NL1037065C2

NL1037065C2 - Stripvormige transducer-opstelling, welke is opgenomen in een stripvormig gedeelte van een tunnelblok van een semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling ten behoeve van het daarmede tenminste mede plaatsvinden van een semiconductor behandeling van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, welke gedurende de werking ervan ononderbroken erlangs verplaatsen.

Info

Publication number: NL1037065C2
Application number: NL1037065A
Authority: NL
Inventors: Edward Bok
Original assignee: Edward Bok
Priority date: 2009-06-23
Filing date: 2009-06-23
Publication date: 2010-12-27

Description

Stripvormige transducer-opstelling, welke is opgenomen in een stripvormig 'gedeelte van een tunnelblok van een ^ semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstel- ling ten behoeve van het daarmede tenminste mede plaats-5 vinden van een semiconductor behandeling van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, welke gedurende de werking ervan ononderbroken erlangs verplaatsen.

In deze Octrooi-aanvrage is een semiconductor substraat 10 transfer/behandelingstunnel-opstelling aangegeven en omschreven, met tijdens de werking ervan het daarin plaatsvinden van een ononderbroken lineaire verplaatsing erdoorheen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en plaatselijk in een tunnelblok ervan de opname van een 15 stripvormige transducer-opstelling ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

In een gunstige uitvoering van zulk een transducer-opstelling is deze zodanig uitgevoerd, dat deze is opgenomen in een uitwisselbaar stripvormig transducer-blok, welke 20 drukdicht is bevestigd tegen een boven- of ondertunnelblok.

Daar bij in een volgende gunstige uitvoering ervan is deze opgenomen in een stripvormig gedeelte van het boven-tunnelblok ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling en in een 25 ervdör-gelegen stripvormige toevoer-sectie toevoer van de combinatie van typisch een laag-kokend vloeibaar draagmedium en veelal nanometer grote deeltjes van een semiconductor substantie in een vloeibare of vaste vorm ervan.

Zulk een medium-toevoerinrichting is omschreven in de 30 gelijktijdig ingediende Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 4 van de aanvrager.

In de bovenspleet-sectie onder deze transducer vindt met behulp van de erdoor ontwikkelde warmte het ononderbroken plaats van een geleidelijke verdamping van dit vloeibare 35 draagmedium onder tenslotte tenminste nabij het achtergedeelte ervan het bewerkstelligd zijn van verdamping van tenminste nagenoeg al het opvolgend toegevoerde vloeibare draagmedium onder een tenminste nagenoeg totale neerslag 1037065 2 van deze deeltjes semiconductor substantie op deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder een optimale vlakheid van de bewerkstelligde micrometer hoge laag ervan 5 en zulks mede met behulp van het daarbij onderhouden van een typisch tenminste hoog-frequente tril-conditie van de bewerkstelligde damp boven deze deeltjes en waarbij in een volgende stripvormige afvoer-sectie van dit blok het plaatsvinden van afvoer van de ontwikkelde damp.

10 Daarbij het bewerkstelligd zijn van een typisch nanometer hoge laag van een vloeibare hecht-substantie of een micrometer hoge laag van deeltjes van een semiconductor substantie in een typisch vaste vorm ervan.

Met behulp van zulk een opgebrachte micrometer hoge laag 15 van een semiconductor substantie in een vaste vorm ervan tijdens de daarop-volgende semiconductor behandelingen in deze tunnel-opstelling tenminste mede het plaatsvinden van het navolgende: a) in een volgende oven-sectie van deze tunnel-doorgang het 20 ononderbroken plaatsvinden van een zodanige warmtebehandeling van deze opgebrachte laag, dat daardoor een samensmelten ervan geschiedt, met in een daarop-volgende sectie een afkoeling ervan onder de bewerkstelliging van een vaste laag ervan; 25 b) al dan niet na de onder a) vermelde combinatie van een oven- en een daarop-volgend afkoel-proces het fungeren van deze opgebrachte semiconductor laag als een micrometer hoge di-electrische onderlaag, met in volgende tunneldoorganggedeeltes het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw 30 daarop van tenminste één volgende micrometer hoge laag met dezelfde semiconductor opbouw ervan; c) al dan niet na het onder a) vermelde oven- en afkoel-proces van deze opgebrachte laag van een semiconductor substantie, het vervolgens fungeren ervan als een micrometer 35 hoge semiconductor onderlaag en in daarop-volgende tunneldoorgangs-gedeeltes het ononderbroken plaatsvinden van opbouw daarop van tenminste één volgende micrometer hoge semiconductor laag, bevattende tenminste mede één ander 3 semiconductor bestanddeel ervan; d) door in volgende gedeeltes van de tunnel-doorgang het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor indring-proces met het daar bij indringen van deeltjes van zulk een 5 semiconductor substantie in de semiconductor bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, na het plaatsvinden van zulk een combinatie van een oven- en afkoel-proces aaneenhechten van deze bewerkstelligde vaste semiconductor 10 laag met de reeds opgebrachte semiconductor bovenlaag; e) na het mede met behulp van deze boven-transducer opbrengen van een volgende micrometer hoge semiconductor laag, bevattende dezelfde semiconductor bestanddelen, het typisch daar bij vervolgens wederom plaatsvinden van zulk een 15 semiconductor indring-proces van nanometer grote deeltjes met behulp van zulk een boven-transducer in deze reeds bewerkstelligde vaste laag en het vervolgens wederom plaatsvinden van zulk een oven- en afkoel-proces verankering ervan op deze reeds opgebrachte semiconductor 20 laag en waarbij typisch in daarop-volgende tunneldoortocht-gedeeltes het plaatsvinden van een aantal herhalingen van zulk een semiconductor laag-opbouw met behulp van tenminste mede zulk een transducer-opstelling; f) na het onder d) vermelde opbrengen van een volgende 25 micrometer hoge semiconductor laag, bevattende tenminste één ander semiconductor bestanddeel, met het daarbij onder vervolgens wederom met behulp van zulk een transducer-opstelling plaatsvinden van zulk een semiconductor indring-proces van nanometer grote deeltjes ervan in de reeds 30 bewerkstelligde vaste laag, in volgende tunneldoortocht-gedeeltes het typisch wederom plaatsvinden van zulk een combinatie van een oven- en afkoel-proces van deze laag onder een optimale verankering ervan op de reeds opgebrachte semiconductor laag en wederom typisch in daarop-volgende 35 tunneldoortocht-gedeeltes het plaatsvinden van tenminste één herhaling van zulk een semiconductor laag-opbouw; en g) in een gunstige semiconductor opbouw van zulke opvolgende semiconductor lagen met een eveneens met behulp van zulk een 4 tranducer-opstelling bewerkstelligde semiconductor tussenlaag het fungeren ervan als een semiconductor hechtlaag tussen de reeds bewerkstelligde semiconductor bovenlaag en deze volgende semiconductor laag en waarbij 5 mogelijk het navolgende: 1. de opbouw van een totale semiconductor-laag met dezelfde semiconductor bestanddelen ervan; en/of 2. de opbouw van een totale semiconductor laag, bevattende een aantal boven elkaar gelegen semiconductor lagen met 10 een andere samenstelling van de daarin opgenomen deeltjes van een semiconductor substantie in combinatie met zulk een tussengelegen semiconductor hechtlaag.

Het onder a) tot en met g) gestelde is tevens gedetailleerd vastgelegd in de bijgaande, gelijktijdig door de 15 aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

Verder met behulp van de in deze semiconductor installatie/tunnel-opstelling toegepaste electrische trilling-opwekinrichting volgens de bijgaande Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 5 het ononderbroken onderhouden van 20 één van de navolgende pulser- of tril-condities van zulk een transducer: a) een circa gelijke verplaatsings-snelheid tijdens de opvolgende op- en neerwaartse verplaatsing ervan; b) de combinatie van een snelle opwaartse- en een daarop- 25 volgende langzame neerwaartse verplaatsing ervan; of c) de combinatie van een langzame neerwaartse- en een daarop-volgende snelle opwaartse verplaatsing ervan. Tevens is zulk een transducer-opstelling toepasbaar als een onder-transduceropstelling onder het tijdens het typisch 30 hoog-frequent trillen ervan het mede onderhouden van zulk een tril-conditie voor de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en zulks mede door de combinatie van een geringe hoogte ervan en van deze opvolgende substraat-gedeeltes.

35 Binnen het kader van de uitvinding is zulk een stripvormige transducer-opstelling en het uitwisselbare transducer-blok ook in een aangepaste vorm ervan toepasbaar.

5

In een gunstige uitvoering zijn deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes tenminste mede een typisch kunststoffen folie of een ononderbroken metalen band met een rol-opstelling nabij de in- en uitgang van de 5 tunnel-opstelling en bestaat zulk een semiconductor substraat-gedeelte uit tenminste een di-electrische substantie.

Verder voor dit neerslag-systeem van deeltjes van een semiconductor substantie met behulp van zulk een transducer-10 opstelling de mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor inrichtingen, welke zijn omschreven in de gelijktijdig hiermede ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen door de aanvrager.

Verder is deze transducer-opstelling en het semiconductor 15 neerslag-systeem daarmede toepasbaar in deze andere semiconductor inrichtingen.

De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan de hand van de in de Figuren weergegeven semiconductor transducer-opstellingen.

20 Figuur 1 toont een gedeelte van de semiconductor tunnel- stelling 10, met daarin in het stripvormige compartiment 12 van het boventunnelblok 14 ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan de opname van de typisch tenminste hoog-frequent trillende 25 transducer 16 met rondom ervan de membraam-sectie 18.

In dit blok vóór deze transducer de opname van de stripvormige toevoer groef 20, met aansluiting ervan op tenminste één medium-toevoerleiding 22, ten behoeve van het tijdens de werking van deze tunnel-opstelling daarin 30 plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van een laag-kokend vloeibaar draagmedium 24 en typisch nanometer grote deeltjes semiconductor substantie 26.

In deze tunnel-opstelling het verder ononderbroken verplaatsen erdoorheen van de folie 28 met een breedte 35 ervan, welke nagenoeg gelijk is aan die van de tunnel- doorgang 30,31s semiconductor onderlaag van de opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 32.

6

Daarbij tijdens deze tunnel-werking het ononderbroken verplaatsen van deze combinatie van draagmedium 24 en deeltjes semiconductor substantie 26 door deze tunnel-doorgang onderlangs deze transducer 16, met door de 5 daarmede ontwikkelde warmte het plaatsvinden van een geleidelijke en tenslotte typisch een totale verdamping van dit draagmedium en het neerslaan van deeltjes van deze substantie 26 op deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 32, zoals sterk vergroot is aangegeven in de 10 Figuren 2 en 3, en afvoer van de bewerkstelligde damp 40 via de in de Figuur 4 aangegeven sterk-vergrootte stripvormige afvoergroef 34, met aansluiting erop van tenminste één afvoerleiding 36.

Zulks onder de bewerkstelliging van een ultra vlakke 15 conditie van deze micrometer hoge laag van deeltjes van een semiconductor substantie.

Verder een toenemende hoogte van deze tunnel-doorgang 30 boven deze neergeslagen deeltjes 42, zoals sterk vergroot is aangegeven in deze opvolgende Figuren 2, 3 en 4.

20 Figuur 2 toont een gedeeltelijke doorsnede van de tunnel-doorgang 30 ter plaatse van het begin-gedeelte van deze transducer 16 en waarin het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium 24 voor deze deeltjes 26 van een semiconductor substantie onder de 25 bewerkstelliging van het dampvormige medium 40.

Figuur 3 toont een gedeeltelijke doorsnede van de tunnel-doorgang 30 nabij de uitgang van deze transducer-opstelling en waarin het plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes 26 op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor 30 substraat-gedeeltes 32 onder de opbouw van een micrometer hoge laag 42 ervan.

Figuur 4 toont een gedeeltelijke doorsnede van de tunnel-doorgang 30 ter plaatse van de stripvormige afvoer-sectie 34 in het boventunnelblok 14 voor het verdampte vloeibare 35 draagmedium 40 en waarbij het bewerkstelligd zijn van een tenminste nagenoeg gehele neerslag van deze deeltjes 26 van een semiconductor substantie op deze opvolgende; gedeeltes 32 onder het bewerkstelligen van een micrometer 7 hoge laag 42 ervan

Voor deze transducer 16 de toepassing van elk soort van materiaal voor de di-electrische tussenlaag 44 ervan, welke in een voldoende mate de in de electrische trilling-5 opwekinrichting volgens de bijgaande Nederlandse Octrooiaanvrage No. 6 van de aanvrager opgewekte trillende electrische stromen erdoorheen verplaatst vanaf de boven-electrodeplaat 46 naar de onder-electrodesectie 48 van dit uitwisselbar e transducer-blok SO nnripr opl iïlrt ttri i o ρργ> ..... ” ” ' ” - O ~ “O “ 10 zodanig voldoende verwarming ervan, dat daarmede zulk een verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium 24 plaatsvindt.

Verder elke gewenste hoogte van deze tussenlaag 44, zoals de geringe hoogte ervan, welke in deze Figuur is 15 aangegeven.

In dit transducer-compartiment 12 boven het begin- en eind-gedeelte van deze transducer 16 de uitmonding van de toevoer-kanalen 90 en 92 van gasvormig medium 94 onder een geringe overdruk ten opzichte van de druk van het 20 semiconductor behandelings-medium in het bovenspleet-gedeelte 72.

Tegen de onderwand van dit stripvormige transducer-blok 14 ter plaatse van dit compartiment 12 de opname van een stripvormige warmte-isolerende, typisch di-electrische laag, 25 waartegen in een gunstige uitvoering van dit blok het gehecht zijn van een stripvormig dunwandig electrisch verwarmings-element 96 tussen deze toevoer-kanalen 90 en 92 ten behoeve van, indien benodigd, met behulp van het daarmede onderhouden van zulk een hoge temperatuur van het 30 gasvormige medium 94 in dit compartiment en daardoor van deze transducer 16, dat daarbij ook bij een zeer lage benodigde tril-frequentie ervan, met typisch een daarbij gepaard gaande geringe warmte-ontwikkeling ervan, het toch mede met behulp van deze extra toegevoerde warmte zulk een 35 verdampings-proces ermede van het toegevoerde vloeibare draagmedium 24 gewaarborgd is.

In de Figuur 5 is de alternatieve uitvoering 16' van deze transducer aangegeven en bevindt daarbij tussen de onder- 8 electrodeplaat 48' ervan en de onderwand van dit uitwisselbare blok 50' de verankerde di-electrische tussenlaag 64* waardoor het fungeren ervan als een in een voldoende mate electrisch geïsoleerde transducer 16'· 5 Daarbij ook in deze alternatieve uitvoering de opname van zulk een stripvormig verwarmings-element 96' tegen de di-electrische bovenlaag 94', zoals ook daarbij het onderhouden van zulk een laag-frequente tril-conditie van deze transducer 16' onder een voldoend hoge temperatuur 10 ervan.

Figuur 6 toont voor zulk een transducer 16 tijdens de werking ervan met behulp van zulk een opgewekte trilling 56 het plaatsvinden van één van de navolgende condities 58 van de opvolgende zeer laag-frequent trillende op- en 15 neerwaartse verplaatsingen ervan: a) een circa gelijke snelheid van deze op- en neerwaartse verplaatsing, conditie 58^; of b) de combinatie van een snelle opwaartse- en een daaropvolgende langzame neerwaartse verplaatsing, conditie 58^, of 20 c) de combinatie van een langzame opwaartse- en een daaropvolgende snelle neerwaartse verplaatsing, conditie 58C.

Daarbij de navolgende hoogtes van deze tril-condities 58: a) een aanzienlijke hoogte van de trillingen 56 onder de zeer laag-frequente tril-conditie 58» typisch een pulseer- 25 conditie, Figuur 6; of b) een geringe hoogte van de trillingen 56'onder de hoogfrequente tril-conditie 58*, Figuur 7, of c) een nog geringere hoogte van de trillingen 56'' onder de zeer hoog-frequente tril-conditie 58!', Figuur 8; of 30 d) een nog geringere hoogte van de trillingen 56''' onder de ultra hoqg-frequente tril-conditie 58' ' ' , Figuur 9.

