JP6611172B2 - 基板処理方法 - Google Patents
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Description
たとえば、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板の上面に処理液を供給するためのノズルとを備えている。たとえば、スピンチャックに保持された基板に対して薬液が供給され、その後に水が供給されることにより、基板上の薬液がリンス液に置換される。その後、基板の上面上から水を排除するための乾燥処理が行われる。乾燥処理として、IPA(isopropyl alcohol)等の低表面張力液の蒸気を、回転状態にある基板の表面に供給する手法が知られている。たとえば、ロタゴニ乾燥(特許文献1参照)はこの手法の一つの例である。
この方法によれば、第2の吐出工程において、低表面張力液含有気体が第2の吐出口から下斜め外方に向けて吐出される。低表面張力液の比重が空気よりも大きいために、第2の吐出口から吐出される低表面張力液含有気体は、基板の上面の近傍を、当該上面に沿って外方に向けて移動し、液膜境界に衝突する。そのため、低表面張力液含有気体を液膜境界に効率良く供給することができる。しかも、低表面張力液含有気体の移動方向と液膜境界の移動方向とが一致しているので、液膜境界の移動状況によらずに、液膜境界に低表面張力液含有気体を供給し続けることができる。
この方法によれば、第1の吐出口や第2の吐出口から吐出される低表面張力液含有気体は、常温よりも高い温度を有している。この場合、基板の上面に形成される処理液の液膜の液温が常温であると、基板の上面に供給される低表面張力液含有気体が処理液の液膜よりも高い温度を有するために、第1の吐出工程および第2の吐出工程において、低表面張力液含有気体の基板上面への結露量が増大し、これに伴い、処理液の薄膜が厚くなる。これにより、液膜境界付近部分と処理液の液膜のバルク部分との間における低表面張力液の濃度差、すなわち液膜境界付近部分と処理液の液膜のバルク部分との間の表面張力差が大きくなる。ゆえに、処理液の液膜に作用するマランゴニ効果が強まり、その結果、液膜境界における液面角度がより一層大きくなる。したがって、液膜除去領域の形成から当該液膜除去領域が基板の上面全域に拡大するまでの間に亘って、液膜境界における液面角度をより一層大きく保ち続けることができる。
この方法によれば、第2の吐出工程において、不活性ガスが基板上面の第1の領域に向けて吐出される。不活性ガスが基板の上面の中央部に供給されることにより、基板の上面の中央部上の雰囲気が当該気体に置換され、処理液の薄膜に含まれる低表面張力液の蒸発が進行する。これにより、基板の上面の中央部における処理液の除去(乾燥)を促進させることができる。
IPA(isopropyl alcohol)やHFE(ハイドロフロロエーテル)等を前記低表面張力液として用いる場合、前記不活性ガスとして、窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴンガス等を採用できる。
この方法によれば、第1の吐出工程において第2の吐出口から不活性ガスが吐出される。第1の吐出工程では、基板の回転中心を含む領域に液膜除去領域が小径で存在しているから、第2の領域には、処理液の液膜のバルク部分が位置している。したがって、第2の吐出口からの不活性ガスの吐出により、処理液の液膜のバルク部分の上面を不活性ガスで覆うことができる。これにより、第1の吐出工程において、処理液の液膜のバルク部分に低表面張力液含有気体の雰囲気が供給されることを抑制または防止できる。
請求項6に記載のように、前記処理液は水を含み、前記低表面張力液は有機溶剤を含んでいてもよい。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る基板処理方法を実行するための基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置1は、シリコンウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板処理装置1は、処理液で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリヤCが載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットIRおよびCRと、基板処理装置1を制御する制御ユニット3とを含む。搬送ロボットIRは、キャリヤCと搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。搬送ロボットCRは、搬送ロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
