TWI434335B - 基板處理裝置 - Google Patents

Description

基板處理裝置

本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置。於作為處理對象之基板中，例如包含有半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示用基板、FED(Field Emission Display，場發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。

於半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中，對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等基板使用處理液進行處理。對基板逐片地進行處理之單片式基板處理裝置，例如具備有水平地保持基板並加以旋轉之旋轉卡盤(spin chuck)、及向由旋轉卡盤所保持基板之上表面吐出處理液之噴嘴。噴嘴係保持於水平延伸之噴嘴臂之前端部。噴嘴臂係連結於噴嘴擺動機構。噴嘴擺動機構係使噴嘴及噴嘴臂圍繞設置於旋轉卡盤側方之垂直的旋轉軸線旋轉。

當此基板處理裝置中自噴嘴對基板之上表面供給處理液時，將噴嘴及噴嘴臂配置於由旋轉卡盤所保持基板之上方。而且，藉由旋轉卡盤使基板圍繞垂直軸線旋轉。然後，自噴嘴向旋轉狀態之基板之上表面吐出處理液。藉此，自噴嘴對基板之上表面供給處理液。自噴嘴對基板之處理液之供給結束後，噴嘴擺動機構使噴嘴及噴嘴臂自基板之上方退避。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2010-177371號公報

於基板處理裝置中使用處理液進行處理之情形時，存在處理液附著於配置在裝置之噴嘴臂上之情況。噴嘴臂係於基板之上方移動。因此，若於噴嘴臂上附著有處理液之狀態下移動噴嘴臂，則存在附著於噴嘴臂之處理液被甩落而落於基板上之情況。例如，存在處理液之飛沫附著於噴嘴臂，在使噴嘴臂移動時此附著之處理液掉落於基板上之情況。若處理液掉落於已進行藥液處理之基板上，則藥液處理之均勻性會降低。又，若處理液掉落於已進行乾燥處理之基板上，則會發生乾燥不良。

因此，本發明係提供一種具備除液效果較佳之噴嘴臂之基板處理裝置。

本發明之基板處理裝置包含有：噴嘴，其吐出對基板進行處理之處理流體；及噴嘴臂，其保持上述噴嘴，且朝沿著水平面之長度方向延伸；且與上述長度方向正交之上述噴嘴臂之至少一部分之正交剖面，包含有在上述正交剖面中位於最上方之頂部、位於比上述頂部更側方之側部、及自上述頂部連續下降至上述側部為止之上側傾斜部。

根據此構成，保持噴嘴之噴嘴臂係沿著水平面朝長度方向延伸。噴嘴臂之至少一部分之正交剖面(與長度方向正交之剖面)，包含有自頂部連續下降至側部為止之上側傾斜部。由於上側傾斜部連續地下降，故即使處理液附著於上側傾斜部，此處理液亦會沿著上側傾斜部向下流動。然後，此處理液自噴嘴臂落下而被去除。即，即使處理液附著於噴嘴臂，此處理液亦可於短時間內自噴嘴臂去除。因此，可減少處理液對於噴嘴臂之殘留量。

於本發明之一實施形態中，上述正交剖面進一步包含有在上述正交剖面中位於最下方之底部、及自上述側部連續下降至上述底部為止之下側傾斜部。

根據此構成，噴嘴臂之正交剖面係包含有自側部連續下降至底部為止之下側傾斜部。由於下側傾斜部連續下降，故即使處理液附著於下側傾斜部，此處理液亦會沿著下側傾斜部向下流動。然後，此處理液自噴嘴臂落下而被去除。因此，可減少處理液對於噴嘴臂之殘留量。

於本發明之一實施形態中，上述正交剖面包含有在上述正交剖面中位於最側方之左右一對之側端，其中一側端包含上述頂部，而上述側部包含另一側端，且上述上側傾斜部係自上述一側端連續下降至上述另一側端為止。

根據此構成，一側端包含頂部，而側部則包含與一側端為相反側之另一側端。上側傾斜部係自頂部延伸至側部。因此，上側傾斜部自一側端延伸至另一側端為止。即，正交剖面之上部係自一側端延伸至另一側端為止，且越接近另一側端越下降。因此，附著於正交剖面上部之處理液會向共用之側端(另一側端)流下。藉此，可使附著於正交剖面上部之液滴彼此結合，並藉由其自身重量而落下。因此，可減少處理液對於噴嘴臂之殘留量。

本發明之一實施形態之基板處理裝置，係進一步包含有向上述噴嘴臂之下部吐出氣體之第1氣體噴嘴。

根據此構成，自第1氣體噴嘴所吐出之氣體係對噴嘴臂之下部噴吹。如上述，附著於噴嘴臂之處理液會沿著噴嘴臂向下流動。即，附著於噴嘴臂之處理液會集中於噴嘴臂之下部。氣體對此處理液所集中之位置噴吹。藉此，可將附著於噴嘴臂之處理液吹飛而有效率地加以去除。因此，可減少處理液對於噴嘴臂之殘留量。

上述第1氣體噴嘴較佳為以自上述第1氣體噴嘴所吐出之氣體沿著上述噴嘴臂而朝上述噴嘴臂之長度方向流動之方式構成。

根據此構成，自第1氣體噴嘴所吐出之氣體係沿著噴嘴臂朝長度方向流動。因此，自第1氣體噴嘴對噴嘴臂噴吹氣體之範圍會擴大。藉此，可自更廣之範圍去除處理液。因此，可減少處理液對於噴嘴臂之殘留量。

上述第1氣體噴嘴亦可以自上述噴嘴臂之側方朝向上述噴嘴臂之下部吐出氣體之方式構成。於此情形時，上述上側傾斜部較佳為朝向來自上述第1氣體噴嘴之氣體所噴吹之側下降。

根據此構成，自第1氣體噴嘴所吐出之氣體係對噴嘴臂之下部自側方噴吹。上側傾斜部係朝向來自第1氣體噴嘴之氣體所噴吹之側下降。因此，附著於上側傾斜部之處理液係朝向來自第1氣體噴嘴之氣體所噴吹之側流下。換言之，自第1氣體噴嘴所吐出之氣體係向附著於上側傾斜部之處理液所集中之位置噴吹。因此，其可有效率地去除附著於上側傾斜部之處理液。

上述噴嘴臂較佳為由疏水性材料所形成。根據此構成，由於噴嘴臂係由疏水性材料所形成，故噴嘴臂具有疏水性。因此，相較於噴嘴臂為親水性之情況，附著於噴嘴臂之處理液可於短時間內且以較小之力自噴嘴臂去除。而且，由於處理液會受到排斥，故可減少保持於噴嘴臂之處理液之量。因此，可進一步減少處理液對於噴嘴臂之殘留量。

本發明之一實施形態之基板處理裝置，係進一步包含有向上述噴嘴臂之上表面吐出純水之純水噴嘴。

根據此構成，對噴嘴臂之上表面供給自純水噴嘴吐出之純水。藉此，可將附著於噴嘴臂上表面之微粒等異物或處理液沖洗掉。因此，可防止附著於噴嘴臂上表面之異物或處理液掉落於基板上，使基板被污染。而且，如上述，由於對噴嘴臂所供給之純水會藉由沿著噴嘴臂流下而於短時間內自噴嘴臂去除，故可抑制或防止在結束對噴嘴臂供給純水後，純水自噴嘴臂掉落至基板上。

於本發明之一實施形態中，上述噴嘴包含有配置於比上述噴嘴臂更下方之噴嘴下部。於此情形時，上述基板處理裝置，較佳為進一步包含有向上述噴嘴下部吐出氣體之第2氣體噴嘴。

根據此構成，自第2氣體噴嘴所吐出之氣體係對位於比噴嘴臂更下方之噴嘴下部噴吹。由於噴嘴下部係配置於比噴嘴臂更下方，故附著於噴嘴外表面之處理液、或經由噴嘴臂而移動至噴嘴之處理液會向噴嘴下部流下。因此，自第2氣體噴嘴所吐出之氣體係對處理液所集中之位置噴吹。因此，其可有效率地去除處理液。

於本發明之一實施形態中，上述噴嘴臂為包含保持上述噴嘴之前端部、與基端部之棒狀構件，上述第1氣體噴嘴係以自上述第1氣體噴嘴所吐出之氣體朝自上述基端部朝向上述前端部之方向流動之方式所構成，上述第2氣體噴嘴係以自上述第2氣體噴嘴所吐出之氣體朝自上述基端部朝向上述前端部之方向流動之方式所構成。

根據此構成，自第1氣體噴嘴所吐出之氣體係沿著噴嘴臂朝自基端部朝向前端部之方向流動。同樣地，自第2氣體噴嘴所吐出之氣體係沿著噴嘴下部朝自基端部朝向前端部之方向流動。即，自各氣體噴嘴所吐出之氣體係朝向相同之方向流動。因此，其可抑制或防止自第1氣體噴嘴所吐出之氣體與自第2氣體噴嘴所吐出之氣體發生碰撞，而導致自各氣體噴嘴所吐出氣體之衝力減弱。藉此，其可確實地去除附著於噴嘴及噴嘴臂上之處理液。

本發明之一實施形態之基板處理裝置進一步包含有：基板保持手段，其對基板進行保持；及移動手段，其使上述噴嘴臂在上述噴嘴位於上述基板保持手段所保持的基板之上方之處理位置、與上述噴嘴自上述基板保持手段所保持的基板之上方退避之待機位置間移動。於此情形時，上述第1氣體噴嘴較佳為以氣體向位於上述待機位置之上述噴嘴臂之下部吐出之方式所構成。

根據此構成，藉由使移動手段之驅動力傳遞至噴嘴臂，噴嘴臂會於處理位置與待機位置之間移動。自第1氣體噴嘴所吐出之氣體係向位於待機位置之噴嘴臂之下部噴吹。因此，其可將第1氣體噴嘴配置於待機位置。即，第1氣體噴嘴亦可不以與噴嘴臂一起移動之方式所構成。因此，其可抑制或防止包含噴嘴臂之可動部之大型化。

上述噴嘴臂之上述至少一部分，較佳為包含有在上述處理位置中位於上述基板保持手段所保持的基板之上方的部分。

根據此構成，在處理位置上位於由基板保持手段所保持基板之上方的部分具有正交剖面。因此，即使處理液附著於此部分，此處理液亦可於短時間內去除。因此，即便使噴嘴臂於基板上移動，亦可抑制或防止處理液自噴嘴臂掉落於基板上。藉此，可抑制或防止基板污染或品質低下。

以下，參照附圖而對本發明之實施形態進行詳細說明。

圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之概略構成的側視圖。圖2係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置1之概略構成的俯視圖。

基板處理裝置1係對基板W逐片地進行處理之單片式基板處理裝置。基板處理裝置1具備有水平地保持基板W且加以旋轉之旋轉卡盤2、向由旋轉卡盤2所保持之基板W之上表面吐出處理液之噴嘴3、保持噴嘴3之噴嘴臂4、配置於旋轉卡盤2上方之遮斷板5、及對收容此等構成2～5之處理室6進行劃分之隔離壁(未圖示)。而且，基板處理裝置1具備有對基板處理裝置1所設置裝置之動作或閥之開閉進行控制之控制裝置7。

旋轉卡盤2包含有水平地保持基板W且可圍繞通過該基板W中心之垂直軸線旋轉之圓盤狀旋轉底座(spin base)8、及使此旋轉底座8圍繞垂直軸線旋轉之旋轉馬達(spin motor)9。旋轉卡盤2可為朝水平方向夾持基板W而水平地保持該基板W之夾持式夾盤，亦可為藉由吸附非元件形成面即基板W之背面(下表面)而水平地保持該基板W之真空式卡盤。於第1實施形態中，旋轉卡盤2例如為夾持式夾盤。

噴嘴3係藉由使液體與氣體發生碰撞而生成複數滴液滴，且向基板W吐出所生成之複數滴液滴之雙流體噴嘴。於第1實施形態中，將作為液體之一例之純水供給至噴嘴3，並將作為氣體之一例之氮氣供給至噴嘴3。噴嘴3係以其吐出口朝向下方之狀態配置於比旋轉卡盤2更上方。噴嘴3並不限定於雙流體噴嘴，可為以連續流之狀態吐出處理液之直管噴嘴(straight nozzle)，亦可為吐出氮氣等氣體之噴嘴。

