JPH10177978A

JPH10177978A - 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置

Info

Publication number: JPH10177978A
Application number: JP8338695A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Mimori; 健一三森; Giretsu Go; 義烈呉; Tadahiro Omi; 忠弘大見; Yasuhiko Kasama; 泰彦笠間; Akira Abe; 章阿部; Takayuki Imaoka; 孝之今岡
Original assignee: FURONTETSUKU KK; Frontec Inc; Organo Corp; Japan Organo Co Ltd
Current assignee: FURONTETSUKU KK; Frontec Inc; Organo Corp
Priority date: 1996-12-18
Filing date: 1996-12-18
Publication date: 1998-06-30
Anticipated expiration: 2016-12-18
Also published as: JP3511442B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】ウエット処理液の使用量を従来の１０分の１以
下へと低減することができ、しかも従来よりも高い清浄
度を得ることができる洗浄やエッチング、現像、剥離等
を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、
省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置を提
供すること。【解決手段】一端にウエット処理液５を導入するため
の導入口７を有する導入通路１０と、一端にウエット処
理後のウエット処理液５‘をウエット処理の系外へ排出
するための排出口１５を有する排出通路１２とを形成
し、該導入通路１０と該排出通路１２とをそれぞれの他
端において交差せしめて交差部１４を形成するとともに
該交差部１４に、被ウエット処理物（基板）１に向けて
開口する開口部６を設けてなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄やエッチン
グ、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の
ウエット処理液供給ノズル、省液型のウエット処理液供
給ノズル装置、及びウエット処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】太陽電池用基板、液晶基板、磁性体基
板、プラスティックパッケージ用基板その他の大型基板
の表面のウエット処理のうち洗浄の観点から従来の技術
および課題について説明する。

【０００３】従来、図２９に示す洗浄装置が一般的に用
いられている。図２９において図２９（ａ）は側面図で
あり、図２９（ｂ）は平面図である。

【０００４】基板１を例えば、矢印Ａの方向に移動しな
がら基板１の上面にウエット処理液供給ノズル２を用い
て超純水、電解イオン水、オゾン水、水素水等その他の
洗浄液を供給することにより洗浄を行っている。

【０００５】このウエット処理液供給ノズル２には、図
３０に示すように、洗浄液供給室４、洗浄液を基板に向
けて導出する開口部６と洗浄液を洗浄液供給室４へ導入
するための洗浄液導入口７が形成されている。

【０００６】また、洗浄液にＭＨｚ帯近辺の超音波を付
与し洗浄効果を向上させるために洗浄液供給室４上に超
音波素子１６を設けてある。

【０００７】超純水、電解イオン水、オゾン水、水素水
等その他の洗浄液を洗浄液導入口７から洗浄液供給室４
に導入し、開口部６を介して被洗浄物である基板表面に
供給し洗浄を行う。この洗浄液による洗浄の後には、被
洗浄物表面から洗浄液を除去する目的で、また、残留す
るパーティクルなどを除去する目的で、図３０に示すウ
エット処理液供給ノズル２と同じような構造のノズルを
用いてリンス洗浄液（一般的には超純水）によりリンス
洗浄を行う。

【０００８】しかし、上記した従来の洗浄技術には次の
ような問題点がある。

【０００９】（１）第１は洗浄液やリンス洗浄液の使用
量が多いという問題である。

【００１０】例えば、５００ｍｍ角の基板１の洗浄を電
解イオン水などの洗浄液を用いて行い、かかる洗浄液に
よる洗浄とリンス洗浄水によるリンスを行った後におけ
る基板１上のパーティクル（例えば、Ａｌ２Ｏ３粒子）
の残存量を０．５個／ｃｍ²レベルの清浄度を達成しよ
うとすると、２５〜３０Ｌ／ｍｉｎ程度の洗浄液および
リンス洗浄液を供給しなければならない。２５〜３０Ｌ
／ｍｉｎと言う量は安定して超音波を付与できるための
ものである。従って、２５〜３０Ｌ／ｍｉｎ以下の量に
すると超音波の安定付与は出来なくなり、清浄に洗浄出
来なくなってしまう。現状、洗浄液の多くなる理由とし
ては、上記で述べた通りであるが、それでも、２５〜３
０Ｌ／ｍｉｎ程度の液の使用量となっているのは、超音
波の周波数を上げ、超音波洗浄ノズルスリット幅を小さ
くしていることの結果であり、現有技術の限界が此処に
ある。

【００１１】（２）第２は、使用できるＭＨｚ帯近辺の
超音波の使用の制限があるいう問題である。現状では、
０．７〜１．５ＭＨｚの超音波しか使えないという問題
である。すべてのウエット処理において、被処理物にダ
メージを起こさないということが必要である。そのため
に、洗浄等ではキャビテーションによるダメージを起こ
さないＭＨｚ帯近辺の超音波を使用している。被処理物
にダメージが生ずるという観点から使用下限が決まって
いる。上限は、２ＭＨｚ以上の周波数の超音波は、現
状、洗浄等に使用可能な実効パワーが取り出せないこと
により決まっている。洗浄等に使用可能な実効パワーが
取り出せない理由としては、超音波素子の回路的問題か
ら実効パワーが低いことと、図３０に示すとおり、超音
波素子と被ウエット処理物との距離が遠く、超音波パワ
ーの減衰が大きいことが上げられる。

【００１２】（３）第３は、洗浄液供給室４のように超
音波を付与した洗浄液を細い開口部６を介して被洗浄物
に供給するため超音波出力の減衰が大きく、必要以上に
入力電力を上げる必要があり、超音波振動子の寿命が短
いという問題がある。０．７〜１．５ＭＨｚの周波数の
超音波では、洗浄等に使用可能な実効パワーは取り出せ
るが、図３０に示す通り、超音波素子と洗浄物との距離
がとおく、超音波パワーの減衰が大きいことに違いがな
く、超音波振動子の接着面への負荷は、非常に大きく、
洗浄液等の供給量のわずかの変動で、故障する場合がし
ばしばある。

【００１３】（４）第４は、洗浄後の清浄度に問題があ
る。前記した通り、大量の洗浄水（２５〜３０Ｌ／ｍｉ
ｎ）を使用し、かつ洗浄後のリンス洗浄を十分行なった
としても得られる清浄度には限界があり、平均的な清浄
度としては０．５個／ｃｍ²程度である。

【００１４】より高い清浄度（０．０５個／ｃｍ²程度
の清浄度）が求められる場合には、従来の洗浄技術で
は、対応できないという問題がある。さらに同一基板内
においても清浄度のばらつきがあり、図２９に示す基板
１の進行反対側ｂの部分が進行方向側の部分ａよりも清
浄度が低い。清浄度の分布状態は図２９（ｂ）に示すよ
うに進行方向先端ａの部分ほど清浄度が高く、進行方向
の後端ｂに向かうにつれ清浄度は悪くなる様な分布をし
ているという問題があることがわかった。

【００１５】これは、供給ノズルから基板表面に供給さ
れた洗浄液が、図２９（ａ）に示すように大型基板表面
上に液膜となって基板エッジまで流れるうちに、一度除
去されたパーティクルが基板表面に再付着することに由
来している。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は従来のウエッ
ト処理装置及びウエット処理方法の問題を解決し、ウエ
ット処理液の使用量を従来の１０分の１以下へと低減す
ることができ、しかも従来よりも高い清浄度を得ること
ができる省水型のウエット処理液供給ノズル、ウエット
処理液供給ノズル装置及びウエット処理装置を提供する
ことを目的とする。

【００１７】本発明は、被ウエット処理物の処理面から
のウエット処理液の外部への液漏れが皆無かあってっも
極めて少ないウエット処理液供給ノズル、ウエット処理
液供給ノズル装置及びウエット処理装置を提供すること
を他の目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明のウエット処理液供給ノズルは、一端にウエッ
ト処理液を導入するための導入口を有する導入通路と一
端にウエット処理後のウエット処理液をウエット処理の
系外へ排出するための排出口を有する排出通路とを形成
し、該導入通路と該排出通路とをそれぞれの他端におい
て交差せしめて交差部を形成するとともに該交差部に、
被ウエット処理物に向けてメッシュ状に開口する開口部
を設けたことを特徴とするウエット処理液供給ノズルで
ある。

