JP5734705B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5734705B2 JP5734705B2 JP2011045219A JP2011045219A JP5734705B2 JP 5734705 B2 JP5734705 B2 JP 5734705B2 JP 2011045219 A JP2011045219 A JP 2011045219A JP 2011045219 A JP2011045219 A JP 2011045219A JP 5734705 B2 JP5734705 B2 JP 5734705B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nozzle
- arm
- gas
- substrate
- pure water
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- Weting (AREA)
Description
また、この構成によれば、第1気体ノズルから吐出された気体がノズルアームの下部に吹き付けられる。前述のように、ノズルアームに付着した処理液は、ノズルアームに沿って下に流れる。すなわち、ノズルアームに付着した処理液は、ノズルアームの下部に集まる。この処理液が集まる位置に気体が吹き付けられる。これにより、ノズルアームに付着している処理液を吹き飛ばして効率的に除去することができる。したがって、ノズルアームに対する処理液の残留量を低減することができる。
また、この構成によれば、第1気体ノズルから吐出された気体がノズルアームに沿って長手方向に流れる。したがって、第1気体ノズルからノズルアームに気体が吹き付けられる範囲が広がる。これにより、より広い範囲から処理液を除去することができる。したがって、ノズルアームに対する処理液の残留量を低減することができる。
この構成によれば、ノズルアームの直交断面が、側部から底部まで下降し続けている下側傾斜部を含む。下側傾斜部が下降し続けているから、下側傾斜部に処理液が付着したとしても、この処理液は、下側傾斜部に沿って下に流れる。そして、この処理液は、ノズルアームから落下し除去される。したがって、ノズルアームに対する処理液の残留量を低減することができる。
この構成によれば、一方の側端が、頂部を含み、側部が、一方の側端とは反対側の他方の側端を含む。上側傾斜部は、頂部から側部まで延びている。したがって、上側傾斜部は、一方の側端から他方の側端まで延びている。すなわち、直交断面の上部は、一方の側端から他方の側端まで延びており、他方の側端に近づくほど下降している。そのため、直交断面の上部に付着した処理液は、共通の側端(他方の側端)に向かって流れ落ちる。これにより、直交断面の上部に付着している液滴同士を結合させて、その自重によって落下させることができる。したがって、ノズルアームに対する処理液の残留量を低減することができる。
この構成によれば、第1気体ノズルから吐出された気体が、ノズルアームの下部に対して側方から吹き付けられる。上側傾斜部は、第1気体ノズルからの気体が吹き付けられる側に向かって下降している。したがって、上側傾斜部に付着した処理液は、第1気体ノズルからの気体が吹き付けられる側に向かって流れ落ちる。言い換えると、第1気体ノズルから吐出された気体は、上側傾斜部に付着した処理液が集まる位置に吹き付けられる。したがって、上側傾斜部に付着した処理液を効率的に除去することができる。
この構成によれば、ノズルアームが疎水性材料によって形成されているので、ノズルアームが疎水性を有している。したがって、ノズルアームが親水性の場合に比べて、ノズルアームに付着した処理液は、短時間でかつ小さい力でノズルアームから除去される。さらに、処理液がはじかれるから、ノズルアームに保持される処理液の量を低減することができる。したがって、ノズルアームに対する処理液の残留量を一層低減できる。
この構成によれば、純水ノズルから吐出された純水がノズルアームの上面に供給される。これにより、ノズルアームの上面に付着しているパーティクル等の異物や処理液が洗い流される。したがって、ノズルアームの上面に付着している異物や処理液が基板上に落下して、基板が汚染されることを抑制または防止できる。さらに、前述のように、ノズルアームに供給された純水は、ノズルアームに沿って流れ落ちることによりノズルアームから短時間で除去されるので、ノズルアームへの純水の供給が終了した後に、ノズルアームから基板に純水が落下することを抑制または防止することができる。
この構成によれば、第2気体ノズルから吐出された気体が、ノズルアームよりも下方に位置するノズル下部に吹き付けられる。ノズル下部は、ノズルアームよりも下方に配置されているから、ノズルの外表面に付着した処理液や、ノズルアームを伝ってノズルに移動した処理液は、ノズル下部に向かって流れ落ちる。したがって、第2気体ノズルから吐出された気体は、処理液が集まる位置に吹き付けられる。そのため、処理液を効率的に除去することができる。
この構成によれば、処理位置において基板保持手段に保持された基板の上方に位置している部分が、直交断面を有している。したがって、この部分に処理液が付着したとしても、この処理液は、短時間で除去される。そのため、基板上でノズルアームを移動させたとしても、ノズルアームから基板に処理液が落下することを抑制または防止できる。これにより、基板の汚染や品質低下を抑制または防止できる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の概略構成を示す側面図である。図2は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の概略構成を示す平面図である。
基板処理装置1は、基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置である。基板処理装置1は、基板Wを水平に保持して回転させるスピンチャック2と、スピンチャック2に保持された基板Wの上面に向けて処理液を吐出するノズル3と、ノズル3を保持するノズルアーム4と、スピンチャック2の上方に配置された遮断板5と、これらの構成2〜5を収容する処理室6を区画する隔壁(図示せず)とを備えている。さらに、基板処理装置1は、基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置7を備えている。
