NL1037473C2

NL1037473C2 - Semiconductor tunnel-opstelling, waarin het plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij mede daarin meerdere stripvormige medium toevoer-inrichtingen in ten minste het boventunnelblok ervan zijn opgenomen voor een ononderbroken toevoer van tenminste mede de combinatie van deeltjes van een draagmedium in een gasvormige - of verdampbare vloeibare vorm ervan.

Info

Publication number: NL1037473C2
Application number: NL1037473A
Authority: NL
Inventors: Edward Bok
Original assignee: Edward Bok
Priority date: 2009-11-17
Filing date: 2009-11-17
Publication date: 2011-11-24
Also published as: NL1037473A

Description

Semiconductor tunnel-opstelling, waarin het plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij mede daarin meerdere 5 stripvormige medium toevoer-inrichtingen in tenminste het boventunnelblok ervan zijn opgenomen voor' een ononderbroken toevoer van tenminste mede de combinatie van deeltjes van een draagmedium in een gasvormige - of verdampbare vloeibare vorm ervan.

10

De semiconductor substraat transf-er/behandelings-tunnelopstelling volgens de uitvinding bevat een stripvormige medium-toevoerinrichting, welke tenminste gedeeltelijk is opgenomen in het boventunnelblok ervan ten 15 behoeve van het daarin ononderbroken toevoeren van tenminste de combinatie van deeltjes van een semiconductor draagmedium, deeltjes van een verdampbaar vloeibaar draagmedium..en deeltjes van een semiconductor sqbstantie.

Daarbij daarin typisch tenminste een drietal opvolgende 20 meng-inrichtingen ten behoeve van in de eerste meng- inrichting ervan het mengen van een typisch laag percentage van een vloeibaar draagmedium met tenminste deeltjes van zulk een op te brengen semiconductor substantie, in de tweede, daarop-volgende, typisch eronder gelegen meng-25 inrichting het mengen van deze combinatie met een hoog percentage vloeibaar draagmedium en in de derde, daaropvolgende, typisch eveneens daaronder gelegen meng-inrichting het mengen van deze combinatie met een hoog percentage aanvullend draagmedium.

30 Dit draagmedium kan daarbij bestaan uit vloeibaar - of gasvormig draagmedium, typisch N2.

Bij toepassing van zulk een combinatie van vloeibaar -en gasvormig draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste vorm ervan is een zeer hoog 35 percentage ervan noodzakelijk. .

1037473 2

Zulks, doordat veelal de breedte van de centrale t tunnel-doorgang typisch 200 mm, de verplaatsings-snelheid van de opvolgende substraat—gedeeltes typisch slechts 2 mm per seconde, en de op te brengen hoogte ervan typisch 5 minder dan 20 micrometer is, met aldus het totale toegevoerde volume van deze toegevóerde:. substantie minder dan 8 mm3 per seconde.

B£j een te bewerkstelligen hoogte van een vloeibare hecht-substantie van zelfs, typisch minder dan 1 ;im is aldus 10 een circa 1000-voudig groter toegevoerd volume van deze combinatie ervan met deze draagmediums gewenst-;

Aldus de ideale mogelijke toepassing van de combinatie van vloeibaar - en gasvormig draagmedium.

15 Deze medium-toevoerinrichting is aangegeven in dè Figuur 1.

Figuur 2 toont daarbjj een dwarsdoorsnede ervan en waarbij het aangeven van een groot aantal naast elkaar gelegen medium-afvoergroeven in het onder-gedeelte ervan.

20 Daarbij eveneens in het boventunnelblok achter deze combinatie van de stripvormige medium-toevoerinrichting en de daarop-volgende stripvormige afvoersectie voor dit gasvormige medium de opstelling van een stripvormige verdampings—inrichting, Figuur 3, met daarachter tenminste 25 mede een stripvormige afvoersectie ten behoeve van nagenoeg de gehele afvoer van de combinatie van het gevormde dampvormige medium en een resterend gedeelte van het gasvormige medium.

Daarbij in deze verdampings—inrichting de mogelijke 30 toepassing van een uitwisselbare stripvorraige transducer-opstelling ten behoeve van het tenminste fungeren ervan als een zodanige warmtebron, dat daarmede verdamping van dit typisch laag-kokende vloeibare draagmedium plaats vindt.

.Als gunstig kenmerk van deze inrichting, dat daarbij bij 35 het afvoeren van deze combinatie uit deze medium- toevoerinrichting het daarop-volgende gedeelte van het boventunnelblok reeds een grotere hoogte heeft dan de 3 ' breedte van het onder-afvoergedeelte van deze inrichting en waarbij daarin reeds onmiddellijk het scheiden van het lichte gasvormige medium van de veel zwaardere combinatie van vloeibaar draagmedium en deze deeltjes van een 5 semiconductor substantie plaats vindt.

Dit lichte gasvormige medium komt daarbg gelijk boven deze combinatie terecht onder het in een voldoende mate beletten van neerslag van deze deeltjes tegen het daaropvolgende onderwand-gedeelte van dit boventunnelblok.

10 Dit onder-gedeelte van deze medium-toevoerinrichting is sterk vergroot aangegeven in de Figuren 4, 5 en 6.

Figuur 4 toont reeds sterk vergroot het onder-gedeelte van het medium-toevoergedeelte volgens de Figuur 2 en waarbij onmiddellijk achter het stripvormige toevoer-15 gedeelte een toenemende hoQgte van deze bovenspleet.

Figuur 5 toont nog zeer sterk vergroot zulk een * i onder-gedeelte volgens de Figuur 2 en waarbij het aangeven van het onmiddellijk terecht komen van dit gasvormige draagmedium boven de combinatie van vloeibaar draagmedium 20 en deeltjes van een semiconductor substantie.

Figuur 6 toont als alternatief in het boventunnelblok een stripvormige toevoer-inrichting voor gasvormig slot-medium ten behoeve van het bevorderen van de afvoer van dit gasvormige medium via het voorgaande stripvormige 25 afvoerkanaal.

Figuur 7 toont achter zulk een medium-toevoerinrichting de opname in het boventunnelblok van een uitwisselbare stripvormige electrische verdampings-inrichting ten behoeve van het verdampen van dit vloeibare draagmedium en 30 met afvoer van tenminste mede dit dampvormige medium via de daarop-volgende stripvormige afvoer-sectie in dit blok.

Zoals in de bijgaande, gelijktijdig ingediende Octrooiaanvrage is aangegeven en omschreven, vindt in deze toevoer-inrichting reeds een zodanige gelijkmatige menging 35 van deze semiconductor substantie met het vloeibare draagmedium en vervolgens met dit gasvormige medium plaats, dat daarbij door verdamping van dit typisch laag-kokende vloeibare draagmedium het reeds plaatsvinden van een in een 4 veelal voldoende mate egalisatie-proces van het op de opvolgende substraat—gedeeltes neergeslagen semiconductor deeltjes in een vloeibare — of vaste vorm ervan.

Figuur 8 toont de medium-toevoerinrichting volgens de 5 Figuur 1 en waarbij daarachter in het boventunnelblok de opname van een stripvormige, tijdens de werking van de tunnel-opstelling roterende nokkenas-opstelling,ten behoeve van het opvolgend op— en neerwaarts verplaatsen van het druk-plaat-gedeelte ervan, met daarin de opname 10 van een dunwandige electrische verdampings—inrichting ten behoeve van het met behulp van deze combinatie plaatsvinden van verdamping van zulk een toegevoerd vloeibaar draagmedium.

Tevens is daarbij elke positie van deze roterende 15 nokkenas boven deze drukplaat in de lengterichting ervan mogelijk.

In een alternatieve uitvoering van deze medium-=-toevoerinrichting vindt daarbg in de eerste meng-inrichting het mengen van deeltjes van een al dan niet vaste 20 semiconductor substantie met hoog-kokend vloeibaar medium plaats en waarbij in de eronder gelegen tweede meng-inrichting het mengen van deze combinatie met een hoog percentage laag-kokend vloeibaar draagmedium plaats vindt en in de eronder-gelegen derde meng-inrichting het mengen 25 van deze combinatie met het gasvormige draagmedium geschiedt.

- Daarbij vindt typisch in deze eerste verdampings-inrichting het verdampen van het laag-kokende vloeibare draagmedium plaats, met afvoer van het verdampte laag-kokende vloeibare medium, met in de daarop-volgende 30 verdampings-inrichting verdamping van dit hoog-kokende vloeibare draagmedium.

Verdere bijzonderheden van deze semiconductor tunnel-opstelling volgen uit de hierna volgende beschrijving van de Figuren 1 tot en met 9, bevattende aanvullende details 35 ervan.

Tevens zijn de inrichtingen en werkwijzen van deze tunnel-opstelling mogelijk toepasbaar in de tunnel-opstellingen, welke door de -aanvrager gelijktijdig met deze aanvrage zijn ingediend.

5

Verder mogelijk de toepassing van de inrichtingen en werkwijzen in deze Octrooi-aanvrage in de semiconductor tunnel-opstellingen van de aanvrager, welke op 23 Juni, 1 Juli en 28 Augustus j.1. zijn ingediend.

5 Tevens zijn de in deze Octrooi-aanvragen omschreven inrichtingen en werkwijzen mogelijk toepasbaar in deze semiconductor tunnel-opstelling.

Figuur 1 toont de stripvormige medium- toevoer-10 inrichting 10 van de semiconductor substraat transfer/ behandelings-tunnel 12.

Daarbij óp het cilindrische medium toevoer-compartiment 14 ervan de aansluiting van tenminste één medium toevoer-leiding 16 ten behoeve van het tijdens de 15 werking van deze tunnel-opstelling ononderbroken erdoorheen toevoeren van typisch laag-kokend vloeibaar draagmédium 18 en een medium toevoer-leiding 20 voor de toevoer van de combinatie van typisch hoog-kokend vloeibaar medium 22 en deeltjes 24 van een semiconductor substantie 20 in vloeibare of vaste vorm ervan, welke daartoe ononderbroken wordt aangevoerd vanaf de meng-inrichting.26.

Binnen het kader van de uitvinding is het mogelijk, dat daarbij in zulk een meng-inrichting zulke deeltjes 24 van een semiconductor substantie in vloeibare of vaste vorm 25 ervan zijn opgenomen in een in vergelijking aanzienlijk hoog percentage van dit vloeibare draagmédium 22.

Details van zulk een toevoer-inrichting zijn reeds aangegeven in de Octrooi-aanvrage No. 1037067 van de aanvrager.

30 Dit medium toevoer-compartiment 14 bevindt zich in het uitwisselbare boven-mediumtoevoerblok 34, welke met behulp van schroefbouten en afdichtringen drukdicht is vastgezet op het eveneens stripvormige onder-mediumtoevoerblok 36.

Dit onderblok bestaat daarbij mede uit de tegen elkaar 35 gelegen bloksecties 38 en 40 en waarbij daarin de opname van een groot aantal in dwarsrichting van deze medium toevoer-inrichting naast elkaar gelegen jim wijde en diepe groeven 42, zoals is aangegeven in de Figuur 2 en sterk 6 vergroot in de Figuren 3,4 en 5.

Dit medium-toevoerblok 36 is eveneens met behulp van schroefbouten en O-ringen drukdicht bevestigd op het boventunnelblok 44.

5 Daarbij zijn met behulp van schroefbouten deze ultra- vlakke bloksecties 38 en 40 eveneens in voldoende mate drukdicht tegen elkaar bevestigd.

De smalle onder-uiteinden 46 en 48 van deze bloksecties 38 en 40 strekken zich daarbij in benedenwaartse richting 10 uit tot het stripvormige onderwand-gedeelte 50 van dit boventunnelblok 44.

Tussen het boventunnelblok 44 en het ondértunnelblok 52 bevindt zich het centrale semiconductor behandelings-gedeelte 54, waardoorheen het plaatsvinden van een 15 ononderbroken lineaire verplaatsing onder typisch slechts 2 mm per seconde van de opvolgende-semiconductor substraat-gedeeltes 56, met de ononderbroken folie of band 58 als een tenminste tijdelijke semiconductor onderlaag ervan tijdens de ononderbroken verplaatsing ervan door deze tunnel-20 opstelling.

Onder dit cilindrische compartiment 14 bevindt zich het cilindrische compartiment 28, waarop de aansluiting van tenminste één toevoerleiding 30 voor gasvormig draag-medium 32.

25 Via de toevoergroeven 42 vindt een ononderbroken toevoer van de combinatie van gasvormig medium 32, deeltjes vloeibaar draagmedium 22 en deeltjes 24 van een semiconductor substantie plaats.

Daarbij vindt onder deze toevoer-inrichting in de 30 bovenspleet 60 onmiddellgk tenminste grotendeels afscheiding van het lichte gasvormige medium 32 van deze combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes plaats, hetgeen sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 3.

Zoals is aangegeven in deze Figuur 2, zijn in de beide 35 dwars-uiteinden 64 en 66 van dit ondertoevoerblok 36 de medium-sloten 68 en 70 opgenomen, waarbij via de toevoer-leidingen 72 en 74 de ononderbroken toevoer van gasvormig slotmedium 76 naar de groeven 78 en 80 plaats vindt en via 7 de stripvormige .spleten 82 en 84 afvoer ervan naar de afvoer-groeven 86 en 88, met aansluiting ervan op de afvoer-leidingen 90 en 92, geschiedt.

Deze medium-sloten ten behoeve van het beletten van het 5 ontsnappen van medium uit het centrale medium-toevoer-gedeelte 94 van de bovenspleet 60.

Onmiddellijk achter deze medium-toevoerinrichting 10 in het boventunnelblok 44 de opname van de stripvormige medium-afvoergroef 96, welke zich ter plaatse van het 10 centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling uitstrekt in dwarsrichting ervan, met daarop de aansluiting van tenminste één medium "afvoer-leiding 98 ten behoeve van de afvoer van tenminste het grootste gedeelte van het toegevoerde gasvormige draag-15 medium 12.

Dit afvoer-gedeelte is sterk vergroot aangegeven in de Figuren 1A en 3.

In een gunstige uitvoering van dit afvoer-systeem voor het gasvormige medium 32 vindt in de daarop-volgende medium-20 toevoergroef 100, welke eveneens is opgenomen in het boventunnelblok 44, de ononderbroken toevoer van typisch hetzelfde gasvormige medium 32 plaats onder het bewerkstelligen van het stripvormige medium-slot 102.

Zulks ten behoeve van het vermijden van neerslag van deze 25 deeltjes 24 tegen het daarop-volgende onderwand-gedeelte 104 van het boventunnelblok 44.

Dit medium-slot is sterk vergroot aangegeven in de Figuur 4 en verder aangegeven en omschreven in de bijgaande Octrooi-aanvrage, waarbij de toepassing van de combinatie 30 van een zeer hoog-kokende vloeibare hecht-substantie en tenminste zulk een combinatie van laag-kokend vloeibaar draagmedium en gasvormig draagmedium 32.

Achter deze medium-toevoerinrichting 10 is in dit boventunnelblok 44 de uitwisselbare opstelling 106 35 opgenomen, bevattende in het compartiment 108 ervan de inrichting 110/118 ten behoeve van het tenminste fungeren ervan als een warmtebron voor het verdampen van dit toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium 18 onder 8 neerslag van de deeltjes 24 van zulk een semiconductor substantie in een vaste — of vloeibare vorm ervan op de opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 56.

5 Daarbij in een gunstige uitvoering van deze tunnel- opstelling 12 de toepassing van de stripvormige transducer-opstelling 112 onmiddellijk boven het bovenspleet-gedeelte 114, Figuur 6, en waarbij door de tevens trillende werking ervan het bevorderen van een gelijkmatige neerslag 10 van deze deeltjes 24 op deze ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes 56.

Dit egalisatie-proces is tevens aangegeven en omschreven in de bijgaande Octrooi-aanvrage.

Dit tunnel-gedeelte, bevattende de transducer 112, is 15 tevens zeer sterk vergroot aangegeven in de Figuren gA, B en C .

Daarbij in de Figuur 6^ het tonen van het begin-gedeelte van deze transducer, met het onderhouden van een nog beperkte hoogte van de bovenspleet-sectie 114 en waarbij 20 een optimale tril-conditie ervan onmiddellijk boven de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes.

Tijdens het trillen van deze transducer vindt daarbij de combinatie van een snelle neerwaartse verplaatsing en een langzame opwaartse verplaatsing plaats ten behoeve van 25 tenminste mede een reeds optimale neerslag van de deeltjes 24 van een semiconductor substantie op deze opvolgende eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes en zulks in combinatie met het starten van verdamping van het typisch laag-kokende vloeibare draagmedium 18.

30 Daarbij de toepassing van de electrische trilling- opwekinrichting, welke is aangegeven en omschreven in de Octrooi-aanvrage Mo. 1037066 .

De Figuur 6® toont het eind-gedeelte van deze transducer en waarbij een aanzienlijk grotere hoogte van dit bovenspleet-35 gedeelte 114 ten behoeve van het erdoorheen afvoeren van het verdampte vloeibare draagmedium 18 naar de daaropvolgende stripvormige medium-afvoersectie 116 in het boventunnelblok 44.

9

Figuur toont nog zeer sterk vergroot het bovenspleet-gedeelte 114 achter deze transducer en waarbij het aangegeven zijn van de afvoer van deze damp en de neerslag van deze deeltjes 24 op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende 5 substraat-gedeeltes 56.

Als een eerste alternatief voor deze transducer 112 in het compartiment 108 de opname van een dunwandige metalen electrische verwarmings-strip ten behoeve van het verdampen van dit vloeibare draagmedium en welke is aangegeven in de 10 Figuur 1®.

Als een tweede alternatief voor deze trillende warmtebron de toepassing in de uitwisselbare inrichting 120 van de roterende nokkenas-opstelling 122, welke is aangegeven in de Figuur 7 , en waarbij in het drukplaat-gedeelte 124 15 ervan de opname van de electrische verwarmings-strip 126.

Daarbij met behulp van deze opstelling het plaatsvinden van verdamping van dit draagmedium onder tril-conditie van deze drukplaat.

Daarbij elke mogelijke positie van deze roterende nokkenas 20 boven deze drukplaat.

Figuur 8 toont nog wederom deze dunwandige electrische verwarmings-inrichting 118 in het compartiment 108 van deze uitwisselbare opstelling 106.

Daarbij toont de Figuur 8A zeer sterk vergroot het boven-25 spleetgedeelte 114 boven de di-electrische laag 128, welke deel uitmaakt van het substraat-gedeelte 56 en waarop een (sub) jim hoge laag typisch vloeibare hecht-substantie 130 is neergeslagen.

Figuur 8® toont nog zeer sterk vergroot het bovenspleet-30 gedeelte 114 boven de semiconductor substraat transfer-band 58, met daarop ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de tunnel het neergeslagen zijn van de al dan niet verwijderbare (sub) jam hoge laag vloeibare medium 132.

35 Figuur 9 toont in de tunnel-opstelling 12 de stripvormige toevoer-inrichting 10, waarbij daarin vanuit de meng-inrichting 26 de ononderbroken toevoer van de combinatie van hoog-kokend vloeibaar draagmedium 22 en deeltjes 24 van een 10 semiconductor substantie in een vaste- of vloeibare vorm ervan.

Daarby in de eronder gelegen cilindrische meng-inrichting 14 het mengen van deze combinatie met het daarin 5 ononderbroken toegevoerde laag-kokende vloeibare draag-medium 18 en in de daaronder-gelegen cilindrische meng-inrichting 28 het mengen ervan met dit gasvormige medium 32.

Daarbij achter deze medium-toevoerinrichting 10 zulk een uitwisselbare opstelling 132, met in het compartiment 134 10 ervan de opname van de electrische verwarmings-strip 118 ten behoeve van het daarmede verdampen van het mede toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium 18, met daarachter het afvoer-gedeelte 116 ten behoeve van de afvoer van de bewerkstelligde damp 136 onder het verkrijgen 15 van een typisch urn hoge laag 138 van de combinatie van dit hoog-kokende vloeibare draagmedium 22 en deze deeltjes 24 in een veelal reeds voldoende vlakheid ervan.

Dit verdampings-proces is sterk vergroot aangegeven in de Figuren 9^ en 9® en zeer sterk vergroot in de Figuren 9^ en 20 9D.

Vervolgens vindt in de daarop-volgende inrichting 106 met behulp van de stripvormige transducer 112 verdamping van dit hoog-kokende vloeibare draagmedium 22 plaats, met afvoer van de gevormde damp 140 via de stripvormige afvoer-sectie 142. 25 Dit verdampings-proces is sterk vergroot aangegeven in de Figuren 9® en 9 F.

Daarbij de bewerkstelliging van een pm hoge en gelykmatige laag 128 van typisch een vaste di-electrische substantie op de opvolgende substraat-gedeeltes 58 onder typisch een 30 verankering ervan op de in een voorgaand tunnel-gedeelte reeds opgebrachte (sub) urn hoge film 144 van een vloeibare tijdelijke hecht-substantie.

In het boventunnelblok 44 achter deze afvoer-sectie 142 de opname van de stripvormige verwarmings-inrichting 146 en 35 waarbij door de oven-behandeling daarmede van deze jim hoge laag 128 het smelten ervan plaats vindt onder de vorming van de vloeibare laag 148 ervan.

Daarbij is slechts een zodanig beperkte warmte-toevoer 11 liaar dezeopgëbrachte laag 128 benodigd, dat nagenoeg geen Warmte-overdracht naar deze onderliggende combinatie van vlóéibare tijdelijke hechtlaag 144 en de band 58 geschiedt*

Door de daarop-volgènde afkoeling van deze gesmolten 5 laag de bewerkstelliging van ëén p.m hoge vaste .di- electrische laag 150 op deze typisch verwijderbare film 144 van deze tijdelfke hecht-substantie.

Deze opvolgende phasen zijn vergroot aangegeven in de Figuren * H en I, IQ ' Figuren 10^» ® en ^ tonen sterk vergroot het in opvolgende phasen onder de strip-vormige trileleroent-opstellingen 112 en 122, met de trillende drukwand 124 ervan, Figuren 6 en 7, en onder de stripvormige warmtebron, Figuur 5, door verdamping van het laag-kokende 15 vloeibare draagmedium 18 geleidelijk in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte 60 opbouwen van een (sub) nm hoge verwijderbare laag van de vloeibare tjjdelijke hecht-substantie 130 op de ononderbroken eronderlangs over het ondertunnelblok 52 verplaatsende opvolgende 20 band-gedeeltes 58.

Zulks onder de bewerkstelliging van een veelal voldoende vlakheid er-van aan het einde van zulk een drukwand, zoals is aangegeven in de Figuur 10^ en zeer sterk vergroot in de Figuur 10®.

25 Figuren 11^* ® en C tónen eveneens sterk vergroot in opvolgende phasen onder zulk een trilelement-opstelling 112/122, met de trillende drukwand 124 ervan, Figuren 6 en 7, en onder de stripvormige warmtebron, Figuur 5, door verdamping van het laag—kokende vloeibare draag-30 medium 18 geleidelijk in het . eronder gelegen bovenspleet-gedeelte 60 opbouwen van een al dan niet verwijderbare laag van de vloeibare hecht-substantie 130 op de ononderbroken eronderlangs over het ondertunnelblok 52 verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-35 gedeeltes 56.

Zulks onder de bewerkstelliging van een veelal voldoende vlakheid ervan aan het einde van zulk een inrichting, zoals is aangegeven in de Figuur llC en 12 zeer sterk vergroot aangegeven itt flë Figtittf 11®*

Figuur i.2 töoiit veigtoöt <iè combinatie Vaü dé afvóër-groef 96 en de daarop—volgende toevoergroef 160 voor typisch mede gasvormig slotmedium voor de in het boven-5 tunnelblok 44 opgenomen medium-toevoerinrichting 10.

Door het onderhonden van een onderdruk in de afvoer-passage 152 in dit blok en aldns in het gedeelte 154 voor deze toevoer-inrichting 10 vindt een aanliggen van de reeds bewerkstelligde ultra-vlakke opvolgende substraat-10 gedeeltes 56, met veelal de di-electrische bovenlaag 128, tegen het stripvormige ultra-vlakke onderwand-gedeelte 156 van het boventunnelblok 44 en de ondervand 158 van het stripvormige gedeelte 40 van deze medium-toevoerinrichting plaats.

15 Hierdoor in combinatie met de ononderbroken ultra gelijkmatige toegevoerde en - verdeelde combinatie van dit gasvormige draagmedium 32, vloeibare hoog—kokende deeltjes 22, laag-kokend vloeibaar medium 18 en de deeltjes 24 van een vaste semiconductor substantie de bewerkstelliging van 20 een ultra—gelijkmatige hoogte van de opgebrachte laag van deze ononderbroken toegevberde combinatie van mediums.

Tijdens het af voeren van het gasvormige medium 32 via de stripvormige afvoergroef 96 worden nagjenaeg geen deeltjes 24 van deze semiconductor substantie mede afgevoerd.

25 Het behulp van de in dit blok 44 achter deze stripvormige afvoergroef 96 opgenomen toevoergroef 160 en de daarin ononderbroken toegevoerde gasvormige slot—substantie 32 het verder tenminste zeer beperkt houden van verlies van * deze deeltjes in hét begin—gedeelte 164 van hét afvoer- 30 compartiment 162.

Deze combinatie van medium toe - en afvoergroeven zijn reeds aangegeven in de Figuur 5.

Verder in dit boventunnelblok 44 achter deze combinatie van toe- en afvoergoef de opname van de stripvormige 35 transducer 112 ten behoeve van het tenminste mede verdampen van het toegevoerde laag-kokende vloeibare draagmedium 18.

Zulk een combinatie van groeven 96 en 160 als een alternatief voor de toepassing van uitsluitend zulk een 13 afvoergroef 96, zoals is aangegeven in de Figuren 1, 3, 4, 6, 7, 8 en 9.

Figuur 13 toont vergroot de stripvormige toevoer-inrichting 10 voor een vloeibare, al dan niet tgdelljke 5 hechtsubstantie in combinatie met hoog—kokend vloeibaar draagmedium.22, laag-kokend vloeibaar draagmedium 18 en gasvormig draagmedium 32«

Daarbij vindt t^dens de ononderbroken toevoer van deze combinatie van mediums in het begin—gedeelte 164 van het 10 afvoer—compartiment 162 het gewenst wordende opwaarts ontsnappen van het gasvormige medium 32 uit deze vloeibare mediums plaats, met echter het onvernijdelljjk in een geringe mate opwaarts meenemen van deeltjes van deze substantie 144 en deze vloeibare draagmediums 18 .en 22 15 onder neerslag ervan tegen het onderwand—gedeelte 166 van het boventunnelblok 44.

Door het zeer beperkte toegevoerde volume per tijdseenheid van deze combinatie van mediums, met een totaal-hoogte van slechts circa 1 mm, is deze neerslag uiterst 20 beperkt en algemeen toelaatbaar.

Zulks mede door de aanzienlijke hoogte van het compartiment 162, circa 15 mm ter plaatse van de afvoergroef 96 voor het gasvormige draagmedium 32.

Door daarbij dè toepassing van de combinatie van eveneens 25 gasvormig draagmedium 32 en een circa 5 % verdampbaar verdunnings—medium 170 in de- toevoer—groef .160, vindt via deze afvoer-sectie 96 daarmede mede afvoer van deze combinatie van deeltjes vanaf deze onderwand 166 plaats.

Aldus na de uitdrijving van mede dit gasvormige medium 30 resteert slechts een egale vloeibare laag van de combinatie van deze vloeibare mediums 18, 22 en 144, met typisch een hoogte ervan van circa 50 jim.

Daarbü in een gunstige alternatieve werkwijze uitsluitend de toepassing van laag-kokend vloeibaar draagmedium 18 voor 35 deze deeltjes 144, waardoor achter deze medium toevoer- inrichting slechts ëên benodigde stripvormige verdampings-inrichting ten behoeve van het verdampen ervan.

Onder toepassing van mede hoog-kokend vloeibaar draag- 14 medium 22, met daardoor de toepassing ran een tveede verdampings-inrichting ten behoeve van het verdampen ervan, is sulk eèn extra toevoer voor de combinatie Van jjasvormig draagmedium 32 en een vloeibaar slotmedium 170 ook mogeljjk 5 achter de eerste stripvoroige verdampings-inrichting 112.

De Figuur 14 toont de combinatie van een stripvormige verdampings-inrichting 132, met de daarachter gelegen stripvormige tril/verdampings-inrichting 106 volgens de Figuur 9.

10 Daarb3 als alternatief vöör deze eerste inrichting 132 de opname van de combinatie van een strinvormige afvoer-groef 96 voor het basis-draagmedium 32, met daarachter de stripvormige toevoer-groef 160 voor uitsluitend gasvormig slotrmedium 32, Figuur 12, indien de toepassing 15 daarbij van deeltjes van een op tebrengen vaste substantie 128.

Verder daarbij voor deze tveede inrichting in het boventunnelblok 44 achter de 116 voor het verdampte laag-kokende vloeibare draagmedium 22 eveneens zulk een 20 toevoergroef 160 voor typisch gasvormig slot-medium 32.

Verder daarbij achter deze tveede achter de afvoer-groef 142 voor het verdampte hoog-kokende vloeibare medium 140 eveneens de toepassing van zulk een tveede toevoergroef 160 voor typisch gasvormig slot-medium 32.

25 Figuur 15 toont alternatief voor de combinatie van inrichtingen volgens de Figuur 14, vaarbij daarin de beverkstelliging van een (sub) jra hoge laag van een vloeibare, al dan niet tijdeljjke hechtlaag 144.

Daarbjj voor deze eerste inrichting 132 de opname van 30 een stripvormige toevoergroef 160 voor de combinatie van gasvormig medium 32 en een laag percentage van vloeibare verdunning 170, Figuur 13,

Verder daarvjj voor deze tveede inrichting 112 in het boventunnelblok 44 achter de afvoergroef 142 voor het 35 verdampte hoog—kokende vloeibare medium 140 eveneens de toepassing van zulk een toevoergroef 160 voor de combinatie van gasvormig medium 32 en zulk een vloeibare 15 verdunning 170.

Figüfii: 16 tdbhk'aehtéf.dé tweede Uitwisselbare vérüatöpihgs—inrichting 11Ö eëh. uitwisselbare transducer-* opstelling 112 ten behoeve van het optimalizering van de 5 reeds bewerkstelligde in het algemeen reeds voldoende vlakheid van de met behulp van deze beide verdampings— inrichtingen bewerkstelligde vlakheid van een vaste semiconductor substantie, zoals onder andere een (sub) jm hoge belichtingslaag of een um hoge di—electrische 10 laag.

Zulke opvolgende phasen zijn zeer sterk vergroot aangegeven in de Figuren 16A, B. C, D, E en F en waarbij in de Figuur 16^ nog de deeltjes van een vaste substantie, in de Figuur 16E met behulp van'de electrische verwarming 15 126 de bewerkstelliging van de vloeibare laag 148 ervan, en in de Figuur 16F na afkoeling de vaste laag 150 ervan.

Daarbij toont de Figuur 16& zeer sterk vergroot zulk een opgebrachte di-eléctrische laag 150, welke met behulp van de trillende transducer 112 tevens verankerd is op de 20 kunststof folie 174, zoals eveneens zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 16®.

Verder toont du Figuur 161 zeer sterk vergroot de vloeibare hecht-substantie 130 onder deze verwarmings-inrichting 126.; 25 Zulk een bewerkstelligde vloeibare laag 148 is eveneens met behulp van deze trillende transducer 112 verankerd op de kunststof folie 174, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 16 J.

Figuur 17 toont de semiconductor tunnel-opstelling 10 30 volgens de Figuur 16, met sterk vergroot de Figuren I7A, B, C en D rolgens de Figuur 16, met daarin echter de bewerkstelliging van een ultra vlakke (sub) pm hoge, al dan niet ttjdelfjke vloeibare hecht—substantie 144 op de semiconductor draag/transfer—band 58, zoals zeer sterk 35 vergroot is aangegeven in de Figuur 17®.

Figuur 18 toont een alternatief voor de tunnel-opstelling volgens de Figuur '16, waarbij een tweede verwarmings-inrichting 110 en de erachter opgenomen 16 inrichting 112, bevattende een transducer-opstelling en waaronder het onderhouden van een jam hoge bovenspleet boven de zich eronderlangs verplaatsende opvolgende substraat-gedeeltes 56 ten behoeve van de bewerkstelliging 5 van de ultra vlakke di-electrische laag 150 onder een optimale verankering ervan op zulk een kunststof-folie 174.

Figuur 19 toont een alternatieve tunnel-opstelling 10. waarin de toepassing van een tweetal opvolgende verdampings-inrichtingen 110 en een daarop-volgende transducer-10 opstelling 112 ten behoeve van het bewerkstelligen van zulk een (sub) um hoge laag van een ïevens binnen het kader van de uitvinding voor zulk een gedeelte ervan in alternatieve uitvoeringen ervan de 15 toepassing van een laag—kokend vloeibaar draagmedium in plaats van dit gas vormige draagmedium en waarbij in het begin-gedeelte achter zulk een stripvormige medium- v.

toevoerinrichting onder de in het boventunnelblok opgenomen stripvormige verwarmings—inrichting het 20 onmiddellijk plaatsvinden van verdamping van uitsluitend dit zeer laag-kokende vloeibare draagmedium.

Zulk een tunnel-opstelling is onder andere reeds omschreven in de reeds goedgekeurde Nederlandse Octrooiaanvrage No. 1037193 van de aanvrager.

25 Daarbij aanvullend mogelijk de toepassing van de aanvullende toevoer van laag—kokend en hoog—kokend vloeibaar draagmedium, onder de toepassing van een drietal opvolgende stripvormige verdampings-inrichtingen.

Verder, indien benodigd, de aanvullende toepassing van 30 zeer laag-kokend vloeibaar draagmedium onder de gebruikmaking van een viertal opvolgende verdampings-inrichtingen, zoals ten behoeve van de bewerkstelliging van een (sub) firn hoge, typisch tijdelfl'ke hechtlaag onder een ultra-vlakheid ervan.

35 Zulks mede door dè toepassing daarbij van tenminste één stripvormig tril—element, welke is opgenomen in het boventunnelblok en tevens fungeert als een verdampings— inrichting en typisch is opgenomen in tenminste de laatste 17 verdampings-inrichtiug .

Binnen het kader Van de uitvinding.tevens tenminste mede in het begin—gedeelte van deze tunnel—opstelling met behulp.van zulk een combinatie van verdampings—inrichtingen de bewerkstelliging van een ultra gelijkmatige (sub) pm hoge 5 film vloeibaar geleidings-medium boven het ondertunnelblok onder de.ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor draag/transfer—band of- - folie.

De tunnel-opstelling is verder zodanig uitgevoerd, dat daarbij tenminste plaatselijk in een stripvormig bovenspleet-10 gedeelte boven de opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes het continue onderhouden van een hoge onderdruk, mogelijk zelfs nabij een vacuum-conditie, zoals in eerdere, reeds j.1. goedgekeurde Nederlandse Octrooiaanvragen van de aanvrager is aangegeven en vermeld.

15 Verder, dat daarbij al dan niet gelijktijdig het onder houden van een kortstondige stilstand van deze opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes.

Verder is deze tunnel-opstelling in een alternatieve uitvoering ervan zodanig uitgevoerd, dat daarbij tenminste 20 plaatselijk eveneens een stripvormige medium-toevoer- inrichting is opgenomen in het ondertunnelblok ervan.

Daarbij is het stripvormige medium toevoer-gedeelte, bevattende zulke naast elkaar gelegen medium-toevoergroe-ven, opgenomen in het boven-gedeelte van het ondertunnel-25 blok.

Verder, dat daarbij door het beperkt houden van de afmetingen van deze medium—toevoergroeven deze medium-toevoergroeven in zulk een stripvormig medium-toevoerblok, de afmeting in hoogterichting van zulk een boven- of 30 ondertunnelblok in hoogterichting ervan eveneens zeer beperkt tot typisch minder dan 50 mm.

1037473

Claims

1. Semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling ten behoeve van het daarin tenminste 5 mede plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin meerdere stripvormige medium 10 toevoer-inrichtingen in tenminste mede het boventunnelblok ervan zijn opgenomen ten behoeve van tijdens de werking ervan de ononderbroken toevoer van de combinatie van gen basis-draagmedium , deeltjes van tenminste een verdampbaar vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor 15 substantie.

2. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste plaatselijk daarin via zulk een stripvormige 20 medium toevoer-inrichting tijdens de werking ervan het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van deze combinatie van draagmediums voor deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste vorm ervan, zoals onder andere een di-electrische -, metalen -, kunststof -, 25 of papieren substantie.

3. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste plaatselijk daarin via zulk een stripvormige 30 medium toevoer-inrichting tijdens de werking ervan het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van deze combinatie van draagmediums voor deeltjes van een semiconductor substantie in een vloeibare vorm ervan.

4. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de

35 Conclusie 3, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een vloeibare substantie een verwijderbare hecht-substantie is. 1037473

5. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 3, raet het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een vloeibare substantie een definitieve hecht - substantie 5 is.

6. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat deze medium toevoer-inrichting tenminste één meng- 10 inrichting bevat ten behoeve van het mengen van een hoog percentage van gasvormige draagmedium met tenminste de combinatie van verdampbaar vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste - of vloeibare vorm ervan.

7. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 6, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in deze medium toevoer-inrichting ervan boven deze meng-inrichting een meng-inrichting is opgenomen ten behoeve 20 van het mengen van een hoog percentage verdampbaar laag-kokend vloeibaar draagmedium met een zeer hoog-kokende vloeibare, al dan niet tijdelijke hecht-substantie.

8. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 6, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 25 uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in deze medium toevoer-inrichting boven deze meng-inrichting een meng-inrichting is opgenomen ten behoeve van het mengen van een hoog percentage van verdampbaar laag-kokende vloeibare draagmedium met de combinatie van hoog- 30 kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste semiconductor substantie.

9. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 8, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in 35 deze medium toevoer-inrichting boven deze meng-inrichting voor verdampbaar laag-kokend vloeibaar draagmedium met de combinatie van hoog-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste semiconductor substantie nog een meng-inrichting is opgenomen ten behoeve van het mengen van een hoog percentage hoog-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste semiconductor substantie.

10. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 5 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in zulk een meng-inrichting een optimaal gelijkmatige menging van de daarin toegevoerde semiconductor mediums plaats vindt.

11. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 10, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in tenminste de onderste meng-inrichting de toepassing van een roterende nokkenas-opstelling.

12. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in deze inrichting op de onderzijde van deze onderste meng-inrichting een groot aantal, in dwarsrichting van deze tunnel-opstelling naast 20 elkaar gelegen medium-afvoerkanalen zijn opgenomen, welke deze meng-inrichting verbinden met met het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte van deze tunnel-opstelling.

13. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 25 uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij achter deze gedeeltelijk in het boventunnelblok ervan opgenomen medium-toevoerinrichting tevens de opname van een stripvormige afvoergroef ten behoeve van de ononderbroken afvoer van tenminste het grootste gedeelte van dit 30 gasvormige draagmedium.

14. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 13, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in dit boventunnelblok achter deze afvoergroef voor het 35 gasvormige medium de opname van een stripvormige inrichting ten behoeve van tenminste het laag-kokende vloeibare draagmedium, met in dit blok achter deze inrichting een stripvormige afvoer-sectie ten behoeve van een ononderbroken afvoer van de gevormde damp onder de bewerkstelliging van een in een voldoende mate gelijkmatige neerslag van het hoog-kokende vloeibare draagmedium en deeltjes van deze semiconductor substantie, zoals mede is omschreven en 5 aangegeven in de gelijktijdig ingediende Octrooi-aanvrage.

15. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daartoe de toepassing van een stripvormig electrisch 10 verwarmings-element in deze inrichting.

16. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in dit boventunnelblok achter deze inrichting de opname van 15 een stripvormige tril/verwarmings-inrichting ten behoeve van het tenminste mede verdampen van het hoog-kokende vloeibare draagmedium onder de bewerkstelliging van een in voldoende mate gelijkmatige neerslag van een semiconductor substantie, zoals mede is omschreven in deze bijgaande

20 Octrooi-aanvrage, met daarachter de opname van een stripvormige afvoer-inrichting, welke eveneens is opgenomen in dit boventunnelblok, ten behoeve van de ononderbroken afvoer van dit bewerkstelligde dampvormige medium.

17. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de

25 Conclusie 16, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het bewerkstelligen van een reeds typisch in voldoende mate vlakke aaneengesloten (sub) ^im hoge laag van deeltjes van een vloeibare, tenminste tijdelijke hecht-substantie.

18. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het bewerkstelligen van een reeds typisch in voldoende mate vlakke aaneengesloten laag van typisch nanometer grote 35 deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste vorm ervan.

19. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 18, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een verwarmings-inrichting achter deze verdampings-inrichting de opname van een stripvormige electrische verwarmings-inrichting ten behoeve van het smelten van deze 5 deeltjes onder de vorming van een vloeibare laag van deze semiconductor substantie.

20. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 19, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals 10 achter deze “verwarmings-inrichting de opname van een afkoel-gedeelte van dit blok, door afkoeling van deze laag de bewerkstelliging van een ^ïm hoge vaste laag van deze semiconductor substantie.

21. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 15 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tijdens zulk een tril-proces met behulp van zulk een tril-inrichting in het boventunnelblok door .de typisch snelle neerwaartse verplaatsing en de daarop-volgende 20 langzame opwaartse verplaatsing van deze inrichting het tevens plaatsvinden van inwerking van deeltjes van deze semiconductor substantie in de in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde semiconductor bovenlaag van de opvolgende, erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes 25 als een semiconductor indring-proces, en waarbij na dit smelten . en het daarop-volgende afkoel-proces een verankering van deze opgebrachte laag op deze voorafgaand opgebrachte laag plaats vindt.

22. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de

30 Conclusie 21, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een tril-conditie de toepassing van de electrische trilling-opwekinrichting, welke is omschreven in de Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 1037o66 van de aanvrager. 35 23. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in deze medium-toevoerinrichting in een stripvormige meng-inrichting ervan het ononderbroken mengen plaats vittdt vah de coinbinatie van toegevoerd zeer hoog-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie, in een eronder gelegen meng-inrichting het 5 plaatsvinden van menging van deze combinatie met hoog-kokend vloeibaar draagmedium, in een eronder gelegen meng-inrichting het plaatsvinden van menging van deze combinatie met laag-kokend vloeibaar draagmedium en in de eronder gelegen meng-inrichting het plaatsvinden van 10 menging van deze combinatie met het gasvormige draagmedium.

24. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 23, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een drietal, tenminste verdampings-inrichtingen, welke zijn 15 opgenomen in het boventunnelblok, opvolgende verdampingen plaatsvinden onder telkens een typisch voldoende gelijkmatige neerslag van zulke combinaties op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en tenslotte van de deeltjes van zulk een 20 semiconductor substantie in typisch een vaste vorm ervan.

25. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij na de toevoer van zulk een combinatie van mediums 25 vanuit deze medium-toevoerinrichting in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte van de tunnel-doorgang het aanzienlijk lichtere gasvormige draagmedium belet, dat neerslag van deeltjes van de semiconductor substantie in een vaste of vloeibare vorm ervan tegen de daarop-volgende onderwand-30 sectie van het boventunnelblok plaats vindt.

26. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het boventunnelblok achter de stripvormige medium- 35 afvoersectie de opname van een stripvormige toevoer- inrichting voor gasvormig slot-medium ten behoeve van het bevorderen van de afvoer van het gescheiden gasvormige medium via dit voorgaande stripvormige afvoer-systeem in het boventunnelblok onder tevens de vorming van een stripvormig gasslot in dit bovenspleet-gedeelte.

27. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 5 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een centraal stripvormig semiconductor behandelings-gedeelte van de bovenspleet boven de opvolgende ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes na het in de ingangs-sectie ervan 10 continue inbrengen van de combinatie van tenminste mede verdampbaar laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vloeibare - of vaste vorm ervan, door de geleidelijke verdamping ervan onder een stripvorraige verdampings-inrichting in het boven-15 tunnelblok de geleidelijke bewerkstelliging van een typisch micrometer hoge laag onder een veelal voldoende vlakheid van de opgebrachte combinatie van een hoger-kokend vloeibaar draagmedium en deze deeltjes.

28. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de

20 Conclusie 27, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daartoe de toepassing van de semiconductor inrichtingen en middelen, welke zijn omschreven en aangegeven in de gelijktijdig door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-25 aanvrase No. 2, met in een gedeelte ervan door verdamping van het vloeibare draagmedium de geleidelyke opbouw van zulk een in een voldoende mate vlakke semiconductor laag tijdens het verdampen ervan met behulp van een erboven gelegen verdampings-inrichting. welke is opgenomen in het 30 boventunnelblok.

29. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 28, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een te bewerkstelligen semiconductor laag bestaat uit 35 deeltjes van zulk een semiconductor substantie en een hoger-kokend vloeibaar draagmedium.

30. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een volgend stripvormig gedeelte ervan door verdamping van dit hoger-kokend vloeibare draagmedium de bewerksteliging van een veelal in een voldoende mate vlakke laag van 5 deeltjes van een vaste - of vloeibare semiconductor substantie.

31. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in 10 een volgend stripvormig gedeelte ervan door verdamping van dit hoger-kokend vloeibaar medium de bewerkstelliging van een veelal in een voldoende mate vlakke laag van deeltjes van een nog hoger-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vloeibare, al dan niet tijdelijke hecht-substantie.

32. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 31, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een volgend stripvormig gedeelte ervan door verdamping van dit zeer hoog-kokend vloeibaar draagmedium de bewerkstelli-20 ging van een in een veelal in voldoende mate vlakke laag van deeltjes van zulk een vloeibare, al dan niet tijdelijke hecht-substantie.

33. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 31 of 32, met het kenmerk, dat deze verder 25 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tijdens zulk een verdampings-proces van het laatste verdampbare draagmedium tevens een indring-proces van deze deeltjes van een vaste - of vloeibare substantie in de in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde semiconductor 30 laag plaats vindt.

34. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij bij toepassing van zulk een vloeibare hecht-substantie zulk een 35 reeds opgebrachte laag een vaste semiconductor laag is.

35. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij bij toepassing van deeltjes van een vaste semiconductor substantie zulk een in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte semiconductor bovenlaag een vloeibare, al dan niet tijdelijke vloeibare hecht-substantie bevat.

36. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat indien de bovenwand van de ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes ter 10 plaatse van . zulk een stripvormige medium-toevoerinrichting in een geringe mate toelaatbaar onvlak is, daarbij door de gelijkmatige toevoer van de combinatie van deeltjes van een op te brengen semiconductor substantie in een vloeibare -of vaste vorm ervan en tenminste één verdampbaar vloeibaar 15 draagmedium, in de daarop-volgende tunnel-gedeeltes door de bewerkstelligde opvolgende opbouwen van typisch meerdere semiconductor lagen van vloeibaar draagmedium en deze semiconductor substantie en tenslotte een laag van deze deeltjes, zulk een beperkte onvlakheid in een voldoende 20 mate wordt opgeheven.

37. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 36, met het kenmerk, dat deze verder zoanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daartoe voor dit basis-draagmedium de toepassing van 25 gasvormig draagmedium.

38. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 36, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daartoe zulk een basis-draagmedium een zeer laag-kokend 30 vloeibaar draagmedium is en waarbij achter deze medium- toevoerinrichting in het boventunnelblok de opname van een stripvormige verdampings-inrichting ten behoeve van het verdampen ervan.

39. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 35 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij in het boventunnelblok de opname van een typisch uitwisselbare stripvormige electrische verwarmings-inrichting, met een metalen verwarmings-gedeelte ervan en welke zich in dwarsrichting uitstrekt over het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling.

40. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de

5 Conclusie 39, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de toepassing van een typisch minder dan 0,1 mm breed verwarmings-element, welke in de onderwand ervan is opgenomen in een typisch minder dan 5 mm breed di-electrisch isolatie-blok, welke is opgenomen in een 10 uitwisselbaar metalen draagblok.

41. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 40, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de hoogte van de bovenspleet boven de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte laag van 15 deeltjes van een vaste semiconductor substantie en de onderwand van deze verwarmingsstrip minder dan 1 mm en typisch slechts 0,2 mm bedraagt.

42. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 20 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals de benodigde opwarming van zulk een um hoge semiconductor laagje, met een te verwarmen volume van zulke deeltjes van een vaste semiconductor substantie .van circa 5 mm3, naar typisch minder dan 12000Celcius 25 geschiedt in typisch minder dan 0,05 seconde, slechts een zeer beperkt e.lectrisch vermogen van typisch minder dan 5 Watt benodigd is, daarbij nagenoeg geen opwarming van de zich onder deze te verwarmen laag bevindende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes plaats vindt, met 30 daardoor geen ontoelaatbare vervorming ervan.

43. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze medium-toevoerinrichting een medium toevoer-compartiment bevat, welke zich op enige afstand 35 boven het boventunnelblok ervan bevindt en waarbij typisch op de bovenzijde ervan de aansluiting van dit medium toevoer-gedeelte en tegen de onderzijde ervan een stripvormig medium afvoer-gedeelte, welke is bevestigd op dit boventunnelblok en bevattende een groot aantal, in typisch verticale richting uitstrekkende en in dwars-richting ervan naast elkaar gelegen relatie’f nauwe medium toevoer-kanalen, welke uitmonden in een eronder 5 gelegen micrometer hoge bovenspleet-sectie boven deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

44. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 43, met het kenmerk, dat deze verder zodanig 10 is uitgevoerd, dat daarbij deze groeven eveneens zyn opgenomen in de opstaande zijwand van één van deze beide mediumtoevoer-blokgedeeltes, de opstaande zijwanden van dit blok-gedeelte optimaal evenwijdig zijn met elkaar, met slechts een micrometer grote afwijking ervan en zulks 15 eveneens voor het andere blok-gedeelte en heeft de uitsparing in zulk een tunnelblok voor zulk een medium -toevoerblok zodanige afmetingen, dat daarbij dit blok onder een perspassing tenminste langdurig daarin is verankerd .

45. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij via deze medium-toevoerinrichting het ononderbroken plaats vinden van de toevoer van medé de combinatie 25 van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vloeibare semiconductor substantie, zoals onder andere reinigings-, ets-, strip- of spoelmedium, ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandeling in de eronder gelegen stripvormige bovenspleet-sectie.

46. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 44 of 45, met het kenmerk, dat deze verder zodanige middelen bevat, dat daarbij tenminste plaatselijk in deze medium-toevoerinrichting het onderhouden van een overdruk van tenminste mede deze toegevoerde combinatie 35 van opvolgende draagmediums en deeltjes van een semiconductor substantie ten opzichte van de druk van het medium in deze zich eronder bevindende bovenspleet-sectie.

47. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het terechtkomen van een teveel aan deeltjes van een semiconductor substantie tegen de onderzijde van 5 het boventunnelblok tijdens het verdampings-proces van de opvolgende vloeibare draagmediums wordt vermeden.

48. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 47, met het kenmerk, dat daarbij zulk een substantie een vaste substantie is.

49. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 47, met het kenmerk, dat daarbij zulk een substantie een vloeibare, typisch hecht-substantie is. 5U Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 15 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een daarop-volgende stripvormige sectie van het boventunnelblok de opname van een stripvormige transducer-opstelling met daarboven de opname van een laag-frequent pulserende inrichting ten behoeve van het mede 20 onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie ervan voor het in de daaronder gelegen stripvormige semiconductor behandelings-sectie ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere een reinigings-, ets-, strip- of een 25 sploel-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

51. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 50 , met het kenmerk, dat deze verder zodanig 30 is uitgevoerd en bevattende middelen ten behoeve van het daarbij bewerkstelligen van een optimale conditie van zulk een semiconductor behandelings-proces ter plaatse van, gezien in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor 35 substraat-gedeeltes, het voorste gedeelte ervan, met het daarbij ononderbroken plaatsvinden van het navolgende: 1. in de hoogste pulseer-positie van deze trillende transducer het bewerkstelligd zijn van een maximale hoogte van de daaronder gelegen bovenspleet-secie; 2. in de middelste pulseer-positie van deze trillende transducer een midden—positie ervan; en 3. in de onderste pulseer-positie van deze trillende ‘5 transducer het bewerkstelligd zijn van een micrometer hoogte van de zich daaronder bevindende bovenspleet-sectie en waarbij het daarin plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces van de bovenlaag van de zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende 10 semiconductor substraat-gedeeltes.

52. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met.het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in. een stripvormige sectie van het 15 boventunnelblok achter de daarin opgenomen stripvormige medium toevoer—inrichting voor het semiconductor basis— draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in vaste toestand ervan een in een met vloeibaar medium gevuld uitwisselbaar stripvormig compartiment opgenomen 20 zich ononderbroken verdraaiende nokkenas-opstelling, bevattende een stripvormige drukplaatsectie met daarin opgenomen een dunwandig electrisch verwarmings-element ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van verdamping van het toegevoerde vloeibare draagmedium en vervolgens 25 daarmede plaatsvinden van een oven-behandeling van de opgebrachte laag van een di-electrische substantie.

53. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 41,- met het kenmerk, dat deze verder middelen bevat ten behoeve van met behulp van deze nokkenas- 30 opstelling als laag-frequent pulseer-inrichting het tevens onderhouden van een laag-frequent pulseer-conditie van deze drukplaatsectie onder het daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs 35 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

54. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 53, met het kenmerk, dat deze verder middelen bevat ten behoeve van het daarbij plaatsvinden van de opbouw van een micrometer hoge laag van een di-electrische substantie op de reeds in voorgaande tunnel-secties opgebouwde relatief hoge laag ervan.

55. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 5 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van een ononderbroken verdraaiende nokkenas-opstelling in het midden-gedeelte van een met vloeibaar medium gevuld stripvormig 10 boven-compartimentyvan het boventunnelblok en waarbij eronder in het ondertunnelblok een eveneens met vloeibaar medium gevuld stripvormig compartiment, met als bovengedeelte ervan een stripvormige, in hoogterichting verplaatsbare drukwand ten behoeve van het met behulp 15 van het opvolgend toe-en afvoeren van dit vloeibare medium naar en vanaf dit compartiment het daarbij onderhouden van een opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen ervan en daarmede van de ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-20 gedeeltes.

56. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 55, met het kenmerk, dat deze verder middelen bevat ten behoeve van het daarbij onderhouden van zulk een opvolgend op en neer verplaatsen van de onderdrukwand 25 en daarmede van de ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes geschiedt onder typisch een mechanisch contact met deze onderdrukwand ten behoeve van het daarmede onderhouden van een semiconductor behandelings-proces van deze opvolgende 30 substraat-gedeeltes onder de combinatie van een typisch hoog- of laag-frequent trillend stripvormig drukwand-gedeelte van het boventunnelblok en een laag-frequent pulserend stripvormig bovenwand-gedeelte van het ondertunnelblok. 35 5.7. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 56, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en zodanige middelen bevat, dat daarbij de toepassing van een bepaalde profilering van de daarin opgenomen nokken van deze nokkenas-opstelling.

58. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 2odanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste plaatselijk in een stripvormig 5 bovenspleet-gedeelte boven deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes het onderhouden van een hoge onderdruk, mogelijk zelfs nabij een vacuum-conditie.

59. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 10 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij een tijdelijke stilstand van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes ten behoeve van het daarin plaatsvinden van een belichtings-proces van de 15 in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte belichtings-laag, hetgeen is omschreven en aangegeven in meerdere van de reeds goedgekeurde, j.1. door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

60. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 20 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het boventunnelblok aan weerszijde van zulk een centraal stripvormig semiconductor behandelings-gedeelte mediumslot-opstellingen zijn opgenomen ten behoeve 25 van het beletten van de daarin terecht gekomen combinatie van het basis-draagraedium en deeltjes van een semiconductor substantie te ontsnappen in dwarsrichting vanuit het centrale semiconductor behandelings-gedeelte via de beide stripvormige spleet-secties tussen de opvolgende band- of 30 folie-gedeeltes en het zich daarbij erboven bevindende gedeelte van de onderwand van het boventunnelblok.

61. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, 35 dat zoals daarbij plaatse lijk de toepassing van zulk een mini medium-toevoerblok in het ondertunnelblok, met daarin het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van uitsluitend vloeibaar medium in een dun-vloeibare toestand ervan ten behoeve van het daarmede in een daarop-volgend gedeelte van deze tunnel-opstelling onderhouden van een optimale gelijkmatige micrometer hoogte van de opgebrachte laag tussen het ondertunnelblok-gedeelte en de opvolgende, 5 erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, het daarbij fungeren van de ononderbroken metalen band of folie als een tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

62. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 10 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste plaatselijk daarin na zulk een medium-toevoerinrichting in het boventunnelblok met behulp van tenminste mede een overdruk van het toegevoerde medium ten opzichte van de druk, typisch een onderdruk, 15 van het medium onder deze opvolgende band-gedeeltes het onderhouden van een mechanisch contact van deze opvolgende band-gedeeltes met de bovenwand van het ondertunnelblok ten behoeve van in de zich erboven bevindende stripvormige semiconductor behandelings-sectie het tenminste bijdragen in 20 een optimaal gelijkmatige laag-opbouw van de daarin neergeslagen deeltjes van een semiconductor substantie.

63. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 62, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het onderhouden 25 van een micrometer hoogte van de bovenspleet-sectie achter deze medium-toevoerinrichting en een aanzienlijk grotere hoogte van de bovenspleet-sectie voor deze inrichting, waardoor een aanzienlijke af voer van het door de medium-toevoergroeven toegevoerde medium in de verplaatsings-30 richting van deze opvolgende semiconductor substraat- gedeeltes en een te verwaarlozen afvoer in tegengestelde richting via de erachter gelegen bovenspleet-sectie naar een in dit boventunnelblok opgenomen stripvormige medium-afvoersectie.

64. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is ui.tgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daarin tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de middelen en werkwijzen van ae semiconductor faciliteit, - installatie, - tunnel-opstellingen en - inrichtingen, welke op 23 Juni, 6 Juli en 11 Augustus j.1. en heden door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-5 aanvragen betreffende zulk een semiconductor tunnel-opstelling.

65. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat 10 daarbij daarin de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor wafers in semiconductor modules of - installaties, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en Conclusies van het navolgende: 15 a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module of - installatie.

66. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 20 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de in deze Octrooi-aanvrage omschreven middelen en werkwijzen tevens toepasbaar zijn in deze andere semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in deze andere voorgaande en gelijktijdig 25 ingediende Octrooi-aanvragen van de aanvrager.

67. Werkwijze van een semiconductor substraat transfer/ behandelings-tunnelopstelling, waarin tijdens de werking ervan het tenminste mede plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van de opvolgende erdoorheen 30 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, met het kenmerk, dat daarbij daarin met behulp van meerdere stripvormige medium toevoer-inrichtingen, welke tenminste zijn opgenomen in het boventunnelblok, de ononderbroken toevoer van de combinatie van een basis-draagmedium, 35 deeltjes van tenminste een verdampbaar vloeibaar draag- raedium en deeltjes van een semiconductor substantie plaats vindt.

68. Werkwijze volgens de Conclusie 67, met het kenmerk, dat daarbij tenminste plaatselijk daarin via zulk een stripvormige medium toevoer-inrichting tijdens de werking ervan het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van deze combinatie van draagmediums voor deeltjes van een 5 semiconductor substantie in een vaste vorm ervan, zoals onder andere een di-electrische metalen kunststof of papieren substantie.

69. Werkwijze volgens de Conclusie 67, met het kenmerk, dat daarbij tenminste plaatselijk daarin via zulk een 10 stripvormige medium toevoer-inrichting tijdens de werking ervan het plaatsvinden van een ononderbroken toevoer van deze combinatie van draagmediums voor deeltjes van een semiconductor substantie in een vloeibare vorm ervan.

70. Werkwijze volgens de Conclusie 69, met het kenmerk, 15 dat daarbij zulk een vloeibare substantie een verwijderbare hecht-substantie is.

71. Werkwijze volgens de Conclusie 69, met het kenmerk, dat daarbij zulk een vloeibare substantie een definitieve hecht-substantie is.

72. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals deze medium toevoer-inrichting tenminste één meng-inrichting bevat, daarin het ononderbroken mengen van een hoog percentage van gasvormig draag-medium met tenminste de combinatie van verdampbaar 25 vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste - of vloeibare vorm ervan plaats vindt.

73. Werkwijze volgens de Conclusie 72, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze medium toevoer-inrichting boven 30 deze meng-inrichting een meng-inrichting is opgenomen, daarin het mengen van een hoog percentage verdampbaar iaag-kokend vloeibaar draagmedium met een zeer hoog-kokende vloeibare, al dan niet tijdelijke hecht-substantie. plaats vindt.

74. Werkwijze volgens de Conclusie 72, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze medium toevoer-inrichting boven deze meng-inrichting een meng-inrichting is opgenomen, daarin het mengen van een hoog percentage van verdampbaar laag-kokend vloeibaar draagmedium met de combinatie van hoog-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste semiconductor substantie plaats vindt.

75. Werkwijze volgens de Conclusie 74, met het kenmerk, 5 dat zoals daarby in deze medium toevoer-inrichting boven deze meng-inrichting voor verdampbaar laag-kokend vloeibaar draagmedium met de combinatie van hoog-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste semiconductor substantie nog een meng-inrichting is opgenomen, 10 daarin het mengen van een hoog percentage hoog-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vaste semiconductor substantie plaats vindt.

76. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in zulk een meng-inrichting een 15 optimaal gelijkmatige menging van de daarin toegevoerde semiconductor mediums plaats vindt.

77. Werkwijze volgens de Conclusie 76, met het kenmerk, dat daarbij in tenminste de onderste meng-inrichting met behulp van een roterende nokkenas-opstelling zulk een 20 menging plaats vindt.

78. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze inrichting op de onderzijde van deze onderste meng-inrichting een groot aantal, in dwarsrichting van deze tunnel-opstelling naast 25 elkaar gelegen medium-afvoerkanalen zijn opgenomen, welke deze meng-inrichting verbinden met het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte van deze tunnel-opstelling, daarin zulk een ononderbroken toevoer van een semiconductor substantie naar dit bovenspleet-gedeelte plaats vindt.

79. Werkwijze volgens de Conclusie 78, met het kenmerk, dat zoals daarbij achter deze gedeeltelijk in het boven-tunnelblok opgenomen medium toevoer-inrichting tevens de opname van een stripvormige afvoergroef, daarmede de ononderbroken afvoer van tenminste het grootste gedeelte 35 van typisch gasvormig draagmedium plaats vindt.

80. Werkwijze volgens de Conclusie 79, met het kenmerk, dat zoals daarbij in dit boventunnelblok achter deze afvoergroef voor dit gasvormige draagmedium de opname van een stripvormige inrichting ten behoeve van tenminste het laag-kokende vloeibare draagmedium, met in dit blok achter deze inrichting een stripvormige afvoer-sectie, daarin een ononderbroken afvoer van de gevormde damp onder de 5 bewerkstelliging van een in een voldoende mate gelijkmatige neerslag van het hoog-kokende vloeibare draagmedium en deeltjes van deze semiconductor substantie in een vaste -of vloeibare vorm ervan, zoals mede is omschreven en aangegeven in de gelijktydig ingediende Octrooi-aanvrage.

81. Werkwijze volgens de Conclusie 80. met het kenmerk, dat zoals daarbij daartoe de toepassing van een stripvormig, typisch electrisch verwarmings-element in deze inrichting, daarmede het ononderbroken plaatsvinden van verdamping van dit vloeibare draagmedium.

82. Werkwijze volgens de Conclusie 80, met het kenmerk, dat zoals daarbij in dit boventunnel blok achter deze inrichting de opname van een stripvormige tril/verwarmings-inrichting ten behoeve van het tenminste mede verdampen van het hoog-kokende vloeibare draagmedium onder de 20 bewerkstelliging van een in een voldoende mate gelijkmatige neerslag van een semiconductor substantie, zoals mede is omschreven in deze bijgaande Octrooi-aanvrage, met daarachter de opname van een stripvormige afvoer-inrichting, welke eveneens is opgenomen in dit boventunnelblok, daarin 25 de ononderbroken afvoer van dit bewerkstelligde damp-vormige medium plaats vindt.

83. Werkwyze volgens de Conclusie 82, met het kenmerk, dat daarbij het bewerkstelligen van een reeds typisch in voldoende mate vlakke aaneengesloten (sub) um hoge laag van 30 deeltjes van een vloeibare, tenminste tijdelijke hecht-substantie.

84. Werkwijze volgens de Conclusie 82, met het kenmerk, dat daarbij het bewerkstelligen van een reeds typisch in voldoende mate vlakke aaneengesloten laag van typisch 35 nanometer grote deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste vorm ervan.

85. Werkwijze volgens de Conclusie 84, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een verwarmings-inrichting achter deze verdampings-inrichting de opname van een stripvormige electrische verwarmings-inrichting, daarin het smelten van deze deeltjes onder de vorming van een vloeibare laag van deze semiconductor substantie plaats vindt.

86. Werkwijze volgens de Conclusie 85, met het kenmerk, dat zoals achter deze verwarmings-inrichting de opname van een afkoel-gedeelte van dit blok, door afkoeling van deze laag de bewerkstelliging van een jum hoge vaste laag van deze semiconductor substantie.

87. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij tijdens zulk een tril-proces met behulp van zulk een tril-inrichting in het boven-tunnelblok door de typisch snelle neerwaartse verplaatsing en de daarop-volgende langzame opwaartse verplaatsing van 15 deze inrichting het tevens plaatsvinden van inwerking van deeltjes van deze semiconductor substantie in de in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde semiconductor bovenlaag van de opvolgende, erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes als een semiconductor indring-proces, 20 en waarbij na dit smelten en het daarop-volgende afkoel-proces een verankering van deze opgebrachte laag op deze voorafgaand opgebrachte laag plaats vindt.

88. Werkwijze volgens de Conclusie 87, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van de electrische trilling- 25 opwekinrichting, deze is omschreven in de Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 1037066 van de aanvrager.

89. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in deze medium toevoer-inrichting in een stripvormige meng-inrichting ervan het 30 ononderbroken mengen plaats vindt van de combinatie van toegevoerd zeer hoog-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie, in een eronder gelegen meng-inrichting het plaatsvinden van menging van deze combinatie met hoog-kokend vloeibaar draagmedium, in 35 een eronder gelegen meng-inrichting het plaatsvinden van menging van deze combinatie met laag-kokend vloeibaar draagmedium en in de eronder gelegen meng-inrichting het plaatsvinden van menging van deze combinatie met het gasvormige draagmedium.

90. Werkwijze volgens de Conclusie 89, met het kenmerk, dat daarbij in een drietal, tenminste verdampings-inrichtingen, welke zijn opgenomen in het boventunnelblok, 5 opvolgende verdampingen plaatsvinden onder telkens een typisch voldoende neerslag van zulke combinaties op de opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en tenslotte van de deeltjes van zulk een semiconductor substantie in typisch een vaste vorm 10 ervan.

91. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij na de toevoer van zulk een combinatie van mediums vanuit deze medium toevoer-inrichting in het eronder gelegen bovenspleet-gedeelte van 15 de tunnel-doorgang het aanzienlijk lichtere gasvormige draagmedium belet, dat neerslag van deeltjes van de semiconductor substantie in een vaste of vloeibare vorm ervan opwaarts tegen de daarop-volgende onderwand-sectie van het boventunnelblok plaats vindt.

92. Werkwijze volgens de Conclusie 91, met het kenmerk, dat zoals daarbij in het boventunnelblok achter de stripvormige medium-afvoersectie de opname van een stripvormige toevoer-inrichting voor gasvormig slot-medium ten behoeve van het daarmede bevorderen van de afvoer van het geschei-25 den gasvormige draagmedium via dit voorgaande stripvormige afvoer-systeem in het boventunnelblok, tevens de gunstige vorming van een stripvormig gasslot in dit bovenspleet-gedeelte plaats vindt.

93. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 30 het kenmerk, dat zoals daarby in een centraal stripvormig semiconductor behandelings-gedeelte van de bovenspleet boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes na het in de ingangs-sectie ervan continue inbrengen van de combinatie 35 van tenminste mede verdampbaar laag-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vloeibare - of vaste vorm ervan, door de geleidelijke verdamping ervan onder een stripvormige verdampings- inrichting in het boventunnelblok de geleidelijke bewerkstelliging van een typisch micrometer hoge laag onder een veelal voldoende vlakheid van de opgebrachte combinatie van een hoger-kokend vloeibaar draagmedium en 5 deze deeltjes.

94. Werkwijze volgens de Conclusie 93, met het kenmerk, dat zoals daarbij mede daartoe de toepassing van de semiconductor inrichtingen en middelen, welke zijn omschreven en aangegeven in de gelijktijdig door de 10 aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 2, daarmede in een tunnel-gedeelte door verdamping van het vloeibare draagmedium de geleidelijke opbouw van zulk een in een voldoende mate vlakke semiconductor laag tijdens het verdampen ervan . met behulp van de erboven gelegen 15 verdampings-inrichting, welke is opgenomen in het boventunnelblok.

95. Werkwijze volgens de Conclusie 94, met het kenmerk, dat daarbij de bewerkstelliging van een semiconductor laag, bestaande uit deeltjes van zulk een semiconductor 20 substantie en een hoger-kokend vloeibaar draagmedium.

96. Werkwijze volgens de Conclusie 95, met het kenmerk, dat daarbij in een volgend stripvormig gedeelte ervan door verdamping van dit hoger-kokende vloeibare draagmedium de bewerkstelliging van een veelal in een voldoende mate 25 vlakke laag van deeltjes van een vaste - of vloeibare semiconductor substantie.

97. Werkwijze volgens de Conclusie 95, met het kenmerk, dat daarby in een volgend stripvormig gedeelte ervan door verdamping van dit hoger-kokend vloeibaar medium de 30 bewerkstelliging van een veelal in een voldoende mate vlakke laag van deeltjes van een nog hoger-kokend vloeibaar draagmedium en deeltjes van een vloeibare, al dan niet tijdelijke hecht-substantie.

98. Werkwijze volgens de Conclusie 97, met het kenmerk, 35 dat daarbij in een volgend stripvormig gedeelte ervan door verdamping van dit zeer hoog-kokend vloeibaar draagmedium de bewerkstelliging van een in een veelal in voldoende mate vlakke (su) um hoge laag van aaneengesloten deeltjes van zulk een vloeibare, al dan niet tijdelijke hecht-substantie.

99. Werkwijze volgens de Conclusie 97 of 98, met het kenmerk, dat daarbij tijdens zulk een verdampings-proces 5 van het laatste verdampbare draagmedium tevens een indring-proces van deze deeltjes van een vaste - of vloeibare substantie in de in een voorgaand tunnel-gedeelte bewerkstelligde semiconductor laag plaats vindt.

100. Werkwijze volgens de Conclusie 99, met het kenmerk, 10 dat daarbij bij toepassing van zulk een vloeibare hecht- substantie zulk een reeds opgebrachte laag een vaste semiconductor laag is.

101. Werkwijze volgens de Conclusie 99, met het kenmerk, dat zoals daarbij bij toepassing van deeltjes van een vaste 15 semiconductor substantie, in een voorgaand tunnel-gedeelte het opbrengen van een vloeibare, al dan niet tijdelijke vloeibare hecht-substantie als een semiconductor bovenlaag.

102. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat indien de bovenwand van de ononderbroken 20 eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat- gedeeltes ter plaatse van zulk een stripvormige medium-toevoer-inrichting in een geringe mate toelaatbaar onvlak is, daarbij door de gelijkmatige toevoer van de combinatie van deeltjes van een op te brengen semiconductor substantie 25 in een vloeibare - of vaste vorm ervan en tenminste één verdampbaar vloeibaar draagmedium, in de daarop-volgende tunnel-gedeeltes doör de bewerkstelligde opvolgende opbouwen van typisch meerdere semiconductor lagen van vloeibaar draagmedium en deze semiconductor substantie en 30 tenslotte een laag van deze deeltjes, zulk een beperkte onvlakheid in een voldoende mate wordt opgeheven.

103. Werkwijze volgens de Conclusie 102, met het kenmerk, dat daarbij daartoe voor dit basis-draagmedium de toepassing van gasvormig draagmedium.

104. Werkwijze volgens de Conclusie 102, met het kenmerk, dat daarbij daartoe zulk een basis-draagmedium een zeer laag-kokend vloeibaar draagmedium is en waarbij met behulp van de achter deze medium toevoer-inrichting in het boventunnelblok opgenomen stripvormige verdampings-inrichting het verdampen ervan plaats vindt.

105. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in het boventunnelblok de opname 5 van een typisch uitwisselbare stripvormige electrische verwarmings-inrichting, met een metalen verwarmings-gedeelte ervan en welke zich in dwarsrichting uitstrekt over het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling, daarbij daarmede het smelten 10 van deeltjes van een vaste semiconductor substantie plaats vindt.

106. Werkwijze volgens de Conclusie 105, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat zoals daarbij de toepassing van een typisch minder dan 0,1 mm breed 15 verwarmins-element, welke in de onderwand ervan is opgenomen in een typisch minder dan 10 mm breed di-electrisch isolatie-blok, welke is opgenomen in een uitwisselbaar metalen draagblok, zulk een opwarming gedurende een zeer korte tijd plaats vindt.

107. Werkwijze volgens de Conclusie 106, met het kenmerk, dat zoals daarbij de hoogte van de bovenspleet boven de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte laag van deeltjes van een vaste semiconductor substantie en de onderwand van deze minder dan 1 mm en typisch slechts 0,2 mm bedraagt, 25 een uiterst geringe warmte-ontwikkeling benodigd is.

108. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals de benodigde opwarming van zulk een um hoog semiconductor laagje, met een te verwarmen volume van zulke deeltjes van een vaste semiconductor substantie 30 van circa 5 mm3, naar typisch minder dan 1200° Celcius geschiedt in typisch minder dan 0,05 seconde en slechts een zeer beperkt electrisch vermogen van typisch minder dan 10 Watt benodigd is, daarbij gelijktijdig nagenoeg geen opwarming van de zich onder dit te verwarmen laagje 35 bevindende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes plaats vindt, met daardoor geen ontoelaatbare vervorming ervan.

109. Werkwijze volgens de Conclusie 78, met het kenmerk, dat zoals deze medium toevoer-inrichting een medium toevoer-compartiment bevat, welke zich op enige afstand boven het boventunnelblok uitstrekt, en waarbij typisch op de bovenzijde ervan de aansluiting van dit medium 5 toevoer-gedeelte en tegen de onderzijde ervan een stripvormig medium afvoer-gedeelte, welke is bevestigd op dit boventunnelblok en bevattende een groot aantal, in typisch verticale richting uitstrekkende en in dwarsrichting ervan naast elkaar gelegen relatief nauwe medium toevoer-kanalen, 10 welke uitmonden in een eronder gelegen micrometer hoge bovenspleet-sectie boven deze opvolgende eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes, een in een voldoende mate gelijkmatige toevoer van deeltjes van een semiconductor substantie naar deze eronder gelegen 15 bovenspleet-sectie plaats vindt.

110. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij via deze medium toevoer-inrichting het ononderbroken plaats vinden van de toevoer van mede de combinatie van vloeibaar draagmedium en 20 deeltjes van een vloeibare semiconductor substantie, zoals onder andere reinigings-, ets-, strip- of spoelmedium, ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandeling in de eronder gelegen stripvormige bovenspleet-sectie.

111. Werkwijze volgens de Conclusie 110, met het kenmerk, dat daarbij tenminste plaatselijk in deze medium toevoer-inrichting het onderhouden van een overdruk van tenminste mede deze toegevoerde combinatie van opvolgende draag-mediums en deeltjes van een semiconductor substantie ten 30 opzichte van de druk van het medium in deze zich eronder bevindende bovenspleet-sectie.

112. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij het terechtkomen van een teveel aan deeltjes van een semiconductor substantie tegen de 35 onderzijde van het boventunnelblok tijdens het verdampingsproces van de opvolgende vloeibare draagmediumswordt vermeden.

113. Werkwijze volgens de Conclusie 112, met het kenmerk, dat daarbij zulk een substantie een vaste substantie is.

114. Werkwijze volgens de Conclusie 112, met het kenmerk, dat daarbij zulk een substantie een vloeibare, typisch al dan niet tijdelijke hecht-substantie is.

115. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een stripvormige sectie van het boventunnelblok de opname van een stripvormige transducer-opstelling, met daarboven de opname van een laag-frequent pulserende inrichting, het daarmede mede 10 onderhouden van een laag- laag-frequente pulseer-conditie en ten behoeve van het in de daaronder gelegen stripvormige semiconductor behandelings-sectie ononderbroken plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces, zoals onder andere zulk een reinigings-, ets-, strip- of spoel-15 proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

116. Werkwijze volgens de Conclusie 115, met het kenmerk, dat daarbij het bewerkstelligen van een optimale conditie van zulk een behandelings-proces ter plaatse van, gezien 20 in de verplaatsingsrichting van deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende substraat-gedeeltes, het voorste gedeelte ervan, met het daarbij ononderbroken plaatsvinden van het navolgende: 1. in de hoogste pulseer-conditie van deze trillende 25 transducer het bewerkstelligd zijn van een maximale hoogte van de daaronder gelegen bovenspleet-sectie; 2. in de middelste pulseer-positie van deze trillende transducer een midden-positie ervan; en 3. in de onderste pulseer-positie van deze trillende 30 transducer het bewerkstelligd zijn van een micrometer hoogte van de zich daaronder bevindende bovenspleet-sectie en waarbij het daarin plaatsvinden van een optimaal semiconductor behandelings-proces van de bovenlaag van de zich ononderbroken eronderlangs verplaatsende 35 semiconductor substraat-gedeeltes.

117. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een stripvormige sectie van het boventunnelblok achter de daarin opgenomen stripvormige medium toevoer-inrichting voor het semiconductor basis-draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie in een vaste toestand ervan een in een met vloeibaar medium gevuld uitwisselbaar strip-5 vormig compartiment opgenomen, zich ononderbroken verdraaiende nokkenas-opstelling, bevattende een stripvormige drukplaat-sectie, met daarin opgenomen een dunwandig electrisch verwarmings-element, het daarmede plaatsvinden van verdamping van het toegevoerde vloeibare 10 draagmedium en vervolgens daarmede plaatsvinden van een oven-behandeling van de opgebrachte laag van typisch een di-electrische substantie.

118. Werkwijze volgens de Conclusie 117, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van deze nokkenas-opstelling als een 15 typisch laag-frequent pulseer-inrichting het tevens onderhouden van een laag-frequente pulseer-conditie van deze drukplaat-sectie onder het daarmede plaatsvinden van een semiconductor behandelings-proces van de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor 20 substraat-gedeeltes.

119. Werkwijze volgens de Conclusie 118, met het kenmerk, dat daarbij het plaatsvinden van de op bouw van een micrometer hoge laag van een typisch di-electrische substantie op de reeds in voorgaande tunnel-secies 25 opgebouwde, relatief hoge laag ervan.

120. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van een ononderbroken verdraaiende nokkenas-opstelling in het midden-gedeelte van een met vloeibaar medium gevuld 30 stripvormig boven-compartiment van het boventunnelblok en eronder in het ondertunnelblok een eveneens met vloeibaar medium gevuld stripvormig compartiment, met als bovengedeelte ervan een stripvormige, in hoogterichting verplaatsbare drukwand, met behulp van het opvolgend toe-35 en afvoeren van dit vloeibare medium naar en vanaf dit compartiment het daarbij onderhouden van een opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen ervan en daarmede van de ononderbroken erbovenlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

121. Werkwijze volgens de Conclusie 120, met het kenmerk, dat daarbij het onderhouden van zulk een opvolgend op- en neerwaarts verplaatsen van de onderdrukwand en daarmede 5 van de ononderbroken erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes geschiedt onder typisch een mechanisch contact met deze onder-drukwand ten behoeve van het daarmede onderhouden van een semiconductor behandelings-proces van deze opvolgende substraat-gedeeltes onder de combinatie 10 van een typisch hoog- of laag-frequent trillend stripvormig drukwand-gedeelte van het boventunnelblok en een laag-frequent pulserend stripvormig bovenwand-gedeelte van het ondertunnelblok.

122. Werkwyze volgens de Conclusie 121, met het kenmerk, 15 dat daarbij door de toepassing van een bepaalde profilering van de daarin opgenomen nokken van deze nokkenas-opstelling, het onderhouden van een bepaalde tril-conditie van het drukplaat-gedeelte ervan.

123. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 20 het kenmerk, dat daarbij tenminste plaatselijk in een stripvormig bovenspleet-gedeelte boven deze opvolgende, eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes het onderhouden van een aanzienlijke onderdruk, mogelijk zelfs nabij een vacuum-conditie.

124. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat ' plaatselijk in de tunnel-opstelling een tijdelijke stilstand van de opvolgende, erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes wordt onderhouden ten behoeve van het daarin plaatsvinden van 30 een belichtings-proces van de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebrachte belichtings-laag, hetgeen is omschreven en aangegeven in meerdere van de reeds goedgekeurde, j.1. door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen.

125. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in het boventunnelblok aan weerszijde van zulk een centraal strip vormig semiconductor behandelings-gedeelte mediumslot-opstellingen zijn opgenomen, het daarmede beletten van de daarin terecht gekomen combinatie van het basis-draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie te ontsnappen in dwarsrichting vanuit het centrale semiconductor 5 behandelings-gedeelte via de beide stripvormige spleet-secties tussen de opvolgende band- of folie-gedeeltes en het zich erboven bevindend gedeelte van de onderwand van het boventunnelblok.

126. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met 10 het kenmerk, dat zoals daarbij plaatselijk de toepassing van zulk een medium-toevoerblok tevens in het onder-tunnelblok, met daarin het ononderbroken plaatsvinden van een toevoer van uitsluitend vloeibaar medium in een dun-vloeibare toestand ervan, het daarmede in een daarop-15 volgend gedeelte van deze tunnel-opstelling onderhouden van een optimale gelijkmatige micrometer hoogte van de opgebrachte laag tussen het ondertunnelblok-gedeelte en de opvolgende, erbovenlangs verplaatsende substraat-gedeeltes ten behoeve van het daarbij fungeren van deze ononderbroken 20 metalen band of folie als een tijdelijke semiconductor onderlaag ervan.

127. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste plaatselijk in deze tunnel-opstelling na zulk een medium toevoer-inrichting in 25 het boventunnelblok met behulp van tenminste mede een overdruk van het toegevoerde medium ten opzichte van de druk, typisch een onderdruk, van het medium onder deze opvolgende band-gedeeltes.het onderhouden van een mechanisch contact van deze opvolgende band-gedeeltes met 30 de bovenwand van het ondertunnelblok ten behoeve van in de zich erboven bevindende stripvormige semiconductor behandelings-sectie het tenminste bijdragen in een optimaal gelijkmatige laag-opbouw van de daarin neergeslagen deeltjes van een semiconductor substantie.

128. Werkwijze volgens de Conclusie 127, met het kenmerk, dat daarbij het onderhouden van een micrometer hoogte van de bovenspleet-sectie achter deze medium toevoer-inrichting en een aanzienlijk grotere hoogte van de bovenspleet-sectie voor deze inrichting, waardoor een aanzienlijke afvoer van het door de medium-toevoergroeven toegevoerde medium in de verplaatsings—richting van deze opvolgende substraat-gedeeltes en een te verwaarlozen afvoer in 5 tegengestelde richting via de erachter gelegen bovenspleet-sectie naar een in dit boventunnelblok opgenomen stripvormige medium-afvoersectie.

129. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze tunnel-opstelling tevens 10 de mogelijke toepassing van meerdere van de werkwijzen van de semiconductor faciliteit, - installatie, - opstellingen en - inrichtingen, welke op 23 Juni,

6 Juli, 11 Augustus j.1. en heden door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende zulk 15 een semiconductor tunnel-opstelling.

130. Werkwijze volgens de Conclusie 129, met het kenmerk, dat daarbij de mogelijke toepassing van alle, reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor behandelingen voor wafers in semiconductor modules of - installaties, ook welke reeds 20 zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of — substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing-module of - installatie.

131. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de in deze Octrooi-aanvrage omschreven werkwijzen tevens toepasbaar zijn in deze andere semiconductor tunnel-opstellingen , welke zijn aangegeven en omschreven in deze andere, voorgaand en gelijktijdig 30 ingediende Octrooi-aanvragen van de aanvrager. 1 03 7 473