【００１９】また、一端にウエット処理液を導入するた
めの導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後の
ウエット処理液をウエット処理の系外へ排出するための
排出口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排
出通路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部
を形成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向
けて開口する開口部を設け、かつ、該開口部周囲に細毛
またはフィルムを被ウエット処理物の処理面の法線に平
行に設けたことを特徴とするウエット処理液供給ノズル
である。

【００２０】一端にウエット処理液を導入するための導
入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエッ
ト処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出口
を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通路
とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形成
するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて開
口する開口部を設け、かつ、少なくとも該排出通路側の
該排出通路と被ウエット処理物との間に、該交差部に連
通する補助通路を設けたことを特徴とするウエット処理
液供給ノズルである。

【００２１】一端にウエット処理液を導入するための導
入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエッ
ト処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出口
を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通路
とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形成
するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて開
口する開口部を設け、かつ、被ウエット処理物の処理面
に平行にウエット処理液が流れる平行流部を形成したこ
とを特徴とするウエット処理液供給ノズルである。

【００２２】一端にウエット処理液を導入するための導
入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエッ
ト処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出口
を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通路
とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形成
するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて開
口する開口部を設け、かつ、該開口部の周辺部の外面を
被ウエット処理物の処理面と平行にしたことを特徴とす
るウエット処理液供給ノズルである。

【００２３】一端にウエット処理液を導入するための導
入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエッ
ト処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出口
を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通路
とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形成
するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて開
口する開口部を設け、かつ、該開口部の周縁に、被ウエ
ット処理物と接触した状態で該交差部を外部からシール
するシール部材を設けたことを特徴とするウエット処理
液供給ノズルである。

【００２４】本発明のウエット処理液供給ノズル装置
は、上記いずれかのウエット処理液供給ノズルに、被ウ
エット処理物と接触しているウエット処理液の圧力と大
気圧との差を制御するための圧力制御手段を設けたこと
を特徴とする。

【００２５】本発明のウエット処理装置は、上記いずれ
かのウエット処理液供給ノズルないしウエット処理液供
給ノズル装置と、該ウエット処理液供給ノズルと被ウエ
ット処理物とを相対的に移動させるための手段と、ウエ
ット処理液供給源と、該ウエット処理液供給源から該ウ
エット処理液供給ノズルの導入口へウエット処理液を供
給するための手段と、を少なくとも有することを特徴と
するウエット処理装置である。

【００２６】ここで、ウエット処理液供給ノズル装置と
被ウエット処理物との相対的な移動においてウエット処
理液供給ノズル装置を移動させる際、ウエット処理液供
給ノズルと圧力制御部とがコンパクトに一体化した構造
の場合はその一体化したウエット処理液供給ノズル装置
を移動させればよく、圧力制御部の一部たとえば大型の
減圧ポンプにより構成されているような場合には、圧力
制御部は移動させる必要はなくウエット処理液供給ノズ
ルのみを移動させればいいことはいうまでもない。

【００２７】本発明者は、たとえばウエット処理の一つ
の態様である洗浄に関し次のような知見を得た。すなわ
ち、従来の洗浄装置により洗浄を行っても高い清浄度が
得られない理由を考察したところ次のような理由に基づ
くのであろうとの知見を得た。すなわち、図２９におい
てノズルの開口部６から洗浄液が供給されると、基板１
の先端側（ａ）が洗浄されるが、基板１は矢印Ａ方向に
進行しているため、表面を洗浄した洗浄後の洗浄液は、
基板１の表面をなめるように基板１の後端ｂに運ばれ
る。洗浄後の洗浄液はパーティクルを含んでいるためｂ
端側に向かうときにそのパーティクルは基板１の表面に
再付着してしまう。後端ほど洗浄後の洗浄液中へのパー
ティクルの蓄積量は増えるわけであるから再付着量も増
加し清浄度も悪くなる。

【００２８】このように、清浄度を悪くし、リンス洗浄
液の消費量を多大たらしめている原因が一旦除去したパ
ーティクルなどの再付着にあることを本発明者は解明し
た。

【００２９】そこで、本発明では、ウエット処理液をウ
エット処理物に順次供給するウエット処理技術におい
て、該ウエット処理供給ノズルから被ウエット処理物に
供給したウエット処理液を、ウエット処理液を供給した
部分以外の部分に実質的に接触させることなく被ウエッ
ト処理物上から除去することにより再付着を防止せんと
するものである。すなわち、ウエット処理に寄与したウ
エット処理液を直ちに系外に運び去ることにより再付着
を防止せんとするものである。

【００３０】再付着を防止するための技術として本発明
者は、上記ウエット処理液供給ノズル、ウエット処理液
供給ノズル装置、ウエット処理装置を開発した。

【００３１】また、被ウエット処理物に接触しているウ
エット処理液のノズル外部への液漏れを防止せんとする
ものである。

【００３２】以下に実施例により詳細に説明する。

【００３３】

【実施例】

（実施例１）ウエット処理液供給ノズルの実施例を図１
及び図２に示す。

【００３４】図１は側断面図であり、図２（ａ）は下面
図、図２（ｂ）は平面図である。

【００３５】図１において、２がウエット処理液供給ノ
ズルである。

【００３６】ウエット処理液供給ノズル２は、一端にウ
エット処理液５を導入するための導入口７を有する導入
通路１０と、一端にウエット処理後のウエット処理液５
‘をウエット処理の系外へ排出するための排出口１５を
有する排出通路１２とを形成し、該導入通路１０と該排
出通路１２とをそれぞれの他端において交差せしめて交
差部１４を形成するとともに該交差部１４に、被ウエッ
ト処理物（基板）１に向けて開口する開口部６を設けて
なる。

【００３７】この開口部６の形状は図２（ａ）に示すよ
うにメッシュ状である。図２（ａ）に示す例では、長手
方向に７つの大きな円６Ｌが２列に並んでおり、さらに
円同士の隙間を埋めるように小さな円６Ｍとさらに小さ
な円６Ｓとを設けてあり、開口面積の合計をできるだけ
大きくしてある。

【００３８】メッシュの大きさを一定の大きさ以下にし
ているため、ウエット処理液は被ウエット処理物１の表
面に接触するが、ウエット処理液供給ノズルに被ウエッ
ト処理物１から離しても開口部からは表面張力のため滴
下しないようにできる。したがって、交差部１４から外
部への液漏れということもない。

【００３９】かかる作用を呈するならばメッシュ形状は
図２（ａ）に示す形状に限定されるものではない。ウエ
ット処理液の種類により形状、大きさ、数を適宜選択す
ればよい。

【００４０】ただ、図２（ａ）に示すように開口面積の
合計をできるだけ大きくすることが超音波を照射した場
合効率よく照射することができるので好ましい。

【００４１】メッシュは、例えば金属板（たとえばＳＵ
Ｓ３１６Ｌステンレス鋼）にパンチンなどにより穴をあ
けることにより形成すればよい。また、エッチング技術
を用いて形成してもよい。

【００４２】なお、本例では図２からわかるように、導
入通路１０が平行に３本設けられている。

【００４３】排出通路１２も導入通路１０と対向してそ
れぞれ平行に３本設けられている。このように、ウエッ
ト処理液供給ノズル２の長手方向（図２における図面上
下方向）に向かって複数の導入通路、排出通路を設ける
ことにより長手方向における洗浄効率を均一にすること
ができる。

【００４４】なお、ウエット処理液供給ノズル２の接液
面は、ＰＦＡ等のフッ素樹脂や用いるウエット処理液に
よっては、最表面がクロム酸化物のみからなる不動態膜
面のステンレス、あるいは酸化アルミニウムとクロム酸
化物の混合膜を表面に備えたステンレス、オゾン水に対
しては、電解研磨表面を備えたチタン等、とすることが
不純物の洗浄液への溶出がないことから好ましい。接液
面を石英により構成すれば、フッ酸を除くすべてのウエ
ット処理液の供給に好ましい。

【００４５】導入通路１０が基板１となす角はθ₁は０
〜９０°の範囲で適宜選択可能である。

【００４６】一方、排出通路１２と基板１となす角度θ
₂は０〜９０°の範囲で適宜選択可能である。

【００４７】導入通路１０が基板１となす角はθ₁と排
出通路１２と基板１となす角度θ₂は、ウエット処理液
の基板への接触効率と処理物の排出効率、交差部の形
状、開口部の形状、面積等から任意に設定する。

