JP2003505881A - 基板を処理するための装置 - Google Patents

基板を処理するための装置

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    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Abstract

(57)【要約】 ガス雰囲気内に配置された、処理流体を有する少なくとも１つのプロセス容器が設けられていて、該プロセス容器が、基板を直線的に導通させるために、処理流体表面より下に位置する少なくとも２つの開口を有している形式の装置において、基板の均一で同質の処理が得られるように、本発明では処理流体のためのオーバフロー部が設けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 本発明は、基板を処理するための装置であって、ガス雰囲気内に配置された、
処理流体を有する少なくとも１つのプロセス容器が設けられていて、このプロセ
ス容器が、基板を直線的に導通させるために、処理流体表面より下に位置する、
常に開放されている少なくとも２つの開口を有している形式のものに関する。
【０００２】 例えば欧州特許公開第０８１７２４６号明細書により公知である、このような
形式の装置は処理流体がプロセス容器内に留まったまま移動しない静的なシステ
ムである。そのため、容器内で行われるプロセスは処理流体の汚染により、特に
基板を直線的に導通する領域に影響を及ぼすことになる。したがって基板の良好
で均質な処理は可能ではない。
【０００３】 さらに特開平５−２９１２２３号公報に基づき、上方から処理流体を充填可能
なプロセス容器が２つの側方開口を有している形式の、基板を処理するための装
置が公知である。この装置において開口はそれぞれ、処理中に処理流体の流出を
防止するために閉鎖部材によって閉鎖可能である。このプロセス容器の底部には
処理流体のための流出部が設けられている。
【０００４】 本発明の課題は上記した従来技術から出発して、冒頭に記載した形式の装置を
改良して、簡単かつコスト安な形式でより均質に基板の処理を行うことができる
ような装置を提供することである。
【０００５】 この課題を本発明では、ガス雰囲気中に配置された、処理流体を有する少なく
とも１つのプロセス容器が設けられていて、このプロセス容器が、基板を直線的
に導通させるために、処理流体表面より下に位置する、常に開放されている少な
くとも２つの開口を有している形式の、基板を処理するための装置において、処
理流体用のオーバフロー部を設けることによって解決した。この処理流体用のオ
ーバフロー部によって、プロセス容器を通しての処理流体の貫流案内が可能にな
る。これによりプロセス容器の所定の領域、特に基板の直線的な導通領域におい
て高められる不純物堆積が防止されるか、もしくは洗浄媒体の濃度変動（洗浄中
の消費）もまた補償される。したがって改良され均質化された、基板の処理は保
証される。さらにオーバフロー部によって、処理中に簡単かつコスト安な形式で
ほぼ均一な処理流体レベルを、ひいては開口部に生じる、処理流体レベルの均一
な圧力を保証することができる。処理流体の流れに関わらず均一な圧力によって
、処理流体がプロセス容器から流れ出ることを簡単な形式で防止することができ
る。
【０００６】 本発明の特に有利な実施例では、プロセス容器内の処理流体レベルを変えるた
めにオーバフロー部が高さ調節可能である。特に、プロセス容器内において、種
々異なる密度を有する種々異なる処理流体を用いて処理することができ、また同
じ流体レベルにおいて処理流体表面の下方に位置する開口部に種々異なる圧力特
性が得られると有利である。この圧力特性を高さ調節可能なオーバフロー部によ
って調整することができ、その結果開口部からの処理流体の流出を防止すること
ができる。
【０００７】 有利な形式では、処理流体表面の上方に形成される空気室に真空を形成するこ
とができるように、閉じられたオーバフロー容器が設けられている。真空によっ
て負圧を処理流体表面より下に位置する開口に生ぜしめ、その結果、処理流体の
流出を防止することができる。特に高さ調整可能なオーバフロー縁部と組み合わ
せ、開口部における圧力特性の簡単な制御を達成することができる。処理流体の
上方にある空気室には有利な形式では均一な真空が設けられる。例えば種々異な
る処理処理流体によって（種々異なる密度に基づいて）開口部に生じる圧力変化
は有利には高さ調節可能なオーバフロー縁部によって調整される。良好で均一な
真空を得るために、プロセス容器とオーバフロー容器は閉じられている。
【０００８】 プロセス容器内における均一で均質の流れのために、処理流体は有利な形式で
はほぼ水平に配置されたディフューザプレートを介してプロセス容器内に導入可
能である。本発明の別の実施例では、場合によってプロセス容器から流出する処
理流体がプロセス容器の周辺部を汚染するのを防止するために少なくとも１つの
開口部の下方においてプロセス容器の外周面に滴受け樋が取り付けられている。
【０００９】 本発明の有利な実施形態では、基板を超音波で処理するために、特に洗浄過程
を促進するために、少なくとも１つの超音波装置がプロセス容器内に設けられて
いる。この際、超音波装置は基板の全面にわたる基板の均一な超音波処理を行う
ために、有利にはプロセス容器の全幅にわたって基板の移動方向に対して垂直に
かつ旋回可能に延在している。プロセス容器内で処理流体の均一かつ均質な流れ
を得るために、超音波装置は有利な形式では流動的な形を有している。言い換え
ればこの超音波装置は流れ方向で僅かにしか流れ抵抗を有していない。基板両面
の良好で均一な処理のために有利な形式では基板が、少なくとも２つの超音波装
置の間を通って移動可能である。
【００１０】 本発明の別の実施形態では、プロセス容器の出口開口を取り囲む乾燥室に、処
理流体の表面張力を減少させる液体を導入するための装置が設けられている。乾
燥室を出口開口に設けることによって、すでに処理された基板を直接プロセス容
器から取り出す際にマランゴニ効果により乾燥させることができる。この乾燥室
は有利な形式ではほぼ閉じされた系を形成しており、これによりウェーハ導出時
における均質なＮ２／ＩＰＡ雰囲気が保証される。
【００１１】 本発明の別の有利な実施形態では、相前後して配置された複数のプロセス容器
が設けられている。これにより基板が、場合によっては異なる複数のプロセス段
階を、基板の調節変更なしに実施することができる。この場合、種々異なるプロ
セス段階を行うために、有利な形式ではプロセス容器が種々異なる処理流体を有
している。有利には、連続するプロセス段階中に基板が乾燥するのを防止するた
めに、プロセス容器間に湿式処理装置が設けられている。これにより引き続くプ
ロセス段階に影響することはない。有利な形式ではこの湿式処理装置は基板が大
まかに洗浄されるように構成されている。これにより処理流体が一方のプロセス
容器から他方のプロセス容器に到達することは防止される。
【００１２】 次に本発明を図面に示した有利な実施例に基づき詳説する。
【００１３】 図１には、本発明による処理装置の概略的な断面図が示されている。
【００１４】 図２には、処理装置の集滴部材を有する滴受け樋を拡大した詳細図が示されて
いる。
【００１５】 図１には、湿式処理装置４とウェーハ搬送ユニット６とプロセス容器８とウェ
ーハ搬送ユニット１０とを有する、半導体ウェーハ３のための処理装置１が示さ
れている。基板３の処理中にウェーハは、図面では左側からウェーハ搬送ユニッ
ト６によって湿式処理装置４近傍を通って移動させられ、次いでプロセス容器８
内に導入される。このウェーハは部分的にこのプロセス容器８を通り抜けて移動
される。他方の側ではウェーハ３が、ウェーハ搬送ユニット１０によって収容さ
れ、プロセス容器８から引き出される。この搬送装置の詳細は重複を避けるため
に同出願人による同日付けで提出された「処理容器を通して半導体ウェーハを搬
送するための方法および装置（Verfahren und Vorrichtung zum Transportieren eines Halbleiterwafers durch einen Behandlungsbehaelter）」というタイト
ルの特許明細書に記載されている。この限りにおいては、当該特許出願は本出願
の対象となっている。
【００１６】 湿式処理装置４は複数のノズル１１を有している。ウェーハ３を湿式処理する
ために、またはすでに湿気を帯びている場合には湿気を保持するために、これら
のノズル１１によって例えば純水のような液体が、ウェーハ３の少なくとも一方
の表面上に飛散される。図示していないが、ウェーハ３の少なくとも一方の面を
洗浄することができるように、ノズル１１をウェーハ３の移動方向とは反対に向
けることもできる。ウェーハ３が下方を通過する図示した湿式処理装置４の他に
、この湿式処理装置４に対向して位置する第２の湿式処理装置を設けることも可
能であり、これによりウェーハ３が両湿式処理装置の間を通って移動させられ、
したがってこのウェーハ３は両側から湿式処理される。
【００１７】 プロセス容器８はほぼ閉じられた容器本体１４によって形成されている。この
容器本体１４は導入開口１５と導出開口１６とオーバフロー開口１７とを有して
いる。この導入開口１５と導出開口１６とは、互いに向かい合って位置する、容
器本体１４の側壁において同一平面上に形成されている。これらの開口１５，１
６を有していない、容器本体１４の別の側壁はウェーハ３をプロセス容器８内で
ガイドするためのガイドレール１８を有している。
【００１８】 これらの開口１５，１６はオーバフロー開口１７の下方の位置にあり、ひいて
はプロセス容器内にある処理流体２０の処理流体表面より下に位置している。プ
ロセス容器８内にある処理流体２０の流出を防止するために、これらの開口１５
，１６を、例えば欧州特許公開第０８１７２４６号明細書に記載されているよう
に特別に加工成形することができる。この限りにおいては、欧州特許公開第０８
１７２４６号明細書は繰り返しを避けるために本出願の対象となっている。
【００１９】 プロセス容器８の底部の領域にはほぼ水平に延在しているディフューザプレー
ト２２が設けられている。このディフューザプレート２２を介して下方から処理
流体２０がプロセス容器８に導入される。このディフューザプレート２２によっ
て、上方に方向付けられた均一な、処理流体２０の流れがプロセス容器８内に発
生する。プロセス容器８内には、全幅にわたって（図面では図面平面に対して垂
直に）延在している２つの超音波装置もしくはメガソニック装置２４，２６が設
けられている。これらの超音波装置２４，２６は互いに向き合っており、高さ的
には開口１５，１６より下の位置にもしくは上の位置に配置されているので、ウ
ェーハ３はプロセス容器を通って移動する際に超音波装置２４，２６の間を通し
て移動させられる。超音波装置２４，２６の、互いに反対に向けられている面は
、プロセス容器８内で下方から上方に向かって方向付けられている液体流にでき
るだけ影響を与えないようにそれぞれ斜めに面取りされている。
【００２０】 場合によって開口１５から流出する処理流体を捕捉しかつ図示していない最適
な形式で導出するために、導入開口１５の領域では容器本体１４の外周面に滴受
け樋３０が開口１５より下の位置に設けられている。
【００２１】 流出開口１６は乾燥室３２によって取り囲まれている。この乾燥室３２は容器
本体１４の外周面に取り付けられていて、組み込まれた滴受け樋を有している。
乾燥室３２は開口３３を有しており、この開口３３を通してウェーハ３を移動さ
せることができる。乾燥室３３内にはノズル３４，３５が設けられている。これ
らのノズル３４，３５によって処理流体の表面張力を減少させる液体を導出開口
１６の領域に送ることができる。この処理流体の表面張力を減少させる液体とし
ては例えばＩＰＡおよび高温ガス、例えば高温Ｎ２ガス等が適している。マラン
ゴニ原理に基づき良好な乾燥効果が得られるように、処理流体の表面張力を減少
させる液はノズル３４，３５によって、処理流体２０とウェーハ３との間に形成
されたメニスカスに所期に放射される。この領域における表面張力を減少させる
ために、択一的にメニスカスを別の形式で、例えばレーザによって加熱すること
もできる。図２には乾燥室３２の拡大された詳細図が示されている。ここではノ
ズル３４，３５は図面の簡略化のために省略した。図２から分かるように、乾燥
室３２の下方半部には針状の部材３６が設けられている。この部材３６は集滴部
材として働く。後方のウェーハ縁部において、マランゴニ効果による乾燥工程は
乾燥室からの流出時に問題となる。これによりウェーハに離れにくい液体が付着
し、滴が形成され得る。しかしこの滴は集滴部材３７によって導出される。この
集滴部材３７はウェーハに対して例えば１ｍｍより小さい僅かな間隔をおいて、
ウェーハ中央部に位置決めされている。
【００２２】 容器本体１４の上方壁部には詳しくは図示していない開口が設けられている。
この開口は真空装置３７に接続されており、したがってプロセス容器８からの処
理流体の流出を防止するために、処理流体２０の上方に形成された空気室４０で
負圧をかけることができる。処理流体の流出を防止するために、例えば欧州特許
公開第０８１７２４６号明細書に記載されているようにプロセス容器８上にもし
くはプロセス容器８内に別の手段を設けることもできる。繰り返しを避けるため
にこの限りではこの欧州特許公開第０８１７２４６号明細書は本出願の対象とな
っている。
【００２３】 オーバフロー開口１７はほぼ閉じられたオーバフロー容器４２によって取り囲
まれている。このオーバフロー容器４２はシールされて容器本体１４の外周面に
固定されている。オーバフロー容器４２内にもしくはプロセス容器本体１４の外
壁にはオーバフロー縁部４５を規定するスライダ４４が設けられている。オーバ
フロー縁部４５の高さ調節、ひいてはプロセス容器８内の処理流体２０のレベル
を調節するために、このスライダ４４は詳しく図示されていない装置によって垂
直方向にシフト可能である。この際、調節領域はオーバフロー開口１７の上方縁
部と下方縁部とによって制限される。
【００２４】 図面には１つのプロセス容器８しか図示していないが、複数のプロセス容器を
相前後して配置することも可能であり、したがってウェーハ３は直線的な移動路
上で複数のプロセス容器を通過することができる。種々異なる処理段階、例えば
エッチング処理、中性処理および洗浄処理、ならびに乾燥処理を実施することが
できるように、各プロセス容器に種々異なる処理流体を充填することができる。
有利な形式では、連続するプロセス段階の間に処理流体が乾燥することを防止す
るために、連続する各プロセス容器８の間に湿式処理装置４が設けられている。
さらに基板の湿式処理によって、この基板の大まかな予備洗浄を行うことができ
、したがって一方のプロセス容器から他方のプロセス容器への処理流体の持ち込
みが減少される。種々異なる処理流体は概して種々異なる密度を有しているので
、処理流体のレベルはスライダ４４によってその都度調節され、各導入開口１５
および導出開口１６における処理流体の圧力は処理流体がプロセス容器から流出
しないように調節されている。さらに開口１５，１６に生じる処理流体圧をさら
に減少させるために、真空装置３７によって負圧が、処理流体上にある空気室に
生ぜしめられる。この際有利には相前後して接続された全プロセス容器８が、個
々の真空装置に接続されている。これらの真空装置は各プロセス容器内にそれぞ
れ均一な負圧を生ぜしめるか、または同じスライダ高さにおいて種々異なる負圧
を生ぜしめる。処理流体の種々異なる密度によって生ぜしめられる、開口１５，
１６における圧力変化はスライダ４４、ひいてはプロセス容器内の処理流体２０
のレベルによって補償されるので、処理流体は開口１５，１６を介してプロセス
容器８から流出することはない。
【００２５】 ウェーハの処理時にはまず、処理流体２０がスライダ４４のオーバフロー縁部
４５を介してオーバフロー容器４２に流れ込むまで、ディフューザプレート２２
を介して処理流体２０がプロセス容器８に導入される。常にこのディフューザプ
レート２２を介して処理流体はプロセス容器８に導入されるので、上方に方向付
けられた均質の流れがプロセス容器内に生じる。次いで導入開口１５を介してウ
ェーハ３はプロセス容器８内にシフトされ、部分的にプロセス容器８を通過させ
られる。この際ウェーハ３の表面と裏面とが超音波装置２４，２６によって超音
波処理される。プロセス容器８内ではウェーハ３が側方のガイド１８によってガ
イドされる。ウェーハ３の前方端部がプロセス容器８をガイドされて通過した際
に、処理流体２０とウェーハ３との間に生じるメニスカスに、処理流体２０の表
面張力を減少する液が供給される。これによりウェーハ３は処理流体２０からの
取り出し時に乾燥処理される。ウェーハ３のガイド端部は搬送ユニット１０によ
り収容され、完全にプロセス容器８から引き出し、場合によっては次のプロセス
室に搬送する。
【００２６】 本発明は有利な１実施例に基づき記載されているが、本発明はこの実施例に限
定されるものではない。例えば乾燥室３２は別のプロセス容器が後置されている
プロセス容器８では必要ではない。さらに超音波装置の正確な構成は、処理した
い基板に依存して基板表面の処理のための個々の超音波装置が必要である。ディ
フューザプレート２２も必ずしも必要なわけではなく、このディフューザプレー
トの代わりにまたはディフューザプレートと組み合わせて、流入開口を有する漏
斗状の底部が設けられてもよい。また真空装置３７も必ずしも必要なわけではな
い。なぜならば開口１５，１６に生じる圧力を別の手段、例えば毛管装置によっ
ても制御することができるからである。この際に必要な圧力は可動なスライダ４
４によって制御される。処理装置１の各特徴を組み合わせてまたはそれぞれ個々
にも、つまり互いに依存させずに使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明による処理装置の概略的な断面図である。
【図２】 処理装置の集滴部材を有する滴受け樋を拡大した詳細図である。
【符号の説明】
１ 処理装置、 ３ 半導体ウェーハ（基板）、 ４ 湿式処理装置、 ６
ウェーハ搬送ユニット、 ８ プロセス容器、 １０ ウェーハ搬送ユニット、 １１ ノズル、 １４ 容器本体、 １５ 導入開口、 １６ 導出開口、 １７ オーバフロー開口、 １８ ガイドレール、 ２０ 処理流体、 ２２ ディフューザプレート、 ２４，２６ 超音波装置、 ３０ 滴受け樋、 ３２ 乾燥室、 ３３ 開口、 ３４，３５ ノズル、 ３６ 集滴部材、 ３７ 真空装置、 ４０ 空気室、 ４２ オーバフロー容器、 ４４ スライダ、 ４５ オーバフロー縁部
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年１０月１２日（２００１．１０．１２）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】 さらに特開平５−２９１２２３号公報に基づき、上方から処理流体を充填可能
なプロセス容器が２つの側方開口を有している形式の、基板を処理するための装
置が公知である。この装置において開口はそれぞれ、処理中に処理流体の流出を
防止するために閉鎖部材によって閉鎖可能である。このプロセス容器の底部には
処理流体のための流出部が設けられている。 日本アブストラクト（Ｐａｔｅｎｔ Ａｂｓｔｒａｃｔ ｏｆ Ｊａｐａｎ）
のＶｏｌ．１３，Ｎｏ．１９９（Ｅ−１５３４），１９９４年４月７日、ならび
に特開平０６−００５５７７号公報に基づき基板洗浄装置が公知である。この装
置では基板が、直線的に処理流体で充填された処理容器を通過するようにガイド
されている。この処理容器は処理流体表面より下に位置する２つの導通開口を有
している。これらの導通開口は基板の処理中、処理流体の流出を防止するために
、相応する閉鎖部材によって閉鎖されている。基板を漕に導入する間、もしくは
基板を漕から導出する間、基板を導通させるためにこの閉鎖部材は開放される。 さらに日本アブストラクト（Ｐａｔｅｎｔ Ａｂｓｔｒａｃｔ ｏｆ Ｊａｐ
ａｎ）のＶｏｌ．１５，Ｎｏ．１４３（Ｅ−０４５），１９９１年４月１１日、
ならびに特開平０３−０２００３１号公報に基づき、処理流体で充填された処理
容器を有する超音波洗浄装置が公知である。この処理容器は高さ調整可能なオー
バフロースライダを有している。このオーバフロースライダは流体レベルの高さ
を調節し、さらに超音波の特性に影響を与える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】 この課題を本発明では、ガス雰囲気中に配置された、処理流体を有する少なく
とも１つのプロセス容器が設けられており、該プロセス容器が、基板を直線的に
導通させるために、常に開放されている少なくとも２つの開口を有している形式
の、基板を処理するための装置において、開口より下に位置する流入部と、開口
より上に位置するオーバフロー部とが設けられており、プロセス容器とオーバフ
ロー容器とが閉じられており、プロセス容器内に負圧を形成するための装置が設
けられていることによって解決した。この処理流体用のオーバフロー部によって
、プロセス容器を通しての処理流体の貫流案内が可能になる。これによりプロセ
ス容器の所定の領域、特に基板の直線的な導通領域において高められる不純物堆
積が防止されるか、もしくは洗浄媒体の濃度変動（洗浄中の消費）もまた補償さ
れる。したがって改良され均質化された、基板の処理は保証される。さらにオー
バフロー部によって、処理中に簡単かつコスト安な形式でほぼ均一な処理流体レ
ベルを、ひいては開口部に生じる、処理流体レベルの均一な圧力を保証すること
ができる。処理流体の流れに関わらず均一な圧力によって、処理流体がプロセス
容器から流れ出ることを簡単な形式で防止することができる。 閉じられたプロセス容器とオーバフロー容器との組合せによって、処理流体表
面の上方に形成される共通の空気室に真空を形成することができる。真空によっ
て負圧を処理流体表面より下に位置する開口に生ぜしめ、その結果、処理流体の
流出を防止することができる。処理流体の上方にある空気室には有利な形式では
均一な真空が設けられる。例えば種々異なる処理処理流体によって（種々異なる
密度に基づいて）開口部に生じる圧力変化を、真空の変化によって調整すること
ができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イェンス シュナイダー ドイツ連邦共和国 ロイトリンゲン ネッ カーテンツリンガーシュトラーセ 42 (72)発明者 マーク ムーリス ベルギー国 ルーヴァン カペルドレーフ 75 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB13 BB04 BB22 BB85 BB93 CC12

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板（３）を処理するための装置（１）であって、ガス雰囲
    気中に配置された、処理流体（２０）を有する少なくとも１つのプロセス容器（
    ８）が設けられており、該プロセス容器（８）が、基板（３）を直線的に導通さ
    せるために、処理流体表面より下に位置する、常に開放されている少なくとも２
    つの開口（１５，１６）を有している形式のものにおいて、 開口（１５，１６）より下に位置する流入部と、開口（１５，１６）より上に
    位置するオーバフロー部とが設けられていることを特徴とする、基板を処理する
    ための装置。
  2. 【請求項２】 オーバフロー部が高さ調整可能である、請求項１記載の装置
    。
  3. 【請求項３】 閉じされたオーバフロー容器（４２）が設けられている、請
    求項１または２記載の装置。
  4. 【請求項４】 プロセス容器（８）とオーバフロー容器（４２）とが、閉じ
    られている、請求項１から３までのいずれか１項記載の装置。
  5. 【請求項５】 処理流体（２０）の上方に形成される、プロセス容器（８）
    内の空間（４０）に負圧を形成するための装置（３７）が設けられている、請求
    項１から４までのいずれか１項記載の装置。
  6. 【請求項６】 処理流体（２０）が、ほぼ水平に配置されたディフューザプ
    レート（２２）を介してプロセス容器（８）内に導入可能である、請求項１から
    ５までのいずれか１項記載の装置。
  7. 【請求項７】 少なくとも１つの開口（１５，１６）の下方に取り付けられ
    た滴受け樋（３０）がプロセス容器（８）の外周面に設けられている、請求項１
    から６までのいずれか１項記載の装置。
  8. 【請求項８】 集滴部材が滴受け樋に設けられている、請求項７記載の装置
    。
  9. 【請求項９】 少なくとも１つの超音波装置（２４，２６）がプロセス容器
    （８）内に設けられている、請求項１から８までのいずれか１項記載の装置。
  10. 【請求項１０】 プロセス容器（８）内の超音波装置（２４，２６）が、全
    幅にわたって基板の運動方向に対して垂直に延在している、請求項９記載の装置
    。
  11. 【請求項１１】 超音波装置（２４，２６）が、流動的な形を有している、
    請求項９または１０記載の装置。
  12. 【請求項１２】 基板（３）が、互いに向き合う少なくとも２つの超音波装
    置（２４，２６）の間を通って移動可能である、請求項１から１１までのいずれ
    か１項記載の装置。
  13. 【請求項１３】 プロセス容器（８）の出口開口（１６）を取り囲こむ乾燥
    室（３２）に、処理流体（２０）の表面張力を減少させる液体を導入するための
    装置が設けられている、請求項１から１２までのいずれか１項記載の装置。
  14. 【請求項１４】 相前後して配置された複数のプロセス容器（８）が設けら
    れている、請求項１から１３までのいずれか１項記載の装置。
  15. 【請求項１５】 プロセス容器（８）が、種々異なる処理流体（２０）を有
    している、請求項１３または１４記載の装置。
  16. 【請求項１６】 プロセス容器（８）の間に湿式処理装置（４）が設けられ
    ている、請求項１３から１５までのいずれか１項記載の装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012161781A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Shigeo Matsueda 超音波薬液反応装置
JP2012528483A (ja) * 2009-05-29 2012-11-12 ラム リサーチ コーポレーション 半導体ウエハ上の液体メニスカスの物理的閉じ込めのための方法および装置

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20010013355A1 (en) * 1998-10-14 2001-08-16 Busnaina Ahmed A. Fast single-article megasonic cleaning process for single-sided or dual-sided cleaning
DE10103111A1 (de) * 2001-01-24 2002-08-01 Mattson Wet Products Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
US20040031167A1 (en) * 2002-06-13 2004-02-19 Stein Nathan D. Single wafer method and apparatus for drying semiconductor substrates using an inert gas air-knife
US8317934B2 (en) * 2009-05-13 2012-11-27 Lam Research Corporation Multi-stage substrate cleaning method and apparatus
DE102009029945A1 (de) 2009-06-19 2010-12-23 Rena Gmbh Prozessmodul zur Inline-Behandlung von Substraten
NL1037065C2 (nl) * 2009-06-23 2010-12-27 Edward Bok Stripvormige transducer-opstelling, welke is opgenomen in een stripvormig gedeelte van een tunnelblok van een semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling ten behoeve van het daarmede tenminste mede plaatsvinden van een semiconductor behandeling van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, welke gedurende de werking ervan ononderbroken erlangs verplaatsen.
TWI460305B (zh) * 2010-11-30 2014-11-11 Ind Tech Res Inst 化學水浴法鍍膜設備
US20120160264A1 (en) * 2010-12-23 2012-06-28 Richard Endo Wet Processing Tool with Site Isolation
JP6659368B2 (ja) * 2016-01-15 2020-03-04 株式会社荏原製作所 洗浄装置、基板処理装置、および基板処理方法

Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57160955A (en) * 1981-03-25 1982-10-04 Nippon Electric Co High dielectric constant ceramic composition
JPH0320031A (ja) * 1989-06-16 1991-01-29 Matsushita Electron Corp 超音波洗浄装置
JPH0430521A (ja) * 1990-05-28 1992-02-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板用回転式表面処理装置
JPH0513393A (ja) * 1990-08-31 1993-01-22 Oki Electric Ind Co Ltd 洗浄方法
JPH065577A (ja) * 1992-06-16 1994-01-14 Nec Corp 基板洗浄装置
JPH0851092A (ja) * 1994-08-08 1996-02-20 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び洗浄装置
JPH0919665A (ja) * 1995-07-04 1997-01-21 Shibaura Eng Works Co Ltd 超音波洗浄装置
WO1997014898A1 (en) * 1995-10-19 1997-04-24 C Valves Ltd. In-line control valves
JPH09186125A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Sony Corp ウエハ洗浄用コンテナおよびウエハ洗浄装置
JPH09232212A (ja) * 1996-02-26 1997-09-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 現像装置
JPH1027770A (ja) * 1996-07-09 1998-01-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH1041265A (ja) * 1996-07-18 1998-02-13 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理方法、洗浄・乾燥処理方法及びその装置
JPH10163158A (ja) * 1996-12-03 1998-06-19 Dan Kagaku:Kk 板状体洗浄装置
JPH10177978A (ja) * 1996-12-18 1998-06-30 Tadahiro Omi 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置
JPH10180196A (ja) * 1996-06-24 1998-07-07 Interuniv Micro Electro Centrum Vzw 平坦な基材を湿式でクリーニングまたはエッチングするための装置および方法
JPH10223585A (ja) * 1997-02-04 1998-08-21 Canon Inc ウェハ処理装置及びその方法並びにｓｏｉウェハの製造方法
JPH10261609A (ja) * 1997-03-21 1998-09-29 Sony Corp 薬液処理装置及び薬液処理方法
JPH10270318A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 飛散防止カップの洗浄方法及び塗布装置
JPH1144877A (ja) * 1997-07-24 1999-02-16 Nec Kagoshima Ltd 基板洗浄装置
JPH11162919A (ja) * 1997-11-27 1999-06-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11186211A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11297663A (ja) * 1998-04-14 1999-10-29 Kaijo Corp 洗浄物の乾燥装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3650042A (en) * 1969-05-19 1972-03-21 Ibm Gas barrier for interconnecting and isolating two atmospheres
US4282825A (en) * 1978-08-02 1981-08-11 Hitachi, Ltd. Surface treatment device
JPS6115238Y2 (ja) * 1981-04-06 1986-05-12
JPS60798B2 (ja) * 1981-06-09 1985-01-10 株式会社石井表記 超音波洗滌装置
JPS587830A (ja) * 1981-07-08 1983-01-17 Hitachi Ltd 薄片状物品の洗浄方法及び装置
SE440719B (sv) * 1983-06-17 1985-08-12 Holmstrands Plaatindustri Ab Sett och anordning vid rengoring av kretskort, som tidigare underkastats en lodningsoperation med flussmedel
JPS609129A (ja) * 1983-06-29 1985-01-18 Fujitsu Ltd ウエツト処理装置
US4722355A (en) * 1985-08-19 1988-02-02 Rolf Moe Machine and method for stripping photoresist from wafers
US4724856A (en) * 1986-03-17 1988-02-16 Pender Don P Dynamic flood conveyor
JPH0394428A (ja) * 1989-09-06 1991-04-19 Mitsubishi Electric Corp 半導体ウエハの洗浄方法
US5007445A (en) * 1990-02-26 1991-04-16 Advanced Systems Incorporated Dynamic flood conveyor with weir
JPH0459086A (ja) * 1990-06-25 1992-02-25 Hitachi Ltd 洗浄装置
DE4121032A1 (de) * 1991-06-26 1993-01-07 Schmid Gmbh & Co Geb Vorrichtung zum behandeln von plattenfoermigen gegenstaenden, insbesondere leiterplatten
JP2594577Y2 (ja) * 1991-09-11 1999-04-26 芝浦メカトロニクス株式会社 基板のディップ処理装置
JPH05182945A (ja) * 1991-12-27 1993-07-23 Hitachi Ltd 洗浄装置
JP3030313B2 (ja) * 1992-02-12 2000-04-10 住特フェライト株式会社 連続超音波洗浄装置
US5503171A (en) * 1992-12-26 1996-04-02 Tokyo Electron Limited Substrates-washing apparatus
US5553700A (en) * 1995-04-10 1996-09-10 Atotech Usa, Inc. Treatment method and apparatus for printed circuit boards and the like
DE19524523A1 (de) * 1995-07-05 1997-01-09 Atotech Deutschland Gmbh Anwendung eines Verfahrens und einer Vorrichtung zum Behandeln von Fluiden in der Leiterplattentechnik
US5836325A (en) * 1996-02-20 1998-11-17 Speedfam Clean System Co., Ltd. Running water type washing machine
DE19616400C2 (de) * 1996-04-24 2001-08-30 Steag Micro Tech Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten in einem Fluid-Behälter
EP0817246B1 (en) * 1996-06-24 2005-02-02 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Apparatus and method for wet cleaning or etching of flat substrates
JPH1176956A (ja) * 1997-09-02 1999-03-23 Supiide Fuamu Clean Syst Kk 流水式洗浄装置における加圧式給液・整流機構
DE19901162C2 (de) * 1999-01-14 2002-03-14 Wacker Siltronic Halbleitermat Vorrichtung und Verfahren zum Reinigen von Halbleiterscheiben
AU772539B2 (en) * 1999-07-29 2004-04-29 Kaneka Corporation Method for cleaning photovoltaic module and cleaning apparatus
US6423149B1 (en) * 2000-03-22 2002-07-23 Agere Systems Guardian Corp. Apparatus and method for gradient cleaning of semiconductor wafers
AU2001259372A1 (en) * 2000-05-02 2001-11-12 Paratek Microwave, Inc. Microstrip phase shifter

Patent Citations (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57160955A (en) * 1981-03-25 1982-10-04 Nippon Electric Co High dielectric constant ceramic composition
JPH0320031A (ja) * 1989-06-16 1991-01-29 Matsushita Electron Corp 超音波洗浄装置
JPH0430521A (ja) * 1990-05-28 1992-02-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板用回転式表面処理装置
JPH0513393A (ja) * 1990-08-31 1993-01-22 Oki Electric Ind Co Ltd 洗浄方法
JPH065577A (ja) * 1992-06-16 1994-01-14 Nec Corp 基板洗浄装置
JPH0851092A (ja) * 1994-08-08 1996-02-20 Tokyo Electron Ltd 処理装置及び洗浄装置
JPH0919665A (ja) * 1995-07-04 1997-01-21 Shibaura Eng Works Co Ltd 超音波洗浄装置
WO1997014898A1 (en) * 1995-10-19 1997-04-24 C Valves Ltd. In-line control valves
JPH09186125A (ja) * 1995-12-28 1997-07-15 Sony Corp ウエハ洗浄用コンテナおよびウエハ洗浄装置
JPH09232212A (ja) * 1996-02-26 1997-09-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 現像装置
JPH10180196A (ja) * 1996-06-24 1998-07-07 Interuniv Micro Electro Centrum Vzw 平坦な基材を湿式でクリーニングまたはエッチングするための装置および方法
JPH1027770A (ja) * 1996-07-09 1998-01-27 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH1041265A (ja) * 1996-07-18 1998-02-13 Tokyo Electron Ltd 洗浄処理方法、洗浄・乾燥処理方法及びその装置
JPH10163158A (ja) * 1996-12-03 1998-06-19 Dan Kagaku:Kk 板状体洗浄装置
JPH10177978A (ja) * 1996-12-18 1998-06-30 Tadahiro Omi 洗浄やエッチング、現像、剥離等を含むウエット処理に用いる省液型の液体供給ノズル、省液型の液体供給ノズル装置及びウエット処理装置
JPH10223585A (ja) * 1997-02-04 1998-08-21 Canon Inc ウェハ処理装置及びその方法並びにｓｏｉウェハの製造方法
JPH10261609A (ja) * 1997-03-21 1998-09-29 Sony Corp 薬液処理装置及び薬液処理方法
JPH10270318A (ja) * 1997-03-25 1998-10-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 飛散防止カップの洗浄方法及び塗布装置
JPH1144877A (ja) * 1997-07-24 1999-02-16 Nec Kagoshima Ltd 基板洗浄装置
JPH11162919A (ja) * 1997-11-27 1999-06-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11186211A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11297663A (ja) * 1998-04-14 1999-10-29 Kaijo Corp 洗浄物の乾燥装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012528483A (ja) * 2009-05-29 2012-11-12 ラム リサーチ コーポレーション 半導体ウエハ上の液体メニスカスの物理的閉じ込めのための方法および装置
JP2012161781A (ja) * 2011-02-08 2012-08-30 Shigeo Matsueda 超音波薬液反応装置

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