NL1038074C2 - Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende een stripvormige electrische schakelingspatroon-opbreng-inrichting ten behoeve van het daarmede in een tunnelgedeelte plaatsvinden van het aanbrengen van een electrische schakelings-patroon op de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes. - Google Patents

Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende een stripvormige electrische schakelingspatroon-opbreng-inrichting ten behoeve van het daarmede in een tunnelgedeelte plaatsvinden van het aanbrengen van een electrische schakelings-patroon op de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes. Download PDF

Info

Publication number
NL1038074C2
NL1038074C2 NL1038074A NL1038074A NL1038074C2 NL 1038074 C2 NL1038074 C2 NL 1038074C2 NL 1038074 A NL1038074 A NL 1038074A NL 1038074 A NL1038074 A NL 1038074A NL 1038074 C2 NL1038074 C2 NL 1038074C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
tunnel
semiconductor
strip
shaped
arrangement
Prior art date
Application number
NL1038074A
Other languages
English (en)
Inventor
Edward Bok
Original Assignee
Edward Bok
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Edward Bok filed Critical Edward Bok
Priority to NL1038074A priority Critical patent/NL1038074C2/nl
Priority to NL1038074 priority
Application granted granted Critical
Publication of NL1038074C2 publication Critical patent/NL1038074C2/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • H01L21/67225Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one lithography chamber

