NL1037191C2 - Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende meerdere inrichtingen ten behoeve van het daarmede bewerkstelligen van een (sub) nanometer hoge laag van deeltjes van een vaste substantie op de opvolgende, ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes. - Google Patents

Description

Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende meerdere inrichtingen ten behoeve van het daarmede bewerkstelligen van een (sub) nanometer hoge laag van deeltjes van een vaste substantie op de opvolgende, ononderbroken erdoorheen 5 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

De semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling volgens de uitvinding bevat mede typisch een aantal stripvormige medium-toevoer inrichtingen, welke in 10 hoofd zaak zijn opgenomen in het boventunnel blok ervan ten behoeve van het tijdens de werking ervan daarin ononderbroken toevoeren van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste semiconductor substantie, waarbij daarin tevens typisch de opname van een tweetal opvolgende meng-15 inrichtingen ten behoeve van in de eerste meng-inrichting ervan het mengen van een hoog percentage van een vloeibaar draagmedium met tenminste mede zulk een substantie en in de tweede daarop-volgende , typisch eronder-gelegen meng-inrichting, het mengen van deze combinatie met wederom een 20 hoog percentage vloeibaar draagmedium plaats vindt.

In de gelijktijdig door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvrage voor zulk een semiconductor tunnel-opstelling is reeds zulk een stripvormige medium-toevoer-inrichting aangegeven ten behoeve van de ononderbroken 25 toevoer erdoorheen van de combinatie van typisch laag- kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vloeibare of vaste vorm ervan.

Bij een breedte van de tunnel-door gang van circa 200 mm en een verplaatsings-snelheid van de opvolgende, zich erdoorheen 30 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes van typisch slechts 2 mm per seconde en zulks in combinatie met typisch een minder dan 500 nanometer, hoge op te bouwen laag van zulk een vloeibare hecht-substantie is aldus het ononderbroken toegevoerde volume ervan beperkt tot typisch minder dan 35 0,2 mm3 per seconde.

Hierdoor is een zeer hoog percentage van dit vloeibare draagmedium gewenst, met typisch een meng-verhouding van circa 2500 : 1 en waarbij dan een ononderbroken toevoer 1037191 2 erdoorheen van circa 500 mm3 per seconde van zulk een combinatie plaats vindt.

Aldus vindt nu met behulp van deze tweetal aanvullende meng-inrichtingen in zulk een stripvormige medium-5 toevoerinrichting een voldoende verdunning van deze vloeibare hecht-substantie plaats.

Daarbij onder de daarop-volgende, in het boventunnelblok opgenomen stripvormige tril/verdampings-inrichting door verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium de 10 vorming van de combinatie van dampvormig medium en deeltjes van deze vaste substantie onder de neerslag ervan op de boven-topography van de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en zulks mede onder tril-conditie van deze tril/verdampings-inrichting.

15 Aldus een optimaal semiconductor neerslag-proces met behulp van deze combinatie van deeltjes van deze vaste substantie en zulk een zeer hoog percentage van het verdampbare vloeibare draagmedium.

Daar bij vindt tevens een uiterst snelle verdamping van dit 20 laag-kokende vloeibare draagmedium in de onder deze tril/ verdampings -inrichting gelegen bovenspleet-sectie plaats, met daardoor slechts een geringe benodigde breedte van zulk een inrichting in de lengte-richting van deze tunnel, typisch minder dan 50 mm, en waar bij een ononderbroken afvoer van 25 deze gevormde damp in de daarop-volgende stripvormige af voer-inrichting in het boventunnelblok.

Als een uiterst gunstige tri1/verwarmings-inrichting daar bij typisch de toepassing van een stripvormige transducer-opstelling, welke is opgenomen in het boventunnelblok 30 onmiddellijk achter deze medium-toevoerinrichting.

Daarbij in een gunstige tril-conditie ervan het tevens onderhouden van de combinatie van een snelle neerwaartse -en een daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing van deze trillingen ten behoeve van het bijdragen in zulk een 35 optimaal neerslag-proces.

In een volgende gunstige werkwijze het in deze medium-toevoer inrichting tevens toepassen van een hoog-kokend vloeibaar draagmedium, waarbij dan typisch in dit 3 boventunnelblok de opname van een tweede stripvormige tril/ verdampings-inrichting achter deze eerste combinatie van een tril/verdampings-inrichting en medium-afvoer inrichting en waarin dan het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van 5 dit hoger-kokende vloeibare draagmedium.

Tevens vindt mogelijk typisch mede een zeer beperkte ongunstige neerslag van zulke deeltjes van deze $a.ste substantie tegen tenminste het onderwand-gedeelte van deze inrichting plaats, waardoor dan tevens -mogelijk een 10 neerslag op deze onderwand zich uitstrekt tot deze daaropvolgende stripvormige afvoer-inrichting, welke eveneens is opgenomen in het boventunnelblok.

In een gunstige uitvoering van deze tunnel-opstelling vindt daarbij daartoe in een daarop-volgende stripvormige toevoer-15 inrichting de ononderbroken toevoer van vloeibaar reinigings-medium naar deze afvoer-inrichting plaats ten behoeve van het daarin mede afvoeren van deze deeltjes vaste substantie op waarbij typisch daarachter de opname van een stripvormige inrichting voor typisch gasvormig slot-medium, waardoor 20 daarachter een schoon onderwand-gedeelte van dit boventunnelblok wordt onderhouden.

Indien benodigd ten behoeve van de bewerkstelliging van een ultra geliikmatige hoogte van zulk een bewerkstelligde laag van de vaste substantie, in dit boventunnelblok 25 achter deze tweede afvoer-inrichting de opname van nog een derde stripvormige tril-inrichting.

De totale lengte van zulk een tunnel-gedeelte, waarin het opbrengen van zulk een nanometer hoge laag van deeltjes, inclusief zelfs een drietal tril/verwarmings-inrichtin'geu, 30 bedraagt daarbij typisch toch nog minder dan 70 cm.

In een gunsige semiconductor werkwijze vindt in tenminste één opwekinrichting boven deze tunnel-opstelling de bewerkstelliging van ionen als nanometer grote deeltjes van een vaste substantie, welke reeds algemeen worden toegepast 35 in de bestaande semiconductor installaties onder de gebruikmaking van wafers, plaats en waarbij in een eronder gelegen meng-inrichting de opname van deze ionen in typisch laag-kokend vloeibaar draagmedium met een hoger percentage 4 ervan plaats.

Daarbij vindt via tenminste één toevoer leiding de ononderbroken toevoer ervan naar de eerste meng-inrichting van deze medium-toevoerinrichting plaats ten behoeve van de 5 menging ervan met een hoog percentage typisch gelijksoortig vloeibaar draagmedium en met afvoer van deze gemengde substantie naar de daarop-volgende, eronder gelegen tweede meng-inrichting en waarin de menging van deze combinatie plaats vindt in wederom een hoog percentage van typisch 10 eveneens hetzelfde laag-kokende vloeibare draagmedium geschiedt, met vervolgens afvoer van deze gemengde combinatie via een aantal kanalen naar het stripvormige toevoer-gedeelte in de onderwand van deze stripvormige toevoer-inrichting.

15 Daarbij vervolgens in het bovenspleet-gedeelte onder zulk een trillende transducer, welke tevens fungeert als een voldoende warmte-bron, de bewerkstelliging van een dampvormig draagmedium voor deze ionen onder een optimale inwerking ervan op de boventopography van de opvolgende, eronderlangs 20 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, zoals onder andere het daarmede plaatsvinden van een implantage/ doping-proces met behulp van deze ionen

Tevens in een ander proces het geledelijk vullen met deze ionen van de in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde 25 nanometer brede uitsparingen (crevices).

Mede ten behoeve van een optimaal semiconductor behandelings-proces daartoe voor deze transducer-trillingen een snelle neerwaartse en een daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing van de onder-trilwand ervan ten 30 behoeve van het optimaal indringen van deze ionen.

Indien benodigd, in opvolgende tunnel-gedeeltes het plaatsvinden van een aantal herhalingen van zulke semiconductor behandelingen.

