JP2018056508A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板の被処理面上の処理液を揮発性溶媒に置換する置換効率を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置１０は、回転する基板Ｗの被処理面Ｗａに処理液を供給する第１のノズル６１と、回転する基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に揮発性溶媒を供給する第２のノズル７１と、処理液が第１のノズル６１から基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に供給されている状態で、基板Ｗの被処理面Ｗａにおける処理液供給位置を基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から中心付近の位置に移動させ、処理液が第１のノズル６１から基板Ｗの被処理面Ｗａの中心付近の位置に供給され、揮発性溶媒が第２のノズル７１から基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に供給されている状態で、前述の処理液供給位置を基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外に向かう方向に沿って移動させる位置移動部として機能する第１のノズル移動機構６２とを備える。【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

基板処理装置は、半導体や液晶パネルなどの製造工程において、ウェーハや液晶基板などの基板の被処理面を薬液により処理し、薬液処理後の基板の被処理面をリンス液により洗い流し、リンス液処理後の基板を乾燥する装置である。この乾燥工程において、近年の半導体の高集積化や高容量化に伴う微細化によって、例えばメモリセルやゲート周りのパターンが倒壊する問題が発生している。これは、パターン同士の間隔や構造、リンス液の表面張力などに起因している。

そこで、前述のパターン倒壊を抑制することを目的として、表面張力がリンス液、すなわちリンス用の処理液（例えばＤＩＷ：超純水）よりも小さい揮発性溶媒（例えばＩＰＡ：２−プロパノール、イソプロピルアルコール）を用いる基板乾燥方法が提案されている。この基板乾燥方法は、基板の被処理面上の処理液を揮発性溶媒に置換して基板乾燥を行う方法であり、量産工場などで用いられている。この置換工程では、乾燥ムラなどの乾燥不良を避けるため、基板の被処理面を液膜により覆いつつ、基板の被処理面上の処理液を揮発性溶媒に置換する必要がある。

ところが、置換工程において、基板の被処理面を液膜により覆いつつ、迅速に基板の被処理面上の処理液を揮発性溶媒に置換することは難しい。例えば、基板は水平状態で回転し、処理液が基板の被処理面の中心（例えば、円形基板であれば中心、矩形基板であれば対角線の交点を意味する。以下、同じ。）に対して斜めから供給されている状態で、その基板の被処理面の中心に対して直上から揮発性溶媒が供給される。そして、揮発性溶媒の供給開始から数秒後、処理液の供給が停止され、基板の被処理面上の処理液が揮発性溶媒に置換されていく。このとき、基板の被処理面上の液膜が途切れることは無く、基板の被処理面は液膜により覆われている。

しかしながら、前述の置換工程では、揮発性溶媒の供給開始後も数秒間、処理液が基板の被処理面の中心に供給されている。このため、基板の被処理面の中心に供給された揮発性溶媒が基板の被処理面の全体に広がること、すなわち揮発性溶媒の広がりが処理液の供給によって阻害されてしまう。したがって、迅速に基板の被処理面上の処理液を揮発性溶媒に置換することは難しく、処理液から揮発性溶媒への置換が完了するまでに時間を要する。このため、基板の被処理面上の処理液を揮発性溶媒に置換する置換効率の向上が望まれている。

特開２０００−５８４９８号公報

本発明が解決しようとする課題は、基板の被処理面上の処理液を揮発性溶媒に置換する置換効率を向上させることができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。

本発明の実施形態に係る基板処理装置は、被処理面を有する基板を平面内で回転させる回転機構と、回転機構により回転する基板の被処理面に処理液を供給する第１のノズルと、回転機構により回転する基板の被処理面の中心に揮発性溶媒を供給する第２のノズルと、処理液が第１のノズルから基板の被処理面の中心に供給されている状態で、基板の被処理面における処理液が供給される処理液供給位置を基板の被処理面の中心から中心付近の位置に移動させ、処理液が第１のノズルから基板の被処理面の中心付近の位置に供給され、揮発性溶媒が第２のノズルから基板の被処理面の中心に供給されている状態で、前述の処理液供給位置を基板の被処理面の中心から外に向かう方向に沿って移動させる位置移動部とを備える。

本発明の実施形態に係る基板処理方法は、被処理面を有する基板を回転機構により平面内で回転させる工程と、回転機構により回転する基板の被処理面の中心に第１のノズルから処理液を供給する工程と、処理液が第１のノズルから基板の被処理面の中心に供給されている状態で、基板の被処理面における処理液が供給される処理液供給位置を基板の被処理面の中心から中心付近の位置に位置移動部により移動させる第１の移動工程と、処理液が第１のノズルから基板の被処理面の中心付近の位置に供給されている状態で、回転機構により回転する基板の被処理面の中心に第２のノズルから揮発性溶媒を供給する工程と、処理液が第１のノズルから基板の被処理面の中心付近の位置に供給され、揮発性溶媒が第２のノズルから基板の被処理面の中心に供給されている状態で、前述の処理液供給位置を位置移動部により基板の被処理面の中心から外に向かう方向に沿って移動させる第２の移動工程とを有する。

本発明の実施形態によれば、基板の被処理面上の処理液を揮発性溶媒に置換する置換効率を向上させることができる。

第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第１の実施形態に係る基板処理装置の一部を示す平面図である。 第１の実施形態に係る基板処理工程を説明するための図である。 第１の実施形態に係る基板処理工程の一工程を説明するための図である。 第１の実施形態に係る基板処理工程の一工程を説明するための図である。 第１の実施形態に係る基板処理工程の比較例を説明するための図である。 第２の実施形態に係る基板処理工程を説明するための図である。 第３の実施形態に係る基板処理工程の一工程を説明するための図である。 第３の実施形態に係るパーティクル除去効果を説明するための図である。 第４の実施形態に係る基板処理装置の一部の概略構成を示す図である。 第５の実施形態に係る基板処理装置の一部の概略構成を示す図である。 第６の実施形態に係る基板処理装置の一部の概略構成を示す図である。 第７の実施形態に係る基板処理装置の一部の概略構成を示す図である。

＜第１の実施形態＞
第１の実施形態について図１から図６を参照して説明する。

（基本構成）
図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１０は、処理室２０と、カップ３０と、支持部４０と、回転機構５０と、処理液供給部６０と、溶媒供給部７０と、制御部８０とを備えている。

処理室２０は、被処理面Ｗａを有する基板Ｗを処理するための処理ボックスである。この処理室２０は、例えば直方体や立方体などの箱形状に形成されており、カップ３０や支持部４０、回転機構５０などを収容する。処理室２０内には、清浄空気による垂直層流（ダウンフロー）が存在しており、処理室２０内は清浄に保たれている。また、処理室２０内にはＮ_２などの不活性ガスが供給されており、処理室２０内の酸素濃度が抑えられている。

カップ３０は、円筒形状に形成されており、処理室２０内の略中央に位置付けられ、その内部に支持部４０及び回転機構５０を収容するように設けられている。カップ３０の周壁の上部は、内側に向かって傾斜しており、また、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａが露出するように開口している。このカップ３０は、回転する基板Ｗから飛散した処理液や流れ落ちた処理液を受け取る。なお、カップ３０の底面には、受け取った処理液を排出するための排出口（図示せず）が形成されており、その排出口には排出管（図示せず）が接続されている。

支持部４０は、カップ３０内のほぼ中央に位置付けられ、水平面内で回転可能に回転機構５０上に設けられている。この支持部４０は、例えばスピンテーブルと呼ばれる。支持部４０は、複数の支持部材４１を有しており、それらの支持部材４１により基板Ｗを水平状態に支持する。なお、基板Ｗは、その被処理面Ｗａの中心が支持部４０の回転軸上に位置付けられて支持部４０により支持され、平面内で回転することになる。

回転機構５０は、支持部４０を保持するように設けられ、その支持部４０を水平面内で回転させるように構成されている。例えば、回転機構５０は、支持部４０の中央に連結された回転軸やその回転軸を回転させるモータ（いずれも図示せず）などを有しており、モータの駆動により回転軸を介して支持部４０を回転させる。この回転機構５０は制御部８０に電気的に接続されており、その駆動は制御部８０により制御される。

処理液供給部６０は、第１のノズル６１と、第１のノズル移動機構６２と、第１の液供給部６３とを具備している。

第１のノズル６１は、支持部４０の上方に位置付けられ、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに沿って第１のノズル移動機構６２により揺動可能に形成されている。この第１のノズル６１は、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに対向するノズル位置から、その支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに向けて処理液（例えば薬液、ＤＩＷ）を供給する（詳しくは後述する）。

第１のノズル移動機構６２は、図１及び図２に示すように、可動アーム６２ａと、アーム揺動機構６２ｂとを有している。可動アーム６２ａは、一端に第１のノズル６１を保持し、アーム揺動機構６２ｂにより水平に支持されている。アーム揺動機構６２ｂは、可動アーム６２ａにおける第１のノズル６１と反対側の一端を保持し、その可動アーム６２ａを支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに沿って揺動させる。このアーム揺動機構６２ｂは制御部８０に電気的に接続されており、その駆動は制御部８０により制御される。

例えば、第１のノズル６１は、第１のノズル移動機構６２により、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心（中央）に対向するノズル位置と、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの上方から退避して基板Ｗの搬入や搬出を可能とする待機位置との間を往復移動することが可能である。なお、図１及び図２では、第１のノズル６１は支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向する位置にある。

図１に戻り、第１の液供給部６３は、第１のノズル６１に処理液を供給する。この第１の液供給部６３と第１のノズル６１とは、配管６３ａにより接続されている。第１の液供給部６３は、処理液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）などを備えている。タンク内の処理液は、ポンプによる力によって第１のノズル６１に供給される。

ここで、第１の液供給部６３は、例えば、処理液として薬液及びＤＩＷを切り替えて用いることが可能になっている。この第１の液供給部６３は、薬液を貯留するタンク及びＤＩＷを貯留するタンク（いずれも図示せず）を有しており、それらタンク内の薬液あるいはＤＩＷを第１のノズル６１に配管６３ａを介して供給する。

溶媒供給部７０は、第２のノズル７１と、第２のノズル移動機構７２と、第２の液供給部７３とを具備している。

第２のノズル７１は、支持部４０の上方に位置付けられ、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに沿って第２のノズル移動機構７２により揺動可能に形成されている。この第２のノズル７１は、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに対向するノズル位置から、その支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに向けて揮発性溶媒（例えばＩＰＡ）を供給する。この揮発性溶媒は、表面張力が処理液（例えばＤＩＷ）よりも小さい液体である。

第２のノズル移動機構７２は、図１及び図２に示すように、第１のノズル移動機構６２と同様、可動アーム７２ａと、アーム揺動機構７２ｂとを有している。可動アーム７２ａは、一端に第２のノズル７１を保持し、アーム揺動機構７２ｂにより水平に支持されている。アーム揺動機構７２ｂは、可動アーム７２ａにおける第２のノズル７１と反対側の一端を保持し、その可動アーム７２ａを支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに沿って揺動させる。このアーム揺動機構７２ｂは制御部８０に電気的に接続されており、その駆動は制御部８０により制御される。

例えば、第２のノズル７１は、第２のノズル移動機構７２により、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心（中央）に対向するノズル位置と、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの上方から退避して基板Ｗの搬入や搬出を可能とする待機位置との間を往復移動することが可能である。なお、図１及び図２では、第２のノズル７１は支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに対向しない待機位置（カップ３０の外の位置）にある。

図１に戻り、第２の液供給部７３は、第２のノズル７１に揮発性溶媒を供給する。この第２の液供給部７３と第２のノズル７１とは、配管７３ａにより接続されている。第２の液供給部７３は、揮発性溶媒を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）などを備えている。タンク内の揮発性溶媒は、ポンプによる力によって第２のノズル７１に供給される。

ここで、揮発性溶媒としては、ＩＰＡ以外にも、例えば、エタノールなどの１価のアルコール類、また、ジエチルエーテルやエチルメチルエーテルなどのエーテル類、さらに、炭酸エチレンなどを用いることが可能である。

制御部８０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部（いずれも図示せず）を具備している。この制御部８０は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて、回転機構５０による支持部４０の回転動作や処理液供給部６０による処理液の供給動作、溶媒供給部７０による揮発性溶媒の供給動作などの制御を行う。

（基板処理工程）
次に、前述の基板処理装置１０が行う基板処理の流れについて図３から図６を参照して説明する。なお、以下では、一例として、基板がウェーハ（直径３００ｍｍ）で、処理液として薬液及びＤＩＷが用いられ、揮発性溶媒としてＩＰＡが用いられる。また、支持部４０の回転数や液供給時間、液供給位置などの処理条件はあらかじめ制御部８０に設定されているが、操作者によって任意に変更可能である。

図３は本実施形態に係る処理シーケンスであり、図６は比較例に係る処理シーケンスである。これらの図３及び図６の各列の項目において、ＤＩＷ供給位置は、基板Ｗの被処理面ＷａにおけるＤＩＷが供給される位置である。また、ＩＰＡ供給位置は、基板Ｗの被処理面ＷａにおけるＩＰＡが供給される位置である。これらの液供給位置の数値は、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心（Ｃｅｎｔｅｒ＝０ｍｍ）からずれたオフセット（Ｏｆｆｓｅｔ）位置である。

図３に示すように、基板処理工程は、薬液処理後に５つのステップ（第１のステップから第５のステップ）を有している。これらのステップ前の薬液処理では、まず、支持部４０上に基板Ｗがセットされ、支持部４０が回転機構５０により所定の回転数（例えば５００ｒｐｍ）で回転する。これにより、支持部４０上の基板Ｗも所定の回転数で回転する。第１のノズル６１は、回転する基板Ｗの被処理面Ｗａの中心（０ｍｍ）に対向するノズル位置から、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に薬液を所定時間（例えば数十秒）供給する。なお、第２のノズル７１は、基板Ｗの被処理面Ｗａに対向しない待機位置にある。

第１のノズル６１から吐出された薬液は、回転する支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に供給され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がる。これにより、基板Ｗの被処理面Ｗａ上には薬液の液膜が形成され、基板Ｗの被処理面Ｗａは薬液によって処理される。

第１のステップは、ＤＩＷを用いるリンス工程である。この第１のステップでは、前述の所定時間の薬液処理に引き続き、ＤＩＷが第１のノズル６１から基板Ｗの被処理面Ｗａに１０秒間供給される。このとき、ＤＩＷ供給位置は基板Ｗの被処理面Ｗａの中心（０ｍｍ）であり、第１のノズル６１は、前述の薬液処理と同じ位置、すなわち基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向するノズル位置から、回転する基板Ｗの被処理面Ｗａの中心にＤＩＷを供給する。第１のステップにおける基板Ｗの回転数（支持部４０の回転数）は５００ｒｐｍである。

第１のノズル６１から吐出されたＤＩＷは、回転する支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に供給され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がる。このＤＩＷの広がりに応じ、先に供給された基板Ｗの被処理面Ｗａ上の薬液は、その被処理面Ｗａの外周から排出されていく。このように、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａは薬液からＤＩＷに置換され、ＤＩＷの液膜によって覆われて洗浄されることになる。

なお、ＤＩＷは、第１の液供給部６３により薬液から切り替えられて、第１のノズル６１に供給される。この薬液とＤＩＷの切り替えでは、薬液とＤＩＷとは、連続して第１のノズル６１に供給される。このため、基板Ｗの被処理面Ｗａ上の液膜は途切れることが無く、一連の液処理中に基板Ｗの被処理面Ｗａが露出することを抑えることができる。

第２のステップは、ＤＩＷ及びＩＰＡを用いるＤＩＷ＋ＩＰＡ工程（ＤＩＷ＋ＩＰＡラップ）である。この第２のステップでは、第１のステップに引き続き、すなわちＤＩＷが供給されている状態で、ＩＰＡが基板Ｗの被処理面Ｗａに１秒間供給される。このとき、ＤＩＷ供給位置は基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から３０ｍｍの位置であり、ＩＰＡ供給位置は基板Ｗの被処理面Ｗａの中心（０ｍｍ）である。つまり、ＩＰＡの供給開始時点までに、第１のノズル６１は基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向するノズル位置から基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から３０ｍｍの位置に対向するノズル位置に移動しており（第１の移動）、第２のノズル７１は待機位置から基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向するノズル位置に移動している。第２のステップにおける基板Ｗの回転数は直前の第１のステップと同じ５００ｒｐｍで一定である。

ここで、本実施形態における前述の３０ｍｍのＤＩＷ供給位置は、第１のノズル６１から３０ｍｍのＤＩＷ供給位置に供給されたＤＩＷが、回転する基板Ｗにおける被処理面Ｗａの中心まで広がる位置に設定されている。これにより、第１のノズル６１が基板Ｗの被処理面Ｗａの中心ではなく、中心から３０ｍｍの位置にＤＩＷを供給しても、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心付近はＤＩＷの液膜により覆われる。つまり、ＤＩＷ供給位置がオフセットしても、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心にもＤＩＷが供給されるので、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心付近を含め被処理面Ｗａの全体がＤＩＷの液膜により確実に覆われることになる。したがって、一連の液処理中に基板Ｗの被処理面Ｗａが露出することが抑制されるので、乾燥ムラなどの乾燥不良を抑えることができる点で好ましい。

なお、第２のステップにおけるＤＩＷ供給位置は、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から３０ｍｍの位置であるが、これは中心付近の位置の一例である。この中心付近の位置とは、例えば、中心を除き、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から基板Ｗの半径の１／２の距離を有する範囲内の位置である。本実施形態では、少なくとも、ＩＰＡを基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に供給するために移動した第２のノズル７１が、第１のノズル６１に衝突しない位置である必要がある。また、上述したように、乾燥ムラなどを防止することを考慮に入れることも好ましい。このような位置は、液体の粘度や供給量、基板Ｗの回転数などにより変化するため、実験的に求められて制御部８０に設定されている。

第２のステップにおいて、図４に示すように、第１のノズル６１は、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から３０ｍｍの位置に対向するノズル位置（３０ｍｍ）から基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から３０ｍｍの位置にＤＩＷを供給している。この状態において、第２のノズル７１は、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向するノズル位置（０ｍｍ）から基板Ｗの被処理面Ｗａの中心にＩＰＡを供給する。このように、第１のノズル６１からＤＩＷが基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から３０ｍｍの位置に供給されている状態で、第２のノズル７１から吐出されたＩＰＡは、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心におけるＤＩＷの液膜上に供給されるため、ＤＩＷ及びＩＰＡは重なることになる（ＤＩＷ＋ＩＰＡラップ）。なお、第１ノズル６１は、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心からずれた位置（中心付近の位置）にＤＩＷを供給するので、被処理面Ｗａの中心にＤＩＷを供給するのに比べると、被処理面Ｗａの中心に形成されるＤＩＷの液膜の厚さは薄くなる。そして、基板Ｗの被処理面Ｗａ上に供給されたＤＩＷ及びＩＰＡは、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がっていく。