【００４８】交差部１４を形成する被ウエット処理物
（基板）に対向する天井部１８の最も被ウエット処理物
（基板）１に近い部分と、開口部６の被ウエット処理物
（基板）１に近い部分との距離Ｈ₂は、好ましくは１〜
５０ｍｍで、より好ましくは２〜２０ｍｍである。ただ
し、距離Ｈ₂を１ｍｍよりも小さくしすぎるとウエット
処理液が流れにくくなり、ウエット処理液の基板への接
触効率と処理物の排出効率が悪くなる。一方、距離Ｈ₂
が、大きくなりすぎると多量のウエット処理液がウエッ
ト処理液供給ノズル２に存在することになり、ウエット
処理液供給ノズル２が重くなってしまい、ウエット処理
液供給ノズル２の移動等に支障がでるので好ましくな
い。

【００４９】また、Ｈ₁（被ウエット処理物１と開口部
６との距離）としては０．１〜５ｍｍが好ましく、１〜
２ｍｍがより好ましい。

【００５０】Ｈ₁の値は、搬送機の振動、基板自体の凹
凸などで一定でないことがある。そのため、Ｈ₁を測定
するためのセンサーを設けておくとともに、センサーか
らの信号に応じて、ウエット処理液供給ノズル２を被ウ
エット処理物１から脱離、接近させるための手段を設け
ておくことが好ましい。なお、上記測長器は図２（ａ）
に示す図面においてウエット処理液供給ノズル２を挟ん
で上下に少なくとも２個所設けることが好ましい。なぜ
なら、ウエット処理物１と開口部６との距離をウエット
処理液供給ノズル全体で均一とし、確実にウエット処理
液の流れを制御するためである。また、測長精度は０．
１ｍｍ以下であることが好ましい。なぜなら、ウエット
処理液供給ノズルと被ウエット処理物の好ましい距離の
下限として現状の大型基板の処理から０．１ｍｍがよ
く、この距離を確実に制御するためである。

【００５１】また、図１において、１９は、接触防止用
ガス噴出部である。この接触ガス防止よう噴出部は、開
口部の大気と接触している被ウエット処理液の圧力と大
気圧との均衡がとれなくなり、被ウエット処理物１が持
ち上げられる際に、開口部６と被ウエット処理物とが接
触しないように少なくとも導入通路１０側又は排出通路
側のいずれか一方に設ける。かかる用途に使用するガス
としては窒素ガスあるいは不活性ガスが好ましく、不純
物（特に有機物）を含まない空気でもよい。

【００５２】（実施例２）図３に他の実施例を示す。

【００５３】図３において、２がウエット処理液供給ノ
ズルである。このウエット処理液供給ノズル２は、次の
ように構成されている。

【００５４】すなわち、一端にウエット処理液５を導入
するための導入口７を有する導入通路１０と、一端にウ
エット処理後のウエット処理液５’をウエット処理の系
外へ排出するための排出口１５を有する排出通路１２と
を形成し、該導入通路１０と該排出通路１２とをそれぞ
れの他端において交差せしめて交差部１４を形成すると
ともに該交差部１４に、被ウエット処理物（基板）に向
けて開口する開口部６を設け、被ウエット処理物に対向
して、超音波素子１６を設け、被ウエット処理物がウエ
ット処理される間、超音波を付与するようになってい
る。

【００５５】本例でも実施例１と同様に接触防止用のＮ
₂ノズル１９を設けてあるが必ずしも必要ではない。

【００５６】なお、図４は図３に示すウエット処理液供
給ノズルの平面図（図４（ｂ））と下面図（図４
（ａ））である。

【００５７】超音波素子１６は、１９ＫＨｚ以上の周波
数の超音波を出力するものである。好ましくは、０．２
〜５ＭＨｚの周波数のメガソニック超音波素子である。

【００５８】超音波素子１６が基板１となす角はθ₃は
０〜９０°の範囲で適宜選択可能である。好ましくは、
２〜４５°の範囲が望ましい。

【００５９】このようにメガソニックの超音波を付与し
た場合には、清浄度の向上効果が著しい。

【００６０】図４に示す例は、超音波素子１６を１個設
けた例であるが、図５には複数個設ける例を示す。図５
に示す例は３個の超音波素子１６ａ，１６ｂ，１６ｃを
長手方向（図面上において上下方向）に並べて設けた例
である。このように複数個設けた場合には、超音波周波
数、出力をそれぞれ適宜変えることができるため均一な
洗浄を行うことができる。

【００６１】なお、長手方向のみならず、横方向に複数
個を並べて設けてもよい。また、長手方向、横方向とも
に複数個を並べて設けてもよい。

【００６２】（実施例３）図６に示す例は、被ウエット
処理物１の処理面に対向する天井の部分を複数の段差４
０ａ，４０ｂ，４０ｃ，４１，４１ｂ，４１ｃとしてあ
る。そして、図面上では右下がりの段差天井部４０ａ，
４０ｂ，４０ｃにそれぞれ超音波素子１６ａ，１６ｂ，
１６ｃが設けてある。

【００６３】本実施例では、天井の右肩下がりの部分に
超音波素子１６ａ，１６ｂ，１６ｃを設けてあるため導
入通路１０から交差部１４に供給されるウエット処理液
と対し対向するように超音波を付与することができると
同時に、天井を段差形状としているため超音波素子と被
ウエット処理物とのギャップがほぼ均一となり均一な洗
浄を行うことができる。

【００６４】また、１６ａ，１６ｂ，１６ｃは周波数の
異なった超音波素子によって構成されていてもよい。

【００６５】また、図６に示す例では、導入通路１０と
排出通路１２のそれぞれ交差部１４に臨む部分にウエッ
ト処理液の流れを均一にするための整流部を設けた。こ
の整流部は、例えば、フィルター、スリットなどで構成
すればよい。

【００６６】開口部は、６ａ，６ｂ，６ｃに示すよう
に、実施例１と同様なメッシュ状である。

【００６７】（実施例４）図７にウエット処理液供給ノ
ズルの他の例を示す。

【００６８】この形態では、排出通路１２が基板１に対
して垂直に設けられており、この排出通路１２を挟んで
対称的に導入通路１０ａ，１０ｂが設けられている。

【００６９】この形態では、ウエット処理液は左右の導
入通路１０，１０から対向して基板１上に供給されるた
め洗浄液の漏れがより一層少なくなり、洗浄後の洗浄液
はより速やかに排出通路１２に運び去られる。２つの超
音波素子から照射する周波数は同じであっても異なって
いてもよい。２つの超音波素子はパルス状に一定時間交
互に発振または同時に発振させてもよい。

【００７０】開口部は、６ａ，６ｂ，に示すように、実
施例１と同様なメッシュ状である。

【００７１】（実施例５）図８にウエット処理液供給ノ
ズルの他の例を示す。

【００７２】この形態では、導入通路１０が基板１に対
して垂直に設けられており、この導入通路１０を挟んで
対称的に排出通路１２ａ，１２ｂが設けられている。

【００７３】開口部は、６ａ，６ｂ，に示すように、実
施例１と同様なメッシュ状である。

【００７４】（実施例６）図９に他の実施例を示す。

【００７５】本例は、液漏れを防止するために開口部６
の周縁に細毛１２０を設けた例である。

【００７６】すなわち、一端にウエット処理液を導入す
るための導入口を有する導入通路１０ａ，１０ｂと一端
にウエット処理後のウエット処理液をウエット処理の系
外へ排出するための排出口を有する排出通路１２とを形
成し、導入通路１０ａ，１０ｂと排出通路１２とをそれ
ぞれの他端において交差せしめて交差部１４を形成する
とともに交差部１４に、被ウエット処理物１に向けて開
口する開口部６を設け、かつ、開口部６周縁に細毛１２
０を被ウエット処理物１の処理面の法線に平行に設けて
ある。

【００７７】被ウエット処理物１の処理面と接触してい
るウエット処理液は、細毛１２０のため系外に漏れるこ
となく、排出通路１２から排出される。

【００７８】細毛１２０は、撥水性の材料により構成す
ることが液漏れがより一層防止されるため好ましい。た
とえばテフロンＰＦＡ｛−（ＣＦ₂−ＣＦ₂）ｍ−（ＣＦ
₂−ＣＦＯＲ₂）ｎ−｝、ＰＴＦＥ｛−ＣＦ₂−ＣＦ₂）ｎ
−｝、ナイロンが好ましい。細毛１２０の線径としては
０．０１ｍｍ〜０．１ｍｍが好ましい。０．１ｍｍを越
えると被ウエット処理物１に接触したときに被ウエット
処理物１に損傷を与えることがある。０．０１ｍｍ未満
でもいが強度が低下してくる。また、細毛の長さ、植毛
の密度は任意に選択して設ける。長さは、１〜２ｍｍ程
度が好ましい。

