JP7292417B2 - 基板液処理装置 - Google Patents

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    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Description

開示の実施形態は、基板液処理装置に関する。
従来、半導体ウエハなどの基板を液処理する基板液処理装置において、液処理に使われないノズルを基板の外方に設置された受液槽の上方にて待機させ、かかるノズルから受液槽に処理液を吐出する技術が知られている(特許文献1参照)。
特開平10-74725号公報
本開示は、処理液の成分が受液槽から漏洩したとしても、収容部内の雰囲気を容易に制御することができる技術を提供する。
本開示の一態様による基板液処理装置は、カップと、複数のノズル循環システムと、第2ノズルと、収容部とを備える。カップは、基板の周縁を取り囲む。複数のノズル循環システムの各々は、第1ノズルと、カップの外方に配置され、第1ノズルから吐出された処理液を受ける受液槽と、受液槽で受けた処理液を第1ノズルに戻す循環部とを含む。第2ノズルは、ノズル循環システムを構成しないノズルである。収容部は、カップ、複数のノズル循環システムが有する複数の第1ノズルならびに複数の受液槽および第2ノズルを収容する。また、第2ノズルは、収容部が有する第1側壁とカップとの間に配置され、複数の第1ノズルは、収容部が有する第1側壁とは異なる第2側壁とカップとの間に配置される。
本開示によれば、処理液の成分が受液槽から漏洩したとしても、収容部内の雰囲気を容易に制御することができる。
図1は、実施形態に係る基板処理システムの構成を示す図である。 図2は、実施形態に係る処理ユニットの構成を示す図である。 図3は、実施形態に係るノズル循環システムの構成を示す図である。 図4は、実施形態に係るノズル循環システムにおける処理液の流れを説明するための図である。 図5は、実施形態に係るノズル循環システムにおける処理液の流れを説明するための図である。 図6は、隣接する2つの第1ノズル間における温度干渉の調査結果を示すグラフである。 図7は、隣接する2つの第1ノズル間における温度干渉の調査結果を示すグラフである。 図8は、実施形態に係るノズルバスの排気構成を示す図である。 図9は、実施形態に係る排気ダクトが備える洗浄室の構成を示す図である。 図10は、実施形態に係る排気ダクトの変形例を示す図である。 図11は、実施形態に係るノズル移動機構の第1変形例を示す図である。 図12は、第1変形例における複数の第1ノズルおよび複数のノズルバスの他の配置例を示す図である。 図13は、実施形態に係るノズル移動機構の第2変形例を示す図である。 図14は、実施形態に係るノズル移動機構の第3変形例を示す図である。 図15は、実施形態に係るノズル移動機構の第3変形例を示す図である。 図16は、実施形態に係るノズル移動機構の第3変形例を示す図である。 図17は、実施形態に係るノズル移動機構の第3変形例を示す図である。 図18は、第3変形例におけるノズルバスの構成例を示す図である。 図19は、実施形態に係るノズル移動機構の第4変形例を示す図である。 図20は、実施形態に係るノズル移動機構の第4変形例を示す図である。 図21は、実施形態に係るノズル移動機構の第4変形例を示す図である。 図22は、実施形態に係るノズル移動機構の第4変形例を示す図である。 図23は、実施形態に係るノズル移動機構の第4変形例を示す図である。
以下に、本開示による基板液処理装置を実施するための形態(以下、「実施形態」と記載する)について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、この実施形態により本開示による基板液処理装置が限定されるものではない。また、各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。また、以下の各実施形態において同一の部位には同一の符号を付し、重複する説明は省略される。
また、以下参照する各図面では、説明を分かりやすくするために、互いに直交するX軸方向、Y軸方向およびZ軸方向を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする直交座標系を示す場合がある。また、鉛直軸を回転中心とする回転方向をθ方向と呼ぶ場合がある。
また、以下に示す実施形態では、「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」といった表現が用いられる場合があるが、これらの表現は、厳密に「一定」、「直交」、「垂直」あるいは「平行」であることを要しない。すなわち、上記した各表現は、製造精度、設置精度などのずれを許容するものとする。
基板液処理装置において、液処理に使われない待機状態のノズルを基板の外方に設置されたノズルバスの上方に配置させ、かかるノズルからノズルバスに処理液を吐出する処理が知られている。この処理は、たとえば液処理を行う前にまたは定期的に、ノズル内に残存する古い処理液をノズルバスに捨てることで、液処理の安定性の向上させるために行われる。
一方、実施形態に係る基板液処理装置では、ノズルからノズルバスに処理液を常時吐出し続けるとともに、ノズルバスに吐出された処理液を循環させてノズルに戻すノズル循環処理が行われる。ノズル循環処理は、たとえば、温度調整された処理液をノズル内部に常に流通させることにより、ノズル内部(特に先端部分)の温度を安定化させるために行われる。
かかるノズル循環処理によれば、たとえば、複数のウエハを連続処理する場合に1枚目のウエハのエッチング量が他のウエハよりも低くなることを抑制することができる。すなわち、ノズル循環処理によれば、複数のウエハ間における液処理の均一性を向上させることができる。
しかしながら、たとえばノズルバスが開放系の開口部を有している場合、処理液に含有される成分がノズルバスからチャンバ内に漏れ出てチャンバ内の雰囲気に影響を与えるおそれがある。ノズルバスから漏れ出た処理液の成分は、たとえば、チャンバ内のウエハを汚染させたり、チャンバ内の機器を劣化させたりするおそれがある。
特に、ノズル循環処理は、ノズルからノズルバスに処理液を常時吐出し続けるため、処理液の成分がノズルバスから漏洩した場合の影響が大きい。そこで、ノズル循環処理を行う基板液処理装置においては、処理液の成分がノズルバスから漏洩したとしても、チャンバ内の雰囲気を容易に制御することできる技術が期待されている。
<基板処理システムの概要>
実施形態に係る基板処理システム1の構成について図1を参照して説明する。図1は、実施形態に係る基板処理システム1の構成を示す図である。
図1に示すように、基板処理システム1は、搬入出ステーション2と、処理ステーション3とを備える。搬入出ステーション2と処理ステーション3とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション2は、キャリア載置部11と、搬送部12とを備える。キャリア載置部11には、複数枚の基板、実施形態では半導体ウエハW(以下、ウエハWと呼称する。)を水平状態で収容する複数のキャリアCが載置される。
