JP6709555B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
たとえば、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置は、基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板の上面に処理液を供給するためのノズルとを備えている。たとえば、スピンチャックに保持された基板に対して薬液が供給され、その後にリンス液が供給されることにより、基板上の薬液がリンス液に置換される。その後、基板の上面上からリンス液を排除するための乾燥処理が行われる。
しかしながら、このような乾燥方法では、乾燥後の基板の表面(処理対象面)に、パーティクルが発生することがあった。
これに対し、請求項1の構成では、第2の吐出口から横向きかつ放射状に第2の気体を吐出することにより、基板の上面と処理液の液膜と気相との境界の周囲の雰囲気を、低表面張力液の蒸気のリッチな状態に保つことができる。これにより、低表面張力液の省液化を図りながら、基板の上面を良好に乾燥させることができる。
また、第2の吐出口からの第2の気体の吐出を、第1の吐出口からの第1の気体の吐出の開始に先立って開始させるため、基板の上面付近の雰囲気が低表面張力液の蒸気のリッチな状態で、液膜除去領域の形成を開始することができる。
この方法によれば、第2の吐出口が第1の吐出口よりも上方に配置されているので、第2の吐出口から吐出された第2の気体の流れによって、基板の上面と処理液の液膜と気相との境界の周囲を、第2の吐出口よりも上方の領域から遮断することも可能である。これにより、処理液の液膜と基板の上面と気相との境界の周囲を、低表面張力液の蒸気の、よりリッチな状態に保つことができる。
この方法によれば、第1の吐出口からの第1の気体の吐出と、第2の吐出口からの第2の気体の吐出とが並行して行われるので、液膜除去領域の拡大時において、基板の上面と処理液の液膜と気相との境界の周囲の雰囲気を、低表面張力液の蒸気のリッチな状態に保ち続けることができる。これにより、処理液の液膜の境界部分の内部に、処理液の液膜と基板の上面と気相との境界から離反する方向に流れるマランゴニ対流を発生させることができる。
この方法によれば、基板の上面に形成されたリンス液の液膜に、低表面張力液の蒸気を含む第1の気体を、基板の上面に交差する方向から吹き付けることにより、リンス液の液膜に液膜除去領域が形成される。この液膜除去領域の拡大により、基板の上面とリンス液の液膜と気相との境界が基板の外方に向けて移動する。液膜除去領域が基板の全域に拡大させられることにより、基板の上面の全域が乾燥される。
請求項7に記載の発明は、前記ノズルは、前記第1の気体が流通するための第1の流路が内部に形成された第1の筒体を含み、当該第1の筒体の下端部分によって前記第1の吐出口が形成されており、かつ当該第1の筒体の下端部分にはフランジが設けられており、前記第1の吐出口から吐出された前記第1の気体は、前記基板の上面と前記フランジとの間の空間を流通する、請求項6に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第2の吐出口がフランジよりも上方に配置されている。そのため、第2の吐出口から吐出された第2の気体の流れによって、基板の上面と処理液の液膜と気相との境界の周囲を、第2の吐出口よりも上方の領域から遮断することも可能である。これにより、処理液の液膜と基板の上面と気相との境界の周囲を、低表面張力液の蒸気の、よりリッチな状態に保つことができる。
この構成によれば、第2の吐出口と、フランジの外周端と基板との間とが上下に並んでいるので、第2の吐出口から吐出された第2の気体が、基板の上面と処理液の液膜と気相との境界の周囲に供給される。これにより、処理液の液膜と基板の上面と気相との境界の周囲を、低表面張力液の蒸気の、より一層リッチな状態に保つことができる。
この構成によれば、第2の吐出口から吐出された第2の気体が、対向面と基板の上面との間の空間に満たされる。そのため、第2の気体が基板の上面近くから流出するのを抑制できる。これにより、基板の上面と処理液の液膜と気相との境界の周囲の雰囲気を、低表面張力液の蒸気の、より一層リッチな状態に保ち続けることができる。
