JP3511442B2 - 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置 - Google Patents
洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置Info
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Description
グ、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の
ウエット処理液供給ノズル、省液型のウエット処理液供
給ノズル装置、及びウエット処理装置に関する。
板、プラスティックパッケージ用基板その他の大型基板
の表面のウエット処理のうち洗浄の観点から従来の技術
および課題について説明する。
いられている。図29において図29(a)は側面図で
あり、図29(b)は平面図である。
がら基板1の上面にウエット処理液供給ノズル2を用い
て超純水、電解イオン水、オゾン水、水素水等その他の
洗浄液を供給することにより洗浄を行っている。
30に示すように、洗浄液供給室4、洗浄液を基板に向
けて導出する開口部6と洗浄液を洗浄液供給室4へ導入
するための洗浄液導入口7が形成されている。
与し洗浄効果を向上させるために洗浄液供給室4上に超
音波素子16を設けてある。
等その他の洗浄液を洗浄液導入口7から洗浄液供給室4
に導入し、開口部6を介して被洗浄物である基板表面に
供給し洗浄を行う。この洗浄液による洗浄の後には、被
洗浄物表面から洗浄液を除去する目的で、また、残留す
るパーティクルなどを除去する目的で、図30に示すウ
エット処理液供給ノズル2と同じような構造のノズルを
用いてリンス洗浄液(一般的には超純水)によりリンス
洗浄を行う。
ような問題点がある。
量が多いという問題である。
解イオン水などの洗浄液を用いて行い、かかる洗浄液に
よる洗浄とリンス洗浄水によるリンスを行った後におけ
る基板1上のパーティクル(例えば、Al2O3粒子)
の残存量を0.5個/cm2レベルの清浄度を達成しよ
うとすると、25〜30L/min程度の洗浄液および
リンス洗浄液を供給しなければならない。25〜30L
/minと言う量は安定して超音波を付与できるための
ものである。従って、25〜30L/min以下の量に
すると超音波の安定付与は出来なくなり、清浄に洗浄出
来なくなってしまう。現状、洗浄液の多くなる理由とし
ては、上記で述べた通りであるが、それでも、25〜3
0L/min程度の液の使用量となっているのは、超音
波の周波数を上げ、超音波洗浄ノズルスリット幅を小さ
くしていることの結果であり、現有技術の限界が此処に
ある。
超音波の使用の制限があるいう問題である。現状では、
0.7〜1.5MHzの超音波しか使えないという問題
である。すべてのウエット処理において、被処理物にダ
メージを起こさないということが必要である。そのため
に、洗浄等ではキャビテーションによるダメージを起こ
さないMHz帯近辺の超音波を使用している。被処理物
にダメージが生ずるという観点から使用下限が決まって
いる。上限は、2MHz以上の周波数の超音波は、現
状、洗浄等に使用可能な実効パワーが取り出せないこと
により決まっている。洗浄等に使用可能な実効パワーが
取り出せない理由としては、超音波素子の回路的問題か
ら実効パワーが低いことと、図30に示すとおり、超音
波素子と被ウエット処理物との距離が遠く、超音波パワ
ーの減衰が大きいことが上げられる。
音波を付与した洗浄液を細い開口部6を介して被洗浄物
に供給するため超音波出力の減衰が大きく、必要以上に
入力電力を上げる必要があり、超音波振動子の寿命が短
いという問題がある。0.7〜1.5MHzの周波数の
超音波では、洗浄等に使用可能な実効パワーは取り出せ
るが、図30に示す通り、超音波素子と洗浄物との距離
がとおく、超音波パワーの減衰が大きいことに違いがな
く、超音波振動子の接着面への負荷は、非常に大きく、
洗浄液等の供給量のわずかの変動で、故障する場合がし
ばしばある。
る。前記した通り、大量の洗浄水(25〜30L/mi
n)を使用し、かつ洗浄後のリンス洗浄を十分行なった
としても得られる清浄度には限界があり、平均的な清浄
度としては0.5個/cm2程度である。
の清浄度)が求められる場合には、従来の洗浄技術で
は、対応できないという問題がある。さらに同一基板内
においても清浄度のばらつきがあり、図29に示す基板
1の進行反対側bの部分が進行方向側の部分aよりも清
浄度が低い。清浄度の分布状態は図29(b)に示すよ
うに進行方向先端aの部分ほど清浄度が高く、進行方向
の後端bに向かうにつれ清浄度は悪くなる様な分布をし
ているという問題があることがわかった。
れた洗浄液が、図29(a)に示すように大型基板表面
上に液膜となって基板エッジまで流れるうちに、一度除
去されたパーティクルが基板表面に再付着することに由
来している。
ト処理装置及びウエット処理方法の問題を解決し、ウエ
ット処理液の使用量を従来の10分の1以下へと低減す
ることができ、しかも従来よりも高い清浄度を得ること
ができる省水型のウエット処理液供給ノズル、ウエット
処理液供給ノズル装置及びウエット処理装置を提供する
ことを目的とする。
のウエット処理液の外部への液漏れが皆無かあってっも
極めて少ないウエット処理液供給ノズル、ウエット処理
液供給ノズル装置及びウエット処理装置を提供すること
を他の目的とする。
の本発明のウエット処理液供給ノズルは、一端にウエッ
ト処理液を導入するための導入口を有する導入通路と一
端にウエット処理後のウエット処理液をウエット処理の
系外へ排出するための排出口を有する排出通路とを形成
し、該導入通路と該排出通路のそれぞれの他端において
被ウエット処理物に向けて共通に開口する開口端とし、
かつ前記共通の開口端は複数の開口を有することを特徴
とするウエット処理液供給ノズルである。
は、一端にウエット処理液を導入するための導入口を有
する導入通路と一端にウエット処理後のウエット処理液
をウエット処理の系外へ排出するための排出口を有する
排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通路のそれぞ
れの他端において被ウエット処理物に向けて開口する開
口部を設け、かつ、該開口部周囲に細毛またはフィルム
を被ウエット処理物の処理面の法線に平行に設けたウエ
ット処理液供給ノズルに、被ウエット処理物と接触して
いるウエット処理液の圧力と大気圧との差を制御するた
めの圧力制御手段を設けたことを特徴とするウエット処
理液供給ノズル装置である。
入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエッ
ト処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出口
を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通路
とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形成
するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて開
口する開口部を設け、かつ、少なくとも該排出通路側の
該排出通路と被ウエット処理物との間に、該交差部に連
通する補助通路を設けたことを特徴とするウエット処理
液供給ノズルである。
入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエッ
ト処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出口
を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通路
とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形成
するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて開