Description

Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende een stripvormige electrische schakelingspatroon-opbreng-inrichting ten behoeve van het daarmede in een tunnel-gedeelte plaatsvinden van het aanbrengen van een electrische 5. schakelings-patroon op de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.
Semiconductor tunnel-opstelling ten behoeve van het tijdens de werking ervan het tenminste plaatselijk ononder-10 broken verplaatsen van opvolgende ononderbroken semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen, bevattende in tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan e'en typisch uitwisselbare stripvormige electrische schakelings-patroon-opbrenginrichting, welke gedeeltelijk is opgenomen in 15 boventunnelblok, ten behoeve van het in een tunnel- gedeelte tijdelijk daarmede plaatsvinden van het aanbrengen van een electrisch schakelings-patroon op een stripvormige sectie van deze opvolgende substraat-gedeeltes.
Daarbij in een gunstige uitvoering van deze tunnel-20 opstelling tijdens zulk een aanbreng-proces het mee-verplaat-sen van deze inrichting door zulk een zich verplaatsend substraat-gedeelte.
Als alternatief, het plaatsvinden van zulk een aanbreng-proces onder stilstand van zulk een substraat-gedeelte.
25 Zulk een aanbreng-inrichting is typisch uitwisselbaar ten behoeve van het eenvoudig kunnen vervangen van een defect geraakte inrichting en het kunnen veranderen van het aanbreng—patroon en daarmede het veranderen van de semiconductor configuratie van de in een inrichting achter de tunnel 30 door deling van deze opvolgende substraat-gedeeltes het bewerkstelligen van een andere semiconductor chip.
Ten behoeve van het aanbrengen van een electrisch schakelings-patroon ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel het bewerkstelligen 35 van een in het voorgaande tunnel-gedeelte tenminste mede opgebouwde relatief dikke en typisch ongevoelige di-electrische laag onder een optimale vlakheid ervan.
Daarbij zulk een opbreng-proces onder de toepassing van 1038074 2 typisch slechts één semiconductor laag voor de opvolgende substraat-gedeeltes en waaruit in een inrichting achter deze tunnel door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips met één enkele semiconductor laag.
5 Verder als een tijde lijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende substraat-gedeeltes de toepassing van een ononderbroken, typisch metalen semiconductor substraat draag/transfer-band, met de rol-opstelling ervan nabij de in-en uitgangs-zijde van deze tunnel, zoals mede is aangegeven 10 en omschreven in voorgaand ingediende Nederlandse Octrooiaanvragen .
Bij toepassing van een zeer hoog-smeltende flexibele folie, typisch teflon, als een definitieve ononderbroken semiconductor onderlaag van de opvolgende, erdoorheen 15 verplaatsende substraat-gedeeltes, is deze in een voldoende mate verankerd op deze ononderbroken band.
Daarbij typisch een breedte van deze folie, welke circa gelijk is aan de breedte van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel en waarbij in dwars-20 richting opzij ervan nog gedeeltes van deze band ten behoeve van het typisch daarmede tijdelijk meenemen van zulk een schakelingspatroon-opbrenginrichting.
Daarbij het onderhouden van een aandrukkracht ervan op deze band, waardoor het daarmede onderhouden van een tijdelijke 25 mee-verplaatsen ervan.
In de beide dwars-uiteinden van deze band in dwarsrichting opzij van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan de opname van een aantal opvolgende stripvormige rechthoekige uitsparingen en waarbij deze stripvormige 30 schakelingspatroon-opbrenginrichting ter plaatse van de beide dwarsuiteinden in de onderzijde ervan eveneens opvolgende nokken bevat, welke corresponderen met deze opvolgende uitsparingen.
Zulke combinaties van opvolgende nokken en uitsparingen 35 ten behoeve van tijdens het in-breng-proces meenemen van deze schakelingspatroon-opbrenginrichting door deze band.
Verder als een alternatief in de beide dwarsuiteinden van de onderwand van deze inbreng-inrichting het zodanig aange- 3 bracht zijn van opvolgende, in dwarsrichting uitstrekkende micrometer hoge conische nokken, dat deze corresponderen met de in de bovenwand van de beide folie/band-uiteinden aangebrachte eveneens soortgelijke conische groeven.
5 Daarbij tijdens het benedenwaarts verplaatsen van deze inbreng-inrichting het terechtkomen van deze conische nokken ervan in deze groeven van deze folie of band.
Zulk een zeer tijdelijke verankering van deze opbreng-inrichting op deze band is mede mogelijk door de relatief 10 grote dikte van de beide dwars-uiteinden van deze band.
Na het indruk- proces vindt met behulp van typisch een aantal drukcilinders het opwaarts verplaatsen van deze inrichting over slechts circa 0,2 mm uit de daarmede corresponderende uitsparingen in deze band plaats.
15 Verder bevat deze tunnel-opstelling middelen ten behoeve vam tenminste ter plaatse van deze schakeling-opbrenginrich-ting het onderhouden van een mechanisch contact van de opvolgende folie/band-gedeeltes met secties van de bovenwand van het ondertunnelblok.
20 Zulks is beter dan het onderhouden van een micrometer hoge film zeer-hoogkokend vloeibaar medium in de centrale onderspleet-sectie tussen deze folie/band en dit blok, omdat bij een opgebrachte film vloeibaar medium in de onderspleet boven dit ondertunnelblok onvermijdel yk geen optimaal gelijk- 25 matige hoogte van deze film in de onderspleet-sectie onder zulk een stripvormige opbreng-inrichting mogelijk is.
Verder mede het navolgende als zijnde noodzakelijk: 1. een ultra vlakke bovenwand van het ondertunnelblok ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behande- 30 lings-gedeelte; 2. een ultra vlakke boven- en onderwand van de band of folie, met een bepaalde hoogte ervan; en 3. een ultra vlakke bovenwand van de opvolgende substraat-gedeeltes, typisch grotendeels de di-electrische laag.
35 Zulk een inbreng-proces behoeft slechts plaats te vinden van opvolgende stripvormige secties van deze opvolgende substraat-gedeeltes.
Verder voor zulk een inbreng-proces zelfs de mogelijke 4 toepassing van slechts één langwerpige opbreng-inrichting, met een lengte ervan ter grootte.van de breedte van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte, typisch circa 200 mm, met een gelijktijdige bewerkstelliging van typisch 5 tenminste een 25-tal schakelings-secties.
Verder als alternatief de toepassing van meerdere opvolgende aanbreng-inrichtingen in opvolgende tunnel-gedeeltes ten behoeve van het opvolgend aanbrengen van opvolgende electrische schakeling-gedeeltes, welke zich uitstrekken in 10 dwarsrichting van deze tunnel.
Verder als alternatief daarbij tevens het gelijktijdig opbrengen van zulke schakelings-secties in de lengterichting van deze tunnel-opstelling over meerdere chip-breedtes.
Zulks in vergelijking met het in een bestaande semiconduc-15 tor module onder toepassing van een wafer met een diameter van typisch 300 mm, bevattende een uitert gecompliceerde semiconductor schakelingspatroon-aanbrenginrichting ten behoeve van het aanbrengen van de talloze schakelingpatroon-secties ervan ter grootte van een semiconductor chip, met een 20 totaal van typisch tenminste een 200-tal opvolgend aan te brengen schakelingspatroon-secties.
Daarbij moet zulk een schakelingpatroon-opwekinrichting vele malen in zowel de dwars-als lengterichting ervan worden verplaatst.
25 Aldus een benodigd zeer langdurig aanbreng-proces, zijnde typisch langer dan één uur.
Verder daardoor een extreem hoge kostprijs van zulk een schakelingspatroon-opbrenginrichting, oplopend tot typisch zelfs circa € 50 millioen.
30 Door constant dezelfde verplaatsings-snelheid van typisch slechts 2 mm per seconde voor deze band of folie en waarbij de lengte van de opvolgende substraat-gedeeltes, waaruit de bewerkstelliging van semiconductor chips, bekend is en deze semiconductor substraat, waaruit door deling ervan het 35 verkrijgen van semiconductor chips, typisch bevattende slechts typisch één zeer dunne di-electrische bovenlaag, is het mogelijk om uiterst nauwkeurig na het plaatsvinden van zulk een opbreng-proces met behulp van zulk een schakelingspatroon 5 opbrenginrichting het plaatsvinden van een volgende herhaling van zulk een proces.
Aldus geen noodzaak van het aangebracht zijn van opvolgende markeringen in één van de beide dwarsuiteinden van deze 5 band of folie ten behoeve van het starten van zulk een herhaling.
Voor minder dan 40 nanometer, typisch slechts 30 nanomter brede semiconductor groeven in de bovenwand van de opvolgende substraat-gedeeltes en zelfs een mogelijke lagere constante 10 verplaatsings-snelheid van deze opvolgende substraat- gedeeltes is eveneens een optimaal indruk-proces verzekerd..
Voor deze uiterst eenvoudige stripvórmige indruk-inrichting is elke vorm en afmetingen ervan in zowel de lengte- als dwarsrichting van deze semiconductor tunnel-15 opstelling mogelijk.
Daarbij, indien gewenst ten behoeve van een optimaal indruk -proces, de mogelijke toepassing van een hoge onderdruk van het gasvormige medium in de stripvormige opbreng-sectie.
In een gunstige uitvoering strekt zulk een stripvormige 20 opbreng-inrichting zich uitsluitend in verticale richting uit -in tenminste mede het boveiitunnelblok en waarbij zulk een stripvormige iiidruk-inrichting zich typisch in dit- boven-tunnelblok bevindt.
Aldus typisch daarmede bijdragen -in de bewerkstelliging 25 van opvolgende substraat-gedeeltes, waaruit door deling ervan het verkrijgen van meerdere semiconductor chips in dwarsrich-ting ervan.
Als een volgend alternatief bevat deze semiconductor tunnel-opstelling zodanige middelen, dat daarbij in het cen-30 traal gelegen stripvormig opbreng-gedeelte, welke zich uitstrekt in dwarsrichting ervan, het opvolgend plaatsvinden van een opbreng-proces geschiedt onder daarbij typisch een tijdelijke stilstand ervan.
In een gunstige uitvoering van zulk een stripvormige 35 opbreng-inrichting is deze rondom met behulp van flexibele afdicht-banden, welke zijn opgenomen in het boventunnelblok, zodanig tenminste nagenoeg afgesloten van de buitenlucht, dat daarbij zulk een opbreng-proces mogelijk plaats vindt onder 6 tenminste een zeer hoge onderdruk van het daarin aanwezige gasvormige medium.
Als alternatief slechts de toepassing van een tweetal rubber afdichtbanden. gezien in de lengterichting van de 5 tunnel opzij van zulk een opbreng-inrichting, zoals daarbij geen hoge onderdruk van het gasvormige medium tijdens het opbreng-proces benodigd is.
Daarbij door de beperkte tijdsduur van het aanbreng-proces, typisch minder dan 0,1 seconde, en zulks in combinatie met 10 deze zeer lage verplaatsings-snelheid van deze band. mogélijk geen benodigde verplaatsing van deze inrichting door daartoe slechts een mogelijke geringe vervorming van deze beide flexibele banden.
Zoals is aangegeven en omschreven in de Nederlandse 15 Octrooi-aanvrage No. 1037629 van de aanvrager betreffende een belichtingspatroon-opbrenginrichting, bevat zulk een tunnel-opstelling verder tevens een aandrijfrol voor deze ononderbroken semiconductor substraat draag/transferband of een combinatie van zulk een band en folie ter plaatse van de 20 uitgangszijde ervan, met in de beide dwars-uiteinden ervan in radiale richting opvolgende nokken ten behoeve van het daarmede typisch ononderbroken verplaatsen onder trekkracht van deze band met behulp van daarmede corresponderende uitsparingen ervan.
25 Daarbij het tijdelijk meenemen van tenminste één stripvormige indruk-inrichting met behulp van daarmede cor^ responderende nokken onder' zulk een inrichting.
Het tijdelijk meenemen van deze aanbreng-inrichting door deze band met behulp van deze corresponderende groeven ervan 30 is veelal mogelijk door het relatief aanzienlijk eigen gewicht ervan in combinatie met zulk een zeer beperkte benodigde vertical verplaatsing ervan, zodat dan geen benodigde druk-inrichting ten behoeve van zulk een benedenwaartse verplaatsing ervan.
35 Deze band bevat in een uitvoering ervan ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan micrometer grote meeneem-profielen ten behoeve van het met behulp van een stripvormige aandruk-inrichting aandrukken van 7 opvolgende folie-gedeeltes op opvolgende band-gedeeltes onder de bewerkstelliging van het ononderbroken meenemen van deze folie door deze band tijdens de verplaatsing ervan door deze tunnel en aldus het plaatsvinden van zulk een 5 opbreng-proces van tenminste mede opvolgende folie-gedeeltes onder verplaatsing ervan.
Met behulp van stripvormige membraam-secties van deze band, gezien in de lengterichting van de tunnel aan weerszijde van zulk een opbreng-inrichting, het plaatsvinden van 10 zulk een opbreng-proces onder een tijdelijke stilstand van het eronder gelegen band-gedeelte.
In plaats van met behulp van deze nokken het bewerkstelligen van indrukkingen in deze zachte di-electrische bovenlaag is het als een alternatieve werkwyze ook mogelijk om zulke 15 indrukkingen te bewerkstelligen met behulp van een stripvormige bundel van stromen deeltjes van een gasvormige- en/of vloeibare substantie en waarbg daartoe de in de Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 1037629 van de aanvrager toegepast wordende opwek-inrichting voor zulk een bundel van stromen 20 en de toepassing van een stripvormige inrichting onmiddellijk boven een zich typisch tijdelijk eronder bevindende stripvormig semiconductor substraat-gedeelte'.
Daarbij in deze opwek-inrichting typisch een stripvormige plaat, welke zich over enige afstand uitstrekt in dwarsrich-25 ting van deze tunnel-opstelling, en bevattende naast elkaar gelegen nanometer brede doorlaat-secties met een totaal-breedte van de daarin te bewerkstelligen semiconductor chips.
Daarby de bewerkstelliging van deze nanometer brede en diepe groeven in deze di-electrische bovenlaag en waarbij 30 afvoer van de combinatie van deze deeltjes vloeibare en/of gasvormige substantie en bewerkstelligde deeltjes van de di-electrische substantie plaats vindt via, gezien in de lengterichting van deze tunnel aan weerszijde opzij van deze inrichting, in het boventunnelblok opgenomen medium afvoer-35 groeven.
Verder het typisch beperkt houden van de breedte van deze stripvormige doorlaat voor deze toegevoerde bundel van stromen in de lengterichting van deze tunnel tot typisch in 8 geringe mate groter dan de breedte van één tot een drietal van zulke semiconductor chips.
De semiconductor inrichtingen, zoals onder andere vervaardigd door bestaande semiconductor bedrijven, bevatten 5 reeds zich in lineaire richting uitstrekkende, slechts typisch 30-40 nanometer brede en hoge groeven in tenminste mede de di-electrische bovenlaag van de toegepast wordende wafers.
Zulks onder andere imet de benodigde toepassing van 10 uiterst kostbare semiconductor belichtings-inrichtingen ten behoeve van het plaatsvinden van een benodigd zeer langdurig semiconductor belichtings-proces voor de bewerkstelliging van semiconductor chips.
