NL1037063C2 - Semiconductor chip, welke is vervaardigd in een semiconductor substraat trandfer/behandelingstunnel-opstelling ten behoeve daartoe tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van een totaal semiconductor behandelingsproces van de daarin ononderbroken verplaatsende semiconductor substraat. - Google Patents

Description

Semiconductor chip, welke is vervaardigd in een semiconductor substraat trandfer/behandelingstunnel-opstelling ten behoeve daartoe tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van een totaal semiconductor behandelingsproces van de daarin 5 ononderbroken verplaatsende semiconductor substraat.

In zulk een semiconductor installatie vindt typisch de enorme jaarproductie van circa 0.4 miljard semiconductor chips plaats.

Zulk een semiconductor installatie is tot op heden nog niet bekend.

10 Daarbij verder de reeds in de bijgaande Nederlande Octrooi-aanvragen van de aanvrager ontschreven hoofdvoordelen van zulk een nieuwe semiconductor installatie ten opzichte van de bestaande semiconductor installaties onder toepassing van tenminste mede individuele semiconductor modules en - wafers.

15 De typisch minder dan 15 meter lange semiconductor installatie heeft daarbij slechte een breedte van typisch minder dan 2 meter ten behoeve van daarin tijdens de werking ervan de bewerkstelliging van zulke semiconductor chips uit opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

Daarbij in zulk een installatie de opname van tenminste mede een 20 semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling, welke verder in deze aanvrage is omschreven en waarin tijdens de werking ervan in opvolgende semiconductor behandel ingssecties het ononderbroken plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende 2 5 semiconductor substraat-gedeeltes en zulks typisch onder toepassing van een ononderbroken folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

In een volgende gunstige uitvoering van deze semiconductor installatie daarin de opname van een inrichting ten behoeve van de opslag van een 30 zodanig zeer lange folie, dat gedurende een zeer lange tijd, typisch tenminste circa 0,2 jaar, een tenminste nagenoeg ononderbroken lineaire verplaatsing ervan door zulk een semiconductor tunnel-opstelling geschiedt.

Verder bevat zulk een folie evenwijdige opstaande zijwanden en heeft deze een breedte, welke in geringe mate kleiner is dan die van de 35 doorgang van zulk een tunnel-opstelling.

In een gunstige uitvoering is zulk een tunnel-opstelling ononderbroken en strekt zich uitsluitend in lineaire richting uit.

Daarbij ie de doorgang ervan te» behoeve van tenminste de verplaatsing erdoorheen van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes tijdens de 1037063 2 werking alleen ter plaatse van de in- en uitgangszijde ervan in open verbinding met de atmospherische buitenlucht onder toepassing van een gasvormig mediumslot aan tenminste de ingangszijde ervan.

Verder in een gunstige uitvoering van deze installatie achter zulk een 5 tunnel-opstelling de opname van een inrichting ten behoeve van daarin tenminste mede door deling van de opvolgende, daarin ononderbroken semiconductor behandelde semiconductor substraat-gedeeltes, de bewerkstelliging van zulke semiconductor chips.

Verder bevat deze installatie middelen ten behoeve van de besturing 10 van tenminste mede de opvolgende semiconductor behandelingen in zulk een tunnel-opstelling en het semiconductor substraat transfersysteem ten behoeve van een tenminste nagenoeg ononderbroken gelijkmatige verplaatsing van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen.

Voor deze installatie personeel ten behoeve van het plaatsvinden van 15 tenminste mede het navolgende; a) het opstarten van de werking van zulk een semiconductor tunnel-opstelling en beëindiging ervan; en b) controle van de correcte continue werking van deze tunnel-opstelling en het onderhoud ervan.

20 Verder bevat deze installatie inrichtingen ten behoeve van het navolgende: a) starten en beëindigen van de toe- en afvoer van de semiconductor behandelingsmediums en de transfermediums; en b) onderhouden van een continue toe- en afvoer van deze mediums.

25 De installatie bevat typisch verder de opslag-opstellingen van de verschillende semiconductor behandelings- en transfermediums.

In een gunstige alternatieve uitvoering ervan bevat deze middelen ten behoeve van in het uitgangsgedeelte ervan het verwijderen van de . opvolgende metalen folie-gedeeltes vanaf de opvolgende semiconductor .

30 substraat-gedeeltes als een tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

Daarbij bevat deze installatie in een volgende gunstge uitvoering ervan aan de uitgangszijde van de tunnel-opstelling middelen ten behoeve van via een reinigings-inrichting verplaatsen van deze folie naar een opslagrol ervoor.

35 In een volgende gunstige uitvoering van deze installatie daarbij de opname van een rol-opstelling aan de ingangszijde van de tunnel-opstelling ten behoeve van het opnieuw invoeren van de gereinigde folie daarin.

Daarbij daartoe achter zulk een onder deze tunnel-opstelling opgencraen 3 reinigings-inrichting voor deze metalen folie de opname van een inrichting ten behoeve van het daarin op de bovenwand ervan opbouwen van een pm hoge laag vloeibaar geleidingsmedium voor een gemakkelijke verplaatsing ervan door deze tunnel-opstelling.

5 Verder fungeert in een gunstige uitvoering van deze installatie zulk een folie als een ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/ transferband ten behoeve van het nabij de ingang van de daarin opgenomen tunnel-opstelling opbrengen erop van opvolgende typisch kunststoffen folie-gedeeltes, welke daartoe afkomstig zijn van een folie-opslagrol.

10 Daarbij is in een gunstige uitvoering van deze band de bovenwand tenminste ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan verdiept ten behoeve van het daarin opnemen van deze opvolgende folie-gedeeltes en wordt daarbij typisch een mechanisch contact onderhouden tussen deze opvolgend band- en folie-gedeeltes.

15 Bij de bestaande semiconductor installaties onder toepassing van opslag van semiconductor wafers in cassettes en transfer ervan naar en vanaf opvolgende semiconductor behandelings-modules ten behoeve van de vervaardiging van semiconductor chips tenminste mede de reeds deze bijgaande Nedelandse Octrooi-aanvrage No. 1 omschreven nadelen ervan.

20 Verder daarbij aanvullend het navolgende:

Bij toepassing daarin van de combinatie van een nagenoeg cilindrische wafer als semiconductor substraat en opvolgende semiconductor substraat behandelings-modules, waarin geen mogelijke lineaire verplaatsing ervan erdoorheen, moet daarbij ten behoeve van de bewerkstelliging van een 25 semiconductor substraat, waaruit door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips, aldus de noodzakelijke opbouw van een aantal opvolgende semiconductor lagen, welke uitsluitend in hoogterichting op elkaar liggen met tussengelegen typisch di-electrische semiconductor lagen, bevattende metalen semiconductor doorverbindingen voor deze 30 semiconductor lagen.

Daarbij geen enkele mogelijkheid van zulke semiconductor lagen cm opvolgend in een lineaire richting naast elkaar te liggen.

Aldus de noodzaak van een uiterst dure en complexe semiconductor installatie, bevattende een zeer groot aantal semiconductor behandelings-35 modules.

Daarbij bij toepassing van een vijftal op elkaar gelegen semiconductor lage, met voor elke typisch nagenoeg ronde laag een benodigde individuele belichtingspatroon-opbreng-inrichting en een groot aantal 4 individuele semiconductor benandelings-inrichtingen en bevattende eveneens een aanzienlijke omvang ervan.

Zulks tevens voor de daarbij tussengelegen viertal semiconductor verbindingslagen met eveneens tenminste mede de noodzakelijke toepassing 5 van een groot aantal van zulke semiconductor inrichtingen.

Aldus mede daardoor de noodzaak van een groot aantal benodigde semiconductor reinigings-behandelingen ten behoeve van de bewerkstelliging van een totaal semiconductor behandelings-proces voor zulk een semiconductor substraat met typisch een daarbij benodigde de-10 electrische onderlaag ervan voor het daaruit verkrijgen vah zulke chips.

Daarbij mede door de steeds verdere verkleining van de breedte van de metalen semiconductor verbindingen in zulk een semiconductor laag, nu reeds typisch minder dan 40 nanometer, een steeds verdere.bemoeilijking van het totale semiconductor behandelings-proces en zulks tevens door 15 het uiterst nauwkeurig boven elkaar moeten liggen van deze opvolgende semiconductor lagen met de tussengelegen metalen doorverbindingen.

In deze nieuwe semiconductor installatie nu echter mede door deze nanometer grote lijnbreedtes de mogelijke ideale bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes> bevattende slechts één 20 semiconductor laag en waaruit in een inrichting achter zulk een semiconductor tunnel-opstelling door deling ervan het verkrijgen van zulke semiconductor chips met slechts deze enkele semiconductor laag en toch daarbij een toelaatbare cmvang ervan.

In zulk een semiconductor installatie verder tevens de 25 mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van de semiconductor inrichtingen, welke door de aanvrager zijn ontschreven in de gelijktijdig hiermede ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

Verder in deze semiconductor installatie de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor 30 wafers in semiconductor modules, ook welke reeds zijn omschreven in

Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: a) een individuele seniconductor wafer of - substraat; en/of b) een al dan niet individuele semiconductor processincr-module.

35 Verder zijn de in deze Octrooi-aanvrage ontschreven middelen en werkwijzen tevens toepasbaar in de semiconductor installaties of delen ervan, welke zijn omschreven in de gelijktijdig door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

5

Figuur 1 toont schematisch de semiconductor installatie volgens de uitvinding in een zijaanzicht ervan.

Figuur 2 toont een doorsnede over de lijn 2-2 van de in deze installatie opgencmen semiconductor tunnel-opstelling ter plaatse van het 5 ingangsgedeelte ervan.

Figuur 3 toont een langsdoorsnede van het begingedeelte van deze semiconductor tunnel ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

Figuur 3 toont daarbij sterk vergroot een tunneldoortocht-gedeelte ter 10 plaatse van de in de bovenwand van het boventunnelblok opgencmen stripvormige transducer-opstelling.

g

Figuur 3 toont daarbij sterk vergroot de tunneldoorgang achter deze transducer-opstelling.

Figuur 4 toont sterk vergroot een langsdoorsnede-gedeelte van de 15 tunneldoorgang ter plaatse van een toe- en afvoergroef in het ondertunnelblok voor vloeibaar transfer/geleidingsmedium.

Figuur 5 toont schematisch de semiconductor installatie in een alternatieve uitvoering ervan en waarbij daarin in een inrichting achter de tunnel-opstelling het met behulp van een rol-opstelling plaatsvinden 20 van scheiding van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes van de opvolgende folie-gedeeltes onder daarbij opslag van deze opvolgend folie-' gedeeltes in een folie-opslagrol-opstelling.

Figuur 6 toont een alternatieve uitvoering van de installatie volgens de Figuur 5 en waarbij daarin ter plaatse van de ingang van deze 25 semiconductor tunnel-opstelling de opname van een rol-opstelling ten behoeve van het mede daarmede bewerkstelligen van een ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/transferband en waarbij op deze band het opbrengen van opvolgende typisch kunststoffen folie-gedeeltes, welke afkomstig zijn van een in deze installatie opgencmen folie-opslagrol.

30 Figuur 7 toont een dwarsdoorsnede van een band-uitvoering met een verdiept centraal gedeelte van de bovenwand ervan ten behoeve van het daarin opnemen van de opvolgende folie-gedeeltes.

Figuur 8 toont een gedeelte van een alternatieve uitvoering van de semiconductor installatie met daarin het ononderbroken door de tunnel-35 opstelling ervan verplaatsen van een ononderbroken folie draag/ transferband met daarop een tweetal opvolgende aaneengesloten foliën.

Figuur 9 toont een gedeeltelijk bovenaanzicht van de opvolgende, door de inrichting achter de uitgang van de tunnel-opstelling verplaatsende 6

Figuur 10 toont sterk vergroot een bovenaanzicht van de na deling van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes bewerkstelligde semiconductor chip, bevattende daarbij typisch slechts één semiconductor bovenlaag.

5 Figuren 11^ tot en met 11 tonen de in deze semiconductor opstelling na de bewerkstelliging van de opvolgende typisch sub um wijde uitsparingen (crevices) in de di-electrische bovenlaag van de opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes in opvolgende phasen het 10 reinigen ervan.

Figuur 12 toont daarbij daartoe de toepassing van een typisch hoog-frequente trilconditie van tenminste mede deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met behulp van een roterende nokkenas in het ondertunnelblok.

15 Figuren 13 en sterk vergroot de Figuren 14 en 15^ t/m E

tonen met behulp van een roterende slijpas, welke is opgenomen in het boventunnelblok ter plaatse van het centrale gedeelte ervan het verwijderen van het resterende gedeelte van de benodigde um hoge harde di-electrische belichtingslaag 20 op de di-electrische bovenlaag van de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Figuur 16 en sterk vergroot Figuur 17 tonen het met behulp van een roterende nokkenas, bevattende multi in dwarsrichting ervan ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-25 gedeelte uitstrekkende scherpkantige um grote nokken, het verwijderen van deze resterende belichtingslaag.

Figuur 18, sterk vergroot Figuur 19 en zeer sterk vergroot Figuren 20A t/m E tonen na het in een voorgaand tunnel-gedeelte met metaal-deeltjes vullen van deze semiconductor 30 en het vervolgens plaatsvinden van een oven- en afkoel behandeling ervan verwijderen van tenminste de extra opgebrachte sub-um hoge metaallaag.

Figuur 21 toont een semiconductor chip met slechts één enkele di-electrische semiconductor schakelings-laag, typisch 35 bevattende met elkaar verbonden nanometer brede, met metaal gevulde semiconductor groeven onder het bewerkstelligd zijn van een .électtische schakeling met electrische aansluit-gedeeltes .

7

Figuur 22 toont een semiconductor chip met een tweetal boven elkaar gelegen di-electrische schakelings-lagen, elk bevattende zulke met metaal gevulde groeven en welke met behulp van tenminste nagenoeg verticale, met metaal gevulde 5 groeven met elkaar verbonden zijn onder de vorming van met elkaar verbonden electrische schakeling-tgedeeltes.

Figuur 23 toont een semiconductor chip met een kunststof, typisch teflon onderlaag met zulk een daarop verankerde di-electrische bovenlaag.

10 Figuur 24 toont daarbij een semiconductor chip met een relatief dikke kunststof onderlaag, welke ononderbroken wordt aangevoerd vanuit een folie-opslagrol nabij de ingang van de semiconductor tunnel-opstelling.

Figuur 25 toont een semiconductor chip met een kunststof 15 onderlaag en een tweetal boven elkaar gelegen di-electrische schakelings-lagen, bevattende met elkaar verbonden electrische schakeling-sgedeeltes.

Figuur 26 toont een semiconductor chip, waarbij op een kunststof onderlaag het verankerd opgebracht zijn van een 20 metalen tussenlaag met daarop verankerd zulk een di-electrische bovenlaag.

Figuur 27 toont de semiconductor chip volgens de Figuur 26, waarbij op deze metalen tussenlaag een tweetal boven elkaar gelegen di-electrische lagen, elk bevattende zulke met metaal 25 gevulde groeven en welke lagen eveneens electrisch met elkaar zijn gekoppeld.

Figuur 28 toont een semiconductor chip met een metalen onderlaag en zulk een daarop verankerde di-electrische schakelings-laag, bevattende zulk een electrisch schakelings-30 laag.

Figuur 29 toont een semiconductor chip met een metalen onderlaag en een tweetal verankerde boven elkaar gelegen di-electrische lagen, elk eveneens bevattende zulke met metaal gevulde semiconductor groeven en welke eveneens 35 electrisch met elkaar zijn gekoppeld.

Figuur 30 toont een semiconductor chip met een paperen onderlaag en zulk een daarop verankerde di-electrische bovenlaag.

8

Figuur 31 toont een semiconductor chip met een papieren onderlaag, een daarop verankerde metalen tussenlaag en de daarop verankerde di-electrische bovenlaag.

Figuur 32 toont een semiconductor chip met een metalen 5 onderlaag, een kunstof tussenlaag en zulk een bovenlaag.

De uitvinding zal hieronder nader woden uiteengezet aan de hand van een aantal in de Figuren weergegeven uitvoeringsvoorbeelden van de installatie-opbouw volgens de uitvinding.

Figuur 1 toont schematisch de semiconductor installatie volgens de 10 uitvinding in een zijaanzicht ervan.

Zulk een semiconductor installatie bestaat daarbij typisch in hoofdzaak uit een zich in de lengterichting ervan uitstrekkende semiconductor subtraat transfer/behandelingstunnel-opstelling 12, bevattende een boventunnelblok 14, een ondertunnelblok 16 en de ertussen opgencmen 15 centrale tunneldoortocht 18, Figuren 2 en 3.

In zulk een semiconductor installatie nabij de ingangszijde 20 van deze semiconductor tunnel-opstelling 12 de opname van een opslagrol-opstelling 22 ten behoeve van tijdens de werking ervan de ononderbroken toevoer van een zeer lange folie met typische slechts een minder dan 0,1 mm dikte 20 ervan en bevattende een typisch tenminste nagenoeg evenwijdige opstaande zijwand-gedeeltes 26 en 28.

lijens de werking van zulk een semiconductor installatie vindt daarbij een ononderbroken lineaire verplaatsing van deze folie 24 door deze tunneldoortocht 18 plaats.

25 Daarbij in de opvolgende secties van het centrale boven-semiconductor behandelings-gedeelte van de tunneldoorocht 18 het ononderbroken plaatsvinden van opbouw van tenminste één semiconductor laag op de bovenzijde van deze folie onder de bewerkstelliging van opvolgende, zich ononderbroken onderlangs dit bcven-behandelingsgedeelte van deze 30 tuuneldoortocht verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes,

Figuur 3 toont een langsdoorsnede van het begingedeelte nan deze semiconductor tunnel 12 ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

Ten behoeve van verankering van de eerste semiconductor laag op deze 35 folie 24 nabij de ingang 20 van deze tunneldoorgang 18 vindt achter de stripvormige slotsectie 30 en zulks via de stripvormige toevoersectie 32 in het boventunnelblok 14 ter plaatse van 'het bovenspleet-gedeelte van de tunneldoorgang 18 het ononderbroken toevoeren van de combinatie van 9 laagkokend vloeibaar draagmedium 36 en deeltjes vloeibaar hechtmedium 38 plaats en waarbij met behulp van een in de onderwand van dit tunnelblok opgenomen stripvormige transducer-opstelling 40, welke tevens fungeert als warmtebron, het in het eronder gelegen gedeelte van deze boven-5 behandelingsspleetgedeelte plaatsvinden van verdamping van dit laagkokende vloeibare draagmedium 36, met daarbij neerslag van deze deeltjes vloeibaar hechtmedium 38 op de opvolgende eronderlangs verplaatsende folie-gedeeltes,onder de vorming van een gelijkmatige jam hoge film van deze vloeibare hechtsubstantie 38 en waarbij in een daarop 10 volgende stripvormige afvoersectie 42 in dit boventunnelblok het plaatsvinden van afvoer van dit verdampte medium.

A

Daarbij toont Figuur 3 sterk vergroot een gedeelte van deze bovenspleet 34 ander deze transducer-opstelling 40, met daarin reeds het plaatsvinden van neerslag van deeltjes vloeibare hechtsubstantie 38 op de opvolgende,

Q

15 eronderlangs folie-gedeeltes 24 en Figuur 3 een gedeelte van deze bovenspleet 34 achter deze afvoersectie 42 en waarbij ter plaatse zulk een opgebouwde pm hoge laag van dit hechtmedium 38 op deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende folie-gedeeltes 24.

Daarbij, zoals is aangegeven in de Figuren 3 en sterk vergroot 20 Figuur 4, teminste mede plaatselijk in tenminste de bovenwand van het ondertunnelblok 16 de opname van, gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 44, opvolgende, in de lengterichting van deze tunnel uitstrekkende groeven 46 met aan de ingangszijde ervan aansluiting erop 25 van een stripvormige toevoersectie 48 voor typisch hoogkokend vloeibaar transfer/geleidingsmedium 50, met aan de uitgangszijde ervan de aansluiting erop van een stripvormige afvoersectie 54 ten behoeve van het continue onderhouden van opvolgende stromen ervan langs de onderwand van deze opvolgende folie-gedeeltes onder het daarbij gelijktijdig onderhouden 30 van een jam hoge film ervan in tenminste mede de tussengelegen onderpleet-sectie 58 en ondersteunen van de verplaatsing van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes door de tunneldoorgang 18.

Daarbij, zoals verder is aangegeven in de Figuur 4, in de opvolgende secties van het centrale boven-semiconductorbehandelingsgedeelte 60 van 35 deze tunneldoortocht het ononderbroken opbouwen van de opvolgende semiconductor lagen op de bovenzijde van deze folie 24 onder de bewerkstelliging van deze opvolgende, zich ononderbroken onderlangs dit centrale boven-semiconductor behandelingsspleetgedeelte 34 verplaatsende 10 semiconductor substraat-gedeeltes 44.

In de Figuur 5 is een schematisch zijaanzicht van de alternatieve semiconductor installatie 10' aangegeven, waarbij daarin tijdens de werking ervan in de inrichting 62 het ononderbroken plaatsvinden van 5 scheiding van de opvolgende gedeeltes van de metalen folie 24' van de daarop in de semiconductor tunnel-opstelling 12' opgebrachte opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44'.

Deze opvolgende folie-gedeeltes zijn daarbij afkomstig uit de folie-opslagrol 22'.

10 Ten behoeve van de bewerkstelliging van zulk een scheiding daarbij het voorafgaand in het begingedeelte van de tunnel-opstelling 12' op deze opvolgende folie-gedeeltes aangebracht zijn van een pm hoge film zeer hoogkokend vloeibaar medium, typisch gallium, (¾} tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

15 Daarbij via mede de rol-opstelling 64 het verplaatsen van deze opvolgende folie-gedeeltes naar de reinigings-inrichting 66 ten behoeve van het daarin ononderbroken plaatsvinden van reiniging van in het bijzonder het boven-oppervlak ervan.

Vervolgens vindt daarbij in de rol-opstelling 68 opslag van deze 20 opvolgende folie-gedeeltes plaats.

Daarbij fungeert deze rol-opstelling 68 tevens ten behoeve van het daarbij uitoefenen van een trekkracht op deze opvolgende folie-gedeeltes.

In de aangepaste inrichting 70 vindt daarbij na reiniging van de opvolgende, daarin ononderbroken toegevoerde semiconductor substraat-25 gedeeltes 44' deling ervan in semiconductor chips 72 plaats.

De in tenminste de Figuren 1, 2 en 5 aangegeven folie 24 bestaat typisch uit kunststof of een metaal en waarbij aldus de semiconductor onderlaag van de in de tunnel-opstelling 12 van deze semiconductor installatie 10 bewerkstelligde opvolgende semiconductoe substraat-30 gedeeltes 44 en daarmede eveneens zulk een semiconductor chip 72 tenminste mede uit zulk een kunststof of metaal bestaat.

Figuur 6 toont de semiconductor installatie 10", waarbij in de ingang van de tunnel-opstelling 12" de rol-opstelling 78 ten behoeve van het wederom invoeren van de in de inrichting 66" gereinigde opvolgende 35 gedeeltes van de folie 24"in deze semiconductor tunnel-opstelling 12", met het typisch fungeren ervan als een ononderbroken semiconductor draag/transferband.

in de inrichting 80 vindt daartoe na deze reinigings-inrichting 66" 11 daarbij het mede plaatsvinden van het opbouwen van een pm hoge film tijdelijke vloeibare hechtsubstantie 82 op de opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende, mede daartoe in geringe mate dikkere metalen band 76.

Daarbij in een gunstige werking van deze installatie 10" vindt een 5 ononderbroken toevoer van opvolgende folie-gedeeltes74 vanaf de folie-opslagrol 22" plaats ten behoeve van het in het in het ingangs-gedeelte 20" van deze tunnel-opstelling 12" opbrengen ervan op deze band 76 met daarbij deze tussengelegen um hoge laag tijdelijke hechtsubstantie 82.

Verder met behulp van deze hechtsubstantie het in voldoende mate 10 zodanig tijdelijk verankeren op de opvolgende bandgédeeltes 7 6 van de in deze tunnel-opstelling 12" bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44", dat in de inrichting 62" achter deze tunnel-opstelling het mogelijk plaatsvinden van scheiding van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes van de opvolgende bandgedeeltes, 15 Figuur 7 toont een gunstige uitvoering van deze semiconductor substraat draag/transferband 76, waarbij de bovenwand ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte 60" in geringe mate verdiept is ten behoeve van het daarin ophouwen van zulke opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44'", met typisch de 20 opvolgende folie-gedeeltes 74 als een definitieve semiconductor onderlaag ervan.

Daarbij zijn de op het verdiepte centrale gedeelte 84 van deze band 76 opgebrachte opvolgende folie-gedeeltes 74 als definitieve semiconductor onderlaag van zulke opvolgende semiconductor substraat-25 gedeeltes in voldoende mate daarop verankerd door een mechanisch contact van deze daartoe optimaal vlakke opvolgende folie-gedeeltes met de eveneens optimaal vlakke verdiepte bovenwand-gedeeltes van deze band

Zulks mede door daarbij de toepassing van zulk een semiconductor substraat draag/transferband 76, dat deze met tenminste één opstaande 30 zijwand 86 correspondeert met een vlakke opstaande zijwand 88 van de

I · I

tunneldoorgang 18

Verder, dat daarbij mede daartoe de ópstaande zijwand 90 van dit . verdiepte gedeelte 84 van deze band 76 t welke correspondeert met de opstaande zijwand 86 ervan, eveneens in voldoende mate in zowel de lengte-35 als hoogterichting vlak is en zulks tevens voor de daarmede corresponderende opstaande zijwand 26 van de opvolgende folie-gedeeltes 74.

Verder, dat daarbij tijdens de warmte-behandeling van een bovenlaag-gedeelte van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44', zoals is 12 anschreven in de toekomstige Nederlandse Octrooi-aanvragen van de aanvrager, het mede beletten van een ontoelaatbare vervorming in dwarsrichting ervan.

Daarbij daartoe in opvolgende semiconductor warmte-behandelingssecties 5 in de onderwand van het boventunnelblok 14 de opname van een ym grote electrische verwarmingsdraad, met het daarbij gedurende een zeer korte tijd opwarmen van slechts een (sub) jam hoge opgebrachte semiconductor substantie, zoals een di-electrische substantie en typisch in de lengterichting opzij ervan een afkoel-inrichting.

10 Verder mede daartoe het in een gunstige werkwijze in deze tunnel-opstelling 12 opbouwen van slechts één semiconductor bovenlaag op typisch een kunststof folie 24, waardoor tenminste mede het navolgende: a) een geringe toelaatbare vervorming ervan tijdens zulk een oven- 15 behandelingsproces; en b) een geringe toelaatbare uitrekking ervan in de lengterichting van de tunneldoorgang 18 tijdens de lineaire verplaatsing ervan erdoorheen, cmdat daarbij in een stripvormige tunnelsectie slechts één enkel belichtingsproces benodigd is.

20 Daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling met een ononderbroken verplaatsing van zulk een combinatie van ononderbroken band 76 en typisch ononderbroken opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44 net mede daarbij onderhouden van een nagenoeg evenwijdige positie van zulk een opstaande zijwand van deze folie 24 met de 25 daarmede corresponderende ópstaande zijwand 8 8 van de tunneldoorgang 18 met behulp van opvolgende stromen gasvormig medium langs de . bovenwand ervan en het daarbij onderhouden van het navolgende: a) geleiding van deze band 76 langs zulk een opstaande zijwand van de tunneldoorgang 18 ; en 30 b) aanliggen van een opstaande zijwand 9 2 van de opvolgende folie-gedeeltes 74 tegen de opstaande zijwand 90 van dit verdiepte bovenwand-gedeelte 84 van deze band 76.

Figuur 8 toont voor de semiconductor installatie 10 middelen ten behoeve van het bewerkstelligen van tijdens de werking ervan daarin in 35 het ingangsgedeelte 20 van de daarin opgencmen semiconductor tunnel- opstelling 12 het aansluiten op de achterzijde 94 van de reeds erdoorheen verplaatste folie 24 van de voorzijde 96 van de volgende folie 24.

Daartoe bevatten deze foliën 24 aan de voorzijde ervan de vlakke 13 opstaande zijwand 96 en aan de achterzijde de vlakke opstaande zijwand 98 en welke tenminste nagenoeg evenwijdig zijn.

In een gunstige uitvoering van zulk een in de opslagrol 68 opgeslagen folie 24 is daarbij de lengte ervan groter dan die van deze tunnel-5 opstelling 12, typisch meer dan 20 meter en zelfs mogelijk 5000 meter ten behoeve van gedurende circa 2 maanden het onderhouden van een continue ononderbroken verplaatsing ervan erdoorheen en met een daarin gelijktijdig ononderbroken plaatsvinden van de opvolgende semiconductor behandelingen.

Zulks bij een verplaatsingssnelheid van deze folie van 2 irm/seconde.

10 Aldus tenminste een circa 3 uren tijdsduur, voordat een volgende folie moet worden ingebracht.

Daarbij bevat tunnel-ingangsgedeelte 20"in een gunstige uitvoering aan de bovenzijde ervan een open centraal gedeelte 100 ten behoeve van inspectie van zulk een bewerkstelligde critische aansluiting van deze 15 opvolgende foliën en waarbij ter plaatse van de beide dwarsuiteinden gg van de tunneldoorgang 18 het plaatsvinden van geleiding van de ingebrachte volgende folie.

Daarbij typisch tenminste mede met behulp van opvolgende stromen gasvormig medium langs deze nieuwe folie in de richting van de voorgaande 20 folie met het onderhouden van een hogere snelheid van het voorgedeelte van deze folie dan die van de voorgaande folie totdat zulk een aansluiting heeft plaats gevonden.

Zulk een folie-toevoersysteem is gedetailleerd aangegeven en omschreven in de .binnenkort nog in te dienen corresponderende 'Octrooi- 25 aanvrage door de aanvrager.

De reinigings-inrichting 66"bevat daarbij verder zodanige middelen, dat daarin tevens het plaatsvinden van verwijdering van een eventueel op de op de daarbij toegepaste tand 24" terechtgekomen substantie. Figuur 6.

Zulk een geringe tunnellengte is ook mogelijk bij toepassing van 30 opvolgende semiconductor substraatgedeeltes 44 met typisch slechts één semiconductor bovenlaag en waaruit in de inrichting 62 door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips 72 met slechts zulk een enkele semiconductor opbouw ervan. Figuren 1 en 2.

Zulk een mogelijke enkele semiconductorlaag in plaats van een aantal 35 boven elkaar gelegen semiconductor lagen, zoals tot op heden algemeen gebruikelijk is in de bestaande semiconductor industrie onder toepassing van nagenoeg cilindrische semiconductor wafers en tenminste mede individuele semiconductor behandelings-modules met verticale metalen 14 doorverbindingen ertussen.

In een alternatieve mogelijke uitvoering van zulk een folie- 24 is de lengte ervan minder dan die van deze semiconductor tunnel-opstelling 12, waardoor een daarbij noodzakelijke veelvuldige inbrenging van zulk een 5 volgende folie, typisch daarbij binnen 2 uur.

Verder kan zulk een inbrengen van het begin van de volgende folie zover handmatig worden ondersteund totdat aansluiting ervan op deze voorgaande folie heeft plaats gevonden en waarbij vervolgens tijdens de verdere verplaatsing van deze combinatie van foliën door deze stranen 10 gasvormig medium zulk een aansluiting blijft gehandhaafd.

Door zulk een in het ingangsgedeelte van de tunnel-opstelling aansluiten van de volgende folie op de voorgaande folie vindt daarbij aldus mogelijk tenminste mede een ononderbroken toe- en afvoer van semiconductor behandelingsmedium naar en vanaf de opvolgende stripvormige 15 boven semiconductor behandelingsspleetsecties van deze semiconductor tunnel-opstelling plaats.

Aldus een geheel nieuwe semiconductor transfer/behandelings-technologie onder de bewerkstelliging van semiconductor chips met daarbij de toepassing van elke mogelijke substantie voor zulk een semiconductor 20 folie of een ccmbinatie van substanties ervoor, zoals mede is aangegeven en cmschreven in de· vele, toekomstig in te dienen Octrooiaanvragen door de aanvrager, betreffende mede zulke semiconductor chips.

Zulks mede door de in de volgende Octrooi-aanvragen aangegeven en cmschreven aanvullende middelen en werkwijzen ten behoeve van tenminste 25 mede een hoog effectieve en bijzondere opbouw van tenminste één semiconductor laag op zulk een folie als tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag van de in deze semiconductor installatie bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, waaruit door deling ervan het verkrijgen van zulke semiconductor chips.

30 In de Figuur 9 is verder nog een gedeeltelijk bovenaanzicht aangegeven van de opvolgende, zich ononderbroken door de inrichting 62 achter de tunnel-uitgang 52, Figuur 1, verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44.

Daarbij bestaat zulk een semiconductor substraat-gedeelte 44 uit een 35 aantal opvolgende, in dwarsrichting naast elkaar gelegen semiconductor substraataecties, waaruit door deling ervan in deze inrichting de bewerkstelliging van semiconductor chips 72, typisch bevattende slechts één enkele semiconductor bovenlaag op een typisch kunststof folie 24.

15 als definitieve semiconductor onderlaag ervan.

Figuur 10 toont sterk vergroot een bovenaanzicht van de bewerkstelligde semiconductor chip 72, bevattende op deze typisch kunststof onderlaag de semiconductor bovenlaag 102 in samengehechte toestand als vervanger 5 voor de bestaande semiconductor chips met een aantal boven elkaai gelegen semiconductor lagen met tussengelegen metalen semiconductor doorverbindingen.

Daarbij is typisch de afmeting van zulk een semiconductor chip 72 in dwarsrichting circa gelijk aan die in de lengterichting ervan.

10 Verder voor zulk een semiconductor chip elk mogelijk aantal electrische aansluitingen 134 en elke mogelijke positie ervan.

Verder voor de semiconductor grondlaag van zulk een chip elke mogelijke combinatie van boven elkaar gelegen pm hoge lagen, zoals onder andere een di-electrische onderlaag, een metalen tussenlaag en een di-electrische 15 bovenlaag.

Verder de mogelijke toepassing van een aantal boven elkaar gelegen semiconductor lagen met metalen doorverbindingen ertussen.

Verder bevat deze semiconductor installatie zodanige middelen, dat daarbij met behulp van een in het boventunnelblok van de daarin opgenomen 20 semiconductor tunnel-cpstelling stripvormige belichtingspatxoon- opbrenginrichting het plaatsvinden van het op de opvolgende eronder langs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes opbrengen van een stripvormig' belichtingspatroon.

Daarbij daartoe in de beide dwarsuiteinden van zulk een semiconductor 25 band of - folie het aangebracht zijn van opvolgende uitsparingen 104, Figuur 8 ' ten behoeve van het met behulp van deze band of folie mede-verplaatsen van deze belichtingspatroon -opbrenginrichting met de opgebrachte opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes tijdens het belichtingsproces.

30 In zulk een semiconductor installatie 10,met de daarin opgenonen semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling 12, tenminste mede de toepassing van een folie-opslagrol 22 nabij de ingang ervan ten behoeve van tijdens de werking ervan het plaatsvinden van een ononderbroken verplaatsing van de opvolgende folie-gedeeltes erdoorheen 35 en vindt daarbij in de achter de uitgang 52 van deze tunnel- opstelling opgenctnen inrichting 62 tenminste mede door deling van de opvolgende, daarin ononderbroken toegevoerde semiconductor substraat-gedeeltes de bewerkstelliging van semiconductor chips 72 met tenminste 16 mede een semiconductor laag-opbouw.

Daarbij door het in deze tunnel-opstelling bewerkstelligd zijn van slechts één enkele semiconductor laag, welke tevens fungeert als semiconductor bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken erdoorheen 5 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, tenminste mede de navolgende semiconductor laag-opbouwen van zulke, daaruit verkregen semiconductor chips: a) de combinatie van een kunststoffen onderlaag en een di-electrische bovenlaag; of 10 b) de combinatie van een kunststoffen onderlaag, een metalen tussenlaag en een di-electrische bovenlaag; of c) de combinatie van een metalen onderlaag en een di-electrische bovenlaag; of d) uitsluitend een di-electrische bovenlaag; of 15 e) de combinatie van een di-electrische aiderlaag, een metalen tussenlaag ai een di-electrische bovenlaag.

Indien echter in zulk een tunnel-opstelling de bewerkstelliging van een aantal boven elkaar gelegen primaire semiconductor lagen met secundaire tussenlagen, bevattende een aantal metalen doorverbindingen 20 tussen deze primaire semiconductor lagen, daarbij eveneens het mogelijk plaatsvinden van de onder a), b), C), d) ene) vermelde semiconductor laag-opbouwen van zulke, daaruit verkregen semiconductor chips.

indien in zulk een semiconductor tunnel-opstelling uitsluitend de toepassing van een ononderbroken metalen semiconductor substraatdraag/ 25 band 76 met de rol-opstellingen 64 en 78 nabij de uit- en ingang ervan, Figuur 6, en met daarin de bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met slechte een enkele semiconductor laag, welke daarbij tevens fungeert als semiconductor bovenlaag ervan, daarbij echter slechts de semiconductor laag-opbouwen van de uit zulk een 30 inrichting verkregen semiconductor chips,welke zijn vermeld aider d) en e).

Als daarbij in zulk een tunnel-opstelling de bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende een aantal boven elkaar gelegen primaire semiconductor lagen met secundaire semiconductor tussenlagen, waarin de opname van een aantal metalen 35 doorverbindingen tussen deze primaire lagen, daarbij eveneens voor de uit deze inrichting verkregen semiconductor chips slechts deze onder d) en e) vermelde semiconductor laag-opbouwen.

Indien echter de toepassing van de combinatie van zulk een 17 ononderbroken semiconductor substraat draag/transferband en de daarop ononderbroken vanaf een opslagrol-opstelling erop opgebrachte opvolgende saai conductor folie-gedeeltes, daarbij wederom tenminste mede de onder a), b), c), d) en e) vermelde mogelijke semiconductor laag-opbouwen_ van de 5 daaruit verkregen semiconductor chips.

Zulk een semiconductor kunststof-folie of -laag bevat een voldoend hoge smelttemperatuur en di-electrische waarde ervan ten behoeve van het fungeren ervan als tenminste semiconductor onderlaag van de opvolgende, in deze semiconductor tunnel-opstelling bewerkstelligde semiconductor 10 substraat-gedeeltes en vervolgens in een daarachter opgenomen inrichting tenminste mede door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips met zulk een semiconductor onderlaag ervan.

Verder is tevens een tenminste mede papieren folie in een daartoe geschikte uitvoering en samenstelling ervan toepasbaar voor tenminste 15 zulk een semiconductor onderlaag van de opvolgende, in deze tunnel-opstelling bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes en in de daarachter opgenamen inrichting door deling ervan opvolgende semiconductor chips.

Verder is elke afmeting van zulk een typisch rechthoekige 20 semiconductor chip met zulk een tenminste mede papieren onderlaag-gedeelte in zowel de lengte- en dwarsrichting ervan mogelijk.

In een gunstige uitvoering van zulk een kunststoffen - of papieren folie vindt daarbij in een inrichting, welke al dan niet is opgencmen in deze semiconductor installatie, op tenminste het centrale 25 semiconductor behandelings-gedeelte ervan het opbrengen van een pm hoge laag di-electrische substantie plaats ten behoeve van het in de tunnel-opstelling ervan bewerkstelligen van met metaal gevulde nanometer grote uitsparingen in de bovenwand van de daarin bewerkstelligde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes en 30 vervolgens door tenminste mede deling ervan in de erachter opgenomen inrichting het verkrijgen van semiconductor chips met zulk een semiconductor onder- en bovenlaag ervan.

Verder wordt in deze tunnel-opstelling met behulp van de opvolgende folie/band-gedeeltes in combinatie met opvolgende stromen slotmedium in 35 de beide dwarsuiteinden van de tunneldoorgang een mediumslot onderhouden voor het vermijden van het terechtkomen van het behandelings-medium vanuit de primaire bovenspleet in de secundaire onderspleet en medium vanuit deze onderspleet in deze bovenspleet.

18

Na het in de semiconductor tunnel-opstelling bewerkstelligen van zulke typisch (sub) ;im grote groeven (crevices) in de boventopography 108 van de di-electrische bovenlaag van de opvolgende semiconductor substraat-5 gedeeltes 44 onder toepassing van een belichte zeer harde semiconductor bovenlaag 110 het in opvolgende stripvormige boven-behandelingsspleetsecties 34 plaatsvinden van opvolgende phasen van een totaal reinigings-proces van deze groeven 106, Figuren 11A t/"1 11F_ 10 Daarbij de toepassing van een stripvormige drukwand 112 als deel van de bovenwand van het ondertunnelblok 16, welke met behulp van de roterende nokkenas 114 in dit blok typisch hoog-frequent trillend op en neer wordt bewogen en zulks onder typisch van deze opvolgende semiconductor substraat-15 gedeeltes 44, Figuur 12.

Daarbij in de Figuren 11 A en 11B in opvolgende spleet-secties met behulp van typisch vloeibaar reinigingsmedium 116 het plaatsvinden van de beginphase van dit reinigings-proces.

Daarbij opvolgend een opwaartse compressieslag, met het 20 instuwen van dit reinigingsmedium en in de daarop volgende neerwaartse expansieslag het uit deze groeven 106 uitstuwen van de combinatie van deeltjes van dit vloeibare reinigingsmedium en de combinatie van nog aanwezige deeltjes typisch di-electrische substantie 118 en deeltjes etsmedium 120, 25 totdat zulk een reinigings-proces heeft plaats gevonden, Figuren llc en llD,

Vervolgens in t-ypisch een aantal daarop volgende boven-spleetsectie 34 het met behulp van gasvormig medium 122, typisch N2, verwijderen van dit vloeibare medium uit deze 30 groeven 106, Figuren 11^ en llF.

Vervolgens in een volgend stripvormig tunnel-gedeelte, Figuur 13, het ononderbroken wegslijpen van op de di-electrische bovenlaag 124 opgebrachte resterende harde di-electrische bovenlaag-gedeeltes 110 met behulp van een 35 in het boventunnel blok 14 opgenomen roterende slijp-as 126 en waarbij zulk een slijp-proces sterk vergroot in Figuur 14 en zeer sterk vergroot in de Figuren 15A t/m E.

Daarbij met behulp van de stripvormige drukwand in het 19 ondertunnelblok 16 een opwaartse aandrukkracht van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44 tegen deze slijp-as .

Zulk een verwijdering van deze harde di-electrische laag 5 110 is ook mogelijk met behulp van de roterende nokkenas- opstelling 130, bevattende een zeer groot aantal um hoge scherpkantige nokken 132, Figuren 16 en 17.

Na het opbrengen van de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium 36 en metaal-deeltjes 134 en daar bij 10 tenminste mede vullen van deze groeven 106, met de opbouw van tevens een .um hoge laag ervan op de bovenwand van de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 44 onder toepassing van zulk een boven-transduceropstelling 40 in het boventunnelblok 14, 15 Figuur 3, ten behoeve van het verdampen van dit vloeibare draagmedium en in een daarop volgend oven-behandeling van deze opgebrachte laag en een daarop volgend afkoel-proces met behulp van mede een tim groot electrisch verwarmings-in het boventunnelblok, vindt in een volgend tunnel-20 gedeelte typisch met . behulp van zulk een roterende slijp-as 126 het wegslijpen van tenminste het teveel opgebrachte metaal als een (sub) um hoge metaallaag 128 plaats.

Zulk een wegslijpen van deze metaallaag is aangegeven in de Figuren 18 en 19 en zeer sterk vergroot in de opvolgende 25 Figuren 20^ t/|n E.

Als alternatief het mogelijk allereerst in een tunnel-gedeelte vullen van deze groeven in de combinatie van de di-electrische bovenlaag en de um hoge harde di-electrische toplaag met metaal en vervolgens in een volgend tunnel-30 gedeelte het met behulp van zulk een roterende slijp-as wegslijpen van de combinatie van deze harde di-electrische belichtingslaag en de opgebrachte um hoge metaallaag.

Figuur 21 toont een semiconductor chip 72^.welke in de inrichting 70, Figuur 5, of de inrichting 62, Figuur 1, 35 achter zulk een semiconductor tunnel-opstelling 12 door deling van de daarin ononderbroken toegevoerde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes 44 verkregen wordt.

Deze chip is zodanig uitgevoerd, dat deze slechts één 20 di-electrische schakelings-laag 124 bevat en waarbij in de boventopography 108 ervan de opname van multi, met metaal gevulde typisch nanometer brede semiconductor groeven 106, welke met elkaar zijn doorverbonden onder de bewerkstelliging 5 van een electrische schakeling met daarop enige electrische aansluit-gedeeltes 134.

Figuur 22 toont een semiconductor chip 72*1, waarbij deze een tweetal boven elkaar gelegen en met elkaar verankerde di-electrische schakelings-lagen 124 en 124' bevat.

10 Daarbij in de boventopography 108 van elke laag eveneens de opname van zulke multi, met metaal gevulde typisch nanometer brede groeven 106 en 106', waarin de bewerkstelliging van een electrisch schakelings-gedeelte en waar bij deze groeven plaatselijk met tenminste nagenoeg 15 verticale doorverbindings-groeven 136 met elkaar zijn verbonden en de bovenste electrische schakeling electrische aansluit-gedeeltes 134 bevat.

Figuur 23 toont de semiconductor chip 72^, waarbij deze bestaat uit een tenminste in voldoende mate hitte-bestendige 20 kunststof, typisch teflon, onderlaag 138, met daarop zulk een in deze tunnel-opstelling opgebrachte en daarmede al dan niet met een (sub) jim hoge tussenlaag hechtsubstantie verankerde di-electrische bovenlaag 124, bevattende wederom in de boven-topography 108 ervan de met metaal gevulde 25 groeven 106 met daarop de electrische aansluitingen 134.

Figuur 24 toont de semiconductor chip 72·*·^, waarbij deze bestaat uit een relatief dik kunstof folie-gedeelte 138', welke typisch ononderbroken naar de semiconductor tunnel-opstelling wordt aangevoerd vanaf een folie-opslagrol nabij 30 de ingangszijde ervan, Figuur 1 of 5, of daartoe gebruik is gemaakt van een ononderbroken semiconductor substraat draag/transf er band met een rol-opstelling nabij de in- en uitgang ervan, Figuur 6.

Figuur 25 toont de semiconductor chip 72 V, waarbij deze 35 bestaat uit zulk een kunststof onderlaag 138 met daarop zulk een tweetal in deze tunnel-opstelling opgebrachte boven elkaar gelegen di-electrische schakelings-lagen 124, bevattende eveneens zulke met metaal gevulde groeven 106.

21

Figuur 26 toont de semiconductor chip 72VI, waarbij op een kunststof onderlaag 138 een daarop verankerde metalen tussenlaag 140 met daarop verankerd de di-electrische schakelings-laag 124.

5 Figuur 27 toont de semiconductor chip 72^11, waarop op deze combinatie van kunststof onderlaag 138 en metalen tussenlaag 140 een tweetal daarop boven elkaar gelegen schakelings-lagen 124 en 124' met eveneens de met metaal gevulde verbindings-groeven 136 tussen de met metaal 10 gevulde groeven 106 en 106' in de boventopography van deze beide lagen.

Figuur 28 toont de semiconductor chip 72^111 met een metalen onderlaag 140 en zulk een daarop verankerde schakelings-laag 124, eveneens bevattende de met metaal 15 gevulde groeven 106 in de boventopography 108 ervan en met daarop enige electrische aansluit-gedeeltes 134.

Figuur 29 toont de semiconductor chip 72lX met een metalen onderlaag 140 en een tweetal daarop verankerde boven elkaar gelegen di-electrische schakelings-lagen 124 20 en 124', elk bevattende eveneens zulke met metaal gevulde groeven 106 en 106' en de verbindings-groeven 136.

Figuur 30 toont de semiconductor chip 72^ met een papieren onderlaag 144 en zulk een daarop verankerde di-electrische schakelings-laag 124, met in de 25 boven-topography 108 ervan wederom de opname van de met metaal gevulde groeven 106 en de daarop aangesloten aansluitingen 134.

Figuur 31 toont de chip 72^1 met een papieren onderlaag 144 en de daarop verankerde metalen tussenlaag 140 en de 30 daarop verankerde di-electrische schakelings-laag 124.

Figuur 32 toont de semiconductor chip 72^11 met een metalen onderlaag ^40, een daarop verankerde kunststof laag 138 en daarop verankerd zulk een di-electrische schakelings-laag 124.

35 Verder aanvullend en binnen het kader van de uitvinding de typisch mogelijke toepassing van in meerdere van de Conclusies omschreven semiconductor inrichtingen en - werkwijzen.

1037063

Claims (123)

1. Semiconductor chip, met het kenmerk, dat daarbij tenminste de eindfase van de vervaardiging ervan heeft 5 plaats gevonden in 'tenminste mede'een semiconductor installatie.

2. Semiconductor chip volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat daarbij zulk een semiconductor installatie daartoe zodanig is uitgevoerd, dat deze is bewerkstelligd IQ in een inrichting ervan uit, gezien in de lengterichting van deze installatie, opvolgende, tenminste mede daarin bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes.

3. Semiconductor chip volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat daarbij zulke opvolgende semiconductor 15 substraat-gedeeltes uitsluitend zijn bewerkstelligd in deze semiconductor installatie.

4. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in deze semiconductor installatie de opname van een semiconductor 20 substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling.

5. Semiconductor chip volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de werking van deze installatie in deze semiconductor tunnel-opstelling het tenminste nagenoeg ononderbroken plaats gehad hebben van een 25 gelijkmatige lineaire verplaatsing van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen vanaf tenminste nagenoeg de ingangszijde naar de uitgangszijde ervan.

6. Semiconductor chip volgens de Conclusie 5, met het 30 kenmerk, dat daarbij daartoe deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes ononderbroken aaneengesloten waren in deze semiconductor tunnel-opstelling.

7. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste mede 35 voor zulke opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het gebruik gemaakt zijn van tijdens de werking van deze semiconductor tunnel-opstelling ononderbroken daarin via de ingang ervan ononderbroken toegevoerde folie-gedeeltes met een geringe dikte ervan als een tenminste 1037063 tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

8. Semiconductor chip volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat daarbij daartoe deze semiconductor installatie vóór de ingang van deze daarin opgenomen semiconductor 5 tunnel-opstelling een folie-opslagrol bevat, waarin de opslag van zulk een folie met een dikte ervan typisch minder dan 0,1 mm en een opslag-capaciteit van deze opslagrol van typisch tenminste 10 000 meter ervan.

9. Semiconductor chip volgens de Conclusie 4, met het 10 kenmerk, dat daarbij daartoe in deze tunnel-opstelling het toegepast zijn van een ononderbroken metalen semiconductor substraat-draag/transf er band als tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met een rol-opstelling 15 nabij de in- en uitgangszijde ervan en een aandrijf-inrichting ten behoeve van het verdraaien van deze achterrol en daarmede verplaatsen van de opvolgende band-gedeeltes door deze tunnel-opstelling.

10. Semiconductor chip volgens één der voorgaande 20 Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminte mede daartoe het tcegepast zijn van tenminste enige van de semiconductor middelen en werkwijzen, welke zijn aangegeven en omschreven in de gelijktijdig met deze Nederlandse Octrooi-aanvrage door de aanvrager ingediende Nederlandse 25 Octrooi-aanvrage betreffende zulk een semiconductor installatie, een Octrooi-aanvrage betreffende de semiconductor facility, waarin deze semiconductor installatie is opgenomen, en een stripvormige toevoer-inrichting voor tenminste mede het toegepaste semiconductor 30 behandelings-medium.

11. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes in het uitgangs-gedeelte van deze semiconductor tunnel-opstelling bevattende 35 tenminste mede nanometer brede, met metaal gevulde groeven (crevices) in tenminste de di-electrische bovenlaag ervan, deze een uiterste geringe hoogte, typisch minder dan 0,2 mm, hebben.

12. Semiconductor chip volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat daarbij tenminste mede daartoe in een stripvormig gedeelte van deze tunnel-opstelling ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan 5 het ononderbroken bewerkstelligd zijn van een typisch nanometer hoge laag van deeltjes van een semiconductor di-electrische substantie, waarna in een daarop volgend semiconductor behandelings-gedeelte het ononderbroken plaats gehad hebben van een oven-behandeling van opvolgende 10 gedeeltes van deze laag onder het verkregen zijn van een samengesmolte conditie ervan en in een volgende stripvormige sectie het ononderbroken plaats gehad hebben van een afkoel-proces onder de bewerkstelling van deze laag in een vaste toestand ervan als deel van zulk een semiconductor 15 chip.

13. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in deze semiconductor installatie het plaats gehad hebben van de opbouw van een aantal van deze in opvolgende stripvormige 20 secties opgebrachte nanometer hoge lagen, met typisch na elk van deze opgebrachte lagen het ononderbroken plaats gehad hebben van zulk een combinatie van een oven- en een daarop volgend afkoel-proces.

14. Semiconductor chip volgens één der voorgaande

25 Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de hoogte van zulk een opgebrachte di-electr ische laag minder dan 5 jpm heeft bedragen.

15. Semiconductor chip volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat daarbij de hoogte van zulk een opgebrachte 30 di-electrische laag minder dan 500 nanometer heeft bedragen.

16. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij pas na het opgebouwd zijn van een aantal van zulke boven elkaar gelegen 35 di-electrische lagen onder toepassing van de combinatie van zulk een stripvormige medium-toevoersectie, trillende verdampings-inrichting en medium-afvoersectie, het eveneens plaats gehad hebben van zulk een combinatie van zulk een ovenbehandelings-proces onder het bewerkstelligd zyn van een vloeibare laag van deze di-electrische substantie en een daarop volgend afkoel-proces onder de vorming van een vaste conditie van zulk een semiconductor 5 laag.

17. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daartoe tenminste mede zulk een nanometer hoge di-electrische laag ervan in deze 10 semiconductor tunnel-opstelling is bewerkstelligd door in een stripvormige medium-toevoersectie van het boventunnelblok ervan het ononderbroken plaats gehad hebben van de toevoer van de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en nanometer grote deeltjes van zulk 15 een di-electrische substantie en met behulp van een daarop volgende stripvormige trillende warmtebron, typisch een transducer-opstelling , daarmede tenminste mede onder het begin-gedeelte ervan het geleidelijk plaats gehad hebben van een steeds verdere verdamping van dit laag-20 kokend vloeibare medium met een gelijktijdige afvoer van dit verdampte medium in een daarop volgende stripvormige afvoer-sectie onder het daarbij gepaard gehad hebben van een in voldoende mate gelijkmatige neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs 25 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder het verkregen zijn van zulk een typisch nanometer hoge laag van deeltjes van deze di-electrische substantie.

18. Semiconductor chip volgens de Conclusie 17, met het kenmerk, dat daarbij zulk een trillende warmtebron een 30 typisch tenminste hoog-frequent trillend stripvormig drukwand-gedeelte is van dit boventunnelblok en waarbij typisch met behulp van een roterende nokkenas-opstelling, welke is opgenomen in een stripvormig drukkamer-gedeelte van dit blok.het plaats gehad hebben van een snelle 35 neerwaartse en een daarop volgende langzame opwaartse verplaatsing ervan.

19. Semiconductor chip volgens de Conclusie 17 of 18, met het kenmerk, dat deze semiconductor tunnel-opstelling verder zodanig is uitgevoerd, dat daarby mede met behulp van dit ontwikkelde dampvormige medium in combinatie met deze trillende stripvormige verwarmings-inrichting als trillende drukwand het daarbij onderhouden zijn van een 5 contactloze conditie van zulk een opgebrachte laag di-electrische substantie met het zich erboven bevindende boventunnelblok-gedeelte en zulks ook in deze daarop volgende stripvormige oven- en afkoelsectie.

20. Semiconductor chip volgens de Conclusie 19, met het 10 kenmerk, dat mede daartoe het onderhouden geweest zijn van de hoogte van het gedeelte van de bovenspleet, volgend op deze stripvormige medium-toevoersectie voor deze combinatie van laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes di-electrische substantie, welke groter geweest is dan de 15 breedte van deze toevoer-sectie in de lengterichting van deze tunnel-opstelling.

21. Semiconductor chip volgens de Conclusie 19, met het kenmerk, dat daarbij daartoe tenminste onder deze stripvormige trillende warmtebron het toegepast zijn van een 20 toenemende hoogte van dit zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte en zulks typisch tot tenminste deze daarop volgende medium-afvoersectie.

22. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij na het in deze 25 tunnel-opstelling bewerkstelligd zijn van zulk een di-electrische laag-opbouw op de opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes in een daarop volgende stripvormige tunnel-sectie het ononderbroken plaats gehad hebben van een vlakheids-behandeling ervan 30 met behulp van het gedeelte van een roterende afschraap-inrichting, welke zich bevindt in de centrale sectie van het boventunnelblok.

23. Semiconductor chip volgens de Conclusie 22, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij 35 in het bijzonder voor de onderste di-electrische laag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het plaats gehad hebben van een zodanig aantal herhalingen van zulk een combinatie van een laag-opbouw en een daarop volgend afschraap-proces van het hoogste gedeelte ervan, dat tenslotte een in voldoende mate vlakke conditie was bewerkstelligd.

24. Semiconductor chip volgens de Conclusie 23, met het 5 kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij eveneens voor de bovenste opgebrachte di-electrische laag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met behulp van zulk een afschraap-proces het eveneens bewerkstelligd zijn van zulk een in voldoende mate vlakheid 10 ervan ten behoeve van in een daarop volgend gedeelte van deze tunnel-opstelling na het opgebracht zijn van een um hoge belichtingslaag in daarop volgende tunnel-gedeeltes het daarin bewerkstelligd zijn van multi typisch nanometer brede en diepe, met metaal gevulde groeven (crevices) onder 15 het verkregen zijn van een semiconductor electrische schakelings-laag met electrische aansluit-gedeeltes daarop.

25. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de hoogte van zulk een enkele, op deze opvolgende semiconductor substraat- 20 gedeeltes opgebrachte di-electrische tussenlaag minder dan 2 pm bedraagt.

26. Semiconductor chip volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat daarbij de hoogte van zulk een enkele opgebrachte semiconductor tussenlaag minder dan 500 nanometer, typisch 25 minder dan 300 nanometer bedraagt.

27. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor zulke opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes in een gedeelte van deze tunnel-opstelling het bewerkstelligd zijn van een 30 in voldoende mate vlakke onderwand ervan onder toepassing van een ondertunnelblok, waarvan de bovenwand ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte in tenminste de dwarsrichting ervan in daartoe toereikende mate vlak was.

28. Semiconductor chip volgens de Conclusie 27, met het kenmerk, dat daarbij daartoe deze bovenwand-sectie van het ondertunnelblok minder dan 50 nanometer onvlak was.

29. Semiconductor chip volgens de Conclusie 27 of 28, met het kenmerk, dat daarbij mede daartoe in de opvolgende onderspleet-gedeeltes van de tunnel-doorgang onder de gehele onderwand van de opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes geen aanwezigheid 5 geweest was van een laag vloeibaar medium.

30. Semiconductor chip volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in de opvolgende onderspleet-gedeeltes van de tunnel-doorgang onder de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het toegepast was van 10 gasvormig medium onder tenminste een aanzienlek gedeelte ervan, met het plaatselijk onderhouden gehad hebben van een mechanisch contact van deze substraat-gedeeltes met deze ultra vlakke centrale bovenwand-gedeeltes van het ondertunnelblok.

31. Semiconductor chip volgens de Conclusie 30, met het kenmerk, dat daarbij daartoe ter plaatse van zulk een tunnel-gedeelte het continue onderhouden gehad hebben van een hogere druk van de mediums in de opvolgende bovenspleet-gedeeltes dan in de zich eronder bevindende onderspleet-20 gedeeltes.

32. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daartoe in deze tuunel-opstelling het ononderbroken bewerkstelligd was van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende 25 tenminste nanometer brede, met metaal gevulde semiconductor groeven in de di-electrische bovenlaag ervan en electrische aansluit-gedeeltes ervoor, daarbij in een in deze semiconductor installatie opgenomen inrichting achter de uitgang van deze tunnel-opstelling door het ononderbroken 30 plaats gehad hebben van deling van deze daarin ononderbroken toegevoerde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan het bewerkstelligd zyn van opvolgende, in dwarsrichting naast elkaar gelegen groepen chips aan de uitgangszijde ervan.

33. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een stripvormig drukcompartiment van het ondertunnelblok onder een stripvormig drukwand-gedeelte ervan de opname van een roterende nokkenas-opstelling ten behoeve van het typisch hoog-frequent trillend op en neer verplaatsen van dit drukwand-gedeelte en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor 5 substraat-gedeeltes, in deze tunnel-opstelling het daarmede in stripvormige bovenspleet-secties plaats gehad hebben van een aantal semiconductor behandelingen met behulp van semiconductor behandelings-medium van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van het 10 bijgedragen hebben in een optimale conditie ervan aan de uitgang van deze tunnel-opstelling en daarmede van deze daaruit verkregen semiconductor chip.

34. Semiconductor chip volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in een aantal stripvormige 15 bovenspleet-secties het ononderbroken plaats gehad hebben van een optimale neerslag van in een voorgaande stripvormige sectie van het boventunnelblok plaats gehad hebbende toevoer van tenminste mede semiconductor behandelings-medium met behulp van een snelle opwaartse -20 en een daarop volgende langzame neerwaartse verplaatsing van deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

35. Semiconductor chip volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in een aantal al dan niet 25 opvolgende stripvormige bovenspleet-secties het ononderbroken plaats gehad hebben van een reinigingsproces van de in een voorgaande stripvormige bovenspleet-sectie plaats gehad hebbende behandelde semiconductor bovenlaag van de opvolgende onderlangs verplaatsende 30 semiconductor substraat-gedeeltes met behulp van in een voorgaande stripvormige toevoer-sectie plaats gehad hebbende toevoer van tenminste mede de combinatie van verdampbaar vloeibaar draagmedium en reinigingsmedium en afvoer van tenminste mede dit reinigingsmedium in een 35 daarop volgende stripvormige afvoer sec tie en waarbij typisch een plaats gehad hebbende langzame opwaartse - en een daarop volgende snelle neerwaartse verplaatsing ervan.

36. Semiconductor chip volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in typisch een aantal opvolgende stripvormige bovenspleet-secties het tenminste bijgedragen hebben in een daarin plaats gehad hebbend ets-proces van een belicht semiconductor bovenlaag-gedeelte 5 van de opvolgende,eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, waarbij typisch het plaats gehad hebben van een snelle opwaartse - en een daarop volgend langzame neerwaartse verplaatsing ervan en zulks met behulp van in tenminste één voorgaande stripvormige toevoer sectie in dit 10 boventunnelblok plaats gehad hebbende toevoer van tenminste verdampbaar vloeibaar draagmedium en ets-medium en in tenminste één afvoersectie in dit blok afvoer van tenminste mede dit ets-medium.

37. Semiconductor chip volgens één der voorgaande 15 Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een stripvormig druk-compartiment van het boventunnelblok boven een stripvormig drukwand-gedeelte ervan de opname van een roterende nokkenas-opstelling ten behoeve van het typisch hoog-frequent trillend op en neer verplaatsen van 20 dit drukwand-gedeelte, in deze tunnel-opstelling het daarmede in stripvormige bovenspleet-secties plaats gehad hebben van een aantal semiconductor behandelingen van deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes met behulp van in een 25 voorgaande stripvormige toevoer-sectie in dit blok toegevoerde combinatie van laag kokend vloeibaar draagmedium en semiconductor behandelings-medium en in een volgende afvoer-sectia afvoer vso tsnainste nede een gedeelte van dit behandelings-medium ten behoeve van het 30 tenminste mede eveneens bijgedragen hebben in een optimale conditie ervan aan de uitgang van deze tunnel-opstelling en daarmede van deze daaruit verkregen semiconductor chip.

38. Semiconductor chip volgens de Conclusie 37, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in een aantal stripvormige 35 bovenspleet-secties het ononderbroken plaats gehad hebben van een optimale neerslag van in een voorgaande stripvormige sectie van het boventunnelblok plaats gehad hebbende toevoer van tenminste mede semiconductor behandelings-medium met behulp van een langzame opwaartse -en een daarop volgend snelle neerwaartse verplaatsing van zulk een stripvormig drukwand-gedeelte.

39. Semiconductor chip volgens de Conclusie 37, met het 5 kenmerk, dat daarbij daartoe in een aantal al dan niet opvolgende stripvormige bovenspleet-secties het ononderbroken plaats gehad hebben van een reinigingsproces van de in een voorgaande bovenspleet-sectie behandelde semiconductor bovenlaag van de opvolgende 10 eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat- gedeeltes met behulp van in een voorgaande stripvormige toevoer-sectie in dit boventunnelblok ononderbroken plaats gehad hebbende toevoer van tenminste mede reinigings-medium en afvoer van tenminste mede dit reinigings-medium 15 en afvoer van tenminste mede dit reinigings-medium en waarbij daartoe een langzame neerwaartse - en een daarop volgende snelle opwaartse verplaatsing van dit stripvormige drukwand-gedeelte met behulp van deze roterende nokkenas-opstelling. 20 kenmerk, dat daarbij daartoe in typisch een aantal opvolgende stripvormige bovenspleet-secties het tenminste bijgedragen hebben in een daarin plaats gehad hebbend ets-proces van een belichte semiconductor bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende 25 semiconductor substraat-gedeeltes met behulp van in een voorgaande stripvormige toevoer-sectie in dit boventunnelblok ononderbroken plaats gehad hebbende toevoer van tenminste mede dit ets-medium en waarbij typisch onderhouden zijn van een langzame opwaartse - en een daarop 30 volgend snelle neerwaartse verplaatsing ervan.

41. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, het het kenmerk, dat daarbij de hoogte ervan minder dan 0,2 mm bedraagt.

42. Semiconductor chip volgens één der voorgaande

35 Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze slechts één di-electrische totaal-laag bevat en waarbij in het boven-gedeelte ervan de opname van multi met een metaal gevulde typisch nanometer brede groeven, welke met elkaar zijn doorverbonden onder het verkregen zijn van een electrise he schakeling met electrische aansluit-gedeeltes ervan.

43. Semiconductor chip volgens één der voorgaande 5 Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze daarbij meerdere boven elkaar gelegen di-electrische lagen bevat, waarbij in de boven-topography van elke laag de opname van multi met metaal gevulde typisch nanometer brede groeven, welke met elkaar zijn 10 doorverbonden onder het verkrijgen van een electrische schakeling, de electrische schakelingen in deze lagen met tenminste nagenoeg verticale doorverbindings-groeven met elkaar zijn verbonden en de bovenste electrische schakeling electrische aansluit-gedeeltes bevat.

44. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij zulk een di-electrische totaal-laag bestaat uit een aantal, in deze tunnel-opstelling opgebouwde boven elkaar gelegen pm hoge lagen in samengesmolten toestand ervan en zulk een laag is 20 bewerkstelligd uit (sub) um grote deeltjes van een di- electrische substantie, waarbij daartoe in een stripvormige toevoer-sectie van het boventunnelblok ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan het ononderbroken plaats gehad hebben van een ononderbroken 25 toevoer van de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en zulke deeltjes semiconductor substantie, in een daarop volgende stripvormige sectie met behulp van een daarin opgenomen tril-element, welke tevens fungeert als warmtebron, het plaats gehad hebben van verdamping van het 30 laag-kokende vloeibare draagmedium met een ononderbroken afvoer van de bewerkstelligde damp in een daarop volgende stripvormige medium-afvoer sectie in het boventunnelblok onder het vervolgens plaats gehad hebben van een tenminste nagenoeg gelijkmatige neerslag van deze deeltjes, in een 35 daarop volgende stripvormige oven-sectie het plaats gehad hebben van een zodanig geringe warmte-toevoer, dat tenminste nagenoeg uitsluitend het gebracht zijn van deze deeltjes in een samengesmolten toestand ervan en hechting ervan op de voorgaande opgebrachte di-electrische laag heeft plaats gevonden en voor de onderste laag een al dan niet verankering ervan op een reeds opgebrachte tussenlaag hecht-substantie en typisch in een daarop volgende 5 stripvormige afkoel-sectie het ononderbroken plaats gehad hebben van afkoeling ervan onder het bewerkstelligd zijn van een vaste toestand ervan.

45. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze bestaat uit een 10 in tenminste voldoende mate hitte-bestendige kunststof, typisch teflon, onderlaag en een in deze tunnel-opstelling daarop opgebrachte en zulks daarmede al dan niet met een (sub) pm hoge tussenlaag hecht-substantie verankerde di-electrische laag, bevattende tenminste mede zulke met 15 metaal gevulde semiconductor groeven in het boven-gedeelte ervan.

46. Semiconductor chip volgens de Conclusie 45, met het kenmerk, dat daarbij zulk een di-electrische laag een semiconductor tussenlaag is.

47. Semiconductor chip volgens de Conclusie 45, met het kenmerk, dat daarbij zulk een di-electrische laag de di-electrische bovenlaag is.

48. Semiconductor chip volgens de Conclusie 45, met het kenmerk, dat daarbij zulk een semiconductor onderlaag een 25 relatief dikke kunststof-folie is, welke daartoe ononderbroken is aangevoerd vanaf een folie-opslagrol nabij de ingangszijde van deze tunnel-opstelling.

49. Semiconductor chip volgens de Conclusie 48, met het kenmerk, dat daarop in een stripvormig gedeelte van deze 30 tunnel het opgebracht zijn van een jim hoge laag vloeibare hecht-substantie op zulk een semiconductor onderlaag.

50. Semiconductor chip volgens de Conclusie 49, met het kenmerk, dat daarbij op zulk een semiconductor hechtlaag het opgebouwd zijn van een jim hoge metalen tussenlaag.

51. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij zulk een in deze tunnel-opstelling opgebouwde tussenlaag hecht-substantie is bewerkstelligd uit nanometer grote deeltjes ervan en waarbij daartoe in een stripvormige toevoer-sec tie van het boventunnelblok ter plaatse van het centrale semiconductor hehandelings-gedeelte ervan het ononderbroken plaats gehad hebben van een ononderbroken toevoer van de 5 combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en zulke deeltjes, in een daarop volgende stripvormige sectie met behulp van een daarin opgenomen tril-element, tevens fungerend als warmtebron, het plaats gehad hebben van verdamping van dit laag-kokend vloeibare medium met 10 een ononderbroken afvoer ervan via een stripvormige medium-afvoersecie in dit blok onder het plaats gehad hebben van een gelgkmatige neerslag van deze deeltjes, in een daaropvolgende stripvormige ovensectie van dit blok het plaats gehad hebben van een zodanig geringe warmte-toevoer, dat 15 tenminste nagenoeg uitsluitend het gebracht zijn van deze deeltjes in een samengesmolten toestand ervan en in een daarop volgende stripvormige afkoel-sectie het ononderbroken plaats gehad hebben van afkoeling ervan.

52. Semiconductor chip volgens één der voorgaande 20 Conclusies, met het kenmerk, dat deze bestaat uit tenminste een metalen onderlaag en een in deze tunnel-opstelling daarop opgebrachte en daarmede al dan niet met een (sub) urn hoge tussenlaag hecht-substantie verankerde di-electrische laag, bevattende tenminste zulke met metaal 25 gevulde semiconductor groeven in het boven-gedeelte ervan . 5.3., Semiconductor chip volgens de Conclusie 51, met het kenmerk, dat daarbij zulk een di-electrische laag een semiconductor tussenlaag is.

54. Semiconductor chip volgens de Conclusie 51, met het 30 kenmerk, dat daarbij zulk een di-electrische laag de di-electrische bovenlaag is.

55. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze tunnel-opstelling op een metalen onderlaag een kunststof tussen- 35 laag verankerd is opgebracht en op deze tussenlaag zulk een di-electrische bovenlaag verankerd is opgebracht.

56. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze mede bestaat uit een papieren onderlaag, welke daartoe ononderbroken is aangevoerd vanaf een folie-opslagrol nabij de ingangszijde van deze tunnel-opstelling en waarbij een di-electrische bovenlaag daarop verankerd is aangebracht. 5 57 . Semiconductor chip volgens de Conclusie 55, met het kenmerk, dat deze verder bestaat uit een in deze tunnel-opstelling op deze papieren onderlaag opgebrachte en daarmede verankerde metalen tussenlaag en waarbij deze di-electrische bovenlaag verankerd is op deze metalen 10 tussenlaag.

58. Semiconductor chip volgens de Conclusie 55 of 56, met het kenmerk, dat deze verder bestaat uit tenminste één in deze tunnel-opstelling opgebrachte di-electrische tussenlaag, typisch bestaande uit een aantal samen- 15 gesmolten lagen en bevattende eveneens zulke met metaal gevulde groeven in de boven-topography ervan, welke in deze tunnel-opstelling met behulp van met metaal gevulde verbindings-groeven zijn doorverbonden met de in deze di-electrische bovenlaag bewerkstelligde.met metaal 20 gevulde groeven.

59. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze bestaat uit een metalen folie-gedeelte als semiconductor onderlaag ervan, een daarop opgebrachte en daarmede verankerde kunststof 25 folie als semiconductor tussenlaag en daarop tenminste een daarmede verankerde di-electrische bovenlaag, bevattende tenminste mede zulke met metaal gevulde groeven in de boven-topography ervan.

60. Semiconductor chip volgens één der voorgaande 30 Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor deze opgebouwde semiconductor lagen het mogelijk toegepast zijn van elke geschikte semiconductor substantie ten behoeve van het gebruik gemaakt hebben ervan als typisch nanometer grote semiconductor deeltjes en zulks typisch in 35 combinatie met vloeibaar draagmedium onder een ononderbroken toevoer ervan.

61. Semiconductor chip volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat zoals in een inrichting achter de tunnel-opstelling het plaats gehad hebben van verwijdering van de opvolgende folie- of band-gedeeltes als tijdelijke semiconductor onderlaag van de opvolgende erdoorheen 5 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes met aldus het bewerkstelligd zijn van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met een di-electrische onderlaag ervan, daar bij in een volgend gedeelte van deze inrichting door het bewerkstelligd delen ervan het verkregen zijn van een 10 uitvoering ervan met een di-electrische onderlaag.

62· Semiconductor chip volgens de Conclusie 60, met het kenmerk, dat deze bevattende een di-electrische onderlaag met daarop een metalen tussenlaag.

63. Werkwijze ten behoeve van de bewerkstelliging van 15 een semiconductor chip, met het kenmerk, dat daarbij tenminste de eindfase van de vervaardiging ervan plaats vindt in tenminste mede een semiconductor installatie.

64. Werkwijze volgens de Conclusie 63, met het kenmerk, dat daarbij in zulk een semiconductor installatie zulk een 20 semiconductor chip wordt bewerkstelligd in een inrichting ervan uit, gezien in de lengterichting van deze installatie, opvolgende, tenminste mede daarin bewerkstelligde semiconductor substraat-gedeeltes.

65. Werkwijze volgens de Conclusie 64, met het kenmerk, 2. dat daarbij zulke opvolgende semiconductor substraat- gedeeltes uitsluitend worden bewerkstelligd in deze semiconductor installatie,

66. Werkwwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daartoe in deze semiconductor 30 installatie de opname van een semiconductor substraat transf er/behandelingstunnel-opstelling, daarbij tijdens de werking van deze installatie daarin het tenminste nagenoeg ononderbroken plaats vindt van een gelijkmatige lineaire verplaatsing van deze opvolgende semiconductor 35 substraat-gedeeltes erdoorheen vanaf tenminste nagenoeg de ingangszijde naar de uitgangszijde ervan.

67. Werkwijze volgens de Conclusie 66, met het kenmerk, dat daarbij daartoe deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes ononderbroken aaneengesloten zijn in deze semiconductor tunnel-opstelling.

68. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste mede voor zulke 5 opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het gebruik gemaakt wordt van een tijdens de werking van deze semiconductor tunnel-opstelling ononderbroken daarin via de ingang ervan ononderbroken toegevoerde folie met een geringe dikte als een tenminste tijdelijke semiconductor 10 onderlaag ervan.

69. Werkwijze volgens de Conclusie 68, met het kenmerk, dat zoals daartoe deze semiconductor installatie vóór de ingang van deze daarin opgenomen semiconductor tunnel-opstelling een folie- opslagról bavatvoor de opslag van 15 zulk een folie met een dikte ervan typisch minder dan 0,1 mm en een opslag-capaciteit van typisch tenminste 10 000 meter ervan, daardoor het zeer langdurig onderhouden van een ononderbroken aanvoer van opvolgende folie-gedeeltes naar deze tunnel-opstelling.

70. Werkwijze volgens de Conclusie 66, met het kenmerk, dat zoals daartoe in deze tunnel-opstelling het toegepast worden van een ononderbroken metalen semiconductor substraat-draag/transferband als tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende erdoorheen 25 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met een rol-opstelling nabij de in- en uitgangszijde ervan en een aandrijf-inrichting ten behoeve van het verdraaien van deze achterrol, daarmede tijdens de werking van deze tunnel-opstelling een ononderbroken verplaatsing 30 van de opvolgende band-gedeeltes erdoorheen wordt onderhouden.

71. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste mede daartoe het toepassen van tenminste enige van de semiconductor 35 werkwijzen, welke zijn aangegeven en omschreven in de gelijktijdig met deze Nederlandse Octrooi-aanvrage door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvrage betreffende zulk een semiconductor installatie, een Octrooi-aanvrage betreffende de semiconductor faciliteit, waarin deze semiconductor installatie is opgenomen en een Octrooi-aanvrage betreffende een stripvormige toevoer-inrichting voor tenminste mede semiconductor 5 behandelings-medium.

72. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze tunnel-opstelling het ononderbroken bewerkstelligen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met een hoogte van 10 typisch 'minder dan 0,2 mm en daarmede van de daaruit verkregen semiconductor chips in de daarachter opgenomen inrichting.

73. Werkwijze volgens de Conclusie 72, met het kenmerk, dat daarbij tenminste mede daartoe in een stripvormig 15 gedeelte van deze tunnel-opstelling ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan het ononderbroken bewerkstelligen van een typisch nanometer hoge laag van deeltjes van een semiconductor di-electrische substantie, waarna in een daarop volgend 20 semiconductor behandelings-gedeelte het ononderbroken plaats vinden van een oven — behandeling van de opvolgende gedeeltes van deze laag onder het verkrijgen van een samengesraolten conditie ervan en in een volgende stripvormige sectie het ononderbroken plaats vinden van 25 een afkoel-proces onder de bewerkstelliging van deze laag in een vaste toestand ervan als deel van zulk een semiconductor chip.

74. Werkwijze volgens volgens de Conclusie 73, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in deze semiconductor tunnel- 30 opstelling het plaats vinden van de opbouw van een aantal van deze in opvolgende stripvormige secties opgebrachte nanometer hoge lagen, met typisch na elk van deze opgebrachte lagen het ononderbroken plaats vinden van zulk een combinatie van een oven- en een daarop volgend 35 afkoel-proces .

75. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de hoogte van zulk een opgebrachte di-electrische laag minder dan 5 um bedraagt.

76. Werkwijze volgens de Conclusie 75, met het kenmerk, dat daar bij de hoogte van zulk een opgebrachte di-electrische laag minder dan 500 nanometer bedraagt.

77. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, 5 met het kenmerk, dat daarbij pas na het opbouwen van een aantal van zulke boven elkaar gelegen di-electrische lagen onder toepassing van de combinatie van zulk een stripvormige medium-toevoersectie, trillende verdampings-inrichting en medium-afvoersectie, het eveneens plaats 10 vinden van zulk een combinatie van zulk een ovenbehandelings-proces onder het bewerkstelligen van een vloeibare laag van deze di-electrische substantie en een daarop volgend afkoel-proces onder de vorming van een vaste conditie van zulk een semiconductor laag.

78. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij daartoe tenminste mede zulk een nanometer hoge di-electrische laag in deze tunnel-opstelling wordt bewerkstelligd door in een stripvormige medium-toevoersectie van het boventunnelblok ervan het 20 ononderbroken plaats vinden van de toevoer van de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en nanometer grote deeltjes van zulk een di-electrische substantie en met behulp van een daarop volgende stripvormige trillende warmtebron, typisch een transducer-25 opstelling, tenminste mede onder het begin-gedeelte van deze opstelling het gelei del ijk plaats vinden van een steeds verdere verdamping van dit laag-kokende vloeibare medium met een gelijktijdige afvoer van dit verdampte medium in een daarop volgende stripvormige afvoer-sectie 30 onder het daarbij gepaard gaan van een in voldoende mate gelijkmatige neerslag van deze deeltjes op de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes onder de bewerkstelliging van zulk een typisch nanometer hoge laag van deeltjes van deze 35 di-electrische substantie.

79. Werkwijze volgens de Conclusie 78, met het kenmerk, dat zoals daarbij zulk een trillende warmtebron een typisch tenminste hoog-frequent trillend stripvormig drukwand- gedeelte is van dit boventunnelblok en waarbij typisch met behulp van een roterende nokkenas-opstelling, welke is opgenomen in een stripvormig drukkamer-gedeelte van dit blok, het plaats vinden van een snelle neerwaartse en 5 een daarop volgende langzame opwaartse verplaatsing ervan.

80. Werkwijze volgens de Conclusie 78 of 79, met het kenmerk, dat daarbij mede met behulp van dit ontwikkelde dampvormige medium in combinatie met deze trillende stripvormige verwarmings-inrichting als trillende 10 drukwand het daarbij onderhouden van een mechanisch contactloze conditie van zulk een opgebrachte laag di-electrische substantie met het zich erboven bevindende boventunnelblok-gedeelte en zulks ook in deze daarop volgende stripvormige oven- en afkoelsctie.

81. Werkwijze volgens de Conclusie 80, met het kenmerk, dat mede daartoe het onderhouden van een hoogte van het gedeelte van de bovenspleet, volgend op deze stripvormige medium-toevoersectie voor deze combinatie van laagkokend vloeibaar draagmedium en deeltjes di-electrische 20 substantie, welke groter is dan de breedte van deze toevoer sectie in de lengterichting van deze tunnel-opstelling .

82. Werkwijze volgens de Conclusie 80 of 81, met het kenmerk, dat daarbij daartoe tenminste mede onder deze 25 stripvormige trillende warmtebron het toepassen van een toenemende hoogte van dit zich eronder bevindende bovenspleet-gedeelte en zulks typisch tot tenminste deze daarop volgende medium-afvoersectie.

83. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 30 het kenmerk, dat daarbij na het in deze tunnel-opstelling bewerkstelligen van zulk een di-electrische laag-opbouw op de opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes in een daarop volgende stripvormige tunnel-sectie het ononderbroken plaats vinden van een 35 vlakheids-behandeling ervan met behulp van het gedeelte van een roterende afschraap-inrichting, welke zich bevindt in de centrale sectie van het boventunnelblok.

84. Werkwijze volgens de Conclusie 83, met het kenmerk, dat daar bij in het bijzonder voor de onderste di-electrische laag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het plaats vinden van een zodanig aantal herhalingen van zulk een combinatie van een laag-opbouw en een daarop 5 volgend afschraap-proces van het hoogste gedeelte ervan, dat tenslotte een in voldoende mate vlakke conditie van deze totaal-laag wordt bewerkstelligd.

85. Werkwijze volgens de Conclusie 84, met het kenmerk, dat daar bij eveneens voor de bovenste op gebrachte 10 di-electrische laag van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met behulp van zulk een afschraap-proces het eveneens bewerkstelligen van zulk een in voldoende mate vlakheid ervan ten behoeve van in een daarop volgend gedeelte van deze tunnel-opstelling na het 15 opbrengen van een um hoge belichtingslaag in daarop volgende tunnel-gedeeltes het bewerkstelligen van multi typisch nanometer brede en diepe, met metaal gevulde groeven onder het verkrijgen van een semiconductor electrische schakelings-laag met electrische aansluit-20 gedeeltes daarop.

86. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarby de hoogte van zulk een enkele, op deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes opgebrachte di-electrische tussenlaag minder dan 2 pm 25 bedraagt.

87. Werkwijze volgens de Conclusie 86, met het kenmerk, dat daarbij de hoogte van zulk een enkele opgebrachte semiconductor tussenlaag minder dan 500 nanometer, typisch minder dan 300 nanometer bedraagt.

88. Werkwijze volgens één de voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor zulke opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes in een gedeelte van deze tunnel-opstelling het bewerkstelligen van een in voldoende mate vlakke onderwand ervan onder toepassing 35 van een ondertunnelblok, waarvan de bovenwand ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte in tenminste de dwarsrichting ervan in een daartoe toereikende mate vlak is.

89. Werkwijze volgens de Conclusie 88, met het kenmerk, dat daar b ij daartoe deze boven wand-sec tie van het ondertunnelblok tot minder dan 50 nanometer onvlak ia gebracht.

90. Werkwijze volgens de Conclusie 88 of 89, met het kenmerk, dat daarbij mede daartoe in de opvolgende onderspleet-gedeeltes van de tunnel-doorgang onder de gehele onderwand van de opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes geen laag vloeibaar 10 medium is opgebracht.

91. Werkwijze volgens de Conclusie 90, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in de opvolgende onder spleet-gedeeltes van de tunnel-doorgang onder de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het toepassen van gasvormig medium 15 onder tenminste een aanzienlijk gedeelte ervan, met het plaatselijk onderhouden van een mechanisch contact van deze substraat-gedeeltes met deze ultra-vlakke centrale bovenwand-gedeeltes van het ondertunnelblok.

92. Werkwijze volgens de Conclusie 91, met het kenmerk, 20 dat daarbij daartoe ter plaatse van zulk een tunnel- gedeelte het continue onderhouden van een hogere druk van de mediums in de opvolgende bovenspleet-gedeeltes dan van het gasvormige medium in de zich eronder bevindende onderspleet-gedeeltes.

93. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daartoe in deze tunnel-opstelling het ononderbroken bewerkstelligen van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, bevattende tenminste nanometer brede, met metaal gevulde semiconductor groeven 30 in de di-electrische bovenlaag ervan en electrische aansluit-gedeeltes ervoor, daarbij in een in deze semiconductor installatie opgenomen inrichting achter de uitgang van deze tunnel-opstelling door het ononderbroken plaats vinden van deling van deze daarin ononderbroken 35 toegevoerde opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan het bewerkstelligen van opvolgende, in dwarsrichting naast elkaar gelegen groepen van semiconductor chips aan de uitgangszijde ervan.

94. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een stripvormig drukcompartiment van het ondertunnelblok onder een 5 stripvormig drukwand-gedeelte ervan de opname van een roterende nokkenas-opstelling ten behoeve van het typisch hoog-frequent trillend op en neer verplaatsen van dit drukwand-gedeelte en daarmede van de opvolgende, ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor 10 substraat-gedeeltes, in deze tunnel-opstelling het daarmede in stripvormige bovenspleet-secties plaats vinden van een aantal semiconductor behandelingen met behulp van semiconductor behandelings-medium van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van het 15 bijdragen in een optimale conditie ervan aan de uitgang van deze tunnel-opstelling en daarmede van de daaruit te verkrijgen semiconductor chips.

95. Werkwijze volgens de Conclusie 94, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in een aantal stripvormige bovenspleet- 20 secties het ononderbroken plaats vinden van een optimale neerslag van in een voorgaande stripvormige sectie van het boventunnel blok plaatsgehad hebbende toevoer van tenminste mede semiconductor behandelings-medium met behulp van een snelle opwaartse - en een daarop volgende langzame 25 neerwaartse verplaatsing van deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

96. Werkwijze volgens de Conclusie 94, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in een aantal al dan niet stripvormige bovenspleet-secties het ononderbroken plaats 30 vinden van een reinigings-proces van de in een voorgaande stripvormige bovenspleet-sectie behandelde semiconductor bovenlaag van de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes met behulp van in een voorgaande stripvormige toevoer-sectie plaats vinden van 35 toevoer van tenminste mede de combinatie van verdampbaar vloeibaar draagmedium en reinigingsmedium en afvoer van tenminste mede dit reinigingsmedium in een daarop volgende stripvormige af voer sec tie en waar bij typisch een daarbij plaats vindende langzame opwaartse - en een daarop volgende snelle neerwaartse verplaatsing ervan.

97. Werkwijze volgens de Conclusie 94, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in typisch een aantal opvolgende 5 stripvormige bovenspleet-secties het tenminste bijdragen in een daarin plaats vindend ets-proces van een belicht semiconductor bovenlaag-gedeelte van de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, waarbij typisch het plaats vinden van een 10 snelle opwaartse - en een daarop volgende langzame neerwaartse verplaatsing ervan en zulks met behulp van in tenminste één voorgaande stripvormige toevoersectie in dit boventunnelblok plaats gehad hebbende toevoer van tenminste verdampbaar vloeibaar draagmedium en ets-medium en in 15 tenminste één afvoersectie in dit blok afvoer van tenminste mede dit ets-medium.

98. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een stripvormig druk-compartiment van het boventunnelblok boven een stripvormig 20 drukwand-gedeelte ervan de opname van een roterende nokkenas-opstelling ten behoeve van het typisch hoogfrequent trillend op en neer verplaatsen van dit drukwand-gedeelte, in deze tunnel-opstelling het daarmede in stripvormige bovenspleet-secties plaats vinden van een 25 aantal semiconductor behandelingen van deze opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes met behulp van in een voorgaande stripvormige toevoer-sectie in dit blok toegevoerde combinatie van laag kokend vloeibaar draagmedium en 30 semiconductor behandelings-medium en in een volgende afvoer-sectie afvoer van tenminste mede een gedeelte van dit behandelings-medium ten behoeve van het tenminste mede eveneens bijdragen in een optimale conditie ervan aan de uitgang van deze tunnel-opstelling en daarmede van deze 35 daaruit te bewerkstelligen semiconductor chips.

99. Werkwijze volgens de Conclusie 98, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in een aantal stripvormige bovenspleet-secties het ononderbroken plaats vinden van een optimale neerslag van in een voorgaande stripvormige sectie van het boventunnelblok plaats gehad hebbende toevoer van tenminste mede semiconductor behandelings-medium met behulp van een langzame opwaartse - en een daarop 5 volgende snelle neerwaartse verplaatsing van zulk een stripvormig drukwand-gedeelte.

100. Werkwijze volgens de Conclusie 98, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in een aantal al dan niet opvolgende stripvormige bovenspleet-secties het ononderbroken plaats 10 vinden van een reinigings-proces van de in een voorgaande bovenspleet-sectie behandelde semiconductor bovenlaag van de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes met behulp van in een voorgaande stripvormige toevoer-sectie in dit boventunnelblok 15 ononderbroken plaats gehad hebbende toevoer van tenminste mede reinigings-medium en waarbij typisch daartoe een langzame neerwaartse - en een daarop volgende snelle opwaartse verplaatsing van dit stripvormige drukwand-gedeelte van het boventunnelblok met behulp van deze 20 roterende nokkenas-opstelling.

101. Werkwijze volgens de Conclusie 98, met het kenmerk, dat daarbij daartoe in typisch een aantal opvolgende stripvormige bovenspleet-secties het tenminste bijdragen in een daarin plaats vindend ets-proces van een belichte 25 semiconductor bovenlaag van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes met behulp van in een voorgaande stripvormige toevoer-sectie in dit boventunnelblok ononderbroken plaats gehad hebbende toevoer van tenminste mede dit ets-30 medium en waar bij typisch het onderhouden van een langzame opwaartse - en een daarop volgende snelle neerwaartse verplaatsing ervan.

102. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de hoogte van de bewerkstelligde 35 semiconductor chip minder dan 0,2 mm bedraagt.

103. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes slechts één di-electrische totaal- laag bevatten, daarbij in het boven-gedeelte ervan de bewerkstelliging van multi met een metaal gevulde typisch nanometer brede groeven, welke met elkaar zijn doorverbonden onder het verkrijgen van een electrische 5 schakeling met electrische aansluit-gedeeltes ervan en aldus het bewerkstelligen van semiconductor chips met slechts éen di-electrische laag tevens als - bovenlaag.

104. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze opvolgende semiconductor 10 substraat-gedeeles en daarmede zulke semiconductor chips daarbij meerdere boven elkaar gelegen di-electr ische lagen bevatten, daarbij in de boven-topography van elke laag de bewerkstelliging van multi met metaal gevulde typisch nanometer brede groeven, welke met elkaar zijn 15 doorverbonden onder het verkrijgen van een electrische schakeling, de electrische schakelingen in deze lagen met tenminste nagenoeg verticale doorverbindings-groeven met elkasr worden verbonden en de bovenste electrische schkeling electrische aansluit-gedeeltes gaan bevatten.

105. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij zulk een di-electrische totaal-laag bestaat uit een aantal, in deze tunnel-opstelling opgebouwde boven elkaar gelegen urn hoge lagen in samengesmolten toestand ervan en zulk een laag wordt 25 bewerkstelligd uit (sub) urn grote deeltjes van een di- electrische substantie, daarbij daartoe in een stripvormige toevoer-sectie van het boventunnelblok ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan het ononderbroken plaats vinden van een ononderbroken toevoer 30 van de combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en zulke deeltjes semiconductor substantie, in een daarop volgende stripvormige sectie met behulp van een daarin opgenomen tril-element, welke tevens fungeert als warmtebron, het plaats vinden van verdamping van het 35 laag-kokende vloeibare draagmedium met een ononderbroken afvoer van de bewerkstelligde damp in een daarop volgende stripvormige medium-afvoer sectie in het boventunnelblok onder het plaats vinden van een tenminste nagenoeg gelijkmatige neerslag van deze deeltjes, in een daarop volgende stripvormige oven-sectie het plaats vinden van een zodanig geringe warmte-toevoer, dat tenminste nagenoeg uitsluitend het brengen van deze deeltjes in 5 een 3amengesmolten toestand en hechting ervan op de voorgaande opgebrachte di-electrische laag plaats vindt en voor de onderste laag een al dan niet definitieve verankering ervan op een reeds typisch op de opvolgende folie- of band-gedeeltes opgebrachte tussenlaag 10 vloeibare hecht-substantie, met typisch in een daarop volgende stripvormige afkoel-sectie het ononderbroken plaats vinden van afkoeling ervan onder de bewerkstelliging van een vaste toestand ervan.

106. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 15 het kenmerk, dat daarbij de bewerkstelliging van zulk een semiconductor chip, welke bestaat uit een in tenminste voldoende mate hitte-bestendige kunststof, typisch teflon, onderlaag en een in deze tunnel-opstelling daarop opgebrachte en een daarmede al dan niet met een 20 (sub) pm hoge tussenlaag hecht-substantie verankerde di-electrische laag, bevattende tenminste mede zulke met metaal gevulde semiconductor groeven in het boven-gedeelte ervan.

107. Werkwijze volgens de Conclusie 106, met het kenmerk, 25 dat daarbij als zulk een di-electrische laag een semiconductor tussenlaag wordt bewerkstelligd.

108. Werkwijze volgens de Conclusie 106, met het kenmerk, dat daarbij als zulk een di-electrische laag de di-electrische bovenlaag wordt bewerkstelligd.

109. Werkwijze volgens de Conclusie 106, met het kenmerk, dat zoals daarbij zulk een semiconductor onderlaag een relatief dikke kunststof-folie is, deze daartoe ononderbroken wordt aangevoerd vanaf een folie-opslagrol nabij de ingangszijde van deze tunnel-opstelling.

110. Werkwijze volgens de Conclusie 109, met het kenmerk, dat daarop in een stripvormig gedeelte van deze tunnel-opstelling het ononderbroken opbouwen van een um hoge laag vloeibare hecht-substantie op de opvolgende erdoorheen verplaatsende folie-gedeeltes.

111. Werkwijze volgens de Conclusie 110, met het kenmerk, dat daarbij in een aantal opvolgende stripvormige secties van deze tunnel-opstelling op zulk een semiconductor 5 hechtlaag het ononderbroken plaats vinden van opbouw van een urn hoge metalen tussenlaag.

112. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij zulk een in deze tunnel-opstelling opgebouwde tussenlaag hecht-substantie wordt 10 bewerkstelligd uit nanometer grote deeltjes ervan en waarbij daartoe in een stripvormige toevoer-sectie van het boventunnelblok ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan het ononderbroken plaats vinden van een ononderbroken toevoer van de combinatie van 15 laag-kokend vloeibaar draagmedium en zulke deeltjes, in een daarop volgende stripvormige sectie met behulp van een daarin opgenomen tril-element, tevens fungerend als warmtebron, het ononderbroken plaats vinden van verdamping van dit laag-kokende vloeibare medium met een 20 ononderbroken afvoer ervan via een daarop volgende stripvormige medium-afvoersectie in dit blok onder het plaats vinden van een in voldoende mate gelijkmatige neerslag van deze deeltjes, in een daarop-volgende stripvormige oven-sectie van dit blok het plaats vinden 25 van een zodanig geringe warmte-toevoer per tijds-eenheid, dat tenminste nagenoeg uitsluitend het brengen van deze deeltjes in een samengesmolten toestand ervan en in een daarop volgende stripvormige afkoel-sectie het ononderbroken plaats vinden van afkoeling ervan.

113. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze bestaat uit tenminste een metalen onderlaag en een in deze tunnel-opstelling daarop opgebrachte en daarmede al dan niet met een (sub) pm hoge tussenlaag hecht-substantie verankerde di-35 electrische laag, deze tenminste zulke met metaal gevulde semiconductor groeven in het boven-gedeelte ervan gaat bevatten.

114. Werkwijze volgens de Conclusie 113, met het kenmerk, dat daarbij zulk een di-electrische laag een semiconductor tussenlaag wordt.

115. Werkwijze volgens de Conclusie 113, met het kenmerk, dat daarbij zulk een di-electrische laag de di-electrische 5 bovenlaag van de opvolgende semiconductor substraat- gedeeltes en daarmede van zulke daaruit bewerkstelligde semiconductor chips wordt.

116. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze tunnel-opstelling op een 10 metalen onderlaag een kunststof tussenlaag verankerd wordt opgebracht en op deze tussenlaag zulk een di-electrische bovenlaag wordt opgebracht.

117. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij zulk een semiconductor chip 15 mede bestaat uit een papieren onderlaag, daartoe de opvolgende papieren folie-gedeeltes ononderbroken worden aangevoerd vanaf een folie-opslagrol nabij de ingangszijde van deze tunnel-opstelling en waarbij een di-electrische bovenlaag 'daarop verankerd wordt aangebracht.

118. Werkwijze volgens de Conclusie 117, met het kenmerk, dat daar bij in deze tunnel-opstelling op deze papieren onderlaag een metalen tussenlaag verankerd wordt opgebracht en waarbij deze di-electrische bovenlaag verankerd wordt opgebracht op deze metalen tussenlaag.

119. Werkwijze volgens de Conclusie 117 of 118, met het kenmerk, dat zoals zulke opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes verder bestaan uit tenminste één in deze tunnel-opstelling opgebrachte di-electrische tussenlaag, typisch bestaande uit een aantal samen- 30 gesmolten lagen en bevattende eveneens zulke met metaal gevulde groeven in de boven-topography ervan, deze groeven met behulp van met metaal gevulde ver bindings-groeven worden doorverbonden met de in deze di-electrische bovenlaag te bewerkstelligen met metaal te 35 vullen groeven.

120. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze bestaat uit een metalen folie-gedeelte als semiconductor onderlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, een daarop opgebrachte en daarmede verankerde kunststof folie-gedeelte als semiconductor tussenlaag en daarop tenminste een daarmede verankerd di-electrisch bovenlaag-gedeelte, 5 deze tenminste mede zulke met metaal gevulde groeven in de boven topography ervan gaat bevatten.

121. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor deze op te bouwen semiconductor lagen het raogelijk toegepast worden van 10 elke geschikte semiconductor substantie ten behoeve van het gebruik maken van typisch nanometer grote deeltjes en zulks typisch in combinatie met vloeibaar of gasvormig draagmedium onder een ononderbroken toevoer ervan.

122. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in een inrichting achter de tunnel-opstelling het ononderbroken plaats vinden van verwijdering van de opvolgende folie- of band-gedeeltes als tijdelijke semiconductor onderlaag van 4e opvolgende 20 erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat- gedeeltes met aldus de bewerkstelliging van opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes met een di-electrische onderlaag ervan, daarbij in een volgend gedeelte van deze inrichting door het daarin delen ervan het verkrijgen van 25 semiconductor chips met een di-electrische onderlaag ervan.

123. Werkwijze volgens de Conclusie 122, met het kenmerk, dat daarbij deze semiconductor chips een di-electrische onderlaag met daarop tenminste mede een metalen 30 tussenlaag gaan bevatten.

124. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij ten behoeve van de bewerkstelliging van zulke semiconductor chips de mogelijke toepassing van elke, in de bestaande 35 semiconductor productie-faciliteiten voor de productie van semiconductor wafers, waaruit door deling ervan het verkrijgen van semiconductor chips, reeds algemeen toegepast wordende semiconductor behandelings-, opbreng- en indring-systernen van semiconductor substanties in een daartoe aangepaste hoedanigheid/ conditie ervan. 1037063