JP6640630B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
さらに、この構成によれば、チャンバー内の気圧が高くないので、オゾン水がチャンバー内の雰囲気に晒されると、オゾンの濃度が急激にかつ大幅に低下してしまう。オゾン水の供給流量、オゾン水の供給圧力、オゾン水の温度、および基板と対向面との間隔を含む液圧調整条件は液圧調整手段によって調整され、基板と対向面との間におけるオゾン水の圧力がチャンバー内の気圧よりも高い値に維持される。したがって、オゾン水の圧力の低下が軽減され、オゾンが高濃度に維持される。
さらに、この構成によれば、基板と対向面との間におけるオゾン水の圧力が圧力センサーによって検出され、制御手段が圧力センサーの検出値に基づいて液圧調整手段を制御する。つまり、オゾン水の圧力に応じてオゾン水の供給流量を含む液圧調整条件が変更され、基板と対向面との間におけるオゾン水の圧力が高い値に維持される。これにより、オゾンの濃度の低下を抑制しながら、基板の上面にオゾン水を供給することができる。
請求項2に記載の発明は、前記対向面の外周から前記検出部の中心までの水平方向の距離は、前記対向面の中心から前記検出部の中心までの水平方向の距離よりも短く、前記ノズル移動手段は、前記オゾン水ノズルを、上位置と、前記上位置よりも下方の位置であり、前記吐出口から吐出されたオゾン水で前記基板と前記対向面との間が満たされる下位置と、の間で鉛直方向に昇降させ、前記オゾン水ノズルが前記下位置に配置されているとき、前記基板の上面から前記対向面までの鉛直方向の距離は、前記吐出口の内径よりも小さい、請求項1に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、大気圧よりも高い圧力下でオゾンガスと水とが混合される。したがって、大気圧でオゾンガスを水に溶解させる場合よりも高濃度のオゾン水を生成することができる。さらに、この高濃度のオゾン水は、圧力の低下が軽減されながら、基板の上面に供給される。したがって、より濃度の高いオゾン水を基板の上面に供給することができる。
この構成によれば、チャンバー内から排出される排気の流量を含む気圧調整条件が気圧調整手段によって調整され、チャンバー内の気圧が大気圧よりも低い値に維持される。オゾン水などの処理液がチャンバー内で基板に供給されるので、ミストを含む汚染雰囲気がチャンバー内に発生する。チャンバーの内部が負圧に維持されるので、このような汚染雰囲気がチャンバーの外に漏れにくい。したがって、汚染雰囲気の漏洩を防止しながら、オゾン水の圧力の低下を軽減することができる。
請求項8に記載の発明は、大気圧よりも高い圧力下でオゾンガスを水に溶け込ませることにより、前記オゾン水ノズルに供給されるべきオゾン水を生成するオゾン水生成工程をさらに含む、請求項6または7に記載の基板処理方法である。この方法によれば、前述の効果を奏することができる。
図1は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置1に備えられた処理ユニット2の内部を水平に見た模式図である。図2は、スピンチャック11およびオゾン水ノズル31を上から見た模式図である。
図1に示すように、基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、処理液や処理ガスなどの処理流体で基板Wを処理する処理ユニット2と、処理ユニット2に基板Wを搬送する搬送ロボット(図示せず)と、基板処理装置1を制御する制御装置3とを含む。制御装置3は、プログラム等の情報を記憶する記憶部と記憶部に記憶された情報にしたがって基板処理装置1を制御する演算部とを含むコンピュータである。
オゾン水ノズル31は、基板Wの上面に対向する対向面51と、対向面51で開口する吐出口52とを含む。対向面51は、基板Wの上面と平行な平面である。対向面51は、オゾン水ノズル31の下面に相当する。対向面51は、オゾン水ノズル31において最も基板Wの上面に近い部分である。吐出口52は、対向面51の中央部で開口している。吐出口52は、オゾン水ノズル31をその厚み方向に貫通している。
以下では、図1、図3、および図4を参照して、基板Wの上面からレジストを除去するときの処理の一例について説明する。基板Wは、たとえば、直径300mmのシリコンウエハである。レジストは、その表層が変質によって硬化したものであってもよいし、その表層が硬化していないものであってもよい。以下の各工程は、制御装置3が基板処理装置1を制御することにより実行される。言い換えると、制御装置3は、以下の各工程を実行するようにプログラムされている。
具体的には、オゾン水ノズル31が退避位置に位置しており、カップ16が下位置に位置している状態で、搬送ロボット(図示せず)が、ハンドをチャンバー4内に進入させる。搬送ロボットは、さらに、基板Wの表面が上に向けられた状態でハンド上の基板Wをスピンチャック11の上に置く。その後、搬送ロボットは、ハンドをチャンバー4の内部から退避させる。ガード昇降ユニット20は、基板Wがスピンチャック11に置かれた後、カップ16を上位置に上昇させる。スピンモータ15は、基板Wがチャックピン12によって把持された後、基板Wの回転を開始させる。
具体的には、ノズル移動ユニット43が、オゾン水ノズル31を退避位置から対向位置に移動させ、対向位置から下位置に下降させる。その後、オゾン水供給バルブ33が開かれ、オゾン水循環バルブ39が閉じられる。これにより、オゾン水が、回転している基板Wの上面に向けてオゾン水ノズル31から吐出される。この状態で、ノズル移動ユニット43は、オゾン水ノズル31を基板Wの上面に沿って移動させる。このとき、ノズル移動ユニット43は、中央対向位置と外周対向位置との間でオゾン水ノズル31を移動させてもよいし、オゾン水ノズル31が基板Wの外周部に重なる2つの位置の間でオゾン水ノズル31を移動させてもよい。オゾン水供給バルブ33が開かれてから所定時間が経過すると、オゾン水供給バルブ33が閉じられ、オゾン水循環バルブ39が開かれる。その後、ノズル移動ユニット43がオゾン水ノズル31を退避位置に退避させる。
具体的には、リンス液バルブ23が開かれる。これにより、純水が、回転している基板Wの上面中央部に向けてリンス液ノズル21から吐出される。基板Wの上面に着液した純水は、基板Wの上面に沿って外方に流れる。基板W上のオゾン水は、リンス液ノズル21から吐出された純水によって洗い流される。これにより、基板Wの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。リンス液バルブ23が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ23が閉じられる。
具体的には、スピンモータ15が基板Wを回転方向に加速させ、高回転速度(たとえば数千rpm)で回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Wに付着している液体に加わり、液体が基板Wからその周囲に振り切られる。そのため、液体が基板Wから除去され、基板Wが乾燥する。基板Wの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ15が回転を停止する。これにより、基板Wの回転が停止される。その後、ガード昇降ユニット20がカップ16を下位置に下降させる。
具体的には、オゾン水ノズル31が退避位置に位置しており、カップ16が下位置に位置している状態で、搬送ロボット(図示せず)が、ハンドをチャンバー4内に進入させる。搬送ロボットは、複数のチャックピン12による基板Wの保持が解除された後、スピンチャック11上の基板Wをハンドで支持する。その後、搬送ロボットは、基板Wをハンドで支持しながら、ハンドをチャンバー4の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Wがチャンバー4から搬出される。
たとえば、前述の実施形態では、オゾン水生成ユニット35が大気圧よりも高い圧力下でオゾンガスを水に溶け込ませる場合について説明したが、オゾン水生成ユニット35は、大気圧またはそれよりも低い圧力下でオゾンガスを水に溶け込ませてもよい。
前述の実施形態では、基板処理装置1が、円板状の基板Wを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置1は、多角形の基板Wを処理する装置であってもよい。
前述の全ての構成の2つ以上が組み合わされてもよい。
3 :制御装置
4 :チャンバー
7 :FFU
9 :排気ダンパー
11 :スピンチャック
31 :オゾン水ノズル
32 :オゾン水供給配管
33 :オゾン水供給バルブ
34 :流量調整バルブ
35 :オゾン水生成ユニット
38 :オゾン水循環配管
39 :オゾン水循環バルブ
43 :ノズル移動ユニット
51 :対向面
52 :吐出口
52a :テーパー部
52b :ストレート部
53 :圧力センサー
53a :検出部
A1 :回転軸線
W :基板
Claims (10)
- 基板を水平に保持しながら、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板保持手段と、
前記基板を収容するチャンバーと、
前記基板の上面に対向する対向面と、前記対向面で開口する吐出口とを含み、平面視で前記基板よりも小さく、オゾン水を前記吐出口から吐出することにより、前記基板と前記対向面との間のオゾン水を前記対向面の外周から排出しながら、前記基板と前記対向面との間をオゾン水で満たすオゾン水ノズルと、
前記基板と前記対向面との間のオゾン水に接触する検出部を含み、前記検出部に接触するオゾン水の圧力を検出する圧力センサーと、
前記圧力センサーの検出値に基づいて前記吐出口から吐出されるオゾン水の流量を変更することにより、前記基板と前記対向面との間におけるオゾン水の圧力を、前記チャンバー内の気圧よりも高い値に維持する液圧調整手段と、
前記基板と前記対向面との間がオゾン水で満たされている状態で前記オゾン水ノズルを水平方向に移動させることにより、前記回転軸線から前記オゾン水ノズルまでの距離を変化させるノズル移動手段とを含み、
前記圧力センサーの検出部は、前記対向面の外周部に位置している、基板処理装置。 - 前記対向面の外周から前記検出部の中心までの水平方向の距離は、前記対向面の中心から前記検出部の中心までの水平方向の距離よりも短く、
前記ノズル移動手段は、前記オゾン水ノズルを、上位置と、前記上位置よりも下方の位置であり、前記吐出口から吐出されたオゾン水で前記基板と前記対向面との間が満たされる下位置と、の間で鉛直方向に昇降させ、
前記オゾン水ノズルが前記下位置に配置されているとき、前記基板の上面から前記対向面までの鉛直方向の距離は、前記吐出口の内径よりも小さい、請求項1に記載の基板処理装置。 - 大気圧よりも高い圧力下でオゾンガスを水に溶け込ませることにより、前記オゾン水ノズルに供給されるべきオゾン水を生成するオゾン水生成ユニットをさらに含む、請求項1または2に記載の基板処理装置。
- 前記チャンバー内の気圧を大気圧よりも低い値に維持する気圧調整手段をさらに含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記オゾン水ノズルに供給されるべきオゾン水を常時生成するオゾン水生成ユニットと、
前記オゾン水生成ユニットによって生成されたオゾン水を前記オゾン水ノズルに案内するオゾン水供給配管と、
前記オゾン水供給配管内のオゾン水を前記オゾン水生成ユニットに戻すオゾン水循環配管と、
前記オゾン水生成ユニットによって生成されたオゾン水が前記オゾン水供給配管を介して前記オゾン水ノズルに供給される供給状態と、前記オゾン水生成ユニットから前記オゾン水供給配管に供給されたオゾン水が前記オゾン水循環配管を介して前記オゾン水生成ユニットに戻る循環状態とに切り替わる切替ユニットとをさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 基板の上面に対向する対向面と前記対向面で開口する吐出口とを含む平面視で前記基板よりも小さいオゾン水ノズルから吐出されたオゾン水で前記基板の上面を処理する基板処理方法であって、
前記基板を水平に保持しながら、前記基板の中央部を通る鉛直な回転軸線まわりに回転させる基板回転工程と、
前記基板回転工程と並行して、オゾン水を前記吐出口から吐出することにより、前記基板と前記対向面との間のオゾン水を前記対向面の外周から排出しながら、前記基板と前記対向面との間をオゾン水で満たすオゾン水供給工程と、
前記オゾン水供給工程と並行して、前記オゾン水ノズルを水平方向に移動させることにより、前記回転軸線から前記オゾン水ノズルまでの距離を変化させるスキャン工程とを含み、
前記オゾン水供給工程は、前記対向面の外周部に位置しているとともに前記基板と前記対向面との間のオゾン水に接触する検出部が設けられた圧力センサーの検出値に基づいて前記吐出口から吐出されるオゾン水の流量を変更することにより、前記基板と前記対向面との間におけるオゾン水の圧力を、前記基板を収容するチャンバー内の気圧よりも高い値に維持する液圧調整工程を含む、基板処理方法。 - 前記基板処理方法は、前記基板と前記対向面との間がオゾン水で満たされる前に、前記オゾン水ノズルを、上位置から下位置に鉛直方向に下降させる下降工程をさらに含み、
前記オゾン水供給工程は、前記オゾン水ノズルが前記下位置に位置しているときに、前記吐出口から吐出されたオゾン水で前記基板と前記対向面との間を満たす工程であり、
前記オゾン水ノズルが前記下位置に配置されているとき、前記基板の上面から前記対向面までの鉛直方向の距離は、前記吐出口の内径よりも小さい、請求項6に記載の基板処理方法。 - 大気圧よりも高い圧力下でオゾンガスを水に溶け込ませることにより、前記オゾン水ノズルに供給されるべきオゾン水を生成するオゾン水生成工程をさらに含む、請求項6または7に記載の基板処理方法。
- 前記チャンバー内の気圧を大気圧よりも低い値に維持する気圧調整工程をさらに含む、請求項6〜8のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記オゾン水ノズルに供給されるべきオゾン水を常時生成するオゾン水生成ユニットによって生成されたオゾン水をオゾン水供給配管を介して前記オゾン水ノズルに供給する供給工程と、
前記オゾン水生成ユニットから前記オゾン水供給配管に供給されたオゾン水をオゾン水循環配管を介して前記オゾン水生成ユニットに戻す循環工程とをさらに含む、請求項6〜9のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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