NL1038117C2

NL1038117C2 - Semiconductor module, bevattende een electrische schakelingspatroon-opbrenginrichting ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van het aanbrengen van electrische schakelingspatronen op een daarin toegevoerde semiconductor substraat.

Info

Publication number: NL1038117C2
Application number: NL1038117A
Authority: NL
Inventors: Edward Bok
Original assignee: Edward Bok
Priority date: 2010-07-21
Filing date: 2010-07-21
Publication date: 2012-01-25

Description

Semiconductor module, bevattende een electrische schakelingspat roon-opbr<enginrichting ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van het aanbrengen van electrische schakelingspatronen op een daarin toegevoerde semiconductor 5 substraat.

Semiconductor module ten behoeve van het tijdens de werking srvan het semiconductor behandelen van een daarin toegevoerde semiconductor substraat, bevattende in tenminste het typisch 10 rechthoekige centrale semiconductor behandelings—gedeelte.

ervan een typisch uitwisselbare typisch eveneens,-rechthoekige schakelingspatronenr-opbr eng inrichting , welke gedeeltelijk -is opgenomën in het boventunnelblok, ten behoeve van het tijdelijk daarmede plaatsvinden van het aanbregen van schdkelings-pa-15 tronen, op een typisch circa rechthoekige semiconductor substraat.

Daarby is zulk een ,schakelingspatroon-opbrenginrichting benodigd ten behoeve' van het in andere, volgende modules de bewerkstelliging van een -électrisch schakeTirigs—patroon.

20 Daarbij het plaatsvinden van zulk een aanbreng-proces onder stilstand van zulk een substraat.

Zulk een aanbreng-inrichting.is typisch uitwisselbaar ten behoeve van het eenvoudig kunnen vervangen, van een defect geraakte inrichting en bét kunnen veranderen van'het ' 25 aanbreng-patroon en daarmede het veranderen van de semiconductor configurantie van de in een:inrichting achter de opvolgende semiconductor modules, 'door deling van deze substraat het bewerkstelligen van een andere semiconductor chip.

30 Ten behoeve van het aanbrèpgën van zulk een schakelings-patroon in deze module het bewerkstelligen van een in voorgaande semiconductor modules tenminste mede opgebouwde relatief dikke: en typisch electrisch ongevoelige di- electrische laag onder een optimale vlakheid ervan.

35 Daarbij zulk een opbreng-proces onder de toepassing van typisch slechts één semiconductor laag voor zulk een semiconductor substraat en waaruit in een inrichting achter de serie van modules door deling ervan de bewerkstelliging van 1038117 2 semiconductor chips met één enkele semiconducro laag.

Verde als een tijdelijke semiconductor onderlaag van deze substraat de toepassing van een typisch metalen of kunststoffen draagplaat.

5 Bij toepassing van een zeer hoog-smeltende flexibele kunststoffen plaat, typisch teflon, als een definitieve semiconductor onderlaag van deze substraat, is deze in een voldoende mate tijdelijk verankerd op deze draagplaat.

Daarbij typisch een omvang van deze folie, welke circa 10 gelijk is aan de omvang van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van zulk een module, en waarbij opzij ervan nog gedeeltes van deze draagplaat ten behoeve van het typisch tijdelijk daarop verankeren van zulk een schakelings-patroon-opbrenginrichting.

15 Daarbij het onderhouden van een aandrukkracht van deze inrichting op deze draagplaat, waardoor het daarmede mede onderhouden van een tijdelijke stilstand van deze plaat.

In een gunstige uitvoering van zulk een module is in de uiteinden van deze plaat opzij van het centrale semiconductor 20 behandelings-gedeelte ervan de opname van een aantal naast elkaar gelegen uitsparingen opgenomen en waarbij deze stripvormige schakelingspatroon-opbrenginrichting ter plaatse van de uiteinden in de onderzijde eran eveneens een aantal naast elkaar gelegen nokken bevat, welke corresponderen met deze 25 naast elkaar gelegen uitsparingen.

Zulke combinaties van een aantal nokken en uitsparingen ten behoeve van tijdens het opbreng-proces optimaal verankerd zijn van deze schakelingspatroon-opbrenginrichting op deze plaat.

30 Verder als een alternatief in de uiteinden van de onder wand van deze opbreng-inrichting het zodanig aangebracht zijn van een aantal naast elkaar gelegen micrometer hoge conische nokken, dat deze corresponderen met de in de bovenwand van de plaat-uiteinden aangebrachte eveneens soortgelijke naast 35 elkaar gelegen groeven.

Daarbij tijdens het benedenwaarts verplaatsen van deze opbreng-inrichting het terechtkomen van deze conische nokken ervan in deze groeven van deze plaat.

3

Zulk een zeer tijdelyke verankering van deze opbreng-inrichting op deze plaat is mede mogelijk door de relatief grote dikte van deze plaat.

Daarbij typisch een robotische toe- en af voer naar en vanaf 5 zulk een module van zulk een substraat in verband .met de voldoende sterkte ervan.

Tevens tijdens het inbrengen van zulk een substraat het geleiden van deze rechthoekige plaat tevens als geleide-gedeelte van deze opbrenginrichting langs tenminste één 10 verticale geleidingswand in een dwarsuiteinde ervan, en een aanslagwand aan het einde van de substraat-doortocht van deze module voor deze substraat-plaat.

Daardoor het in zulk een correcte positie terechtkomen van de nokken/groeven van deze plaat ónder deze daarmede corres-15 ponderende uitsparingen/groeven in de onderwand van deze opbreng-inrichting.

Na het indruk-proces vindt met behulp van typisch een aantal drukcilinders het opwaarts verplaatsen van deze inrichting over slechts circa 0,2 mm uit de daarmede corres-20 ponderende uitsparingen/groeven in deze plaat plaats.

Verder bevat deze module middelen ten behoeve van tenminste ter plaatse van deze schakelingen-opbrenginrichting het onderhouden van een mechanisch contact van zulk een plaat met secties van de bovenwand van het ondertunnelblok.

25 Zulks is beter dan het onderhouden van een micrometer hoge film zeer—hoogkokend vloeibaar medium in de onderspleet-sectie tussen deze plaat en dit blok, omdat bij een opgebrachte film vloeibaar medium in de onderspleet boven dit ondertunnelblok onvermijdelijk geen optimaal gelijkmatige hoogte van 30 deze film in de onderspleet-sectie onder zulk een opbrenginrichting mogelijk is.

Verder mede het navolgende als zijnde noodzakelijk: 1. een ultra vlakke bovenwand van het ondermoduleblok ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behande- 35 lings-gedeelte van deze module; 2. een ultra vlakke boven- en onderwand van deze plaat, met een bepaalde hoogte ervan; en 3. een ultra vlakke bovenwand van deze substraat, typisch 4 grotendeels de di-electrische bovenlaag.

Zulk een opbreng-proces behoeft slechts plaats te vinden van een rechthoekig· gedeelte van deze substraat.

Verder voor zulk een opbreng-proces zelfs de mogelijke 5 toepassing van slechts één rechthoekige opbreng-inrichting met een lengte in dwarsrichting ervan ter grootte van de breedte van het centrale rechthoekige semiconductor behande-lings-gedeelte in dwarsrichting ervan, typisch circa 100 mm, met een gelijktijdige bewerkstelliging van typisch tenminste 10 een i^-tal schakelings-secties.

Verder als alternatief de toepassing van meerdere opvolgende opbreng-inrichtingen in opvolgende modules ten behoeve van het opvolgend aanbrengen van opvolgende electrische schakelings-gedeeltes op zulk een substraat, welke zich 15 uitstrekken in dwarsrichting ervan.

Zulks in vergelijking met het in een bestaande semiconductor module onder toepassing van een wafer met een diameter van typisch 300 mm, bevattende een uiterst gecompliceerde semiconductor schakelingspatroon-aanbrenginrichting ten 20 behoeve van het aanbrengen van de talloze schakelingpatroon-secties ervan ter grootte van een semiconductor chip, met een totaal van typisch tenminste een 200-tal opvolgend aan te brengen schakelingspatroon-secties.

Daarbij moet zulk een schakelingspatronene-opwekinrichting 25 vele malen in zowel de dwars- als lengterichting ervan worden verplaatst.

Aldus een benodigd zeer langdurig aanbreng-proces, zijnde typisch langer dan één uur.

Verder daardoor een extreem hoge kostprijs van zulk een 30 schakelingspatroon-opbrenginrichting, oplopend tot typisch zelfs circa € 50 millioen.

Door geen benodigde verplaatsing van zulk een substraat en waarbij de totaal-lengte van de substraat, waaruit de bewerkstelliging van semiconductor chips, bekend is en deze sub-35 straat bevattende slechts typisch één zeer dunne di-electrische bovenlaag, is het mogelijk om uiterst nauwkeurig na het plaatsvinden van zulk een opbreng-proces met behulp van zulk een schakelingspatroon-opbrenginrichting het plaatsvinden van 5 een herhaling van zulk een proces van een volgende substraat.

Voor minder dan 40 nanometer, typisch slechts 30 nanometer brede semiconductor groeven in de bovenwand van zulk een substraat is eveneens een optimaal indruk-proces verzekerd.

5 Voor deze uiterst eenvoudige indruk-inrichting is elke vorm en afmetingen ervan in zowel de lengte—als dwarsrichting van deze module mogelijk.

Daarbij, indien gewenst ten behoeve van een optimaal indruk-proces, de mogelijke toepassing van een aanzienlijke 10 onderdruk van het gsasvormige medium in de stripvormige opbreng-sectie.

In een gunstige uitvoering strkt zulk een stripvormige opbreng—inrichting zich uitsluitend in verticale richting uit in tenminste mede het boventunnelblok en waarbij zulk een 15 uitwisselbare stripvormige nokkenplaat het ondergedeelte is van het opbrengblok ervan.

Aldus typisch daarmede bijdragen in de bewerkstelliging van een substraat, waaruit door deling ervan het verkrijgen van meerdere semiconductor chips in zowel de lengte- als dwars-20 ervan.

In een gunstige uitvoering van zulk een stripvormige opbreng-inrichting is deze rondom met behulp van flexibele afdicht-banden, welke zijn opgenomen in het boventunnelblok, zodanig tenminste nagenoeg afgesloten van de buitenlucht, dat 25 daarbij zulk een opbreng-proces mogelijk plaatsvindt onder tenminste een hoge onderdruk van het daarin aanwezige gasvormige medium.

Als alternatief slechts de toepaaing van een tweetal rubber afdichtbanden opzij van zulk een opbreng-inrichting, 30 zoals daarbij geen hoge onderdruk van het gasvormige medium tijdens het opbreng-proces benodigd is.

Het tenminste nagenoeg rechthoekige centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze eveneens typisch tenminste nagenoeg rechthoekige module is typisch geheel gevuld met het 35 centrale gedeelte van deze rechthoekige metalen draagplaat.

Deze draagplaat is tenslotte nagenoeg geheel bedekt met stroken van naast elkaar gelegen stripvormige schakelingspa-tronen-opbrengsecties.

6

Zoals voor zulk een module, met typisch in dwarsrichting een breedte van 100 mm van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte, daarbij aldus circa een tiental van zulke stroken naast elkaar gelegen schakelingspatronen-5 opbrengsecties ter grootte van minimaal één te bewerkstelligen chip.

Typisch daarbij in zulk een module het op deze plaat aangebracht zijn van een enkele strook van zulke secties, welke zich in zowel de lengte als breedte ervan uitstrekt.

10 Zulk een strook kan daarbij meerdere naast elkaar gelegen gedeeltes ter grootte van een bewerkstellige chip bevatten.

Aldus in een aantal volgende modules de aanvulling ervan met een aantal, typisch minder dan een 5-tal van zulke stroken .

15 Zoals daarbij typisch circa dezelfde 100 mm lengte van zulk een centraal module-gedeelte de bewerkstelliging van een circa 100 chips-op zulk een plaat.

. Verder bedraagt de totaal benodigde tijdsduur van de combi natie van zulk een behandelings-proces en de robotische toe-20 en afvoer van zulk een‘substraat slechts circa 20 seconde.

Aldus per module per uur een productie van 3600:20 = 180 behandelingen en de mogelijke productie van circa 18000 chips bij een indrukkings-proces over het gehele beschikbare plaat-oppervlak en circa 3600 chips bij een 5-tal benodigde modules.

25 In vergelijking, met de bestaande semiconductor installa ties per module slechts de productie/belichtings-proces van circa 300 chips per uiir;

Aldus een circa 12-voudig hogere chip-productie per uur.

Deze modules zijn daartoe typisch in dwarsrichting van de 30 modules-installatie op enige afstand van elkaar af gelegen tijdens zulk een schakelings-opbrengproces en mogelijk ook voor en daarna , ervan en waarbij met behulp van zulk een draag/ transfer-robot zulk een draagplaat na zulk een semiconductor behandeling ervan in een module daaruit wordt verwijderd en 35 toegevoerd naar een volgende module.

Binnen het kader van de uitvinding afmetingen van deze draag/transfer-plaat in zowel dwars- als lengterichting ervan, zoals typisch circa 200 mm, ten behoeve van daarbij het 7 bewerkstelligen van zelfs nog een circa vier-voudig hogere chip-productie per combinatie van modules, typisch circa 14000 chips per uur en aldus een circa vijftig-voudig sneller* schakelings-opbrengproces dan by de bestaande installaties.

5 In plaats van met behulp van deze nokken het bewerkstelli gen van indrukkingen in deze zeer zachte di-electrische bovenlaag is het als een alternatieve werkwijze ook mogelijk om zulke indrukkingen te bewerkstelligen met behulp van een stripvormige bundel van stromen deeltjes van een gasvormige 10 en/of vloeibare substantie en waarbij daartoe de in de Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 1037629 van de aanvrager toegepast wordende opwek-inrichting voor zulk een bundel van stromen en de toepassing daarbij van een stripvormige inrichting onmiddellijk boven de zich eronder bevindende stripvormi-15 ge semiconductor substraat.

