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Description
Claims (19)
- インプリントリソグラフィ方法であって、
テンプレートの第1アクティブ領域の1以上の寸法属性を識別する工程と、
前記テンプレートの前記第1アクティブ領域の識別された前記寸法属性の少なくとも一部に基づいて、基板の第2アクティブ領域の所望の倍率補正を決定する工程と、
前記テンプレート、前記基板、またその両方の面外歪みを測定する工程と、
前記テンプレート、前記基板、またはその両方における、前記測定する工程で測定された前記面外歪みを補償するように、前記テンプレート、前記基板、またはその両方に背面圧力を加える工程と、
前記テンプレート、前記基板、またはその両方における、前記測定する工程で測定された前記面外歪みを補償した後、
i)前記基板上に配置されたインプリントレジストを、前記テンプレートの前記第1アクティブ領域におけるパターンフィーチャが前記インプリントレジストによって充填されるように、前記テンプレートに接触させ、
ii)前記テンプレート、前記基板、またはその両方に追加背面圧力を加え、加えられる前記追加背面圧力は、前記基板の前記第2アクティブ領域が前記所望の倍率補正を示すように選択される、工程と、
を含むことを特徴とするインプリントリソグラフィ方法。 - 前記テンプレートはマスタテンプレートであり、前記基板はレプリカテンプレートである、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記基板の前記第2アクティブ領域の前記所望の倍率補正は、前記インプリントレジストを前記テンプレートに接触させる前に決定される、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記追加背面圧力は、前記基板上に配置された前記インプリントレジストに前記テンプレートが接触している間に、前記テンプレート、前記基板、またはその両方に加えられる、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記面外歪みは、凸状歪みまたは凹状歪みのいずれかである、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記テンプレート、前記基板、またはその両方に前記追加背面圧力を加える工程は、前記所望の倍率補正に基づいて前記基板の前記第2アクティブ領域のサイズを増大させるように、前記テンプレートに負の追加背面圧力を加え、前記基板に正の追加背面圧力を加えることを含む、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記テンプレート、前記基板、またはその両方に前記追加背面圧力を加える工程は、前記所望の倍率補正に基づいて前記基板の前記第2アクティブ領域のサイズを減少させるように、前記テンプレートに正の追加背面圧力を加え、前記基板に負の追加背面圧力を加えることを含む、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- 前記基板の前記第2アクティブ領域上にパターン層を形成するように前記インプリントレジストを硬化させる工程を更に含む、ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィ方法。
- インプリントリソグラフィシステムであって、
1以上の寸法属性に関連付けられた第1アクティブ領域を含むテンプレートを保持するテンプレートチャックまたはホルダと、
第2アクティブ領域を含む基板を保持する基板チャックまたはホルダと、
前記テンプレート、前記基板、またはその両方の平面を検出する検出システムと、
前記テンプレート、前記基板、またはその両方に背面圧力を加える圧力システムと、
前記検出システムおよび前記圧力システムと通信する制御部であって、
i)前記テンプレート、前記基板、またはその両方の検出された平面に基づいて、前記テンプレート、前記基板、またはその両方の面外歪みを測定し、
ii)前記テンプレート、前記基板、またはその両方における、前記測定された前記面外歪みに基づいて、前記テンプレート、前記基板、またはその両方の前記面外歪みを補償するための背面圧力の大きさを決定し、
iii)前記圧力システムが前記テンプレート、前記基板、またはその両方に前記背面圧力の大きさを加えて、前記テンプレート、前記基板、またはその両方における、前記測定された前記面外歪みを補償するように、前記圧力システムに第1信号を提供し、
iv)前記テンプレート、前記基板、またはその両方の前記面外歪みを補償した後、前記基板の前記第2アクティブ領域の所望の倍率補正に基づいて、追加の背面圧力の大きさを決定し、
v)前記基板の前記第2アクティブ領域が前記所望の倍率補正を示すように前記圧力システムが前記テンプレート、前記基板、またはその両方に前記追加の背面圧力の大きさを加えるように、前記圧力システムに第2信号を提供する、制御部と、
を含むことを特徴とするインプリントリソグラフィシステム。 - 前記テンプレートはマスタテンプレートであり、前記基板はレプリカテンプレートである、ことを特徴とする請求項9に記載のインプリントリソグラフィシステム。
- 前記基板上にインプリントレジストを吐出する流体吐出システムと、
前記基板上に配置された前記インプリントレジストにテンプレートが接触し、前記テンプレートの前記第1アクティブ領域におけるパターンフィーチャを前記インプリントレジストで充填するように、前記基板と前記テンプレートとに相対移動を提供する移動システムと、
を更に含むことを特徴とする請求項9又は10に記載のインプリントリソグラフィシステム。 - 前記圧力システムは、前記テンプレートが前記インプリントレジストに接触している間に、前記テンプレート、前記基板、またはその両方に前記追加の背面圧力を加える、ことを特徴とする請求項11に記載のインプリントリソグラフィシステム。
- 前記インプリントレジストを硬化して前記基板の前記第2アクティブ領域上にパターン層を形成するようにエネルギを与えるエネルギ源を更に含む、ことを特徴とする請求項11又は12に記載のインプリントリソグラフィシステム。
- 前記面外歪みは、凸状歪みまたは凹状歪みのいずれかである、ことを特徴とする請求項9乃至13のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィシステム。
- 前記圧力システムは、前記基板の前記第2アクティブ領域のサイズを増大させるように、前記第2信号に基づいて、前記テンプレートに負の追加背面圧力を加え、前記基板に正の追加背面圧力を加える、ことを特徴とする請求項9乃至14のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィシステム。
- 前記圧力システムは、前記所望の倍率補正に基づいて前記基板の前記第2アクティブ領域のサイズを減少させるように、前記第2信号に基づいて、前記テンプレートに正の追加背面圧力を加え、前記基板に負の追加背面圧力を加える、ことを特徴とする請求項9乃至14のいずれか1項に記載のインプリントリソグラフィシステム。
- 物品を製造する方法であって
テンプレートの第1アクティブ領域の1以上の寸法属性を識別する工程と、
前記テンプレートの前記第1アクティブ領域の識別された前記寸法属性の少なくとも一部に基づいて、基板の第2アクティブ領域の所望の倍率補正を決定する工程と、
前記テンプレート、前記基板、またその両方の面外歪みを測定する工程と、
前記テンプレート、前記基板、またはその両方における、前記測定する工程で測定された前記面外歪みを補償するように、前記テンプレート、前記基板、またはその両方に背面圧力を加える工程と、
前記テンプレート、前記基板、またはその両方における、前記測定する工程で測定された前記面外歪みを補償した後、
i)前記基板上にインプリントレジストを配置し、
ii)前記テンプレートの前記第1アクティブ領域におけるパターンフィーチャが前記インプリントレジストによって充填されるように、前記インプリントレジストを前記テンプレートに接触させ、
iii)前記テンプレート、前記基板、またはその両方に追加背面圧力を加え、加えられる前記追加背面圧力は、前記基板の前記第2アクティブ領域が前記所望の倍率補正を示すように選択される、工程と、
前記インプリントレジストを重合させてポリマ層を生成する工程と、
前記ポリマ層から前記テンプレートを剥離する工程と、
前記物品を得るように前記ポリマ層のパターンを前記基板に転写する工程と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記物品はレプリカテンプレートである、ことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 追加の基板上に追加のインプリントレジストを配置する工程と、
前記追加のインプリントレジストを前記レプリカテンプレートに接触させる工程と、
前記追加のインプリントレジストを重合させて追加のポリマ層を生成する工程と、
前記レプリカテンプレートから前記追加の基板を剥離してパターン基板を生成する工程と、
を更に含むことを特徴とする請求項18に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US15/350,714 US11454883B2 (en) | 2016-11-14 | 2016-11-14 | Template replication |
US15/350,714 | 2016-11-14 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018082175A JP2018082175A (ja) | 2018-05-24 |
JP2018082175A5 JP2018082175A5 (ja) | 2020-12-03 |
JP6994911B2 true JP6994911B2 (ja) | 2022-01-14 |
Family
ID=62108409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017219309A Active JP6994911B2 (ja) | 2016-11-14 | 2017-11-14 | テンプレート複製 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11454883B2 (ja) |
JP (1) | JP6994911B2 (ja) |
KR (1) | KR102239731B1 (ja) |
CN (1) | CN108073036B (ja) |
SG (1) | SG10201708703TA (ja) |
TW (1) | TWI763728B (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10627715B2 (en) | 2016-10-31 | 2020-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for separating a nanoimprint template from a substrate |
US10288999B2 (en) | 2016-12-20 | 2019-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Methods for controlling extrusions during imprint template replication processes |
JP7171394B2 (ja) * | 2018-11-29 | 2022-11-15 | キヤノン株式会社 | 成形装置、成形方法、および物品の製造方法 |
JP7431694B2 (ja) | 2020-07-28 | 2024-02-15 | キヤノン株式会社 | 情報処理装置、膜形成装置、物品の製造方法、およびプログラム |
US20220035245A1 (en) * | 2020-07-31 | 2022-02-03 | Applied Materials, Inc. | Nano imprint stamps |
US12085852B2 (en) | 2021-12-27 | 2024-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Template, method of forming a template, apparatus and method of manufacturing an article |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006506814A (ja) | 2002-11-13 | 2006-02-23 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 基板の形状を調整するチャック・システムと方法 |
JP2006510223A (ja) | 2002-12-13 | 2006-03-23 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 基板の面曲がりを使用する倍率補正 |
JP2007242893A (ja) | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Toshiba Corp | パターン転写方法およびパターン転写装置 |
JP2011528506A (ja) | 2008-07-15 | 2011-11-17 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | ナノ−インプリント・リソグラフィのための内部空洞システム |
JP2014103294A (ja) | 2012-11-21 | 2014-06-05 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリントモールドとインプリントモールドの作製方法、および、パターン形成方法と半導体装置の製造方法 |
JP2015139888A (ja) | 2014-01-27 | 2015-08-03 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド及び半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6873087B1 (en) | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
US7019819B2 (en) | 2002-11-13 | 2006-03-28 | Molecular Imprints, Inc. | Chucking system for modulating shapes of substrates |
US6932934B2 (en) | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
US7179396B2 (en) | 2003-03-25 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Positive tone bi-layer imprint lithography method |
US7396475B2 (en) | 2003-04-25 | 2008-07-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming stepped structures employing imprint lithography |
US7157036B2 (en) | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
US7150622B2 (en) | 2003-07-09 | 2006-12-19 | Molecular Imprints, Inc. | Systems for magnification and distortion correction for imprint lithography processes |
US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
US8215946B2 (en) | 2006-05-18 | 2012-07-10 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography system and method |
WO2012164992A1 (ja) | 2011-06-03 | 2012-12-06 | パナソニック株式会社 | 電気接点部品 |
JP2013074115A (ja) | 2011-09-28 | 2013-04-22 | Fujifilm Corp | ナノインプリント装置およびナノインプリント方法、並びに、歪み付与デバイスおよび歪み付与方法 |
JP2013110162A (ja) | 2011-11-17 | 2013-06-06 | Canon Inc | インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP6282069B2 (ja) | 2013-09-13 | 2018-02-21 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、検出方法及びデバイス製造方法 |
SG11201604407WA (en) | 2013-12-31 | 2016-07-28 | Canon Nanotechnologies Inc | Asymmetric template shape modulation for partial field imprinting |
JP2016042498A (ja) | 2014-08-13 | 2016-03-31 | キヤノン株式会社 | インプリント装置および物品製造方法 |
US10627715B2 (en) | 2016-10-31 | 2020-04-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for separating a nanoimprint template from a substrate |
US10969680B2 (en) | 2016-11-30 | 2021-04-06 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for adjusting a position of a template |
US10288999B2 (en) | 2016-12-20 | 2019-05-14 | Canon Kabushiki Kaisha | Methods for controlling extrusions during imprint template replication processes |
-
2016
- 2016-11-14 US US15/350,714 patent/US11454883B2/en active Active
-
2017
- 2017-10-24 SG SG10201708703TA patent/SG10201708703TA/en unknown
- 2017-10-26 TW TW106136871A patent/TWI763728B/zh active
- 2017-11-13 KR KR1020170150384A patent/KR102239731B1/ko active IP Right Grant
- 2017-11-14 JP JP2017219309A patent/JP6994911B2/ja active Active
- 2017-11-14 CN CN201711118552.2A patent/CN108073036B/zh active Active
-
2022
- 2022-08-17 US US17/820,376 patent/US11604409B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006506814A (ja) | 2002-11-13 | 2006-02-23 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 基板の形状を調整するチャック・システムと方法 |
JP2006510223A (ja) | 2002-12-13 | 2006-03-23 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 基板の面曲がりを使用する倍率補正 |
JP2007242893A (ja) | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Toshiba Corp | パターン転写方法およびパターン転写装置 |
JP2011528506A (ja) | 2008-07-15 | 2011-11-17 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | ナノ−インプリント・リソグラフィのための内部空洞システム |
JP2014103294A (ja) | 2012-11-21 | 2014-06-05 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリントモールドとインプリントモールドの作製方法、および、パターン形成方法と半導体装置の製造方法 |
JP2015139888A (ja) | 2014-01-27 | 2015-08-03 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド及び半導体デバイスの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11454883B2 (en) | 2022-09-27 |
TWI763728B (zh) | 2022-05-11 |
US20180136556A1 (en) | 2018-05-17 |
JP2018082175A (ja) | 2018-05-24 |
US20220390834A1 (en) | 2022-12-08 |
CN108073036B (zh) | 2022-08-23 |
SG10201708703TA (en) | 2018-06-28 |
US11604409B2 (en) | 2023-03-14 |
CN108073036A (zh) | 2018-05-25 |
KR102239731B1 (ko) | 2021-04-13 |
KR20180054477A (ko) | 2018-05-24 |
TW201830145A (zh) | 2018-08-16 |
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