口する開口部を設け、かつ、被ウエット処理物の処理面
に平行にウエット処理液が流れる平行流部を形成したこ
とを特徴とするウエット処理液供給ノズルである。
入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエッ
ト処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出口
を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通路
とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形成
するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて開
口する開口部を設け、かつ、該開口部の周辺部の外面を
被ウエット処理物の処理面と平行にしたことを特徴とす
るウエット処理液供給ノズルである。
入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエッ
ト処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出口
を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通路
とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形成
するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて開
口する開口部を設け、かつ、該開口部の周縁に、被ウエ
ット処理物と接触した状態で該交差部を外部からシール
するシール部材を設けたことを特徴とするウエット処理
液供給ノズルである。
は、上記いずれかのウエット処理液供給ノズルに、被ウ
エット処理物と接触しているウエット処理液の圧力と大
気圧との差を制御するための圧力制御手段を設けたこと
を特徴とする。
かのウエット処理液供給ノズルないしウエット処理液供
給ノズル装置と、該ウエット処理液供給ノズルと被ウエ
ット処理物とを相対的に移動させるための手段と、ウエ
ット処理液供給源と、該ウエット処理液供給源から該ウ
エット処理液供給ノズルの導入口へウエット処理液を供
給するための手段と、を少なくとも有することを特徴と
するウエット処理装置である。
被ウエット処理物との相対的な移動においてウエット処
理液供給ノズル装置を移動させる際、ウエット処理液供
給ノズルと圧力制御部とがコンパクトに一体化した構造
の場合はその一体化したウエット処理液供給ノズル装置
を移動させればよく、圧力制御部の一部たとえば大型の
減圧ポンプにより構成されているような場合には、圧力
制御部は移動させる必要はなくウエット処理液供給ノズ
ルのみを移動させればいいことはいうまでもない。
の態様である洗浄に関し次のような知見を得た。すなわ
ち、従来の洗浄装置により洗浄を行っても高い清浄度が
得られない理由を考察したところ次のような理由に基づ
くのであろうとの知見を得た。すなわち、図29におい
てノズルの開口部6から洗浄液が供給されると、基板1
の先端側(a)が洗浄されるが、基板1は矢印A方向に
進行しているため、表面を洗浄した洗浄後の洗浄液は、
基板1の表面をなめるように基板1の後端bに運ばれ
る。洗浄後の洗浄液はパーティクルを含んでいるためb
端側に向かうときにそのパーティクルは基板1の表面に
再付着してしまう。後端ほど洗浄後の洗浄液中へのパー
ティクルの蓄積量は増えるわけであるから再付着量も増
加し清浄度も悪くなる。
液の消費量を多大たらしめている原因が一旦除去したパ
ーティクルなどの再付着にあることを本発明者は解明し
た。
エット処理物に順次供給するウエット処理技術におい
て、該ウエット処理供給ノズルから被ウエット処理物に
供給したウエット処理液を、ウエット処理液を供給した
部分以外の部分に実質的に接触させることなく被ウエッ
ト処理物上から除去することにより再付着を防止せんと
するものである。すなわち、ウエット処理に寄与したウ
エット処理液を直ちに系外に運び去ることにより再付着
を防止せんとするものである。
者は、上記ウエット処理液供給ノズル、ウエット処理液
供給ノズル装置、ウエット処理装置を開発した。
エット処理液のノズル外部への液漏れを防止せんとする
ものである。
及び図2に示す。
図、図2(b)は平面図である。
ズルである。
エット処理液5を導入するための導入口7を有する導入
通路10と、一端にウエット処理後のウエット処理液5
‘をウエット処理の系外へ排出するための排出口15を
有する排出通路12とを形成し、該導入通路10と該排
出通路12とをそれぞれの他端において交差せしめて交
差部14を形成するとともに該交差部14に、被ウエッ
ト処理物(基板)1に向けて開口する開口部6を設けて
なる。
うにメッシュ状である。図2(a)に示す例では、長手
方向に7つの大きな円6Lが2列に並んでおり、さらに
円同士の隙間を埋めるように小さな円6Mとさらに小さ
な円6Sとを設けてあり、開口面積の合計をできるだけ
大きくしてある。
ているため、ウエット処理液は被ウエット処理物1の表
面に接触するが、ウエット処理液供給ノズルに被ウエッ
ト処理物1から離しても開口部からは表面張力のため滴
下しないようにできる。したがって、交差部14から外
部への液漏れということもない。
図2(a)に示す形状に限定されるものではない。ウエ
ット処理液の種類により形状、大きさ、数を適宜選択す
ればよい。
合計をできるだけ大きくすることが超音波を照射した場
合効率よく照射することができるので好ましい。
S316Lステンレス鋼)にパンチンなどにより穴をあ
けることにより形成すればよい。また、エッチング技術
を用いて形成してもよい。
入通路10が平行に3本設けられている。
れぞれ平行に3本設けられている。このように、ウエッ
ト処理液供給ノズル2の長手方向(図2における図面上
下方向)に向かって複数の導入通路、排出通路を設ける
ことにより長手方向における洗浄効率を均一にすること
ができる。
面は、PFA等のフッ素樹脂や用いるウエット処理液に
よっては、最表面がクロム酸化物のみからなる不動態膜
面のステンレス、あるいは酸化アルミニウムとクロム酸
化物の混合膜を表面に備えたステンレス、オゾン水に対
しては、電解研磨表面を備えたチタン等、とすることが
不純物の洗浄液への溶出がないことから好ましい。接液
面を石英により構成すれば、フッ酸を除くすべてのウエ
ット処理液の供給に好ましい。
〜90°の範囲で適宜選択可能である。
2は0〜90°の範囲で適宜選択可能である。
出通路12と基板1となす角度θ2は、ウエット処理液
の基板への接触効率と処理物の排出効率、交差部の形
状、開口部の形状、面積等から任意に設定する。
(基板)に対向する天井部18の最も被ウエット処理物
(基板)1に近い部分と、開口部6の被ウエット処理物
(基板)1に近い部分との距離H2は、好ましくは1〜
50mmで、より好ましくは2〜20mmである。ただ
し、距離H2を1mmよりも小さくしすぎるとウエット
処理液が流れにくくなり、ウエット処理液の基板への接
触効率と処理物の排出効率が悪くなる。一方、距離H2
が、大きくなりすぎると多量のウエット処理液がウエッ
ト処理液供給ノズル2に存在することになり、ウエット
処理液供給ノズル2が重くなってしまい、ウエット処理
液供給ノズル2の移動等に支障がでるので好ましくな
い。
6との距離)としては0.1〜5mmが好ましく、1〜
2mmがより好ましい。
凸などで一定でないことがある。そのため、H1を測定
するためのセンサーを設けておくとともに、センサーか
らの信号に応じて、ウエット処理液供給ノズル2を被ウ
エット処理物1から脱離、接近させるための手段を設け
ておくことが好ましい。なお、上記測長器は図2(a)
に示す図面においてウエット処理液供給ノズル2を挟ん
で上下に少なくとも2個所設けることが好ましい。なぜ
なら、ウエット処理物1と開口部6との距離をウエット
処理液供給ノズル全体で均一とし、確実にウエット処理
液の流れを制御するためである。また、測長精度は0.