Daarbij in deze opwek-inrichting typisch een stripvormige plaat, welke zich over enige afstand uitstrekt in dwarsrich-ting van deze modulë-opstelling, en bevattende naast elkaar gelegen nanometer brede doorlaat-secties met een totaal-20 breedte van de daarin fe bewerkstelligen groep van typisch een aantal chips in zowel de lengte- als dwars-richting ervan Daarbij de bewerkstelliging van deze nanometer brede en diepe groeven in deze di-electrische bovenlaag en waarbij afvoer van de combinatie van deze deeltjes vloeibare en/of 25 gasvormige substantie en bewerkstelligde deeltjes van deze di-electrische substantie plaats vindt via, gezien typisch in dwarsrichting van deze module aan weerszijde opzij van deze inrichting, in het boventunnelblok opgenomen medium afvoer-groeven.

30 Verder het beperkt houden van de breedte van deze strip vormige doorlaat voor deze toegevoerde bundel van stromen in de dwarsrichting van deze module tot typisch in geringe mate groter dan de breedte van één tot een drietal van zulke semiconductor chipe.

35 De semiconductor inrichtingen, zoals onder andere ver vaardigd door bestaande semiconductor bedryven, bevatten reeds zich in lineaire richting uitstrekkende, slechts typisch 30-40 nanometer brede en hoge groeven in tenminste 8 mede de di-electrische bovenlaag van de toegepast wordende wafers.

Zulks onder andere met:de-benodigde toepassing van uiterst kostbare semiconductor belichtings—inrichtingen ten behoeve 5 van het plaatsvinden van een benodigd zeer langdurig semiconductor belichtings-proces voor de bewerkstelliging van chips.

Door de toepassing van reeds bestaande en toekomstig verder verbeterde bewerkstelliging van zulk een stripvormige combinatie van naast elkaar gelegen nanometer brede nokken en 10 groeven in een vlakke onderwand van zulk een belichtings-inrichting is dit ook mogelijk in zulk een stripvormige, voldoend harde, typisch metalen aandrkplaat van deze semiconductor schakelingspatroon-opbrenginrichting.

Verder in een alternatieve uitvoering van zulk een module-15 opstelling bestaat zulk een stripvormige schakelingspatroon— opbrenginrichting uit mede een inrichting ten behoeve van het daarmede opbrengen van een belichtingslaag, welke zich uit— strekt in dwarsrichting van zulk een rechthoekige module> en waarbij in een volgende module met behulp van een stripvormige 20 belichtings-inrichting als deel ervan het plaatsvinden van belichting van deze laag onder de bewerkstelliging van vele electrische schakelingspatronen op de daarin ingebrachte rechthoekige substraat.

Daarbij in volgende stripvormige modules met behulp van 25 mede in stripvormige belichtings-inrichtingen bewerkstelligde bundel van stralen het verkrijgen van een totaal electrisch schakelingspatroon-stelsel voor het centrale gedeelte van de in zulke modules toegepaste rechthoekige substraten.

Zulks mede onder toepassing van stripvormige inrichtingen, 30 waarin de opwekking plaats vindt van tenminste één bundel van licht-stralen met tenminste de omvang ervan ter grootte van gelijktijdig typisch meerdere, in deze module-opstelling bewerkstelligde semiconductor chips.

Zulk een individuele rechthoekige module biedt vele voór-35 delen ten opzichte van de bestaande individuele , nagenoeg cilindrische semiconductor modules, waarin het opvolgend plaatsvinden van een zeer groot aantal semiconductor behandelingen van de daarin opgenomen cilindrische wafers.

9

De module is verder zodanig uitgevoerd en bevat, zodanige middelen, dat -daarbij voor zulk een schakelingspatroon-opbrenginrichting ervan de mogelijke toepassing van opbreng-inrichtingen of gedeeltes ervan, welke reeds zijn omschreven 5 en aangegeven in tenminste mede Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en/of Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of — substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing- module of - installatie.

10 Verder is deze module zodanig uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat de daarin omschreven en aangegeven schakelingspatroon-opbrenginrichtingen tevens toepasbaar zijn in de semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven . en .omschre.ven in de reeds door de aanvrager ingediende Neder-15 landse Octrooi-aanvragen betreffende zulk een semiconductor tunnel-opstelling en de gelijktijdig hiermede ingediende Octrooi- aanvrage.

Verder is deze module-opstelling zodanig uitgevoerd en bevat deze zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een 20 schakelingspatroon-opbrènginrichting de toepasbaarheid van de reeds door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooiaanvragen betreffende zulk een tunnel-ODStelling.

Figuur .1 toont een semiconductor module, bevattende een stripvormige electrischeschakelingspatroon-opbrenginrichting 25 ten behoeve van het daarmede in deze module plaatsvinden van het opvolgend op en neer verplaatsen van deze inrichting onder het daarbij bewerkstelligen van stripvormige nanometer grote groeven in de di-electrische bovenlaag van de daarin gebrachte, typisch rechthoekige semiconductor substraat.

30 De Figuren 2^, B en C tonen zeer sterk vergroot opvolgen de dwarsdoorsnedes van de module volgens de Figuur 1 en ' waarbij het opvolgend op en neer verplaatsen van deze schake-lingspatroon-opbrenginrichting, met daarbij het navolgende: in de Figuur 2A de opwaartse positie van deze inrichting 35 boven een nog vlakke bovenwand van deze substraat onder een tjjdelijke stilstand ervan; in de Figuur 2B de onderste positie van deze inrichting en waarbij met behulp van de nanometer brede en hoge nokken ervan 10 het plaatsvinden van een indring-proces van deze nokken in deze zich eronder bevindende substraat; en in de Figuur 2^ het wederom terugkeren naar de bovenste positie van deze inrichting.

5 De Figuren 3A t/m E tonen de met behulp van een draag/ transferrobot het toevoeren van een volgende rechthoekige substraat, bevattende een metalen draagplaat, naar deze individuele, typisch rechthoekige module.

Daarbij in de Figuur 3A het opgenomen zijn van een recht-10 hoekige substraat op de stripvormige draag/transferarm van deze robot ten behoeve van het verplaatsen ervan naar het centrale rechthoekige behandelings-compartiment van deze module.welke daartoe geopend is, met het daartoe benedenwaarts verplaatst zijn van een zijwand-gedeelte ervan.

15 In de Figuur 3^ is met behulp van deze robot deze sub straat langs tenminste één van de beide opstaande evenwijdige wanden van dit compartiment naar het centrale rechthoekige semiconductor behandelings-gedeelte ervan verplaatst.

In de Figuur 3^ is deze draagplaat met zijn opstaande 20 zijwand tot mede tegen de daarmede corresponderende opstaande achter-zijwand van dit compartiment bewogen, met in eén volgende phase het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen van deze robot-arm.

In de Figuur 3^ bevindt deze substraat zich binnen dit 25 compartiment en waarbij het verwgderd zijn van deze robot-arm en het vervolgens opwaarts verplaatst zijn van dit zijwand-gedeelte.

De Figuur 3^ toont na het opwaarts verplaatst zijn van deze zijwand het tenminste nagenoeg afsluiten daarmede van 30 dit compartiment en waarbij deze substraat-plaat typisch aan-gedrukt-ligt tegen één van deze beide, zijwanden en de athter-wand van dit compartiment.

Aldus het vervolgens in dit compartiment het plaatsvinden van het schakelingspatroon-opbrengproces van deze rechrhoe-35 kige substraat.

Figuur 4 toont een dwarsdoorsnede van de in de module-opstelling opgenomen module volgens de Figuur 1 in de hoogte-richting ervan.

11

Figuur 4^ toont de doorsnede over de lijn 4A-4A van de module volgens de Figuur 4, met daarbij nog vergroot secties van het centrale gedeelte van de opvolgende substraat-gedeeltes en met behulp van deze patroon—opbrenginrichting 5 het bewerkstelligd zijn van een aantal naast elkaar gelegen substraat—gedeeltes ter groote van een semiconductor chip over typisch nagenoeg de gehele breedte van dit centrale gedeelte.

Figuur 4^ toont zeer sterk vergroot een sectie van deze 10 module, met het benedenwaarts verplaatsen van deze patroon opbrëng-inrichting eii waarbij het tonen van de fegen.de onderwand van het stripvormige patroon-opbrengblok naast elkaar gelegen nanometer brede en - hoge nokken ten behoeve van het indrukken ervan in de zich eronder bevindende ultra-zachte 15 micrometer hoge di-electrische bovenlaag.

Figuren 5A t/m E tonen zeer sterk vergroot het opvolgend steeds verder benedenwaarts verp'laatsen van zulk een nok in deze di-electrische bovenlaag onder vervorming van de aangrenzende gedeeltes van deze bovenlaag en het tenslotte 20 in de onderste positie·ervan het met behulp van de aangrenzende wand-gedeeltes opzij van deze nok het vlakken van tenminste mede deze vervormde di-electrische bovenlaag- gedeeltes .

Figuur 5^ toont het vervolgens opwaarts verplaatsen van 25 deze nok vanuit de daarmede bewerkstelligde uitsparing.

Figuur 50 toont zeer sterk vergroot het aangebracht zijn van een nanometer dikke typisch tefonlaag op zulk een nok.

Figuur 5^ toont zeer sterk vergroot het bestaan van de bovenste micrometer hoge di-electrische laag uit typisch 30 nanometer grote di-electrische deeltjes van een di-electrische substantie met een relatief lage smelt-temperatuur ervan.

Figuur 6 toont met behulp van in een tenminste mede boven het bovenmoduleblok gelegen uitwisselbare stripvormige opwek-35 inrichting bewerkstelligde nanometer brede bundel van benedenwaarts gerichte stripvormige stralen van typisch gasvormig medium als gedeelte van een zeer groot aantal in zowel de lengte- als dwarsrichting van deze module naast elkaar gele- 12 gen individuele bundels het plaatsvinden van het bewerkstelligen van een nanometer brede groef in de di-electrische bovenlaag van de zich eronder bevindende semiconductor substraat .

5 Figuur 6^ toont daarbij het met behulp van deze stralen bewerkstelligd zijn van zulk een nanometer brede groef.

Figuur óB toont met behulp van vloeibaar reinigings-medium het uitdrijven van de in deze groef achtergebleven losgemaakte di-electrische deeltjes uit deze groef.

10 Figuur öC toont met behulp van gasvormig spoelmedium het uitdrijven van mede dit reinigings-medium uit deze groef onder het verkregen zijn van de aangegeven schone groef.

Deze opvolgende semiconductor behandelingen zijn tevens zeer sterk vérgroot aangegeven in de Figuren t/m H.

15 Figuur 61 toont nog zeer sterk vergroot de vaste deeltjes van een di-electrische substantie in zulk een groef.

Figuur 7 toont in zulk een module-opstelling een typisch uitwisselbare inrichting ten behoeve van het mede bewerkstelligen van een stripvormig electrisch schakelingspatroon op de 20 in een rechthoekige module ervan gebrachte rechthoekige substraat' met behulp van een stripvormige belichtings-inrichting, welke in mede het bovenmoduleblok ervan is opgenomen en zich typisch in dwarsrichting uitstrekt over het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

25 Zulks typisch in zowel de lengte-als dwarsrichting van deze module onder het tijdens de werking ervan typisch produceren van bundels van licht-stralen in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan en waarbij deze stralen inwerken op een zeer dunne licht-gevoelige bovenlaag van zulk een semiconduc-30 tor substraat.

Daarbij vervolgens in de daarop-volgende modules de reeds algemeen bekend zijnde bewerkstelliging van nanometer brede groeven in de di-electrische hoofdlaag van zulk een substraat..

Figuur 8· toont met behulp van een stripvormige behande-35 lings-inrichting het gelijktijdig behandelen van een geheel stripvormig substraat-gedeelte en waarbij in de daaropvolgende modules het herhalen van zulk een behandelings-proces van een volgend substraat-gedeelte plaats vindt.

13

Figuren 9A t/mE tonen als alternatief één behandelings-inrichtiiig per behandelings-gedeelte ten behoeve van het plaatsvinden van de navolgende behandelings-processen: ‘9A; het gelijktijdig behandelen van alle behandelings-secties 5 ervan; of 9®: een tweetal verschillende behandelings-secties; of 9C: een drietal verschillende behandelings-secties; of 9D; een viertal verschillende behandelings-secties; of 9 E: een vijftal verschillende behandelings-secties.

10 Figuren 10A t/m E tonen in opvolgende modules de bewerkstelliging van tenslotte één nagenoeg geheel bedekt centraal gedeelte van een rechthoekige substraat, bevattende zulke groepen van indrukkingen ter grootte van een semiconductor chip in zowel de lengte- als breedte-richting ervan.

15 Figuur 1 toont een in de semiconductor module-opstelling 10 opgenomen stripvormige electrische schakelingspatroon-opbreng-inrichting 12 ten behoeve van het daarin plaatsvinden van een schakelingspatroon-opbrengproces van de stripvormige substraat 14.

20 Daarbjj is deze uitwisselbare inrichting 12 benedenwaarts verplaatsbaardoor zyn relatief hoog eigen gewicht en wordt deze tijdens het niet daarmede plaatsvinden van het opbrengen van een schakelingspatroon-opbrengproces over een geringe afstand opwaarts verplaatst vanaf deze substraat 14.

25 Zulks met behulp van een aantal verplaatsings-inrichtin- gen 16 tot tegen de aanslag-opstellingen 18 van het module-blok 20.

Daarbij met behulp van de 0-ring opstellingen 22, welke zijn opgenomen in deze aanslag-opstelling 18 van deze inrichting 30 in de lengterichting opzij van het stripvormige compartiment 24 van deze inrichting 12 tenminste mede nagenoeg onderhouden van een afsluit-conditie van het compartiment £4 van de buitenlucht .

Met behulp van deze inrichting 12 het met de multi, naast 35 elkaar gelegen nanometer brede en hoge nokken 26, welke deel uitmaken van de onderwand 28 van deze inrichting 12 ervan, het tijdens de benedenwaartse verplaatsing opvolgend indrukken in de bovenwand van de uiterst dunne . en relatief zachte 14 di-electrische bovenlaag 30, welke in een voorgaand tunnel-gedeelte is opgebracht op de relatief dikke di-electrische hoofdlaag 32.

Deze di-electrische.-laag 32'is typisch met behulp van een 5 micrometer hoge tjjdelijke tussenlaag voldoende verankerd op de opvolgende ononderbroken gedeeltes van deze substraat 14.

Met behulp van deze inrichting 12 het met behulp van deze nokken 26 bewerkstelligen van de nanometer grote doordrukkin-gen 34 .

10 Daarbij tenminste mede door elke mogelijke omvang en opbouw van zulk een inrichting in zowel de lengte- als breedte-richting van deze module 10 het mogelijk plaatsvinden van een gelijktijdig opbreng-proces van een aanzienlijk aantal doordruk-secties ter grootte van in totaal een semiconductor chip, 15 zoals is aangegeven in de Figuur 4..

Na het indruk-proces wordt deze inrichting opwaarts verplaatst naar zijn rust-positie.

Zulk een benedenwaartse verplaatsing van het schakelings-patroon-opbrengblok 36,zoals is aangegeven in de Figuur 2Af 20 geschiedt daarbij door het via de toe/afvoerleiding 38 toevoeren van typisch gasvormig drukmedium 40 naar het compartiment 24 boven dit blok 36 en zulks tegen de opwaartse krachtwerking van de drukveren 42 in.

Binnen het kader van de uitvinding kunnen deze nokken 26 25 deel uitmaken van het uitwisselbare onderblok-gedeelte 44, welke in een voldoende mate is vastgezet tegen de onderwand 46 van het blok 36, onder het daarbij tijdelijk onderhouden van de micrometer hoge onderspleet 48 onder dit. blok-gedeelte 44.

Na zulk een indring-proces van deze nokken 26 in deze di-30 electrische bovenlaag 30, zoals is aangegeven in de Figuur 2^ het vervolgens door afvoer van dit drukmedium 40 uit dit compartiment 24 het met behulp van deze veren 42 wederom omhoog verplaatsen van dit blok 26 tot tegen de aanslagwand-opstelling 18 van deze inrichting 12.

35 Daarbij, het bewerkstelligd zijn van de smalle, naast elkaar gelegen nanometer grote groeven 34, zoals is aangegeven in de Figuur 2C.

De Figuren 3A t/m E tonen de met behulp van een draag/ 15 transferrobot 52 het toevoeren van een volgende rechthoekige substraat 14, bevattende een metalen draagplaat 56, naar deze individuele, typisch rechthoekige module 10.

Daarbij in de Figuur 3 A het opgenomen zijn van een recht-5 hoekige substraat 14 op de stripvormige draag/transferarm 58 van deze robot 52 ten behoeve van het verplaatsen ervan naar het centrale rechthoekige behandelings-compartiment 48 van deze module 10, welke daartoe geopend is, met het daartoe benedenwaarts verplaatst zijn van het zijwand-gedeelte 60 ervan. 10 In de Figuur 3B is met behulp van deze robot 52 de draag plaat 56 van deze substraat 10 langs tenminste één van de beide opstaande evenwijdige wanden 62 en 64 van dit compartiment 48 naar het centrale rechthoekige semiconductor behan-delings-gedeelte 48 ervan verplaatst.

15 In de Figuur 3^ is deze draagplaat 56 met zijn opstaande zijwand 66 tot mede tegen de daarmede corresponderende . opstaande achter-zijwand 68 van dit compartiment 48 bewogen, met in een volgende phase het over een geringe afstand benedenwaarts verplaatsen van deze robot-arm 58.

20 In de Figuur 3® bevindt deze substraat 14 zich binnen dit compartiment 48 en waarbij het verwijderd zijn van deze robotarm 58 en het vervolgens opwaarts verplaatst zijn van dit zijwand-gedeelte 62.

De Figuur 3^ toont na het opwaarts verplaatst zijn van deze 25 zijwand 62 het tenminste nagenoeg afsluiten daarmede van dit compartiment 48 en waarbij deze substraat-plaat 56 typisch aangedrukt ligt tegen één van deze beide zijwanden 62 of 64 en de achterwand 68 van dit compartiment.

Aldus het vervolgens in dit compartiment 48 het plaatsvin-30 den van het schakelingspatroon-opbrengproces van deze rechthoekige substraat 10.

Figuur 4 toont de schakelingspatroon-opbrenginrichting 12, welke zich uitstrekt in dwarsrichting van de module 10, en waarbij de onderwand 46 van het uitwisselbare blok-gedeelte 44 35 van deze inrichting wederom de zeer vele nanometer brede nokjes 26 bevat, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 4^, als doorsnede over de lijn 4B - 4B van deze inrichting.

16

Daarbij het aangegeven zijn van de zachte di-electrische bovenlaag 30 op de di-electrische hoofdlaag 50.

Deze laag 50 is gehecht op de draagplaat 56.

Figuur 4^ toont de doorsnede over de lijn 4A - 4A van de 5 module 10 volgens de Figuur 4, met daarbij nog vergroot secties van het centrale gedeelte 76 van de opvolgende substraat-gedeeltes en met behulp van deze patroon- opbreng-inrichting 12 het bewerkstelligd zijn van een aantal naast elkaar gelegen substraat-gedeeltes 72 ter grootte van een 10 semiconductor chip 72 over typisch nagenoeg de gehele breedte van dit centrale gedeelte.

Figuur 4B toont zeer sterk vergroot een sectie van deze module 10, met het benedenwaarts verplaatsen van deze patroon opbreng-inrichting 12 en waarbij het tonen van de tegen de 15 onderwand 144 van het stripvormige patroon-opbrengblok 36 naast elkaar gelegen nanometer brede en - hoge nokken 26 ten behoeve van het indrukken ervan in de zich eronder bevindende ultra-zachte micrometer hoge di-electrische bovenlaag 30.

De Figuren 5A t/m E tonen extreem vergroot de beneden-20 waartse verplaatsing in! de ruimte 76 van de onderwand 28 van de inrichting 12 tot in het boven-gedeelte 78 van deze zachte di-electrische laag 30.

Daarbij toont de Figuur 5A het starten van deze benedenwaartse verplaatsing van zulk een stripvormige nok 26.

25 Figuur 5^ toont daarbij het begin van het indruk-proces door zulk een nok 26 van het zich eronder bevindende gedeelte onder ter plaatse een opwaartse vervorming van dit bovenlaag-gedeelte 78.

Figuur 5C toont nog een verdere benedenwaartse verplaat-30 sing van deze nok 26 onder daarbij een verdere toename van de vervorming van het aangrenzende bovenlaag-gedeelte 78.

Figuur 5D toont het bereiken van het vullen door deze nok 26 van de bewerkstelligde indrukking 34.

Figuur SE toont daarbij nog door een verdere benedenwaartse 35 verplaatsing van deze nok het met behulp van het aangrenzende onderwand-gedeelte ervan vlakken van het eronder gelegen aangrenzende gedeelte van de bovenwand van deze di-electrische laag 30.

17

Figuur toont het vervolgens wederom opwaarts verplaatsen van deze nok 26 uit de bewerkstelligde indrukking 34, zijnde een daarmede bewerkstelligde nanometer brede en diepe groef 34.

5 Figuur 5^ toont zeer sterk vergroot het aangebracht zijn van een nanometer dikke, typisch teflon-laag 80 op zulk een nok 26.

Figuur 5^ toont zeer sterk vergroot het bestaan van de bovenste micrometer hoge di-electrische laag 30 uit typisch 10 nanometer grote di-electrische deeltjes 82 vaii een di- electrische substantie met een relatief lage smelt-tempera-tuur ervan.

Figuur 6 toont met behulp van een in tenminste mede boven het bovenmoduleblok 84 gelegen uitwisselbare stripvormige 15 inrichting 86 het daarin met behulp van de opwek-inrichting 88 bewerkstelligenjvan de bundel.90 van benedenwaarts gerich- j te stralen van typisch vloeibaar medium 92 als gedeelte van j een zeer groot aantal in zowel de lengte- als dwarsrichting van deze module 10 naast elkaar gelegen typisch individuele 20 bundels 90·

Daarmede het bewerkstelligen van nanometer brede groeven . j 34 in de di-electrische bovenlaag 30 van de zich eronder | bevindende semiconductor substraat 14.

Typisch in deze inrichting 86 een medium doorlaat-25 gedeelte 94',-waarin de opname van de stripvormige straal— doorlaatplaat 96 en waarin het typisch ge-etst zijn van tenminste mede groepen van de benodigde nanometer brede uitsparingen 98 ten behoeve van het doorlaten van gedeeltes van deze bundels 90 van stromen vloeibaar medium 92.

30 In de onderwand 100 van het medium-doorlaatblok 102 opzij j van het medium-doorgangsgedeelte 104 ervan de opname van tenminste mede de flexibele afdichtringen 106 en 108 ten behoeve van het tijdelijk in voldoende mate afdichten van het bundel-doorlaatgedeelte 104 tijdens het groeven bewerkstelli-35 gings-proces in de di-electrische bovenlaag 30 van de substraat 14.

Afvoer van de combinatie van het vloeibare uitdrijf medium 92 en deeltjes 82 van zulk een di-electrische substantie 18 geschiedt daarbij via de in dit medium-doorlaatblok 102 opgenomen stripvormige afvoer-groeven 110 en 112 opzij van deze stripvormige bundel-doortocht.

Figuur 6^ toont zeer sterk vergroot het met behulp van 5 deze bundels 90 van vloeibaar uitdrijfmedium 92 het bewerkstelligen van zulk een groef 34 in deze di-electrische laag van typisch deeltjes 82 van de te verwijderen di-electrische substantie.-

Figuur 6® toont na het bewerkstelligen van deze uitspa-10 ringen 98 met behulp van stromen reinigings-medium 114 het reinigen van deze uitsparingen 98.

Figuur óC toont vervolgens met behulp van gasvormig spoelmedium 116 het verwijderen van dit reinigings-bedium uit zulk een uitsparing 98.

15 Binnen het kader van de uitvinding is bij toepassing van zulke deeltjes 82 van een di-electrische substantie zulk een daarop-volgend reinigings- en spoel-proces van deze bewerkstelligde groeven niet gewenst, indien deze deeltjes niet in een voldoende mate gekleefd zijn tegen elkaar.

20 In de Figuren en E het bewerkstelligen van zulk een nanometer brede en diepe groef en het verkrijgen een typisch geringe verhoging 118 van de bovenwand 78 van deze di-electrische laag 30.

Na het vervolgens plaats vinden van een oven-behandelings-25 proces en een daarop volgend afkoel-proces onder de bewerkstelliging van een vaste di-electrische bovenlaag 30, het met behulp van een typisch roterende slijp-inrichting vlakken van deze bovenlaag 120, Figuur 6E.

Vervolgens het plaatsvinden van een reinigings—proces van 30 deze groef 34 met behulp van het vloeibare reinigings-medium 122, met daarna gasvormig medium 124, zoals is aangegeven in de Figuur 6^.

Aldus in de Figuur 6H het tonen van een in een voldoende mate geschikte schone groef 34.

35 Figuur 6l toont nog wederom zulk een gedeelte van deze di- electrische laag, bestaande uit nanometer grote deeltjes van een di-electrische substantie.

Figuur 7 toont in zulk een module-opstelling een typisch 19 uitwisselbare inrichting 126 ten behoeve van het mede bewerkstelligen van een stripvormig electrisch schakelings-patroon 128 op de in de rechthoekige module 10 ervan gebrachte rechthoekige substraat 14 met behulp van een strip-5 vormige belichtings-inrichting 130, welke uitwisselbaar is opgenomen in mede het bovenmoduleblok 82 van deze module, en zich typisch in dwarsrichting uitstrekt over het centrale semiconductor behandelings-gedeelte 132 ervan.

Zulks typisch in zowel de lengte- als dwarsrichting van 10 deze module onder het tijdens de werking ervan typisch produceren van bundels 134 van licht-stralen 136 in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan en waarbij deze stralen inwerken op een zeer dunne licht-gevoelige bovenlaag 138 van zulk een semiconductor substraat 14.

15 Daarbij vervolgens in de daarop-volgende modules de reeds algemeen bekend zijnde bewerkstelliging van nanometer brede groeven in de di-electrische hoofdlaag 32 van zulk een substraat 14.

De Figuur 7^ toont nog een doorsnede van het ondergedeelte 20 140 van deze beliehtings-inrichting 120 en waarbij de bundels lichtstralen 134/136 inwerken op deze dunne di-electrische bovenlaag 138 van de in deze module 10 opgenomen substraat 14

Figuur 7® toont daarbij de doorsnede over de lijn 7®-7B van het module-gedeelte volgens de Figuur 7&, waarbij het tonen 25 in zowel de lengte- als dwarsrichting van deze module bewerkstelligde lichtbundels 134 ter grootte van een semiconductor chip, zoals onder andere eveneens is aangegeven in de Figuren 8, 9 en 10.

Binnen het kader van de uitvinding is elke andere opbouw 30 en vorm voor deze inrichting mogelijk.

Figuur 8. toont met behulp van de stripvormige behande-lings-inrichting 12 het gelijktijdig behandelen van een geheel stripvormig substraat-gedeelte 140 in een stripvormige sectie 142 van de module 10, en waarbij in de daarop-volgende modu-35 les het herhalen van zulk een behandelings-proces van dit substraat-gedeelte plaats vindt.

Figuren 9^ t/m E tonen als alternatief wederom één schakelingspatroon-opbrenginrichting 12 per substaat-gedeelte 20 van de module 10 ten behoeve van het plaatsvinden van de navolgende schakelingspatroon-opbrengprocessen:

Figuur 9^: het behandelen van slechts één sectie 140; of Figuur 9®: het gelyktijdig behandelen van de tweetal typisch 5 verschillende, naast elkaar gelegen behandelings-secties 144 en 146 met typisch dezelfde omvang ervan; of Figuur 9^; het gelijktijdig behandelen van een drietal typisch verschillende, naast elkaar gelegen behandelings-secties 148, 150 en 152 met typisch dezelfde omvang ervan; of 10 Figuur 9^: het gelyktijdig behandelen van een viertal typisch verschillende, naast elkaar gelegen behandelings-secties 154, 156, 158 en 160 met typisch dezelfde omvang ervan; of Figuur 9^: het gelijktijdig behandelen van een vijftal typisch verschillende, naast elkaar gelegen behandelings-secties 15 162, 164, 166, 168 en 170 met typisch dezelfde omvang ervan..

Figuren 10A t/m E tonen in opvolgende modules 10 de bewerkstelliging van tenslotte één nagenoeg geheel bedekt centraal gedeelte van een rechthoekige substraat, bevattende zulke groepen van indrukkingen 34 ter grootte van een te 20 bewerkstelligen semiconductor chip 72 in zowel de lengte- als breedte-richting ervan.

Figuur 10A; in een eerste module de bewerkstelliging van een substraat-gedeelte, 172, bevattende een drietal in de lengterichting van de module 10 naast elkaar gelegen stripvormige 25 secties 174 ervan met een breedte van zulk een te bewerkstelligen semiconductor chip 72.

Figuur 10B; in een volgende module 10 de bewerkstelliging van een substraat-gedeelte 176, met èen .totaal-breedte ervan van een 6-tal te bewerkstelligen chips 72.

30 Figuur 10^: in een volgende module 10 de bewerkstelliging van een substraat-gedeelte 178, met een totaal-breedte ervan van een 9-tal te bewerkstelligen chips 72.

Figuur 10®: in een volgende module 10 de bewerkstelliging van een substraat-gedeelte 180, met een totaal-breedte ervan van 35 een 12-tal te bewerkstelligen chips 72.

Figuur ΙΟ®*: in een volgende module 10 de bewerkstelliging van een substraat-gedeelte 182, met een totaal-breedte ervan van een 15-tal te bewerkstelligen chips 72, met daarbij het 21 verkrijgen van een totale vulling van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte 48 van deze module 10.

Figuur 10^: daarbij toont zulk een bewerkstelligde groef 34, welke zich in de bovenwand 184 van de di-electrische boven-5 laag 30 uitstrekt in de lengte- en/of dwarsrichting van zulk een substraat-gedeelte.

Figuur 10« toont daarbij nog de doorsnede over de lijn 10«-10« van deze di-electrische bovenlaag 30 onder het tonen van zulke daarin bewerkstelligde groeven 34.

10 Met behulp van deze semiconductor schakelingspatroon- opbrenginrichtingen het mogelijk tevens daarin bewerkstelligen van een nieuwe generatie van semiconductor chips 72, bevattende typisch een relatief harde kunststoffen - of metalen onderlaa ervan.

15 Verder vindt in een eerste inrichting achter de laatste module de afscheiding plaats van de typisch metalen draagplaat, indien zulks gewenst is.

Daarbij de bewerkstelliging van een rechthoekige substraat, bevattende tenminste een di-electrische hoofdlaag 32, en 20 waarin het bewerkstelligd zijn van een bovenlaag-gedeelte 30, bevattende tenminste mede zulk nanometer wyde, met een metaal gevulde groeven 34 en mogelijk vanaf de onderwand daarvan te verwijderen tydelijke hecht-substantie.

In een volgende inrichting het verwijderen van deze tijdelij-25 ke hechtsubstantie vanaf deze di-electrische onderlaag 32 van deze substraat 14, met in een volgende inrichting met behulp van een reinigings-substantie het reinigen van deze onderlaag.

In een volgende inrichting door deling van deze substraat 30 14 in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan de bewerkstel liging van semiconductor chips 72.

Het vullen van deze bewerkstelligde uitsparingen 34 met metaal-deelt j es vindt pas plaats na het geheel verkregen zijn van de met deze uitsparingen/groeven 34 bewerkstelligde 35 bovenlaag 30 van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van zulk een substraat 14.

1038117

Claims

1. Semiconductor substraat behandelings-moduleopstelling, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd en bevattende 5 zodanige middelen, dat zoals deze opstelling een aantal semiconductor modules met een daarin opgenomen semiconductor behandelings-compartiment voor een daarin ingebrachte semiconductor substraat bevat, daarbij in tenminste mede het bovenmoduleblok van tenminste één module de opname van een 10 stripvormige schakelingspatroon-opbrenginrichting ten behoeve van tijdens de werking van deze module de bewerkstelliging van een schakelingspatroon-gedeelte met een omvang ervan ter grootte van tenminste één sectie van deze substraat, waaruit in een inrichting achter deze module-opstelling door deling 15 ervan het bewerkstelligen van een semiconductor chip.

2. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, d^t deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de bewerkstelliging van een schakelingspatroon-gedeelte van deze substraat met 20 een afmeting ervan van>een aantal naast elkaar gelegen secties ter grootte van tenminste zulk een te bewerkstelligen semiconductor chip.

3. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig 25 is uitgevoerd, dat daarbij dit stripvormige schakelings- patroon-opbrenggedeelte zich in het centrale behandelings-compartiment van deze module tenminste mede uitstrekt in een lineaire richting tot tenminste nabij één opstaande, in een voldoende mate vlakke zijwand van dit daarin opgenomen ..CS?'"' 30 compartiment ^

4. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 3, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een substraat eveneens een daarmede corresponderende vlakke opstaande 35 zijwand bevat, en zulks eveneens in een voldoende mate,, ten behoeve van tijdens zulk een schakelingspatroon-opbrengproces met behulp vaiï stuwmédium in het gedeelte van deze module onder deze substraat het in een v.oldoende mate aangesloten 1038117 houden van beide wanden.

5. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat 5 daarbij tijdens zulk een schakel ingspatroon-op breng proces;, de ze substraat zich uitstrekt tot tenminste nabij de beide lineaire uiteinden van dit compartiment.

6. Semiconductor module-opstelling volgens één der .. voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 10 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een schakelingspatroon-opbrenginrichting zich ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van een daarin opgenomen module tenminste uitstrekt in de dwarsrichting ervan.

7. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 6, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de bewerkstelliging van een stripvormig schakelingspatroon-gedeelte van deze substraat met een lengte ervan van een aantal in dwarsrich- 20 ting naast elkaar gelegen secties ter grootte van tenminste zulk een te bewerkstelligen semiconductor chip.

8. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in opvolgende 25 modules ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan de opname van zodanige stripvormige schakelingspatroon-opbrenginrichtingen, dat, gezien in de dwarsrichting ervan, de opvolgende bewerkstelligde gtripvor-mige schakelingspatronen tenminste nagenoeg aansluiten óp 30 elkaar.

9. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarby zulk een schakelingspatroon-opbrenginrichting zich 35 ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de daarin opgenomen module uitstrekt in de lengterichting ervan.

10. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 9, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in opvolgende modules ter plaatse van het centrale behandelings-gedeelte ervan de opname van zodanige stripvormige schakelings-5 patroon-opbrenginrichtingen, dat, gezien in de lengterichting ervan, de daarin bewerkstelligde opvolgende schakelings-patronen tenminste nagenoeg aansluiten op elkaar,

11. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 10 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste het compartiment van een module ervan een tweetal opstaande, tenminste nagenoeg vlakke zijwanden bevat, welke in een voldoende mate evenwijdig zijn met elkaar en deze substraat eveneens een tweetal daarmede corresponderende 15 vlakke opstaande zijwanden bevat, met een geringe toelaatbare tussenafstand ervan.

12. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat 20 daarbij in zulke opvolgende modules ervan het plaatsvinden van een schakelingspatroon-opbrengproces in de opvolgende stripvormige secties ervan.

13. Semiconductor module-opstelling volgens éénudër. voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 25 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij als een al dan niet tijdelijke semiconductor onderlaag van zulk een substraat de toepassing van een rechthoekige substraat draag/transferplaat.

14. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 30 13, met'het kenmerk, dat'deze veifder -zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij als zulk een al dan niet tijdelijke semiconductor onderlaag de toepassing van een . al dan niet verwijderbare metalen plaat.

15. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 35 13, met het kenmerk, dat daarbij als een al dan niet tijdelijke semiconductor onderlaag van zulk een substraat de toepassing van een voldoend harde en dikké kunststoffen plaat.

16. Semiconductor modple-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tenminste dit centrale semiconductor behandelings-compartiment van de daarin opgenomen module tevens tenminste mede een tweetal tenminste 5 nagenoeg evenwijdige opstaande zijwanden bevat ten behoeve van het tenminste mede toe- en afvoeren van een rechthoekige substraat naar en vanaf dit compartiment.

17. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, 10 dat daarbij zulk een module tevens ter plaatse van dit compartiment een tweetal evenwijdige opstaande zijwanden bevat, welke een haakse positie hebben ten opzichte van deze eerste tweetal opstaande zijwanden.

18. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 15 17, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij na het ingebracht zijn in dit compartiment van zulk een rechthoekige substraat deze daarin zodanig is opgesloten in horizontale richting, dat daarbij tijdens het semiconductor behandelings-proces een 20 aanslag-positie ervan tegen een tweetal aangrenzende zijwanden wordt onderhouden.

19. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij 25 de toepassing van een substraat draag/transfer-robot ten behoeve van het naar en vanuit het centrale compartiment van zulk een module ervan toe- en afvoeren van zulk een rechthoekige semiconductor substraat.

20. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 19» 30 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de modules ervan opzij van het rechthoekige compartiment ter plaatse van het ingangs-gedeelte ervan een stripvormig zijwand-gedeelte; bevatten, welke met behulp van een inrichting vanaf gesloten 35 positie neerwaarts veplaatsbaar is ten behoeve van met behulp van zulk een robot bewerkstelligen jfan een opvolgende toe-en afvoer van zulk een rechthoekige substraat naar en vanaf zijn behandelings-positie in dit compartiment.

21. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 20, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals de modules ervan daarbij zulk een op- en neerwaarts verplaatsbaar stripvormig 5 zijwand-gedeelte bevatten, daarbij de opstaande zijwand ervan ter plaatse van het compartiment ervan in een voldoende mate evenwijdig is met de opstaande achterzijwand van zulk een module.

22. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 10 19, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals zulk een compartiment een vlak verticaal zijwand-gedeelte bevat, tijdens zulk een toevoer van een rechthoekige substraat met behulp van deze robot een opstaand zijwand-gedeelte van de substraat- 15 draagarm ervan geleid wordt langs dit daarmede corresponderend zijwand-gedeelte ervan.

23. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 22, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevnerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij met behulp van deze 20 robot-arm deze substraat-draagplaat in deze module langs één van de beide opstaande evenwijdige wanden van dit compartiment naar het centrale rechthoekige semiconductor behandelings-gedeelte ervan wordt verplaatst.

24. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 25 23, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij deze draagplaat met zijn opstaande zijwand tot mede tegen de daarmede corresponderende opstaande achterzijwand van dit compartiment wordt bewogen, met in een volgende phase het over een geringe afstand . 30 benedenwaarts verplaatsen van deze robot-arm.

25. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij vervolgens het pi aatsvinden van het verwijderen van deze robot-arm uit deze 35 module en het daarna opwaarts verplaatsen vsn dit verplaatsbare zijwand-gedeelte naar zijn bovenste, tenminste nagenoeg afsluit—positie voor dit compartiment.

26. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij deze substraat-plaat aangedrukt ligt tegen deze combinatie van een zijwand en de achterwand van dit compartiment gedurende tevens de semicon-5 ductor behandeling van zulk een substraat daarin.

27. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals voor deze substraat een al dan niet tijdelijke, typisch dunwandige 10 metalen draagplaat wordt gebruikt voor zulk een substraat ten behoeve van de toe- en afvoer ervan naar en vanaf zulk een module, daarop in het rechthoekige compartiment van een aantal opvolgende modules de bewerkstelliging van een totale, in een voldoende mate vlakke di-electrische onderlaag met een 15 voldoende hoogte ervan plaats vindt, welke al dan niet verwijderbaar is.

28. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 27, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in typisch een twee- 20 tal volgende modules de opbouw van een in een voldoende mate vlakke relatief zachte di-electrische bovenlaag op deze vaste di-electrische onderlaag plaats vindt.

29. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie ’ 28, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 25 bevattende zodanige middelen, dat daarbij deze di-electrische bovenlaag nog nanometer grote deeltjes van een di-electrische substantie bevat.

30. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 30 bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van een verwijderbare vloeibare substantie ten behoeve van het tijdelijk kleven van deze deeltjes tegen elkaar.

31. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 28, 29 of 30, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is 35 uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij vervolgens in het compartiment van tenminste één module het plaatsvinden van een bewerkstelligings—proces van een semiconductor schakelings—patroon op tenminste een gedeelte van de zich daarin bevindende semiconductor substraat.

32. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 31* met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daartoe in zulk een 5 module een stripvormige verplaatsings-inrichting ten behoeve van het in verticale richting verplaatsen van een stripvormige groeven bewerkstelligings-inrichting, welke is opgenomen in een uitwisselbaar onder-gedeelte van een stripvormige schakelingspatroon-opbrenginrichting als een verwij-10 derbaar gedeelte van het bovenmoduleblok.

33. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor het plaatsvinden van zulk een groeven-bewerkstelligingsproces deze 15 inrichting zich over enige afstand opwaarts vrij boven deze substraat bevindt en tenminste in de eind-phase van dit groeven-bewerkstelligingsproces deze inrichting zich in zijn onderste positie bevindt.

34. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 33, 20 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een groeven-bewerkstelligingsinrichting zelf door zijn voldoend eigen gewicht tevens fungeert als verplaatsings-inrichting ten behoeve van het benedenwaarts verplaatsen ervan.

35. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij daartoe in zulk een module ervan de toepassing van tenminste één verplaatsings-inrichting ten behoeve van het in zowel benedenwaartse als 30 opwaartse richting verplaatsen van zulk een groeven-bewerk-stelligingsinrichting.

36. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat 35 daarbij in een module ervan tenminste plaatselijk tijdens zulk een groeven-bewerkstelligingsproces met behulp van zulk een groeven-bewerkstelligingsinrichting het onderhouden van een zich niet verplaatsende positie van de zich eronder bevindende semiconductor substraat.

37. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in 5 de module ervan ten behoeve van zulk een groeven-bewerkstel-ligingsproces in het uitwisselbare ondergedeelte van het uitwisselbare stripvormige groeven-bewerkstelligingsblok als deel van deze schakelingspatroon-opbrenginrichting zodanige nanometer wijde en hoge nokken zijn aangebracht, dat door het 10 benedenwaarts verplaatsen van dit blok het bewerkstelligen van nanometer wijde uitsparingen als groeven in de bovenwand van de di-electrische bovenlaag van deze substraat, met elke gewenst wordende hoogte ervan. i

38. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 37, 15 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en ! bevattende zodanige middelen, dat daarbij deze in een module j ervan bewerkstelligde groeven verder zodanig zijn uitgevoerd, dat tenminste mede door het vullen ervan met nanometer grote metaal-deeltjes de bewerkstelliging van een substraat, waar-20 uit in een inrichting achter deze opstelling door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.

39. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 37 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en j bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een module ervan i . 25 typisch deze stripvormige nokken zijn aangebracht in de onderwand van een typisch uitwisselbare stripvormige plaat, welke in een voldoende mate is verankerd tegen de onderwand van dit groeven-bewerkstelligingsblok. j

40. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 39, j 30 met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en j bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een module ervan j elke gewenst wordende vormgeving van deze nokken en de afstand ertussen.

41. Semiconductor module-opstelling volgens één der voor- [ 35 gaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de gebruikmaking van in een voorgaande module bewerkstelligde * I micrometer hoge vervormbare en in een voldoende mate vlakke j 'j laag van nanometer grote deeltjes van een di-electrische substantie en aangebracht op zulk een hoofd-di-electrische laag van zulk een substraat en die daartoe in een voldoende mate ertegen gedrukt of gekleefd zijn.

42. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 41, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarby in een volgende stripvormige warmte-behandelings-raodule ervan door verwarming van tenminste deze di-electrische bovenlaag het smel-10 ten daarvan plaats vindt en in een volgende module of inrichting door afkoeling ervan de bewerkstelliging van een vaste laag ervan, bevattende deze nanometer grote groeven/ crevices.

43. Semiconductor module-opstelling volgens één der voor-15 gaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarby in een module ervan tenminste het onder-gedeelte van zulk een nokken-plaat bestaat uit een hoog-smeltende kunststof, typisch teflon, welke daartoe in een voldoende mate gehecht 20 is tegen het erboven gelegen boven-gedeelte van deze plaat.

44. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 43, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarby deze nokkenplaat geheel bestaat uit zulk een kunststoffen substantie.

45. Semiconductor module-opstelling volgens één der voor gaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een module ervan een nanometer dikke laag van een hoog-smeltende kunststof, typisch teflon, gehecht is tegen de 30 onderwand van deze nokkenplaat en aldus tegen deze nokken.

46. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals in een inrichting het opgebracht zijn van een folie-gedeelte op 35 een substraat-draagplaat en in een volgende inrichting op deze folie het opgebracht zijn van een di-electrische laag, met in een volgende inrichting tenminste mede een vervormbare di-electrische bovenlaag, daarbij in een module ervan het plaatsvinden van zulk een groeven-bewerkstelligings-proces van deze bovenlaag.

47. Semiconductor module-opstelling volgen- de Conclusie 38, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd 5 en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een module ervan met behulp van tenminste mede een daarin opgenomen stripvormige verwijderings-inrichting, met daarin toegevoerd verwijderings-medium, het plaatsvinden van een in een voldoende mate verwijdering en afvoeren van de op deze boven-10 wand aanwezige verwijderbare metaal-deeltjes.

48. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 38, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een volgende module met behulp van een stripvormige verwarmings-inrich- 15 ting, welke is opgenomen Q3> het bovengedeelte ervan, door de daarmede bewerkstelligde warmte de in deze groeven aanwezige deeltjes van een metalen substantie worden omgezet in een vloeibare vorm ervan, met een voor circa 90% toelaatbaar daarmede vullen ervan, en indien nodig, zulk een vul-proces 20 zich herhaalt in een volgende module.

49. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 38, met het kenmerk, dat deze verder zódanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een volgende module door de toevoer van gesmolten metaal-deeltjes via een 25 stripvormige inrichting in het boventunnelblok het tenminste mede plaatsvinden van vulling van deze groeven daarmede.

50. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 49, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een volgende 30 module onmiddellijk door het in een stripvormige toevoer-sectie in het bovenaoduleblok toevoeren van warm gasvormig medium en het afvoeren van het teveel aan opgebracht vloeibaar metaal via een tussen-gelegen eveneens stripvormige afvoer-sectie in dit blok door afkoeling het mede plaatsvin-35 den van de bewerkstelliging van een vaste metaal-vulling van deze groeven.

51. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 50, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een volgende module ervan met behulp van via een aantal naast elkaar gelegen stripvormige toevoer-inrichtingen in het boven-moduleblok toevoeren van tenminste mede een vloeibare 5 metaal verwgderings-substantie het plaatsvinden van een reinigings-proces van de di-electrische bovenlaag, waarin de opname van deze met metaal gevulde groeven.

52. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig 10 is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een module ervan met behulp van tenminste mede deze draagplaat van zulk een substraat het zodanig tenminste mede nagenoeg totaal onderhouden van een zodanige afsluit-conditie van het inwendige van deze groeven bewerkstelli-15 gings-inrichting van de buitenlucht, dat daarbij in het compartiment boven zulk een stripvormig groeven-bewerkstelli-gingsblok ervan een in een voldoende mate hoge onderdruk wordt onderhouden van typisch gasvormig medium.

53. Semiconductor module-opstelling volgens één der voor-20 gaande Conclusies, met 'het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een module ervan het plaatsvinden van het bewerkstelligen van deze naast elkaar gelegen nanometer brede en hoge groeven in de opgebrachte di-electrische bovenlaag van deze sub-25 straat geschiedt met behulp van een stripvormige straal-bundel-opwekinrichting, welke mede daarin is opgenomen in het boven-gedeelte ervan.

54. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 53, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd 30 en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de in deze module opgewekte stripvormige straalbundel bestaat uit een gasvormig behandelings-medium.

55. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 54, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd 35 en bevattende zodanige middelen, dat daarbij deze straal- opwekinrichting zich in de lengterichting van zulk een module uitstrekt over een te behandelen substraat—gedeelte, waaruit in een inrichting achter de uitgang van deze opstelling door deling in dwarsrichting ervan het bewerkstelligen van in de lengterichting ervan naast elkaar gelegen stroken ervan met een breedte van tenminste één semiconductor chip.

56. Semiconductor module—opstelling volgens één der voor— 5 gaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals in het onder-gedeelte van zulk een straal-opwekinrichting de opname van uitsluitend een tweetal in dwarsrichting uitstrekkende flexibele afsluit-banden voor deze inrichting, daarbij 10 tijdens het groeven-bewerkstelligingsproces een uiterst geringe afvoer van gasvormig medium plaats vindt vanuit het . straal-doorlaatcompartiment via de beide micrometer hoge ontsnappings—spleten tussen deze inrichting en het onder-moduleblok.

57. Semiconductor module-opstelling volgens één der voor gaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals voor zulk een straalbundel-opwekinrichting de toepassing van een typisch rubber band-opstelling in het ondergedeelte 20 ervan, met in de hoogste aanslag-positie van deze inrichting na een daartoe geringe benodigde opwaartse verplaatsing ervan het nog onderhouden van een aanlig-positie van deze band-opstelling op het ondermoduleblok onder daarbij slechts een geringe toelaatbare vervorming van deze band-opstelling 25 en zulks mogelyk door het verankerd zijn ervan in het ondergedeelte van deze inrichting.

58. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 57, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbg tgdens het groeven-30 bewerkstelligingsproces met het daarbij bewerkstelligd zijn van de onderste positie van deze straalbundel-opwekinrichting en daarmede van zulk een band, het in een voldoende mate onderhouden van een aandruk-positie ervan op het gedeelte van de laag opzij van het straal-gedeelte ten behoeve van het bijdra-35 gen in een voldoende afsluit-positie van deze inrichting ten opzichte van het aangrenzende gedeelte van het straaldoorlaat-compartiment en mede daardoor het onderhouden van een gewenst wordende, in een voldoende mate hoge onderdruk van het gasvormige medium in het groeven-bewerkstelligings-gedeelte van deze inrichting.

59. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 58, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, 5 dat daarbij voor zulk een module ervan de breedte van zulk een straal-bundel tenminste nagenoeg gelijk is aan de breedte van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan.

60. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig 10 is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het uitwisselbare blok, bevattende deze stripvormige straal-opwekinrichting, in tenminste mede het ondergedeelte ervan, gezien in de lengterichting van deze module opzij van het strip vormige straal-door laat gedeelte en zulks nabij het 15 ondergedeelte ervan, de opname van typisch stripvormige afvoergroeven ten behoeve van het afvoeren van het gasvormige medium van deze bundel en de daardoor verwijderde deeltjes van zulk een di-electrische substantie tijdens het daarmede plaatsvinden van zulk een bewerkstelliging van deze groeven.

61. Semiconductor module-opstelling volgens één der voor gaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een rechthoekige module ervan de opname van een typisch uitwisselbare stripvormige belichtings-inrichting, welke met 25 tenminste het onderste gedeelte ervan is opgenomen in het bovenjnoduleblok ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte óver enige afstand in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan.

62. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 30 61, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij met behulp van deze inrichting het in zulk een module produceren van tenminste één bundel van lichtstralen, welke zich uitstrekt in zowel de lengte- als dwarsrichting van deze module en waarbij deze 35 stralen inwerken op een zeer dunne licht—gevoelige bovenlaag van zulk een semiconductor substraat.

63. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 62, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in de daaropvolgende modules de bewerkstelliging van tenminste mede nanometer brede groeven in de di-electrische hoofdlaag van zulke daarin gebrachte opvolgende substraten.

64. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 63, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen', dat daarbij zulk een lichtbundel een omvang in zowel de lengte- als breedterichting een grootte heeft van tenminste één semiconductor chip.

65. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 64, met het kenmerk,, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een lichtbundel zich tenminste in dwarsrichting van een module uitstrekt over meerdere substraat—gedeeltes ter grootte van een semiconduc- 15 tor chip.

66. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 65, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een lichtbundel zich in dwarsrichting uitstrekt over nagenoeg het gehele 20 centrale semiconductor behandelings—gedeelte van zulk een module.

67. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij 25 zulk een lichtbundel zich tenminste mede uitstrekt in de lengte van deze module over meerdere substraat-gedeeltes ter grootte van een semiconductor chip.

68. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig 30 is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de mogelijke toepassing van elke opbouw en vorm ervan.

69. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 68, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een 35 belichtingsstraal-opwekinrichting de mogelijke toepassing van de reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor inrichtingen ten behoeve van het plaatsvinden van een belichtingspro-ces van een gedeelte van een wafer, welke is opgenomen in een cilindrische module.

70. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een module de toepassing van een zeer hoog-smelten-5 de, typisch teflon folie, als een definitieve semiconductor onderlaag van de substraat en ligt deze in een voldoende mate aangesloten op deze verwijderbare, typisch metalen substraat-draagplaat.

71. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 10 70> met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij typisch een oppervlak van deze folie, welke circa gelijk is aan het oppervlak van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze module, met opzij ervan nog gedeeltes van deze plaat, en waar-15 bij het onderhouden van tenminste een voldoende aandrukkracht van deze folie op deze plaat ten behoeve van het daarmede onderhouden van zulk een tijdelijke verankering ervan.

72. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig 20 is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in zulk een module ervan het plaatsvinden van een benedenwaartse verplaatsing van zulk een groeven bewerkstelligingsj-inrich-ting ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een groeven bewerkstelligings-proces van de zich daarin bevinden-25 de substraat onder het bewerkstelligd zijn van een aanslag-positie ervan op het zich eronder bevindend ondermoduleblok-gedeelte geschiedt mede door zijn eigen gewicht en vindt na zulk een proces met behulp van tenminste één verplaatsings-inrichting het onder een geringe afstand opwaarts verplaat-30 sen ervan plaats tot tegen een aanslag-opstelling, zijnde opgë— nomen in het bovengedeelte van het bovenmoduleblok.

73. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in 35 zulk een module ervan tenminste ter plaatse van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting het onderhouden van een mechanisch contact van deze substraat een eronder bevindend bovenwand-gedeelte van het ondermoduleblok.

74. Semiconductor module—opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en kev^Éittende zodanige middelen, dat daarbij het kunnen veranderen van het in een module ervan bewerkstelligde 5 groef-patroon en daarmede het veranderen van de semiconductor configuratie van de in tenminste één inrichting achter de laatste module door deling van zulk een substraat het bewerkstelligen van een andere semiconductor chip-uitvoering.

75. Semiconductor module-opstelling volgens één der voor-10 gaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in zulk een module ervan ter plaatse van zulk een groeven bewerkstelligings-proces de toepassing van typisch slechts één semiconductor laag voor de semiconductor substraat 15 en waaruit in een inrichting achter de laatste module ervan door deling de bewerkstelliging van semiconductor chips met slechts één enkele semiconductor laag.

76. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig 20 is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in zulk een module ervan in de beide dwarsuiteinden van de onderwand van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting het zodanig aangebracht zijn van opvolgende, zich in dwars-richting uitstrekkende micrometer hoge conische nokken, dat 25 deze corresponderen met de in de bovenwand van de beide plaat-uiteinden van deze substraat aangebrachte, eveneens soortgelijke conische groeven en tijdens het benedenwaarts verplaatsen van zulk een inrichting het terechtkomen van deze nokken ervan in deze groeven van deze substraat-plaat-ten 30 behoeve van een verankering van deze inrichting op deze substraat.

77. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij 35 daarin mede ten behoeve van zulk een groeven bewerkstelligings-proces het tenminste mede onderhouden van het navolgende : 1. een ultra vlakke bovenwand van het ondermoduleblok ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behan-delings-gedeelte; 2. een ultra vlakke boven- en onderwand van de substraat-plaat, met een bepaalde hoogte ervan; 3. een ultra vlakke bovenwand van zulk een substraat, typisch een di-electrische laag; en 4. een ultra-vlakke onderwand van zulk een nokken bevattende inrichting.

78. Semiconductor module-opstelling volgens één der voor-10 gaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een module ervan de mogelijke toepassing van elk soort en omvang van zulk een stripvormige groeven bewerkstel-ligings-inrichting ten behoeve van het zelfs mogelijk plaats-15 vinden van een gelijktijdig groeven bewerkstelligings-proces daarmede van een aanzienlijk aantal groeven-secties van de zich eronder bevindende substraat ter grootte van een semiconductor chip.

79. Semiconductor module-opstelling volgens één der voor-20 gaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in zulk een module ervan het tevens fungeren van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting als een stripvormige verplaatsings-inrichting, met daarboven een druk-inrichting, 25 en door een toevoer van drukmedium naar deze druk-inrichting het zeer snel plaatsvinden van een uiterst beperkte benedenwaartse verplaatsing, typisch minder dan 0,3 mm ervan, tot de onderste positie ervan, en door afvoer van dit medium uit deze inrichting het vervolgens bewerkstelligen van mede een 30 zeer snelle opwaartse verplaatsing van deze groeven bewerkstelligings-inrichting tot tegen een aanslag-opstelling.

80. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in 35 een aantal opvolgende modules ervan met behulp van een aantal typisch gelijke opvolgende groeven bewerkstelligings-inrich-tingen het bewerkstelligen van een aantal opvolgende, naast elkaar gelegen behandelings-secties van deze substraat in i dwarsrichting ervan.

81. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in 5 zulk een module ervan de toepassing van één groeven bewerk-stelligings-inrichting per behandelings-gedeelte ten behoeve van het plaatsvinden van de navolgende groeven bewerkstelli-gingsprocessen: a) het bewerkstelligen van multi nanometer grote groeven in 10 één gehele, zich in dwarsrichting uitstrekkende stripvormige behandelings-sectie ervan; of b) het gelyktijdig bewerkstelligen van een tweetal typisch verschillende, naast elkaar gelegen stripvormige groevensecties, met typisch dezelfde omvang ervan; of 15 c) het gelijktijdig bewerkstelligen van een drietal typisch verschillende, naast elkaar gelegen stripvormige groevensecties, met typisch dezelfde omvang ervan; of d) het gelijktijdig bewerkstelligen van een viertal typisch verschillende, naast elkaar gelegen stripvormige groeven- 20 secties, met typisch dézelfde omvang ervan; of e) het gelijktijdig bewerkstelligen van een vijftal typisch verschillende, naast elkaar gelegen stripvormige groevensecties, met typisch dezelfde omvang ervan.

82. Semiconductor module-opstelling volgens één der voor-25 gaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een module ervan onder zulk een stripvormige groeven bewerkstelligings-inrichting, welke tenminste mede is opgenomen in het bovenmoduleblok, in het ondermoduleblok de opname 30 van tenminste één typisch stripvormige inrichting, ten behoeve van het daarmede in verticale richting tevens tijdelijk op en neerwaarts verplaatsen van een zich daarboven bevindende substraat onder de bewerkstelliging van tenminste mede zulke naast elkaar gelegen nanometer grote groeven in de bovenwand 35 ervan.

83. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 82, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in deze module ervan i 40 i i tijdens het niet plaatsvinden van zulk een groeven bewerk-stelligings-proces met behulp van zulk een groeven bewerk-stelligings-inrichting deze over enige afstand opwaarts vrij ! in het bovenmoduleblok bevindt en tenminste tijdens het 5 groeven bewerkstelligings-proces deze inrichting naar zijn j onderste positie wordt verplaatst.

84. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 83, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in zulk een 10 module met behulp van deze inrichting het bewerkstelligd op- i en neerwaarts verplaatsen van deze substraat, onder de bewerkstelliging van deze groeven in een tevens optimaal vlakke bovenwand ervan.

85. Semiconductor module-opstelling volgens één der voor-15 gaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals tijdens de opvolgende semiconductor behandelingen van de substraat in opvolgende modules, bevattende typisch tenminste één stripvormige schakelingspatroon-aanbrenginrichting, zoals 20 veelal typisch benodigd' is, het daarin bewerkstelligen van opvolgende substraten, daarbij in typisch meerdere inrichtingen achter de laatste module door deling ervan de bewerkstel·? liging van semiconductor chips.

86. Semiconductor module-opstelling volgens de Conclusie 25 85, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een eerste inrichting de afscheiding plaats vindt van de typisch metalen draagplaat voor zulk een semiconductor substraat onder de bewerkstelliging van een rechthoekige substraat, bevattende 30 tenminste een di-electrische hoofdlaag,en waarin het bewerkstelligd zijn van een bovenlaag-gedeelte ervan, bevattende tenminste mede zulke nanometer wijde, met een metaal gevulde groeven en mogelijk vanaf de onderwand daarvan te verwijderen tijdelijke hecht-substantie 5 in een volgende inrichting het 35 verwijderen van deze tijdelijke hecht-substantie vanaf, deze -di-electrische onderlaag van deze substraat, in een volgende inrichting met behulp van een reinigings-substantie het rei-' nigen van deze onderlaag en in een volgende inrichting door deling van deze substraat in zowel de lengte- als dwars-richting de bewerkstelligen van semiconductor chips.

87. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig 5 is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de bewerkstelliging van semiconductor chips met een kunststof-onderlaag ervan.

88» Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig 10 is uitgevoerd, dat daarbij voor de daarin opgenomen modules tevens de mogelyke toepassing van meerdere van de semiconductor inrichtingen van de semiconductor faciliteit, - installatie en tunnel-opstellingen, welke reeds zijn vermeld in de vanaf 23 Juni 2009 door de aanvrager ingediende Neder-15 landse Octrooi-aanvragen betreffende een semiconductor opstelling, welke,eveneens als een doorlopende module-opstelling kan worden beschouwd.'

89· Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig 20 is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij voor de daarin opgenomen modules de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor inrichtingen voor de combinatie van individuele semiconductor behandelings-modules en - wafers, ook welke reeds zijn om-schreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst van het navolgende: 1. een individuele, nagenoeg cilindrische semiconductor wafer of substraat; of 2. een al dan niet individuele, nagenoeg cilindrische semi-30 conductor processing-module.

90. Semiconductor module-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat dezè vèrdet zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de daarin omschreven en aangegeven inrichtingen tevens toepas- 35 baar zyn in semiconductor tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in andere Octrooi-aanvragen van de aanvrager.

91. Werkwijze van een semiconductor substraat behandelings- module-opstelling, met het kenmerk, dat zoals deze bevattende een aantal semiconductor modules met een daarin opgenomen semiconductor behandelings-compartiment voor een daarin ingebrachte semiconductor substraat en in tenminste mede het 5 bovenmoduleblok van tenminste één module de opname van een stripvormige schakelingspatroon-opbrenginrichting, daarbij tijdens de werking van zulk een module de bewerkstelliging van een stripvormig schakelingspatroon-gedeelte met een omvang ervan ter grootte van tenminste één sectie van deze substraat, 10 waaruit in een inrichting achter deze module-opstelling door deling ervan de bewerkstelliging van een semiconductor chip.

92. Werkwijze volgens de Conclusie 91, met het kenmerk, dat daarbij de bewerkstelliging van een stripvormig schakelingspatroon-gedeelte van deze substraat met een afmeting ervan 15 van een aantal naast elkaar gelegen secties ter grootte van tenminste zulk een te bewerkstelligen semiconductor chip.

93. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij dit stripvormige schakelingspatroon-opbrenggedeelte zich in het centrale behandelings-comparti- 20 met van deze module tenminste mede uitstrekt in een lineaire richting tot tenminste nabij één opstaande, in een voldoende mate vlakke zijwand van dit daarin opgenomen compartiment.

94. Werkwijze volgens de Conclusie 93, met het kenmerk, dat zoals daarbij zulk een substraat eveneens een daarmede corres- 25 ponderende vlakke opstaande zijwand bevat, en zulks eveneens in een voldoende mate, tijdens zulk een schakelingspatroon-opbrengproces met behulp van stuwmedium in het gedeelte van deze module onder deze substraat het in een voldoende mate aangesloten houden van de beide wanden.

95. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tijdens zulk een schakelingspatroon-opbrengproces deze substraat zich uitstrekt tot tenminste . nabij de beide lineaire uiteinden van dit compartiment.

96. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 35 kenmerk, dat daarbij zulk een schakelingspatroon- opbreng-inrichting zich ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings—gedeelte van een module tenminste uitstrekt in de dwarsrichting ervan.

97. Werkwijze volgens de Conclusie 96, met het kenmerk, dat daarbij de bewerkstelliging van een stripvormig schakelings-patroon-gedeelte van deze substraat met een lengte ervan van een aantal in dwarsrichting naast elkaar gelegen secties ter 5 grootte van tenminste zulk een te bewerkstelligen semiconductor chip.

98. Werkwijze volgens de Conclusie 97, met het kenmerk, dat zoals in opvolgende modules ter plaatse van het centrale semivonductor behandelings-gedeelte ervan de opname van 10 zodanige stripvormige schakelingspatroon-opbrenginrichtingen, daarbij, gezien in de dwarsrichting ervan, de opvolgende bewerkstelligde stripvormige schakelingspatronen tenminste nagenoeg aansluiten op elkaar.

99. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 15 kenmerk, dat daarbij zulk een schakelingspatroon-opbreng- inrichting zich ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de daarin opgenomen module uitstrekt in de lengterichting ervan.

100. Werkwijze volgens de Conclusie 99, met het kenmerk, dat 20 zoals in opvolgende modules ter plaatse van het centrale behandelings-gedeelte ervan de opname van stripvormige schakelingspatroon-opbrenginrichtingen, gezien in de lengterichting ervan, de daarin bewerkstelligde opvolgende schake-lings-patronen daarbij tenminste nagenoeg aansluiten op 25 elkaar.

101. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij tenminste het compartiment van een module een tweetal opstaande, tenminste nagenoeg vlakke zijwanden bevat, deze in een voldoende mate evenwijdig zijn met 30 elkaar, en zoals deze substraat eveneens een tweetal daarmede corresponderende vlake opstaande zijwanden bevat, deze een geringe toelaatbare tussenafstand hebben.

102. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in zulke opvolgende modules het plaats- 35 vinden van een schakelingspatroon-opbrengproces in de opvolgende stripvormige secties ervan.

103. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij als een al dan niet tijdelijke onderlaag van zulk een substraat de toepassing van een rechthoekige substraat draagplaat.

104. Werkwijze volgens de Conclusie 103, met het kenmerk, dat daarbij als zulk een al dan niet tijdelijke semiconductor 5 onderlaag de toepassing van een al dan niet verwijderbare metalen plaat.

105. Werkwijze volgens de Conclusie 103, met het kenmerk, dat daarbij als een al dan niet tijdelijke semiconductor onderlaag van zulk een substraat de toepassing van een 10 voldoend harde en dikke kunststoffen plaat.

106. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals tenminste dit centrale semiconductor behandelings-compartiment van de modules tevens tenminste mede een tweetal tenminste nagenoeg evenwijdige opstaande 15 zijwanden .bevat,, daarbij het tenminste mede toe- en afvoeren erlangs van een rechthoekige substraat naar en vanaf dit compartiment plaats vindt.

107. Werkwijze volgens de Conclusie 106, met het kenmerk, dat daarbij zulk een module tevens daartoe ter plaatse van 20 dit compartiment een tweetal evenwijdige opstaande zijwanden bevat, welke een haakse positie hebben ten opzichte van deze eerste tweetal opstaande zijwanden.

108. Werkwijze volgens de Conclusie 107, met het kenmerk, dat daarbij na het ingebracht zijn in dit compartiment van zulk een 25 substraat deze daarin zodanig is opgesloten in horizontale richting, dat daarbij tijdens het semiconductor behandelings-. proces een aanslag-positie ervan tegen een tweetal aangrenzende zgwanden wordt onderhouden.

109. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 30 kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van een substraat draag/transfer-robot, daarmede het naar en vanuit het centrale compartiment van zulk een module toe- en afvoeren van zulk een rechthoekige substraat plaats vindt.

110. Werkwijze volgens de Conclusie 109, met het kenmerk, dat 35 zoals daarbij de modules opzij van het rechthoekige compartiment ter plaatse van het ingangs-gedeelte ervan een stripvormig zijwand-gedeelte bevatten, welke met behulp van een inrichting vanaf de gesloten positie ervan neerwaarts _ verplaatsbaar is, met behulp van zulk een robot het bewerkstelligen van een opvolgende toe- en afvoer van zulk een rechthoekige substraat naar en vanaf zijn behandelings-positie in dit compartiment.

111. Werkwijze volgens de Conclusie 110, met het kenmerk, dat daarbij deze op- en neerwaarts verplaatsbare opstaande zijwand ter plaatse van het compartiment ervan in een voldoende mate evenwijdig is met de opstaande achterzijwand van deze modules.

112. Werkwijze volgens de Conclusie 109, met het kenmerk, dat 10 zoals zulk een compartiment een vlak verticaal zijwand- gedeelte bevat, tijdens zulk een toevoer van een rechthoekige substraat met behulp van deze robot een opstaand zijwand-gedeelte van de substraat-draagarm ervan geleid wordt langs dit daarmede corresponderend zijwand-gedeelte ervan.

113. Werkwijze volgens de Conclusie 112, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van deze robot-arm deze substraat-plaat in deze module langs één van de beide opstaande evenwijdige wanden van dit compartiment naar het centrale rechthoekige semiconductor behandelings-gedeelte ervan wordt verplaatst.

114. Werkwijze volgens ‘de Conclusie 113, met het kenmerk, dat zoals daarbij deze substraat-draagplaat met zijn opstaande zijwand tot mede tegen de daarmede corresponderende opstaande achterzijwand van dit compartiment wordt bewogen, in een volgende phase het over een geringe afstand benedenwaarts 25 verplaatsen van deze robot-arm plaats vindt.

115. Werkwyze volgens de Conclusie 114, met het kenmerk, dat daarbij vervolgens het plaatsvinden van het verwijderen van dez deze robot-arm uit deze module en het daarna opwaarts verplaatsen van dit verplaatsbare zijwand-gedeelte naar zijn 30 bovenste, tenminste nagenoeg afsluit-positie voor dit compartiment .

116. Werkwijze volgens de Conclusie 115, met het kenmerk, dat daarbij deze substraat-plaat aangedrukt ligt tegen deze combinatie van een zijwand en de achterwand van dit compartiment 35 gedurende tevens de semiconductor behandeling van zulk een substraat daarin.

117. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals voor deze substraat deze al dan niet tijdelijke, typisch dunwandige metalen draagplaat veelal wordt gebruikt voor zulk een substraat ten behoeve van de toe- en afvoer ervan naar en vanaf zulk een module, daarop in het rechthoekige compartiment van een aantal opvolgende 5 modules de bewerkstelliging van een totale, in een voldoende mate vlakke di-electrische onderlaag met een voldoende hoogte ervan.

118. Werkwijze volgens de Conclusie 117, met het kenmerk, dat daarbij in typisch een tweetal volgende modules de opbouw 10 van een in een voldoende mate vlakke, relatief zachte di- electrische bovenlaag op deze vaste di-electrische onderlaag plaats vindt.

119. Werkwijze volgens de Conclusie 118, met het kenmerk, dat daarbij deze di-electrische bovenlaag nog nanometer grote 15 deeltjes van een di-electrische substantie bevat.

120. Werkwijze volgens de Conclusie 119, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van mede een verwijderbare vloeibare substantie, daarmede het tijdelijk in een voldoende mate kleven van deze deeltjes tegen elkaar wordt bewerkstelligd.

121. Werkwijze volgens.de Conclusie 118, 119 of 120, met het kenmerk, dat daarbij vervolgens in het compartiment van tenminste één module het plaatsvinden van een bewerkstelligings-proces van een semiconductor schakelings-patroon op tenminste een gedeelte van de zich daarin bevindende semiconductor 25 substraat.

122. Werkwijze volgens de Conclusie 121, met het kenmerk, dat zoals daartoe in zulk een module een stripvormige verplaat-sings-inrichting is opgenomen, daarmede het in verticale richting verplaatsen van een stripvormige groeven bewerk- 30 stelligings-inrichting, welke is opgenomen in een uitwisselbaar onder-gedeelte van een stripvormige schakelingspatroon-opbrenginrichting als een verwijderbaar gedeelte van het bovenmoduleblok.

123. Werkwijze volgens de Conclusie 122, met het kenmerk, dat 35 daarbij voor het plaatsvinden van zulk een groeven bewerk- stelligings-proces deze inrichting zich over enige afstand opwaarts vrij boven deze substraat bevindt en tenminste in de eind-phase van dit groeven bewerkstelligings-proces deze inrichting zich in zijn onderste positie bevindt.

124. Werkwijze volgens de Conclusie 123, met het kenmerk, dat daarbij zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting zelf door zijn voldoend eigen gewicht tevens fungeert als ver- 5 plaatsings-inrichting ten behoeve van het benedenwaarts verplaatsen ervan.

125. Werkwijze volgens de Conclusie 123, met het kenmerk, dat zoals daartoe in zulk een module de toepassing van tenminste één verplaatsings-inrichting, daarmede het in zowel beneden- 10 waartse als opwaartse richting verplaatsen van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting.

126. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in een module tenminste plaatselijk tijdens zulk een groeven bewerkstelligings-proces met behulp van zulk 15 een groeven bewerkstelligings-inrichting het onderhouden van een zich niet verplaatsende positie van de zich eronder bevindende semiconductor substraat.

127. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in een module ten behoeve van zulk 20 een groeven bewerkstelligings-proces in het uitwisselbare ondergedeelte van het uitwisselbare stripvormige groeven bewerkstelligings-blok als deel van deze schakelingspatroon-opbrenginrichting zodanige nanometer wijde en hoge nokken zijn aangebracht, door het benedenwaarts verplaatsen van dit blok 25 het bewerkstelligen van nanometer wijde uitsparingen als tenminste mede groeven in de bovenwand van de di-electrische bovenlaag van deze substraat, met elke gewenste hoogte ervan.

128. Werkwijze volgens de Conclusie 127, met het kenmerk, dat zoals daarbij deze in een module bewerkstelligde uitsparingen/ 30 groeven verder zodanig zijn uitgevoerd, dat tenminste mede door het vullen ervan met nanometer grote metaal-deeltjes de bewerkstelliging plaats vindt van een semiconductor substraat, waaruit in een inrichting achter deze opstelling door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.

129. Werkwijze volgens de Conclusie 127, met het kenmerk, dat daarbij mede daartoe in een module typisch deze stripvormige nokken zijn aangebracht in de onderwand van een typisch uitwisselbare stripvormige plaat, welke in een voldoende mate is verankerd tegen de onderwand van dit groeven bewerkstelli-' gingsblok.

130. Werkwijze volgens de Conclusie 129, met het kenmerk, dat daarbij mede daartoe elke gewenst wordende vormgeving van deze 5 nokken en de afstand ertussen.

131. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de gebruikmaking van in een voorgaande module bewerkstelligde vervormbare en in een voldoende mate vlakke laag van nanometer grote deeltjes van een di-electri- 10 sche substantie en aangebracht op zulk een hoofd-di-electri-sche laag van zulk een substraat en die daartoe in een voldoende mate ertegen gedrukt of gekleefd zijn.

132. Werkwijze volgens de Conclusie 131, met het kenmerk, dat daarbij in een volgende warmte-behandelingsmodule door ver- 15 warming van tenminste deze di-electrische bovenlaag het smelten daarvan plaats vindt en in een volgende module of inrichting door afkoeling ervan de bewerkstelliging van een vaste laag ervan, bevattende deze nanometer grote groeven/crevices.

133. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 20 kenmerk, dat zoals daafbij in een module tenminste het ondergedeelte van zulk een nokken-plaat bestaat uit een hoog-smeltende kunststof, typisch teflon, deze daartoe in een voldoende mate gehecht is tegen het erboven gelegen bovengedeelte van deze plaat.

134. Werkwijze volgens de Conclusie 133, met het kenmerk, dat daarbij daartoe deze nokkenplaat geheel bestaat uit zulk een kunststoffen substantie.

135. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in een module een nanometer dikke laag 30 van een hoog-smeltende kunststof, typisch teflon, gehecht is tegen de onderwand van deze nokkenplaat en aldus tegen deze nokken.

136. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in een inrichting het opgebracht zijn van 35 een folie-gedeelte op een substraat-draagplaat, en in een volgende inrichting op deze folie het opgebracht zijn van een di-electrische laag, met in een volgende inrichting tenminste mede een vervormbare di-electrische bovenlaag, daarbij in een ; module ervan het plaatsvinden van zulk een groeven bewerkstel" ligings-proces van deze bovenlaag .

137. Werkwijze volgens de Conclusie 128, met het kenmerk, dat daarbij in een module met behulp van tenminste mede een daarin 5 opgenomen stripvormige verwijderings-inrichting, met daarin toegevoerd verwijderings-medium, het plaatsvinden van een in een voldoende mate verwijdering en afvoeren van de op deze bovenwand aanwezige verwijderbare metaal-deelt j es .

138. Werkwijze volgens de Conclusie 128, met het kenmerk, dat 10 daarbij in een volgende module met behulp van een stripvormige verwarmings-inrichting, welke is opgenomen op het bovengedeelte ervan, door de daarmede bewerkstelligde warmte de in deze groeven aanwezige deeltjes van een metalen substantie worden omgezet in een vloeibare vorm ervan, met een voor 15 circa 90% toelaatbaar daarmede vullen ervan, en indien nodig, zulk een vul-proces zich herhaalt in een volgende module,

139. Werkwijze volgens de Conclusie 128, met het kenmerk, dat daarbij in een volgende module door de toevoer van gesmolten metaal-deeltjes via een stripvormige inrichting in het boven- 20 tunnelblok het tenminste mede plaatsvinden van vulling van deze groeven daarmede.

140. Werkwijze volgens de Conclusie 139, met het kenmerk, dat daarbij in een volgende module onmiddellijk door het in een stripvormige toevoer-sectie in het bovenmoduleblok toevoeren 25 van warm gasvormig medium en het afvoeren van het teveel aan opgebracht vloeibaar metaal via een tussen-gelegen eveneens stripvormige afvoer-sectie in dit blok door afkoeling het het mede plaatsvinden van de bewerkstelliging van een vaste metaal-vulling van deze groeven.

141. Werkwijze volgens de Conclusie 140, met het kenmerk, dat daarbij in een volgende module met behulp van via een aantal naast elkaar gelegen stripvormige toevoer-inrichtingen in het bovenmoduleblok toevoeren van tenminste mede een vloeibare metaal verwijderings-substantie het plaatsvinden van een rei-35 nigings-proces van de di-electrische bovenlaag, waarin de opname van deze met metaal gevulde groeven.

142. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in een module met behulp van tenminste mede deze draagplaat van zulk een substraat het zodanig tenminste mede nagenoeg totaal onderhouden van een zodanige afsluit-rconditie van het inwendige van deze groeven bewerk-stelligings-inrichting van de buitenlucht, dat daarbij in het 5 compartiment boven zulk een stripvormig groeven-bewerkstelli-gingsblok ervan een in een voldoende mate hoge onderdruk wordt onderhouden van typisch gasvormig medium.

143. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in een module het plaatsvinden van het 10 bewerkstelligen van deze naast elkaar gelegen en met elkaar verbonden nanometer brede groeven en uitsparingen in de opgebrachte di-electrische bovenlaag van deze substraat geschiedt met behulp van een stripvormige straalbundel-opwekinrichting als schakelingspatroon-opbrenginrichting, welke mede daarin 15 is opgenomen in het boven-gedeelte ervan.

144. Werkwijze volgens de Conclusie 143, met het kenmerk, dat daarbij de in deze module opgewekte stripvormige straalbundel bestaat uit een gasvormig behandelings-medium.

145. Werkwijze volgens de Conclusie 144, met het kenmerk, dat 20 daarbij deze straal-opwekinrichting zich in de lengterichting van zulk een module uitstrekt over een te behandelen sub-straat-gedeelte, waaruit in een inrichting achter de uitgang van deze opstelling door deling in dwarsrichting ervan het bewerkstelligen van in de lengterichting ervan naast elkaar 25 gelegen stroken ervan met een breedte van tenminste één semiconductor chip.

146. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in het onder-gedeelte van zulk een straal-opwekinrichting de opname van uitsluitend een tweetal in 30 dwarsrichting uitstrekkende flexibele afsluit-banden voor deze inrichting, daarbij tijdens het groeven bewerkstelligings-proces een uiterst geringe afvoer van gasvormig medium plaats vindt vanuit het straal-doorlaatcompartiment via de beide micrometer hoge ontsnappings-spleten tussen deze inrichting 35 en het ondermoduleblok.

147. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals voor zulk een straalbundel-opwekinrichting de toepassing van een typisch rubber band-opstelling in het ondergedeelte ervan, met in de hoogste aanslag-positie van deze inrichting na een daartoe geringe benodigde opwaartse verplaatsing ervan het nog onderhouden van een aanlig-positie van deze band-opstelling op het ondermodule-5 blok onder daarbij slechts een geringe toelaatbare vervorming van deze band-opstelling en zulks mogelijk door het verankerd zijn ervan in het ondergedeelte van deze inrichting .

148. Werkwijze volgens de Conclusie 147, met het kenmerk, 10 dat daarbij tijdens het groeven bewerkstelligings-proces met het daarbij bewerkstelligd zijn van de onderste positie van deze straalbundel-opwekinrichting en daarmede van zulk een band, het in een voldoende mate onderhouden van een aandruk-positie ervan op het gedeelte van de di-electrische laag 15 opzij van het straal-gedeelte ten behoeve van het bijdragen in een voldoende afsluit-positie van deze inrichting ten opzichte van het aangrenzende gedeelte van het straatdoorlaat-compartiment en mede daardoor het onderhouden van een gewenst ! wordende, in een voldoende mate hoge onderdruk van het gas- i 20 vormige medium in het groeven bewerkstelligings-gedeelte van deze inrichting.

149. Werkwijze volgens de Conclusie 148, met het kenmerk, dat daarbij voor zulk een module de breedte van zulk een straalbundel tenminste nagenoeg gelijk is aan de breedte van het 25 centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan. !

150. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in het uitwisselbare blok, bevattende deze stripvormige straal-opwekinrichting, in tenminste mede het ondergedeelte ervan, gezien in de lengterichting van deze 30 module opzij van het stripvormige straal-doorlaatgedeelte en zulks nabij het ondergedeelte ervan, de opname van typisch stripvormige afvoer-groeven, daarmede het afvoeren van het gasvormige medium van deze bundel en de daardoor verwijderde deeltjes van zulk een di-electrische substantie tijdens het , 35 daarmede plaatsvinden van zulk een bewerkstelliging van deze groeven. ! i

151. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het j kenmerk, dat daarbij in zulk een rechthoekige module de opname j i i i l van een typisch uitwisselbare tripvormige belichtings-inrichting, welke met het onderste gedeelte ervan is opgenomen in het bovenmoduleblok ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte over enige 5 afstand in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een schakelings-patroon-opbrengproces.

152. Werkwijze volgens de Conclusie 151, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van deze inrichting het in zulk een module 10 produceren van tenminste één bundel van lichtstralen, welke zich uitstrekt in zowel de lengte- als dwarsrichting van deze module en waarbij deze stralen inwerken op een zeer dunne licht-gevoelige bovenlaag van zulk een semiconductor substraat . 15

153, Werkwijze volgens de Conclusie 152, met het kenmerk, dat daarbij in de daarop-volgende modules van deze module-opstel-ling de bewerkstelliging van tenminste mede nanometer brede groeven in de di-electrische hoofdlaag van zulke daarin gebrachte opvolgende substraten.

154. Werkwijze volgens‘de Conclusie 153, met het kenmerk, dat daarbij zulk een lichtbundel zich tenminste in dwarsrichting van zulk een module uitstrekt over meerdere substraat-gedeel-tes ter grootte van een semiconductor chip.

155. Werkwijze volgens de Conclusie 154, met het kenmerk, dat 25 daarbij zulk een lichtbundel zich tenminste in dwarsrichting van zulk een module uitstrekt over meerdere substraat-gedeel-tes ter grootte van een demiconductor chip.

156. Werkwijze volgens de Conclusie 155, met het kenmerk, dat daarbij zulk een lichtbundel zich in dwarsrichting uitstrekt 30 over nagenoeg het gehele centrale semiconductor behandelings-gedeelte van zulk een module.

157. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij zulk een lichtbundel zich tenminste mede uitstrekt in de lengterichting van zulk een module over meer- 35 dere substraat-gedeeltes ter grootte van een semiconductor chip.

158. Werkwijze volgens tenminste één van de voorgaande Conclusie 151 tot en met 157, met het kenmerk, dat daarbij de mogelijke toepassing van elke mogelijke opbouw en vorm van zulk een module en daarmede van zulk een semiconductor substraat.

159. Werkwijze volgens de Conclusie 158, met het kenmerk, dat 5 daarbij voor zulk een belichtingsstraal-opwekinrichting de mogelijke toepassing van de reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor semiconductor werkwijzen ten’behoeve-van.het plaatsvinden van een belichtings-proces van een gedeelte van een wafer, welke is opgenomen in typisch een nagenoeg cilin-10 drische module.

160. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor zulk een module de toepassing van een zeer hoog-smeltende, typisch teflon folie als een definitieve semiconductor onderlaag van zulk een substraat en is 15 deze typisch in een voldoende mate verankerd op deze daartoe verwijderbare, typisch metalen substraat-draagplaat.

161. Werkwijze volgens de Conclusie 160, met het kenmerk, dat daarbij typisch een oppervlak van deze folie, welke circa gelijk is aan het oppervlak van het centrale semiconductor 20 behandelings-gedeelte van zulk een module, met opzij ervan typisch nog gedeeltes van deze plaat, en waarbij het mede onderhouden van tenminste een voldoende aandrukkracht van deze folie op deze plaat ten behoeve van het daarmede onderhouden van zulk een tijdelijke verankering ervan.

162. Werkwijze van een module volgens één der voorgaande Con clusies 135 t/m 152, met het kenmerk, dat daarbij in zulk een module het plaatsvinden van een benedenwaartse verplaatsing . van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een groeven bewerkstelli-30 gings-proces van de zich daarin bevindende substraat onder het bewerkstelligd zijn van een aanslag-positie ervan op het zich eronder bevindend ondermoduleblok-gedeelte geschiedt mede door zijn eigen gewicht en vindt na zulk een proces met behulp van tenminste één verplaatsings-inrichting het onder 35 een geringe afstand opwaarts verplaatsen ervan plaats tot tegen een aanslag-opstelling, welke is opgenomen in het daarboven gelegen gedeelte van het bovenmoduleblok.

163. Werkwijze volgens de Conclusie 162, met het kenmerk, dat daarbij in zulk een module ervan tenminste ter plaatse van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting het onderhouden van een mechanisch contact van deze substraat met een zich eronder bevindend bovenwand-gedeelte van het onder-5 moduleblok.

164. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij het door verandering van het in typisch meerdere modules van zulk een module-opstelling bewerkstelligde groef-patroon en daarmede het veranderen van de semi- 10 conductor configuratie van de in tenminste één inrichting achter de laatste module door deling van zulk een substraat het bewerkstelligen van een andere semiconductor chip-uitvoering.

165. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 15 kenmerk, dat daarbij in zulk een module ter plaatse van zulk een groeven bewerkstel ligings-proces door de moge lijke toepassing van typisch minder dan 30 nanometer brede groeven slechts één semiconductor laag voor zulk een semiconductor substraat benodigd is en.aldus in de inrichtingen achter de 20 laatste module door deling van zulk een substraat de bewerkstelliging van semiconductor chips met slechts één enkele semiconductor laag.

166. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in zulk een module in de beide dwars- 25 uiteinden van de onderwand van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting het zodanig aangebracht zijn van opvolgende, zich in dwarsrichting uitstrekkende micrometer hoge, typisch conische nokken, dat deze corresponderen met de in de bovenwand van de beide plaat-uiteinden van deze substraat aange-30 brachte, eveneens soortgelijke conische groeven en tijdens het benedenwaarts verplaatsen van zulk een inrichting het terechtkomen van deze nokken ervan in deze groeven van deze substraat-plaat ten behoeve van een verankering van deze inrichting op deze substraat.

167. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor zulk een module daarin mede ten behoeve van zulk een groeven bewerkstelligings-proces het tenminste mede onderhouden van het navolgende: 1. een ultra vlakke bovenwand van het ondermoduleblok ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behand— delings-gedeelte; 2. een ultra vlakke boven— en onderwand van de substraat— 5 plaat, met een bepaalde hoogte ervan; 3. een ultra vlakke bovenwand van zulk een di-electrische laag van de substraat; en 4. een ultra-vlakke onderwand van zulk een nokken bevattende inrichting.

168. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij voor zulk een module van deze modulen— opstelling de mogelijke toepassing van elk soort en omvang van zulk een stripvormige groeven bewerkstelligings-inrichting ten behoeve van het zelfs mogelijk plaatsvinden van een gelijk-15 tijdig groeven bewerkstelligings-proces daarmede van een aanzienlijk aantal groeven-secties van de zich eronder bevindende substraat ter grootte van een semiconductor chip in zowel de lengte- als dwarsrichting ervan.

169. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies 1&5 t/m 20 152, met het kenmerk, dat daarbij in zulk een module van zulk een module-opstelling het tevens fungeren van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting als een stripvormige verplaatsings-inrichting, met daarboven een druk-inrichting, en door een toevoer van drukmedium naar deze druk-inrichting 25 het zeer snel plaatsvinden van een uiterst beperkte benedenwaartse verplaatsing, typisch minder dan 0,3 mm ervan, tot de onderste positie ervan, en door afvoer van dit medium uit deze inrichting het vervolgens bewerkstelligen van mede een zeer snelle opwaartse verplaatsing van deze groeven bewerk-30 stelligings-inrichting tot tegen een aanslag-opstelling.

170. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in. een aantal opvolgende modules ervan met behup van een aantal typisch gelijke opvolgende groeven bewerkstelligings-inrichtingen het bewerkstelligen van een 35 aantal opvolgende, naast elkaar gelegen behandelings-secties van deze substraat in dwarsrichting ervan.

171. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in zulke modules de toepassing van typisch één groeven bewerkstelligings-inrichting per behandelings-gedeelte ten behoeve van het plaatsvinden van de typisch navolgende groeven bewerkstelligings-processen: a) het bewerkstelligen van een aantal groeven-opstellingen 5 in zowel de lengte- als dwarsrichting over een bepaalde afstand uitstrekkende stripvormige behandelings-s.ecties van zulk een module; b) in een volgende module het bewerkstelligen van een tweede, aangrenzend gelegen stripvormige groeven-sectie, met 10 typisch dezelfde omvang ervan; c) in een volgende module het bewerkstelligen van een derde, aangrenzend gelegen stripvormige groeven-sectie, met typisch dezelfde omvang ervan; d) in een volgende module het bewerkstelligen van een vierde, 15 aangrenzend gelegen stripvormige groeven-sectie, met typisch dezelfde omvang ervan; en e) in een volgende module het bewerkstelligen van een vijfde, aangrenzend gelegen stripvormige groeven-sectie, met typisch dezelfde omvang ervan.

172. Werkwijze volgens'één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in een module van zulk een module-opstelling 145 t/m 152 onder zulk een stripvormige groeven bewerkstelligings-inrichting, welke tenminste mede is opgenomen in het bovenmoduleblok, in het ondermoduleblok de opname 25 van tenminste één typisch stripvormige inrichting ten behoeve van het daarmede in verticale richting tevens tijdelijk op en neerwaarts verplaatsen van een zich daarboven bevindende substraat onder de bewerkstelliging van tenminste mede zulke naast elkaar gelegen nanometer grote groven in de bovenwand 30 ervan.

173. Werkwijze volgens de Conclusie 172, met het kenmerk, dat daarbij in deze module tijdens het niet plaatsvinden van zulk een groeven bewerkstelligings-proces met behulp van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting deze over enige afstand 35 opwaarts vrij in het bovenmoduleblok is gelegen en tenminste tijdens het groeven bewerkstelligings-proces deze inrichting naar zijn onderste positie wordt verplaatst.

174. Werkwijze volgens de Conclusie 173, met het kenmerk, dat daarbij in zulk een module met behulp van deze inrichting het bewerkstelligd op- en neerwaarts verplaatsen van deze substraat} onder de bewerkstelliging van deze groeven in een tevens optimaal vlakke bovenwand ervan.

175. Werkwijze volgens én der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze module—opstelling de toevoer naar de eerste module ervan van een semiconductor substraat, bestaande uit uitsluitend een rechthoekige metalen .plaat met een voldoende dikte ervan.

176. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze module—opstelling de toevoer naar de eerste module ervan van een semiconductor substraat, bestaande uit uitsluitend een rechthoekige kunststoffen plaat met een voldoende dikte ervan.

177. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in deze module—opstelling de toevoer naar de eerste module ervan van een semiconductor substraat, bestaande uit uitsluitend een rechthoekige papieren plaat met een voldoende dikte ervan.

178. Werkwijze volgens.de Conclusie 175, 176.of 177, met het kenmerk, dat daarbij op zulk een plaat het opgebracht zijn van tenminste een in een voldoende mate vlakke di-electrische hoofdlaag met een voldoende dikte ervan.

179, Werkwijze volgens de Conclusie 178, met het kenmerk, dat 25 daarbij reeds op deze di-electrische hoofdlaag het opgebracht zijn van zulke deeltjes van een di-electrische substantie onder de toepassing van een laag-kokende kleefsubstantie ten behoeve van het mede verankeren van deze laag op deze di-electrische hoofdlaag.

180. Werkwijze volgens de Conclusie 178 of 179, met het ken merk, dat daarbij zulk een combinatie van een plaat en di-electrische lagen is bewerkstelligd in een semiconductor tunnel-opstelling, welke is omschreven en aangegeven in één van de ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen van de aan- 35 vrager en waarin de ononderbroken bewerkstelliging van een ononderbroken semiconductor substraat en in een inrichting achter de uitgang ervan door deling ervan de bewerkstelliging van opvolgende rechthoekige substraten.

181, Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals tijdens de opvolgende semiconductor behandelingen van de substraat in opvolgende modules, bevattende typisch meerdere opvolgende stripvormige schakelingspatroon- 5 aanbrenginrichtingen, zoals veelal typisch benodigd is, het daarin bewerkstelligen van opvolgende substraten, daarby in typisch meerdere inrichtingen achter de laatste module door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.

182. Werkwijze volgens de Conclusie 181, met het kenmerk, dat 10 daarbij in een eerste inrichting de afscheiding plaats vindt ' van de typisch metalen draagplaat voor zulk een semiconductor substraat onder de bewerkstelliging van een rechthoekige substraat, bevattende tenminste een di-electrische hoofdlaag, en waarin het bewerkstelligd zijn van een bovenlaag-gedeelte 15 ervan, bevattende tenminste mede zulke nanometer wijde, met een metaal gevulde groeven en mogelijk vanaf de onderwand daarvan te verwijderen tijdelyke hecht-substantie, in een volgende inrichting het verwijderen van deze tijdelijke hecht-substantie vanaf deze di-electrische onderlaag van deze sub-20 straat, in een volgende inrichting met behulp van een reini-gings-substantie het reinigen van deze onderlaag en in een volgende inrichting door deling van deze substraat in zowel de lengte- als dwarsrichting de bewerkstelliging van semiconductor chips.

183. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, .met het kenmerk, dat daarbij voor de daarin opgenomen modules tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de semiconductor inrichtingen van de semiconductor faciliteit, - installatie en tunnel-opstellingen, welke reeds zijn vermeld in 30 de vanaf 23 Juni 2009 door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende een semiconductor opstelling, welke eveneens als een doorlopende module-opstel-ling kan worden beschouwd.

184. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 35 kenmerk, dat daarbij voor de daarin opgenomen modules de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor inrichtingen voor de combinatie van individuele semiconductor behandelings-modules en wafers, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst van het navolgende: 1. een individuele, nagenoeg cilindrische semiconductor wafer of substraat; of 2. een al dan niet individuele, nagenoeg cilindrische semi conductor processing-module.

185. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de daarin omschreven en aangegeven inrichtingen tevens toepasbaar zijn in semiconductor tunnel-10 opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in andere Octrooi-aanvragen van de aanvrager. 1038117