この構成によれば、対向部材の対向周縁部と基板の上面周縁部との間に狭間隔が形成されているので、対向面と基板の上面との間の空間に供給された第2の気体が、当該空間から排出され難い。そのため、第2の気体が基板の上面近くから流出するのを、より一層抑制できる。これにより、基板の上面と処理液の液膜と気相との境界の周囲の雰囲気を、低表面張力液の蒸気の、さらに一層リッチな状態に保ち続けることができる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置1を水平方向に見た図である。
基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを、処理液や処理ガスによって一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、基板Wを、処理液を用いて処理する処理ユニット2と、基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置(制御手段)3とを含む。
スピンベース15の上面には、その周縁部に複数個(3個以上。たとえば6個)の挟持部材16が配置されている。複数個の挟持部材16は、スピンベース15の上面周縁部において、基板Wの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。
薬液供給ユニット6は、薬液を吐出する薬液ノズル17と、薬液ノズル17に接続された薬液配管18と、薬液配管18に介装された薬液バルブ19と、薬液ノズル17が先端部に取り付けられた第1のノズルアーム20と、第1のノズルアーム20を揺動させることにより、薬液ノズル17を移動させる第1のノズル移動ユニット21とを含む。
リンス液供給ユニット7は、水を吐出するリンス液ノズル22と、リンス液ノズル22に接続されたリンス液配管23と、リンス液配管23に介装されたリンス液バルブ24と、リンス液ノズル22が先端部に取り付けられた第2のノズルアーム25と、第2のノズルアーム25を揺動させることにより、リンス液ノズル22を移動させる第2のノズル移動ユニット26とを含む。
気体供給ユニット8は、混合気体(IPA Vapor+N2)を吐出する気体ノズル(ノズル)27と、気体ノズル27が先端部に取り付けられた第3のノズルアーム28と、第3のノズルアーム28を揺動させることにより、気体ノズル27を移動させる第3のノズル移動ユニット29とを含む。
r+N2)を吐出している状態を拡大して示す断面図である。
気体ノズル27は、内筒(第1の筒体)31と、内筒31に外嵌され、内筒31を包囲する外筒(第1の筒体)32とを有している。内筒31および外筒32は、各々共通の鉛直軸線A2上に同軸配置されている。図3に示すように、内筒31は、下端部分31aを除いて、円筒状をなしている。内筒31の下端部分31aには、水平方向に延びる平坦状のフランジ33が形成されている。フランジ33の上面33bおよび下面33cは、それぞれ水平平坦状の水平壁を含む。図2において、フランジ33の外周端33aは、平面視で外筒32の外周と揃っている状態が描かれているが、フランジ33の外周端33aが外筒32よりも径方向の外方に張り出していてもよい。内筒31の内部空間は、後述する第1の気体配管40からの混合気体(IPA Vapor+N2)が流通する直線状の第1の気体流路34となっている。第1の気体流路34の下端は、第1の吐出口35を形成している。
基板処理装置1によって基板Wが処理されるときには、チャンバ4内に未処理の基板Wが搬入される(ステップS1)。具体的には、制御装置3は、ノズル17,22,27等のチャンバ4内の構成がスピンチャック5の上方から退避している状態で、搬送ロボット(図示しない)に基板Wをチャンバ4内に搬入させる。そして、制御装置3は、基板Wの処理対象面(たとえばパターン形成面)が上に向けられた状態で、搬送ロボットに基板Wをスピンチャック5上に載置させる(基板保持工程)。その後、制御装置3は、基板Wがスピンチャック5に保持されている状態でスピンモータ13を回転させる。これにより、基板Wの回転が開始される(ステップS2)。制御装置3は、スピンチャック5上に基板Wが載置された後、搬送ロボットをチャンバ4内から退避させる。
ブラシを接触させることにより当該表面を洗浄するブラシ洗浄を例示できる。
次いで、リンス液を基板Wに供給するリンス工程(ステップS4)が行われる。具体的には、制御装置3は、第2のノズル移動ユニット26を制御することにより、リンス液ノズル22を退避位置から処理位置に移動させる。その後、制御装置3は、リンス液バルブ24を開いて、回転状態の基板Wの上面に向けてリンス液ノズル22から水を吐出させる。薬液ノズル17から吐出された薬液と同様に、リンス液ノズル22から吐出されたリンス液は、基板Wの上面に着液した後、遠心力によって基板Wの上面に沿って外方に流れる。そのため、基板W上の薬液は、リンス液によって外方に押し流され、基板Wの周囲に排出される。これにより、基板W上の薬液が、リンス液によって洗い流される。さらに、制御装置3は、基板Wが回転している状態で、基板Wの上面に対するリンス液の供給位置を中央部と周縁部との間で移動させる。これにより、リンス液の供給位置が、基板Wの上面全域を通過し、基板Wの上面全域が走査し、基板Wの上面全域にリンス処理が施される。リンス液には、基板Wの上面から取り除かれたパーティクルが含まれる。
次いで、制御装置3は、乾燥工程(ステップS6)を行う。
具体的には、先ず、制御装置3は、第2の気体バルブ43を開いて、図4Bに示すように、気体ノズル27の第2の吐出口39から混合気体(IPA Vapor+N2)を放射状に水平方向に吐出する。これにより、基板W上のリンス液の液膜44の中央部の周囲に、混合気体(IPA Vapor+N2)が供給され、当該中央部の周囲が、IPAの蒸気のリッチな状態になる。
第1の理由は、第2の吐出口39からの混合気体(IPA Vapor+N2)の吐出流量を、当該吐出開始後徐々に増大させるので、第2の吐出口39から放射状に吐出された混合気体(IPA Vapor+N2)は、常に境界46の周囲に供給されるという点である。
図6Aに示すように、リンス液の液膜44に含まれるパーティクルPが、リンス液の液膜の境界部分47に存在する場合には、このパーティクルPは、マランゴニ対流49によって境界46から離反する方向に促される。そのため、液膜除去領域45の拡大に伴って境界46が基板Wの外方に向けて移動すると、これに併せて、図6Bに示すように、パーティクルPも径方向外方に向けて移動する。そのため、パーティクルPがリンス液の液膜の境界部分47に取り込まれた状態のまま、液膜除去領域45が拡大する。
液膜除去領域45が基板Wの上面の全域に拡大した後、制御装置3は、第1の気体バルブ41および第2の気体バルブ43を閉じて、気体ノズル27からの混合気体(IPA Vapor+N2)の吐出を停止させる。その後、制御装置3は、第3のノズル移動ユニット29を制御することにより、気体ノズル27をスピンチャック5の上方から退避させる。また、制御装置3は、スピンモータ13を制御して、スピンチャック5の回転(基板Wの回転)を停止させる(ステップS7)。
以上によりこの実施形態によれば、基板Wの上面に形成されたリンス液の液膜44に、混合気体(IPA Vapor+N2)を、基板Wの上面に上方から吹き付けることにより、リンス液の液膜44に液膜除去領域45が形成される。液膜除去領域45の拡大により、境界46が基板Wの外方に向けて移動する。液膜除去領域45が基板Wの全域に拡大させられることにより、基板Wの上面の全域が乾燥される。
また、第1の吐出口35から吐出された混合気体(IPA Vapor+N2)は、基板Wの上面とフランジ33との間の空間SPを流通し、フランジ33の外周端33aと基板Wとの間に形成された環状出口50から、放射状にかつ水平方向に吐出される。したがって、液膜除去領域45が形成された後は、混合気体(IPA Vapor+N2)が基板Wの上面に沿って周方向外方に向けて流れる。これにより、境界46の周囲を、より一層、IPAの蒸気のリッチな状態に保ち続けることができる。
また、たとえば、チャンバ4の内部の全域を、IPAの蒸気の雰囲気で充満しながら、リンス液の液膜44にIPAの蒸気を吹き付けることも考えられる。しかしながら、この場合には、チャンバ4の内部の全域をIPAの蒸気の雰囲気で充満させる必要があるために、IPAの消費量が膨大になる。
図7は、基板処理装置1によって行われる処理の第2の処理例について説明するための図解的な図である。
液膜除去領域45の拡大により境界46が基板Wの外方に向けて移動する。第1の吐出口35からの混合気体の吹き付け位置の移動に追随して境界46が移動するから、換言すると、気体ノズル27の移動に追随して境界46が移動する。そのため、液膜除去領域45の拡大状況によらずに、第2の吐出口39から放射状に吐出された混合気体(IPA Vapor+N2)を、常に境界46の周囲に供給することができる。これにより、液膜除去領域45の拡大状況によらずに、境界46の周囲の雰囲気を、IPAの蒸気のリッチな状態に保ち続けることができる。