噴嘴3係保持於位在噴嘴臂4一端之前端部20。噴嘴臂4係沿著水平面朝長度方向D1延伸。如圖2所示，噴嘴臂4之基端部21係連結於噴嘴旋轉機構10。噴嘴旋轉機構10係使噴嘴3及噴嘴臂4圍繞設置於旋轉卡盤2側方之垂直的噴嘴旋轉軸線L1旋轉。噴嘴旋轉機構10係使噴嘴3及噴嘴臂4在使噴嘴3位於旋轉卡盤2上方之處理位置(圖1所示之位置及圖2中以實線所表示之位置)、與噴嘴3自旋轉卡盤2上方退避之待機位置(圖2中以二點鏈線所表示之位置)之間水平地移動。於待機位置上配置有接住處理液之箱體(pod)11。箱體11為向上開啟之容器。箱體11係以於噴嘴3配置在待機位置時，位於噴嘴3下方之方式配置。

遮斷板5係具有與基板W幾乎相同直徑之圓板狀構件。遮斷板5係以水平之姿勢由支軸12所支撐。支軸12係連結於遮斷板升降機構13及遮斷板旋轉機構14。遮斷板升降機構13係使遮斷板5及支軸12於遮斷板5之下表面接近於基板W上表面之處理位置、與設置於處理位置上方之退避位置(圖1所示之位置)之間升降。遮斷板旋轉機構14係使遮斷板5及支軸12圍繞通過基板W中心之垂直軸線旋轉。支軸12為圓筒狀。支軸12之內部空間係連接於朝垂直方向貫通遮斷板5中央部之貫通孔15。第1配管16係插入至支軸12內，第2配管17係連接於第1配管16。若介裝於第2配管17之純水閥18被開啟，則自第2配管17對第1配管16供給純水，若純水閥18關閉，則對第1配管16之供給之純水就會停止。對第1配管16所供給之純水係自構成中心軸噴嘴19之第1配管16之下端部向基板W之上表面中央部吐出。

於自中心軸噴嘴19對基板W供給處理液時，例如，藉由控制裝置7控制旋轉馬達9，而使保持於旋轉卡盤2之基板W旋轉。然後，控制裝置7於使遮斷板5位於處理位置之狀態下，使處理液自中心軸噴嘴19向旋轉狀態之基板W之上表面吐出。自中心軸噴嘴19所吐出之處理液於供給至基板W之上表面中央部後，藉由因基板W之旋轉所產生之離心力沿著基板W之上表面向外擴散。藉此，將處理液供給至基板W之上表面整個區域，而對基板W進行處理。

又，於自噴嘴3對基板W供給處理液時，例如，藉由控制裝置7控制旋轉馬達9，使保持於旋轉卡盤2之基板W旋轉。然後，控制裝置7於使噴嘴3位於處理位置之狀態下，使處理液自噴嘴3向旋轉狀態之基板W之上表面吐出。於第1實施形態中，由於噴嘴3為雙流體噴嘴，故複數滴液滴自噴嘴3向基板W之上表面噴射。藉此，對基板W之上表面供給處理液，而對基板W進行處理。

圖3係本發明之第1實施形態之噴嘴臂4及與此相關之構成之側視圖。圖4係自圖3所示箭頭IV之方向所觀察之噴嘴臂4之剖面圖。圖3係表示將噴嘴3及噴嘴臂4配置於待機位置之狀態。

噴嘴臂4係包含有前端部20與基端部21之棒狀構件。即，噴嘴臂4包含前端部20、基端部21、及連接基端部21與前端部20之棒狀臂部22。臂部22朝長度方向D1延伸。前端部20及基端部21分別結合於臂部22之一端部及另一端部。噴嘴3保持於前端部20。前端部20朝向自基端部21離開之方向且自臂部22之一端部朝下方延伸。噴嘴3為柱狀，且以垂直之姿勢保持於前端部20。噴嘴3包含自前端部20朝下方延伸之噴嘴下部23。噴嘴下部23配置於比基端部21及臂部22更下方。又，基端部21藉由螺釘24安裝於底座(base)25。噴嘴旋轉機構10之驅動力係經由底座25傳遞至噴嘴臂4。前端部20及臂部22係在處理位置上位於由旋轉卡盤2所保持基板W之上方之部分(參照圖2)。

噴嘴臂4係由疏水性材料所形成。作為疏水性材料，例如可列舉聚四氟乙烯等氟樹脂。如圖4所示，臂部22具有包含上表面26、右側面27、左側面28及V字狀之下表面29的五角形狀之正交剖面C1(與長度方向D1正交之剖面)。臂部22之正交剖面C1，自臂部22之一端部至臂部22之另一端部為止為固定。即，正交剖面C1，自臂部22之一端部至臂部22之另一部為止為相同形狀且相同大小(同形同大)。於臂部22中，埋入有加強噴嘴臂4之棒狀之芯材30。芯材30例如由不鏽鋼所形成。而且，於臂部22之內部插入有對噴嘴3供給液體之液體供給管31、及對噴嘴3供給氣體之氣體供給管32。芯材30、液體供給管31及氣體供給管32係於臂部22內朝長度方向D1延伸。如圖3所示，液體供給管31及氣體供給管32自臂部22朝前端部20側突出，且連接於噴嘴3。

基板處理裝置1進一步包含有：對噴嘴臂4供給純水而對噴嘴臂4進行清洗之第1純水噴嘴33(純水噴嘴)及第2純水噴嘴34、及對噴嘴臂4供給氣體而去除附著於噴嘴臂4之純水之第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36。如圖3所示，第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34係配置於噴嘴臂4之基端部21之附近。第1純水噴嘴33係配置於噴嘴臂4之上方，第2純水噴嘴34配置於噴嘴臂4之下方。而且，如圖4所示，第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34係配置於通過關於正交剖面C1之寬度方向(與長度方向D1正交之水平方向)中心之垂直的軸線CL1上。第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34係與噴嘴臂4一起以圍繞噴嘴旋轉軸線L1水平移動之方式被保持。

如圖3所示，對第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34係經由共用之純水閥37供給作為清洗液之純水。即，若純水閥37開啟，則會對第1純水噴嘴33供給純水，而自第1純水噴嘴33向噴嘴臂4吐出純水。而且，若純水閥37開啟，則會對第2純水噴嘴34供給純水，而自第2純水噴嘴34向噴嘴臂4吐出純水。因此，若純水閥37開啟，則會自第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34吐出純水。

第1純水噴嘴33係以自第1純水噴嘴33例如水平地吐出純水之方式配置。自第1純水噴嘴33所吐出之純水係沿著噴嘴臂4朝長度方向D1流動。另一方面，第2純水噴嘴34係以自第2純水噴嘴34例如向斜上方吐出純水之方式配置。自第2純水噴嘴34所吐出之純水，係供給至噴嘴臂4之下部。然後，供給至噴嘴臂4之純水，係沿著噴嘴臂4朝長度方向D1流動。

又，如圖3所示，第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36係配置於比噴嘴臂4更下方。第1氣體噴嘴35係配置於噴嘴臂4之基端部21側，而第2氣體噴嘴36則配置於噴嘴臂4之前端部20側。第1氣體噴嘴35係以於俯視時與噴嘴臂4不重疊之方式配置(參照圖2)。又，第2氣體噴嘴36係配置於噴嘴下部23之附近。第2氣體噴嘴36係沿水平方向與噴嘴下部23相對向。第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36分別由配置於待機位置之第1撐條(stay)38及第2撐條39所保持。因此，若噴嘴3及噴嘴臂4圍繞噴嘴旋轉軸線L1旋轉，則第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36就會相對於噴嘴3及噴嘴臂4進行相對移動。

如圖3所示，對第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36係經由共用之氣體閥40供給作為氣體之一例之氮氣。即，若氣體閥40開啟，則會對第1氣體噴嘴35供給氮氣，而自第1氣體噴嘴35向噴嘴臂4吐出氮氣。而且，若氣體閥40開啟，則會對第2氣體噴嘴36供給氮氣，而自第2氣體噴嘴36之第2氣體吐出口向噴嘴3吐出氮氣。因此，若氣體閥40開啟，就會自第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36吐出氮氣。

第1氣體噴嘴35係以自第1氣體噴嘴35例如向斜上方吐出氮氣之方式配置。自第1氣體噴嘴35所吐出之氮氣係對噴嘴臂4之下部噴吹。然後，噴吹於噴嘴臂4之氮氣係沿著噴嘴臂4之下部朝長度方向D1流動。而且，由於第1氣體噴嘴35及噴嘴臂4係以於俯視時不重疊之方式配置，故自第1氣體噴嘴35所吐出之氮氣係自側方對噴嘴臂4之下部噴吹。另一方面，第2氣體噴嘴36係以自第2氣體噴嘴36例如水平地吐出氮氣之方式配置。自第2氣體噴嘴36所吐出之氮氣係對噴嘴下部23噴吹。

圖5係將圖4之一部分加以放大之圖。以下，針對噴嘴臂4之剖面(臂部22之正交剖面C1)進行詳細說明。

如上述，正交剖面C1例如為五角形狀。正交剖面C1包含有上部41、右側部42(側部、另一側端)、左側部43(一側端)及下部44。上部41、右側部42、左側部43及下部44分別為上表面26、右側面27、左側面28及下表面29之一部分。上部41相對於水平面傾斜。右側部42及左側部43係朝上下方向延伸。下部44係相對於水平面傾斜。下部44係例如為V字狀。

上部41包含左端45(頂部)、右端46、及連接左端45與右端46之上側傾斜部47。上部41之左端45係在正交剖面C1上位於最上方。因此，上部41之右端46係位於比上部41之左端45更下方。上側傾斜部47係以越接近上部41之右端46越下降之方式連續地傾斜。即，上側傾斜部47係自作為頂部之上部41之左端45連續地下降至作為右側部42之一部分之上部41之右端46為止。上側傾斜部47之傾斜角度例如為固定。上側傾斜部47之傾斜角度並不限定為固定，亦可連續地變化。即，上側傾斜部47可為如第1實施形態之直線，亦可為向上或向下凸出之曲線。

又，下部44包含有左端48、右端49、配置於左端48與右端49之間之下端50(底部)、連接左端48與下端50之左側傾斜部51、及連接右端49與下端50之右側傾斜部52(下側傾斜部)。下端50係在正交剖面C1上位於最下方。因此，下部44之左端48及右端49位於比下端50更上方。左側傾斜部51係以自左側部43之一部分即下部44之左端48連續下降至作為底部之下端50為止之方式連續地傾斜。同樣地，右側傾斜部52係以自右側部42之一部分即下部44之右端49連續地下降至作為底部之下端50為止之方式連續地傾斜。左側傾斜部51及右側傾斜部52之傾斜角度可為固定，亦可連續地變化。而且，左側傾斜部51之傾斜角度或變化之狀態，可與右側傾斜部52相同，亦可為不同。下部44係以正交剖面C1之寬度(朝左右方向之長度)越接近下端50越減少之方式傾斜。

又，左側部43係自上部41之左端45朝下方延伸至下部44之左端48為止。上部41之左端45、左側部43、及下部44之左端48係在正交剖面C1上位於最左側方。上部41之左端45為上部41之一部分，同時亦為左側部43之一部分。同樣地，下部44之左端48為下部44之一部分，同時亦為左側部43之一部分。左側部43係在正交剖面C1上位於最側方之一側端。

又，右側部42係自上部41之右端46朝下方延伸至下部44之右端49為止。上部41之右端46、右側部42、及下部44之右端49係在正交剖面C1上位於最右側方。上部41之右端46為上部41之一部分，同時亦為右側部42之一部分。同樣地，下部44之右端49為下部44之一部分，同時亦為右側部42之一部分。右側部42係在正交剖面C1上位於最側方之另一側端。即，右側部42及左側部43係相對於軸線CL1相互配置於相反側之左右一對之側端。

第1氣體噴嘴35係以自噴嘴臂4之側方朝向噴嘴臂4之下部吐出氣體之方式所構成。即，自第1氣體噴嘴35所吐出之氮氣係自右側方對噴嘴臂4之右側面27或下表面29噴吹。如上述，上側傾斜部47係以越接近上部41之右端46越下降之方式傾斜。因此，上側傾斜部47係朝向來自第1氣體噴嘴35之氣體所噴吹之側下降(參照圖8)。

圖6係用以說明清洗噴嘴3及噴嘴臂4時之動作之一例的流程圖。圖7係用以說明對噴嘴臂4供給純水時之純水之動作之一例的剖面圖。圖8係用以說明對噴嘴臂4供給氮氣時之純水之動作之一例的剖面圖。以下，參照圖3。又，於以下說明中，適當地參照圖1、圖6、圖7及圖8。

噴嘴3及噴嘴臂4之清洗，例如係於在旋轉卡盤2上未保持基板W之狀態下所進行。又，於噴嘴3及噴嘴臂4之清洗時，首先，例如自第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34向噴嘴臂4吐出純水(圖6之步驟S1、第1純水供給步驟)。具體而言，控制裝置7係在使噴嘴3及噴嘴臂4位於待機位置之狀態下，開啟純水閥37，使純水自第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34吐出。

自第1純水噴嘴33所吐出純水之大部分，係供給至臂部22之上表面26，而自第1純水噴嘴33所吐出純水之一部分則供給至臂部22之右側面27及左側面28。由於臂部22之上表面26相對於水平面傾斜，故供給至臂部22上表面26之純水，係一邊朝向前端部20沿著長度方向D1移動，一邊沿著上表面26朝下方流動(參照圖7)。然後，抵達上部41之右端46之純水，自上部41之右端46朝側方飛散、或沿著右側面27朝下方流動。又，供給至右側面27及左側面28之純水，係一邊朝向前端部20沿著長度方向D1移動，一邊沿著右側面27或左側面28朝下方流動。然後，如圖7所示，抵達右側面27下端(下部44之右端49)及左側面28下端(下部44之左端48)之純水，自右側面27或左側面28落下、或沿著下表面29朝下方流動。

另一方面，自第2純水噴嘴34所吐出純水之大部分係供給至臂部22之下表面29，而自第2純水噴嘴34所吐出純水之一部分係供給至臂部22之右側面27及左側面28。如上述，供給至右側面27及左側面28之純水係自右側面27或左側面28落下、或沿著下表面29朝下方流動。另一方面，由於臂部22之下表面29相對於水平面傾斜，故供給至臂部22下表面29之純水一邊朝向前端部20沿長度方向D1移動，一邊沿著下表面29朝下方流動(參照圖7)。即，供給至臂部22下表面29之純水，係以向下端50移動之方式沿著下表面29流動。然後，抵達下端50之純水之一部分自噴嘴臂4落下。

如此，自第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34所吐出之純水，將供給至臂部22之上表面26、右側面27、左側面28及下表面29。藉此，將附著於臂部22之微粒等異物或處理液藉由純水沖洗掉。又，自第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34供給至臂部22之純水，係朝向前端部20沿長度方向D1流動。然後，抵達前端部20附近之純水，自臂部22移動至前端部20，並沿著前端部20或噴嘴3朝下方流動。藉此，將附著於前端部20或噴嘴3之異物等藉由純水沖洗掉。然後，自前端部20或噴嘴3落下之純水係藉由箱體11接住。

接著，自第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36向噴嘴3及噴嘴臂4吐出氮氣(圖6之步驟S2、第1氣體供給步驟)。具體而言，控制裝置7在使噴嘴3及噴嘴臂4位於待機位置之狀態下，開啟氣體閥40，使氮氣自第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36吐出。

自第1氣體噴嘴35所吐出氮氣之大部分，係對臂部22之下表面29噴吹，而自第1氣體噴嘴35所吐出氮氣之一部分，則向臂部22之右側面27及左側面28噴吹(參照圖8)。噴吹臂部22下表面29之氮氣係沿著下表面29朝前端部20之方向於長度方向D1流動。又，噴吹臂部22之右側面27及左側面28之氮氣係沿著右側面27或左側面28朝前端部20之方向於長度方向D1流動。藉此，將附著於臂部22之下表面29、右側面27及左側面28之純水，藉由氮氣吹飛而加以去除。

另一方面，自第2氣體噴嘴36所吐出氮氣之大部分係對噴嘴下部23噴吹。又，自第1氣體噴嘴35向臂部22吐出且到達前端部20之附近之氮氣，係沿著前端部20或噴嘴3流動。因此，對前端部20噴吹自第1氣體噴嘴35所吐出之氮氣，而對噴嘴3噴吹自第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36所吐出之氮氣。藉此，將附著於前端部20或噴嘴3之純水吹飛而加以去除。

如此，藉由自第1氣體噴嘴35吐出氮氣，自臂部22之下表面29、右側面27及左側面28去除純水。自第1氣體噴嘴35所吐出之氮氣雖幾乎未供給至臂部22之上表面26，但供給至臂部22上表面26之純水，係因上表面26之傾斜而流下，藉此自上表面26去除。因此，藉由自臂部22之下表面29、右側面27及左側面28去除純水，可自整個臂部22去除純水。而且，由於自第1氣體噴嘴35所吐出之氮氣，亦供給至噴嘴3及前端部20，故可有效率地去除附著於噴嘴3及噴嘴臂4之純水。

接著，自中心軸噴嘴19向噴嘴3及噴嘴臂4之前端部20吐出純水(圖6之步驟S3、第2純水供給步驟)。具體而言，控制裝置7在使遮斷板5位於待機位置之狀態下，控制噴嘴旋轉機構10，使噴嘴3及噴嘴臂4移動至處理位置(參照圖1)。即，控制裝置7使噴嘴3移動至中心軸噴嘴19之下方。然後，控制裝置7在噴嘴3位於中心軸噴嘴19下方之狀態下，開啟純水閥18，使純水自中心軸噴嘴19向噴嘴3吐出。

自中心軸噴嘴19所吐出純水之大部分，係供給至噴嘴3及噴嘴臂4之前端部20。即，對噴嘴3及前端部20，不僅自第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34供給純水，而且自中心軸噴嘴19亦供給純水。藉此，可充分地對噴嘴3及前端部20供給純水。尤其，對未充分供給來自第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34之純水之範圍(噴嘴3之凹部、或噴嘴臂4之彎曲部)亦可確實地供給純水。藉此，可確實地去除附著於噴嘴3及前端部20之異物或處理液。

接著，自第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36向噴嘴3及噴嘴臂4吐出氮氣(圖6之步驟S4、第2氣體供給步驟)。具體而言，控制裝置7在使遮斷板5位於待機位置之狀態下，控制噴嘴旋轉機構10，使噴嘴3及噴嘴臂4移動至待機位置。然後，控制裝置7在使噴嘴3及噴嘴臂4位於待機位置之狀態下，開啟氣體閥40，使氮氣自第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36吐出。如上述，附著於噴嘴3、前端部20及臂部22上之純水，係藉由自第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36所吐出之氮氣而加以去除。藉此，使噴嘴3及噴嘴臂4乾燥，結束噴嘴3及噴嘴臂4之清洗。

如上述於第1實施形態中，保持噴嘴3之噴嘴臂4係沿著水平面朝長度方向D1延伸。臂部22之正交剖面C1係包含自頂部(左端45)連續下降至右側部42為止之上側傾斜部47。由於上側傾斜部47連續下降，故即使處理液附著於上側傾斜部47，此處理液亦會沿著上側傾斜部47向下流動。然後，此處理液係自噴嘴臂4落下而去除。亦即，即使處理液附著於噴嘴臂4，此處理液亦可於短時間內自噴嘴臂4去除。因此，可減少處理液對於噴嘴臂4之殘留量。

又，於第1實施形態中，正交剖面C1包含有自右側部42連續下降至底部(下端44)為止之右側傾斜部52、及自左側部43連續下降至底部為止之左側傾斜部51。由於右側傾斜部52及左側傾斜部51連續下降至底部為止，故即使處理液附著於右側傾斜部52及左側傾斜部51，此處理液亦會沿著右側傾斜部52及左側傾斜部51向下流動。然後，此處理液係自噴嘴臂4落下而去除。因此，可減少處理液對於噴嘴臂4之殘留量。

又，於第1實施形態中，正交剖面C1之一側端係包含有頂部(左端45)，而右側部42則包含有正交剖面C1之另一側端。上側傾斜部47自頂部延伸至右側部42為止。因此，上側傾斜部47自一側端延伸至另一側端為止。即，正交剖面C1之上部41係自一側端延伸至另一側端為止，且越靠近另一側端越下降。因此，附著於正交剖面C1上部41之處理液向共用之側端(另一側端)流下。藉此，使附著於正交剖面C1上部41之液滴彼此結合，可利用其自身重量而落下。因此，其可減少處理液對於噴嘴臂4之殘留量。

又，於第1實施形態中，係將自第1氣體噴嘴35所吐出之氮氣對噴嘴臂4之下部噴吹。如上述，附著於噴嘴臂4之處理液係沿著噴嘴臂4向下流動。即，附著於噴嘴臂4之處理液係集中於噴嘴臂4之下部。對此處理液所集中之位置噴吹氮氣。藉此，可吹飛附著於噴嘴臂4之處理液而有效率地加以去除。因此，其可減少處理液對於噴嘴臂4之殘留量。

又，於第1實施形態中，自第1氣體噴嘴35所吐出之氮氣係沿著噴嘴臂4朝長度方向D1流動。因此，自第1氣體噴嘴35對噴嘴臂4噴吹氮氣之範圍將會擴大。藉此，可自更廣之範圍去除處理液。因此，可減少處理液對於噴嘴臂4之殘留量。

又，於第1實施形態中，自第1氣體噴嘴35所吐出之氮氣係自側方對噴嘴臂4之下部噴吹。上側傾斜部47係朝向來自第1氣體噴嘴35之氮氣所噴吹之側下降。因此，附著於上側傾斜部47之處理液會向來自第1氣體噴嘴35之氮氣所噴吹之側流下。換言之，自第1氣體噴嘴35所吐出之氮氣係對附著於上側傾斜部47之處理液所集中之位置噴吹。因此，其可有效率地去除附著於上側傾斜部47之處理液。

又，於第1實施形態中，噴嘴臂4係具有疏水性。因此，相較於噴嘴臂4為親水性之情況，附著於噴嘴臂4之處理液，可於短時間內且以較小之力自噴嘴臂4去除。而且，由於處理液會被排斥，故可減少保持於噴嘴臂4之處理液之量。因此，可進一步減少處理液對於噴嘴臂4之殘留量。

又，於第1實施形態中，將自第1純水噴嘴33所吐出之純水供給至噴嘴臂4之上表面26。藉此，可將附著於噴嘴臂4上表面26之微粒等異物或處理液沖洗掉。因此，其可抑制或防止附著於噴嘴臂4上表面26之異物或處理液落於基板W上而導致基板W被污染。而且，如上述，供給至噴嘴臂4之純水，係藉由沿著噴嘴臂4流下而於短時間內自噴嘴臂4去除，故可抑制或防止在結束對噴嘴臂4供給純水後，純水自噴嘴臂4掉落於基板W上。

又，於第1實施形態中，將自第2氣體噴嘴36所吐出之氮氣對位於比噴嘴臂4更下方之噴嘴下部23噴吹。由於噴嘴下部23係配置於比噴嘴臂4更下方，故附著於噴嘴3外表面之處理液、或沿著噴嘴臂4移動至噴嘴3之處理液會向噴嘴下部23流下。因此，自第2氣體噴嘴36所吐出之氮氣係對處理液所集中之位置噴吹。因此，其可有效率地去除處理液。

又，於第1實施形態中，自第1氣體噴嘴35所吐出之氮氣係沿著噴嘴臂4自基端部21朝向前端部20之方向D2(參照圖3)流動。同樣地，自第2氣體噴嘴36所吐出之氮氣係沿著噴嘴下部23自基端部21朝向前端部20之方向D2流動。即，自各氣體噴嘴35、36所吐出之氮氣朝相同方向流動。因此，其可抑制或防止自第1氣體噴嘴35所吐出之氮氣與自第2氣體噴嘴36所吐出之氮氣發生碰撞，而導致自各氣體噴嘴35、36所吐出之氮氣之衝力減弱。藉此，其可確實地去除附著於噴嘴3及噴嘴臂4之處理液。

又，於第1實施形態中，藉由將噴嘴旋轉機構10之驅動力傳遞至噴嘴臂4，使噴嘴臂4於處理位置與待機位置之間移動。自第1氣體噴嘴35所吐出之氮氣係對位於待機位置之噴嘴臂4之下部噴吹。因此，可將第1氣體噴嘴35配置於噴嘴臂4之待機位置。即，第1氣體噴嘴35亦可不以與噴嘴臂4一起移動之方式所構成。因此，可抑制或防止包含噴嘴臂4之可動部之大型化。

又，於第1實施形態中，在處理位置上位於由旋轉卡盤2所保持基板W之上方之部分，即，臂部22係具有正交剖面C1。因此，即使處理液附著於臂部22，此處理液亦可於短時間內去除。因此，即便使噴嘴臂4於基板W上移動，亦可確實地抑制或防止處理液自噴嘴臂4掉落於基板W上。藉此，可抑制或防止基板W之污染或品質低下。

雖然本發明之實施形態之說明已如以上所述，但本發明並不受限於上述第1實施形態之內容，其亦可以其他形態來實施。

例如，於上述第1實施形態中，已說明正交剖面C1為圖5所示之五角形狀之情況。然而，正交剖面C1之形狀亦可為將圖5之上下加以反轉之形狀。即，亦可使正交剖面C1之上部為倒立V字狀，使正交剖面C1之下部為自一側端延伸至另一側端為止之斜線。而且，正交剖面C1亦可為五角形以外之多角形。

具體而言，例如，如圖9所示之噴嘴臂204，噴嘴臂204之正交剖面C201亦可為三角形狀，正交剖面C201包含有頂部245、側部246、及上側傾斜部247。而且，正交剖面C201包含有底部250、及下側傾斜部252。

又，如圖10所示之噴嘴臂304，噴嘴臂304之正交剖面C301亦可為四角形狀。正交剖面C301包含有頂部345、側部346、及上側傾斜部347。而且，正交剖面C301包含有底部350、及下側傾斜部352。

又，於上述第1實施形態中，雖然已說明利用複數根直線對正交剖面C1進行劃分之情況，但正交剖面C1亦可包含直線及曲線，亦可利用曲線進行劃分。

具體而言，例如，如圖11所示之噴嘴臂404，噴嘴臂404之正交剖面C401亦可利用朝下側凸出之曲線、與相對於水平面傾斜之直線進行劃分。正交剖面C401包含有頂部445、側部446、及上側傾斜部447。而且，正交剖面C401包含有底部450、及下側傾斜部452。

又，於上述第1實施形態中，已說明臂部22自臂部22之一端部至臂部22之另一端部為止具有固定之剖面(正交剖面C1)之情況。然而，臂部22之剖面亦可進行變化。

具體而言，亦可使任意兩個位置之臂部22之剖面為相似(同形)，使臂部22之剖面積(大小)連續地變化。於此情形時，臂部22之剖面積亦可為越接近臂部22之一端部(前端部20側之端部)越減少。又，臂部22之剖面形狀(正交剖面C1之形狀)亦可隨著接近於臂部22之一端部連續地變化。於此情形時，臂部22之剖面積可為固定，亦可為越接近臂部22之一端部越減少。

又，於上述第1實施形態中，已說明自第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34對噴嘴臂4供給純水之情況。然而，亦可自除了第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34以外之噴嘴對噴嘴臂4供給純水。

具體而言，亦可於遮斷板5之上表面設置供給純水之純水噴嘴553(參照圖1)。於此情形時，控制裝置7亦可一邊藉由控制遮斷板旋轉機構14使遮斷板5旋轉，一邊使純水自純水噴嘴553向旋轉狀態之遮斷板5之上表面吐出。自純水噴嘴553所吐出之純水係供給至遮斷板5之上表面，並藉由因遮斷板5之旋轉所產生之離心力朝遮斷板5之周圍甩落。因此，自遮斷板5甩落之純水會碰撞劃分處理室6之隔離壁(未圖示)而彈回。然後，所彈回之純水將供給至噴嘴臂4。藉此，可將附著於噴嘴臂4之異物或處理液沖洗掉。

又，於上述第1實施形態中，已說明保持噴嘴3之前端部20設置於噴嘴臂4之情況。然而，亦可不設置前端部20，而將噴嘴3保持於臂部22之一端部。即，臂部22之一端部亦可為保持噴嘴3之前端部。

又，於上述第1實施形態中，已說明自第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36所吐出之氣體為氮氣之情況。然而，自第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36所吐出之氣體並不限定於氮氣，亦可為氬氣等氮氣以外之惰性氣體，亦可為乾燥之空氣或潔淨之空氣。

又，於上述第1實施形態中，已說明自第1純水噴嘴33及第2氣體噴嘴36水平地吐出流體(純水或氮氣)，且自第2純水噴嘴34及第1氣體噴嘴35向斜上方吐出流體之情況。然而，來自第1純水噴嘴33及第2氣體噴嘴36之流體之吐出方向，亦可為斜上方向或斜下方向。又，來自第2純水噴嘴34及第1氣體噴嘴35之純水之吐出方向亦可為水平方向。

又，於上述第1實施形態中，已說明經由共用之純水閥37對第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34供給純水，且經由共用之氣體閥40對第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36供給氮氣之情況。然而，亦可經由個別之閥對第1純水噴嘴33及第2純水噴嘴34供給純水。同樣地，亦可經由個別之閥對第1氣體噴嘴35及第2氣體噴嘴36供給氮氣。

另外，本發明可於申請專利範圍所記載事項之範圍內實施各種設計變更。

1．．．基板處理裝置

2．．．旋轉卡盤(基板保持手段)

3．．．噴嘴

4．．．噴嘴臂

5．．．遮斷板

6．．．處理室

7．．．控制裝置

8．．．旋轉底座

9．．．旋轉馬達

10．．．噴嘴旋轉機構(移動手段)

11．．．箱體

12．．．支軸

13．．．遮斷板升降機構

14．．．遮斷板旋轉機構

15．．．貫通孔

16．．．第1配管

17．．．第2配管

18．．．純水閥

19．．．中心軸噴嘴

20．．．前端部

21．．．基端部

22．．．臂部(噴嘴臂之至少一部分)

23．．．噴嘴下部

24．．．螺釘

25．．．底座

26．．．噴嘴臂之上表面

27．．．右側面

28．．．左側面

29．．．下表面

30．．．芯材

31．．．液體供給管

32．．．氣體供給管

33．．．第1純水噴嘴(純水噴嘴)

34．．．第2純水噴嘴

35．．．第1氣體噴嘴

36．．．第2氣體噴嘴

37．．．純水閥

38．．．第1撐條

39．．．第2撐條

40．．．氣體閥

41．．．上部

42．．．右側部(側部、另一側端)

43．．．左側部(一側端)

44．．．下部

45．．．左端(頂部)

46．．．右端

47．．．上側傾斜部

48．．．左端

49．．．右端

50．．．下端(底部)

51．．．左側傾斜部

52．．．右側傾斜部(下側傾斜部)

204．．．噴嘴臂

245．．．頂部

246．．．側部

247．．．上側傾斜部

250．．．底部

252．．．下側傾斜部

304．．．噴嘴臂

345．．．頂部

346．．．側部

347．．．上側傾斜部

350．．．底部

352．．．下側傾斜部

404．．．噴嘴臂

445．．．頂部

446．．．側部

447．．．上側傾斜部

450．．．底部

452．．．下側傾斜部

553．．．純水噴嘴

CL1．．．軸線

L1．．．噴嘴旋轉軸線

C1．．．正交剖面

C201．．．正交剖面

C301．．．正交剖面

C401．．．正交剖面

D1．．．長度方向

D2．．．自基端部朝向前端部之方向

S1～S4．．．步驟

W．．．基板

IV．．．箭頭

圖1係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之概略構成的側視圖。

圖2係表示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之概略構成的俯視圖。

圖3係本發明之第1實施形態之噴嘴臂及與此相關之構成的側視圖。

圖4係自圖3所示之箭頭IV之方向所觀察噴嘴臂之剖面圖。

圖5係將圖4之一部分加以放大之圖。

圖6係用以說明清洗噴嘴及噴嘴臂時之動作之一例的流程圖。

圖7係用以說明對噴嘴臂供給純水時之純水動作之一例的剖面圖。

圖8係用以說明對噴嘴臂供給氮氣時之純水動作之一例的剖面圖。

圖9係本發明之第2實施形態之噴嘴臂的剖面圖。

圖10係本發明之第3實施形態之噴嘴臂的剖面圖。

圖11係本發明之第4實施形態之噴嘴臂的剖面圖。

4．．．噴嘴臂

22．．．臂部(噴嘴臂之至少一部分)

26．．．噴嘴臂之上表面

27．．．右側面

28．．．左側面

29．．．下表面

30．．．芯材

31．．．液體供給管

32．．．氣體供給管

41．．．上部

42．．．右側部(側部、另一側端)

43．．．左側部(一側端)

44．．．下部

45．．．左端(頂部)

46．．．右端

47．．．上側傾斜部

48．．．左端

49．．．右端

50．．．下端(底部)

51．．．左側傾斜部

52．．．右側傾斜部(下側傾斜部)

C1．．．正交剖面

CL1．．．軸線

D1．．．長度方向

Claims (12)

1. 一種基板處理裝置，其包含有：噴嘴，其吐出對基板進行處理之處理流體；及噴嘴臂，其係將上述噴嘴保持於一端，且朝沿著水平面之長度方向延伸；且與上述長度方向正交之上述噴嘴臂之至少一部分之正交剖面，包含有在上述正交剖面中位於最上方之頂部、位於比上述頂部更側方之側部、自上述頂部連續下降至上述側部為止之上側傾斜部、在上述正交剖面中位於最下方之底部、及自上述側部連續下降至上述底部為止之下側傾斜部。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述正交剖面包含有在上述正交剖面中位於最側方之左右一對之側端，其中一側端包含上述頂部，而上述側部包含另一側端，且上述上側傾斜部係自上述一側端連續下降至上述另一側端為止。
3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，進一步包含有向上述噴嘴臂之下部吐出氣體之第1氣體噴嘴。
4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述第1氣體噴嘴係以自上述第1氣體噴嘴所吐出之氣體沿著上述噴嘴臂朝上述噴嘴臂之長度方向流動之方式所構成。
5. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中， 上述第1氣體噴嘴係以自上述噴嘴臂之側方朝向上述噴嘴臂之下部吐出氣體之方式所構成，且上述上側傾斜部係朝向來自上述第1氣體噴嘴之氣體所噴吹之側下降。
6. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述噴嘴臂係由疏水性材料所形成。
7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，進一步包含有向上述噴嘴臂之上表面吐出純水之純水噴嘴。
8. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述噴嘴包含有配置於比上述噴嘴臂更下方之噴嘴下部，且上述基板處理裝置進一步包含有向上述噴嘴下部吐出氣體之第2氣體噴嘴。
9. 如申請專利範圍第8項之基板處理裝置，其中，上述噴嘴臂係包含於上述一端保持上述噴嘴之前端部、與基端部之棒狀構件，上述第1氣體噴嘴係以自上述第1氣體噴嘴所吐出之氣體朝自上述基端部朝向上述前端部之方向流動之方式所構成，且上述第2氣體噴嘴係以自上述第2氣體噴嘴所吐出之氣體自上述基端部朝向上述前端部之方向流動之方式所構成。
10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之基板處理裝 置，其中，進一步包含有：基板保持手段，其對基板進行保持；及移動手段，其使上述噴嘴臂在上述噴嘴位於上述基板保持手段所保持的基板之上方之處理位置、與上述噴嘴自上述基板保持手段所保持的基板之上方退避之待機位置間移動；且上述第1氣體噴嘴係以向位於上述待機位置之上述噴嘴臂之下部吐出氣體之方式所構成。
11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述噴嘴臂之上述至少一部分係包含有在上述處理位置中位於上述基板保持手段所保持的基板之上方之部分。
12. 如申請專利範圍第1至9項中任一項之基板處理裝置，其中，於上述噴嘴臂內，內設有供自上述噴嘴吐出之處理流體流通之管路。