1mm以下であることが好ましい。なぜなら、ウエット
処理液供給ノズルと被ウエット処理物の好ましい距離の
下限として現状の大型基板の処理から0.1mmがよ
く、この距離を確実に制御するためである。
ガス噴出部である。この接触ガス防止よう噴出部は、開
口部の大気と接触している被ウエット処理液の圧力と大
気圧との均衡がとれなくなり、被ウエット処理物1が持
ち上げられる際に、開口部6と被ウエット処理物とが接
触しないように少なくとも導入通路10側又は排出通路
側のいずれか一方に設ける。かかる用途に使用するガス
としては窒素ガスあるいは不活性ガスが好ましく、不純
物(特に有機物)を含まない空気でもよい。
ズルである。このウエット処理液供給ノズル2は、次の
ように構成されている。
するための導入口7を有する導入通路10と、一端にウ
エット処理後のウエット処理液5’をウエット処理の系
外へ排出するための排出口15を有する排出通路12と
を形成し、該導入通路10と該排出通路12とをそれぞ
れの他端において交差せしめて交差部14を形成すると
ともに該交差部14に、被ウエット処理物(基板)に向
けて開口する開口部6を設け、被ウエット処理物に対向
して、超音波素子16を設け、被ウエット処理物がウエ
ット処理される間、超音波を付与するようになってい
る。
2ノズル19を設けてあるが必ずしも必要ではない。
給ノズルの平面図(図4(b))と下面図(図4
(a))である。
数の超音波を出力するものである。好ましくは、0.2
〜5MHzの周波数のメガソニック超音波素子である。
0〜90°の範囲で適宜選択可能である。好ましくは、
2〜45°の範囲が望ましい。
た場合には、清浄度の向上効果が著しい。
けた例であるが、図5には複数個設ける例を示す。図5
に示す例は3個の超音波素子16a,16b,16cを
長手方向(図面上において上下方向)に並べて設けた例
である。このように複数個設けた場合には、超音波周波
数、出力をそれぞれ適宜変えることができるため均一な
洗浄を行うことができる。
個を並べて設けてもよい。また、長手方向、横方向とも
に複数個を並べて設けてもよい。
処理物1の処理面に対向する天井の部分を複数の段差4
0a,40b,40c,41,41b,41cとしてあ
る。そして、図面上では右下がりの段差天井部40a,
40b,40cにそれぞれ超音波素子16a,16b,
16cが設けてある。
超音波素子16a,16b,16cを設けてあるため導
入通路10から交差部14に供給されるウエット処理液
と対し対向するように超音波を付与することができると
同時に、天井を段差形状としているため超音波素子と被
ウエット処理物とのギャップがほぼ均一となり均一な洗
浄を行うことができる。
異なった超音波素子によって構成されていてもよい。
排出通路12のそれぞれ交差部14に臨む部分にウエッ
ト処理液の流れを均一にするための整流部を設けた。こ
の整流部は、例えば、フィルター、スリットなどで構成
すればよい。
に、実施例1と同様なメッシュ状である。
ズルの他の例を示す。
して垂直に設けられており、この排出通路12を挟んで
対称的に導入通路10a,10bが設けられている。
入通路10,10から対向して基板1上に供給されるた
め洗浄液の漏れがより一層少なくなり、洗浄後の洗浄液
はより速やかに排出通路12に運び去られる。2つの超
音波素子から照射する周波数は同じであっても異なって
いてもよい。2つの超音波素子はパルス状に一定時間交
互に発振または同時に発振させてもよい。
施例1と同様なメッシュ状である。
ズルの他の例を示す。
して垂直に設けられており、この導入通路10を挟んで
対称的に排出通路12a,12bが設けられている。
施例1と同様なメッシュ状である。
の周縁に細毛120を設けた例である。
るための導入口を有する導入通路10a,10bと一端
にウエット処理後のウエット処理液をウエット処理の系
外へ排出するための排出口を有する排出通路12とを形
成し、導入通路10a,10bと排出通路12とをそれ
ぞれの他端において交差せしめて交差部14を形成する
とともに交差部14に、被ウエット処理物1に向けて開
口する開口部6を設け、かつ、開口部6周縁に細毛12
0を被ウエット処理物1の処理面の法線に平行に設けて
ある。
るウエット処理液は、細毛120のため系外に漏れるこ
となく、排出通路12から排出される。
ることが液漏れがより一層防止されるため好ましい。た
とえばテフロンPFA{−(CF2−CF2)m−(CF
2−CFOR2)n−}、PTFE{−CF2−CF2)n
−}、ナイロンが好ましい。細毛120の線径としては
0.01mm〜0.1mmが好ましい。0.1mmを越
えると被ウエット処理物1に接触したときに被ウエット
処理物1に損傷を与えることがある。0.01mm未満
でもいが強度が低下してくる。また、細毛の長さ、植毛
の密度は任意に選択して設ける。長さは、1〜2mm程
度が好ましい。
けたが、実施例1から実施例5に示した基本構造に設け
てもよいことは言うまでもない。 (実施例7)図10に他の実施例を示す。
フィルム130を用いている。他の点は実施例6と同様
である。
巻き込みを防止せんとするものである。
るための導入口7を有する導入通路10と一端にウエッ
ト処理後のウエット処理液をウエット処理の系外へ排出
するための排出口15a,15bを有する排出通路12
a,12bとを形成し、導入通路10と排出通路12
a,12bとをそれぞれの他端において交差せしめて交
差部14を形成するとともに交差部14に、被ウエット
処理物1に向けて開口する開口部6を設け、かつ、少な
くとも排出通路15a,15b側の排出通路15a,1
5bと被ウエット処理物1との間に、交差部14に連通
する補助通路140a,140bを設けてある。
している被ウエット処理液の圧力と大気圧との均衡がと
れず大気圧が高くなると空気は交差部14に流入しウエ
ット処理液中に巻き込まれる。
設けておけば圧力の均衡状態を知ることができる。
からウエット処理液を交差部に注入してやれば圧力均衡
を保つことが可能となる。
出通路12a,12bで挟んだ基本構造に補助通路14
0a,140bを設けた例を示したが、図1に示した導
入通路と排出通路がそれぞれ一つである基本構造に補助
通路を設けてもよいことはいうまでもない。
るための導入口を有する導入通路10a,10bと一端
にウエット処理後のウエット処理液をウエット処理の系
外へ排出するための排出口を有する排出通路12とを形
成し、導入通路10a,10bと排出通路12とをそれ
ぞれの他端において交差せしめて交差部14を形成する
とともに交差部14に、被ウエット処理物1に向けて開
口する開口部6を設け、かつ、被ウエット処理物1の処
理面に平行にウエット処理液が流れる平行流部160を
形成してある。
と処理された後のウエット処理液と新しく導入されたウ
エット処理液との置換が効率よく行われるれるため被ウ
エット処理物1は絶えず新しいウエット処理液でウエッ
ト処理を行うことができる。
m〜10mm程度が好ましい。1mm未満では、流れの
方向の制御が難しい。10mmを越えると、ノズル形状
が大きくなり好ましくない。
理液は、平行流部160において被ウエット処理物1に
接触させて流すこともできるし、接触させずに流すこと
ができる。
部長さLxと下部の長さLyがほぼ等しくなっているので
ある。したがって、平行流部160のうち長さLy=Lx
の場合は平行流部160においてウエット処理液は被ウ
エット処理物と接触せずに交差部14に導入される。か
かる場合、ウエット処理液が被ウエット処理物と平行に
なるように制御され交差部に入り、開口部で被ウエット
処理物に接し、排出通路に流れるため洗浄効率が高ま
る。
る。すなわち、平行流部で、ウエット処理液が被ウエッ
ト処理物に接触して流れる。
少し奥側である。つまり、排出通路12の始まり近傍に
メッシュ状の開口を有するメッシュ板165を設けてあ
る。このようにすることにより処理液を停止させても超
音波素子の近傍から処理液が排出通路に設けてあるバル
ブを閉めた際に処理液が無くなることを防止することが
できる。
しており、交差部14側では太く、排出口15側では細
くなっている。これは、超音波を効率的に付与できる位
置にい超音波素子16を設置するためであり、また、ウ
エット処理後のウエット処理液を速やかに排出口15側
に排出させるためである。
す。
るための導入口7a,7bを有する導入通路10a,1
0bと一端にウエット処理後のウエット処理液をウエッ
ト処理の系外へ排出するための排出口15を有する排出
通路12とを形成し、導入通路10a,10bと排出通
路12とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部
14を形成するとともに交差部14に、被ウエット処理
物1に向けて開口する開口部6を設け、かつ、開口部6
の周縁に、周縁から内側に向かい、外面が被ウエット処
理物1の処理面と平行な面となる内側延在部170を設
けてある。
は、被ウエット処理物1に接触しているウエット処理液
と大気側との間は、被ウエット処理物1と内側延在部と
の間の極めて小さな隙間を介してのみ通じているいるに
すぎないため大気側からの空気のウエット処理液中への
巻き込みを防止することができる。また、ウエット処理
液の大気側への漏れをも防止することができる。
10a,10b形成部材とは別材料で構成した例を示し
ている。導入通路の形成部材としては、SUS316L
などのステンレス鋼(特に、クロム酸化物100%の酸
化不動態膜が表面に形成さあれたステンレス鋼)あるい
はアルミニウム(特に、フッ化不動態膜が内面に形成さ
れたアルミニウムが好適に用いられるが、内側延在部
は、撥水性材料で形成することが好ましい。例えば、P
TFE、PVDF{−(CFH−CH2)n−}、PFA
が好ましい。
す。
るための導入口7a,7bを有する導入通路10a,1
0bと、一端にウエット処理後のウエット処理液をウエ
ット処理の系外へ排出するための排出口15を有する排
出通路12とを形成し、導入通路10a,10bと排出
通路12とをそれぞれの他端において交差せしめて交差
部14を形成するとともに交差部14に、被ウエット処
理物1に向けて開口する開口部6を設け、かつ、開口部
6の周縁に、被ウエット処理物1の支持台181と接触
した状態で交差部14を外部からシールするシール部材
180を設けてある。
完全に大気側からシールしてしまいウエット処理液を外
部から遮断しそれによりウエット処理後のウエット処理
液を完全に排出通路12に排出せんとするものである。
防止が達成される。
ウエット処理物1の外周部のような接触させててもかま
わない部分において接触させることが好ましい。
は被ウエット処理物1に対して平行に移動可能に構成す
る必要はなく、被ウエット処理物1に対して垂直方向あ
るいは斜め方向に移動可能にしておけばよい。
す。
るための導入口7を有する導入通路10と一端にウエッ
ト処理後のウエット処理液をウエット処理の系外へ排出
するための排出口15a,15bを有する排出通路12
a,12bとを形成し、導入通路10と排出通路12
a,12bとをそれぞれの他端において交差せしめて交
差部14を形成するとともに交差部14に、被ウエット
処理物1に向けて開口する開口部6を設け、さらに排出
通路15bに連通する補助導入通路190を設けてあ
る。
エット処理液が満たされている。しかるに、被ウエット
処理物の末端並びに先端では交差部14が空になる場合
がある。次の被ウエット処理物がきたとき導入通路10
からウエット処理液を導入し、交差部全体に処理液が満
たされても排出通路側にあ空気がある状態であり、この
際排水ポンプの使用では処理液を排出することはできな
い、という問題が生じてしまう。そこで、補助導入通路
190からウエット処理液を供給してやれば排出通路を
もウエット処理液を満たすことができ処理液がうまく流
れる状態とすることができる。減圧ポンプでは補助導入
通路190を用いなくても問題は発生しない状態にでき
る。
めのシャッター195を設けてある。一つの被ウエット
処理物の処理が終了し、次の被ウエット処理物の処理の
ために待機中には、バルブV2を開の状態にしウエット
処理液を流し続けることはウエット処理液の消耗を招
く。その一方、バルブV2を閉じウエット処理液の導入
を止めると交差部14を含むウエット処理液供給ノズル
全体に空気が入り、次のウエット処理開始時には空気を
巻き込んだウエット処理液が被ウエット処理物に供給さ
れてしまう。
4を含むウエット処理液供給ノズル全体をウエット処理
液で満たし、その状態でバルブV1,V2,V3を閉とす
ればウエット処理液には空気が入らない。次にウエット
処理液供給ノズルを使用する際には、シャッター195
を開とし、バルブV1,V2,V3も開としてウエット処
理液を被ウエット処理物に供給すればよい。
給ノズルの他の変形例を示す。
であり、向かい合う2つの導入通路10a,10bを挟
んで排出通路12a,12bが設けられている。ただ本
例では、導入通路10a,10bのそれぞれの出口と、
排出通路12a,12bの入口との距離が図7に示した
場合よりも短くしてある。従って、導入通路10a,1
0bから導入されたウエット処理液はより効率よく排出
通路12a,12bに排出される。
はさむ構造としたが、逆に導入通路を排出通路ではさむ
構造としてもよい。
り液漏れの防止を図っている。
す。
cの3つの部屋に仕切り板250a,250bにより仕
切られている。
それぞれの交差部14a,14b,14cにそれぞれ導
入通路10a,10b,10cと排出通路12a,12
b,12cを設け、また、バルブ(図示せず)を設けて
おけば、ウエット処理を必要とする限られた部分にのみ
ウエット処理液を供給することができウエット処理液の
使用量をさらに減らすことができる。
けてもよく、それぞれの部屋に対応して周波数、電力、
を適宜選択してもよい。
液供給ノズル装置は、実施例1におけるウエット処理液
供給ノズルに圧力制御部13を設けたものである。
接触したウエット処理液がウエット処理後に、該排出通
路12に流れるように、開口部6の大気と接触している
ウエット処理液の圧力(ウエット処理液の表面張力と被
ウエット処理物の処理面の表面張力も含む)と大気圧と
の均衡がとれるように少なくとも排出通路12側に設け
てある。
側に設けられた減圧ポンプにより構成されている。すな
わち、減圧ポンプの吸引圧力を制御することにより被ウ
エット処理液の圧力ひいては大気圧と被ウエット処理物
1に接触しているウエット処理液の圧力との差を制御す
る。なお、導入するウエット処理液の流量及び排出する
ウエット処理系の流量もウエット処理液の圧力に影響を
与えるためこれらの量を勘案して圧力差の制御を行うこ
とが望ましく、具体的には実際のウエット処理液供給ノ
ズル、ウエット処理液を使用して予め実験的に求めてお
けばよい。
に減圧ポンプを用いて、減圧ポンプで、交差部14のウ
エット処理液を吸引する力を制御して、開口部6の大気
と接触しているウエット処理液の圧力(ウエット処理液
の表面張力と被ウエット処理物の処理面の表面張力も含
む)と大気圧との均衡をとるようになっている。つま
り、開口部6の大気と接触しているウエット処理液の圧
力Pw(ウエット処理液の表面張力と被ウエット処理物
の処理面の表面張力も含む)と大気圧Paの関係をPw≒
Paとすることにより、開口部6を介して基板1に供給
され、基板1に接触した被ウエット処理液は、ウエット
処理液供給ノズルの外部に漏れることはほぼ皆無とな
り、該排出通路12に排出される。
0と交差部14との境の部分あるいは交差部14と排出
通路12との境の部分の形状としてコアンダ効果が生じ
る様な形状にすれば圧力の均衡が取りやすくなりより好
ましい。
処理物(基板)1に供給したウエット処理液5’を、ウ
エット処理液を供給した部分(開口部6)以外の部分に
接触させることなく被ウエット処理物(基板)1上から
除去される。
す。
るウエット処理液の圧力と大気圧との平衡をより簡単な
系で制御することができる実施例である。
と排出通路12の端部(大気に解放される部分)との高
低差により発生するサイフォンの原理に基づく被ウエッ
ト処理液自身の重量による交差部14の被ウエット処理
液を吸引する力を高低差で制御して、開口部6の大気と
接触しているウエット処理液の圧力(ウエット処理液の
表面張力と被ウエット処理物の処理面の表面張力も含
む)と大気圧との均衡をとるようになっている。
エット処理液供給ノズル2の排出口15とは排水配管2
5を介して接続され、排水装置27は保持体28により
保持されている。保持体28は図面上では上下にスライ
ド可能に例えば支柱に取り付けられる。
り付けてあり、このバルブ30は、バルブ開閉駆動装置
29により開閉が行われる。
おり、制御装置22は導入通路10におけるウエット処
理液の圧力を探査するための圧力センサからの信号に基
づき、ロボットおよびバルブ開閉装置29を駆動する。
ロボットは保持体28を上下動させるためのものであ
る。バルブ30が開の場合に、排水装置27の上下動に
より被ウエット処理物と接触しているウエット処理液の
圧力を制御することができる。 (実施例17)図22に次の実施例を示す。
気圧との差を制御するための手段は、排出通路12側下
流に設けられた減圧ポンプ(本例では排水ポンプ)16
と、導入通路10側上流に設けられた供給ポンプ33と
から構成し、さらに被ウエット処理物1と接触している
ウエット処理液の圧力を探知するための圧力センサ31
を設け、該圧力センサ31からの信号により該減圧ポン
プ17と該供給ポンプ33の駆動を制御するための制御
装置32を設けたものである。
ト処理液の圧力が一定の場合に有効であるが、本例の場
合には、導入側のウエット処理液圧力をも探知している
ためより精密な圧力制御が達成され優れた清浄度が得ら
れる。
施例を説明する。
ル2を用いてウエット処理装置を構成する場合は、図2
3に示すように、ウエット処理液供給ノズル2の開口部
6を基板1に向けて配置し、また、ウエット処理液供給
ノズル2と基板1とを相対的に移動させるための手段、
たとえば基板1のローラ搬送機(図示せず)を設ければ
よい。
処理液供給源から該ウエット処理液供給ノズルの導入口
へウエット処理液を供給するための手段とを有してい
る。ウエット処理液は、レジストの剥離工程のように、
70〜80℃の温度で被ウエット処理物を処理する必要
があるときのために加熱装置、温度調節装置、保温装置
を適宜の位置に設けておくことが好ましい。
のウエット処理をを同時に行うべく、被ウエット処理物
1をはさんで、ウエット処理液供給ノズル2aFと2a
Bとが対をなして配置してある。
進行方向に順に、電解イオン水洗浄(ウエット処理の一
態様)を目的とするウエット処理液供給ノズル(2a
F,2aB)、超純水によるリンス洗浄(ウエット処
理)を目的とするウエット処理液供給ノズル(2bF,
2bB)、たとえばIPA(イソプロピルアルコール)
乾燥を目的とするウエット処理液供給ノズル(2cF,
2cB)の3列が配置されている。なお、開口部、その
周辺の詳細や圧力制御部は図示を省略してある。
2aBとはその両端において接触させ、トンネル状空間
を形成し、その中を被ウエット処理物1を流す。従っ
て、被ウエット処理物1の端面(図面上では紙面に垂直
な面)側からウエット処理液が流れたとしてもその流れ
出たウエット処理液は下側のウエット処理液供給ノズル
2aBで受けることができる。
め、超音波素子は表面(上面)のみに設けてある。もし
全て同一のウエット処理液を使用する場合は、1つの圧
力制御部で圧力制御を行ってもかまわない。
せた場合の例であり、図24(a)は側面図、図24
(b)は平面図である。
(a),(b),(c)とも被ウエット処理物1を立
て、ウエット処理液供給ノズルは被ウエット処理物1の
移動方向に直交してウエット処理液供給ノズルの長手方
向に設置し、被ウエット処理物1は水平に搬送するもの
である。この場合被ウエット処理物に上下関係はなく、
表面、裏面とも洗浄効率は同じであるため、超音波素子
は、裏面(図25(c))、表面(図25(b))、裏
面と表面(図25(a))に設ける場合がある。
処理物1を立てて上方に垂直搬送を行うものである。
同様、被ウエット処理物に上下関係はなく、表面、裏面
とも洗浄効率は同じであるため、超音波素子は、裏面
(図26(c))、表面(図26(b))、裏面と表面
(図26(a))に設ける場合がある。
面、表面が上面となっている。すなわち、被ウエット処
理物1は水平にし、水平搬送を行う場合の例である。超
音波素子の配置に関しては、裏面の洗浄効果は高いため
一般的には図27(b)が用いられる。
洗浄工程においては超純水、電解イオン水、オゾン水、
水素水その他の洗浄液があげられ、また、他のウエット
処理工程においては、エッチング液、現像液、剥離液な
ども好適に用いられる。
するが、本発明がこれら実施例に限定されるものではな
いことはいうまでもない。
ラス基板を用意した。
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、41500個であった。なお、パーティ
クルは0.5μm以上の寸法を有するものみを測定し
た。
給ノズルを用いて、図23に示すような横移動方式で洗
浄を行った。ただし、本例では、裏面洗浄は行わなかっ
た。
おりである。 ・ウエット処理液供給ノズル条件 ノズル長:500mm 導入通路の角度θ1:45° 排出通路の角度θ2:45° 基板との距離:1mm
×400mm角のガラス基板を用意した。
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、41000個であった。なお、パーティ
クルは0.5μm以上の寸法を有するものみを測定し
た。
処理液供給ノズルを用いて、図29(b)に示すような
横移動方式で洗浄を行った。
おりである。 ・ウエット処理液供給ノズル条件 ノズル長:500mm 開口部幅:2mm
(b)に示す、両者を比較して明らかなとおり、本実験
例では、洗浄液の使用量が従来例の1/10であり、し
かも約4倍の清浄度が達成されている。また、超音波電
力は1/6である。
た。
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、20000個であった。なお、パーティ
クルは0.5μm以上の寸法を有するものみを測定し
た。
給ノズルを用いて、回転移動方式で洗浄を行った。
おりである。 ・ウエット処理液供給ノズル条件 ノズル長:152mm 導入通路の角度θ1:30° 排出通路の角度θ2:30° 基板と開口部との距離:1 mm 開口部:幅20mm 図1の6Lの径8mm 図1の6Mの径4mm 図1の6Sの径2mm
の円形ガラス基板を用意した。
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、19930個であった。なお、パーティ
クルは0.5μm以上の寸法を有するもののみを測定し
た。
処理液供給ノズルを用いて、スピン洗浄を行った。
おりである。 ・ウエット処理液供給ノズル条件 ノズル長:152mm 開口部幅:2mm
(a)に示す、従来例2と実験例2とを比較して明らか
なとおり、回転洗浄においても本実施例では、洗浄液の
使用量が従来例の1/10であり、超音波電力は1/5
であり、しかも約6倍の清浄度が達成されている。
せて実験を行ったところ、Pw≧Paが満たされていれば
実験例1、実験例2よりもさらにより一層高い清浄度が
少ない洗浄液使用量によって達成された。
使用量で、従来よりも高い洗浄度を達成することができ
る。
面図である。
である。
側断面図である。
である。
平面図である。
(b)は平面図である。
(b)は平面図である。
(b)は平面図である。
側断面図である。
の側断面図である。
図、(b)は平面図である。
図、(b)は平面図である。
図、(b)は平面図である。
図、(b)は平面図である。
の側断面図である。
の側断面図である。(a)は支持台と接触させた例であ
り、(b)は被ウエット処理物の外縁で接触させた例で
ある。
図、(b)は平面図である。
面図である。
図、(b)は平面図である。
ノズル装置の側断面図である。
装置の概念図である。
装置の側断面図である。
(a)は側断面図、(b)は平面図である。
(a)は側面図、(b)は平面図である。
浄装置を示す平面図である。
浄装置を示す側面図である。
浄装置を示す側面図である。
る。(a)回転洗浄の場合を示し、(b)は搬送洗浄の
場合を示す。
ある。
大図である。
Claims (38)
- 【請求項1】 一端にウエット処理液を導入するための
導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエ
ット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出
口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通
路のそれぞれの他端において被ウエット処理物に向けて
共通に開口する開口端とし、かつ前記共通の開口端は複
数の開口を有することを特徴とするウエット処理液供給
ノズル。 - 【請求項2】 前記導入通路と前記排出通路とをそれぞ
れの他端において交差せしめて交差部を形成することを
特徴とする請求項1記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項3】 前記開口の大きさは、表面張力により液
の滴下が生じない大きさであることを特徴とする請求項
1または2記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項4】 一端にウエット処理液を導入するための
導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエ
ット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出
口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通
路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形
成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて
開口する開口部を設け、かつ、少なくとも該排出通路側
の該排出通路と被ウエット処理物との間に、該交差部に
連通する補助通路を設けたことを特徴とするウエット処
理液供給ノズル。 - 【請求項5】 一端にウエット処理液を導入するための
導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエ
ット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出
口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通
路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形
成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて
開口する開口部を設け、かつ、被ウエット処理物の処理
面に平行にウエット処理液が流れる平行流部を形成した
ことを特徴とするウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項6】 該平行流部の長さは1mm〜10mmで
あることを特徴とする請求項5記載のウエット処理液供
給ノズル。 - 【請求項7】 一端にウエット処理液を導入するための
導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエ
ット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出
口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通
路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形
成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて
開口する開口部を設け、かつ、該開口部の周縁に、該周
縁から内側に向かい、外面が被ウエット処理物の処理面
と平行な面となる撥水性材料からなる内側延材部を設け
たことを特徴とするウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項8】 一端にウエット処理液を導入するための
導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエ
ット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出
口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通
路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形
成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて
開口する開口部を設け、かつ、該開口部の周縁に、被ウ
エット処理物あるいは被ウエット処理物を支持するため
の支持台と接触した状態で該交差部を外部からシールす
るシール部材を設けたことを特徴とするウエット処理液
供給ノズル。 - 【請求項9】 一端にウエット処理液を導入するための
導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエ
ット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出
口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通
路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形
成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて
開口する開口部を設け、さらに該排出通路に連通する補
助導入通路を設けたことを特徴とするウエット処理液供
給ノズル。 - 【請求項10】 ウエット処理液を該開口部に均一に供
給するための整流部を該導入通路及び/又は該排出通路
に設けたことを特徴とする請求項1ないし9のいずれか
1項記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項11】 該ウエット処理液に超音波を付与する
ための超音波素子を設けたことを特徴とする請求項1な
いし10のいずれか1項記載のウエット処理液供給ノズ
ル。 - 【請求項12】 超音波の周波数は0.2〜5MHzの
メガソニック超音波であることを特徴とする請求項11
記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項13】 前記超音波素子は前記超音波素子の超
音波発振面の延長線と被ウエット処理物の処理面の延長
線とが交差して形成される角度が0〜90度のうちのい
ずれかの角度を有して設けられていることを特徴とする
請求項11または12記載のウエット処理液供給ノズ
ル。 - 【請求項14】 該被ウエット処理物の処理面に対向す
る天井の部分を複数の山形ないし波形の段差形状とし、
段差部に複数の前記超音波素子を被ウエット処理物の処
理面に対し、一定の角度を付けて設置したことを特徴と
する請求項1ないし13のいずれか1項記載のウエット
処理液供給ノズル。 - 【請求項15】 ウエット処理液体を所定の温度に保持
する温度調節部及び保温機構を設けたことを特徴とする
請求項1ないし14のいずれか1項記載のウエット処理
液供給ノズル。 - 【請求項16】 該排出通路又は該導入通路は複数であ
ることを特徴とする請求項1ないし15のいずれか1項
記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項17】 被ウエット処理物の被ウエット処理面
までの距離を測長できる計測部を設けたことを特徴とす
る請求項1ないし16のいずれか1項記載のウエット処
理液供給ノズル。 - 【請求項18】 被ウエット処理物の被ウエット処理面
に対し、平行方向又は垂直方向又は0〜90度の角度の
内のいずれかの方向に移動できる機構を設けたこと を
特徴とする請求項1ないし17のいずれか1項記載のウ
エット処理液供給ノズル。 - 【請求項19】 該排出通路をはさみ該導入通路を交差
部の左右に2本形成したことを特徴とする請求項2ない
し18のいずれか1項記載のウエット処理液供給ノズ
ル。 - 【請求項20】 前記導入通路のいずれか一方に前記超
音波素子を設けたことを特徴とする請求項19記載のウ
エット処理液供給ノズル。 - 【請求項21】 前記導入通路のいずれの側にも前記超
音波素子を設け、前記超音波素子はパルス状に一定時間
交互に発振又は同時連続発振できる機構を設けたことを
特徴とする請求項19記載のウエット処理液供給ノズ
ル。 - 【請求項22】 導入通路をはさみ排出通路を交差部の
左右に2本形成したことを特徴とする請求項2ないし1
8のいずれか1項記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項23】 ウエット処理液が洗浄液又はエッチン
グ液又は現像液又は剥離液又は超純水であることを特徴
とする請求項1ないし22のいずれか1項記載のウエッ
ト処理液供給ノズル。 - 【請求項24】 ウエット処理液の供給を停止した場
合、導入通路及び排出通路及び交差部内の処理液の落下
を防止するためバルブ又はシャッターを備えたことを特
徴とする請求項2ないし23のいずれか1項記載のウエ
ット処理液供給ノズル。 - 【請求項25】 導入通路又は排出通路又は交差部内の
処理液の落下した際、排出通路及び交差部内に処理液を
満たすための第2のウエット処理液導入通路が排出通路
に設けられていることを特徴とする請求項2ないし24
のいずれか1項記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項26】 該交差部は複数の部屋から構成されて
いることを特徴とする請求項2ないし25のいずれか1
項記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項27】 該複数の部屋のそれぞれに導入通路及
び排出通路が設けられていることを特徴とする請求項2
6記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項28】 それぞれの導入通路及びそれぞれの排
出通路にバルブを設け、各部屋ごとに独立して通液可能
としたことを特徴とする請求項27記載のウエット処理
液供給ノズル。 - 【請求項29】 各部屋ごとに独立して前記超音波素子
が設けられていることを特徴とする請求項26ないし2
8のいずれか1項記載のウエット処理液供給ノズル。 - 【請求項30】 請求項1ないし29のいずれか1項記
載のウエット処理液供給ノズルに、被ウエット処理物と
接触しているウエット処理液の圧力と大気圧との差を制
御するための圧力制御手段を設けたことを特徴とするウ
エット処理液供給ノズル装置。 - 【請求項31】 一端にウエット処理液を導入するため
の導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウ
エット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排
出口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出
通路のそれぞれの他端において被ウエット処理物に向け
て開口する開口部を設け、かつ、該開口部周囲に細毛ま
たはフィルムを被ウエット処理物の処理面の法線に平行
に設けたウエット処理液供給ノズルに、被ウエット処理
物と接触しているウエット処理液の圧力と大気圧との差
を制御するための圧力制御手段を設けたことを特徴とす
るウエット処理液供給ノズル装置。 - 【請求項32】 前記排出通路の排出口の大気への解放
部分を上下方向に移動可能とし、被ウエット処理物に接
触したウエット処理液と、上記解放部分との高低差によ
り発生するサイフォンの原理に基づく吸引力により被ウ
エット処理物に接触したウエット処理液の圧力と大気圧
との差を制御するようにしたことを特徴とする請求項3
0または31記載のウエット処理液供給ノズル装置。 - 【請求項33】 ウエット処理液の圧力と大気圧との差
を制御するための圧力制御手段には、排出通路側下流に
設けられた減圧ポンプがその構成要素の一部として用い
られていることを特徴とする請求項30または31記載
のウエット処理液供給ノズル装置。 - 【請求項34】 ウエット処理液の圧力と大気圧との差
を制御するための手段は、排出通路側下流に設けられた
減圧ポンプと、導入通路側上流に設けられた供給ポンプ
とから構成し、さらに少なくとも1つの被ウエット処理
物と接触しているウエット処理液の圧力を探知するため
の圧力センサを設け、該圧力センサからの信号により該
減圧ポンプと該供給ポンプの駆動を制御するための制御
装置が設けられたことを特徴とする請求項30または3
1記載のウエット処理液供給ノズル装置。 - 【請求項35】 該開口部の大気と接触している被ウエ
ット処理液の圧力と大気圧との均衡がとれなくなり、被
ウエット処理物が持ち上げられる際に、該開口部と被ウ
エット処理物が接触しないように少なくとも導入通路側
又は、排出通路側に、一方に該開口部と被ウエット処理
物接触防止用ガス噴出部を設けたことを特徴とする請求
項30または31記載のウエット処理液供給ノズル装
置。 - 【請求項36】 請求項1ないし29のいずれか1項記
載のウエット処理液供給ノズルと、 該ウエット処理液供給ノズルと被ウエット処理物とを相
対的に移動させるための手段と、 ウエット処理液供給源と、 該ウエット処理液供給源から該ウエット処理液供給ノズ
ルの導入口へウエット処理液を供給するための手段と、 を少なくとも有することを特徴とするウエット処理装
置。 - 【請求項37】 請求項30ないし35のいずれか1項
記載のウエット処理液供給ノズル装置と、 該ウエット処理液供給ノズルと被ウエット処理物とを相
対的に移動させるための手段と、 ウエット処理液供給源と、 該ウエット処理液供給源から該ウエット処理液供給ノズ
ルの導入口へウエット処理液を供給するための手段と、 を少なくとも有することを特徴とするウエット処理装
置。 - 【請求項38】 前記ウエット処理液供給ノズルが、被
ウエット処理物の進行方向に少なくとも2個以上配置さ
れていることを特徴とする請求項36または37記載の
ウエット処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33869596A JP3511442B2 (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置 |
US09/803,588 US6517635B2 (en) | 1996-11-29 | 2001-03-09 | Liquid feed nozzle, wet treatment apparatus and wet treatment method |
US11/043,890 USRE42420E1 (en) | 1996-11-29 | 2005-01-26 | Liquid feed nozzle, wet treatment apparatus and wet treatment method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33869596A JP3511442B2 (ja) | 1996-12-18 | 1996-12-18 | 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10177978A JPH10177978A (ja) | 1998-06-30 |
