JP6901944B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
典型的な基板処理工程では、スピンチャックに保持された基板に対して薬液が供給される。その後、リンス液が基板に供給され、それによって、基板上の薬液がリンス液に置換される。その後、基板上のリンス液を排除するためのスピンドライ工程が行われる。スピンドライ工程では、基板が高速回転されることにより、基板に付着しているリンス液が振り切られて除去(乾燥)される。一般的なリンス液は脱イオン水である。
下記特許文献1のように、リンス処理後スピンドライ工程の前に液体の有機溶剤を基板の表面に供給する場合には、液体の有機溶剤がパターンの間に入り込む。有機溶剤の表面張力は、典型的なリンス液である水よりも低い。そのため、表面張力に起因するパターンの倒壊の問題が緩和される。
この方法によれば、低表面張力液体供給工程の開始後に、処理カップにおける流通先が第2の配管に設定されるので、第2の配管に導入される液体を、単一種類の低表面張力液体のみとすることができる。
この発明の一実施形態では、前記温調液供給工程が、前記低表面張力液体供給工程の開始と同時またはその後に開始される。
この方法によれば、温調液供給工程が、低表面張力液体供給工程の終了と同時またはその後に終了される。
これに対し、この方法では、基板の裏面に供給される温調液が、基板の表面に供給される低表面張力液体と同種の液体を含んでいるので、基板の裏面から表面側に温調液が回り込んでも問題が生じない。そのため、温調液供給工程を、低表面張力液体供給工程の終了に先立って終了させる必要がない。これにより、低表面張力液体供給工程の終了まで低表面張力液体を温めておくことができる。これにより、パターンの倒壊をより効果的に抑制または防止することができる。
この方法によれば、遮断部材が基板の表面に対して間隔を空けて対向配置された状態で、基板の表面と遮断部材との間の空間が当該空間の周囲から遮断される。したがって、空間外の雰囲気に含まれる水分が基板の表面に供給されることを抑制でき、これにより、基板の表面に供給されている低表面張力液体に水が混じることを抑制できる。
この方法によれば、遮断部材が基板の表面に対して間隔を空けて対向配置された状態で、基板の表面と遮断部材との間の空間に気体が供給されることにより、その供給される気体が基板の表面と遮断部材との間に充満する。したがって、空間外の雰囲気に含まれる水分が基板の表面に供給されることをより効果的に抑制または防止でき、これにより、基板の表面に供給されている低表面張力液体に水が混じることを、より一層効果的に抑制することができる。
この方法によれば、基板を効率よく加熱することが可能である。また、低表面張力液体中に含まれるリンス成分を余すことなく蒸発させることもできる。
この発明の一実施形態では、前記温調液供給工程が、時間の経過に従って前記温調液の供給流量を減少させる温調液減少工程を含む。
この発明の一実施形態では、前記温調液減少工程が、前記温調液の供給流量を、前記低表面張力液体供給工程における前記低表面張力液体の供給流量を下回るまで減少させる工程を含む。
この発明の一実施形態は、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持された基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給ユニットと、前記基板の前記表面に前記リンス液よりも表面張力の低い低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給ユニットと、前記基板の前記表面と反対側の裏面に、温度が調整された温調液であって、前記低表面張力液体と同種の液体を含みかつ水を含まない温調液を供給するための温調液供給ユニットと、前記リンス液供給ユニット、前記低表面張力液体供給ユニットおよび前記温調液供給ユニットを制御する制御装置とを含み、前記制御装置が、前記低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給工程と、前記低表面張力液体供給工程と並行して、前記基板の前記表面と反対側の裏面に、温度が調整された温調液であって、前記低表面張力液体と同種の低表面張力液体からなりかつ水を含まない温調液を供給する温調液供給工程とを実行する、基板処理装置を提供する。
この構成によれば、低表面張力液体供給工程の開始後に、処理カップにおける流通先が第2の配管に設定されるので、第2の配管に導入される液体を、同一種類の低表面張力液体のみとすることができる。
この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記温調液供給工程を、前記低表面張力液体供給工程の開始と同時またはその後に開始させる。
この構成によれば、温度液供給工程が、低表面張力液体供給工程の終了と同時またはその後に終了される。
これに対し、この方法では、基板の裏面に供給される温調液が、基板の表面に供給される低表面張力液体と同種の液体を含んでいるので、基板の裏面から表面側に温調液が回り込んでも問題が生じない。そのため、温調液供給工程を、低表面張力液体供給工程の終了に先立って終了させる必要がない。これにより、低表面張力液体供給工程の終了まで低表面張力液体を温めておくことができる。これにより、パターンの倒壊をより効果的に抑制または防止することができる。
この構成によれば、遮断部材が基板の表面に対して間隔を空けて対向配置された状態で、基板の表面と遮断部材との間の空間が当該空間の周囲から遮断される。したがって、空間外の雰囲気に含まれる水分が基板の表面に供給されることを抑制でき、これにより、基板の表面に供給されている低表面張力液体に水が混じることを抑制できる。
この構成によれば、遮断部材が基板の表面に対して間隔を空けて対向配置された状態で、基板の表面と遮断部材との間の空間に気体が供給されることにより、その供給される気体が基板の表面と遮断部材との間に充満する。したがって、空間外の雰囲気に含まれる水分が基板の表面に供給されることをより効果的に抑制または防止でき、これにより、基板の表面に供給されている低表面張力液体に水が混じることを、より一層効果的に抑制することができる。
この構成によれば、基板を効率よく加熱することが可能である。また、低表面張力液体中に含まれるリンス成分を余すことなく蒸発させることもできる。
この発明の一実施形態では、前記温調液供給工程が、時間の経過に従って前記温調液の供給流量を減少させる温調液減少工程を含む。
この発明の一実施形態では、前記温調液減少工程が、前記温調液の供給流量を、前記低表面張力液体供給工程における前記低表面張力液体の供給流量を下回るまで減少させる工程を含む。
<第1の実施形態>
図1は、この発明の第1の実施形態に係る基板処理装置1の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
処理ユニット2は、内部空間を有する箱形のチャンバー6と、チャンバー6内で一枚の基板Wを水平な姿勢で保持して、基板Wの中心を通る鉛直な回転軸線A1まわりに基板Wを回転させるスピンチャック(基板保持ユニット)7と、スピンチャック7に保持されている基板Wの上面(基板Wの表面Wa)に薬液を供給するための薬液供給ユニット8と、スピンチャック7に保持されている基板Wの上面にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット9と、有機溶剤タンク31に貯留されている有機溶剤を、スピンチャック7に保持されている基板Wの上面に向けて有機溶剤を吐出するための有機溶剤ノズル10と、スピンチャック7に保持されている基板Wの下面(基板Wの裏面Wb)の中央部に向けて温調液としての有機溶剤を吐出する下面ノズル11と、スピンチャック7の側方を取り囲む筒状の処理カップ40とを含む。下面ノズル11から吐出される温調液は、有機溶剤ノズル10からの有機溶剤と同種の有機溶剤からなり、水を含まない。
スピンベース15の上面15aには、その周縁部に複数個(3個以上。たとえば6個)の挟持部材16が配置されている。複数個の挟持部材16は、スピンベース15の上面周縁部において、基板Wの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けて配置されている。
薬液供給ユニット8は、薬液ノズル17を含む。薬液ノズル17は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック7の上方で、その吐出口を基板Wの上面中央部に向けて固定的に配置されている。薬液ノズル17には、薬液供給源からの薬液が、薬液バルブ18を介して供給される。薬液バルブ18が開かれると、薬液ノズル17に供給された連続流の薬液が、薬液ノズル17の先端に設定された吐出口から吐出される。また、薬液バルブ18が閉じられると、薬液ノズル17からの薬液の吐出が停止される。薬液は、フッ酸に限られず、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸(たとえばクエン酸、蓚酸など)、有機アルカリ(たとえば、TMAH:テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど)、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも1つを含む液であってもよい。薬液供給ユニット8は、薬液ノズル17を移動させることにより、基板Wの上面に対する薬液の着液位置を基板Wの面内で走査させる薬液ノズル移動装置を備えていてもよい。
下面ノズル11には、下面供給配管25が接続されている。下面ノズル11は、鉛直に配置された中空軸からなるスピン軸14の内部に挿通されている。下面供給配管25には、温調液としての有機溶剤を供給するための第2の有機溶剤配管26が接続されている。第2の有機溶剤配管26には、第2の有機溶剤バルブ27が介装されている。第2の有機溶剤配管26には、有機溶剤タンク31から有機溶剤が供給されるようになっている。第2の有機溶剤配管26の他端は、次に述べる有機溶剤供給ユニット30の循環配管32の接続部38に接続されている。この実施形態では、下面ノズル11、第2の有機溶剤配管26、第2の有機溶剤バルブ27および有機溶剤供給ユニット30によって、下面側有機溶剤供給ユニット(温調液供給ユニット)が構成されている。
基板処理装置1は、有機溶剤ノズル10に、有機溶剤を供給するための第1の有機溶剤供給ユニットと、下面ノズル11に、所定の高温に温度調整された有機溶剤を供給するための第2の有機溶剤供給ユニットとを備えている。この実施形態では、第1の有機溶剤供給ユニットおよび第2の有機溶剤供給ユニットは、共通の有機溶剤供給ユニット30によって構成されている。
送液装置Pは、供給部37に介装されている。送液装置Pは、たとえばポンプである。ポンプは、有機溶剤タンク31内の薬液を吸い込み、その吸い込んだ有機溶剤を吐出する。送液装置Pは、有機溶剤タンク31内の気圧を上昇させることにより有機溶剤タンク31内の薬液を循環配管32に送る加圧装置であってもよい。
第1の有機溶剤バルブ24が開かれることにより、供給部37を流れる有機溶剤が有機溶剤ノズル10に供給される。また、第2の有機溶剤バルブ27が開かれることにより、供給部37を流れる有機溶剤が下面ノズル11に供給される。
第3のカップ43の溝には、回収配管(第2の配管)58が接続されている。第3のカップ43の溝に導かれた処理液(たとえば有機溶剤)は、回収配管58を通して機外の回収設備61に送られ、この回収設備61において回収処理される。
基板Wへの処理液(薬液、リンス液、有機溶剤、疎水化剤等)の供給や基板Wの乾燥は、いずれかのガード44〜46が、基板Wの周端面に対向している状態で行われる。たとえば最も外側の外ガード46が基板Wの周端面に対向している状態(図8に示す状態。以下、「第3のガード対向状態」という場合がある)を実現するために、内ガード44および中ガード45を下位置に配置し、外ガード46を上位置に配置する。第3のガード対向状態では、回転状態にある基板Wの周縁部から排出される処理液の全てが、外ガード46によって受け止められる。このときの外ガード46の上位置が、外ガード46の第2の液受け位置に相当する。
制御装置3は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置3はCPU等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットには、演算ユニットが実行するプログラムが記憶されている。
また、制御装置3は、予め定められたプログラムに従って、薬液バルブ18、リンス液バルブ20、第1の有機溶剤バルブ24、第2の有機溶剤バルブ27を開閉する。
図4は、基板処理装置1による処理対象の基板Wの表面Waを拡大して示す断面図である。処理対象の基板Wは、たとえばシリコンウエハであり、そのパターン形成面である表面Waにパターン50が形成されている。パターン50は、たとえば微細パターンである。パターン50は、図4に示すように、凸形状(柱状)を有する構造体51が行列状に配置されたものであってもよい。この場合、構造体51の線幅W1はたとえば10nm〜45nm程度に、パターン50の隙間W2はたとえば10nm〜数μm程度に、それぞれ設けられている。パターン50の膜厚Tは、たとえば、1μm程度である。また、パターン50は、たとえば、アスペクト比(線幅W1に対する膜厚Tの比)が、たとえば、5〜500程度であってもよい(典型的には、5〜50程度である)。
パターン50は、たとえば絶縁膜を含む。また、パターン50は、導体膜を含んでいてもよい。より具体的には、パターン50は、複数の膜を積層した積層膜により形成されており、さらには、絶縁膜と導体膜とを含んでいてもよい。パターン50は、単層膜で構成されるパターンであってもよい。絶縁膜は、シリコン酸化膜(SiO2膜)やシリコン窒化膜(SiN膜)であってもよい。また、導体膜は、低抵抗化のための不純物を導入したアモルファスシリコン膜であってもよいし、金属膜(たとえば金属配線膜)であってもよい。
図5は、処理ユニット2において実行される第1の基板処理例の内容を説明するための流れ図である。図6は、図5のリンス液供給工程S4を説明する模式的な図である。図7は、図5の置換工程S5を説明する模式的な図である。
未処理の基板W(たとえば直径450mmの円形基板)は、インデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRによって基板収容器Cから処理ユニット2に搬入され、チャンバー6内に搬入され、基板Wがその表面Wa(図6等参照)を上方に向けた状態でスピンチャック7に受け渡され、スピンチャック7に基板Wが保持される(図5のS1:基板W搬入)。この状態において、基板Wの裏面Wb(図6等参照)は下方を向いている。チャンバー6への基板Wの搬入は、かつガード44〜46が下位置に配置された状態で行われる。
また、制御装置3は、ガード昇降ユニット47を制御して、内ガード44、中ガード45および外ガード46を上位置に上昇させることにより、内ガード44を基板Wの周端面に対向させる(第1のガード対向状態を実現)。
薬液の吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置3は、薬液バルブ18を閉じて、薬液ノズル17からの薬液の吐出を停止する。これにより、薬液工程S3が終了する。
リンス液バルブ20が開かれてから予め定める期間が経過すると、制御装置3はリンス液バルブ20を閉じる。これにより、リンス液供給工程S4が終了する。
基板Wの上面を移動する有機溶剤は、基板Wの周縁部から基板Wの側方に排出される。基板Wの周縁部から排出される有機溶剤は、外ガード46の内壁に受け止められ、外ガード46の内壁を伝って流下し、第3のカップ43および回収配管58を介して、回収設備61に送られる。
基板Wの下面を移動する有機溶剤は、基板Wの周縁部から基板Wの側方に排出される。基板Wの周縁部から排出される有機溶剤は、外ガード46の内壁に受け止められ、外ガード46の内壁を伝って流下し、第3のカップ43および回収配管58を介して、回収設備61に送られる。
その後、基板搬送ロボットCRが、処理ユニット2に進入して、処理済みの基板Wを処理ユニット2外へと搬出する(図5のS8:基板W搬出)。搬出された基板Wは、基板搬送ロボットCRからインデクサロボットIRへと渡され、インデクサロボットIRによって、基板収容器Cに収納される。
リンス液供給工程S4において、第1の排液配管56に導出される排液は、主にリンス液であるが、リンス液には、薬液や有機溶剤が混入しているおそれがある。環境負荷低減の観点から、有機溶剤を所定濃度以上含有している排液を廃棄することはできない。有機溶剤を所定濃度以上含有している排液は、別途廃棄設備において、有機溶剤を排液から分離する必要がある。
基板Wの上面(表面Wa)に供給される温調液が、基板Wの上面(表面Wa)に供給される有機溶剤と同種の有機溶剤であり、かつ水を含まないので、基板Wの上面(表面Wa)に存在する有機溶剤に水が混じることを効果的に抑制または防止できる。そのため、置換工程S5において、基板Wの上面(表面Wa)に供給された有機溶剤の表面張力の上昇を抑制または防止しながら、基板Wを温めることができる。これにより、パターン50の倒壊をより効果的に抑制することができる。
<第2の実施形態>
図9は、この発明の第2の実施形態に係る処理ユニット202において実行される第2の基板処理例における、制御装置3の主たる制御内容を説明するためのタイミングチャートである。
温水供給ユニット203は、下面ノズル70と、下面供給配管25と、下面供給配管25に接続された温水配管204と、温水配管204に介装された温水バルブ205とを含む。温水配管204には、温水供給源からの温水(たとえば、IPAの沸点(約82℃)に近い温度72℃に温度調整された温水)が供給されるようになっている。
図9に示すように、第2の基板処理例が第1の基板処理例と相違する点は、下面ノズル11からの有機溶剤の供給に先立って、リンス液供給工程S4に並行して、下面ノズル11から基板Wの下面(裏面Wb)に温水を供給する点にある。リンス液供給工程S4では、制御装置3は、基板Wの上面へのリンス液の供給に並行して、基板Wの下面中央部に温水を供給する。具体的には、制御装置3は第2の有機溶剤バルブ27を閉じながら温水バルブ205を開き、これにより、下面ノズル11から温水が上向きに吐出され、基板Wの下面中央部に供給される。下面ノズル11から吐出される温水の流量は、たとえば約2.0(リットル/分)である。
<第3の実施形態>
図10は、第3の実施形態に係る処理ユニット302において実行される第3の基板処理例の内容を説明するための流れ図である。
疎水化剤供給ユニット303は、疎水化剤ノズル304を含む。(図2において破線で図示)。疎水化剤ノズル304は、たとえば連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック7の上方で、その吐出口を基板Wの上面中央部に向けて固定的に配置されている。疎水化剤ノズル304には、疎水化剤供給源からの疎水化剤が、疎水化剤バルブ305を介して供給される。疎水化剤バルブ305が開かれると、疎水化剤ノズル304に供給された連続流の疎水化剤が、疎水化剤ノズル304の先端に設定された吐出口から吐出される。また、疎水化剤バルブ305が閉じられると、疎水化剤ノズル304からの疎水化剤の吐出が停止される。
第3の基板処理例では、インデクサロボットIRおよび基板搬送ロボットCRによる基板Wの搬入(ステップS11)の後、スピンチャック7に基板Wが保持される。その後、制御装置3が、スピンモータ13を制御して基板Wの回転を開始させる(ステップS12)。基板Wの回転が液処理速度に達すると、制御装置3は、基板Wの上面に薬液を供給する薬液工程S13を実行する。薬液の吐出開始から予め定める期間が経過すると、薬液工程S13が終了する。次いで、制御装置3は、基板W上の薬液をリンス液に置換して基板W上から薬液を排除するためのリンス液供給工程S14を実行する。次いで、制御装置3は、第1の置換工程S15を実行する。有機溶剤の吐出開始から予め定める期間が経過すると、第1の置換工程S15が終了する。S11〜S15の工程は、それぞれ第1の基板処理例(図5参照)に係るS1〜S5と同等の工程であるので、詳細な説明を省略する。
具体的には、制御装置3は、ガード昇降ユニット47を制御して、外ガード46を上位置に維持しながら、中ガード45を上昇させて上位置に配置することにより、中ガード45を基板Wの周端面に対向させる(第2のガード対向状態を実現)。また、制御装置3は、疎水化剤バルブ305を開いて、基板Wの上面(表面Wa)の中央部に向けて疎水化剤ノズル304から、液体の疎水化剤を吐出する。
基板Wの周縁部に移動した疎水化剤は、基板Wの周縁部から基板Wの側方に排出される。基板Wの周縁部から排出される疎水化剤は、中ガード45の内壁に受け止められ、中ガード45の内壁を伝って流下し、第2のカップ42および第2の排液配管57を介して、排液処理設備60に送られる。
次いで、制御装置3は、第2の置換工程S17を実行する。第2の置換工程S17は、第1の基板処理例(図5参照)に係る置換工程S5と同等の工程であるので、詳細な説明を省略する。
スピンドライ工程S18の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置3は、スピンモータ13を制御してスピンチャック7の回転を停止させる(S19:基板W回転停止)。また、制御装置3は、ガード昇降ユニット47を制御して、全てのガードを基板Wの周端面から下方に退避させる。
<第4の実施形態>
図11は、この発明の第4の実施形態に係る処理ユニット402の構成例を説明するための図解的な断面図である。
処理ユニット402が、処理ユニット2と相違する主たる点は、有機溶剤ノズル10を廃止し、これに代えて遮断部材403および有機溶剤ノズル407および気体ノズル408を設けた点にある。
気体ノズル408の先端には、単一の吐出口408aが形成されている。吐出口408aは、貫通穴409を介して対向面404に開口している。
置換工程S5では、制御装置3は、遮断部材403を近接位置に配置させ、第1の有機溶剤バルブ24を開いて有機溶剤ノズル407から有機溶剤を吐出させ、かつ気体バルブ412を開いて気体ノズル408から有機溶剤を吐出させる。有機溶剤ノズル407から吐出された有機溶剤は、基板Wの上面(表面Wa)の中央部に着液する。有機溶剤ノズル407から吐出された有機溶剤は、高温(たとえば、IPAの沸点かIPAの沸点(約82℃)に近い温度約72〜約82℃の範囲でたとえば約72℃)に温度調整された有機溶剤である。有機溶剤ノズル407から吐出される有機溶剤の流量は、たとえば約0.3(リットル/分)である。
また、この実施形態において、空間415に気体を供給するための気体供給ユニット410を廃止してもよい。
<第5の実施形態>
図12は、この発明の第5の実施形態に係る処理ユニット502の下面ノズル503の構成例を説明するための図解的な断面図である。図13は、下面ノズル503の構成例を説明するための模式的な平面図である。
<第6の実施形態>
図14は、この発明の第6の実施形態に係る処理ユニット602および貯留ボックス604の構成例を説明するための図解的な断面図である。図14において、前述の第1の実施形態(図1〜図8に示す実施形態)と共通する部分には、図1〜図8の場合と同一の参照符号を付し説明を省略する。
たとえば、第2の実施形態〜第6の実施形態のうち2つ以上の実施形態を組み合わせるようにしてもよい。
また、前述の第1の基板処理例(図8参照)および第2の基板処理例(図9参照)において、基板Wの裏面Wbへの温調液としての有機溶剤の供給が、たとえば図8において破線で示すように、基板Wの表面Waへの有機溶剤の供給の開始後に開始されるようになっていてもよい。この場合においても、基板Wの裏面Wbへの温調液としての有機溶剤の供給が、基板Wの表面Waへの有機溶剤の供給の開始に先立って開始されない。そのため、第1の排液配管56に進入する有機溶剤および温調液(有機溶剤と同種の液体)の量を最小限に抑制することができる。そのため、第1の排液配管56を流れる液体に含まれる有機溶剤の割合を低く抑制することが可能であり、これにより、第1の排液配管56から排出された液体を、コストを別途かけることなく廃棄処理することが可能である。
また、温調液としての有機溶剤として、有機溶剤の一例であるIPAを例に挙げて説明したが、このような有機溶剤として、IPA以外に、たとえば、メタノール、エタノール、アセトン、EG(エチレングリコール)、HFE(ハイドロフルオロエーテル)、n−ブタノール、t−ブタノール、イソブチルアルコール、2−ブタノールなどの有機溶剤を採用できる。これらの有機溶剤は、リンス液(水)よりも沸点が低い。
ある。
2 :処理ユニット
3 :制御装置
7 :スピンチャック(基板保持ユニット)
9 :リンス液供給ユニット
10 :有機溶剤ノズル(低表面張力液体供給ユニット)
11 :下面ノズル(温調液供給ユニット)
23 :第1の有機溶剤配管(低表面張力液体供給ユニット)
24 :第1の有機溶剤バルブ(低表面張力液体供給ユニット)
26 :第2の有機溶剤配管(温調液供給ユニット)
27 :第2の有機溶剤バルブ(温調液供給ユニット)
30 :有機溶剤供給ユニット(低表面張力液体供給ユニット)
40 :処理ユニット
47 :ガード昇降ユニット(切り換えユニット)
202 :処理ユニット
302 :処理ユニット
402 :処理ユニット
403 :遮断部材
405 :空間
410 :気体供給ユニット
502 :処理ユニット
601 :基板処理装置
602 :処理ユニット
604 :貯留ボックス
W :基板
Wa :表面
Wb :裏面
Claims (22)
- リンス液が付着している基板の表面に前記リンス液よりも表面張力の低い低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給工程と、
前記低表面張力液体供給工程と並行して、前記基板の前記表面と反対側の裏面に、温度が調整された温調液であって、前記低表面張力液体と同種の液体を含みかつ水を含まない温調液を供給する温調液供給工程とを含み、
前記温調液供給工程が、時間の経過に従って前記温調液の供給流量を減少させる温調液減少工程を含む、基板処理方法。 - 前記低表面張力液体供給工程に先立って、前記基板の前記表面に前記リンス液を供給するリンス液供給工程と、
前記リンス液供給工程に並行して、前記基板から排出され、処理カップによって受けられた液体の流通先を第1の配管に設定する第1の設定工程と、
前記低表面張力液体供給工程および前記温調液供給工程に並行して、前記基板から排出され、前記処理カップによって受けられた液体の流通先を、前記第1の配管に連通しない第2の配管に設定する第2の設定工程とをさらに含む、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記処理カップが、基板保持ユニットの周囲を取り囲む複数の筒状のガードを含み、前記複数のガードのうち第1のガードに受けられた液体が前記第1の配管に導かれるようになっており、前記複数のガードのうち第2のガードに受けられた液体が前記第2の配管に導かれるようになっており、
前記第1の設定工程が、前記第1のガードを、前記基板から排出される液体を受けることができる第1の液受け位置に配置する工程を含み、
前記第2の設定工程が、前記第2のガードを、前記基板から排出される液体を受けることができる第2の液受け位置に配置する工程を含む、請求項2に記載の基板処理方法。 - 前記第2の設定工程が、前記低表面張力液体供給工程の開始後に開始される、請求項2または3に記載の基板処理方法。
- 前記温調液供給工程が、前記低表面張力液体供給工程の開始と同時またはその後に開始される、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記低表面張力液体供給工程に先立って、前記基板の前記表面に前記リンス液を供給するリンス液供給工程と、
前記温調液供給工程に先立ってかつ前記リンス液供給工程に並行して、前記基板の前記裏面に、温度が調整された温水を供給する温水供給工程とをさらに含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記温調液供給工程が、前記低表面張力液体供給工程の終了と同時またはその後に終了される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記温調液供給工程および前記低表面張力液体供給工程に並行して、遮断部材を、前記基板の前記表面に対して間隔を空けて対向配置して、前記基板の前記表面の上の空間を当該空間の周囲から遮断させる遮断工程をさらに含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記遮断工程に並行して、前記基板の前記表面と前記遮断部材との間に気体を供給させる気体供給工程をさらに含む、請求項8に記載の基板処理方法。
- 前記低表面張力液体が、前記リンス液よりも沸点が高い液体を含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記温調液減少工程が、前記温調液の供給流量を、前記低表面張力液体供給工程における前記低表面張力液体の供給流量を下回るまで減少させる工程を含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板を保持する基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持された基板の表面にリンス液を供給するリンス液供給ユニットと、
前記基板の前記表面に前記リンス液よりも表面張力の低い低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給ユニットと、
前記基板の前記表面と反対側の裏面に、温度が調整された温調液であって、前記低表面張力液体と同種の液体を含みかつ水を含まない温調液を供給するための温調液供給ユニットと、
前記リンス液供給ユニット、前記低表面張力液体供給ユニットおよび前記温調液供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
前記制御装置が、前記低表面張力液体を供給する低表面張力液体供給工程と、前記低表面張力液体供給工程と並行して、前記基板の前記表面と反対側の裏面に、温度が調整された温調液であって、前記低表面張力液体と同種の低表面張力液体からなりかつ水を含まない温調液を供給する温調液供給工程とを実行し、
前記温調液供給工程が、時間の経過に従って前記温調液の供給流量を減少させる温調液減少工程を含む、基板処理装置。 - 前記基板から排出された液体を受け止める筒状の処理カップであって、互いに連通しない第1および第2の配管に接続可能に設けられた処理カップと、
前記基板から排出され、前記処理カップによって受けられた液体の流通先を、前記第1の配管と前記第2の配管との間で切り換えるための流通先切り換えユニットとをさらに含み、
前記制御装置が、前記流通先切り換えユニットをさらに制御しており、
前記制御装置が、前記低表面張力液体供給工程に先立って、前記リンス液供給ユニットにより前記基板の表面に前記リンス液を供給するリンス液供給工程と、前記リンス液供給工程に並行して、前記流通先切り換えユニットにより前記処理カップによって受けられた液体の流通先を前記第1の配管に設定する第1の設定工程と、前記低表面張力液体供給工程および前記温調液供給工程に並行して、前記流通先切り換えユニットにより前記処理カップによって受けられた液体の流通先を前記第2の配管に設定する第2の設定工程とをさらに実行する、請求項12に記載の基板処理装置。 - 前記処理カップが、前記基板保持ユニットの周囲を取り囲む複数の筒状のガードを含み、前記複数のガードのうち第1のガードに受けられた液体が前記第1の配管に導かれるようになっており、前記複数のガードのうち第2のガードに受けられた液体が前記第2の配管に導かれるようになっており、
前記流通先切り換えユニットが、前記複数のガードのうち少なくとも一つのガードを昇降させるためのガード昇降ユニットを含み、
前記制御装置が、前記第1の設定工程において、前記ガード昇降ユニットにより、前記第1のガードを、前記基板から排出される液体を受けることができる第1の液受け位置に配置する工程を実行し、
前記制御装置が、前記第2の設定工程において、前記ガード昇降ユニットにより、前記第2のガードを、前記基板から排出される液体を受けることができる第2の液受け位置に配置する工程を実行する、請求項13に記載の基板処理装置。 - 前記制御装置が、前記第2の設定工程を、前記低表面張力液体供給工程の開始後に開始させる、請求項13または14に記載の基板処理装置。
- 前記制御装置が、前記温調液供給工程を、前記低表面張力液体供給工程の開始と同時またはその後に開始させる、請求項12〜15のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板の前記裏面に、温度が調整された温水を供給するための温水供給ユニットをさらに含み、
前記制御装置が、前記低表面張力液体供給工程に先立って、前記リンス液供給ユニットにより前記基板の前記表面に前記リンス液を供給するリンス液供給工程と、前記温調液供給工程に先立ってかつ前記リンス液供給工程に並行して、前記温水供給ユニットにより前記基板の前記裏面に前記温水を供給する温水供給工程とをさらに実行する、請求項12〜16のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記制御装置が、前記温調液供給工程を、前記低表面張力液体供給工程の終了と同時または前記低表面張力液体供給工程の終了よりも後に終了させる、請求項12〜17のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板保持ユニットに保持された前記基板の前記表面に対して間隔を空けて対向配置され、前記基板の前記表面の上の空間を当該空間の周囲から遮断する遮断部材をさらに含む、請求項12〜18のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記基板の前記表面と前記遮断部材との間に気体を供給するための気体供給ユニットをさらに含む、請求項19に記載の基板処理装置。
- 前記低表面張力液体が、前記リンス液よりも沸点が高い液体を含む、請求項12〜20のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記温調液減少工程が、前記温調液の供給流量を、前記低表面張力液体供給工程における前記低表面張力液体の供給流量を下回るまで減少させる工程を含む、請求項12〜21のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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