JP6742887B2 - 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 - Google Patents
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Description
まず本発明による基板処理装置について説明する。基板処理装置の一例として、基板であるウエハW(被処理体)に各種処理液を供給して液処理を行う液処理ユニット2と、液処理後のウエハWに付着している乾燥防止用の液体が搬送され、ウエハWに対して超臨界処理を施す超臨界処理ユニット3とを備えた液処理装置1について説明する。
フッ素含有有機溶剤を超臨界処理用のフッ素含有有機溶剤として選んだとき、第2のフッ素含有有機溶剤には、この超臨界処理用のフッ素含有有機溶剤よりも沸点の高い(蒸気圧が低い)ものが選ばれる。これにより、乾燥防止用の液体として超臨界処理用のフッ素含有有機溶剤を採用する場合と比較して、液処理ユニット2から超臨界処理ユニット3へと搬送される間に、ウエハWの表面からの揮発するフッ素含有有機溶剤量を低減することができる。
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について図1乃至図8(a)(b)を用いて説明する。
図8(a)(b)に示すように、超臨界処理用流体供給部414は、液体のFC72を貯留するタンク414Aと、送液用高圧ポンプ414Bと、N2ガス供給ライン414Cとを有している。
まず図6(a)に示すように、処理容器3Aのウエハ載置台311a上に、パターンWPを有するウエハWが載置される。この場合、ウエハWのパターンWP内には乾燥防止用の液体としての液体のFC43が残っている。
本発明ではFC43が乾燥する前にウエハW上に液体のFC72を供給する。液体のFC72をウエハW上に供給する時間は容器3A内をFC72超臨界で満たすよりも短時間である。ウエハW上の液体のFC72およびFC43の混合液は容器3A内で加熱されて揮発するが、揮発によって生じた容器内の混合気体の圧力がウエハ温度に応じた混合気体の蒸気圧に到達するとそれ以上揮発することができない。よって、ウエハW上の混合液の量が、容器3Aの容積×臨界密度から算出される、容器3A内を混合流体の超臨界状態とするに必要な量以上であれば、超臨界に到達するまでにウエハWが乾いてパターンが倒壊することがない。
次に本発明の変形例について、図9(a)(b)により説明する。
図9(a)(b)に示す変形例において、図1乃至図8(a)(b)に示す実施の形態と同一部分については同一符号を付して詳細な説明は省略する。
このため超臨界処理用流体供給ライン351から開閉弁352を開いて容器本体311の上部311Aを経てウエハW上にFC72を供給する際、同時に分岐ライン351Aから開閉弁352Aを開いて容器本体311の下部311Bを経て、容器本体311内へFC72を供給することができる。
1 液処理装置
2 液処理ユニット
3 超臨界処理ユニット
3A 処理容器
5 制御部
5a 記憶部
21 アウターチャンバー
121 第1の搬送機構
161 第2の搬送機構
201 処理液供給部
202 リンス液供給部
203a 第1のフッ素含有有機溶剤供給部
203b 第2のフッ素含有有機溶剤供給部
311 容器本体
311A 上部
311B 下部
311a ウエハ載置台
322 ヒーター
351 超臨界処理用流体供給ライン
351A 分岐ライン
414 超臨界処理用流体供給部
414A タンク
414B 送液用高圧ポンプ
141C N2ガス供給ライン
Claims (8)
- 乾燥防止用の液体で液盛りされた被処理体を超臨界処理ユニット用容器内へ搬送する工程と、
前記被処理体上に、前記乾燥防止用の液体と異なり、かつ前記乾燥防止用の液体と溶解性をもつ超臨界処理用流体を供給して前記被処理体上で前記乾燥防止用の液体と前記超臨界処理用流体の混合液を形成する工程と、
前記被処理体上の前記混合液を加熱し、前記混合液から超臨界状態の流体を形成して、前記被処理体に対して超臨界処理を施す工程とを備え、
前記超臨界処理ユニット用容器外の前記被処理体上へ前記超臨界処理用流体を供給することを特徴とする基板処理方法。 - 乾燥防止用の液体で液盛りされた被処理体を超臨界処理ユニット用容器内へ搬送する工程と、
前記被処理体上に、前記乾燥防止用の液体と異なり、かつ前記乾燥防止用の液体と溶解性をもつ超臨界処理用流体を供給して前記被処理体上で前記乾燥防止用の液体と前記超臨界処理用流体の混合液を形成する工程と、
前記被処理体上の前記混合液を加熱し、前記混合液から超臨界状態の流体を形成して、前記被処理体に対して超臨界処理を施す工程とを備え、
前記超臨界処理用流体は、前記超臨界処理ユニット用容器内のうち、前記被処理体より高温に加熱された部分に供給されることを特徴とする基板処理方法。 - 前記乾燥防止用の液体および前記超臨界処理用流体はフッ素含有有機溶剤を含むことを特徴とする請求項1または2記載の基板処理方法。
- 前記超臨界処理用流体の供給量は、「超臨界処理ユニット用容器の容積」×「混合液の臨界密度」から算出される、前記超臨界処理ユニット用容器内で混合液の蒸気圧が臨界点に到達するために必要な所定量以上であることを特徴とする請求項1または2記載の基板処理方法。
- 被処理体に対して超臨界処理を施す超臨界処理ユニット用容器と、
乾燥防止用の液体で液盛りされた前記被処理体を前記超臨界処理ユニット用容器内へ搬送する搬送手段と、
前記被処理体上に、前記乾燥防止用の液体と異なり、かつ前記乾燥防止用の液体と溶解性をもつ超臨界処理用流体を供給して前記被処理体上で前記乾燥防止用の液体と前記超臨界処理用流体の混合液を形成する超臨界処理用流体供給部と、
前記超臨界処理ユニット用容器内を加熱する加熱部とを備え、
前記超臨界処理ユニット用容器内で前記加熱部により前記混合液を加熱し、前記混合液から超臨界状態の流体を形成して前記被処理体に対して超臨界処理を施し、
前記超臨界処理用流体供給部は、前記超臨界処理ユニット用容器外の前記被処理体上へ前記超臨界処理用流体を供給することを特徴とする基板処理装置。 - 被処理体に対して超臨界処理を施す超臨界処理ユニット用容器と、
乾燥防止用の液体で液盛りされた前記被処理体を前記超臨界処理ユニット用容器内へ搬送する搬送手段と、
前記被処理体上に、前記乾燥防止用の液体と異なり、かつ前記乾燥防止用の液体と溶解性をもつ超臨界処理用流体を供給して前記被処理体上で前記乾燥防止用の液体と前記超臨界処理用流体の混合液を形成する超臨界処理用流体供給部と、
前記超臨界処理ユニット用容器内を加熱する加熱部とを備え、
前記超臨界処理ユニット用容器内で前記加熱部により前記混合液を加熱し、前記混合液から超臨界状態の流体を形成して前記被処理体に対して超臨界処理を施し、
前記超臨界処理用流体供給部は、前記超臨界処理用流体を前記超臨界処理ユニット用容器内のうち、前記被処理体より高温に加熱された部分に供給することを特徴とする基板処理装置。 - コンピュータに基板処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
基板処理方法は、乾燥防止用の液体で液盛りされた被処理体を超臨界処理ユニット用容器内へ搬送する工程と、
前記被処理体上に、前記乾燥防止用の液体と異なり、かつ前記乾燥防止用の液体と溶解性をもつ超臨界処理用流体を供給して前記被処理体上で前記乾燥防止用の液体と前記超臨界処理用流体の混合液を形成する工程と、
前記被処理体上の前記混合液を加熱し、前記混合液から超臨界状態の流体を形成して、前記被処理体に対して超臨界処理を施す工程とを備え、
前記超臨界処理ユニット用容器外の前記被処理体上へ前記超臨界処理用流体を供給することを特徴とすることを特徴とする記憶媒体。 - コンピュータに基板処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
基板処理方法は、乾燥防止用の液体で液盛りされた被処理体を超臨界処理ユニット用容器内へ搬送する工程と、
前記被処理体上に、前記乾燥防止用の液体と異なり、かつ前記乾燥防止用の液体と溶解性をもつ超臨界処理用流体を供給して前記被処理体上で前記乾燥防止用の液体と前記超臨界処理用流体の混合液を形成する工程と、
前記被処理体上の前記混合液を加熱し、前記混合液から超臨界状態の流体を形成して、前記被処理体に対して超臨界処理を施す工程とを備え
前記超臨界処理用流体は、前記超臨界処理ユニット用容器内のうち、前記被処理体より高温に加熱された部分に供給されることを特徴とすることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016219134A JP6742887B2 (ja) | 2016-11-09 | 2016-11-09 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016219134A JP6742887B2 (ja) | 2016-11-09 | 2016-11-09 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2018078200A JP2018078200A (ja) | 2018-05-17 |
JP6742887B2 true JP6742887B2 (ja) | 2020-08-19 |
Family
ID=62150657
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016219134A Active JP6742887B2 (ja) | 2016-11-09 | 2016-11-09 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6742887B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102378329B1 (ko) | 2019-10-07 | 2022-03-25 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013033963A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-14 | Semes Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP5607269B1 (ja) * | 2014-01-17 | 2014-10-15 | 株式会社東芝 | 基板処理方法及び装置 |
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2016
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2018078200A (ja) | 2018-05-17 |
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