JPH1133506A - 流体処理装置及び洗浄処理システム - Google Patents

流体処理装置及び洗浄処理システム

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JPH1133506A
JPH1133506A JP9198313A JP19831397A JPH1133506A JP H1133506 A JPH1133506 A JP H1133506A JP 9198313 A JP9198313 A JP 9198313A JP 19831397 A JP19831397 A JP 19831397A JP H1133506 A JPH1133506 A JP H1133506A
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Kenichi Mimori
健一 三森
Yasuhiko Kasama
泰彦 笠間
Giretsu Go
義烈 呉
Akira Abe
章 阿部
Takayuki Imaoka
孝之 今岡
Tadahiro Omi
忠弘 大見
Masayuki Tsuda
昌之 都田
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Frontec Inc
Organo Corp
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FURONTETSUKU KK
Frontec Inc
Organo Corp
Japan Organo Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理用流体の使用量を従来の１０分の１以下
よりさらに低減することができ、エッチング、分析など
の用途を有し、光照射効率を高めることが可能な流体処
理装置を提供すること。 【解決手段】 開口６から臨んだ処理用流体を被処理物
に接触させた後、処理用流体を開口６に引き戻す流体処
理路１４と、処理用流体を流体処理路１４へ導入する導
入通路１０と、流体処理路１４から開口６内に引き戻し
た処理用流体を排出する排出通路１２とを有することを
特徴とする被処理物の処理（液体洗浄を除く）を用途と
する。用途はエッチング、研磨、分析等である。さらに
光照射手段８０を設けた。光照射手段は着脱自在でもあ
る。また、超音波素子１６を設けた。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、洗浄やエッチン
グ、現像、剥離等を含む流体処理に用いる省液型の流体
処理装置及び洗浄処理システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池用基板、液晶表示基板、磁性体
基板、プラスティックパッケージ用基板その他の大型基
板の表面の流体処理のうち洗浄の観点から従来の技術お
よび課題について説明する。
【０００３】従来、図３４に示す洗浄装置が一般的に用
いられている。図３４において図３４（ａ）は側面図で
あり、図３４（ｂ）は平面図である。
【０００４】基板１を例えば、矢印Ａの方向に移動しな
がら基板１の上面に流体処理装置１０２を用いて超純
水、電解イオン水、オゾン水、水素水等その他の洗浄液
を供給することにより洗浄を行っている。
【０００５】この流体処理装置１０２には、図３５に示
すように、洗浄液供給室１０４、洗浄液を基板に向けて
導出する開口６と洗浄液を洗浄液供給室１０４へ導入す
るための洗浄液導入口１０７が形成されている。
【０００６】また、洗浄液にＭＨｚ帯近辺の超音波を付
与し洗浄効果を向上させるために洗浄液供給室１０４上
に超音波素子１６を設けてある。
【０００７】超純水、電解イオン水、オゾン水、水素水
等その他の洗浄液を洗浄液導入口７から洗浄液供給室１
０４に導入し、開口１０６を介して被洗浄物である基板
表面に供給し洗浄を行う。この洗浄液による洗浄の後に
は、被洗浄物表面から洗浄液を除去する目的で、また、
残留するパーティクルなどを除去する目的で、図３５に
示す流体処理装置１０２と同じような構造のノズルを用
いてリンス洗浄液（一般的には超純水）によりリンス洗
浄を行う。
【０００８】しかし、上記した従来の洗浄技術には次の
ような問題点がある。
【０００９】（１）第１は洗浄液やリンス洗浄液の使用
量が多いという問題である。例えば、５００ｍｍ角の基
板１の洗浄を電解イオン水などの洗浄液を用いて行い、
かかる洗浄液による洗浄とリンス洗浄水によるリンスを
行った後における基板１上のパーティクル（例えば、Ａ
ｌ2Ｏ3粒子）の残存量を０．５μｍ以上の大きさのパー
ティクルについて０．５個／ｃｍ2レベルの清浄度を達
成しようとすると、２５〜３０L／ｍｉｎ程度の洗浄液
およびリンス洗浄液を供給しなければならない。２５〜
３０L／ｍｉｎと言う量は安定して超音波を付与できる
ためのものである。
【００１０】従って、２５〜３０Ｌ／ｍｉｎ以下の 量
にすると超音波の安定付与は出来なくなり、清浄に洗浄
出来なくなってしまう。現状、洗浄液の多くなる理由と
しては、上記で述べた通りであるが、それでも、２５〜
３０Ｌ／ｍｉｎ程度の液の使用量となっているのは、超
音波の周波数を上げ、超音波洗浄ノズルスリット幅を小
さくしていることの結果であり、現有技術の限界が此処
にある。
【００１１】（２）第２は、使用できるＭＨｚ帯近辺の
超音波の使用の制限があるいう問題である。現状では、
０．７〜１．５ＭＨｚの超音波しか使えないという問題
である。すべての流体処理において、被処理物にダメー
ジを起こさないということが必要である。そのために、
洗浄等ではキャビテーションによるダメージを起こさな
いＭＨｚ帯近辺の超音波を使用している。被処理物にダ
メージが生ずるという観点から使用下限が決まってい
る。
【００１２】上限は、２ＭＨｚ以上の周波数の超音波
は、現状、洗浄等に使用可能な実効パワーが取り出せな
いことにより決まっている。洗浄等に使用可能な実効パ
ワーが取り出せない理由としては、超音波素子の回路的
問題から実効パワーが低いことと、図３５に示す通り、
超音波素子と被処理物との距離が遠く、超音波パワーの
減衰が大きいことが上げられる。
【００１３】（３）第３は、洗浄液供給室１０４のよう
に超音波を付与した洗浄液を細い開口１０６を介して被
洗浄物に供給するため超音波出力の減衰が大きく、必要
以上に入力電力を上げる必要があり、超音波振動子の寿
命が短いという問題がある。０．７〜１．５ＭＨｚの周
波数の超音波では、洗浄等に使用可能な実効パワーは取
り出せるが、図３５に示す通り、超音波素子と被洗浄物
との距離が遠く、超音波パワーの減衰が大きいことに違
いがなく、超音波振動子の接着面への負荷は、非常に大
きく、洗浄液等の供給量のわずかの変動で、故障する場
合がしばしばある。
【００１４】（４）第４は、洗浄後の清浄度に問題があ
る。前記した通り、大量の洗浄水（２５〜３０L／ｍｉ
ｎ）を使用し、かつ洗浄後のリンス洗浄を十分行なった
としても得られる清浄度には限界があり、平均的な清浄
度としては０．５個／ｃｍ2程度である。
【００１５】より高い清浄度（０．５μｍ以上の大きさ
のパーティクルについて０．０５個／ｃｍ2程度の清浄
度）が求められる場合には、従来の洗浄技術では、対応
できないという問題がある。さらに同一基板内において
も清浄度のばらつきがあり、図３４に示す基板１の進行
反対側ｂの部分が進行方向側の部分ａよりも清浄度が低
い。清浄度の分布状態は図３４（ｂ）に示すように進行
方向先端ａの部分ほど清浄度が高く、進行方向の後端ｂ
に向かうにつれ清浄度は悪くなる様な分布をしていると
いう問題があることがわかった。
【００１６】これは、供給ノズルから基板表面に供給さ
れた洗浄液が、図３４（ａ）に示すように大型基板表面
上に液膜となって基板エッジまで流れるうちに、一度除
去されたパーティクルが基板表面に再付着することに由
来している。
【００１７】そこで本発明者は、上記した従来の流体処
理装置及び流体処理方法の問題を解決し、処理用流体の
使用量を従来の１０分の１以下へと低減することがで
き、しかも従来よりも高い清浄度を得ることができる省
水型の流体処理装置、流体処理装置及び流体処理方法を
別途提案している（特願平８−３３４６３２号、特願平
８−３３８６９５号）。
【００１８】すなわち、この技術は、開口から臨んだ処
理用流体を被処理物に接触させた後、該処理用流体を前
記開口に引き戻す流体処理路と、処理用流体を前記流体
処理路へ導入する導入通路と、前記流体処理路から前記
開口内に引き戻した処理用流体を排出する排出通路とを
有し、さらに、前記被処理物と接触している処理用流体
の圧力と大気圧との差を制御して該処理用流体を前記流
体処理路の前記開口内に引き戻す圧力制御手段を有する
ことを特徴とする。
【００１９】前記特許出願における流体処理装置は、流
体として洗浄液を用いるものであり、その用途は洗浄を
目的とするものである。
【００２０】しかし、その後、かかる流体処理装置は、
液体のみならず他の流体にも適用可能であり、その用途
も洗浄以外の各種処理を目的とすることができることを
本発明者は見いだした。
【００２１】ところで、液体洗浄の場合もそうである
が、それ以外の場合における被処理物の流体処理におい
ては特に各種目的をもって処理用流体あるいは被処理物
に光（例えば紫外線）を照射することがある。処理用流
体が気体の場合を例にとってまず従来例から説明する。
【００２２】被処理物（たとえば半導体ウエハ、液晶デ
バイス用基板）に付着した有機物の除去を行う場合、オ
ゾンガスを被処理物に接触させることにより被処理物に
