KR20160047394A - 기판 액처리 장치 - Google Patents

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KR20160047394A
KR20160047394A KR1020150144634A KR20150144634A KR20160047394A KR 20160047394 A KR20160047394 A KR 20160047394A KR 1020150144634 A KR1020150144634 A KR 1020150144634A KR 20150144634 A KR20150144634 A KR 20150144634A KR 20160047394 A KR20160047394 A KR 20160047394A
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지로 히가시지마
마사미 아키모토
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 장치 내의 오염을 억제하면서 노즐 아암을 청정한 상태로 유지하는 것이 가능한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
기판 액처리 장치(16)에 있어서, 노즐 아암(42, 43)에 유지된 처리액 노즐(41)은 기판 유지부(31)에 유지된 기판(W)에 처리액을 공급하고, 아암 세정조(23)는 노즐 아암(42, 43)을 세정액 속에 침지시켜 이들 부재의 전체면를 세정한다.

Description

기판 액처리 장치{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판에 처리액을 공급하는 처리액 노즐을 유지한 노즐 아암을 청정하게 유지하는 기술에 관한 것이다.
기판인 반도체 웨이퍼(이하, 웨이퍼라고 함)에 약액 처리, 린스 처리 등의 액처리를 실시할 때에는, 노즐 아암에 유지된 처리액 노즐을 웨이퍼의 상측에 위치시켜 처리액을 공급한다. 그러나 처리액 노즐로부터 공급된 처리액은, 웨이퍼로부터의 반동 등에 의해 노즐 아암에 부착되는 경우가 있다. 이 처리액이 건조하면, 파티클의 발생 원인도 된다.
여기서 특허문헌 1에는, 세정액을 분출하는 복수의 분출 구멍이, 노즐 아암이 연장되는 방향을 따라서 나란히 형성되고, 노즐 아암을 향해서 세정액을 분사하여 세정을 행하는 샤워 노즐이 기재되어 있다. 그러나, 분출 구멍에 대향하지 않는 노즐 아암면에는 세정액을 공급하는 것이 어려워, 세정되지 않는 부분이 발생할 우려가 있다.
일본 특허 공개 제2013-26369호 공보 : 단락 0056∼0057, 0081, 도 3
본 발명은 이러한 사정하에 이루어진 것으로, 그 목적은 노즐 아암을 청정한 상태로 유지하는 것이 가능한 기판 액처리 장치를 제공하는 것에 있다.
본 발명의 기판 액처리 장치는,
기판을 유지하는 기판 유지부와,
상기 기판 유지부에 유지된 기판에 처리액을 공급하는 처리액 노즐과,
상기 처리액 노즐을 유지하는 노즐 아암과,
상기 노즐 아암을 움직임으로써, 기판에 처리액을 공급하는 처리 위치와, 상기 처리 위치로부터 후퇴한 후퇴 위치 사이에서, 상기 처리액 노즐을 이동시키는 구동 기구와,
상기 노즐 아암의 전체면을 세정액 속에 침지시켜 세정하기 위한 아암 세정조를 구비한 것을 특징으로 한다.
상기 기판 액처리 장치는, 이하의 구성을 구비하고 있어도 좋다.
(a) 상기 아암 세정조는, 상기 세정액을 공급하는 세정액 공급부와, 상기 아암 세정조의 세정액을 배출하는 세정액 배출부를 구비한 것. 이 때, 상기 구동 기구는 노즐 아암의 승강 기능을 갖추거나, 또는 상기 세정액 공급부는 아암 세정조 내의 세정액의 액면의 높이 위치의 조절 기능을 갖추고, 상기 세정액 속에 노즐 아암을 침지시켜 세정하는 세정 위치와, 상기 세정액에 처리액 노즐만을 침지시켜 세정하는 위치 사이에서, 상기 노즐 아암의 높이 위치 또는 상기 액면의 높이 위치를 제어하는 제어 신호를 상기 구동 기구 또는 세정액 공급부에 공급하는 제어부를 구비한 것.
(b) 상기 노즐 아암은, 발수성 부재에 의해 구성되어 있는 것. 상기 아암 세정조에, 상기 세정액보다 휘발성이 높은 건조액을 공급하는 건조액 공급부를 구비하고 있는 것. 상기 구동 기구는, 아암 세정조의 측방에 배치되고, 상기 노즐 아암은, 아암 세정조 내의 세정액에 침지 가능하도록, 상기 구동 기구에 의한 지지 위치로부터 아암 세정조측을 향해서 절곡되어 있는 것.
(c) 상기 아암 세정조에는, 그 아암 세정조 내의 세정액에 초음파 진동을 인가하기 위한 진동부가 설치되어 있는 것. 상기 아암 세정조 내의 세정액의 온도 조절을 행하는 온도 조절부를 구비한 것.
(d) 상기 아암 세정조의 내부에는, 상기 처리액 노즐로부터 토출된 처리액을 받아 외부로 배출하는 액받침부가 설치되어 있는 것. 또는, 상기 아암 세정조의 바닥부에는, 상기 처리액 노즐로부터 토출된 처리액을 받아 외부로 배출하는 액받침부가 설치되어 있는 것.
(e) 상기 아암 세정조에 연속적으로 세정액을 공급하는 세정액 공급부와, 상기 아암 세정조의 상단부를 둘레 방향으로 둘러싸도록 형성되고, 그 아암 세정조로부터 오버플로우한 세정액을 받아내어 세정액을 배출하기 위한 배출구를 구비한 배액홈부를 구비한 것.
본 발명은, 아암 세정조 내의 세정액에 노즐 아암을 침지시켜 세정을 행하기 때문에, 노즐 아암의 전체면을 세정할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 처리 유닛을 구비한 기판 처리 시스템의 개요를 나타내는 평면도이다.
도 2는 상기 처리 유닛의 개요를 나타내는 종단 측면도이다.
도 3은 제1 실시형태에 따른 처리 유닛의 평면도이다.
도 4는 상기 처리 유닛의 종단 측면도이다.
도 5는 상기 처리 유닛에 설치되어 있는 아암 세정조의 종단 측면도이다.
도 6은 액처리시의 상기 처리 유닛을 나타내는 종단 측면도이다.
도 7은 처리액 공급부 세정시의 처리 유닛을 나타내는 종단 측면도이다.
도 8은 제2 실시형태에 따른 처리 유닛의 종단 측면도이다.
도 9는 더미 디스펜스시의 아암 세정조를 나타내는 종단 측면도이다.
도 10은 노즐 세정시의 아암 세정조를 나타내는 종단 측면도이다.
도 11은 처리액 공급부 세정시의 처리 유닛을 나타내는 종단 측면도이다.
도 12는 처리액 공급부 세정시의 아암 세정조를 나타내는 종단 측면도이다.
도 13은 제3 실시형태에 따른 처리 유닛을 나타내는 종단 측면도이다.
도 14는 아암 세정조로부터 아암부를 끌어 올린 상태를 나타내는 종단 측면도이다.
도 15는 처리액 공급부 세정시의 처리 유닛을 나타내는 종단 측면도이다.
도 16은 처리액 공급부 세정시의 아암 세정조를 나타내는 종단 측면도이다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위해, 서로 직교하는 X축, Y축 및 Z축을 규정하고, Z축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수매의 기판, 본 실시형태에서는 반도체 웨이퍼[이하 웨이퍼(W)]를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 설치되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 설치된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선 반입반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출된 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)에 반입된다.
처리 유닛(16)에 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)에 복귀된다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.
챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.
기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 둘레로 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 따라, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.
회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는 배액구(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액구(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부에 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부에 배출하는 배기구(52)가 형성된다.
이상에 개략 구성을 설명한 처리 유닛(16)은, 처리 유체 공급부(40)에 설치되어 있는 노즐(41)이나 노즐 헤드부(42), 아암부(43)를 세정하는 아암 세정조(23)를 구비하고 있다. 이하, 아암 세정조(23)를 구비하는 처리 유닛(16)의 각종 실시형태에 관해 설명한다.
(제1 실시형태)
도 3∼도 5를 참조하면서 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 구성에 관해 설명한다.
도 3의 평면도에 나타낸 바와 같이, 본 예의 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W)에 대하여 서로 다른 처리액을 공급하기 위한 복수(본 예에서는 2개)의 처리 유체 공급부(40a, 40b)를 구비하고 있다. 회수컵(50)이나 처리 유체 공급부(40a, 40b)가 수용된 챔버(20)의 측벽면에는, 셔터(222)에 의해 개폐되는 웨이퍼(W)의 반입반출구(221)가 형성되어 있다. 처리 유체 공급부(40a)는, 상기 반입반출구(221)에 대하여, 회수컵(50)을 사이에 두고 안쪽에 배치되어 있다. 또한 처리 유체 공급부(40b)는, 반입반출구(221)에 대하여 회수컵(50)의 오른쪽에 배치되어 있다. 또 처리 유닛(16)에는, 복수의 처리 유체 공급부(40a, 40b)를 설치하는 경우에 한정되지 않고, 하나의 처리 유체 공급부(40)를 설치해도 좋다.
각 처리 유체 공급부(40a, 40b)는 공통의 구성을 구비하고, 처리 유체로서 약액이나 린스액 등의 처리액을 공급하기 때문에, 이하, 처리액 공급부(400)라고 부르고 통합하여 설명한다.
처리액 공급부(400)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리액의 공급을 행하는 노즐(처리액 노즐)(41)과, 노즐(41)을 유지하는 노즐 헤드부(42)와, 수평 방향으로 연장되도록 설치되고, 그 선단부에 상기 노즐 헤드부(42)가 설치된 아암부(43)와, 아암부(43)의 기단부를 지지하고, 상기 아암부(43)를 수직축 둘레로 회전 구동시키는 구동부(구동 기구)(44)를 구비한다. 노즐(41)은, 구동부(44)에 의해, 웨이퍼(W)의 상방의 처리 위치와, 이 처리 위치로부터 후퇴한 후퇴 위치 사이에서 이동할 수 있다. 도 4, 도 5 등에 있어서는, 노즐 헤드부(42)에 노즐(41)을 1개만 유지시킨 예를 나타내고 있지만, 그 노즐 헤드부(42)에는, 상이한 처리액을 공급하는 복수의 노즐(41)을 유지시켜도 좋다. 노즐 헤드부(42) 및 아암부(43)는 본 예의 노즐 아암을 구성하고 있다. 노즐(41)이나 노즐 헤드부(42), 아암부(43)는 불소 수지 등의 발수성 부재에 의해 구성된다.
각 처리액 공급부(400)의 배치 위치에서의 챔버(20) 내의 바닥면(201)에는, 노즐(41)이나 노즐 헤드부(42), 아암부(43)의 세정이 행해지는 아암 세정조(23)가 개구되어 있다(도 4). 아암 세정조(23)는, 상기 개구로부터 하방측을 향해서 오목부를 형성하도록 설치되고, 이 오목부 내에 노즐(41) 등을 세정하는 세정액이 저류된다.
상기 처리액 공급부(400)에 있어서, 구동부(44)는 아암 세정조(23)를 이루는 오목부의 바닥면으로부터 하방측으로 돌출되어 배치된다. 노즐(41)이 후퇴 위치로 후퇴했을 때, 노즐(41), 노즐 헤드부(42), 아암부(43)를 포함하는 처리액 공급부(400)의 전체, 및 아암부(43)를 지지하는 지주부(441)가 아암 세정조(23) 내에 수용된 상태가 된다(도 3, 도 4, 도 5).
또한, 구동부(44)는 수직축 둘레로 아암부(43)를 회전시키는 기능에 더하여, 지주부(441)를 신축시킴으로써, 노즐(41), 노즐 헤드부(42), 아암부(43)가 아암 세정조(23) 내에 수용된 상태가 되는 높이 위치(세정 위치)와, 이 세정 위치보다 상방측의 위치 사이에서, 아암부(43)를 승강시키는 기능을 구비한다. 본 예에 있어서, 세정 위치는, 처리 위치로부터 후퇴시킨 노즐(41)의 후퇴 위치를 겸하고 있다. 여기서, 세정 위치보다 상방측의 위치란, 노즐(41)을 처리 위치로 이동시키기 위해 필요한 높이 위치이다. 또한 신축 가능한 지주부(441)나, 구동부(44)와 지주부(441)의 연결부는 방수 구조로 되어 있다.