図３に戻り、第３のステップは、ＤＩＷ及びＩＰＡを用いるＤＩＷ＋ＩＰＡ工程（ＤＩＷ供給位置スキャン）である。この第３のステップでは、第２のステップに引き続きＤＩＷ及びＩＰＡが４秒間供給され、さらに、その４秒の間にＤＩＷ供給位置が３０ｍｍの位置から２００ｍｍの位置に移動する（第２の移動）。このとき、ＩＰＡ供給位置は、前述の第２のステップと同じ位置、すなわち基板Ｗの被処理面Ｗａの中心である。なお、第３のステップの開始から４秒後には、ＤＩＷの供給は停止される。第３のステップにおける基板Ｗの回転数は直前の第２のステップと同じ５００ｒｐｍで一定である。

第３のステップにおいて、図５に示すように、第１のノズル６１は、基板Ｗの被処理面Ｗａにおける中心から３０ｍｍの位置に対向するノズル位置（３０ｍｍ）から基板Ｗの被処理面Ｗａの外周の直上に位置するノズル位置（２００ｍｍ）に移動する。このとき、第１のノズル移動機構６２は、第１のノズル６１がＤＩＷを基板Ｗの被処理面Ｗａに供給している状態で、その第１のノズル６１を基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外に向かう方向に沿って移動させる。これにより、ＤＩＷ供給位置、すなわち支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａにおける処理液が供給される処理液供給位置は移動することになる。このため、第１のノズル移動機構６２は、処理液供給位置を基板Ｗの被処理面Ｗａに沿う方向に移動させる位置移動部として機能する。

ここで、ＤＩＷ供給位置は、基板Ｗの被処理面ＷａにＩＰＡを供給するとき、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心からオフセットし、ＩＰＡの供給が開始すると、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外に向かう方向に沿って移動していく。この場合、ＤＩＷ供給位置は基板Ｗの被処理面Ｗａの中心からずれるため、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心付近では、ＤＩＷの液膜が薄くなることは前述したとおりである。このため、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心にＩＰＡが供給されても、ＩＰＡの広がりがＤＩＷの液膜により阻害されることが抑制され、ＤＩＷがＩＰＡに置換されやすくなる。また、ＤＩＷ供給位置が基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外に向かう方向に沿って移動することで、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外周に向かって徐々にＤＩＷの液量（液膜の厚さ）が減り、ＤＩＷが基板Ｗの被処理面Ｗａの中心付近から外周へ排出されることが促進される。これにより、ＤＩＷが基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外周に排出される時間が早くなり、その結果、ＩＰＡが基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がる時間が早くなり、ＤＩＷからＩＰＡへの置換効率が向上する。

図３に戻り、第４のステップは、ＩＰＡを用いるＩＰＡ工程である。この第４のステップでは、第３のステップに引き続き、ＩＰＡの供給が１０秒間継続される。このとき、ＤＩＷの供給は停止されている。なお、第４のステップの開始から１０秒後には、ＩＰＡの供給も停止される。ＩＰＡ供給位置は、前述の第３のステップと同じ位置、すなわち基板Ｗの被処理面Ｗａの中心である。第２のノズル７１は基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向するノズル位置にあり、第１のノズル６１は基板Ｗの被処理面Ｗａに対向しない待機位置にある。つまり、第３のステップ又は第４のステップ中、第２のノズル７１は基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向するノズル位置で停止しているが、第１のノズル６１は基板Ｗの被処理面Ｗａの外周の直上に位置するノズル位置（２００ｍｍ）から待機位置に移動する。第４のステップにおける基板Ｗの回転数は直前の第３のステップと同じ５００ｒｐｍで一定である。

なお、前述の第４のステップにおいて、ＤＩＷを供給せず、ＩＰＡだけを供給する供給時間（例えば１０秒）は、基板Ｗの被処理面Ｗａ上の微細なパターン間の隙間に入り込んだ処理液を完全にＩＰＡに置換するため、すなわち基板Ｗの被処理面Ｗａ上のパターン間にＩＰＡを浸透させるために必要となる時間に設定されている。

第５のステップは、基板Ｗを乾燥する乾燥工程（Ｄｒｙ工程）である。この第５のステップでは、第４のステップに引き続き、基板Ｗの回転が２０秒間継続され、その２０秒後に基板Ｗの回転は停止する。ＩＰＡの供給は停止されており、その振り切り乾燥によって基板Ｗの被処理面Ｗａは乾燥する。このとき、第１のノズル６１及び第２のノズル７１は、基板Ｗの被処理面Ｗａに対向しない待機位置にある。つまり、第５のステップ中、第２のノズル７１は基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向するノズル位置から待機位置に移動する。第５のステップにおける基板Ｗの回転数は直前の第４のステップより速い１２００ｒｐｍで一定である。

前述の基板処理工程によれば、第２のステップにおいて、基板Ｗの被処理面ＷａにＩＰＡを供給するとき、ＤＩＷ供給位置を基板Ｗの被処理面Ｗａの中心からずらすことによって、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心付近におけるＤＩＷの液膜が薄くなる。これにより、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心にＩＰＡが供給されても、ＩＰＡの広がりがＤＩＷの液膜により阻害されることが抑えられるので、ＤＩＷをＩＰＡに置換しやすくなり、ＤＩＷからＩＰＡへの置換効率を向上させることができる。

また、第３のステップにおいて、ＤＩＷ供給位置スキャンを行うことによって、ＤＩＷ供給位置が基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外に向かう方向に沿って移動するため、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外周に向かってＤＩＷの液量は徐々に減少することになる。これにより、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心付近から外周へＤＩＷが排出されることが促進され、ＤＩＷの液膜によりＩＰＡの広がりが阻害されることは抑えられるので、ＩＰＡが基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がる時間が早くなり、ＤＩＷからＩＰＡへの置換効率を向上させることができる。

ここで、図６に示すように、ＤＩＷ供給位置スキャンを行うステップが無い比較例では、ＤＩＷからＩＰＡへの置換時間は２０秒（第２のステップの５秒＋第３のステップの１５秒＝２０秒）であり、第１の実施形態では１５秒（第２のステップの１秒＋第３のステップの４秒＋第４のステップの１０秒＝１５秒）である。このため、前述の第１の実施形態の置換時間は、比較例の置換時間に比べて５秒短くなる。したがって、ＤＩＷ供給位置スキャンを行うステップを設けることによって、ＤＩＷからＩＰＡへの置換時間を短縮させることができる。なお、ＤＩＷからＩＰＡへの置換時間は、液体の水分濃度を計測しつつ、その水分濃度が所定値以下あるいは０（ゼロ）となる時間を計測することで得られる。

以上説明したように、第１の実施形態によれば、処理液（例えばＤＩＷ）が第１のノズル６１から基板Ｗの被処理面Ｗａの中心付近に供給されており、かつ、揮発性溶媒（例えばＩＰＡ）が第２のノズル７１から基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に供給されている状態で、基板Ｗの被処理面Ｗａ上の処理液供給位置を基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外に向かう方向に沿って移動させる。これにより、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外周に向かって処理液の液量が徐々に減り、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心付近から外周へ処理液が排出されることが促進され、処理液の液膜により揮発性溶媒の広がりが阻害されることが抑えられるので、揮発性溶媒が基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がる時間が早くなる。したがって、基板Ｗの被処理面Ｗａ上の処理液を揮発性溶媒に置換する置換効率を向上させることができる。

＜第２の実施形態＞
第２の実施形態について図７を参照して説明する。なお、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点（基板処理工程の流れ）について説明し、その他の説明は省略する。図７の各列の項目は図３や図６と同様である。

図７に示すように、第２の実施形態に係る基板処理工程は、薬液処理後に７つのステップ（第１のステップから第７のステップ）を有している。この基板処理工程は、第１の実施形態に係る各工程（図３参照）に加え、図７に示す第４のステップ、すなわちＤＩＷ供給位置を移動させるＤＩＷ＋ＩＰＡ工程（ＤＩＷ供給位置スキャン）の直前及び直後に、液膜確保工程（第３のステップ及び第５のステップ）を有している。

液膜確保工程では、直前の工程よりも基板Ｗの回転数が制御部８０により下げられる。制御部８０は、ＤＩＷが基板Ｗの被処理面Ｗａに供給されており、かつ、ＩＰＡが基板Ｗの被処理面Ｗａに供給されている状態が所定時間（例えば、直前の工程である第２のステップの１秒間あるいは第４のステップの３秒間）継続した場合、回転機構５０を制御し、支持部４０の回転数を下げる。例えば、第３のステップでは、第２のステップにおける基板Ｗの回転数５００ｒｐｍを２５０ｒｐｍに下げ、第５のステップでは、第４のステップにおける基板Ｗの回転数２５０ｒｐｍを１００ｒｐｍに下げる。なお、第６のステップでは、第５のステップにおける基板Ｗの回転数１００ｒｐｍを５００ｒｐｍに上げ、第７のステップでは、第６のステップにおける基板Ｗの回転数５００ｒｐｍを１２００ｒｐｍに上げる。

この液膜確保工程によれば、直前の工程よりも基板Ｗの回転数を下げることによって、基板Ｗの被処理面Ｗａ上の液膜の厚さが所望値に維持されるので、基板Ｗの被処理面Ｗａの全体を液膜により確実に覆うことが可能となる。これにより、一連の液処理中に基板Ｗの被処理面Ｗａが露出することを確実に抑えることができる。また、第５ステップにおいて、基板Ｗの被処理面Ｗａ上の微細なパターン間の隙間にＩＰＡを浸透させることが可能であり、微細なパターン間の隙間に入り込んだ処理液を確実にＩＰＡに置換することができる。なお、各種条件によっては、第１の実施形態のように液膜確保工程を不要とすることも可能である。

以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、液膜確保工程を設けることによって、基板Ｗの被処理面Ｗａの全体が液膜により確実に覆われ、一連の液処理中に基板Ｗの被処理面Ｗａが露出することが抑制されるので、乾燥ムラなどの乾燥不良を確実に抑えることができる。

＜第３の実施形態＞
第３の実施形態について図８及び図９を参照して説明する。なお、第３の実施形態では、第１の実施形態との相違点（ＩＰＡの広がりに応じたＤＩＷ供給位置スキャン）について説明し、その他の説明は省略する。

図８に示すように、第３の実施形態に係るＤＩＷ供給位置スキャン（ＤＩＷ＋ＩＰＡ工程）において、第１のノズル６１、すなわちＤＩＷ供給位置は、第２のノズル７１から基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に供給されたＩＰＡの広がり（ＩＰＡが広がっていく領域Ｒ１）に応じて、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外に向かう方向に沿って移動する。

第１のノズル移動機構６２は、例えば、第２のノズル７１から基板Ｗの被処理面Ｗａに供給されたＩＰＡが広がる速さ（流速）に応じて、ＤＩＷ供給位置を基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外に向かう方向に沿って移動させる。このとき、ＤＩＷ供給位置が領域Ｒ１内であってその領域Ｒ１の外周付近（境界付近）に位置するようにＤＩＷ供給位置を移動させることが望ましい。ＩＰＡの広がり速さは実験的に求められおり、この広がり速さに基づいて第１のノズル６１の移動速度が制御部８０に設定されている。したがって、制御部８０は、その第１のノズル６１の移動速度の設定値に基づいて第１のノズル移動機構６２を制御し、第１のノズル６１の移動速度を調整する。

このように、ＩＰＡの広がりに応じたＤＩＷ供給位置スキャンによれば、ＩＰＡの広がりに応じてＤＩＷ供給位置を基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外に向かう方向に沿って移動させることによって、ＩＰＡの広がりがＤＩＷによって阻害されることが抑制され、ＩＰＡがスムーズに基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がっていく。このため、ＩＰＡが基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がる時間が早くなるので、処理液から揮発性溶媒への置換効率をより向上させることができる。

なお、基板Ｗが親水性を有する場合には、ＤＩＷが基板Ｗの被処理面Ｗａに馴染んで広がり、ウォーターマーク、すなわちパーティクルは残留し難いが、基板Ｗが疎水性を有する場合には、ＤＩＷが基板Ｗの被処理面Ｗａにはじかれつつ広がり、流れが不均一になるため、基板Ｗの被処理面Ｗａの一部が露出して乾燥ムラが生じ、パーティクルが基板Ｗの被処理面Ｗａに残留しやすい。ところが、ＤＩＷ供給位置がＩＰＡの広がりに応じて、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外に向かう方向に沿って移動することで、基板Ｗの被処理面ＷａにおけるＤＩＷが供給される面積が徐々に小さくなり、ＩＰＡがスムーズに基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がっていく。これにより、基板Ｗの被処理面Ｗａの一部が露出することによる乾燥ムラを抑えることが可能となるので、疎水性を有する基板Ｗにパーティクルが残留することを抑制することができる。

ここで、例えば、親水性を有する基板Ｗとしては、被処理面Ｗａが酸化膜により覆われているシリコン基板がある。一方、疎水性を有する基板Ｗとしては、被処理面Ｗａが覆われていないシリコン基板、すなわちシリコンがむき出しのシリコン基板がある。このシリコンがむき出しのシリコン基板では、通常、ＤＩＷ（Ｈ_２Ｏ）が被処理面Ｗａに残留すると、被処理面Ｗａで酸化が進行し、ウォーターマークが発生して残る。ところが、ＤＩＷ供給位置がＩＰＡの広がりに応じて、基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外に向かう方向に沿って移動することで、前述のように、ＩＰＡがスムーズに基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がっていくので、ＤＩＷは基板Ｗの被処理面Ｗａ上から迅速に追い出されることになる。これにより、ＤＩＷの残留によるウォーターマークの発生を抑えることが可能となり、疎水性を有する基板Ｗにパーティクルが残留することを抑制することができる。

ここで、第３の実施形態のシーケンス処理（ノズルスキャンあり＝ＤＩＷ供給位置スキャンあり）を行った場合と、比較例のシーケンス処理（ノズルスキャンなし＝ＤＩＷ供給位置スキャンなし）を行った場合とにおける、疎水性を有する基板Ｗに対するパーティクル（ウォーターマーク）の残留度合いについて図９を参照して説明する。

図９では、左側の基板Ｗが第３の実施形態に係るシーケンス処理による結果であり、右側の基板Ｗが比較例に係るシーケンス処理による結果である。基板Ｗの被処理面Ｗａ内の黒点がパーティクルを示し、その残留位置も示す。なお、パーティクルの測定は、通常のパーティクルカウンターが用いられて行われている。

図９に示すように、左側の基板Ｗの被処理面Ｗａの方が右側の基板Ｗの被処理面Ｗａに比べて黒点が非常に少ない。つまり、第３の実施形態に係るシーケンス処理（ノズルスキャンあり）に基づく基板処理を行った場合には、比較例に係るシーケンス処理（ノズルスキャンなし）に比べ、パーティクルの数を１／５〜１／４程度に減らすことが可能となり、疎水性を有する基板Ｗに対するパーティクルの付着を抑制することができる。

以上説明したように、第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、揮発性溶媒（例えばＩＰＡ）の広がりに応じて第１のノズル６１の処理液供給位置（例えばＤＩＷ供給位置）を基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外に向かう方向に沿って移動させることによって、揮発性溶媒の広がりが処理液により阻害されることを抑制することが可能となり、揮発性溶媒がスムーズに基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がっていくので、処理液から揮発性溶媒への置換効率をより向上させることができる。さらに、疎水性を有する基板Ｗに対するパーティクルの残留を抑制することが可能となり、基板Ｗの汚染を抑えることができる。

＜第４の実施形態＞
第４の実施形態について図１０を参照して説明する。なお、第４の実施形態では、第１の実施形態との相違点（ノズル直線移動機構）について説明し、その他の説明は省略する。

図１０に示すように、第４の実施形態に係る第１のノズル移動機構６２は、第１の実施形態に係る可動アーム６２ａ及びアーム揺動機構６２ｂに加え、ノズル直線移動機構６２ｃを有している。この第１のノズル移動機構６２は、ノズル直線移動機構６２ｃにより第１のノズル６１及び第２のノズル７１を個別に移動させる。このため、第４の実施形態では、第１の実施形態に係る第２のノズル移動機構７２は不要となり、取り除かれている。

ノズル直線移動機構６２ｃは、延伸する可動アーム６２ａに設けられており、第１のノズル６１及び第２のノズル７１を支持し、支持した第１のノズル６１及び第２のノズル７１を支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに沿って一直線に移動させる。これにより、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａにおける液供給位置（ＤＩＷ供給位置及びＩＰＡ供給位置）を移動させることが可能となる。このため、ノズル直線移動機構６２ｃは、処理液供給位置を基板Ｗの被処理面Ｗａに沿う方向に移動させる位置移動部として機能する。

ここで、ノズル直線移動機構６２ｃとしては、例えば、リニアモータ式の移動機構や送りねじ式の移動機構など各種移動機構を用いることが可能である。このノズル直線移動機構６２ｃは、制御部８０（図１参照）に電気的に接続されており、その駆動が制御部８０により制御される。

以上説明したように、第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第１のノズル６１及び第２のノズル７１をそれらに共通のノズル直線移動機構６２ｃにより移動させることによって、第１の実施形態に係る第２のノズル移動機構７２を取り除くことが可能となるので、第１の実施形態に比べて装置構成を簡略化することができる。

＜第５の実施形態＞
第５の実施形態について図１１を参照して説明する。なお、第５の実施形態では、第１の実施形態との相違点（ノズル首振り機構）について説明し、その他の説明は省略する。

図１１に示すように、第５の実施形態に係る第１のノズル移動機構６２は、第１の実施形態に係る可動アーム６２ａ及びアーム揺動機構６２ｂに加え、ノズル首振り機構６２ｄを有している。この第１のノズル移動機構６２は、ノズル首振り機構６２ｄにより第１のノズル６１を振り動かす。

ノズル首振り機構６２ｄは、延伸する可動アーム６２ａの先端、すなわち可動アーム６２ａにおけるアーム揺動機構６２ｂと反対側の端部に設けられている。このノズル首振り機構６２ｄは、第１のノズル６１の一端を支持し、支持した第１のノズル６１の一端を回転中心として第１のノズル６１を回転させるように振り動かす。これにより、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａにおける液供給位置（ＤＩＷ供給位置）を移動させることが可能となる。このため、ノズル首振り機構６２ｄは、処理液供給位置を基板Ｗの被処理面Ｗａに沿う方向に移動させる位置移動部として機能する。

ここで、例えば、ノズル首振り機構６２ｄは、回転方向を変えることが可能なモータ（図示せず）を有している。このモータの回転軸に第１のノズル６１の一端が直角に連結されている。これにより、第１のノズル６１の一端が回転中心とされ、第１のノズル６１は回転することが可能になっている。このノズル首振り機構６２ｄは、制御部８０（図１参照）に電気的に接続されており、その駆動が制御部８０により制御される。

以上説明したように、第５の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第１の実施形態や第４の実施形態に比べ、処理液供給位置を移動させる場合における第１のノズル６１の移動範囲を狭くすることができる。

＜第６の実施形態＞
第６の実施形態について図１２を参照して説明する。なお、第６の実施形態では、第１の実施形態との相違点（ノズル首振り機構）について説明し、その他の説明は省略する。

図１２に示すように、第６の実施形態では、第１の実施形態に係る第１のノズル移動機構６２が取り除かれ、ノズル首振り機構６２ｄが設けられている。このノズル首振り機構６２ｄは第１のノズル６１を振り動かす。

ノズル首振り機構６２ｄは、カップ３０の周壁の上端部に固定されて設けられている。このノズル首振り機構６２ｄは、第１のノズル６１の一端を支持し、支持した第１のノズル６１の一端を回転中心として第１のノズル６１を回転させるように振り動かす。これにより、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａにおける処理液供給位置（ＤＩＷ供給位置）を移動させることが可能となる。このため、ノズル首振り機構６２ｄは、処理液供給位置を基板Ｗの被処理面Ｗａに沿う方向に移動させる位置移動部として機能する。なお、ノズル６１から吐出された処理液は、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに対して斜め方向から供給されることになる。

ここで、例えば、ノズル首振り機構６２ｄは、第５の実施形態と同様、回転方向を変えることが可能なモータ（図示せず）を有しており、このモータの回転軸に第１のノズル６１の一端が直角に連結されている。これにより、第１のノズル６１の一端が回転中心とされ、第１のノズル６１は回転することが可能になっている。このノズル首振り機構６２ｄは、制御部８０（図１参照）に電気的に接続されており、その駆動が制御部８０により制御される。

以上説明したように、第６の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第１や第４、第５の実施形態に係る第１のノズル移動機構６２を取り除くことが可能となるので、第１や第４、第５の実施形態に比べて装置構成を簡略化することができる。さらに、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの上方を移動する第１の可動アーム６２ａが無くなるため、第１の可動アーム６２ａからパーティクル（埃や金属粉などの不純物）が落下して支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに付着することを抑制することが可能となり、基板Ｗの汚染を抑えることができる。

＜第７の実施形態＞
第７の実施形態について図１３を参照して説明する。なお、第７の実施形態では、第１の実施形態との相違点（ノズル吐出量の変更制御）について説明し、その他の説明は省略する。

図１３に示すように、第７の実施形態では、第１の実施形態に係る第１のノズル移動機構６２が取り除かれ、ノズル６１がカップ３０の周壁の上端部に固定されて設けられている。また、制御部８０は、第１の液供給部６３を制御し、第１のノズル６１から吐出される処理液（例えばＤＩＷ）の吐出量を調整する。これにより、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａにおける処理液供給位置（ＤＩＷ供給位置）を移動させることが可能となる。例えば、制御部８０は、第１のノズル６１からの処理液の吐出量を、処理液供給位置が基板Ｗの被処理面Ｗａの中心となる吐出量から徐々に少なくしていき、処理液供給位置を基板Ｗの被処理面Ｗａの中心から外に向かう方向に沿って徐々に移動させることができる。このため、制御部８０及び第１の液供給部６３は、処理液供給位置を基板Ｗの被処理面Ｗａに沿う方向に移動させる位置移動部として機能する。なお、ノズル６１から吐出された処理液は、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに対して斜め方向から供給されることになる。

以上説明したように、第７の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、第１や第４、第５の実施形態に係る第１のノズル移動機構６２を取り除くことが可能となるので、第１や第４、第５の実施形態に比べて装置構成を簡略化することができる。さらに、第６の実施形態に係るノズル首振り機構６２ｄを取り除くことが可能となるので、第６の実施形態に比べて装置構成を簡略化することができる。また、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの上方を移動する第１の可動アーム６２ａが無くなるため、第１の可動アーム６２ａから異物（埃や金属粉など）が落下して支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに付着することを抑制することが可能となり、基板Ｗの汚染を抑えることができる。

＜他の実施形態＞
前述の各実施形態においては、第７の実施形態以外、第１のノズル６１から基板Ｗの被処理面Ｗａへの処理液の吐出量は一定でも良いが、これに限るものではなく、例えば、処理液供給位置が基板Ｗの被処理面Ｗａに沿ってその被処理面Ｗａの中心から外に向かう方向に沿って移動することに応じて、第１のノズル６１から基板Ｗの被処理面Ｗａへの処理液の吐出量、すなわち基板Ｗの被処理面Ｗａへの処理液の供給量を徐々にあるいは段階的に減らすようにしても良い。これにより、揮発性溶媒の広がりが処理液により阻害されることを抑制することが可能となり、揮発性溶媒がスムーズに基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がっていくので、処理液から揮発性溶媒への置換効率をより向上させることができる。

また、前述の各実施形態においては、乾燥工程において加熱源を用いていないが、これに限るものではなく、例えば、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａを加熱する加熱部を用いるようにしても良い。この加熱部としては、例えば、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに光を当てて加熱する照射部を用いることが可能である。この照射部により基板Ｗの被処理面Ｗａを瞬時に加熱し、ライデンフロスト現象（液体の液玉化）を生じさせて基板Ｗを迅速に乾燥させることができる。つまり、基板Ｗを瞬時に加熱することで、基板Ｗの被処理面Ｗａ上のパターンに接触している揮発性溶媒が瞬時に気化し、基板Ｗの被処理面Ｗａ上における他の部分の揮発性溶媒が直ちに液玉化する（液玉化現象）。こうして生成された液玉は、基板Ｗの回転による遠心力で基板Ｗ上から飛ばされ、基板Ｗが乾燥する。