付着した有機物を炭化ガス、水分ガスに分解して有機物
の除去を行うが、具体的には図３６示すように行われ
る。すなわち、処理室内に被処理物を配置しておき、導
入口から酸素ガスを紫外線透過性の材料から構成された
処理室内に導入する。処理室内に導入した酸素ガスに紫
外線照射手段により紫外線を照射すると酸素ガスは分解
してオゾンガスが発生する。このオゾンガスが有機物の
分解に寄与し、有機物の分解により発生した炭化ガス、
水分ガスは排出口から排気される。
【００２３】しかし、排出口からの排気速度をできるだ
き速くしてもそれには限界があり、炭化ガス、水分ガス
は排出口から排気されるまでしばらく処理室内に滞留す
る。その結果、洗浄液の場合で述べたと同様に、炭化ガ
ス、水分ガスは被処理物に再付着してしまう。特に、水
分ガスが再付着して、液化するとその除去はきわめて困
難となる。すなわち、再付着した水分はある程度までは
除去可能であるが、最後の数分子層の水分の除去は排気
では行うことができないことを本発明者は別途確認して
いる。
【００２４】また、処理用流体が液体の場合にも、たと
えば殺菌などを目的として処理用流体あるいは被処理物
に光（例えば紫外線）を照射することがある。しかし、
従来の装置において光を照射した場合には、光の照射効
率が必ずしも良好ではない。たとえば殺菌を目的とした
場合には、殺菌数で照射効率を評価すると殺菌されない
菌が残留してしまう（すなわち殺菌効率が必ずしも高く
ない）。処理用流体がたとえばオゾンの場合には、オゾ
ンの発生率で照射効率を評価するとオゾンの発生率は満
足のいくものではない。その原因は明らかではないが、
被処理物に再付着した不純物あるいは被処理物から脱離
して処理用流体に浮遊する不純物が何らかの影響を与え
ているのではないかとも考えられる。
【００２５】また、一般的に処理室の容積は大きく、全
ての気体（例えば酸素）に光（例えば紫外線）を照射す
ることは困難であり、この点からも生成気体（例えばオ
ゾン）の発生効率を悪くしている。
【００２６】さらに、生成後の寿命の短い気体（例えば
オゾン）場合には、従来の装置では生成気体が最もよく
発生する場所（光照射手段の近傍）から被処理物までの
距離が長く、そのため最も濃度の濃い状態で被処理物に
生成気体を供給し接触させることができない。
【００２７】このように、光を照射する場合には、処理
用流体が気体であってもあるいは液体であっても従来の
技術では上記した問題が生じるが、本発明者が別途提案
した前記技術において光を照射した場合にはかかる問題
が発生しないことを本発明者は知見し、本流体処理装置
の発明をなすに至ったものである。
【００２８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、処理
用流体の使用量を従来の１０分の１以下へと低減するこ
とができる流体処理装置を提供することにある。
【００２９】本発明の他の目的は流体の使用量を１０分
の１よりさらに低減することができる流体処理装置を提
供することを目的とする。
【００３０】本発明の他の目的は各種処理（液体洗浄を
除く）を用途とする流体処理装置を提供することであ
る。
【００３１】本発明の他の目的は、光の照射効率を高め
ることができる流体処理装置を提供することにある。
【００３２】また、本発明の更に他の目的は、処理用流
体の使用量を従来の１０分の１以下へと低減することが
でき、高い清浄度を達成することが可能な洗浄処理シス
テムを提供することにある。
【００３３】
【課題を解決するための手段】 本発明の流体処理装置は、開口から臨んだ処理用流体
を被処理物に接触させた後、該処理用流体を前記開口に
引き戻す流体処理路と、処理用流体を前記流体処理路へ
導入する導入通路と、前記流体処理路から前記開口内に
引き戻した処理用流体を排出する排出通路とを有するこ
とを特徴とする被処理物の処理（液体洗浄を除く）を用
途とする。
【００３４】ここで、液体洗浄（液体洗浄については特
願平８−３３４６３２号、特願平８−３３８６９５号で
提案済みであるため本出願からは除く）以外の用途とし
ては、例えば、被処理物のエッチング、研磨、無電解め
っき、レジスト塗布・現像・剥離、薄膜のパターニング
または表面付着物の分析があげられる。すなわち、この
流体処理装置は、エッチング装置、研磨装置、無電解め
っき装置、レジスト塗布・現像・剥離装置、薄膜パター
ニング装置、分析装置である。
【００３５】流体として、エッチング装置、研磨装置、
めっき装置、レジスト剥離装置においては処理用流体と
してそれぞれエッチング液、研磨液、めっき液、レジス
ト剥離液を流体処理路に供給すればよい。
【００３６】レジスト塗布装置としては、処理用流体と
して流体のレジストを流体処理路に供給すればよく、レ
ジストを硬化させるためには、後述する光照射手段（例
えば赤外線照射手段）を更に設けて光をレジストに照射
すればよい。
【００３７】また、現像装置としては、光照射手段とし
て例えばレーザ照射手段を設けておき、パターンマスク
を介してレーザをレジストに照射すればよい。
【００３８】薄膜パターニング装置としては、レジスト
を開口した後、ＣＶＤ用気体を流体処理路に供給すれば
よい。光ＣＶＤの場合には光照射手段を設ければよい。
【００３９】分析装置としては、流体処理路に高純度
（例えば不純物濃度数ｐｐｔ）の不活性ガスを供給し、
被処理物上の測定対象物を該ガス中に取り込み、測定対
象物を取り込んだガスを排出通路から外部の分析装置に
送り込み測定対象物の元素種類・数などを分析すればよ
い。
【００４０】上記各種用途に用いる場合流体処理装置
を次のように構成すれば便宜である。すなわち、開口か
ら臨んだ処理用流体を被処理物に接触させた後、該処理
用流体を前記開口に引き戻す流体処理路と、処理用流体
を前記流体処理路へ導入する導入通路と、前記流体処理
路から前記開口内に引き戻した処理用流体を排出する排
出通路とを有し、前記流体処理路に処理用流体に光を照
射する光照射手段を設ける。
【００４１】本流体処理装置を使用するに際し、開口か
ら臨んだ処理用流体を被処理物に接触させた後、該処理
用流体を前記開口に引き戻すには、開口の径、被処理物
と開口との距離、処理用流体の圧力を適宜調整すればよ
い。具体的流体処理装置ごとに実験などで求めておけば
よい。
【００４２】より簡便に行うためには、被処理物と接触
している処理用流体の圧力と大気圧との差を制御して該
処理用流体を前記流体処理路の前記開口内に引き戻す圧
力制御手段を設けておけばよい。
【００４３】なお、ここで、光としては、可視光、非可
視光のどちらでもよい。被処理物の処理目的に応じ、例
えば、紫外線、赤外線、レーザ光（例えばエキシマレー
ザ光）などが適宜用いられる。
【００４４】また、光照射手段は前記流体処理路に着脱
自在に設けておけば、光照射手段を取り外して超音波素
子を取り付ければ洗浄効率の高い超音波素子を具備した
洗浄処理装置としても利用することができるため汎用性
を持たせることができ、経済的である。
【００４５】本発明の洗浄処理システムは、開口から
臨んだ処理用気体を被処理物に接触させた後、該処理用
気体を前記開口内に引き戻す気体処理路と、処理用気体
を前記気体処理路へ導入する導入通路と、前記気体処理
路から前記開口内に引き戻した処理用気体を排出する排
出通路とを有し、前記気体処理路に処理用気体に光を照
射する光照射手段を設けてなる気体処理装置に、前記気
体処理装置で処理された被処理物を洗浄液によって洗浄
処理するための洗浄処理装置を連設したことを特徴とす
る。
【００４６】ここで、洗浄処理装置としては、開口臨ん
だ洗浄液を被処理物に接触させた後、該洗浄液を前記開
口内に引き戻す洗浄処理路と、洗浄液を前記洗浄処理路
へ導入する導入通路と、前記洗浄処理路から前記開口内
に引き戻した洗浄液を排出する排出通路とを有している
洗浄処理装置を用いることが好ましい。
【００４７】もちろんこの洗浄処理装置には、被処理物
と接触している洗浄液の圧力と大気圧との差を制御して
前記洗浄液を前記洗浄処理路の前記開口内に引き戻す圧
力制御手段を設けることが好ましい。
【００４８】本発明者は、たとえば流体処理の一つの態
様である洗浄に関し次のような知見を得た。すなわち、
従来の洗浄装置により洗浄を行っても高い清浄度が得ら
れない理由を考察したところ次のような理由に基づくの
であろうとの知見を得た。すなわち、従来のノズルの開
口１０６から洗浄液が供給されると、基板１の先端側
（ａ）が洗浄されるが、基板１は矢印Ａ方向に進行して
いるため、表面を洗浄した洗浄後の洗浄液は、基板１の
表面をなめるように基板１の後端ｂに運ばれる。洗浄後
の洗浄液はパーティクルを含んでいるためｂ端側に向か
うときにそのパーティクルは基板１の表面に再付着して
しまう。後端ほど洗浄後の洗浄液中へのパーティクルの
蓄積量は増えるわけであるから再付着量も増加し清浄度
も悪くなる。
【００４９】このように、清浄度を悪くし、リンス洗浄
液の消費量を多大たらしめている原因が一旦除去したパ
ーティクルなどの再付着にあることを本発明者は解明し
た。
【００５０】そこで、本発明では、処理用流体を被処理
物に順次供給する流体処理方法において、流体処理供給
ノズルから被処理物に供給した処理用流体を、処理用流
体を供給した部分以外の部分に実質的に接触させること
なく被処理物上から除去することにより再付着を防止せ
んとするものである。すなわち、流体処理に寄与した処
理用流体を直ちに系外に運び去ることにより再付着を防
止せんとするものである。
【００５１】また、光照射手段により処理用流体に光を
照射することにより、より高い照射効率で光を照射し、
ひいては、たとえばオゾンの発生効率、処理用流体中の
殺菌率を高めるものである。
【００５２】さらに、光照射手段から被処理物までの距
離が従来に比べると極めて短くなるため例えばオゾンの
寿命がつきる前にオゾンを被処理物に供給することがで
き、そのため効率よく被処理物の処理を行うことができ
る。
【００５３】再付着を防止するための技術として本発明
者は、上記流体処理装置および洗浄処理システムを開発
した。
【００５４】本発明の流体処理装置は、開口から臨ん
だ処理用流体を被処理物に接触させた後、該処理用流体
を前記開口に引き戻す流体処理路と、処理用流体を前記
流体処理路へ導入する導入通路と、前記流体処理路から
前記開口内に引き戻した処理用流体を排出する排出通路
とを有し、前記開口の開口面積を変動可能としたことを
特徴とする。
【００５５】例えば半導体ウエハのように被処理物の径
が変化する場合がある。その場合、径が変化し、必要と
する処理用流体量が変わるにもかかわらず常に一定量の
処理用流体を開口から被処理物に供給することは処理用
流体の無駄となる。そこで、被処理物の径に応じて開口
の面積を変動させるようにすれば、径の小さいところで
は処理用流体の供給量を減らすことができ、より一層処
理用流体の使用量を減らすことができる。開口の面積を
変動させるためには開口に可動性を有する蓋のようなも
のを設けておけばよい。
【００５６】本発明の流体処理装置は、開口から臨ん
だ処理用流体を被処理物に接触させた後、該処理用流体
を前記開口に引き戻す流体処理路と、処理用流体を前記
流体処理路へ導入する導入通路と、前記流体処理路から
前記開口内に引き戻した処理用流体を排出する排出通路
と、前記開口の周辺に設けられた液だめとを有すること
を特徴とする。
【００５７】このように、開口の周辺に液だめを設けて
おくと、処理後の処理用流体は排出通路のみから排出さ
れることなく開口周辺から均一に液だめに集まり、液だ
めから排出される。従って、処理用流体の流れが均一化
され被処理物の均一処理が可能となる。
【００５８】また、流体処理装置の外部に漏れかねない
流体処理路中の処理用流体は液だめに溜められるため外
部への漏れを防止することが可能となる。
【００５９】なお、液だめに毛細管現象を生じる細溝を
設けておくと液だめに溜まる処理用流体は毛細管現象に
より該細溝中に吸い上げられるためより一層処理用流体
の外漏れ防止に役立つ。
【００６０】本発明の流体処理装置は、開口から臨ん
だ処理用流体を被処理物に接触させた後、該処理用流体
を前記開口に引き戻す流体処理路と、処理用流体を前記
流体処理路へ導入する導入通路と、前記流体処理路から
前記開口内に引き戻した処理用流体を排出する排出通路
と、前記流体処理路に連通する気液界面位置調整用の圧
力調整口と、前記開口の周辺に設けられた液だめとを有
し、前記流体処理路と前記排出通路とは前記液だめを介
して連通していることを特徴とする。
【００６１】処理用流体により被処理物を処理する場
合、処理用流体中に気泡が発生する場合がある。例えば
処理用流体が被処理物あるいはその表面に付着ないし形
成されている物資と反応して反応生成物として気体を生
成するような場合である。
【００６２】処理用流体の出口は排出通路であるためか
かる気体は逃げ道がなく、処理用液体中に含まれたまま
の状態となる。かかる気体が処理用液体中に存在する
と、被処理物表面に付着して処理用流体と被処理物表面
との本来の反応を遅らせる。そのため、例えば被処理物
の洗浄効率を低下せしめたりする。また、流体処理路中
における圧力の制御が困難となる。さらに、必要以上に
多くの気体を含んだままの処理用液体に超音波を付与す
るとキャビティーションにより、超音波の減衰が大き
く、粒子除去などに働く力が低下し十分な洗浄効果を達
成することができなくなる。
【００６３】しかるに、本発明では、流体処理路に連通
する気液界面位置調整用の圧力調整口を設けてある。従
って、圧力調整口の圧力を調整することにより流体処理
路中には気体部と液体部とを形成させることができる。
そのため被処理物の処理により発生した気体は液体部か
ら気体部に抜け、気体部から必要に応じてさらに圧力調
整口を介して外部へ排出される。この結果、処理用流体
内に存在する気体量が制御でき、結果として必要十分な
キャビティーション効果を引き出すことができる。
【００６４】また、超音波を付与した場合、気体部と液
体部との界面である気液界面は振動自由界面となりキャ
ビティーション効果がより有効に生じ、その点からも洗
浄効果の向上が達成される。
【００６５】なお、圧力調整口における圧力を適宜調整
することにより気体部と液体部との割合を任意に調整す
ることができる。その際気体部と排出通路とが直接連通
しないようにしておけば気体は排出通路へは流れずに圧
力調整口からのみ排出される。圧力調整口は流体処理装
置の天井部に設けることが好ましい。
【００６６】一方、処理後の処理用液体は開口の周辺に
設けられた液だめに集まり、そこから排出通路を流れて
排出される。液だめと排出通路とを毛細管現象が生じる
細溝を介して連通しておいた場合には液だめに集まった
処理後の処理用液体は液だめから落下することなく毛細
管現象により排出通路に吸い上げられる。
【００６７】なお、本発明において、処理用流体は、気
体、液体、気体と液体との混合物、各種懸濁液、ペース
ト状物などその形態は問わない。以下に実施例により詳
細に説明する。
【００６８】
【実施例】
（実施例１）流体処理装置の実施例を図１及び図２に示
す。図１は流体処理装置の側断面図であり、図２（ａ）
は下面図、図２（ｂ）は平面図である。
【００６９】図１において、２が流体処理装置である。
この流体処理装置２は、ノズル本体５０と光照射手段８
０とから構成されている。
【００７０】ノズル本体５０は、開口６から臨んだ処理
用流体を被処理物１に接触させた後、該処理用流体を開
口６に引き戻す流体処理路１４と、処理用流体を前記流
体処理路１４へ導入する導入通路１０と、前記流体処理
路１４から前記開口６内に引き戻した処理用流体を排出
する排出通路１２とを有している。
【００７１】そしてノズル本体５０の外部には処理用流
体に光を照射するための光照射手段８０を設けてある。
【００７２】流体処理装置２から被処理物（基板）１に
供給した処理用流体５’を、処理用流体を供給した部分
（開口６）以外の部分に接触させることなく被処理物
（基板）１上から除去される。不純物を含まない処理用
流体に光を照射することができ照射効率を高めることが
できる。
【００７３】なお、ノズル本体５０の開口近傍における
天井１８の形状としてコアンダ効果が生じる様な形状に
すれば圧力の均衡が取りやすく、また、流体処理路１４
に入った気泡や発生した気泡が容易に除去できるように
なりより好ましい。
【００７４】図２からわかるように、本例では、導入通
路１０が平行に３本設けられている。
【００７５】排出通路１２も導入通路１０と対向してそ
れぞれ平行に３本設けられている。このように、流体処
理装置２の長手方向（図２における図面上下方向）に向
かって複数の導入通路、排出通路を設けることにより長
手方向における洗浄効率を均一にすることができる。
【００７６】なお、ノズル本体５０は光を透過し得る材
料から構成される。
【００７７】導入通路１０が基板１となす角θ1は０〜
９０°の範囲で適宜選択可能であ る。
【００７８】一方、排出通路１２と基板１となす角度θ
2は０〜９０°の範囲で適宜選択可能である。
【００７９】導入通路１０が基板１となす角はθ1と排
出通路１２と基板１とのなす角度θ2は、処理用流体の
基板への接触効率と処理物の排出効率、流体処理路の形
状、開口の形状、面積等から任意に設定する。
【００８０】流体処理路１４を形成する被処理物（基
板）に対向する天井部１８の最も被処理物（基板）１に
近い部分と、開口６の被処理物（基板）１に近い部分と
の距離Ｈ2は、好ましくは１〜５０ｍｍで、より好まし
くは２ 〜２０ｍｍである。ただし、距離Ｈ2を１ｍｍよ
りも小さくしすぎると処理用流体が流れにくくなり、処
理用流体の基板への接触効率と処理物の排出効率が悪く
なる。一方、距離Ｈ2が、大きくなりすぎると多量の処
理用流体が流体処理装置２に存在することになり、流体
処理装置２が重くなってしまい、流体処理装置２の移動
等に支障がでる。
【００８１】また、Ｈ1（被処理物１と開口６との距
離）としては０．１〜５ｍｍが好ましく、１〜２ｍｍが
より好ましい。
【００８２】Ｈ1の値は、搬送機の振動、基板自体の凹
凸などで一定でないことがある。そのため、Ｈ1を測定
するためのセンサーを設けておくとともに、センサーか
らの信号に応じて、流体処理装置２を被処理物１から脱
離、接近させるための手段を設けておくことが好まし
い。なお、上記測長器は図２（ａ）に示す図面において
ノズル本体５０を挟んで上下に少なくとも２個所設ける
ことが好ましい。なぜなら、被処理物１と開口６との距
離を流体処理装置全体で一定とし、確実に処理用流体の
流れを制御するためである。また、測長精度は０．１ｍ
ｍ以下であることが好ましい。なぜなら、流体処理装置
と被処理物の好ましい距離の下限として０．１ｍｍがよ
く、この距離を確実に制御するためである。
【００８３】また、図１において、１９は、接触防止用
ガス噴出部である。この接触防止用ガス噴出部は、開口
６の大気と接触している被処理用流体の圧力ＰWと大気
圧ＰAとの均衡がとれなくなり、被処理物１が持ち上げ
られる際に、開口６と被処理物１とが接触しないように
少なくとも導入通路１０側又は排出通路側のいずれか一
方に設ける。かかる用途に使用するガスとしては窒素ガ
スあるいは不活性ガスが好ましく、不純物（特に水分）
を含まない空気でもよい。
【００８４】（実施例２）流体処理装置の他の実施例を
図３に示す。図３において、２が流体処理装置である。
この流体処理装置２は、光照射手段８０を設けたノズル
本体５０と圧力制御手段１３とから構成されている。
【００８５】ノズル本体５０は、開口６から臨んだ処理
用流体を被処理物１に接触させた後、該処理用流体を開
口６に引き戻す流体処理路１４と、処理用流体を前記流
体処理路１４へ導入する導入通路１０と、前記流体処理
路１４から前記開口６内に引き戻した処理用流体を排出
する排出通路１２とを有しており、ノズル本体５０には
前記処理用流体に光を照射するための光照射手段８０を
設けてなる。
【００８６】本例では、圧力制御手段１３は、被処理物
１に接触した処理用流体が流体処理後に、該排出通路１
２に流れるように、開口６の大気と接触している処理用
流体の圧力（処理用流体の表面張力と被処理物の処理面
の表面張力も含む）と大気圧との均衡がとれるように少
なくとも排出通路１２側に設けてある。
【００８７】本例では、圧力制御手段は１３は排出口１
５側に設けられた減圧ポンプ１７により構成されてい
る。すなわち、減圧ポンプ１７の吸引圧力を制御するこ
とにより被処理用流体の圧力ひいては大気圧と被処理物
１に接触している処理用流体の圧力との差を制御する。
【００８８】すなわち、排出通路１２側の圧力制御手段
１３に減圧ポンプ１７を用いて、減圧ポンプ１７で、流
体処理路１４の処理用流体を吸引する力を制御して、開
口６の大気と接触している処理用流体の圧力（処理用流
体の表面張力と被処理物の処理面の表面張力も含む）と
大気圧との均衡をとるようになっている。つまり、開口
６の大気と接触している処理用流体の圧力Ｐw（処理用
流体の表面張力と被処理物の処理面の表面張力も含む）
と大気圧ＰAとの関係 をＰw≒ＰAとすることにより、開
口６を介して基板１に供給され、基板１に接触した被処
理用流体は、流体処理装置２の外部に漏れることなく、
該排出通路１２に排出される。
【００８９】なお、本例でも流体処理路１４の天井１８
の形状としてコアンダ効果が生じる様な形状にすれば圧
力の均衡が取りやすく、流体処理路１４に入った気泡又
は発生した気泡が容易に除去できるようになりより好ま
しい。他の点は実施例１と同様である。
【００９０】（実施例３）図４に他の実施例を示す。本
例は、被処理物１と接触している処理用流体の圧力と大
気圧との平衡をより簡単な系で制御することができる実
施例である。主に処理用流体が液体である場合に有効で
ある。
【００９１】排出通路１２側の圧力制御手段１は開口６
と排出通路１２の端部（大気に解放される部分）との高
低差により発生するサイフォンの原理に基づく被処理用
流体自身の重量による流体処理路１４の被処理用流体を
吸引する力を高低差で制御して、開口６の大気と接触し
ている処理用流体の圧力（処理用流体の表面張力と被処
理物の処理面の表面張力も含む）と大気圧との均衡をと
るようになっている。
【００９２】より具体的に述べると、排水装置２７とノ
ズル本体５０の排出口１５とは排水配管２５を介して接
続され、排水装置２７は保持体２８により保持されてい
る。保持体２８は図面上下にスライド可能に例えば支柱
に取り付けられる。
【００９３】排水装置２７の先端部にはバルブ３０が取
り付けてあり、このバルブ３０は、バルブ開閉駆動装置
２９により開閉が行われる。
【００９４】一方、本実施例では制御装置２２を有して
おり、制御装置２２は導入通路１０における処理用流体
の圧力を探査するための圧力センサ２４からの信号に基
づき、ロボットおよびバルブ開閉装置２９を駆動する。
ロボットは保持体２８を上下動させるためのものであ
る。バルブ３０開の場合に、排水装置２７の上下動によ
り被処理物と接触している処理用流体の圧力を制御する
ことができる。
【００９５】（実施例４）図５、図６に他の実施例を示
す。図５は断面図、図６は平面図である。図５におい
て、２が流体処理装置である。この流体処理装置２は、
次のように構成されている。
【００９６】すなわち、この流体処理装置２は、ノズル
本体５０と光照射手段８０と光照射手段８０を着脱自在
に取り付けるための取付案内８５と圧力制御手段１３と
から構成されている（図５（ｂ））。
【００９７】光照射手段８０は取付案内８５に沿って紙
面上垂直にスライドさせれば脱着を行うことができる。
【００９８】光照射手段８０を取り外し後に、たとえば
薬液洗浄を行いたい場合には、光照射手段を取り外し、
同じ位置にたとえば超音波素子１６を取り付けることが
できる。
【００９９】なお、超音波素子を取り付ける場合は、超
音波素子１６は、１９ｋＨｚ以上の周波数の超音波を出
力するものが好ましい。より好ましくは、０．２〜５Ｍ
Ｈｚの周波数のメガソニック超音波素子である。
【０１００】超音波素子１６が基板１となす角はθ3は
０〜９０°の範囲で適宜選択可能である。好ましくは、
２〜４５°の範囲が望ましい。
【０１０１】このようにメガソニックの超音波素子を付
与した場合には、清浄度の向上効果が著しい。
【０１０２】図６に示す例は、光照射手段８０あるいは
超音波素子１６を１個設けた例であるが、図７には複数
個設ける例を示す。図６に示す例は３個の光照射手段８
０ａ，８０ｂ，８０ｃを長手方向（図面上上下方向）に
並べて設けた例である。このように複数個設けた場合に
は、光の波長、出力をそれぞれ適宜変えることができる
ため均一な洗浄を行うことができる。
【０１０３】なお、長手方向のみならず、横方向に複数
個を並べて設けてもよい。また、長手方向、横方向とも
に複数個を並べて設けてもよい。
【０１０４】また、複数個のうち一つは光照射手段、他
は超音波素子として、光照射手段と超音波素子とを同時
に取り付けてもよい。
【０１０５】（実施例５）図８に次の実施例を示す。本
実施例では、処理用流体の圧力と大気圧との差を制御す
るための手段は、排出通路１２側下流に設けられた減圧
ポンプ（本例では排水ポンプ）１７と、導入通路１０側
上流に設けられた供給ポンプ３３とから構成し、さらに
被処理物１と接触している処理用流体の圧力を探知する
ための圧力センサ３１を設け、該圧力センサ３１からの
信号により該減圧ポンプ１７該供給ポンプ３３の駆動を
制御するための制御装置３２を設けたものである。
【０１０６】図３に示す場合は、導入口７側の処理用流
体の圧力が一定の場合に有効であるが、本例の場合に
は、導入側の処理用流体圧力をも探知しているためより
精密な圧力制御が達成され優れた清浄度が得られる。
【０１０７】（実施例６）図９に示す例は、被処理物１
の処理面に対向する天井の部分を 複数の段差４０ａ，
４０ｂ，４０ｃ，４１ａ，４１ｂ，４１ｃとしてある。
そして、図面上では右下がりの段差天井部４０ａ，４０
ｂ，４０ｃにそれぞれ光照射手段８０ａ，８０ｂ，８０
ｃが設けてある。
【０１０８】本実施例では、天井の右肩下がりの部分に
光照射手段８０ａ，８０ｂ，８０ｃを設けてあるため導
入通路１０から流体処理路１４に供給される処理用流体
と対し対向するように超音波を付与することができると
同時に、天井を段差形状としているため光照射手段と被
処理物１とのギャップがほぼ均一となり均一な照射を行
うことができる。
【０１０９】また、８０ａ，８０ｂ，８０ｃは出力、波
長の異なった光によって構成されていてもよい。
【０１１０】さらに、光照射手段は少なくとも一つ設け
ればよく、他はたとえば超音波素子としてもよい。
【０１１１】また、図９に示す例では、導入通路１０と
排出通路１２のそれぞれ流体処理路１４に臨む部分に処
理用流体の流れを均一にするための整流部４を設けた。
この整流部４は、例えば、フィルター、スリットなどで
構成すればよい。
【０１１２】（実施例７）図１０に流体処理装置の他の
例を示す。この形態では、排出通路１２が被処理物（基
板）１に対して垂直に設けられており、この排出通路１
２を挟んで対称的に導入通路１０ａ，１０ｂが設けられ
ている。
【０１１３】この形態では、処理用流体は左右の導入通
路１０ａ，１０ｂから対向して被処理物（基板）１上に
供給されるため処理用流体（特に洗浄液）の漏れがより
一層少なくなり、処理後の処理用流体はより速やかに排
出通路１２に運び去られる。２つの光照射手段から照射
する光の出力、波長は同じであっても異なっていてもよ
い。２つの光照射手段はパルス状に一定時間交互に照射
または同時に照射させてもよい。
【０１１４】（実施例８）図１１に流体処理装置の他の
例を示す。この形態では、導入通路１０が被処理物１に
対して垂直に設けられており、この導入通路１０を挟ん
で対称的に排出通路１２ａ，１２ｂが設けられている。
【０１１５】（実施例９）図１２に流体処理装置の他の
変形例を示す。本例は、基本構造が図１０に示す構造と
同様であり、向かい合う２つの導入通路１０ａ，１０ｂ
を挟んで排出通路１２ａ，１２ｂが設けられている。
【０１１６】ただ本例では、導入通路１０ａ，１０ｂの
それぞれの出口と、排出通路１２ａ，１２ｂの入口との
距離が図１０に示した場合よりも短くしてある。従っ
て、導入通路１０ａ，１０ｂから導入された処理用流体
はより効率よく排出通路１２ａ，１２ｂに排出される。
【０１１７】なお、図１２では、排出通路を導入通路で
はさむ構造としたが、逆に導入通路を排出通路ではさむ
構造としてもよい。
【０１１８】（実施例１０）図１３に流体処理装置のさ
らに他の変形例を示す。本例に示す流体処理装置２は主
に水平搬送される被処理物１の裏面流体処理に好適に用
いられる。
【０１１９】この例では、導入通路１０が中央に設けら
れ、その両サイドに排出通路１２ａ，１２ｂが導入通路
１０を挟んで導入通路１０と平行に設けられている。ま
た、導入通路１０の出口の高さは、排出通路１２ａ，１
２ｂの入口の高さより少し下がった位置に設けてある。
その高さの差ｋとしては０．１〜２ｍｍが好ましい。
【０１２０】（実施例１１）流体処理装置の他の実施例
を図１４及び図１５に示す。本実施例は処理用流体が液
体である場合に好適に用いられる。
【０１２１】図１４は側断面図であり、図１５（ａ）は
下面図、図２（ｂ）は平面図である。
【０１２２】図１４において、２が流体処理装置であ
る。本例の流体処理装置２と実施例１において示した流
体処理装置とは開口が異なる。
【０１２３】すなわち、基本的構成は実施例１と同様
に、ノズル本体５０は、開口６から臨んだ処理用流体を
被処理物１に接触させた後、該処理用流体を開口６に引
き戻す流体処理路１４と、処理用流体を前記流体処理路
１４へ導入する導入通路１０と、前記流体処理路１４か
ら前記開口６内に引き戻した処理用流体を排出する排出
通路１２とを有している。そしてノズル本体５０の外部
には処理用流体に光を照射するための光照射手段８０を
設けてある。
【０１２４】ただ、本実施例において開口６の形状は図
１５（ａ）に示すようにメッシュ状である。図１５
（ａ）に示す例では、長手方向に７つの大きな円形の孔
６Ｌが２列に並んでおり、さらに円同士の隙間を埋める
ように小さな円形の孔６Ｍとさらに小さな円形の孔６Ｓ
とを設けてあり、開口面積の合計をできるだけ大きくし
てある。
【０１２５】メッシュの大きさを一定の大きさ以下にし
ているため、処理用流体は被処理物１の表面に接触する
が、流体処理装置に被処理物１から離しても開口からは
表面張力のため滴下しないようにできる。したがって、
流体処理路１４から外部への液漏れということもない。
【０１２６】かかる作用を呈するならばメッシュ形状は
図１５（ａ）に示す形状に限定されるものではない。処
理用流体の種類により孔の形状、大きさ、個数を適宜選
択すればよい。
【０１２７】ただ、図１５（ａ）に示すように開口面積
の合計をできるだけ大きくすることが光線を照射した場
合効率よく照射することができるので好ましい。
【０１２８】メッシュは、例えば板にパンチングなどに
より穴をあけることにより形成すればよい。また、エッ
チング技術を用いて形成してもよい。他の点は実施例１
と同様である。
【０１２９】（実施例１２）図１６に他の実施例を示
す。本例も処理用流体が液体である場合に特に有効であ
る。
【０１３０】図１６に示す例は、被処理物１の処理面に
対向する天井の部分を複数の段差４０ａ，４０ｂ，４０
ｃ，４１ａ，４１ｂ，４１ｃとしてある。そして、図面
上では右下がりの段差天井部４０ａ，４０ｂ，４０ｃに
それぞれ光照射手段８０ａ，８０ｂ，８０ｃが設けてあ
る。
【０１３１】本実施例では、天井の右肩下がりの部分に
光照射手段８０ａ，８０ｂ，８０ｃを設けてあるため導
入通路１０から流体処理路１４に供給される処理用流体
と対し対向するように光を照射することができると同時
に、天井を段差形状としているため光照射手段と被処理
物とのギャップがほぼ均一となり均一な洗浄を行うこと
ができる。
【０１３２】また、８０ａ，８０ｂ，８０ｃは光の波長
の異なった光照射手段によって構成されていてもよい。
【０１３３】また、図１６に示す例では、導入通路１０
と排出通路１２のそれぞれ流体処理路１４に臨む部分に
処理用流体の流れを均一にするための整流部４を設け
た。この整流部４は、例えば、フィルター、スリットな
どで構成すればよい。
【０１３４】開口は、６ａ，６ｂ，６ｃに示すように、
実施例１１と同様なメッシュ状である。
【０１３５】（実施例１３）図１７に流体処理装置の他
の例を示す。この形態では、排出通路１２が基板１に対
して垂直に設けられており、この排出通路１２を挟んで
対称的に導入通路１０ａ，１０ｂが設けられている。
【０１３６】この形態では、処理用流体は左右の導入通
路１０，１０から対向して基板１上に供給されるため処
理用流体の漏れがより一層少なくなり、流体処理後の処
理用流体はより速やかに排出通路１２に運び去られる。
【０１３７】２つの光照射手段から照射する出力、波長
は同じであっても異なっていてもよい。２つの光照射手
段はパルス状に一定時間交互に照射または同時に照射さ
せてもよい。
【０１３８】開口は、６ａ，６ｂに示すように、実施例
１１と同様なメッシュ状である。
【０１３９】（実施例１４）図１８に流体処理装置の他
の例を示す。この形態では、導入通路１０が基板１に対
して垂直に設けられており、この導入通路１０を挟んで
対称的に排出通路１２ａ，１２ｂが設けられている。
【０１４０】開口は、６ａ，６ｂ，に示すように、実施
例１１と同様なメッシュ状である。
【０１４１】（実施例１５）図１９に他の実施例を示
す。本例も処理用流体が例えば純水のような液体である
場合に特に有効である。
【０１４２】本例は、液漏れを防止するために開口６の
周縁に細毛１２０を設けた例である。
【０１４３】すなわち、ノズル本体５０は、開口６から
臨んだ処理用流体を被処理物１に接触させた後、該処理
用流体を開口６に引き戻す流体処理路１４と、処理用流
体を前記流体処理路１４へ導入する導入通路１０と、前
記流体処理路１４から前記開口６内に引き戻した処理用
流体を排出する排出通路１２とを有している。
【０１４４】そしてノズル本体５０の外部には処理用流
体に光を照射するための光照射手段８０を設けてある。
【０１４５】かつ、開口６周縁に細毛１２０を被処理物
１の処理面の法線に平行に設けてある。
【０１４６】被処理物１の処理面と接触している処理用
流体は、細毛１２０のため系外に漏れることなく、排出
通路１２から排出される。
【０１４７】細毛１２０は、撥水性の材料により構成す
ることが液漏れがより一層防止されるため好ましい。た
とえばテフロンＰＦＡ｛−（ＣＦ2−ＣＦ2）m−（ＣＦ2
−ＣＦＯＲ2）n−｝、ＰＴＦＥ｛−ＣＦ2−ＣＦ2）
n−｝、ナイロンが好ましい 。細毛１２０の線径として
は０．０１ｍｍ〜０．１ｍｍが好ましい。０．１ｍｍを
越えると被処理物１に接触したときに被処理物１に損傷
を与えることがある。０．０１ｍｍ未満でもよいが、
０．０１ｍｍ未満では強度が低下してくることがある。
また、細毛の長さ、植毛の密度は任意に選択して設け
る。長さは、１〜２ｍｍ程度が好ましい。
【０１４８】なお、細毛１２０は、図１９に示す構造に
設けたが、他の実施例に示した基本構造に設けてもよい
ことは言うまでもない。
【０１４９】（実施例１６）図２０に他の実施例を示
す。本例では、実施例１５で示した細毛に替えてフィル
ム１３０を用いている。他の点は実施例１５と同様であ
る。
【０１５０】（実施例１７）図２１に他の実施例を示
す。本例は、補助通路設けることにより空気の巻き込み
を防止せんとするものである。
【０１５１】ノズル本体５０は、開口６から臨んだ処理
用流体を被処理物１に接触させた後、該処理用流体を開
口６に引き戻す流体処理路１４と、処理用流体を前記流
体処理路１４へ導入する導入通路１０と、前記流体処理
路１４から前記開口６内に引き戻した処理用流体を排出
する排出通路１２ａ，１２ｂとを有しており、ノズル本
体５０の外部には処理用流体に光を照射するための光照
射手段８０を設けてあり、かつ、少なくとも排出通路１
２ａ，１２ｂ側における排出通路１２ａ，１２ｂと被処
理物１との間に、流体処理路１４に連通する補助通路１
４０ａ，１４０ｂを設けてある。
【０１５２】何らかの理由で被処理物１と接触している
処理用流体の圧力と大気圧との均衡がとれず大気圧が高
くなると空気は流体処理路１４に流入し処理用流体中に
巻き込まれる。
【０１５３】処理用流体の圧力を探知するためのセンサ
を流体処理路１４に設けておけば圧力の均衡状態を知る
ことができる。
【０１５４】圧力の均衡が破れそうな場合には補助通路
から処理用流体を流体処理路に注入してやれば圧力均衡
を保つことが可能となる。
【０１５５】なお、図２１では導入通路１０を二つの排
出通路１２ａ，１２ｂで挟んだ基本構造に補助通路１４
０ａ，１４０ｂを設けた例を示したが、図１に示した導
入通路と排出通路がそれぞれ一つである基本構造に補助
通路を設けてもよいことはいうまでもない。
【０１５６】（実施例１８）図２２に他の実施例を示
す。図２２（ａ）は断面図、図２２（ｂ）は平面図であ
る。
【０１５７】本例では、ノズル本体５０は、開口６から
臨んだ処理用流体を被処理物１に接触させた後、該処理
用流体を開口６に引き戻す流体処理路１４と、処理用流
体を前記流体処理路１４へ導入する導入通路１０と、前
記流体処理路１４から前記開口６内に引き戻した処理用
流体を排出する排出通路１２とを有しており、そしてノ
ズル本体５０の外部には処理用流体に光を照射するため
の光照射手段８０を設けてあり、かつ、被処理物１の処
理面に平行に処理用流体が流れる平行流部１６０を形成
してある。
【０１５８】平行流により処理用流体が導入されると処
理された後の処理用流体と新しく導入された処理用流体
との置換が効率よく行われるれるため被処理物１は絶え
ず新しい処理用流体で流体処理を行うことができる。
【０１５９】平行流部１６０の長さＬxのとしては１ｍ
ｍ〜１０ｍｍ程度が好ましい。１ｍｍ未満では、流れの
方向の制御が難しい。１０ｍｍを越えると、ノズル形状
が大きくなり好ましくない。
【０１６０】また、平行流部１６０を流れる処理用流体
は、平行流部１６０において被処理物１に接触させて流
すこともできるし、接触させずに流すこともできる。
【０１６１】図２２に示す例では、平行流部１６０の上
部長さＬxと下部の長さＬyとがほぼ等しくなっているの
である。したがって、平行流部１６０のうち長さＬy＝
Ｌxの場合は平行流部１６０において処理用流体は被処
理物と接触せずに流体処理路１４に導入される。かかる
場合、処理用流体が被処理物と平行になるように制御さ
れ流体処理路に入り、開口で被処理物に接し、排出通路
に流れるため洗浄効率が高まる。
【０１６２】一方、図２３に示す例ではＬy＝０であ
る。すなわち、平行流部で、処理用流体が被処理物に接
触して流れる。
【０１６３】なお、本例では、メッシュは開口６より少
し奥側に形成されている。つまり、排出通路１２の始ま
り近傍にメッシュ状の開口を有するメッシュ板１６５を
設けてある。このようにすることにより処理液を停止さ
せても光照射手段の近傍から処理液が排出通路に設けて
あるバルブを閉めた際に処理液が無くなることを防止す
ることができる。
【０１６４】また、排出通路１２は２段階の太さを有し
ており、流体処理路１４側では太く、排出口１５側では
細くなっている。これは、光を効率的に照射できる位置
に光照射手段８０を設置するためであり、また、流体処
理後の処理用流体を速やかに排出口１５側に排出させる
ためである。
【０１６５】（実施例１９）図２４に他の実施例を示
す。
【０１６６】本例では、一端に処理用流体を導入するた
めの導入口７ａ，７ｂを有する導入通路１０ａ，１０ｂ
と一端に流体処理後の処理用流体を流体処理の系外へ排
出するための排出口１５を有する排出通路１２とを形成
し、導入通路１０ａ，１０ｂと排出通路１２とをそれぞ
れの他端において交差せしめて流体処理路１４を形成す
るとともに流体処理路１４に、被処理物１に向けて開口
する開口６を設け、かつ、開口６の周縁に、周縁から内
側に向かい、外面が被処理物１の処理面と平行な面とな
る内側延在部１７０を設けてある。
【０１６７】かかる内側延在部１７０を設けた場合に
は、被処理物１に接触している処理用流体と大気側との
間は、被処理物１と内側延在部との間の極めて小さな隙
間を介してのみ通じているいるにすぎないため大気側か
らの空気の処理用流体中への巻き込みを防止することが
できる。また、処理用流体の大気側への漏れをも防止す
ることができる。
【０１６８】図２５は、内側延在部１７０を、導入通路
１０ａ，１０ｂ形成部材とは別材料で構成した例を示し
ている。導入通路の形成部材としては、光透過性の材料
が用いられるが、内側延在部は、撥水性材料で形成する
ことが好ましい。例えば、ＰＴＦＥ、ＰＶＤＦ｛−（Ｃ
ＦＨ−ＣＨ2）n−｝、ＰＦＡが好ましい。
【０１６９】（実施例２０）図２６に他の実施例を示
す。
【０１７０】本例では、ノズル本体５０は、開口６から
臨んだ処理用流体を被処理物１に接触させた後、該処理
用流体を開口６に引き戻す流体処理路１４と、処理用流
体を前記流体処理路１４へ導入する導入通路１０と、前
記流体処理路１４から前記開口６内に引き戻した処理用
流体を排出する排出通路１２とを有し、ノズル本体５０
の外部には処理用流体に光を照射するための光照射手段
８０を設けてあり、かつ、開口６の周縁に、被処理物１
の支持台１８１と接触した状態で流体処理路１４を外部
からシールするシール部材１８０を設けてある。
【０１７１】本例は、シール部材１８０により流体処理
路１４を完全に大気側からシールしてしまい処理用流体
を外部から遮断しそれにより流体処理後の処理用流体を
完全に排出通路１２に排出せんとするものである。
【０１７２】本例では、シール部材１８０により完全な
処理用流体の漏れ防止が達成される。
【０１７３】あるいは、図２６（ｂ）に示すように、被
処理物１の外周部における他の部材と接触させててもか
まわない部分（たとえば半導体装置が形成されない部
分）において流体処理装置のシール部材１８０と接触さ
せることが好ましい。
【０１７４】なお、本例では、ノズル本体５０は被処理
物１に対して平行に移動可能に構成する必要はなく、被
処理物１に対して垂直方向あるいは斜め方向に移動可能
にしておけばよい。
【０１７５】（実施例２１）図２７に他の実施例を示
す。
【０１７６】本例では、ノズル本体５０は、開口６から
臨んだ処理用流体を被処理物１に接触させた後、該処理
用流体を開口６に引き戻す流体処理路１４と、処理用流
体を前記流体処理路１４へ導入する導入通路１０と、前
記流体処理路１４から前記開口６内に引き戻した処理用
流体を排出する排出通路１２ａ，１２ｂとを有し、ノズ
ル本体５０の外部には処理用流体に光を照射するための
光照射手段８０を設けてあり、かつ、排出通路１２ｂに
連通する補助導入通路１９０を設けてある。
【０１７７】導入通路１０から流体処理路１４には絶え
ず処理用流体が満たされている。しかるに、被処理物の
末端並びに先端では流体処理路１４が空になる場合があ
る。次の被処理物がきたとき導入通路１０から処理用流
体を導入し、流体処理路全体に処理用流体が満たされて
も排出通路側に空気がある状態であり、この際排水ポン
プを使用しても処理用流体を排出することはできない、
という問題が生じてしまう。
【０１７８】そこで、補助導入通路１９０から処理用流
体を供給してやれば排出通路をも処理用流体で満たすこ
とができ処理用流体がうまく流れる状態とすることがで
きる。
【０１７９】なお、本例では、開口６の開閉を行うため
のシャッター１９５を設けてある。一つの被処理物の処
理が終了し、次の被処理物の処理のために待機中には、
バルブＶ2を開の状態にし処理用流体を流し続けること
は処理用流体の消耗を招く。その一方、バルブＶ2を閉
じ処理用流体の導入を止めると流体処理路１４を含む流
体処理装置全体に空気が入り、次の流体処理開始時には
空気を巻き込んだ処理用流体が被処理物に供給されてし
まう。
【０１８０】そこで、シャッタ１９５を閉じ、流体処理
路１４を含む流体処理装置全体を処理用流体で満たし、
その状態でバルブＶ1，Ｖ2，Ｖ3を閉とすれば 処理用流
体には空気が入らない。次に流体処理装置を使用する際
には、シャッター１９５を開とし、バルブＶ1，Ｖ2，Ｖ
3も開として処理用流体を被処理物１に供給すればよ
い。
【０１８１】（実施例２２）図２８に流体処理装置の他
の変形例を示す。本例は、基本構造が図１２に示す構造
と同様であり、向かい合う２つの導入通路１０ａ，１０
ｂを挟んで排出通路１２ａ，１２ｂが設けられている。
【０１８２】本例ではフィルム１３０を設けることによ
り処理用流体の漏れの防止を図っている。
【０１８３】（実施例２３）図２９に他の実施例を示
す。本例では、流体処理路は１４ａ，１４ｂ，１４ｃの
３つの部屋に仕切り板２５０ａ，２５０ｂにより仕切ら
れている。
【０１８４】このように流体処理路を複数に仕切るとと
もにそれぞれの流体処理路１４ａ，１４ｂ，１４ｃにそ
れぞれ導入通路１０ａ，１０ｂ，１０ｃと排出通路１２
ａ，１２ｂ，１２ｃを設け、また、バルブ（図示せず）
を設けておけば、流体処理を必要とする限られた部分に
のみ処理用流体を供給することができ、処理用流体の使
用量をさらに減らすことができる。
【０１８５】また、各部屋には独立した光照射手段８０
ａ，８０ｂ，８０ｃを設けてもよく、それぞれの部屋に
対応して電力、波長を適宜選択してもよい。
【０１８６】なお、以上の実施例で特に記載していない
場合においても図４、図５または図８に示した圧力制御
手段を設けることが好ましいことはいうまでもない。
【０１８７】（実施例２４）図３０に他の実施例を示
す。
【０１８８】本例は、光照射手段８０と超音波素子１６
とを同時に設けた例である。図３０に示す例では、光照
射手段８０と超音波素子とを隣接して設けてあるが、光
照射手段８０と超音波素子１６とを同時に設ける場合に
は図３０に示すような配置関係に限らず、例えば図３１
に示すように排出通路１２を挟んで一方に光照射手段８
０を設け、他方に超音波素子１６を設けてもよい。
【０１８９】もちろん、これら以外の配置関係を採用で
きることはいうまでもない。例えば、流体に光を照射し
て化学活性種を発生させようとする場合、光は深いとこ
ろ（図３０、図３１に示す例では最も深いところは被処
理物１のところ）まで届かないことがある。そのため、
活性種の濃度分布は、光照射手段８０近傍で最も濃くな
り、最も濃くなって欲しい被処理物１表面において最も
薄くなってしまうことがある。
【０１９０】しかるに、原因は必ずしも明らかではない
が、光を照射するとともに超音波を流体に付与すると、
活性種が被処理物表面近傍においても濃くなることを本
発明者は見いだした。
【０１９１】従って、光照射手段８０と超音波素子１６
を同時に設けておき、両者を同時に作動せしめることに
より被処理物１表面において活性種の濃度を濃くするこ
とが可能となる。
【０１９２】（実施例２５）次に洗浄処理システムの実
施例を説明する。図３２に洗浄処理システムを示す。
【０１９３】本例の洗浄処理システムは、図１に示す構
造を有する気体処理装置９０ａＦ，９０ａＢに、洗浄処
理装置９５ａＦ，９５ａＢを連接して構成されている。
【０１９４】すなわち、図１に示す開口６に臨んだ処理
用気体を被処理物１に接触させた後、処理用気体を開口
６内に引き戻す気体処理路１４と、処理用気体を気体処
理路１４へ導入する導入通路１０と、気体処理路１４か
ら開口６内に引き戻した処理用気体を排出する排出通路
１２とを有し、気体処理路１４における処理用気体に光
を照射する光照射手段８０を設けてなる気体処理装置９
０ａＦ，９０ａＢに、気体処理装置９０ａＦ，９０ａＢ
で処理された被処理物１を洗浄液によって洗浄処理する
ための洗浄処理装置９５ａＦ，９５ａＢを連設してあ
る。
【０１９５】以下に本実施例を詳細に述べる。
【０１９６】図１に示す気体処理装置２（図３２では９
０ａＦ，９０ａＢ）を用いて洗浄処理システムを構成す
る場合は、図３２に示すように、気体処理装置９０ａ
Ｆ，９０ａＢの開口６を被処理物１に向けて配置し、ま
た、気体処理装置９０ａＦ，９０ａＢと被処理物１とを
矢印方向に相対的に移動させるための手段、たとえば基
板１のローラ搬送機（図示せず）を設ければよい。
【０１９７】また、洗浄処理システムは、処理用気体供
給源（図示せず）と、処理用気体供給源から気体処理装
置９０ａＦ，９０ａＢの導入口７へ処理用気体を供給す
るための手段とを有している（図示せず）。処理用気体
は、たとえばレジストの剥離工程のように、７０〜８０
℃の温度で被処理物を処理する必要があるときのために
加熱装置、温度調節装置、保温装置を適宜の位置に設け
ておくことが好ましい。
【０１９８】図３２には被処理物１の表面、裏面の気体
処理を同時に行うべく、被処理物１をはさんで、気体処
理装置９０ａＦと気体処理装置９０ａＢとが対をなして
配置してある。
【０１９９】図３２（ｂ）に示すように、一対の気体処
理装置９０ａＦ，９０ａＢはその両端同士において接触
させ、トンネル状空間を形成し、その中を被処理物１を
流す。従って、被処理物１の端面（図面上では紙面に垂
直な面）側から処理用流体が流れたとしてもその流れ出
た処理用流体は下側の流体処理装置９０ａＢで受けるこ
とができる。
【０２００】さらに、被処理物１の進行方向の下流に
は、洗浄処理装置９５ａＦ，９５ａＢが設けてある。
【０２０１】本例で示す洗浄処理装置９５ａＦ，９５ａ
Ｂは、開口に臨んだ洗浄液を被処理物に接触させた後、
該洗浄液を前記開口内に引き戻す洗浄処理路と、洗浄液
を前記洗浄処理路へ導入する導入通路と、前記洗浄処理
路から前記開口内に引き戻した洗浄液を前記洗浄処理路
へ導入する導入通路と、前記洗浄処理路から前記開口内
に引き戻した洗浄液を被出する排出通路とを有している
洗浄処理装置であり、また圧力制御手段（図示せず）を
設けてある。すなわち、基本構造は図１に示す流体処理
装置と同じであるが、光照射手段を除いた洗浄処理装置
あるいは光照射素段に代えて超音波素子を取り付けた洗
浄処理装置を用いている。もちろん他の清浄装置を用い
てもよい。
【０２０２】また、洗浄装置９５ａＦ，９５ａＢのさら
に下流には、超純水によるリンスを目的とする超純水リ
ンス装置９５ｂＦ，９５ｂＢ、ＩＰＡ（イソプロピルア
ルコール）乾燥を目的とするＩＰＡ乾燥装置９５ｃＦ，
９５ｃＢが設けてある。超純水リンス装置９５ｂＦ，９
５ｂＢ、ＩＰＡ乾燥装置９５ｃＦ，９５ｃＢの構造は洗
浄装置９５ａＦ，９５ａＢと同じである。ただ、裏面
（下面）の洗浄効率は高いため、超音波素子は表面（上
面）のみに設けてある。もし全て同一の処理用流体を使
用する場合は、１つの圧力制御手段で圧力制御を行って
もかまわない。
【０２０３】図３２では被処理物１を水平方向に移動さ
せる場合を示したが、図３３には被処理物１を垂直方向
（上下方向）に移動させる場合を示している。この場合
被処理物１の表面と裏面との間に上下関係はないため表
面、裏面は均等に洗浄される。
【０２０４】（実施例２５）図３７に流体処理装置の他
の実施例を示す。本例では、開口６から臨んだ処理用流
体を被処理物１に接触させた後、処理用流体を開口６に
引き戻す流体処理路と、処理用流体を流体処理路へ導入
する導入通路１０と、流体処理路１４から開口６内に引
き戻した処理用流体を排出する排出通路１２と、開口６
の周辺に設けられた液だめ３０３ａ，３０３ｂとを有す
る。流体処理路には、気体領域３００、流体領域３０
１、気液界面３０２が存在する。
【０２０５】液だめは開口６の周辺に連続して形成され
ており、従って、図面上の液だめ３０３ａと液だめ３０
３０ｂとはつながっている。
【０２０６】また、本例では排出通路１２は液だめ３０
３ｂ上に設けてある。従って、処理後の処理用流体は液
だめを介してのみ排出される。
【０２０７】また、本例では排出通路１２と液だめ３０
３ｂとは細溝３０４ｂを介して連通しており、液だめに
集まった処理後の処理用流体は落下することなく毛細管
現象により細溝と通って排出通路に吸い上げられ排出さ
れる。
【０２０８】（実施例２６）図３８に流体処理装置の他
の実施例を示す。本例の流体処理装置は、開口６から臨
んだ処理用流体を被処理物１に接触させた後、処理用流
体を開口６に引き戻す流体処理路１４と、処理用流体を
流体処理路１４へ導入する導入通路１０と、流体処理路
１４から開口６内に引き戻した処理用流体を排出する排
出通路１２と、流体処理路１４に連通する気液界面位置
調整用の圧力調整口３０５と、開口６の周辺に設けられ
た液だめ３０３ａ，３０３ｂとを有し、流体処理路１４
と排出通路１２とは液だめ３０３ｂを介して連通してい
る。
【０２０９】処理用流体として処理用液体を導入通路１
０から流体処理路１４内に導入し被処理物１に接触させ
る。圧力調整口の圧力を適宜な圧力とすると処理用流体
中に気体が存在する場合にはその気体は圧力調整口に向
かい処理用液体から脱離し、流体処理路１４内には気体
領域３００と液体領域３０１とが形成される。なお、３
０２は気液界面である。気体領域３００から気体は圧力
調整口３０５を介して外部に全部又は一部が排出され
る。
【０２１０】一方、本例では処理用液体は液だめ３０３
ａ，３０３ｂに集まる。流体処理路１４と排出通路１２
とは直接は連通しておらず、液だめ３０３ｂと細溝３０
４ｂを介して連通しているため処理用液体は液だめ３０
３ｂに集まり毛細管現象により細溝３０４ｂにより吸い
上げられて排出通路１２から排出される。
【０２１１】本例では、処理用液体に超音波を付与すべ
く、超音波素子１６を設けてある。超音波素子１６によ
り処理用液体に超音波を付与した場合、例えば処理用液
体が洗浄液の場合は洗浄効果が著しく向上する。それ
は、第１に処理用液体の液厚をコントロールすることに
より、キャビティーション効果で除去された粒子等を有
効に外へ排出できるためであり、第２に気液界面３０２
が自由振動界面となるため超音波が有効に処理用液体に
伝播するためであると考えられる。
【０２１２】なお、本例では、流体処理路１４と流体排
出路１２とは直接連通していないため流体処理路１４の
空間は密閉性がよく、従って、流体処理路１４内の圧力
制御が行いやすい。
【０２１３】（実施例２７）図３９に流体処理装置の他
の実施例を示す。本例は図３８に示す流体処理装置に更
に光照射手段８０を設けてある。
【０２１４】光照射手段８０により処理用流体に適宜の
波長の光を照射し、殺菌などを行い得ることは前述の実
施例などで述べたとおりであるが、本例では気体領域３
００における気体の分解を目的として光を照射すること
も可能である。他の点は実施例２６と同様である。
【０２１５】
【発明の効果】本発明の流体処理装置によれば、処理用
流体の使用量を従来の１０分の１以下へと低減すること
ができ、光の照射効率を高めることができる。
【０２１６】また、本発明の洗浄処理システムによれ
ば、処理用流体の使用量を従来の１０分の１以下へと低
減することができ、高い清浄度を達成することが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例に係る流体処理装置の側断面図である。
【図２】（ａ）は図１の下面図、（ｂ）は図１の平面図
である。
【図３】他の実施例に係る流体処理装置の概念図であ
る。
【図４】さらに他の実施例に係る流体処理装置の側断面
図である。
【図５】（ａ）は他の実施例に係る流体処理装置の側断
面図であり、（ｂ）は取付案内の断面図である。
【図６】（ａ）は図５の下面図、（ｂ）は図５の平面図
である。
【図７】他の実施例に係る流体処理装置の平面図であ
る。
【図８】さらに他の実施例に係る流体処理装置図であ
る。
【図９】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面図、
（ｂ）は平面図である。
【図１０】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。
【図１１】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。
【図１２】さらに他の実施例に係る流体処理装置断面図
である。
【図１３】さらに他の実施例に係る流体処理装置断面図
である。
【図１４】さらに他の実施例に係る流体処理装置断面図
である。
【図１５】（ａ）は図１４の下面図、（ｂ）は図１４の
平面図である。
【図１６】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。
【図１７】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。
【図１８】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。
【図１９】さらに他の実施例に係る流体処理装置断面図
である。
【図２０】さらに他の実施例に係る流体処理装置断面図
である。
【図２１】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。
【図２２】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。
【図２３】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。
【図２４】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。
【図２５】他の実施例に係る流体処理装置の側断面図で
ある。
【図２６】他の実施例に係る流体処理装置の側断面図で
ある。（ａ）は支持台と接触させた例であり、（ｂ）は
被処理物の外縁で接触させた例である。
【図２７】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。
【図２８】実施例に係る流体処理装置の断面図である。
【図２９】さらに他の実施例に係り、（ａ）は側断面
図、（ｂ）は平面図である。
【図３０】他の実施例に係る断面図である。
【図３１】さらに他の実施例に係る断面図である。
【図３２】（ａ）は実施例に係る洗浄処理システムの側
断面図であり、（ｂ）は正面図である。
【図３３】他の実施例に係る洗浄処理システムの側断面
図である。
【図３４】従来例に係る洗浄装置の側面図（ａ）及び平
面図（ｂ）である。
【図３５】図３４に示す流体処理装置の拡大図である。
【図３６】従来例に係る気体処理装置の断面図である。
【図３７】流体処理装置の他の実施例を示す断面図であ
る。
【図３８】流体処理装置の他の実施例を示す断面図であ
る。
【図３９】流体処理装置の他の実施例を示す断面図であ
る。
【符号の説明】
１ 被処理物（基板）、 １０２ 流体処理装置、 １０４ 洗浄液供給室、 ５ 処理用流体、 ５’ 処理用流体（処理後）、 １０６ 開口（メッシュ状開口）、 １０７ 導入口、 １０ 導入通路、 １２ 排出通路、 １３ 圧力制御手段、 １４ 流体処理路、 １４ａ，１４ｂ，１４ｃ 仕切られた流体処理路、 １５ 排出口、 １６，１６ａ，１６ｂ，１６ｃ 超音波素子、 １７ 減圧ポンプ、 １８ 天井部、 １９ 接触ガス防止用噴出部、 ２２ 制御装置、 ２４ センサ、 ２５ 排水配管 ２６ 連結部、 ２７ 排水装置、 ２８ 保持体、 ２９ バルブ開閉駆動部、 ３０ バルブ、 ３１ 圧力センサ、 ３２ 制御装置、 ３３ 供給ポンプ、 ４０ａ，４０ｂ，４０ｃ 天井段差部、 ５０ ノズル本体、 ８０ 光照射手段、 ８５ 取付案内、 ９０ 気体処理装置、 ９０ａＦ，９０ａＢ 気体処理装置、 ９５ａＦ，９５ａＢ 洗浄装置、 １２０ 細毛、 １３０ フィルム、 １４０ａ，１４０ｂ 補助通路、 １６０ 平行流部、 １６５ メッシュ板、 １７０ 内側延在部、 １８０ シール部材、 １８１ 支持台、 １９０ 補助導入通路、 １９５ シャッター、 ２５０ 仕切板、 ３００ 気体領域、 ３０１ 液体領域、 ３０２ 気液界面、 ３０３ａ，３０３ｂ 液だめ、 ３０４ａ，３０４ｂ 細溝、 ３０５ 圧力調整口、 Ｖ1，Ｖ2，Ｖ3 バルブ、 ＰA 大気圧、 ＰW 処理流体圧力。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成９年７月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０２０９】処理用流体として処理用液体を導入通路１
０から流体処理路１４内に導入し被処理物１に接触させ
る。圧力調整口の圧力を適宜な圧力とすると処理用流体
中に気体が存在する場合にはその気体は圧力調整口に向
かい処理用液体から脱離し、流体処理路１４内には気体
領域３００と液体領域３０１とが形成される。なお、３
０２は気液界面である。気体領域３００から気体は圧力
調整口３０５を介して外部に全部又は一部が排出され
る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０２１４】光照射手段８０により処理用流体に適宜の
波長の光を照射し、殺菌などを行い得ることは前述の実
施例などで述べたとおりであるが、本例では気体領域３
００における気体の分解を目的として光を照射すること
も可能である。他の点は実施例２６と同様である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三森 健一 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会 社フロンテック内 (72)発明者 笠間 泰彦 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会 社フロンテック内 (72)発明者 呉 義烈 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会 社フロンテック内 (72)発明者 阿部 章 宮城県仙台市泉区明通三丁目31番地株式会 社フロンテック内 (72)発明者 今岡 孝之 埼玉県戸田市川岸１丁目４番９号オルガノ 株式会社総合研究所内 (72)発明者 大見 忠弘 宮城県仙台市青葉区米ヶ袋２の１の17の 301 (72)発明者 都田 昌之 山形県米沢市東２丁目７の139

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 開口から臨んだ処理用流体を被処理物に
    接触させた後、該処理用流体を前記開口に引き戻す流体
    処理路と、処理用流体を前記流体処理路へ導入する導入
    通路と、前記流体処理路から前記開口内に引き戻した処
    理用流体を排出する排出通路とを有することを特徴とす
    る被処理物の処理（液体洗浄を除く）を用途とする流体
    処理装置。
  2. 【請求項２】 前記用途は、被処理物のエッチング、研
    磨、無電解めっき、レジスト塗布・現像・剥離、薄膜の
    パターニングまたは表面付着物の分析であることを特徴
    とする請求項１記載の流体処理装置。
  3. 【請求項３】 開口から臨んだ処理用流体を被処理物に
    接触させた後、該処理用流体を前記開口に引き戻す流体
    処理路と、処理用流体を前記流体処理路へ導入する導入
    通路と、前記流体処理路から前記開口内に引き戻した処
    理用流体を排出する排出通路とを有し、前記流体処理路
    の処理用流体に光を照射する光照射手段を設けたことを
    特徴とする流体処理装置。
  4. 【請求項４】 前記被処理物と接触している処理用流体
    の圧力と大気圧との差を制御して該処理用流体を前記流
    体処理路の前記開口内に引き戻す圧力制御手段を有する
    ことを特徴とする請求項３記載の流体処理装置。
  5. 【請求項５】 前記光照射手段は前記流体処理路に着脱
    自在に設けたことを特徴とする請求項３記載の流体処理
    装置。
  6. 【請求項６】 前記流体処理路の処理用流体に超音波を
    付与するための超音波素子を設けたことを特徴とする請
    求項３記載の流体処理装置。
  7. 【請求項７】 開口から臨んだ処理用気体を被処理物に
    接触させた後、該処理用気体を前記開口内に引き戻す気
    体処理路と、処理用気体を前記気体処理路へ導入する導
    入通路と、前記気体処理路から前記開口内に引き戻した
    処理用気体を排出する排出通路とを有し、前記気体処理
    路に処理用気体に光を照射する光照射手段を設けてなる
    気体処理装置に、前記気体処理装置で処理された被処理
    物を洗浄液によって洗浄処理するための洗浄処理装置を
    連設したことを特徴とする洗浄処理システム。
  8. 【請求項８】 前記洗浄処理装置が、開口から臨んだ洗
    浄液を被処理物に接触させた後、該洗浄液を前記開口内
    に引き戻す洗浄処理路と、洗浄液を前記洗浄処理路へ導
    入する導入通路と、前記洗浄処理路から前記開口内に引
    き戻した洗浄液を排出する排出通路とを有していること
    を特徴とする請求項７記載の洗浄処理システム。
  9. 【請求項９】 前記被処理物と接触している洗浄液の圧
    力と大気圧との差を制御して該洗浄液を前記洗浄処理路
    の前記開口内に引き戻す圧力制御手段を有することを特
    徴とする請求項８記載の洗浄処理システム。
  10. 【請求項１０】 開口から臨んだ処理用流体を被処理物
    に接触させた後、該処理用流体を前記開口に引き戻す流
    体処理路と、処理用流体を前記流体処理路へ導入する導
    入通路と、前記流体処理路から前記開口内に引き戻した
    処理用流体を排出する排出通路とを有し、前記開口の開
    口面積を変動可能としたことを特徴とする流体処理装
    置。
  11. 【請求項１１】 開口から臨んだ処理用流体を被処理物
    に接触させた後、該処理用流体を前記開口に引き戻す流
    体処理路と、処理用流体を前記流体処理路へ導入する導
    入通路と、前記流体処理路から前記開口内に引き戻した
    処理用流体を排出する排出通路と、前記開口の周辺に設
    けられた液だめとを有することを特徴とする流体処理装
    置。
  12. 【請求項１２】 前記流体処理路内には、液体流体と気
    体流体が混在することを特徴とする請求項１１記載の流
    体処理装置。
  13. 【請求項１３】 前記液だめには毛細管現象を生じる細
    溝が形成されていることを特徴とする請求項１１記載の
    流体処理装置。
  14. 【請求項１４】 開口から臨んだ処理用流体を被処理物
    に接触させた後、該処理用流体を前記開口に引き戻す流
    体処理路と、処理用流体を前記流体処理路へ導入する導
    入通路と、前記流体処理路から前記開口内に引き戻した
    処理用流体を排出する排出通路と、前記流体処理路に連
    通する気液界面位置調整用の圧力調整口と、前記開口の
    周辺に設けられた液だめとを有し、前記流体処理路と前
    記排出通路とは前記液だめを介して連通していることを
    特徴とする流体処理装置。
  15. 【請求項１５】 前記流体処理路と前記液だめとは毛細
    管現象を生じる細溝を介して連通していることを特徴と
    する請求項１４記載の流体処理装置。
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