WO2021111927A1 - 基板液処理装置 - Google Patents

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WO2021111927A1
WO2021111927A1 PCT/JP2020/043677 JP2020043677W WO2021111927A1 WO 2021111927 A1 WO2021111927 A1 WO 2021111927A1 JP 2020043677 W JP2020043677 W JP 2020043677W WO 2021111927 A1 WO2021111927 A1 WO 2021111927A1
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WO
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nozzle
liquid
unit
nozzles
substrate
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Application number
PCT/JP2020/043677
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English (en)
French (fr)
Inventor
博史 竹口
佑介 橋本
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
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Publication date
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the disclosed embodiment relates to a substrate liquid treatment apparatus.
  • a nozzle not used for liquid treatment is made to stand by above a liquid receiving tank installed on the outside of the substrate, and the nozzle is transferred to the liquid receiving tank.
  • a technique for discharging a treatment liquid is known (see Patent Document 1).
  • the present disclosure provides a technique capable of easily controlling the atmosphere in the accommodating portion even if the components of the treatment liquid leak from the receiving tank.
  • the substrate liquid treatment apparatus includes a cup, a plurality of nozzle circulation systems, a second nozzle, and an accommodating portion.
  • the cup surrounds the periphery of the substrate.
  • Each of the plurality of nozzle circulation systems is arranged outside the first nozzle and the cup, and receives the treatment liquid discharged from the first nozzle and the treatment liquid received in the liquid receiving tank as the first nozzle. Includes a circulation section that returns to.
  • the second nozzle is a nozzle that does not constitute a nozzle circulation system.
  • the accommodating portion accommodates a cup, a plurality of first nozzles of the plurality of nozzle circulation systems, and a plurality of liquid receiving tanks and a second nozzle. Further, the second nozzle is arranged between the first side wall of the accommodating portion and the cup, and the plurality of first nozzles are arranged between the second side wall different from the first side wall of the accommodating portion and the cup. Will be done.
  • the atmosphere in the accommodating portion can be easily controlled.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a substrate processing system according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a diagram showing a configuration of a processing unit according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration of a nozzle circulation system according to an embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining the flow of the processing liquid in the nozzle circulation system according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram for explaining the flow of the processing liquid in the nozzle circulation system according to the embodiment.
  • FIG. 6 is a graph showing the results of investigation of temperature interference between two adjacent first nozzles.
  • FIG. 7 is a graph showing the results of investigation of temperature interference between two adjacent first nozzles.
  • FIG. 8 is a diagram showing an exhaust configuration of the nozzle bus according to the embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a cleaning chamber included in the exhaust duct according to the embodiment.
  • FIG. 10 is a diagram showing a modified example of the exhaust duct according to the embodiment.
  • FIG. 11 is a diagram showing a first modification of the nozzle moving mechanism according to the embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram showing another arrangement example of the plurality of first nozzles and the plurality of nozzle baths in the first modification.
  • FIG. 13 is a diagram showing a second modification of the nozzle moving mechanism according to the embodiment.
  • FIG. 14 is a diagram showing a third modification of the nozzle moving mechanism according to the embodiment.
  • FIG. 15 is a diagram showing a third modification of the nozzle moving mechanism according to the embodiment.
  • FIG. 16 is a diagram showing a third modification of the nozzle moving mechanism according to the embodiment.
  • FIG. 17 is a diagram showing a third modification of the nozzle moving mechanism according to the embodiment.
  • FIG. 18 is a diagram showing a configuration example of the nozzle bus in the third modification.
  • FIG. 19 is a diagram showing a fourth modification of the nozzle moving mechanism according to the embodiment.
  • FIG. 20 is a diagram showing a fourth modification of the nozzle moving mechanism according to the embodiment.
  • FIG. 21 is a diagram showing a fourth modification of the nozzle moving mechanism according to the embodiment.
  • FIG. 22 is a diagram showing a fourth modification of the nozzle moving mechanism according to the embodiment.
  • FIG. 23 is a diagram showing a fourth modification of the nozzle moving mechanism according to the embodiment.
  • the substrate liquid treatment apparatus there is known a process in which a standby nozzle that is not used for liquid treatment is arranged above a nozzle bath installed on the outside of the substrate, and the treatment liquid is discharged from the nozzle to the nozzle bath.
  • This treatment is performed to improve the stability of the liquid treatment by, for example, before or periodically performing the liquid treatment, by discarding the old treatment liquid remaining in the nozzle into the nozzle bath.
  • the treatment liquid is constantly discharged from the nozzle to the nozzle bath, and the nozzle circulation processing is performed in which the treatment liquid discharged to the nozzle bath is circulated and returned to the nozzle.
  • the nozzle circulation process is performed to stabilize the temperature inside the nozzle (particularly the tip portion) by constantly circulating a temperature-controlled treatment liquid inside the nozzle.
  • the nozzle circulation processing for example, when a plurality of wafers are continuously processed, it is possible to prevent the etching amount of the first wafer from being lower than that of the other wafers. That is, according to the nozzle circulation treatment, the uniformity of the liquid treatment among a plurality of wafers can be improved.
  • the components contained in the treatment liquid may leak from the nozzle bath into the chamber and affect the atmosphere in the chamber.
  • the components of the treatment liquid leaking from the nozzle bath may contaminate the wafer in the chamber or deteriorate the equipment in the chamber, for example.
  • the nozzle circulation process constantly discharges the treatment liquid from the nozzle to the nozzle bath, so the effect of leakage of the treatment liquid component from the nozzle bath is large. Therefore, in a substrate liquid processing apparatus that performs nozzle circulation processing, a technique is expected that can easily control the atmosphere in the chamber even if the components of the processing liquid leak from the nozzle bath.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a substrate processing system 1 according to an embodiment.
  • the substrate processing system 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3.
  • the loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.
  • the loading / unloading station 2 includes a carrier mounting section 11 and a transport section 12.
  • a plurality of substrates, in the embodiment, a plurality of carriers C for accommodating a semiconductor wafer W (hereinafter, referred to as a wafer W) in a horizontal state are mounted on the carrier mounting portion 11.
  • the transport section 12 is provided adjacent to the carrier mounting section 11, and includes a substrate transport device 13 and a delivery section 14 inside.
  • the substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W. Further, the substrate transfer device 13 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate around the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery portion 14 by using the wafer holding mechanism. Do.
  • the processing station 3 is provided adjacent to the transport unit 12.
  • the processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16.
  • the plurality of processing units 16 are provided side by side on both sides of the transport unit 15.
  • the transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside.
  • the substrate transfer device 17 includes a wafer holding mechanism for holding the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and can rotate around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 by using the wafer holding mechanism. I do.
  • the processing unit 16 performs predetermined substrate processing on the wafer W transported by the substrate transport device 17.
  • the substrate processing system 1 includes a control device 4.
  • the control device 4 is, for example, a computer, and includes a control unit 18 and a storage unit 19.
  • the storage unit 19 stores programs that control various processes executed in the substrate processing system 1.
  • the control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.
  • Such a program may be recorded on a storage medium readable by a computer, and may be installed from the storage medium in the storage unit 19 of the control device 4.
  • Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.
  • the substrate transfer device 13 of the loading / unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C mounted on the carrier mounting portion 11, and receives the taken out wafer W. Placed on Watanabe 14. The wafer W placed on the delivery section 14 is taken out from the delivery section 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.
  • the wafer W carried into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16, then carried out from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17, and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W mounted on the delivery section 14 is returned to the carrier C of the carrier mounting section 11 by the substrate transfer device 13.
  • FIG. 2 is a diagram showing the configuration of the processing unit 16 according to the embodiment.
  • the processing unit 16 is an example of a substrate liquid processing apparatus.
  • the processing unit 16 includes a substrate holding mechanism 20, a cup 30, a plurality of nozzle circulation systems 40, a nozzle moving mechanism 50, a second processing liquid supply unit 60, and a gas supply unit 80. , With a chamber 70.
  • the substrate holding mechanism 20 includes a holding portion 21 that holds the wafer W horizontally.
  • the holding portion 21 is, for example, a vacuum chuck that sucks and holds the back surface of the wafer W. Further, the holding portion 21 may be a mechanical chuck that grips the peripheral edge portion of the wafer W.
  • the holding portion 21 is connected to a strut portion (not shown).
  • the strut portion is a member extending in the vertical direction, and horizontally supports the holding portion 21 at the tip portion. Further, the strut portion is connected to a drive portion (not shown) at the base end portion. The drive unit rotates the strut portion around a vertical axis.
  • the substrate holding mechanism 20 rotates the holding portion 21 supported by the strut portion by rotating the strut portion using the drive unit, thereby rotating the wafer W held by the holding portion 21.
  • the cup 30 is arranged so as to surround the peripheral edge of the wafer W held by the holding portion 21, and collects the processing liquid scattered from the wafer W by the rotation of the holding portion 21.
  • the bottom of the cup 30 is provided with a discharge port for discharging the treatment liquid collected by the cup 30. Further, at the bottom of the cup 30, an exhaust port for discharging the gas supplied from the FFU (Fan Filter Unit), which will be described later, to the outside of the processing unit 16 is formed.
  • FFU Full Filter Unit
  • the nozzle circulation system 40 is arranged outside the first nozzle 41 and the cup 30, and receives the treatment liquid discharged from the first nozzle 41 in the nozzle bath 42 and the treatment liquid received in the nozzle bath 42 into the first nozzle 41. Includes a returning circulation unit 43.
  • Each nozzle circulation system 40 circulates different treatment liquids.
  • two of the three nozzle circulation systems 40 shown in FIG. 2 circulate an acid-based treatment liquid, and the remaining one circulates an alkaline treatment liquid.
  • the acid-based treatment liquid for example, BHF (mixed liquid of hydrofluoric acid and ammonium fluoride solution), DHF (dilute hydrofluoric acid), H 2 SO 4 (sulfuric acid) and the like are used.
  • the alkaline treatment liquid for example, SC1 (mixed liquid of ammonia, hydrogen peroxide and water), diluted ammonia water and the like are used.
  • the first nozzle 41 has a treatment liquid discharge port 411 at the lower part, and discharges the treatment liquid vertically downward from the discharge port 411.
  • the nozzle bath 42 is arranged in the standby area of the first nozzle 41 set outside the cup 30. Specifically, the nozzle bath 42 is arranged directly below the discharge port 411 of the first nozzle 41 arranged in the standby region, and receives the processing liquid discharged from the first nozzle 41.
  • the plurality of nozzle buses 42 are integrally configured as the bus unit 420, but the present invention is not limited to this, and the plurality of nozzle buses 42 may be separate bodies.
  • the circulation unit 43 circulates the processing liquid discharged from the nozzle bath 42, which includes a tank, a pump, and the like, and returns the treatment liquid to the first nozzle 41 again.
  • FIG. 3 is a diagram showing a configuration of the nozzle circulation system 40 according to the embodiment.
  • the nozzle circulation system 40 includes a first nozzle 41, a nozzle bus 42, a circulation unit 43, a supply path 44, and a discharge path 45. Further, the circulation unit 43 includes a treatment liquid supply unit 101, a tank 102, and a circulation path 103. The operation of the nozzle circulation system 40 is controlled by the control unit 18 (see FIG. 1).
  • the processing liquid supply unit 101 includes a processing liquid supply source 101a, a valve 101b, and a flow rate regulator 101c.
  • the processing liquid supply source 101a is connected to the tank 102 via a valve 101b and a flow rate regulator 101c.
  • the treatment liquid supply unit 101 supplies the treatment liquid from the treatment liquid supply source 101a to the tank 102.
  • the tank 102 stores the treatment liquid.
  • the tank 102 is connected to the drain portion DR, and the treatment liquid stored in the tank 102 can be discharged to the drain portion DR.
  • the circulation path 103 is a circulation path that exits the tank 102 and returns to the tank 102.
  • the circulation path 103 is provided with a pump 103a, a filter 103b, a temperature adjusting unit 103c, and a temperature detecting unit 103d in order from the upstream side with the tank 102 as a reference (uppermost flow).
  • the pump 103a forms a circulating flow of the processing liquid that exits the tank 102, passes through the circulation path 103, and returns to the tank 102.
  • the filter 103b removes contaminants such as particles contained in the treatment liquid circulating in the circulation path 103.
  • the temperature adjusting unit 103c is, for example, a heating unit such as a heater or a cooling unit such as a cooling coil, and adjusts the temperature of the processing liquid circulating in the circulation path 103.
  • the temperature detection unit 103d is, for example, a thermocouple and detects the temperature of the processing liquid circulating in the circulation path 103.
  • the control unit 18 can control the temperature of the processing liquid circulating in the circulation path 103 by using the temperature adjustment unit 103c and the temperature detection unit 103d.
  • a connection area 104 is set in the circulation path 103 on the downstream side of the temperature detection unit 103d with the tank 102 as a reference (upstream).
  • One or more supply paths 44 are connected to the connection area 104.
  • Each supply path 44 is connected to the first nozzle 41 of the processing unit 16 and supplies the processing liquid flowing through the circulation path 103 to the first nozzle 41.
  • each supply path 44 is provided with a flow rate regulator, a regulator, and the like.
  • the processing liquid stored in the tank 102 is supplied to the first nozzle 41 through the circulation path 103 and the supply path 44, and is discharged from the first nozzle 41 to the nozzle bath 42.
  • the nozzle bus 42 of each processing unit 16 is connected to the discharge path 45.
  • the discharge passage 45 has an individual discharge passage 45a connected to each nozzle bus 42 and a merged discharge passage 45b at which a plurality of individual discharge passages 45a merge.
  • the merging discharge passage 45b is connected to the tank 102, and the treatment liquid discharged from the nozzle bath 42 via the individual discharge passage 45a is returned to the tank 102.
  • a valve 45c is provided in each individual discharge path 45a.
  • the merging discharge passage 45b is connected to the drain portion DR, and the treatment liquid passing through the merging discharge passage 45b can be discharged to the drain portion DR.
  • FIGS. 4 and 5 are diagrams for explaining the flow of the processing liquid in the nozzle circulation system 40 according to the embodiment.
  • the processing unit 16 positions the first nozzle 41 above the nozzle bath 42. Subsequently, the processing unit 16 opens the valve 45c provided in the individual discharge path 45a.
  • the processing unit 16 opens the valve 44a provided in the supply path 44.
  • the treatment liquid is sequentially passed through the first nozzle 41, the nozzle bath 42, the discharge path 45, the circulation section 43 (tank 102 and circulation path 103), and the supply path 44. Can be circulated.
  • the processing unit 16 moves the first nozzle 41 above the wafer W. At that time, the processing unit 16 closes the valve 45c of the discharge path 45. As a result, it is possible to prevent the atmosphere in the discharge path 45 from being mixed with the atmosphere around the wafer W.
  • the processing unit 16 opens the valve 44a.
  • the processing liquid is discharged to the wafer W via the supply path 44 and the first nozzle 41.
  • the nozzle circulation system 40 stabilizes the temperature of the first nozzle 41 by continuing to dummy-dispens the treatment liquid adjusted to a desired temperature from the first nozzle 41 while the first nozzle 41 is on standby. Can be made to. That is, it is possible to prevent the temperature of the first nozzle 41 from deviating from the temperature of the processing liquid. As a result, when the liquid treatment is performed using the first nozzle 41, the treatment liquid having a desired temperature can be discharged to the wafer W from the start of discharge. Therefore, stable liquid treatment with little variation due to temperature change can be realized.
  • the nozzle circulation system 40 when the first nozzle 41 performs the dummy dispense treatment in the nozzle bath 42, all the dummy dispensed treatment liquid can be collected in the tank 102. Therefore, the consumption of the treatment liquid can be reduced.
  • the nozzle moving mechanism 50 is provided separately from the plurality of first nozzles 41 arranged in the chamber 70, and holds the first nozzle 41 used for liquid treatment among the plurality of first nozzles 41 to hold the wafer W. Move above.
  • the nozzle moving mechanism 50 is provided at the arm 51, the base end portion of the arm 51, the swivel elevating mechanism 52 for swiveling and raising / lowering the arm 51, and the first nozzle provided at the tip end portion of the arm 51.
  • a nozzle holding portion 53 for holding 41 is provided.
  • the nozzle moving mechanism 50 swivels the arm 51 using the swivel elevating mechanism 52 to arrange the nozzle holding portion 53 above the first nozzle 41 to be held.
  • the plurality of first nozzles 41 are arranged on the swirling trajectory of the nozzle holding portion 53, and the nozzle moving mechanism 50 swivels the arm 51 to move the nozzle holding portion 53 above the arbitrary first nozzle 41. Can be placed.
  • the nozzle moving mechanism 50 lowers the arm 51 by using the swivel elevating mechanism 52, and holds the first nozzle 41 by using the nozzle holding portion 53.
  • Any conventional technique may be used as the configuration of the nozzle holding portion 53.
  • the nozzle holding portion 53 may hold the first nozzle 41 by engaging with the first nozzle 41, as in the nozzle holding portion described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-54406. ..
  • the number of the first nozzles 41 held by the nozzle holding portion 53 may be plural.
  • the nozzle moving mechanism 50 raises and swivels the arm 51 using the swivel elevating mechanism 52, and arranges the first nozzle 41 held by the nozzle holding portion 53 at the processing position above the wafer W.
  • the processing unit 16 can move only the first nozzle 41 used for liquid processing among the plurality of first nozzles 41 to the processing position above the wafer W by using the nozzle moving mechanism 50. Therefore, according to the processing unit 16, the nozzle circulation processing for the remaining first nozzle 41 can be continued during the liquid processing using the first nozzle 41.
  • the second treatment liquid supply unit 60 includes a plurality of (here, two) second nozzles 61 and a swivel elevating mechanism 62 that integrally swivels and elevates the plurality of second nozzles 61.
  • the second nozzle 61 has an extending portion 61a extending in the horizontal direction (Y-axis direction in FIG. 2) and a discharge port 61b located at the tip of the extending portion 61a and opening vertically downward.
  • Each second nozzle 61 is connected to a different processing liquid supply source.
  • a DIW source that supplies DIW (deionized water)
  • IPA isopropyl alcohol
  • the swivel elevating mechanism 62 supports the base end portions of the extending portions 61a of the plurality of second nozzles 61, and the plurality of second nozzles 61 are located between the processing position above the wafer W and the standby position outside the wafer W. Is moved integrally.
  • the gas supply unit 80 dries the wafer W by supplying gas to the wafer W after the liquid treatment.
  • the gas supply unit 80 includes a third nozzle 81 and a swivel elevating mechanism 82 that swivels and elevates the third nozzle 81.
  • the third nozzle 81 has an extending portion 81a extending in the horizontal direction (X-axis direction in FIG. 2) and a discharge port 81b located at the tip of the extending portion 81a.
  • the third nozzle 81 is, for example, connecting a gas such as N 2 gas or dry air to a gas supply source for supplying.
  • the swivel elevating mechanism 82 supports the base end portion of the extending portion 81a of the third nozzle 81, and moves the third nozzle 81 between the processing position above the wafer W and the standby position outside the wafer W.
  • the gas supply unit 80 may include a plurality of third nozzles 81.
  • the gas supply unit 80 may include a third nozzle 81 that discharges gas perpendicularly to the wafer W, and a third nozzle 81 that discharges gas obliquely to the wafer W.
  • the chamber 70 is, for example, a rectangular housing in a plan view, and has a plurality of (here, four) side walls 71a to 71d. Inside the chamber 70, a substrate holding mechanism 20, a cup 30, a plurality of first nozzles 41 included in a plurality of nozzle circulation systems 40, a plurality of nozzle baths 42, a nozzle moving mechanism 50, a second processing liquid supply unit 60, and a gas supply The unit 80 is housed.
  • a plurality of exhaust ports 72 are provided on the bottom surface of the chamber 70.
  • the plurality of exhaust ports 72 are arranged, for example, in the vicinity of the side walls 71a to 71d of the chamber 70.
  • the plurality of exhaust ports 72 are connected to the exhaust pipe 72a, and the atmosphere in the chamber 70 is discharged to the outside of the chamber 70 through the plurality of exhaust ports 72 or the exhaust pipe 72a.
  • an FFU (not shown) is provided on the ceiling of the chamber 70.
  • the FFU forms a downflow in the chamber 70.
  • the atmosphere in the chamber is maintained in an inert gas atmosphere such as nitrogen gas or a clean gas atmosphere such as clean dry air.
  • the chamber 70 is provided with a carry-in outlet for loading and unloading the wafer W, a shutter for opening and closing the carry-in outlet, and the like.
  • the plurality of first nozzles 41 constituting each nozzle circulation system 40 are grouped in one place in the chamber 70, and a plurality of second nozzles not constituting the nozzle circulation system 40. Isolated from 61.
  • the plurality of first nozzles 41 are collectively arranged with respect to the cup 30 on a side different from the side on which the plurality of second nozzles 61 are arranged. That is, when the chamber 70 is viewed in a plan view, the plurality of second nozzles 61 are arranged between the side wall 71b on the X-axis positive direction side of the chamber 70 and the cup 30, whereas the plurality of first nozzles 41 Is arranged between the side wall 71a on the negative side of the X-axis of the chamber 70 and the cup 30.
  • the plurality of first nozzles 41 constituting each nozzle circulation system 40 are centrally arranged in the chamber 70.
  • the plurality of nozzle baths 42 corresponding to the plurality of first nozzles 41 are centrally arranged in one place in the chamber 70. Therefore, even if the components of the treatment liquid leak from the nozzle bath 42, the atmosphere inside the chamber 70 can be easily controlled because the leaked parts are collected in one place.
  • the processing liquids having different temperatures will be dummy-dispensed from the plurality of centrally arranged first nozzles 41.
  • the inventor of the present application has confirmed that temperature interference between the first nozzles 41 does not occur even in such a case.
  • 6 and 7 are graphs showing the results of investigation of temperature interference between two adjacent first nozzles 41.
  • the inventor of the present application has a first nozzle 41 (hereinafter referred to as "nozzle A”) for discharging IPA set at 70 ° C. and a first nozzle 41 (hereinafter referred to as "nozzle A") for discharging DHF set at 25 ° C. Nozzle B) and) were placed close to each other. Then, the inventor of the present application discharged IPA from nozzle A for 120 seconds with the discharge of DHF from one nozzle B stopped (Case 1). Further, the inventor of the present application discharged DHF from nozzle B for 120 seconds, and at the same time, discharged IPA from nozzle A for 120 seconds (Case 2).
  • the inventor of the present application measured the temperature of the nozzle B in each of the cases 1 and 2 using a thermocouple installed inside the nozzle B.
  • the measurement result of case 1 is shown in FIG. 6, and the measurement result of case 2 is shown in FIG. 7.
  • 6 and 7 show graphs in which the elapsed time from the start of IPA discharge is on the horizontal axis and the temperature of nozzle B (the temperature of DHF in nozzle B) is on the vertical axis.
  • the deviation from the set temperature (25 ° C.) of the nozzle B at the end of the discharge of IPA is larger in the case 1 shown in FIG. 6, and in the case 2 shown in FIG. Almost no temperature change was observed.
  • FIG. 8 is a diagram showing an exhaust configuration of the nozzle bus 42 according to the embodiment.
  • the processing unit 16 includes an exhaust duct 200 common to a plurality of nozzle buses 42.
  • the plurality of first nozzles 41 are collectively arranged in one place, the plurality of nozzle baths 42 are also arranged in one place. Therefore, it is easy to provide the exhaust duct 200 common to the plurality of nozzle buses 42.
  • the exhaust duct 200 includes a plurality of exhaust intake ports 201, a cleaning chamber 202 communicating with the plurality of exhaust intake ports 201, a gas-liquid separation unit 203 provided on the downstream side of the cleaning chamber 202, and a cleaning chamber 202. It is provided with a connection flow path 204 for connecting the gas-liquid separation unit 203 and the gas-liquid separation unit 203.
  • the plurality of exhaust intake ports 201 are provided on the floor surface 73 of the chamber 70 around the bus unit 420. For example, a part of the plurality of exhaust intake ports 201 is provided between the side wall 71a (see FIG. 2) of the chamber 70 and the bus unit 420. Further, another part of the plurality of exhaust intake ports 201 is provided between the cup 30 and the bus unit 420.
  • the components of the processing liquid leaked from the plurality of nozzle baths 42 can be collectively discharged from the plurality of exhaust intake ports 201 formed around the bus unit 420. Therefore, the configuration of the exhaust path can be simplified as compared with the case where a plurality of nozzle buses 42 are arranged in a dispersed manner, for example.
  • the washing room 202 is arranged at the lower part (under the floor) of the bath unit 420, for example. In the cleaning chamber 202, a process of removing the components of the treatment liquid from the exhaust gas taken in from the plurality of exhaust intake ports 201 is performed.
  • FIG. 9 is a diagram showing a configuration of a cleaning chamber 202 included in the exhaust duct 200 according to the embodiment.
  • a cleaning liquid supply unit 210 for supplying the cleaning liquid is arranged inside the cleaning chamber 202.
  • the cleaning liquid supply unit 210 includes a first discharge unit 211 and a second discharge unit 212.
  • the first discharge unit 211 is provided on the ceiling of the cleaning chamber 202, for example, and discharges the cleaning liquid to the space inside the cleaning chamber 202 in a shower shape.
  • the second discharge unit 212 discharges the cleaning liquid to the wall surface in the cleaning chamber 202 in a shower shape, for example.
  • a plurality of second discharge units 212 may be provided in the cleaning chamber 202. In this case, the plurality of second discharge units 212 discharge the cleaning liquid to different wall surfaces in the cleaning chamber 202.
  • the first discharge unit 211 includes a cleaning liquid supply source 211a, a valve 211b, and a flow rate regulator 211c.
  • the second discharge unit 212 includes a cleaning liquid supply source 212a, a valve 212b, and a flow rate regulator 212c. That is, the cleaning liquid supply unit 210 can independently discharge the cleaning liquid from the first discharge unit 211 and the cleaning liquid from the second discharge unit 212.
  • the cleaning liquid is, for example, DIW.
  • the cleaning liquid supply unit 210 is controlled by the control unit 18. By controlling the cleaning liquid supply unit 210, the control unit 18 discharges the cleaning liquid from the first discharge unit 211 at the first flow rate and the first processing time.
  • control unit 18 constantly discharges the cleaning liquid from the first discharge unit 211 while the processing unit 16 is in operation.
  • the cleaning liquid is supplied from the first discharge unit 211 to the space inside the cleaning chamber 202, the components (acid component and alkaline component) of the treatment liquid contained in the exhaust gas flowing through the cleaning chamber 202 dissolve in the cleaning liquid.
  • the components of the treatment liquid can be removed from the exhaust gas flowing through the cleaning chamber 202.
  • control unit 18 controls the cleaning liquid supply unit 210 to discharge the cleaning liquid from the second discharge unit 212 in a second processing time that is larger than the first flow rate and shorter than the first processing time. ..
  • control unit 18 discharges the cleaning liquid from the second discharge unit 212 at regular intervals.
  • the second discharge unit 212 discharges the cleaning liquid to the wall surface in the cleaning chamber 202 at a flow rate higher than that of the first discharge unit 211, in other words, at a pressure higher than that of the first discharge unit 211.
  • foreign substances such as crystals adhering to the cleaning chamber 202 can be washed away with the cleaning liquid.
  • the exhaust gas taken into the cleaning chamber 202 from the plurality of exhaust intake ports 201 and the cleaning liquid supplied into the cleaning chamber 202 by the cleaning liquid supply unit 210 are supplied to the gas-liquid separation unit 203 via the connection flow path 204.
  • the gas-liquid separation unit 203 has, for example, an exhaust pipe 203a extending upward and a drainage pipe 203b located below the exhaust pipe 203a. Of the exhaust gas and the cleaning liquid that have reached the gas-liquid separation unit 203, the exhaust gas is discharged to the outside through the exhaust pipe 203a, and the cleaning liquid is discharged to the outside through the drainage pipe 203b.
  • the exhaust pipe 203a joins the exhaust pipe 72a connected to a plurality of exhaust ports 72 provided on the floor surface of the chamber 70.
  • the processing unit 16 includes an exhaust duct 200 for intensively exhausting the atmosphere around the bus unit 420, in addition to the exhaust port 72 provided on the floor surface 73 of the chamber 70. .. Therefore, according to the processing unit 16 according to the embodiment, even when the components of the treatment liquid leak from the plurality of nozzle baths 42, the exhaust gas containing the components of the treatment liquid can be efficiently discharged from the chamber 70. it can.
  • FIG. 10 is a diagram showing a modified example of the exhaust duct according to the embodiment.
  • the treatment unit 16A includes an acid-based bath unit 420A1 having a nozzle bath 42A1 for receiving an acid-based treatment liquid and an alkaline bath unit 420A2 having a nozzle bath 42A2 for receiving an alkaline-based treatment liquid.
  • the acid-based bus unit 420A1 and the alkaline-based bus unit 420A2 are separate bodies, and are arranged next to each other at a predetermined interval on the turning trajectory of the nozzle holding portion 53.
  • the processing unit 16A includes an acid-based exhaust duct 200A1 and an alkaline-based exhaust duct A2.
  • the acid-based exhaust duct 200A1 has a plurality of exhaust intake ports 201A1 around the acid-based bus unit 420A1.
  • the alkaline exhaust duct 200A2 has a plurality of exhaust intake ports 201A2 around the alkaline bus unit 420A2.
  • the acid-based exhaust duct 200A1 is arranged in the lower part (under the floor) of the acid-based bus unit 420A1 and has a cleaning chamber 202A1 communicating with a plurality of exhaust intake ports 201A1.
  • the cleaning chamber 202A1 has a cleaning liquid supply unit inside, and is connected to a gas-liquid separation unit (not shown) via a connection path 204A1.
  • the alkaline exhaust duct 200A2 is arranged in the lower part (under the floor) of the alkaline bus unit 420A2 and has a cleaning chamber 202A2 communicating with a plurality of exhaust intake ports 201A2.
  • the cleaning chamber 202A2 has a cleaning liquid supply unit inside, and is connected to a gas-liquid separation unit (not shown) via a connection path 204A2.
  • the exhaust paths of the plurality of nozzle buses 42A1 and 42A2 may be divided into an acid-based exhaust path (acid-based exhaust duct 200A1) and an alkaline-based exhaust path (alkaline-based exhaust duct 200A2).
  • acid-based exhaust duct 200A1 acid-based exhaust duct 200A1
  • alkaline-based exhaust duct 200A2 alkaline-based exhaust duct 200A2
  • FIG. 11 is a diagram showing a first modification of the nozzle moving mechanism according to the embodiment.
  • FIG. 12 is a diagram showing another arrangement example of the plurality of first nozzles 41 and the plurality of nozzle baths 42 in the first modification.
  • the nozzle moving mechanism 50B includes an arm 51B, a swivel elevating mechanism 52, and a nozzle holding portion 53.
  • the arm 51B includes a first arm 51Ba, a second arm 51Bb, and a joint portion 51Bc. Both the first arm 51Ba and the second arm 51Bb extend in the horizontal direction.
  • the base end portion of the first arm 51Ba is connected to the swivel elevating mechanism 52, and the nozzle holding portion 53 is provided at the tip end portion of the second arm 51Bb.
  • the joint portion 51Bc is arranged between the first arm 51Ba and the second arm 51Bb, and connects the first arm 51Ba and the second arm 51Bb.
  • the joint portion 51Bc has a rotation driving portion such as a motor, and the second arm 51Bb can be swiveled around the vertical axis with respect to the first arm 51Ba.
  • the nozzle moving mechanism 50B may be configured to include an arm 51B having a joint portion 51Bc. With such a configuration, the degree of freedom in arranging the plurality of first nozzles 41 and the plurality of nozzle baths 42 can be increased.
  • FIG. 11 shows an example in which a plurality of first nozzles 41 and a plurality of nozzle baths 42 are linearly arranged in the horizontal direction.
  • a part of the plurality of first nozzles 41 is arranged on one side (for example, the Y-axis positive direction side) of the swivel elevating mechanism 52 of the nozzle moving mechanism 50B, and the other part is arranged. It may be arranged on another side (for example, the Y-axis negative direction side) of the swivel elevating mechanism 52 of the nozzle moving mechanism 50B.
  • the plurality of nozzle buses 42 are also arranged separately on one side and another side of the swivel elevating mechanism 52.
  • the nozzle bath 42 that receives the acid-based treatment liquid on one side of the swirling elevating mechanism 52 and arranging the nozzle bath 42 that receives the alkaline treatment liquid on the other side, the components of the acid-based treatment liquid can be arranged. It is possible to prevent the components of the alkaline treatment liquid from being mixed with each other. Further, the present invention is not limited to this, and for example, the nozzle bath 42 that receives the high temperature treatment liquid may be arranged on one side of the swivel lifting mechanism 52, and the nozzle bath 42 that receives the low temperature treatment liquid may be arranged on the other side.
  • FIG. 13 is a diagram showing a second modification of the nozzle moving mechanism according to the embodiment.
  • the nozzle moving mechanism 50C includes an arm 51C, an arm moving portion 52C, a nozzle holding portion 53, and a holding portion moving portion 54.
  • the arm 51C extends in the horizontal direction (for example, the Y-axis direction).
  • the arm moving portion 52C horizontally supports the rail 51C1 extending in the horizontal direction (for example, the X-axis direction) orthogonal to the extending direction of the arm 51C and the arm 51C, and is a drive that can move along the rail 52C1.
  • a unit 52C2 is provided.
  • the holding portion moving portion 54 supports the nozzle holding portion 53 below and is movable along the arm 51C.
  • the nozzle moving mechanism 50C may be configured to move the nozzle holding portion 53 along two horizontal directions (X-axis direction and Y-axis direction) orthogonal to each other. With such a configuration, the degree of freedom in arranging the plurality of first nozzles 41 and the plurality of nozzle baths 42 can be increased.
  • FIG. 13 shows an example in which a plurality of first nozzles 41 and a plurality of nozzle buses 42 are linearly arranged along the extending direction of the arm 51C, that is, the Y-axis direction.
  • the plurality of first nozzles 41 and the plurality of nozzle buses 42 may be arranged linearly along the extending direction of the rail 52C1, that is, the X-axis direction.
  • the plurality of first nozzles 41 and the plurality of nozzle baths 42 do not necessarily have to be arranged linearly.
  • the nozzle moving mechanism 50D includes a shaft portion 56, a driving portion 57, a plurality of arms 58, and a plurality of switching portions 59.
  • the shaft portion 56 extends along the vertical direction (Z-axis direction).
  • the drive unit 57 is provided, for example, at the base end portion of the shaft portion 56, and rotates the shaft portion 56 around the vertical shaft Ax. Further, the drive unit 57 can raise and lower the shaft unit 56.
  • the base end portion of the plurality of arms 58 is pivotally supported by the shaft portion 56, and the first nozzle 41 is supported at the tip end portion.
  • the plurality of arms 58 are supported by the shaft portion 56 at different height positions, and hold each of the plurality of first nozzles 41 at different height positions. As a result, the plurality of first nozzles 41 are arranged at height positions that do not overlap each other in the vertical direction.
  • the switching unit 59 is, for example, an electromagnetic clutch, a mechanical clutch, or the like, and switches the arm 58 that turns together with the shaft portion 56 among the plurality of arms 58.
  • the switching unit 59 includes an armature 59a, a rotor 59b, and an electromagnet 59c.
  • the armature 59a is attached to the base end portion 58a of the arm 58 via an urging member 59a1 such as a leaf spring.
  • the urging member 59a1 urges the armature 59a toward the base end portion 58a of the arm 58.
  • the rotor 59b is arranged to face the armature 59a at intervals and rotates together with the shaft portion 56.
  • the electromagnet 59c is built in the rotor 59b.
  • the first nozzle 41 used for the liquid treatment can be selectively moved among the plurality of first nozzles 41. Therefore, for example, as shown in FIG. 17, when the first nozzle 41 in the middle stage of the plurality of first nozzles 41 is used for liquid treatment, the nozzle moving mechanism 50D rotates only the first nozzle 41 in the middle stage. It can be moved to the processing position above the wafer W.
  • FIG. 18 is a diagram showing a configuration example of the nozzle bus in the third modification.
  • the bus unit 420D has a plurality of nozzle baths 42D.
  • the plurality of nozzle baths 42D have an opening 42D1 at a height position corresponding to the height position of the corresponding first nozzle 41. That is, the plurality of nozzle baths 42D each have an opening 42D1 at a different height position.
  • FIG. 19 is a diagram showing a fourth modification of the nozzle moving mechanism according to the embodiment.
  • the nozzle moving mechanism 50E includes a shaft portion 56, a driving portion 57, a plurality of arms 58E, and a switching portion 59E.
  • the plurality of arms 58E are provided separately from the shaft portion 56. Further, the plurality of arms 58E are arranged radially around the vertical axis Ax, which is the turning center of the shaft portion 56, with the base end portion 58Ea facing the shaft portion 56. The plurality of arms 58E may be arranged at different height positions or may be arranged at the same height position.
  • One switching portion 59E is provided, for example, on the outer peripheral portion of the shaft portion 56.
  • the switching portion 59E is, for example, an electromagnetic clutch, and the base end portion 58Ea of the arm 58E is attracted by an electromagnetic force and connected to the shaft portion 56. As a result, the power of the shaft portion 56 is transmitted to the arm 58E, and the arm 58E turns together with the shaft portion 56.
  • the nozzle moving mechanism 50E may have a configuration in which a plurality of arms 58E provided separately from the shaft portion 56 are connected to the shaft portion 56 by using the switching portion 59E.
  • the switching unit 59E is not limited to the electromagnetic clutch, but may be a mechanical clutch.
  • the nozzle moving mechanism 50F includes first to third shaft portions 56F1 to 56F3, first to third drive units 57F1 to 57F3, and first to third arms 58F1 to 58F3.
  • the number of shafts, drive units, and arms included in the nozzle moving mechanism 50F is not limited to three.
  • the first shaft portion 56F1 and the second shaft portion 56F2 are cylindrical members. Of these, the second shaft portion 56F2 is arranged inside the first shaft portion 56F1. Further, the third shaft portion 56F3 is a columnar member, and is arranged inside the second shaft portion 56F2.
  • the first to third drive units 57F1 to 57F3 are provided on the first shaft portion 56F1 to the third shaft portion 56F3 on a one-to-one basis, and the first shaft portion 56F1 to the third shaft portion 56F3 are moved up and down and the same vertical shaft is used. Turn around Ax.
  • the base end portions of the first to third arms 58F1 to 58F3 are supported by the first to third shaft portions 56F1 to 56F3, respectively, and the first nozzle 41 is supported at the tip end portion.
  • the first to third arms 58F1 to 58F3 are arranged radially around the vertical axis Ax. Further, the first to third arms 58F1 to 58F3 are arranged at the same height position, for example.
  • the first shaft portion 56F1 is a passing portion through which the second arm 58F2 in the standby state is passed and the third arm 58F3 in the standby state is passed when the first shaft portion 56F1 is moved up and down by the first drive unit 57F1. It has 563F1. The upper and lower ends of the passing portions 562F1 and 563F1 are open. Therefore, as shown in FIG. 21, the first shaft portion 56F1 can rise without interfering with the second arm 58F2 and the third arm 58F3.
  • the first shaft portion 56F1 does not interfere with the second arm 58F2 and the third arm 58F3 not only in the vertical direction but also in the circumferential direction.
  • the first shaft portion 56F1 can be swiveled without interfering with the second arm 58F2 and the third arm 58F3. That is, only the first arm 58F1 can be selectively swiveled.
  • the second shaft portion 56F2 has a passing portion 563F2 that allows the second shaft portion 56F2 to pass through the standby third arm 58F3 when the second shaft portion 56F2 is moved up and down by the second drive unit 57F2.
  • the upper and lower ends of the passing portion 563F2 are open. Therefore, as shown in FIG. 22, the second shaft portion 56F2 can rise without interfering with the third arm 58F3. Further, as described above, since the first shaft portion 56F1 is provided with the passing portion 562F1, the second arm 58F2 can rise without interfering with the first shaft portion 56F1.
  • the second shaft portion 56F2 does not interfere with the first arm 58F1 and the third arm 58F3 in the circumferential direction. Therefore, the second shaft portion 56F2 can be swiveled without interfering with the first arm 58F1 and the third arm 58F3. That is, only the second arm 58F2 can be selectively swiveled.
  • the first shaft portion 56F1 and the second shaft portion 56F2 are provided with passing portions 563F1 and 563F2, respectively. Therefore, as shown in FIG. 23, the third arm 58F3 can rise without interfering with the first shaft portion 56F1 and the second shaft portion 56F2.
  • the third shaft portion 56F3 does not interfere with the first arm 58F1 and the second arm 58F2 in the circumferential direction. Therefore, the third shaft portion 56F3 can be swiveled without interfering with the first arm 58F1 and the second arm 58F2. That is, only the third arm 58F3 can be selectively swiveled.
  • only one of the first to third arms 58F1 to 58F3 can be raised and lowered and swiveled.
  • the substrate liquid processing apparatus (as an example, the processing unit 16) according to the embodiment includes a cup (as an example, a cup 30), a plurality of nozzle circulation systems (as an example, a nozzle circulation system 40), and the like.
  • a second nozzle (as an example, a second nozzle 61) and an accommodating portion (as an example, a chamber 70) are provided.
  • the cup surrounds the periphery of the substrate (for example, the wafer W).
  • the plurality of nozzle circulation systems are arranged outside the first nozzle (for example, the first nozzle 41) and the cup, and receive the processing liquid discharged from the first nozzle (for example, the nozzle bath 42).
  • the second nozzle is a nozzle that does not constitute a nozzle circulation system.
  • the accommodating portion accommodates a cup, a plurality of first nozzles of the plurality of nozzle circulation systems, and a plurality of liquid receiving tanks and a second nozzle. Further, the second nozzle is arranged between the first side wall (side wall 71b as an example) of the accommodating portion and the cup, and the plurality of first nozzles are different from the first side wall of the accommodating portion. (As an example, 71a) is placed between the cup.
  • the substrate liquid treatment apparatus According to the substrate liquid treatment apparatus according to the embodiment, even if the components of the treatment liquid leak from the liquid receiving tank, the leaked parts are collected in one place, so that the atmosphere in the accommodating portion can be easily controlled.
  • the substrate liquid treatment device may be provided with an exhaust duct (exhaust duct 200 as an example) common to a plurality of liquid receiving tanks.
  • exhaust duct 200 exhaust duct 200 as an example
  • the plurality of liquid receiving tanks are also arranged in one place. Therefore, it is easy to provide a common exhaust duct in a plurality of liquid receiving tanks.
  • the substrate liquid processing apparatus may include a tank unit having a plurality of liquid receiving tanks (as an example, a bus unit 420).
  • the exhaust duct may have a plurality of exhaust intake ports (exhaust intake port 201 as an example) on the floor surface (for example, the floor surface 73) of the accommodating portion around the tank unit. ..
  • the substrate liquid treatment device may include a cleaning liquid supply unit (for example, a cleaning liquid supply unit 210) that supplies the cleaning liquid inside the exhaust duct.
  • a cleaning liquid supply unit for example, a cleaning liquid supply unit 210 that supplies the cleaning liquid inside the exhaust duct.
  • the substrate liquid processing apparatus may include a control unit that controls a cleaning liquid supply unit.
  • the cleaning liquid supply unit may include a first discharge unit and a second discharge unit that discharge the cleaning liquid.
  • the control unit controls the cleaning liquid supply unit to discharge the cleaning liquid from the first discharge unit at the first flow rate and the first processing time, and from the second flow rate and the first processing time, which is larger than the first flow rate.
  • the cleaning liquid may be discharged from the second discharge portion in a short second treatment time.
  • the components of the treatment liquid can be removed from the taken-in exhaust gas.
  • foreign substances such as crystals adhering to the exhaust duct can be washed away with a cleaning liquid.
  • the substrate liquid treatment apparatus includes an acid-based tank unit (for example, an acid-based bath unit 420A1), an alkaline-based tank unit (for example, an alkaline-based bath unit 420A2), and an acid-based exhaust duct (for example, an acid-based exhaust duct).
  • An acid-based exhaust duct 200A1) and an alkaline-based exhaust duct (for example, an alkaline-based exhaust duct 200A2) may be provided.
  • the acid-based tank unit has a liquid receiving tank that receives an acid-based treatment liquid among a plurality of receiving tanks.
  • the alkaline tank unit has a liquid receiving tank that receives an alkaline treatment liquid among a plurality of liquid receiving tanks.
  • the acid-based exhaust duct has an exhaust intake port around the acid-based tank unit.
  • the alkaline exhaust duct has an exhaust intake port around the alkaline tank unit. It is possible to suppress the formation of crystals due to the mixture of the acid component contained in the acid-based treatment solution and the alkali component contained in the alkali-based treatment solution.
  • the substrate liquid treatment apparatus includes a nozzle moving mechanism (for example, nozzle moving mechanisms 50, 50B to 50F) for selectively moving the first nozzle used for liquid treatment among the plurality of first nozzles. You may be. As a result, the nozzle circulation processing for the remaining first nozzles can be continued during the liquid treatment using the first nozzle.
  • a nozzle moving mechanism for example, nozzle moving mechanisms 50, 50B to 50F
  • the nozzle moving mechanism includes a shaft portion (as an example, a shaft portion 56), a drive portion (as an example, a shaft portion 57), a plurality of arms (as an example, a shaft portion 58), and a switching portion (as an example, a switching portion). 59) and.
  • the shaft portion extends along the vertical direction.
  • the drive unit rotates the shaft unit around a vertical shaft.
  • the plurality of arms can be swiveled around the shaft portion, and each of the plurality of first nozzles is held at a different height position.
  • the switching unit switches the arm that swivels together with the shaft portion among the plurality of arms. Thereby, the first nozzle used for the liquid treatment can be selectively moved among the plurality of first nozzles.
  • Each of the plurality of liquid receiving tanks may have an opening (for example, the opening 42D1) at a height position corresponding to the height position of the corresponding first nozzle.
  • the plurality of first nozzles may discharge treatment liquids having different temperatures. Even when a plurality of first nozzles are centrally arranged, temperature interference between the first nozzles can be suppressed by continuously discharging the processing liquid from the waiting first nozzle to the liquid receiving tank.

Abstract

本開示の一態様による基板液処理装置（１６）は、カップ（３０）と、複数のノズル循環システム（４０）と、第２ノズル（６１）と、収容部（７０）と備える。カップ（３０）は、基板の周縁を取り囲む。複数のノズル循環システム（４０）は、第１ノズル（４１）と、カップ（３０）の外方に配置され、第１ノズル（４１）から吐出された処理液を受ける受液槽（４２）と、受液槽（４２）で受けた処理液を第１ノズル（４１）に戻す循環部（４３）とをそれぞれ含む。第２ノズル（６１）は、ノズル循環システム（４０）を構成しないノズルである。収容部（７０）は、カップ（３０）、複数のノズル循環システム（４０）が有する複数の第１ノズル（４１）ならびに複数の受液槽（４２）および第２ノズル（６１）を収容する。また、第２ノズル（６１）は、収容部（７０）が有する第１側壁（７１ｂ）とカップ（３０）との間に配置され、複数の第１ノズル（４１）は、収容部（７０）が有する第１側壁（７１ｂ）とは異なる第２側壁（７１ａ）とカップ（３０）との間に配置される。

Description

基板液処理装置
　開示の実施形態は、基板液処理装置に関する。
　従来、半導体ウエハなどの基板を液処理する基板液処理装置において、液処理に使われないノズルを基板の外方に設置された受液槽の上方にて待機させ、かかるノズルから受液槽に処理液を吐出する技術が知られている（特許文献１参照）。
特開平１０－７４７２５号公報
　本開示は、処理液の成分が受液槽から漏洩したとしても、収容部内の雰囲気を容易に制御することができる技術を提供する。
　本開示の一態様による基板液処理装置は、カップと、複数のノズル循環システムと、第２ノズルと、収容部とを備える。カップは、基板の周縁を取り囲む。複数のノズル循環システムの各々は、第１ノズルと、カップの外方に配置され、第１ノズルから吐出された処理液を受ける受液槽と、受液槽で受けた処理液を第１ノズルに戻す循環部とを含む。第２ノズルは、ノズル循環システムを構成しないノズルである。収容部は、カップ、複数のノズル循環システムが有する複数の第１ノズルならびに複数の受液槽および第２ノズルを収容する。また、第２ノズルは、収容部が有する第１側壁とカップとの間に配置され、複数の第１ノズルは、収容部が有する第１側壁とは異なる第２側壁とカップとの間に配置される。
　本開示によれば、処理液の成分が受液槽から漏洩したとしても、収容部内の雰囲気を容易に制御することができる。
図１は、実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。 図２は、実施形態に係る処理ユニットの構成を示す図である。 図３は、実施形態に係るノズル循環システムの構成を示す図である。 図４は、実施形態に係るノズル循環システムにおける処理液の流れを説明するための図である。 図５は、実施形態に係るノズル循環システムにおける処理液の流れを説明するための図である。 図６は、隣接する２つの第１ノズル間における温度干渉の調査結果を示すグラフである。 図７は、隣接する２つの第１ノズル間における温度干渉の調査結果を示すグラフである。 図８は、実施形態に係るノズルバスの排気構成を示す図である。 図９は、実施形態に係る排気ダクトが備える洗浄室の構成を示す図である。 図１０は、実施形態に係る排気ダクトの変形例を示す図である。 図１１は、実施形態に係るノズル移動機構の第１変形例を示す図である。 図１２は、第１変形例における複数の第１ノズルおよび複数のノズルバスの他の配置例を示す図である。 図１３は、実施形態に係るノズル移動機構の第２変形例を示す図である。 図１４は、実施形態に係るノズル移動機構の第３変形例を示す図である。 図１５は、実施形態に係るノズル移動機構の第３変形例を示す図である。 図１６は、実施形態に係るノズル移動機構の第３変形例を示す図である。 図１７は、実施形態に係るノズル移動機構の第３変形例を示す図である。 図１８は、第３変形例におけるノズルバスの構成例を示す図である。 図１９は、実施形態に係るノズル移動機構の第４変形例を示す図である。 図２０は、実施形態に係るノズル移動機構の第４変形例を示す図である。 図２１は、実施形態に係るノズル移動機構の第４変形例を示す図である。 図２２は、実施形態に係るノズル移動機構の第４変形例を示す図である。 図２３は、実施形態に係るノズル移動機構の第４変形例を示す図である。
　以下に、本開示による基板液処理装置を実施するための形態（以下、「実施形態」と記載する）について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による基板液処理装置が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
　また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するＸ軸方向、Ｙ軸方向およびＺ軸方向を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。
　また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
　基板液処理装置において、液処理に使われない待機状態のノズルを基板の外方に設置されたノズルバスの上方に配置させ、かかるノズルからノズルバスに処理液を吐出する処理が知られている。この処理は、たとえば液処理を行う前にまたは定期的に、ノズル内に残存する古い処理液をノズルバスに捨てることで、液処理の安定性の向上させるために行われる。
　一方、実施形態に係る基板液処理装置では、ノズルからノズルバスに処理液を常時吐出し続けるとともに、ノズルバスに吐出された処理液を循環させてノズルに戻すノズル循環処理が行われる。ノズル循環処理は、たとえば、温度調整された処理液をノズル内部に常に流通させることにより、ノズル内部（特に先端部分）の温度を安定化させるために行われる。
　かかるノズル循環処理によれば、たとえば、複数のウエハを連続処理する場合に１枚目のウエハのエッチング量が他のウエハよりも低くなることを抑制することができる。すなわち、ノズル循環処理によれば、複数のウエハ間における液処理の均一性を向上させることができる。
　しかしながら、たとえばノズルバスが開放系の開口部を有している場合、処理液に含有される成分がノズルバスからチャンバ内に漏れ出てチャンバ内の雰囲気に影響を与えるおそれがある。ノズルバスから漏れ出た処理液の成分は、たとえば、チャンバ内のウエハを汚染させたり、チャンバ内の機器を劣化させたりするおそれがある。
　特に、ノズル循環処理は、ノズルからノズルバスに処理液を常時吐出し続けるため、処理液の成分がノズルバスから漏洩した場合の影響が大きい。そこで、ノズル循環処理を行う基板液処理装置においては、処理液の成分がノズルバスから漏洩したとしても、チャンバ内の雰囲気を容易に制御することできる技術が期待されている。
＜基板処理システムの概要＞
　実施形態に係る基板処理システム１の構成について図１を参照して説明する。図１は、実施形態に係る基板処理システム１の構成を示す図である。
　図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
　搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、実施形態では半導体ウエハＷ（以下、ウエハＷと呼称する。）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
　搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウエハＷの搬送を行う。
　処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
　搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウエハＷを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウエハＷの搬送を行う。
　処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウエハＷに対して所定の基板処理を行う。
　また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
　なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
　上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウエハＷを取り出し、取り出したウエハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウエハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
　処理ユニット１６へ搬入されたウエハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウエハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
＜処理ユニットの構成＞
　次に、処理ユニット１６の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、実施形態に係る処理ユニット１６の構成を示す図である。処理ユニット１６は、基板液処理装置の一例である。
　図２に示すように、処理ユニット１６は、基板保持機構２０と、カップ３０と、複数のノズル循環システム４０と、ノズル移動機構５０と、第２処理液供給部６０と、気体供給部８０と、チャンバ７０とを備える。
　基板保持機構２０は、ウエハＷを水平に保持する保持部２１を備える。保持部２１は、たとえば、ウエハＷの裏面を吸着保持するバキュームチャックである。また、保持部２１は、ウエハＷの周縁部を把持するメカニカルチャックであってもよい。保持部２１は、図示しない支柱部に接続される。支柱部は、鉛直方向に延在する部材であり、先端部において保持部２１を水平に支持する。また、支柱部は、基端部において図示しない駆動部に接続される。駆動部は、支柱部を鉛直軸まわりに回転させる。
　かかる基板保持機構２０は、駆動部を用いて支柱部を回転させることによって支柱部に支持された保持部２１を回転させ、これにより、保持部２１に保持されたウエハＷを回転させる。
　カップ３０は、保持部２１に保持されたウエハＷの周縁を取り囲むように配置され、保持部２１の回転によってウエハＷから飛散する処理液を捕集する。カップ３０の底部には、カップ３０によって捕集された処理液を排出する排出口が設けられる。また、カップ３０の底部には、後述するＦＦＵ（Fan　Filter　Unit）から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口が形成される。
　ノズル循環システム４０は、第１ノズル４１と、カップ３０の外方に配置され、第１ノズル４１から吐出された処理液を受けるノズルバス４２と、ノズルバス４２で受けた処理液を第１ノズル４１に戻す循環部４３とを含む。
　各ノズル循環システム４０は、それぞれ異なる処理液を循環させる。一例として、図２に示す３つのノズル循環システム４０のうちの２つは、酸系処理液を循環させ、残りの１つはアルカリ系処理液を循環させる。酸系処理液としては、たとえば、ＢＨＦ（フッ酸とフッ化アンモニウム溶液との混合液）、ＤＨＦ（希フッ酸）、Ｈ２ＳＯ４（硫酸）等が用いられる。また、アルカリ性処理液としては、たとえば、ＳＣ１（アンモニア、過酸化水素および水の混合液）、希釈アンモニア水等が用いられる。
　第１ノズル４１は、処理液の吐出口４１１を下部に有し、吐出口４１１から鉛直下向きに処理液を吐出する。ノズルバス４２は、カップ３０の外方に設定された第１ノズル４１の待機領域に配置される。具体的には、ノズルバス４２は、待機領域に配置された第１ノズル４１の吐出口４１１の直下に配置され、第１ノズル４１から吐出された処理液を受ける。
　本実施形態において、複数のノズルバス４２は、バスユニット４２０として一体的に構成されるものとするが、これに限らず、別体であってもよい。
　循環部４３は、タンクおよびポンプ等を含んで構成される、ノズルバス４２から排出された処理液を循環させて再び第１ノズル４１へ戻す。
　ここで、ノズル循環システム４０の構成例について図３を参照して説明する。図３は、実施形態に係るノズル循環システム４０の構成を示す図である。
　図３に示すように、実施形態に係るノズル循環システム４０は、第１ノズル４１と、ノズルバス４２と、循環部４３と、供給路４４と、排出路４５とを備える。また、循環部４３は、処理液供給部１０１と、タンク１０２と、循環路１０３とを備える。なお、ノズル循環システム４０の動作は、制御部１８（図１参照）によって制御される。
　処理液供給部１０１は、処理液供給源１０１ａと、バルブ１０１ｂと、流量調整器１０１ｃとを備える。処理液供給源１０１ａは、バルブ１０１ｂおよび流量調整器１０１ｃを介してタンク１０２に接続される。これにより、処理液供給部１０１は、処理液供給源１０１ａからタンク１０２に処理液を供給する。
　タンク１０２は、処理液を貯留する。タンク１０２は、ドレン部ＤＲに接続されており、タンク１０２に貯留する処理液をドレン部ＤＲに排出することができる。
　循環路１０３は、タンク１０２から出て、かかるタンク１０２に戻る循環路である。循環路１０３には、タンク１０２を基準（最上流）として、上流側から順にポンプ１０３ａと、フィルタ１０３ｂと、温度調整部１０３ｃと、温度検知部１０３ｄとが設けられる。
　ポンプ１０３ａは、タンク１０２から出て、循環路１０３を通り、タンク１０２に戻る処理液の循環流を形成する。フィルタ１０３ｂは、循環路１０３内を循環する処理液に含まれるパーティクルなどの汚染物質を除去する。温度調整部１０３ｃは、たとえば、ヒータ等の加熱部またはクーリングコイル等の冷却部であり、循環路１０３内を循環する処理液の温度を調整する。温度検知部１０３ｄは、たとえば熱電対であり、循環路１０３内を循環する処理液の温度を検知する。制御部１８は、温度調整部１０３ｃおよび温度検知部１０３ｄを用いることにより、循環路１０３内を循環する処理液の温度を制御することができる。
　タンク１０２を基準（最上流）として、温度検知部１０３ｄよりも下流側の循環路１０３には接続領域１０４が設定される。接続領域１０４には、１つまたは複数の供給路４４が接続されている。各供給路４４は、処理ユニット１６の第１ノズル４１に接続されており、循環路１０３を流れる処理液を第１ノズル４１に供給する。各供給路４４には、バルブ４４ａの他、流量調整器およびレギュレータ等が設けられる。
　このように、ノズル循環システム４０において、タンク１０２に貯留された処理液は、循環路１０３および供給路４４を通って第１ノズル４１に供給され、第１ノズル４１からノズルバス４２に吐出される。
　各処理ユニット１６のノズルバス４２は、排出路４５に接続される。具体的には、排出路４５は、各ノズルバス４２に接続される個別排出路４５ａと、複数の個別排出路４５ａが合流する合流排出路４５ｂとを有する。合流排出路４５ｂは、タンク１０２に接続されており、ノズルバス４２から個別排出路４５ａを介して排出された処理液をタンク１０２に戻す。各個別排出路４５ａには、バルブ４５ｃが設けられている。また、合流排出路４５ｂは、ドレン部ＤＲに接続され、かかる合流排出路４５ｂを通過する処理液をドレン部ＤＲに排出することができる。
　つづいて、ノズル循環システム４０における処理液の流れについて、図４および図５を参照して説明する。図４および図５は、実施形態に係るノズル循環システム４０における処理液の流れを説明するための図である。
　図４に示すように、まず、処理ユニット１６は、第１ノズル４１をノズルバス４２の上方に位置させる。つづいて、処理ユニット１６は、個別排出路４５ａに設けられたバルブ４５ｃを開ける。
　そして、処理ユニット１６は、供給路４４に設けられたバルブ４４ａを開ける。これにより、図４の太字破線で示すように、第１ノズル４１、ノズルバス４２、排出路４５、循環部４３（タンク１０２および循環路１０３）および供給路４４を順次通過する経路にて処理液を循環させることができる。
　一方、第１ノズル４１を液処理に使用する場合、図５に示すように、処理ユニット１６は、ウエハＷの上方に第１ノズル４１を移動させる。その際、処理ユニット１６は、排出路４５のバルブ４５ｃを閉じる。これにより、排出路４５内の雰囲気とウエハＷ周囲の雰囲気とが混ざることを抑制することができる。
　すなわち、実施形態では、第１ノズル４１をノズルバス４２から離脱させた場合に、バルブ４５ｃを閉じることにより、図４において太字破線で示した経路内の雰囲気とウエハＷ周囲の雰囲気とが混ざることを抑制することができる。
　つづいて、処理ユニット１６は、バルブ４４ａを開く。これにより、図５の太字破線で示すように、供給路４４および第１ノズル４１を介してウエハＷに処理液が吐出される。
　このように、ノズル循環システム４０は、第１ノズル４１の待機中において、所望の温度に調整された処理液を第１ノズル４１からダミーディスペンスし続けることで、第１ノズル４１の温度を安定化させることができる。すなわち、第１ノズル４１の温度が処理液の温度からずれることを抑制することができる。これにより、第１ノズル４１を使用した液処理を行う場合に、吐出開始時から所望の温度の処理液をウエハＷに吐出することができる。したがって、温度変化によるバラツキの少ない安定した液処理を実現することができる。
　また、ノズル循環システム４０によれば、第１ノズル４１がノズルバス４２でダミーディスペンス処理する場合に、ダミーディスペンスされた処理液をすべてタンク１０２に回収することができる。したがって、処理液の消費量を低減することができる。
　図２に戻り、ノズル移動機構５０について説明する。ノズル移動機構５０は、チャンバ７０内に配置された複数の第１ノズル４１と別体に設けられ、複数の第１ノズル４１のうち液処理に使用される第１ノズル４１を保持してウエハＷの上方に移動させる。
　具体的には、ノズル移動機構５０は、アーム５１と、アーム５１の基端部に設けられ、アーム５１を旋回および昇降させる旋回昇降機構５２と、アーム５１の先端部に設けられ、第１ノズル４１を保持するノズル保持部５３とを備える。
　かかるノズル移動機構５０は、まず、旋回昇降機構５２を用いてアーム５１を旋回させることにより、保持する第１ノズル４１の上方にノズル保持部５３を配置させる。複数の第１ノズル４１は、ノズル保持部５３の旋回軌道上に配置されており、ノズル移動機構５０は、アーム５１を旋回させることにより、任意の第１ノズル４１の上方にノズル保持部５３を配置させることができる。
　つづいて、ノズル移動機構５０は、旋回昇降機構５２を用いてアーム５１を降下させ、ノズル保持部５３を用いて第１ノズル４１を保持する。なお、ノズル保持部５３の構成としては、いかなる従来技術を用いて構わない。一例として、ノズル保持部５３は、特開２０１２－５４４０６号公報に記載されたノズル保持部のように、第１ノズル４１と係合することによって第１ノズル４１を保持するものであってもよい。なお、ノズル保持部５３によって保持される第１ノズル４１の数は複数であってもよい。
　その後、ノズル移動機構５０は、旋回昇降機構５２を用いてアーム５１を上昇および旋回させて、ノズル保持部５３に保持された第１ノズル４１をウエハＷ上方の処理位置に配置させる。
　このように、処理ユニット１６は、複数の第１ノズル４１のうち液処理に使用される第１ノズル４１だけをノズル移動機構５０を用いてウエハＷ上方の処理位置に移動させることができる。したがって、処理ユニット１６によれば、第１ノズル４１を用いた液処理中に、残りの第１ノズル４１についてのノズル循環処理を継続することができる。
　第２処理液供給部６０は、複数（ここでは、２つ）の第２ノズル６１と、複数の第２ノズル６１を一体的に旋回および昇降させる旋回昇降機構６２とを備える。第２ノズル６１は、水平方向（図２ではＹ軸方向）に延在する延在部６１ａと、延在部６１ａの先端に位置し、鉛直下向きに開口する吐出口６１ｂとを有する。
　各第２ノズル６１は、それぞれ異なる処理液供給源に接続される。たとえば、図２に示す２つのノズルのうちの一方は、ＤＩＷ（脱イオン水）を供給するＤＩＷ供給源に接続され、他方は、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を供給するＩＰＡ供給源に接続される。
　旋回昇降機構６２は、複数の第２ノズル６１における延在部６１ａの基端部を支持し、ウエハＷ上方の処理位置と、ウエハＷ外方の待機位置との間で複数の第２ノズル６１を一体的に移動させる。
　気体供給部８０は、液処理後のウエハＷに対して気体を供給することによりウエハＷを乾燥させる。気体供給部８０は、第３ノズル８１と、第３ノズル８１を旋回および昇降させる旋回昇降機構８２とを備える。第３ノズル８１は、水平方向（図２ではＸ軸方向）に延在する延在部８１ａと、延在部８１ａの先端に位置する吐出口８１ｂとを有する。第３ノズル８１は、たとえばＮ２ガスやドライエア等の気体を供給する気体供給源に接続される。
　旋回昇降機構８２は、第３ノズル８１における延在部８１ａの基端部を支持し、ウエハＷ上方の処理位置と、ウエハＷ外方の待機位置との間で第３ノズル８１を移動させる。
　気体供給部８０は、複数の第３ノズル８１を備えていてもよい。たとえば、気体供給部８０は、ウエハＷに対して垂直に気体を吐出する第３ノズル８１と、ウエハＷに対して斜めに気体を吐出する第３ノズル８１とを備えていてもよい。
　チャンバ７０は、たとえば平面視矩形状の筐体であり、複数（ここでは４つ）の側壁７１ａ～７１ｄを有する。チャンバ７０の内部には、基板保持機構２０、カップ３０、複数のノズル循環システム４０が有する複数の第１ノズル４１ならびに複数のノズルバス４２、ノズル移動機構５０、第２処理液供給部６０および気体供給部８０が収容される。
　チャンバ７０の底面には、複数の排気口７２が設けられている。複数の排気口７２は、たとえば、チャンバ７０の各側壁７１ａ～７１ｄの近傍に配置される。複数の排気口７２は、排気管７２ａに接続されており、チャンバ７０内の雰囲気は、複数の排気口７２か排気管７２ａを介してチャンバ７０の外部に排出される。
　また、チャンバ７０の天井部には、図示しないＦＦＵが設けられる。ＦＦＵは、チャンバ７０内にダウンフローを形成する。かかるＦＦＵによりチャンバ内の雰囲気は、たとえば窒素ガス等の不活性ガス雰囲気、あるいは、クリーンドライエア等の清浄ガス雰囲気に維持される。その他、チャンバ７０には、ウエハＷを搬入出するための搬入出口および搬入出口を開閉するシャッタ等が設けられる。
　上記のように構成された処理ユニット１６において、各ノズル循環システム４０を構成する複数の第１ノズル４１は、チャンバ７０内の一カ所にまとめられ、ノズル循環システム４０を構成しない複数の第２ノズル６１から隔離される。
　具体的には、複数の第１ノズル４１は、カップ３０に対して、複数の第２ノズル６１が配置される側とは異なる側にまとめて配置される。すなわち、チャンバ７０を平面視した場合に、複数の第２ノズル６１は、チャンバ７０のＸ軸正方向側の側壁７１ｂとカップ３０との間に配置されるのに対し、複数の第１ノズル４１は、チャンバ７０のＸ軸負方向側の側壁７１ａとカップ３０との間に配置される。
　このように、実施形態に係る処理ユニット１６では、各ノズル循環システム４０を構成する複数の第１ノズル４１をチャンバ７０内において集中配置することとした。言い換えれば、複数の第１ノズル４１に対応する複数のノズルバス４２をチャンバ７０内の一カ所に集中配置することとした。したがって、処理液の成分がノズルバス４２から漏洩したとしても、漏洩箇所が一カ所にまとめられているため、チャンバ７０内の雰囲気制御が容易である。
　なお、第１ノズル４１から吐出される処理液の温度が第１ノズル４１ごとに異なる場合、集中配置された複数の第１ノズル４１からそれぞれ異なる温度の処理液をダミーディスペンスすることとなる。本願発明者は、このような場合であっても、第１ノズル４１間の温度干渉は生じないことを確認している。
　この点について図６および図７を参照して具体的に説明する。図６および図７は、隣接する２つの第１ノズル４１間における温度干渉の調査結果を示すグラフである。
　本願発明者は、７０℃に設定されたＩＰＡを吐出する第１ノズル４１（以下、「ノズルＡ」と記載する）と、２５℃に設定されたＤＨＦを吐出する第１ノズル４１（以下、「ノズルＢ」と記載する）とを近接配置させた。そして、本願発明者は、一方のノズルＢからのＤＨＦの吐出を停止させた状態でノズルＡからＩＰＡを１２０秒間吐出させた（ケース１）。また、本願発明者は、ノズルＢからＤＨＦを１２０秒間吐出させ、これと同時に、ノズルＡからもＩＰＡを１２０秒間吐出させた（ケース２）。
　そして、本願発明者は、ノズルＢの内部に設置された熱電対を用いて、各ケース１，２におけるノズルＢの温度を測定した。ケース１の測定結果を図６に、ケース２の測定結果を図７にそれぞれ示している。図６および図７には、ＩＰＡの吐出を開始してからの経過時間を横軸に取り、ノズルＢの温度（ノズルＢ内のＤＨＦの温度）を縦軸に取ったグラフを示している。
　図６および図７に示すように、ＩＰＡの吐出終了時点におけるノズルＢの設定温度（２５℃）からのずれは、図６に示すケース１の方が大きく、図７に示すケース２においては、温度変化はほぼ見られなかった。
　これらの結果から、ノズル循環処理において第１ノズル４１からノズルバス４２に処理液をダミーディスペンスし続けることにより、複数の第１ノズル４１を集中配置させた場合であっても、第１ノズル４１間の温度干渉が生じないことがわかる。
＜ノズルバスの排気構成＞
　次に、ノズルバス４２の排気構成について図８を参照して説明する。図８は、実施形態に係るノズルバス４２の排気構成を示す図である。
　図８に示すように、処理ユニット１６は、複数のノズルバス４２に共通の排気ダクト２００を備える。上述したように、実施形態に係る処理ユニット１６では、複数の第１ノズル４１が一カ所にまとめて配置されるのに伴い、複数のノズルバス４２も一カ所にまとめて配置される。したがって、複数のノズルバス４２に共通の排気ダクト２００を設けることが容易である。
　排気ダクト２００は、複数の排気取込口２０１と、複数の排気取込口２０１に連通する洗浄室２０２と、洗浄室２０２よりも下流側に設けられた気液分離部２０３と、洗浄室２０２と気液分離部２０３とを接続する接続流路２０４とを備える。
　複数の排気取込口２０１は、バスユニット４２０の周囲におけるチャンバ７０の床面７３に設けられる。たとえば、複数の排気取込口２０１の一部は、チャンバ７０の側壁７１ａ（図２参照）とバスユニット４２０との間に設けられる。また、複数の排気取込口２０１の他の一部は、カップ３０とバスユニット４２０との間に設けられる。
　実施形態に係る処理ユニット１６によれば、複数のノズルバス４２から漏れ出た処理液の成分を、バスユニット４２０の周囲に形成された複数の排気取込口２０１からまとめて排出することができる。このため、たとえば複数のノズルバス４２が分散して配置される場合と比べて、排気経路の構成を簡略化させることができる。
　洗浄室２０２は、たとえば、バスユニット４２０の下部（床下）に配置される。洗浄室２０２では、複数の排気取込口２０１から取り込まれた排気から処理液の成分を除去する処理が行われる。
　ここで、洗浄室２０２の構成について図９を参照して説明する。図９は、実施形態に係る排気ダクト２００が備える洗浄室２０２の構成を示す図である。
　図９に示すように、洗浄室２０２の内部には、洗浄室２０２の内部に洗浄液を供給する洗浄液供給部２１０が配置される。
　洗浄液供給部２１０は、第１吐出部２１１と、第２吐出部２１２とを備える。第１吐出部２１１は、たとえば洗浄室２０２の天井に設けられ、洗浄室２０２内の空間に対して洗浄液をシャワー状に吐出する。また、第２吐出部２１２は、たとえば洗浄室２０２内の壁面に対して洗浄液をシャワー状に吐出する。なお、第２吐出部２１２は、洗浄室２０２内に複数設けられてもよい。この場合、複数の第２吐出部２１２は、洗浄室２０２内の異なる壁面に対して洗浄液を吐出する。
　第１吐出部２１１は、洗浄液供給源２１１ａと、バルブ２１１ｂと、流量調整器２１１ｃとを備える。また、第２吐出部２１２は、洗浄液供給源２１２ａと、バルブ２１２ｂと、流量調整器２１２ｃとを備える。すなわち、洗浄液供給部２１０は、第１吐出部２１１からの洗浄液の吐出と第２吐出部２１２からの洗浄液の吐出とを独立して行うことができる。なお、洗浄液は、たとえばＤＩＷである。
　洗浄液供給部２１０は、制御部１８によって制御される。制御部１８は、洗浄液供給部２１０を制御することにより、第１流量且つ第１処理時間にて第１吐出部２１１から洗浄液を吐出させる。
　たとえば、制御部１８は、第１吐出部２１１からの洗浄液の吐出を、処理ユニット１６の稼働中において常時行わせる。洗浄室２０２内の空間に第１吐出部２１１から洗浄液が供給されることにより、洗浄室２０２を流通する排気に含まれる処理液の成分（酸成分やアルカリ成分）が洗浄液に溶け込む。これにより、洗浄室２０２を流通する排気から処理液の成分を除去することができる。
　また、制御部１８は、洗浄液供給部２１０を制御することにより、第１流量よりも多い第２流量且つ第１処理時間よりも短い第２処理時間にて第２吐出部２１２から洗浄液を吐出させる。
　たとえば、制御部１８は、第２吐出部２１２から一定時間ごとに洗浄液を吐出させる。第２吐出部２１２は、洗浄室２０２内の壁面に対し、第１吐出部２１１よりも多い流量で、言い換えれば、第１吐出部２１１よりも高い圧力で洗浄液を吐出する。これにより、洗浄室２０２内に付着した結晶物等の異物を洗浄液により洗い流すことができる。
　複数の排気取込口２０１から洗浄室２０２に取り込まれた排気および洗浄液供給部２１０によって洗浄室２０２内に供給された洗浄液は、接続流路２０４を介して気液分離部２０３に供給される。気液分離部２０３は、たとえば上方に延びる排気管２０３ａと、排気管２０３ａよりも下方に位置する排液管２０３ｂとを有している。気液分離部２０３に到達した排気および洗浄液のうち、排気は排気管２０３ａを通って外部に排出され、洗浄液は排液管２０３ｂを通って外部に排出される。排気管２０３ａは、チャンバ７０の床面に設けられた複数の排気口７２に接続される排気管７２ａに合流する。
　このように、実施形態に係る処理ユニット１６は、チャンバ７０の床面７３に設けられた排気口７２とは別に、バスユニット４２０の周囲の雰囲気を集中的に排気するための排気ダクト２００を備える。したがって、実施形態に係る処理ユニット１６によれば、複数のノズルバス４２から処理液の成分が漏洩した場合であっても、かかる処理液の成分を含んだ排気をチャンバ７０から効率よく排出することができる。
＜ノズルバスの排気構成の変形例＞
　次に、上述した排気ダクト２００の変形例について図１０を参照して説明する。図１０は、実施形態に係る排気ダクトの変形例を示す図である。
　図１０に示すように、処理ユニット１６Ａは、酸系処理液を受けるノズルバス４２Ａ１を有する酸系バスユニット４２０Ａ１と、アルカリ系処理液を受けるノズルバス４２Ａ２を有するアルカリ系バスユニット４２０Ａ２とを備える。酸系バスユニット４２０Ａ１とアルカリ系バスユニット４２０Ａ２とは別体であり、ノズル保持部５３の旋回軌道上において所定の間隔をあけて隣り合わせに配置される。
　処理ユニット１６Ａは、酸系排気ダクト２００Ａ１と、アルカリ系排気ダクトＡ２とを備える。酸系排気ダクト２００Ａ１は、酸系バスユニット４２０Ａ１の周囲に複数の排気取込口２０１Ａ１を有する。また、アルカリ系排気ダクト２００Ａ２は、アルカリ系バスユニット４２０Ａ２の周囲に複数の排気取込口２０１Ａ２を有する。
　また、酸系排気ダクト２００Ａ１は、酸系バスユニット４２０Ａ１の下部（床下）に配置され、複数の排気取込口２０１Ａ１に連通する洗浄室２０２Ａ１を有する。洗浄室２０２Ａ１は、洗浄液供給部を内部に有するとともに、接続路２０４Ａ１を介して図示しない気液分離部に接続される。また、アルカリ系排気ダクト２００Ａ２は、アルカリ系バスユニット４２０Ａ２の下部（床下）に配置され、複数の排気取込口２０１Ａ２に連通する洗浄室２０２Ａ２を有する。洗浄室２０２Ａ２は、洗浄液供給部を内部に有するとともに、接続路２０４Ａ２を介して図示しない気液分離部に接続される。
　このように、複数のノズルバス４２Ａ１，４２Ａ２の排気経路は、酸系の排気経路（酸系排気ダクト２００Ａ１）とアルカリ系の排気経路（アルカリ系排気ダクト２００Ａ２）とに分かれていてもよい。このように構成することで、酸系処理液に含まれる酸成分とアルカリ系処理液に含まれるアルカリ成分とが混ざり合うことによる結晶物（塩）の生成を抑制することができる。
＜ノズル移動機構の変形例＞
　次に、上述したノズル移動機構５０の変形例について説明する。図１１は、実施形態に係るノズル移動機構の第１変形例を示す図である。また、図１２は、第１変形例における複数の第１ノズル４１および複数のノズルバス４２の他の配置例を示す図である。
　図１１に示すように、ノズル移動機構５０Ｂは、アーム５１Ｂと、旋回昇降機構５２と、ノズル保持部５３とを備える。
　アーム５１Ｂは、第１アーム５１Ｂａと、第２アーム５１Ｂｂと、関節部５１Ｂｃとを備える。第１アーム５１Ｂａおよび第２アーム５１Ｂｂは、いずれも水平方向に延在する。第１アーム５１Ｂａの基端部は旋回昇降機構５２に接続され、第２アーム５１Ｂｂの先端部にはノズル保持部５３が設けられる。関節部５１Ｂｃは、第１アーム５１Ｂａと第２アーム５１Ｂｂとの間に配置され、第１アーム５１Ｂａと第２アーム５１Ｂｂとを接続する。関節部５１Ｂｃは、モータ等の回転駆動部を有しており、第１アーム５１Ｂａに対して第２アーム５１Ｂｂを鉛直軸まわりに旋回させることができる。
　このように、ノズル移動機構５０Ｂは、関節部５１Ｂｃを有するアーム５１Ｂを備える構成であってもよい。かかる構成とすることで、複数の第１ノズル４１および複数のノズルバス４２の配置の自由度を高めることができる。
　たとえば、図１１には、複数の第１ノズル４１および複数のノズルバス４２が水平方向に直線的に並べられる例を示している。
　また、図１２に示すように、複数の第１ノズル４１の一部をノズル移動機構５０Ｂの旋回昇降機構５２の一側方（たとえば、Ｙ軸正方向側）に配置し、他の一部をノズル移動機構５０Ｂの旋回昇降機構５２の別の側方（たとえば、Ｙ軸負方向側）に配置してもよい。この場合、複数のノズルバス４２も旋回昇降機構５２の一側方と別の側方とに分けて配置されることとなる。したがって、たとえば、旋回昇降機構５２の一側方に酸系処理液を受けるノズルバス４２を配置し、別の側方にアルカリ系処理液を受けるノズルバス４２を配置することで、酸系処理液の成分とアルカリ系処理液の成分とが混ざり合うことを抑制することができる。また、これに限らず、たとえば、旋回昇降機構５２の一側方に高温処理液を受けるノズルバス４２を配置し、別の側方に低温処理液を受けるノズルバス４２を配置してもよい。
　図１３は、実施形態に係るノズル移動機構の第２変形例を示す図である。図１３に示すように、ノズル移動機構５０Ｃは、アーム５１Ｃと、アーム移動部５２Ｃと、ノズル保持部５３と、保持部移動部５４とを備える。
　アーム５１Ｃは、水平方向（たとえば、Ｙ軸方向）に延在する。アーム移動部５２Ｃは、アーム５１Ｃの延在方向と直交する水平方向（たとえば、Ｘ軸方向）に延在するレール５１Ｃ１と、アーム５１Ｃを水平に支持するとともに、レール５２Ｃ１に沿って移動可能な駆動部５２Ｃ２とを備える。保持部移動部５４は、下方においてノズル保持部５３を支持するとともに、アーム５１Ｃに沿って移動可能である。
　このように、ノズル移動機構５０Ｃは、互いに直交する２つの水平方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に沿ってノズル保持部５３を移動させる構成であってもよい。かかる構成とすることにより、複数の第１ノズル４１および複数のノズルバス４２の配置の自由度を高めることができる。
　たとえば、図１３には、複数の第１ノズル４１および複数のノズルバス４２がアーム５１Ｃの延在方向すなわちＹ軸方向に沿って直線的に並べられる例を示している。これに限らず、複数の第１ノズル４１および複数のノズルバス４２は、レール５２Ｃ１の延在方向すなわちＸ軸方向に沿って直線的に並べられてもよい。また、複数の第１ノズル４１および複数のノズルバス４２は、必ずしも直線的に並べられることを要しない。
　図１４～図１７は、実施形態に係るノズル移動機構の第３変形例を示す図である。図１４および図１５に示すように、ノズル移動機構５０Ｄは、軸部５６と、駆動部５７と、複数のアーム５８と、複数の切替部５９とを備える。
　軸部５６は、鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿って延在する。駆動部５７は、たとえば軸部５６の基端部に設けられ、軸部５６を鉛直軸Ａｘまわりに回転させる。また、駆動部５７は、軸部５６を昇降させることができる。
　複数のアーム５８は、基端部が軸部５６に軸支され、先端部において第１ノズル４１を支持する。複数のアーム５８は、異なる高さ位置において軸部５６に支持されており、複数の第１ノズル４１の各々を異なる高さ位置にて保持する。これにより、複数の第１ノズル４１は、鉛直方向において互いに重複しない高さ位置に配置される。
　切替部５９は、たとえば電磁クラッチ、メカニカルクラッチ等であり、複数のアーム５８のうち軸部５６とともに旋回するアーム５８を切り替える。
　たとえば、図１６に示すように、切替部５９は、アーマチュア５９ａと、ロータ５９ｂと、電磁石５９ｃとを備える。アーマチュア５９ａは、アーム５８の基端部５８ａに板バネ等の付勢部材５９ａ１を介して取り付けられる。付勢部材５９ａ１は、アーマチュア５９ａをアーム５８の基端部５８ａ側に付勢する。ロータ５９ｂは、アーマチュア５９ａと間隔をあけて対向配置され、軸部５６とともに回転する。電磁石５９ｃは、ロータ５９ｂに内蔵される。
　図１６の上図に示すように、電磁石５９ｃへの通電が行われていないとき、切替部５９とアーム５８の基端部５８ａとは離れた状態となっている。この場合、アーム５８には、軸部５６の動力は伝達されない。したがって、アーム５８は旋回しない。
　一方、図１７の下図に示すように、電磁石５９ｃへの通電が行われると、アーマチュア５９ａが電磁石５９ｃに引き寄せられてロータ５９ｂと密着する。これにより、軸部５６の動力がロータ５９ｂおよびアーマチュア５９ａを介してアーム５８に伝達され、アーム５８が旋回する。
　このように、ノズル移動機構５０Ｄによれば、複数の第１ノズル４１のうち液処理に使用する第１ノズル４１を選択的に移動させることができる。このため、たとえば図１７に示すように、複数の第１ノズル４１のうち中段の第１ノズル４１を液処理に使用する場合、ノズル移動機構５０Ｄは、中段の第１ノズル４１だけを旋回させてウエハＷ上方の処理位置へ移動させることができる。
　図１８は、第３変形例におけるノズルバスの構成例を示す図である。図１８に示すように、バスユニット４２０Ｄは、複数のノズルバス４２Ｄを有する。複数のノズルバス４２Ｄは、対応する第１ノズル４１の高さ位置に応じた高さ位置に開口部４２Ｄ１を有する。すなわち、複数のノズルバス４２Ｄは、それぞれ異なる高さ位置に開口部４２Ｄ１を有する。これにより、複数の第１ノズル４１が高さ違いに配置される場合であっても、複数の第１ノズル４１から吐出された処理液の成分がノズルバス４２Ｄから漏洩することを適切に抑制することができる。
　図１９は、実施形態に係るノズル移動機構の第４変形例を示す図である。図１９に示すように、ノズル移動機構５０Ｅは、軸部５６と、駆動部５７と、複数のアーム５８Ｅと、切替部５９Ｅとを備える。
　複数のアーム５８Ｅは、軸部５６と別体に設けられる。また、複数のアーム５８Ｅは、基端部５８Ｅａを軸部５６に向けた状態で、軸部５６の旋回中心である鉛直軸Ａｘを中心に放射状に配置される。なお、複数のアーム５８Ｅは、異なる高さ位置に配置されてもよいし、同じ高さ位置に配置されてもよい。
　切替部５９Ｅは、たとえば軸部５６の外周部に１つ設けられる。切替部５９Ｅは、たとえば電磁クラッチであり、アーム５８Ｅの基端部５８Ｅａを電磁力により引き寄せて軸部５６に接続する。これにより、軸部５６の動力がアーム５８Ｅに伝達され、アーム５８Ｅが軸部５６とともに旋回する。
　このように、ノズル移動機構５０Ｅは、軸部５６と別体に設けられた複数のアーム５８Ｅを切替部５９Ｅを用いて軸部５６と接続する構成であってもよい。なお、切替部５９Ｅは、電磁クラッチに限らず、メカニカルクラッチであってもよい。
　図２０～図２３は、実施形態に係るノズル移動機構の第４変形例を示す図である。図２０に示すように、ノズル移動機構５０Ｆは、第１～第３軸部５６Ｆ１～５６Ｆ３と、第１～第３駆動部５７Ｆ１～５７Ｆ３と、第１～第３アーム５８Ｆ１～５８Ｆ３とを備える。なお、ノズル移動機構５０Ｆが備える軸部、駆動部およびアームの数は３つに限定されない。
　第１軸部５６Ｆ１および第２軸部５６Ｆ２は、円筒状の部材である。このうち、第２軸部５６Ｆ２は、第１軸部５６Ｆ１の内部に配置される。また、第３軸部５６Ｆ３は、円柱状の部材であり、第２軸部５６Ｆ２の内部に配置される。第１～第３駆動部５７Ｆ１～５７Ｆ３は、第１軸部５６Ｆ１～第３軸部５６Ｆ３に１対１で設けられ、第１軸部５６Ｆ１～第３軸部５６Ｆ３を昇降させるとともに同一の鉛直軸Ａｘまわりに旋回させる。
　第１～第３アーム５８Ｆ１～５８Ｆ３は、基端部がそれぞれ第１～第３軸部５６Ｆ１～５６Ｆ３に支持され、先端部において第１ノズル４１を支持する。第１～第３アーム５８Ｆ１～５８Ｆ３は、鉛直軸Ａｘを中心に放射状に配置される。また、第１～第３アーム５８Ｆ１～５８Ｆ３は、たとえば同一の高さ位置に配置される。
　第１軸部５６Ｆ１は、第１駆動部５７Ｆ１によって第１軸部５６Ｆ１が昇降した際に、待機状態の第２アーム５８Ｆ２を通過させる通過部５６２Ｆ１および待機状態の第３アーム５８Ｆ３を通過させる通過部５６３Ｆ１を有する。通過部５６２Ｆ１，５６３Ｆ１の上端および下端は開放されている。このため、図２１に示すように、第１軸部５６Ｆ１は、第２アーム５８Ｆ２および第３アーム５８Ｆ３と干渉することなく上昇することができる。
　また、第１軸部５６Ｆ１を上昇させることで、第１軸部５６Ｆ１は、上下方向だけでなく周方向においても第２アーム５８Ｆ２および第３アーム５８Ｆ３と干渉しなくなる。これにより、第１軸部５６Ｆ１を第２アーム５８Ｆ２および第３アーム５８Ｆ３と干渉することなく旋回させることが可能となる。すなわち、第１アーム５８Ｆ１のみを選択的に旋回させることができる。
　第２軸部５６Ｆ２は、第２駆動部５７Ｆ２によって第２軸部５６Ｆ２が昇降した際に、待機状態の第３アーム５８Ｆ３を通過させる通過部５６３Ｆ２を有する。通過部５６３Ｆ２の上端および下端は開放されている。このため、図２２に示すように、第２軸部５６Ｆ２は、第３アーム５８Ｆ３と干渉することなく上昇することができる。また、上述したように、第１軸部５６Ｆ１には、通過部５６２Ｆ１が設けられているため、第２アーム５８Ｆ２は、第１軸部５６Ｆ１と干渉することなく上昇することができる。
　また、第２軸部５６Ｆ２を上昇させることで、第２軸部５６Ｆ２は、周方向において第１アーム５８Ｆ１および第３アーム５８Ｆ３と干渉しなくなる。このため、第２軸部５６Ｆ２を第１アーム５８Ｆ１および第３アーム５８Ｆ３と干渉することなく旋回させることが可能となる。すなわち、第２アーム５８Ｆ２のみを選択的に旋回させることができる。
　また、上述したように、第１軸部５６Ｆ１および第２軸部５６Ｆ２にはそれぞれ通過部５６３Ｆ１，５６３Ｆ２が設けられている。このため、図２３に示すように、第３アーム５８Ｆ３は、第１軸部５６Ｆ１および第２軸部５６Ｆ２と干渉することなく上昇することができる。
　そして、第３軸部５６Ｆ３を上昇させることで、第３軸部５６Ｆ３は、周方向において第１アーム５８Ｆ１および第２アーム５８Ｆ２と干渉しなくなる。このため、第３軸部５６Ｆ３を第１アーム５８Ｆ１および第２アーム５８Ｆ２と干渉することなく旋回させることが可能となる。すなわち、第３アーム５８Ｆ３のみを選択的に旋回させることができる。
　このように、かかるノズル移動機構５０Ｆによれば、第１～第３アーム５８Ｆ１～５８Ｆ３のうち１つだけを昇降および旋回させることができる。
　上述してきたように、実施形態に係る基板液処理装置（一例として、処理ユニット１６）は、カップ（一例として、カップ３０）と、複数のノズル循環システム（一例として、ノズル循環システム４０）と、第２ノズル（一例として、第２ノズル６１）と、収容部（一例として、チャンバ７０）と備える。カップは、基板（一例として、ウエハＷ）の周縁を取り囲む。複数のノズル循環システムは、第１ノズル（一例として、第１ノズル４１）と、カップの外方に配置され、第１ノズルから吐出された処理液を受ける受液槽（一例として、ノズルバス４２）と、受液槽で受けた処理液を第１ノズルに戻す循環部（一例として、循環部４３）とをそれぞれ含む。第２ノズルは、ノズル循環システムを構成しないノズルである。収容部は、カップ、複数のノズル循環システムが有する複数の第１ノズルならびに複数の受液槽および第２ノズルを収容する。また、第２ノズルは、収容部が有する第１側壁（一例として、側壁７１ｂ）とカップとの間に配置され、複数の第１ノズルは、収容部が有する第１側壁とは異なる第２側壁（一例として、７１ａ）とカップとの間に配置される。
　したがって、実施形態に係る基板液処理装置によれば、処理液の成分が受液槽から漏洩したとしても、漏洩箇所が一カ所にまとめられているため、収容部内の雰囲気制御が容易である。
　実施形態に係る基板液処理装置は、複数の受液槽に共通の排気ダクト（一例として、排気ダクト２００）を備えていてもよい。複数の第１ノズルが一カ所にまとめて配置されるのに伴い、複数の受液槽も一カ所にまとめて配置される。したがって、複数の受液槽に共通の排気ダクトを設けることが容易である。
　実施形態に係る基板液処理装置は、複数の受液槽を有する槽ユニット（一例として、バスユニット４２０）を備えていてもよい。この場合、排気ダクトは、槽ユニットの周囲における収容部の床面（一例として、床面７３）に、複数の排気取込口（一例として、排気取込口２０１）を有していてもよい。これにより、複数の受液槽から処理液の成分が漏洩した場合であっても、かかる処理液の成分を含んだ排気を収容部から効率よく排出することができる。
　実施形態に係る基板液処理装置は、排気ダクトの内部に洗浄液を供給する洗浄液供給部（一例として、洗浄液供給部２１０）を備えていてもよい。これにより、排気ダクトの内部を洗浄することができる。
　実施形態に係る基板液処理装置は、洗浄液供給部を制御する制御部を備えていてもよい。また、洗浄液供給部は、洗浄液を吐出する第１吐出部および第２吐出部を備えていてもよい。この場合、制御部は、洗浄液供給部を制御して、第１流量且つ第１処理時間にて第１吐出部から洗浄液を吐出させ、第１流量よりも多い第２流量且つ第１処理時間よりも短い第２処理時間にて第２吐出部から洗浄液を吐出させてもよい。
　これにより、取り込んだ排気から処理液の成分を除去することができる。また、排気ダクト内に付着した結晶物等の異物を洗浄液により洗い流すことができる。
　実施形態に係る基板液処理装置は、酸系槽ユニット（一例として、酸系バスユニット４２０Ａ１）と、アルカリ系槽ユニット（一例として、アルカリ系バスユニット４２０Ａ２）と、酸系排気ダクト（一例として、酸系排気ダクト２００Ａ１）と、アルカリ系排気ダクト（一例として、アルカリ系排気ダクト２００Ａ２）とを備えていてもよい。酸系槽ユニットは、複数の受液槽のうち酸系の処理液を受ける受液槽を有する。アルカリ系槽ユニットは、複数の受液槽のうちアルカリ系の処理液を受ける受液槽を有する。酸系排気ダクトは、酸系槽ユニットの周囲に排気取込口を有する。アルカリ系排気ダクトは、アルカリ系槽ユニットの周囲に排気取込口を有する。酸系処理液に含まれる酸成分とアルカリ系処理液に含まれるアルカリ成分とが混ざり合うことによる結晶物の生成を抑制することができる。
　実施形態に係る基板液処理装置は、複数の第１ノズルのうち液処理に使用される第１ノズルを選択的に移動させるノズル移動機構（一例として、ノズル移動機構５０，５０Ｂ～５０Ｆ）を備えていてもよい。これにより、第１ノズルを用いた液処中に、残りの第１ノズルについてのノズル循環処理を継続することができる。
　ノズル移動機構は、軸部（一例として、軸部５６）と、駆動部（一例として、軸部５７）と、複数のアーム（一例として、軸部５８）と、切替部（一例として、切替部５９）とを備える。軸部は、鉛直方向に沿って延在する。駆動部は、軸部を鉛直軸まわりに回転させる。複数のアームは、軸部を中心に旋回可能であり、複数の第１ノズルの各々を異なる高さ位置にて保持する。切替部は、複数のアームのうち軸部とともに旋回するアームを切り替える。これにより、複数の第１ノズルのうち液処理に使用する第１ノズルを選択的に移動させることができる。
　複数の受液槽（一例として、ノズルバス４２Ｄ）の各々は、対応する第１ノズルの高さ位置に応じた高さ位置に開口部（一例として、開口部４２Ｄ１）を有していてもよい。これにより、複数の第１ノズルから吐出された処理液の成分が受液槽から漏洩することを抑制することができる。
　複数の第１ノズルは、それぞれ異なる温度の処理液を吐出してもよい。複数の第１ノズルを集中配置した場合であっても、待機中の第１ノズルから受液槽に処理液を吐出し続けることで、第１ノズル間の温度干渉を抑制することができる。
　以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
　今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
１　　　　　：基板処理システム
３　　　　　：処理ステーション
４　　　　　：制御装置
１８　　　　：制御部
１９　　　　：記憶部
２０　　　　：基板保持機構
２１　　　　：保持部
３０　　　　：カップ
４０　　　　：ノズル循環システム
４１　　　　：第１ノズル
４２　　　　：ノズルバス
４３　　　　：循環部
５０　　　　：ノズル移動機構
６０　　　　：第２処理液供給部
６１　　　　：第２ノズル
Ｗ　　　　　：ウエハ

Claims (10)

  1. 　基板の周縁を取り囲むカップと、
    　第１ノズルと、前記カップの外方に配置され、前記第１ノズルから吐出された処理液を受ける受液槽と、前記受液槽で受けた前記処理液を前記第１ノズルに戻す循環部とを含む複数のノズル循環システムと、
    　前記ノズル循環システムを構成しない第２ノズルと、
    　前記カップ、前記複数のノズル循環システムが有する複数の前記第１ノズルならびに複数の前記受液槽および前記第２ノズルを収容する収容部と
    　を備え、
    　前記第２ノズルは、前記収容部が有する第１側壁と前記カップとの間に配置され、
    　複数の前記第１ノズルは、前記収容部が有する前記第１側壁とは異なる第２側壁と前記カップとの間に配置される、基板液処理装置。
  2. 　複数の前記受液槽に共通の排気ダクト
    　を備える、請求項１に記載の基板液処理装置。
  3. 　複数の前記受液槽を有する槽ユニット
    　を備え、
    　前記排気ダクトは、
    　前記槽ユニットの周囲における前記収容部の床面に、複数の排気取込口を有する、請求項２に記載の基板液処理装置。
  4. 　前記排気ダクトの内部に洗浄液を供給する洗浄液供給部
    　を備える、請求項２または３に記載の基板液処理装置。
  5. 　前記洗浄液供給部を制御する制御部
    　を備え、
    　前記洗浄液供給部は、
    　前記洗浄液を吐出する第１吐出部および第２吐出部
    　を備え、
    　前記制御部は、
    　前記洗浄液供給部を制御して、第１流量且つ第１処理時間にて前記第１吐出部から前記洗浄液を吐出させ、前記第１流量よりも多い第２流量且つ前記第１処理時間よりも短い第２処理時間にて前記第２吐出部から前記洗浄液を吐出させる、請求項４に記載の基板液処理装置。
  6. 　複数の前記受液槽のうち酸系の処理液を受ける受液槽を有する酸系槽ユニットと、
    　複数の前記受液槽のうちアルカリ系の処理液を受ける受液槽を有するアルカリ系槽ユニットと、
    　前記酸系槽ユニットの周囲に排気取込口を有する酸系排気ダクトと、
    　前記アルカリ系槽ユニットの周囲に排気取込口を有するアルカリ系排気ダクトと
    　を備える、請求項１に記載の基板液処理装置。
  7. 　複数の前記第１ノズルのうち液処理に使用される第１ノズルを選択的に移動させるノズル移動機構
    　を備える、請求項１～６のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  8. 　前記ノズル移動機構は、
    　鉛直方向に沿って延在する軸部と、
    　前記軸部を鉛直軸まわりに回転させる駆動部と、
    　前記軸部を中心に旋回可能であり、複数の前記第１ノズルの各々を異なる高さ位置にて保持する複数のアームと、
    　前記複数のアームのうち前記軸部とともに旋回するアームを切り替える切替部と
    　を備える、請求項７に記載の基板液処理装置。
  9. 　複数の前記受液槽の各々は、
    　対応する前記第１ノズルの高さ位置に応じた高さ位置に開口部を有する、請求項８に記載の基板液処理装置。
  10. 　複数の前記第１ノズルは、
    　それぞれ異なる温度の処理液を吐出する、請求項１～９のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
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