ノズルアーム4は、先端部20と基端部21とを含む棒状の部材である。すなわち、ノズルアーム4は、先端部20と、基端部21と、基端部21と先端部20とを接続する棒状のアーム部22とを含む。アーム部22は、長手方向D1に延びている。先端部20および基端部21は、それぞれ、アーム部22の一端部および他端部に結合されている。ノズル3は、先端部20に保持されている。先端部20は、基端部21から離れる方向に向かってアーム部22の一端部から下方に延びている。ノズル3は、柱状であり、鉛直な姿勢で先端部20に保持されている。ノズル3は、先端部20から下方に延びるノズル下部23を含む。ノズル下部23は、基端部21およびアーム部22よりも下方に配置されている。また、基端部21は、ボルト24によってベース25に取り付けられている。ノズル回転機構10の駆動力は、ベース25を介してノズルアーム4に伝達される。先端部20およびアーム部22は、処理位置においてスピンチャック2に保持された基板Wの上方に位置する部分である(図2参照)。
前述のように、直交断面C1は、たとえば、五角形状である。直交断面C1は、上部41、右側部42(側部、他方の側端)、左側部43(一方の側端)、および下部44を含む。上部41、右側部42、左側部43、および下部44は、それぞれ、上面26、右側面27、左側面28、および下面29の一部である。上部41は、水平面に対して傾斜している。右側部42および左側部43は、上下方向に延びている。下部44は、水平面に対して傾斜している。下部44は、たとえばV字状である。
たとえば、前述の第1実施形態では、直交断面C1が、図5に示す五角形状である場合について説明した。しかし、直交断面C1の形状は、図5の上下が反転された形状であってもよい。すなわち、直交断面C1の上部が、倒立V字状で、直交断面C1の下部が、一方の側端から他方の側端まで延びる斜線であってもよい。さらに、直交断面C1は、五角形以外の多角形であってもよい。
また、図10に示すノズルアーム304のように、ノズルアーム304の直交断面C301は、四角形状であってもよい。直交断面C301は、頂部345と、側部346と、上側傾斜部347とを含む。さらに、直交断面C301は、底部350と、下側傾斜部352とを含む。
具体的には、たとえば図11に示すノズルアーム404のように、ノズルアーム404の直交断面C401は、下側に凸の曲線と、水平面に対して傾斜している直線とによって区画されていてもよい。直交断面C401は、頂部445と、側部446と、上側傾斜部447とを含む。さらに、直交断面C401は、底部450と、下側傾斜部452とを含む。
具体的には、任意の2つの位置におけるアーム部22の断面が相似(同形)であり、アーム部22の断面積(大きさ)が連続的に変化していてもよい。この場合、アーム部22の断面積は、アーム部22の一端部(先端部20側の端部)に近づくほど減少していてもよい。また、アーム部22の断面形状(直交断面C1の形状)は、アーム部22の一端部に近づくに従って連続的に変化していてもよい。この場合、アーム部22の断面積は、一定であってもよいし、アーム部22の一端部に近づくほど減少していてもよい。
具体的には、遮断板5の上面に純水を供給する純水ノズル553(図1参照)が設けられていてもよい。この場合、制御装置7は、遮断板回転機構14を制御することにより遮断板5を回転させながら、回転状態の遮断板5の上面に向けて純水ノズル553から純水を吐出させてもよい。純水ノズル553から吐出された純水は、遮断板5の上面に供給され、遮断板5の回転による遠心力によって遮断板5の周囲に振り切られる。したがって、遮断板5から振り切られた純水は、処理室6を区画する隔壁(図示せず)に衝突して跳ね返る。そして、跳ね返った純水がノズルアーム4に供給される。これにより、ノズルアーム4に付着している異物や処理液が洗い流される。
また、前述の第1実施形態では、第1気体ノズル35および第2気体ノズル36から吐出される気体が窒素ガスである場合について説明した。しかし、第1気体ノズル35および第2気体ノズル36から吐出される気体は、窒素ガスに限らず、アルゴンガスなどの窒素ガス以外の不活性ガスであってもよいし、乾燥空気や、清浄空気であってもよい。
2 スピンチャック(基板保持手段)
3 ノズル
4 ノズルアーム
10 ノズル回転機構(移動手段)
20 先端部
21 基端部
22 アーム部(ノズルアームの少なくとも一部)
23 ノズル下部
26 ノズルアームの上面
33 第1純水ノズル(純水ノズル)
35 第1気体ノズル
36 第2気体ノズル
42 右側部(側部、他方の側端)
43 左側部(一方の側端)
45 左端(頂部)
47 上側傾斜部
50 下端(底部)
52 右側傾斜部(下側傾斜部)
204 ノズルアーム
245 頂部
246 側部
247 上側傾斜部
250 底部
252 下側傾斜部
304 ノズルアーム
345 頂部
346 側部
347 上側傾斜部
350 底部
352 下側傾斜部
404 ノズルアーム
445 頂部
446 側部
447 上側傾斜部
450 底部
452 下側傾斜部
C1 直交断面
C201 直交断面
C301 直交断面
C401 直交断面
D1 長手方向
D2 基端部から先端部に向かう方向
W 基板
Claims (10)
- 基板を処理する処理流体を吐出するノズルと、
前記ノズルを保持しており、水平面に沿う長手方向に延びているノズルアームと、
吐出した気体が前記ノズルアームに沿って前記ノズルアームの長手方向に流れるように、前記ノズルアームの下部に向けて気体を吐出する第1気体ノズルと、を含み、
前記長手方向に直交する、前記ノズルアームの少なくとも一部の直交断面は、前記直交断面において最も上に位置している頂部と、前記頂部より側方に位置している側部と、前記頂部から前記側部まで下降し続けている上側傾斜部と、を含む、基板処理装置。 - 前記直交断面は、前記直交断面において最も下に位置している底部と、前記側部から前記底部まで下降し続けている下側傾斜部と、をさらに含む、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記第1気体ノズルは、前記ノズルアームの側方から前記ノズルアームの下部に向けて気体を吐出するように構成されており、
前記上側傾斜部は、前記第1気体ノズルからの気体が吹き付けられる側に向かって下降している、請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記ノズルアームは、疎水性材料によって形成されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ノズルアームの上面に向けて純水を吐出する純水ノズルをさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記ノズルは、前記ノズルアームよりも下方に配置されたノズル下部を含み、
前記基板処理装置は、前記ノズル下部に向けて気体を吐出する第2気体ノズルをさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記ノズルアームは、前記ノズルを保持する先端部と、基端部とを含む棒状の部材であり、
前記第1気体ノズルは、前記第1気体ノズルから吐出された気体が前記基端部から前記先端部に向かう方向に流れるように構成されており、