도 4, 도 5에 나타낸 바와 같이, 예컨대 아암 세정조(23)의 하면에는, 아암 세정조(23) 내에 세정액을 공급하기 위한 세정액 공급관(611)이 접속되어 있다. 세정액 공급관(611)의 상류측은, 개폐 밸브(V1)를 통해 세정액 공급부(61)에 접속되어 있다. 세정액 공급부(61)는, 노즐(41) 등을 세정하는 세정액인 순수[DIW(DeIonized Water)]를 저류하는 저류 탱크나, 세정액의 송액 펌프, 세정액 공급부(61)로부터 아암 세정조(23)로 송액한 세정액의 액량을 계측하는 액면계(計)나, 세정액의 온도 조절을 행하는 온도 조절부(모두 도시되지 않음)를 구비하고 있다. 아암 세정조에는, 아암 세정조(23) 내에 건조액을 공급하기 위한 건조액 공급관(631)이 접속되어 있다. 건조액 공급관(631)의 상류측은, 개폐 밸브(V5)를 통해 건조액 공급부(63)에 접속되어 있다. 건조액 공급부(63)는, 노즐(41) 등이 세정된 후의 건조를 촉진하기 위해, 세정액보다 휘발성이 높은 건조액인 이소프로필알콜(IPA)을 저류하는 저류 탱크나, 건조액의 송액 펌프나, 건조액의 온도 조절을 행하는 온도 조절부(모두 도시되지 않음)를 구비하고 있다. 또한, 아암 세정조에는, 아암 세정조(23) 내에 공급되는 세정액이나 건조액의 액면을 검출하는 액면 검출계(S)를 구비하고 있다. 또한, 아암 세정조에는, 아암 세정조(23) 내에 건조 가스를 공급하기 위한 건조 가스 공급관(641)이 접속되어 있다. 건조 가스 공급관(641)의 상류측은, 개폐 밸브(V6)를 통해 건조 가스 공급부(64)에 접속되어 있다. 또, 세정액을 IPA로 하는 경우나, 처리액 공급부(400)의 건조에 건조액이나 건조 가스가 필요없는 경우에는, 건조액 공급부(63) 및 건조 가스 공급부(64)는 없어도 좋다.
또한 아암 세정조(23)에는, 아암 세정조(23) 내의 세정액을 배출하기 위한 예컨대 2개의 배출관(621)이 설치되어 있다. 이들 배출관(621)은, 슬라이드 밸브 등으로 이루어진 개폐 밸브(622)를 통해 아암 세정조(23)의 하면에 접속되고, 각각, 하방측을 향해 연장되어 있다. 이들 배출관(621)은, 세정액 공급관(611) 등과 비교해서 대구경의 배관 부재에 의해 구성되며, 아암 세정조(23) 내의 세정액을 단시간에 배출할 수 있다. 아암 세정조(23)의 하방에는 아암 세정조(23)로부터 배출된 세정액을 수용하는 공통의 배출조(62)가 설치되어 있다.
배출조(62)는, 아암 세정조(23) 내의 세정액을 전량 수용하는 것이 가능하도록, 아암 세정조의 용량 이상의 용량을 가진다. 배출조(62)의 하면에는, 배출조(62) 내의 세정액을 외부로 배출하기 위한 배액관(623)이 접속되어 있다. 배액관(623)에는, 배출조(62) 내로부터 세정액을 배출할 때 개방되는 개폐 밸브(V2)가 설치되어 있다. 또, 아암 세정조(23)의 바닥면으로부터 하방측으로 돌출된 구동부(44)와 배출조(62)가 간섭하는 경우에는, 배출조(62)의 상면에, 구동부(44)를 삽입하는 오목부를 마련해도 좋다.
또한 아암 세정조(23)는, 노즐(41)이 후퇴 위치에 위치하고 있는 동안에 노즐(41) 내의 처리액을 토출하는 더미 디스펜스를 행할 때에, 노즐(41)로부터 토출된 처리액을 받는 액받침부(25)를 구비하고 있다. 액받침부(25)는, 그 상면측이 개구된 용기형상이며, 노즐(41)을 후퇴 위치(세정 위치)까지 이동시켰을 때, 그 액받침부(25) 내에 노즐(41)이 삽입된 상태가 되는 위치에 배치되어 있다. 액받침부(25)의 바닥면에는, 개폐 밸브(V3)가 개설(介設)되고, 노즐(41)로부터 토출된 처리액을 외부로 배출하기 위한 배출관(251)이 접속되어 있다. 또, 도시의 편의상, 도 3, 도 5 이외의 도면에 있어서는, 액받침부(25)의 기재를 생략한다.
또한 도 4에 나타낸 바와 같이, 아암 세정조(23)의 외벽면에는 아암 세정조(23) 내의 세정액에 초음파 진동을 인가(이하, 「초음파를 인가」라고도 함)하여 노즐(41) 등의 세정을 촉진하기 위한 진동부(24)가 설치되어 있다. 진동부(24)는, 도시하지 않은 진동 소자를 구비하고, 발진부(241)로부터 공급된 고주파 전력에 의해 진동 소자를 진동시킴으로써, 아암 세정조(23) 내의 세정액에 초음파를 인가한다. 발진부(241)에는, 급전부(242)로부터 전력이 공급된다.
이상에 설명한 처리액 공급부(400)의 구동부(44)나 세정액 공급부(61), 급전부(242), 각 밸브(V1∼V3, 622) 등은, 이미 설명한 제어부(18)로부터의 제어 신호에 따라서 각각의 동작을 실행한다.
이하, 도 3∼도 7을 참조하면서 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)의 작용에 관해 설명한다.
처리 대상인 웨이퍼(W)는 기판 반송 장치(17)에 의해 반송부(15) 내에서 반송되어, 반입반출구(221)를 통해 그 웨이퍼(W)의 처리를 행하는 처리 유닛(16) 내에 반입된 후, 기판 유지부인 유지부(31) 상의 유지 핀(311)에 전달된다. 웨이퍼(W)를 전달한 기판 반송 장치(17)가 처리 유닛(16)으로부터 후퇴하면, 셔터(222)에 의해 반입반출구(221)가 폐쇄된다.
이어서, 미리 설정된 순서에 기초하여, 처리 유체 공급부(40a, 40b)[처리액 공급부(400)]의 일방측을 후퇴 위치로부터 처리 위치까지 이동시킨다. 상세하게는 도 4, 도 5에 나타낸 바와 같이, 세정액이 공급되지 않은 비어 있는 상태의 아암 세정조(23) 내의 후퇴 위치에 노즐(41)이 후퇴한 상태로 되어 있다. 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하는 타이밍이 되면, 구동부(44)에 의해 상기 후퇴 위치의 상방측으로 아암부(43)를 상승시키고, 처리액 공급부(400)[노즐(41), 노즐 헤드부(42) 및 아암부(43)] 전체를 아암 세정조(23)의 개구를 통해 챔버(20) 내로 이동시킨다. 이어서, 구동부(44)에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)의 중앙부 상측의 처리 위치까지 노즐(41)을 이동시킨다(도 6). 또한, 예컨대 새로운 로트의 웨이퍼(W)의 처리를 개시하기 전에, 노즐(41)로부터 액받침부(25)로 처리액을 토출하는 더미 디스펜스를 행하고 나서 노즐(41)의 이동을 개시해도 좋다.
그 후, 웨이퍼(W)를 수직 축선 둘레로 소정의 회전 속도로 회전시키고, 노즐(41)로부터 처리액, 예컨대 약액을 공급하고, 회전하는 웨이퍼(W)의 표면에 약액을 확산시켜 웨이퍼(W)의 처리를 행한다. 그리고, 소정 시간 약액을 공급하면, 웨이퍼(W)에 공급하는 처리액을 DIW 등의 린스액으로 전환하여, 웨이퍼(W)의 린스 세정을 실행한다.
린스 세정의 실행후에는, 먼저 처리액을 공급한 처리 유체 공급부(40a, 40b)[처리액 공급부(400)]를 후퇴 위치까지 후퇴시킨다. 그리고, 동일한 순서로 타방측의 처리 유체 공급부(40b, 40a)를 후퇴 위치로부터 처리 위치까지 이동시키고, 노즐(41)로부터 처리액을 공급하여, 웨이퍼(W)의 액처리를 실행한다. 그 후, 타방측의 처리 유체 공급부(40b, 40a)를 후퇴 위치까지 후퇴시키고, 웨이퍼(W)의 회전을 정지시키고 나서, 외부의 기판 반송 장치(17)를 진입시켜 웨이퍼(W)를 반출한다.
이렇게 하여, 복수의 웨이퍼(W)에 대하여 처리액 공급부(400)[처리 유체 공급부(40a, 40b)]를 이용한 액처리가 순차적으로 행해지고, 각 처리액 공급부(400)의 노즐(41)은 후퇴 위치와 처리 위치 사이의 이동을 반복한다.
그리고, 예컨대 소정 매수의 웨이퍼(W)의 처리를 실행한 타이밍이나, 전회의 세정으로부터 소정 시간이 경과한 타이밍에, 처리액 공급부(400)[노즐(41), 노즐 헤드부(42) 및 아암부(43)]를 세정한다.
처리액 공급부(400)를 세정할 때에는, 도 4, 도 5에 나타내는 아암 세정조(23) 내의 세정 위치(이미 설명한 후퇴 위치이기도 함)에 노즐(41)을 정지시키고, 노즐(41), 노즐 헤드부(42), 아암부(43) 전체를 아암 세정조(23) 내에 수용한 상태로 한다. 또한, 노즐(41) 내부나 아암부(43)에 설치된 배관 내의 처리액은, 상류측의 도시하지 않은 회수 배관측으로 되돌려서 회수하고, 이들 노즐(41)이나 세정액 속에 침지되는 처리액의 공급 배관 내부를 비어 있는 상태로 하고 나서 처리액 공급부(400)를 세정해도 좋다.
처리액 공급부(400)를 세정하는 준비가 완료되면, 배출관(621)의 개폐 밸브(622), 배출관(251)의 개폐 밸브(V3)를 폐쇄한 상태로, 세정액 공급관(611)의 개폐 밸브(V1)를 개방하고, 세정액 공급부(61)로부터 아암 세정조(23)에 소정량의 세정액을 공급한다. 세정액 공급부(61)로부터 아암 세정조(23)에 공급되는 세정액의 액량은, 도 7에 나타낸 바와 같이, 세정 위치에 있는 노즐(41), 노즐 헤드부(42) 및 아암부(43)의 전체가 세정액(L) 속에 침지된 상태가 되고, 또한, 아암 세정조(23)로부터 세정액(L)이 흘러넘치지 않는 양으로 설정되어 있다. 또한 액면 검출계(S)에 의해 액면을 제어해도 좋다.
세정액(L)의 공급을 완료하면, 발진부(241)를 작동시켜 진동부(24)로부터 아암 세정조(23) 내의 세정액(L)에 초음파를 인가하고, 처리액 공급부(400)의 세정을 실행한다. 그 결과, 노즐(41)이나 노즐 헤드부(42), 아암부(43)의 표면에 부착된, 처리액으로부터 기인하는 오염이 제거된다.
소정 시간만큼 처리액 공급부(400)를 세정하면, 진동부(24)로부터의 초음파의 인가를 정지하고, 2개의 배출관(621)의 개폐 밸브(622)를 개방하여, 아암 세정조(23) 내의 세정액(L)을 배출조(62)를 향해 배출한다. 이 때, 비교적 구경이 큰 복수의 배출관(621)을 이용함으로써, 세정액(L)의 배출에 요하는 시간을 짧게 하여, 웨이퍼(W)의 액처리의 재개가 가능해지기까지의 시간을 단축할 수 있다. 상기한 바와 같이 세정액(L)을 배출하는 시간은 짧은 편이 바람직하지만, 과도하게 급속히 배출하면 액적이 남기 쉽기 때문에, 액적이 남기 어려운 속도로 액면을 서서히 하강시키는 것이 바람직하다. 그 때문에, 개폐 밸브(622)의 개방도는 제어할 수 있으면 더욱 좋다. 또한, 노즐 헤드부(42) 및 아암부(43)에 발수성 부재를 이용하고 있기 때문에, 세정액(L)의 액적이 노즐 헤드부(42) 및 아암부(43)의 표면에 잔류하지 않고 배출할 수 있다. 그 결과, 세정액(L)의 액적이 건조함으로써 결정화하여 파티클의 원인이 되는 것을 억제할 수 있다. 아암 세정조(23)로부터 배출된 세정액(L)은 배출조(62)에 수용되고, 배액관(623)을 통해 별도로 배출된다. 또한 액받침부(25) 내에 진입한 세정액(L)에 관해서도 배출관(251)의 개폐 밸브(V3)를 개방하여 외부로 배출한다. 이상으로 처리액 공급부(400)의 일련의 세정 처리가 종료된다.
아암 세정조(23)로부터 세정액(L)이 배출되면, 개폐 밸브(622)를 폐쇄하고, 처리액 공급부(400)의 사용을 재개할 수 있는 상태로 한다.
여기서, 아암 세정조(23)의 내면으로부터 신속하게 세정액(L)이 제거되도록, 아암 세정조(23)를 불소 수지 등의 발수성 부재에 의해 구성해도 좋다. 또한, 노즐(41)이나 노즐 헤드부(42), 아암부(43)에 개폐 밸브(V6)를 개방하여 건조 가스 공급부(64)로부터 건조 가스를 분사하여, 그 표면을 건조시켜도 좋다. 건조 가스는 질소 등의 불활성 가스나, 제습된 공기가 바람직하다. 또한, 처리액 공급부(400)의 일련의 세정 처리를 반복하여 행해도 좋다.
또한, 예컨대 장시간 처리액 공급부(400)로부터 처리액을 공급하지 않은 상태로부터 미리 설정된 온도로 조절된 처리액을 공급하는 경우에는, 더미 디스펜스를 행하여 처리액을 소정량 버리고, 처리액 공급부(400)의 워밍업을 행하는 경우가 있다. 이 동작 대신, 또한, 이 동작에 더하여, 세정액 공급부(61)에 설치된 온도 조절부를 이용하여, 아암 세정조(23)에 공급하는 세정액(L)의 온도를 상기 미리 설정된 온도로 조절해도 좋다. 이에 따라, 세정과 병행하여 처리액 공급부(400)의 워밍업이 실시되어, 세정 종료후, 미리 설정된 온도로 조절된 처리액을 웨이퍼(W)에 공급할 수 있기 때문에, 더미 디스펜스를 행하지 않거나, 또는 적은 더미 디스펜스 횟수로 즉시 웨이퍼(W)의 처리를 개시할 수 있다. 또한, 더미 디스펜스만을 행하는 경우와 비교하여, 처리액의 소비량을 저감할 수도 있다. 또, 세정액(L)의 온도 조절은, 아암 세정조(23)에 설치한 히터 등에 의해 행해도 좋다.
또, 전술한 예에서는 노즐(41)의 후퇴 위치와 처리액 공급부(400)의 세정 위치가 일치하는 경우를 설명했지만, 이들의 위치가 일치하는 것은 필수적인 요건은 아니다.
(제2 실시형태)
이어서 도 8∼도 12를 참조하면서, 아암 세정조(23)의 상측에 구동부(44a)를 설치한 제2 실시형태에 따른 처리 유닛(16a(16))에 관해 설명한다.
또, 이하의 각 실시형태의 설명에 이용하는 도 8∼도 15에 있어서는, 도 3∼도 7을 이용하여 설명한 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)과 공통의 구성요소에 대해서는, 이들 도면에서 이용한 것과 공통의 부호를 붙인다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 본 예의 처리 유닛(16a)은 처리액 공급부(400)의 구동부(44a)가 챔버(20)의 천장면에 배치되어 있는 점이, 아암 세정조(23)의 하방측에 구동부(44)를 설치한 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)과 상이하다. 그 결과, 상기 천장면에 있어서, 구동부(44a)는 아암 세정조(23)의 개구의 상방측의 위치에 배치되고, 아암부(43)는 구동부(44a)에 의해 그 기단부가 상면측으로부터 유지되어 있다.
또한 도 8, 도 9에 나타낸 바와 같이, 노즐(41)의 더미 디스펜스용의 액받침부(25a)가 아암 세정조(23)의 바닥면에 설치되어 있는 점이, 아암 세정조(23)의 공간 내에 액받침부(25)를 배치한 제1 실시형태와 상이하다. 또한, 본 실시형태에 있어서는, 제1 실시형태와 비교하여 아암 세정조(23)의 높이 치수가 낮게 되어 있다. 그 결과, 아암 세정조(23) 내의 세정액(L)의 저류량이 적기 때문에, 세정액(L)의 배출에 있어서는, 배출관(621)보다 구경이 작은 단독의 배액관(623)을 이용하여 세정액(L)의 배출을 행하는 구성으로 되어 있다.
또한 본 예의 처리 유닛(16a)에 있어서는, 세정액 공급부(61)로부터의 세정액(L)의 공급량을 조절하여, 아암 세정조(23) 내에서의 세정액(L)의 액면의 높이 위치를 바꿀 수도 있다.
전술한 구성을 구비한 처리 유닛(16a)의 작용에 관해 설명한다. 예컨대 도 9에 나타낸 바와 같이 아암 세정조(23)의 바닥면에 설치된 액받침부(25a)에 노즐(41)이 삽입된 상태가 되는 위치가 후퇴 위치로서 설정되어 있는 것으로 한다.
이 때, 후퇴 위치(도 9)와 처리 위치(도 8) 사이에서 노즐(41)을 이동시키면서, 회전하는 웨이퍼(W)에 처리액을 공급하여 웨이퍼(W)의 액처리를 실행하는 점이나 소정의 타이밍에 액받침부(25a)를 향해 노즐(41)의 더미 디스펜스를 행하는 점은, 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)과 동일하다.
한편, 처리액의 공급을 실행하는 노즐(41)은, 아암부(43) 등과 비교하여 처리액에 의한 오염이 발생하기 쉽다. 이 때문에, 노즐(41)에 관해서는 세정이 필요하더라도, 노즐 헤드부(42)나 아암부(43)에 관해서는 거기까지의 오염이 발생하지 않는 경우도 있다. 이러한 경우까지, 처리액 공급부(400)[노즐(41), 노즐 헤드부(42), 아암부(43)]의 전체를 세정액(L) 내에 침지하여 세정을 행하면, 세정액(L)의 소비량이 증대되는 요인도 된다.
따라서 본 예의 처리 유닛(16a)은, 세정액 공급부(61)로부터 공급되는 세정액(L)의 양을 조절함으로써, 아암 세정조(23) 내에서의 세정액(L)의 액면의 높이 위치를 변화시켜, 노즐(41)을 단독으로 세정하는 모드와, 처리액 공급부(400)를 세정하는 모드를 전환할 수 있다.
예컨대 도 10, 도 12에 나타낸 바와 같이, 액받침부(25a)로부터 노즐(41)이 빠진 상태가 되는 위치를 세정 위치로 한다. 이 때, 노즐(41)을 단독으로 세정하는 모드에 있어서는, 노즐(41)만이 세정액(L)에 침지되도록, 세정액 공급부(61)로부터의 세정액(L)의 공급량을 조절한다(도 10). 한편, 처리액 공급부(400)를 세정하는 모드에 있어서는, 노즐(41), 노즐 헤드부(42) 및 아암부(43)의 전체가 세정액(L)에 침지되는 위치까지 세정액(L)의 공급량을 늘린다(도 11, 도 12).
이들 각 모드에 있어서, 진동부(24)를 작동시켜, 세정액(L)에 초음파를 인가하여 세정을 실행하는 점이나, 세정이 완료되면 아암 세정조(23) 내의 세정액(L)을 배출하는 점은 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)과 동일하다.
또, 노즐(41) 단독의 세정 모드와, 처리액 공급부(400)의 세정 모드의 전환은, 아암 세정조(23) 내의 액면의 높이 위치를 변화시키는 방법에 한정되지 않는다. 예컨대, 처리액 공급부(400)의 세정을 실시 가능한 높이 위치까지 아암 세정조(23)에 세정액(L)을 공급하고(도 11, 도 12), 이 세정액(L)에 노즐(41)만을 침지시키는 높이 위치와, 노즐(41), 노즐 헤드부(42) 및 아암부(43)를 침지시키는 높이 위치에서, 구동부(44a)에 의한 아암부(43)의 유지 높이를 변화시켜도 좋다. 단, 도 10을 이용하여 설명한 바와 같이, 세정액(L)의 공급량을 변화시키는 편이 세정액의 소비량을 저감하는 효과를 얻을 수 있다.
(제3 실시형태)
계속해서 도 13∼도 16은 제3 실시형태에 따른 처리 유닛(16b(16))을 나타내고 있다.
본 예의 처리 유닛(16b)은, 처리액 공급부(400)의 구동부(44b)가, 아암 세정조(23)의 외측인 챔버(20)의 바닥면(201) 상에 배치되어 있는 점이, 진동부(24)의 하방측에 구동부(44)를 설치한 제1 실시형태에 따른 처리 유닛(16)과 상이하다(도 13, 도 14). 예컨대 구동부(44b)는, 아암 세정조(23)의 개구의 측방 위치에 있는 바닥면(201) 상에 배치되어 있다.
구동부(44b)는 바닥면(201)으로부터 상방측을 향해 연장되도록 배치되고, 아암부(43a)는 그 구동부(44b)의 상단부에서 하면측으로부터 지지되어 있다. 그리고 도 13, 도 16 등에 나타낸 바와 같이, 측면측에서 본 아암부(43a)는, 구동부(44b)에 의한 지지 위치의 측방에서 하방측을 향해 연장된 세로 봉(棒) 부분과, 세로 봉 부분의 하단으로부터 가로 방향을 향해 연장된 가로 봉 부분으로 구성되고, 계단형상으로 되어 있다. 구동부(44b)가 아암부(43a)를 세정 위치까지 하강시켰을 때, 아암부(43a)의 가로 봉 부분과, 노즐 헤드부(42) 및 노즐(41)이 세정액(L) 내에 침지된 상태가 된다(도 16).
또한 본 예의 처리 유닛(16b)은, 아암 세정조(23) 내에 항상 세정액(L)을 채운 상태로 웨이퍼(W)의 처리를 행한다. 아암 세정조(23)의 개구의 주위에는, 그 개구를 외방측으로부터 둘레 방향으로 둘러싸도록 배출홈부(231)가 형성되어 있다. 그리고, 세정액 공급부(61)로부터는, 아암 세정조(23)에 대하여 소정량의 세정액(L)이 연속적으로 공급되고, 아암 세정조(23) 내의 세정액(L)은, 아암 세정조(23)의 측벽의 상단으로부터 배출홈부(231) 내부를 향해 오버플로우한다.
배출홈부(231)에 유입된 세정액(L)은, 이 배출홈부(231)의 바닥면에 접속된 배액관(232)을 향해 배출된다. 배액관(232)에는 개폐 밸브(V4)가 설치되고, 통상은 이 배액관(232)은 개방되어 있고, 배출홈부(231)에 유입된 세정액(L)은 배액관(232)으로부터 연속적으로 배출된다(도 14). 그 결과, 아암 세정조(23) 내에서는, 새로운 세정액(L)의 공급과, 아암 세정조(23)로부터 오버플로우한 세정액(L)의 배출이 연속적으로 행해져, 세정액(L)이 오염이 적은 상태로 유지되고 있다.
배출홈부(231)와의 접속 위치에서의 배액관(232)의 개구는, 배출홈부(231)의 배출구에 해당한다. 또 도시의 편의상, 도 14, 도 16 이외의 도면에서는, 배액관(232)의 기재는 생략한다.
전술한 구성을 구비하는 본 예의 처리 유닛(16b)에 있어서는, 노즐(41), 노즐 헤드부(42) 및 아암부(43a)의 선단측의 가로 봉 부분이 세정액(L)에 침지된 상태가 되는 위치에, 후퇴 위치가 설정되어 있다. 즉, 그 처리 유닛(16b)에서는, 노즐(41)의 후퇴 위치가 처리액 공급부(400)의 세정 위치를 겸하여, 노즐(41)을 후퇴 위치로 후퇴시킬 때마다 처리액 공급부(400)의 세정이 행해지게 된다.
노즐(41)을 후퇴 위치로 후퇴시켰을 때에 행해지는 세정에 관해, 진동부(24)로부터는, 항상 초음파를 인가해도 좋고, 소정 매수의 웨이퍼(W)를 처리한 후 등의 타이밍에 초음파를 인가해도 좋다.
또한 구동부(44b)를 바닥면(201) 상에 설치한 경우에는, 아암부(43a)의 기단측에 존재하는 세로 봉 부분의 일부는 세정액(L) 속에 침지되지 않는다. 그러나 그 부분은 처리액의 공급이 행해지는 노즐(41)로부터 멀어, 오염 발생의 우려가 작은 영역이면서, 처리 대상인 웨이퍼(W)로부터도 먼 위치에 배치되어 있다. 따라서, 처리액이 부착되었다 하더라도, 이 부착물이 웨이퍼(W)의 오염 원인이 될 우려도 작다.
세정액(L) 속의 후퇴 위치로 노즐(41)을 후퇴시킨 상태로부터, 웨이퍼(W)의 처리를 행할 때에는, 노즐(41)이나 노즐 헤드부(42), 아암부(43a)의 표면에 세정액(L)의 액적이 남지 않을 정도의 속도로, 천천히 아암 세정조(23)의 상측으로 끌어 올린 후, 노즐(41)을 처리 위치로 이동시킨다. 이 때, 노즐 헤드부(42)의 상면이나 아암부(43a)의 상면에 세정액(L)의 액적이 남지 않도록, 이들 부재(42, 43a)의 상면에 내측으로부터 외측을 향해 점차 낮아지는 경사면을 형성해도 좋다.
노즐(41)의 더미 디스펜스를 행하는 경우에는, 아암 세정조(23) 내의 세정액(L)을 향해 처리액을 토출해도 좋다.
또한 여기서, 아암 세정조(23)의 세정액(L)에 대해서는, 세정액 공급부(61)로부터 항상 새로운 세정액(L)을 공급하는 방식을 채택하지 않아도 좋다. 예컨대 소정 매수의 웨이퍼(W)를 처리할 때마다, 또는 소정 시간이 경과한 타이밍에 아암 세정조(23) 내의 세정액(L)을 교체해도 좋다. 이 경우에는, 아암 세정조(23)의 상단으로부터 오버플로우시킨 세정액을 받아내는 배출홈부(231)를 형성하지 않아도 좋다.
또한, 세정액 공급부(61)로부터의 세정액(L)의 연속 공급을 행하는 경우라 하더라도, 아암 세정조(23)에 배출홈부(231)를 형성하는 것은 필수적인 요건은 아니다. 세정액 공급부(61)로부터의 세정액(L)의 공급을 행하면서, 아암 세정조(23)에 접속된 배액관(623)로부터 아암 세정조(23) 내의 세정액(L)을 배출해도 좋다.
이상에 설명한 제1∼제3 실시형태에 따른 처리 유닛(16, 16a, 16b)에 의하면 이하의 효과가 있다. 아암 세정조(23)의 세정액(L)에 노즐(41) 및 노즐 헤드부(42), 아암부(43, 43a)(노즐 아암)를 침지시켜 세정을 행하기 때문에, 세정액(L)의 반동에 의한 챔버(20) 내의 오염을 억제하면서, 이들 부재의 전체면을 세정할 수 있다.
여기서 제1∼제3 각 실시형태에서 설명한 개별적인 요소 기술은, 서로 교체해도 좋다. 예컨대, 도 4에 나타내는 처리 유닛(16), 도 13에 나타내는 처리 유닛(16b)에, 도 10, 도 12를 이용하여 설명한 기술을 적용하여, 세정액(L)이 공급되지 않은 아암 세정조(23) 내의 후퇴 위치로 노즐(41)을 후퇴시키고, 세정을 행할 때에는 세정액(L)의 액면의 높이 위치를 변화시켜, 노즐(41)의 세정 모드와 처리액 공급부(400)의 세정 모드를 전환해도 좋다. 또한 도 4에 나타내는 처리 유닛(16), 도 8에 나타내는 처리 유닛(16a)에, 도 16을 이용하여 설명한 기술을 적용하여, 후퇴 위치에서 처리액 공급부(400) 전체[노즐(41), 노즐 헤드부(42) 및 아암부(43)]가 세정액(L) 속에 침지된 상태가 되도록, 항상 아암 세정조(23)에 세정액(L)을 채운 상태로 해도 좋다.
또한, 복수의 배출관(621)을 이용한 단시간 배액은, 도 8에 나타내는 처리 유닛(16a), 도 13에 나타내는 처리 유닛(16b)에 적용해도 좋고, 도 4에 나타내는 처리 유닛(16)에 있어서, 구경이 작은 배액관(623)을 이용하여 배액을 행해도 좋다.
그리고, 노즐(41)의 후퇴 위치를 아암 세정조(23)의 내측에 설치하는 것도 필수적인 요건은 아니다. 예컨대, 노즐(41)의 후퇴 위치를 아암 세정조(23)의 개구보다 상방측에 설정하고, 더미 디스펜스나 처리액 공급부(400)를 세정할 때에만 노즐(41)이나 아암부(43) 등을 진동부(24) 내에 하강시켜도 좋다. 또한, 아암 세정조(23)와, 웨이퍼(W)의 처리 위치의 사이에 액받침부(25)를 설치하고, 그 액받침부(25)의 설치 위치를 후퇴 위치로 해도 좋다.
이어서 세정액의 변형예을 설명하면, 처리액 공급부(400)의 세정에는, 이미 설명한 DIW 외에, 노즐 헤드부(42)나 아암부(43)의 표면에 부착되어 있는 유기성의 오염이나 파티클을 제거하기 위한 SC1(암모니아수와 과산화수소수의 혼합 수용액), 금속 오염을 제거하기 위한 SC2(염산, 과산화수소수 및 순수의 혼합 용액), 금속 부재의 표면의 자연 산화물을 제거하기 위한 DHF(Diluted HydroFluoric acid) 등을 공급 가능하도록 세정액 공급부(61)를 구성해도 좋다. 또한, 상기 SC1, SC2, DHF에 의한 세정 후 DIW에 의한 세정을 행할 수 있도록 전환 기구를 구비하면 더욱 좋다. 또한, 세정액에 의한 세정 후, 아암 세정조(23) 내의 세정액을 건조액과 교체하고 나서, 아암 세정조(23) 내의 건조액을 배출함으로써, 노즐 헤드부(42)나 아암부(43)의 건조를 촉진해도 좋다. 예컨대, DIW에 의한 세정 후에, 건조액으로서 IPA 등을 이용해도 좋다. 또한, 세정액에 의한 세정 후, 아암 세정조(23) 내의 세정액 상면에 건조액의 층을 형성하고, 아암 세정조(23) 내의 세정액과 건조액을 배출함으로써, 노즐 헤드부(42)나 아암부(43)의 건조를 촉진해도 좋다. 그 때의 세정액과 건조액의 배출 속도는, 액적이 남기 어려운 속도로 건조액의 액면을 서서히 하강시키는 것이 바람직하다. 이 경우, 아암 세정조(23) 내에 대한 건조액 공급부는, 아암 세정조(23) 내의 아암부(43)보다 상방에 설치하면, 세정액 상면에 건조액의 층을 형성하기 쉽다.
그 밖에, 초음파의 인가 등에 의해 발생하는 미스트가 챔버(20) 내에 유입되는 것을 방지하기 위해, 처리액 공급부(400)의 세정 중, 아암 세정조(23)의 개구를 막는 덮개를 설치해도 좋고, 상기 개구를 가로지르도록 에어 커튼을 형성해도 좋다. 또한 진동부(24)를 설치하는 것도 필수가 아니며, 가온한 세정액으로 처리액 공급부(400)를 세정해도 좋고, 상온의 세정액에 침지하는 것만으로 처리액 공급부(400)를 세정할 수도 있다.
아암 세정조(23)의 배치의 다른 예로서, 하나의 아암 세정조(23)에 복수의 처리액 공급부(400)를 침지하여 세정을 행해도 좋다. 또한, 아암 세정조(23)의 개구는, 챔버(20)의 바닥면(201)과 단차가 없도록 구성하는 것 외에, 예컨대 아암 세정조(23)를 상기 바닥면(201) 상에 배치하거나 하여, 바닥면(201)보다 상방측에 그 아암 세정조(23)를 개구시켜도 좋다.
나아가, 유지부(31)나 처리액 공급부(400)의 구성에 관해서도, 도 3∼도 16을 이용하여 설명한 예에 한정되지 않는다. 예컨대, 웨이퍼(W)를 회전시키지 않고 고정된 상태로 유지하는 유지부(31)를 이용하고, 이 유지부(31) 상에 수평으로 유지된 웨이퍼(W)와 대향하도록 개구되고, 웨이퍼(W)의 직경보다 긴 슬릿형의 토출구를 구비한 노즐(41)과, 상기 토출구로부터 현상액을 토출하면서 기판의 일단으로부터 타단으로 노즐(41)을 이동시켜 웨이퍼(W) 전체에 처리액을 공급하기 위해, 그 노즐(41)을 유지하는 아암부(43)를 구비한 처리 유닛이 알려져 있다. 이들노즐(41) 및 아암부(43)를 아암 세정조(23) 내에 침지하여 세정을 행해도 좋다.