Verder daarbij elke gewenst wordende lengte van deze opgewekte electrische trillingen en daarmede eveneens van deze erdoor in zulk een transducer 16 bewerkstelligde op-35 en neerwaartse transducer-verplaatsingen.

Figuur 10 toont een alternatieve uitvoering van het uitwisselbare transducer-blok 50, met op het transducer-compartiment 12 ervan de aansluiting van tenminste één 9 centraal gelegen toevoer/afvoer-leiding 60 voor gasvormig medium 62 ten behoeve van het fungeren van deze daarin opgenomen transducer tevens als een zeer laag-frequent pulserende op en neerwaarts verplaatsende stripvormige 5 drukwand.

Daarbij met behulp van deze transducer het typisch gelijktijdig onderhouden van één van de in de Figuren 6 tot en met 9 aangegeven tril-condities 58 ervan.

Figuren· 10^ en 10^ tonen daarbij de membraam-gedeeltes 18 10 van dit transducer-blok 50 ten behoeve van het met behulp van het laag-frequent pulserend toe- en afvoeren van het gavormige medium 62 naar en vanaf het compartiment 12 tevens kunnen onderhouden van zulk een pulseer-conditie ervan.

Figuur 11 toont wederom zulk een stripvormige transducer-15 opstelling 16 ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een optimale vlakheids-behandeling (egalisatie-proces) van de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte laag 64 van deeltjes van een di-electrische substantie 92 op de ononderbroken eronderlangs verplaatsende 20 kunststof-folie 28 met, indien benodigd, de toepassing van een reeds daarop opgebrachte typisch nanometer hoge laag van een vloeibare hechtsubstantie 120, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren llA t/m D ter plaatse van het voorste membraam-gedeelte 18.

25 Daarbij de toepassing van de in de Figuur 7 aangegeven tril-conditie 58^ van deze transducer, met een snelle neerwaartse- en een daarop-vol'gende langzame opwaartse verplaatsing ervan, zoals is aangegeven in de Figuren l iB,C en D.

30 Verder met behulp van het in de toevoer-leiding 60 toegevoerde gasvormige medium 62 naar het transducer-compartiment 12 het onderhouden daarin van een zodanige overdruk ervan ten opzichte van de druk van het dampvormige medium 70 in de bovenspleet-sectie 72, dat daardoor mede 35 een afnemende hoogte ervan ter plaatse van dit voorste membraam-gedeelte 18 is bewerkstelligd, Figuren llA t/mD, onder het verkregen zijn van een micrometer hoogte van de damplaag 74 boven deze opgebrachte laag 64, Figuren llE en F.

10

Verder onder het achterste luembraam-gedeelte 18 een toenemende hoogte van deze bovenspleet-sectie 72 tot naar een voldoende hoogte ervan ten behoeve van het afvoeren van het dampvormige medium 70 via de afvoer leiding 76, .

5 Figuur llG.

Ook voor deze transducer, indien benodigd, de toepassing van zulk een electrisch verwarmings-element 78 in het transducer-compartiment 12.

Figuur -12 toont in een dwars-doorsnede van de tunnel-10 opstelling 10 een stripvormige sectie ervan de opname van een uitwisselbaar tranducerblok 50, met daarin de opname van de· transducer-opstelling 16, met vanaf het centrale gedeelte van de tunnel-doorgang 30, waarin de opname van een toevoer-kanaal 60 voor de tijdelijke toevoer van gasvormig medium 62, 15 een afnemende hoogte van de onderwand van dit blok naar de beide dwars-uiteinden ervan.

Daar bij eveneens tegen deze onder wand van dit blok 50 ter plaatse van het centrale transducer-compartiment 12 de opname van zulk een warmte-isolerende laag 92, met daartegen 20 wederom de opname van zulk een stripvormige electrische verwarmings-inrichting 94

Figuur 12^ toont daarbij sterk vergroot de doorsnede over de lijn 12A-12A Van deze tunnel-sectie.

Figuur 12^ toont eveneens sterk vergroot dit centrale 25 gedeelte van deze tunnel 10 en waarin de opname van dit verwarmings-element 94 onmiddellijk boven deze transducer 16 en waarbij op de metalen semiconductor substraat draag/ transfer-band 96 in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebouwde semiconductor substraat-gedeeltes 32, met daarop 30 de neerslag van deeltjes 26 van een semiconductor substantie in een vaste vorm ervan.

Figuur 12^ toont daarbij nog zeer sterk vergroot de in de Figuren 6 tot en met 10 aangegeven en mogelijk daarin toepasbare electrische trillingen en waarbij de navolgende 35 alternatieven; a) in de Figuur 12CI een gelijkmatige op- en neerwaartse verplaatsing van deze transducer-trillingen 58.

b) in de Figuur 12CH een snelle opwaartse- en een daarop 11 volgende langzame neerwaartse verplaatsing ervan; of c) in de Figuur 12CIH gen langzame opwaartse en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing ervan.

Figuur 13 toont in het uitwisselbare transducer blok 14 5 de opname van de boven-transduc er opstel ling 16 en waar bij met behulp ervan het opbouwen eronder in de opvolgende bovenspleet-secties van een typisch nanometer hoge laag van een vloeibare hecht-substantie 120 en de nanometer grote deeltjes van deze substantie tezamen met het laag-10 kokende vloeibare draagmedium wordt toegevoerd vanuit de stripvormige toevoer-inrichting 122.

Eveneens in het compartiment 12 de opname van een stripvormige electrische verwarmings-plaat 118 ten behoeve van het tenminste bijdragen ervan in het verdampen van dit 15 draagmedium.

Daar bij met behulp van de combinatie van de toevoer-leiding 60 voor het gasvormige medium 62 nabij het begin-gedeelte van deze transducer en de afvoer leiding 76 voor dit medium naby het eind-gedeelte ervan het tenminste mede 20 bewerkstelligen van een toenemende hoogte van de opvolgende bovenspleet-gedeeltes 72, Figuren 13^ t/m E, met door het geleidelijk verdampen van het laag-kokende draagmedium daarin het ononderbroken plaatsvinden van neerslag van deze nanometer grote deeltjes op de opvolgende, eronderlangs 25 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 32, met typisch daarbij een kunststof-folie 28 onder met behulp van de transducer-trillingen de vorming van een gelijkmatige hoogte van deze neergeslagen deeltjes daarop.

Verder tenminste onder het metalen onderwand-gedeelte142 30 van dit blok 14 het aangebracht zijn van een tenminste nanometer hoge laag 136 van typisch teflon ten behoeve van het beletten van het aanhechten daarop van deeltjes van deze hecht-substantie 120 en zoals eveneens sterk vergroot is aangegeven in deze Figuren 13A t/m E.

35 Figuur 14 toont in een alternatieve uitvoering van dit compartiment 12 op deze stripvormige transducer-opstelling 16 het opgebracht zijn van een di-electrische laag 138 met daarop tenminste ter plaatse van het begin-gedeelte van deze 12

Cransducer-opstelling de opname van zulk een stripvormige electrische verwarmings-plaat 118 ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van verdamping van het toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium mede onder tril-conditie 5 en een bewerkstelligde neerslag van deze deeltjes van een semiconductor substantie 26 op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met ter plaatse van het achter-gedeelte van deze transducer-opstelling nog het onderhouden van een tril-conditie ervan 10 ten behoeve van het typisch daarmede plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze opgebrachte micrometer hoge laag van deze deeltjes 26.

Daarbij in een andere alternatieve uitvoering van een stripvormig gedeelte van de tunnel-opstelling het opbrengen 15 op het centrale gedeelte van de ononderbroken band/folie als een tijdelijke semiconductor onderlaag van de opvolgende, te bewerkstelligen verwijderbare semiconductor substraat-gedeeltes van een vloeibare hecht-substantie en daartoe tegen de onderzijde van het onder-plaat gedeelte 142 van het 20 uitwisselbare boven-transducerblok 14 tenminste onder deze transducer-opstelling 16 ervan het typisch eveneens aangebracht zijn van zulk een nanometer hoge laag van teflon 154, zoals is aangegeven in de Figuur 13, ten behoeve van het beletten van het aankleven van zulke deeltjes 25 hecht-substantie tegen dit onder-plaatgedeelte 142, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 14^ en 14^.

Figuur 15 toont in een uitwisselbaar stripvormig gedeelte 140 van de semiconductor tunnel-opstelling op het metalen stripvormige,dunwandige onderplaat-gedeelte 142, 30 met rondom ervan het membraam-gedeelte 18, de opname van een dunwandige di-electrische laag 144 en waarop in het begin-gedeelte 146 van deze di-electrische laag de opname van een stripvormige dunwandige metalen electrische verwarmings-plaat 152 met aansluiting ervan op de electrische toe- en 35 afvoer-leidingen 154 en 156 ten behoeve van het fungeren ervan als een ver warmings-element 158, en op het gescheiden achter-gedeelte 160 van deze laag 144 de opname van een eveneens stripvormige dunwandige metalen plaat 162 ten 13 behoeve van het fungeren ervan als een boven-electrode, met dit achter-gedeelte 160 als een stripvormige transducer-opstelling 16, met aansluiting daarop van zulk een electrische trilling-opwekinrichting.

5 Deze combinatie is sterk vergroot aangegeven in de

Figuur 15a.

Daarbij in dit uitwisselbare blok 140 vóór deze combinatie van de verwarmings-plaat 152 en transducer 16 een stripvormige toevoer-inrichting 122, met typisch daarop 10 aangesloten een aantal naast elkaar gelegen toevoer- leidingen voor de ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium 24 en deeltjes 26 van een semiconductor substantie, met de mogelijke toevoeging van een gasvormig draagmedium 166.

15 Daarachter in dit blok een stripvormige afvoergroef 34, met daarop aangesloten een aantal afvoer-leidingen 36 ten behoeve van het afvoeren van tenminste de met behulp van deze verwarmings-plaat 152 bewerkstelligd dampvormig medium 40.

20 Met behulp van de micrometer hoge laag teflon Γ64 tegen de onderwand van deze onderplaat 142, Figuur 15^, het daarbij beletten van neerslag van teveel deeltjes van een vaste semiconductor substantie, typisch een di-electrische substantie, tegen deze onderwand, zodat vervolgens onder het 25 achter-gedeelte van deze transducer , Figuur 15^, het plaatsvinden van een effening van deze opgebrachte laag, typisch een egalisatie-proces.

In een alternatieve uitvoering van zulk een uitwisselbaar stripvormig tunnel-gedeelte 140, zoals reeds is aangegeven 30 in de Figuren 14A en 14B5 eveneens de toepassing van zulk een vloeibare hecht-substantie 120 onder mede de toepassing van deze laag teflon 154 ten behoeve van het beletten van het aankleven van zulke deeltjes hecht-substantie tegen dit onder-plaatgedeelte 142, zoals sterk vergroot is aangegeven 35 in deze Figuren 15B en 15C.

Zulk een beletten van neerslag van deze deeltjes tevens ondersteund door het trillen van deze transducer onder de combinatie van een langzame neerwaartse verplaatsing en een 14 snelle opwaartse verplaatsing ervan, zoals mede is aangegeven in deze Figuren 15B en 15C.

Figuur 16 toont een tweetal opvolgende transducer-opstellingen 16 en 16' en waarbij na het opbrengen in een 5 voorgaand tunnel-gedeelte van een typisch.nanometer hoge laag van een definitieve hecht-substantie 120 op de ononderbroken erdoorheen verplaatsende kunststoffen folie 28, met behulp van de eerste transducer-opstelling 16 de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag 64 van deeltjes van een di-10 electrische substantie 26 op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende folie-gedeeltes onder een typisch ultra vlakke conditie ervan, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 16^ en met behulp van de tweede transducer-opstelling 16' de opbouw plaats vindt van een volgende di-15 electrische laag 64' op deze eerste laag 64 en zulks typisch eveneens onder een ultra vlakke conditie ervan, Figuur 16®.

Zulks onder toepassing van een stripvormige toevoer-inrichting 22 voor de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium 24 en deze deeltjes van de substantie 26 en 20 tenminste mede met behulp van in het transducer- compartiment 12 boven zulk een transducer-opstelling opgenomen electrische verwarmings-plaat 46 tegen de warmte-i so lerende bovenlaag 54 het daarbij plaatsvinden van verdamping van dit draagmedium 24 en zulks onder afvoer van 25 het verdampte medium via het stripvormige afvoer-gedeelte 34.

Achter dit tweede afvoer-gedeelte 34 in het boventunnelblok 108 de opname van een stripvormige electrische verwarmings-inrichting 78 ten behoeve van het bewerkstelligen van een vloeibare laag 80 van deze di-30 electrische substantie 26, met daarachter een stripvormige afkoel-inrichting 82 ten behoeve van het daarmede bewerkstelligen van een vaste conditie van de laag 84.

In plaats van zulk een kunststof-folie 28 eveneens de moge 1 ijke toepassing van een ononderbroken metalen band 96 35 als een tijdelijke semiconductor onderlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, met daarbij in het voorgaande tunnel-gedeelte :het daarop opgebracht zijn van een verwijderbare tijdelijke, typisch vloeibare hecht-substantie 120' 15 ten behoeve van het daarop opbrengen van zulke lagen van deeltjes 26 van een di-electrische substantie :en zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 16^.

Figuur 17 toont een stripvormige onder-transducer 102J 5 welke is opgenomen in een transducer-compartiment 104 van een uitwisselbaar stripvormig onder-transducerblok 106, ten behoeve van het daarmede tijdens de werking ervan het onderhouden van een typisch hoog-frequente tril-conditie van de opvolgende erbovenlangs verplaatsende semiconductor 10 substraat-gedeeltes 32 en waarbij dit compartiment 104 gevuld is met typisch uitsluitend gasvormig medium 62 onder een afgesloten conditie ervan.

Daarbij met behulp van de in het erboven gelegen gedeelte van het boventunnelblok 108 opgenomen opvolgende stripvormige 15 toe- en afvoer-groeven 110 en 112 voor semiconductor behandelings-medium 114, typisch een reinigings-, spoel-, strip- of ets-medium naar en vanaf de bovenspleet-sectie 116,. het daarmede plaatsvinden van zulk een behandelings-proces onder een bepaalde tril-conditie van deze opvolgende, 20 eronder.langs verplaatsende semiconductor substraat- gedeeltes 32, zoals is aangegeven in de Figuren 17^, B en waarin de verschillende mogelijke tril-condities ervan en tevens van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes: 25 a) een gelykmatige op- en neerwaartse verplaatsing; of b) een snelle opwaartse- en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing; of c) een langzame opwaartse- en een daarop-volgende snelle neerwaartse veplaatsing.

30 Verder onder deze transducer 102 de opname in dit compartiment 104 van een warmte-isolerende laag 118.

Als alternatief tegen deze laag 118 het bevestigd zijn van een dunwandige electrische verwarmings-plaat 120, Figuur 17^, ten behoeve van het daarmede tenminste onderhouden van een 35 bepaalde hoge temperatuur van deze opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes 32 en het daarmede ondersteunen van bepaalde semiconductor behandelings-processen, zoals het bijdragen in de verdamping 16 van het toegepaste laag-kokende vloeibare draagmedium

Figuur 17E toont nog een andere alternatieve uitvoering van dit onder-transducerblok 106 en waarbij met behulp van het via de leiding 60 ononderbroken opvolgend toe- en 5 afvoeren van het gasvormige medium 62 naar en vanaf dit transducer-compartiment 104 het onderhouden van tevens een zeer laag-frequente pulseer-conditie van deze opvolgende, erbovenlangs eer plaatsende substraat-gedeeltes 32 ten behoeve van het ondersteunen van zulk een semiconductor 10 behandelings-proces in de opvolgende stripvormige boven-spleetsecties 116 tussen deze opvolgende medium toe- en afvoer-groeven 110 en 112.

Figuur 18 toont nog een drietal opvolgende onder-transducers102, zoals is aangegeven in de Figuur 17A, ten 15 behoeve van het daarmede bewerkstelligen van een optimaal semiconductor behandelings-proces met behulp van het opvolgend toe- en afgevoerde semiconductor behandelings-medium 114.

