JP2023043679A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】プラズマ処理の熱的な影響を受けた処理液によって生じる汚染を低減できる技術の提供。【解決手段】基板処理装置１３２は、基板Ｗを保持する保持部１と、保持部１に保持された基板Ｗに処理液を供給する処理液供給部と、保持部１に保持された基板Ｗに対してプラズマを照射するプラズマ照射部３１と、プラズマ照射部３１を、保持部１に保持された基板Ｗに対してプラズマが照射されない待機位置と、保持部１に保持された基板Ｗに対してプラズマが照射されるプラズマ処理位置との間で移動させる移動機構３３と、プラズマ照射部３１における基板Ｗと対向される対向面３１０に沿うガス流を形成するガス流形成部４と、を備える。【選択図】図３

Description

本願は、基板処理装置および基板処理方法に関する。

半導体装置の製造プロセスにおいて、基板の処理にプラズマが用いられることがある。多くの場合、プラズマは、電極に相当に高い電圧が印加されることによって発生されるため、電極などが昇温することが避けられない。例えば特許文献１には、プラズマを用いて基板を処理する装置において、電極を空冷してその昇温を抑制する技術が開示されている。

特開２００３－６８７１０号公報

ところで、プラズマを用いた処理プロセスの中には、プラズマと処理液とを併用するものがある。例えば、基板に処理液を供給し、さらに、処理液が供給された基板（すなわち、処理液の液膜が形成された基板）に対してプラズマを照射して、プラズマの作用を受けた処理液によって基板に対する処理を進行させる、といった処理プロセスがある。

プラズマと処理液とを併用する処理プロセスが行われる場合、プラズマが照射される際に、昇温した電極からの熱、プラズマ自体からの熱、などを受けることによって、基板に供給されている処理液が気化あるいはミスト化する可能性がある。気化あるいはミスト化した処理液は、浮遊して、周囲に配置されている部材などに付着し、該部材を汚染する汚染源となり得る。

本願は、このような課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、プラズマ処理の熱的な影響を受けた処理液によって生じる汚染を低減できる技術を提供することである。

第１の態様は、基板処理装置であって、基板を保持する保持部と、前記保持部に保持された基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記保持部に保持された基板に対してプラズマを照射するプラズマ照射部と、前記プラズマ照射部を、前記保持部に保持された基板に対してプラズマが照射されない待機位置と、前記保持部に保持された基板に対してプラズマが照射されるプラズマ処理位置との間で移動させる移動機構と、前記プラズマ照射部における前記基板と対向される対向面に沿うガス流を形成するガス流形成部と、を備える。

第２の態様は、第１の態様に係る基板処理装置であって、前記ガス流形成部が、前記待機位置に配置された前記プラズマ照射部の前記対向面に向けてガスを吐出する第１ガスノズル、を備える。

第３の態様は、第２の態様に係る基板処理装置であって、前記第１ガスノズルからのガスの吐出方向が、前記待機位置に配置された前記プラズマ照射部の前記対向面に対して非直角な方向である。

第４の態様は、第２または第３の態様に係る基板処理装置であって、前記第１ガスノズルから吐出されるガスが、窒素ガスである。

第５の態様は、第１から第４の態様のいずれかに係る基板処理装置であって、前記ガス流形成部が、前記プラズマ照射部の前記対向面の面内からガスを吐出する第２ガスノズル、を備える。

第６の態様は、第５の態様に係る基板処理装置であって、前記第２ガスノズルから吐出されるガスが、窒素ガスである。

第７の態様は、第５の態様に係る基板処理装置であって、前記第２ガスノズルから吐出されるガスが、酸素を含有するガスである。

第８の態様は、第１から第７の態様のいずれかに係る基板処理装置であって、前記処理液が、硫酸である。

第９の態様は、基板処理方法であって、基板に処理液を供給する処理液供給工程と、前記処理液供給工程が行われた後に、プラズマ照射部を、基板に対してプラズマが照射されない待機位置から、基板に対してプラズマが照射されるプラズマ処理位置まで移動させる第１移動工程と、前記プラズマ処理位置に配置された前記プラズマ照射部から前記基板にプラズマを照射してプラズマ処理を進行させた後に、前記プラズマ照射部を、前記プラズマ処理位置から前記待機位置まで移動させる第２移動工程と、前記プラズマ照射部における前記基板と対向される対向面に沿うガス流を形成するガス流形成工程と、を備える。

第１０の態様は、第９の態様に係る基板処理方法であって、前記ガス流形成工程が、前記プラズマ照射部が前記待機位置に配置されている状態において行われる。

第１１の態様は、第１０の態様に係る基板処理方法であって、前記ガス流形成工程が、前記プラズマ照射部が前記待機位置に配置されるのと同時に、開始される。

第１２の態様は、第１０または第１１の態様に係る基板処理方法であって、前記ガス流形成工程において、窒素ガスのガス流が形成される。

第１３の態様は、第９の態様に係る基板処理方法であって、前記ガス流形成工程が、前記プラズマ照射部が前記プラズマ処理位置に配置されている状態において行われる。

第１４の態様は、第１３の態様に係る基板処理方法であって、前記ガス流形成工程が、前記プラズマ処理が終了した後に、開始される。

第１５の態様は、第１４の態様に係る基板処理方法であって、前記ガス流形成工程において、窒素ガスのガス流が形成される。

第１６の態様は、第１３の態様に係る基板処理方法であって、前記ガス流形成工程が、前記プラズマ処理が終了する前に、開始される。

第１７の態様は、第１６の態様に係る基板処理方法であって、前記ガス流形成工程において、酸素を含有するガスのガス流が形成される。

第１８の態様は、第９から第１７の態様のいずれかに係る基板処理方法であって、前記処理液が硫酸である。

第１の態様に係る基板処理装置によると、プラズマ照射部の対向面に沿うガス流を形成するガス流形成部を備える。このようなガス流を形成することで、プラズマ処理の熱的な影響を受けて気化あるいはミスト化した処理液を、対向面の外方に押し流すことができる。したがって、気化あるいはミスト化した処理液が対向面に付着することが抑制される。すなわち、プラズマ処理の熱的な影響を受けた処理液によって生じる汚染が低減される。

第２の態様に係る基板処理装置によると、ガス流形成部が、待機位置に配置されたプラズマ照射部の対向面に向けてガスを吐出する第１ガスノズルを備えるので、対向面に沿うガス流を、簡易かつ確実に形成することができる。

第３の態様に係る基板処理装置によると、第１ガスノズルからのガスの吐出方向が、対向面に対して非直角な方向であるので、対向面の近傍に存在している気化あるいはミスト化した処理液を、対向面の外方に効率的に押し流すことができる。

第４の態様に係る基板処理装置によると、第１ガスノズルから吐出されるガスが窒素ガスであるので、対向面に沿うガス流が、対向面の近傍に存在している気化あるいはミスト化した処理液と反応してしまう、といった事態が生じにくい。

第５の態様に係る基板処理装置によると、ガス流形成部が、プラズマ照射部の対向面の面内からガスを吐出する第２ガスノズルを備える。例えば、プラズマ照射部がプラズマ処理位置に配置されている状態において、第２ガスノズルからガスが吐出されると、対向面と、これに近接しつつ対向配置されている基板との間の空間にガスが流れることによって、対向面に沿うガス流が形成される。このように、第２ガスノズルによると、例えば対向面と基板との位置関係を利用することで、対向面に沿うガス流を簡易かつ確実に形成することができる。

第６の態様に係る基板処理装置によると、第２ガスノズルから吐出されるガスが窒素ガスであるので、対向面に沿うガス流が、対向面の近傍に存在している気化あるいはミスト化した処理液と反応してしまう、といった事態が生じにくい。

第７の態様に係る基板処理装置によると、第２ガスノズルから吐出されるガスが、酸素を含有するガスであるので、対向面に沿うガス流によって、気化あるいはミスト化した処理液を押し流すだけでなく、該ガス流によってプラズマの発生を促進することができる。

第８の態様に係る基板処理装置によると、基板に供給される処理液が硫酸である。この場合、プラズマ処理の熱的な影響を受けることによって気化あるいはミスト化した硫酸が、例えばプラズマ照射部の対向面に付着して結露すると、これが空気中の水分を吸湿して希硫酸の液滴に成長する可能性がある。このような液滴が形成されると、これが滴下して基板などを汚染する虞がある。上記のとおり、この基板処理装置では、プラズマ照射部の対向面に沿うガス流を形成することで、気化あるいはミスト化した硫酸が対向面に付着することが抑制されるので、このような事態の発生を未然に防止することができる。

第９の態様に係る基板処理方法によると、プラズマ照射部の対向面に沿うガス流を形成するガス流形成工程を備える。このようなガス流を形成することで、プラズマ処理の熱的な影響を受けて気化あるいはミスト化した処理液が対向面に付着することが抑制される。すなわち、プラズマ処理の熱的な影響を受けた処理液によって生じる汚染が低減される。

第１０の態様に係る基板処理方法によると、プラズマ照射部が待機位置に配置されている状態において、プラズマ照射部の対向面に沿うガス流が形成される。プラズマ照射部が待機位置に配置されている状態において、対向面は比較的広い空間に臨んだ状態となっているので、気化あるいはミスト化した処理液を、対向面の外方に十分に押し流すことができる。したがって、気化あるいはミスト化した処理液が対向面に付着することを十分に抑制することができる。

第１１の態様に係る基板処理方法によると、プラズマ照射部が待機位置に配置されるのと同時に、ガス流の形成が開始されるので、気化あるいはミスト化した処理液を、比較的早い段階で、対向面の外方に押し流すことができる。したがって、気化あるいはミスト化した処理液が対向面に付着することが効果的に抑制される。

第１２の態様に係る基板処理方法によると、ガス流形成工程において窒素ガスのガス流が形成されるので、対向面に沿うガス流が、対向面の近傍に存在している気化あるいはミスト化した処理液と反応してしまう、といった事態が生じにくい。

第１３の態様に係る基板処理方法によると、プラズマ照射部がプラズマ処理位置に配置されている状態において、プラズマ照射部の対向面に沿うガス流が形成される。プラズマ照射部がプラズマ処理位置に配置されている状態においては、気化あるいはミスト化した処理液は、対向面と基板との間の比較的狭い空間に充満した状態となっているところ、この状態において対向面に沿うガス流が形成されることで、気化あるいはミスト化した処理液を、対向面の外方に効率的に押し流すことができる。したがって、気化あるいはミスト化した処理液が対向面に付着することを十分に抑制することができる。

第１４の態様に係る基板処理方法によると、プラズマ処理が終了した後に、対向面に沿うガス流の形成が開始されるので、プラズマ処理がガス流の影響を受けることがない。

第１５の態様に係る基板処理方法によると、ガス流形成工程において窒素ガスのガス流が形成されるので、対向面に沿うガス流が、対向面の近傍に存在している気化あるいはミスト化した処理液と反応してしまう、といった事態が生じにくい。

第１６の態様に係る基板処理方法によると、プラズマ処理が終了する前に、対向面に沿うガス流の形成が開始されるので、スループットを向上させることができる。

第１７の態様に係る基板処理方法によると、ガス流形成工程において酸素を含有するガスのガス流が形成されるので、対向面に沿うガス流によって、気化あるいはミスト化した処理液を押し流すだけでなく、該ガス流によってプラズマの発生を促進することができる。

第１８の態様に係る基板処理方法によると、基板に供給される処理液が硫酸である。上記のとおり、この基板処理方法では、プラズマ照射部の対向面に沿うガス流が形成されることで、気化あるいはミスト化した硫酸が対向面に付着することが抑制される。したがって、対向面に付着した硫酸が、空気中の水分を吸湿して希硫酸の液滴に成長し、滴下して基板などを汚染する、といった事態の発生を未然に防止することができる。

基板処理システムの構成を模式的に示す平面図である。 制御部の構成を示すブロック図である。 第１実施形態に係る処理ユニットの構成を模式的に示す側面図である。 プラズマリアクタの構成を概略的に示す平面図である。 第１ガスノズルの構成を説明するための側面図および平面図である。 処理ユニットにおいて実行される処理の流れを示す図である。 保持工程を説明するための図である。 処理液供給工程を説明するための図である。 プラズマ処理を説明するための図である。 リンス工程およびガス流形成工程を説明するための図である。 第２実施形態に係る処理ユニットの構成を模式的に示す側面図である。 第２ガスノズルの構成を説明するための側面図および平面図である。 処理ユニットにおいて実行される処理の流れを示す図である。 ガス流形成工程を説明するための図である。 変形例に係る第２ガスノズルの構成を説明するための側面図および平面図である。 処理ユニットにおいて実行される処理の流れを示す図である。 変形例に係る第１ガスノズルの構成を示す図である。 変形例に係る第１ガスノズルの構成を示す図である。 変形例に係る第１ガスノズルの構成を示す図である。 変形例に係る第１ガスノズルの構成を示す図である。 変形例に係る第１ガスノズルの構成を示す図である。 変形例に係る第１ガスノズルの構成を示す図である。 変形例に係る第２ガスノズルの構成を示す図である。 変形例に係る処理ユニットの構成を模式的に示す側面図である。

以下、添付の図面を参照しながら、実施形態について説明する。なお、この実施形態に記載されている構成要素はあくまでも例示であり、本開示の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、図面においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法または数が誇張または簡略化して図示されている場合がある。

相対的または絶対的な位置関係を示す表現（例えば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」、「同軸」、など）は、特に断らない限り、その位置関係を厳密に表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる範囲で相対的に角度または距離に関して変位された状態も表すものとする。また、等しい状態であることを示す表現（例えば、「同一」、「等しい」、「均質」、など）は、特に断らない限り、定量的に厳密に等しい状態を表すのみならず、公差もしくは同程度の機能が得られる差が存在する状態も表すものとする。また、形状を示す表現（例えば、「円形状」、「四角形状」、「円筒形状」、など）は、特に断らない限り、幾何学的に厳密にその形状を表すのみならず、同程度の効果が得られる範囲の形状を表すものとし、例えば凹凸または面取りなどを有していてもよい。また、構成要素を「備える」、「具える」、「具備する」、「含む」、「有する」、といった各表現は、他の構成要素の存在を除外する排他的表現ではない。また、「Ａ、ＢおよびＣのうちの少なくとも一つ」という表現には、「Ａのみ」、「Ｂのみ」、「Ｃのみ」、「Ａ、ＢおよびＣのうち任意の２つ」、「Ａ、ＢおよびＣの全て」が含まれる。

＜１．第１実施形態＞
＜１－１．基板処理システムの全体構成＞
基板処理システム１００の構成について、図１を参照しながら説明する。図１は、基板処理システム１００の構成を模式的に示す平面図である。

基板処理システム１００は、処理対象である基板Ｗに対して所定の処理を行う処理システムであり、インターフェース部１１０、インデクサ部１２０、本体部１３０、および、制御部１４０を備える。基板処理システム１００において処理対象とされる基板Ｗは、例えば半導体基板である。また、処理対象とされる基板Ｗの形状は、例えば円板形状であり、そのサイズ（直径）は例えば約３００（mm）である。

インターフェース部１１０は、複数枚の基板Ｗを収容する基板収容器であるキャリアＣを、基板処理システム１００に接続するためのインターフェースであり、具体的には例えば、キャリアＣが載置されるロードポート１１１が、複数個（図の例では３個）、水平方向に一列に並んで配列された構成を備える。キャリアＣは、基板Ｗを密閉空間に収納するタイプのもの（例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、など）であってもよいし、基板Ｗを外気にさらすタイプのもの（例えば、ＯＣ（Open Cassette）、など）であってもよい。

インデクサ部１２０は、インターフェース部１１０と本体部１３０との間に配置された部分であり、インデクサロボット１２１を備える。

インデクサロボット１２１は、各ロードポート１１１に載置されたキャリアＣと主搬送ロボット１３１（後述する）との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットであり、基板Ｗを保持するハンド１２１ａ、ハンド１２１ａに接続されたアーム１２１ｂ、アーム１２１ｂを伸縮、旋回、および、昇降させるための駆動部、などを含んで構成される。インデクサロボット１２１は、各ロードポート１１１に載置されているキャリアＣにアクセスして、搬出動作（すなわち、キャリアＣに収容されている未処理の基板Ｗをハンド１２１ａで取り出す動作）、および、搬入動作（すなわち、ハンド１２１ａに保持されている処理済みの基板ＷをキャリアＣに搬入する動作）を行う。また、インデクサロボット１２１は、主搬送ロボット１３１との受渡位置Ｔにアクセスして、主搬送ロボット１３１との間で基板Ｗの受け渡しを行う。

本体部１３０は、主搬送ロボット１３１、および、複数個（例えば１２個）の処理ユニット１３２を備える。ここでは例えば、鉛直方向に積層された複数個（例えば３個）の処理ユニット１３２が、１個のタワーを構成しており、該タワーが、主搬送ロボット１３１の周囲を取り囲むようにして、複数個（例えば４個）、設けられる。

主搬送ロボット１３１は、インデクサロボット１２１と各処理ユニット１３２との間で基板Ｗを搬送する搬送ロボットであり、基板Ｗを保持するハンド１３１ａ、ハンド１３１ａに接続されたアーム１３１ｂ、アーム１３１ｂを伸縮、旋回、および、昇降させるための駆動部、などを含んで構成される。主搬送ロボット１３１は、各処理ユニット１３２にアクセスして、搬入動作（すなわち、ハンド１３１ａに保持されている処理対象の基板Ｗを処理ユニット１３２に搬入する動作）、および、搬出動作（すなわち、処理ユニット１３２に収容されている処理済みの処理の基板Ｗをハンド１３１ａで取り出す動作）、を行う。また、主搬送ロボット１３１は、インデクサロボット１２１との受渡位置Ｔにアクセスして、インデクサロボット１２１との間で基板Ｗの受け渡しを行う。

処理ユニット１３２は、基板Ｗに対して所定の処理を行う装置である。処理ユニット１３２の具体的な構成については、後に説明する。

制御部１４０は、基板処理システム１００が備える各部の動作を制御する要素であり、例えば、電気回路を有する一般的なコンピュータによって構成される。制御部１４０は、具体的には例えば、図２に示されるように、データ処理を担う中央演算装置としてのＣＰＵ（Central Processor Unit）１４１、基本プログラムなどが格納されるＲＯＭ（Read Only Memory）１４２、ＣＰＵ１４１が所定の処理（データ処理）を行う際の作業領域として用いられるＲＡＭ（Random Access Memory）１４３、フラッシュメモリ、ハードディスク装置、などの不揮発性記憶装置によって構成される記憶装置１４４、これらを相互に接続するバスライン１４５、などを含んで構成される。記憶装置１４４には、制御部１４０が実行する処理を規定するプログラムＰが格納されており、ＣＰＵ１４１がこのプログラムＰを実行することにより、制御部１４０がプログラムＰによって規定された処理を実行することができる。もっとも、制御部１４０が実行する処理の一部または全部が、専用の論理回路などのハードウェアによって実行されてもよい。

制御部１４０は、基板処理システム１００の全体の動作を統括して制御する主制御部と、複数のローカル制御部とが、通信可能に接続された構成とされてもよい。この場合に、複数の処理ユニット１３２の各々に、少なくとも１個のローカル制御部が対応付けられて、該ローカル制御部が、主制御部からの指示に基づいて、対応する処理ユニット１３２の動作を制御するものとしてもよい。また、このような構成が採用される場合、主制御部および各ローカル制御部の各々が、上記の各部１４１～１４５の一部あるいは全部を個別に備えるものとしてもよい。

＜１－２．処理ユニット＞
次に、処理ユニット１３２の構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、処理ユニット１３２の構成を模式的に示す側面図である。なお、上記のとおり、本体部１３０には複数個の処理ユニット１３２が設けられているが、これら複数個の処理ユニット１３２のうちの少なくとも１個が、以下に説明する構成を有していればよい。すなわち、複数の処理ユニット１３２の中には、以下に説明する構成とは異なる構成を有するものが含まれてもよい。

処理ユニット１３２は、例えば、基板Ｗに設けられているレジストを剥離（除去）する処理を行う処理装置であり、基板処理装置に相当する。処理ユニット１３２は、処理対象である基板Ｗを１枚ずつ処理する、いわゆる枚葉式の処理装置である。

処理ユニット１３２は、保持部１、液供給部２、プラズマ発生部３、ガス流形成部４、および、ガード部５を備える。また、処理ユニット１３２は、これら各部１～５が備える要素の少なくとも一部（例えば、ベース部１１、ノズル２１，２２、プラズマリアクタ３１、ガスノズル４１、ガード５１、など）を収容するチャンバ６を備える。チャンバ６の内部空間には、ファンフィルタユニット６１などによって、清浄な空気のダウンフローが形成される。

（保持部１）
保持部１は、処理対象となる基板Ｗを保持する要素であり、例えば、ベース部１１、複数のチャックピン１２、および、回転機構１３を備える。

ベース部１１は、基板Ｗよりも僅かに大径である円板形状の部材であり、厚み方向を鉛直方向に沿わせるような姿勢で、配置される。複数のチャックピン１２は、ベース部１１の上面に設けられており、該上面の周縁に沿って間隔を設けつつ配列されている。各チャックピン１２は、制御部１４０からの指示に応じて、基板Ｗの周縁に接触するチャック位置と、基板Ｗの周縁から離間する解除位置と間で変位するように構成されており、各チャックピン１２がチャック位置に配置されることによって、基板Ｗが水平姿勢（基板Ｗの厚み方向が鉛直方向に沿うような姿勢）でベース部１１の上方に保持される。

回転機構１３は、ベース部１１を回転させる機構である。回転機構１３は、具体的には例えば、上端においてベース部１１の下面と連結されたシャフト１３ａ、および、シャフト１３ａの下端に接続されたモータ１３ｂを含んで構成される。ここでは、例えば、ベース部１１上に保持される基板Ｗの主面と直交するとともに、該主面の中心を通るような軸が、回転軸Ｑとして規定されており、シャフト１３ａは、この回転軸Ｑと同軸に設けられる。そして、モータ１３ｂは、制御部１４０からの指示に応じて、制御部１４０から指示された回転数で、シャフト１３ａを回転軸Ｑの周りで回転させる。モータ１３ｂの駆動を受けてシャフト１３ａが回転されることによって、ベース部１１、ひいては、ベース部１１上に保持される基板Ｗが、この回転軸Ｑの周りで回転する。このように、回転機構１３を含んで構成される保持部１（すなわち、基板Ｗを保持しつつ回転させることができる保持部１）は、スピンチャックなどとも呼ばれる。また、スピンチャックにおけるベース部１１は、スピンベースなどとも呼ばれる。

（液供給部２）
液供給部２は、保持部１に保持されている基板Ｗに液体を供給する要素であり、例えば、処理液ノズル２１、リンス液ノズル２２、および、ノズル移動機構２３を備える。

処理液ノズル２１は、保持部１に保持されている基板Ｗに処理液を供給するノズルであり、例えば、一端面に吐出口２１０が形成されたストレート型のノズルである。処理液ノズル２１は、処理液供給管２１１を介して、所定の処理液（ここでは、硫酸）を貯留する処理液供給源２１２に接続される。また、処理液供給管２１１には、バルブ２１３および流量調整部２１４が介挿される。バルブ２１３は、処理液供給管２１１を通じた処理液の供給と停止とを切り替える弁であり、制御部１４０によって制御される。流量調整部２１４は、例えばマスフローコントローラにより構成され、制御部１４０の制御下で、処理液供給管２１１を流れる処理液の流量を調整する。このような構成において、バルブ２１３が開かれると、流量調整部２１４によって調整される所定流量の処理液が、処理液供給源２１２から処理液供給管２１１を通じて処理液ノズル２１に供給されて、吐出口２１０から吐出される。

処理液ノズル２１が後述するノズル処理位置に配置された状態で、吐出口２１０から処理液が吐出されることで、保持部１に保持されている基板Ｗに処理液が供給される（図８）。つまり、処理液ノズル２１およびこれに接続された処理液供給管２１１などによって、保持部１に保持されている基板Ｗに処理液を供給する処理液供給部が構成される。

リンス液ノズル２２は、保持部１に保持されている基板Ｗにリンス液を供給するノズルであり、例えば、一端面に吐出口２２０が形成されたストレート型のノズルである。リンス液ノズル２２は、リンス液供給管２２１を介して、所定のリンス液（例えば、脱イオン水（ＤＩＷ、Ｈ-ＤＩＷ）、純水、オゾン水、炭酸水、イソプロピルアルコール、など）を貯留するリンス液供給源２２２に接続される。また、リンス液供給管２２１には、バルブ２２３および流量調整部２２４が介挿される。バルブ２２３は、リンス液供給管２２１を通じたリンス液の供給と停止とを切り替える弁であり、制御部１４０によって制御される。流量調整部２２４は、例えばマスフローコントローラにより構成され、制御部１４０の制御下で、リンス液供給管２２１を流れるリンス液の流量を調整する。このような構成において、バルブ２２３が開かれると、流量調整部２２４によって調整される所定流量のリンス液が、リンス液供給源２２２からリンス液供給管２２１を通じてリンス液ノズル２２に供給されて、吐出口２２０から吐出される。

リンス液ノズル２２が後述するノズル処理位置に配置された状態で、吐出口２２０からリンス液が吐出されることで、保持部１に保持されている基板Ｗにリンス液が供給される（図１０）。つまり、ここでは、リンス液ノズル２２およびこれに接続されたリンス液供給管２２１などによって、保持部１に保持されている基板Ｗにリンス液を供給するリンス液供給部が構成される。

ノズル移動機構２３は、処理液ノズル２１およびリンス液ノズル２２を、ノズル処理位置とノズル待機位置との間で移動させる機構である。ここで、「ノズル処理位置」とは、ノズル２１，２２の吐出口２１０，２２０から吐出される液が、保持部１に保持されている基板Ｗの上側の主面（上面）に供給されるような位置であり、具体的には例えば、該主面の上方であって、該主面の中心と鉛直方向において対向するような位置である（図８、図１０）。一方、「ノズル待機位置」とは、ノズル２１，２２が、他の部材（プラズマ処理位置にあるプラズマリアクタ３１、ベース部１１に対して基板Ｗの授受を行う主搬送ロボット１３１のハンド１３１ａ、など）と干渉しないような位置であり、具体的には例えば、上方から見て保持部１に保持されている基板Ｗの周縁よりも外側（径方向の外方）の位置である（例えば、図７）。

ここでは、処理液ノズル２１およびリンス液ノズル２２が、連結部材などを介して連結されることでノズルユニットＵを構成している。そして、ノズル移動機構２３は、具体的には例えば、先端部においてノズルユニットＵと連結されて略水平に延在するアーム、アームの基端部を支持する支柱、および、支柱をその軸の周りで回転させるモータを含んで構成される。モータは、制御部１４０からの指示に応じて、制御部１４０から指示された回転角度で、支柱をその軸の周りで回転させる。モータの駆動を受けて支柱が回転されると、アームが旋回し、その先端に連結されているノズルユニットＵが円弧状の軌跡に沿って移動するところ、この軌跡上に各ノズル２１，２２のノズル処理位置とノズル待機位置が配置されるように、支柱の位置およびアームの長さが規定されている。つまり、ノズルユニットＵが該円弧状の軌跡に沿って移動されることによって、各ノズル２１，２２が、各々のノズル処理位置とノズル待機位置との間で移動する。

（プラズマ発生部３）
プラズマ発生部３は、プラズマを発生させるとともに、発生させたプラズマを保持部１に保持されている基板Ｗに対して照射する要素であり、例えば、プラズマリアクタ３１、電源３２、および、プラズマリアクタ移動機構３３を備える。プラズマ発生部３は、大気圧下でプラズマを発生させることができるものである。ただし、ここでいう「大気圧」とは、例えば、標準気圧の８０（％）以上、かつ、標準気圧の１２０（％）以下である。

プラズマリアクタ３１は、対象物（ここでは、保持部１に保持された基板Ｗ）にプラズマを照射する照射部（プラズマ照射部）である。プラズマリアクタ３１は、具体的には例えば、扁平な平型形状であり、厚み方向（後述するＺ方向）を鉛直方向に沿わせるような姿勢で、保持部１に保持されている基板Ｗの上方であって、該基板Ｗの主面と鉛直方向において対向するような位置に配置される。プラズマリアクタ３１は、例えば平面視にて円形状であり、処理対象となる基板Ｗと同程度の（あるいは、該基板Ｗよりも大きな）サイズとされている。

プラズマリアクタ３１の構成について、図３に加え、図４を参照しながら、より具体的に説明する。図４は、プラズマリアクタ３１の構成を概略的に示す側面図および平面図である。なお、図４においては、図をわかりやすくするために、保持部材３１５が破線で示されている。

プラズマリアクタ３１は、一対の電極部（第１電極部３１１および第２電極部３１２）を備える。一対の電極部３１１，３１２は、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成される仕切り板３１３を間に挟んで、厚み方向に積層して設けられる。具体的には、円板形状である仕切り板３１３の厚み方向の一方側に、第１電極部３１１が設けられ、他方側に第２電極部３１２が設けられる。以下においては、説明の便宜上、第１電極部３１１、仕切り板３１３、および、第２電極部３１２が積層される方向を「Ｚ方向」とする。また、Ｚ方向と直交する面内において、後述する集合電極３１１ｂ，３１２ｂを規定する円弧の弦方向を「Ｙ方向」とし、Ｚ方向およびＹ方向と直交する方向を「Ｘ方向」とする。

第１電極部３１１は、適宜の導電性材料（例えばタングステン）によって形成された複数の線状電極（第１線状電極）３１１ａが、適宜の導電性材料（例えばアルミニウム）によって形成された集合電極（第１集合電極）３１１ｂを介して接続された構成を備えており、全体として櫛形状を呈している。各第１線状電極３１１ａは、長尺方向をＸ方向に沿わせるような姿勢で配置された棒状の電極であり、複数の第１線状電極３１１ａは、Ｙ方向に沿って一定の間隔を設けつつ配列される。一方、第１集合電極３１１ｂは、平面視にて円弧状の平板形状の電極であり、その内周縁側に、各第１線状電極３１１ａの端部が接続される。

第２電極部３１２は、第１電極部３１１と同様、適宜の導電性材料（例えばタングステン）によって形成された複数の線状電極（第２線状電極）３１２ａが、適宜の導電性材料（例えばアルミニウム）によって形成された集合電極（第２集合電極）３１２ｂを介して接続された構成を備えており、全体として櫛形状を呈している。各第２線状電極３１２ａは、長尺方向をＸ方向に沿わせるような姿勢で配置された棒状の電極であり、複数の第２線状電極３１２ａは、Ｙ方向に沿って一定の間隔を設けつつ配列される。一方、第２集合電極３１２ｂは、平面視にて円弧状の平板形状の電極であり、その内周縁側に、各第２線状電極３１２ａの端部が接続される。

両電極部３１１，３１２は、Ｚ方向から見て集合電極３１１ｂ，３１２ｂの各端部が対向し、第１集合電極３１１ｂの膨らみ方向が－Ｘ方向を向き、第２集合電極３１２ｂの膨らみ方向が＋Ｘ方向を向くような位置関係で、配置される。この状態において、Ｚ方向から見て、隣り合う第１線状電極３１１ａの間に、第２線状電極３１２ａが配置される。すなわち、Ｚ方向から見て、両集合電極３１１ｂ，３１２ｂで囲まれる略円形状の領域内に、Ｙ方向に沿って第１線状電極３１１ａと第２線状電極３１２ａとが交互に配置される。

少なくとも各第１線状電極３１１ａおよび各第２線状電極３１２ａは、誘電管３１４によって覆われている。誘電管３１４は、誘電体材料（例えば、石英、セラミックス、など）によって形成されており、これに覆われることで、各線状電極３１１ａ，３１２ａがプラズマから保護される。

仕切り板３１３を挟んで積層された第１電極部３１１および第２電極部３１２（以下「電極アッセンブリ」ともいう）は、絶縁材料（例えば、フッ素系樹脂、など）によって形成された保持部材３１５によって、一体的に保持されている。保持部材３１５は、具体的には例えば、平面視にてリング状の一対の保持リング３１５ａ，３１５ｂを含んで構成される。一方の保持リング３１５ａが、電極アッセンブリの一方側（例えば、第１電極部３１１の側）からこれに当接して設けられるとともに、他方の保持リング３１５ｂが電極アッセンブリの他方側（例えば、第２電極部３１２の側）からこれに当接して設けられて、両保持リング３１５ａ，３１５ｂが互いに連結されることによって、電極アッセンブリが、一対の保持リング３１５ａ，３１５ｂの間に挟持されるようにして、これに保持される。

電源３２は、プラズマを発生させるためのプラズマ用電源であり、プラズマリアクタ３１と接続される。具体的には、電源３２から延びる一対の配線の一方が、第１電極部３１１（具体的には、第１集合電極３１１ｂ）に接続され、他方が、第２電極部３１２（具体的には、第２集合電極３１２ｂ）に接続される。

電源３２は、具体的には例えば、高周波電源により構成されており、制御部１４０によって制御される。電源３２が、制御部１４０からの指示に応じて、第１電極部３１１と第２電極部３１２との間に所定の電圧（例えば、十数（kV）かつ数十（kHz）程度の高周波電圧）を印加すると、第１線状電極３１１ａと第２線状電極３１２ａとの間に電界が生じ、これによって、第１線状電極３１１ａおよび第２線状電極３１２ａの周囲のガスがプラズマ化する（いわゆる誘電体バリア放電）。すなわち、プラズマが発生（点灯）する。

また、電源３２には、インバータ回路等のスイッチング電源回路およびパルス発生器が設けられており、パルス発生器が所定の周期で発生させるパルス信号のオン期間において、両電極部３１１，３１２の間に高周波電圧が印加される。この場合、主としてオン期間において、プラズマが発生することになる。

プラズマリアクタ移動機構３３は、プラズマリアクタ３１を、プラズマ処理位置と待機位置との間で移動（昇降）させる機構（移動機構）である。ここで、「プラズマ処理位置」とは、プラズマリアクタ３１が、保持部１に保持されている基板Ｗに対してプラズマを照射する位置であり、後述するように、少なくともプラズマ処理に必要な量の活性種を基板Ｗに作用させることができる程度に、プラズマリアクタ３１と該基板Ｗとの離間距離が十分に小さい位置（例えば、該離間距離が数ミリメートル程度となる位置）である（図９）。一方、「待機位置」とは、プラズマリアクタ３１が、保持部１に保持されている基板Ｗに対してプラズマを照射しない位置であり、少なくとも、プラズマリアクタ３１で発生されるプラズマが該基板Ｗに作用しない程度に、両者の離間距離が十分に大きくなる位置である（例えば、図７）。

プラズマリアクタ移動機構３３は、具体的には例えば、先端部においてプラズマリアクタ３１と連結されて略水平に延在する昇降板、および、モータを含んで構成される。モータと昇降板の間には、モータの回転動作を昇降板の昇降動作に変換するカムが設けられる。したがって、モータが、制御部１４０からの指示に応じて、制御部１４０から指示された回転角度だけ回転すると、昇降板（ひいては、これと接続されたプラズマリアクタ３１）が、該回転角度に応じた距離だけ、上昇（あるいは下降）する。もっとも、プラズマリアクタ移動機構３３の構成はこれに限られるものではなく、昇降移動を実現する各種の駆動機構により実現することができる。例えば、プラズマリアクタ移動機構３３は、ボールねじ機構、および、これに駆動力を与えるモータを含んで構成されてもよいし、エアシリンダを含んで構成されてもよい。

（ガス流形成部４）
ガス流形成部４は、プラズマリアクタ３１における、保持部１に保持されている基板Ｗと対向される面（以下「対向面」ともいう）３１０に沿うガス流を形成する。

ガス流形成部４は、待機位置に配置されたプラズマリアクタ３１の対向面３１０に向けてガスを吐出するガスノズル（第１ガスノズル）４１を備える。第１ガスノズル４１の構成について、図３に加え、図５を参照しながら、具体的に説明する。図５は、第１ガスノズル４１の構成を説明するための図であり、第１ガスノズル４１およびプラズマリアクタ３１を側方向および平面方向から見た状態がそれぞれ概略的に示されている。

第１ガスノズル４１は、待機位置に配置されているプラズマリアクタ３１の対向面３１０よりも下方であり、かつ、上方から見て対向面３１０の周縁よりも外側の位置に配置されて、対向面３１０の斜め下から、対向面３１０に向けてガスを吐出する。

第１ガスノズル４１は、具体的には例えば、長尺な直線形状のノズルであり、その長尺方向に沿って、細長いスリット状の吐出口４１０が設けられる（いわゆる、スリットノズル）。吐出口４１０の長さは、例えば、対向面３１０の直径と同程度、あるいは、これよりも僅かに大きな寸法とされている。ここでは例えば、上方から見て、吐出口４１０から吐出される幅広のガス流の幅方向の中心が、対向面３１０の中心を通過するように、第１ガスノズル４１の位置が規定されている。また例えば、側方から見て、吐出口４１０から吐出されるガス流が、対向面３１０の端縁の近傍に、対向面３１０に対して非直角かつ非平行な方向から入射するように、第１ガスノズル４１の位置および姿勢が規定されている。

第１ガスノズル４１は、ガス供給管４１１を介して、所定のガス（ここでは、窒素ガス）を貯留するガス供給源４１２に接続される。ガス供給管４１１には、バルブ４１３および流量調整部４１４が介挿される。バルブ４１３は、ガス供給管４１１を通じたガスの供給と停止とを切り替える弁であり、制御部１４０によって制御される。流量調整部４１４は、例えばマスフローコントローラにより構成され、制御部１４０の制御下で、ガス供給管４１１を流れるガスの流量を調整する。

このような構成において、バルブ４１３が開かれると、ガス供給源４１２から供給されるガスが、ガス供給管４１１を通じて第１ガスノズル４１に供給されて、吐出口４１０から吐出される。いうまでもなく、吐出されるガスの流量は、流量調整部４１４によって調整された値となっている。吐出口４１０から吐出されたガスは、待機位置に配置されているプラズマリアクタ３１の対向面３１０に向けて吐出されて、対向面３１０に吹き付けられる。具体的には、吐出口４１０から吐出されたガスは、対向面３１０の端縁の近傍に、対向面３１０に対して非直角な方向から入射して、その後、対向面３１０に沿って流れる。すなわち、対向面３１０に沿うガス流が形成される。このガス流は、上方から見ると、対向面３１０の中心線を挟んで一方側から他方側に向かう方向となる。