L : 세정액 V1∼V4 : 개폐 밸브
W : 웨이퍼 16, 16a, 16b : 처리 유닛
23 : 아암 세정조 24 : 진동부
25, 25a : 액받침부 400 : 처리액 공급부
41 : 노즐 42 : 노즐 헤드부
43, 43a : 아암부 44 : 구동부
50 : 회수컵 61 : 세정액 공급부
611 : 세정액 공급관

Claims (13)

  1. 기판을 유지하는 기판 유지부와,
    상기 기판 유지부에 유지된 기판에 처리액을 공급하는 처리액 노즐과,
    상기 처리액 노즐을 유지하는 노즐 아암과,
    상기 노즐 아암의 전체면을 세정액 속에 침지시켜 세정하기 위한 아암 세정조
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 아암 세정조에 상기 노즐 아암과 상기 처리액 노즐이 동시에 수용되고, 상기 세정액 속에 동시에 침지되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 아암 세정조는,
    상기 세정액을 공급하는 세정액 공급부와,
    상기 아암 세정조의 세정액을 배출하는 세정액 배출부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 노즐 아암은, 발수성 부재에 의해 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 아암 세정조에, 상기 세정액보다 휘발성이 높은 건조액을 공급하는 건조액 공급부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 노즐 아암을 구동시키는 구동 기구를 구비하고,
    상기 구동 기구는 아암 세정조의 측방에 배치되고, 상기 노즐 아암은, 아암 세정조 내의 세정액에 침지 가능하도록, 상기 구동 기구에 의한 지지 위치의 측방에서 하방을 향해 연장된 세로 봉 부분과, 세로 봉 부분의 하단으로부터 가로 방향을 향해 연장된 가로 봉 부분으로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 아암 세정조에는, 그 아암 세정조 내의 세정액에 초음파 진동을 인가하기 위한 진동부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 세정액의 온도 조절을 행하는 온도 조절부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 아암 세정조의 내부에는, 상기 처리액 노즐로부터 토출된 처리액을 받아 외부로 배출하는 액받침부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 아암 세정조의 바닥부에는, 상기 처리액 노즐로부터 토출된 처리액을 받아 외부로 배출하는 액받침부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  11. 제3항에 있어서, 상기 노즐 아암을 구동시키는 구동 기구를 구비하고,
    상기 구동 기구는 노즐 아암의 승강 기능을 갖추거나, 또는 상기 세정액 공급부는 아암 세정조 내의 세정액의 액면의 높이 위치의 조절 기능을 갖추고,
    상기 세정액 속에 노즐 아암을 침지시켜 세정하는 세정 위치와, 상기 세정액에 처리액 노즐만을 침지시켜 세정하는 위치 사이에서, 상기 노즐 아암의 높이 위치 또는 상기 액면의 높이 위치를 제어하는 제어 신호를 상기 구동 기구 또는 세정액 공급부에 공급하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  12. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 아암 세정조에 연속적으로 세정액을 공급하는 세정액 공급부와,
    상기 아암 세정조의 상단부를 둘레 방향으로 둘러싸도록 설치되고, 그 아암 세정조로부터 오버플로우한 세정액을 받아내어 세정액을 배출하기 위한 배출구를 구비한 배액홈부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
  13. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 아암 세정조의 하방에는, 상기 아암 세정조로부터 배출된 상기 세정액을 수용하는 배출조를 구비하고,
    상기 배출조는, 아암 세정조의 용량 이상의 용량을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 액처리 장치.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190035708A (ko) * 2016-08-09 2019-04-03 콘도 고교 가부시키가이샤 반도체 제조 장치

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3315973B1 (en) * 2015-06-29 2023-05-24 Hitachi High-Tech Corporation Ultrasonic cleaning device and automatic analysis apparatus using same
US20170084470A1 (en) * 2015-09-18 2017-03-23 Tokyo Electron Limited Substrate processing apparatus and cleaning method of processing chamber
JP6473409B2 (ja) * 2015-11-10 2019-02-20 株式会社Screenホールディングス ノズル待機装置および基板処理装置
US10388537B2 (en) * 2016-04-15 2019-08-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Cleaning apparatus, chemical mechanical polishing system including the same, cleaning method after chemical mechanical polishing, and method of manufacturing semiconductor device including the same
KR20170128801A (ko) 2016-05-16 2017-11-24 삼성전자주식회사 기판 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP6865008B2 (ja) * 2016-09-30 2021-04-28 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
WO2019145988A1 (en) * 2018-01-29 2019-08-01 Corob S.P.A. Cleaning device and corresponding method
IT201800002124A1 (it) * 2018-01-29 2019-07-29 Corob Spa Dispositivo pulitore e relativo metodo
JP7236318B2 (ja) * 2019-04-26 2023-03-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、及び液処理方法
US11256180B2 (en) * 2019-04-29 2022-02-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Processing apparatus and method thereof
CN112676065A (zh) * 2020-12-17 2021-04-20 江西环境工程职业学院 一种家具喷涂装置
JP2022104013A (ja) * 2020-12-28 2022-07-08 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005205329A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
KR20120083841A (ko) * 2011-01-18 2012-07-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치 및 액 처리 방법
JP2013026369A (ja) 2011-07-20 2013-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 洗浄処理装置および洗浄処理方法
KR20130015637A (ko) * 2011-08-04 2013-02-14 세메스 주식회사 기판처리장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04367214A (ja) * 1991-06-14 1992-12-18 Fujitsu Ltd レジスト現像装置および方法
JP3808649B2 (ja) * 1998-12-10 2006-08-16 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3836305B2 (ja) * 2000-07-24 2006-10-25 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置
JP3713447B2 (ja) * 2001-04-05 2005-11-09 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置
JP4011900B2 (ja) 2001-12-04 2007-11-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP5734705B2 (ja) * 2011-03-02 2015-06-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
US9082802B2 (en) * 2011-11-28 2015-07-14 Macronix International Co., Ltd. Wafer centering hardware design and process
JP2013211367A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液供給装置およびその処理液供給装置を備えた基板処理装置および基板処理方法
JP5965729B2 (ja) * 2012-05-31 2016-08-10 東京エレクトロン株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法および基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005205329A (ja) * 2004-01-23 2005-08-04 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
KR20120083841A (ko) * 2011-01-18 2012-07-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액 처리 장치 및 액 처리 방법
JP2013026369A (ja) 2011-07-20 2013-02-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 洗浄処理装置および洗浄処理方法
KR20130015637A (ko) * 2011-08-04 2013-02-14 세메스 주식회사 기판처리장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190035708A (ko) * 2016-08-09 2019-04-03 콘도 고교 가부시키가이샤 반도체 제조 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JP6331961B2 (ja) 2018-05-30
KR102438896B1 (ko) 2022-08-31
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US9508569B2 (en) 2016-11-29
JP2016082177A (ja) 2016-05-16

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