また、第2の処理例において、第2の吐出口39からの混合気体(IPA Vapor+N2)の吐出流量は、第1の処理例のように、吐出開始後徐々に増大するものであってもよい。
図8は、本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置201の構成を説明するための図解的な図である。
対向部材202は、円板状である。対向部材202の直径は、基板Wの直径と同等か、基板Wの直径よりも大きい。対向部材202の下面には、スピンチャック5に保持されている基板Wの上面に対向する、平坦面からなる円形の対向面204が形成されている。対向面204は、基板Wの上面の全域と対向している。対向部材202は、ホルダ205によって、対向部材202の中心軸線がスピンチャック5の回転軸線A1上に位置するように、かつ水平姿勢で支持されている。
第3の実施形態において、第2の実施形態と共通する部分には、図8の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。第3の実施形態に係る基板処理装置301が、第2の実施形態に係る基板処理装置201と相違する主たる点は、対向部材202に代えて対向部材202Aを設けた点にある。
また、第3の実施形態では、第2の実施形態に関連して説明した作用効果に加えて、対向面204Aと基板Wの上面とによって区画される空間が、その外側空間からほぼ密閉されているので、対向面204Aと基板Wの上面との間の空間210Aに供給された混合気体(IPA Vapor+N2)が、当該空間210Aから排出され難い。そのため、混合気体(IPA Vapor+N2)が基板Wの上面近くから流出するのを、より一層抑制できる。これにより、境界46の周囲の雰囲気を、IPAの蒸気の、さらに一層リッチな状態に保ち続けることができる。
たとえば、第1の実施形態の第1の処理例(第2および第3の実施形態の処理例でも同様)において、混合気体(IPA Vapor+N2)の流量の増大と、基板Wの回転速度の高速化とによって液膜除去領域45を拡大させる場合を例に挙げて説明したが、液膜除去領域45の拡大は、混合気体(IPA Vapor+N2)の流量の増大、および基板Wの回転速度の高速化の一方のみによって達成するようにしてもよい。
また、低表面張力液として、リンス液より低い表面張力を有する有機溶剤の一例であるIPAを例に挙げて説明したが、このような有機溶剤として、IPA以外に、たとえば、メタノール、エタノール、アセトン、およびHFE(ハイドロフルオロエーテル)などを採用できる。
また、気体ノズル27,203を、環状出口50と環状の第2の吐出口39とをフランジ33によって上下に仕切る構成として説明したが、このような構成に限られず、他の構成のノズル形状を採用してもよいのはいうまでもない。
また、前述の各実施形態では、基板処理装置1,201,301が円板状の基板Wを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置1,201,301が、液晶表示装置用ガラス基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
1 基板処理装置
3 制御装置(制御手段)
5 スピンチャック(基板保持手段)
7 リンス液供給ユニット(処理液供給手段)
8 気体供給ユニット(第1の気体供給手段、第2の気体供給手段)
13 スピンモータ(基板回転手段)
27 気体ノズル(ノズル)
31 内筒(第1の筒体)
31a 内筒の下端部分
32 外筒(第2の筒体)
33 フランジ
35 第1の吐出口
39 第2の吐出口
44 リンス液の液膜(処理液の液膜)
45 液膜除去領域
202 対向部材
202A 対向部材
203 気体ノズル(ノズル)
204 対向面
204A 対向面
Claims (11)
- 基板を水平に保持する基板保持工程と、
前記基板の上面に処理液を供給して、当該基板の上面を覆う処理液の液膜を形成する液膜形成工程と、
前記液膜形成工程の後、前記処理液の液膜から当該液膜の一部が除去される液膜除去領域を形成するために、前記処理液よりも低い表面張力を有する低表面張力液の蒸気を含む第1の気体を第1の吐出口から吐出して、前記処理液の液膜に、当該上面に交差する方向から前記第1の気体を吹き付ける第1の気体吐出工程と、
前記処理液よりも低い表面張力を有する低表面張力液の蒸気を含む第2の気体を、前記第1の吐出口とは異なる、環状の第2の吐出口から横向きかつ放射状に吐出する第2の気体吐出工程と、
前記液膜除去領域を拡大させる液膜除去領域拡大工程とを含み、
前記第2の気体吐出工程が、前記第1の気体吐出工程の開始に先立って開始される、基板処理方法。 - 前記第2の吐出口は、鉛直方向に関し、前記第1の吐出口よりも上方に配置されている、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記第1の気体吐出工程と、前記第2の気体吐出工程とを並行して実行する、請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記液膜除去領域拡大工程は、前記第1の吐出口から吐出される前記第1の気体の流量を、当該第1の気体の吐出開始後、徐々に増大させる第1の流量増大工程を含み、
前記基板処理方法は、前記第2の吐出口から吐出される前記第2の気体の流量を、当該第2の気体の吐出開始後、徐々に増大させる第2の流量増大工程をさらに含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記処理液は、リンス液を含み、
前記低表面張力液は、有機溶剤を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 基板を水平に保持する基板保持手段と、
前記基板の上面に処理液を供給するための処理液供給手段と、
下向きに気体を吐出するための第1の吐出口と、横向きに気体を吐出するための環状の第2の吐出口とを有するノズルと、
前記第1の吐出口に、前記処理液よりも低い表面張力を有する低表面張力液の蒸気を含む第1の気体を供給する第1の気体供給手段と、
前記第2の吐出口に、前記処理液よりも低い表面張力を有する低表面張力液の蒸気を含む第2の気体を供給する第2の気体供給手段と、
前記基板保持手段に保持されている基板を回転させる基板回転手段と、
前記処理液供給手段、前記第1の気体供給手段、前記第2の気体供給手段および前記基板回転手段を制御する制御手段とを含み、
前記制御手段は、前記基板の上面に処理液を供給して、当該基板の上面を覆う処理液の液膜を形成する液膜形成工程と、前記液膜形成工程の後、前記処理液の液膜から当該液膜の一部が除去される液膜除去領域を形成するために、前記第1の気体を前記第1の吐出口から吐出して、前記処理液の液膜に前記第1の気体を吹き付ける第1の気体吐出工程と、前記第2の吐出口から、前記第2の気体を横向きかつ放射状に吐出する第2の気体吐出工程と、前記液膜除去領域を拡大させる液膜除去領域拡大工程とを実行し、
前記制御手段は、前記第2の気体吐出工程を、前記第1の気体吐出工程の開始に先立って開始させる、基板処理装置。 - 前記ノズルは、前記第1の気体が流通するための第1の流路が内部に形成された第1の筒体を含み、当該第1の筒体の下端部分によって前記第1の吐出口が形成されており、かつ当該第1の筒体の下端部分にはフランジが設けられており、
前記第1の吐出口から吐出された前記第1の気体は、前記基板の上面と前記フランジとの間の空間を流通する、請求項6に記載の基板処理装置。 - 前記第2の吐出口は、前記フランジよりも上方に配置されている、請求項7に記載の基板処理装置。
- 前記ノズルは、前記第1の筒体を包囲する第2の筒体であって、前記第2の気体が流通する第2の流路を前記第1の筒体との間で区画する第2の筒体をさらに含み、
前記第2の吐出口は、前記第2の筒体と前記フランジとによって形成されている、請求項8に記載の基板処理装置。 - 前記基板の上面に対向し、前記第2の吐出口から吐出された前記第2の気体を案内する対向面を有する対向部材をさらに含む、請求項6〜9のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記対向部材は、前記基板の上面周縁部に対向し、当該上面周縁部との間で、前記対向面の中央部と前記基板の上面中央部との間の間隔よりも狭い狭間隔を形成する対向周縁部を有している、請求項10に記載の基板処理装置。
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