前記第2気体ノズルは、前記第2気体ノズルから吐出された気体が前記基端部から前記先端部に向かう方向に流れるように構成されている、請求項6記載の基板処理装置。 - 基板を保持する基板保持手段と、
前記ノズルが前記基板保持手段に保持された基板の上方に位置している処理位置と、前記ノズルが前記基板保持手段に保持された基板の上方から退避している待機位置との間で前記ノズルアームを移動させる移動手段と、をさらに含み、
前記第1気体ノズルは、前記待機位置に位置している前記ノズルアームの下部に向けて気体を吐出するように構成されている、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記ノズルアームの前記少なくとも一部は、前記処理位置において前記基板保持手段に保持された基板の上方に位置している部分を含む、請求項8記載の基板処理装置。
- 基板を処理する処理流体を吐出するノズルと、
前記ノズルを保持しており、水平面に沿う長手方向に延びているノズルアームと、を含み、
前記長手方向に直交する、前記ノズルアームの少なくとも一部の直交断面は、前記直交断面において最も上に位置している頂部と、前記頂部より側方に位置している側部と、前記頂部から前記側部まで下降し続けている上側傾斜部と、前記直交断面において最も側方に位置している左右一対の側端とを含み、
一方の側端は、前記頂部を含み、前記側部は、他方の側端を含み、
前記上側傾斜部は、前記一方の側端から前記他方の側端まで下降し続けている、基板処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011045219A JP5734705B2 (ja) | 2011-03-02 | 2011-03-02 | 基板処理装置 |
KR1020110093580A KR101221162B1 (ko) | 2011-03-02 | 2011-09-16 | 기판 처리 장치 |
TW100134597A TWI434335B (zh) | 2011-03-02 | 2011-09-26 | 基板處理裝置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011045219A JP5734705B2 (ja) | 2011-03-02 | 2011-03-02 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012182371A JP2012182371A (ja) | 2012-09-20 |
JP5734705B2 true JP5734705B2 (ja) | 2015-06-17 |
Family
ID=47013309
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011045219A Expired - Fee Related JP5734705B2 (ja) | 2011-03-02 | 2011-03-02 | 基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5734705B2 (ja) |
KR (1) | KR101221162B1 (ja) |
TW (1) | TWI434335B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6331961B2 (ja) * | 2014-10-22 | 2018-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
JP6313196B2 (ja) | 2014-11-20 | 2018-04-18 | 株式会社荏原製作所 | 研磨面洗浄装置、研磨装置、および研磨面洗浄装置の製造方法 |
TWI661479B (zh) * | 2015-02-12 | 2019-06-01 | 日商思可林集團股份有限公司 | 基板處理裝置、基板處理系統以及基板處理方法 |
JP6804325B2 (ja) * | 2017-02-09 | 2020-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
JP7186671B2 (ja) | 2019-06-24 | 2022-12-09 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置の揺動部品用のカバー、基板処理装置の揺動部品、および、基板処理装置 |
CN113606229B (zh) * | 2021-06-15 | 2024-07-12 | 芜湖市零一精密工具制造有限公司 | 一种封堵刀具预留孔的装置 |
JP2023043679A (ja) * | 2021-09-16 | 2023-03-29 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0734982U (ja) * | 1993-12-07 | 1995-06-27 | シチズン時計株式会社 | 洗浄籠 |
JPH07254583A (ja) * | 1994-03-16 | 1995-10-03 | Hitachi Ltd | 洗浄方法及び洗浄装置 |
JP3714763B2 (ja) * | 1997-03-31 | 2005-11-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板保持部材およびこれを利用した基板処理装置 |
JP4215900B2 (ja) * | 1999-08-13 | 2009-01-28 | アルプス電気株式会社 | ウェット処理用ノズル装置およびウェット処理装置 |
JP4011900B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2007-11-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
KR20030050796A (ko) * | 2001-12-19 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼의 평탄화 설비 |
JP4036331B2 (ja) * | 2003-03-06 | 2008-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給ノズル及び処理液供給装置、並びにノズルの洗浄方法 |
JP2004356517A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Ebara Corp | 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 |
JP4494840B2 (ja) | 2003-06-27 | 2010-06-30 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 異物除去装置、基板処理装置および基板処理方法 |
JP4497407B2 (ja) * | 2004-07-21 | 2010-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄処理方法及びその装置 |
JP2007168039A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-07-05 | Ebara Corp | 研磨テーブルの研磨面洗浄機構、及び研磨装置 |
WO2007132609A1 (ja) * | 2006-05-15 | 2007-11-22 | Tokyo Electron Limited | 基板処理方法、基板処理装置および記録媒体 |
KR20080005808A (ko) * | 2006-07-10 | 2008-01-15 | 삼성전자주식회사 | 챔버 내에 파티클의 발생을 방지하는 반도체 소자 제조장치 |
JP5058848B2 (ja) * | 2008-03-05 | 2012-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送アーム洗浄装置、搬送アーム洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
-
2011
- 2011-03-02 JP JP2011045219A patent/JP5734705B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-09-16 KR KR1020110093580A patent/KR101221162B1/ko active IP Right Grant
- 2011-09-26 TW TW100134597A patent/TWI434335B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012182371A (ja) | 2012-09-20 |
TW201237950A (en) | 2012-09-16 |
KR101221162B1 (ko) | 2013-01-21 |
TWI434335B (zh) | 2014-04-11 |
KR20120100685A (ko) | 2012-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5734705B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR101562139B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
JP5536009B2 (ja) | 基板加工装置 | |
TWI529798B (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 | |
JP6093569B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
JP2013026381A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
TWI661500B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
JP6784546B2 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2015029563A1 (ja) | 洗浄用治具、洗浄用治具セット、洗浄用基板、洗浄方法および基板処理装置 | |
JP2013065795A (ja) | 基板処理方法 | |
JP5840854B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6575983B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6014312B2 (ja) | 洗浄処理方法 | |
JP5390824B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP5837788B2 (ja) | ノズル、基板処理装置、および基板処理方法 | |
JP6103429B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP6159200B2 (ja) | 基板処理装置および洗浄用治具 | |
JP5785462B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR102208287B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR102585111B1 (ko) | 반도체 웨이퍼의 세정 장치 및 반도체 웨이퍼의 세정 방법 | |
JP6087771B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP2013211367A (ja) | 処理液供給装置およびその処理液供給装置を備えた基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2018181889A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6934918B2 (ja) | 基板洗浄装置 | |
JP6713370B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131212 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141110 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141120 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141222 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150326 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150415 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5734705 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |