NL1039189C2 - Semiconductor chip, vervaardigd in een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen en waarbij in de eerste inrichting de opname van een folie-opslagrol, bevattende een zeer lange folie, in de daaropvolgende inrichtingen daarop de bewerkstelliging van opvolgende individuele rechthoekige substraat-gedeeltes, met in de laatste inrichting door opvolgende delingen ervan het verkrijgen daaruit daarvan. - Google Patents

Description

Semiconductor chip, vervaardigd in een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen en waarbij in de eerste inrichting de opname van een folie-opslagrol, bevattende een zeer lange folie, in de daaropvolgende inrichtingen daarop de 5 bewerkstelliging van opvolgende individuele rechthoekige substraat-gedeeltes, met in de laatste inrichting door opvolgende delingen ervan het verkrijgen daaruit daarvan.

Semiconductor chip, waarbij ten behoeve van de bewerkstelli-10 ging ervan de toepassing van tenminste mede een aantal individuele semiconductor inrichtingen, met als eerste inrichting een opslagrol voor het daarin opslaan van een zeer lange folie ten behoeve van het typisch ononderbroken verplaatsen ervan door een aantal volgende inrichtingen, in een eerste, doch 15 secundaire semiconductor tunnel-opstelling als tweede inrichting in het uitgangs-gedeelte ervan het bewerkstelligd zijn van een di-electrische laag op het centrale semiconductor behande-lings-gedeelte van de opvolgende folie-gedeeltes onder het verkregen zijn van opvolgende semiconductor substraat-gedeel-20 tes, bevattende deze di-electrische bovenlaag, in de daarachter gelegen tweede, doch primaire tunnel-opstelling als derde inrichting aan de uitgangszijde ervan het verkregen zijn van opvolgende, zich verplaatsende substraat-gedeeltes, waaruit door deling ervan in het achtergedeelte ervan het verkregen 25 zijn van opvolgende rechthoekige semiconductor platen, bevattende een zeer groot aantal basis-chips, met een tijdelijke opslag ervan in een cassette, vervolgens in de daaropvolgende vierde inrichting, met typisch een aantal naast elkaar gelegen gedeeltes ervan, op deze platen opvolgend aanbrengen van 30 electrische aansluit-contacten, en vervolgens in eveneens typisch een aantal daaropvolgende naast elkaar gelegen inrichtingen door deling ervan de bewerkstelliging van deze semiconductor chips.

Binnen het kader van de uitvinding kunnen deze beide 35 tunnel-opstellingen als alternatief aaneengesloten zijn.

Verder de mogelijke combinaties van deze semiconductor opstellingen, welke zijn aangegeven in de daarmede corresponderende Figuren.

1039189 2

Binnen het kader van de uitvinding kan deze folie bestaan uit elk soort van substantie, zoals onder andere papier, een voldoend harde kunststof of een combinatie van substanties.

Verder de mogelijkheid om de verplaatsing van zulk een 5 folie door deze beide tunnel-opstellingen typisch te doen plaatsvinden met behulp van opvolgende stromen transfer-medium langs de onderzijde van deze folie of een ononderbroken metale transfer-band onder de toepassing van een rol-opstel— ling aan het begin- en achtergedeelte van zulk een tunnel-10 opstelling.

Verder als alternatief kan op deze vanaf een folie-opslag-rol toegevoerde folie zulk een uiterst dunne di-electrische laag op het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan reeds zijn aangebracht onder toepassing van zulk een 15 eerste tunnel-opstelling, met opslag ervan in een volgende folie-opslagrol.

Zulke middelen van verplaatsing van de opvolgende substraat-gedeeltes zijn reeds aangegeven in de vele tunnel-opstellingen, waarvoor door de aanvrager inmiddels Neder-20 landse Octrooien zijn verkregen.

Daarbij zijn eveneens elke breedte en lengte van zulk een bewerkstellige semiconductor plaat mogelijk, typisch minder dan 150 mm, om in zulk een installatie ook de goedkoopste semiconductor chips met behulp van zulk een typisch papieren 25 of kunststoffen onderlaag ervan te kunnen vervaardigen.

Verder, zoals daarbij tevens de mogelijke toepassing van cassettes voor het daarin tijdelijk opslaan van deze bewerkstelligde rechthoekige platen, daartoe eveneens een opslag-breedte en -lengte met zulk een grootte ervan, dat daarbij de 30 mogelijke verplaatsing van deze uiterst dunne platen tot binnen zulk een cassette geschiedt met behulp van de stuwkracht van de volgende plaat ten behoeve van opslag ervan in zulk een cassette.

Door de enorme productie van zulke platen in zulk een 35 installatie zijn typisch meerdere inrichtingen benodigd ten behoeve van het al dan niet gelijktijdig aanbrengen van elec-trische aansluitingen, met daarbij toevoer van opvolgende platen ernaartoe vanuit deze aanvoer-cassettes en afvoer 3 ervan naar volgende, daarachter gelegen ontvangst-cassettes.

De inrichtingen zijn verder zodanig uitgevoerd en bevatten zodanige middelen, dat daarbij de mogelijke toepassing van inrichtingen of gedeeltes ervan, welke reeds zijn omschreven 5 en aangegeven in tenminste mede Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en/of Conclusies.van het riovolgende: a) een individuele-semiconductor wafer of - substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing- mofule of - installatie.

10 Verder zijn deze inrichtingen zodanig uit gevoerd en bevatten zodanige middelen, dat deze tevens toepasbaar zijn in de semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in de reeds door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende semiconductor tunnel-15 opstellingen en de gelijktijdig hiermede ingediende Octrooiaanvrage ,

Verder zijn deze inrichtingen zodanig uitgevoerd en bevatten deze zodanige middelen, dat daarbij de toepasbaarheid van de reeds door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-20 aanvragen betreffende zulk een tunnel-opstelling.

De uitvinding zal hieronder nader worden uiteengezet aan de hand van de in een aantal Figuren weergegeven uitvoerings-voorbeelden van deze installatie-opbouw, welke echter binnen het kader van de uitvinding kan variëren.

25 Figuur 1 toont een semiconductor installatie, waarin de opname van alle benodigde semiconductor inrichtingen ten behoeve van in de laatste inrichting ervan door deling van de daarin opvolgend ingebrachte rechthoekige semiconductor platen de bewerkstelliging van semiconductor chips.

30 Figuur 2 toont een gedeelte van de vanuit de folie-opslag-rol toegevoerde folie.

Figuur 3 toont achter de uitgang van de eerste daarin opgenomen semiconductor tunnel-opstelling het bewerkstelligd zijn van een di-electrische laag daarop.

35 Figuren 4A? 4B en 4C tonen de drietal opvolgende phasen van het met behulp van een inrichting bewerkstelligen van nanometer grote indrukkingen in de bovenwand van een -zich eronder bevindend semiconductor substraat-gedeelte.

4

Figuur 5 toont een in een iprichting opgenomen rechthoe- i kige semiconductor plaat, welke door afsnijding van opvolgende substraat-gedeeltes, welke zich door een tunnel-opstelling verplaatsen, met het daarbij aangeven van een groot aantal 5 daarin opgenomen basis-chips.

Figuur 6 toont een gedeelte van de plaat volgens de Figuur 5 en waarbij in tenminste één inrichting, met aan één zijde ervan een cassette, op zulk een basis-chip het opgebracht zijn van een tweetal electrische aansluit-contacten, onder het 10 bewerkstelligd zijn van een semiconductor chip.

Figuur 7 toont een gedeelte van zulk een plaat met aan het begin-gedeelte ervan eveneens de opname van een cassette en waarby op zulke daarin opgenomen basis-chips het opgebracht zijn van electrische aansluit-contacten.

15 Figuur 8 toont na deling in een inrichting van zulk een plaat volgens de Figuur 7 het bewerkstelligd zijn van één van de vele semiconductor chips.

Figuur 9 toont een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen ten behoeve van het in de laatste inrich-20 ting door deling van een rechthoekige semiconductor plaat de bewerkstelliging van semiconductor chips.

Figuur 10 toont achter de uitgang van de tweede tunnel-opstelling een verwijderbare cassette ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin van een semiconductor plaat en waarbij 25 na het gevuld zijn van een sectie ervan daarmede het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan voor het vervolgens vullen van een volgende sectie ervan met zulk een plaat.

Figuur 11 toont de doorsnede over de lijn 11-11 van de 30 cassette volgens de Figuur 10 onder het tonen van zulk een plaat in een sectie ervan.

Figuur 12 toont een alternatieve uitvoering van de cassette volgens de Figuur 10 en waarbij daarin op elkaar liggende opvolgend toegevoerde platen.

35 Figuur 13 toont het verwijderen van de cassette volgens de Figuur 10 vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrichting in de onderste positie ervan.

Figuur 14 toont voor zulk een semiconductor inrichting de 5 opname van een verwijderbare zend-cassette ten behoeve van het daaruit opvolgend toevoeren van een semiconductor plaat voor het daarin plaatsvinden van een semiconductor behandeling ervan en daarachter een ontvangst-cassette ten behoeve van 5 het tijdelijk opvolgend ontvangen van zulke behandelde platen.

Figuur 1 toont voor de installatie 10 de rol-opstelling 12, bevattende de zeer lange typisch kunststoffen of papieren folie 14, zoals mede is aangegeven in de Figuur 2.

In het volgend gedeelte van deze installatie een eerste 10 semiconductor tunnel-opstelling 16 ten behoeve van het op het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze folie 14 het bewerkstelligen van een ultra-vlakke di-electrische laag 18, hetgeen is aangegeven in de Figuur 3.

Achter deze eerste tunnel-opstelling 16 de daaropvolgende 15 typisch gescheiden tweede semiconductor tunnel-opstelling 20.

Deze tunnel-opstelling bevat de op het boventunnelblok ervan gemonteerde stripvormige inrichting 22 en waarbij in het ondergedeelte ervan de opname van de stripvormige plaat 24, met in de onderwand 26 ervan de nanometer-grote nokken 28 ten 20 behoeve van het daarmede bewerkstelligen van nanometer-diepe uitsparingen 30 in de bovenwand 32 van deze di-electrische laag 18 ter plaatse van dit centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze ultra-vlakke di-electrische laag 18.

De inrichting en werkwijzen van deze inrichting 22 zijn 25 omschreven in voorgaande Octrooi-aanvragen van de aanvrager.

Daarbij in de bovenste positie van deze plaat 24, welke is aangegeven in de Figuur 4A, bevindt deze zich op enige afstand vanaf deze bovenwand 32.

In de Figuur 4B drukt deze plaat 24 op deze relatief zachte 30 di-electrische laag 18 onder de bewerkstelliging van deze nokken 28 en de daarmede corresponderende uitsparingen 30.

In de Figuur 4C bevindt deze plaat 24 zich wederom in zijn bovenste positie onder het bewerkstelligd zijn van deze uitsparingen 30.

35 Deze uitsparingen vormen daarbij de in deze di-electrische laag bewerkstelligde, in zowel de lengte- als dwarsrichting van deze tunnel-opstelling 20 naast elkaar gelegen basischips .

6

Door deling van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes in het achtergedeelte 34 van deze tunnel- opstelling 20 de bewerkstelliging van de opvolgende individuele platen, Figuur 5, welke opvolgend worden toegevoerd naar de 5 inrichting 38, bevattende mede ontvangst-cassette 40,

Figuur 10.

Vervolgens geschiedt de verwijdering van deze cassette 40 vanaf deze tunnel-opstelling 20 naar de inrichting 44, bevattende tevens de toevoer-cassette 42, en waarin het op deze 10 plaat 36 aanbrengen van de di-electrische aansluit-contacten 46 onder de bewerkstelliging van de platen 48, welke waren opgenomen in zulk een toevoer-cassette 42, geschiedt.

Daarbij vindt op deze platen 36 het aanbrengen van de electrische aansluit-contacten 46 plaats onder de bewerkstel-15 liging van de platen 48, welke worden opgeslagen in zulk een ontvangst-cassette 40.

Vervolgens vindt in de inrichting 52 door deling van deze bewerkstelligde platen het verkrijgen plaats vaïi de semiconductor chips 50.

20 Figuur 7 toont een gedeelte van zulk een plaat 36 en waarbij in de inrichting 44, zie tevens de Figuur 1, op zulke basischips het aangebracht zijn van de electrische aansluit-contacten 46 onder de bewerkstelliging van de platen 48.

Figuur 8 toont na deling in de inrichting 52 van zulk een 25 plaat 48 volgens de Figuur 7 het in tenminste één ervan het opvolgend bewerkstelligen van de vele semiconductor chips 50.

Figuur 9 toont een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen ten behoeve van het in de laatste inrichting 52 door deling van deze rechthoekige plaat 48 de bewerk-30 stelliging van zulke chips 50.

Figuur 10 toont achter de uitgang van deze tunnel-opstelling 20 zulk een verwijderbare cassette 42 ten behoeve van een tijdelijke opslag daarin van zulke semiconductor platen 36 en waarbij met behulp van de inrichting 54 na het gevuld zijn van 35 sectie 56 ervan daarmede het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen ervan voor het vullen van de volgende sectie 56 ervan met zulk een plaat 36.

Figuur 11 toont de doorsnede over de lijn 11-11 van de 7 cassette 42 volgens de Figuur 10 onder het tonen van zulk een plaat in een sectie 56 ervan.

Figuur 12 toont een alternatieve uitvoering 58 van de cassette volgens de Figuur 10 en waarbij daarin op elkaar 5 liggende opvolgend toegevoerde platen 36.

Figuur 13 toont het verwijderen van de cassette 42 volgens de Figuur 10 vanaf de eronder gelegen verplaatsings-inrich-ting 54 in de onderste positie ervan.

Figuur 14 toont voor zulk een semiconductor inrichting 44 10 de opname van zulk een verwijderbare zend-cassette 42 ten behoeve van het daaruit opvolgend toevoeren van een semiconductor plaat 36 en daarachter een ontvangst-cassette 40 ten behoeve van het tijdelijk opvolgend ontvangen van zulke behandelde semiconductor platen 36.

1039189

Claims (21)

1. Semiconductor chip, tenminste mede bewerkstelligd in een semiconductor installatie, bevattende een individuele folie-opslagrol in het begin-gedeelte ervan, daarachter 5 typisch een eerste semiconductor tunnel-opstelling ten behoeve van op het centrale gedeelte van de daarin toegevoerde opvolgende folie-gedeeltes het opbrengen van een di-electrische laag, met daarachter een tweede tunnel-opstelling, waarin tenminste mede het bewerkstelligd zijn van opvolgende individuele 10 rechthoekige semiconductor platen, bevattende een groot aantal in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen semiconductor basis-chips, in een volgende individuele semiconductor inrichting, bevattende typisch een aantal in dwarsrichting naast elkaar gelegen gedeeltes ervan en welke al 15 dan niet is opgenomen in deze installatie, op deze basis-chips het aangebracht zijn van electrische aansluit-contacten onder het bewerkstelligd zijn van een groot aantal in zowel de lenge- als dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen semiconductor chips, en in tenminste één daarop-volgende semiconduc-20 tor inrichting, welke eveneens typisch een aantal in dwars-richtin naast elkaar gelegen gedeeltes ervan bevat, door deling ervan het bewerkstelligd zijn van deze semiconductor chip.

2. Chip volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij 25 de toepassing van tenminste één van de verplaatsings-inrich-tingen voor de opvolgende substraat-gedeeltes ten behoeve van de verplaatsing van zulke substraat-gedeeltes door zulk een tunnel-doortocht, welke reeds zijn omschreven in meerdere van de inmiddels bewerkstelligde Nederlandse Octrooien van de 30 indiener van deze Octrooi-aanvrage in de voorgaande jaren.

3. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij voor deze tunnel-opstelling de opname van zulk een folie- 35 opslagrol, tijdens de werking ervan het tenminste nagenoeg ononderbroken plaatsvinden van toevoer van opvolgende dunne f olie-gedeeltes naar de ingangszijde van deze tunnel-opstelling en het vervolgens daarin fungeren ervan als een 1039189 definitieve onderlaag van zulke opvolgende substraat-gedeeltes.

4. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij deze installatie daartoe verder zodanig 5 is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling ervan het daarin in het achter-gedeelte ervan plaatsvinden van een opvolgende afsnijding van rechthoekige substraat-gedeeltes als zulk een individuele rechthoekige semiconductor plaat vanaf de volgen-10 de, zich erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes.

5. Chip volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van uitwisselbare individuele cassettes ten behoeve van het daarin tijdelijk 15 opslaan van zulke opvolgend toegevoerde platen.

6. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in de opvolgende secties van het centrale boven-behandelingsgedeel- 20 te van de tunnel-doortocht het ononderbroken plaatsvinden van de opbouw van typisch één semiconductor laag op de bovenzijde van deze folie onder de bewerkstelliging van opvolgende, zich • ononderbroken onderlangs zulk een•boven-behandelingsgedeelte verplaatsende substraat-gedeeltes.

7. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat deze een inrichting bevat ten behoeve van het daarin opbrengen van typisch een tweetal electrische contacten op elk gedeelte van zulk een 30 plaat.

8. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in tenminste één inrichting door een aantal opvolgende delingen 35 van zulk een plaat de bewerkstelliging ervan.

9. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze tunnel-opstelling verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daartoe de mogelijkheid van elke breedte en lengte van zulk een daarin bewerkstelligde plaat, typisch minder dan 100 mm, om daarin tevens de goedkoopste basis-chip met zulk een papieren of kunststoffen onderlaag ervan te kunnen vervaar-5 digen.

10. Chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin de mogelijke toepassing van meerdere van de semiconductor 10 uitvoeringen, welke zijn aangegeven en omschreven in de door de aanvrager reeds bewerkstelligde Nederlandse Octrooien.

11. Chip volgens de Conclusie 10, met het kenmerk, dat deze installatie daartoe verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de mogelijke toepassing van semiconductor inrichtingen, welke 15 zijn opgenomen in de bestaande semiconductor installaties onder de gebruikmaking van semiconductor modules, welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; en/of 20 b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module .

12. Werkwijze ten behoeve van de vervaardiging van semiconductor chips in tenminste mede een semiconductor installatie, bevattende een individuele folie-opslagrol in het begin- 25 gedeelte ervan en een aantal daaropvolgende individuele semiconductor behandelings-opstellingen en waarbij onderandere onmiddellijk achter deze f olie-opslagrol een individuele semiconductor tunnel-opstelling ervan en daarachter een aantal aanvullende individuele semiconductor behandelings-inrich- 30 tingen ten behoeve van tenminste daarin de bewerkstelliging van individuele rechthoekige semiconductor platen en in tenminste één volgende individuele semiconductor inrichting, welke al dan niet is opgenomen in deze installatie, door deling ervan het verkrijgen van zulk een individuele chip.

13. Werkwijze volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarin achter deze tunnel-opstelling de toepassing van een aantal daaropvolgende semiconductor inrichtingen, en daarbij in de laatste inrichting ervan door deling ervan het verkrijgen van zulk een chip.

14. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 5 kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tijdens de werking ervan het tenminste nagenoeg ononderbroken plaatsvinden van toevoer van opvolgende dunne folie-gedeeltes naar de ingangszgde van deze tunnel-opstelling en het vervolgens daarin fungeren ervan als een 10 definitieve onderlaag van zulke substraat-gedeeltes, waaruit tenslotte door deling ervan de bewerkstelliging van zulke chips.

15. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij deze installatie daartoe verder 15 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, tijdens de werking van deze tunnel-opstelling ervan het daarin in het achter-gedeelte ervan plaatsvinden van een opvolgende afsnijding van rechthoekige substraat-gedeeltes als zulk een individuele rechthoekige semiconducto plaat vanaf de volgende, 20 zich erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes.

16. Werkwijze volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij onder de toepassing van uitwisselbare individuele cassettes, daarin het tijdelijk op- 25 slaan van zulke opvolgend toegevoerde platen plaats vindt.

17. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat deze typisch tenminste één inrichting bevat achter zulk een cassette-opbouw, 30 het daarin opbrengen van typisch een tweetal electrische contacten op elk chip-gedeelte van zulk een plaat.

18. Werkwijze volgens de Conclusie 17, met het kenmerk, dat daarbij in tenminste één inrichting door een aantal opvolgende delingen van zulk een plaat de bewerkstelliging van zulk een 35 chip.

19. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze installatie in verband met de enorme productie van zulke platen in zulk een tunnel-opstelling ervan, typisch geen inrichtingen ten behoeve van het aanbrengen daarop van electrische aansluitingen bevat, aldus de toevoer van zulke geproduceerde platen ernaartoe geschiedt vanuit zulke cassettes, welke zich dan niet bevinden in deze 5 installatie.

20. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals mede deze installatie zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, daarbij de mogelijke toepassing van meerdere van de werkwijzen, welke zijn aangege- 10 ven en omschreven in de door de aanvrager reeds bewerkstelligde Nederlandse Octrooien.

21. Werkwijze volgens de Conclusie 20, met het kenmerk, dat zoals deze installatie verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de mogelijke toepassing van de werkwijzen van de sémi- 15 conductor inrichtingen, welke zijn opgenomen in de bestaande semiconductor installaties onder de gebruikmaking van semiconductor modules, welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: 20 a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; en/of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module . 1039189