於噴嘴臂210之一端部，及噴嘴臂210的另一端部可耦接於第一移動軸215。第二驅動件220可向上及向下移動第一移動軸215及可同時旋轉第一移動軸215。因此，位在基板之上方的噴嘴的位置可適當地調整。
如第2圖中所示，氣體供應單元300可提供預定氣體於基板上。舉例來說，氣體供應單元300可提供惰性氣體到基板上，惰性氣體例如是氮氣(N 2)。氣體供應單元300可包括第一氣體供應件310及第二氣體供應件315。
第一氣體供應件310可固定於旋轉盤105之一端部的上方，及可提供氣體至位於旋轉盤105上的基板上。第二氣體供應件315可朝向基板的中央部移動及可提供氣體至置放於旋轉盤105上的基板上。
第4圖繪示根據本發明範例實施例之後噴嘴單元的剖面圖。
參照第2圖到第4圖，後噴嘴單元400可包括支撐軸425、後噴嘴410、氣體噴嘴415、裙部420等。在範例實施例中，後噴嘴單元400可於基板W上執行清洗製程或乾燥製程。舉例來說，後噴嘴單元400可用以清洗基板W的底面或用以乾燥基板W的底面。
後噴嘴單元400的支撐軸425可插入軸孔中，軸孔形成於支撐單元100的旋轉盤105的中央部。支撐軸425可不接觸旋轉盤105，使得支撐軸425可不在旋轉盤105旋轉時旋轉。
在範例實施例中，後噴嘴單元400可包括數個後噴嘴410。此些後噴嘴410之各者可噴灑清洗溶液於基板W的底面上。舉例來說，清洗溶液可包括化學液體或去離子水。在範例實施例中，一些後噴嘴410可噴灑去離子水於基板W的底面上及另一些後噴嘴410可提供化學液體至基板W的底面上。或者，全部的後噴嘴410可選擇地噴灑化學液體或去離子水於基板W的底面上。此些後噴嘴410可連接於後噴嘴線430，後噴嘴線430穿過支撐軸425。
後噴嘴單元400可包括至少一氣體噴嘴415。此至少一氣體噴嘴415可連接於氣體供應線435，及可噴灑氣體於基板W的底面上。舉例來說，此至少一氣體噴嘴415可於實質上垂直於基板W的底面的方向中提供氣體。在此情況中，氣體可包括惰性氣體，惰性氣體例如是氮氣。在範例實施例中，此至少一氣體噴嘴415可移除基板W之底面上所殘留的清洗溶液。或者，在基板W上執行清洗製程之後，此至少一氣體噴嘴415可於乾燥製程中使用。
在範例實施例中，後噴嘴410及氣體噴嘴415可穿過裙部420，及接著可從裙部420之表面朝向基板W的底面突出。特別是，氣體噴嘴415可穿過裙部420的中央部，及後噴嘴410可穿過相鄰於裙部420的中央部的裙部420的數個部分。氣體噴嘴415於此可具有實質上大於後噴嘴410之高度的高度。也就是說，氣體噴嘴415可比後噴嘴410更靠近基板W的底面。因此，當從後噴嘴410噴灑清洗溶液到基板W的底面上時，清洗溶液可不流入氣體噴嘴415中。
第5圖繪示根據本發明範例實施例之後噴嘴單元之裙部的局部放大剖面圖。
參照第4圖及第5圖，裙部420可耦接於支撐軸425。裙部420可具有大致上為圓形表面的結構，使得提供至基板W之底面上的清洗溶液可沿著裙部420的表面流動。
在範例實施例中，裙部420可包括主體450及數個流動路徑455，此些流動路徑455形成於主體450中。舉例來說，裙部420可包括兩個、四個、六個或八個流動路徑455，沿著裙部420之周邊相隔固定間隔設置。如第4圖中所示，此些流動路徑455及氣體噴嘴415可連接於氣體供應線435。如箭頭所示，當清洗溶液提供於基板W之底面上時及/或在清洗溶液提供於基板W之底面上之後，此些流動路徑455可沿著實質上平行於基板W之底面的方向提供氣體。從此些流動路徑455所供應的氣體可於此與從氣體噴嘴415所供應的氣體一致。此外，在清洗溶液從後噴嘴410提供至基板W的底面上之後，流動路徑455可再提供於裙部420之主體450的表面上流動的清洗溶液。因此，基板W的清洗效果可藉由流動路徑455大大地增加。也就是說，在從後噴嘴410提供清洗溶液至基板W的底面上之後，此些流動路徑455可於實質上平行於基板W的底面的方向中及相對於基板W之底面傾斜預定傾斜角的方向中再提供於裙部420的主體450上流動的清洗溶液，所以基板W的清洗製程的效率可大大地加強。再者，當在處理腔室50中於基板上執行乾燥製程時，裙部420之此些流動路徑455及氣體噴嘴415可於數種方向中提供氣體至基板W的底面上，所以在基板W上執行的乾燥製程的效率可顯著地增加。此些方向包括實質上垂直於基板W之底面的方向、實質上平行於基板W之底面的方向、及相對基板W的底面傾斜預定傾斜角的方向。
在範例實施例中，當清洗溶液從後噴嘴410提供至基板W之底面上時及/或在氣體從此些流動路徑455提供至基板W之底面上之前，此些流動路徑455可避免清洗溶液流到裙部420中。此些流動路徑455之各者可為此於主體450中向上形成、可於主體450中向下彎折、及接著可在實質上平行於基板W之底面的方向(也就是實質上平行於旋轉盤105的方向)中延伸。如此一來，此些流動路徑455可有效地避免清洗溶液流入到裙部420的主體450中，使得清洗溶液可在基板W上執行清洗製程時不流入裙部420中。
第6圖根據本發明一些範例實施例之後噴嘴單元之裙部的局部放大剖面圖。
參照第4圖及第6圖，根據一些範例實施例之裙部460可包括主體465、以及數個第一流動路徑470及數個第二流動路徑475，此些第一流動路徑470及此些第二流動路徑475可形成於主體465中。於一些範例實施例中，裙部460可具有兩個、四個、六個或八個第一流動路徑470，沿著裙部460之周邊相隔固定間隔設置，及可分別額外地具有兩個、四個、六個或八個第二流動路徑475。第一及第二流動路徑470及475的數量可根據後噴嘴單元400之結構及尺寸及/或處理腔室50的結構及尺寸改變。此些第一流動路徑470及此些第二流動路徑475可提供氣體到基板W的底面上。
如第6圖中所示，第一流動路徑470可於主體465中向上形成、可於主體465中向下彎折、及接著可在實質上平行於基板W的底面的方向中延伸。各第二流動路徑475可分別從於主體465中向上形成之第一流動路徑470的數個部分相對於實質上垂直於基板W之底面的方向中的傾斜角延伸。舉例來說，第二流動路徑475可從第一流動路徑470之傾斜角延伸。傾斜角大於約0度及等同於或小於約90度。
於一些範例實施例中，裙部460可包括數個導引件480，分別設置於此些第二流動路徑475的端部。在此情況中，此些導引件480可與主體465一體成形。舉例來說，導引件480可從主體465相對於實質上垂直於基板W之底面的方向之傾斜角突出，傾斜角大於約0度及等同於或小於約90度。此些導引件480可使氣體從第二流動路徑475沿著所需之方向準確地噴灑氣體，及基板W的清洗效果及乾燥效果可更顯著地增加。再者，導引件480可從主體465突出，使得清洗溶液經由第二流動路徑475流入裙部460中係可有效地避免。
第7圖繪示根據本發明一些範例實施例之利用後噴嘴單元之裙部移除腔室中之粒子的效率的示意圖。在第7圖中，水平軸表示裙部之第二流動路徑相對於基板的底面之傾斜角，及垂直軸表示殘留於基板的底面上的粒子的數量。
如從第7圖可見，當基板的底面係利用包括此些第一流動路徑及此些第二流動路徑之裙部來清洗時，基板的清洗效果係根據裙部之第二流動路徑之傾斜角改變。當裙部之第二流動路徑具有約60度及約90度之傾斜角時，基板的清洗效率係實質上大大地增加。
再度參照第2圖及第3圖，收集單元500可包括收集容器520、第二移動軸525、第三驅動件530等。收集單元500可收集提供至基板上的液體。當液體從液體供應單元200供應至基板上時，支撐單元100可旋轉基板，使得液體可實質上均勻地提供至基板的整個表面。在此情況中，液滴可藉由基板之旋轉所產生的離心力朝向外側分散。收集單元500可回收分散之液滴。
收集容器520可圍繞旋轉盤105，及可具有開放之上部。舉例來說，收集容器520可具有圓柱形。收集容器520包括數個收集杯。在範例實施例中，收集容器520可包括第一收集杯505、第二收集杯510及第三收集杯515。第一至第三收集杯505、510及515於此可設置成多重配置，用以回收液體的不同成分。舉例來說，第一收集杯505可設置於實質上高於第二收集杯510的位置，及第二收集杯510可設置於實質上高於第三收集杯515的位置。第一收集杯505、第二收集杯510及第三收集杯515可分別連接於第一回收線545、第二回收線540及第三回收線535。經由第一至第三回收線545、540及535回收的液體可藉由再生設備(未繪示)來再度使用。
如第3圖中所示，第二移動軸525可藉由第三驅動件530向上移動及向下移動，使得第一至第三收集杯505、510及515可移動到旋轉盤105的上方及下方。在此情況中，第二移動軸525及第三驅動件530可分別地移動第一至第三收集杯505、510及515到旋轉盤105之上方及下方。
控制單元600可根據執行於基板上的處理來控制支撐單元100、液體供應單元200、氣體供應單元300、後噴嘴單元400及收集單元500之操作。舉例來說，控制單元600可調整旋轉盤105的旋轉速度、噴嘴的噴灑、後噴嘴單元400的操作、第一至第三收集杯505、510及515的移動等。
根據本發明之範例實施例，用以處理基板之設備的後噴嘴單元可包括裙部，裙部具有數個流動路徑，此些流動路徑能夠在實質上平行於基板之底面的方向中及相對於基板的底面傾斜預定傾斜角的方向中提供氣體。利用後噴嘴單元可有效地提供清洗液體於基板的底面上，使得於基板上執行的清洗製程的效率可大大地增加。再者，裙部之此些流動路徑可沿著數種方向朝向基板的底面提供氣體，使得執行於基板上的乾燥製程的效率可顯著地增加。因此，利用用以處理基板之設備所製造之包括半導體裝置的積體電路裝置或包括平面顯示裝置的顯示裝置可具有改善之表現及增加的可靠度。
前述係為實施例的說明及並不詮釋為其之限制。雖然已經說明了一些實施例，此技術領域中具有通常知識者將輕易地瞭解，許多在實施例中的調整係於實質上不脫離本發明之新穎教示及優點下為可行的。因此，全部的此些調整係意欲包括於如申請專利範圍中所界定之本發明的範圍中。在申請專利範圍中，手段功能子句(means-plus-function clauses)係意欲含括此處所述之執行所述功能的結構，以及不僅含括結構性等效者且亦含括等效結構。因此，將理解的是，前述係為數種實施例之說明及不解釋為限制成所揭露的特定實施例，以及對所揭露的實施例的該些調整以及其他實施例係意欲包括於所附之申請專利範圍的範疇中。綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10:道路腔室 15:傳送架 20:定位模組 25:載體 30:定位機器手臂 35:定位軌道 40:緩衝腔室 45:傳送腔室 50:處理腔室 55:處理模組 60:緩衝槽 65:傳送機器手臂 70:傳送軌道 100:支撐單元 105:旋轉盤 110:支撐銷 115:夾盤銷 120:旋轉軸 125:第一驅動件 200:流體供應單元 210:噴嘴臂 215:第一移動軸 220:第二驅動件 300:氣體供應單元 310:第一氣體供應件 315:第二氣體供應件 400:後噴嘴單元 410:後噴嘴 415:氣體噴嘴 420,460:裙部 425:支撐軸 430:噴嘴線 435:氣體供應線 450,465:主體 455:流動路徑 470:第一流動路徑 475:第二流動路徑 480:導引件 500:收集單元 505:第一收集杯 510:第二收集杯 515:第三收集杯 520:收集容器 525:第二移動軸 530:第三驅動件 535:第三回收線 540:第二回收線 545:第一回收線 600:控制單元 W:基板
數個範例實施例將透過下方的詳細說明結合所附之圖式更加清楚瞭解。下方的圖式表示此處所述之非限制性的範例實施例。 第1圖繪示根據本發明範例實施例之用以處理基板的設備的平面圖。 第2圖繪示根據本發明範例實施例之用以處理基板的設備的處理腔室的平面圖。 第3圖繪示根據本發明範例實施例之用以處理基板的設備之處理腔室的剖面圖。 第4圖繪示根據本發明範例實施例之後噴嘴單元的剖面圖。 第5圖繪示根據本發明範例實施例之後噴嘴單元之裙部的局部放大剖面圖。 第6圖繪示根據本發明一些範例實施例之後噴嘴單元的裙部的局部放大剖面圖。 第7圖繪示根據本發明一些範例實施例之利用後噴嘴單元的裙部移除腔室中之粒子的效率的示意圖。
10:道路腔室
15:傳送架
20:定位模組
25:載體
30:定位機器手臂
35:定位軌道
40:緩衝腔室
45:傳送腔室
50:處理腔室
55:處理模組
60:緩衝槽
65:傳送機器手臂
70:傳送軌道

Claims (20)

  1. 一種後噴嘴單元，包括： 一裙部，設置於一基板的一底面的下方； 至少一後噴嘴，從該裙部突出及提供一清洗溶液至該基板之該底面上；以及 一氣體噴嘴，從該裙部突出及提供一氣體至該基板之該底面上， 其中該裙部包括一主體及複數個流動路徑，該些流動路徑形成於該主體中及朝向該基板的該底面提供該氣體。