また、前述の各実施形態においては、第１のノズル６１及び第２のノズル７１を上下方向（昇降方向）に移動させていないが、これに限るものではなく、上下移動機構（昇降機構）により上下方向に移動させるようにしても良い。例えば、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに液を供給する場合には、第１のノズル６１や第２のノズル７１を下げて支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに近づける。一方、第１のノズル６１や第２のノズル７１を待機位置に移動させる場合には、第１のノズル６１や第２のノズル７１を上げて支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａから遠ざける。このとき、第１のノズル６１や第２のノズル７１は、供給位置から待機位置（あるいは待機位置から供給位置）に移動する際、カップ３０に当たらない位置まで上げられる。なお、第１のノズル６１や第２のノズル７１とカップ３０との接触を避けるため、第１のノズル６１や第２のノズル７１が供給位置から待機位置（あるいは待機位置から供給位置）に移動する移動中に第１のノズル６１や第２のノズル７１を上げることも可能である。

また、上記実施形態においては、ＤＩＷ供給位置スキャンを行う際、ＤＩＷ供給位置を中心付近の一例である３０ｍｍの位置から、基板の外周を超えた２００ｍｍの位置まで移動させ、その後、ＤＩＷの供給を停止させる例を説明した。しかし、これに限られるものではなく、例えば、ＤＩＷの供給停止位置を基板の外周縁としても良い。３００ｍｍのウェーハでいえば、ウェーハの中心から１５０ｍｍの位置である。

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０ 基板処理装置
５０ 回転機構
６１ 第１のノズル
６２ 第１のノズル移動機構
６２ａ 可動アーム
６２ｂ アーム揺動機構
６２ｃ ノズル直線移動機構
６２ｄ ノズル首振り機構
６３ 第１の液供給部
７１ 第２のノズル
８０ 制御部
Ｗ 基板
Ｗａ 被処理面

Claims (9)

1. 被処理面を有する基板を平面内で回転させる回転機構と、
   前記回転機構により回転する前記基板の被処理面に処理液を供給する第１のノズルと、
   前記回転機構により回転する前記基板の被処理面の中心に揮発性溶媒を供給する第２のノズルと、
   前記処理液が前記第１のノズルから前記基板の被処理面の中心に供給されている状態で、前記基板の被処理面における前記処理液が供給される処理液供給位置を前記基板の被処理面の中心から中心付近の位置に移動させ、前記処理液が前記第１のノズルから前記基板の被処理面の中心付近の位置に供給され、前記揮発性溶媒が前記第２のノズルから前記基板の被処理面の中心に供給されている状態で、前記処理液供給位置を前記基板の被処理面の中心から外に向かう方向に沿って移動させる位置移動部と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 前記中心付近の位置は、前記第１のノズルから前記中心付近の位置に供給された前記処理液が、前記回転機構により回転する前記基板の被処理面の中心まで広がる位置に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記位置移動部は、前記第２のノズルから前記基板の被処理面に供給された前記揮発性溶媒の広がりに応じ、前記処理液供給位置を前記基板の被処理面の中心から外に向かう方向に沿って移動させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記回転機構は、前記処理液が前記第１のノズルから前記基板の被処理面の中心付近の位置に供給され、前記揮発性溶媒が前記第２のノズルから前記基板の被処理面の中心に供給されている状態が所定時間継続した場合、前記基板の回転数を下げて前記基板の回転を継続し、
   前記位置移動部は、前記回転機構により下げられた前記基板の回転数で前記基板が回転している状態で、前記処理液供給位置を前記基板の被処理面の中心から外に向かう方向に沿って移動させることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
5. 前記揮発性溶媒はＩＰＡであることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
6. 被処理面を有する基板を回転機構により平面内で回転させる工程と、
   前記回転機構により回転する前記基板の被処理面の中心に第１のノズルから処理液を供給する工程と、
   前記処理液が前記第１のノズルから前記基板の被処理面の中心に供給されている状態で、前記基板の被処理面における前記処理液が供給される処理液供給位置を前記基板の被処理面の中心から中心付近の位置に位置移動部により移動させる第１の移動工程と、
   前記処理液が前記第１のノズルから前記基板の被処理面の中心付近の位置に供給されている状態で、前記回転機構により回転する前記基板の被処理面の中心に第２のノズルから揮発性溶媒を供給する工程と、
   前記処理液が前記第１のノズルから前記基板の被処理面の中心付近の位置に供給され、前記揮発性溶媒が前記第２のノズルから前記基板の被処理面の中心に供給されている状態で、前記処理液供給位置を前記位置移動部により前記基板の被処理面の中心から外に向かう方向に沿って移動させる第２の移動工程と、
   を有することを特徴とする基板処理方法。
7. 前記中心付近の位置は、前記第１のノズルから前記中心付近の位置に供給された前記処理液が、前記回転機構により回転する前記基板の被処理面の中心まで広がる位置に設定されていることを特徴とする請求項６に記載の基板処理方法。
8. 前記第２の移動工程では、前記第２のノズルから前記基板の被処理面に供給された前記揮発性溶媒の広がりに応じ、前記処理液供給位置を前記基板の被処理面の中心から外に向かう方向に沿って移動させることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の基板処理方法。
9. 前記処理液が前記第１のノズルから前記基板の被処理面の中心付近の位置に供給され、前記揮発性溶媒が前記第２のノズルから前記基板の被処理面の中心に供給されている状態が所定時間継続した場合、前記第２の移動工程を行う前に、前記回転機構により前記基板の回転数を下げて前記基板の回転を継続する工程をさらに有し、
   前記第２の移動工程では、前記回転機構により下げられた前記基板の回転数で前記基板が回転している状態で、前記処理液供給位置を前記基板の被処理面の中心から外に向かう方向に沿って移動させることを特徴とする請求項６から請求項８のいずれか一項に記載の基板処理方法。

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