なお、プラズマリアクタ３１の対向面３１０が非平坦である場合（例えば、隣り合う第２線状電極３１２ａの間隙に相当する部分に、その延在方向に沿う溝が形成されている場合）、対向面３１０に沿って形成されるガス流が、この溝の延在方向と平行に流れるように、第１ガスノズル４１の向きなどが規定されることも好ましい。

（ガード部５）
ガード部５は、保持部１に保持されている基板Ｗから飛散する処理液などを受け止める要素であり、例えば、１個以上（ここでは２個）のガード５１、および、ガード移動機構５２を備える。

ガード５１は、筒部分５１ａ、傾斜部分５１ｂ、および、延出部分５１ｃを含んで構成される。筒部分５１ａは、円筒状の部分であり、保持部１を取り囲むようにして設けられる。傾斜部分５１ｂは、筒部分５１ａの上端縁に連なって設けられており、鉛直上方に向かうにつれて内方に傾斜している。延出部分５１ｃは、平板リング状の部分であり、傾斜部分５１ｂの上端縁から略水平面内において内方に延出するように設けられる。複数個のガード５１が設けられる場合も、各ガード５１は基本的に同様の構成を備える。ただし、この場合は、各ガード５１のサイズが互いに異なるものとされて、複数のガード５１が、入れ子状に配置される。すなわち、筒部分５１ａが同心状に配置され、傾斜部分５１ｂおよび延出部分５１ｃが上下に重ねられるようにして、入れ子状に配置される。

ガード移動機構５２は、ガード５１を、ガード処理位置とガード待機位置との間で移動（昇降）させる機構である。ただし、複数個のガード５１が設けられる場合、ガード移動機構５２は、各ガード５１を別個独立に移動させる。ここで、「ガード処理位置」とは、ガード５１が、保持部１に保持されている基板Ｗから飛散する処理液などを受け止める位置であり、具体的には例えば、延出部分５１ｃが、該基板Ｗよりも上方に配置されるような位置である（例えば、図８）。一方、「ガード待機位置」とは、ガード５１が、他の部材（ベース部１１に対して基板Ｗの授受を行う主搬送ロボット１３１のハンド１３１ａ、など）と干渉しないような位置であり、具体的には例えば、延出部分５１ｃが、保持部１に保持されている基板Ｗよりも下方に配置されるような位置である（例えば、図７）。

ガード移動機構５２は、昇降移動を実現させる各種の駆動機構により実現することができる。具体的には例えば、ガード移動機構５２は、ボールねじ機構、該ボールねじ機構に駆動力を与えるモータ、などを含んで構成されてもよいし、エアシリンダなどを含んで構成されてもよい。上記の通り、複数個のガード５１が設けられる場合、各ガード５１を別個独立に移動させるべく、複数のガード５１の各々にこれらの駆動機構が設けられる。

ガード５１の下方側には、ガード５１の内周面で受け止められた処理液などを排液する排液部５３が設けられる。排液部５３は、具体的には例えば、ガード５１の下方に設けられるカップ５３１、カップ５３１に接続された排液管５３２、などを含んでおり、ガード処理位置に配置されているガード５１の内周面で受け止められて該内周面に沿って流下した処理液が、カップ５３１で受け止められて、排液管５３２から排液されるように構成されている。なお、図示は省略されているが、複数個のガード５１が設けられる場合、各ガード５１の下方に、個別のカップが設けられる。

また、ガード５１の外方側には、ガード５１の内周面に沿って流れるガスやミストなどを排気する排気部５４が設けられる。排気部５４は、具体的には例えば、ガード５１を外側から囲むように設けられる周壁部５４１、周壁部５４１に接続された排気管５４２、などを含んでおり、ガード処理位置に配置されているガード５１の内周面で受け止められて該内周面に沿って流下したガスやミストなどが、周壁部５４１で受け止められて、排気管５４２から排気されるように構成されている。

＜１－３．処理の流れ＞
次に、処理ユニット１３２で行われる処理の流れについて、図３に加え、図６および図７～図１０を参照しながら説明する。図６は、該処理の流れを示す図である。図７～図１０の各々は、各処理工程を説明するための図であり、該処理工程における各部の状態が模式的に示されている。

以下の説明において、処理対象とされる基板Ｗは、例えば、少なくとも一方の主面にマスクとしてのレジストが設けられて、エッチングやイオン注入が行われた後の基板Ｗであり、処理ユニット１３２において、不要となったレジストを除去するための一連の処理が行われる。以下に説明する一連の処理は、制御部１４０が、処理ユニット１３２が備える各部を制御することによって、行われる。また、以下に説明する一連の処理は、通常は、反復して行われる。すなわち、１枚の基板Ｗに対する一連の処理が終了すると、続いて別の新たな基板Ｗに対して該一連の処理が行われる。

ステップＳ１：保持工程
まず、処理対象となる基板Ｗを、保持部１に保持させる。すなわち、主搬送ロボット１３１が、処理対象となる基板Ｗを保持したハンド１３１ａをチャンバ６内に差し入れて、基板Ｗを処理ユニット１３２に搬入すると、保持部１が、搬入された基板Ｗを、レジストが設けられている主面が上側を向くような水平姿勢で、保持する（図７）。この工程が行われる間、ハンド１３１ａと干渉しないように、ノズル２１，２２、プラズマリアクタ３１、および、ガード５１は、各々の待機位置に配置されている。

ステップＳ２：処理液供給工程
続いて、ノズル移動機構２３が、処理液ノズル２１を、ノズル待機位置からノズル処理位置に移動させる。処理液ノズル２１がノズル処理位置に配置されると、処理液供給管２１１に設けられているバルブ２１３が開かれる。すると、処理液供給源２１２に貯留されている所定の処理液（ここでは、硫酸）が、流量調整部２１４によって調整される所定の流量で、処理液供給管２１１を通じて処理液ノズル２１に供給されて、吐出口２１０から吐出される。すなわち、保持部１に保持されている基板Ｗの上側の主面に向けて処理液が吐出され、基板Ｗに処理液が供給される（図８）。

少なくとも基板Ｗに対する処理液の吐出が行われる間、回転機構１３が、保持部１（ひいてはここに保持されている基板Ｗ）を、所定の回転数で、回転させる。したがって、基板Ｗの上側の主面における所定の位置（例えば、該主面の中心）に着液した処理液は、遠心力によって基板Ｗの周縁に向けて速やかに広がり、該主面の略全体を覆う処理液の液膜Ｆが形成される。

また、少なくとも保持部１が回転される間、ガード移動機構５２が、ガード５１（ここでは２個のガード５１の両方）を、ガード処理位置に配置している。したがって、基板Ｗの周縁から飛散した処理液などは、ガード（内側にあるガード）５１の内周面で受け止められて、該内周面に沿って流下し、さらにカップ５３１で受け止められて、排液管５３２から排液される。排液された処理液などは、回収されて再利用されてもよい。

処理液の吐出が開始されてから所定時間が経過すると、バルブ２１３が閉鎖されて、吐出口２１０からの処理液の吐出が停止される。また、回転機構１３が、保持部１（ひいてはここに保持されている基板Ｗ）の回転数を、十分に低い回転数まで低下させる、あるいは、回転を停止させる。液膜Ｆが形成された基板Ｗが、所定時間の間、十分に低い回転数で回転される（あるいは、回転が停止した状態が維持される）ことで、液膜Ｆが基板Ｗ上に安定して保持される（いわゆる、パドル処理）。

ステップＳ３：電圧印加開始工程
続いて、プラズマリアクタ３１に対して電源３２から所定の電圧（プラズマ生成用の電圧）の印加が開始される。プラズマリアクタ３１に所定の電圧が印加されることによって、プラズマリアクタ３１の周囲のガス（ここでは、空気）がプラズマ化し、プラズマが発生する。このプラズマには、種々の活性種（プラズマの周囲のガスが空気である場合、例えば、酸素ラジカル、ヒドロキシルラジカル、オゾンガス、などの活性種）が含まれるが、活性種の種類や量は、プラズマリアクタ３１の周囲に存在するガスの種類などによって変化する。

ステップＳ４：下降工程（第１移動工程）
続いて、プラズマリアクタ移動機構３３が、プラズマリアクタ３１を、待機位置からプラズマ処理位置に移動（下降）させる。プラズマリアクタ３１の周囲に発生しているプラズマ中の活性種は、比較的短時間で失活してしまうため、プラズマリアクタ３１に近い位置では十分な量の活性種が存在していても、プラズマリアクタ３１から離れた位置ではほとんどの活性種が失活している。そこで、この工程において、プラズマリアクタ３１を基板Ｗに近づけて、少なくともプラズマ処理に必要な量の活性種を基板Ｗに作用させることができる程度に両者の離間距離を十分に小さくする。

なお、電圧印加開始工程（ステップＳ３）と下降工程（ステップＳ４）は、どちらが先に行われてもよいし、並行して行われてもよい。すなわち、プラズマリアクタ３１に対する電圧の印加の開始は、プラズマリアクタ３１が下降される前、下降途中、下降後、のいずれのタイミングで行われてもよい。下記のとおり、基板Ｗに対するプラズマ処理は、電圧が印加されているプラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されている状態において進行するものであり、電圧印加開始工程と下降工程の両方が行われることにより、基板Ｗに対するプラズマ処理が開始されることになる。

電圧が印加されているプラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されている状態において（図９）、保持部１に保持されている基板Ｗに対して、その主面と対向配置されているプラズマリアクタ３１からプラズマが照射され、該基板Ｗに対するプラズマ処理が進行する。このプラズマ処理では、プラズマリアクタ３１の周囲に発生しているプラズマが、基板Ｗの主面に形成されている処理液（ここでは、硫酸）の液膜Ｆに作用することで、処理液の処理性能が高められる。具体的には、プラズマ中の活性種が硫酸と反応して、処理性能（ここでは、酸化力）の高いカロ酸（ペルオキソ一硫酸：Ｈ_２ＳＯ_５）が生成される。カロ酸が、基板Ｗの主面に設けられているレジストに作用することで、レジストが酸化されて、剥離（除去）される。

ステップＳ５：電圧印加停止工程
所定の処理時間だけプラズマ処理が進行されると、それ以後の適宜のタイミングで、プラズマリアクタ３１に対する電源３２から電圧の印加が停止される。これにより、プラズマの発生が停止する（すなわち、プラズマが消灯する）。

ステップＳ６：上昇工程（第２移動工程）
また、所定の処理時間だけプラズマ処理が進行されると、それ以後の適宜のタイミングで、プラズマリアクタ移動機構３３が、プラズマリアクタ３１を、プラズマ処理位置から待機位置に移動（上昇）させる。

なお、電圧印加停止工程（ステップＳ５）と上昇工程（ステップＳ６）は、どちらが先に行われてもよいし、並行して行われてもよい。すなわち、プラズマリアクタ３１に対する電圧の印加の停止は、プラズマリアクタ３１が上昇される前、上昇途中、上昇後、のいずれのタイミングで行われてもよい。上記のとおり、基板Ｗに対するプラズマ処理は、電圧が印加されているプラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されている状態において進行するものであり、例えば、電圧印加停止工程と上昇工程の少なくとも一方が行われることにより、基板Ｗに対するプラズマ処理が終了することになる。

ステップＳ７：リンス工程
プラズマリアクタ３１が待機位置に配置されると、続いて、ノズル移動機構２３が、リンス液ノズル２２を、ノズル待機位置からノズル処理位置に移動させる。リンス液ノズル２２がノズル処理位置に配置されると、リンス液供給管２２１に設けられているバルブ２２３が開かれる。すると、リンス液供給源２２２に貯留されている所定のリンス液が、流量調整部２２４によって調整される所定の流量で、リンス液供給管２２１を通じてリンス液ノズル２２に供給されて、吐出口２２０から吐出される。すなわち、保持部１に保持されている基板Ｗの上側の主面に向けてリンス液が吐出され、基板Ｗにリンス液が供給される（図１０）。

少なくとも基板Ｗに対するリンス液の吐出が行われる間、回転機構１３が、保持部１（ひいてはここに保持されている基板Ｗ）を、所定の回転数で、回転させる。したがって、基板Ｗの上側の主面における所定の位置（例えば、該主面の中心）に着液したリンス液は、遠心力によって基板Ｗの周縁に向けて速やかに広がり、該主面の略全体を覆っていた処理液の液膜Ｆが、リンス液で置換されていく。すなわち、処理液の液膜Ｆが洗い流されていく。

リンス液の吐出が開始されてから所定時間が経過すると、バルブ２２３が閉鎖されて、吐出口２２０からのリンス液の吐出が停止される。その一方で、回転機構１３が、保持部１の回転数を、十分に高い回転数にまで上昇させる。これにより、保持部１に保持されている基板Ｗが、高速で回転されて、基板Ｗが乾燥される（いわゆる、スピンドライ）。

ここでは、少なくとも保持部１が回転される間、ガード移動機構５２が、例えば、外側のガード５１をガード処理位置に配置し、内側のガード５１をガード待機位置に配置している。したがって、基板Ｗの周縁から飛散した処理液やリンス液などは、外側にあるガード５１の内周面で受け止められて、該内周面に沿って流下し、該ガード５１と対応して設けられたカップ（図示省略）で受け止められて、これに接続された排液管（図示省略）から排液される。

保持部１が、所定時間の間、十分に高い回転数で回転されると、回転機構１３が保持部１の回転を停止する。そして、ノズル２１，２２、プラズマリアクタ３１、および、ガード５１が、各々の待機位置に配置された上で、主搬送ロボット１３１が、保持部１に保持されている基板Ｗを搬出する。

＜１－４．ガス流の形成＞
上記のとおり、処理ユニット１３２では、電圧が印加されているプラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されている状態において、保持部１に保持されている基板Ｗに対するプラズマ処理が進行する。ここで、電圧の印加を受けたプラズマリアクタ３１は、例えば摂氏数百度程度の相当な高温となる。また、プラズマリアクタ３１に電圧が印加されることによって発生されるプラズマも、相当な高温となる。このため、プラズマ処理が進行する間、プラズマリアクタ３１からの熱、プラズマ自体からの熱、などを受けて、基板Ｗの主面に設けられている処理液（ここでは、硫酸）の一部が気化あるいはミスト化する。すなわち、プラズマ処理が行われると、プラズマリアクタ３１の対向面３１０と基板Ｗとの間の空間に、気化あるいはミスト化した硫酸（以下、「浮遊硫酸」ともいう）Ｍが充満する（図９）。また、プラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置から待機位置へと上昇されると、対向面３１０と基板Ｗとの間の空間が上方向に広がり、これに応じて、浮遊硫酸Ｍが上方向に拡散する（図１０）。

浮遊硫酸Ｍは、周囲にある部材、例えば、プラズマリアクタ３１の対向面３１０などに付着する虞がある。対向面３１０に浮遊硫酸Ｍが付着して対向面３１０が汚染されると、プラズマリアクタ３１の性能の低下、電極寿命の短命化、などを招く虞がある。特に、硫酸は吸湿性を有する物質であるため、浮遊硫酸Ｍが対向面３１０に付着して結露すると、これが空気中の水分を吸湿して希硫酸の液滴に成長する可能性がある。このような液滴が形成されると、これが滴下して保持部１に保持されている基板Ｗなどを汚染する虞がある。

浮遊硫酸Ｍに由来する汚染の発生を抑制するために、ここでは、基板Ｗに対する上記の一連の処理（ステップＳ１～ステップＳ７）に加えて、プラズマリアクタ３１の対向面３１０に沿うガス流を形成する処理（ガス流形成処理）が行われる。このガス流形成処理に係る工程（ガス流形成工程）について、引き続き図６などを参照しながら説明する。

ステップＳ１０１：ガス流形成工程
この実施形態では、ガス流形成工程は、プラズマリアクタ３１が待機位置に配置されている状態において行われる。すなわち、ガス流形成処理は、ガス供給管４１１に設けられているバルブ４１３が開かれることによって開始されるところ、ここでは、上昇工程（ステップＳ６）が行われてプラズマリアクタ３１が待機位置に配置された以後の適宜のタイミングで、バルブ４１３が開かれる。具体的には例えば、上昇工程が行われてプラズマリアクタ３１が待機位置に配置されるのと同時に、バルブ４１３が開かれる。なお、ここでいう「同時」には、２つの動作が行われるタイミングが完全に同じである場合だけでなく、２つの動作が行われるタイミングの間隔が十分に小さく、実質的に同時とみなせる場合（いわゆる、直前、直後、など）も含まれる。

バルブ４１３が開かれると、ガス供給源４１２に貯留されている所定のガス（ここでは、窒素ガス）が、流量調整部４１４によって調整される所定の流量で、ガス供給管４１１を通じて第１ガスノズル４１に供給されて、吐出口４１０から吐出される。このときのガスの吐出流量としては、例えば、５０（L/min）以上、かつ、１００（L/min）以下が好適である。

第１ガスノズル４１の吐出口４１０から吐出されたガスは、待機位置に配置されているプラズマリアクタ３１の対向面３１０に向けて吐出される。吐出されたガスは対向面３１０の斜め下から対向面３１０に吹き付けられて、対向面３１０に沿って流れる。すなわち、対向面３１０に沿うガス流（ここでは、窒素ガスのガス流）が形成される（図１０）。このガス流は、上方から見て、対向面３１０の中心線を挟んで一方側から他方側に向かう方向となっている（図５）。

このように、ここでは、プラズマリアクタ３１が待機位置に配置されている状態で、ガス流形成処理が進行する。上記のとおり、プラズマリアクタ３１が待機位置に配置されている状態において、対向面３１０と基板Ｗとの間の空間には、浮遊硫酸Ｍが拡散している。このような状態において、対向面３１０に沿うガス流が形成されると、対向面３１０の近傍に存在している浮遊硫酸Ｍが、対向面３１０の外方（上方から見て、第１ガスノズル４１が設けられている側とは逆側の空間）に押し流される。これによって、浮遊硫酸Ｍが対向面３１０に付着することが抑制される。ガス流で押し流された浮遊硫酸Ｍは、チャンバ６内に形成されるダウンフローによって下方に押し流されるなどして排出される。

ガス供給管４１１に設けられているバルブ４１３が開かれてから所定時間（ガス流形成時間）Ｔ１が経過すると、バルブ４１３が閉鎖される。これにより、第１ガスノズル４１の吐出口４１０からのガスの吐出が停止され、ガス流形成処理が終了する。「ガス流形成時間Ｔ１」は、任意に設定することができる。ガス流形成時間Ｔ１が長いほど、対向面３１０の近傍に存在する浮遊硫酸Ｍの量が少なくなる（ひいては、対向面３１０の汚染を抑制する効果が高まる）。もっとも、ガス流で押し流されることによって排出される浮遊硫酸Ｍの量（排出量）は、プラズマリアクタ３１が待機位置に配置されてからおよそ１０秒間が最も多く、その後は時間とともに少しずつ減少していくと考えられる。浮遊硫酸Ｍの排出効率を考慮すれば、プラズマリアクタ３１が待機位置に配置されるのと同時にガス流形成処理を開始することが好ましく、ガス流形成時間Ｔ１は、１０秒以上、かつ、１０分以下であることが好ましい。

なお、上記のとおり、上昇工程（ステップＳ６）が行われてプラズマリアクタ３１が待機位置に配置されると、リンス工程（ステップＳ７）が行われるところ、上記のガス流形成工程（ステップＳ１０１）は、リンス工程と並行して行われてもよい。両工程を並行して行う場合、両工程が同じタイミングで終了するように、ガス流形成時間Ｔ１をリンス工程の所要時間に応じて規定することも好ましい（この場合、ガス流形成時間Ｔ１として、例えば、２分程度が好適である）。もっとも、両工程は必ずしも並行して行う必要はなく、一方の工程の実行中、あるいは、終了後に、他方の工程が開始されてもよい。

＜１－５．効果＞
上記の実施形態に係る処理ユニット（基板処理装置）１３２は、基板Ｗを保持する保持部１と、保持部１に保持された基板Ｗに処理液を供給する処理液供給部と、保持部１に保持された基板Ｗに対してプラズマを照射するプラズマリアクタ（プラズマ照射部）３１と、プラズマリアクタ３１を、保持部１に保持された基板Ｗに対してプラズマが照射されない待機位置と、保持部１に保持された基板Ｗに対してプラズマが照射されるプラズマ処理位置との間で移動させる移動機構３３と、プラズマリアクタ３１における基板Ｗと対向される対向面３１０に沿うガス流を形成するガス流形成部４とを備える。

この構成によると、プラズマリアクタ３１の対向面３１０に沿うガス流を形成することで、プラズマ処理の熱的な影響を受けて気化あるいはミスト化した処理液（上記の例では、浮遊硫酸Ｍ）を、対向面３１０の外方に押し流すことができる。したがって、気化あるいはミスト化した処理液が対向面３１０に付着することが抑制される。すなわち、プラズマ処理の熱的な影響を受けた処理液によって生じる汚染が低減される。

また、プラズマリアクタ３１は、連続的に点灯されることにより蓄熱して昇温するが、プラズマリアクタ３１の対向面３１０に沿うガス流を形成することで、プラズマリアクタ３１を冷却（風冷）することが可能となり、その昇温を抑制することができる。プラズマリアクタ３１の昇温が抑制されることで、電極寿命の延命などが期待できる。また、プラズマリアクタ３１は、これが過度に昇温しないように、ある時間以上点灯された後には、所定の消灯時間を設けることが求められるところ、ガス流によってプラズマリアクタ３１が冷却されることで、この消灯時間を短縮することが可能となる。したがって、例えば、複数の基板Ｗに対するプラズマ処理を次々と連続して行う場合のスループットを高めることが可能となる。

また、上記の実施形態では、ガス流形成部４が、待機位置に配置されたプラズマリアクタ３１の対向面３１０に向けてガスを吐出する第１ガスノズル４１を備える。この構成によると、対向面３１０に沿うガス流を、簡易かつ確実に形成することができる。

また、上記の実施形態では、第１ガスノズル４１からのガスの吐出方向が、待機位置に配置されたプラズマリアクタ３１の対向面３１０に対して非直角な方向である。この構成によると、対向面３１０の近傍に存在している気化あるいはミスト化した処理液を、対向面３１０の外方に効率的に押し流すことができる。

また、上記の実施形態では、第１ガスノズル４１から吐出されるガスが、窒素ガスである。この構成によると、対向面３１０に沿うガス流が、対向面３１０の近傍に存在している気化あるいはミスト化した処理液と反応してしまう、といった事態が生じにくい。

また、上記の実施形態では、基板Ｗに供給される処理液が硫酸である。この場合、プラズマ処理の熱的な影響を受けることによって気化あるいはミスト化した硫酸Ｍが、例えばプラズマリアクタ３１の対向面３１０に付着して結露すると、これが空気中の水分を吸湿して希硫酸の液滴に成長する可能性がある。このような液滴が形成されると、これが滴下して基板Ｗなどを汚染する虞がある。上記のとおり、この処理ユニット１３２では、プラズマリアクタ３１の対向面３１０に沿うガス流を形成することで、気化あるいはミスト化した硫酸が対向面３１０に付着することが抑制されるので、このような事態の発生を未然に防止することができる。

また、上記の実施形態に係る基板処理方法は、基板Ｗに処理液を供給する処理液供給工程（ステップＳ２）と、処理液供給工程が行われた後に、プラズマリアクタ３１、基板Ｗに対してプラズマが照射されない待機位置から、基板Ｗに対してプラズマが照射されるプラズマ処理位置まで移動させる第１移動工程（ステップＳ４）と、プラズマ処理位置に配置されたプラズマリアクタ３１から基板Ｗにプラズマを照射してプラズマ処理を進行させた後に、プラズマリアクタ３１を、プラズマ処理位置から待機位置まで移動させる第２移動工程（ステップＳ６）と、プラズマリアクタ３１における基板Ｗと対向される対向面３１０に沿うガス流を形成するガス流形成工程（ステップＳ１０１）と、を備える。この構成によると、プラズマリアクタ３１の対向面に沿うガス流を形成することで、プラズマ処理の熱的な影響を受けた処理液によって生じる汚染が低減される。

また、上記の実施形態では、プラズマリアクタ３１が待機位置に配置されている状態において、プラズマリアクタ３１の対向面３１０に沿うガス流が形成される。プラズマリアクタ３１が待機位置に配置されている状態において、対向面３１０は比較的広い空間に臨んだ状態となっているので、気化あるいはミスト化した処理液を、対向面３１０の外方に十分に押し流すことができる。したがって、気化あるいはミスト化した処理液が対向面３１０に付着することを十分に抑制することができる。

また、上記の実施形態では、プラズマリアクタ３１が待機位置に配置されるのと同時に、ガス流の形成が開始されるので、気化あるいはミスト化した処理液を、比較的早い段階で、対向面３１０の外方に押し流すことができる。したがって、気化あるいはミスト化した処理液が対向面３１０に付着することが効果的に抑制される。また、比較的早い段階で対向面３１０に沿うガス流を形成すると、仮に、気化あるいはミスト化した硫酸Ｍが対向面３１０に付着したとしても、これが空気中の水分を吸湿して希硫酸の液滴に成長するまでに、ガス流によって対向面３１０から吹き飛ばされることになるため、該希硫酸の液滴が滴下して基板Ｗなどを汚染する、といった事態の発生が十分に回避される。

＜２．第２実施形態＞
＜２－１．ガス流形成部＞
第２実施形態に係る処理ユニット１３２ａの構成について、図１１を参照しながら説明する。図１１は、処理ユニット１３２ａの構成を模式的に示す側面図である。この処理ユニット１３２ａは、第１実施形態に係る処理ユニット１３２と同様、例えば基板処理システム１００に設けられる。

処理ユニット１３２ａは、ガス流形成部の構成において処理ユニット１３２と相違するものであり、それ以外の構成（保持部１、液供給部２、プラズマ発生部３、ガード部５、および、チャンバ６）は、処理ユニット１３２と同様である。以下においては、処理ユニット１３２と相違しない要素については、同じ符号を付して示すとともに、その説明を省略する。

この実施形態に係る処理ユニット１３２ａが備えるガス流形成部７は、第１実施形態に係る処理ユニット１３２が備えるガス流形成部４と同様、プラズマリアクタ３１の対向面３１０に沿うガス流を形成する。

ガス流形成部７は、プラズマリアクタ３１の対向面３１０の面内からガスを吐出するガスノズル（第２ガスノズル）７１を備える。第２ガスノズル７１の構成について、図１１に加え、図１２を参照しながら、具体的に説明する。図１２は、第２ガスノズル７１の構成を説明するための図であり、第２ガスノズル７１およびプラズマリアクタ３１を側方向および平面方向から見た状態がそれぞれ概略的に示されている。

第２ガスノズル７１は、具体的には例えば、一端に吐出口７１０が設けられたストレート型のノズルであり、軸方向をプラズマリアクタ３１の厚み方向に沿わせるような姿勢でプラズマリアクタ３１に埋設されて、吐出口７１０を対向面３１０の面内の所定位置（例えば、中心）に露出させるようにして、プラズマリアクタ３１に固定的に設けられる。

第２ガスノズル７１は、ガス供給管７１１を介して、所定のガス（ここでは、窒素ガス）を貯留するガス供給源７１２に接続される。ガス供給管７１１には、バルブ７１３および流量調整部７１４が介挿される。バルブ７１３は、ガス供給管７１１を通じたガスの供給と停止とを切り替える弁であり、制御部１４０によって制御される。流量調整部７１４は、例えばマスフローコントローラにより構成され、制御部１４０の制御下で、ガス供給管７１１を流れるガスの流量を調整する。

このような構成において、バルブ７１３が開かれると、ガス供給源７１２から供給されるガスが、ガス供給管７１１を通じて第２ガスノズル７１に供給されて、吐出口７１０から吐出される。いうまでもなく、吐出されるガスの流量は、流量調整部７１４によって調整された値となっている。吐出口７１０から吐出されたガスは、プラズマリアクタ３１の対向面３１０の面内から吐出される。例えば、プラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されると、図１２に示されるように、対向面３１０は、保持部１に保持されている基板Ｗと近接しつつ対向配置された状態となるところ、この状態において吐出口７１０からガスが吐出されると、該吐出されたガスが、基板Ｗと対向面３１０との間の狭い空間を流れる。すなわち、対向面３１０に沿うガス流が形成される。このガス流は、上方から見ると、吐出口７１０を中心として放射状に広がる方向となる。

＜２－２．ガス流の形成＞
処理ユニット１３２ａにおいて基板Ｗに対して行われる一連の処理（ステップＳ１～ステップＳ７）は、第１実施形態と同様である。そして、この実施形態でも、基板Ｗに対する一連の処理に加えて、プラズマリアクタ３１の対向面３１０に沿うガス流を形成する処理（ガス流形成処理）が行われる。このガス流形成処理に係る工程（ガス流形成工程）について、図１３および図１４を参照しながら説明する。図１３は、処理ユニット１３２ａで行われる処理の流れを示す図である。図１４は、ガス流形成工程を説明するための図であり、ガス流処理工程における各部の状態が模式的に示されている。

ステップＳ２０１：ガス流形成工程
この実施形態では、ガス流形成工程は、プラズマ処理が終了し、かつ、プラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されている状態において行われる。すなわち、ガス流形成処理は、ガス供給管７１１に設けられているバルブ７１３が開かれることによって開始されるところ、ここでは、例えば、電圧印加停止工程（ステップＳ５）が行われることによってプラズマ処理が終了した以後であって、上昇工程（ステップＳ６）が行われる前の適宜のタイミングで、バルブ７１３が開かれる。具体的には例えば、電圧印加停止工程によってプラズマリアクタ３１に対する電圧の印加が停止されるのと同時に、バルブ７１３が開かれる。上記と同様、ここでいう「同時」にも、２つの動作が行われるタイミングが完全に同じである場合だけでなく、２つの動作が行われるタイミングの間隔が十分に小さく、実質的に同時とみなせる場合（いわゆる、直前、直後、など）も含まれる。

バルブ７１３が開かれると、ガス供給源７１２に貯留されている所定のガス（ここでは、窒素ガス）が、流量調整部７１４によって調整される所定の流量で、ガス供給管７１１を通じて第２ガスノズル７１に供給されて、吐出口７１０から吐出される。このときのガスの吐出流量としては、例えば、１０（L/min）程度が好適である。

プラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されている状態において、対向面３１０は、保持部１に保持されている基板Ｗと近接しつつ対向配置されている。したがって、対向面３１０の面内に設けられている吐出口７１０から吐出されたガスは、基板Ｗと対向面３１０との間の狭い空間を流れ、対向面３１０に沿うガス流（ここでは、窒素ガスのガス流）が形成される（図１４）。このガス流は、上方から見て、吐出口７１０を中心として放射状に広がる方向となっている。

このように、ここでは、プラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されている状態で、ガス流形成処理が進行する。上記のとおり、プラズマ処理が行われると、プラズマリアクタ３１の対向面３１０と保持部１に保持されている基板Ｗとの間の空間に、浮遊硫酸Ｍが充満する（図９）。このような状態において、対向面３１０に沿うガス流が形成されると、基板Ｗと対向面３１０の間の空間に充満している浮遊硫酸Ｍが、対向面３１０の外方（上方から見て、対向面３１０の周縁よりも外側の空間）に押し流される。これによって、浮遊硫酸Ｍが対向面３１０に付着することが抑制される。

ガス流で押し流された浮遊硫酸Ｍは、ベース部１１の端面とガード５１の延出部分５１ｃとの隙間（第１隙間）Ｇ１を通って、ガード５１の内周側に導かれてガード５１の内周面に沿って流下し、周壁部５４１で受け止められて、排気管５４２から排気される。なお、ここでは、プラズマリアクタ３１の外直径（すなわち、保持部材３１５の外直径）は、ガード５１の延出部分５１ｃの内直径よりも大きな寸法とされており、プラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されている状態において、プラズマリアクタ３１の保持部材３１５とガード５１の延出部分５１ｃとが、隙間（第２隙間）Ｇ２を設けつつ、対向配置された状態となる。ガス流で押し流された浮遊硫酸Ｍが、この第２隙間Ｇ２から流出せずに第１隙間Ｇ１へ流れるように、第２隙間Ｇ２が、第１隙間Ｇ１よりも小さなものとなっていることが好ましい。すなわち、少なくともガス流形成工程が行われる間、保持部材３１５の下端面と延出部分５１ｃの上端面との離間距離ｄ２が、ベース部１１の端面と延出部分５１ｃの内周面との離間距離ｄ１よりも小さなものとなるように、ガード５１が、プラズマリアクタ３１と十分に近い位置に配置されることが好ましい。また、第２ガスノズル７１から吐出されるガスの流量、排気管５４２からの排気量、ファンフィルタユニット６１からのダウンフロー流量、などの関係が適宜に調整されることによって、第２隙間Ｇ２に、内方に向かう気流が形成されることも好ましい。このような気流が形成されることで、ガス流で押し流された浮遊硫酸Ｍが、第２隙間Ｇ２から流出することが十分に抑制される。

ガス供給管７１１に設けられているバルブ７１３が開かれてから所定時間（ガス流形成時間）Ｔ２が経過すると、上昇工程（ステップＳ６）が行われる。つまり、ここでは、電圧印加停止工程（ステップＳ５）の後、ガス流形成時間Ｔ２が経過するまで、プラズマリアクタ３１をプラズマ処理位置に待機させておき（ステップＳ２０２：待機工程）、ガス流形成時間Ｔ２が経過した以後に、上昇工程が行われてプラズマリアクタ３１が待機位置に移動される。「ガス流形成時間Ｔ２」は、任意に設定することができる。ガス流形成時間Ｔ２が長いほど、対向面３１０と基板Ｗとの間の空間に存在する浮遊硫酸Ｍの量が少なくなる（ひいては、対向面３１０の汚染を抑制する効果が高まる）。ただし、ガス流形成時間Ｔ２が長くなるにつれて、プラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に待機させられる待機時間が長くなり、スループットが低下する可能性がある。待機時間をできるだけ短く抑えつつ、浮遊硫酸Ｍを十分に排出するためには、電圧印加停止工程が行われることによってプラズマ処理が終了するのと同時にガス流形成処理を開始することが好ましく、ガス流形成時間Ｔ２を１０秒程度とすることが好ましい。

バルブ７１３が開かれてからガス流形成時間Ｔ２が経過した以後の適宜のタイミングで、バルブ７１３が閉鎖され、第２ガスノズル７１の吐出口７１０からのガスの吐出が停止される。

＜２－３．効果＞
上記の実施形態では、ガス流形成部７が、プラズマリアクタ３１の対向面３１０の面内からガスを吐出する第２ガスノズル７１を備える。例えば、プラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されている状態において、第２ガスノズル７１からガスが吐出されると、対向面３１０と、これに近接しつつ対向配置されている基板Ｗとの間の空間にガスが流れることによって、対向面３１０に沿うガス流が形成される。このように、第２ガスノズル７１によると、例えば対向面３１０と基板Ｗとの位置関係を利用することで、対向面３１０に沿うガス流を簡易かつ確実に形成することができる。

また、上記の実施形態では、第２ガスノズル７１から吐出されるガスが、窒素ガスである。この構成によると、対向面３１０に沿うガス流が、対向面３１０の近傍に存在している気化あるいはミスト化した処理液と反応してしまう、といった事態が生じにくい。

また、上記の実施形態では、プラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されている状態において、プラズマリアクタ３１の対向面３１０に沿うガス流が形成される。プラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されている状態においては、気化あるいはミスト化した処理液は、対向面３１０と基板Ｗとの間の比較的狭い空間に充満した状態となっているところ、この状態において対向面３１０に沿うガス流が形成されることで、気化あるいはミスト化した処理液を、対向面３１０の外方に効率的に押し流すことができる。したがって、気化あるいはミスト化した処理液が対向面３１０に付着することを十分に抑制することができる。

また、上記の実施形態では、プラズマ処理が終了した後に、対向面３１０に沿うガス流の形成が開始されるので、プラズマ処理がガス流の影響を受けることがない。

＜３．第２実施形態の変形例＞
＜３－１．第２ガスノズル＞
変形例に係る第２ガスノズル７１ａの構成について、図１５を参照しながら説明する。図１５は、変形例に係る第２ガスノズル７１ａの構成を説明するための図であり、第２ガスノズル７１ａおよびプラズマリアクタ３１を側方向および平面方向から見た状態がそれぞれ概略的に示されている。以下においては、第２実施形態に係る第２ガスノズル７１と相違する点を説明し、相違しない要素については、同じ符号を付して示すとともに、その説明を省略する。

第２ガスノズル７１ａは、第２実施形態に係る第２ガスノズル７１と同様、プラズマリアクタ３１の対向面３１０の面内からガスを吐出するガスノズルであり、ノズル本体部７１１ａと、カバー板７１２ａとを備える。

ノズル本体部７１１ａは、一端に吐出口７１０ａが設けられたストレート型のノズルであり、軸方向をプラズマリアクタ３１の厚み方向に沿わせるような姿勢でプラズマリアクタ３１に埋設されて、吐出口７１０ａを対向面３１０の面内の所定位置（例えば、中心）に露出させるようにして、プラズマリアクタ３１に固定的に設けられる。

カバー板７１２ａは、例えば、吐出口７１０ａの内径よりも大きな外径を有する円板状の部材であり、主面が対向面３１０と平行となるような姿勢とされて、吐出口７１０ａとの間に僅かな隙間を設けつつ、吐出口７１０ａと対向して配置される。カバー板７１２ａは、支持部材などを介して、プラズマリアクタ３１（あるいは、ノズル本体部７１１ａ）に対して支持される。

この変形例においても、第２ガスノズル７１ａは、バルブ７１３および流量調整部７１４が介挿されたガス供給管７１１を介して、所定のガスを貯留するガス供給源７１２に接続される（図１１参照）。ただし、ここでは、所定のガスとして、例えば、酸素を含有するガスが用いられる。ここでいう「酸素を含有するガス」とは、酸素分子および酸素原子の少なくとも一方を含有するガスであり、空気、乾燥空気、酸素ガス、オゾンガス、二酸化炭素ガス、これらのうちの少なくとも２つを含む混合ガス、などが相当する。プラズマリアクタ３１の近傍に、酸素を含有するガスが供給されることで、プラズマの発生（特に、酸素ラジカルなどといった酸素系の活性種の生成）が促進される。

このような構成において、バルブ７１３が開かれると、ガス供給源７１２から供給されるガスが、ガス供給管７１１を通じて第２ガスノズル７１ａに供給されて、吐出口７１０ａから吐出される。吐出口７１０ａから吐出されたガスは、カバー板７１２ａに衝突してその方向を９０度変化させて、対向面３１０に沿って流れる。すなわち、対向面３１０に沿うガス流が形成される。このガス流は、上方から見ると、吐出口７１０ａを中心として放射状に広がる方向となる。

＜３－２．ガス流の形成＞
第２実施形態に係る第２ガスノズル７１に代えて、この変形例に係る第２ガスノズル７１ａが設けられる場合も、処理ユニット１３２ａにおいては、第２実施形態と同様の一連の処理（ステップＳ１～ステップＳ７）が基板Ｗに対して行われるとともに、該一連の処理に加えて、プラズマリアクタ３１の対向面３１０に沿うガス流を形成する処理（ガス流形成処理）が行われる。このガス流形成処理に係る工程（ガス流形成工程）について、図１５に加え、図１６を参照しながら説明する。図１６は、変形例に係る第２ガスノズル７１ａが設けられる場合に、処理ユニット１３２ａで行われる処理の流れを示す図である。

ステップＳ２０１ａ：ガス流形成工程
第２実施形態と同様、この変形例でも、ガス流形成工程は、プラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されている状態において行われる。ただし、この変形例では、第２実施形態とは異なり、プラズマ処理が終了する前に、ガス流形成工程が開始される。すなわち、ガス流形成処理は、ガス供給管７１１に設けられているバルブ７１３が開かれることによって開始されるところ、ここでは、例えば、下降工程（ステップＳ４）が行われた以後であって、電圧印加停止工程（ステップＳ５）が行われることによってプラズマ処理が終了する前の適宜のタイミングで、バルブ７１３が開かれる。具体的には例えば、プラズマ処理が終了するタイミングよりも所定時間（ガス流形成時間）Ｔ２ａだけ早い時点で、バルブ７１３が開かれる。

バルブ７１３が開かれると、ガス供給源７１２に貯留されている所定のガス（ここでは、酸素を含有するガス）が、流量調整部７１４によって調整される所定の流量で、ガス供給管７１１を通じて第２ガスノズル７１ａに供給されて、吐出口７１０ａから吐出される。このときのガスの吐出流量としては、例えば、１０（L/min）程度が好適である。

対向面３１０の面内に設けられている吐出口７１０ａから吐出されたガスは、カバー板７１２ａに衝突してその方向を９０度変化させて、対向面３１０に沿って流れる。すなわち、対向面３１０に沿うガス流（ここでは、酸素を含有するガスのガス流）が形成される（図１５）。このガス流は、上方から見て、吐出口７１０ａを中心として放射状に広がる方向となっている。このようなガス流が形成されることによって、基板Ｗと対向面３１０の間の空間に充満している浮遊硫酸Ｍが、対向面３１０の外方（上方から見て、対向面３１０の周縁よりも外側の空間）に押し流される。これによって、浮遊硫酸Ｍが対向面３１０に付着することが抑制される。

ガス供給管７１１に設けられているバルブ７１３が開かれてから所定時間（ガス流形成時間）Ｔ２ａが経過すると、バルブ７１３が閉鎖され、第２ガスノズル７１ａの吐出口７１０ａからのガスの吐出が停止される。これによって、ガス流形成処理が終了する。例えば、電圧印加停止工程（ステップＳ５）が行われることによってプラズマ処理が終了するタイミングよりも、ガス流形成時間Ｔ２ａだけ早い時点でバルブ７１３が開かれている場合、プラズマ処理が終了するのと同時に、ガス流形成処理が終了することになる。なお、ここでも、「ガス流形成時間Ｔ２ａ」は、任意に設定することができる。上記のとおり、ガス流形成時間Ｔ２ａが長いほど、対向面３１０と基板Ｗとの間の空間に存在する浮遊硫酸Ｍの量が少なくなる（ひいては、対向面３１０の汚染を抑制する効果が高まる）。ただし、ガス流形成時間Ｔ２ａが長くなるにつれて、プラズマ処理とガス流形成処理が並行して行われる時間帯が長くなり、ガス流がプラズマ処理に影響を及ぼす可能性が高まる。このような時間帯を十分に短く抑えつつ、浮遊硫酸Ｍを十分に排出するためには、ガス流形成時間Ｔ２ａを１０秒程度とすることが好ましい。

なお、上記のとおり、電圧印加停止工程（ステップＳ５）が行われると、続いて上昇工程（ステップＳ６）が行われる。いうまでもなく、ここでは、両工程の間に、待機工程（ステップＳ２０２）（図１３参照）を設ける必要がないので、電圧印加停止工程が行われた後、直ちに、上昇工程が行われてもよい。

＜３－３．効果＞
上記の変形例では、プラズマ処理が終了する前に、対向面３１０に沿うガス流の形成が開始されるので、スループットを向上させることができる。また、プラズマ処理が進むにつれて次々と発生する気化あるいはミスト化した処理液を、直ちにガス流で押し流すことができるので、気化あるいはミスト化した処理液が対向面３１０に付着することを十分に抑制することができる。

プラズマ処理とガス流形成処理とが並行して行われる時間帯が存在する場合、上記の効果が得られる反面、ガス流がプラズマ処理に影響を及ぼす虞がある。例えば、ガス流によって、基板Ｗに設けられている液膜Ｆが乱れてしまい、プラズマ処理の安定性が損なわれる虞がある。しかしながら、この変形例に係る第２ガスノズル７１ａでは、対向面３１０の面内に開口した吐出口７１０ａに対向して、カバー板７１２ａが設けられているので、吐出口７１０ａから吐出されたガスが直接に液膜Ｆに吹き付けられることがない。したがって、液膜Ｆに乱れが生じにくく、プラズマ処理の安定性が損なわれにくい。

また、上記の変形例では、第２ガスノズル７１ａから吐出されるガスが、酸素を含有するガスであるので、対向面３１０に沿うガス流によって、気化あるいはミスト化した処理液を押し流すだけでなく、該ガス流によってプラズマの発生を促進することができる。すなわち、プラズマ処理とガス流形成処理とが並行して行われる時間帯が存在する場合に、対向面３１０に沿うガス流によって、プラズマ処理を促進することができる。

＜４．他の変形例＞
第１実施形態に係る第１ガスノズル４１の構成は、上記に例示したものに限られるものではない。

例えば、第１ガスノズルは、図１７に示される第１ガスノズル４１ａのように、円弧状に屈曲した湾曲形状のノズルであり、その内方側に、細長いスリット状の吐出口４１０ａが設けられたものであってもよい。この場合、吐出口４１０ａの長さは、例えば、その両端を結ぶ弦の長さが、対向面３１０の直径と同程度、あるいは、これよりも僅かに大きくなるような寸法とされることが好ましい。また、この場合、上方から見て、吐出口４１０ａから吐出される幅広のガス流の幅方向の中心が、対向面３１０の中心を通過するように、第１ガスノズル４１ａの位置が規定されることが好ましい。また、側方から見て、吐出口４１０ａから吐出されるガス流が、対向面３１０の端縁の近傍に、対向面３１０に対して非直角な方向から入射するように、第１ガスノズル４１ａ位置および姿勢が規定されていることも好ましい（図５の上段参照）。

また例えば、第１ガスノズルは、図１８に示される第１ガスノズル４１ｂのように、長尺な直線形状のノズルであり、その長尺方向に沿って、複数の吐出口４１０ｂが設けられたものであってもよい。この場合、上方から見て、複数の吐出口４１０ｂから吐出されるガスによって形成される幅広のガス流の幅方向の中心が、対向面３１０の中心を通過するように、第１ガスノズル４１ｂの位置が規定されることが好ましい。また例えば、側方から見て、吐出口４１０ｂから吐出されるガス流が、対向面３１０の端縁の近傍に、対向面３１０に対して非直角な方向から入射するように、第１ガスノズル４１ｂの位置および姿勢が規定されていることも好ましい（図５の上段参照）。このような構成は、円弧状に屈曲した湾曲形状のノズルに適用されてもよい。すなわち、湾曲形状のノズルの内方縁に沿って、複数の吐出口が設けられてもよい。

また例えば、第１ガスノズルは、図１９、図２０に示される第１ガスノズル４１ｃのように、一端に吐出口４１０ｃが設けられたストレート型のノズルであってもよい。この場合、第１ガスノズル４１ｃは、複数個設けられることが好ましい。例えば、図１９に示されるように、複数の第１ガスノズル４１ｃが、対向面３１０の径方向と平行な方向に沿って配列されてもよい。あるいは、図２０に示されるように、複数の第１ガスノズル４１ｃが、対向面３１０の周縁と平行な円弧に沿って配列されてもよい。いずれの場合も、上方から見て、複数の第１ガスノズル４１ｃの各吐出口４１０ｃから吐出されるガスによって形成される幅広のガス流の幅方向の中心が、対向面３１０の中心を通過するように、各第１ガスノズル４１ｃの位置が規定されることが好ましい。また例えば、側方から見て、各第１ガスノズル４１ｃの吐出口４１０ｃから吐出されるガス流が、対向面３１０の端縁の近傍に、対向面３１０に対して非直角な方向から入射するように、各第１ガスノズル４１ｃの位置および姿勢が規定されていることも好ましい（図５の上段参照）。

第１ガスノズル４１ｃが複数個設けられる場合、ガス供給管４１１を、一端側がガス供給源４１２に接続されるとともに、他端側が分岐した分岐配管により構成して、各分岐端に第１ガスノズル４１ｃを接続すればよい。なお、このような構成においては、複数の分岐部分の各々に、バルブ４１３および流量調整部４１４を介挿する構成とすることも好ましい。こうすることで、複数の第１ガスノズル４１ｃの各々から吐出されるガスの流量を互いに異なるものとすることができる。例えば、相対的に中央側に配置されている第１ガスノズル４１ｃからの吐出流量を、相対的に端部側に配置されている第１ガスノズル４１ｃからの吐出流量よりも大きく設定すれば、複数の第１ガスノズル４１ｃから吐出されるガスによって形成される帯状のガス流は、幅方向の中央側ほど流量が大きなものとなる。つまり、対向面３１０の中央側ほど流量が大きいガスの流れが形成される。これによって、ガスの使用量を抑制しつつ、対向面３１０の近傍に存在している浮遊硫酸Ｍを効果的に押し流すことができる。

また、上記の実施形態に係る第１ガスノズル４１は、図２１に示されるように、吐出口４１０から吐出されるガス流が、対向面３１０の近傍を対向面３１０と平行に流れるような位置および姿勢が設けられていてもよい。いうまでもなく、上記の各変形例に係る第１ガスノズル４１ａ，４１ｂ，４１ｃにおいて、このような構成が採用されてもよい。

また、上記の実施形態に係る第１ガスノズル４１は、図２２に示されるように、鉛直方向に沿って、複数個、配列されてもよい。この構成によると、対向面３１０の全体に亘って、十分なガス流を形成することができるので、対向面３１０の近傍に存在している浮遊硫酸Ｍを十分に押し流すことができる。いうまでもなく、上記の各変形例に係る第１ガスノズル４１ａ，４１ｂ，４１ｃにおいて、このような構成が採用されてもよい。

第２実施形態に係る第２ガスノズル７１の構成は、上記に例示したものに限られるものではない。

例えば、第２ガスノズル７１は、図２３に示される第２ガスノズル７１ｂのように、プラズマリアクタ３１の対向面３１０に、複数個の吐出口７１０ｂが設けられた構成であってもよい。いうまでもなく、上記の変形例に係る第２ガスノズル７１ａにおいてこのような構成が採用されてもよい。

また例えば、変形例に係る第２ガスノズル７１ａは、ノズル本体部７１１ａとカバー板７１２ａとを備えるものとしたが、必ずしもこのような構成でなくともよい。例えば、第２ガスノズルは、先端が閉鎖されるとともに周面に複数の吐出口が設けられた円筒状のノズル端部を備えるものとし、該ノズル端部が、対向面３１０から突出するように設けられた構成であってもよい。

ガス流形成部４，７の構成も、上記に例示したものに限られるものではない。例えば、ガス流形成部は、図２４に示されるガス流形成部４ａのように、第１ガスノズル４１に加え、第２ガスノズル７１を備えるものであってもよい。この場合、各ガスノズル４１，７１は、図示されるように、ガス供給管４１１，７１１を介して、共通のガス供給源４１２に接続されてもよいし、それぞれ個別のガス供給源に接続されてもよい。二種類のガスノズル４１，７１が設けられる場合、プラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されている状態と、待機位置に配置されている状態との両方において、ガス流形成処理が行われてもよい。いうまでもなく、上記の各実施形態および各変形例に係る第１ガスノズル４１，４１ａ，４１ｂ，４１ｃおよび第２ガスノズル７１，７１ａ，７１ｂが自由に組み合わされてよい。

ガス流形成工程の態様も、上記に例示したものに限られるものではない。

例えば、第１実施形態において、第１ガスノズル４１からのガスの吐出は、必ずしも、プラズマリアクタ３１が待機位置に配置されるのと同時に開始されなくともよい。例えば、プラズマリアクタ３１が待機位置に配置されてから所定時間が経過した後に、第１ガスノズル４１からのガスの吐出が開始されてもよい。

また例えば、第２実施形態において、第２ガスノズル７１からのガスの吐出は、必ずしも、電圧印加工程が行われた以後に開始されなくともよい。例えば、プラズマ処理が開始されてから所定の処理時間が経過した時点でプラズマ処理が終了したとみなして、該時点で第２ガスノズル７１からのガスの吐出が開始されてもよい。また例えば、第２ガスノズル７１からのガスの吐出は、プラズマリアクタ３１が待機位置に配置されている状態において行われてもよい。この場合、変形例に係る第２ガスノズル７１ａのように、プラズマリアクタ３１の対向面３１０の面内に開口した吐出口７１０ａに対向してカバー板７１２ａなどが設けられることが好ましい。この構成によると、必ずしもプラズマリアクタ３１がプラズマ処理位置に配置されていなくとも（すなわち、基板Ｗが対向面３１０に近接しつつ対向配置されている状態でなくとも）、対向面３１０に沿うガス流を簡易に形成することができる。

また、上記のとおり、第１および第２実施形態において、ガス流形成時間Ｔ１，Ｔ２は任意に規定することができる。例えば、第１実施形態において、プラズマリアクタ３１が待機位置に配置されている間中、第１ガスノズル４１からのガスの吐出を継続してもよい。

また例えば、第１および第２実施形態に係るガス流形成工程（ステップＳ１０１，２０１）において、ガスノズル４１，７１から吐出されるガスは、窒素ガスであるとしたが、吐出されるガスはこれに限られるものではない。例えば、ガスノズル４１，７１から吐出されるガスは、空気、乾燥空気、酸素ガス、オゾンガス、二酸化炭素ガス、希ガス、これらのうちの少なくとも２つを含む混合ガス、などであってもよい。ただし、処理液として硫酸が用いられる場合、硫酸による吸湿を回避するために、吐出されるガスは水分を含まないものであることが好ましい。

同様に、変形例に係るガス流形成工程（ステップＳ２０１ａ）において、第２ガスノズル７１ａから吐出されるガスは、酸素を含有するガスであるとしたが、吐出されるガスはこれに限られるものではなく、例えば、希ガス、窒素ガス、などであってもよい。ただし、ガス流形成処理とプラズマ処理とが並行して行われる時間帯が存在する場合、第２ガスノズル７１ａから吐出されるガスは、プラズマを失活させないガスであることが好ましく、プラズマの発生を促進するガス（例えば、酸素を含有するガス、希ガス、など）であることが特に好ましい。また、処理液として硫酸が用いられる場合、硫酸による吸湿を回避するために、吐出されるガスは水分を含まないものであることも好ましい。

処理ユニット１３２の構成やここで行われる処理の流れも、上記の実施形態において例示したものに限られるものではない。

例えば、上記の実施形態においては、処理液を吐出する処理液ノズル２１と、リンス液を吐出するリンス液ノズル２２とをそれぞれ別個に設けたが、１個のノズルから、処理液とリンス液とが択一的に吐出されるようにしてもよい。この場合、該１個のノズルに、処理液供給管２１１とリンス液供給管２２１とを接続すればよい。

また、上記の実施形態においては、ノズル移動機構２３は処理液ノズル２１とリンス液ノズル２２を一体的に移動させるものとしたが、各ノズル２１，２２に個別にノズル移動機構を設けて、各ノズル２１，２２を別個独立に移動させてもよい。いうまでもなく、この場合は、２つのノズル２１，２２を連結して設ける必要はない。また、２つのノズル２１，２２のうちの少なくとも一方を、固定的に設けてもよい。すなわち、少なくとも一方のノズルについて、ノズル移動機構を省略してもよい。

また、上記の実施形態において、保持部１は、基板Ｗの周縁をチャックピン１２で把持することによって基板Ｗを水平姿勢で保持するものであったが、基板Ｗを保持する方式はこれに限られるものではなく、どのようなものであってもよい。例えば、保持部は、ベース部１１の上面に設けた吸引機構で基板Ｗの裏面を吸着することによって、基板Ｗを水平姿勢で保持するものであってもよい。

また、プラズマリアクタ３１を移動させるプラズマリアクタ移動機構３３は必須ではなく、プラズマリアクタ３１は固定的に設けられてもよい。この場合、例えば、ベース部１１を昇降させる機構を設け、これがベース部１１を昇降させることによって、ベース部１１上に保持されている基板Ｗとプラズマリアクタ３１との離間距離を変更すればよい。このような構成においては、ベース部１１を昇降させる機構が、プラズマリアクタ３１をプラズマ処理位置と待機位置との間で移動させる移動機構となる。

また、ガード５１を移動させるガード移動機構５２は必須ではなく、ガード５１は固定的に設けられてもよい。この場合も、例えば、ベース部１１を昇降させる機構を設け、これがベース部１１を昇降させることによって、ベース部１１上に保持されている基板Ｗとガード５１との位置関係を変更すればよい。

また、上記の各実施形態において、プラズマ処理が行われる間、回転機構１３が、保持部１（ひいてはここに保持されている基板Ｗ）を、基板Ｗの主面と直交する回転軸Ｑの周りで、所定の回転数で、回転させてもよい。

また、上記の各実施形態においては、プラズマ発生部３は、大気圧下でプラズマを発生させるものとしていたが、低圧状態でプラズマを発生させてもよい。すなわち、チャンバ６の内部空間を減圧するためのポンプを設けて、該ポンプでチャンバ６の内部空間を所定の圧力まで減圧した状態で、プラズマリアクタ３１に電圧を印加して、プラズマを発生させてもよい。

また、上記の実施形態においては、処理ユニット１３２では、基板Ｗに形成されたレジストを除去する処理が行われるものとしたが、処理ユニット１３２で行われる処理はこれに限られるものではない。例えば、処理ユニット１３２では、基板Ｗ上に存在している有機物（例えば、有機物のパーティクル、有機物の層、有機物の膜）などを除去する処理が行われてもよい。

また、上記の実施形態では、処理液として硫酸が用いられるものとしたが、処理液はこれに限られるものではない。例えば、硫酸、硫酸塩、ペルオキソ硫酸、および、ペルオキソ硫酸塩のうちの少なくとも１つを含む薬液が、処理液として用いられてもよい。また、過酸化水素を含む薬液が処理液として用いられてもよく、例えば硫酸と過酸化水素水との混合液が処理液として用いられてもよい。さらに、プラズマ処理の目的、除去対象物の種類、などによっては、ＳＣ１（過酸化水素水とアンモニアとの混合液）、ＳＣ２（過酸化水素水と塩酸との混合液）などの薬液（いわゆる、洗浄用薬液）が、処理液として用いられてもよいし、フッ酸、塩酸、リン酸などの薬液（いわゆる、エッチング用薬液）が、処理液として用いられてもよい。

基板処理システム１００の構成やここで行われる処理の流れは、上記の実施形態において例示したものに限られるものではない。

例えば、基板処理システム１００に設けられる処理ユニット１３２の数は、１２個でなくともよい。また例えば、基板処理システム１００に設けられるロードポート１１１の数は、３個でなくともよい。

また、プログラムＰは、記録媒体に記憶されていてもよく、この記録媒体を用いて、制御部１４０にプログラムＰをインストールするものとしてもよい。

また、基板処理システム１００において処理対象とされる基板Ｗは、必ずしも半導体基板でなくともよい。例えば、処理対象とされる基板Ｗは、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、などであってもよい。また、処理対象とされる基板Ｗの形状およびサイズも、上記に例示したものに限られるものではない。例えば、処理対象とされる基板Ｗの形状は、矩形板形状であってもよい。

以上のように、基板処理装置および基板処理方法は詳細に説明されたが、上記の説明は、全ての局面において例示であって、基板処理装置および基板処理方法がこれ限定されるものではない。例示されていない無数の変形例が、この開示の範囲から外れることなく想定され得るものと解される。上記の各実施形態、および、上記の各変形例で説明した各構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わせたり、省略したりすることができる。

１ 保持部
２ 液供給部
３ プラズマ発生部
３１ プラズマリアクタ
３１０ 対向面
３２ 電源
３３ プラズマリアクタ移動機構
４，４ａ ガス流形成部
４１，４１ａ，４１ｂ，４１ｃ 第１ガスノズル
５ カバー部
６ チャンバ
７ ガス流形成部
７１，７１ａ，７１ｂ 第２ガスノズル
１３２ 基板処理装置（処理ユニット）
１００ 基板処理システム

Claims (18)

1. 基板を保持する保持部と、
   前記保持部に保持された基板に処理液を供給する処理液供給部と、
   前記保持部に保持された基板に対してプラズマを照射するプラズマ照射部と、
   前記プラズマ照射部を、前記保持部に保持された基板に対してプラズマが照射されない待機位置と、前記保持部に保持された基板に対してプラズマが照射されるプラズマ処理位置との間で移動させる移動機構と、
   前記プラズマ照射部における前記基板と対向される対向面に沿うガス流を形成するガス流形成部と、
   を備える、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記ガス流形成部が、
   前記待機位置に配置された前記プラズマ照射部の前記対向面に向けてガスを吐出する第１ガスノズル、
   を備える、基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記第１ガスノズルからのガスの吐出方向が、前記待機位置に配置された前記プラズマ照射部の前記対向面に対して非直角な方向である、
   基板処理装置。
4. 請求項２または３に記載の基板処理装置であって、
   前記第１ガスノズルから吐出されるガスが、窒素ガスである、
   基板処理装置。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記ガス流形成部が、
   前記プラズマ照射部の前記対向面の面内からガスを吐出する第２ガスノズル、
   を備える、基板処理装置。
6. 請求項５に記載の基板処理装置であって、
   前記第２ガスノズルから吐出されるガスが、窒素ガスである、
   基板処理装置。
7. 請求項５に記載の基板処理装置であって、
   前記第２ガスノズルから吐出されるガスが、酸素を含有するガスである、
   基板処理装置。
8. 請求項１から７のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記処理液が、硫酸である、
   基板処理装置。
9. 基板に処理液を供給する処理液供給工程と、
   前記処理液供給工程が行われた後に、プラズマ照射部を、基板に対してプラズマが照射されない待機位置から、基板に対してプラズマが照射されるプラズマ処理位置まで移動させる第１移動工程と、
   前記プラズマ処理位置に配置された前記プラズマ照射部から前記基板にプラズマを照射してプラズマ処理を進行させた後に、前記プラズマ照射部を、前記プラズマ処理位置から前記待機位置まで移動させる第２移動工程と、
   前記プラズマ照射部における前記基板と対向される対向面に沿うガス流を形成するガス流形成工程と、
   を備える、基板処理方法。
10. 請求項９に記載の基板処理方法であって、
    前記ガス流形成工程が、前記プラズマ照射部が前記待機位置に配置されている状態において行われる、
    基板処理方法。
11. 請求項１０に記載の基板処理方法であって、
    前記ガス流形成工程が、前記プラズマ照射部が前記待機位置に配置されるのと同時に、開始される、
    基板処理方法。
12. 請求項１０または１１に記載の基板処理方法であって、
    前記ガス流形成工程において、窒素ガスのガス流が形成される、
    基板処理方法。
13. 請求項９に記載の基板処理方法であって、
    前記ガス流形成工程が、前記プラズマ照射部が前記プラズマ処理位置に配置されている状態において行われる、
    基板処理方法。
14. 請求項１３に記載の基板処理方法であって、
    前記ガス流形成工程が、前記プラズマ処理が終了した後に、開始される、
    基板処理方法。
15. 請求項１４に記載の基板処理方法であって、
    前記ガス流形成工程において、窒素ガスのガス流が形成される、
    基板処理方法。
16. 請求項１３に記載の基板処理方法であって、
    前記ガス流形成工程が、前記プラズマ処理が終了する前に、開始される、
    基板処理方法。
17. 請求項１６に記載の基板処理方法であって、
    前記ガス流形成工程において、酸素を含有するガスのガス流が形成される、
    基板処理方法。
18. 請求項９から１７のいずれかに記載の基板処理方法であって、
    前記処理液が硫酸である、
    基板処理方法。

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