搬送部12は、キャリア載置部11に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置13と、受渡部14とを備える。基板搬送装置13は、ウエハWを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置13は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いてキャリアCと受渡部14との間でウエハWの搬送を行う。
処理ステーション3は、搬送部12に隣接して設けられる。処理ステーション3は、搬送部15と、複数の処理ユニット16とを備える。複数の処理ユニット16は、搬送部15の両側に並べて設けられる。
搬送部15は、内部に基板搬送装置17を備える。基板搬送装置17は、ウエハWを保持するウエハ保持機構を備える。また、基板搬送装置17は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウエハ保持機構を用いて受渡部14と処理ユニット16との間でウエハWの搬送を行う。
処理ユニット16は、基板搬送装置17によって搬送されるウエハWに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム1は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部18と記憶部19とを備える。記憶部19には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部18は、記憶部19に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部19にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム1では、まず、搬入出ステーション2の基板搬送装置13が、キャリア載置部11に載置されたキャリアCからウエハWを取り出し、取り出したウエハWを受渡部14に載置する。受渡部14に載置されたウエハWは、処理ステーション3の基板搬送装置17によって受渡部14から取り出されて、処理ユニット16へ搬入される。
処理ユニット16へ搬入されたウエハWは、処理ユニット16によって処理された後、基板搬送装置17によって処理ユニット16から搬出されて、受渡部14に載置される。そして、受渡部14に載置された処理済のウエハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
<処理ユニットの構成>
次に、処理ユニット16の構成について、図2を参照しながら説明する。図2は、実施形態に係る処理ユニット16の構成を示す図である。処理ユニット16は、基板液処理装置の一例である。
図2に示すように、処理ユニット16は、基板保持機構20と、カップ30と、複数のノズル循環システム40と、ノズル移動機構50と、第2処理液供給部60と、気体供給部80と、チャンバ70とを備える。
基板保持機構20は、ウエハWを水平に保持する保持部21を備える。保持部21は、たとえば、ウエハWの裏面を吸着保持するバキュームチャックである。また、保持部21は、ウエハWの周縁部を把持するメカニカルチャックであってもよい。保持部21は、図示しない支柱部に接続される。支柱部は、鉛直方向に延在する部材であり、先端部において保持部21を水平に支持する。また、支柱部は、基端部において図示しない駆動部に接続される。駆動部は、支柱部を鉛直軸まわりに回転させる。
かかる基板保持機構20は、駆動部を用いて支柱部を回転させることによって支柱部に支持された保持部21を回転させ、これにより、保持部21に保持されたウエハWを回転させる。
カップ30は、保持部21に保持されたウエハWの周縁を取り囲むように配置され、保持部21の回転によってウエハWから飛散する処理液を捕集する。カップ30の底部には、カップ30によって捕集された処理液を排出する排出口が設けられる。また、カップ30の底部には、後述するFFU(Fan Filter Unit)から供給される気体を処理ユニット16の外部へ排出する排気口が形成される。
ノズル循環システム40は、第1ノズル41と、カップ30の外方に配置され、第1ノズル41から吐出された処理液を受けるノズルバス42と、ノズルバス42で受けた処理液を第1ノズル41に戻す循環部43とを含む。
各ノズル循環システム40は、それぞれ異なる処理液を循環させる。一例として、図2に示す3つのノズル循環システム40のうちの2つは、酸系処理液を循環させ、残りの1つはアルカリ系処理液を循環させる。酸系処理液としては、たとえば、BHF(フッ酸とフッ化アンモニウム溶液との混合液)、DHF(希フッ酸)、HSO(硫酸)等が用いられる。また、アルカリ性処理液としては、たとえば、SC1(アンモニア、過酸化水素および水の混合液)、希釈アンモニア水等が用いられる。
第1ノズル41は、処理液の吐出口411を下部に有し、吐出口411から鉛直下向きに処理液を吐出する。ノズルバス42は、カップ30の外方に設定された第1ノズル41の待機領域に配置される。具体的には、ノズルバス42は、待機領域に配置された第1ノズル41の吐出口411の直下に配置され、第1ノズル41から吐出された処理液を受ける。
本実施形態において、複数のノズルバス42は、バスユニット420として一体的に構成されるものとするが、これに限らず、別体であってもよい。
循環部43は、タンクおよびポンプ等を含んで構成される、ノズルバス42から排出された処理液を循環させて再び第1ノズル41へ戻す。
ここで、ノズル循環システム40の構成例について図3を参照して説明する。図3は、実施形態に係るノズル循環システム40の構成を示す図である。
図3に示すように、実施形態に係るノズル循環システム40は、第1ノズル41と、ノズルバス42と、循環部43と、供給路44と、排出路45とを備える。また、循環部43は、処理液供給部101と、タンク102と、循環路103とを備える。なお、ノズル循環システム40の動作は、制御部18(図1参照)によって制御される。
処理液供給部101は、処理液供給源101aと、バルブ101bと、流量調整器101cとを備える。処理液供給源101aは、バルブ101bおよび流量調整器101cを介してタンク102に接続される。これにより、処理液供給部101は、処理液供給源101aからタンク102に処理液を供給する。
タンク102は、処理液を貯留する。タンク102は、ドレン部DRに接続されており、タンク102に貯留する処理液をドレン部DRに排出することができる。
循環路103は、タンク102から出て、かかるタンク102に戻る循環路である。循環路103には、タンク102を基準(最上流)として、上流側から順にポンプ103aと、フィルタ103bと、温度調整部103cと、温度検知部103dとが設けられる。
ポンプ103aは、タンク102から出て、循環路103を通り、タンク102に戻る処理液の循環流を形成する。フィルタ103bは、循環路103内を循環する処理液に含まれるパーティクルなどの汚染物質を除去する。温度調整部103cは、たとえば、ヒータ等の加熱部またはクーリングコイル等の冷却部であり、循環路103内を循環する処理液の温度を調整する。温度検知部103dは、たとえば熱電対であり、循環路103内を循環する処理液の温度を検知する。制御部18は、温度調整部103cおよび温度検知部103dを用いることにより、循環路103内を循環する処理液の温度を制御することができる。
タンク102を基準(最上流)として、温度検知部103dよりも下流側の循環路103には接続領域104が設定される。接続領域104には、1つまたは複数の供給路44が接続されている。各供給路44は、処理ユニット16の第1ノズル41に接続されており、循環路103を流れる処理液を第1ノズル41に供給する。各供給路44には、バルブ44aの他、流量調整器およびレギュレータ等が設けられる。
このように、ノズル循環システム40において、タンク102に貯留された処理液は、循環路103および供給路44を通って第1ノズル41に供給され、第1ノズル41からノズルバス42に吐出される。
各処理ユニット16のノズルバス42は、排出路45に接続される。具体的には、排出路45は、各ノズルバス42に接続される個別排出路45aと、複数の個別排出路45aが合流する合流排出路45bとを有する。合流排出路45bは、タンク102に接続されており、ノズルバス42から個別排出路45aを介して排出された処理液をタンク102に戻す。各個別排出路45aには、バルブ45cが設けられている。また、合流排出路45bは、ドレン部DRに接続され、かかる合流排出路45bを通過する処理液をドレン部DRに排出することができる。
つづいて、ノズル循環システム40における処理液の流れについて、図4および図5を参照して説明する。図4および図5は、実施形態に係るノズル循環システム40における処理液の流れを説明するための図である。
図4に示すように、まず、処理ユニット16は、第1ノズル41をノズルバス42の上方に位置させる。つづいて、処理ユニット16は、個別排出路45aに設けられたバルブ45cを開ける。
そして、処理ユニット16は、供給路44に設けられたバルブ44aを開ける。これにより、図4の太字破線で示すように、第1ノズル41、ノズルバス42、排出路45、循環部43(タンク102および循環路103)および供給路44を順次通過する経路にて処理液を循環させることができる。
一方、第1ノズル41を液処理に使用する場合、図5に示すように、処理ユニット16は、ウエハWの上方に第1ノズル41を移動させる。その際、処理ユニット16は、排出路45のバルブ45cを閉じる。これにより、排出路45内の雰囲気とウエハW周囲の雰囲気とが混ざることを抑制することができる。
すなわち、実施形態では、第1ノズル41をノズルバス42から離脱させた場合に、バルブ45cを閉じることにより、図4において太字破線で示した経路内の雰囲気とウエハW周囲の雰囲気とが混ざることを抑制することができる。
つづいて、処理ユニット16は、バルブ44aを開く。これにより、図5の太字破線で示すように、供給路44および第1ノズル41を介してウエハWに処理液が吐出される。
このように、ノズル循環システム40は、第1ノズル41の待機中において、所望の温度に調整された処理液を第1ノズル41からダミーディスペンスし続けることで、第1ノズル41の温度を安定化させることができる。すなわち、第1ノズル41の温度が処理液の温度からずれることを抑制することができる。これにより、第1ノズル41を使用した液処理を行う場合に、吐出開始時から所望の温度の処理液をウエハWに吐出することができる。したがって、温度変化によるバラツキの少ない安定した液処理を実現することができる。
また、ノズル循環システム40によれば、第1ノズル41がノズルバス42でダミーディスペンス処理する場合に、ダミーディスペンスされた処理液をすべてタンク102に回収することができる。したがって、処理液の消費量を低減することができる。
図2に戻り、ノズル移動機構50について説明する。ノズル移動機構50は、チャンバ70内に配置された複数の第1ノズル41と別体に設けられ、複数の第1ノズル41のうち液処理に使用される第1ノズル41を保持してウエハWの上方に移動させる。
具体的には、ノズル移動機構50は、アーム51と、アーム51の基端部に設けられ、アーム51を旋回および昇降させる旋回昇降機構52と、アーム51の先端部に設けられ、第1ノズル41を保持するノズル保持部53とを備える。
かかるノズル移動機構50は、まず、旋回昇降機構52を用いてアーム51を旋回させることにより、保持する第1ノズル41の上方にノズル保持部53を配置させる。複数の第1ノズル41は、ノズル保持部53の旋回軌道上に配置されており、ノズル移動機構50は、アーム51を旋回させることにより、任意の第1ノズル41の上方にノズル保持部53を配置させることができる。
つづいて、ノズル移動機構50は、旋回昇降機構52を用いてアーム51を降下させ、ノズル保持部53を用いて第1ノズル41を保持する。なお、ノズル保持部53の構成としては、いかなる従来技術を用いて構わない。一例として、ノズル保持部53は、特開2012-54406号公報に記載されたノズル保持部のように、第1ノズル41と係合することによって第1ノズル41を保持するものであってもよい。なお、ノズル保持部53によって保持される第1ノズル41の数は複数であってもよい。
その後、ノズル移動機構50は、旋回昇降機構52を用いてアーム51を上昇および旋回させて、ノズル保持部53に保持された第1ノズル41をウエハW上方の処理位置に配置させる。
このように、処理ユニット16は、複数の第1ノズル41のうち液処理に使用される第1ノズル41だけをノズル移動機構50を用いてウエハW上方の処理位置に移動させることができる。したがって、処理ユニット16によれば、第1ノズル41を用いた液処理中に、残りの第1ノズル41についてのノズル循環処理を継続することができる。
第2処理液供給部60は、複数(ここでは、2つ)の第2ノズル61と、複数の第2ノズル61を一体的に旋回および昇降させる旋回昇降機構62とを備える。第2ノズル61は、水平方向(図2ではY軸方向)に延在する延在部61aと、延在部61aの先端に位置し、鉛直下向きに開口する吐出口61bとを有する。
各第2ノズル61は、それぞれ異なる処理液供給源に接続される。たとえば、図2に示す2つのノズルのうちの一方は、DIW(脱イオン水)を供給するDIW供給源に接続され、他方は、IPA(イソプロピルアルコール)を供給するIPA供給源に接続される。
旋回昇降機構62は、複数の第2ノズル61における延在部61aの基端部を支持し、ウエハW上方の処理位置と、ウエハW外方の待機位置との間で複数の第2ノズル61を一体的に移動させる。
気体供給部80は、液処理後のウエハWに対して気体を供給することによりウエハWを乾燥させる。気体供給部80は、第3ノズル81と、第3ノズル81を旋回および昇降させる旋回昇降機構82とを備える。第3ノズル81は、水平方向(図2ではX軸方向)に延在する延在部81aと、延在部81aの先端に位置する吐出口81bとを有する。第3ノズル81は、たとえばNガスやドライエア等の気体を供給する気体供給源に接続される。
旋回昇降機構82は、第3ノズル81における延在部81aの基端部を支持し、ウエハW上方の処理位置と、ウエハW外方の待機位置との間で第3ノズル81を移動させる。
気体供給部80は、複数の第3ノズル81を備えていてもよい。たとえば、気体供給部80は、ウエハWに対して垂直に気体を吐出する第3ノズル81と、ウエハWに対して斜めに気体を吐出する第3ノズル81とを備えていてもよい。
チャンバ70は、たとえば平面視矩形状の筐体であり、複数(ここでは4つ)の側壁71a~71dを有する。チャンバ70の内部には、基板保持機構20、カップ30、複数のノズル循環システム40が有する複数の第1ノズル41ならびに複数のノズルバス42、ノズル移動機構50、第2処理液供給部60および気体供給部80が収容される。
チャンバ70の底面には、複数の排気口72が設けられている。複数の排気口72は、たとえば、チャンバ70の各側壁71a~71dの近傍に配置される。複数の排気口72は、排気管72aに接続されており、チャンバ70内の雰囲気は、複数の排気口72か排気管72aを介してチャンバ70の外部に排出される。
また、チャンバ70の天井部には、図示しないFFUが設けられる。FFUは、チャンバ70内にダウンフローを形成する。かかるFFUによりチャンバ内の雰囲気は、たとえば窒素ガス等の不活性ガス雰囲気、あるいは、クリーンドライエア等の清浄ガス雰囲気に維持される。その他、チャンバ70には、ウエハWを搬入出するための搬入出口および搬入出口を開閉するシャッタ等が設けられる。
上記のように構成された処理ユニット16において、各ノズル循環システム40を構成する複数の第1ノズル41は、チャンバ70内の一カ所にまとめられ、ノズル循環システム40を構成しない複数の第2ノズル61から隔離される。
具体的には、複数の第1ノズル41は、カップ30に対して、複数の第2ノズル61が配置される側とは異なる側にまとめて配置される。すなわち、チャンバ70を平面視した場合に、複数の第2ノズル61は、チャンバ70のX軸正方向側の側壁71bとカップ30との間に配置されるのに対し、複数の第1ノズル41は、チャンバ70のX軸負方向側の側壁71aとカップ30との間に配置される。
このように、実施形態に係る処理ユニット16では、各ノズル循環システム40を構成する複数の第1ノズル41をチャンバ70内において集中配置することとした。言い換えれば、複数の第1ノズル41に対応する複数のノズルバス42をチャンバ70内の一カ所に集中配置することとした。したがって、処理液の成分がノズルバス42から漏洩したとしても、漏洩箇所が一カ所にまとめられているため、チャンバ70内の雰囲気制御が容易である。
なお、第1ノズル41から吐出される処理液の温度が第1ノズル41ごとに異なる場合、集中配置された複数の第1ノズル41からそれぞれ異なる温度の処理液をダミーディスペンスすることとなる。本願発明者は、このような場合であっても、第1ノズル41間の温度干渉は生じないことを確認している。
この点について図6および図7を参照して具体的に説明する。図6および図7は、隣接する2つの第1ノズル41間における温度干渉の調査結果を示すグラフである。
本願発明者は、70℃に設定されたIPAを吐出する第1ノズル41(以下、「ノズルA」と記載する)と、25℃に設定されたDHFを吐出する第1ノズル41(以下、「ノズルB」と記載する)とを近接配置させた。そして、本願発明者は、一方のノズルBからのDHFの吐出を停止させた状態でノズルAからIPAを120秒間吐出させた(ケース1)。また、本願発明者は、ノズルBからDHFを120秒間吐出させ、これと同時に、ノズルAからもIPAを120秒間吐出させた(ケース2)。
そして、本願発明者は、ノズルBの内部に設置された熱電対を用いて、各ケース1,2におけるノズルBの温度を測定した。ケース1の測定結果を図6に、ケース2の測定結果を図7にそれぞれ示している。図6および図7には、IPAの吐出を開始してからの経過時間を横軸に取り、ノズルBの温度(ノズルB内のDHFの温度)を縦軸に取ったグラフを示している。
図6および図7に示すように、IPAの吐出終了時点におけるノズルBの設定温度(25℃)からのずれは、図6に示すケース1の方が大きく、図7に示すケース2においては、温度変化はほぼ見られなかった。
これらの結果から、ノズル循環処理において第1ノズル41からノズルバス42に処理液をダミーディスペンスし続けることにより、複数の第1ノズル41を集中配置させた場合であっても、第1ノズル41間の温度干渉が生じないことがわかる。
<ノズルバスの排気構成>
次に、ノズルバス42の排気構成について図8を参照して説明する。図8は、実施形態に係るノズルバス42の排気構成を示す図である。
図8に示すように、処理ユニット16は、複数のノズルバス42に共通の排気ダクト200を備える。上述したように、実施形態に係る処理ユニット16では、複数の第1ノズル41が一カ所にまとめて配置されるのに伴い、複数のノズルバス42も一カ所にまとめて配置される。したがって、複数のノズルバス42に共通の排気ダクト200を設けることが容易である。
排気ダクト200は、複数の排気取込口201と、複数の排気取込口201に連通する洗浄室202と、洗浄室202よりも下流側に設けられた気液分離部203と、洗浄室202と気液分離部203とを接続する接続流路204とを備える。
複数の排気取込口201は、バスユニット420の周囲におけるチャンバ70の床面73に設けられる。たとえば、複数の排気取込口201の一部は、チャンバ70の側壁71a(図2参照)とバスユニット420との間に設けられる。また、複数の排気取込口201の他の一部は、カップ30とバスユニット420との間に設けられる。
実施形態に係る処理ユニット16によれば、複数のノズルバス42から漏れ出た処理液の成分を、バスユニット420の周囲に形成された複数の排気取込口201からまとめて排出することができる。このため、たとえば複数のノズルバス42が分散して配置される場合と比べて、排気経路の構成を簡略化させることができる。
洗浄室202は、たとえば、バスユニット420の下部(床下)に配置される。洗浄室202では、複数の排気取込口201から取り込まれた排気から処理液の成分を除去する処理が行われる。
ここで、洗浄室202の構成について図9を参照して説明する。図9は、実施形態に係る排気ダクト200が備える洗浄室202の構成を示す図である。
図9に示すように、洗浄室202の内部には、洗浄室202の内部に洗浄液を供給する洗浄液供給部210が配置される。
洗浄液供給部210は、第1吐出部211と、第2吐出部212とを備える。第1吐出部211は、たとえば洗浄室202の天井に設けられ、洗浄室202内の空間に対して洗浄液をシャワー状に吐出する。また、第2吐出部212は、たとえば洗浄室202内の壁面に対して洗浄液をシャワー状に吐出する。なお、第2吐出部212は、洗浄室202内に複数設けられてもよい。この場合、複数の第2吐出部212は、洗浄室202内の異なる壁面に対して洗浄液を吐出する。
第1吐出部211は、洗浄液供給源211aと、バルブ211bと、流量調整器211cとを備える。また、第2吐出部212は、洗浄液供給源212aと、バルブ212bと、流量調整器212cとを備える。すなわち、洗浄液供給部210は、第1吐出部211からの洗浄液の吐出と第2吐出部212からの洗浄液の吐出とを独立して行うことができる。なお、洗浄液は、たとえばDIWである。
洗浄液供給部210は、制御部18によって制御される。制御部18は、洗浄液供給部210を制御することにより、第1流量且つ第1処理時間にて第1吐出部211から洗浄液を吐出させる。
たとえば、制御部18は、第1吐出部211からの洗浄液の吐出を、処理ユニット16の稼働中において常時行わせる。洗浄室202内の空間に第1吐出部211から洗浄液が供給されることにより、洗浄室202を流通する排気に含まれる処理液の成分(酸成分やアルカリ成分)が洗浄液に溶け込む。これにより、洗浄室202を流通する排気から処理液の成分を除去することができる。
また、制御部18は、洗浄液供給部210を制御することにより、第1流量よりも多い第2流量且つ第1処理時間よりも短い第2処理時間にて第2吐出部212から洗浄液を吐出させる。
たとえば、制御部18は、第2吐出部212から一定時間ごとに洗浄液を吐出させる。第2吐出部212は、洗浄室202内の壁面に対し、第1吐出部211よりも多い流量で、言い換えれば、第1吐出部211よりも高い圧力で洗浄液を吐出する。これにより、洗浄室202内に付着した結晶物等の異物を洗浄液により洗い流すことができる。
複数の排気取込口201から洗浄室202に取り込まれた排気および洗浄液供給部210によって洗浄室202内に供給された洗浄液は、接続流路204を介して気液分離部203に供給される。気液分離部203は、たとえば上方に延びる排気管203aと、排気管203aよりも下方に位置する排液管203bとを有している。気液分離部203に到達した排気および洗浄液のうち、排気は排気管203aを通って外部に排出され、洗浄液は排液管203bを通って外部に排出される。排気管203aは、チャンバ70の床面に設けられた複数の排気口72に接続される排気管72aに合流する。
このように、実施形態に係る処理ユニット16は、チャンバ70の床面73に設けられた排気口72とは別に、バスユニット420の周囲の雰囲気を集中的に排気するための排気ダクト200を備える。したがって、実施形態に係る処理ユニット16によれば、複数のノズルバス42から処理液の成分が漏洩した場合であっても、かかる処理液の成分を含んだ排気をチャンバ70から効率よく排出することができる。
<ノズルバスの排気構成の変形例>
次に、上述した排気ダクト200の変形例について図10を参照して説明する。図10は、実施形態に係る排気ダクトの変形例を示す図である。
図10に示すように、処理ユニット16Aは、酸系処理液を受けるノズルバス42A1を有する酸系バスユニット420A1と、アルカリ系処理液を受けるノズルバス42A2を有するアルカリ系バスユニット420A2とを備える。酸系バスユニット420A1とアルカリ系バスユニット420A2とは別体であり、ノズル保持部53の旋回軌道上において所定の間隔をあけて隣り合わせに配置される。
処理ユニット16Aは、酸系排気ダクト200A1と、アルカリ系排気ダクトA2とを備える。酸系排気ダクト200A1は、酸系バスユニット420A1の周囲に複数の排気取込口201A1を有する。また、アルカリ系排気ダクト200A2は、アルカリ系バスユニット420A2の周囲に複数の排気取込口201A2を有する。
また、酸系排気ダクト200A1は、酸系バスユニット420A1の下部(床下)に配置され、複数の排気取込口201A1に連通する洗浄室202A1を有する。洗浄室202A1は、洗浄液供給部を内部に有するとともに、接続路204A1を介して図示しない気液分離部に接続される。また、アルカリ系排気ダクト200A2は、アルカリ系バスユニット420A2の下部(床下)に配置され、複数の排気取込口201A2に連通する洗浄室202A2を有する。洗浄室202A2は、洗浄液供給部を内部に有するとともに、接続路204A2を介して図示しない気液分離部に接続される。
このように、複数のノズルバス42A1,42A2の排気経路は、酸系の排気経路(酸系排気ダクト200A1)とアルカリ系の排気経路(アルカリ系排気ダクト200A2)とに分かれていてもよい。このように構成することで、酸系処理液に含まれる酸成分とアルカリ系処理液に含まれるアルカリ成分とが混ざり合うことによる結晶物(塩)の生成を抑制することができる。
<ノズル移動機構の変形例>
次に、上述したノズル移動機構50の変形例について説明する。図11は、実施形態に係るノズル移動機構の第1変形例を示す図である。また、図12は、第1変形例における複数の第1ノズル41および複数のノズルバス42の他の配置例を示す図である。
図11に示すように、ノズル移動機構50Bは、アーム51Bと、旋回昇降機構52と、ノズル保持部53とを備える。
アーム51Bは、第1アーム51Baと、第2アーム51Bbと、関節部51Bcとを備える。第1アーム51Baおよび第2アーム51Bbは、いずれも水平方向に延在する。第1アーム51Baの基端部は旋回昇降機構52に接続され、第2アーム51Bbの先端部にはノズル保持部53が設けられる。関節部51Bcは、第1アーム51Baと第2アーム51Bbとの間に配置され、第1アーム51Baと第2アーム51Bbとを接続する。関節部51Bcは、モータ等の回転駆動部を有しており、第1アーム51Baに対して第2アーム51Bbを鉛直軸まわりに旋回させることができる。
このように、ノズル移動機構50Bは、関節部51Bcを有するアーム51Bを備える構成であってもよい。かかる構成とすることで、複数の第1ノズル41および複数のノズルバス42の配置の自由度を高めることができる。
たとえば、図11には、複数の第1ノズル41および複数のノズルバス42が水平方向に直線的に並べられる例を示している。
また、図12に示すように、複数の第1ノズル41の一部をノズル移動機構50Bの旋回昇降機構52の一側方(たとえば、Y軸正方向側)に配置し、他の一部をノズル移動機構50Bの旋回昇降機構52の別の側方(たとえば、Y軸負方向側)に配置してもよい。この場合、複数のノズルバス42も旋回昇降機構52の一側方と別の側方とに分けて配置されることとなる。したがって、たとえば、旋回昇降機構52の一側方に酸系処理液を受けるノズルバス42を配置し、別の側方にアルカリ系処理液を受けるノズルバス42を配置することで、酸系処理液の成分とアルカリ系処理液の成分とが混ざり合うことを抑制することができる。また、これに限らず、たとえば、旋回昇降機構52の一側方に高温処理液を受けるノズルバス42を配置し、別の側方に低温処理液を受けるノズルバス42を配置してもよい。
図13は、実施形態に係るノズル移動機構の第2変形例を示す図である。図13に示すように、ノズル移動機構50Cは、アーム51Cと、アーム移動部52Cと、ノズル保持部53と、保持部移動部54とを備える。
アーム51Cは、水平方向(たとえば、Y軸方向)に延在する。アーム移動部52Cは、アーム51Cの延在方向と直交する水平方向(たとえば、X軸方向)に延在するレール51C1と、アーム51Cを水平に支持するとともに、レール52C1に沿って移動可能な駆動部52C2とを備える。保持部移動部54は、下方においてノズル保持部53を支持するとともに、アーム51Cに沿って移動可能である。
このように、ノズル移動機構50Cは、互いに直交する2つの水平方向(X軸方向およびY軸方向)に沿ってノズル保持部53を移動させる構成であってもよい。かかる構成とすることにより、複数の第1ノズル41および複数のノズルバス42の配置の自由度を高めることができる。
たとえば、図13には、複数の第1ノズル41および複数のノズルバス42がアーム51Cの延在方向すなわちY軸方向に沿って直線的に並べられる例を示している。これに限らず、複数の第1ノズル41および複数のノズルバス42は、レール52C1の延在方向すなわちX軸方向に沿って直線的に並べられてもよい。また、複数の第1ノズル41および複数のノズルバス42は、必ずしも直線的に並べられることを要しない。
図14~図17は、実施形態に係るノズル移動機構の第3変形例を示す図である。図14および図15に示すように、ノズル移動機構50Dは、軸部56と、駆動部57と、複数のアーム58と、複数の切替部59とを備える。
軸部56は、鉛直方向(Z軸方向)に沿って延在する。駆動部57は、たとえば軸部56の基端部に設けられ、軸部56を鉛直軸Axまわりに回転させる。また、駆動部57は、軸部56を昇降させることができる。
複数のアーム58は、基端部が軸部56に軸支され、先端部において第1ノズル41を支持する。複数のアーム58は、異なる高さ位置において軸部56に支持されており、複数の第1ノズル41の各々を異なる高さ位置にて保持する。これにより、複数の第1ノズル41は、鉛直方向において互いに重複しない高さ位置に配置される。
切替部59は、たとえば電磁クラッチ、メカニカルクラッチ等であり、複数のアーム58のうち軸部56とともに旋回するアーム58を切り替える。
たとえば、図16に示すように、切替部59は、アーマチュア59aと、ロータ59bと、電磁石59cとを備える。アーマチュア59aは、アーム58の基端部58aに板バネ等の付勢部材59a1を介して取り付けられる。付勢部材59a1は、アーマチュア59aをアーム58の基端部58a側に付勢する。ロータ59bは、アーマチュア59aと間隔をあけて対向配置され、軸部56とともに回転する。電磁石59cは、ロータ59bに内蔵される。
図16の上図に示すように、電磁石59cへの通電が行われていないとき、切替部59とアーム58の基端部58aとは離れた状態となっている。この場合、アーム58には、軸部56の動力は伝達されない。したがって、アーム58は旋回しない。
一方、図17の下図に示すように、電磁石59cへの通電が行われると、アーマチュア59aが電磁石59cに引き寄せられてロータ59bと密着する。これにより、軸部56の動力がロータ59bおよびアーマチュア59aを介してアーム58に伝達され、アーム58が旋回する。
このように、ノズル移動機構50Dによれば、複数の第1ノズル41のうち液処理に使用する第1ノズル41を選択的に移動させることができる。このため、たとえば図17に示すように、複数の第1ノズル41のうち中段の第1ノズル41を液処理に使用する場合、ノズル移動機構50Dは、中段の第1ノズル41だけを旋回させてウエハW上方の処理位置へ移動させることができる。
図18は、第3変形例におけるノズルバスの構成例を示す図である。図18に示すように、バスユニット420Dは、複数のノズルバス42Dを有する。複数のノズルバス42Dは、対応する第1ノズル41の高さ位置に応じた高さ位置に開口部42D1を有する。すなわち、複数のノズルバス42Dは、それぞれ異なる高さ位置に開口部42D1を有する。これにより、複数の第1ノズル41が高さ違いに配置される場合であっても、複数の第1ノズル41から吐出された処理液の成分がノズルバス42Dから漏洩することを適切に抑制することができる。
図19は、実施形態に係るノズル移動機構の第4変形例を示す図である。図19に示すように、ノズル移動機構50Eは、軸部56と、駆動部57と、複数のアーム58Eと、切替部59Eとを備える。
複数のアーム58Eは、軸部56と別体に設けられる。また、複数のアーム58Eは、基端部58Eaを軸部56に向けた状態で、軸部56の旋回中心である鉛直軸Axを中心に放射状に配置される。なお、複数のアーム58Eは、異なる高さ位置に配置されてもよいし、同じ高さ位置に配置されてもよい。
切替部59Eは、たとえば軸部56の外周部に1つ設けられる。切替部59Eは、たとえば電磁クラッチであり、アーム58Eの基端部58Eaを電磁力により引き寄せて軸部56に接続する。これにより、軸部56の動力がアーム58Eに伝達され、アーム58Eが軸部56とともに旋回する。
このように、ノズル移動機構50Eは、軸部56と別体に設けられた複数のアーム58Eを切替部59Eを用いて軸部56と接続する構成であってもよい。なお、切替部59Eは、電磁クラッチに限らず、メカニカルクラッチであってもよい。
図20~図23は、実施形態に係るノズル移動機構の第4変形例を示す図である。図20に示すように、ノズル移動機構50Fは、第1~第3軸部56F1~56F3と、第1~第3駆動部57F1~57F3と、第1~第3アーム58F1~58F3とを備える。なお、ノズル移動機構50Fが備える軸部、駆動部およびアームの数は3つに限定されない。
第1軸部56F1および第2軸部56F2は、円筒状の部材である。このうち、第2軸部56F2は、第1軸部56F1の内部に配置される。また、第3軸部56F3は、円柱状の部材であり、第2軸部56F2の内部に配置される。第1~第3駆動部57F1~57F3は、第1軸部56F1~第3軸部56F3に1対1で設けられ、第1軸部56F1~第3軸部56F3を昇降させるとともに同一の鉛直軸Axまわりに旋回させる。
第1~第3アーム58F1~58F3は、基端部がそれぞれ第1~第3軸部56F1~56F3に支持され、先端部において第1ノズル41を支持する。第1~第3アーム58F1~58F3は、鉛直軸Axを中心に放射状に配置される。また、第1~第3アーム58F1~58F3は、たとえば同一の高さ位置に配置される。
第1軸部56F1は、第1駆動部57F1によって第1軸部56F1が昇降した際に、待機状態の第2アーム58F2を通過させる通過部562F1および待機状態の第3アーム58F3を通過させる通過部563F1を有する。通過部562F1,563F1の上端および下端は開放されている。このため、図21に示すように、第1軸部56F1は、第2アーム58F2および第3アーム58F3と干渉することなく上昇することができる。
また、第1軸部56F1を上昇させることで、第1軸部56F1は、上下方向だけでなく周方向においても第2アーム58F2および第3アーム58F3と干渉しなくなる。これにより、第1軸部56F1を第2アーム58F2および第3アーム58F3と干渉することなく旋回させることが可能となる。すなわち、第1アーム58F1のみを選択的に旋回させることができる。
第2軸部56F2は、第2駆動部57F2によって第2軸部56F2が昇降した際に、待機状態の第3アーム58F3を通過させる通過部563F2を有する。通過部563F2の上端および下端は開放されている。このため、図22に示すように、第2軸部56F2は、第3アーム58F3と干渉することなく上昇することができる。また、上述したように、第1軸部56F1には、通過部562F1が設けられているため、第2アーム58F2は、第1軸部56F1と干渉することなく上昇することができる。
また、第2軸部56F2を上昇させることで、第2軸部56F2は、周方向において第1アーム58F1および第3アーム58F3と干渉しなくなる。このため、第2軸部56F2を第1アーム58F1および第3アーム58F3と干渉することなく旋回させることが可能となる。すなわち、第2アーム58F2のみを選択的に旋回させることができる。
また、上述したように、第1軸部56F1および第2軸部56F2にはそれぞれ通過部563F1,563F2が設けられている。このため、図23に示すように、第3アーム58F3は、第1軸部56F1および第2軸部56F2と干渉することなく上昇することができる。
そして、第3軸部56F3を上昇させることで、第3軸部56F3は、周方向において第1アーム58F1および第2アーム58F2と干渉しなくなる。このため、第3軸部56F3を第1アーム58F1および第2アーム58F2と干渉することなく旋回させることが可能となる。すなわち、第3アーム58F3のみを選択的に旋回させることができる。
このように、かかるノズル移動機構50Fによれば、第1~第3アーム58F1~58F3のうち1つだけを昇降および旋回させることができる。
上述してきたように、実施形態に係る基板液処理装置(一例として、処理ユニット16)は、カップ(一例として、カップ30)と、複数のノズル循環システム(一例として、ノズル循環システム40)と、第2ノズル(一例として、第2ノズル61)と、収容部(一例として、チャンバ70)と備える。カップは、基板(一例として、ウエハW)の周縁を取り囲む。複数のノズル循環システムは、第1ノズル(一例として、第1ノズル41)と、カップの外方に配置され、第1ノズルから吐出された処理液を受ける受液槽(一例として、ノズルバス42)と、受液槽で受けた処理液を第1ノズルに戻す循環部(一例として、循環部43)とをそれぞれ含む。第2ノズルは、ノズル循環システムを構成しないノズルである。収容部は、カップ、複数のノズル循環システムが有する複数の第1ノズルならびに複数の受液槽および第2ノズルを収容する。また、第2ノズルは、収容部が有する第1側壁(一例として、側壁71b)とカップとの間に配置され、複数の第1ノズルは、収容部が有する第1側壁とは異なる第2側壁(一例として、71a)とカップとの間に配置される。
したがって、実施形態に係る基板液処理装置によれば、処理液の成分が受液槽から漏洩したとしても、漏洩箇所が一カ所にまとめられているため、収容部内の雰囲気制御が容易である。
実施形態に係る基板液処理装置は、複数の受液槽に共通の排気ダクト(一例として、排気ダクト200)を備えていてもよい。複数の第1ノズルが一カ所にまとめて配置されるのに伴い、複数の受液槽も一カ所にまとめて配置される。したがって、複数の受液槽に共通の排気ダクトを設けることが容易である。
実施形態に係る基板液処理装置は、複数の受液槽を有する槽ユニット(一例として、バスユニット420)を備えていてもよい。この場合、排気ダクトは、槽ユニットの周囲における収容部の床面(一例として、床面73)に、複数の排気取込口(一例として、排気取込口201)を有していてもよい。これにより、複数の受液槽から処理液の成分が漏洩した場合であっても、かかる処理液の成分を含んだ排気を収容部から効率よく排出することができる。
実施形態に係る基板液処理装置は、排気ダクトの内部に洗浄液を供給する洗浄液供給部(一例として、洗浄液供給部210)を備えていてもよい。これにより、排気ダクトの内部を洗浄することができる。
実施形態に係る基板液処理装置は、洗浄液供給部を制御する制御部を備えていてもよい。また、洗浄液供給部は、洗浄液を吐出する第1吐出部および第2吐出部を備えていてもよい。この場合、制御部は、洗浄液供給部を制御して、第1流量且つ第1処理時間にて第1吐出部から洗浄液を吐出させ、第1流量よりも多い第2流量且つ第1処理時間よりも短い第2処理時間にて第2吐出部から洗浄液を吐出させてもよい。
これにより、取り込んだ排気から処理液の成分を除去することができる。また、排気ダクト内に付着した結晶物等の異物を洗浄液により洗い流すことができる。
実施形態に係る基板液処理装置は、酸系槽ユニット(一例として、酸系バスユニット420A1)と、アルカリ系槽ユニット(一例として、アルカリ系バスユニット420A2)と、酸系排気ダクト(一例として、酸系排気ダクト200A1)と、アルカリ系排気ダクト(一例として、アルカリ系排気ダクト200A2)とを備えていてもよい。酸系槽ユニットは、複数の受液槽のうち酸系の処理液を受ける受液槽を有する。アルカリ系槽ユニットは、複数の受液槽のうちアルカリ系の処理液を受ける受液槽を有する。酸系排気ダクトは、酸系槽ユニットの周囲に排気取込口を有する。アルカリ系排気ダクトは、アルカリ系槽ユニットの周囲に排気取込口を有する。酸系処理液に含まれる酸成分とアルカリ系処理液に含まれるアルカリ成分とが混ざり合うことによる結晶物の生成を抑制することができる。
実施形態に係る基板液処理装置は、複数の第1ノズルのうち液処理に使用される第1ノズルを選択的に移動させるノズル移動機構(一例として、ノズル移動機構50,50B~50F)を備えていてもよい。これにより、第1ノズルを用いた液処中に、残りの第1ノズルについてのノズル循環処理を継続することができる。
ノズル移動機構は、軸部(一例として、軸部56)と、駆動部(一例として、軸部57)と、複数のアーム(一例として、軸部58)と、切替部(一例として、切替部59)とを備える。軸部は、鉛直方向に沿って延在する。駆動部は、軸部を鉛直軸まわりに回転させる。複数のアームは、軸部を中心に旋回可能であり、複数の第1ノズルの各々を異なる高さ位置にて保持する。切替部は、複数のアームのうち軸部とともに旋回するアームを切り替える。これにより、複数の第1ノズルのうち液処理に使用する第1ノズルを選択的に移動させることができる。
複数の受液槽(一例として、ノズルバス42D)の各々は、対応する第1ノズルの高さ位置に応じた高さ位置に開口部(一例として、開口部42D1)を有していてもよい。これにより、複数の第1ノズルから吐出された処理液の成分が受液槽から漏洩することを抑制することができる。
複数の第1ノズルは、それぞれ異なる温度の処理液を吐出してもよい。複数の第1ノズルを集中配置した場合であっても、待機中の第1ノズルから受液槽に処理液を吐出し続けることで、第1ノズル間の温度干渉を抑制することができる。
以上、本開示の実施形態について説明したが、本開示は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。
今回開示された実施形態は全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。実に、上記した実施形態は多様な形態で具現され得る。また、上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその趣旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
1 :基板処理システム
3 :処理ステーション
4 :制御装置
18 :制御部
19 :記憶部
20 :基板保持機構
21 :保持部
30 :カップ
40 :ノズル循環システム
41 :第1ノズル
42 :ノズルバス
43 :循環部
50 :ノズル移動機構
60 :第2処理液供給部
61 :第2ノズル
W :ウエハ

Claims (10)

  1. 基板の周縁を取り囲むカップと、
    第1ノズルと、前記カップの外方に配置され、前記第1ノズルから吐出された処理液を受ける受液槽と、前記受液槽で受けた前記処理液を前記第1ノズルに戻す循環部とを含む複数のノズル循環システムと、
    前記ノズル循環システムを構成しない第2ノズルと、
    前記カップ、前記複数のノズル循環システムが有する複数の前記第1ノズルならびに複数の前記受液槽および前記第2ノズルを収容する収容部と
    を備え、
    前記第2ノズルは、前記収容部が有する第1側壁と前記カップとの間に配置され、
    複数の前記第1ノズルは、前記収容部が有する前記第1側壁とは異なる第2側壁と前記カップとの間に配置される、基板液処理装置。
  2. 複数の前記受液槽に共通の排気ダクト
    を備える、請求項1に記載の基板液処理装置。
  3. 複数の前記受液槽を有する槽ユニット
    を備え、
    前記排気ダクトは、
    前記槽ユニットの周囲における前記収容部の床面に、複数の排気取込口を有する、請求項2に記載の基板液処理装置。
  4. 前記排気ダクトの内部に洗浄液を供給する洗浄液供給部
    を備える、請求項2または3に記載の基板液処理装置。
  5. 前記洗浄液供給部を制御する制御部
    を備え、
    前記洗浄液供給部は、
    前記洗浄液を吐出する第1吐出部および第2吐出部
    を備え、
    前記制御部は、
    前記洗浄液供給部を制御して、第1流量且つ第1処理時間にて前記第1吐出部から前記洗浄液を吐出させ、前記第1流量よりも多い第2流量且つ前記第1処理時間よりも短い第2処理時間にて前記第2吐出部から前記洗浄液を吐出させる、請求項4に記載の基板液処理装置。
  6. 複数の前記受液槽のうち酸系の処理液を受ける受液槽を有する酸系槽ユニットと、
    複数の前記受液槽のうちアルカリ系の処理液を受ける受液槽を有するアルカリ系槽ユニットと、
    前記酸系槽ユニットの周囲に排気取込口を有する酸系排気ダクトと、
    前記アルカリ系槽ユニットの周囲に排気取込口を有するアルカリ系排気ダクトと
    を備える、請求項1に記載の基板液処理装置。
  7. 複数の前記第1ノズルのうち液処理に使用される第1ノズルを選択的に移動させるノズル移動機構
    を備える、請求項1~6のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
  8. 前記ノズル移動機構は、
    鉛直方向に沿って延在する軸部と、
    前記軸部を鉛直軸まわりに回転させる駆動部と、
    前記軸部を中心に旋回可能であり、複数の前記第1ノズルの各々を異なる高さ位置にて保持する複数のアームと、
    前記複数のアームのうち前記軸部とともに旋回するアームを切り替える切替部と
    を備える、請求項7に記載の基板液処理装置。
  9. 複数の前記受液槽の各々は、
    対応する前記第1ノズルの高さ位置に応じた高さ位置に開口部を有する、請求項8に記載の基板液処理装置。
  10. 複数の前記第1ノズルは、
    それぞれ異なる温度の処理液を吐出する、請求項1~9のいずれか一つに記載の基板液処理装置。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013026381A (ja) 2011-07-20 2013-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2017037985A (ja) 2015-08-11 2017-02-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および昇華性物質の析出防止方法
JP2018056187A (ja) 2016-09-26 2018-04-05 株式会社Screenホールディングス 回収配管洗浄方法および基板処理装置
JP2018133429A (ja) 2017-02-15 2018-08-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3317855B2 (ja) * 1996-09-02 2002-08-26 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013026381A (ja) 2011-07-20 2013-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2017037985A (ja) 2015-08-11 2017-02-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および昇華性物質の析出防止方法
JP2018056187A (ja) 2016-09-26 2018-04-05 株式会社Screenホールディングス 回収配管洗浄方法および基板処理装置
JP2018133429A (ja) 2017-02-15 2018-08-23 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

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