Door de toepassing van reeds bestaande en toekomstig ver-15 der verbeterde bewerkstelliging van zulk een stripvormige combinatie van naast elkaar gelegen nanometer brede nokken en groeven in een vlakke onderwand van zulk een belich-tings-inrichting is dit ook mogelijk in zulk een stripvormige, voldoend harde, typisch metalen aandrukblok van deze semi-20 conductor schakelingspatroon-opbrenginrichting..
Verder is typisch eveneens onder zulk een stripvormige indruk-inrichting een hoge onderdruk van typisch gasvormig medium gewenst ten behoeve van het aandrukken ervan op zulk een di—electrische onderlaag onder een mechanisch contact 25 daarmede.
De tunnel-opstelling is verder zodanig uitgevoerd en bevat zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een schakelings-patroon-opbr eng inrichting ervan de mogelijke toepassing van opbreng-inrichtingen of gedeeltes ervan, welke reeds zijn 30 omschreven en aangegeven in tenminste mede Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst en/of Conclusies van het navolgende: a) een individuele semiconductor wafer of - substraat; of b) een al dan niet individuele semiconductor processing- 35 module of - installatie.
Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat de daarin omschreven en aangegeven schakelingspatroon-opbrenginrichtingen tevens 9 toepasbaar zijn in de semiconductor tunnel-opstelling en, welke zijn aangegeven en omschreven in de reeds door de aanvrager ingediende Nederlandse Octr.ooi-aanvragen betreffende zulk een semiconductor tunnel-opstelling.
5 Verder is deze tunnel-opstelling zodanig uitgevoerd en bevat deze zodanige middelen, dat daarbij voor zulk een schakelingspatroon-opbrenginrichting de toepasbaarheid van de reeds door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooiaanvragen betreffende zulk een tunnel-opstelling.
10 Figuur 1 toont een semiconductor tunnel-opstelling, bevat tende een stripvormige electrische schakelingspatroon-opbrenginrichting ten behoeve van het daarmede in een tunnel-gedeelte plaatsvinden van het aanbrengen van een electrische schakelings-patroon op de opvolgende, zich erdoorheen 15 verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.
Figuren 2A,B en C
tonen zeer sterk vergroot opvolgende dwarsdoorsnedes van de tunnel-opstelling volgens de Figuur 1 en waarbij het opvolgend op en neer verplaatsen van deze schakelingspatroon-opbrenginrichting, met daarbij het navol-20 gende: in de Figuur 2A de opwaartse positie van deze inrichting boven een nog vlakke bovenwand van éen substraat-gedeelte onder een tijdelyke stilstand ervan; in de Figuur 2^ de onderste positie van deze inrichting en 25 waarbij met behulp van de nanometer brede en hoge nokken ervan het plaatsvinden van een indring-proces van deze nokken in dit zich eronder bevindende substraat-gedeelte; en in de Figuur 2C het wederom terugkeren naar de bovenste positie van deze inrichting.
30 Figuur 3 toont een dwarsdoorsnede van het onderste gedeelte van de tunnel-opstelling volgens de Figuur 1 en waarbij de daarin opgenomen uitwisselbare .patroon— opbrenginrichting zich in zijn bovenste positie bevindt.
Figuur 3A toont daarbij de dwarsdoorsnede over de lijn 35 3A-3A van deze inrichting.
Figuren 3B, C en D tonen sterk vergroot opvolgende posities in hoogterichting van de beide dwarsuiteinden van het boventunnelblok ten behoeve van het tijdelijk meenemen van 10 deze schakelingspatroon-opbrenginrichting door de in deze tunnel-opstelling zich typisch ononderbroken erdoorheen verplaatsende ononderbroken semiconductor substraat draag/ transferband.
5 Figuur 3E toont daarbij ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling het opgebracht zijn van een di-electrische bovenlaag .
Figuur 4 toont zeer sterk vergroot met behulp van deze 10 opvolgende stripvormige nokken, welke zijn opgenomen in de onderwand van deze inrichting, het bewerkstelligen van zich in de lengterichting van de tunnel uitstrekkende nanometer brede groeven ter plaatse van één van de in de Figuur 3A aangegeven bewerkstelligde rechthoekige patronen ter grootte 15 van een semiconductor chip in de bovenwand van de op de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes opgebrachte di-electrische bovenlaag.
Figuur 4A toont de doorsnede over de lijn 4^-^A van dit: di-electrische bovengedeelte.
20 Figuur 5 toont vergroot een aantal naast elkaar gelegen secties van de dwarsdoorsnede van de tunnel-opstelling volgens de Figuur 1 in de hoogterichting ervan.
Figuur 5A toont de doorsnede over de lijn 5A-5A van ,je opstelling volgens de Figuur 5, met daarbij nog vergroot 25 secties van het centrale gedeelte van de opvolgende substraat, gedeeltes en met behulp van deze patroon-opbrenginrichting het bewerkstelligd zijn van naast elkaar gelegen substraat-gedeeltes ter grootte van een semiconductor chip over typisch nagenoeg de gehele breedte van dit centrale gedeelte.
30 Figuur 5® toont zeer sterk vergroot een sectie van deze tunnel-doorgang en waarbij het benedenwaarts verplaatsen van deze patroon opbreng-inrichting en waarbij het tonen van de tegen de onderwand van het stripvormige patroon-opbrengblok naast elkaar gelegen nanometer brede en - hoge nokken ten 35 behoeve van het indrukken ervan in de zich eronder bevindende ultra-zachte micrometer hoge di-electrische bovenlaag.
Figuren 6A t/m E tonen zeer sterk vergroot het opvolgend steeds verder benedenwaarts verplaatsen van zulk een nok in 11
Figuur 4^ toont de doorsnede over de Ijjn 4A—4& ^an de module volgens de Figuur 4, met daarbij nog vergroot secties van het centrale gedeelte van de opvolgende substraat-gedeeltes en met behulp van deze patroon-opbrenginrichting 5 het bewerkstelligd zijn van een aantal naast elkaar gelegen substraat—gedeeltes ter groote van een semiconductor chin over typisch nagenoeg de gehele breedte van dit centrale gedeelte.
Figuur 4B toont zeer sterk vergroot een sectie van deze 10 module, met het benedenwaarts verplaatsen van deze patroon opbreng-inrichting en waarbij het tonen van de tegen de onderwand van het stripvormige patroon—opbrengblok naast elkaar gelegen nanometer brede en — hoge nokken ten behoeve van het indrukken ervan in de zich eronder bevindende ultra-zachte 15 micrometer hoge di-electrische bovenlaag.
Figuren t/m E tonen zeer sterk vergroot het opvolgend steeds verder benedenwaarts verplaatsen van zulk een nok in deze di-electrische bovenlaag onder vervorming van de aangrenzende gedeeltes van deze bovenlaag en het tenslotte 20 in de onderste positie ervan het met behulp van de aangrenzende wand-gedeeltes opz§ van deze nok het vlakken van tenminste mede deze vervormde di-electrische bovenlaag— gedeeltes.
Figuur 5^ toont het vervolgens opwaarts verplaatsen van 25 deze nok vanuit de daarmede bewerkstelligde uitsparing.
Figuur 5^ toont zeer sterk vergroot het aangebracht zijn van een nanometer dikke typisch teflonlaag op zulk een nok.
Figuur 5h toont zeer sterk vergroot het bestaan van de bovenste micrometer hoge di-electrische laag uit typisch 30 nanometer grote di-electrische deeltjes van een di-electrische substantie met een relatief lage smelt—temperatuur ervan.
Figuur 6 toont met behulp van in een tenminste mede boven het bovenmoduleblok gelegen uitwisselbare stripvormige opwek-35 inrichting bewerkstelligde nanometer brede bundel van benedenwaarts gerichte stripvormige stralen van typisch gasvormig medium als gedeelte van een zeer groot aantal in zowel de lengte- als dwarsrichting van deze module naast elkaar gele- 12 gen individuele bundels het plaatsvinden van het bewerkstelligen van een nanometer brede groef in de di-electrische bovenlaag van de zich eronder bevindende semiconductor substraat .
5 Figuur 6^ toont daarbij het met behulp van deze stralen bewerkstelligd zijn van zulk een nanometer brede groef.
Figuur 6B toont met behulp van vloeibaar reinigings-medium het uitdrijven van de in deze groef achtergebleven losgemaakte di-electrische deeltjes uit deze groef.
10 Figuur 6C toont met behulp van gasvormig spoelmedium het uitdrijven van mede dit reinigings-medium uit deze groef onder het verkregen zijn van de aangegeven schone groef.
Deze opvolgende semiconductor behandelingen zijn tevens zeer sterk vergroot aangegeven in de Figuren 6D t/m H.
15 Figuur 61 toont nog zeer sterk--vergroot de vaste deeltjes van een di—electrische substantie in zulk een groef.
Figuur 7 toont in zulk een module—opstelling een typisch uitwisselbare inrichting ten behoeve van het mede bewerkstelligen van een stripvormig electrisch schakelingspatroon op de 20 in een rechthoekige module ervan gebrachte rechthoekige substraat met behulp van een stripvormige belichtings-inrichting. welke in mede het bovenmoduleblok ervan is opgenomen en zich typisch in dwarsrichting uitstrekt over het centrale semiconductor behandelings-gédeelte ervan.
25 Zulks typisch in zowel de lengte-als dwarsrichting van deze module onder het tijdens de werking ervan typisch produceren van bundels van licht-stralen in zovel de lengte- als dwarsrichting ervan en waarbij deze stralen inverken op een zeer dunne licht-gevoelige bovenlaag van zulk een semiconduc-30 tor substraat.
Daarbij vervolgens in de daarop-volgende modules de reeds algemeen bekend zjjnde bewerkstelliging van nanometer brede groeven in de di-electrische hoofdlaag van zulk een substraat.
Figuur 8. toont met behulp van een stripvormige behande-35 lings-inrichting het gelgktijdig behandelen van een geheel stripvormig substraat-gedeelte en waarbij in de daaropvolgende modules het herhalen van zulk een behandelings-proces van een volgend substraat-gedeelte plaats vindt.
13 conische nokken in de bovenwand van deze band drukken in de daarmede corresponderende opvolgende onderwand-gedeeltes van deze folie, zoals tevens sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 12®.
5 Figuur 12^ toont daarbij in een dwarsdoorsnede van deze tunnel zulk een combinatie van transfer-band en folie, met daarboven een di-electrische laag en zulk een typisch zachte di-electrische laag en waarbij het aangegeven zijn van zulk een semiconductor behandelings-proces ervan.
10 Figuur 12® toont de doorsnede van deze opstelling over de lijn 12®-l2®.
Figuur 13 toont in een langs-doorsenede van de tunnel— opstelling ter plaatse van mede de stripvormige patroon-opbrenginrichting opzij ervan een tweetal strip vormige buffer-15 inrichtingen ten behoeve van het typisch daarin tijdelijk opslaan van vervormde, zich verplaatsende band-gedeeltes tijdens het in deze inrichting plaatsvinden van een patroon-opbrengproces.
Figuur 13^ toont daarbij het aangedrukt zijn van deze 20 inrichting op het eronder gelegen band-gedeelte en waarbij een band-gedeelte wordt afgevoerd uit de buffer-inrichting voor deze inrichting en een band-gedeelte wordt toegevoerd naar de buffer-inrichting achter deze patroon-opbrenginrichting.
Figuur 13® toont het plaatsvinden van zulk een behande-25 lings-proces en waarbij een steeds verdere afvoer van opvolgende band-gedeeltes uit de buffer-inrichting voor deze behandelings-inrichting en een steeds verdere toevoer van opvolgende band-gedeeltes naar de buffer-inrichting achter deze behandelings-inrichting.
30 Figuur 13^ toont het opwaarts verplaatst zijn van deze behandelings-inrichting en waarbij een steeds verdere afvoer van opvolgende band-gedeeltes uit de buffer-inrichting achter deze behandelings-inrichting en een steeds verdere toevoer van opvolgende band-gedeeltes naar de buffer-inrichting voor 35 deze behandelings-inrichting.
14
Figuur 1 toont een in de semiconductor tunnel-opstelling 10 opgenomen stripvormige electrische schake-lingspatroon-opbrenginrichting 12 ten behoeve van het daarin plaatsvinden van een schakelingspatroon-opbrengproces van 5 het stripvormige substraat-gedeelte 14.
Daarbij is deze uitwisselbare inrichting benedenwaarts verplaatsbaar door zijn relatief hoog eigen gewicht en wordt deze tijdens het niet daarmede plaatsvinden van het opbrengen van een schakelingspatroon-opbrengproces over een geringe 10 afstand opwaarts verplaatst vanaf de opvolgende substraat-gedeeltes 14.
Zulks met behulp van een aantal verplaatsings-inrichtingen 16 tot tegen de aanslag-opstellingen 18 van het boventunnelblok 20.
15 Daarbij met behulp van de 0-ring opstellingen 22, welke zyn opgenomen in het stripvormige blok-gedeelte 24 van deze inrichting in de lengterichting opzij van het stripvörmige compartiment 26 van deze inrichting 12 tenminste mede nagenoeg onderhouden van een afsluit-conditie van het binnen-20 gedeelte van deze inrichting van de buitenlucht.
Met behulp van deze inrichting 12 het bewerkstelligen van de nanometer grote doordrukkingen 56 plaats onder het tijdelijk meenemen van deze inrichting door de ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/transfer-band 46, zoals sterk 25 vergroot is aangegeven in de Figuren 2Af 2^ en 2C.
Daarbij tenminste mede door elke mogelijke omvang en opbouw van zulk een inrichting in zowel de lengte- als breedte-richting van de tunnel-doorgang het mogelijk plaatsvinden van een gelijktijdig opbreng-proces van een aanzienlijk aantal 30 doordruk-secties ter grootte van in totaal een semiconductor chip.
Na het indruk-proces onder typisch het mee-verplaatsen van deze inrichting door deze band wordt deze inrichting opwaarts verplaatst en vervolgens terug-verplaatst naar zijn rust-35 positie.
Met behulp van deze inrichting 12 het met de mülti, naast elkaar gelegen nanometer brede en hoge nokken 32, welke deel uitmaken van de onderwand 34 van dit drukgedeelte 24 ervan 15 het tijdens de benedenwaartse verplaatsing opvolgend indrukken in de bovenwand van de uiterst dunne en relatief zachte di-electrische bovenlaag 38, welke in een voorgaand tunnel-gedeelte is opgebracht op de relatief dikke di-electrische 5 hoofdlaag 40.
Deze di-electrische laag 40 is typisch met behulp van een micrometer hoge tijdelijke tussenlaag voldoende verankerd op de opvolgende ononderbroken gedeeltes van de typisch ononderbroken semiconductor substraat draag/transferband 42.
10 Binnen het kader van de uitvinding kan zulk een band ook een zeer lange, al dan niet kunststof-folie zijn.
Zulk een benedenwaartse verplaatsing van dit blok, zoals is aangegeven in de Figuur 2^ f geschiedt daarbij door het via de toe/afvoerleiding 44 toevoeren van typisch gasvormig 15 drukmedium 46 naar het compartiment 26 boven dit blok 24-en zulks tegen de opwaartse krachtwerking van de drukveren 48 in.
Binnen het kader van de uitvinding kunnen deze nokken 32 deel uitmaken van het uitwisselbare onderblok-gedeelte 52, 20 welke in een voldoende mate is vastgezet tegen het ondergedeelte 54 van het blok 24, onder het daarbij tijdelijk onderhouden van de micrometer hoge onderspleet 50 onder dit blok-gedeelte.
Na zulk een indring-proces van deze nokken 32 in deze di-25 electrische bovenlaag 38, zoals is aangegeven in de Figuur2B, het vervolgens door afvoer van dit drukmedium 46 uit het compartiment 26 het met behulp van deze veren 48 wederom omhoog verplaatsen van dit blok 24 tot tegen het aanslagwand-gedeelte 18 van deze inrichting 12.
30 Daarbij het bewerkstelligd zijn van de smalle, naast elkaar gelegen nanometer grote groeven 56, zoals is aangegeven in de Figuur 2^.