Ook daarbij het mogelijk fungeren van het transducer-20 compartiment 104 als drukkamer en waarbij eveneens het via de centrale medium-toe/afvoerleiding 60 het opvolgend zeer laag-frequent toe- en afvoeren van het gasvormige medium 62, zoals is aangegeven in de Figuur 18^, ten behoeve van het tevens onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie 25 van zulk een transducer 102 en daarmede van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 32.

Verder voor zulk een transducer 102 elke gewenste hoogte van de di-electrische tussenlaag 44.

30 Tevens is in zulk een erboven gelegen gedeelte van de bovenspleet-secties 116 het mogelijk plaatsvinden van elk ander semiconductor behandelings-proces.

Daarbij, zoals reeds is aangegeven in de Figuur 11, de bevestiging van een stripvormige electrische verwarmings-35 plaat 120 tegen de di-electrische laag 120 ten behoeve van het bewerkstelligen en onderhouden van een zodanig hoge temperatuur van deze transducer 102, dat daardoor het mede bijdragen ervan in het verdampen van het ononderbroken 17 toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium 24 in het bovenspleet-gedeelte 116.

Figuur 19^ toont boven een uitwisselbare stripvormige ondertransducer-opstelling 102, welke eveneens is aangegeven 5 in de Figuur 17, in het boventunnel blok 108 de opname van een uitwisselbare stripvormige inrichting 126, bevattende een op- en neerwaarts verplaatsbare stripvormige drukwand-opstelling 128 en waarbij met behulp van de leiding 132 het opvolgend laag-frequent toe- en afvoeren van vloeibaar 10 drukmedium 130 naar en vanaf het compartiment 134 naast het met behulp van deze onder-transducer 102 onderhouden van een tril-conditie van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 32 het tevens onderhouden van een laag-frequent op- en neerwaarts verplaatsen van deze drukwand 128.

15 Aldus met behulp van deze combinatie van de opvolgende trillende substraat-gedeeltes 32 en daarboven zulk een laag-frequent pulseren van deze drukwand 128 het ononderbroken plaatsvinden van elk geschikt semiconducor behandelings-proces van deze opvolgende substraat-gedeeltes met een 20 daartoe geschikt semiconductor behandelings-medium onder tenminste mede deze combinatie van een tril- en pulseer-conditie ervan.

Daarby in een alternatieve uitvoering van deze opstelling, gezien in de lengterichting van deze tunnel, tevens daartoe 25 een mogelijk versprongen positie van deze drukwand-opstelling ten opzichte van deze onder-transducer, zoals is aangegeven in de Figuur 19®, of een tegengestelde versprongen positie, Figuur I9C.

Verder voor deze onder-transducer de mogelijke toepassing 30 van elke hoogte en vorm van de semiconductor trilling en het aantal trillingen per tijdseenheid en zulks onder toepassing van een in deze tunnel-opstelling opgenomen electrische trilling-opwekinrichting.

In een alternatieve opstelling daarby in het transducer-35 compartiment de opname van een stripvormige electrische verwarmings-plaat tegen de daarin opgenomen warmte-isolerende plaat, zoals is aangegeven in de Figuur 18A, ten behoeve van het daarmede onderhouden van een 'voldoend hoge 18 temperatuur van deze opvolgende, erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, dat daardoor het plaatsvinden van verdamping van tenminste een deel van het toegevoerde vloeibare medium.

5 Indien gewenst, is zulk een verwarmings-plaat al dan niet eveneens toepasbaar in het boven-eompartiment 134 onder toepassing daarin van zulk een warmte-isolerende plaat.

'Figuur 20^ toont boven de uitwisselbare stripvormige onder-transduceropstelling 102, welke eveneens is aangegeven 10 in de Figuur 17, in het boventunnelblok 1Ó8 de opname van een eveneens uitwisselbare stripvormige boven-transducer-opstelling 16, welke onder andere is aangegeven in de Figuur 15. en waarbij met behulp van deze onder-transducer het typisch onderhouden van een hoog-frequente tril-conditie 15 van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 32 en zulks typisch met behulp van het onderhouden van een micrometer hoge film hoog-kokend vloeibaar medium 168 in het onderspeet^ gedeelte 170 in combinatie met het daartoe onderhouden van 20 een geringe overdruk van het gasvormige medium 62 in het onder-transducercompartiment 104 ten opzichte van de druk van het gasvormige medium 62 in het boven-transducer-compartiment 12.

Aldus met behulp van deze combinatie van de typisch 25 eveneens hoog-frequent trillende boven-transducer en de opvolgende eronderlangs verplaatsende trillende substraat-gedeeltes 32 het ononderbroken plaatsvinden van elk geschikt semiconductor behandelings-proces van deze substraat-gedeeltes onder toepassing van een daartoe geschikt 30 semiconductor behandelings-medium, zoals onder andere een reinigings-, strip-, spoel- of ets-medium.

Daarbij, gezien in de lengterichting van deze tunnel, tevens daartoe een mogelijk versprongen positie van deze onder-transduceropstelling 102 ten opzichte van deze boven-35 transduceropstelling 16, zoals is aangegeven in de

Figuur 20B, of een tegengestelde versprongen positie,

Figuur 20C.

In een alternatieve opstelling daar bij in het boven- en / of 19 onder-transducercompartiment de opname van een stripvormige electrische verwarmings-plaat tegen de daarin opgenomen warmte-isolerende plaat, zoals onder andere is aangegeven in de Figuur 18^, ten behoeve van het daarmede onderhouden van 5 een zodanig hoge temperatuur van deze opvolgende, ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes, dat daardoor het plaatsvinden van verdamping van tenminste een gedeelte van het toegevoerde vloeibare medium.

Verder voor deze boven- en onder-transducer elke soort 10 van de bewerkstelligde trilling ervan en het aantal trillingen per tijdseenheid, welke worden verkregen onder de gebruikmaking van zulk een electrische trilling-opwek-inrichting.

Figuur 21 toont boven de uitwisselbare stripvormige 15 onder-transduceropstelling 102, welke tevens is aangegeven in onder andere de Figuur 17, in het boventunnelblok 108 de opname van een uitwisselbaar stripvormig blok 170, bevattende in het compartiment 172 ervan de tijdens de werking van de tunnel 10 roterende nokkenas-opstelling 174 en de 20 stripvormige drukwand 176 eronder, welke deel uitmaakt van dit blok 170.

Zulk een uitwisselbaar nokkenas-blok 170 is aangegeven en omschreven in meerdere, gelijktijdig ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

25 Daarbij met behulp van deze onder-transducer 102 het typisch onderhouden van een hoog-frequente tril-conditie van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 32 en zulks typisch met behulp van het onderhouden van een micrometer hoge film 30 hoog-kokend vloeibaar medium in het onderspleet-gedeelte in combinatie met het daartoe onderhouden van een geringe overdruk van het gasvormige medium 62 in het transducer-compartiment 104 ten opzichte van de druk van het 130 in het nokkenas-compartiment 172.

35 Aldus met behulp van deze combinatie van de trillende transducer 102 en daarmede van deze opvolgende trillende substraat-gedeeltes 32 en zulk een bewerkstelligde typisch trillende drukwand 176 het plaatsvinden van elk geschikt 20 semiconductor behandelings-proces van deze opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes 32, onder toepassing daartoe van een geschikt semiconductor behandelings-medium, zoals een reinigings-, 5 strip-, spoel- of ets-medium of een andere semiconductor substantie.

Daarbij, gezien in de lengterichting van deze tunnellO, tevens daartoe een mo gel ijk versprongen positie van deze nokkenas-opstelling 174 ten opzichte van deze transducer-10 opstelling 102, zoals is aangegeven in de Figuur 22A, of een tegengesteld versprongen positie, Figuur 22B.

Verder een geringe hoogte van het bovenspleet-gedeelte 76 ten behoeve van het daarin plaatsvinden van een bepaald semiconductor behandelings-proces.

15 Als alternatief een toenemende hoogte van dit bovenspleet- gedeelte 76 ten behoeve van het typisch afvoeren van verdampt vloeibaar medium, welke met behulp van een stripvormige verwarmings-plaat, welke is opgenomen in het boven- of onder-compartiment, wordt bewerkstelligd en zoals 20 is aangegeven in de Figuur 22^.

Verder eveneens elke mogelijke soort van trilling en trillings-frequentie voor deze onder-transducer 102 en aldus van de zich erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes en zulks ook voor deze boven-drukwand 176.

25 Figuur 23A toont in het ondertunnelblok 38 de opname van het nokkenas-blok 178, met daarin de opname van de tijdens de werking van de tunnel 10' roterende nokkenas-opstelling 180 en waarbij daarmede het typisch onderhouden van elk soort van tril-conditie van het stripvormige drukwand-gedeelte ervan.

30 Daarbij in het onder-compartiment 184 het typisch daartoe onderhouden van een geringe onderdruk van het daarin aanwezige vloeibare medium 130.

Verder in het boventunnelblok 108 de opname van een uitwisselbaar stripvormig transducer-blok 14, met daarin de 35 stripvormige transducer 16, en in het transducer- compartiment 176 tegen het daarin opgenomen warmte-: isolerende blok 118 de bevestiging van de electrische verwarmings-plaat 120 ten behoeve van het mede onderhouden 21 van een zodanig hoge temperatuur van deze transducer, dat daarbij het daarmede tevens plaatsvinden van verdamping van het via de toevoer leiding 20 toegevoerde vloeibare draagmedium 22 voor deeltjes 24 van een semiconductor 5 substantie, zoals onder andere een reinigings-, strip-, spoel- of ets-medium of een semiconductor substantie in een vaste vorm ervan.

Daarbij daartoe ook met behulp van deze transducer het onderhouden van elke gewenst wordende tril-conditie, zoals 10 onder andere is aangegeven in de Figuur 21.

Verder typisch met behulp van het opvolgend laag-frequent toe- en afvoeren van gasvormig medium 62 naar en vanaf dit transducer-compartiment 176 het tevens onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie van deze typisch hoog-15 frequent trillende transducer.

Tevens in dit ondertunnelblok 38 vóór dit nokkenas-blok 178 de opname van de toevoer-inrichting 186 voor dunvloeibaar medium 188, met afvoer van typisch tenminste een gedeelte ervan via de afvoer-inrichting 190 achter dit blok 20 ten behoeve van het onderhouden van een micrometer hoge film ervan in het onderspleet-gedeelte boven dit drukwand-gedeelte 182.

Daarbij, gezien in de lengterichting van deze tunnel 10, tevens daartoe de mogelijke versprongen positie van deze 25 nokkenas-opstelling 178 ten opzichte van deze transducer-opstelling 16, zoals is aangegeven in de Figuur 23B, of een tegengestelde versprongen positie, Figuur 23^.

Verder typisch een toenemende hoogte van het bovenspleet-gedeelte 76 ten behoeve van het ononderbroken afvoeren van 30 verdampt vloeibaar medium, welke met behulp van tenminste mede de stripvormige verwarmings-plaat 120, welke is opgenomen in het transducer-compartiment 12, wordt bewerkstelligd vanuit vloeibaar draagmedium 22, welke ononderbroken via deze toevoer-inrichting 20 wordt 35 toegevoerd.

Figuren 24 en 24A tonen in de onderwand van de onder-electrodeplaat 48 van de stripvormige boven-transducer-opstelling 16, welke is opgenomen in het boventunnelblok 108, 22 de opname van een groot aantal, in dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen medium-doorlaatgroeven 192, welke zich typisch uitstrekken vanaf een in een voorgaand gedeelte van dit boventunnelblok opgenomen, niet aangegeven toevoer-5 inrichting voor de combinatie van vloeibaar draagmedium 24 en deeltjes van een semiconductor substantie 26.

Daarbij voor deze , typisch in geringe mate in dwarsrichting uitstrekkende groeven, zoals is aangegeven in de Figuur -24B, het navolgende, Figuren 24C en 24D; 10 al een toenemende hoogte van het bovenspleet-gedeelte 72 boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 32, met typisch de ononderbroken metalen band 96 als een tijdelijke onderlaag ervan; en/of 15 b) een toenemende omvang van deze groeven 192' en zulks al dan niet in combinatie met deze toenemende spleet-hoogte.

Zulk een groef-opstelling is mogelijk door het mede daartoe slechts onderhouden van een hoog-frequente tril-conditie van zulk een transducer 16, met aldus daartoe een voldoende 20 hoogte van deze onder-electrodeplaat 48.

Figuren 25 en 25A tonen in de bovenwand van de boven-electrodeplaat 194 van de onder-transducer 102 eveneens zulk een groef-opstelling 192, met daarbij eveneens de mogelijke uitvoeringen ervan, welke zijn aangegeven in de 25 Figuren 24B»C en D.

In alternatieve uitvoeringen van zulk een stripvormige tunnel-sectie het navolgende: a) daarbij in de onderwand van het drukplaat-gedeelte 176 van de boven-nokkenasopstelling 174, zoals onder andere is 30 aangegeven in de Figuur 21, de opname van zulke naast elkaar gelegen groeven 192; of b) daarbij in de bovenwand van het drukplaat-gedeelte 182 van de onder-nokkenasopstelling 180, zoals onder andere is aangegeven in de Figuur 23A t de opname van zulke naast 35 elkaar gelegen groeven.

Binnen het kader van de uitvinding zijn verder tenminste mede nog andere constructieve opbouwen van zulk een boven-transduceropstelling 16 of onder-transduceropstelling 102 23 mogelijk en zulks onder elke vorm en hoogte van de trillingen ervan.

Verder zijn de aangegeven en omschreven Figuren van zulke transducer-opstellingen eveneens toepasbaar in de 5 gelijktijdig ingediende Nederlandse Octr ooi-aanvragen.

Tevens in zulk een stripvormige toevoer-inrichting 20 het uitsluitend toevoeren van vloeibaar medium, zoals reinigings-, strip-, ets- of spoel-medium 114.

Tevens in een alternatieve uitvoering van zulk een 10 transducer-opstelling, bevattende zulk een combinatie van tenminste een stripvormige boven- of onder-transducer met typisch ervóór zulk een stripvormige medium-toevoerinrichting en erachter zulk een stripvormige medium-afvoer inrichting, is deze opgenomen in een uitwisselbaar gedeelte van een 15 van een semiconductor substraat' transfer/behandelingstunnel-opstelling en waarbij zulk een gedeelte drukdicht is gekoppeld met de aan weerszijde ervan ernaast gelegen, eveneens uitwisselbare tunnel-gedeeltes.

1 0 3 7 0 65

Claims

1. Stripvormige transducer-opstelling, welke in een semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel- 5 opstelling is opgenomen ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan, ten behoeve van het daarmede tenminste mede onder typisch een tril-conditie ervan plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, 10 welke gedurende de werking ervan ononderbroken erlangs verplaatsen.

2. Transducer-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze daarbij als een boventransducer-opstelling is opgenomen in 15 een stripvormig gedeelte van het boventunnelblok van deze tunnel-opstelling.

3. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze daar bij is opgenomen in een uitwisselbaar stripvormig 20 transducer-blok, welke drukdicht is bevestigd op dit boventunnelblok.

4. Transducer-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze daarbij als ondertransducer-opstelling is opgenomen in een 25 stripvormig gedeelte van het ondertunnelblok van deze tunnel-opstelling.

5. Ondertransducer-opstelling volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze daar bij is op genomen in een uitwisselbaar stripvormig 30 transducer-blok, welke drukdicht is bevestigd tegen de onderzijde van,, dit blok.

6. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in dit boventunnelblok de opname van een van de 35 buitenlucht afgesloten stripvormig transducer-compartiment boven een in de hoogterichting op- en neerwaarts verplaatsbaar drukwand-gedeelte van dit metalen blok, met rondom een dunwandiger membraam-gedeelte ervan ten behoeve van het fungeren ervan als de onder-electrode van deze 1037065 boventransducer-opstelling.

7. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 3, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in dit uitwisselbare transducer-blok de opname van 5 een van de buitenlucht afgesloten stripvormig transducer- compartiment boven een in de hoogterichting op- en neerwaarts verplaatsbaar stripvormig drukwand-gedeelte van dit metalen transducerblok, met rondom een dunwandiger membraam-gedeelte ervan ten behoeve van het fungeren ervan als een onder-10 electrode van deze boventransducer-opstelling.

8. Ondertransducer-opstelling volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in dit ondertunnelblok de opname van een van de buitenlucht afgesloten stripvormig transducer-compartiment 15 onder een in de hoogterichting op- en neerwaarts verplaatsbaar drukwand-gedeelte van dit metalen blok, met rondom een dunwandiger membraam-gedeelte ervan ten behoeve van het mede fungeren ervan als de boven-electrode van deze ondertransducer-opstelling.

9. Ondertransducer-opstelling volgens de Conclusie 5, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in dit uitwisselbare stripvormige transducer-blok de opname van een van de buitenlucht afgesloten stripvormig transducer-compartiment onder een in de hoogterichting op-25 en neerwaarts verplaatsbaar drukwand-gedeelte van dit metalen blok, met rondom een dunwandiger membraam-gedeelte ervan ten behoeve van het mede fungeren ervan als de boven-electrode van deze ondertransducer-opstelling.

10. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande 30 Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat zoals daarbij het stripvormige transducer-gedeelte ervan zich bevindt ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling, daartoe de daarin toegepaste folie of band als 35 een semiconductor onderlaag van deze opvolgende, erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes tijdens de verplaatsing ervan erdoorheen, een breedte heeft, welke nagenoeg gelijk is aan die van de tunnel-doorgang.

11. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in het boventunnelblok van deze tunnel-opstelling vóór deze transducer de opname van een 5 stripvormige toevoer-inrichting ten behoeve van het tijdens de werking ervan daarin plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van een laag-kokend vloeibaar draagmedium en typisch tenminste nanometer grote deeltjes van een semiconductor substantie en welke is aangegeven en 10 omschreven in de bijgaande Nederlandse Octrooi-aanvrage No.4 van de aanvrager.

12. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij met behulp van de in een electrische trilling- 15 opwekinrichting, welke is aangegeven en omschreven in de gelijktydig ingediende Nederlandse Octr ooi-aanvrage No. 6 van de aanvrager, een zodanig hoge trxl-frequentie van deze uiterst dunne transducer,dat daarmede met behulp van de trillende electrische stromen daarin het tijdens de werking 20 ervan onderhouden van een zodanig hoge temperatuur ervan, dat deze naast dit trillen ervan tevens fungeert als een zodanige warmtebron, dat met behulp van de door deze transducer ontwikkelde warmte het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van dit laag-kokende vloeibare draagmedium 25 en zulks onder neerslag van deze deeltjes van een semiconductor substantie op de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

13. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 30 uitgevoerd, dat daarbij de mogelijke toepassing ervoor van elke soort van materiaal voor de di-electrische tussenlaag ervan, welke in een voldoende mate de in deze electrische trilling-opwekinrichting opgewekte trillende electrische stromen erdoorheen verplaatst vanaf de boven-electrodeplaat 35 naar de onder-electrodesectie van dit typisch uitwisselbare transducer-blok, met daarbij elke gewenst hoogte van deze tussenlaag, zoals deze uiterst geringe hoogte ervan.

14. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat zoals daarbij tijdens deze tunnel-werking het ononderbroken verplaatsen van deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie 5 door deze tunne1-doorgang onderlangs deze transducer, met al dan niet mede door de daarmede ontwikkelde warmte,het ononderbroken plaatsvinden van een geleidelijke en tenslotte typisch een totale verdamping van dit draagmedium en het neerslaan van deeltjes van deze substantie op de opvolgende 10 semiconductor substraat-gedeeltes en afvoer van de bewerkstelligde damp via de daarop volgende stripvormige afvoergroef, met aansluiting erop van tenminste één afvoerleiding.

15. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande 15 Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij ter plaatse van het begin-gedeelte ervan het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van het vloeibare draagmedium voor deze deeltjes van een semiconductor substantie onder de bewerkstelliging van 20 dampvormig medium en in het volgende gedeelte het ononderbroken plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes onder de opbouw van een micrometer hoge laag ervan en zulks onder het bewerkstelligd zijn van een tenminste 25 nagenoeg gehele neerslag van deze deeltjes.

16. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, met daarbij tegen de onderwand van dit stripvormige boventr ansucer blok ter plaatse van het transducer-compartiment de 30 opname van een stripvormige warmte-isolerende, typisch di-electrische laag, waartegen in een gunstige uitvoering van dit blok het gehecht zijn van een stripvormig dunwandig electrisch verwarmings-element tussen typisch de toevoer-kanalen voor gasvormig medium naar dit compartiment ten 35 behoeve van, indien benodigd·, met behulp van het daarmede onderhouden van zulk een hoge temperatuur van dit gasvormige medium in dit compartiment en daardoor van deze transducer, dat daarbij ook bij een zeer.lage benodigde tril—frequentie en mogelijk zelfs een pulseer-frequentie ervan, met typisch een daarbij gepaard gaande nagenoeg nihile warmte-ontwikkeling ervan, het toch mede met behulp van deze extra toegevoerde warmte zulk een verdampings-proces ermede van het toegevoerde 5 vloeibare draagmedium gewaarborgd is.

17. Boventransducer-opst'elling volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daartoe in dit transducer-compartiment boven deze transducer- het onderhouden van een geringe overdruk van dit 10 gasvormige medium ten opzichte van de druk van het semiconductor behandelings-medium in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte.

18. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 15 uitgevoerd, dat daarbij met behulp ervan de bewerkstelliging van een ultra-vlakke conditie van de micrometer hoge laag van zulke deeltjes van een semiconductor substantie.

19. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 18, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat 20 daarbij daaronder een toenemende hoogte van deze tunnel-doorgang boven deze neergelagen deeltjes

20. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tussen deze onder-electrodeplaat 25 ervan en de onderwand van dit uitwisselbare blok een verankerde di-electrische tussenlaag, waardoor het fungeren ervan als een in een voldoende mate electrisch geïsoleerde transducer en zoals ook daarbij in deze alternatieve uitvoering de opname van zulk een stripvormig verwarmings- 30 element tegen deze di-electrische bovenlaag van dit blok, ook het onderhouden van zulk een laag-frequente tril-conditie van deze transducer onder een voldoend hoge temperatuur ervan.

21. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande

35 Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tijdens de werking ervan met behulp van zulk een opgewekte en vervolgens onderhouden trilling het plaatsvinden van één van de navolgende condities van de opvolgende trillende op- en neerwaartse verplaatsingen ervan: a) een circa gelijke snelheid van deze op- en neerwaartse verplaatsing; of 5 b) de combinatie van een snelle opwaartse- en een daaropvolgende langzame neerwaartse verplaatsing; of c) de combinatie van een langzame opwaartse- en een daaropvolgende snelle neerwaartse verplaatsing,.

22. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 21, 10 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij eveneens moge 1 ijk de navolgende hoogtes van deze tril-condities: a) een aanzienlijke hoogte van deze trillingen onder een zeer laag-frequente tril-conditie , typisch een pulseer- 15 conditie; of b) een geringe hoogte van de trillingen onder een hoogfrequente tril-conditie; of c) een nog geringere hoogte van de trillingen onder een zeer hoog-frequente tril-conditie ; of 20 d) een nog geringere hoogte van de trillingen onder een ultra hoog-frequente tril-conditie.

23. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 22, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij verder tevens elke gewenst wordende lengte van deze 25 opgewekte electrische trillingen en daarmede eveneens van deze erdoor in zulk een transducer ervan bewerkstelligde op- en neerwaartse verplaatsingen ervan.

24. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 30 uitgevoerd, dat daarbij in een alternatieve uitvoering van het uitwisselbare transducer-blok op het transducer-compartiment ervan de aansluiteng van tenminste één centraal gelegen toevoer/afvoer-leiding voor gasvormig medium ten behoeve van het fungeren van deze daarin opgenomen 35 transducer tevens als een zeer laag-frequent pulserende open neerwaarts verplaatsende stripvormige drukwand.

25. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daar bij de dunwandige membra am-gedeeltes van dit transducer-blok rondom het stripvormige, typisch dikkere onder-electrode-gedeelte ervan ten behoeve van het met behulp van het laag-frequent pulserend toe-en afvoeren van het 5 gasvormige medium naar en vanaf het transducer-compartiment tevens tijdens de werking ervan het onderhouden van een pulseer-conditie van dit electrode-gedeelte.

26. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 10 uitgevoerd, dat daarbij het daarmede ononderbroken plaatsvinden van een optimale vlakheids-behandeling (egalisatie-proces) van de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte laag van deeltjes van een di-electrische substantie op een ononderbroken eronderlangs verplaatsende 15 kunststof-folie met, indien benodigd, de toepassing van een reeds daarop opgebrachte, typisch nanometer hoge laag van een vloeibare hechtsubstantie onder tenminste mede een tril-conditie van deze transducer, met een snelle neerwaartse- en een daarop-volgende langzame opwaartse 20 verplaatsing ervan.

27. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dit daarbij met behulp van het via deze toevoer-leiding toëgévoerde gasvormige medium naar het transducer- 25 compartiment het daarin onderhouden van een zodanige overdruk ervan ten opzichte van de druk van het dampvormige medium in de zich eronder bevindende bovenspleet-sectie, dat daardoor mede een afnemende hoogte ervan ter plaatse van het voorste membraam-gedeelte wordt onderhouden, 30 onder het verkregen zijn van een micrometer hoogte van de trillende damplaag boven de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte di-electrische laag en onder het achterste membraam-gedeelte een toenemende hoogte van deze bovenspleet-sectie tot naar een voldoend niveau ervan ten behoeve van 35 het afvoeren van dampvormige medium via de daarop-volgende medium-afvoerinrichting.

28. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 27, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij met behulp van de electrische trillingen de navolgende opvolgende op- en neerwaartse verplaatsingen van de transducer ervan ten behoeve van de bewerkstelliging van een optimale vlakheid van deze opgebrachte laag: 5 a) een gelijkmatige op- en neerwaartse verplaatsing ervan; of b) een langzame opwaartse en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing ervan.

29. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies', met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 10 uitgevoerd, dat, zoals deze is opgenomen in een uitwisselbaar transducer-blok, met daarin vanaf het centrale gedeelte ervan, waarin in de bovenwand ervan de opname van tenminste één toevoerkanaal voor de al dan niet tijdelijke toevoer van gasvormig medium, een afnemende hoogte van de onderwand van 15 dit blok naar de beide dwars-uiteinden ervan, eveneens tegen deze wand ter plaatse van het daarin opgenomen transducer-compartiment de opname van zulk een warmte-isolerende laag, met daartegen wederom de opname van zulk een stripvormige electrische verwarmings-inrichting.

30. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies en welke is opgenomen in een uitwisselbaar transducer-blok, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij met behulp ervan het plaatsvinden van opbouw eronder in de opvolgende bovenspleet-secties van een 25 typisch nanometer hoge laag van een vloeibare hecht- substantie en waarbij de nanometer grote deeltjes van deze substantie tezamen met laag-kokend vloeibaar draagmedium wordt toegevoerd vanuit een voorgaande stripvormige toevoer-inrichting, eveneens in het transducer-compartiment van dit 30 blok de opname van een stripvormige electrische verwarmings-plaat ten behoeve van het tenminste bijdragen ervan in het verdampen van dit draagmedium en waarbij met behulp van een toenemende hoogte van de opvolgende bovenspleet-gedeeltes het ononderbroken plaatsvinden van het geleidelijk verdampen 35 van het draagmedium en neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes onder de vorming van een gelijkmatige hoogte van deze neergeslagen deeltjes 'fiecht-substantie.

31. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 30. met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tenminste onder het dunwandige centrale metalen onderwand-gedeelte van dit transducer-blok als een 5 stripvormige onder-electrode van de transducer het aangebracht zijn van een tenminste nanometer hoge laag van typisch teflon ten behoeve van het navolgende: a) het beletten van het aanhechten daarop van deeltjes van deze hechtr-substantie; en 10 b) onder het achter-gedeelte van deze transducer het mogelijk plaatsvinden van een effening van deze opgebrachte laag, typisch een egalisatie-proces en zulks mede door het trillen van deze transducer.

32. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 31, 15 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tevens in een voorgaand stripvormig gedeelte van de tunnel-opstelling op het centrale gedeelte van de ononderbroken band/folie als een tijdelijke semiconductor onderlaag van de opvolgende, te bewerkstelligen verwijderbare 20 semiconductor substraat-gedeeltes het aangebracht zijn van een typisch vloeibare tijdelijke hecht-substantie en mede met behulp van deze transducer-opstelling op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes typisch eveneens aangebracht worden van zulk een typisch nanometer 25 hoge laag van een anti-hechtsubstantie, zoals dit teflon, ten behoeve van het eveneens beletten van het aankleven van zulke deeltjes hecht-substantie daartegen.

33. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies en welke typisch is opgenomen in een uitwisselbaar 30 transducer-blok, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in een alternatieve uitvoering van het transducer-compartiment op deze stripvormige transducer het opgebracht zijn van een di-electrische laag, met daarop tenminste ter plaatse van het begin-gedeelte van deze 35 transducer de opname van zulk een stripvormige electrische verwarmings-plaat ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van verdamping van het toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium mede onder tril-conditie en daarbij typisch neerslag van deze deeltjes van een semiconductor substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, met ter plaatse van het achter-gedeelte van deze transducer nog het onderhouden van een tril-conditie ervan 5 ten behoeve van het typisch daarmede plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze opgebrachte micrometer hoge laag van zulke deeltjes.

34. Bove.ntransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies en welke typisch is opgenomen in een uitwisselbaar 10 transducer blok, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in een uitwisselbaar stripvormig gedeelte van het boventunnelblok in het compartiment ervan op het metalen stripvormige, dunwandige onderplaat-gedeelte, met rondom ervan een membraam-gedeelte, de opname van een 15 dunwandige di-electrische laag en waarop ter plaatse van het begin-gedeelte van deze di-electrische laag de opname van een stripvormige dunwandige metalen electrische verwarmings-plaat met aansluiting ervan op electrische toe- en afvoer-leidingen ten behoeve van het fungeren ervan als een 20 electrisch verwarmings-element voor verdamping van het toegevoerde vloeibare draagmedium en op het gescheiden achter-gedeelte van deze laag de opname van een eveneens stripvormige dunwandige metalen plaat ten behoeve van het fungeren ervan als een boven-electrode van een stripvormige 25 transducer, met aansluiting daarop van zulk een electrische trilling-opwekinrichting.

35. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in een stripvormige inrichting 30 ervóór tijdens de werking ervan een ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar en gasvormig draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie, met behulp van deze transducer-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van een tenminste nagenoeg gehele neerslag van deze 35 combinatie van vloeibaar draagmedium en deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes en in de stripvormige afvoer-inrichting daarachter de afvoer van tenminste dit gasvormige draagmedium.

36. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies en welke typisch is opgenomen in een uitwisselbaar transducer-blok, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in dit transducer-blok de opname 5 van een groot aantal, in tenminste dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen medium-doorlaatgroeven, welke zich typisch uitstrekken vanaf zulk een in een voorgaand gedeelte van dit blok opgenomen toevoer-inrichting voor tenminste de combinatie· van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een 10 semiconductor substantie via dit transducer-gedeelte naar zulk een daarachter gelegen stripvormige medium-afvoer-inrichting , welke eveneens is opgenomen in dit blok en waarbij daartoe het onderhouden van typisch slechts een hoogfrequente tril-conditie van zulk een transducer, met aldus 15 daartoe een voldoende hoogte van de onder-electrodeplaat ervan.

37. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 36, met het kenmerk, dat daarbij voor deze, in dit transducer-blok opgenomen groeven het navolgende: 20 a) een toenemende hoogte van het bovenspleet-gedeelte boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met typisch de ononderbroken metalen band als een tijdelijke onderlaag ervan; en/of 25 b) een toenemende omvang van deze groeven en zulks al dan niet in combinatie met deze toenemende spleet-hoogte.

38. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in het boventunnelblok de opname van 30 een tweetal opvolgende transducer-opstellingen en waarbij na het opbrengen in een voorgaand tunnel-gedeelte van een typisch nanometer hoge laag van een typisch tijdelijke hecht-substantie op de ononderbroken erdoorheen verplaatsende folie of band met behulp van de eerste transducer-opstelling 35 de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag van deeltjes van een di-electrische substantie op deze laag tijdelijke hecht-substantie onder een typisch optimaal vlakke conditie ervan en met behulp van deze tweede transducer- opstelling de opbouw plaats vindt van een volgende di-electrische laag op deze eerste laag en zulks typisch eveneens onder een optimale vlakke conditie ervan en waarbij typisch zulk een opbouw van deeltjes van deze substantie ten 5 behoeve van met behulp van een daarop-volgende electrische verwarmings-inrichting in deze tunnel-opstelling het bewerkstelligen van een vloeibare laag ervan en vervolgens door afkoeling in een afkoel-inrichting het verkrygen van een vaste conditie van deze laag.

39. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij deze in combinatie met zulk een ervóór gelegen medium-toevoerinrichting en een erachter gelegen medium-afvoerinrichting is opgenomen in een uitwisselbaar mini semiconductor substraat transfer/ 15 behandelings-tunnelgedeelte van deze semiconductor tunnel-opstelling met, gezien in de lengterichting ervan, de drukdichte aansluiting ervan op een ernaast gelegen tunnel-gedeelte.

40. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande 20 Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daarmede in een stripvormig gedeelte van deze tunnel-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes met behulp 25 van in een voorgaand tunnel-gedeelte toegevoerd vloeibaar behandelings-medium, zoals onder andere een reinigings-, strip-, ets- of spael-proces.

41. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 30 uitgevoerd, dat daarbij na het plaatsvinden van zulk een oven- en afkoel-proces van de opgebrachte laag van een vaste semiconductor substantie, het vervolgens fungeren ervan als een micrometer hoge semiconductor laag en in daarop-volgende tunneldoorgangs-gedeeltes het ononderbroken 35 plaatsvinden van opbouw daarop mede met behulp van zulk een transducer van tenminste één volgende micrometer hoge semiconductor laag, bevattende tenminste mede één ander semiconductor bestanddeel ervan.

42. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij typisch in volgende gedeeltes van de tunnel-doorgang met behulp van zulk een transducer ervan 5 het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor indring-proces, met het daarbij indringen van deeltjes van een semiconductor substantie in de semiconductor bovenlaag van de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en na het plaatsvinden van zulk een 10 combinatie van een oven- en afkoel-proces het aaneenhechten van deze bewerkstelligde vaste semiconductor laag met de reeds opgebrachte semiconductor laag geschiedt.

43. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 42, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat 15 daarbij na het mede met behulp van deze boven-transducer opbrengen van een volgende micrometer hoge semiconductor laag, bevattende dezelfde semiconductor bestanddelen, het typisch daarbij vervolgens met behulp van zulk een boven-transducer wederom plaatsvinden van zulk een semiconductor 20 indring-proces van nanometer grote deeltjes in deze reeds bewerkstelligde vaste laag en na het vervolgens wederom plaatsvinden van zulk een oven- en afkoel-proces verankering ervan op deze reeds opgebrachte semiconductor laag en waarbij typisch in daarop-volgende tunneldoortocht-gedeeltes 25 het mede met behulp van zulk een boven-transducer plaatsvinden van typisch een aantal herhalingen van zulk een semiconductor laag-opbouw. ,

44. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 42, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat 30 daarbij na het opbrengen van een volgende micrometer hoge semiconductor laag, bevattende tenminste één ander semiconductor bestanddeel, met het daarbij vervolgens wederom met behulp van zulk een boventransducer-opstelling plaatsvinden van zulk een semiconductor indring-proces van 35 nanometer grote deeltjes ervan in de reeds bewerkstellide vaste laag, in volgende tunneldoortocht-gedeeltes het typisch wederom plaatsvinden van zulk een combinatie van een ovenen afkoel-proces van deze laag onder een optimale verankering ervan met de reeds opgebrachte semiconductor laag en wederom typisch in daarop-volgende tunneldoortocht-gedeeltes het mede met behulp van zulk een boven-tranducer plaatsvinden van tenminste één herhaling van zulk een semiconductor 5 laag-opbouw.

45. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en middelen bevat, dat daarbij in een semiconductor opbouw van zulke opvolgende lagen, met een eveneens met 10 behulp van zulk een opstelling bewerkstelligde semiconductor tussenlaag, het fungeren ervan als een semiconductor hechtlaag tussen de reeds bewerkstelligde semiconductor bovenlaag en deze volgende semiconductor laag.

46. Boventransducer-opstelling volgens de Conclusie 45, 15 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en middelen bevat, dat daarby tenminste mede daarmede het ononderbroken plaatsvinden van het navolgende: a) de opbouw van een totale semiconductor laag met dezelfde semiconductor bestanddelen ervan; en/of 20 b) de opbouw van een totale semiconductor laag, bevattende een aantal boven elkaar gelegen semiconductor lagen met een andere samenstelling van de daarin opgenomen deeltjes van een semiconductor substantie in combinatie met zulk een bewerkstelligde semiconductor hechtlaag.

47. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes tenminste mede bestaan uit een typisch kunststoffen folie, met behulp van de daarin opgenomen transducer het daarop 30 opbouwen van tenminste één semiconductor laag, bevattende een di-electrische substantie.

48. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 35 uitgevoerd, dat daarbij voor het neerslag-proces van 35 deeltjes van een semiconductor substantie of zulk een semiconductor behandelings-proces onder toepassing van mede vloeibaar behandelings-medium met behulp van deze opstelling, de mogelyke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor inrichtingen, welke zijn’ omschreven in de gelijktijdig hiermede ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen van de aanvrager.

49. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande 5 Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat zoals daarbij na het in een tunnelgedeelte opbouwen daarmede van typisch een di-electrische onderlaag of een di-electrische tussenlaag, het vervolgens in tenminste één volgend stripvormig tunnel-gedeelte met behulp van 10 tenminste mede zulk een trillende boven-transducer door het daarmede plaatsvinden van een ets-proces ten behoeve van het bewerkstelligen in deze opgebrachte laag van nanometer brede groeven of bij meerdere boven elkaar gelegen semiconductor lagen de bewerkstelliging van tevens verticale semiconductor 15 doorverbindings-kanalen of -groeven, met in een volgend tunnel-gedeelte het vullen ervan met metaal ten behoeve van de bewerkstelliging van een semiconductor verbindings-patroon.

50. Boventransducer-opstelling volgens één der voorgaande 20 Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een stripvormig gedeelte van de tunnel-doorgang het daarmede ononderbroken plaats vinden van een semiconductor behandelings-proces met behulp van toegevoerd vloeibaar 25 semiconductor behandelings-medium onder mede een eronder gelegen laag-frequent pulserende stripvormige drukwand.

51. Stripvormige ondertransducer-opstelling volgens de Conclusie 4 of 5, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij het daarmede tijdens de werking 30 van de semiconductor tunnel-opstelling het typisch onderhouden van een hoog-frequente tril-conditie van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

52. Ondertransducer-opstelling volgens de Conclusie 51, 35 met het kenmerk, dat zoals deze daarbij is opgenomen in een transducer-compartiment, deze typisch uitsluitend gevuld is met gasvormig medium. ·

53. Ondertransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij met behulp van de in het erboven gelegen gedeelte van het boventunnelblok opgenomen opvolgende stripvormige toe- en afvoer-groeven voor 5 semiconductor behandelings-medium, zoals typisch een reinigings-, strip-, ets- of spoel-medium, naar en vanaf de tussengelegen bovenspleet-sectie, het daarmede tenminste plaatsvinden van zulk een behandelings-proces onder een bepaalde tril-conditie van deze opvolgende, ononderbroken 10 eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat- gedeeltes en waarby daartoe één van de navolgende tril-condities van de onder-transducer: a) een gelijkmatige op- en neerwaartse verplaatsing; of b) een snelle opwaartse- en een daarop-volgende langzame 15 neerwaartse verplaatsing; of c) een langzame opwaartse- en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing.

54. Ondertransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 20 uitgevoerd, dat daarbij in dit compartiment onder deze transducer de opname van een warmte-isolerende laag, met tegen deze laag het bevestigd zijn van een stripvormige dunwandige electrische verwarmings-plaat ten behoeve van het daarmede tenminste onderhouden van een bepaalde hoge 25 temperatuur van deze opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes en het daarmede ondersteunen van bepaalde semiconductor behandelings-processen in het stripvormige, erboven gelegen bovenspleet-gedeelte, zoals onder andere het bijdragen in de verdamping 30 van het toegepaste laag-kokende vloeibare draagmedium in dit bovenspleet-gedeelte.

55. Onder transducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in een alternatieve uitvoering van 35 deze opstelling met behulp van het via een toe/afvoer-leiding ononderbroken opvolgend toe- en afvoeren van het gasvormige medium naar en vanaf dit transducer-compartiment het tevens onderhouden van een zeer-laagfrequente pulseer- conditie van deze opvolgende, erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes ten behoeve van het ondersteunen van zulk een semiconductor behandelings-proces in de opvolgende stripvormige bovenspleet-secties tussen de in het 5 boventunnelblok opgenomen medium toe- en afvoer-groeven.

56. Ondertransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in het ondertunnelblok de opname van een aantal opvolgende onder-transducers ten behoeve van het 10 daarmede bewerkstelligen van een optimaal semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes met behulp van het opvolgend toe- en afgevoerde semiconductor behandelings-medium, met het daarbij fungeren van het transducer- 15 compartiment als drukkamer en waarbij typisch eveneens het via de centrale medium -toe/afvoerleiding opvolgend zeer-laagfrequent toe- en afvoeren van het gasvormige medium, zoals is aangegeven in de Conclusie 55, ten behoeve van het tevens onderhouden van een zeer-laagfrequente pulseer- 20 conditie van deze transducers en daarmede van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes.

57. Ondertransducer-opstellingen volgens de Conclusie 55 en 56, met het kenmerk, dat deze verder zodanigzyn uitgevoerd, dat daarbij voor zulk een zeer-laagfrequent pulseren en het 25 trillen ervan en zoals tevens voor zulk een boventransducer-opstelling één van de navolgende condities ervan: a) een gelijkmatige op- en neerwaartse verplaatsing; of b) een snelle opwaartse- en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing; of 30 c) een langzame opwaartse- en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing.

58. Ondertransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij eveneens voor zulk een transducer 35 ervan elke gewenste hoogte van de di-electrische tussenlaag.

59. Ondertransducer-opstelling volgens de Conclusie 57, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij eveneens in het boventunnelblok de opname van zulk een tevens laag-frequent pulserende boventransducer-opstelling, met tenminste een gedeelte ervan gelegen boven deze ondertransducer-opstelling en in deze combinatie het plaatsvinden van zulk een laag-frequente pulseer-conditie 5 ervan onder daarbij tenminste mede het navolgende: a) een gelijksoortige op- en neerwaartse verplaatsing ervan; of b) een verschillend op- en neerwaartse verplaatsing; of c) een verschillende pulseer-frequentie.

60. Ondertransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij boven deze typisch uitwisselbare opstelling in het boventunnel blok de opname van typisch eveneens een uitwisselbare stripvormige inrichting, welke is 15 opgenomen in een drukwand-opstelling en bevattende een op- en neerwaarts verplaatsbaar stripvormig onderdrukwand-gedeelte en met behulp van een medium-toe/afvoerleiding het opvolgend laag-frequent toe- en afvoeren van typisch vloeibaar drukmedium naar en vanaf het drukwand-compartiment en naast, het 20 met behulp van deze onder-transducer onderhouden van tenminste een tril-conditie van de opvolgende substraat-gedeeltes het tevens onderhouden van een laag-frequent open neerwaarts verplaatsen van dit drukwand-gedeelte.

61. Ondertransducer-opstelling volgens de Conclusie 60, 25 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij met behulp van deze combinatie van opvolgende, tenminste trillende substraat-gedeeltes en daarboven zulk een laag-frequent pulseren van deze drukwand het ononderbroken plaatsvinden van elk geschikt 30 semiconductor behandelings-proces van deze opvolgende ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes met een daartoe geschikt semiconductor behandelings-medium onder elke mogelijke combinatie van tril- en pulseer-condities ervan.

62. Ondertransducer-opstelling volgens de Conclusie 60 of 35 61, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in een alternatieve uitvoering van deze ondertransducer-opstelling, gezien in de lengterichting van deze tunnel, tevens daartoe een voorwaarts versprongen positie ervan ten opzichte van deze erboven gelegen drukwand-opstelling in het boventunnelblok of een achterwaarts versprongen positie ervan.

63. Ondertransducer-opstelling volgens één der voorgaande 5 Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij voor deze onder-transducer ervan de mogelijke toepassing van elke hoogte en vorm van de semiconductor trilling ervan en het aantal trillingen per tijdseenheid en zulks onder toepassing van deze, in de 10 tunnel-opstelling opgenomen electrische trilling-opwekinrichting.

64. Ondertransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij een stripvormige electrische 15 verwarmingsplaat is opgenomen in het bovendrukwand- compartiment en zulks onder toepassing daarin van zulk een warmte-isolerende di-electrische plaat ten behoeve van het daarmede een zodanig hoge temperatuur van deze drukwand, dat daarmede het verdampen van vloeibaar draagmedium in het 20 eronder gelegen bovenspleet-gedeelte geschiedt.

65. Ondertransducer-opstelling volgens de Conclusie 64, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij deze verwarmingsplaat is opgenomen in deze drukwand-opstelling, met boven het metalen drukwand-gedeelte de 25 opname van een di-electrische tussenplaat.

66. Ondertransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daarboven in het boventunnelblok de opname van eveneens een typisch uitwisselbare stripvormige 30 boven transducer-opstelling en waarbij met behulp van deze onder-transducer het typisch onderhouden van een hoogfrequente tril-conditie van de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes en zulks typisch met behulp van het onderhouden van een micrometer 35 hoge film hoog-kokend vloeibaar medium in het onderspleet-gedeelte in combinatie met het daartoe onderhouden van een geringe overdruk van het gasvormige medium in het onder-transducercompartiment ten opzichte van de druk van het gasvormige medium in het boven-transducercompartiment en met behulp van deze combinatie van transducers ononderbroken plaatsvinden van een geschikt semiconductor behandelings-proces.

67. Ondertransducer-opstelling volgens de Conclusie 66, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij, gezien in de lengterichting van deze tunnel, een versprongen positie ervan ten opzichte van deze boventransducer-opstelling of een tegengestelde versprongen 10 positie ervan.

68. Combinatie van een boven- en ondertransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig zijn uitgevoerd, dat daarbij voor zowel de boven- als onder transducer elk soort van de bewerkstelligde 15 trilling en het aantal trillingen per tijdseenheid, welke worden verkregen onder de gebruikmaking van zulk een electrische trilling-opwekinrichting.

69. Ondertransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 20 uitgevoerd, dat daarbij in het boventunnelblok de opname van een uitwisselbaar stripvormig blok, bevattende in het compartiment ervan een tijdens de werking van de tunnel verdraaiende nokkenas-opstelling en een stripvormige drukwand eronder, welke deel uitmaakt van dit uitwisselbare 25 blok en waarbij zulk een nokkenas-opstelling is aangegeven en omschreven in andere, gelijktijdig ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

70. Combinatie van een ondertransducer-opstelling en een bovennokkenas-opstelling volgens de Conclusie 69, met het 30 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij met behulp van deze trillende onder-transducer en daarmede van deze opvolgende trillende substraat-gedeeltes en een typisch trillende drukwand van deze bovennokkenas-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van een geschikt 35 semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes onder toepassing daartoe van een geschikt semiconductor behandelings-medium, zoals een reinigings-, strip-, ets- of spoel-medium of een andere semiconductor substantie.

71. Ondertransducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij, gezien in de lengterichting van deze 5 tunnel-opstelling, tevens een versprongen positie van deze nokkenas-opstelling ten opzichte van deze transducer-opstelling of een tegengesteld versprongen positie ervan.

72. Combinatie van de ondertransducer-opstelling en de bovennokkenas-opstelling volgens de Conclusie 71, met het 10 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij een toenemende hoogte van het bovenspleet-gedeelte tussen deze ondertransducer-opstelling en deze bovennokkenas-opstelling ten behoeve van het typisch afvoeren van verdampt vloeibaar medium, welke met behulp van een stripvormige 15 verwarmingsplaat, opgenomen in één van deze opstellingen, wordt bewerkstelligd en zulks verder onder toepassing van elk geschikte soort van trilling en trillings-frequentie van deze onder-transducer en aldus van de zich erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes en zulks tevens van de 20 drukwand van deze nokkenas-opstelling.

73. Combinatie van de ondertransducer-opstelling en de bovennokkenas-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in de bovenwand van de ónder- 25 transducer-opstelling. tevens de opname van een groef- opstelling, bevattende een groot aantal mini naast elkaar gelegen groeven, welke zich typisch in hoofdzaak uitstrekken in de lengterichting ervan ten behoeve van het doorlaten erdoorheen van vloeibaar medium.

74. Combinatie van de ondertransducer-opstelling en de bovennokkenas-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarby in tenminste de onderwand van het drukplaat- gedeelte van deze bovennokkenas-opstelling de 35 opname van een groef-opstelling, bevattende een groot aantal mini naast elkaar gelegen groeven, welke zich typisch in hoofdzaak uitstrekken in de lengterichting ervan tussen het ervóór gelegen stripvormige toevoer-gedeelte voor de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie en de erachter gelegen stripvormige afvoergroef voor het verdampte vloeibare draagmedium.

75. Combinatie van een boventransducer-opstelling in het 5 boventunnelblok en een daaronder gelegen ondernokkenas- opstelling in het ondertunnelblok, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in het transducer-compartiment tegen de daarin opgenomen warmte-isolerende plaat typisch de bevestiging van een electrische verwarmings-10 plaat ten behoeve van het mede onderhouden van een zodanig hoge temperatuur van deze transducer, dat daarbij het daarmede tevens plaatsvinden van verdamping van het via een ervóór gelegen toevoer-inrichting toegevoerde vloeibare draagmedium voor deeltjes van een semiconductor substantie, 15 zoals onder andere een reinigings-, strip-, ets- of spoel-medium of een semiconductor substantie in een vaste vorm ervan en met behulp van de roterende nokkenas het typisch onderhouden van elk soort van tril-conditie van het stripvormige drukwand-gedeelte ervan en van de opvolgende 20 erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met in het onder-compartiment ervan het typisch daartoe onderhouden van een geringe onderdruk van het daarin aanwezige vloeibare medium en verder zulk een combinatie ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een geschikt 25 semiconductor behandelings-proces in het tussen-gelegen bovenspleet-gedeelte van de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes.

76. Combinatie van een boventransducer-opstelling in het boventunnelblok en een daaronder gelegen ondernokkenas- 30 opstelling in het ondertunnelblok volgens de Conclusie 75, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daartoe met behulp van deze boven-transducer het onderhouden van elke gewenst wordende tril-conditie en met behulp van het opvolgend laag-frequent toe- en afvoeren van 35 gasvormig medium naar en vanaf het transducer-compartiment het tevens onderhouden van èen laag-frequente pulseer-conditie van deze typisch hoog-frequent trillende transducer, met typisch een toenemende hoogte van het bovenspleet-gedeelte ten behoeve van het ononderbroken afvoeren van verdampt vloeibaar medium, welke met behulp van mede deze verwarmingsplaat wordt bewerkstelligd.

77. Combinatie van de boventransducer-opstelling en de 5 eronder gelegen ondernokkenas-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tevens in het ondertunnelblok vóór deze nokkenas-opstelling de opname van een toevoer-inrichting voor typisch dun-vloeibaar medium, met afvoer van typisch tenminste een gedeelte ervan 10 via een afvoer-inrichting daarachter ten behoeve van het onderhouden van een micrometer hoge film ervan in het onderspleet-gedeelte boven het drukwand-gedeelte ervan.

78. Combinatie van de boventransducer-opstelling en de eronder gelegen ondernokkenas-opstelling volgens de

15 Conclusie 77, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij typisch daartoe in tenminste mede de bovenwand van dit drukwand-gedeelte de opname van mini doorlaat-groeven voor dit vloeibare medium en welke zich in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan uitstrekken.

79. Combinatie van de boventransducer-opstelling en de eronder gelegen ondernokkenas-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij, gezien in de lengterichting van de tunnel-opstelling, tevens daartoe een 25 versprongen positie van deze nokkenas-opstelling ten opzichte van deze transducer-opstelling of een tegengestelde versprongen positie ervan.

80. Transducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies , bevattende de combinatie van tenminste een 30 stripvormige boven- of onder-transducer met typisch ervóór zulk een stripvormige medium-toevoerinrichting en erachter zulk een stripvormige medium-afvoerinrichting, met het kenmerk, dat deze is opgenomen in een uitwisselbaar stripvormig gedeelte van deze tunnel-opstelling en waarbij 35 zulk een gedeelte drukdicht gekoppeld is met de aan weerszijde ervan ernaast gelegen gedeeltes van deze tunnel-opstelling .

81. Transducer-opstelling volgens de Conclusie 80, met het kenmerk, dat daarbij eveneens tenminste plaatselijk zulke ernaast gelegen tunnel-gedeeltes eveneens uitwisselbaar zijn.

82. Transducer-opstelling volgens de Conclusie 81, met 5 het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze eveneens bruikbaar is in de andere tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in de gelijktijdig met deze Octrooi-aanvrage ingediende andere Octrooi-aanvragen.

83. Transducer-opstelling volgens de Conclusie 82, met het 10 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daain de toepassing van constructieve opbouwen, welke zijn aangegeven en omschreven in deze andere Octrooi-aanvragen.

84. Werkwijze van een stripvormige transducer-opstelling, welke in een semiconductor substraat transfer/behandelings- 15 is opgenmen en waarbij het daarmede ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan tenminste mede onder typisch een tril-conditie ervan plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, welke gedurende de 20 werking ervan ononderbroken erlangs verplaatsen.

85. Werkwijze volgens de Conclusie 84, met het kenmerk, dat daarbij zulk een semiconductor behandelings-proces geschiedt met behulp van een boventransducer-opstelling, welke is opgenomen in een stripvormig gedeelte van het boventunnelblok 25 van deze tunnel-opstelling.

86. Werkwijze volgens de Conclusie 85, met het kenmerk, dat daarbij zulk een semiconductor behandelings-proces plaats vindt met behulp van een boventransducer-opstelling, welke is op genomen in een uitwisselbaar stripvor.mig transducer- 30 blok en welke drukdicht is bevestigd op dit boventunnelblok.

87. Werkwijze volgens de Conclusie 84, met het kenmerk, dat daarbij zulk. een semiconductor behandelings-proces geschiedt met behulp van een ondertransducer-opstelling, welke is opgenmone in een stripvormig gedeelte van het ondertunnelblok 35 van deze tunnel-opstelling.

88. Werkwijze volgens de Conclusie 87, met het kenmerk, dat daarbij zulk een semiconductor behandelings-proces geschiedt met behulp van een onder transducer-opstelling, welke daarbij is opgenomen in een uitwisselbaar stripvormig transducer-blok en welke drukdicht is bevestigd tegen de onderzijde van dit blok.

89. Werkwijze volgens de Conclusie 85, met het kenmerk, 5 dat zoals daarbij in dit boventunnelblok de opname van een van de buitenlucht afgesloten stripvormig transducer-compartiment boven een in de hoogterichting op en neerwaarts verplaatsbaar drukwand-gedeelte van dit metalen blok, met rondom een typisch dunwandiger membraam-r 10 gedeelte ervan, het mede fungeren ervan als de onder-electrode van deze boventransducer-opstelling.

90. Werkwijze volgens de Conclusie 86, met het kenmerk, dat zoals daarbij in dit uitwisselbare transducer-blok de opname van een van de buitenlucht afgesloten stripvormig 15 transducer-compartiment boven een in de hoogterichting open neerwaarts verplaatsbaar stripvormig drukwand-gedeelte van dit metalen transducerblok, met rondom een typisch dunwandiger membraam-gedeelte ervan, het mede fungeren ervan als de onder-electrode van deze boventranducer-20 opstelling.

91. Werkwijze volgens de Conclusie 87, met het kenmerk, dat zoals daar bij in dit onder tunnelblok de opname van een van de buitenlucht afgesloten stripvormig transducer-compar timent onder een in de hoogterichting op- en 25 neerwaarts verplaatsbaar drukwand-gedeelte van dit metalen blok, met rondom een typisch dunwandiger membraam-gedeelte ervan, het mede fungeren ervan als de boven-electrode van deze ondertransducer-opstelling.

92. Werkwijze volgens de Conclusie 88, met het kenmerk, 30 dat zoals daarbij in dit uitwisselbare stripvormige transducer-blok de opname van een van de buitenlucht afgesloten stripvormig transducer-compartiment onder een in de hoogterichting op- en neerwaarts verplaatsbaar drukwand-gedeelte van dit metalen blok, met rondom een 35 typisch dunwandiger membraam-gedeelte ervan, het mede fungeren ervan als de boven-electrode van deze ondertransducer-opstelling.

93. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met met het kenmerk, dat zoals daarbij het stripvormige transducer-gedeelte van deze boventransducer-opstelling zich bevindt ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling, daartoe 5 het fungeren van de daarin toegepaste folie of band als een semiconductor onderlaag van deze opvolgende, erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes tijdens de verplaatsing ervan erdoorheen en met een breedte ervan, welke nage-noeg gelijk is aan die van de tunnel-doorgang.

94. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarby in het boventunnelblok van deze tunnel-opstelling vóór deze boventransducer-opstelling de opname van een stripvormige toevoer-inrichting, tijdens de werking van deze tunnel-opstelling 15 het daarin plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van tenminste de combinatie van een laag-kokend vloeibaar draagmedium en typisch tenminste nanometer grote deeltjes van een semiconductor substantie.

95. Werkwijze volgens de Conclusie 94, met het kenmerk, 20 dat zoals daarbij met behulp van de electrise he trilling- opwekinrichting, welke is aangegeven en omschreven in de gelijktijdig ingediende Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 6 van de aanvrager, het onderhouden van een zodanig hoge tril-frequentie van de uiterst dunne transducer van deze 25 boventransducer-opstelling, dat daarmede met behulp van de trillende electrische stromen daarin het tijdens de werking ervan onderhouden van een zodanig hoge temperatuur ervan, dat deze naast dit trillen ervan tevens fungeert als een zodanige warmtebron, dat met behulp van de erdoor 30 ontwikkelde warmte het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van dit laag-kokende vloeibare draagmedium en zulks onder het daarbij gepaard gaan van neerslag van deze deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste of vloeibare vorm ervan op de opvolgende, eronderlangs 35 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

96. Werkwijze voigens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij voor deze boventransducer-opstelling de mogelijke toepassing van elk soort van van materiaal voor de di-electrische tussenlaag ervan, welke in een voldoende mate de in deze electrische trilling-opwekinrichting opgewekte trillende electrische stromen erdoorheen verplaatst vanaf de boven-electrodeplaat naar de 5 onder-electrodesectie van dit typisch uitwisselbare transducer-blok, met daarbij elke daartoe gewenste hoogte van deze tussenlaag, zoals de aangegeven geringe hoogte ervan.

97. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij tijdens deze tunnel-werking het 10 ononderbroken verplaatsen van deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie door deze tunnel-doorgang onderlangs deze transducer van deze boventransducer-opstelling met al dan niet mede door de daarmede ontwikkelde warmte, het ononderbroken plaatsvinden 15 van een geleidelijke en tenslotte typisch een totale verdamping van dit draagmedium en het neerslaan van deeltjes van deze substantie op de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en afvoer van de bewerkstelligde damp via de daarop volgende stripvormige afvoergroef, met aansluiting 20 erop van tenminste één afvoer leiding.

98. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij ter plaatse van het begin-gedeelte van de transducer van deze boventransducer-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van het vloeibare 25 draagmedium voor deze deeltjes van een semiconductor substantie onder de bewerkstelliging van dampvormig medium en in het volgende gedeelte ervan het ononderbroken plaatsvinden van neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes onder de 30 opbouw van een micrometer hoge laag ervan en zulks onder het bewerkstelligd zijn van een tenminste nagenoeg gehele neerslag van deze deeltjes.

99. Werkwijze volgens de Conclusie 98, met het kenmerk, dat zoals daarbij tegen de onder wand van dit stripvormige boven- 35 transducer-blok van deze boventransducer-opstelling ter plaatse van het transducer-compartiment de opname van een stripvormige warmte-isolerende, typisch di-electrische laag, waartegen in een gunstige uitvoering van dit blok het gehecht zijn van een stripvormig dunwandig electrisch verwarmings-element, indien benodigd, met behulp van het daarmede onderhouden van zulk een hoge temperatuur van dit gasvormige medium in dit compartiment en mede daardoor van 5 deze transducer, dat daarbij ook bij een zeer lage benodigde tril-frequentie en mogelijk zelfs een pulseer-frequentie ervan, met typisch een daarbij gepaard gaande nagenoeg nihile warmte-ontwikkeling ervan, het toch mede met behulp van deze extra toegevoerde warmte zulk een verdampings-10 proces ermede van het toegevoerde vloeibare draagmedium gewaarborgd is.

100. Werkwijze volgens de Conclusie 99, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in dit transducer-comartiment van deze boventransducer-opstelling boven deze transducer het 15 onderhouden van een geringe overdruk van dit gasvormige medium ten opzichte van de druk van het semiconductor behandelings-medium in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte.

101. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 20 het kenmerk, dat daarbij met behulp van deze boventranducer- opstelling de bewerkstelliging van een ultra-vlakke conditie van de micrometer hoge laag van zulke neergeslagen deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste of vloeibare vorm ervan.

102. Werkwijze volgens de Conclusie 101, met het kenmerk, dat zoals daarbij onder deze boventransducer-opstelling een toenemende hoogte van deze tunnel-doorgang boven deze neergeslagen deeltjes, een optimale afvoer van het gevormde dampvormige medium gewaarborgd is.

103. Werkwzije volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij tussen deze onder-: electrodeplaat van de transducer van deze boventransducer-opstelling en de onderwand van dit uitwisselbare transducer-blok de opname van een verankerde di-electrische tussenlaag, 35 het fungeren ervan als een in een voldoende mate electrisch geïsoleerde transducer en zoals ook daarbij in deze alternatieve uitvoering de opname van zulk een stripvormig verwarmings-element tegen deze di-electrische bovenlaag van dit blok, tevens het onderhouden van zulk een laag-frequente tril-conditie van deze transducer onder een voldoend hoge temperatuur ervan.

104. Werkwijze volgens éen der voorgaande Conclusies, met 5 het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking ervan met behulp van zulk een opgewekte en vervolgens onderhouden trilling het ononderbroken plaatsvinden van één van de navolgende condities van de opvolgende trillende op- en neerwaartse verplaatsingen ervan: 10 a) een circa gelijke snelheid van deze op- en neerwaartse verplaatsing; of b) de combinatie van een snelle opwaartse- en een daaropvolgende langzame neerwaartse verplaatsing; of c) de combinatie van een langzame opwaartse- en een daarop-15 volgende snelle neerwaartse verplaatsing.

105. Werkwijze volgens de Conclusie 104, met het kenmerk, dat daarbij tevens één van de navolgende hoogtes van deze tril-condities voor zulk een transducer van de boventransducer-opstelling: 20 a) een aanzienlijke hoogte van deze trillingen onder een zeer laag-frequente tril-conditie, typisch een pulseer-conditie; of b) een geringe hoogte van de trillingen onder een hoogfrequente tril-conditie; of 25 c) een nog geringere hoogte van de trillingen onder een zeer hoog-frequente tril-conditie; of d) een nog geringere hoogte van de trillingen onder een ultra hoog-frequente tril-conditie.

106. Werkwijze volgens de Conclusie 105, met het kenmerk, 30 dat daarbij verder door een bepaalde, gewenst wordende lengte van deze door de boventransducer-opstelling opgewekte electrische trillingen daarmede eveneens een erdoor in zulk een transducer ervan bewerkstelligde open neerwaartse verplaatsingen ervan.

107. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in een alternatieve uitvoering van het uitwisselbare transducer-blok op het transducer-compartiment van de boventransducer-opstelling de aansluiting van tenminste één centraal gelegen toevoer/ afvoer-leiding voor gasvormig medium, het fungeren van deze daarin opgenomen transducer tevens als een zeer laag-frequent pulserende op- en neerwaarts verplaatsende 5 stripvormige drukwand.

108. Werkwijze volgens de Conclusie 107, met het kenmerk, dat zoals daarbij dit transducer blok rondom het stripvormige onder-gedeelte ervan een dunwandig :membraam-gedeelte bevat, met behulp" van het laag-frequent pulserend toe- en afvoeren 10 van het gasvormige medium naar en vanaf het transducer- compartiment tevens tijdens de werking ervan het onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie van deze tranducer.

109. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van de .transducer van 15 deze boventransducer-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van een optimale vlakheids-behandeling (egalisatie-proces) van de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte laag van deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste of vloeibare vorm ervan op een 20 ononderbroken eronderlangs verplaatsende band of folie onder tenminste mede een tril-conditie van deze transducer, met typisch een daartoe snelle neerwaartse- en een daaropvolgende langzame opwaartse verplaatsing ervan.

110. Werkwijze volgens de Conclusie 109, met het kenmerk, 25 dat zoals daarbij in een voorgaand tunnel-gedeelte met behulp van tenminste mede zulk een boven-transducer op deze band of folie het opbouwen daarop van typisch een nanometer hoge laag van een vloeibare hecht-substantie heeft plaatsgevonden, daarop het opbouwen van een micrometer hoge laag 30 van een di-electrische substantie geschiedt.

111. Werkwijze volgens de Conclusie 110, met het kenmerk, dat zoals daarbij tenminste onder het dunwandige centrale metalen onderwand-gedeelte van dit transducer-blok het aangebracht zijn van een tenminste nanometer hoge laag van 35 typisch teflon, het ononderbroken plaatsvinden van het navolgende: a) het beletten van het aanhechten daarop van deeltjes van deze hecht-substantie; en b) onder het achter-gedeelte van. deze tranducer het mogelijk effenen van deze opgebrachte laag, typisch een egalisatie-proces, en zulks mede door het trillen van deze transducer.

112. Werkwijze volgens de Conclusie 111, met het kenmerk, 5 dat daarbij tevens in een voor gaand stripvormig gedeelte van de tunnel-opstelling op het centrale gedeelte van deze band of folie als een tydelijke semiconductor onderlaag van de opvolgende, te bewerkstelligen verwijderbare semiconductor substraat-gedeeltes het ononderbroken opbrengen van een 10 typisch vloeibare tijdelijke hecht-substantie.

113. Werkwijze volgens de Conclusie 112, met het kenmerk, dat daarbij in een stripvormig centraal gedeelte van deze tunnel-opstelling mede met behulp van zulk een boventransducer-opstelling op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende 15 substraat-gedeeltes het typisch aangebracht worden van een nanometer hoge laag van een dun-vloeibare hecht-substantie ten behoeve van het hechten daarop van een volgende, daarop op te.brengen semiconductor laag.

114. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 20 het kenmerk, dat daarby met behulp van het via deze toevoer-leiding toegevoerde gasvormige medium naar het transducer-compartiment van deze boventransducer-opstelling het daarin onderhouden van een zodanige overdruk ervan ten opzichte van de druk van het dampvormige medium in de zich eronder 25 bevindende bovenspleet-sectie, dat daardoor mede een afnemende hoogte ervan ter plaatse van het voorste membraam-gedeelte wordt onderhouden, onder het verkregen zijn van een micrometer hoogte van de trillende damplaag boven de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte di-electrische laag 30 en onder het achterste membraam-gedeelte een toenemende hoogte van deze bovenspleet-sectie tot naar een voldoend niveau ervan ten behoeve van het afvoeren van dampvormig medium via de daarop-volgende medium-afvoerinrichting.

115. Werkwijze volgens de Conclusie 114, met het kenmerk, 35 dat daarbij met behulp van de electrische trillingen in deze boven-transducer het ononderbroken plaatsvinden van de navolgende opvolgende op- en neerwaartse verplaatsingen ervan ten behoeve van dè bewerkstelliging van een optimale vlakheid van deze opgebrachte laag: a) een gelijkmatige op- en neerwaartse verplaatsing ervan; of b) een langzame opwaartse en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing ervan.

116. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat, zoals deze boventranducer-opstelling is opgenomen in een uitwisselbaar blok, met daarin vanaf het centrale gedeelte ervan een afnemende hoogte van de onderwand van dit blok naar de beide dwars-uiteinden ervan, 10 met eveneens tegen deze wand ter plaatse van het daarin opgenomen transducer-compartiment ;de opname van zulk een warmte-isolerende laag en daartegen wederom de opname van zulk een stripvormige electrische verwarmings-inrichting, daarby via de in de bovenwand ervan opgenomen toevoer-15 kanaal het plaatsvinden van een al dan niet tijdelijke toevoer van het gasvormige medium.

117. Werkwyze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een alternatieve uitvoering van het transducer-compartiment van deze boventransducer- 20 opstelling op de daarin opgenomen stripvormige transducer het opgebracht zijn van een di-electrische laag, met daarop tenminste ter plaatse van het begin-gedeelte van deze transducer de opname van zulk een stripvormige electrische verwarmings-plaat, het daarmede plaatsinden van verdamping 25 van het toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium onder tril-conditie en neerslag van deze deeltjes van een semiconductor substantie op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, en ter plaatse van het achter-gedeelte van deze transducer nog nagenoeg slechts 30 onderhouden van een tril-conditie ervan ten behoeve van het typisch daarmede plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze opgebrachte micrometer hoge laag van zulke deeltjes.

118. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in het compartiment van het 35 boventransducer-blok op het metalen stripvormige, dunwandige onderplaat-gedeelte, met rondom ervan een membraam-gedeelte, de opname van een dunwandige di-electrische laag en waarop ter plaatse van het begin-gedeelte van deze di-electrische laag de opname van een stripvormige dunwandige metalen electrische verwarmings-plaat met aansluiting ervan op een electrische toe- en afvoerleiding, het fungeren ervan als een electrisch verwarmings-element voor verdamping van 5 het toegevoerde vloeibare draagmedium en op het gescheiden achter-gedeelte van deze laag de opname van een eveneens stripvormige dunwandige metalen plaat als een boven-electrode van een stripvormige transducer, met aansluiting daarop en op dit onderplaat-gedeelte als onder-electrode 10 van zulk een electrische trilling-opwekinrichting, het daarmede onderhouden van een tril-conditie ervan.

119. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een stripvormige inrichting vóór zulk een boventransducer-opstelling tijdens de werking 15 ervan het ononderbroken plaatsvinden van toevoer van de combinatie van vloeibaar en gasvormig draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie, met behulp ervan het ononderbroken plaatsvinden van een tenminste nagenoeg gehele neerslag van deze combinatie van vloeibaar draag-20 medium en deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes en in de stripvormige afvoer-inrichting daarachter de afvoer van tenminste dit gasvormige draagmedium.

120. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 25 het kenmerk, dat zoals daarbij in de onderwand van het stripvormige onderelectrode-plaatgedeelte van zulk een typisch uitwisselbaar transducer-blok de opname van een groot aantal, in tenminste dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen medium-doorlaatgroeven, welke zich typisch 30 uitstrekken vanaf zulk een in een voorgaand gedeelte van dit blok opgenomen toevoer-inrichting voor tenminste de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie via het transducer-gedeelte ervan naar zulk een daarachter gelegen stripvormige medium-35 afvoerinrichting, welke eveneens is opgenomen in dit blok, daartoe het typisch slechts onderhouden van een hoogfrequente tril-conditie van zulk een transducer.

121. Werkwijze volgens de Conclusie 120, met het kenmerk, dat daarbij het ononderbroken plaatsvinden van verplaatsing van het semiconductor behandelings-medium door deze groeven mede geschiedt met behulp van het navolgende: a) een toenemende hoogte van het bovenspleet-gedeelte boven 5 de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met typisch de ononderbroken metalen band als een tijdelijke onderlaag ervan; en/of b) een toenemende omvang van deze groeven en zulks al dan 10 niet in combinatie met deze toenemende spleet-hoogte.

122. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in het boventunnelblok de opname van een tweetal opvolgende boventransducer-opstellingen, daarbij na het opbouwen in een voorgaand tunnel-gedeelte van een 15 typisch nanometer hoge laag van een typisch tijdelijke hecht-substantie op de ononderbroken erdoorheen verplaatsende folie of band,met behulp van de eerste transducer-opstelling de bewerkstelliging van een micrometer hoge laag van deeltjes van een di-electrische substantie op deze laag 20 tijdelijke hecht-substantie onder een typisch optimaal vlakke conditie ervan en met behulp van deze tweede transducer-opstelling de opbouw daarop van een volgende di-electrische laag en zulks typisch onder een optimale vlakke conditie ervan en met behulp van een daarop-volgende electrische 25 verwarmings-inrichting, welke is opgenomen in het boventunnelblok, het bewerkstelligen van een vloeibare laag ervan en vervolgens door afkoeling ervan in een afkoel-inrichting het verkrijgen van een vaste conditie van deze laag .

123. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij zulk een boventransducer-opstelling in combinatie met zulk een ervóór gelegen medium-toevoerinrichting en een erachter gelegen medium-afvoer-inrichting is opgenomen in een uitwisselbaar mini 35 semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelgedeelte van deze semiconductor tunnel-opstelling met, gezien in de lengterichting ervan, de drukdichte aansluiting ervan op de ernaast gelegen tunnel-gedeeltes, tijdens de werking ervan het ononderbroken verplaatsen erdoorheen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes .

124. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij mede met behulp van zulk een 5 boventransducer-opstelling in een stripvormig gedeelte van de tunnel-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van elk soort van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes met behulp van een in een voorgaand tunnel-gedeelte 10 toegevoerd behandelings-medium, zoals onder andere een reinigings-, strip-, ets- of spoel-proces.

125. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij na het plaatsvinden van zulk een oven- en afkoel-proces van de met behulp van zulk een 15 boventransducer-opstelling opgebouwde laag van een vaste semiconductor substantie, het vervolgens fungeren ervan als een micrometer hoge semiconductor laag en in daaropvolgende tunneldoorgangs-gedeeltes het ononderbroken plaatsvinden van opbouw daarop mede met behulp van zulk een 20 boventransducer ervan van tenminste één volgende micrometer hoge semiconductor laag, bevattende tenminste mede één ander semiconductor bestanddeel ervan.

126. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij typisch in volgende gedeeltes van de 25 tunnel-door gang met behulp van zulk een boventransducer-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor indring-proces, met het daarbij indringen van deeltjes van een semiconductor substantie in de semiconductor bovenlaag van de opvolgende, eronderlangs verplaatsende 30 substraat-gedeeltes en na het plaatsvinden van zulk een combinatie van een oven- en afkoel-proces het aaneenhechten plaats vindt van deze bewerkstelligde vaste semiconductor laag met de reeds opgebrachte semiconductor.!

127. Werkwijze volgens de Conclusie 126, met het kenmerk, 35 dat daarbij na het mede met behulp van zulk een boventransducer-opstelling opbouwen van een volgende micrometer hoge semiconductor laag, bevattende dezelfde semiconductor bestanddelen, het typisch vervolgens met behulp van zulk een boven-transducer ervan wederom plaatsvinden van zulk een semiconductor indring-proces van typisch nanometer grote deeltjes van een semiconductor substantie in deze reeds bewerkstelligde vaste laag en na het vervolgens wederom 5 plaatsvinden van zulk een oven- en afkoel-proces verankering ervan geschiedt op deze reeds opgebrachte semiconductor laag en waarbij typisch in daarop-volgende tunneldoortocht-gedeeltes het mede met behulp van zulk een boven-transducer plaatsvinden van een aantal herhalingen van zulk een 10 semiconductor laag-opbouw.

128. Werkwijze volgens de Conclusie 127, met het kenmerk, dat daabij na het met behulp van zulk een boventransducer-opstelling opbouwen van een volgende micrometer hoge semiconductor laag, bevattende tenminste één ander 15 semiconductor bestanddeel, met het vervolgens wederom met behulp van zulk een transducer-opstelling plaatsvinden van zulk een semiconductor indring-proces van typisch nanometer grote deeltjes ervan in de reeds bewerkstelligde vaste laag, in volgende tunneldoortocht-gedeeltes het typisch wederom 20 plaatsvinden van zulk een combinatie van een oven- en afkoel-proces van deze opgebrachte laag onder een optimale verankering ervan met de reeds opgebrachte semiconductor laag en wederom typisch in daarop-volgende tunneldoortocht-gedeeltes het mede met behulp van zulk een boven-transducer 25 plaatsvinden van tenminste één herhaling van zulk een semiconductor laag-opbouw.

129. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in een semiconductor opbouw van opvolgende semiconductor lagen met een vaste semiconductor 30 substantie, met een eveneens met behulp van zulk een boventransducer-opstelling bewerkstelligde semiconductor tussenlaag, het fungeren ervan als een semiconductor hechtlaag tussen de reeds bewerkstelligde semiconductor bovenlaag en de volgende semiconductor laag.

130. Werkwijze volgens de Conclusie 129, met het kenmerk, dat daarbij tenminste mede met behulp van zulk een boventransducer-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van het navolgende: a) de opbouw van een totale semiconductor laag met dezelfde semiconductor bestanddelen ervan; en/of b) de opbouw van een totale semiconductor laag, bevattende een aantal boven elkaar gelegen semiconductor lagen met een 5 andere samenstelling van de daarin opgenomen deeltjes van een semiconductor substantie in combinatie met zulk een bewerkstelligde semiconductor hechtlaag.

131. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals opvolgende semiconductor substraat- 10 gedeeltes tenminste mede bestaan uit een typisch kunststoffen folie als een semiconductor onderlaag, daarbij met behulp van de in zulk een boventransducer-opstelling opgenomen boven-transducer het daarop ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van tenminste één semiconductor laag, bevattende een 15 typisch nanometer hoge semiconductor hechtlaag of een di-electrische substantie.

132. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor het met behulp van zulk een boventransducer-opstelling plaatsvinden van zulk een 20 neerslag-proces van deeltjes van een semiconductor substantie of zulk een semiconductor behandelings-proces onder toepassing van mede vloeibaar behandelings-medium met behulp van deze opstelling,de mogelyke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor inrichtingen, 25 welke zijn omschreven in de gelijktijdig hiermede ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen van de aanvrager.

133. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij na het in een tunnel-gedeelte met behulp van zulk een boventransducer-opstelling opbouwen 30 van typisch een di-electrische onderlaag of een di-electrische tussenlaag, na het vervolgens in tenminste één volgend stripvormig tunnel-gedeelte met behulp van tenminste mede zulk een trillende boven-transducer door het daarmede plaatsvinden van een ets-proces, het bewerkstelligen 35 in deze opgebrachte laag van nanometer brede groeven of bij meerdere boven elkaar gelegen semiconductor lagende bewerkstelliging van tevens verticale semiconductor doorverbindings-kanalen of -groeven, met in een volgend tunnel-gedeelte het vullen ervan met metaal ten behoeve van de bewerkstelliging van een semiconductor verbindings-patroon.

134. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 5 het kenmerk, dat daarbij in een stripvormig gedeelte van de tunnel-doorgang het met behulp van zulk een boventransducer-opstelling ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces onder mede een eronder-gelegen typisch laag-frequent pulserende stripvormige drukwand, welke is 10 opgenomen in het ondertunnelblok.

135. Werkwijze van de stripvormige ondertransducer-opstelling volgens de Conclusie 4 of 5, met het kenmerk, dat daarbij het daarmede tijdens de werking van de semiconductor tunnel-opstelling het typisch onderhouden van een tenminste hoog- 15 frequente tril-conditie van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes en mede daartoe het transducer-compartiment typisch uitsluitend gevuld is met gasvormig medium.

136. Werkwijze volgens de Conclusie 135, met het kenmerk, 20 dat daarbij met behulp van de in het boven zulk een ondertransducer-opstelling gelegen gedeelte van het boventunnelblok opgenomen opvolgende stripvormige toe- en afvoer-groeven voor semiconductor behandelings-medium, zoals typisch een reinigings-, strip-, ets- of spoel-medium het 25 ononderbroken plaatsvinden van verplaatsing ervan naar en vanaf de tussengelegen bovenspleet-secties, met het daarmede tenminste mede plaatsvinden van zulk een behandelings-proces onder een bepaalde, door deze typisch trillende ondertransducer-opstelling bewerkstelligde tril-30 conditie van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substr aat-gedeeltes en waarbij daartoe het ononderbroken onderhouden van één van de navolgende tril-condities van deze onder-transducer: a) een gelijkmatige op- en neerwaartse verplaatsing ; of 35 b) een snelle opwaartse- en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing; of c) een langzame opwaartse- en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing.

137. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in het transducer-compartiment van deze ondertransducer-opstelling onder deze transducer de opname van een warmte-isolerende laag, met 5 tegen deze laag het bevestigd zijn van een stripvormige dunwandige electrische verwarmings-plaat, het daarmede tenminste onderhouden van een bepaalde hoge temperatuur van deze opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes en het daarmede 10 ondersteunen van bepaalde semiconductor behandelings- processen in het stripvormige, erboven gelegen bovenspleet-gedeelte, zoals onder andere het bijdragen in de verdamping van het toegepaste laag-kokende vloeibare draagmedium in dit bovenspleet-gedeelte.

138. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in een alternatieve uitvoering van deze ondertransducer-opstelling met behulp van het via een toe/afvoer-leiding ononderbroken opvolgend toe- en afvoeren van het gasvormige medium naar en vanaf dit transducer-20 compartiment het tevens onderhouden van een zeer-laag- frequente pulseer-conditie van deze opvolgende, erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes ten behoeve van het ondersteunen van zulk een semiconductor behandelings-proces in deze opvolgende stripvormige bovenspleet-gedéeltes tussen 25 deze, in het boventunnelblok opgenomen medium toe- en afvoer-groeven.

139. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in het ondertunnelblok de opname van een aantal opvolgende ondertransducer-30 opstellingen, het daarmede bewerkstelligen van een optimaal totaal semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende semiconductot substraat-gedeeltes met behulp van het opvolgend toe- en afgevoerde semiconductor behandelings-medium, met in een gunstige 35 alternatieve werkwijze het daarbij tevens fungeren van de transducer-compartimenten als een drukkamer en waarbij typisch eveneens het via de centrale medium toe/afvoer-leidingen opvolgend zeer-laagfrequent toe- en afvoeren van het gasvormige medium naar en vanaf deze compartimenten het daarbij onderhouden van de combinatie van een hoogfrequente tril-conditie en een zeer-laagfrequente pulseer-conditie van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende 5 substraat-gedeeltes.

140. Werkwijze volgens de Conclusies 138 en 139, met het kenmerk, dat daar bij voor zulk een zeer-laagfrequent pulseren en het trillen ervan en zoals tevens voor zulk een boven-transducer—opstelling één van de navolgende condities ervan: 10 a) een gelijkmatige op- en neerwaartse verplaatsing; of b) een snelle opwaartse- en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing; of c) een langzame opwaartse- en een daarop-volgende snelle neerwaartse verplaatsing.

141. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij ten behoeve van het met behulp van deze ondertransducer-opstelling onderhouden van een bepaalde tril-conditie van zulk een onder-transducer een daartoe geschikte hoogte van de di-electrische tussenlaag ervan en 20 zulks in combinatie met een tevens daartoe geschikte hoogte van de electrische spanning van de opgewekte electrische trillingen.

142. Werkwijze volgens de Conclusie 140, met het kenmerk, dat zoals daarbij eveneens in het boventunnelblok de opname 25 van zulk een tevens laag-frequent pulserende boventransducer-opstelling, met tenminste een gedeelte ervan gelegen boven deze ondertransducer-opstelling, in deze combinatie het tevens plaatsvinden van zulk een laag-frequente pulseer-conditie ervan onder daarbij tenminste mede het navolgende: 30 a) een gelijksoortige op- en neerwaartse verplaatsing ervan; of b) een verschillende op- en neerwaartse verplaatsing; of c) een verschillende pulseer-frequentie.

143. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 35 het kenmerk, dat zoals daarbij boven deze typisch uitwisselbare ondertransducer-opstelling in het boventunnelblok de opname van typisch eveneens een uitwisselbare stripvormige inrichting, welke is opgenomen in een drukwand-opstelling en bevattende een op- en neerwaarts verplaatsbaar stripvormig onderdrukwand-gedeelte, en met behulp van een medium-toe/afvoerleiding het opvolgend laag-frequent toe- en afvoeren van typisch vloeibaar 5 drukmedium naar en vanaf het drukwand-compartiment en naast het met behulp van deze onder-transducer onderhouden van tenminste een tril-conditie van de opvolgende substraat-gedeeltes het tevens onderhouden van een laag-frequent op- en neerwaarts verplaatsen van dit boven-drukwandgedeelte. 10 144. Werkwijze volgens de Conclusie 143, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van deze combinatie van opvolgende, tenminste trillende substraat-gedeeltes en daarboven zulk een laag-frequent pulseren van deze drukwand het ononderbroken plaatsvinden van elk geschikt semiconductor 15 behandelings-proces van deze opvolgende ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes met een daartoe geschikt semiconductor behandelings-medium onder elke mogelijke combinatie van tril- en pulseer-condities ervan.

145. Werkwijze volgens de Conclusie 143 of 144, met het 20 kenmerk, dat zoals daarbij in een alternatieve uitvoering van deze ondertransducer-opstelling, gezien in de lengterichting van deze tunnel, tevens daartoe een voorwaarts versprongen positie ervan ten opzichte van deze erboven gelegen drukwand-opstelling in het boventunnelblok of een 25 achterwaarts versprongen positie ervan, het plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces.

146. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor deze onder-transducer van de onder transducer-opstelling de mogelijke toepassing van elke 30 geschikte hoogte en vorm van de semiconductor trilling ervan en het aantal trillingen per tijdseenheid en zulks onder toepassing van deze, in de tunnel-opstelling opgenomen electrisehe trilling-opwekinrichting.

147. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 35 het kenmerk, dat zoals daarbij in zulk een bovendrukwand- opstelling in het boventunnelblok een stripvormige electrische verwarmings-plaat is opgenomen in het bovendrukwand-compartiment en zulks onder toepassing daarin van zulk een warmte-isolerende di-electrische plaat ten behoeve van het daarmede onderhouden van een zodanig hoge temperatuur van deze drukwand, dat daarmede het in een voldoende mate verdampen van het toegevoerde vloeibare 5 draagmedium in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte plaats vindt.

148. Werkwyze volgens de Conclusie 147, met het kenmerk, dat zoals daarbij deze verwarmingsplaat is opgenomen in dit drukwand-gedeelte zelf, met boven het metalen drukwand- 10 gedeelte de opname van een di-electrische tussenplaat, het daarmede eveneens plaatsvinden van een optimaal verdampingsproces van het laag-kokende vloeibare draagmedium.

149. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij boven deze onder transducer- 15 opstelling in het boventunnelblok de opname van eveneens een typisch uitwisselbare stripvormige boventransducer-opstelling, met behulp van deze onder-transducer het typisch onderhouden van een hoog-frequente tril-conditie van de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende 20 substraat-gedeeltes en zulks typisch mede met behulp van het onderhouden van een micrometer hoge film hoog-kokend vloeibaar medium in het onderspleet-gedeelte in combinatie met het daartoe onderhouden van een geringe overdruk van het gasvormige medium in het ondertransducer-compartiment 25 ten opzichte van de druk van het gasvormige medium in het boventransducer-compartiment en met behulp van deze combinatie van transducers het ononderbroken plaatsvinden van een geschikt semiconductor hehandelings-proces.

150. Werkwijze volgens de Conclusie 149, met het kenmerk, 30 dat zoals daar bij, gezien in de lengterichting van deze tunnel, een versprongen positie ervan ten opzichte van deze boventransducer-opstelling of een tegengestelde versprongen positie ervan, het plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces. 35 151, Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze combinatie van een boven- en onder-transducer-opstelling verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij voor zowel deze boven- als onder transducer elk soort van de bewerkstelligde trilling en het aantal trillingen per tijdseenheid, welke worden verkregen onder de gebruikmaking van zulk een electrische trilling-opwekinrichting.

152. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in het boventunnelblok tevens de opname van een uitwisselbaar stripvormig blok, bevattende in het compartiment ervan een tijdens de werking van de tunnel-ops.telling verdraaiende nokkenas-opstelling met een 10 stripvormige drukwand eronder, welke combinatie deel uitmaakt van dit blok en zulk een nokkenas-opstelling is aangegeven en omschreven in andere, gelijktijdig ingediende Nederlandse Octr ooi-aanvragen, daarbij met behulp van deze trillende onder-transducer en daarmede van deze opvolgende 15 trillende substraat-gedeeltes en een typisch trillende drukwand van deze bovennokkenas-opstelling het ononderbroken plaatsvinden van een geschikt semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken ertussendoor verplaatsende substraat-gedeeltes onder toepassing van 20 geschikt semiconductor behandelings-medium, zoals onder andere een reinigings-, strip-, ets- of spoel-medium.

153. Werkwijze volgens de Conclusie 152, met het kenmerk, dat zoals daarbij, gezien in de lengterichting van deze tunnel-opstelling, tevens een versprongen positie van deze 25 bovennokkenas-opstelling ten opzichte van deze ondertransducer-opstelling of een tegengesteld versprongen positie ervan, en zulks onder het plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces.

154. Werkwijze volgens de Conclusie 152 of 153, met het 30 kenmerk, dat zoals daarbij een toenemende hoogte van het bovenspleet-gedeelte tussen de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en deze bovennokkenas-opstelling, het typisch afvoeren erdoorheen van verdampt vloeibaar medium, welke met behulp van een stripvormige verwarmingsplaat, 35 opgenomen in één van deze beide semiconductor opstellingen, en zulks typisch in deze bovennokkenas-opstelling, wordt bewerkstelligd en zulks verder onder toepassing van elke geschikte soort van trilling en trillings-frequentie van deze onder-transducer en aldus van de zich erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes en zulks tevens van de drukwand van deze nokkenas-opstelling.

155. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 5 het kenmerk, dat zoals daarbij in de bovenwand van de ondertransducer-opstelling tevens de opname van een groef-opstelling, bevattende een groot aantal mini naast elkaar gelegen groeven, welke zich typisch in hoofdzaak uitstrekken in de lengterichting ervan, het ononderbroken doorlaten 10 ervan van vloeibaar medium.

156. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in tenminste de onderwand van het drukplaat-gedeelte van deze bovennokkenas-opstelling als deel van de combinatie ervan met een ondertransducer- 15 opstelling de opname van een groef-opstelling, bevattende een groot aantal mini naast elkaar gelegen groeven, welke zich typisch in hoofdzaak uitstrekken in de lengterichting ervan tussen het ervóór gelegen stripvormige toevoer-gedeelte voor de combinatie van vloeibaar draagmedium en 20 deeltjes van een semiconductor substantie en de erachter gelegen stripvormige afvoergroef voor het verdampte vloeibare draagmedium, het in deze groeven mede onderhouden van een stroom van semiconductor behandelings-medium in een al dan niet mede vloeibare vorm ervan.

157. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van de combinatie van een boventransducer-opstelling en een eronder gelegen ondernokkenas-opstelling en in het transducer-corapartiment tegen de daarin opgenomen warmte-isolerende 30 plaat typisch de bevestiging van een electrische verwarmings-plaat, het daarmede onderhouden van een zodanig hoge temperatuur van deze transducer, dat daarbij het daarmede tevens plaatsvinden van verdamping van het via een ervóór gelegen toevoer-inrichting toegevoerde vloeibare 35 draagmedium voor deeltjes van een semiconductor substantie, zoals onder andere een reinigings-, strip-, ets- of spoel-roedium of een semiconductor substantie in een vaste vorm ervan en met behulp van de roterende nokkenas het typisch onderhouden van elk soort van tril-conditie van het stripvormige drukwand-gedeelte ervan en van de opvolgende erbovenlangs verplaatsende semiconductor substr aat-gedeeltes,, met in het onder-compartiment ervan het typisch daartoe 5 onderhouden van een geringe onderdruk van het daarin aanwezige vloeibare medium en verder het daarmede plaatsvinden van een geschikt semiconductor behandelings-proces in het tussen-gelegen bovenspleet-gedeelte van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende 10 substraat-gedeeltes.

158. Werkwijze volgens de Conclusie 157, met het kenmerk, dat daarbij daartoe met behulp van deze boven-transducer het onderhouden van elke gewenst wordende tril-conditie ervan en met behulp van het opvolgend laag-frequent toe- en 15 afvoeren van het gasvormige medium naar en vanaf het transducer-compartiment het tevens onderhouden van een laag-frequente pulseer-coditie van deze transducer, met typisch een toenemende hoogte van het bovenspleet-gedeelte en aldus het plaatsvinden van een ononderbroken afvoer van 20 het verdampte vloeibare medium, welke met behulp van tenminste mede deze verwarmings-plaat wordt bewerkstelligd.

159. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij tevens in het ondertunnelblok vóór deze nokkenas-opstelling de opname van een toevoer- 25 inrichting voor typisch dun-vloeibaar medium, met afvoer van typisch tenminste een gedeelte ervan via een afvoer-inrichting daarachter, het onderhouden van een micrometer hoge film ervan in het onderspleet-gedeelte boven het drukwand-gedeelte ervan.

160. Werkwijze van de combinatie van de boventransducer- opstelling en de eronder gelegen ondernokkenas-opstelling volgens de Conclusie 159, met het kenmerk, dat zoals daarbij typisch daartoe in tenminste mede de bovenwand van het drukwand-gedeelte van deze ondernokkenas-opstelling de 35 opname van mini medium-doorlaatgroeven, welke zich in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan uitstrekken, het mede onderhouden van zulk een micrometer hoge film van dit vloeibare medium.

161. Werkwijze van de combinatie van de boventransducer-opstelling en de eronder gelegen ondernokkenas-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij, gezien in de lengterichting van de 5 tunnel-opstelling, tevens een versprongen positie van deze nokkenas-opstelling ten opzichte van deze transducer-opstelling of een tegengestelde versprongen positie ervan, het daarmede optimalizering van zulk een semiconductor behandelings-proces.

162. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de combinatie van tenminste een stripvormige boven- of onder-transducer met typisch ervóór zulk een stripvormige medium-toevoerinrichting en erachter zulk een stripvormige medium-afvoerinrichting, is 15 opgenomen in een uitwisselbaar stripvormig gedeelte van deze tunnel-opstelling en waarbij zulk een gedeelte drukdicht gekoppeld is met de aan weerszijde ervan ernaast gelegen gedeeltes van het boven- of ondertunnelblok ervan, het daarmede plaatsvinden van een bepaald semiconductor 20 behandelings-proces.

163. Werkwijze volgens de Conclusie 162, met het kenmerk, dat daarbij eveneens tenminste plaatselijk zulke ernaast gelegen tunnel-gedeeltes eveneens uitwisselbaar zijn en waarbij met zulk een combinatie van tunnel-gedeeltes 25 onderhouden van van een bepaald belangrijk, typisch totaal semiconductor hehandelings-proces daarin.

164. Werkwijze volgens de Conclusie 163, met het kenmerk, dat zoals zulk een opstelling onder toepassing van zulk een boven en/of onder-transducer-opstelling eveneens bruikbaar 30 is in de andere tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en ome hr even in de gelijktijdig met deze Octrooi-aanvrage ingediende andere Octrooi-aanvragen en daarbij het daain eveneens plaatsvinden van een typisch tenminste één ander semiconductor behandelings-proces onder toepassing van een 35 stripvormig tril-element.

165. Werkwijze van de transducer-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de toepassing van werkwijzen, welke zijn aangegeven en 1 03 7 0 65