処理ユニット2は、箱形のチャンバ4と、チャンバ4内で一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック5と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に薬液を供給するための薬液供給ユニット6と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面にリンス液としての水(処理液)を供給するための水供給ユニット7と、スピンチャック5に保持されている基板Wの上方に、空気よりも比重が大きい低表面張力液としての有機溶剤の一例のIPA(isopropyl alcohol)の蒸気(低表面張力液含有気体。IPA Vapor)および不活性ガスの少なくとも一方を供給する気体吐出ノズル8と、スピンチャック5の周囲を取り囲む筒状のカップ9とを含む。
スピンベース15の上面には、その周縁部に複数個(3個以上。たとえば6個)の挟持部材16が配置されている。複数個の挟持部材16は、スピンベース15の上面周縁部において、基板Wの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。
薬液供給ユニット6は、薬液ノズル17と、薬液ノズル17に接続された薬液配管18と、薬液配管18に介装された薬液バルブ19と、薬液ノズル17を移動させる第1のノズル移動ユニット43とを含む。薬液ノズル17は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。薬液配管18には、薬液供給源からの薬液が供給されている。
水供給ユニット7は、水ノズル20と、水ノズル20に接続された水配管21と、水配管21に介装された水バルブ22と、水ノズル20を移動させる第2のノズル移動ユニット44とを含む。水ノズル20は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルである。水配管21には、水供給源からの常温(約23℃)の水が供給されている。
なお、薬液ノズル17および水ノズル20は、スキャン可能に設けられている必要はなく、たとえば、スピンチャック5の上方において固定的に設けられ、基板Wの上面における所定の位置に処理液(薬液または水)が着液する、いわゆる固定ノズルの形態が採用されてもよい。
図3は、気体吐出ノズル8の構成例を説明するための模式的な縦断面図である。図3では、気体吐出ノズル8が、基板Wの上面に近接して配置されている状態を示す。
制御ユニット3は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御ユニット3はCPU等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。
パターンPは、たとえば絶縁膜を含む。また、パターンPは、導体膜を含んでいてもよい。より具体的には、パターンPは、複数の膜を積層した積層膜により形成されており、さらには、絶縁膜と導体膜とを含んでいてもよい。パターンPは、単層膜で構成されるパターンであってもよい。絶縁膜は、シリコン酸化膜(SiO2膜)やシリコン窒化膜(SiN膜)であってもよい。また、導体膜は、低抵抗化のための不純物を導入したアモルファスシリコン膜であってもよいし、金属膜(たとえば金属配線膜)であってもよい。
図6Aは、基板処理装置1による基板処理の一例を説明するための流れ図である。図6Bは、基板処理装置1において実行される、リンス工程(S3)および乾燥工程(S4)を説明するためのタイムチャートである。図7〜図13は、パドルリンス工程T11からスピンドライ工程T3までの各工程を説明するための図解的な図である。図14は、水の液膜境界付近部分70aに生じるマランゴニ効果を説明するための図である。
未処理の基板W(たとえば直径450mmの円形基板)は、搬送ロボットIR,CRによってキャリヤCから処理ユニット2に搬入され、チャンバ4内に搬入され、基板Wがその表面(パターン形成面)を上方に向けた状態でスピンチャック5に受け渡され、スピンチャック5に基板Wが保持される(S1:基板搬入工程(基板保持工程))。基板Wの搬入に先立って、薬液ノズル17、水ノズル20および気体吐出ノズル8は、スピンチャック5の側方に設定されたホーム位置に退避させられている。
基板Wをパドル速度に減速してから所定の期間が経過すると、制御ユニット3は、水バルブ22を閉じて、水ノズル20からの水の吐出を停止する。その後、制御装置3は、第2のノズル移動ユニット44を制御することにより、水ノズル20を退避位置に戻す。
次いで、制御ユニット3は、乾燥工程(ステップS4)を実行する。乾燥工程(S4)において、制御ユニット3は、スピンモータ13を制御して基板Wの回転速度を所定の第1の回転速度(たとえば約50rpm)まで上昇させる(回転工程)。基板Wの回転(約50rpmの回転)による遠心力を受けて、基板Wの中央部の水が外方に押し拡げられ、その結果、基板Wの中央部において水の液膜70が部分的に薄膜化され、これにより、基板Wの中央部に円形の液膜除去領域75が形成される(図9参照)。液膜除去領域75の形成後も、制御ユニット3は、スピンモータ13を制御して基板Wの回転速度を第1の回転速度(たとえば約50rpm)に維持する(回転工程)。これにより、液膜除去領域75はゆっくりと拡大する(図10参照)。すなわち、水の液膜70における液膜除去領域75との境界80(以下、「液膜境界80」という)は、径方向外方に向けて移動する。
乾燥工程(S4)において、制御ユニット3は、第1の回転速度への基板Wの加速と同時に、第1の吐出工程T1を実行開始する。具体的には、制御ユニット3は、第1の不活性ガスバルブ55を閉じながら第1の有機溶剤蒸気バルブ52を開き、かつ第2の有機溶剤蒸気バルブ62を閉じながら第2の不活性ガスバルブ65を開く。そのため、第1の有機溶剤蒸気配管51からの高温の有機溶剤蒸気が第1の気体流路34に供給されると共に、第2の不活性ガス配管64からの不活性ガスが第2の気体流路42に供給される。これにより、高温の有機溶剤蒸気が第1の吐出口36から吐出方向D1に吐出されると共に、不活性ガスが第2の吐出口40から吐出方向D2に吐出される。第1の吐出口36から吐出された高温の有機溶剤蒸気は、略円形の第1の領域46(図3参照)に吹き付けられ、第2の吐出口40から吐出された不活性ガスは、略円環状の第2の領域47(図3参照)に吹き付けられる。この実施形態に係る第1の吐出工程T1では、第1の吐出口36から吐出される有機溶剤蒸気の吐出流量は、たとえば約30(リットル/分)であり、第2の吐出口40から吐出される不活性ガスの吐出流量は、たとえば約10(リットル/分)である。第1の吐出口36および第2の吐出口40からの気体の吐出により、基板W上方の空間のうち基板W上面の近傍領域(以下、単に「近傍領域」)11(図9参照)が、有機溶剤蒸気と不活性ガスとで満たされる。
高温の有機溶剤蒸気の吹き付けにより、液膜除去領域75の周囲は、高温の有機溶剤蒸気の雰囲気で満たされている。これにより、水の液膜70のうち液膜境界80の付近の部分(以下、「液膜境界付近部分70a」という)に、高温の有機溶剤蒸気が供給される。液膜除去領域75には水の薄膜76が形成されている。有機溶剤が薄膜76に多量に溶け込んでいるため、水の薄膜76が有機溶剤を高い濃度で含んでいる。さらに液膜除去領域75の周囲が有機溶剤蒸気の雰囲気に保たれているために有機溶剤蒸気の拡散は進行せず、その結果、水の薄膜76に含まれる有機溶剤の蒸発の進行が抑制または防止される。したがって、液膜除去領域75では、水の全てを完全に除去することはできず、水の薄膜76が保持される。この実施形態では、水の薄膜76の厚みは、数百nmのオーダーと厚く、かつパターンPの高さよりは低く設定されている。
また、制御ユニット3は、第2の回転速度への基板Wの加速と同時に、第2の吐出工程T2を実行開始する。具体的には、制御ユニット3は、第1の有機溶剤蒸気バルブ52を閉じて第1の不活性ガスバルブ55を開き、かつ第2の不活性ガスバルブ65を閉じて、第2の有機溶剤蒸気バルブ62を開く。そのため、第1の不活性ガス配管54からの不活性ガスが第1の気体流路34に供給されると共に、第2の有機溶剤蒸気配管61からの高温の有機溶剤蒸気が第2の気体流路42に供給される。これにより、不活性ガスが第1の吐出口36から吐出方向D1に吐出されると共に、高温の有機溶剤蒸気が第2の吐出口40から吐出方向D2に吐出される。第1の吐出口36から吐出された不活性ガスは、略円形の第1の領域46(図3参照)に吹き付けられ、第2の吐出口40から吐出された高温の有機溶剤蒸気は、略円環状の第2の領域47(図3参照)に吹き付けられる。この実施形態に係る第2の吐出工程T2では、第1の吐出口36から吐出される不活性ガスの吐出流量は、たとえば約30(リットル/分)であり、第2の吐出口40から吐出される有機溶剤蒸気の吐出流量は、たとえば約100(リットル/分)である。
第2の吐出工程T2において、第2の吐出口40から高温の有機溶剤蒸気が下斜め外方に向けて吐出される。有機溶剤の比重が空気よりも大きいために、第2の吐出口40から吐出される有機溶剤蒸気は、近傍領域11のうち基板W上面に近い低い位置を、当該上面に沿って外方に向けて移動し、液膜境界80に衝突する。これにより、第2の吐出工程T2において、有機溶剤蒸気を液膜境界80に良好に供給することができる。しかも、有機溶剤蒸気の移動方向と液膜境界80の移動方向とが共に径方向外方で一致しているので、液膜境界80の移動状況によらずに、液膜境界80に高温の有機溶剤蒸気を供給し続けることができる。
また、第2の吐出工程T2において、第1の吐出口36から基板W上面の第1の領域46に向けて不活性ガスが吐出される。不活性ガスが基板Wの上面の第1の領域46に供給されることにより、基板Wの上面中央部の雰囲気が不活性ガスに置換され、水の薄膜76に含まれる有機溶剤蒸気の蒸発が進行する。これにより、基板Wの上面の中央部から水の薄膜が除去され、基板Wの上面の中央部が乾燥される。
第2の吐出工程T2の開始から予め定める期間(たとえば5秒間)が経過すると、液膜除去領域75は既に、基板Wの上面の全域に拡大している。このタイミングで、制御ユニット3は、基板Wの回転を、振り切り乾燥速度(たとえば約1500rpm)までさらに加速させる。すなわち、制御ユニット3は、スピンドライ工程T3を実行開始する。
以上により、この実施形態によれば、第1の吐出工程T1では、第1の吐出口36から基板Wの上面の第1の領域46に向けて有機溶剤蒸気が吐出され、かつ第2の吐出口40から、第1の領域46を取り囲む第2の領域47に向けて不活性ガスが吐出される。
第2の実施形態において、第1の実施形態に示された各部に対応する部分には、図1〜図13の場合と同一の参照符号を付して示し、説明を省略する。
具体的には、気体吐出ノズル208は、第2の筒32を包囲する第3の筒(外筒)212をさらに含む。第3の筒212は、中心軸線A2を中心軸線としている。第3の筒212は、筒状部213と、筒状部213の上端部を閉鎖する閉鎖部214とを含む。第2の筒32の外周と閉鎖部214の内周との間は、シール部材(図示しない)によって気密にシールされている。筒状部213の下端部分213aは、下方に向かって広がる第3のラッパ状部215を含む。第3のラッパ状部215は、第2のラッパ状部39よりも大きな屈曲率を有している。第3のラッパ状部215の下端部分215aは、第2のラッパ状部39の下端部分39aよりも、鉛直方向に対する傾斜角度が大きい。第3のラッパ状部215の下端部分39aは、第2のラッパ状部39の下端部分39aよりも上方に位置する。第2の筒32と第3の筒212の筒状部213との間の空間は、第3の不活性ガス配管218から供給される不活性ガスが流通する第3の気体流路216を構成している。
図16は、基板処理装置201による基板処理の一例におけるリンス工程およびスピンドライ工程を説明するためのタイムチャートである。
基板処理装置201による基板処理例は、第1の吐出口36および第2の吐出口40からの気体の吐出制御については、図6Aを用いて説明した、基板処理装置1による基板処理例と同等であるので、その説明を省略する。
図17は、本発明の第3の実施形態に係る基板処理方法を実行するための基板処理装置301の構成を説明するための図解的な図である。
第3の実施形態において、第1の実施形態と共通する部分には、図1〜図14の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。第3の実施形態に係る基板処理装置301が、第1の実施形態に係る基板処理装置1と相違する主たる点は、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に対向する対向部材302を設け、対向部材302に、気体吐出ノズル308が一体移動可能に設けられている点である。
たとえば、各実施形態において、第2の吐出工程T2における第1の吐出口36からの有機溶剤蒸気の吐出流量を、吐出開始後に増大させるようにしてもよい。この場合、液膜除去領域75の拡大に伴って回転中心A0から離れる液膜境界80に、有機溶剤蒸気を供給し続けることができる。
また、前述の各実施形態において、気体吐出ノズル8,208,308から吐出される有機溶剤蒸気が、常温よりも高い温度の有機溶剤蒸気であるとして、常温の有機溶剤蒸気を気体吐出ノズル8,208,308から吐出させるようにしてもよい。この場合、基板Wの上面に形成される水の液膜70の液温を常温よりも低くすれば、基板Wの上面に供給される有機溶剤蒸気が、水の液膜70よりも高い温度を有するようになり、この場合、第1の吐出工程T1および第2の吐出工程T2において基板Wの上面に形成される水の薄膜76を厚く保つことができる。
また、気体吐出ノズルの態様として、第1〜第3の実施形態において気体吐出ノズル8,208,308の合計3態様示したが、気体吐出ノズルがその他の態様をなしていてもよい。
また、この実施形態では、第1の吐出工程T1において第1の吐出口36から吐出される有機溶剤蒸気(基板Wの上面に供給される有機溶剤蒸気)が高温(約80℃)であるとして説明したが、第1の吐出工程T1において、常温の有機溶剤蒸気、または常温以上沸点(82.4℃)未満の所定の温度(たとえば約30℃〜約60℃)の有機溶剤溶剤蒸気が、第1の吐出口36から吐出されてもよい。この場合、液膜除去領域75に形成される水の薄膜76の厚みは数nmになる。
また、空気よりも比重が大きくかつ水よりも低い表面張力を有する低表面張力液として、有機溶剤の一例であるIPAを例に挙げて説明したが、このような低表面張力液として、IPA以外に、たとえば、メタノール、エタノール、アセトン、EG(エチレングリコール)、HFE(ハイドロフルオロエーテル)、n−ブタノール、t−ブタノール、イソブチルアルコール、2−ブタノールなどの有機溶剤を採用できる。
また、前述の各実施形態では、基板処理装置1,201,301が円板状の基板Wを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置1,201,301が、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
ある。
3 :制御ユニット
8 :気体吐出ノズル
24 :第3のノズル移動ユニット
34 :第1の気体流路
36 :第1の吐出口
40 :第2の吐出口
42 :第2の気体流路
46 :第1の領域
47 :第2の領域
52 :第1の有機溶剤蒸気バルブ
55 :第1の不活性ガスバルブ
62 :第2の有機溶剤蒸気バルブ
65 :第2の不活性ガスバルブ
70 :水の液膜
75 :液膜除去領域
75a :界面付近部分
76 :水の薄膜
76a :界面付近部分
80 :液膜境界
92 :バルク部分
201 :基板処理装置
208 :気体吐出ノズル
216 :第3の気体流路
217 :第3の吐出口
219 :第3の不活性ガスバルブ
A0 :回転中心
A1 :回転軸線
W :基板
Claims (6)
- 上面にパターンが形成された基板を水平に保持する基板保持工程と、
前記基板の上面に、前記パターンの高さよりも厚い処理液の液膜を形成する液膜形成工程と、
第1の吐出口が、前記基板の上面における、回転中心を含む所定の第1の領域に向き、かつ第2の吐出口が、前記基板の上面における、前記第1の領域の外側を取り囲む所定の第2の領域に向くように、前記第1および第2の吐出口を配置する吐出口配置工程と、
空気よりも比重が大きくかつ前記処理液よりも低い表面張力を有する低表面張力液の蒸気を含む低表面張力液含有気体を前記第1の吐出口から吐出し、かつ前記低表面張力液含有気体を前記第2の吐出口から吐出しない第1の吐出工程と、
前記第1の吐出工程の後、前記低表面張力液含有気体を前記第2の吐出口から吐出し、かつ前記低表面張力液含有気体を第1の吐出口から吐出しない第2の吐出工程と、
前記第1および前記第2の吐出工程と並行して、前記基板を所定の鉛直軸線まわりに回転させる回転工程と、を含む、基板処理方法。 - 前記第1の吐出口から吐出される気体の吐出方向は鉛直下方を含み、
前記第2の吐出口から吐出される気体の吐出方向は下斜め外方を含む、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記低表面張力液含有気体は、常温よりも高い温度を有している、請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記第2の吐出工程は、前記低表面張力液の蒸気を含まずかつ前記低表面張力液よりも比重の小さい不活性ガスを前記第1の吐出口から吐出する工程を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1の吐出工程は、前記低表面張力液の蒸気を含まずかつ前記低表面張力液よりも比重の小さい不活性ガスを、前記第2の吐出口から吐出する工程を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記処理液は水を含み、
前記低表面張力液は有機溶剤を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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