Figuur 3 toont een dwars-doorsnede van het boventunnel-blok 20 en waarbij deze stripvormige schakelingspatroon-35 opbrenginrichting 12 in dwarsrichting opzij van het opbreng-gedeelte 58 ervan de opname van een aantal opvolgende rechthoekige nokken 60, welke zich bevinden boven de daarmede corresponderende uitsparingen 62 van deze substrat support/ 16 transfer-band 42 ter plaatse van de beide dwarsuiteinden ervan, bevat, zoals mede is aangegeven in de Figuur 3^
Figuur 3B toont in de bovenste positie van deze inrichting daarbij sterk vergroot de positie van zulke nokken 60 boven de 5 uitsparingen 62.
Figuur 3C toont na het benedenwaarts verplaatst zijn van deze inrichting de circa midden-positie van deze nokken 60 in deze uitsparingen 62.
Figuur 3^ toont door het lineair verplaatsen van deze 10 band 42 het meenemen van deze nokken 60 door deze uitsparingen 62.
Figuur 3E
toont nog tijdens het belichtingspatroon-^opbreng-proces de ondersteuning van de verplaatsing van deze band 42 en daarmede van de opvolgende substraat-gedeeltes 14 door de 15 opvolgende stromen gasvormig medium 68 door de opvolgende groeven 70 in de bovenwand van het ondertunnelblok 66.
In het centrale semiconductor behandelings-gedeelte 58, Figuur 3^, nog het tonen van een aantal secties 72 ter grootte van een semiconductor chip 74, bevattende tenminste 20 mede een groot aantal naast elkaar gelegen indrukkingen 56 ten behoeve van het in een volgend tunnel-gedeelte vullen ervan met een metalen substantie.
Figuur 4 toont zulke naast elkaar gelegen stripvormige indrukkingen 56 in een sectie van de bovenwand 36 van de di-25 electrische bovenlaag 38 en waarbij Figuur 4^ de doorsnede over de lijn 4A-4A van deze bovenwand-sectie 36 toont.
Figuur 5 toont de schakelingspatroon-opbrenginrichting 12, welke zich uitstrekt in dwarsrichting van de tunnel-opstel-ling 10, en waarbij de onderwand 34 van het blok-gedeele 24 30 van deze inrichting wederom de vele nanometer brede nokjes 32 bevat, zoals zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 5B, als doorsnede over de lijn 5B_5B van deze inrichting.
Daarbij het aangegeven zijn van de zachte di-electrische bovenlaag 38 op de di-electrische hoofdlaag 40.
35 Figuur 5A toont nog de doorsnede over de lijn 5A-5A van de inrichting 12.
Daarbij in de onderwand 34 rondom de secties 72 ter grootte van semiconductor chips de vrije wand-gedeeltes 78.
17
De Figuren 6A t/m E tonen extreem vergroot de benedenwaartse verplaatsing in de ruimte 76 van de onderwand 34 van de inrichting 12 tot in het boven-gedeelte 80 van deze zachte di-electrische laag 38.
5 Daarbij toont de Figuur 6A het starten van deze beneden waartse verplaatsing van zulk een stripvormige nok 32.
Figuur 6® toont daarbij het begin van het indruk-proces door zulk een nok 32 van het zich eronder bevindende gedeelte onder ter plaatse een opwaartse vervorming van dit bovenlaag-10 gedeelte 82.
Figuur 6C toont nog een verdere benedenwaartse verplaatsing van deze nok 32 onder daarbij een verdere toename van de vervorming van het aangrenzende bovenlaag-gedeelte 82.
Figuur 6® toont het bereiken van het vullen door deze nok 15 van de bewerkstelligde indrukking 56.
Figuur 6E toont daarbij nog door een verdere benedenwaartse verplaatsing van deze nok het met behulp van het aangrenzende onderwand-gedeelte 34 vlakken van het eronder gelegen aangrenzende gedeelte van de bovenwand 36 van deze di-electri-20 sche laag 38.
Figuur 6F toont het vervolgens wederom opwaarts verplaatsen van deze nok 32 uit de bewerkstelligde indrukking 56, zijnde een daarmede bewerkstelligde nanometer brede en diepe groef 56.
25 Figuur 7 toont de opwek-inrichting 84 voor een smalle bundel 86 van stromen van typisch gasvormig semiconductor medium 88 ten behoeve van het uiterst kortstondig plaatsvinden van een patroon-opbreng-proces.
Typisch in deze inrichting een medium doorlaat-gedeel-30 te, waarin de opname van de stripvormige straal-doorlaat-plaat 90, en waarin het typisch ge-etst zijn van tenminste mede groepen van tenminste mede de benodigde nanometer brede uitsparingen 92 ten behoeve van het doorlaten van gedeeltes van deze bundel 86 van stromen medium.
35 Zulks via het eronder gelegen stripvormige medium- doorlaatgedeelte 94 van de onderspleet 50 onder de opvolgend daarmede bewerkstelliging van de groeven 56', zoals is aangegeven in de Figuren 7A t/m H.
18
Daarbij via de stripvormige afvoergroeven 96 opzij van deze inrichting stripvormige bundel 86 het ononderbroken plaatsvinden van afvoer van de combinatie van het toegevoerde medium 88 en deeltjes van de daarmede verwijderde di-electri-5 sche substantie.
Tevens door het plaatsvinden van zeer aanzienlijke wervelingen van deze stromen tijdens deze bewerkstelliging elke mogelijke vorm van deze groeven 56'.
Figuur 8 toont met behulp van een aantal typisch gelijke 10 opvolgende schakelingpatroon-opbrenginrichtingen 100 het bewerkstelligen van een drietal opvolgend te behandelen secties 102 van een stripvormig substraat-gedeelte 14, zoals is aangegeven in de Figuren 8^, B en C.
Figuur 9 toont met behulp van tenminste één schakelings-15 patroon-opbrenginrichting 12 het behandelen van een stripvormig substraat-gedeelte 14.
Figuur 9A toont met behulp van de stripvormige inrichting 12 het behandelen van één geheel stripvormige sectie 106 en de Figuren 9® t/m ® de 5-tal gelijke, opvolgend te behan-20 delen secties 108 van zulk een stripvormig substraat-gedeelte 14.
Figuren 10A t/m F tonen wederom één schakelingspatroon-opbrenginrichting 12 per behandelings-gedeelte ten behoeve van het plaatsvinden van de navolgende schakelingspatroon-25 opbrengprocessen:
Figuur 10A; het behandelen van slechts één sectie 106; of Figuur 10®: het gelijktijdig behandelen van de tweetal typisch verschillende, naast elkaar gelegen behandelings-secties 110 en 112, met typisch dezelfde omvang ervan; of 30 Figuur 10^: het gelijktijdig behandelen van een drietal typisch verschillende, naast elkaar gelegen behandelings-secties 114, 116 en 118, met typisch dezelfde omvang ervan; of Figuur 10®: het gelijktijdig behandelen van een viertal typisch verschillende, naast elkaar gelegen behandelings-secties 120, 35 122, 124 en 126, met typisch dezelfde omvang ervan; of
Figuur 10®; het gelijktijdig behandelen van een vijftal typisch verschillende, naast elkaar gelegen behandelings-secties 128, 130, 132, 134 en 136, met typisch dezelfde omvang ervan.
19
Figuur 11 toont voor de tunnel-opstelling 10 de combinatie van de achter-transferrol 138 voor de ononderbroken semiconductor substraat draag/transfer-band 42 ter plaatse van de uitgangs-zijde 140 ervan ten behoeve van het ononder-5 broken verplaatsen van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen en zulks in combinatie met de rol-opstelling 142 ter plaatse van de ingangs-zijde ervan.
Figuur llA toont typisch daarbij in de beide dwars-uiteinden van deze achterrol 138 in radiale richting 10 opvolgende typisch rechthoekige nokken 60 ten behoeve van tijdens de werking van deze tunnel-opstelling een ononderbroken verplaatsing onder trekkracht van deze band 42 met behulp van de daarin opgenomen en daarmede corresponderende uitsparingen 62 en met deze band het tijdelijk meenemen van 15 tenminste één belichtingspatroon-opbrenginrichting 12 met behulp van de daarmede corresponderende nokken 60 onder zulk een inrichting.
Figuur llB toont sterk vergroot het meenemen van zulk een band 42 door deze rol-opstelling 138 en waarbij het 20 corresponderen van de opvolgende uitsparingen 62 in deze band met de opvolgende nokken 60 van deze rol-opstelling.
Figuur llC toont de doorsnede over de lijn 11c -11C van deze band, met het zich bevinden ervan boven de in de Figuur llA aangegeven geleide-plaat 144 ervoor en waarbij het tonen van 25 zulke rechthoekige uitsparingen 60 in een dwars-uiteinde van deze band 42.
Figuur 12 toont de opslag-opstelling 146 voor een zeer lange folie 148, welke zich uitstrekt in dwarsrichting van de tunnel-opstelling 10, met nabij de ingang ervan de rol-30 opstelling 142 voor zulk een substraat draag/transfer-band 42 en daarboven in de aandruk-inrichting 150 de opname van de aandruk-rol 152 ten behoeve van het ononderbroken aandrukken van de opvolgende gedeeltes van deze folie 148 op de opvolgende band-gedeeltes.
35 Figuur 12^ toont vergroot zulk een aandruk-inrichting 150 ter plaatse van het aandruk-gedeelte ervan en waarbij opvolgende consche nokken 154 in de bovenwand van deze band 42 drukken in de daarmede corresponderende opvolgende onderwand- 20 gedeeltes van deze folie 148, zoals tevens sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 12B.
Figuur 12C toont daarbij in een dwarsdoorsnede van deze tunnel 10 zulk een combinatie van transfer-band 42 en folie 5 148, met daarboven de di-electrische lagen 38 en 40 en waarbij het aangegeven zijn van zulk een belichtingspatroon-opbreng-proces ervan in deze inrichting 12.
Figuur 12^ toont de doorsnede van deze inrichting 12 over de lijn 12D_i2D# 10 Figuur 13 toont een alternatieve uitvoering 158 van de stripvormige belichtingspatroon-opbrenginrichting 12 volgens de Figuur 1, met in de tunnel-opstelling 10 voor en achter deze inrichting de stripvormige buffer-inrichtingen 160 en 162 ten behoeve van het tijdelijk afvoeren of opslaan van 15 opvolgende band-gedeeltes 42 tijdens het behandelings-proces onder een aandruk-positie van deze behandelings-inrichtingl58 op het zich eronder bevindende band-gedeelte 42.
Figuren 13^, B en C tonen in een langsdoorsnede van deze tunnel-opstelling 10 ter plaatse van de inrichting 158 opzij 20 ervan deze stripvormige buffer-inrichtingen 160 en 162 ten behoeve van het typisch daarin tydelijk opslaan van vervormde, zich verplaatsende band-gedeeltes 42 tijdens het in deze inrichting plaatsvinden van een semiconductor schakelings--patroon-opbrengproces.
25 In de Figuur 13A daarbij het aangedrukt zijn van deze inrichting 158 op het zich eronder gelegen band-gedeelte 164 en waarbij het band-gedeelte 166 wordt af gevoerd uit deze buffer-inrichting 162 voor deze inrichting en een band-gedeelte 168 wordt toegevoerd naar de buffer-inrichting 160 30 achter deze behandelings-inrichting.
Figuur 13B toont het met behulp van deze behandelings-inrichting 158 plaatsvinden van zulk een belichtings- patroom-aanbrengproces en waarbij een steeds verdere afvoer van opvolgende band-gedeeltes uit de buffer-inrichting 162 35 voor deze inrichting en een steeds verdere toevoer van opvolgende band-gedeeltes 168 naar de buffer-inrichting 160 achter deze inrichting 158.
Figuur I3C toont het opwaarts verplaatst zijn van deze 21 inrichting 158 en waarbij een steeds verdere af voer van opvolgende band-gedeeltes 168 uit de buffer-inrichting 160 achter deze inrichting en een steeds verdere toevoer van opvolgende band-gedeeltes 166 naar de buffer-inrichting 162 5 voor deze behandelings-inrichting 158.
Tijdens de opvolgende semiconductor behandelingen van de ononderbroken door deze semiconductor tunnel verplaatsende opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes vindt daarin de ononderbroken bewerkstelliging van opvolgende secties ervan 10 plaats, waaruit in een inrichting achter de uitgang ervan door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.
De Figuren 6^ en 7® tonen nog, dat daarby de micrometer hoge di-electrische bovenlaag 38 bestaat uit nanometer grote 15 deeltjes 170 van een di-electrische substantie, welke typisch in een voldoende mate aaneengedrukt worden gehouden.
Daardoor wordt deze laag van deeltjes zeer gemakkelijk door deze nokken 32 als deel van de nokkenplaat 172 vervormd, hetgeen is aangegeven in de Figuren 6B t/m Ef en zulks zonder 20 typisch het aanhechten ervan tegen deze nokken 32 en de aangrenzende onderwand 34 van deze nokkenplaat 172.
In de Figuren 6^ en 7H zyn deze lagen 38 van deeltjes 170 van de di-electrische substantie in een volgend tunnel-gedeelte door verwarming ervan gesmolten en waarna door 25 afkoeling de bewerkstelliging van de vaste laag 38’ ervan.
Binnen het kader van de uitvinding kan zulk een di-electrische laag 38* reeds in een voorgaand tunnel-gedeelte zijn bewerkstelligd.
Verder bestaat deze stripvormige nokkenplaat 172 als 30 onder-gedeelte van zulk een groeven-bewerkstelligings- inrichting 12 uit typisch teflon, welke in een voldoende mate gehecht is tegen het metalen erboven gelegen gedeelte van deze inrichting.
Deze laag teflon is aangegeven in deze Figuren 6^ t/111 35 Binnen het kader van de uitvinding is daarbij eveneens elke andere vorm en substantie voor deze nokkenplaat mogelijk.
Tevens is als een volgend alternatief een nanometer dikke laag van typisch teflon gehecht tegen deze nokkenplaat en 22 daarmede tegen deze nokken, hetgeen zeer sterk vergroot is aangegeven in de Figuur 6^.
Na het vullen van deze bewerkstelligde uitsparingen met metaaldeéltj.es, in een volgend tunnel-gedeelte met behulp van 5 tenminste mede een in het volgende boventunnelblok opgenomen stripvormige verwijderings-inrichting met daarin ononderbroken toegevoerd typisch gasvormig verwijderings-medium het ononderbroken plaatsvinden van een in een voldoende mate verwijdering en afvoeren van de op deze bovenwand aanwezige metaal-10 deeltjes.
Daarbij in een volgend stripvormig tunnel-gedeelte met behulp van een stripvormige verwarmings-inrichting, welke is opgenomen in het boventunnelblok 20,worden door de daarmede bewerkstelligde warmte de in deze groeven 56 aanwezige 15 deeltjes van een metalen substantie omgezet in een vloeibare vorm ervan, met een voor circa 90% toelaatbaar vullen daarmede ervan.
Verder in een volgend tunnel-gedeelte onmiddellijk door afkoeling het bewerkstelligen een vaste vorm ervan.
20 In de opvolgende stripvormige gedeeltès van deze tunnel- opstelling het aldus niet langer benodigd zijn van de in de combinatie van semiconductor modules en - wafers uiterst kostbare combinatie van het opbrengen van een licht-gevoelige di-electrische bovenlaag, een belichtings-proces, ets-proces. 25 strip-proces en reinigings-processen ten behoeve van de bewerkstelliging van zulke nanometer.brede uitsparingen.
Aldus door de mogelijke toepassing van deze stripvormige schakelingspatroon-opbrenginrichtingen de bewerkstelliging van een totale omschakeling van de achterhaalde productie 30 van semiconductor chips in de semiconductor industrie.
Als alternatief, na het benedenwaarts veplaatsen van deze nokkenplaat naar zijn onderste positie, het met behulp van een in het ondertunnelblok opgenomen stripvormige inrichting op en en neer verplaatsen van het zich niet erlangs verplaatsend 35 substraat-gedeèlte onder de bewerkstelliging van deze groeven, zoals onder andere denkbeeldig aangegeven in de Figuren 1, 3, 5 en 6, 23
In een gunstige werkwijze van deze semiconductor tunnel-opstelling door mede het niet meer benodigd zijn van tenminste mede het opbrengen van een belichtingslaag en daarop-volgende belichtings-processen, ets- , strip-, verwijderings- en vele 5 reinigings-processen, tijdens het vervangen van een semiconductor behandelings-inrichting, zoals onder andere deze schakelingspatroon-opbrenginrichtingen, geen benodigd stopzetten van de toe- en afvoer van de opvolgende behandelings-mediums en zelfs een geheel stopzetten van de werking van de 10 gehele semiconductor installatie behoeft plaats te vinden.
1038074

