KR102361175B1 - 구조물을 엠보싱하기 위한 방법 및 장치 - Google Patents
구조물을 엠보싱하기 위한 방법 및 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102361175B1 KR102361175B1 KR1020217013477A KR20217013477A KR102361175B1 KR 102361175 B1 KR102361175 B1 KR 102361175B1 KR 1020217013477 A KR1020217013477 A KR 1020217013477A KR 20217013477 A KR20217013477 A KR 20217013477A KR 102361175 B1 KR102361175 B1 KR 102361175B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- embossing
- die
- carrier substrate
- embossing material
- symmetry
- Prior art date
Links
- 238000004049 embossing Methods 0.000 title claims abstract description 348
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 92
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 157
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims abstract description 29
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 51
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 claims description 7
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims description 6
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 32
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010367 cloning Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000004941 influx Effects 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005501 phase interface Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 230000000135 prohibitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C39/00—Shaping by casting, i.e. introducing the moulding material into a mould or between confining surfaces without significant moulding pressure; Apparatus therefor
- B29C39/22—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C39/24—Feeding the material into the mould
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
- B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
- B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0017—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor for the production of embossing, cutting or similar devices; for the production of casting means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
- B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
- B29C2059/023—Microembossing
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
본 발명은 하나 이상의 엠보싱 구조물(2)을 갖는 엠보싱 다이(1)를 포함한 하나 이상의 마이크로구조물 또는 나노구조물을 엠보싱하기 위한 방법에 관한 것으로,
- 엠보싱 다이(1)의 엠보싱 구조물(2)을 미터링 장치(4)에 대해 정렬하는 단계,
- 미터링 장치(4)에 의해 엠보싱 구조물(2) 내에서 엠보싱 재료(6)를 미터링하는 단계,
- 엠보싱 재료(6)의 부분적인 경화 및 엠보싱 재료(6)의 엠보싱 단계를 포함하고,
상기 미터링 단계 시에, 엠보싱 구조물(2)은 미터링의 경우에 중력 방향(G)을 향한다. 추가로, 본 발명은 이에 대응하는 장치에 관한 것이다.
- 엠보싱 다이(1)의 엠보싱 구조물(2)을 미터링 장치(4)에 대해 정렬하는 단계,
- 미터링 장치(4)에 의해 엠보싱 구조물(2) 내에서 엠보싱 재료(6)를 미터링하는 단계,
- 엠보싱 재료(6)의 부분적인 경화 및 엠보싱 재료(6)의 엠보싱 단계를 포함하고,
상기 미터링 단계 시에, 엠보싱 구조물(2)은 미터링의 경우에 중력 방향(G)을 향한다. 추가로, 본 발명은 이에 대응하는 장치에 관한 것이다.
Description
본 발명은 청구항 제1항 및 제9항에 따른 엠보싱 방법에 관한 것이다.
마이크로미터 및/또는 나노미터 범위의 구조물의 제조는 임프린트 리소그래피(imprint lithography)를 사용하여 증가적으로 수행된다. 최근에, 임프린트 리소그래피는 대개 포토리소그래피와 비교하여 독립적일 수 있다. 임프린트 리소그래피의 이점은 주요하게 나노미터 범위의 구조물의 제조의 가능성에 있고, 이의 제조는 포토리소그래피에 의해 모두가 구현 가능하지 않거나 또는 상당한 비용이 소요될 수 있다. 이제, 마이크로미터 및/또는 나노미터 범위의 패턴이 기판의 표면 상에서 대량 생산의 높은 정밀도 및 정확성에 따라 제조될 수 있다. 임프린트 리소그래피의 이점이 주요하게 나노미터 범위의 구조물의 제조에 있을지라도, 또한 임플란트 기술, 가장 구체적으로는 렌즈-엠보싱 기술에 대한 마이크로미터 범위의 매우 넓은 적용 영역에 있다.
렌즈-엠보싱 기술은 소위 모노리식 렌즈 웨이퍼의 제조를 위해 엠보싱 기술로 사용될 수 있다. 제조 공정은 모노리식 렌즈 몰딩으로 불린다(간략히, MLM). 이 기술을 이용하여, 복수의 렌즈가 기판의 일부로서 제조된다. 렌즈들은 서로 분리되지 않고 이에 따라 캐리어 기판에 종속될 필요가 없고 이는 캐리어 기판 또는 임의의 제2 기판에 대한 연결이 형성될 수 있기 때문이다.
또 다른 엠보싱 기술에서, 렌즈들은 동시에 엠보싱 되지만 엠보싱 재료에 의해 서로 연결되지 않는다. 신속하고 효과적인 추가 처리를 위하여 이 엠보싱이 캐리어 기판 상에서 대부분의 경우에 수행된다. 강성의 캐리어 기판에 대해 이동하는 분배 시스템에 의해 대부분의 경우에 엠보싱 재료의 액적(drop)이 캐리어 기판 상에 증착된다. 그 뒤에, 엠보싱 다이와 캐리어 기판 사이의 근사 상대 운동이 수행된다. 바람직하게는, 단지 다이만이 정적 캐리어 기판에 대해 더 근접해진다. 이 경우에, 각각의 개별 렌즈는 가능하게는 대칭이다. 이는 주요하게는 엠보싱 재료의 액적이 정확히 엠보싱 구조물 아래에 배치될 때에 보장된다. 추가로 엠보싱 공정 중에, 엠보싱 다이(및 이에 따라 엠보싱 구조물)는 Z-방향으로 접근 중에 X-방향 및/또는 Y-방향으로 엠보싱 재료의 액적에 대해 이동되지 않도록 보장되어야 한다. 엠보싱 재료의 액적은 압축될 수 있고 엠보싱 공정 중에 측면에 대해 부분적으로 형성될 수 있으며, 일반적으로 이 액적은 캐리어 기판 상의 이의 위치에서 더 이상 벗어나지 않고 이는 엠보싱 재료와 캐리어 기판 사이의 접착력이 이를 위해 상당히 크기 때문이다.
제3 엠보싱 기술에서, 소위 스텝-반복 엠보싱 다이(step-and-repeat embossing die)가 사용된다. 이 경우에 스텝-반복 엠보싱 다이는 렌즈가 엠보싱되는 기판보다 더 작다. 일반적으로, 스텝-반복 엠보싱 다이는 하나의 단일의 렌즈 형태를 가지며 이에 따라 임의의 경우 각각의 엠보싱 단계의 경우 단지 하나의 개별 렌즈를 엠보싱 할 수 있다. 이 엠보싱 기술에서, 바람직하게는 엠보싱 재료의 액적이 기판 상에 분배된다. 그 뒤에 스텝-반복 엠보싱 다이는 개별적으로 떨어지기 시작하고 엠보싱을 수행한다. 특정 경우에, 엠보싱 재료 상의 전체-표면 층의 증착이 또한 허용되며 이 엠보싱 재료는 그 뒤에 스텝-반복 엠보싱 다이에 의해 구조화된다. 일부 스텝-반복 엠보싱 다이는 동일하거나 상이한 형태의 복수의 렌즈 형상을 가지며 이는 순수한 스텝-반복 엠보싱 다이와 전체-표면 사이에 있다. 따라서, 이는 각각의 엠보싱 단계에 대하여 동시에 복수의 렌즈를 엠보싱 할 수 있다.
엠보싱된 제품, 예를 들어 렌즈 웨이퍼 또는 캐리어 기판 상의 대응 단일의 렌즈의 품질은 이에 따라 엠보싱 재료와 다이 간의 상호 작용에 상당히 의존된다. 따라서, 엠보싱 공정 및/또는 엠보싱 재료의 분배 중에, 기포, 표면을 따른 두께의 차이, 밀도의 불균등성, 물기가 많은 또는 비대칭 엠보싱 재료 등과 같은 결함이 발생될 수 있다.
고-점도 엠보싱 재료로 인해, 기포가 대부분의 경우에 엠보싱 공정 중에 특히 형성되지 않지만 예를 들어 분배 시스템의 오충전(false filling)에 의해 엠보싱 재료 내에 배치된다. 그럼에도 불구하고, 이러한 기포가 대개 자체 분배 중에 발생될 수 있다.
하나의 표면을 따른 두께의 차이는 대부분의 경우 현존 웨지 에러(wedge error)를 야기하며 엠보싱 다이와 캐리어 기판 사이의 정확한 배치에 의해 상당한 정도로 방지될 수 있다.
밀도의 일부 불균일성은 화학적 속성으로 인함이고 분배 시스템에 의해 더 작아진다. 그러나, 다양한 부위에서 중합체의 가교결합이 경화 공정 중에 다양한 수준의 강도로 발생될 수 있고, 밀도의 대응 불균일성을 야기할 수 있다.
비대칭 엠보싱 재료는 액적의 분배 시에 주요하게 발생될 수 있다. 이 경우에, 엠보싱 재료는 표면 위에 단일의 액적으로 분배되고 이들 변형하는 엠보싱 구조물에 대해 완벽히 대칭이 아니며 이에 따라 엠보싱 중에 또는 이후에 비대칭 단일 렌즈가 형성된다.
현 엠보싱 기술에 따른 가장 큰 문제점 중 하나는 주요하게는 엠보싱 재료에 의해 엠보싱 다이의 엠보싱 구조물의 충전 또는 불완전한 분배에 있다. 엠보싱 공정 중에, 다이는 엠보싱 재료를 반경방향의 외측을 향하여 압축한다. 동시에, 엠보싱 구조물은 엠보싱 재료로 충전된다. 주위 가스는 이 공정에 의해 엠보싱 다이의 엠보싱 구조물의 표면과 엠보싱 재료 사이에 둘러 싸여질 수 있다. 이들 주위 가스는 대응 거품을 생성하고 이에 따라 재료의 균일성을 파괴시킨다. 이는 렌즈와 같은 광학 제품의 경우에 효과에 부정적인 영향을 미친다. 이러한 효과를 갖는 렌즈는 렌즈 결함, 특히 색체 및 구면 수차를 가질 수 있다. 대응 엠보싱 공정이 진공에서 수행되는 것이 허용될 수 있다. 이를 위해, 대응 챔버는 각각의 엠보싱 공정 이전에 비워져야 한다. 성공정인 엠보싱 이후에, 챔버는 재차 통기될 수 있다. 이들 공정은 시간-집약적이며 이에 따라 비용이 상당히 소요된다.
캐리어 기판 상에 분배된 단일의 렌즈의 제조를 위해 엠보싱 재료의 액적의 분배 시에 주요하게 발생되는 또 다른 문제점은 개별 렌즈의 대칭이다. 엠보싱 다이, 이에 따라 엠보싱 재료의 액적에 대한 엠보싱 구조물의 빈약한 어프로치(poor approach) 및/또는 캐리어 기판 상에서 엠보싱 재료의 빈약하게 배치된 액적은 비대칭 렌즈 형상을 야기한다.
엠보싱 재료와 대응 표면 사이의 접착 특성에 기여할 수 있는 엠보싱 재료의 유동은 또 다른 문제점을 야기한다.
따라서, 본 발명의 목적은 하기에 따른 방법 및/또는 장치의 하나 이상의 전술된 문제점을 해결하는 데 있다.
이 목적은 청구항 1 및 5의 특징으로써 해결된다. 본 발명의 유리한 추가적 발전은 종속청구항에 나타난다. 명세서, 청구범위 및/또는 도면에 나타난 특징 중 적어도 둘의 모든 조합이 또한 본 발명의 범위 내에 속한다. 주어진 값의 범위에서, 언급된 한계 내에 있는 값들이 또한 경계값으로서 개시되는 것으로 간주되어야 하고 임의의 조합으로 청구될 수 있다.
본 발명은, 엠보싱 재료를 엠보싱 구조물 내에서 중력에 반대로(against) 분배함으로써, 특히, 미터링 장치의 분배 방향을 중력에 반대로 즉 중력 방향(G)에 반대로 정렬함으로써, 및/또는 엠보싱 구조물 특히 각각의 엠보싱 구조물의 대칭축을 중력에 평행하게 배향시키거나 및/또는 중력 방향(G)을 향하도록 배향시킴으로써, 전술된 기술적 문제점을 해결하는 데 있다.
따라서, 본 발명은 엠보싱 재료의 연속적인 및/또는 제어된 경화를 위한 방법뿐만 아니라 엠보싱 재료와 엠보싱 다이의 엠보싱 구조물의 표면 사이에 가스 혼입을 방지하기 위한 방법 및 유닛에 관한 것이다.
추가로 본 발명은 엠보싱 재료가 프리셋 형상(preset form)으로 자가-조립(self-assembly)을 수행하는 것을 보장하는 방법 및 유닛에 관한 것이다. 이 자가-조립은 복수의 물리적 효과의 직접적 결과이다.
본 발명의 또 다른 양태는 엠보싱 재료의 횡방향 유동을 방지 또는 적어도 억제하는 데 있다.
본 발명은 대응 엠보싱 구조물 내에서 엠보싱 재료의 자가-조립, 목표화된 및 정확히 계산된 분배/미터링에 의한 재료의 절약, 엠보싱 구조물 내에서 엠보싱 재료의 대칭화된 및 균일한 분배, 설정된 엠보싱 재료에 대해 에지 층의 변형을 방지하지 못하는 엠보싱 재료의 국부적으로 제한된 에지 층 경화의 이점을 갖는다.
추가로, 중력에 의해 횡방향으로 엠보싱 재료의 유동은 본 발명에 따른 분배 방법에 의해 방지된다. 볼록한 엠보싱 재료 표면을 제공하는 본 발명에 따라서 중력은 엠보싱 재료의 횡방향 누출을 방지하는 캐리어 기판의 방향으로 설계된다. 추가로, 볼록한 엠보싱 재료 표면으로 인해, 기판 표면과 엠보싱 재료의 점 접촉이 가능하다. 캐리어 기판의 방향으로 엠보싱 다이의 또 다른 접근으로 인해, 엠보싱 재료 표면의 접촉 표면이 접촉 점으로부터 시작하여 캐리어 기판에 따라 일정하게 확장되고 이에 따라 가장 단순한 방식으로 부적절한 가스 혼입이 방지된다.
본 발명은 마이크로미터-크기 및/또는 나노미터-크기의 구조물을 엠보싱하기 위한 방법 및 유닛에 관한 것이다. 본 발명에 따른 일 사상은 엠보싱 재료의 국부적으로 제한되고 결합이 없는 분배를 위한 효율적이고 단순화되며 저렴한 방법으로 구성된다. 본 발명에 따르면, 이 경우에 엠보싱 다이의 엠보싱 구조물 내에서 엠보싱 재료의 분배는 중력에 반대로 수행된다. 엠보싱 다이의 엠보싱 구조물의 충전은 가능할 뿐만 아니라 엠보싱 재료와 엠보싱 구조물의 표면 사이의 접착력에 의해 보조된다. 접착력, 엠보싱 구조물의 곡률뿐만 아니라 노즐에 의해 생성된 압력은 엠보싱 재료 상에 접선력을 발생시켜 엠보싱 구조물 표면의 습윤을 야기한다. 습윤 공정 중에, 주변으로 빠져나가는 임의의 가스가 엠보싱 재료의 웨이브(wave)의 앞으로 가압된다. 바람직하지 못한 가스 혼입의 가능성이 이에 따라 발생되지 않는다. 추가로 본 발명에 따른 실시 형태 및 방법은 횡방향, 즉 엠보싱 구조물 표면을 따라 엠보싱 재료의 유동을 중력에 의해 방지한다.
본 발명의 또 다른 양태에 따라서, 본 발명은 구체적으로 엠보싱 다이의 엠보싱 구조물 내에서 엠보싱 재료를 분배하기 위한 유닛을 기재한다. 엠보싱 다이의 엠보싱 구조물은 엠보싱 공정이 수행되는 기판 상에서 충전되는 동안에 배치된다. 따라서, 본 발명에 따른 유닛은 적어도 샘플 홀더, 엠보싱 다이, 및 중력에 대해 엠보싱 재료를 분배/미터링할 수 있는 분배 장치로 구성된다.
하기에서 엠보싱 리소그래피를 위한 두 가지의 기본적인 종류의 다이가 존재한다.
임프린트 기술에서, 두 가지 유형의 엠보싱 다이, 즉, 경성 다이(hard die)와 연성 다이(soft die) 간 구별이 이뤄진다. 이론적으로는 각각의 다이 공정은 경성 다이 또는 연성 다이에 의해 수행될 수 있다. 그러나 경성 다이만을 이른바 마스터 다이(master die)로서 이용하고 이러한 마스터 다이로부터, 필요할 때마다, 차후 실제 구조물 다이로서 사용되는 연성 다이를 형성하는 몇 가지 기술적 및 경제적 이유가 있다. 따라서 경성 다이는 연성 다이의 네거티브(negative)이다. 경성 다이는 복수의 연성 다이의 제작을 위해서만 필요하다. 연성 다이는 경성 다이와 상이한 화학적, 물리적, 및 기술적 파라미터에 의해 구별될 수 있다. 탄성 거동을 기초로 하는 구별이 고려될 수 있다. 연성 다이는 엔트로피 탄성(entropy elasticity)을 주로 기초로 하는 변형 거동을 갖고, 경성 다이는 에너지 탄성(energy elasticity)을 주로 기초로 하는 변형 거동을 가진다. 덧붙여, 두 유형의 다이들은, 예를 들어, 이들의 경도(hardness)에 의해 구별될 수 있다. 경도는 물질이 누르는 힘에 대해 복원되는 저항력이다. 경성 다이가 주로 금속 또는 세라믹으로 구성되기 때문에, 이들은 높은 경도 값을 가진다. 고체의 경도를 가리키는 다양한 방식이 존재한다. 매우 일반적인 방법은 비커스(Vickers)에 따르는 경도를 나타내는 것이다. 경성 다이가 500HV 초과의 비커스 경도 값을 가진다고 대략 언급될 수 있다.
특히 경성 다이는 고강도 및 고 강성도를 갖는 물질로 만들어진 컴포넌트로부터 적합한 공정, 가령, 전자 빔 리소그래피 또는 레이저 빔 리소그래피에 의해 이들이 직접 제작될 수 있다는 이점을 가진다. 이러한 경성 다이는 매우 높은 경도를 가지며, 따라서 실질적으로 내마모성을 가진다. 그러나 고강도 및 내마모성은 주로 경성 다이를 제작하기 위해 필요한 높은 비용과 함께 나타난다. 수백 개의 엠보싱 스텝을 위해 경성 다이가 사용될 수 있더라도, 시간의 흐름에 따라 상당한 마모를 겪을 것이다. 또한, 엠보싱 물질로부터의 경성 다이의 디몰딩(demolding)이 기술적으로 어렵다. 경성 다이는 비교적 높은 굽힘 저항(flexing resistance)을 가진다. 경성 다이는 쉽게 변형되지 않는데, 즉, 이상적인 경우, 이들은 정상 방향으로 들어 올려져야 한다. 엠보싱 공정 후 경성 다이를 디몰딩할 때, 이 경우, 경성 다이가 매우 높은 강성도를 가짐으로써 지금 막 몰딩된 엠보싱 물질의 마이크로구조물 및/또는 나노구조물을 파괴할 수 있기 때문에, 엠보싱된 나노구조물 및/또는 마이크로구조물의 파괴를 초래할 수 있다. 덧붙여, 기판이 경성 다이의 손상 또는 파괴를 초래할 수 있는 결함을 가질 수 있다. 그러나 경성 다이가 마스터 다이로서만 사용되는 경우, 마스터 다이로부터의 연성 다이의 몰딩 공정이 매우 쉽게 제어 가능하고, 이때 마스터 다이의 마모가 거의 없다.
연성 다이는 마스터 다이(경성 다이)로부터의 복제 공정에 의해 매우 간단히 제작될 수 있다. 이 경우, 마스터 다이는 연성 다이에 대응하는 네거티브를 나타낸다. 따라서 연성 다이는 마스터 다이 상에서 엠보싱 처리되고, 따라서 디몰딩되고, 그 후 기판 상에 다이 구조물을 엠보싱하기 위한 구조 다이로서 사용된다. 연성 다이는 경성 다이보다 더 간단히, 더 부드럽게, 그리고 문제는 더 적게 엠보싱 물질로부터 제거될 수 있다. 덧붙여, 임의의 개수의 연성 다이가 마스터 다이에 의해 몰딩될 수 있다. 연성 다이가 특정한 마모 및 파열을 겪은 후, 연성 다이는 폐기되며 마스터 다이로부터 새 다이가 형성된다.
본 발명에 따른 실시 형태의 경우에, 경성 다이가 바람직하게는 사용된다.
샘플 홀더는 바람직하게는 진공 샘플 홀더이다. 정전기 샘플 홀더, 자기 또는 전기 접합부를 갖는 샘플 홀더, 또는 교환가능 접착 특성 또는 대응 기계식 클램핑을 포함한 샘플 홀더의 사용이 또한 허용될 수 있다.
이의 엠보싱 측면 상에서, 엠보싱 다이는 특히 규칙적인 방식으로 배열되고 엠보싱 측면의 전체 엠보싱 표면에 걸쳐 바람직하게는 분포되는 특정의 복수의 엠보싱 구조물을 갖는다. 이 경우에, 예를 들어, 대응 방식으로 엠보싱되는 볼록 렌즈의 네거티브로서 사용되는 오목 렌즈 형상이 제공될 수 있다. 렌즈의 직경은 바람직하게는 특히 렌즈의 깊이와 비교하여 크다. 렌즈 형상의 깊이에 대한 직경의 비율은 특히 1 초과, 바람직하게는 10 초과, 더욱 바람직하게는 20 초과, 가장 바람직하게는 50 초과, 및 가장 더욱 바람직하게는 100 초과이다. 대응하도록 큰 비율에 따라 본 발명에 따라 방해받지 않는 엠보싱 재료의 기포로부터의 자유도 및 연속적인 횡방향 유입이 보장된다. 대안으로, 구조물, 특히 직경이 깊이보다 작은 렌즈 형상이 허용될 수 있다. 렌즈 형상의 직경에 대한 깊이의 비율은 그 뒤에 특히 1 초과, 바람직하게는 10 초과, 더욱 바람직하게는 20 초과, 가장 바람직하게는 50 초과, 및 가장 더욱 바람직하게는 100 초과이다.
엠보싱 재료는 구체적으로 화학적 및/또는 물리적 공정에 의해 본 발명에 따라 경화된다. 특히, 엠보싱 재료는 전자기 방사선 및/또는 온도에 의해 경화된다.
바람직하게는, 전자기 방사선에 의한 경화는 특정 선호에 따라 UV 방사선에 의해 수행된다. 이 경우에, 엠보싱 다이는 바람직하게는 엠보싱 재료가 엠보싱 다이 측면으로부터 경화될 때 필요한 전자기 방사선에 대해 투과된다. 이는 특히 엠보싱 재료의 점진적 경화에 따른 경우이다.
엠보싱 다이 뒤에(즉, 엠보싱 구조물로부터 이격되는 방향을 향하는 측면 상에서) 대응 방사선원이 바람직하게는 배열된다. 이에 따라서, 엠보싱 다이는 5,000 nm 내지 10 nm, 바람직하게는 1,000 nm 내지 100 nm, 더욱 바람직하게는 700 nm 내지 200 nm, 및 가장 바람직하게는 500 nm 내지 300 nm의 파장 범위에서 특히 투과성이다. 엠보싱 다이의 광 투과도는 이 경우에 0% 초과, 바람직하게는 20% 초과, 더욱 바람직하게는 50% 초과, 가장 바람직하게는 80% 초과, 더욱 더 바람직하게는 95% 초과이다.
엠보싱 재료가 엠보싱 다이에 의해 열 경화되는 경우, 엠보싱 다이는 엠보싱 재료에 대해 가능한 신속하게 다이의 후방 측면 상에서 열을 전달하기 위하여 매우 높은 열 전도도를 갖는다. 이 경우에, 엠보싱 다이의 열 전도도는 특히 0.1 W/(m*K) 초과, 바람직하게는 1 W/(m*K) 초과, 더욱 바람직하게는 10 W/(m*K) 초과, 가장 바람직하게는 100 W/(m*K) 초과, 및 더욱 더 바람직하게는 1,000 W/(m*K) 초과이다.
추가로, 엠보싱 다이는 가능한 작은 열 관성을 위해 대응하게 낮은 열 용량을 가져야 한다. 비열 용량은 10 kJ/(kg*K) 미만, 바람직하게는 1 kJ/(kg*K) 미만, 더욱 바람직하게는 0.1 kJ/(kg*K) 미만, 가장 바람직하게는 0.01 kJ/(kg*K) 미만, 및 더욱 더 바람직하게는 0.001 kJ/(kg*K) 미만이어야 한다. 결과적으로, 열원의 온도 변화는 엠보싱 재료에 대해 가능한 신속하게 전달될 수 있다.
엠보싱 재료의 경화 온도는 특히 25℃ 초과, 바람직하게는 100℃ 초과, 더욱 바람직하게는 250℃ 초과, 가장 바람직하게는 500℃ 초과이다. 본 발명은 소결 공정이 수행되는 엠보싱 재료의 사용에 따라 700 ℃ 초과, 바람직하게는 800℃ 초과, 더욱 바람직하게는 900℃ 초과, 및 가장 바람직하게는 1,000℃ 초과의 경화 온도에서 특정 응용에 대해 수행될 수 있다.
샘플 홀더 상에서 또는 내에서 방사선원을 통한 엠보싱 재료의 경화는 또한 본 발명에 따라 허용될 수 있다. 엠보싱 다이에 대해 전술된 모든 특징이 이에 따라 특히 대안예 또는 추가 방사원으로서 샘플 홀더에 대해 유사하게 적용된다. 샘플 홀더 내의 추가 공급원이 주요하게는 본 발명에 따른 임의의 공정의 종료 시에 엠보싱 재료의 완전한 경화를 가속 및 촉진시킬 수 있다. 특정 효율 및 균일성, 특히 경화 공정의 제어의 경우 유연성이 동시 2-측 경화에 의해 구현된다.
중력에 대해(미터링/분배 중에 엠보싱 재료에 작용하는 중력) 본 발명에 따른 엠보싱 재료의 미터링/분배의 또 다른 이점은 본 발명에 따른 두 가지의 전술된 방법에서 엠보싱 재료가 횡방향으로 이동되지 않는 것을 보장하는 중력으로 구성된다.
중력에 반대로 엠보싱 재료의 분배를 위한 본 발명의 또 다른 양태는 특히 재료 선택 및/또는 표면 처리에 의해 엠보싱 재료의 중량 또는 중량의 하중보다 크게 설정된 엠보싱 구조물 표면과 엠보싱 재료 사이의 접착력이다. 중량과 접착력 간의 비율은 이 경우에 1 미만, 바람직하게는 0.1 미만, 더욱 바람직하게는 0.01 미만, 가장 바람직하게는 0.001 미만, 더욱 더 바람직하게는 0.0001 미만이다.
이 경우에, 특히 가능한 작은 접착력이 제공되며 이에 따라 최종 공정 단계에서 디몰딩 단계, 가능한 단순하게 엠보싱 다이의 디몰딩이 수행될 수 있다. 접착 에너지 표면 밀도, 간략히 접착력이 특히 1 J/m2 미만, 바람직하게는 0.1 J/m2 미만, 더욱 바람직하게는 0.01 J/m2 미만, 가장 바람직하게는 0.001 J/m2 미만, 및 가장 바람직하게는 0.0001 J/m2 미만이다.
엠보싱 재료의 점성은 바람직하게는 매우 낮아서 렌즈 형상에 있어서 엠보싱 재료의 대응하는 단순하고 신속한 분배가 수행될 수 있다. 점성은 특히 100,000 mPas 미만, 바람직하게는 1,000 mPas 미만, 더욱 바람직하게는 5 mPas 미만, 및 가장 바람직하게는 1 mPas 미만이다.
엠보싱 재료의 분배된 부피는 특히 0.0001 ml 초과, 바람직하게는 0.001 ml 초과, 더욱 바람직하게는 0.1 ml 초과, 가장 바람직하게는 10 ml 초과, 및 더욱 더 바람직하게는 500 ml 초과 이다.
본 발명에 따라서, 특히 본 발명에 따른 모노리식 렌즈의 제조 방법과 본 발명에 따른 장치는 개별 렌즈 형상에 있어서 엠보싱 재료가 기판 상에서 엠보싱 전에도 서로 횡방향으로 조합되도록 충분한 엠보싱 재료가 증착됨으로써 사용된다. 특히, 엠보싱 재료들의 서로에 대한 접촉이 발생되지 않도록 각각의 렌즈 형상에 대해 엠보싱 재료를 미터링 함으로써 단일의 렌즈를 동시에 엠보싱하기 위한 본 발명에 따른 실시 형태가 기판 상에서 사용될 수 있다. 렌즈가 엠보싱되는 기판보다 더 작은 엠보싱 다이가 본 발명에 따라 사용되는 경우에, 본 발명에 따른 공정은 전체 기판에 렌즈를 제공하기 위하여 이에 대응하도록 반복된다. 따라서, 엠보싱 기술은 스텝-반복 엠보싱 기술로서 언급될 수 있다.
본 발명에 따른 실시 형태는 특히 전술된 엠보싱 기술에 적용될 수 있다.
본 발명에 따른 유닛은 바람직하게는 주위로부터 밀폐방식으로 밀봉될 수 있는 공정 챔버 내에 설치될 수 있다. 따라서, 공정 챔버의 통기 및/또는 공정 챔버의 배출(evacuation)이 임의의 가스 또는 가스 혼합물에 따라 가능할 수 있다. 이 경우에, 공정 챔버는 1 bar 미만, 바람직하게는 10-3 mbar 미만, 더욱 바람직하게는 10-5 mbar 미만, 및 가장 바람직하게는 10-8 mbar 미만의 압력으로 비워질 수 있다. 진공을 사용함에 따라 주요하게는 바람직하지 못한 가스 혼입이 완벽히 억제 또는 적어도 향상될 수 있고, 이는 엠보싱 재료가 증착되기 이전에(선호되는 실시 형태) 및/또는 동안에 및/또는 이후에 임의의 그리고 모든 종류의 가스가 공정 챔버로부터 제거된다.
공정 챔버는 임의의 가스 또는 가스 혼합물로 본 발명에 따라서 플러싱될 수 있다. 이는 주요하게는 엠보싱이 진공 하에서 수행되지 않을 때 선호된다. 낮은 대기압에서 엠보싱 재료의 고 휘발성은 진공의 제거를 위한 가능한 요인일 수 있다. 고 증기압을 특징으로 하는 낮은 휘발성은 공정 챔버의 오염에 결정적으로 기여한다. 사용되는 가스는 가능한 작게 엠보싱 재료와 상호작용해야 한다. 엠보싱 재료와 상호작용하지 않는 불활성 가스로의 플러싱이 특히 선호될 수 있다. 특히,
·아르곤 및/또는
·헬륨 및/또는
·이산화탄소 및/또는
·일산화탄소 및/또는
·질소 및/또는
·암모니아 및/또는
·수소의 사용이 허용될 수 있다.
엠보싱 재료가 가스에 의해 영향을 받도록 사용될 때, 바람직하게는 대응 반응 가스가 사용된다. 특정 실시 형태에서, 공정 챔버는 과도압력에 노출된다. 이 경우에, 공정 챔버 내의 압력이 1 bar 초과, 바람직하게는 2 bar 초과, 더욱 바람직하게는 5 bar 초과, 가장 바람직하게는 10 bar 초과, 및 가장 더욱 바람직하게는 20 bar 초과이다. 과도압력은 바람직하게는 전술된 가스들 중 하나 또는 대응 가스 혼합물에 따라 생성된다. 그러나, 혼합물로서 공기 또는 산소의 사용이 또한 허용될 수 있다.
장치의 특징이 하기 도면의 설명에서 개시되며, 이는 방법 특징으로서 개시되는 것으로 고려되거나 또는 역으로도 가능하다.
도 1은 캐리어 기판, 엠보싱 다이 및 중력에 반대로 분배/미터링을 위한 분배 장치를 포함한, 본 발명에 따른 유닛의 실시 형태의 도식적 단면도.
도 2a는 중심 미터링의 본 발명에 따른 방법의 제1 실시 형태의 제1 단계의 도식적 단면도.
도 2b는 본 발명에 따른 방법의 제1 실시 형태의 제2 단계의 도식적 단면도.
도 2c는 본 발명에 따른 방법의 제1 실시 형태의 제3 단계의 도식적 단면도.
도 2d는 본 발명에 따른 방법의 제1 실시 형태의 제4 단계의 도식적 단면도.
도 2e는 본 발명에 따른 방법의 제1 실시 형태의 제5 단계의 도식적 단면도.
도 2f는 본 발명에 따른 방법의 제1 실시 형태의 최종 제품의 도식적 단면도.
도 3a는 비-중심 미터링의 본 발명에 따른 방법의 제2 실시 형태의 제1 단계의 도식적 단면도.
도 3b는 본 발명에 따른 방법의 제2 실시 형태의 제2 단계의 도식적 단면도.
도 3c는 본 발명에 따른 방법의 제2 실시 형태의 제3 단계의 도식적 단면도.
도 3d는 본 발명에 따른 방법의 제2 실시 형태의 제4 단계의 도식적 단면도.
도 3e는 본 발명에 따른 방법의 제2 실시 형태의 제5 단계의 도식적 단면도.
도 3f는 본 발명에 따른 방법의 제1 실시 형태의 최종 제품의 도식적 단면도.
도 2a는 중심 미터링의 본 발명에 따른 방법의 제1 실시 형태의 제1 단계의 도식적 단면도.
도 2b는 본 발명에 따른 방법의 제1 실시 형태의 제2 단계의 도식적 단면도.
도 2c는 본 발명에 따른 방법의 제1 실시 형태의 제3 단계의 도식적 단면도.
도 2d는 본 발명에 따른 방법의 제1 실시 형태의 제4 단계의 도식적 단면도.
도 2e는 본 발명에 따른 방법의 제1 실시 형태의 제5 단계의 도식적 단면도.
도 2f는 본 발명에 따른 방법의 제1 실시 형태의 최종 제품의 도식적 단면도.
도 3a는 비-중심 미터링의 본 발명에 따른 방법의 제2 실시 형태의 제1 단계의 도식적 단면도.
도 3b는 본 발명에 따른 방법의 제2 실시 형태의 제2 단계의 도식적 단면도.
도 3c는 본 발명에 따른 방법의 제2 실시 형태의 제3 단계의 도식적 단면도.
도 3d는 본 발명에 따른 방법의 제2 실시 형태의 제4 단계의 도식적 단면도.
도 3e는 본 발명에 따른 방법의 제2 실시 형태의 제5 단계의 도식적 단면도.
도 3f는 본 발명에 따른 방법의 제1 실시 형태의 최종 제품의 도식적 단면도.
도면에서, 동일하거나 또는 동일하게 기능을 하는 부분들은 동일한 도면 부호로 식별되며, 이에 따라 도시를 위한 치수 비율인 실측이 아니다.
도 1은 본 발명에 따른 장치의 실시 형태의 도식적 도면을 도시하며, 이에 따라 하우징 및 본 발명에 따라 기술된 기능과 특징의 제어를 위한 제어 장치 또는 정렬 위한 정렬 장치 또는 로봇과 같은 보유 장치가 도시되지 않는다.
다음의 3개의 구성요소가 서로에 대해 이동 및 배향될 수 있다:
-방사원(radiation source, 7)이 후방 측면(1r)에 제공된 엠보싱 구조물(2)을 포함한 엠보싱 다이(1) - 이에 따라 엠보싱 다이(1)는 중력 방향(G)을 향하는 엠보싱 구조물(2)과 함께 배열되거나 또는 배열될 수 있음 - ,
-샘플 홀더(11) 또는 척에 부착될 수 있는 캐리어 구조물(3), 및
-캐리어 기판(3)과 엠보싱 다이(1) 사이에 배열될 수 있는 노즐(5)을 갖는 미터링 장치(4) - 이에 따라 미터링 장치(4)는 중력 방향(G)에 반대로 엠보싱 재료(6)의 미터링을 구현할 수 있음 - .
도 2a 내지 도 2f는 특히 경화되는 렌즈(9)를 형성하기 위하여 미터링된 엠보싱 재료(6)의 엠보싱뿐만 아니라 엠보싱 다이(1)의 다수의 엠보싱 구조물(2)의 경우 엠보싱 재료(6)의 중심 분배/미터링의 제1 분배 방법을 나타낸다. 중심은 미터링이 각각의 엠보싱 구조물(6)의 대칭 축을 따라 수행되는 것을 의미한다.
캐리어 기판(3) 상에서 엠보싱 재료의 액적의 분배 대신에 엠보싱 구조물(2) 내에서 엠보싱 재료(6)의 직접 분배 또는 미터링의 주요한 이점은 엠보싱 구조물(2) 내에서 엠보싱 재료(6)의 자가-조립으로 구성된다. 이에 관하여, 중력에 의해 생성된 엠보싱 재료(6)의 대칭 분배는 엠보싱 구조물(2)에 대해 구현된다. 따라서, 엠보싱 재료(6)가 캐리어 기판(3)과 접촉하기 전에(즉, 엠보싱 이전에) 엠보싱 재료(6)의 대칭 분배가 보장된다.
이 자가-조립은 상 계면들 간에 존재하는 표면 력들 간의 힘의 균형을 야기하기 위한 시도의 결과이다.
도 2a에 따른 제1 공정 단계에서, 노즐(5)은 중력 방향(G)에 반대로 배향되고 엠보싱 구조물(2)에 대해 중심에 배치된다. 그 결과, 엠보싱 재료(6)의 분배는 또한 각각의 엠보싱 구조물(2) 내에서 중심으로 수행된다. 오목한 엠보싱 구조물(2)의 대칭, 특히 반경방향 대칭 충전이 중심 분배에 의해 또한 수행된다. 이에 관하여, 분배 방법으로 인해 기포(10)를 포함하는 가능성이 존재한다. 캐리어 기판(3) 상의 복수의 렌즈(9) 내에의 기포(10)의 양은 매우 적을 수 있다. 추가로, 기포(10)는 엠보싱 재료(6)의 경화가 완료될 때까지 배출될 수 있다. 기포(10)가 엠보싱 재료(6)보다 더 낮은 밀도를 갖기 때문에, 기포(10)의 움직임이 중력에 반대로 즉 렌즈(9)의 표면(9o) 상에서 엠보싱 구조물(2)의 엠보싱 구조물 표면(2o)으로 구현된다.
엠보싱 재료(6) 내에서 중력 방향(G)에 반대로의 기포(10)의 분배 속도는 유변 상태(rheological condition)에 의존된다. 따라서 엠보싱 재료(6) 내의 기포(10)의 이동은 엠보싱 재료(10)의 점도에 상당히 의존된다. 따라서, 엠보싱 재료(6)의 완전한 경화가 수행되기 전에 기포(10)가 엠보싱 구조물 표면(2o)에 도달되지 않는 것이 발생된다.
각각의 엠보싱 구조물(2) 내에서 엠보싱 재료(6)의 미터링 이후에, 볼록한 엠보싱 재료 표면(6o)이 도 2b에 따른 제2 공정 단계에서 엠보싱 재료(6)에 작용하는 중력에 의해 설정된다. 엠보싱 구조물(2)은 모든 엠보싱 구조물(2)이 소정 양의 엠보싱 재료(6)로 충전될 때까지 순차적으로 충전된다.
도 2c에 따른 제3 공정 단계에서, 특히, 엠보싱 다이(1)로부터 이격되는 방향을 향하는 후방 측면(1r)으로부터 엠보싱 재료(6)의 점진적 경화가, 본 발명에 따른 또 다른 양태에서, 특히, 독립적으로 수행된다. 이를 위해, 엠보싱 다이(1)는 방사원(7)으로부터 전자기 방사선(8)에 대해 투과성이 있다. 특히 선호되는 실시 형태에서, 점진적 경화는 엠보싱 재료(6)가 엠보싱 구조물 표면(2o)을 따라 적어도 경화된 후에 중단된다. 렌즈 표면(9o) 상에서 각각의 렌즈(9)는 점진적 경화에 의해 경화되는 반면 방사원(7)으로부터 더 이격된 렌즈 베이스(9b)는 여전히 점성을 갖고 변형가능하며, 즉 캐리어 기판(3)으로 엠보싱되고 변형될 수 있다.
도 2d의 본 발명에 따른 제4 공정 단계에서, 엠보싱은 캐리어 기판(3)과 엠보싱 다이(1) 사이의 상대 어프로치(relative approach)에 의해 수행된다. 이 경우에, 각각의 렌즈(9)의 엠보싱 재료(6)(상기 재료는 캐리어 기판 표면(3o)에 대해 점성을 가짐)는 동시에 변형된다.
도 2e에 따른 제5 공정 단계에서, 엠보싱 재료(6)의 완전한 경화 및 렌즈(9)의 마무리(finishing)가 수행된다.
최종 공정 단계에서, 경화된 엠보싱 재료(6), 즉 렌즈(9)로부터 엠보싱 다이(1)의 동시 디몰딩(demolding)이 수행된다.
본 발명의 분배 방법의 독립적인 실시 형태에 따르면, 엠보싱 재료(6)의 분배는 엠보싱 구조물(2)에 대해 비대칭 방식으로 도 3a 내지 도 3b에 따라 수행된다. 기포의 혼입은 본 발명에 따른 실시 형태에 의해 감소 또는 방지된다. 엠보싱 재료(6)는 특히 평행하고 중력 방향(G)에 반대로 향하는 분배 방향(D)으로 분배되는데, 상기 분배 방향(D)은 대칭 축(S)에 대해 거리(dx)만큼 이격되어 배열된다. 거리(dx)와 렌즈 직경이 절반, 즉 렌즈 반경 사이의 비율은 이 경우에 0 이상이고 바람직하게는 0.1 초과, 더욱 바람직하게는 0.4 초과, 더욱 더 바람직하게는 0.6 초과, 가장 바람직하게는 0.8 내지 1.0이다. 거리(dx)에 대해 일부 빈번하게 사용되는 절대값이 또한 개시된다. 이 경우에 거리(dx)는 0 초과, 바람직하게는 10 ㎛ 초과, 더욱 바람직하게는 100 ㎛, 가장 바람직하게는 1,000 ㎛ 초과, 더욱 가장 바람직하게는 5 mm 초과이다. 상기 실시 형태는 특히 중력 방향(G)에 무관하다.
엠보싱 구조물(2) 내로 엠보싱 재료(6)를 끌어당기고 이에 따라 이를 대칭적으로 충전하는 접선력(Ft)이 엠보싱 구조물 표면(2o)의 곡률 반경(R)에 의해 형성된다. 접선력(Ft)은 바람직하게는 압축력 및/또는 모세관 힘의 결과이며 상기 압축력에 따라 엠보싱 재료(6)가 노즐(5)로부터 배출되고 상기 모세관 힘은 엠보싱 구조물(2)의 곡률 반경(R)에 의해 생성된다. 모세관력은 주요하게 엠보싱 구조물(2)의 외측과 엠보싱 구조물(2) 내의 가스의 압력 차이의 결과이다. 압력 차이는 주요하게 엠보싱 다이(1)의 평평한 섹션(2e) 상에서 그리고 곡률 반경(R)을 갖는 엠보싱 구조물 표면(2o)의 곡률 섹션 상에서 엠보싱 재료(6)의 상이한 증발 압력에 의해 생성된다. 켈빈 방정식에 따라서, 오목하게 만곡된 섹션 상에서의 포화 증기압은 평평한 섹션 상에서보다 더 작다. 따라서, 평평한 외측 표면 상에서보다 다소 낮은 증기 압력이 엠보싱 구조물(2)의 내측에 형성된다.
도 3b 내지 도 3f에서의 추가 공정이 기포(10)의 생성 없이 도 2b 내지 도 2f의 공정 단계와 유사하게 수행된다. 기포(10)의 생성은 주요하게는 도 3a에 따른 비-중심 분배에 의해 방지된다. 그 결과, 엠보싱 재료 전방(6f)은 엠보싱 구조물 표면(2o)의 만곡된 섹션을 따라 엠보싱 구조물(2)의 일 측면으로부터 대응 마주보는 측면으로 이동한다. 엠보싱 재료(6)의 이 분배 방법으로 인해, 분배 축(D) 주위에서 매우 작은 영역(dD)이 엠보싱 재료(6)로 습윤되고 엠보싱 재료 전방(6f)이 연속적으로 그리고 자가-조립에 의해 정확한 위치를 취할 수 있다. 작은 범위의 값(dD)이 표면 섹션의 특정 길이로서 도면에 도시된다. 원형 표면의 경우에, dD는 사각형 표면, 측면의 경우 직경을 나타내고, 직사각형 표면의 경우에 서로에 대해 수직인 2개의 측면들의 평면을 나타낸다. 특정 길이는 0 ㎛ 초과, 더욱 바람직하게는 10 ㎛ 초과, 더욱 더 바람직하게는 100 ㎛ 초과, 가장 바람직하게는 1,000 초과, 및 가장 더욱 바람직하게는 5 mm 초과이다.
엠보싱 구조물(6)의 하나의 에지 상에서, 즉, 엠보싱 다이(1)의 평평한 섹션(2e)과 엠보싱 구조물(6)의 만곡된 섹션 사이의 전이부에서 미터링 장치(4)의 정확한 배향이 중심 배향보다 더 상당히 간단하고 더욱 정확하다.
중력 방향(G)에 반대로 수행되는 미터링에 의해 생성된 대칭에 대한 본 발명에 따른 자가-조립 공정은 본 발명에 따른 방법의 두 실시 형태에서 수행된다.
1 엠보싱 다이
1r 후방 측면
2 엠보싱 구조물
2o 엠보싱 구조물 표면
2e 평평한 섹션
3 캐리어 기판
3o 캐리어 기판 표면
4 미터링 장치
5 노즐
6 엠보싱 재료
6f 엠보싱 재료 전방
7 방사원
8 전자기 방사선
9 렌즈
9o 렌즈 표면
9b 렌즈 베이스
10 기포
11 샘플 홀더
D 분배 방향
dx 거리
S 대칭 축
R 곡률 반경
Ft 접선력
G 중력 방향
1r 후방 측면
2 엠보싱 구조물
2o 엠보싱 구조물 표면
2e 평평한 섹션
3 캐리어 기판
3o 캐리어 기판 표면
4 미터링 장치
5 노즐
6 엠보싱 재료
6f 엠보싱 재료 전방
7 방사원
8 전자기 방사선
9 렌즈
9o 렌즈 표면
9b 렌즈 베이스
10 기포
11 샘플 홀더
D 분배 방향
dx 거리
S 대칭 축
R 곡률 반경
Ft 접선력
G 중력 방향
Claims (11)
- 하나 이상의 엠보싱 구조물을 갖는 엠보싱 다이를 이용하여, 캐리어 기판 상에 하나 이상의 마이크로구조물 또는 나노구조물을 가진 렌즈를 엠보싱하기 위한 방법으로서, 각각의 엠보싱 구조물은 엠보싱 재료를 수용하기 위한 리세스를 형성하는 표면 및 대칭축을 가지며, 상기 엠보싱 방법은:
미터링 장치를 엠보싱 다이의 엠보싱 구조물에 대해 배치하는 단계를 포함하되, 상기 미터링 장치는 엠보싱 구조물의 대칭축으로부터 이격되어 배열된 분배 방향으로 엠보싱 재료를 분배하며;
엠보싱 재료를 엠보싱 구조물 상에 미터링하는 단계를 포함하되, 분배 방향이 엠보싱 구조물의 대칭축으로부터 이격되어 배열될 때, 엠보싱 구조물에 의해 수용된 모든 엠보싱 재료는 상기 미터링 장치에 의해 분배되며, 상기 미터링 단계 시에, 엠보싱 구조물은 미터링된 엠보싱 재료에 작용하는 중력 방향으로 캐리어 기판을 향하고, 볼록한 엠보싱 재료 표면이 캐리어 기판을 향하는 방향으로 형성되며;
엠보싱 재료를 적어도 부분적으로 경화하는 단계; 및
엠보싱 재료를 엠보싱하는 단계를 포함하되, 상기 엠보싱 단계는:
엠보싱 다이가 캐리어 기판을 향해 움직이는 상대 운동에 의해, 엠보싱 재료 표면의 접촉점에서, 엠보싱 재료가 캐리어 기판과 접촉되는 단계; 및
엠보싱 다이가 캐리어 기판을 향해 움직이는 추가 상대 운동에 의해, 엠보싱 재료 표면의 접촉 표면이 확장되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엠보싱 방법. - 제1항에 있어서, 엠보싱 재료는 엠보싱 단계 전에 부분적으로 경화되고, 부분적으로 경화되고 난 뒤에, 완전히 경화되는 것을 특징으로 하는 엠보싱 방법.
- 제1항에 있어서, 엠보싱 재료는 미터링 장치의 노즐을 이용하여 엠보싱 구조물 상에서 미터링 되는 것을 특징으로 하는 엠보싱 방법.
- 제1항에 있어서, 엠보싱 재료를 적어도 부분적으로 경화하는 단계는 엠보싱 구조물의 후방 측면으로부터 경화되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엠보싱 방법.
- 제1항에 있어서, 엠보싱 재료를 적어도 부분적으로 경화하는 단계는 전자기 방사선에 의해 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엠보싱 방법.
- 제1항에 있어서, 엠보싱 재료를 적어도 부분적으로 경화하는 단계는 엠보싱 재료의 열 경화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엠보싱 방법.
- 제1항에 있어서, 분배 방향이 엠보싱 구조물의 대칭축으로부터 이격되어 배열되는 것은, (i) 이격 거리 및 (ii) 렌즈의 렌즈 반경 사이의 비율이 0.8 내지 1.0 사이에 있도록 선택되는 것을 특징으로 하는 엠보싱 방법.
- 제1항에 있어서, 분배 방향이 엠보싱 구조물의 대칭축으로부터 이격되어 배열되는 것은, 5 mm 초과의 거리만큼 이격되어 배열되는 것을 특징으로 하는 엠보싱 방법.
- 복수의 엠보싱 구조물을 갖는 엠보싱 다이를 이용하여, 캐리어 기판 상에 하나 이상의 마이크로구조물 또는 나노구조물을 가진 복수의 렌즈를 엠보싱하기 위한 방법으로서, 각각의 엠보싱 구조물은 엠보싱 재료를 수용하기 위한 리세스를 형성하는 표면 및 대칭축을 가지며, 상기 엠보싱 방법은:
a) 미터링 장치를 엠보싱 다이의 엠보싱 구조물에 대해 배치하는 단계를 포함하되, 상기 미터링 장치는 엠보싱 구조물의 대칭축으로부터 이격되어 배열된 분배 방향으로 엠보싱 재료를 분배하며;
b) 엠보싱 재료를 엠보싱 구조물 상에 미터링하는 단계를 포함하되, 분배 방향이 엠보싱 구조물의 대칭축으로부터 이격되어 배열될 때, 엠보싱 구조물에 의해 수용된 모든 엠보싱 재료는 상기 미터링 장치에 의해 분배되며, 상기 미터링 단계 시에, 엠보싱 구조물은 미터링된 엠보싱 재료에 작용하는 중력 방향으로 캐리어 기판을 향하고, 볼록한 엠보싱 재료 표면이 캐리어 기판을 향하는 방향으로 형성되며;
c) 상기 a) 단계 및 b) 단계를 순차적으로 반복하여, 엠보싱 다이의 엠보싱 구조물을 각각 엠보싱 재료로 충전하는 단계;
d) 복수의 엠보싱 구조물에 의해 수용된 엠보싱 재료를 적어도 부분적으로 경화하는 단계; 및
e) 복수의 엠보싱 구조물에 의해 수용된 엠보싱 재료를 엠보싱하는 단계를 포함하되, 상기 엠보싱 단계는:
엠보싱 다이가 캐리어 기판을 향해 움직이는 상대 운동에 의해, 각각의 엠보싱 구조물의 엠보싱 재료 표면의 접촉점에서, 복수의 엠보싱 구조물에 의해 수용된 엠보싱 재료가 캐리어 기판과 접촉되는 단계; 및
엠보싱 다이가 캐리어 기판을 향해 움직이는 추가 상대 운동에 의해, 각각의 엠보싱 구조물의 엠보싱 재료 표면의 접촉 표면이 확장되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 엠보싱 방법. - 제9항에 있어서, 분배 방향이 엠보싱 구조물의 대칭축으로부터 이격되어 배열되는 것은, (i) 이격 거리 및 (ii) 렌즈의 렌즈 반경 사이의 비율이 0.8 내지 1.0 사이에 있도록 선택되는 것을 특징으로 하는 엠보싱 방법.
- 제9항에 있어서, 분배 방향이 엠보싱 구조물의 대칭축으로부터 이격되어 배열되는 것은, 5 mm 초과의 거리만큼 이격되어 배열되는 것을 특징으로 하는 엠보싱 방법.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102013113241.3 | 2013-11-29 | ||
| DE102013113241.3A DE102013113241B4 (de) | 2013-11-29 | 2013-11-29 | Verfahren zum Prägen von Strukturen |
| PCT/EP2014/072638 WO2015078637A1 (de) | 2013-11-29 | 2014-10-22 | Verfahren und vorrichtung zum prägen von strukturen |
| KR1020167013828A KR102250979B1 (ko) | 2013-11-29 | 2014-10-22 | 구조물을 엠보싱하기 위한 방법 및 장치 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020167013828A Division KR102250979B1 (ko) | 2013-11-29 | 2014-10-22 | 구조물을 엠보싱하기 위한 방법 및 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20210054597A KR20210054597A (ko) | 2021-05-13 |
| KR102361175B1 true KR102361175B1 (ko) | 2022-02-10 |
Family
ID=51845390
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020167013828A KR102250979B1 (ko) | 2013-11-29 | 2014-10-22 | 구조물을 엠보싱하기 위한 방법 및 장치 |
| KR1020217013477A KR102361175B1 (ko) | 2013-11-29 | 2014-10-22 | 구조물을 엠보싱하기 위한 방법 및 장치 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020167013828A KR102250979B1 (ko) | 2013-11-29 | 2014-10-22 | 구조물을 엠보싱하기 위한 방법 및 장치 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10088746B2 (ko) |
| JP (1) | JP6559130B2 (ko) |
| KR (2) | KR102250979B1 (ko) |
| CN (1) | CN105745575B (ko) |
| AT (2) | AT526564B1 (ko) |
| DE (1) | DE102013113241B4 (ko) |
| SG (1) | SG11201604314VA (ko) |
| TW (2) | TWI688467B (ko) |
| WO (1) | WO2015078637A1 (ko) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6495947B2 (ja) | 2014-06-26 | 2019-04-03 | エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー | 基板の近接により接合材料を分配することで基板を貼り合わせる方法 |
| TWI707766B (zh) * | 2018-07-16 | 2020-10-21 | 奇景光電股份有限公司 | 壓印系統、供膠裝置及壓印方法 |
| CN116954019A (zh) * | 2023-06-21 | 2023-10-27 | 湖北大学 | 一种基于液态镓的冷冻离心纳米压印方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070228608A1 (en) | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Preserving Filled Features when Vacuum Wiping |
| JP2011061001A (ja) | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| WO2012160769A1 (ja) | 2011-05-24 | 2012-11-29 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 樹脂成形品の製造方法 |
| WO2012169120A1 (ja) | 2011-06-07 | 2012-12-13 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 複合体の製造方法および複合体 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6916584B2 (en) | 2002-08-01 | 2005-07-12 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment methods for imprint lithography |
| WO2004086471A1 (en) | 2003-03-27 | 2004-10-07 | Korea Institute Of Machinery & Materials | Uv nanoimprint lithography process using elementwise embossed stamp and selectively additive pressurization |
| US20050276919A1 (en) | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for dispensing a fluid on a substrate |
| US7811505B2 (en) | 2004-12-07 | 2010-10-12 | Molecular Imprints, Inc. | Method for fast filling of templates for imprint lithography using on template dispense |
-
2013
- 2013-11-29 DE DE102013113241.3A patent/DE102013113241B4/de not_active Revoked
-
2014
- 2014-10-22 KR KR1020167013828A patent/KR102250979B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-22 CN CN201480065137.3A patent/CN105745575B/zh active Active
- 2014-10-22 US US15/038,761 patent/US10088746B2/en active Active
- 2014-10-22 AT ATA9445/2014A patent/AT526564B1/de active
- 2014-10-22 AT ATA139/2023A patent/AT526465A1/de unknown
- 2014-10-22 WO PCT/EP2014/072638 patent/WO2015078637A1/de active Application Filing
- 2014-10-22 JP JP2016534902A patent/JP6559130B2/ja active Active
- 2014-10-22 KR KR1020217013477A patent/KR102361175B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-22 SG SG11201604314VA patent/SG11201604314VA/en unknown
- 2014-10-30 TW TW103137651A patent/TWI688467B/zh active
- 2014-10-30 TW TW108116265A patent/TWI705884B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070228608A1 (en) | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Preserving Filled Features when Vacuum Wiping |
| JP2011061001A (ja) | 2009-09-10 | 2011-03-24 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
| WO2012160769A1 (ja) | 2011-05-24 | 2012-11-29 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 樹脂成形品の製造方法 |
| WO2012169120A1 (ja) | 2011-06-07 | 2012-12-13 | コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 | 複合体の製造方法および複合体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20170031242A1 (en) | 2017-02-02 |
| TW201932279A (zh) | 2019-08-16 |
| JP2017500738A (ja) | 2017-01-05 |
| AT526465A1 (de) | 2024-02-15 |
| CN105745575A (zh) | 2016-07-06 |
| KR102250979B1 (ko) | 2021-05-12 |
| CN105745575B (zh) | 2019-12-17 |
| TW201532784A (zh) | 2015-09-01 |
| AT526564B1 (de) | 2024-05-15 |
| WO2015078637A1 (de) | 2015-06-04 |
| KR20160091333A (ko) | 2016-08-02 |
| DE102013113241A1 (de) | 2015-06-03 |
| US10088746B2 (en) | 2018-10-02 |
| AT526564A5 (de) | 2024-05-15 |
| DE102013113241B4 (de) | 2019-02-21 |
| JP6559130B2 (ja) | 2019-08-14 |
| TWI705884B (zh) | 2020-10-01 |
| KR20210054597A (ko) | 2021-05-13 |
| SG11201604314VA (en) | 2016-07-28 |
| TWI688467B (zh) | 2020-03-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI327351B (en) | Method of retaining a substrate to a wafer chuck | |
| US9682510B2 (en) | Imprint apparatus and method of manufacturing article | |
| US9533445B2 (en) | Fast nanoimprinting methods using deformable mold | |
| CN103048878B (zh) | 压印方法、压印装置和设备制造方法 | |
| US20100096764A1 (en) | Gas Environment for Imprint Lithography | |
| KR20110046438A (ko) | 나노임프린트 리소그래피를 위한 내부 캐비티 시스템 | |
| CN102929099A (zh) | 压印装置和物品制造方法 | |
| KR102361175B1 (ko) | 구조물을 엠보싱하기 위한 방법 및 장치 | |
| US20150131034A1 (en) | Apparatus and method for manufacturing micro lens array, and micro lens array manufactured using the same | |
| JP2017502510A (ja) | パーシャルフィールドインプリントのための非対称的なテンプレート形状の調節 | |
| CN105892230B (zh) | 模具、压印设备和制造物品的方法 | |
| JP6994911B2 (ja) | テンプレート複製 | |
| KR102518784B1 (ko) | 성형 장치 및 물품 제조 방법 | |
| KR20210020795A (ko) | 평탄화 공정, 장치 및 물품 제조 방법 | |
| JP2022523615A (ja) | 液滴パターンを生成する方法、液滴パターンを有する膜を成形するためのシステム、および、液滴パターンを使って物品を製造する方法 | |
| JP2021135504A (ja) | 均一光強度のための露光装置及びその使用方法 | |
| KR102602905B1 (ko) | 성형 장치 및 물품 제조 방법 | |
| KR20200026063A (ko) | 임프린트 필드의 에지를 구배 선량으로 조명하기 위한 시스템 및 방법 | |
| JP2019117844A (ja) | モールド、レプリカモールド、インプリント装置、および物品製造方法 | |
| US20230112924A1 (en) | Substrate conveyance method, substrate conveyance apparatus, molding method, and article manufacturing method | |
| US20220137269A1 (en) | Method of manufacturing a plurality of optical elements and product thereof | |
| JP2023538717A (ja) | マイクロ構造および／またはナノ構造を作製する方法および装置 | |
| JP2021068849A (ja) | モールド、成形装置、および物品の製造方法 | |
| US20190285982A1 (en) | Mold, imprint apparatus, and method of manufacturing article | |
| KR20200106832A (ko) | 임프린트 장치, 임프린트 방법, 및 물품 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A107 | Divisional application of patent | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |