KR102032923B1 - 웨이퍼 처리 장치 - Google Patents

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KR102032923B1
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Abstract

본 개시는 웨이퍼 처리 장치에 있어서, 웨이퍼 처리 장치의 상부에 구비되어 외부의 공기를 내부로 공급하는 공기공급부; 공기공급부로부터 공기가 유입되고, 웨이퍼가 구비되는 챔버; 공기공급부로부터 챔버 내부로 내려오는 공기의 양을 조절하는 펀칭플레이트; 그리고, 챔버의 하부에 구비되어, 공기공급부에서 공급된 공기를 웨이퍼 처리 장치의 외부로 내보내는 배기부;를 포함하는 웨이퍼 처리 장치에 관한 것이다.

Description

웨이퍼 처리 장치{APPARATUS FOR WAFER TREATMENT}
본 개시(Disclosure)는 전체적으로 웨이퍼 처리 장치에 관한 것으로, 특히 웨이퍼 처리 장치의 파티클을 효과적으로 제거하는 웨이퍼 처리 장치에 관한 것이다.
여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).
도 1은 한국 공개특허공보 특2001-0050087호에 제시된 웨이퍼 처리 장치의 일 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 용어를 변경하였다.
도 1은 본 발명의 웨이퍼 처리 장치를 현상장치에 적용시킨 실시형태를 나타내는 개략 도면이다. 기판인 웨이퍼(W)의 이면(裏面) 중심부를 진공으로 흡착하여 수평으로 보유·유지하는 기판보유·유지부인 스핀척이다. 스핀척(2)은, 스핀모터 (24)의 회전축(21)에 부착되어 있고, 승강부(22), 스핀모터 보유·유지부(23)에 의해 현상처리위치와, 웨이퍼 반송장치(도시 않됨)의 주고받음 위치로까지 상하로 움직일 수 있도록 되어 있다. 웨이퍼(W)가 스핀척(2)에 흡착된 상태에 있어서, 웨이퍼(W)의 옆쪽을 감싸듯이 하여 컵(3)이 설치되어 있다. 컵(3)은 각각 상하로 움직일 수 있는 외부컵(31)과 내부컵(32)에 의해 구성되어, 외부컵(31) 하단부에 접속되는 승강부(33)에 의해 외부컵이 승강하고, 내부컵(32)은 외부컵(31)의 이동 범위의 일부에 있어 연동(連動)하여 승강하도록 구성되어 있다. 이것은, 외부컵(31)의 하단 원주상에 일정 간격으로 설치된 복수의 L자 부분 (31c)에 걸림으로써, 외부컵(31)과 내부컵(32)이 같이 상승하도록 구성되어 있다. 또, L자 부분(31c) 사이는 현상액 및 세정액의 비산액(飛散液)이 외부컵(31)의 내벽면을 따라 드레인 라인(43)으로 흘러가도록 되어 있다. 외부컵(31)은, 컵 상부측(31a)이 사각통형상으로 되어 있고, 컵 하부측(31b)은 원통형상으로 되어 있는 것이 일체로 된 구성을 형성하고 있는 것으로서, 외부컵(31)의 상부측 및 하부측의 수평 단면의 형상은, 각각 사각형상과 원통형상으로 되어 있다. 즉, 이 형상에 의해 컵 상부측(31a)의 사각통형상부 내에 공급노즐(6)이, 컵 상부측(31a)의 한 변과 병행(竝行)될 수 있도록 하여 수용이 가능하다.
상기 스핀척(2) 및 컵(3)에 의해 형성되는 현상유니트 위쪽에는 소정 온도 및 습도로 조정된 청정한 공기를 하강류(下降流)로서 웨이퍼(W) 표면에 공급하고, 이에 의해 웨이퍼(W)에 파티클(particle)이 흡착하는 것을 억제하기 위한 공기공급부(8)가 설치되어 있다. 여기서, 상술한 드레인 라인(43)은 폐액관(廢液管)과 배기관을 겸용하고 있고, 상기 공기 공급부(8)로부터 공급되는 공기는 웨이퍼(W) 표면을 따라 바깥쪽으로 흘러가고, 컵(3)과 링체(44) 사이의 틈(46)을 따라 드레인 라인(43)으로부터 배기되도록 구성된다. 덧붙여 설명하면, 드레인 라인(43)에는, 예를들어 밸브 및 펌프(도시 않됨)에 의해 구성되는 배기수단이 설치되어 있어, 이 배기수단은 스핀척(2)의 구동부(22) 및 승강부(33)의 적어도 한쪽의 작동정보에 의거하여 제어부(7)를 통하여 작동한다. 예를들어 스핀척(2)이 정지한 때, 또는 컵(31)이 상승한 때, 또는 이들의 앤드(AND) 조건에서, 예를들어 상기 밸브를 열어, 배기동작이 행해진다.
도 2는 한국 공개특허공보 제10-2013-0023123호에 제시된 웨이퍼 처리 장치의 일 예를 나타내는 도면이다. 설명의 편의를 위해 용어와 부호를 변경하였다.
처리실(90)의 내부에는, 웨이퍼(91)를 유지하기 위한 기판 유지부(92)가 설치되어다. 이 기판 유지부(92)는, 상하로 연장하는 원통 형상의 회전축(93)과, 회전축(93)의 상단부에 부착된 턴테이블(94)과, 턴테이블(94)의 상면 외주부에 설치되어, 웨이퍼(91)를 지지하는 웨이퍼 척(95)과, 회전축(93)을 회전 구동하는 회전 기구(62)를 갖고 있다. 이 중 회전 기구(62)는, 제어 기구(60)에 의해 제어된다. 회전 기구(62)로부터의 구동에 의해 회전축(93)이 회전하면, 웨이퍼 척(95)에 의해 지지되는 웨이퍼(91)가 동시에 회전한다. 처리실(90)내에는, 웨이퍼(91)를 향해 SPM액을 토출하기 위한 전술한 토출구(54)를 포함하는 노즐(53)이 배치되어 있다. 이 노즐(53)은, 아암(82)의 선단부에 부착되어 있고, 또한 아암(82)은, 상하 방향으로 연신 가능하고 회전 기구(65)에 의해 회전 구동되는 지지축(81)에 고정되어 있다. 이러한 구성에 의해, SPM액을, 웨이퍼(91)의 표면의 임의의 지점에 원하는 높이로부터 토출하는 것이 가능하게 되어있다. 또한 도 5에서는, SPM액을 구성하기 위한 황산 및 과산화수소수를 토출구(54)를 향해 보내는 제1 토출 라인(51) 및 제2 토출 라인(52)이, 아암(82)의 외측에 배치되어 있는 바와 같이 도시되어 있다. 그러나, 제1 토출 라인(51) 및 제2 토출 라인(52)의 배치는 특별히 한정되지 않고, 예컨대 제1 토출 라인(51) 및 제2 토출 라인(52)이 아암(82)의 내측에 배치되어 있어도 좋다. 세정 처리를 위한 그 외 액을 웨이퍼(91)에 대하여 토출하기 위한 토출구(56) 및 토출구(57)를 갖는 노즐(55)이 처리실(90)내에 더 설치되어 있어도 좋다. 세정 처리를 위한 그 외 액의 종류는 특별히 한정되지 않지만, 토출구(56)는, 린스 처리를 위한 액, 예컨대 순수를 웨이퍼(91)에 대하여 토출하는 것으로 되어 있고, 토출구(57)는, 건조 처리를 위한 액, 예컨대 IPA(이소프로필 알코올)를 웨이퍼(91)에 대하여 토출하는 것으로 되어 있다. 토출구(56)에는 린스 처리액 공급 기구(96)가 접속되어 있고, 토출구(57)에는 건조용 액 공급 기구(98)가 접속되어 있다. 또한 전술한 노즐(53)의 경우와 마찬가지로, 노즐(55)은, 아암(84)의 선단부에 부착되어 있고, 또한 아암(84)은, 상하방향으로 연신 가능하고 회전 기구(63)에 의해 회전 구동되는 지지축(83)에 고정되어 있다. 처리실(90)내에는, 턴테이블(94) 및 웨이퍼(91)를 측방에서 둘러싸도록 구성된 컵(70)이 설치되어 있다. 이 컵(70)은, 배출 유로(73, 74)에 각각 접속된 배출구(71, 72)를 갖고 있다. 또한 컵(70)은, 컵(70)을 상하 방향으로 구동하기 위한 승강 기구(64)에 접속되어 있다. 후술하는 바와 같이, 웨이퍼(91)로부터 비산한 세정 처리용의 각 액은, 종류마다 배출구(71, 72)를 통해 배출유로(73, 74)로부터 배출된다. 각 액과 배출구(71, 72)의 대응은 특별히 한정되지는 않지만, 예컨대 배출구(71) 및 배출 유로(73)는, SPM액을 배출하도록 할당되어 있고, 또한 배출구(72) 및 배출 유로(74)는, 순수 및 IPA를 배출하도록 할당되어 있다. 전술과 같이 구성되는 웨이퍼 처리 장치(10)는, 제어 기구(60)에 설치한 기억 매체(61)에 기록된 각종 프로그램을 따라 제어 기구(60)로 구동 제어되고, 이것에 의해 기판(91)에 대한 여러 가지 처리가 행해진다. 여기서, 기억매체(61)는, 각종 설정 데이터나 후술하는 도금 처리 프로그램 등의 각종 프로그램을 저장하고 있다. 기억 매체(61)로서는, 컴퓨터로 판독 가능한 ROM이나 RAM 등의 메모리나, 하드디스크, CD-ROM, DVD-ROM이나 플렉시블 디스크 등의 디스크형 기억 매체 등의 공지의 것이 사용될 수 있다.
처리액에 의한 반응은, 일반적으로 온도가 높을수록 활성화되지만, 고온의 처리액에 의해서 퓸이 발생하는 문제점이 있다.
도 1의 웨이퍼 처리 장치에서는 공기공급부(8)가 구비되어, 천정에서 내려오는 공기를 드레인 라인(43)을 통해 웨이퍼 처리 장치 밖으로 내보낸다. 특히, 도 2와 같이 고온 처리액을 사용하는 경우 고온 처리액에서 퓸(fume)이 발생하는 문제점이 있고, 퓸이 발생하면서 고온 처리액이 컵(70) 밖으로 튀어 나가는 현상이 나타나는 문제점이 있다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).
본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 웨이퍼 처리 장치에 있어서, 웨이퍼 처리 장치의 상부에 구비되어 외부의 공기를 내부로 공급하는 공기공급부; 공기공급부로부터 공기가 유입되고, 웨이퍼가 구비되는 챔버; 공기공급부로부터 챔버 내부로 내려오는 공기의 양을 조절하는 펀칭플레이트; 그리고, 챔버의 하부에 구비되어, 공기공급부에서 공급된 공기를 웨이퍼 처리 장치의 외부로 내보내는 배기부;를 포함하는 웨이퍼 처리 장치가 제공된다.
이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.
도 1은 한국 공개특허공보 특2001-0050087호에 제시된 웨이퍼 처리 장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 한국 공개특허공보 제10-2013-0023123호에 제시된 웨이퍼 처리 장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 웨이퍼 처리 장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 본 개시에 따른 펀칭 플레이트의 일 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 웨이퍼 처리 장치의 내부를 자세하게 나타내는 도면,
도 6은 본 개시에 따른 웨이퍼 처리 장치의 도 다른 예를 나타내는 도면,
도 7과 도 8은 본 개시에 따른 웨이퍼 처리 장치의 사용방법을 나타내는 도면,
도 9는 고온 처리액의 퓸을 조절하는 방법을 나타내는 도면.
이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).
도 3은 본 개시에 따른 웨이퍼 처리 장치의 일 예를 나타내는 도면이다.
웨이퍼 처리 장치(100)는 공기공급부(110), 챔버(130), 펀칭플레이트(150) 및 배기부(200)를 포함한다. 공기공급부(110)는 웨이퍼 처리 장치(100)의 상부에 구비되어 외부의 공기를 웨이퍼 처리 장치(100) 내부로 공급한다. 예를 들면, 공기공급부(110)는 FFU(Fan Filter Unit)일 수 있다. 챔버(130)는 공기공급부(110)로부터 공기가 유입되고, 챔버(130) 내에 웨이퍼(W)가 구비된다. 챔버(130)는 벽(131)을 가지며, 벽(131)에 의해 챔버 내부(135)와 챔버 외부(137)가 나뉜다. 챔버(130)의 벽(131)에 사이드 윙(133)이 구비될 수 있다. 펀칭플레이트(150)는 공기공급부(110)로부터 챔버 내부(135)로 내려오는 공기의 양을 조절한다. 예를 들면, 펀칭플레이트(150)는 챔버 내부(135)로 내려오는 공기의 양을 많게 하고, 챔버 외부(137)로 나갈 수 있는 공기의 양을 최대한 적게 한다. 배기부(170)는 챔버(130)의 하부에 구비되어, 공기공급부(110)에서 공급된 공기를 웨이퍼 처리 장치(100)의 외부로 내보낸다. 실선은 펀칭플레이트(150)를 통과하여 챔버 내부(135)로 들어가는 공기를 나타내고, 점선은 챔버 외부(137)로 나가지는 공기의 흐름을 나타내며, 이는 일부이다.
배기부(200)는 챔버 배기부(210)와 사이드 배기부(230)를 포함한다. 챔버 배기부(210)는 챔버 내부(135)의 공기를 웨이퍼 처리 장치(100)의 외부로 내보내고, 챔버 내부(135)에 구비되며, 챔버(130)의 하부(135)에 구비된다.
도 4는 본 개시에 따른 펀칭 플레이트의 일 예를 나타내는 도면이다.
펀칭플레이트(150)는 하나의 판으로 형성되며, 챔버(130)의 내부에 들어가는 공기의 양을 조절하기 위해 펀칭플레이트(150)의 중심부(151)으로부터 가장자리부(153)까지 점점 크기가 작아지는 복수의 홀(155)을 가진다. 예를 들면, 펀칭플레이트(150)의 중심부(151)으로부터 가장자리부(153)까지 단계적으로 크기가 작아질 수 있다. 이로 인해, 공기공급부(110)에서 공급된 공기가 챔버(130) 내부에는 많이 공급되고, 챔버(130)의 가장자리로 갈수록 적게 공급되게 할 수 있다. 펀칭플레이트(150)를 통과한 공기중 많은 야의 공기가 챔버 내부(135)로 많이 들어가고, 챔버 외부(137)로 최대한 공기가 나가지 않게 하기 위해서이다. 그러나 일부의 공기는 챔버 외부(137)로 공기가 나갈 수 있다. 챔버(130) 외부로 공기가 나가게 되면, 깨끗한 공기에 파티클이 섞여 대류되어 다시 챔버(130) 내부로 들어가서 챔버(130) 내부를 오염시킬 수 있으므로, 사이드 배기부(230)에서 챔버 외부(137)의 공기를 웨이퍼 처리 장치 외부로 내보낸다.
또한, 펀칭플레이트(151)의 모양은 원형으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 펀칭플레이트(150)의 너비는 챔버(130)의 크기와 비슷하게 형성되는 것이 바람직하다. 중심부(151)로부터 가장자리부(153)까지 복수의 홀(155)을 가진 펀칭플레이트(150)가 챔버(130)의 크기보다 크게 되면, 챔버 외부(137)로 나가는 공기가 생길 수 있기 때문이다.
도 5는 본 개시에 따른 웨이퍼 처리 장치의 내부를 자세하게 나타내는 도면이다.
챔버 배기부(210)는 챔버(130)의 하부에 구비되어 챔버 내부(135)의 공기를 웨이퍼 처리 장치(100)의 외부로 내보내며, 챔버 배기부(210)에서는 공기공급부(110)에서 챔버 내부(135)로 들어오는 공기를 흡입한다. 예를 들면, 펀칭플레이트(150)에 의해 챔버 외부(137)보다 챔버 내부(135)로 들어오는 공기의 양이 많기 때문에, 챔버 배기부(210)에 의해서 챔버 내부(135)로 들어오는 공기를 모두 내보낼 수 있다. 이로 인해, 챔버 내부(135)의 공기는 대류 없이 웨이퍼 처리 장치(100)의 외부로 빠져나간다. 공기의 흐름을 화살표방향으로 표현하였으며, 챔버 내부(135)로 들어온 공기는 챔버 배기부(210)를 통해 웨이퍼 처리 장치(100)의 밖으로 나가게 되는 것을 표현하였고, 챔버 외부(137)로 흘러나온 공기는 사이드 배기부(230)를 통해 웨이퍼 처리 장치(100)의 밖으로 나가는 것을 알 수 있다.
도 6은 본 개시에 따른 웨이퍼 처리 장치의 또 다른 예를 나타내는 도면이다.
챔버(130)는 사이드 윙(133)을 더 포함한다. 사이드 윙(133)은 챔버 외부(137)에 형성되어 챔버(130)로부터 돌출되어 형성된다. 사이드 윙(133)은 사이드 배기부(230)에 의해 나가는 공기에 의해 형성된 대류로 인해 공기가 위로 올라가게 하지 않기 위해 구비된다. 예를 들면, 도 3과 같이 사이드 윙(133)은 사이드 배기부(230)의 위에 위치할 수 있다. 또한, 사이드 윙(133)은 챔버(130)로부터 돌출되어 챔버(130)의 벽(131)으로부터 웨이퍼 처리 장치(100)의 하부를 향해 기울어져 형성될 수 있다.
도 7과 도 8는 본 개시에 따른 웨이퍼 처리 장치의 사용방법을 나타내는 도면이다.
먼저, 웨이퍼(W)와 고온 처리액(310)을 준비한다.(S1) 도 7(a)와 같이 웨이퍼(W)와 고온 처리액(310)을 준비하여 노즐(300)에서 고온 처리액(310)을 분사할 준비를 하고 있다. 고온 처리액(310)은 본 예와 같이 하나의 노즐(300) 내에서 혼합될 수 있다. 예를 들면, 공기공급부(110)는 2000RPM으로 팬을 작동하여 공기를 공급하고, 배기부(200)에서는 웨이퍼 처리 장치(100)의 압력이 0PA~-10PA을 유지하도록 공기를 내보낼 수 있다. 종래의 웨이퍼 처리 장치(100) 내에서는 웨이퍼 처리 장치(100)의 압력을 변화시키지 않는다. 웨이퍼 처리 장치(100) 내의 압력이 불안정해질 수 있기 때문이다. 이후, 웨이퍼 처리 장치(100) 내의 압력차를 높힌다.(S2) 이때, 도 7(b)와 같이 웨이퍼 처리 장치(100) 내의 공기공급부(110)에서 공급하는 공기를 적게 공급하여 웨이퍼 처리 장치(100) 내의 압력차를 크게 할 수 있다. 예를 들면, 공기공급부(110)는 1000RPM으로 팬을 작동하여 이전단계보다 적은 양의 공기를 공급하고, 배기부(200)에서는 웨이퍼 처리 장치(100)의 압력이 -20~-50PA 사이를 유지하도록 공기를 내보낼 수 있다. 공기공급부(110)에서 이전단계보다 적은 양의 공기를 공급하여 압력차를 크게 하는 것은 필요시 공기공급부(110)의 RPM의 줄여서 압력차를 크게하므로, 효율적으로 압력차를 크게 할 수 있는 장점이 있다. 이후, 고온 처리액(310)을 웨이퍼(W)에 분사한다.(S3) 고온 처리액(310)은 퓸(Fume)을 발생하고, 퓸으로 인해 퓸과 고온 처리액(310)은 챔버(130) 밖으로 튀어나갈 수 있다. 이를 방지하기 위해 S3 단계 이전부터 압력차를 높힌다. 압력차를 S3 단계 이전부터 높혀, 고온 처리액(310)이 분사될 때는 압력차가 높아진 상태가 유지되도록 하는 것이 바람직하다. 웨이퍼 처리 장치(100) 내부의 압력차가 변한 상태가 일정시간 유지되면 웨이퍼 처리 장치(100) 내부의 압력이 안정적으로 되기 때문이다. 이후, 고온 처리액(310)을 공급한다.(S4) 도 7(c)와 같이 압력차가 커진 상태에서 고온 처리액(310)을 공급한다. 이후, 고온 처리액(310)을 공급하지 않는다.(S5) 예를 들면, 도 8(a)와 같이 웨이퍼(W)의 처리가 끝나서 고온 처리액(310)을 공급하지 않을 수 있다. 이후, 웨이퍼 처리 장치(100) 내의 압력차를 줄인다.(S6) 예를 들면, 도 8(b)와 같이 공기공급부(110)에서 공급하는 공기를 더 공급하여 압력차를 줄인다. 예를 들면, 공기공급부(110)는 2000RPM으로 팬을 작동하여 공기를 더 공급하고, 배기부(200)에서는 웨이퍼 처리 장치(100)의 압력이 0PA~-10PA을 유지하도록 공기를 내보낼 수 있다. 그리고, S6 단계에서 S5 단계를 실행하고 바로 압력차를 줄이지 않고, 약간의 시간차를 두고 압력차를 줄인다. 퓸(F)을 모두 배기하는데 시간의 여유를 두기 위해서이다. 압력차를 통해 챔버(130) 밖으로 나가는 퓸(F)을 조절하기 위한 방법은 도 9에서 자세하게 설명한다.
도 9는 고온 처리액의 퓸을 조절하는 방법을 나타내는 도면이다.
고온 처리액(310)은 퓸(F)을 발생할 수 있다. 예를 들면, 고온 처리액(310)은 식 1과 같이 과산화수(H2O2)와 황산(H2SO4)이 반응하여 열이 발생하고, 과산화황산(H2SO5)과 물(H2O)이 형성된다.
(식 1)
H2SO4+H2O2 ↔ H2SO5+H2O
일 예로 중온의 과산화수와 고온의 황산이 섞어 분사할 수 있으며, 과산화수와 황산이 반응하면서 열이 더 발생하고, 반응 결과 고온의 과산화황산과 물이 분사되면서 실온의 공기와 만나 기화하면서 퓸(F)이 발생할 수 있다. 중온은 70℃이하를 말하고, 고온은 100℃ 이상을 말한다. 퓸(F)은 챔버(130) 밖으로 나가게 되면, 퓸(F)은 공기 중에 방출된 고체 미립자로서 공기공급부(110)에서 공급된 공기를 오염시킬 수 있다. 대류에 의해서 오염된 공기가 다시 웨이퍼(W)를 오염시킬 수 있기 때문에, 도 9(c)와 도 9(d)와 같이 노즐(300)에서 나온 고온 처리액(310)에서 나온 퓸(F)이 챔버(130) 내로 들어가서 배출되는 것이 바람직하다.
이를 위해서 공기공급부(110)에서 공급되는 공기의 양을 도 9(a)와 같이 90%, 도 9(b)와 같이 70%, 도 9(c)와 같이 60%, 도 9(d)와 같이 40%로 줄이고, 배기부(200)에서 나가는 공기의 양은 일정하게 고정시켰다. 이로 인해, 압력차가 커져 퓸(F)이 챔버 내부(135)로 들어가고 도 9(d)와 같이 고온 처리액(310)이 튀지 않고 고르게 웨이퍼(W) 표면을 흐르게 된다.
이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.
(1) 웨이퍼 처리 장치에 있어서, 웨이퍼 처리 장치의 상부에 구비되어 외부의 공기를 내부로 공급하는 공기공급부; 공기공급부로부터 공기가 유입되고, 웨이퍼가 구비되는 챔버; 공기공급부로부터 챔버 내부로 내려오는 공기의 양을 조절하는 펀칭플레이트; 그리고, 챔버의 하부에 구비되어, 공기공급부에서 공급된 공기를 웨이퍼 처리 장치의 외부로 내보내는 배기부;를 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
(2) 챔버에는 챔버 외부에 형성되어 챔버로부터 돌출된 사이드 윙;을 더 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
(3) 펀칭플레이트는 중앙부와 가장자리부를 포함하며, 중심부와 가장자리부까지 복수의 홀이 구비되며, 중심부으로부터 가장자리부까지 복수의 홀의 크기가 점점 작아지는 웨이퍼 처리 장치.
(4) 배기부는 챔버 내부의 공기를 웨이퍼 처리 장치의 외부로 내보내는 챔버 배기부;그리고, 챔버의 외부에 구비되어 챔버 외부로 나온 공기를 웨이퍼 처리 장치의 외부로 내보내는 사이드 배기부;를 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
(5) 챔버에는 챔버 외부에 형성되어 챔버로부터 돌출된 사이드 윙;을 더 포함하고, 펀칭플레이트는 중앙부와 가장자리부를 포함하며, 중심부와 가장자리부까지 복수의 홀이 구비되며, 중심부으로부터 가장자리부까지 복수의 홀의 크기가 점점 작아지는 웨이퍼 처리 장치.
(6) 챔버에는 챔버 외부에 형성되어 챔버로부터 돌출된 사이드 윙;을 더 포함하고, 펀칭플레이트는 중앙부와 가장자리부를 포함하며, 중심부와 가장자리부까지 복수의 홀이 구비되며, 중심부으로부터 가장자리부까지 복수의 홀의 크기가 점점 작아지며, 배기부는 챔버 내부의 공기를 웨이퍼 처리 장치의 외부로 내보내는 챔버 배기부;그리고, 챔버의 외부에 구비되어 챔버 외부로 나온 공기를 웨이퍼 처리 장치의 외부로 내보내는 사이드 배기부;를 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
(7) 웨이퍼 처리 장치에 있어서, 웨이퍼 처리 장치의 상부에 구비되어 외부의 공기를 내부로 공급하는 공기공급부; 공기공급부로부터 공기가 유입되고, 웨이퍼가 구비되는 챔버; 챔버에는 챔버 외부에 형성되어 챔버로부터 돌출된 사이드 윙;그리고, 챔버의 하부에 구비되어, 공기공급부에서 공급된 공기를 웨이퍼 처리 장치의 외부로 내보내는 배기부;를 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
(8) 사이드 윙은 챔버로부터 돌출되어 바닥을 향해 비스듬하게 형성되는 웨이퍼 처리 장치.
본 개시에 의하면, 퓸이 효과적으로 웨이퍼 처리 장치 외부로 나가는 웨이퍼 처리 장치를 제공한다.
또한 본 개시에 의하면, 퓸이 배기로 배기되기 위해 공기공급부의 공기 공급량을 줄이는 웨이퍼 처리 장치를 제공한다.
또한 본 개시에 의하면, 고온 처리액이 웨이퍼를 고르게 흐르게 하기 위해 압력차를 높이는 웨이퍼 처리 장치를 제공한다.
또한 본 개시에 의하면, 공기공급부의 공기 공급 양을 줄여 효율적으로 압력차를 높이는 웨이퍼 처리 장치를 제공한다.
100: 웨이퍼 처리 장치 110: 공기공급부 130: 챔버 131: 벽 133: 사이드 윙 135: 챔버 내부 137: 챔버 외부
150: 펀칭플레이트 151: 중앙부 153: 가장자리부 155: 복수의 홀
200: 배기부 210: 챔버 배기부 230: 사이드 배기부 300: 노즐 310: 고온 처리액

Claims (4)

  1. 웨이퍼를 세정하는 웨이퍼 처리 장치에 있어서,
    웨이퍼 처리 장치의 상부에 구비되어 외부의 공기를 내부로 공급하는 공기공급부;
    공기공급부로부터 공기가 유입되고, 웨이퍼가 구비되는 챔버;
    공기공급부로부터 챔버 내부로 내려오는 공기의 양을 조절하는 펀칭플레이트; 그리고,
    챔버의 하부에 구비되어, 공기공급부에서 공급된 공기를 웨이퍼 처리 장치의 외부로 내보내는 배기부;를 포함하며,
    공기공급부에서 공급되는 공기량 및 배기부에서 배출되는 공기량 중 적어도 하나를 조절하여 공기공급부와 배기부 사이의 압력차를 웨이퍼 세정단계에 따라 변동시키는 웨이퍼 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    챔버에는 챔버 외부에 형성되어 챔버로부터 돌출된 사이드 윙;을 더 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
  3. 청구항 1에 있어서,
    펀칭플레이트는 중앙부와 가장자리부를 포함하며,
    중심부와 가장자리부까지 복수의 홀이 구비되며,
    중심부으로부터 가장자리부까지 복수의 홀의 크기가 점점 작아지는 웨이퍼 처리 장치.
  4. 청구항 1에 있어서,
    배기부는 챔버 내부의 공기를 웨이퍼 처리 장치의 외부로 내보내는 챔버 배기부;그리고,
    챔버의 외부에 구비되어 챔버 외부로 나온 공기를 웨이퍼 처리 장치의 외부로 내보내는 사이드 배기부;를 포함하는 웨이퍼 처리 장치.
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