Claims (133)

1. Semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling ten behoeve van tijdens de werking ervan 5 het tenminste plaatselijk ononderbroken verplaatsen van opvolgende ononderbroken semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen, met in tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan tenminste één stripvormige schakelingspatroon-opbrenginrichting, bevattende zodanige 10 middelen, dat daarby tijdelijk daarmede het plaatsvinden van tenminste een deel van een schakelingspatroon-opbrengproces in een stripvormige sectie ervan, welke zich ter plaatse van dit behandelings-gedeelte uitstrekt in dwarsrichting over tenminste een sectie ervan.
2. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij zulk een schakelingspatroon-opbrenginrichting zich uitstrekt tot tenminste nabij de beide dwars-uiteinden van het tunneldoortocht-gedeelte ervan ten behoeve van het 20 erdoorheen verplaatsen van een typisch ononderbroken semiconductor substraat draag/transfer-band.
3. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in 25 opvolgende stripvormige secties van dit centrale behandelings gedeelte ervan de opname van stripvormige schakelingspatroon-opbrenginrichtingen, welke gezien in dwarsrichting ervan, aansluiten op elkaar.
4. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 30 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij het plaatsvinden van een electrisch schakelingspatroon-opbrengproces.
5. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 4, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat 35 daarbij het ononderbroken plaatsvinden van het basis-gedeelte van dit electrisch schakelingspatroon-opbrengproces in opvolgende stripvormige secties ervan.
6. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 1 0 38 074 ' voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij als een tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende substraat-gedeeltes de toepassing van een 5 ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/ transfer-band, met een rol-opstelling ervan nabij de in- en uitgangszijde van deze tunnel, zoals mede is aangegeven en omschreven in voorgaand ingediende Nederlandse Octrooiaanvragen door de aanvrager.
7. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij als een al dan niet tijdelijke semiconductor onderlaag van deze opvolgende substraat-gedeeltes de toepassing van 15 een zeer lange, al dan niet metalen folie.
8. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing daarin van tenminste één verplaatsings- 20 inrichting ten behoeve van het in verticale richting verplaatsen van een stripvormige groeven-bewerkstelligings-inrichting.
9. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 8, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 25 bevattende zodanige middelen, dat daarbij tijdens het niet plaatsvinden van zulk een groeven- bewerkstelligings-proces met bëhulp van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting deze zich over enige afstand opwaarts vrij boven de opvolgende zich eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-30 gedeeltes bevindt en tenminste tijdens een gedeelte van het groeven-bewerkstelligingsproces deze inrichting zich in zijn onderste positie bevindt. 10« Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 9, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 35 bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een groeven-bewerkstelligingsinrichting zelf door zijn voldoend grote eigen gewicht fungeert als verplaatsings-inrichting ten behoeve van het benedenwaarts verplaatsen ervan.
11. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 9, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van tenminste één verplaatsings-inrichting ten behoeve van het in 5 zowel benedenwaarts als opwaarts verplaatsen van zulk een groeven-bewerkstelligingsinrichting.
12. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat 10 daarbij tijdens tenminste dit groeven-bewerkstelligingsproces met behulp van zulk een inrichting het plaatsvinden van mee-verplaatsing ervan door zulk een zich door deze tunnel-opstelling verplaatsend semiconductor substraat-gedeelte.
13. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 15 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste plaatselijk tijdens zulk een groeven-bewerkstelligingsproces met behulp van zulk een groeven-bewerkstellingsinrichting het onderhouden van een stilstand 20 van het zich eronder bevindend semiconductor substraat-gedeelte .
14. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat 25 daarbij ten behoeve van zulk een groeven-bewerkstelligings-proces tegen de onderwand van tenminste één stripvormig groeven-bewerkstelligingsblok zodanige nanometer wijde en hoge nokken zijn aangebracht, dat daarbij door het benedenwaarts verplaatsen van dit opbrengblok het bewerkstelligen 30 van nanometer wijde uitsparingen als groeven in de bovenwand van de di-electrische bovenlaag van deze substraat-gedeeltes, met elke gewenst wordende hoogte ervan.
15. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 35 bevattende zodanige middelen, dat daarbij deze bewerkstelligde groeven verder zodanig zijn uitgevoerd, dat tenminste mede door het vullen met naaometer grote metaal^deéltjes de bewerkstelliging van opvolgende substraat-gedeeltes, waaruit in een inrichting achter deze opstelling door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips. 16» Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd 5 en bevattende zodanige middelen, dat daarbij typisch deze stripvormige nokken zijn aange.bracht in de onderwand van een typisch uitwisselbare stripvormige plaat, welke in een voldoende mate is verankerd tegen de onderwand van dit groeven-bewerkstelligingsblok.
17. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij elke gewenst wordende vormgeving van deze nokken en afstand ertussen.
18. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 15 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in voorgaande tunnel-gedeeltes de bewerkstelliging van een micrometer hoge vervormbare en in een voldoende mate vlakke laag van nanometer grote deeltjes van een di-20 electrische substantie en aangebracht op de opvolgende substraat-gedeeltes en die in een voldoende mate ertegen gedrukt of gekleefd zijn.
19. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 18, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 25 bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een volgend stripvormig warmte-behandelinggedeelte ervan door verwarming van tenminste deze di-electrische bovenlaag het smelten daarvab plaats vindt en in een volgend tunnel-gedeelte door afkoeling ervan de bewerkstelliging van een vaste laag ervan, 30 bevattende deze nanometer grote groeven/crevices.
20. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij zulk een vaste en typisch relatief zachte vervormbare 35 di-electrische bovenlaag reeds in een voorgaand tunnel-gedeelte is bewerkstelligd.
21. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste het onder-gedeelte van zulk een nokken-plaat bestaat uit een hoog-smeltende kunststof, typisch teflon, welke daartoe in een voldoende mate gehecht is tegen 5 het erboven gelegen boven-gedeelte van deze plaat.
22. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 21, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij deze nokkenplaat geheel bestaat uit zulk een kunststoffen substantie.
23. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij een nanometer dikke laag van hoog-smeltend kunststof, typisch teflon, gehecht is tegen de onderwand can deze 15 nokkenplaat en aldus tegen deze nokken.
24. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarin tijdens de werking ervan het ononderbroken 20 ingebracht worden van opvolgende gedeeltes van een zeer lange folie, en in het begin-gedeelte van deze tunnel daarop in opvolgende gedeeltes ervan al dan niet verankerd een in een voldoende mate vlakke di-electrische hoofdlaag in een vaste toestand is aangebracht, daarop in een volgend tunnel-25 gedeelte een micrometer hoge vervormbare di-electrische laag is opgebracht ten behoeve van in een volgend tunnel-gedeelte met behulp van zulk een stripvormige groeven-bewerkstelli-gingsinrichting het ononderbroken plaats-vinden van zulk een groeven-berwerkstelligingsproces van deze laag.
25. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarin tijdens de werking ervan plaatselijk voor de tunnel-ingang het opgebracht worden van opvolgende folie-35 gedeeltes op deze ononderbroken substraat draag/transfer- band en in de tunnel voor zulk een groeven-bewerkstelligings-inrichting op deze folie het opgebracht zijn van een di-electrische laag met tenminste mede een vervormbare di- electrische bovenlaag, daarbij in een daarop-volgend tunnel-gedeelte met behulp van deze inrichting het ononderbroken plaatsvinden van zulk een groeven-bewerkstelligingsproces van deze bovenlaag.
26. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een volgend tunnel-gedeelte met behulp van tenminste mede een in het volgende boventunnelblok-gedeelte opgenomen stripvormige 10 verwijderings-inrichting met daarin toegevoerd typisch gasvormig verwijderings-medium het ononderbroken plaatsvinden van een in een voldoende mate verwijdering en afvoeren van de op deze bovenwand aanwezige metaal-deeltjes.
27. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 15 15, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een volgend stripvormig tunnel-gedeelte met behulp van een stripvormige verwarmings-inrichting, welke is opgenomen in het boventun-nelblok, door de daarmede bewerkstelligde warmte de in deze 20 groeven aanwezige deeltjes van een metalen substantie worden I omgezet in een vloeibare vorm ervan, met een voor circa 90% I toelaatbaar daarmede vullen ervan, en indien nodig, zulk een ' i vul-proces zich kan herhalen.
28. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 25 15, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een stripvormig tunnel-gedeelte door de ononderbroken toevoer van gesmolten metaal-deeltjes via een stripvormige inrichting in het boventunnelblok het tenminste mede plaatsvinden van 30 vulling van deze groeven daarmede.
29. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 28, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een volgend tunnel-gedeelte onmiddellijk door het in een stripvormige 35 toevoer-sectie in het boventunnelblok ononderbroken toevoeren van warm gasvormig medium en het afvoeren van het teveel aan opgebracht vloeibaar metaal via een tussen-gelegen eveneens stripvormige afvoer-sectie in dit blok door afkoeling het mede plaatsvinden van de bewerkstelliging van een vaste metaal-vulling van deze groeven.
30. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd 5 en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in een volgend stripvormig tunnel-gedeelte met behulp van via een stripvormige toevoer-inrichting in het boventunnelblok toevoeren van tenminste mede een vloeibare metaal verwijderings-substantie het ononderbroken plaatsvinden van een reinigings-10 proces van de di-electrische bovenlaag, waarin de opname van deze met metaal gevulde groeven.
31. Semiconductortor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat 15 daarbij met behulp van tenminste de band-opstelling, welke is opgenomen in het stripvormige draag-gedeelte voor de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, het zodanig tenminste mede nagenoeg totaal onderhouden van een zodanige afsluit-conditie van het inwendige van deze groeven bewerk-20 stelligings-inrichting van de buitenlucht, dat daarby in het compartiment ervan een in een voldoende mate hoge onderdruk wordt onderhouden van het typisch gasvormige medium.
32. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 25 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het plaatsvinden van het bewerkstelligen van deze naast elkaar gelegen nanometer brede en hoge groeven in de di-electrische bovenlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes geschiedt met behulp van een stripvormige 30 straalbundel-opwekinrichting, welke mede is opgenomen in het boventunnelblok.
33. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de daarin opge- 35 wekte stripvormige straalbundel bestaat uit een gasvormig behandelings-medium.
34. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij deze straal-opwekinrichting zich in de lengterichting van deze tunnel uitstrekt over een te behandelen substraat-gedeelte, waaruit in een inrichting achter de uitgang ervan door deling in 5 dwarsrichting ervan het bewerkstelligen van in de lengterichting van deze tunnel naast elkaar gelegen stroken ervan met een breedte van tenminste één semiconductor chip.
35. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 10 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals in een stripvormig gedeelte van de tunnel-doorgang ter plaatse van het onder-gedeelte van zulk een straal-opwekinrichting de opname van uitsluitend een tweetal in dwarsrichting uitstrekkende flexibele afsluit-banden voor 15 deze inrichting, daarbij tijdens het groeven-bewerkstelligings-proces een uiterst geringe afvoer van gasvormig medium plaats vindt vanuit het straal-doorlaatcompartiment via de beide micrometer hoge ontsnappings-spleten tussen deze inrichting en het ondertunnelblok.
36. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals voor zulk een straalbundel-opwekinrichting de toepassing van een typisch rubber band-opstelling in het onder-25 gedeelte ervan, met in de hoogste aanslag-positie van deze inrichting na een daartoe geringe benodigde opwaartse verplaatsing en het daarop-volgend tijdelijk terug verplaatst zijn ervan in de lengterichting van de tunnel het nog onderhouden van een aanlig-positie van deze band-opstelling op de 30 aangebrachte groeven-laag onder daarbij slechts een geringe toelaatbare vervorming van deze band-opstelling in de lengterichting van deze tunnel en zulks mogelijk door het verankerd zijn ervan in het ondergedeelte van deze inrichting.
37. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 35 35, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tydens het groef bewerkstelligings-proces. met het bewerkstelligd zijn van de onderste positie van deze straal-opwekinrichting en daarmede van zulk een band, het in een voldoende mate onderhouden van een aandruk-positie ervan op het gedeelte van de laag opzij van het straal-gedeelte ten behoeve van het bijdragen in een voldoende afsluit-positie van deze inrichting ten 5 opzichte van het aangrenzende gedeelte van het straal doorlaat-compartiment en mede daardoor het onderhouden van een gewenst wordende, in een voldoende mate hoge onderdruk van het gasvormige medium in het groef bewerkstelligings-gedeelte van deze inrichting.
38. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 37, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij de breedte van zulk een straal-bundel tenminste nagenoeg gelijk is aan de breedte van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de tunnel-doorgang.
39. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in het uitwisselbare blok, bevattende deze stripvormige straal-opwekinrichting, in tenminste mede het onder-20 gedeelte ervan, gezien in de lengterichting van deze tunnel-opstelling opzij van het stripvormige straal-doorlaatgedeelte en zulks nabij het ondergedeelte van dit blok, de opname van typisch stripvormige afvoergroeven ten behoeve van het ononderbroken afvoeren van het gasvormige medium van deze 25 bundel en de daardoor verwijderde deeltjes van zulk een di-electrische substantie tijdens het daarmede plaatsvinden van zulk een bewerkstelliging van deze groeven.
40. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 30 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van een zeer hoog-smeltende, typisch teflon folie, als een definitieve ononderbroken semiconductor onderlaag van de opvolgende erdoorheen verplaatsende substraat-gedeeltes en liggen deze'in een voldoende mate aan-35 gesloten op deze ononderbroken typisch metalen substraat dr.aag/transf erband.
41. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 40, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij typisch een breedte van deze folie, welke circa gelijk is aan de breedte van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling, met in dwarsrichting opzij ervan nog 5 gedeeltes van deze band ten behoeve van het typisch daarmede tijdelijk meenemen van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting, met het onderhouden van tenminste een voldoende aandrukkracht van deze folie op deze band, waardoor het daarmede onderhouden van zulk een tijdelijke mee-verplaatsing 10 ervan.
42. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het plaatsvinden van een benedenwaartse verplaatsing 15 van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een groeven bewerkstelli-gings-proces, waarbij het bewerkstelligen van een aanslag-positie ervan op het zich eronder bevindende stripvormige band/folie-gedeelte geschiedt onder mede zijn eigen gewicht en 20 vindt na zulk een proces met behulp van tenminste één verplaatsings-inrichting het onder een geringe afstand opwaarts verplaatsen ervan plaats tot tegen een aanslag-opstelling, welke is opgenomen in het boventunnelblok.
43. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 25 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij tenminste ter plaatse van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting het onderhouden van een mechanisch contact van de opvolgende folie/band-gedeeltes met secties van de 30 bovenwand van het ondertunnelblok.
44. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij ter plaatse van zulk een groeven bewerkstel lig ings- 35 inrichting het onderhouden van een micrometer hoge film zeer hoog-kokend vloeibaar medium in de centrale onderspleet-sectie tussen deze folie/band en het ondertunnelblok.
45. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting uitwisselbaar is.
46. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 5 45, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het kunnen veranderen van het bewerkstelligde groef-patroon en daarmede het veranderen van de semiconductor configuratie van de in tenminste één inrichting achter de tunnel-uitgang door deling 10 van deze opvolgende substraat-gedeeltes het bewerkstelligen van een andere semiconductor chip-uitvoering.
47. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat 15 daarbij ten behoeve van het bewerkstelligen van een groeven-opbouw ter plaatse van het centrale semiconductor behande-lings-gedeelte van deze tunnel het bewerkstelligen van zulke typisch nanometer grote groeven in een daartoe geschikte di-electrische laag, typisch GaAs, op de in een voorgaand 20 tunnel-gedeelte opgebouwde relatief dikke di-electrische laag onder een optimale vlakheid ervan.
48. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat 25 daarbij ter plaatse van zulk een groeven bewerkstel lig ings- proces onder toepassing van typisch slechts één semiconductor laag voor de opvolgende substraat-gedeeltes en waaruit in een inrichting achter deze tunnel door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips met slechts één enkele 30 semiconductor laag.
49. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uit-gevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in de beide dwars-uiteinden van deze band in dwars- 35 richting opzij van het centrale semiconductor behandelings- gedeelte ervan de opname van een aantal opvolgende stripvormige rechthoekige uitsparingen, en deze stripvormige groeven-bewerkstelligings-inrichting ter plaatse van de beide dwarsuiteinden in de onderzijde ervan eveneens opvolgende nokken bevat, welke corresponderen met deze uitsparingen, ten behoeve van tijdens het groeven bewerkstelligings-proces meenemen van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting 5 door deze band.
50. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 49, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij na het beëindigd zijn van zulk een groeven bewerkstelligings-proces van zulk 10 een substraat-gedeelte onder het mee-verplaatsen ervan door deze band het opvolgend opwaarts verplaatsen van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting onder het verwijderen van zulke nokken uit zulke uitsparingen en het vervolgens terug-verplaatsen ervan naar zijn bovenste uitgangs-positie.
51. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij in de beide dwarsuiteinden van de onderwand van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting het zodanig aange-20 bracht zijn van opvolgende, zich in dwarsrichting uitstrekkende micrometer hoge conische nokken, dat deze corresponderen met de in de bovenwand van de beide band-uiteinden aangebrachte, eveneens soortgelijke conische groeven en tijdens het benedenwaarts verplaatsen van zulk een groeven bewerkstelli-25 gings-inrichting het terechtkomen van deze conische nokken ervan in deze groeven van deze folie of band.
52. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat 30 daarbij daarin mede ten behoeve van zulk een groeven bewerkstelligings-proces het tenminste mede onderhouden van het navolgende: 1. een ultra vlakke bovenwand van het ondertunnelblok ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor 35 behandelings-gedeelte; 2. een ultra vlakke boven- en onderwand van de band of folie, met een bepaalde hoogte ervan; en 3. een ultra vlakke bovenwand van de opvolgende substraat-gedeeltes, typisch grotendeels een di-electrische laag.
53. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 52, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de mogelijke toepassing van elk soort en omvang van zulk een stripvormige 5 groeven bewerkstelligings-inrichting ten behoeve van het mogelijk plaatsvinden van een gelijktijdig groeven bewerkstelli-gings-proces van een aanzienlijk aantal groeven-secties van het zich eronder bevindend stripvormig substraat-gedeelte ter grootte van een semiconductor chip.
54. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij het tevens fungeren van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting als een stripvormige verplaatsings-inrich-15 ting, met daarboven een druk-inrichting en door een toevoer van drukmedium naar deze druk-inrichting het zeer snel plaatsvinden van een uiterst beperkte benedenwaartse verplaatsing, typisch minder dan 0,3 mm ervan, tot de onderste meeneem-positie ervan door deze transfer-band of -folie en 20 door afvoer van dit medium uit deze inrichting het vervolgens bewerkstelligen van mede een zeer snelle opwaartse verplaatsing van deze groeven bewerkstelligings-inrichting tot tegen een aanslag-opstelling.
55. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der 25 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij met behulp van een aantal typisch gelijke opvolgende groeven bewerkstelligings-inrichtingen het bewerkstelligen van een aantal opvolgende behandelings-secties van een 30 stripvormig substraat-gedeelte in dwarsrichting ervan.
56. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de toepassing van één groeven bewerkstelligings- 35 inrichting per behandelings-gedeelte ten behoeve van het plaatsvinden van de navolgende groeven bewerkstelligings-processen: a. het bewerkstelligen van multi nanometer grote groeven in één gehele, zich in dwarsrichting uitstrekkende stripvormige behandelings-sectie ervan; of b. het gelijktijdig bewerkstelligen van een tweetal typisch verschillende, naast elkaar gelegen stripvormige groeven— 5 secties, met typisch dezelfde omvang ervan; of c. het gelijktydig bewerkstelligen van een drietal typisch verschillende, naast elkaar gelegen stripvormige groevensecties, met typisch dezelfde omvang ervan; of d. het gelijktijdig bewerkstelligen van een viertal typisch 10 verschillende, naast elkaar gelegen stripvormige groevensecties, met typisch dezelfde omvang ervan; of e. het gelijktijdig bewerkstelligen van een vijftal typisch verschillende, naast elkaar gelegen stripvormige groevensecties, met typisch dezelfde omvang ervan.
57. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals daarbij op de beide dwars-uiteinden van de achterrol van deze ononderbroken substraat draag/transfer-bandopstel-' 20 ling in radiale richting opvolgende, typisch rechthoekige nokken zijn op genomen ten behoeve van tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het onderhouden van een ononderbroken verplaatsing onder trekkracht van deze band met behulp van de daarin opgenomen en daarmede corresponderende uitsparin-25 gen, daardoor met deze band het tijdelijk meenemen van -t.enmins.te één groeven bewerkstelligings-inrichting met behulp van de daarmede corresponderende nokken onder zulk een inrichting.
58. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder 30 zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals ter plaatse van de beide dwars-uiteinden van de achterrol voor deze substraat draag/transfer-band de opname van opvolgende conische nokken, welke corresponderen met de zich eronder bevindende conische uitsparingen, welke zijn opgenomen 35 in de beide dwars-uiteinden van de zich erdoor verplaatsende substraat draag/transf er-band, daarbij tijdens het benedenwaarts verplaatsen van het onder-gedeelte van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting onder het reeds meenemen ervan door deze band met behulp van deze combinatie van opvolgende nokken en groeven, na het terechtkomen van het ondergedeelte van zulke nokken van deze inrichting in het boven-gedeelte van de uitsparingen in deze band onder het 5 mee-verplaatsen van.dèze inrichting door deze band.
59. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij onder zulk een stripvormige groeven bewerkstelligings- 10 inrichting, welke tenminste mede is opgenomen in het boven-tunnelblok, in het ondertunnelblok de opname van tenminste één, typisch stripvormige inrichting,ten behoeve van het daarmede in verticale richting tevens tijdelijk op en neerwaarts verplaatsen van een zich daarboven bevindend eveneens 15 typisch stripvormig substraat-gedeelte onder de bewerkstelliging van tenminste mede zulke naast elkaar gelegen gelegen nanometer grote groeven in de bovenwand ervan.
60. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 59, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en 20 bevattende zodanige middelen, dat daarbij tijdens het niet plaatsvinden van zulk een groeven bewerkstelligings-proces met behulp van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting deze zich over enige afstand opwaarts vrij boven de opvolgende zich eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-25 gedeeltes bevindt en tenminste tijdens het gedeelte van het groeven bewerkstelligings-proces deze inrichting naar zijn onderste positie wordt verplaatst.
61. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 60, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd 30 en bevattende zodanige middelen, dat daarbij door dit stripvormig substraat-gedeelte het plaatsvinden van het met behulp van deze inrichting bewerkstelligd op- en neerwaarts verplaatsen van dit substraat-gedeelte, onder de bewerkstelliging van deze groeven in een tevens optimaal vlakke boven- 35 wand van dit substraat-gedeelte.
62. Semiconductor tunnel-opstelling volgens én der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals voor en achter zulk een stripvormige groeven bewerk— stelligings-inrichting de opname van stripvormige buffer-inrichtingen, daarbij daarin het tijdelijk opslaan of afvoeren plaats vindt van opvolgende band-gedeeltes tijdens het in deze 5 inrichting plaatsvinden van een groeven bewerkstelligings-proces onder een aandruk-positie van deze inrichting op de zich eronder bevindende band—gedeeltes.
63. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 62, bevattende verder zodanige middelen, dat daarbij tijdens 10 zulk een aangedrukt zijn van deze inrichting op de eronder gelegen band-gedeeltes, een band-gedeelte wordt afgevoerd uit de buffer-inrichting voor deze groeven bewerkstelligings-inrichting en een band-gedeelte wordt toegevoerd naar de buffer-inrichting achter deze groeven bewerkstelligings-15 inrichting.
64. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie •63, bevattende verder zodanige middelen, dat daarbij na zulk een behandelings-proces, met het opwaarts verplaatst zijn van deze inrichting, een steeds verdere afvoer van opvolgende 20 band-gedeeltes uit de buffer-inrichting achter deze inrichting en een steeds verdere toevoer van opvolgende band-gedeeltes naar de buffer-inrichting voor deze inrichting plaats vindt. 65. s emiconductor tunnel-opstelling volgens één der 25 voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat zoals tijdens de opvolgende semiconductor behandelingen van de ononderbroken, zich door het tunnel-gedeelte ervan verplaatsende substraat-gedeeltes en bevattende tenminste 30 één stripvormige schakelingspatroon-aanbrenginrichting, zoals veelal typisch benodigd, het daarin ononderbroken bewerkstelligen van opvolgende substraat-gedeeltes, in een inrichting achter de uitgang ervan door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips. \
66. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarbij daarin tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de semiconductor inrichtingen van de semiconductor faciliteit, - installatie en tunnel-opstellingen, welke reeds zijn vermeld in de vanaf 23 Juni 2009 do'or de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooiaanvragen betreffende zulk een semiconductor tunnel-5 opstelling.
67. Semiconductor tunnel-opstelling volgens de Conclusie 66, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd., dat daarbij de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen gebruikt wordende semiconductor inrichtingen voor de combina- 10 tie van semiconductor behandelings-modules en - wafers, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst van het navolgende: 1. een individuele semiconductor wafer of - substraat; of 2. een al dan niet individuele semiconductor processing-15 module.
68. Semiconductor tunnel-opstelling volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat daarbij de daarin omschreven en aangegeven inrichtingen tevens 20 toepasbaar zijn in deze andere semiconductor tunnel-opstèllin-gen, welke zijn aangegeven en omschreven in deze andere Octrooi-aanvragen van de aanvrager.
69. Werkwijze van een semiconductor substraat transfer/ behandelings-tunnel-opstelling, waarin tijdens de werking 25 ervan het tenminste plaatselijk ononderbroken verplaatsen van opvolgende ononderbroken semiconductor substraat-gedeeltes erdoorheen, met in tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan tenminste één stripvormige schakelingspatroon-opbrenginrichting en waarbij tijdelijk daar-30 mede het plaatsvinden van tenminste een deel van een schakelingspatroon-opbrengproces in een stripvormige sectie ervan, welke zich ter plaatse van dit behandelings-gedeelte uitstrekt in dwarsrichting over tenminste een sectie ervan.
70. Weekwijze volgens de Conclusie 69, met het kenmerk, dat 35 zoals daarbij zulk een schakelingspatroon-opbrenginrichting zich uitstrekt tot tenminste nabij de beide dwars-uiteinden van het tunneldoortocht-gedeelte ervan, het erdoorheen erplaatsen van een tijdens de werking van deze tunnel- opstelling typisch ononderbroken semiconductor substraat draag/transfer-band.
71. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in opvolgende stripvormige secties 5 van dit centrale behandelings-gedeelte ervan de opname van een aantal stripvormige schakelingspatroon-opbrenginrichtin-gen, welke, gezien in dwarsrichting ervan, aansluiten op elkaar, het daarin tijdelijk plaatsvinden van zulk een schakelingspatroon-opbrengproces.
72. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij het plaatsvinden van een electrisch schakélingspatroon-opbrengproces.
73. Werkwijze volgens de Conclusie 72, met het kenmerk, dat daarbij het plaatsvinden van het basis-gedeelte van dit 15 electrische schakelingspatroon-opbrengproces in opvolgende secties ervan.
74. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de gebruikmaking van een ononderbroken metalen semiconductor substraat draag/transfer-baiid, = met een 20 rol-opstelling ervan nabij de in- en uitgangszijde van deze tunnel.
75. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de gebruikmaking van een zeer lange, al dan niet metalen folie als een al dan niet tijdelijke semicon- 25 ductor onderlaag van deze opvolgende substraat-gedeeltes.
76. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de gebruikmaking daarin van tenminste één verplaatsings-inrichting ten behoeve van het in verticale richting verplaatsen van een stripvormige groeven bewerkstel- 30 liging-inrichting.
77. Werkwijze volgens de Conclusie 76, met het kenmerk, dat daarbij tijdens het niet plaatsvinden van zulk een groeven bewerkstelligings—proces met behulp van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting deze zich over enige afstand 35 opwaarts vrij boven de opvolgende, zich eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes bevindt en tenminste tijdens een gedeelte van het groeven bewerkstelligings-proces deze inrichting zich in zijn onderste positie bevindt.
78. Werkwijze volgens de Conclusie 77, met het kenmerk, dat daarbij het fungeren van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting zelf door zijn voldoend grote eigen gewicht als tevens een verplaatsings-inrichting ten behoeve van het benedenwaarts verplaatsen ervan.
79. Werkwijze volgens de Conclusie 78, met het kenmerk, dat daarbij de gebruikmaking van tenminste één verplaatsings-inrichting ten behoeve van het in zowel benedenwaarts als opwaarts verplaatsen van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting.
80. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk^ dat daarbij tijdens tenminste dit groeven bewerkstelli-gings-proces met behulp van zulk een inrichting het plaatsvinden van mee-verplaatsing ervan door zulk een zich door deze tunnel-opstelling verplaatsend semiconductor substraat-15 gedeelte.
81. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste plaatselijk tijdens zulk een groeven bewerkstelligings-proces met behulp van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting het onderhouden van een . 20 stilstand van het zich eronder bevindend semiconductor substraat-gedeelte.
82. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals ten behoeve van zulk een groeven bewerkstelligings-proces tegen de onderwand van tenminste één 25 stripvormig groeven-bewerkstelligingsblok nanometer wijde en hoge nokken zijn aangebracht, daarbij door het benedenwaarts verplaatsen van dit opbrengblok het bewerkstelligen van nanometer wijde uitsparingen als groeven in de bovenwand van de di—electrische bovenlaag van deze substraat—gedeeltes met 30 elke gewenst wordende hoogte ervan.
83. Werkwijze volgens de Conclusie 82, met het kenmerk, dat zoals deze bewerkstelligde groeven verder zodanig zijn uitgevoerd, door tenminste mede het vullen ervan met nanometer grote metaal-deeltjes. de bewerkstelliging van opvol- 35 gende substraat-gedeeltes, waaruit in een inrichting achter deze opstelling door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.
84. Werkwijze volgens de Conclusie 82, met het kenmerk, dat zoals daarbij typisch deze stripvormige nokken zijn aangebracht in de onderwand van een typisch uitwisselbare stripvormige plaat, welke in een voldoende mate is verankerd tegen de onderwand van dit groeven-bewerkstelligingsblok, daarmede het 5 bewerkstelligen van zulke groeven.
85. Werkwijze volgens de Conclusie 82 * met het kenmerk, dat zoals daarbij elke gewenst wordende om vang van deze nokken en de afstand ertussen, daarmede het bijdragen in elke gewenst wordende semiconductor opbouw van de opvolgende substraat- 10 gedeeltes, waaruit in een inrichting achter deze tunnel- opstelling door deling ervan het bewerkstelligen van semiconductor chips.
86. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in voorgaande tunnel-gedeeltes de 15 bewerkstelliging van een micrometer hoge vervormbare en in een voldoende mate vlakke laag van nanometer grote deeltjes van een di-electrische substantie en aangebracht op de opvolgende substraat-gedeeltes en die in een voldoende mate ertegen gedrukt of gekleefd zijn. 20 87'. Werkwijze volgens de Conclusie 86-» roet het kenmerk, dat daarbij in een volgend stripvormig warmte-behandelingsgedeelte ervan door verwarming van tenminste deze di-electrische bovenlaag het smelten daarvan plaats vindt en in een volgend tunnel-gedeelte door afkoeling de bewerkstelliging van een 25 vaste laag ervan, bevattende deze nanometer grote groeven.
88. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de bewerkstelliging van zulk een vaste en typisch relatief zachte vervormbare bovenlaag reeds in een voorgaand tunnel-gedeelte heeft plaats gevonden.
89. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij tenminste het onder-gedeelte van zulk een nokkenplaat bestaat uit een hoog-smeltende kunststof, typisch teflon, deze daartoe in een voldoende mate gehecht is tegen het erboven gelegen boven-gedeelte van deze 35 plaat.
90. Werkwijze volgens de Conclusie 89, met het kenmerk, dat daarbij de gebruikmaking van een nokkenplaat, welke geheel bestaat uit zulk een kunststoffen substantie.
91. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de gebruikmaking van een nanometer dikke laag van hoog-smeltend kunststof, typisch teflon, welke gehecht is tegen de onderwand van deze nokkenplaat én aldus tegen deze nokken.
92. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij tijdens de werking van deze tunnel-opstelling in de ingang ervan het ononderbroken ingebracht worden van opvolgende gedeeltes van een zeer lange folie, in het begin-gedeelte ervan daarop in opvolgende secties, al dan 10 niet verankerd een in een voldoende mate vlakke di-electri-sche hoofdlaag in een vaste toestand wordt bewerkstelligd en daarop in een volgend tunnel-gedeelte een micrometer hoge vervormbare di-electrische laag wordt bewerkstelligd, daarbij in een volgend tunnel-gedeelte met behulp van zulk j j 15 een stripvormige groeven bewerkstelligings-inrichting het ononderbroken plaatsvinden van zulk een groeven bewerkstel-ligings-proces van deze bovenlaag.
93. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals tijdens de werking van de tunnel-opstelling 20 daarin plaatselijk voor de tunnel-ingang het opgebracht worden van opvolgende folie-gedeeltes op deze ononderbroken substraat draag/transfer-band en in deze tunnel voor zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting op deze folie het opgebracht zijn van een di-electrische hoofdlaag met tenminste 25 mede een vervormbare di-electrische bovenlaag, daarbij in een daarop-volgend tunnel-gedeelte met behulp van deze inrichting het ononderbroken plaatsvinden van zulk een groeven bewerk- stelligings-proces van deze bovenlaag.
94. Werkwijze volgens de Conclusie 83, met het kenmerk, dat 30 daarbij in een volgend tunnel-gedeelte met behulp van tenminste mede een in het volgende boventunnelblok-gedeelte opgenomen stripvormige verwijderings-inrichting met daarin toegevoerd typisch gasvormig verwijderings-medium het ononderbroken plaatsvinden van een in een voldoede mate verwijdering en 35 afvoeren van de op deze bovenwand aanwezige metaal-deeltjes.
95. Werkwijze volgens de Conclusie 83, met het kenmerk, dat daarbij in een volgend stripvormig tunnel-gedeelte met behulp van een stripvormige verwarmings-inrichting, welke is opgenomen in het boventunnelblok, door de daarmede bewerkstelligde warmte de in deze groeven aanwezige deeltjes van een metalen substantie worden omgezet in een vloeibare vorm ervan, met een voor circa 90% toelsatbaar daarmede vullen 5 ervan, en waarbij, indien benodigd, zulk een vul-proces zich kan herhalen.
96. Werkwijze volgens de Conclusie 83, met het kenmerk, dat daarbij in een stripvormig tunnel-gedeelte door de ononderbroken toevoer van gesmolten metaal-deeltjes via een stripvor- 10 mige inrichting in het boventunnelblok het tenminste mede plaatsvinden van vulling van deze groeven daarmede.
97. Werkwijze volgens de Conclusie 96, met het kenmerk, dat daarbij in een volgend tunnel-gedeelte onmiddellijk door het in een stripvormige toevoer-sectie in het boventunnelblok onon- 15 derbroken toevoeren van warm gasvormig medium en het afvoeren van het teveel aan opgebracht vloeibaar metaal via een tussen gelegen eveneens stripvormige afvoer-sectie in dit blok door afkoeling het mede plaatsvinden van de bewerkstelliging van een vaste metaal-vulling van deze groeven.
98. Werkwijze volgens de Conclusie 97, met het kenmerk, dat daarbij in een volgend stripvorraig tunnel-gedeelte met behulp van via een stripvormige toevoer-inrichting in het boventunnelblok toevoeren van 'tenminste mede een vloeibare metaal verwijderings-substantie het ononderbroken plaatsvinden van 25 een reinigings-proces van de di-electrische bovenlaag, waarin de opname van deze met metaal gevulde groeven.
99. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van tenminste de band-opstelling, welke is opgenomen in het stripvormige draag-30 gedeelte voor de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes het zodanig tenminste mede nagenoeg totaal onderhouden van een zodanige afsluit-conditie van het inwendige van deze groeven bewerkstelligings-inrichting van de buitenlucht, dat daarbij in het compartiment ervan een in een voldoende mate 35 hoge onderdruk wordt onderhouden van het typisch gasvormige medium.
100. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij het plaatsvinden van het bewerkstelligen van deze naast elkaar gelegen nanometer brede en veelal hoge groeven in de di-electrische bovenlaag van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes geschiedt met behulp van een stripvormige straalbundel-opwekinrichting, welke 5 mede is opgenomen in het boventunnelblok.
101. Werkwijze volgens de Conclusie 100, met het kenmerk, dat daarbij de daarin opgewekte stripvormige straalbunder bestaat uit een gasvormig behandelings-medium.
102. Werkwijze volgens de Conclusie 101, met het kenmerk, dat 10 zoals daarbij deze straal-opwekinrichting zich in de lengterichting van deze tunnel uitstrekt over een te behandelen substraat-gedeelte, daaruit in een inrichting achter de uitgang ervan door deling in dwarsrichting ervan het bewerkstelligen van in dë lengterichting van deze tunnel naast 15 elkaar gelegen stroken ervan met een breedte van tenminste één semiconductor chip en in een volgende inrichting door dèling van zulke stroken in de lengterichting ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.
103. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 20 kenmerk, dat zoals in een stripvormig gedeelte van de tunnel-doorgang ter plaatse van het onder-gedeelte van zulk een straalopwekinrichting de opname van uitsluitend een tweetal» zich in dwarsrichting uitstrekkende flexibele afsluit-banden voor deze inrichting, daarbij tijdens het groeven bewerkstelli-25 gings-proces een uiterst geringe afvoer van gasvormig medium plaats vindt vanuit het straal-doorlaatcompartiment via de beide micrometer hoge ontsnappings-spleten tussen deze inrichting en het ondertunnelblok.
104. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 30 kenmerk, dat zoals voor zulk een straalbundel-opwekinrichting de toepassing van een typisch rubber band-opstelling in het ondergedeelte ervan, daarbij in de hoogste aanslag-positie van deze inrichting na een daartoe geringe benodigde opwaartse verplaatsing en het daarop-volgend tijdelijk terug verplaatst 35 zijn ervan in de lengterichting van de tunnel het nog onderhouden van een aanlig-positie van deze band-opstelling op de aangebrachte groeven-laag onder slechts een geringe toelaatbare vervorming van deze band-opstelling in de lengterichting van deze tunnel en zulks mogelijk door het verankerd ervan zijn in het ondergedeelte van deze inrichting.
105. Werkwijze volgens de Conclusie 104, met het kenmerk, dat daarbij tijdens het groeven bewerkstelligings—proces, met 5 het bewerkstelligd zijn van de onderste positie van deze straal-opwekinrichting en daarmede van zulk een band, het in een voldoende mate onderhouden van een aandruk-positie ervan op het gedeelte van de laag opzij van het straal-gedeelte ten behoeve van het bijdragen in een voldoende afsluit-positie 10 van deze inrichting ten opzichte van het aangrenzende gedeelte van het straal doorlaat-compartiment en mede daardoor het onderhouden van een gewenst wordende, in een voldoende mate hoge onderdruk van het gasvormige medium in het groeven bewerkstelligings-gedeelte van deze inrichting.
106. Werkwijze volgens de Conclusie 105, met het kenmerk, dat daarbij het bewerkstelligd zijn van een breedte van zulk een straal-bundel, welke tenminste nagenoeg gelijk is aan de breedte van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van de tunnel-doorgang.
107. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in het uitwisselbare blok, bevattende deze stripvormige straal-opwekinrichting, in tenminste mede het onder-gedeelte ervan, gezien in de lengterichting van deze tunnel-opstelling opzij van het stripvormige straal-25 doorlaatgedeelte en zulks nabij het ondergedeelte van dit blok, de opname van typisch stripvormige afvoergroeven het ononderbroken erdoorheen afvoeren van het gasvormige medium van deze bundel en de daarmede verwijderde deeltjes van zulk een di-electrische substantie tijdens het daarmede plaats-30 vinden van zulk een bewerkstelliging van deze groeven.
108. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van een zeer hoog-smeltende, typisch teflon folie, als een definitieve ononderbroken semiconductor onderlaag van de opvolgende erdoorheen 35 verplaatsende substraat-gedeeltes-ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte, deze gédeeltes daarbij in een voldoende mate aangesloten liggen op deze substraat draag/transfer band.
109. Werkwijze volgens de Conclusie 108, met het kenmerk, dat zoals daarbij typisch een breedte van deze laag, welke circa gelijk is aan de breedte van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel-opstelling, met in 5 dwarsrichting opzij ervan nog gedeeltes van deze band, het typisch daarmede tijdelijk meenemen van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting met het onderhouden van tenminste een voldoende aandrukkracht van deze substraat-gedeeltes op deze band, waardoor het daarmede onderhouden van zulk een 10 tijdelijke mee-verplaatsing ervan.
110. Werkwijze volgens énn der voorgaande Conclusies, met het kenmer, dat daarbij zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting uitwisselbaar is.
111. Werkwijze volgens de Conclusie 110, met het kenmerk, dat 15 daarbij het kunnen veranderen van de bewerkstelligde groevenpatroon en daarmede veranderen van de semiconductor configuratie van de in tenminste één inrichting achter de tunnel-uitgang door deling van deze opvolgende substraat-gedeeltes het bewerkstelligen van een andere semiconductor chip- 20 uitvoering.
112. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij ten behoeve van het bewerkstelligen van een groeven-opbouw ter plaatse van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte van deze tunnel het bewerkstelligen van 25 zulke typisch nanometer grote groeven in een daartoe geschikte di-electrische laag, typisch GaAs, op de in een voorgaand tunnel-gedeelte opgebouwde relatief dikke di-electrische laag onder een optimale vlakheid ervan.
113. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 30 kenmerk, dat zoals daarbij ter plaatse van zulk een groeven bewerkstelligings-proces onder toepassing van typisch slechts één semiconductor laag voor de opvolgende substraat-gedeeltes, daaruit in een inrichting achter deze tunnel door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips met slechts 35 één enkele semiconductor laag.
114. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in de beide dwars-uiteinden van deze band in dwarsrichting opzij van het centrale semiconductor behandelings-gedeelte ervan de opname van een aantal opvolgende stripvormige rechthoekige uitsparingen, en deze stripvormige groeven bewerkstelligings-inrichting ter plaatse van de beide dwarsuiteinden in de onderzijde ervan 5 eveneens opvolgende nokken bevat, welke corresponderen, met deze uitsparingen, tgdens het groeven bewerkstelligings-proces het meenemen van zulk een inrichting door deze band plaats vindt.
115. Werkwijze volgens de Conclusie 114, met het kenmerk, dat 10 daarbij na het beëindigd zijn van zulk een groeven bewerkstel- ligings-proces van zulk een substraat-gedeelte onder het meeverplaatsen ervan door deze band, het opvolgend opwaarts verplaatsen van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting geschiedt onder het verwijderen van zulke nokken uit zulke 15 uitsparingen en het vervolgens terug-verplaatsen ervan naar zijn bovenste uitgangs-positie plaats vindt.
116. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij in de beide dwarsuiteinden van de onderwand van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting 20 het zodanig aangebracht zijn van opvolgende, zich in dwars-richting uitstrekkende micrometer hoge conische nokken, dat deze corresponderen met de in de bovenwand van de beide band-uiteinden aangebrachte, eveneens soortgelijke conische groeven, tijdens het benedenwaarts verplaatsen van zulk een 25 groeven bewerkstelligings-inrichting het terechtkomen van deze conische nokken ervan in deze groeven van deze band.
117. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij daarin mede ten behoeve van zulk een groeven bewerkstelligings-proces het tenminste.mede onderhou- 30 den van het navolgende: 1. een ultra vlakke bovenwand van het ondertunnelblok ter plaatse van tenminste het centrale semiconductor behandelings-gedeelte; 2. een ultra vlakke boven- en onderwand van de band of folie, 35 met een bepaalde hoogte ervan; en 3. een ultra vlakke bovenwand van de opvolgende substraat-gedeeltes, typisch grotendeels een di-electrische laag.
118. Werkwijze volgens de Conclusie 117, met het kenmerk, dat zoals daarbij de mogelijke toepassing van elk soort en omvang van zulk een stripvormige groeven bewerkstelligings-inrichting, het mogelijk plaatsvinden van een gelijktijdig groeven bewerkstelligings-proces van een aanzienlijk aantal 5 groeven-secties van het zich eronder bevindend stripvormig substraat-gedeelte ter grootte van een semiconductor chip.
119. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij het tevens fungeren van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting als een stripvormige verplaat- 10 sings-inrichting, met daarboven een druk-inrichting, en door een toevoer van drukmedium naar deze druk-inrichting het zeer snel plaatsvinden van een uiterst beperkte benedenwaartse verplaatsing, typisch minder dan 0,3 mm ervan, tot de onderste meeneem-positie ervan door deze transfer-band of -folie, 15 en door afvoer van dit medium uit deze inrichting het vervolgens bewerkstelligen van mede een zeer snelle opwaartse verplaatsing van deze groeven bewerkstelligings-inrichting tot tegen een aanslag-opstelling.
120. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 20 kenmerk, dat daarbij met behulp van een aantal typisch gelijke opvolgende groeven bewerkstelligings-inrichtingen het bewerkstelligen van een aantal opvolgende behandelings-secties van een stripvormig substraat-gedeelte in dwarsrichting ervan.
121. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het 25 kenmerk, dat zoals daarbij de toepassing van één groeven bewerkstelligings-inrichting per behandelings-gedeelte, het plaatsvinden van de navolgende groeven bewerkstelligings-processen: a. het bewerkstelligen van multi nanometer grote groeven in 30 één gehele, zich in dwarsrichting uitstrekkende stripvormige behandelings-sectie ervan; of b. het gelijktijdig bewerkstelligen van een tweetal typisch verschillende, naast elkaar gelegen stripvormige groevensecties, met typisch dezelfde omvang ervan; of 35 c. het gelijktijdig bewerkstelligen van een drietal typisch verschillende, naast elkaar gelegen stripvormige groevensecties, met typisch dezelfde omvang ervan; of d. het gelijktijdig bewerkstelligen van een viertal typisch verschillende, naast elksar gelegen stripvormige groevensecties, met typisch dezelfde omvang ervan; of e. het gelijktijdig bewerkstelligen van een vijftal typisch verschillende, naast elkaar gelegen stripvormige groeven-5 secties, met typisch dezelfde omvang ervan.
122. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij op de beide dwarsuiteinden van de achterrol van deze ononderbroken substraat draag/transfer-bandopstelling in radiale richting opvolgende, typisch recht- 10 hoekige nokken zijn opgenomen ten behoeve van tijdens de werking van deze tunnel-opstelling het onderhouden van een ononderbroken verplaatsing onder trekkracht van deze band met behulp van de daarin opgenomen en daarmede corresponderende uitsparingen, daardoor met deze band het tijdelijk meenemen van 15 tenminste één groeven bewerkstelligings-inrichting met behulp van de daarmede corresponderende nokken onder zulk een inrichting.
123. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals ter plaatse van de beide dwarsuiteinden 20 van de achterrol voor deze substraat draag/transfer-band de opname van opvolgende conische nokken, welke corresponderen met de zich eronder bevindende conische uitsparingen, welke zijn opgenomen in de beide dwars-uiteinden van de zich erdoor verplaatsende substraat draag/transf er-band, daarbij tijdens 25 het benedenwaarts verplaatsen van het onder-gedeelte van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting onder het reeds meenemen ervan door deze band met behulp van deze cominatie van opvolgende nokken en groeven, na het terechtkomen van het onder-gedeelte van zulke nokken van deze inrichting in het 30 boven-gedeelte van de uitsparingen in deze band onder het mee-verplaatsen van deze inrichting door deze band.
124. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het . kenmerk, dat zoals voor en achter zulk een stripvorraige groeven bewerkstelligings-inrichting de opname van stripvor-35 mige buf f er-inrichtingen, daarbij daarin het tijdelijk opslaan of af voeren plaats vindt van opvolgende band-gedeeltes tijdens het in deze inrichting plaatsvinden van een groeven bewerk-stelligings-proces onder een aandruk.-positie van deze inrich- ting op de zich eronder bevindende band-gedeeltes.
125. Werkwijze volgens de Conclusie 124, met het kenmerk, dat daarbij tijdens zulk een aangedrukt zijn van deze inrichting op de eronder gelegen band-gedeeltes, een band-gedeelte wordt 5 afgevoerd uit de buffer-inrichting voor deze groeven bewerk-stelligings-inrichting en een band-gedeelte wordt toegevoerd naar de buffer-inrichting achter deze groeven bewerkstelli-gings-inrichting.
126. Werkwijze volgens de Conclusie 125, met het kenmerk, dat 10 daarbij na zulk een behandelings-proces, met het opwaarts verplaatst zijn van deze inrichting, een steeds verdere afvoer van opvolgende band-gedeeltes uit de buffer-inrichting achter deze inrichting en een steeds verdere toevoer van opvolgende band-gedeeltes naar de buffer-inrichting voor deze inrichting 15 plaats vindt.
127. Werkwijze volgens êén der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals daarbij onder zulk een stripvormige groeven bewerkstelligings-inrichting, welke tenminste mede is opgenomen in het boventunnelblok, en in het ondertunnelblok de 20 opname van tenminste één, typisch stripvormige inrichting.ten behoeve van het daarmede in verticale richting tevens tijdelijk op en neerwaarts verplaatsen van een zich daarboven bevindend eveneens typisch stripvormig substraat-gedeelte, daarmede de bewerkstelliging van tenminste mede zulke naast elkaar gele-25 gen nanometer grote groeven in de bovenwand ervan.
128. Werkwijze volgens de Conclusie 127, met het kenmerk, dat daarbij tijdens het niet plaatsvinden van zulk een groeven bewerkstelligings-proces met behulp van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting deze zich over enige afstand 30 opwaarts vrij boven de opvolgende, zich eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes bevindt en tenminste tijdens het gedeelte van het groeven bewerkstelligings-proces deze inrichting naar zijn onderste positie wordt verplaatst.
129. Werkwijze volgens de Conclusie 128, met het kenmerk, dat 35 daarbij door dit stripvormig substraat-gedeelte het plaatsvinden van het met behulp van deze inrichting bewerkstelligd open neerwaarts verplaatsen van dit substraat-gedeelte, onder de bewerkstelliging van deze groeven in een tevens ‘ bewerkstelligd optimaal vlakke bovenwand van dit substraat-gedeelte.
130. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarby het plaatsvinden van een beneden-5 waartse verplaatsing van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van een groeven bewerkstelligings-proces, waarbij het bewerkstelligen van een aanslag-positie ervan op het zich eronder bevindende stripvormige band/folie-gedeelte geschiedt onder 10 mede zijn eigen gewicht en vindt na zulk een proces met behulp van tenminste één verplaatsings-inrichting het onder een geringe afstand opwaarts verplaatsen ervan plaats tot tegen een aanslag-opstelling, welke is opgenomen in het boventunnelblok.
131. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste ter plaatse van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting het onderhouden van een mechanisch contact van de opvolgende folie/band-gedeeltes met secties van de bovenwand van het ondertunnel-20 blok.
132. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij ter plaatse van zulk een groeven bewerkstelligings-inrichting het onderhouden van een micrometer hoge film zeer hoog-kokend vloeibaar medium in de 25 centrale onderspleet-sectie tussen deze folie/band en het ondertunnelblok.
133. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals tijdens de opvolgende semiconductor behandelingen van de ononderbroken,- zie,h,,door het tunnel- 30 gedeelte ervan verplaatsende subst-raat-gedeeltes en bevattende tenminste één stripvormiïge schakelingspatroon-opbrenginrich-ting, hetgeen veelal typisch benodigd is, het daarin ononderbroken bewerkstelligen van opvolgende substraat-gedeeltes, in een inrichting achter de uitgang 35 ervan door deling ervan de bewerkstelliging van semiconductor chips.
134. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd en bevattende zodanige middelen, dat mede door het niet meer benodigd zijn van tenminste mede het opbrengen van een belich-tingslaag en daarop-volgende belichtings-processen, ets-, strip- en vele reinigings-processen, tijdens het vervangen van 5 een semiconductor behandelings-inrichting, zoals onder andere deze schakelingspatroon-opbrenginrichtingentgeen benodigd stopzetten van de toe- en afvoer van de opvolgende behande-lings-mediums en zelfs een geheel stopzetten van de werking van de gehele semiconductor installatie behoeft plaats te 10 vinden.
135. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tevens de mogelijke toepassing van meerdere van de semiconductor werkwijzen van de semiconductor faciliteit, -installatie en tunnel-opstellingen, welke reeds 15 zijn vermeld in de vanaf 23 Juni 2009 door de aanvrager ingediende Nederlandse Octrooi-aanvragen betreffende zulk een semiconductor tunnel-opstelling.
136. Werkwijze volgens de Conclusie 135, met het kenmerk, dat daarbij de mogelijke toepassing van alle reeds algemeen 20 gebruikt wordende semiconductor werkwijzen voor de combinatie van semiconductor behandelings-modules en - wafers, ook welke reeds zijn omschreven in Octrooien, indien daarin de vermelding in de tekst van het navolgende: 1. een individuele semiconductor wafer of - substraat; of 2. een al dan niet individuele semiconductor processing- module .
137. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de daarin omschreven en aangegeven werkwijzen tevens toepasbaar zijn in deze andere semiconductor 30 tunnel-opstellingen, welke zijn aangegeven en omschreven in deze andere Octrooi-aanvragen van de aanvrager. 1038074
NL1038074A 2010-06-29 2010-06-29 Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende een stripvormige electrische schakelingspatroon-opbreng-inrichting ten behoeve van het daarmede in een tunnelgedeelte plaatsvinden van het aanbrengen van een electrische schakelings-patroon op de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes. NL1038074C2 (nl)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1038074A NL1038074C2 (nl) 2010-06-29 2010-06-29 Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende een stripvormige electrische schakelingspatroon-opbreng-inrichting ten behoeve van het daarmede in een tunnelgedeelte plaatsvinden van het aanbrengen van een electrische schakelings-patroon op de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.
NL1038074 2010-06-29

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1038074A NL1038074C2 (nl) 2010-06-29 2010-06-29 Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende een stripvormige electrische schakelingspatroon-opbreng-inrichting ten behoeve van het daarmede in een tunnelgedeelte plaatsvinden van het aanbrengen van een electrische schakelings-patroon op de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL1038074C2 true NL1038074C2 (nl) 2011-12-30

Family

ID=43866450

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1038074A NL1038074C2 (nl) 2010-06-29 2010-06-29 Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende een stripvormige electrische schakelingspatroon-opbreng-inrichting ten behoeve van het daarmede in een tunnelgedeelte plaatsvinden van het aanbrengen van een electrische schakelings-patroon op de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.

Country Status (1)

Country Link
NL (1) NL1038074C2 (nl)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1987004853A1 (en) * 1986-02-03 1987-08-13 Edward Bok Installation for floating transport and processing of wafers
US20060141373A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008192678A (ja) * 2007-02-01 2008-08-21 Toppan Printing Co Ltd 基板処理装置
US20100059904A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1987004853A1 (en) * 1986-02-03 1987-08-13 Edward Bok Installation for floating transport and processing of wafers
US20060141373A1 (en) * 2004-12-27 2006-06-29 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2008192678A (ja) * 2007-02-01 2008-08-21 Toppan Printing Co Ltd 基板処理装置
US20100059904A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-11 Canon Kabushiki Kaisha Imprint apparatus

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7129118B2 (en) Protective tape removing apparatus and method of assembling semiconductor package using the same
US8381962B2 (en) Injection molded solder method for forming solder bumps on substrates
EP1291920A2 (en) Solar cell, method for manufacturing the same, and apparatus for manufacturing the same
KR101714737B1 (ko) 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치
US7667304B2 (en) Inkjet printed leadframes
KR101281276B1 (ko) 반도체 장치의 제조 방법, 제조 프로그램을 저장한 기억 매체 및 제조 장치
US7037458B2 (en) Progressive stamping apparatus and method
CN101577312B (zh) 半导体器件及其制造工艺
NL1038074C2 (nl) Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende een stripvormige electrische schakelingspatroon-opbreng-inrichting ten behoeve van het daarmede in een tunnelgedeelte plaatsvinden van het aanbrengen van een electrische schakelings-patroon op de opvolgende, zich erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes.
NL1037629C2 (nl) Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende een stripvormige belichtingspatroon-opbrenginrichting ten behoeve van het tijdelijk daarmede plaatsvinden van een belichtings-proces van deze opvolgende substraat-gedeeltes.
TWI377629B (en) Package method for flip chip
JP2013051359A (ja) パターン転写装置および半導体装置の製造方法
NL1037060C2 (nl) Semiconductor installatie, bevattende tenminste mede een lange smalle semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling ten behoeve van tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van een totaal semiconductor behandelings-proces van de daarin verplaatsende substraat.
NL1038117C2 (nl) Semiconductor module, bevattende een electrische schakelingspatroon-opbrenginrichting ten behoeve van het daarmede plaatsvinden van het aanbrengen van electrische schakelingspatronen op een daarin toegevoerde semiconductor substraat.
KR101487438B1 (ko) 선택적 박리 및 전사 장치 및 방법
NL1037063C2 (nl) Semiconductor chip, welke is vervaardigd in een semiconductor substraat trandfer/behandelingstunnel-opstelling ten behoeve daartoe tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van een totaal semiconductor behandelingsproces van de daarin ononderbroken verplaatsende semiconductor substraat.
CN109922968B (zh) 用于在表面上施加图案化结构的方法和系统
TWI567835B (zh) 以低輪廓包覆體包覆接合線之技術
KR19980018132A (ko) 리드 프레임, 그의 제조방법 및 그것을 사용한 반도체 장치
NL1039189C2 (nl) Semiconductor chip, vervaardigd in een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen en waarbij in de eerste inrichting de opname van een folie-opslagrol, bevattende een zeer lange folie, in de daaropvolgende inrichtingen daarop de bewerkstelliging van opvolgende individuele rechthoekige substraat-gedeeltes, met in de laatste inrichting door opvolgende delingen ervan het verkrijgen daaruit daarvan.
NL1039112C2 (nl) Semiconductor chips, bewerkstelligd in een semiconductor installatie, en waarbij daartoe in een tunnel-opstelling ervan de productie van rechthoekige platen en waaruit tenslotte in een inrichting door deling het verkrijgen ervan.
KR20080087425A (ko) 패턴 형성용 임프린팅 스탬프 및 이를 이용한 led패키지 제조방법
NL1039114C2 (nl) Semiconductor installatie, waarbij in een semiconductor tunnel ervan de bewerkstelliging van opvolgende rechthoekige platen, bevattende een aantal basis-chips ten behoeve van in een inrichting door deling ervan het verkrijgen van chips.
NL1039188C2 (nl) Een aantal opvolgende individuele semiconductor inrichtingen, waarbij in de eerste inrichting de opname van een folie-opslagrol en in de daaropvolgende inrichtingen daarop de bewerkstelliging van opvolgende individuele rechthoekige semiconductor substraat-gedeeltes, met in de laatste inrichting door opvolgende delingen ervan het verkrijgen daaruit van semiconductor chips.
US20120205782A1 (en) Imprint Apparatus, Imprint Method, and Process Condition Selection Method

Legal Events

Date Code Title Description
SD Assignments of patents

Effective date: 20120919

V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee

Effective date: 20150101