  2. 如請求項1所述之後噴嘴單元，其中該氣體噴嘴在垂直於該基板的該底面的方向中提供該氣體，及該些流動路徑在平行於該基板的該底面的方向中及相對於該基板的該底面傾斜一預定傾斜角的方向中提供該氣體。
  3. 如請求項2所述之後噴嘴單元，其中當該至少一後噴嘴提供該清洗溶液至該基板的該底面上時，該氣體噴嘴及該些流動路徑朝向該基板的該底面提供該氣體。
  4. 如請求項1所述之後噴嘴單元，其中該裙部包括複數個第一流動路徑，在平行於該基板的該底面的方向中提供該氣體。
  5. 如請求項4所述之後噴嘴單元，其中該些第一流動路徑係沿著該裙部的一周邊相隔複數個固定間隔設置。
  6. 如請求項4所述之後噴嘴單元，其中該些第一流動路徑之各者係避免該清洗溶液流到該主體中。
  7. 如請求項5所述之後噴嘴單元，其中該些第一流動路徑之各者係於該主體中向上形成、於該主體中向下彎折及接著在平行於該基板的該底面的方向中延伸。
  8. 如請求項4所述之後噴嘴單元，其中該裙部更包括複數個第二流動路徑，以一預定傾斜角提供該氣體至該基板的該底面上。
  9. 如請求項8所述之後噴嘴單元，其中從該些第一流動路徑與該些第二流動路徑提供的該氣體係朝向該基板的該底面再提供沿著該主體流動的該清洗溶液。
  10. 如請求項8所述之後噴嘴單元，其中該些第二流動路徑係分別從該些第一流動路徑分出及在該主體中向上延伸。
  11. 如請求項8所述之後噴嘴單元，其中該預定傾斜角相對於垂直於該基板的該底面的方向係大於約0度及等於或小於約90度。
  12. 如請求項8所述之後噴嘴單元，其中該裙部更包括複數個導引件，分別相鄰於該些第二流動路徑，及該些導引件朝向該基板的該底面導引該氣體。
  13. 如請求項12所述之後噴嘴單元，其中該些導引件之各者從該主體在相對於垂直於該基板的該底面的方向之大於約0度及等於或小於約90度的一角度突出。
  14. 一種處理腔室，包括： 一支撐單元，一基板係置放於該支撐單元上；以及 一後噴嘴單元，設置於該基板的一底面的下方， 其中該後噴嘴單元包括一裙部、至少一後噴嘴及一氣體噴嘴，該至少一後噴嘴提供一清洗溶液至該基板的該底面上，該氣體噴嘴提供一氣體至該基板的該底面上，及 其中該裙部包括一主體及複數個流動路徑，該些流動路徑形成於該主體中及提供朝向該基板的該底面的該氣體。
  15. 如請求項14所述之處理腔室，其中該氣體噴嘴在垂直於該基板的該底面的方向中提供該氣體，及該些流動路徑在平行於該基板的該底面的方向中及相對於該基板的該底面傾斜的方向中提供該氣體。
  16. 如請求項15所述之處理腔室，其中當該至少一後噴嘴提供該清洗溶液至該基板的該底面上時，該氣體噴嘴及該些流動路徑朝向該基板的該底面提供該氣體。
  17. 如請求項14所述之處理腔室，其中該裙部包括複數個第一流動路徑及複數個第二流動路徑，該些第一流動路徑在平行於該基板的該底面的方向中提供該氣體，該些第二流動路徑相對於該基板的該底面傾斜一預定傾斜角的方向中提供該氣體。
  18. 如請求項17所述之處理腔室，其中該預定傾斜角相對於垂直於該基板的該底面的方向係大於約0度及等於或小於約90度。
  19. 一種用以處理一基板的設備，包括： 一處理模組，包括至少一處理腔室，於一基板上執行一所需處理；以及 一定位模組，從一外側傳送該基板至該處理模組中，該至少一處理腔室包括： 一支撐單元，該基板係置放於該支撐單元上；及 一後噴嘴單元，設置於該基板的一底面的下方， 其中該後噴嘴單元包括一裙部、至少一後噴嘴及一氣體噴嘴，該至少一後噴嘴提供一清洗溶液至該基板的該底面上，該氣體噴嘴提供一氣體至該基板的該底面上，該裙部包括一主體以及複數個第一流動路徑及複數個第二流動路徑，及該些第一流動路徑及該些第二流動路徑係形成於該主體中且朝向該基板的該底面提供該氣體。
  20. 如請求項19所述之設備，其中該些第一流動路徑在平行於該基板的該底面的方向中提供該氣體，該些第二流動路徑相對於該基板的該底面以一傾斜角提供該氣體，該傾斜角係大於約0度及等於或小於約90度。
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