Verder-,is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en 35 bevattende zodanige middelen, dat daar bij daarin tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor faciliteit, - installatie, - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke door de 5 aanvrager zijn aangegeven en omchreven in de door hem recent ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende zulk een semiconductor tunnel-opstelling.

verder is aeze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en 5 bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin mogelijk de toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor wafers in semiconductor modules, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het 10 navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module .

Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en 15 bevattende zodanige middelen, dat daarbij de in deze Octrooiaanvrage omschreven middelen en werkwijzen tevens toepasbaar zijn in deze boven-vermelde semiconductor tunnel-opstellingen.

De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet•aan de hand van de in de Figuren weergegeven uitvoerings-20 voorbeelden van de constructies volgens de uitvinding.

Figuur 1 toont wederom de in de Figuur 1 van deze eerste aanvage aangegeven semiconductor tunnel-opstelling, met daarin een stripvormige medium-toevoerinrichting, waarin het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie 25 van vloeibaar draagmedium en deeltjes van de nanometer grote deeltjes substantie in een vaste vorm ervan en waarbij daarin in het bovenste gedeelte ervan de opname van een eerste typisch cilindrische meng-inrichting ten behoeve van het daarin mengen van een laag percentage van tenminste mede zulk 30 een semiconductor substantie met een typisch hoger percentage vloeibaar draagmedium en waarbij deze meng-inr ichting aan de onderzijde ervan via typisch een aantal naast elkaar gelegen medium-toevoerkanalen is aangesloten op een tweede, eveneens typisch cilindrische meng-inrichting, met daarin eveneens de 3 5 toevoer van een aanzienlijk hoger percentage van typisch hetzelfde vloeibare draagmedium ten behoeve van het in benedenwaartse richting afvoeren van deze combinatie van dit draagmedium en zulke deeltjes van een semiconductor substantie 6 naar het eronder-gelegen stripvormige toevoer-gedeelte van de bovenspleet boven de ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Figuur 2 toont in deze tunnel-opstelling achter deze 5 medium-toevoerinrichting een in het boventunnelblok opgenomen uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling, waarbij in het compartiment ervan de opname van een transducer ten behoeve van typisch het daarmede verdampen van het laag-kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van de deeltjes 10 semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij via het erboven gelegen bovenspleet-gedeelte met een toenemende hoogte ervan afvoer van het gevormde dampvormige medium naar de daarop-volgende stripvormige 15 afvoer-inrichting, welke eveneens is opgenomen in dit boventunnelblok.

Daarbij dus typisch uitsluitend de toepassing van laag-kokend vloeibaar draagmedium.

Figuren 2A ® tonen zeer sterk vergroot de opvolgende 20 phasen van het neerslag-proces van deze deeltjes vaste substantie op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Figuren 2E, F en G tonen zeer sterk vergroot de neerslag van deze deeltjes vaste substantie op een metalen 25 di-electrische - en kunststof-onderlaag.

Figuur 3 toont achter deze transducer-opstelling een stripvormige toevoer-inrichting voor reinigingsmedium, met afvoer ervan via deze afvoer-inrichting ten behoeve van het gereinigd houden van tenminste het tussen-gelegen onderwand-30 gedeelte van het boventunnelblok.

Figuur 4 toont achter de in de Figuur 2 mede aangegeven eerste transducer-opstelling een tweede transducer-opstelling ten behoeve van het typisch met behulp van het trillen ervan het plaatsvinden van een egalisatie-35 proces van. deze opgebrachte laag van zulke deeltjes van een vaste substantie, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 4a.

Daarachter wederom zulk een stripvormige afvoergroef voor 7 tenminste mede nog verdampt vloeibaar draagmedium en daarachter wederom zulk een stripvormige toevoergroef voor reinigings-medium en een daarop-volgende stripvormige toevoergroef voor gasvormig slotmedium.

5 Figuur 5 toont als alternatief voor zulk een stripvormige transducer-opstelling de opname in het boventunnelblok van een stripvormige roterende nokkenas-opstelling onder het daarbij tijdens de werking ervan onderhouden van typisch een snelle neerwaartse verplaatsing en een daarop-volgende 10 langzame opwaartse verplaatsing van het stripvormige drukwand-gedeelte ervan ten behoeve van het eveneens bewerkstelligen van een optimaal vlakke conditie van de neergeslagen deeltjes van zulk een vaste semiconductor substantie.

15 Daarbij in dit dr ukwand-gedeelte de opname van een dunwandige stripvormige electrische verwarmings-inrichting ten behoeve van het daarmede tevens verdampen van het toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium en het daaronder steeds verder plaatsvinden van zulk een neerslag-20 proces van deze deeltjes van een vaste semiconductor substantie, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 5A t/m D) onder het tenslotte opgebouwd zijn van een typisch nanometer hoge laag van deze deeltjes op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, 25 zoals is aangegeven in de Figuur 5®,

Figuur 6 toont vergroot een gedeelte van een onder-nokkenasopstelling, welke is opgenomen in het ondertunnelblok.

Figuur 7 toont daar bij zeer sterk vergroot een gedeelte van deze tunnel-opstelling en waarbij boven deze trillende 30 drukwand-sectie ervan de opvolgende, zich ononderbroken erbovenlangs verplaatsende en mede erdoor eveneens trillende opvolgende substraat-gedeeltes, met mede de combinatie van een snelle opwaartse - en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing ervan, en daarboven zulk een 35 trillend . transducer-gedeelte met typisch een snelle neerwaartse - en een daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing van het onderwand-gedeelte ervan.

Zulks ten behoeve van een optimaal snel vullen van de in 8 een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde, typisch minder dan 30 nanometer brede uitsparingen/crevices in de bovenlaag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, zoals uiterst vergroot is aangegeven in de 5 Figuren 8A en 8® en waarbij in de Figuur 8A het tonen van de maximale bewerkstelligde hoogte van het tussen-liggende bovenspleet-gedeelte, en in de Figuur 8® de minimale bewerkstelligde hoogte ervan tijdens zulke tril-condities van deze onder-nokkenasopstelling en deze boven-transducer-10 opstelling.

Figuur 9 toont een meng-inrichting, waarbij daarin in het bovenste gedeelte ervan het ononderbroken mengen plaats vindt van de toegevoerde combinatie van deeltjes van een vaste semiconductor substantie met een hoog percentage laag-kokend 15 vloeibaar draagmedium 16 en in het onderste gedeelte ervan het ononderbroken mengen van deze combinatie met een hoog percentage hoog-kokend vloeibaar draagmedium.

Figuur 10 toont in een gedeelte van deze tunnel-opstelling de toepassing in het boventunnelblok ervan een eerste 20 stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van het daarmede mede ononderbroken plaatsvinden van verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium en onder de daaropvolgende tweede transducer-opstelling het daarmede plaatsvinden van verdamping van het hoger-kokende vloeibare 25 draagmedium met daarbij, indien benodigd, achter zulk een stripvormige afvoer-inrichting voor het verdampte vloeibare draagmedium wederom zulk een stripvormige toevoer-inrichting voor reinigings-medium en de daarop-volgende toevoer-inrichting voor gasvormig slot-medium ten behoeve van het 30 gereinigd houden van het daarop-volgende onderwand-gedeelte van dit boventunnelblok.

Daarbij achter deze tweede transducer in het boventunnelblok de opname van een stripvormig electrisch verwarmingselement ten behoeve van het daarmede smelten van deze 35 deeltjes van zulk een vaste substantie onder de vorming van een vloeibare laag ervan en daarachter de opname van een stripvormige afkoel-inrichting ten behoeve van het vormen van een vaste laag ervan.

9

Figuur llA to oat daarbij het begin van het verhoogde bovenspleet-gedeelte onmiddellijk achter het stripvormige medium-toevoergedeelte van deze medium-toevoerinrichting en waarbij de Figuren 11®> C en D opvolgende gedeeltes van de 5 bovenspleet onder deze beide transducers tonen, met daarin het aangeven van een sterk vergrootte hoogte ervan nabij de beide stripvormige afvoer-inrichtingen achter deze transducer-opstellingen.

Figuur 12 toont zeer sterk vergroot in het gedeelte achter 10 deze tweede transducer-opstelling wederom de vulling met nanometer grote deeltjes van een vaste semiconductor substantie van de bewerkstelligde crevices, welke zijn opgenomen in de semiconductor bovenlaag van deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes. 15 Figuur 13 toont na het tenminste mede vullen van deze crevices met deze deeltjes van een metalen substantie,met behulp van zulk een electrische verwarmings-inrichting een bewerkstelligde vloeibare laag van deze substantie.

Figuur 14 toont het afgekoeld zijn van deze vloeibare laag 20 onder de vorming van een vaste conditie van tenminste mede de vulling van deze crevices.

Figuur 15 toont daarbij in deze tunnel-opstelling de toepassing van opvolgende gedeeltes van een daarin in de ingangszijde ervan ononderbroken toegevoerde kunststof-f olie, 25 waarbij in de bovenlaag ervan het tenminste mede bewerkstelligd zijn van zulke, met een metaal gevulde crevices.

Figuur 16 toont daarbij in deze tunnel-opstelling de toepassing van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij in de di-electrische bovenlaag ervan tenminste mede 30 het bewerkstelligd zijn van zulke, met een metalen substantie gevulde crevices.

Figuur 17 toont nog achter deze beide transducer-opsteHingen in het boventunnelblok een derde transducer-opstelling ten behoeve van het daarmede wederom plaatsvinden 35 van een egalisatie-proces van deze opgebrachte, typisch nanometer hoge laag van deeltjes van zulk een vaste semiconductor substantie, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 18^ en 18^, en zulks ten behoeve van het in de 10 daarop-volgende tunnel-gedeeltes plaatsvinden van zulk een ononderbroken verwarmings-proces onder de vorming van een nanometer hoge vloeibare laag van deze semiconductor substantie, en het daarop-volgende afkoel-proces van deze 5 vloeibare laag onder de vorming van een vaste conditie ervan.

De Figuur 1 toont nog een inrichting ten behoeve van de bewerkstelliging van typisch minder dan 5 nanometer grote deeltjes van een vaste, typisch metalen substantie en waarbij daaronder een meng-inrichting ten behoeve van het mengen van 10 deze deeltjes met typisch een hoger percentage laag-kokend vloeibaar draagmedium ten behoeve van de ononderbroken toevoer ervan naar deze bovenste meng-inrichting van deze medium-toevoerinrichting.

De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan 15 de hand van de in deze Figuren aangegeven inrichtingen ten behoeve van de opbouw van een nanometer hoge laag van vaste deeltjes op de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

Figuur 1 toont in het boventunnelblok 12 van de semiconductor tunnel-opstelling 10 de opname van de 20 stripvormige medium-toevoerinrichting 14, waarin het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium 16 en deeltjes 18 van een vaste semiconductor substantie en waarbij daarin in het bovenste gedeelte ervan de opname van typisch de eerste cilindrische 25 meng-inrichting 20 ten behoeve van het daarin mengen van een laag percentage van tenminste mede zulke deeltjes 18 met een hoog percentage vloeibaar draagmedium, welke daarbij typisch gelijk kan zijn aan dit draagmedium 16, en waarbij deze meng-inrichting 20 aan de onderzijde ervan via typisch een aantal 30 naast elkaar gelegen medium-afvoerkanalen 24 is aangesloten op een tweede, eveneens typisch cilindrische meng-inrichting 26, met daarin eveneens de continue toevoer van een aanzienlijk hoger percentage van typisch hetzelfde vloeibare draagmedium 16 ten behoeve van het in beneden-35 waartse richting afvoeren van deze combinatie draagmedium 16 en zulke deeltjes 18 van deze semiconductor substantie via een groot aantal naast elkaar gelegen kanalen 28 naar het eronder gelegen stripvormige toevoer-gedeelte 30 van de 11 bovenspleet 32 van deze tunnel-opstelling 10 boven de eveneens tijdens de werking van deze tunnel-opstelling ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 34.

5 Figuur 2 toont in deze tunnel-opstelling 10 achter deze medium-toevoerinrichting 14 de in het boventunnelblok 12 opgenomen uitwisselbare stripvormige transducer-opstelling 38, waarbij in het compartiment 40 ervan de opname van de stripvormige transducer 42 ten behoeve van typisch het 10 daarmede verdampen van het laag-kokende vloeibare draagmedium onder neerslag van deze deeltjes 18 op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substr aat-gedeeltes 34 onder tr il-conditie ervan en waarbij via het erboven gelegen gedeelte 44 met een toenemende 15 hoogte ervan afvoer van het gevormde dampvormige medium 46 plaats vindt naar de daarop-volgende stripvormige afvoer-inrichting 48, welke eveneens is opgenomen in dit boventunnelblok 12.

Figuren 2^> B en C tonen zeer sterk vergroot de neerslag 20 van de combinatie van de:d?eeltjes van de vaste substantie 18 en vloeibaar draa^gmedium 16 op de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 34, welke worden meeverplaatst door de metalen band 36 onder daarbij een afnemende hoogte van deze combinatie.

25 Figuur 2^ toont zeer sterk vergroot de neerslag van uitsluitend deze deeltjes van de vaste substantie 18 op deze opvolgende substraat-gedeeltes 34 ter plaatse van het achter-gedeelte van deze transducer 42.

Figuur 2^ toont daarbij zeer sterk vergroot de neerslag 30 van uitsluitend deze deeltjes van de vaste substantie 18 op de metalen semiconductor onderlaag 76.

Figuur 2^ toont zulk een neerslag van deze deeltjes vaste substantie op de di-electrische bovenlaag 78 van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 34.

35 Figuur 2^ toont zulk een neerslag van deze vaste substantie 18 op de kunststof bovenlaag 80 van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

In de Figuur 3 is achter deze afvoer-inrichting 62 de 12 stripvormige toevoer-inrichting 64 voor typisch reinigings-medium 66 aangegeven, met mede afvoer ervan via deze afvoer-inrichting ten behoeve van het gereinigd/schoonhouden van het tussengelegen onderwand-gedeelte 68 van het 5 boventunnelblok 12.

Zulk een toevoer-inrichting voor reinigings-medium is onder andere gewenst bij toepassing van de via deze toevoer- inrichting toegevoerde deeltjes van de substantie 18', waarbij het mogelijk tevens plaatsvinden van een beperkte 10 neerslag van deeltjes op het voorgaande onderwand-gedeelte 68.

Achter deze toevoer-inrichting 64 de opname van de stripvormige toevoer-inrichting 70 ten behoeve van het ononderbroken toevoeren van gasvormig medium 72, met mede 15 afvoer ervan via deze afvoer-inrichting 62 ten behoeve van het tevens onderhouden van zulk een schoonhouden van tevens het tussen-gelegen onderwand-gedeelte 74 van dit blok 12.

Figuur 4 toont achter de in de Figuur 2 mede aangegeven eerste transducer-opstelling 38 een tweede transducer-20 opstelling 52 ten behoeve van het typisch met behulp van het trillen ervan het plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze opgebrachte laag van zulke deeltjes 18 van een vaste substantie, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 4A.

25 Daarbij het onderhouden van een minimale micrometer hoogte van de opvolgende bovenspleet-gedeeltes 44 ten behoeve van zulk een egalisatie-proces van de opgebrachte, typisch nanometer hoge laag van deze deeltjes 18.

Daarachter wederom zulk een stripvormige afvoer-30 opstelling 62 voor tenminste mede nog verdampt vloeibaar draagmedium 66 en daarachter wederom zulk een stripvormige toevoergroef-opstelling 64 voor reinigings-medium 68 em de daarop-volgende stripvormige toevoergroef-opstelling 70 voor gasvormig slotmedium 72.

35 Figuur 5 toont als alternatief voor zulk een stripvormige transducer-opstelling de opname in het boventunnelblok 12 van een stripvormige roterende nokkenas-opstelling 98 onder daarbij tijdens de werking ervan het aangegeven zijn van het 13 onderhouden van typisch een snelle neerwaartse verplaatsing en een daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing van het stripvormige drukwand-gedeelte van de nokkenas 100 ten behoeve van het daarmede eveneens bewerkstelligen van een 5 optimaal vlakke conditie van de neergeslagen deeltjes 18 van zulk een vaste semiconductor substantie.

Daar bij in dit dr ukwand-gedeelte 102 de opname van een dunwandige stripvormige electrische verwarmings-inrichting 104 ten behoeve van het daarmede tevens verdampen 10 van het vloeibare draagmedium onder het plaatsvinden van zulk neerslag-proces van deze deeltjes 18 van de vaste semiconductor substantie, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 5A t/® ®, onder het tenslotte op gebouwd zijn van een typisch nanometer hoge laag van deze 15 deeltjes 18 op de opvolgende eronderlangs verplaatsende metalen folie-gedeeltes 106, zoals is aangegeven in de Figuur 5®.

Verder vindt via de toevoer-leiding 108 de ononderbroken toevoer van vloeibaar medium 110 naar het nokkenas-20 compartiment 112 plaats, met de ononderbroken afvoer ervan via de afvoer-leiding 114.

Verder is nog in de Figuur 1 de opname aangegeven van de inrichting 116, waarin tijdens de werking ervan de ononderbroken bewerkstelliging van typisch minder dan 25 5 nanometer grote deeltjes van zulk een vaste, typisch veelal metalen semiconductor substantie 18 en waarbij deze inrichting via typisch een aantal toevoer-leidingen 118 is aangesloten op de eronder gelegen meng-inrichting 120 , en waarin het ononderbroken plaatsvinden van het mengen ervan met een 30 daarop ononderbroken toegevoerd hoger percentage van typisch eveneens het laag-kokende vloeibare draagmedium 16.

Daarbij het via typisch eveneens meerdere naast elkaar gelegen leidingen 122 ononderbroken toevoer ervan naar deze medium-toevoerinrichting 14.

35 Figuur 6 toont vergroot aangegeven een gedeelte van de toegepaste onder-nokkenasopstelling 124. welke is opgenomen in het ondertunnelblok 14.

Daarbij met behulp van deze roterende nokkenas-opstelling 14 het ononderbroken op- en neerwaarts verplaatsen van het stripvormige drukwand-gedeelte 126.

Deze nokkenas-opstelling bevat daarbij de nokken 128, welke daarbij typisch bestaan uit het relatief korte gedeelte 130 5 en het relatief lange gedeelte 132 en waarbij tijdens het verdraaien ervan met behulp van deze opvolgende nokken een opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen van dit drukwand-gedeelte 126 plaats vindt, met daarbij een snelle opwaartse-en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing 10 ervan en tevens met behulp van dit drukwand-gedeelte het ononderbroken op- en neerwaartse verplaatsing van de ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 34, zoals is aangegeven in de Figuur 7 en zeer sterk vergroot in de Figuren 8A en 8^.

15 Verder in het boventunnelblok 12 de opname van de stripvormige transducer 42 en waar bij de trillingen ervan typisch een snelle neerwaartse- en een daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing hebben, zoals eveneens is aangegeven in deze Figuur 7.

20 Zulks mede ten behoeve van een optimaal snel vullen van de in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde, typisch minder dan 30 nanometer brede uitsparingen/crevices 134 in de di-electrische bovenlaag 136 van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 34, zoals uiterst vergroot 25 is aangegeven in de Figuren 8^ en 8® en waarbij in de

Figuur 8^ het tonen van de maximale bewerkstelligde hoogte van het tussen-liggende bovenspleet-gedeelte 46, en in de Figuur 8® de minimale bewerkstelligde hoogte ervan tijdens zulke tril-condities van deze onder-nokkenasopstelling en 30 deze boven-transduceropstelling.

Figuur 9 toont de meng-inrichting 140, waarbij daarin in het bovenste gedeelte ervan het ononderbroken mengen plaats vindt van de toegevoerde combinatie van deeltjes van een vaste semiconductor substantie 18 met een hoog percentage 35 laag-kokend vloeibaar draagmedium 16 en in het onderste gedeelte ervan het ononderbroken mengen van deze combinatie met een hoog percentage hoog-kokend vloeibaar draagmedium 142.

15

Figuur 10 toont in een gedeelte van deze tunnel-opstelling 10 de toepassing in het boventunnelblok 12 ervan een eerste stripvormige transducer-opstelling 144 ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van 5 verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium 16 en onder de daarop-volgende tweede transducer-opstelling 146 het daarmede plaatsvinden van verdamping van het hoger-kokende vloeibare draagmedium 142 met daarbij, indien benodigd, achter zulk een stripvormige afvoer-inrichting 62 10 voor het verdampte vloeibare draagmedium wederom zulk een stripvormige toevoer-inrichting voor reinigings-medium en de daarop-volgende toevoer-inrichting voor gasvormig slotmedium ten behoeve van het gereinigd houden van het daaropvolgende onderwand-gedeelte van dit boventunnelblok en zoals 15 is aangegeven in de Figuur 3.

Achter deze tweede afvoer-inrichting in dit blok 12 de opname van een stripvormig electrisch verwarmingselement 148 ten behoeve van het daarmede smelten van deze deeltjes 16 van zulk een vaste substantie onder de vorming 20 van de vloeibare laag 150 ervan en daarachter de opname van de stripvormige afkoel-inrichting 152 ten behoeve van het vormen van de vaste laag 154 ervan.

Figuur 11^ toont daarbij het begin van het verhoogde bovenspleet-gedeelte 156 onmiddellijk achter het stripvormige 25 medium-toevoergedeelte 158 van deze medium-toevoerinrichting 140 en waarbij de Figuren 11B> C en D de opvolgende gedeeltes 160, 162 en 164 van de bovenspleet onder deze beide transducers 144 en 146 tonen, met daarin het aangeven van de sterk toenemende hoogtes ervan.

30 Figuur 12 toont zeer sterk vergroot in het gedeelte achter deze tweede transducer-opstelling 146 wederom de vulling met nanometer grote deeltjes 18 van deze vaste semiconductor substantie van de bewerkstelligde crevices 166, welke zijn opgenomen in de semiconductor bovenlaag 168 van 35 deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 34.

Figuur 13 toont na het tenminste mede vullen van deze crevices 166 met deze deeltjes 18 van een metalen substantie, 16 met behulp van zulk een electrische verwarmings-inrichting 148 de bewerkstelligde vloeibare laag 150 van deze substantie.

Figuur 14 toont het afgekoeld zijn van deze vloeibare 5 laag 150 onder de vorming van de vaste laag 152 en onder het daarmede tenminste mede gevuld zijn van deze crevices.

Figuur 15 toont daar bij in deze tunnel-ops telling 10 de toepassing van opvolgende gedeeltes van de daarin in de ingangszijde ervan ononderbroken toe gevoerde kunststof-10 folie 170, waarbij in de bovenlaag 172 ec van het tenminste mede bewerkstelligd zijn van zulke, met een metaal gevulde crevices 166.

Figuur 16 toont daarbij in deze tunnel-opstelling de toepassing van opvolgende semiconductor substraat-15 gedeeltes 34 en waarbij in de di-electrische bovenlaag 174 ervan tenminste mede het bewerkstelligd zijn van zulke, met een metalen substantie gevulde crevices 166.

Figuur 17 toont nog achter deze beide transducer-opstellingen 144 en 146 in het boventunnelblok 12 de opname 20 van de derde transducer-opstelling 176 ten behoeve van het daarmede wederom plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze opgebrachte, typisch nanometer hoge laag 178 van deeltjes 18 van zulk een vaste semiconductor substantie, zoals sterk vergroot is aangegeven in de Figuren 18^ en 18®» 25 en zulks ten behoeve van het in de daarop-volgende tunnel-gedeeltes plaatsvinden van zulk een ononderbroken verwarmings-proces met behulp van zulk een electrische verwarmings-inrichting 148 onder de vorming van de nanometer hoge vloeibare laag 180 van deze semiconductor substantie 18, 30 en in de daarop-volgende afkoel-inrichting 152 plaatsvinden van een afkoel-proces van deze vloeibare laag onder de vorming van de vaste laag 182 ervan.

Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin tevens de 35 mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor faciliteit, -installatie, -tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke zijn aangegeven en omschreven in de recent door de aanvrager ingediende 17

Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende zulk een semiconductor tunnel-opstelling.

Verder, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen 5 voor wafers in semiconductor modules, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor module.

10 Verder, dat daarbij de in deze Octrooi-aanvrage omschreven middelen en werkwijzen tevens toepasbaar zijn in deze andere semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in deze andere Octrooi-aanvragen van de aanvrager .

1037191

Claims (76)

1. Semiconductor tunnel-opstelling, welke zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in 5 het boventunnelblok ervan de opname van een aantal stripvormige inrichtingen, welke zich typisch uitstrekken in dwarsrichting van het centrale boven-semiconductor behandelingsgedeelte ervan ten behoeve van tijdens de werking ervan het daarmede ononderbroken bewerkstelligen van een 10 tenminste nanometer hoge laag van deeltjes van een vaste semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

2. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende 15 zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van typisch minder dan 10 nanometer grote deeltjes van zulk een semiconductor substantie.

3. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat daarbij zulke deeltjes bestaan uit een metalen 20 substantie.

4. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat daarbij zulke deeltjes bestaan uit een di-electrische substantie.

5. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande

25 Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin boven het boventunnelblok ervan de opname van een inrichting ten behoeve van de bewerkstelliging daarin van zulke deeltjes van een vaste semiconductor substantie en 30 waarbij daaronder een stripvormige meng-inrichting ten behoeve van het mengen van deze deeltjes met typisch een hoger percentage van een eveneens daarin ononderbroken toegevoerd verdampbaar vloeibaar draagmedium.

6. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 5, met het 35 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de toepassing van een volgende, typisch onder deze eerste meng-inrichting gelegen meng-inrichtingjten behoeve van het daarin ononderbroken 1037191 toegevoerde, typisch eveneens verdampbaar laag-kokend vloeibaar draagmedium met een aanzienlijk hoger percentage ervan.

7. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 6, met het 5 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daartoe in het boventunnelblok ervan de opname van een stripvormige medium-toevoerinrichting, waarin het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een 10 vaste semiconductor substantie en waarbij daarin in het bovenste gedeelte ervan de opname van typisch een cilindrische meng-inricting, bevattende een roterende nokkenas-opstelling ten behoeve van het daarin mengen van een laag percentage van tenminste mede zulke deeltjes met 15 een hoog percentage vloeibaar draagmedium, welke daarbij typisch gelijk is aan het eerste draagmedium.

8. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij deze meng-inrichting aan de 20 onderzijde ervan via typisch een aantal naast elkaar gelegen medium-afvoerkanalen is aangesloten op een tweede, eveneens typisch cilindrische meng-inrichting, met daarin eveneens de opname van zulk een roterende nokkenas-opstelling en de continue toevoer van een aanzienlijk hoger percentage van 25 typisch hetzelfde vloeibare draagmedium ten behoeve van het in benedenwaartse richting afvoeren van deze combinatie van draagmedium en zulke deeltjes van deze semiconductor vaste substantie via een groot aantal naast elkaar gelegen kanalen naar het eronder gelegen stripvormige toevoer-30 gedeelte van de bovenspleet van deze tunnel-opstelling boven de eveneens tijdens de werking van deze tunnel-opstelling ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

9. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande

35 Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin achter zulk een medium-toevoer inrichting een in het boventunnelblok ervan opgenomen uitwisselbare stripvormige tril/verwarmings-inrichting, met in het compartiment ervan de opname van een stripvormige inrichting ten behoeve van typisch het daarmede verdampen van het laag-kokende vloeibare draagmedium onder een trillende neerslag van deze 5 deeltjes op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, en waarbij via een tussen-gelegen gedeelte van deze bovenspleet met een toenemende hoogte ervan een ononderbroken afvoer van het gevormde dampvormige medium plaats vindt naar een daarop- 10 volgende stripvormige afvoer-sectie van dit boventunnelblok.

10. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 9, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de tril-conditie van zulk een tril/verwarmings-inrichting wordt onderhouden onder een 15 bepaalde, daartoe gunstige profilering van de erdoor opgewekte trillingen.

11. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 10, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de neerslag van tenminste 20 nagenoeg uitsluitend deze deeltjes vaste substantie op deze opvolgende substraat-gedeeltes ter plaatse van zulk een tril/verwarmings-inrichting plaats vindt.

12. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 25 uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de neerslag plaats vindt van de combinatie van de deeltjes van deze vaste substantie en vloeibaar draagmedium op de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, welke worden meever plaatst door een ononderbroken erdoorheen verplaatsende 30 metalen band en zulks onder daarbij een afnemende hoogte van deze combinatie van dit draagmedium en deze deeltjes.

13. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de neerslag van tenminste 35 nagenoeg uitsluitend deze deeltjes van de vaste substantie plaats vindt op een al dan niet tijdelijke vloeibare hecht-substantie, welke in een voorgaand tunnel-gedeelte is opgebracht op een metalen onderlaag.

14. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarby de neerslag van tenminste nagenoeg uitsluitend deze deeltjes 5 van de vaste substantie plaats vindt op de nanometer hoge laag van een vloeibare hecht-substantie, welke in een voorgaand tunnel-gedeelte is opgebracht op een di-electrische bovenlaag van de opvolgende, erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

15. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een neerslag van deze deeltjes van een vaste substantie plaats vindt op een nanometer hoge laag van een vloeibare 15 hecht-substantie, welke in een voorgaand tunnel-gedeelte is opgebracht op een kunststof bovenlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

16 Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 20 uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij achter zulk een stripvormige afvoer-inrichting voor verdampt vloeibaar draagmedium de opname in het boventunnelblok van een stripvormige toevoer-inrichting voor typisch vloeibaar reinigings-medium, met mede afvoer ervan 25 via deze afvoer-inrichting ten behoeve van het gereinigd/ schoonhouden van het tussengelegen onderwand-gedeelte van het boventunnelblok, zoals daarbij het mogelijk tevens plaats gehad hebben van een beperkte neerslag van zulke deeltjes op dit onderwand-gedeelte.

17. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij achter deze toevoer-inrichting voor reinigings-medium de opname van een stripvormige toevoer-inrichting ten behoeve van het ononderbroken 35 toevoeren van gasvormig medium, met mede afvoer ervan via deze afvoer-inrichting ten behoeve van het tevens onderhouden van zulk een schone conditie van tevens het tussen-gelegen onderwand-gedeelte van dit blok en tevens het fungeren ervan als slotmedium.

18-Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij achter zulk een 5 eerste tril/verwarmings-inrichting de opname van een tweede tril/verwarmings-inrichting in dit boventunnelblok ten behoeve van het typisch met het trillen ervan het plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze opgebrachte laag van zulke deeltjes van een vaste substantie.

19. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 18, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het onderhouden van een minimale, micrometer hoogte van de opvolgende bovenspleet-gedeeltes onder zulk een inrichting ten behoeve van zulk een 15 egalisatie-proces .

20. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 18 of 19, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij wederom achter zulk een daarop-volgende stripvormige afvoer-sectie in het 20 boventunnelblok voor tenminste mede nog verdampt vloeibaar draagmedium wederom daarin de opname van zulk een stripvormige toevoer-inrichting voor reinigings-medium en de daarop-volgende stripvormige toevoer-inrichting voor gasvormig slotmedium.

21. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een stripvormige tril/verdampings-inrichting de toepassing van een stripvormige transducer-opstelling, waarmede het daarin 30 onderhouden van een voldoend hoge tril-en verwarmingsconditie ten behoeve van het verdampen van zulk een laag-kokend vloeibaar draagmedium.

22. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 35 bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een stripvormige tril/verdampings-inrichting de toepassing van een roterende nokkenas-opstelling en een daarin opgenomen verwarmings-inrichting ten behoeve van het eveneens onder- / houden van typisch een snelle neerwaartse verplaatsing en een daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing van het stripvormige drukwand-gedeelte ervan ten behoeve van het eveneens bewerkstelligen van zulk een optimaal vlakke 5 conditie van de neergeslagen deeltjes van zulk een vaste substantie en waarby in dit drukwand-gedeelte de opname van een dunwandige stripvormige electrische verwarmings-inrichting ten behoeve van het daarmede tevens verdampen van het mede daaronder toegevoerde vloeibare draagmedium onder 10 het ononderbroken plaatsvinden van zulk een neerslag-proces van deze deeltjes, met het tenslotte opgebouwd zijn van een laag van deze deeltjes op de opvolgende, eronder langs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

23. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, 15 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het ondertunnel-blok ervan de opname van een roterende onder-nokkenas-opstelling onder zulk een tr il ./verwar mings-inrichting , welke is opgenomen in het boventunnelblok, ten behoeve van het 20 daarmede ononderbroken op- en neerwaarts verplaatsen van het stripvormige drukwand-gedeelte ervan en daarmede van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

24. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 23, met het 25 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij deze nokkenas-opstelling een aantal opvolgende nokken bevat, welke typisch bestaan uit een relatief kort gedeelte en een relatief lang gedeelte, en waar bij tijdens het verdraaien ervan met behulp van deze 30 opvolgende nokken een opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen van dit drukwand-gedeelte plaats vindt, daarbij het onderhouden van een snelle opwaartse- en een daarop-volgende langzame neerwaartse verplaatsing ervan en tevens met behulp van dit drukwand-gedeelte het ononderbroken op- en neerwaarts 35 verplaatsen van de ononderbroken, erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

25. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het boventunnelblok ervan tevens de opname van een stripvormige tril/verwarmings-inrichting en waarbij de trillingen ervan typisch een snelle neerwaartse- en een daarop-volgende langzame opwaartse 5 verplaatsing hebben.

26. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals tenminste mede in het boventunnelblok ervan de opname van een stripvormige tril/ 10 verwarmings-inrichting ten behoeve van het mede optimaal snel vullen van de in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde, typisch minder dan 40 nanometer brede uitsparingen/crevices in de di-electrische bovenlaag van deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor 15 substraat-gedeeltes, daarbij opvolgend een maximale bewerkstelligde hoogte van het tussen-liggende bovenspleet-gedeelte en een daarop-volgende minimale bewerkstelligde hoogte ervan tijdens zulke tril-condities van zowel deze onder-nokkenasopstelling als deze boven-tril/verwarmings-20 inrichting.

27. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het boventunnelblok ervan de opname van een stripvormige medium- 25 toevoer inrichting ten behoeve van het daarin in het bovenste gedeelte ervan het ononderbroken mengen van de toegevoerde combinatie van deeltjes van een semiconductor substantie met een hoog percentage laag-kokend vloeibaar draagmedium en in het onderste gedeelte ervan het 30 ononderbroken mengen van deze combinatie met een hoog percentage hoog-kokend vloeibaar draagmedium.

28. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 27, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in opvolgende stripvormige 35 gedeeltes ervan in het boventunnelblok een eerste stripvormige transducer-opstelling ten behoeve van het daarmede ononderbroken plaatsvinden van verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium en onder de daarop-volgende tweede transducer-opstelling het daarmede plaatsvinden van verdamping van het hoger-kokende vloeibare draagmedium met, indien benodigd, achter zulk een stripvormige afvoer-inrichting voor.het verdampte vloeibare draagmedium wederom 5 zulk een stripvormige toevoer-inrichting voor reinigings-medium en de daarop-volgende toevoer-inrichting voor gasvormig slotmedium ten behoeve van het gereinigd houden van het daarop-volgende onderwand-gedeelte van dit boventunnelblok.

29. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij achter zulk een stripvormige afvoer-sectie in dit boventunnelblok de opname van een stripvormig electrisch ver warmings-element ten 15 behoeve van het daarmede smelten van zulke deeltjes van een vaste substantie onder de vorming van een vloeibare laag ervan en daarachter de opname van een stripvormige afkoel-inrichting ten behoeve van het vormen van een vaste laag ervan.

30. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij een verhoogd begin-gedeelte van de bovenspleet onmiddellijk achter het stripvormige medium-toevoergedeelte van deze medium-toevoer inrichting en waarbij de daarop-25 volgende gedeeltes van de bovenspleet onder tenminste mede zulk een tril/verwarmings-inrichting een sterk toenemende hoogte ervan hebben.

31. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende 30 zodanige middelen, dat daarbij na het in een stripvormig gedeelte ervan tenminste mede vullen van deze crevices met zulke deeltjes van een metalen substantie, met behulp van zulk een daarop-volgende stripvormige electrische verwarmings-inrichting een bewerkstelligde vulling ervan met 35 deze substantie in een vloeibare vorm ervan.

32. Tunnel-opstelling volgens de Conclusie 31, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij achter deze electrische verwarmings-inrichting in het boventunnelblok de opname van een stripvormige afkoel-sectie van dit blok ten behoeve van het daarmede vormen van een vaste metalen laag onder het tenminste mede gevuld zijn van deze crevices.

33. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij achter deze beide transducer-opstellingen in het boventunnelblok de opname van een derde tril/verwarmings-inrichting ten behoeve van het 10 daarmede wederom plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze opgebrachte laag van deeltjes van zulk een vaste substantie, en zulks ten behoeve van het in de daaropvolgende tunnel-gedeeltes plaatsvinden van zulk een ononderbroken verwarmings-proces met behulp van zulk een 15 electrische verwarmings-inrichting onder de vorming van een vloeibare laag van deze vaste substantie, en in de daaropvolgende afkoel-inrichting plaatsvinden van een afkoel-proces van deze vloeibare laag onder de vorming van een vaste laag ervan. 20 34; Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals in de ingangszijde ervan het ononderbroken plaatsvinden van de toevoer van een kunststof-folie, daarbij op de bovenlaag ervan het opbouwen 25 van een zodanig aantal semiconductor lagen, dat nabij de uitgang ervan in de di-electrische bovenlaag ervan het bewerkstelligd zijn van zulke, met een metaal gevulde crevices, dat in een inrichting achter de uitgang ervan door deling van de daarin ononderbroken toegevoerde semiconductor 3Ö substraat-gedeeltes het bewerkstelligen van semiconductor chips met een kunststof onderlaag.

35. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals in de ingangszijde 35 ervan het ononderbroken plaatsvinden'van de toevoer van een metalen folie, daarbij op de bovenlaag ervan het opbouwen van een zodanig aantal semiconductor lagen, dat nabij de uitgang ervan in de di-electrische bovenlaag ervan het bewerkstelligd zijn van zulke, met een metaal gevulde crevices, dat in een inrichting achter de uitgang ervan door deling van de daarin typisch ononderbroken toegevoerde semiconductor substraat-gedeeltes het bewerkstelligen van semiconductor chips met 5 een metalen onderlaag ervan.

36. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de middelen van de 10 semiconductor faciliteit, - installatie, - tunnel- opstellingen en - inrichtingen, welke zijn vastgelegd in de gelijktijdig met deze 0ctrooi-aanvrage en recent door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffene zulk een semiconductor tunnel-opstelling.

37. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor wafers in semiconductor 20 modules, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: al een individule semiconductor wafer of - substraat; of bl een al dan niet individuele semiconductor processing-25 module.

38. Tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de in deze Octrooiaanvrage omschreven middelen en werkwijzen tevens toepasbaar 30 zijn in deze andere semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in deze andere Octr ooi-aanvr agen van de aanvrager.

39. Werkwijze van een semiconductor tunnel-opstelling, met het kenmerk, dat zoals in het boventunnelblok ervan de opname 35 van een aantal stripvormige inrichtingen, welke zich typisch uitstrekken in dwarsrichting van het centrale boven-gelegen semiconductor behandelings-gedeelte ervan, tijdens de werking ervan het daarmede ononderbroken bewerkstelligen van een tenminste nanometer hoge laag van deeltjes van een vaste semiconductor substantie op de opvolgende, ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

40. Werkwijze volgens de Conclusie 39, met het kenmerk, dat 5 daarbij zulk een laag-opbouw plaats vindt onder de toepassing van nanometer grote deeltjes van zulk een semiconductor substantie.

41. Werkwgze volgens de Conclusie 40, met het kenmerk, dat daarbij de toepassing van deeltjes van een metalen substantie.

42. Werkwijze volgens de Conclusie 40, met het kenmerk, dat daarby de toepassing van deeltjes van een di-electrische substantie.

43. Werkwyze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in deze tunnel-opstelling boven het 15 boventunnelblok ervan de opname van een inrichting ten behoeve van de bewerkstelliging daarin van zulke deeltjes van een vaste semiconductor substantie, daarbij in een daaronder gelegen stripvormige meng-inrichting het ononderbroken mengen van deze deeltjes plaats vindt met typisch een hoger 20 percentage van een eveneens daarin ononderbroken toegevoerd verdampbaar vloeibaar draagmedium.

44. Werkwijze volgens de Conclusie 43, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze inrichting de toepassing van een volgende, typisch onder deze eerste meng-inrichting gelegen 25 meng-inrichting, daarin een ononderbroken toevoer van eveneens verdampbaar laag-kokend vloeibaar draagmedium met een aanzienlijk hoger percentage ervan.

45. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daartoe in het boventunnelblok van deze 30 tunnel-opstelling de opname van een stripvormige medium- toevoerinrichting, daarin het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van zulk een vaste semiconductor substantie en daarbij daarin in het bovenste gedeelte ervan de opname van 35 typisch een cilindrische meng-inrichting, bevattende een roterende mini nokkenas-opstelling, met het daarin mengen van deze combinatie van zulke deeltjes en vloeibaar draagmedium met een hoog percentage vloeibaar draagmedium, welke daarbij typisch gelijk is aan dit eerste draagmedium.

46. Werkwijze volgens de Conclusie 35, met het kenmerk, dat zoals deze meng-inrichting aan de onder zijde ervan via typisch een aantal naast elkaar gelegen medium-afvoerkanalen is 5 aangesloten op een tweede, eveneens typisch cilindrische meng-inrichting, met daarin eveneens de opname van zulk een roterende nokkenas—opstelling en de continue toevoer daarin van een aanzienlijk hoger percentage van typisch hetzelfde vloeibare dr aagmedium, daarbij het in benedenwaartse richting 10 afvoeren van deze combinatie van draagmedium en zulke deeltjes van deze semiconductor vaste substantie via een groot aantal naast elkaar gelegen kanalen naar het eronder, gelegen stripvormige toevoer-gedeelte van de bovenspleet van deze tunnel-opstelling boven de eveneens tijdens de werking 15 van deze tunnel-opstelling ononderbroken verplaatsende semiconductor substaat-gedeeltes.

47. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarin achter zulk een medium-toevoerinrichting een in het boventunnelblok ervan opgenomen 20 uitwisselbare stripvormige tril/verwarmings-inrichting, met in het compartiment ervan de opname van een stripvormige inrichting ten behoeve van typisch het daarmede verdampen van het laag-kokende vloeibare draagmedium onder een trillende neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, 25 ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, daarbij via een tussen-gelegen gedeelte van deze bovenspleet met een toenemende hoogte ervan een ononderbroken afvoer van het gevormde dampvormige medium plaats vindt naar een daarop-volgende afvoer-sectie van dit 30 boventunnelblok.

48. Werkwijze volgens de Conclusie 47, met het kenmerk, dat daarbij de tril-conditie van zulk een tril/verwarmings-inrichting wordt onderhouden onder een bepaalde, daartoe gunstige profilering van de erdoor opgewekte trillingen.

49. Werkwijze volgens de Conclusie 48, met het kenmerk, dat daarbij de neerslag van tenminste nagenoeg uitsluitend deze deeltjes vaste substantie op deze opvolgende substraat-gedeeltes ter plaatse van zulk een tril/verwarmings- inrichting plaats vindt.

50. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de neerslag plaats vindt van de combinatie van de deeltjes van deze vaste substantie en 5 vloeibaar draagmedium op de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, welke worden meeverplaatst door een ononderbroken erdoorheen verplaatsende metalen band en zulks onder daarbij een afnemende hoogte van deze combinatie van dit draagmedium en deze deeltjes.

51. Werkwijze volgens de Conclusie 49, met het kenmerk, dat daarbij de neerslag van tenminste nagenoeg uitsluitend deze deeltjes van de vaste substantie plaats vindt op een al dan niet tijdelijke vloeibare hecht-substantie, welke in een voorgaand tunnel-gedeelte is opgebracht op een 15 metalen onderlaag.

52. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de neerslag van tenminste nagenoeg uitsluitend deze deeltjes van de vaste substantie plaats vindt op de nanometer hoge laag van een vloeibare hecht- 20 substantie, welke in een voorgaand tunnel-gedeelte is opgebracht op een di-electrische bovenlaag van de opvolgende, erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

53. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 25 het kenmerk, dat daarbij zulk een neerslag van deze deeltjes van een vaste substantie plaats vindt op een nanometer hoge laag van een vloeibare hecht-substantie, welke in een voorgaand tunnel-gedeelte is opgebracht op een nanometer hoge laag van een vloeibare hecht-30 substantie, welke in een voorgaand tunnel-gedeelte is opgebracht op een kunststof bovenlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

54. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals achter zulk een stripvormige 35 afvoer-inrichting voor verdampt vloeibaar draagmedium de opname in het boventunnelblok van een stripvormige toevoer-inrichting voor typisch vloeibaar reinigings-medium, met mede afvoer ervan via deze afvoer-inrichting, daarbij het gereinigd/ schoonhouden van het tussengelegen onderwand-gedeelte van het boventunnelblok, zoals daarbij het moge lijk tevens plaats gehad hebben van een beperkte neerslag van zulke deeltjes op dit onderwand-gedeelte.

55. Werkwijze volgens Conclusie 54, met het kenmerk, dat zoals achter deze toevoer-inrichting voor reinigings-medium de opname van een stripvormige toevoer-inrichting ten behoeve van het ononderbroken toevoeren van gasvormig medium, met mede afvoer ervan via deze afvoer-inrichting, 10 daarbij het tevens onderhouden van zulk een schone conditie van tevens het tussen-gelegen onderwand-gedeelte van dit blok en tevens het fungeren ervan als slotmedium.

56. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals achter zulk een eerste tril/ 15 verwarmings-inrichting de opname van een tweede tril/ verwarmings-inrichting in dit boventunnelblok, daarbij door het trillen ervan het plaatsvinden van een egalisatie-proces van deze opgebrachte laag van zulke deeltjes van een vaste substantie. 20 57 . Werkwijze volgens de Conclusie 56, met het kenmerk, dat daarbij het onderhouden van een minimale, micrometer hoogte van de opvolgende bovenspleet-gedeeltes onder zulk een inrichting ten behoeve van zulk een egalisatie-proces.

58. Werkwijze volgens de Conclusie 56 of 57, met het 25 kenmerk, dat zoals wederom achter zulk een daarop-volgende stripvormige afvoer-sectie in het boventunnelblok voor tenminste mede nog verdampt vloeibaar draagmedium, met behulp van de ononderbroken toevoer via zulk een stripvormige toevoer-inrichting van reinigings-medium en 30 de ononderbroken toevoer van gasvormig medium via de daarop-volgende stripvormige toevoer-inrichting, het gereinigd houden van zulk een tussen-gelegen bovenspleet-gedeelte.

59. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 35 het kenmerk, dat zoals voor zulk een stripvormige tril/ verdampings-inrichting de toepassing van een stripvormige transducer-opstelling, het daarin onderhouden van een voldoend hoge tril- en verwarmingsconditie ten behoeve van het verdampen van zulk een laag-kokend vloeibaar draagmedium.

60. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals voor zulk een stripvormige tril/ 5_ verdampings-inrichting de toepassing van een roterende nokkenas-opstelling en een daarin opgenomen verwarmings-inrichting, daarmede het eveneens onderhouden van typisch een snelle neerwaartse verplaatsing en een daaropvolgende langzame opwaartse verplaatsing van het 10 stripvormige drukwand-gedeelte ervan ten behoeve van het eveneens bewerkstelligen van zulk een optimaal vlakke conditie van de neergeslagen deeltjes van zulk een vaste substantie en zoals in dit drukwand-gedeelte ervan de opname van een dunwandige stripvormige electrische 15 verwarmings-inrichting, het daarmede tevens verdampen van . het mede daaronder toegevoerde vloeibare draagmedium onder het ononderbroken plaatsvinden van zulk een neerslag-proces van deze deeltjes ten behoeve van het tenslotte opgebouwd zijn van een laag van deze deeltjes op de 20 opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

61. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in het ondertunnelblok de opname van een roterende onder-nokkenasopstelling onder zulk een 25 tril/verwarmings-inrichting, welke is opgenomen in het boventunnelblok, het daarmede ononderbroken op- en neerwaarts verplaatsen van het stripvormige drukwand-gedeelte ervan en daarmede van de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-30 gedeeltes plaats vindt.

62. Werkwijze volgens de Conclusie 61, met het kenmerk, dat zoals deze nokkenas-opstelling een aantal opvolgende nokken bevat, welke typisch bestaan uit een relatief kort gedeelte en een relatief lang gedeelte, daarbij 35 tijdens het verdraaien ervan met behulp van deze opvolgende nokken een opvolgend op- en neerwaartse verplaatsing van dit drukwand-gedeelte plaats vindtmet daarbij het onderhouden van een snelle opwaartse- en een daaro-volgende langzame neerwaartse verplaatsing ervan en tevens met behulp van dit drukwand-gedeelte het ononderbroken op- en neerwaarts verplaatsen van de ononderbroken, erbovenlangs verplaatsende semiconductor 5 substraat-gedeeltes.

63. Werkwijze volgens de Conclusie 62, met het kenmerk, dat zoals in het boventunnelblok ervan tevens de opname van een stripvormige tril/verwarmings-inrichting , daarbij de trillingen ervan typisch een snelle neerwaartse- en een 10 daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing hebben.

64. Werkwijze volgens de Conclusie 63, met het kenmerk, dat zoals tenminste mede in het boventunnelblok ervan de opname van een stripvormige tril/verwarmings-inrichting, daarbij het daarmede mede optimaal snel vullen van de in een 15 voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde, typisch minder dan 40 nanometer brede uitsparingen/crevices in de di-electrische bovenlaag van deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met daarbij opvolgend de bewerkstelliging van een maximale hoogte van 20 het tussen-liggende bovenspleet-gedeelte en een daaropvolgende bewerkstelliging van een minimale hoogte ervan tijdens zulke tril-condities van zowel deze onder-nokkenasopstelling als deze boven-tril/verwarmings-25 inrichting.

65. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in het boventunnelblok ervan de opname van een stripvormige medium-toevoerinrichting, daarin in het bovenste gedeelte ervan het ononderbroken mengen van 30 de toegevoerde combinatie van deeltjes van een semiconductor substantie met een hoog percentage laag-kokend kokend vloeibaar draagmedium en in het onderste gedeelte ervan het ononderbroken mengen van deze combinatie met een hoog percentage hoger-kokend vloeibaar draagmedium.

66. Werkwijze volgens de Conclusie 65, met het kenmerk, dat 35 zoals in opvolgende stripvormige gedeeltes ervan in het boventunnelblok de opname van een eerste stripvormige transducer-opstelling, het daarmede ononderbroken plaatvinden van verdamping van het laag-kokende vloeibare draagmedium en onder de daarop-volgende tweede transducer-opstelling het daarmede plaatsvinden van verdamping van het hoger-kokende vloeibare draagmedium met, zoals indien benodigd, achter zulk een stripvormige afvoer-inrichting 5 voor het verdampte vloeibare draagmedium wederom zulk een stripvormige toevoer-inrichting voor reinigings-medium en de daarop-volgende toevoer-inrichting voor gasvormig slot-medium, het daarmede gereinigd houden van het daaropvolgende onderwand-gedeelte van dit boventunnelblok.

67. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals achter zulk een stripvormige afvoer-sectie in dit boventunnelblok de opname van een stripvormig electrisch verwarmings-element, het daarmede smelten van zulke deeltjes van een vaste substantie onder 15 de vorming van een vloeibare laag ervan en zoals daarachter de opname van een stripvormige afkoel-inrichting, daarmede door afkoeling van deze vloeibare laag het vormen van een vaste laag ervan.

68. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 20 het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van een verhoogd begin-gedeelte van de boven spleet onmiddel lijk achter het stripvormige medium-toevoergedeelte van deze medium-toevoerinrichting en de daarop-volgende gedeeltes van de bovenspleet onder tenminste mede zulk een tril/verwarmings-25 inrichting een sterk toenemende hoogte ervan hebben, daardoor een optimale afvoer van het verdampte vloeibare draagmedium gewaarborgd is.

69. Werkwijze volgens de Conclusie 68, met het kenmerk, dat zoals na het in een stripvormig gedeelte ervan tenminste 30 mede plaatsvinden van het vullen van de bewerkstellige crevices met zulke deeltjes van een metalen substantie, daarbij met behulp van zulk een daarop-volgende stripvormige electrische verwarmings-inrichting een bewerkstelligde vulling ervan met deze substantie in een vloeibare vorm 35 ervan.

70. Werkwijze volgens de Conclusie 69, met het kenmerk, dat zoals achter deze electrische verwarmings-inrichting de opname van een stripvormige afkoel-sectie van dit blok, daarbij het daarmede vormen van een vaste metalen laag onder het tenminste mede gevuld zijn van deze crevices.

71. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals achter deze beide transducer- 5 opstellingen in het boventunnelblok de opname van een derde transducer-opstelling, het daarmede wederom plaatsvinden van een egalisatie-proces van de opgebrachte laag van deeltjes van zulk een vaste substantie, en in de daaropvolgende tunnel-gedeeltes het plaatsvinden van zulk een 10 ononderbroken verwarmings-proces met behulp van zulk een electrische verwarmings-inrichting onder de vorming van een vloeibare laag van deze vaste substantie, en in de daarop-volgende afkoel-inrichting plaatsvinden van een afkoel-proces van deze vloeibare laag onder de vorming van 15 een vaste laag ervan.

72. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, dat het kenmerk, dat zoals in de ingang van deze tunnel het ononderbroken plaatsvinden van de toevoer van een kunststof folie, daarbij op de bovenlaag ervan het plaatsvinden van 20 de opbouw van een zodanig aantal semiconductor lagen, dat nabij de uitgang ervan in de bewerkstelligde di-electrische bovenlaag ervan het bewerkstelligd zijn van zulke, met een metaal gevulde crevicès, dat in een inrichting achter de uitgang ervan door deling van de daarin ononderbroken 25 toegevoerde semiconductor substraat-gedeeltes het bewerkstelligen van semiconductor chips met een kunststof onderlaag ervan.

73. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in de ingangszijde van deze tunnel- 30 opstelling het ononderbroken plaatsvinden van de toevoer van een metalen folie, daarby op de bovenlaag ervan het opbouwen van een zodanig aantal semiconductor lagen, dat naby de uitgang ervan in de di-electrische bovenlaag ervan het bewerkstelligd zijn van zulke, met een metaal gevulde 35 crevices, dat in een inrichting achter de uitgang ervan door deling van de daarin ononderbroken toegevoerde semiconductor substraat-gedeeltes het bewerkstelligen van semiconductor chips met een metalen onderlaag ervan.

74. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze tunnel-opstelling tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de werkwijzen van de semiconductor faciliteit, - installatie, - tunnel-5 opstellingen en - inrichtingen, welke op 23 Juni en 6 Juli j.1. en heden door de aanvrager ingediende Nederlanse Octrooi-aanvragen, betreffende zulk een semiconductor tunnel-opstelling.

75. Werkwijze volgens de Conclusie 74, met het kenmerk, dat 10 daarbij de mogelijke toepassing van alle, reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen van wafers in semiconductor modules, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst van het navolgende: 15 a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module .

76. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de in deze Octrooi-aanvrage 20 omschreven werkwijzen tevens toepasbaar zijn in deze andere semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in deze andere Octrooi-aanvragen van de aanvrager. 1037191