JP3511442B2 true JP3511442B2 (ja) | 2004-03-29 |
Family
ID=18320599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33869596A Expired - Fee Related JP3511442B2 (ja) | 1996-11-29 | 1996-12-18 | 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3511442B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210028882A (ko) * | 2019-09-05 | 2021-03-15 | 주식회사 태성 | 현상액 배출 기능을 갖는 기판 현상 장치 |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW464970B (en) | 1999-04-21 | 2001-11-21 | Sharp Kk | Ultrasonic cleaning device and resist-stripping device |
DE19934300C2 (de) * | 1999-07-21 | 2002-02-07 | Steag Micro Tech Gmbh | Vorrichtung zum Behandeln von Substraten |
JP4215900B2 (ja) * | 1999-08-13 | 2009-01-28 | アルプス電気株式会社 | ウェット処理用ノズル装置およびウェット処理装置 |
TW553780B (en) | 1999-12-17 | 2003-09-21 | Sharp Kk | Ultrasonic processing device and electronic parts fabrication method using the same |
JP2002075947A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-15 | Alps Electric Co Ltd | ウェット処理装置 |
DE102004053337A1 (de) * | 2004-11-04 | 2006-05-11 | Steag Hama Tech Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten und Düseneinheit hierfür |
WO2008107933A1 (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-12 | Fujitsu Limited | 洗浄装置および洗浄方法 |
US20090101166A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for optimizing cleaning of patterned substrates |
JP4775367B2 (ja) * | 2007-12-03 | 2011-09-21 | 東ソー株式会社 | 表面加工装置の平板状被加工物の垂直保持装置、および表面加工装置 |
JP4965485B2 (ja) | 2008-02-29 | 2012-07-04 | 東京応化工業株式会社 | 処理液浸透ユニットおよび処理装置 |
JP5703584B2 (ja) * | 2010-04-12 | 2015-04-22 | セイコーエプソン株式会社 | 加工装置および液体送出吸引装置 |
JP5790085B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-10-07 | 凸版印刷株式会社 | 洗浄装置 |
JP5743717B2 (ja) * | 2011-05-31 | 2015-07-01 | 新日鐵住金株式会社 | 鋼の凝固組織の検出方法 |
JP6148210B2 (ja) * | 2014-06-17 | 2017-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
US9687960B2 (en) * | 2014-10-24 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad cleaning systems employing fluid outlets oriented to direct fluid under spray bodies and towards inlet ports, and related methods |
JP6375259B2 (ja) * | 2015-04-09 | 2018-08-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 異物除去装置、異物除去方法および剥離装置 |
JP6640630B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-02-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0712034B2 (ja) * | 1989-04-18 | 1995-02-08 | 三菱電機株式会社 | 噴流式液処理装置 |
JPH07284738A (ja) * | 1994-04-19 | 1995-10-31 | Toppan Printing Co Ltd | 洗浄装置 |
JP3414018B2 (ja) * | 1994-12-28 | 2003-06-09 | 日産自動車株式会社 | 基板表面処理装置 |
JP3511441B2 (ja) * | 1996-11-29 | 2004-03-29 | 忠弘 大見 | 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、ウエット処理装置及びウエット処理方法 |
-
1996
- 1996-12-18 JP JP33869596A patent/JP3511442B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20210028882A (ko) * | 2019-09-05 | 2021-03-15 | 주식회사 태성 | 현상액 배출 기능을 갖는 기판 현상 장치 |
KR102228353B1 (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 주식회사 태성 | 현상액 배출 기능을 갖는 기판 현상 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10177978A (ja) | 1998-06-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20031224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20031225 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080116 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090116 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100116 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110116 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 9 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |