JP2017037985A

JP2017037985A - 基板処理装置および昇華性物質の析出防止方法

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Publication number: JP2017037985A
Application number: JP2015158884A
Authority: JP
Inventors: 原明徳相; Akinori Aihara; 野央河; Hiroshi Kono; 川興司香; Koji Kagawa; 田祐希吉; Yuki Yoshida
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2015-08-11
Filing date: 2015-08-11
Publication date: 2017-02-16
Anticipated expiration: 2035-08-11
Also published as: JP6456793B2

Abstract

【課題】昇華性物質溶液を供給する供給部を構成する部材の表面に昇華性物質が析出することを防止または抑制する。
【解決手段】昇華性物質を溶媒に溶解してなる昇華性物質溶液を基板（Ｗ）に供給する基板処理装置は、基板を保持する基板保持部と、基板保持部に保持された基板に対して設定温度の昇華性物質溶液を供給する供給部（４３，４４，４５）と、設定温度よりも高く供給部を溶媒の沸点よりも低い温度に加熱する加熱部（４６；４７１ｂ；４７２，４７３，４７４）とを備える。
【選択図】図３

Description

本発明は、昇華性物質溶液を用いて基板を乾燥させる基板処理装置において、昇華性物質溶液を供給する部材の表面上に、昇華性物質が析出することを防止する技術に関する。

近年、半導体ウエハ等の基板に形成されるパターンの微細化に伴い、パターンのアスペクト比（高さ／幅）が高くなってきている。アスペクト比がある値より大きくなると、基板に対して半導体形成時の液処理後に行われる乾燥処理の際にパターン倒壊（パターンを構成する凸状部の倒壊）が生じやすくなる。

この問題を解決するため、パターンの凹部内に昇華性物質で満たした後、昇華性物質を昇華させる乾燥方法が実行される（特許文献１を参照）。この方法によれば、液体の表面張力によるパターン倒壊を防止することに有効である。

昇華性物質溶液を吐出するノズルの先端部外面には、昇華性物質溶液の吐出中または吐出後に昇華性物質溶液が付着する。昇華性物質溶液中の溶剤は常温下でも容易に蒸発するので、ノズルの先端部の外面には昇華性物質が析出する。この析出した昇華性物質がノズルから脱落すると、基板の処理に悪影響を及ぼすおそれがある。

特開２０１２−２４３８６９号公報

本発明は、昇華性物質溶液を供給する供給部を構成する部材の表面に昇華性物質が析出することを防止または抑制することができる技術を提供するものである。

本発明の一実施形態によれば、昇華性物質を溶媒に溶解してなる昇華性物質溶液を基板に供給する基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された基板に対して設定温度の昇華性物質溶液を供給する供給部と、前記供給部を前記設定温度よりも高く前記溶媒の沸点よりも低い温度に加熱する加熱部と、を備えた基板処理装置が提供される。

本発明の他の実施形態によれば、昇華性物質を溶媒に溶解してなる昇華性物質溶液をノズルを用いて基板に供給する基板処理装置において、前記ノズルの先端部の外面に付着した昇華性物質溶液中に含まれる昇華性物質が析出することを防止する昇華性物質析出防止方法において、前記基板保持部に保持された基板に対して設定温度の昇華性物質溶液を供給する供給部を、前記供給部を前期設定温度よりも高く前記溶媒の沸点よりも低い温度に加熱することを含む昇華性物質析出防止方法が提供される。

上記本発明の実施形態によれば、供給部を加熱することにより、供給部に接している溶媒の温度が上がり、溶媒に対する昇華性物質の溶解度が上昇するため、昇華性物質の析出が生じ難くなる。

基板処理装置の一実施形態に係る処理ユニットの構成を示す概略平面図である。図１の処理ユニットの概略縦断面図である。図１の処理ユニットに含まれる昇華性物質溶液ノズルおよび当該ノズルに関連する処理ユニットの構成部品を抜き出して示す配管系統図である。図３に示したノズルバスの他の構成例を示す縦断面図である。

以下に図面を参照して本発明の一実施形態について説明する。図１及び図２に示すように、基板処理装置の一実施形態である処理ユニット１６は、チャンバ２０と、このチャンバ２０内に設けられた基板保持機構３０、処理流体供給部４０及び回収カップ５０とを備えている。

基板保持機構３０は、保持部３１と、回転軸３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウエハＷを水平に保持する。駆動部３３は、回転軸を介して保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウエハＷを回転させる。

処理流体供給部４０は、第１ノズルアーム４１と、第２ノズルアーム４２とを有している。

第１ノズルアーム４１の先端部には、ウエハＷの洗浄またはエッチングのための薬液を吐出する薬液ノズル４１１と、リンス液としてのＤＩＷ（純水）を吐出するリンスノズル４１２と、溶剤ノズル４１３とが設けられている。溶剤ノズル４１３は、ＤＩＷと相溶性を有し、後述の昇華性物質溶液の溶媒と同じ有機溶剤、ここではＩＰＡ（イソプロピルアルコール）を吐出する。

第２ノズルアーム４２の先端部には、昇華性物質を有機溶剤からなる溶媒（ここではＩＰＡ）を溶解してなる昇華性物質溶液を吐出する昇華性物質溶液ノズル４３が設けられている。本実施形態において、昇華性物質は、例えば、ケイフッ化アンモニウム（（ＮＨ４）２ＳｉＦ６）、ショウノウ、ナフタレン等である。

第１及び第２ノズルアーム４１、４２は、各々のアーム駆動機構４１４、４２４により、鉛直方向軸線周りに旋回可能であり（図２の矢印Ｍ１、Ｍ２）、また、鉛直方向に昇降可能である。第１ノズルアーム４１を旋回させることにより、第１ノズルアーム４１に設けられたノズル４１１，４１２，４１３を、ウエハＷ中心部の上方の処理位置と、液受けカップ５０の外側の待機位置（ホームポジション）との間で移動させることができる。第２ノズルアーム４２を旋回させることにより、第２ノズルアーム４２に設けられた昇華性物質溶液ノズル４３を、ウエハＷ中心部の上方の処理位置と、液受けカップ５０の外側の待機位置（ホームポジション）との間で移動させることができる。

第１ノズルアーム４１に保持されたノズル４１１，４１２，４１３にはそれぞれ、薬液供給部７１１、リンス液供給部７１２、溶剤供給部７１３から対応する処理液が供給される。各処理流体供給部は、タンク、工場用力供給源等からなる処理流体供給源と、処理流流体供給源と対応するノズルとを接続する処理流体ラインと、処理流体ラインに介設された開閉弁、流量調整弁等の流量調整機器とから構成されている。

液受けカップ５０は基板保持機構３０を囲み、各ノズル４１１，４１２，４１３，４３から回転するウエハＷに供給された後にウエハＷから振り切られた液を捕集する。捕集された処理液は、回収カップ５０の底部に設けられた排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。液受けカップ５０の底部には、液受けカップ５０の内部空間を吸引する排気口５２が形成されている。

第２ノズルアーム４２及びこれに関連する構成要素について詳細に説明する。第２ノズルアーム４２内には、昇華性物質溶液ノズル４３（以下、記載の簡略化のため、単に「ノズル４３」とも呼ぶ）に昇華性物質溶液を供給する供給ライン４４が設けられている。

供給ライン４４には、昇華性物質溶液供給部４５から昇華性物質溶液が供給される。図３に示すように、昇華性物質供給部４５は、例えば、昇華性物質溶液を貯留するタンク４５１と、タンク４５１に接続された循環ライン４５２と、循環ライン４５２に介設されたポンプ４５３及び温調ヒータ４５４を備える。昇華性物質溶液は、ポンプ４５３により循環ライン４５２内を循環している。温調ヒータ４５４が、昇華性物質溶液の飽和度を所定の値に維持するために、昇華性物質溶液を所定の温度範囲に維持している。

供給ライン４４はタンク４５１に接続されている。供給ライン４４にはポンプ４４１、開閉弁４４２及び流量調整弁４４３が介設されている。従って、タンク４５１内に貯留されている昇華性物質溶液を、制御された流量でノズル４３から吐出することができる。

供給ライン４４を流れる昇華性物質溶液を所定の温度範囲に維持するための温調部４６が設けられている。温調部４６は、所定の温度に温調された温調液例えば水を供給する温調液供給器４６１と、温調液供給器４６１に接続された循環ライン４６２と、循環ライン４６２に介設されるかあるいは温調液供給器４６１に内蔵されたポンプ４６３を有する。温調液供給器４６１内には、例えばペルチェ素子からなる温調ヒータ４６４が設けられている。温調部４６で用いる水として、ＤＩＷ（純水）、ＰＣＷ（工場冷却水）等を用いることができる。

供給ライン４４を構成する配管４４Ａが、循環ライン４６２の一部を構成する温調配管４６５内に配置されている。供給配管４４Ａと温調配管４６５とは二重管構造を構成する。ノズル４３に近い位置において、供給配管４４Ａと温調配管４６５との間に形成され、かつ、循環ライン４６２の一部を構成する流路４６６に温調水が流入する。流路４６６に流入した温調水は、供給配管４４Ａを介して供給配管４４Ａ内の昇華性物質溶液と熱交換した後、ノズル４３から離れた位置において流路４６６から流出し、循環ライン４６２を通って温調液供給器４６１に戻される。以上により、供給ライン４４内の昇華性物質溶液の温度が、予め定められた設定温度に維持される。ここで予め定められた設定温度とは、溶媒がＩＰＡの場合は２３〜８０℃の間の値であり、昇華性物質の溶媒への溶解度の度合いに応じて設定される。

開閉弁４４２及び流量調整弁４４３が設けられている位置において、流路４６６が分断され、この分断部分が符号４６２’で示される接続管により接続されている。

温調配管４６５を保温するために、温調配管４６５の周囲は断熱材４６７により囲まれている。

温調部４６の構成は上記のものに限定されず、例えば供給配管４４Ａの周囲に巻かれた断熱材及びテープヒータにより温調部４６を構成してもよい。また、温調液供給器４６１の構成は図３に示したものに限定されるものではなく、昇華性物質供給部４５と同様に、タンクと、タンクに接続された循環ラインと、循環ラインに介設されたヒータとを備えたものとして構成してもよい。昇華性物質供給部４５の構成も図３に示したものに限定されるものではなく、温調液供給器４６１と同様に、ペルチェ素子等からなる温調ヒータを備えた温調昇華性物質供給器を備えたものとして構成してもよい。

図１のように、第２ノズルアーム４２の先端に設けられたノズル４３の待機位置には、加熱及び洗浄機能を備えたノズル待機部４７が設けられている。図３のように、ノズル待機部４７はノズルバス（槽）４７１を有し、この、ノズルバス４７１の内部にノズル４３の少なくとも先端部４３１を収容することができる。ノズルバス４７１の底部には、ドレン孔４７１ａが形成されている。

ノズルバス４７１の側壁には、ノズルバス４７１の内部空間に温調ガスを供給する温調ガス供給口４７２が設けられている。温調ガス供給口４７２には、開閉弁４７３ａが介設された温調ガスライン４７３を介して温調ガス供給部４７４から予め定められた温度に加熱された温調ガス、例えば加熱された窒素ガスが供給される。また、ノズルバス４７１の側壁には、ノズルバス４７１の内部空間を排気する排気口４７５が設けられている。排気口４７５には排気ライン４７６が接続されている。この排気ライン４７６は、減圧雰囲気の工場排気系に接続されている。排気ライン４７６にエジェクタまたは吸引ポンプ等の吸引手段（図示せず）を介設してもよい。

さらに、ノズルバス４７１の側壁には、ノズル４３の先端部４３１の外面４３２に向けて洗浄液を吐出する１つ以上の洗浄液吐出口４７７が設けられている。洗浄液吐出口４７７には、開閉弁４７８ａが介設された洗浄液ライン４７８を介して、洗浄液供給部４７９から洗浄液が供給される。洗浄液としては、昇華性物質を溶解しうる有機溶剤、例えばＩＰＡを用いることができる。固体の状態の昇華性物質を容易に溶解することができるように、かつ、ノズル４３の先端部４３１の温度低下をもたらすことがないように、予め定められた温度に加熱された洗浄液が供給される。この目的のため、洗浄液供給部４７９に図示しない温調ヒータを設けることができる。

処理ユニット１６は、図２に示すように、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、処理ユニット１６において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。上記処理ユニット１６は、複数の処理ユニットを備えた基板処理システムの一構成要素であってもよく、この場合、上記制御装置４は基板処理システムの全体の動作を制御するものであってもよい。

上記のプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。

次に、処理ユニット１６の作用について説明する。以下に説明する処理ユニット１６の動作は、記憶部１９に格納されたプロセスレシピを参照しつつ記憶部１９に格納された制御プログラムを実行することにより、制御装置４の制御部１８が処理ユニット１６の様々な構成要素（ノズルアーム、昇華性物質供給部等）を制御することによって、自動的に実行される。

表面にパターンが形成されたウエハＷが処理ユニット１６内に搬入され、ウエハ基板保持機構３０がウエハＷを水平に保持する。

ウエハ基板保持機構３０がウエハＷを鉛直軸線周りに回転させる。ウエハＷの回転は、ウエハＷに対する一連の処理が終了するまで継続する。薬液ノズル４１１が回転するウエハＷの中心部に薬液を供給することにより薬液処理工程が実施され、次いで、リンスノズル４１２が回転するウエハＷの中心部にＤＩＷを供給することによりウエハＷ上の薬液および反応生成物を洗い流すリンス工程が実施され、次いで、溶剤ノズル４１３が回転するウエハＷの中心部にＩＰＡを供給することによりウエハＷ上のＤＩＷをＩＰＡに置換する溶剤置換工程が実施される。

ウエハＷが処理ユニット１６に搬入されてから（先に処理されたウエハＷがある場合には、この先に処理されたウエハＷに対する後述の昇華性物質溶液塗布工程が終了してから）溶剤置換工程が終了するまで（あるいは溶剤置換工程の終了直前まで）の間、ノズル４３は待機位置に位置し、ノズル４３の先端部４３１はノズルバス４７１内にある。

溶剤置換工程の後、昇華性物質溶液塗布工程を行う。昇華性物質溶液塗布工程では、ノズル４３をウエハＷの中心部上方に位置させて、ノズル４３から回転するウエハＷの中心部に、予め定められた設定温度に温調された昇華性物質溶液を、予め定められた流量で予め定められた時間の間吐出する。処理ユニット１６の通常運転中は、温調部４６から供給される温調液により、供給ライン４４が、常時（つまり、ノズル４３からの昇華性物質溶液の吐出を行っているときも行っていないときも）、予め定められた設定温度に暖められている。

溶剤ノズル４１３からのＩＰＡの吐出はノズル４３からの昇華性物質溶液の吐出開始の直後に停止され、溶剤ノズル４１３は、薬液ノズル４１１及びリンスノズル４１２と一緒に待機位置に戻される。昇華性物質溶液塗布工程では、ウエハＷ表面にあるＩＰＡが、昇華性物質溶液に置換され、ウエハＷの表面の全体（パターンの凹部の内部も含む）が昇華性物質溶液により覆われる。

その後、ノズル４３からの昇華性物質溶液の吐出を停止させ、ノズル４３を待機位置（図１に示される位置）に戻し、ノズル４３の先端部４３１をノズルバス４７１内に収容する。

ノズル４３が昇華性物質溶液の吐出を停止したら、ウエハＷの回転数を調整することによりウエハＷ表面に存在する昇華性物質溶液の膜厚を調節する。その後、引き続き、ウエハＷを回転させながら、昇華性物質溶液中の溶媒（有機溶剤であるＩＰＡ）を蒸発させ、溶質である昇華性物質を析出させ、最終的には昇華性物質溶液を固化させる。

固体の昇華性物質の層が表面に形成されたウエハＷは、処理ユニット１６から搬出され、ベーク装置（図示せず）に搬入されそこで加熱される。これにより昇華性物質が昇華してウエハＷから除去される。以上により、パターン倒壊を生じさせることなくウエハＷを乾燥させることができる。

ノズル４３が昇華性物質溶液を吐出しているとき、あるいは吐出を止めた後に、ノズル４３の先端部４３１の外面４３２に昇華性物質溶液がしばしば付着する。外面４３２に付着した昇華性物質溶液を放置しておくと、昇華性物質溶液の温度低下による溶解度低下により、昇華性物質溶液中に溶解している昇華性物質が析出する。析出した昇華性物質が外面４３２上に蓄積してその後脱落すると（特にウエハＷ上に落下すると）、ウエハＷの処理結果に悪影響を及ぼす可能性がある。

ノズル４３の先端部４３１の外面４３２上に付着した昇華性物質溶液から溶質（昇華性物質）が析出することを防止するため、先端部４３１がノズルバス４７１内に収容されているときに開閉弁４７３ａが開かれ、温調ガス供給口４７２からノズルバス４７１の内部空間に、温調ガスとして、加熱された窒素ガスが供給される。また、排気口４７５からはノズルバス４７１の内部空間雰囲気が排出されている。従って、ノズルバス４７１の内部空間は加熱された温調ガスの雰囲気で満たされることになる。

これにより、ノズル４３の先端部４３１が冷えることが防止される。つまり、外面４３２上に付着している昇華性物質溶液の溶質の溶解度の低下が防止され、昇華性物質の析出が防止される。また、ノズル４３の先端部４３１を暖めることにより、外面４３２上に付着している昇華性物質溶液の粘度が下がり（流動性が上がり）、ノズル４３の外面４３２から下方に落下しやすくなる。

但し、昇華性物質溶液の溶媒（ＩＰＡ）の蒸発が促進されるほどにノズルバス４７１の内部空間の温度を上昇させると、逆に昇華性物質溶液の飽和度が上昇して昇華性物質の析出が促進されてしまうこともある。このため、温調ガスの温度は、高くとも昇華性物質溶液の溶媒の沸点以下とする必要がある。温調ガスの温度は、昇華性物質溶液が設定温度を保てるように、低くとも昇華性物質溶液の設定温度（ノズル４３から吐出されるときの温度）よりも高い温度とする必要がある。

ノズル４３の先端部４３１を暖めることにより、昇華性物質が先端部４３１の外面４３２上に析出することは大幅に抑制することができる。しかしながら、それにも関わらず、外面４３２に昇華性物質が析出することもありうる。従って、予め定められた洗浄実行基準に従い、外面４３２の洗浄を行うことが好ましい。

洗浄実行基準について以下に例示する。外面４３２の洗浄は、例えば、処理ユニット１６により処理されたウエハＷの枚数が予め定められた数Ｎ（Ｎは任意の自然数であり、１であってもよい）に到達したとき毎に行ってもよい。また例えば、外面４３２の洗浄を、ノズル４３が最後に昇華性物質用液を吐出した後に予め定められた時間が経過した時に行ってもよい。また例えば、外面４３２の洗浄を、外面４３２に昇華性物質の析出が認められたことが検出されたときに実行してもよい。昇華性物質の析出の検出は、例えば図示しない撮像装置により取得した画像を解析することにより行うことができる。また例えば、上記の複数の基準を組み合わせて適用することもできる。

洗浄は、洗浄液吐出口４７７から洗浄液（ＩＰＡ）をノズル４３の先端部４３１の外面４３２に噴射することにより行われる。外面４３２に噴射された洗浄液は、外面４３２上を下方に向かって流れた後に下方に落下し、ドレン孔４７１ａを通ってノズルバス４７１の外部に排出される。洗浄液吐出口４７７から噴射する洗浄液の温度は、先端部４３１の温度低下の防止の観点から、昇華性物質溶液の設定温度（ノズル４３から吐出されるときの温度）以上とすることが好ましい。つまり、洗浄液吐出口４７７から噴射する洗浄液は、ノズル４３を加熱する役割も有している。

なお、図３に示した構成より明らかなように、ノズルバス４７１は、ノズル４３からの昇華性物質溶液のダミーディスペンス受けとしての機能も有している。従って、ノズル４３が最後に昇華性物質溶液を吐出した後に比較的長時間が経過した後に、ノズル４３の内部に残留している昇華性物質溶液内で昇華性物質の析出が生じた場合には、ダミーディスペンスを行えばよい。

上記の実施形態によれば、昇華性物質溶液供給部４５からノズル４３に昇華性物質溶液を供給する供給ライン４４が温調部４６により暖められているので、供給ライン４４内の昇華性物質溶液の温度低下が防止され、ノズル４３に供給される昇華性物質溶液の温度低下も防止される。このため、昇華性物質溶液の温度低下に伴う昇華性物質の析出を防止することができる。なお、ノズル４３から吐出される昇華性物質溶液の温度が高くなると、（１）昇華性物質がパターンの凹部内に浸透し易くなる、（２）ウエハＷ表面の昇華性物質溶液の液膜の平坦度が向上する、（３）ウエハＷから飛散した昇華性物質溶液が回収カップ５０あるいはドレン配管の内面上で固化し難くなる、といった副次的メリットもある。

また、上記の実施形態によれば、ノズル４３の先端部４３１がノズルバス４７１内に収容されているときに温調ガス供給口４７２から供給された温調ガスによりノズル４３１が暖められるため、ノズル４３の外面４３２に付着した昇華性物質溶液の温度低下による、外面４３２上での昇華性物質の析出を防止することができる。

さらに、上記の実施形態によれば、ノズル４３の先端部４３１がノズルバス４７１内に収容されているときに洗浄液吐出口４７７から吐出された洗浄液により先端部４３１の外面４３２を洗浄することができるようになっているため、万一、外面４３２上で昇華性物質が析出したとしても、析出した昇華性物質をノズルバス４７１内で除去することができる。このため、析出した昇華性物質がチャンバ２０内で装置構成部材またはウエハＷに落下してプロセスに悪影響を及ぼすことはない。

上記の実施形態では、ノズルバス４７１の側壁に設けた温調ガス供給口４７２からノズルバス４７１の内部空間に供給される温調ガスにより、ノズルバス４７１の内部空間の雰囲気温度を上昇させたが、これには限定されない。例えば、ノズルバス４７１自体を暖めることにより、ノズルバス４７１の内部空間の雰囲気温度を上昇させてもよい。例えば、図４に示すように、ノズルバス４７１を構成するブロック体４７１ａに熱媒通路４７１ｂを設け、熱媒通路４７１ｂ内に加熱された熱媒、例えばホットＤＩＷを通流させてもよい。あるいは、ノズルバス４７１を構成するブロック体４７１ａに加熱素子（図示せず）、例えば抵抗加熱ヒータまたはペルチェ素子を設けてもよい。

Ｗ基板（半導体ウエハ）
３１基板保持部
４３，４４，４５供給部
４３ノズル
４３１ノズルの先端部
４３２ノズルの先端部の外面
４６；４７１ｂ；４７２，４７３，４７４加熱部
４７１洗浄槽、加熱槽（ノズルバス）

Claims

昇華性物質を溶媒に溶解してなる昇華性物質溶液を基板に供給する基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に対して設定温度の昇華性物質溶液を供給する供給部と、
前記供給部を前記設定温度よりも高く前記溶媒の沸点よりも低い温度に加熱する加熱部と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
前記供給部はノズルを含み、前記加熱部は前記ノズルの先端部の外面を加熱する、請求項１記載の基板処理装置。
前記加熱部は、前記ノズルの待機位置で前記ノズルを加熱する、請求項２記載の基板処理装置。
前記加熱部は、加熱されたガスまたは液体により前記ノズルを加熱する加熱槽を有する、請求項２または３記載の基板処理装置。
前記加熱槽は、前記ノズルを洗浄するために前記昇華性物質を溶解しうる洗浄液を吐出する洗浄液吐出口を有する、請求項４記載の基板処理装置。
前記ノズルの待機位置で、前記ノズルを、前記昇華性物質を溶解しうる洗浄液を用いて洗浄する洗浄槽をさらに備えた、請求項３記載の基板処理装置。
昇華性物質を溶媒に溶解してなる昇華性物質溶液をノズルを用いて基板に供給する基板処理装置において、前記ノズルの先端部の外面に付着した昇華性物質溶液中に含まれる昇華性物質が析出することを防止する昇華性物質析出防止方法において、
前記基板保持部に保持された基板に対して設定温度の昇華性物質溶液を供給する供給部を、前記供給部を前期設定温度よりも高く前記溶媒の沸点よりも低い温度に加熱することを含むことを特徴とする昇華性物質析出防止方法。
前記供給部はノズルを含み、前記ノズルが前記昇華性物質溶液を前記基板に供給していないときに前記ノズルの先端部を加熱する、請求項８記載の方法。
前記ノズルの待機位置に設けられた加熱槽内で、加熱されたガスまたは液体により前記ノズルを加熱する、請求項８記載の方法。