【００７９】なお、細毛１２０は、図９に示す構造に設
けたが、実施例１から実施例５に示した基本構造に設け
てもよいことは言うまでもない。（実施例７）図１０に他の実施例を示す。

【００８０】本例では、実施例６で示した細毛に替えて
フィルム１３０を用いている。他の点は実施例６と同様
である。

【００８１】（実施例８）図１１に他の実施例を示す。

【００８２】本例は、補助通路設けることにより空気の
巻き込みを防止せんとするものである。

【００８３】すなわち、一端にウエット処理液を導入す
るための導入口７を有する導入通路１０と一端にウエッ
ト処理後のウエット処理液をウエット処理の系外へ排出
するための排出口１５ａ，１５ｂを有する排出通路１２
ａ，１２ｂとを形成し、導入通路１０と排出通路１２
ａ，１２ｂとをそれぞれの他端において交差せしめて交
差部１４を形成するとともに交差部１４に、被ウエット
処理物１に向けて開口する開口部６を設け、かつ、少な
くとも排出通路１５ａ，１５ｂ側の排出通路１５ａ，１
５ｂと被ウエット処理物１との間に、交差部１４に連通
する補助通路１４０ａ，１４０ｂを設けてある。

【００８４】何らかの理由で被ウエット処理物１と接触
している被ウエット処理液の圧力と大気圧との均衡がと
れず大気圧が高くなると空気は交差部１４に流入しウエ
ット処理液中に巻き込まれる。

【００８５】後述する図２２に示すようにセンサ３１を
設けておけば圧力の均衡状態を知ることができる。

【００８６】圧力の均衡が破れそうな場合には補助通路
からウエット処理液を交差部に注入してやれば圧力均衡
を保つことが可能となる。

【００８７】なお、図１１では導入通路１０を二つの排
出通路１２ａ，１２ｂで挟んだ基本構造に補助通路１４
０ａ，１４０ｂを設けた例を示したが、図１に示した導
入通路と排出通路がそれぞれ一つである基本構造に補助
通路を設けてもよいことはいうまでもない。

【００８８】（実施例９）図１２に他の実施例を示す。

【００８９】（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。

【００９０】本例では、一端にウエット処理液を導入す
るための導入口を有する導入通路１０ａ，１０ｂと一端
にウエット処理後のウエット処理液をウエット処理の系
外へ排出するための排出口を有する排出通路１２とを形
成し、導入通路１０ａ，１０ｂと排出通路１２とをそれ
ぞれの他端において交差せしめて交差部１４を形成する
とともに交差部１４に、被ウエット処理物１に向けて開
口する開口部６を設け、かつ、被ウエット処理物１の処
理面に平行にウエット処理液が流れる平行流部１６０を
形成してある。

【００９１】平行流によりウエット処理液が導入される
と処理された後のウエット処理液と新しく導入されたウ
エット処理液との置換が効率よく行われるれるため被ウ
エット処理物１は絶えず新しいウエット処理液でウエッ
ト処理を行うことができる。

【００９２】平行流部１６０の長さＬ_xのとしては１ｍ
ｍ〜１０ｍｍ程度が好ましい。１ｍｍ未満では、流れの
方向の制御が難しい。１０ｍｍを越えると、ノズル形状
が大きくなり好ましくない。

【００９３】また、平行流部１６０を流れるウエット処
理液は、平行流部１６０において被ウエット処理物１に
接触させて流すこともできるし、接触させずに流すこと
ができる。

【００９４】図１２に示す例では、平行流部１６０の上
部長さＬ_xと下部の長さＬ_yがほぼ等しくなっているので
ある。したがって、平行流部１６０のうち長さＬ_y＝Ｌ_x
の場合は平行流部１６０においてウエット処理液は被ウ
エット処理物と接触せずに交差部１４に導入される。か
かる場合、ウエット処理液が被ウエット処理物と平行に
なるように制御され交差部に入り、開口部で被ウエット
処理物に接し、排出通路に流れるため洗浄効率が高ま
る。

【００９５】一方、図１３に示す例ではＬ_y＝０であ
る。すなわち、平行流部で、ウエット処理液が被ウエッ
ト処理物に接触して流れる。

【００９６】なお、本例では、メッシュは開口部６より
少し奥側である。つまり、排出通路１２の始まり近傍に
メッシュ状の開口を有するメッシュ板１６５を設けてあ
る。このようにすることにより処理液を停止させても超
音波素子の近傍から処理液が排出通路に設けてあるバル
ブを閉めた際に処理液が無くなることを防止することが
できる。

【００９７】また、排出通路１１２は２段階の太さを有
しており、交差部１４側では太く、排出口１５側では細
くなっている。これは、超音波を効率的に付与できる位
置にい超音波素子１６を設置するためであり、また、ウ
エット処理後のウエット処理液を速やかに排出口１５側
に排出させるためである。

【００９８】（実施例１０）図１４に他の実施例を示
す。

【００９９】本例では、一端にウエット処理液を導入す
るための導入口７ａ，７ｂを有する導入通路１０ａ，１
０ｂと一端にウエット処理後のウエット処理液をウエッ
ト処理の系外へ排出するための排出口１５を有する排出
通路１２とを形成し、導入通路１０ａ，１０ｂと排出通
路１２とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部
１４を形成するとともに交差部１４に、被ウエット処理
物１に向けて開口する開口部６を設け、かつ、開口部６
の周縁に、周縁から内側に向かい、外面が被ウエット処
理物１の処理面と平行な面となる内側延在部１７０を設
けてある。

【０１００】かかる内側延在部１７０を設けた場合に
は、被ウエット処理物１に接触しているウエット処理液
と大気側との間は、被ウエット処理物１と内側延在部と
の間の極めて小さな隙間を介してのみ通じているいるに
すぎないため大気側からの空気のウエット処理液中への
巻き込みを防止することができる。また、ウエット処理
液の大気側への漏れをも防止することができる。

【０１０１】図１５は、内側延在部１７０を、導入通路
１０ａ，１０ｂ形成部材とは別材料で構成した例を示し
ている。導入通路の形成部材としては、ＳＵＳ３１６Ｌ
などのステンレス鋼（特に、クロム酸化物１００％の酸
化不動態膜が表面に形成さあれたステンレス鋼）あるい
はアルミニウム（特に、フッ化不動態膜が内面に形成さ
れたアルミニウムが好適に用いられるが、内側延在部
は、撥水性材料で形成することが好ましい。例えば、Ｐ
ＴＦＥ、ＰＶＤＦ｛−（ＣＦＨ−ＣＨ₂）_n−｝、ＰＦＡ
が好ましい。

【０１０２】（実施例１１）図１６に他の実施例を示
す。

【０１０３】本例では、一端にウエット処理液を導入す
るための導入口７ａ，７ｂを有する導入通路１０ａ，１
０ｂと、一端にウエット処理後のウエット処理液をウエ
ット処理の系外へ排出するための排出口１５を有する排
出通路１２とを形成し、導入通路１０ａ，１０ｂと排出
通路１２とをそれぞれの他端において交差せしめて交差
部１４を形成するとともに交差部１４に、被ウエット処
理物１に向けて開口する開口部６を設け、かつ、開口部
６の周縁に、被ウエット処理物１の支持台１８１と接触
した状態で交差部１４を外部からシールするシール部材
１８０を設けてある。

【０１０４】本例は、シール部材１８０により交差部を
完全に大気側からシールしてしまいウエット処理液を外
部から遮断しそれによりウエット処理後のウエット処理
液を完全に排出通路１２に排出せんとするものである。

【０１０５】本例では、シール部材により完全な液漏れ
防止が達成される。

【０１０６】あるいは、図１６（ｂ）に示すように、被
ウエット処理物１の外周部のような接触させててもかま
わない部分において接触させることが好ましい。

【０１０７】なお、本例では、ウエット処理供給ノズル
は被ウエット処理物１に対して平行に移動可能に構成す
る必要はなく、被ウエット処理物１に対して垂直方向あ
るいは斜め方向に移動可能にしておけばよい。

【０１０８】（実施例１２）図１７に他の実施例を示
す。

【０１０９】本例では、一端にウエット処理液を導入す
るための導入口７を有する導入通路１０と一端にウエッ
ト処理後のウエット処理液をウエット処理の系外へ排出
するための排出口１５ａ，１５ｂを有する排出通路１２
ａ，１２ｂとを形成し、導入通路１０と排出通路１２
ａ，１２ｂとをそれぞれの他端において交差せしめて交
差部１４を形成するとともに交差部１４に、被ウエット
処理物１に向けて開口する開口部６を設け、さらに排出
通路１５ｂに連通する補助導入通路１９０を設けてあ
る。

【０１１０】導入通路１０から交差部１４には絶えずウ
エット処理液が満たされている。しかるに、被ウエット
処理物の末端並びに先端では交差部１４が空になる場合
がある。次の被ウエット処理物がきたとき導入通路１０
からウエット処理液を導入し、交差部全体に処理液が満
たされても排出通路側にあ空気がある状態であり、この
際排水ポンプの使用では処理液を排出することはできな
い、という問題が生じてしまう。そこで、補助導入通路
１９０からウエット処理液を供給してやれば排出通路を
もウエット処理液を満たすことができ処理液がうまく流
れる状態とすることができる。減圧ポンプでは補助導入
通路１９０を用いなくても問題は発生しない状態にでき
る。

【０１１１】なお、本例では、開口部６の開閉を行うた
めのシャッター１９５を設けてある。一つの被ウエット
処理物の処理が終了し、次の被ウエット処理物の処理の
ために待機中には、バルブＶ２を開の状態にしウエット
処理液を流し続けることはウエット処理液の消耗を招
く。その一方、バルブＶ２を閉じウエット処理液の導入
を止めると交差部１４を含むウエット処理液供給ノズル
全体に空気が入り、次のウエット処理開始時には空気を
巻き込んだウエット処理液が被ウエット処理物に供給さ
れてしまう。

【０１１２】そこで、シャッタ１９５を閉じ、交差部１
４を含むウエット処理液供給ノズル全体をウエット処理
液で満たし、その状態でバルブＶ₁，Ｖ₂，Ｖ₃を閉とす
ればウエット処理液には空気が入らない。次にウエット
処理液供給ノズルを使用する際には、シャッター１９５
を開とし、バルブＶ₁，Ｖ₂，Ｖ₃も開としてウエット処
理液を被ウエット処理物に供給すればよい。

【０１１３】（実施例１３）図１８にウエット処理液供
給ノズルの他の変形例を示す。

【０１１４】本例は、基本構造が図７に示す構造と同様
であり、向かい合う２つの導入通路１０ａ，１０ｂを挟
んで排出通路１２ａ，１２ｂが設けられている。ただ本
例では、導入通路１０ａ，１０ｂのそれぞれの出口と、
排出通路１２ａ，１２ｂの入口との距離が図７に示した
場合よりも短くしてある。従って、導入通路１０ａ，１
０ｂから導入されたウエット処理液はより効率よく排出
通路１２ａ，１２ｂに排出される。

【０１１５】なお、図１８では、排出通路を導入通路で
はさむ構造としたが、逆に導入通路を排出通路ではさむ
構造としてもよい。

【０１１６】本例ではフィルム１３０を設けることによ
り液漏れの防止を図っている。

【０１１７】（実施例１４）図１９に他の実施例を示
す。

【０１１８】本例では、交差部は１４ａ，１４ｂ，１４
ｃの３つの部屋に仕切り板２５０ａ，２５０ｂにより仕
切られている。

【０１１９】このように交差部を複数に仕切るとともに
それぞれの交差部１４ａ，１４ｂ，１４ｃにそれぞれ導
入通路１０ａ，１０ｂ，１０ｃと排出通路１２ａ，１２
ｂ，１２ｃを設け、また、バルブ（図示せず）を設けて
おけば、ウエット処理を必要とする限られた部分にのみ
ウエット処理液を供給することができウエット処理液の
使用量をさらに減らすことができる。

【０１２０】また、各部屋には独立した超音波素子を設
けてもよく、それぞれの部屋に対応して周波数、電力、
を適宜選択してもよい。

【０１２１】（実施例１５）本例におけるウエット処理
液供給ノズル装置は、実施例１におけるウエット処理液
供給ノズルに圧力制御部１３を設けたものである。

【０１２２】圧力制御部１３は、被ウエット処理物１に
接触したウエット処理液がウエット処理後に、該排出通
路１２に流れるように、開口部６の大気と接触している
ウエット処理液の圧力（ウエット処理液の表面張力と被
ウエット処理物の処理面の表面張力も含む）と大気圧と
の均衡がとれるように少なくとも排出通路１２側に設け
てある。

【０１２３】本例では、圧力制御部は１３は排出口１５
側に設けられた減圧ポンプにより構成されている。すな
わち、減圧ポンプの吸引圧力を制御することにより被ウ
エット処理液の圧力ひいては大気圧と被ウエット処理物
１に接触しているウエット処理液の圧力との差を制御す
る。なお、導入するウエット処理液の流量及び排出する
ウエット処理系の流量もウエット処理液の圧力に影響を
与えるためこれらの量を勘案して圧力差の制御を行うこ
とが望ましく、具体的には実際のウエット処理液供給ノ
ズル、ウエット処理液を使用して予め実験的に求めてお
けばよい。

【０１２４】すなわち、排出通路１２側の圧力制御部１
に減圧ポンプを用いて、減圧ポンプで、交差部１４のウ
エット処理液を吸引する力を制御して、開口部６の大気
と接触しているウエット処理液の圧力（ウエット処理液
の表面張力と被ウエット処理物の処理面の表面張力も含
む）と大気圧との均衡をとるようになっている。つま
り、開口部６の大気と接触しているウエット処理液の圧
力Ｐw（ウエット処理液の表面張力と被ウエット処理物
の処理面の表面張力も含む）と大気圧Ｐaの関係をＰw≒
Ｐaとすることにより、開口部６を介して基板１に供給
され、基板１に接触した被ウエット処理液は、ウエット
処理液供給ノズルの外部に漏れることはほぼ皆無とな
り、該排出通路１２に排出される。

【０１２５】なお、交差部の天井の形状や、導入通路１
０と交差部１４との境の部分あるいは交差部１４と排出
通路１２との境の部分の形状としてコアンダ効果が生じ
る様な形状にすれば圧力の均衡が取りやすくなりより好
ましい。

【０１２６】ウエット処理液供給ノズルから被ウエット
処理物（基板）１に供給したウエット処理液５’を、ウ
エット処理液を供給した部分（開口部６）以外の部分に
接触させることなく被ウエット処理物（基板）１上から
除去される。

【０１２７】（実施例１６）図２１に他の実施例を示
す。

【０１２８】本例は、被ウエット処理物１と接触してい
るウエット処理液の圧力と大気圧との平衡をより簡単な
系で制御することができる実施例である。

【０１２９】排出通路１２側の圧力制御部１は開口部６
と排出通路１２の端部（大気に解放される部分）との高
低差により発生するサイフォンの原理に基づく被ウエッ
ト処理液自身の重量による交差部１４の被ウエット処理
液を吸引する力を高低差で制御して、開口部６の大気と
接触しているウエット処理液の圧力（ウエット処理液の
表面張力と被ウエット処理物の処理面の表面張力も含
む）と大気圧との均衡をとるようになっている。

【０１３０】より具体的に述べると、排水装置２７とウ
エット処理液供給ノズル２の排出口１５とは排水配管２
５を介して接続され、排水装置２７は保持体２８により
保持されている。保持体２８は図面上では上下にスライ
ド可能に例えば支柱に取り付けられる。

【０１３１】排水装置２７の先端部にはバルブ３０が取
り付けてあり、このバルブ３０は、バルブ開閉駆動装置
２９により開閉が行われる。

【０１３２】一方、本実施例では制御装置２２を有して
おり、制御装置２２は導入通路１０におけるウエット処
理液の圧力を探査するための圧力センサからの信号に基
づき、ロボットおよびバルブ開閉装置２９を駆動する。
ロボットは保持体２８を上下動させるためのものであ
る。バルブ３０が開の場合に、排水装置２７の上下動に
より被ウエット処理物と接触しているウエット処理液の
圧力を制御することができる。（実施例１７）図２２に次の実施例を示す。

【０１３３】本実施例では、ウエット処理液の圧力と大
気圧との差を制御するための手段は、排出通路１２側下
流に設けられた減圧ポンプ（本例では排水ポンプ）１６
と、導入通路１０側上流に設けられた供給ポンプ３３と
から構成し、さらに被ウエット処理物１と接触している
ウエット処理液の圧力を探知するための圧力センサ３１
を設け、該圧力センサ３１からの信号により該減圧ポン
プ１７と該供給ポンプ３３の駆動を制御するための制御
装置３２を設けたものである。

【０１３４】図２０に示す場合は、導入口７側のウエッ
ト処理液の圧力が一定の場合に有効であるが、本例の場
合には、導入側のウエット処理液圧力をも探知している
ためより精密な圧力制御が達成され優れた清浄度が得ら
れる。

【０１３５】（実施例１８）次にウエット処理装置の実
施例を説明する。

【０１３６】図１、図２に示すウエット処理液供給ノズ
ル２を用いてウエット処理装置を構成する場合は、図２
３に示すように、ウエット処理液供給ノズル２の開口部
６を基板１に向けて配置し、また、ウエット処理液供給
ノズル２と基板１とを相対的に移動させるための手段、
たとえば基板１のローラ搬送機（図示せず）を設ければ
よい。

【０１３７】また、ウエット処理液供給源と、ウエット
処理液供給源から該ウエット処理液供給ノズルの導入口
へウエット処理液を供給するための手段とを有してい
る。ウエット処理液は、レジストの剥離工程のように、
７０〜８０℃の温度で被ウエット処理物を処理する必要
があるときのために加熱装置、温度調節装置、保温装置
を適宜の位置に設けておくことが好ましい。

【０１３８】図２３には被ウエット処理物の表面、裏面
のウエット処理をを同時に行うべく、被ウエット処理物
１をはさんで、ウエット処理液供給ノズル２ａＦと２ａ
Ｂとが対をなして配置してある。

【０１３９】さらに、たとえば、被ウエット処理物１の
進行方向に順に、電解イオン水洗浄（ウエット処理の一
態様）を目的とするウエット処理液供給ノズル（２ａ
Ｆ，２ａＢ）、超純水によるリンス洗浄（ウエット処
理）を目的とするウエット処理液供給ノズル（２ｂＦ，
２ｂＢ）、たとえばＩＰＡ（イソプロピルアルコール）
乾燥を目的とするウエット処理液供給ノズル（２ｃＦ，
２ｃＢ）の３列が配置されている。なお、開口部、その
周辺の詳細や圧力制御部は図示を省略してある。

【０１４０】一対のウエット処理液供給ノズル２ａＦと
２ａＢとはその両端において接触させ、トンネル状空間
を形成し、その中を被ウエット処理物１を流す。従っ
て、被ウエット処理物１の端面（図面上では紙面に垂直
な面）側からウエット処理液が流れたとしてもその流れ
出たウエット処理液は下側のウエット処理液供給ノズル
２ａＢで受けることができる。

【０１４１】また、裏面（下面）の洗浄効率は高いた
め、超音波素子は表面（上面）のみに設けてある。もし
全て同一のウエット処理液を使用する場合は、１つの圧
力制御部で圧力制御を行ってもかまわない。

【０１４２】図２４は被ウエット処理物を上下に移動さ
せた場合の例であり、図２４（ａ）は側面図、図２４
（ｂ）は平面図である。

【０１４３】図２５は上方から見た図であり、図２５は
（ａ），（ｂ），（ｃ）とも被ウエット処理物１を立
て、ウエット処理液供給ノズルは被ウエット処理物１の
移動方向に直交してウエット処理液供給ノズルの長手方
向に設置し、被ウエット処理物１は水平に搬送するもの
である。この場合被ウエット処理物に上下関係はなく、
表面、裏面とも洗浄効率は同じであるため、超音波素子
は、裏面（図２５（ｃ））、表面（図２５（ｂ））、裏
面と表面（図２５（ａ））に設ける場合がある。

【０１４４】図２６は横から見た図であり、被ウエット
処理物１を立てて上方に垂直搬送を行うものである。

【０１４５】図２６に示す場合も図２５に示した場合と
同様、被ウエット処理物に上下関係はなく、表面、裏面
とも洗浄効率は同じであるため、超音波素子は、裏面
（図２６（ｃ））、表面（図２６（ｂ））、裏面と表面
（図２６（ａ））に設ける場合がある。

【０１４６】図２７は横から見た図であり、裏面が下
面、表面が上面となっている。すなわち、被ウエット処
理物１は水平にし、水平搬送を行う場合の例である。超
音波素子の配置に関しては、裏面の洗浄効果は高いため
一般的には図２７（ｂ）が用いられる。

【０１４７】なお、ウエット処理液としては、例えば、
洗浄工程においては超純水、電解イオン水、オゾン水、
水素水その他の洗浄液があげられ、また、他のウエット
処理工程においては、エッチング液、現像液、剥離液な
ども好適に用いられる。

【０１４８】

【実験例】以下に実験例を挙げて本発明を具体的に説明
するが、本発明がこれら実施例に限定されるものではな
いことはいうまでもない。

【０１４９】（実験１）５００ｍｍ×４００ｍｍ角のガ
ラス基板を用意した。

【０１５０】このガラス基板を、Ａｌ₂Ｏ₃パーティクル
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、４１５００個であった。なお、パーティ
クルは０．５μｍ以上の寸法を有するものみを測定し
た。

【０１５１】上記汚染後、図１に示すウエット処理液供
給ノズルを用いて、図２３に示すような横移動方式で洗
浄を行った。ただし、本例では、裏面洗浄は行わなかっ
た。

【０１５２】ウエット処理液供給ノズルの条件は次のと
おりである。・ウエット処理液供給ノズル条件ノズル長：５００ｍｍ導入通路の角度θ₁：４５° 排出通路の角度θ₂：４５° 基板との距離：１ｍｍ

【０１５３】洗浄条件は次のとおりとした。・洗浄条件洗浄液：電解カソードイオン水（ｐＨ１０）洗浄液使用量：２．５Ｌ／ｍｉｎ超音波周波数：１ＭＨｚ超音波電力：１５０Ｗ送り速度：２０ｍｍ／ｓｅｃ実質洗浄時間＝開口径／送り速度＝（４ｍｍ）／（２０ｍｍ／ｓｅｃ）＝２０ｓｅｃ洗浄回数：１回洗浄洗浄後のパーティクルは１５６個であった。

【０１５４】（従来例１）実施例１と同様に５００ｍｍ
×４００ｍｍ角のガラス基板を用意した。

【０１５５】このガラス基板を、Ａｌ₂Ｏ₃パーティクル
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、４１０００個であった。なお、パーティ
クルは０．５μｍ以上の寸法を有するものみを測定し
た。

【０１５６】上記汚染後、図２９（ａ）に示すウエット
処理液供給ノズルを用いて、図２９（ｂ）に示すような
横移動方式で洗浄を行った。

【０１５７】ウエット処理液供給ノズルの条件は次のと
おりである。・ウエット処理液供給ノズル条件ノズル長：５００ｍｍ開口部幅：２ｍｍ

【０１５８】洗浄条件は次のとおりとした。・洗浄条件洗浄液：電解カソードイオン水（ｐＨ１０）洗浄液使用量：２５Ｌ／ｍｉｎ超音波周波数：１ＭＨｚ超音波電力：９００Ｗ洗浄時間：２０ｓｅｃ洗浄回数：１回洗浄洗浄後のパーティクルは６４０個であった。

【０１５９】従来例１と実験例１との結果を図２８
（ｂ）に示す、両者を比較して明らかなとおり、本実験
例では、洗浄液の使用量が従来例の１／１０であり、し
かも約４倍の清浄度が達成されている。また、超音波電
力は１／６である。

【０１６０】（実験例２）本例ではスピン洗浄を行っ
た。

【０１６１】６インチの円形ガラス基板を用意した。

【０１６２】このガラス基板を、Ａｌ₂Ｏ₃パーティクル
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、２００００個であった。なお、パーティ
クルは０．５μｍ以上の寸法を有するものみを測定し
た。

【０１６３】上記汚染後、図１に示すウエット処理液供
給ノズルを用いて、回転移動方式で洗浄を行った。

【０１６４】ウエット処理液供給ノズルの条件は次のと
おりである。・ウエット処理液供給ノズル条件ノズル長：１５２ｍｍ導入通路の角度θ₁：３０° 排出通路の角度θ₂：３０° 基板と開口部との距離：１ｍｍ開口部：幅２０ｍｍ図１の６Ｌの径８ｍｍ図１の６Ｍの径４ｍｍ図１の６Ｓの径２ｍｍ

【０１６５】洗浄条件は次のとおりとした。・洗浄条件洗浄液：電解イオン水洗浄液使用量：１Ｌ／ｍｉｎ超音波周波数：１ＭＨｚ超音波電力：６０Ｗ洗浄時間：１０ｓｅｃ回転数：３００ｒｐｍ洗浄後のパーティクルは５個であった。

【０１６６】（従来例２）実験例２と同様に６インチ径
の円形ガラス基板を用意した。

【０１６７】このガラス基板を、Ａｌ₂Ｏ₃パーティクル
を含有する純水に浸漬し基板表面を汚染した。汚染後に
おける基板表面全面におけるパーティクルの数の測定を
行ったところ、１９９３０個であった。なお、パーティ
クルは０．５μｍ以上の寸法を有するもののみを測定し
た。

【０１６８】上記汚染後、図２９（ａ）に示すウエット
処理液供給ノズルを用いて、スピン洗浄を行った。

【０１６９】ウエット処理液供給ノズルの条件は次のと
おりである。・ウエット処理液供給ノズル条件ノズル長：１５２ｍｍ開口部幅：２ｍｍ

【０１７０】洗浄条件は次のとおりとした。・洗浄条件洗浄液：電解カソードイオン水洗浄液使用量：１０Ｌ／ｍｉｎ超音波周波数：１ＭＨｚ超音波電力：３００Ｗ洗浄時間：１０ｓｅｃ回転数：３００ｒｐｍ洗浄後のパーティクルは３２個であった。

【０１７１】従来例２と実験例２との結果を図２８
（ａ）に示す、従来例２と実験例２とを比較して明らか
なとおり、回転洗浄においても本実施例では、洗浄液の
使用量が従来例の１／１０であり、超音波電力は１／５
であり、しかも約６倍の清浄度が達成されている。

【０１７２】以上の実験例のほか、ＤとＨを各種変化さ
せて実験を行ったところ、Ｐw≧Ｐaが満たされていれば
実験例１、実験例２よりもさらにより一層高い清浄度が
少ない洗浄液使用量によって達成された。

【０１７３】

【発明の効果】本発明によれば、従来の約十分の一の水
使用量で、従来よりも高い洗浄度を達成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係るウエット処理液供給ノズルの側断
面図である。

【図２】（ａ）は図１の下面図、（ｂ）は図１の平面図
である。

【図３】他の実施例に係るウエット処理液供給ノズルの
側断面図である。

【図４】（ａ）は図３の下面図、（ｂ）は図３の平面図
である。

【図５】他の実施例に係るウエット処理液供給ノズルの
平面図である。

【図６】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面図、
（ｂ）は平面図である。

【図７】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面図、
（ｂ）は平面図である。

【図８】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面図、
（ｂ）は平面図である。

【図９】他の実施例に係るウエット処理液供給ノズルの
側断面図である。

【図１０】他の実施例に係るウエット処理液供給ノズル
の側断面図である。

【図１１】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。

【図１２】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。

【図１３】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。

【図１４】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。

【図１５】他の実施例に係るウエット処理液供給ノズル
の側断面図である。

【図１６】他の実施例に係るウエット処理液供給ノズル
の側断面図である。（ａ）は支持台と接触させた例であ
り、（ｂ）は被ウエット処理物の外縁で接触させた例で
ある。

【図１７】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。

【図１８】実施例に係るウエット処理液供給ノズルの断
面図である。

【図１９】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。

【図２０】さらに他の実施例に係るウエット処理液供給
ノズル装置の側断面図である。

【図２１】他の実施例に係るウエット処理液供給ノズル
装置の概念図である。

【図２２】他の実施例に係るウエット処理液供給ノズル
装置の側断面図である。

【図２３】実施例に係るウエット処理装置を示し、
（ａ）は側断面図、（ｂ）は平面図である。

【図２４】実施例に係るウエット処理装置を示し、
（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。

【図２５】（ａ），（ｂ），（ｃ）とも実施例に係る洗
浄装置を示す平面図である。

【図２６】（ａ），（ｂ），（ｃ）とも実施例に係る洗
浄装置を示す側面図である。

【図２７】（ａ），（ｂ），（ｃ）とも実施例に係る洗
浄装置を示す側面図である。

【図２８】実験例及び従来例の結果を示すグラフであ
る。（ａ）回転洗浄の場合を示し、（ｂ）は搬送洗浄の
場合を示す。

【図２９】従来例に係る洗浄装置の側面図及び平面図で
ある。

【図３０】図２９に示すウエット処理液供給ノズルの拡
大図である。

【符号の説明】

１被ウエット処理物（基板）、２ウエット処理液供給ノズル、４洗浄液供給室、５洗浄液５’ 洗浄液（洗浄後）６開口部（メッシュ状開口部）、７導入口、１０導入通路、１２排出通路、１３圧力制御部、１４交差部、１４ａ，１４ｂ，１４ｃ仕切られた交差部、１５排出口、１６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ超音波素子、１７減圧ポンプ、１８天井部、１９接触ガス防止用噴出部、２２制御装置、２４センサ、２５排水配管２６連結部、２７排水装置、２８保持体、２９バルブ開閉駆動部、３０バルブ、３１圧力センサ、３２制御装置、３３供給ポンプ、４０ａ，４０ｂ，４０ｃ天井段差部、１２０細毛、１３０フィルム、１４０ａ，１４０ｂ補助通路、１６０平行流部、１６５メッシュ板、１７０内側延在部、１８０シール部材、１８１支持台、１９０補助導入通路、１９５シャッター、２５０仕切板、Ｖ₁，Ｖ₂，Ｖ₃ バルブ。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成９年２月１３日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１４】

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１７

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１７】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/306 Ｒ (72)発明者三森健一宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会社フロンテック内 (72)発明者呉義烈宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会社フロンテック内 (72)発明者大見忠弘宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２の１の17の 301 (72)発明者笠間泰彦宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会社フロンテック内 (72)発明者阿部章宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会社フロンテック内 (72)発明者今岡孝之埼玉県戸田市川岸１丁目４番９号オルガノ株式会社総合研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一端にウエット処理液を導入するための
導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエ
ット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出
口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通
路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形
成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて
メッシュ状に開口する開口部を設けたことを特徴とする
ウエット処理液供給ノズル。
【請求項２】一端にウエット処理液を導入するための
導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエ
ット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出
口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通
路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形
成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて
開口する開口部を設け、かつ、該開口部周囲に細毛また
はフィルムを被ウエット処理物の処理面の法線に平行に
設けたことを特徴とするウエット処理液供給ノズル。
【請求項３】一端にウエット処理液を導入するための
導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエ
ット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出
口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通
路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形
成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて
開口する開口部を設け、かつ、少なくとも該排出通路側
の該排出通路と被ウエット処理物との間に、該交差部に
連通する補助通路を設けたことを特徴とするウエット処
理液供給ノズル。
【請求項４】一端にウエット処理液を導入するための
導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエ
ット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出
口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通
路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形
成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて
開口する開口部を設け、かつ、被ウエット処理物の処理
面に平行にウエット処理液が流れる平行流部を形成した
ことを特徴とするウエット処理液供給ノズル。
【請求項５】該平行流部の長さは１ｍｍ〜１０ｍｍで
あることを特徴とする請求項４記載のウエット処理液供
給ノズル。
【請求項６】一端にウエット処理液を導入するための
導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエ
ット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出
口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通
路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形
成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて
開口する開口部を設け、かつ、該開口部の周縁に、該周
縁から内側に向かい、外面が被ウエット処理物の処理面
と平行な面となる内側延材部を設けたことを特徴とする
ウエット処理液供給ノズル。
【請求項７】該内側延材部は撥水性材料からなること
を特徴とする請求項６記載のウエット処理液供給ノズ
ル。
【請求項８】一端にウエット処理液を導入するための
導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエ
ット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出
口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通
路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形
成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて
開口する開口部を設け、かつ、該開口部の周縁に、被ウ
エット処理物あるいは被ウエット処理物を支持するため
の支持台と接触した状態で該交差部を外部からシールす
るシール部材を設けたことを特徴とするウエット処理液
供給ノズル。
【請求項９】一端にウエット処理液を導入するための
導入口を有する導入通路と一端にウエット処理後のウエ
ット処理液をウエット処理の系外へ排出するための排出
口を有する排出通路とを形成し、該導入通路と該排出通
路とをそれぞれの他端において交差せしめて交差部を形
成するとともに該交差部に、被ウエット処理物に向けて
開口する開口部を設け、さらに該排出通路に連通する補
助導入通路を設けたことを特徴とするウエット処理液供
給ノズル。
【請求項１０】ウエット処理液を該開口部に均一に供
給するための整流部を該交差部に臨ませて該導入通路及
び／又は該排出通路に設けたことを特徴とする請求項１
ないし９のいずれか１項記載のウエット処理液供給ノズ
ル。
【請求項１１】該ウエット処理液に超音波を付与する
ための手段を設けたことを特徴とする請求項１ないし１
０のいずれか１項記載のウエット処理液供給ノズル。
【請求項１２】超音波の周波数は０.2〜５ＭＨｚのメ
ガソニック超音波であることを特徴とする請求項１１記
載のウエット処理液供給ノズル。
【請求項１３】超音波素子は超音波素子の超音波発振
面の延長線と被ウエット処理物の処理面の延長線とが交
差して形成される角度が０〜９０度のうちのいずれかの
角度を有して設けられていることを特徴とする請求項１
１または１２記載のウエット処理液供給ノズル。
【請求項１４】該被ウエット処理物の処理面に対向す
る天井の部分を複数の山形ないし波形の段差形状とし、
段差部に複数の超音波素子を被ウエット処理物の処理面
に対し、一定の角度を付けて設置したことを特徴とする
請求項１ないし１３のいずれか１項記載のウエット処理
液供給ノズル。
【請求項１５】ウエット処理液体を所定に温度に保持
する温度調節部及び保温機構を設けたことを特徴とする
請求項１ないし１４のいずれか１項記載のウエット処理
液供給ノズル。
【請求項１６】該排出通路又は該導入通路は複数であ
ることを特徴とする請求項１ないし１５のいずれか１項
記載のウエット処理液供給ノズル。
【請求項１７】被ウエット処理物の被ウエット処理面
までの距離を測長できる計測部を設けたことを特徴とす
る請求項１ないし１６のいずれか１項記載のウエット処
理液供給ノズル。
【請求項１８】被ウエット処理物の被ウエット処理面
に対し、平行方向又は垂直方向又は０〜９０度の角度の
内のいずれかの方向に移動できる機構を設けたことを
特徴とする請求項１ないし１７のいずれか１項記載のウ
エット処理液供給ノズル。
【請求項１９】該排出通路をはさみ該導入通路を交差
部の左右に２本形成したことを特徴とする請求項１ない
し１８のいずれか１項記載のウエット処理液供給ノズ
ル。
【請求項２０】前記導入通路のいずれか一方に超音波
素子を設けたことを特徴とする請求項１９記載のウエッ
ト処理液供給ノズル。
【請求項２１】前記導入通路のいずれの側にも超音波
素子を設け、超音波素子はパルス状に一定時間交互に発
振又は同時連続発振できる機構を設けたことを特徴とす
る請求項２０記載のウエット処理液供給ノズル。
【請求項２２】導入通路をはさみ排出通路を交差部の左
右に２本形成したことを特徴とする請求項１ないし１８
のいずれか１項記載のウエット処理液供給ノズル。
【請求項２３】ウエット処理液が洗浄液又はエッチン
グ液又は現像液又は剥離液又は超純水であることを特徴
とする請求項１ないし２２のいずれか１項記載のウエッ
ト処理液供給ノズル。
【請求項２４】ウエット処理液の供給を停止した場
合、導入通路及び排出通路及び交差部内の処理液の落下
を防止するためバルブ又はシャッターを備えたことを特
徴とする請求項１ないし２３のいずれか１項記載のウエ
ット処理液供給ノズル。
【請求項２５】導入通路又は排出通路又は交差部内の
処理液の落下した際、排出通路及び交差部内に処理液を
満たすための第２のウエット処理液導入通路が排出通路
に設けられていることを特徴とする請求項１ないし２４
のいずれか１項記載のウエット処理液供給ノズル。
【請求項２６】該交差部は複数の部屋から構成されて
いることを特徴とする請求項１ないし２５のいずれか１
項記載のウエット処理液供給ノズル。
【請求項２７】該複数の部屋のそれぞれに導入通路及
び排出通路が設けられていることを特徴とする請求項２
６記載のウエット処理液供給ノズル。
【請求項２８】それぞれの導入通路及びそれぞれの排
出通路にバルブを設け、各部屋ごとに独立して通液可能
としたことを特徴とする請求項２７記載のウエット処理
液供給ノズル。
【請求項２９】各部屋ごとに独立して超音波素子が設
けられていることを特徴とする請求項２６ないし２８の
いずれか１項記載のウエット処理液供給ノズル。
【請求項３０】請求項１ないし２９のいずれか１項記
載のウエット処理供給ノズルに、被ウエット処理物と接
触しているウエット処理液の圧力と大気圧との差を制御
するための圧力制御手段を設けたことを特徴とするウエ
ット処理液供給ノズル装置。
【請求項３１】前記排出通路の排出口の大気への解放
部分を上下方向に移動可能とし、被ウエット処理物に接
触したウエット処理液と、上記解放部分との高低差によ
り発生するサイフォンの原理に基づく吸引力により被ウ
エット処理物に接触したウエット処理液の圧力と大気圧
との差を制御するようにしたことを特徴とする請求項３
０記載のウエット処理液供給ノズル装置。
【請求項３２】ウエット処理液の圧力と大気圧との差
を制御するための圧力制御手段には、排出通路側下流に
設けられた減圧ポンプがその構成要素の一部として用い
られていることを特徴とする請求項３０記載のウエット
処理液供給ノズル装置。
【請求項３３】ウエット処理液の圧力と大気圧との差
を制御するための手段は、排出通路側下流に設けられた
減圧ポンプと、導入通路側上流に設けられた供給ポンプ
とから構成し、さらに少なくとも１つの被ウエット処理
物と接触しているウエット処理液の圧力を探知するため
の圧力センサを設け、該圧力センサからの信号により該
減圧ポンプと該供給ポンプの駆動を制御するための制御
装置が設けられたことを特徴とする請求項３０記載のウ
エット処理液供給ノズル装置。
【請求項３４】該開口部の大気と接触している被ウエ
ット処理液の圧力と大気圧との均衡がとれなくなり、被
ウエット処理物が持ち上げられる際に、該開口部と被ウ
エット処理物が接触しないように少なくとも導入通路側
又は、排出通路側に、一方に該開口部と被ウエット処理
物接触防止用ガス噴出部を設けたことを特徴とする請求
項３０記載のウエット処理液供給ノズル装置。
【請求項３５】請求項１ないし２９のいずれか１項記
載のウエット処理液供給ノズルと、該ウエット処理液供給ノズルと被ウエット処理物とを相
対的に移動させるための手段と、ウエット処理液供給源と、該ウエット処理液供給源から該ウエット処理液供給ノズ
ルの導入口へウエット処理液を供給するための手段と、
を少なくとも有することを特徴とするウエット処理装
置。
【請求項３６】請求項３０ないし３４のいずれか１項
記載のウエット処理液供給ノズル装置と、該ウエット処理液供給ノズルと被ウエット処理物とを相
対的に移動させるための手段と、ウエット処理液供給源と、該ウエット処理液供給源から該ウエット処理液供給ノズ
ルの導入口へウエット処理液を供給するための手段と、
を少なくとも有することを特徴とするウエット処理装
置。
【請求項３７】前記ウエット処理液供給ノズルが、被
ウエット処理物の進行方向に少なくとも２個以上配置さ
れていることを特徴とする請求項３５記載のウエット処
理装置。
【請求項３８】前記ウエット処理液供給ノズルが、被
ウエット処理物の進行方向に少なくとも２個以上配置さ
れていることを特徴とする請求項３６記載のウエット処
理装置。